JP2003243728A - 熱電変換モジュール - Google Patents
熱電変換モジュールInfo
- Publication number
- JP2003243728A JP2003243728A JP2002042297A JP2002042297A JP2003243728A JP 2003243728 A JP2003243728 A JP 2003243728A JP 2002042297 A JP2002042297 A JP 2002042297A JP 2002042297 A JP2002042297 A JP 2002042297A JP 2003243728 A JP2003243728 A JP 2003243728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conversion module
- thermoelectric conversion
- wire
- solder
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【課題】 鉛フリーのＡｕ−Ｓｎ系はんだを使用した場
合に、端子とリード線との間の接続信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 熱電変換モジュールにおいて、各熱電素
子３と下部電極４及び上部電極５とがＡｕ−Ｓｎ系（Ａ
ｕが５０質量％以上）はんだにより接合されていると共
に、端子部１２には、リード線１０が、同様にＡｕ−Ｓ
ｎ系（Ａｕが５０質量％以上）はんだにより接合されて
いる。このリード線１０は、Ａｕ被覆軟銅線である。又
は、リード線１０は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、
Ｃｏ、Ｔｉ、Ｒｕ及びＲｈからなる群から選択された材
料で被覆された軟銅線を使用してもよいし、Ａｕ線を使
用してもよい。
合に、端子とリード線との間の接続信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 熱電変換モジュールにおいて、各熱電素
子３と下部電極４及び上部電極５とがＡｕ−Ｓｎ系（Ａ
ｕが５０質量％以上）はんだにより接合されていると共
に、端子部１２には、リード線１０が、同様にＡｕ−Ｓ
ｎ系（Ａｕが５０質量％以上）はんだにより接合されて
いる。このリード線１０は、Ａｕ被覆軟銅線である。又
は、リード線１０は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、
Ｃｏ、Ｔｉ、Ｒｕ及びＲｈからなる群から選択された材
料で被覆された軟銅線を使用してもよいし、Ａｕ線を使
用してもよい。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は熱電変換モジュール
に関し、特に、Ａｕ−Ｓｎ系はんだを使用した鉛フリー
の熱電変換モジュールに関する。 【０００２】 【従来の技術】熱電変換モジュールは、図２に示すよう
に、下基板１と、この下基板１に対向する上基板２との
間に、複数個の熱電素子３を配置して構成されている。
そして、下基板１及び上基板２の各対向面に形成された
下部電極４及び上部電極５に、例えば、１個の下部電極
４上に２個の熱電素子３を配置し、隣接する２個の下部
電極４上の隣接する２個の熱電素子同士を１個の上部電
極５により接続するというようにして、複数個の熱電素
子３を、下部電極４と上部電極５とで交互に接続するこ
とにより直列接続している。なお、これらの複数個の熱
電素子の全部又は一部を並列接続する場合もある。ま
た、熱電変換モジュールの下基板には、直列又は並列に
接続された熱電素子群の両端部に夫々接続された端子
（図示せず）が設けられており、この端子に外部リード
線（図示せず）が接続されて、熱電素子が外部に引き出
されている。 【０００３】この熱電変換モジュールにおいて、各熱電
素子と下部電極及び上部電極とは、従来、Ｓｎ−５質量
％Ｓｂはんだにより接合されている。これは、この熱電
変換モジュールをパッケージ６に搭載する際に、熱電変
換モジュールの下基板とパッケージ内面とを、Ｓｎ−３
７質量％Ｐｂはんだ８により接合していたからである。
このＳｎ−３７質量％Ｐｂはんだは融点が１８３℃であ
り、熱電変換モジュールとしては、このパッケージ側の
はんだ種よりも高温の融点を有するはんだを使用する必
要があり、Ｓｎ−５質量％はんだは、融点が２４０℃で
あり、適度の融点を有しているからである。ちなみに、
熱電変換モジュールが冷却しようとする対象物として、
ＬＤ（レーザダイオード）７があり、このＬＤと熱電変
換モジュールの上基板２との間は、Ｉｎ−Ｓｎ系はんだ
９（融点１３１℃）等により接合されている。 【０００４】しかし、近時、鉛公害の防止のための鉛フ
リー化に際し、Ｓｎ−３７質量％Ｐｂはんだに代わるは
んだ種の使用が要望されている。また、熱電変換モジュ
ールの接合ではないが、半導体装置又は光ファイバの接
合に、Ａｕ−Ｓｎ系はんだを使用することが提案されて
いる（特開平１１−３０７５８５号公報、特開平９−１
０２５１４号公報、特開平８−２５０８５１号公報）。
一方、熱電変換モジュールの各部材の接合の場合には、
融点が２８０℃のＡｕ−２０質量％Ｓｎはんだのような
Ａｕ−Ｓｎ系はんだの使用が考えられる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかし、熱電変換モジ
ュールにおいては、基板上の端子と外部リード線とを接
続するはんだ種として、同様にＡｕ−Ｓｎ系はんだを使
用すると、リード線として、従来使用されているＳｎめ
っき銅線を組み合わせた場合に、Ｓｎの融点が２３２℃
であり、Ａｕ−Ｓｎ系はんだの融点２８０℃と大きく離
れているため、はんだ付け時にＳｎが先に溶け始め、は
んだ付け部との境界部近傍でＳｎが溶けるという問題点
がある。これにより、図３に示すように、Ｓｎメッキが
剥がれてしまい（Ｓｎメッキ剥がれ２０）、接続強度の
信頼性が劣化してしまう。 【０００６】また、図３に示すように、ＳｎめっきとＡ
ｕ−Ｓｎはんだとの反応層にＳｎリッチのＳｎ−１０質
量％Ａｕ層２１が発生し、この合金の融点は２１７℃と
極めて低いため、接続信頼性を著しく劣化させてしま
う。 【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、鉛フリー化のために、熱電変換モジュール
の組み立てにＡｕ−Ｓｎ系はんだを使用した場合に、熱
電変換モジュールの端子とリード線との間の接続信頼性
を向上させることができる熱電変換モジュールを提供す
ることを目的とする。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明に係る熱電変換モ
ジュールは、下基板と、前記下基板に対向する上基板
と、前記下基板及び上基板の各対向面に夫々形成された
複数個の下部電極及び上部電極と、前記下部電極と上部
電極との間に設けられ前記下部電極及び上部電極により
直列及び／又は並列に接続された複数個の熱電素子と、
前記直列及び／又は並列に接続された熱電素子群の両端
部の熱電素子に接続され前記下基板上に形成された少な
くとも１対の端子部と、この端子部に接続されたリード
線と、を有し、前記熱電素子と前記下部電極及び上部電
極と、並びに、前記リード線と前記端子部とは、Ａｕ−
Ｓｎ系合金（Ａｕが５０質量％以上）からなるはんだに
より接合されており、前記リード線は、Ａｕ線又はＡ
ｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｒｕ
及びＲｈからなる群から選択された材料で被覆された軟
銅線であることを特徴とする。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について添
付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の
実施例に係る熱電変換モジュールを示す図である。図１
において、図２と同一構成物には同一符号を付す。即
ち、下基板１と、下基板１に対向する上基板２と、下基
板１及び上基板２の各対向面に夫々形成された複数個の
下部電極４及び上部電極５と、下部電極４と上部電極５
との間に設けられた熱電素子３とから熱電変換モジュー
ルが構成されている。この熱電素子３は、下部電極４及
び上部電極５により直列及び／又は並列に接続されてい
る。図示例は、隣接する２個の下部電極４上に搭載され
た隣接する２個の熱電素子（Ｎ型及びＰ型）３は、１個
の上部電極３に接続されて、各熱電素子３が直列接続さ
れている。なお、これらの熱電素子３は下部電極４及び
上部電極５により並列接続される場合もある。 【００１０】そして、これらの直列接続された熱電素子
群の両端部に位置する熱電素子３が搭載された下部電極
４には、夫々端子部１２が接続されている。これらの端
子部１２は下部基板１上に形成されている。 【００１１】而して、各熱電素子３と下部電極４及び上
部電極５とはＡｕ−Ｓｎ系（Ａｕが５０質量％以上）は
んだにより接合されていると共に、端子部１２には、リ
ード線１０が、同様にＡｕ−Ｓｎ系（Ａｕが５０質量％
以上）はんだにより接合されている。 【００１２】このリード線１０は、Ａｕ被覆軟銅線であ
る。しかし、リード線１０は、これに限らず、例えば、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｒｕ及び
Ｒｈからなる群から選択された材料で被覆された軟銅線
を使用してもよいし、Ａｕ線を使用してもよい。 【００１３】次に、本実施例の動作について説明する。
リード線１０として、Ａｕ被覆軟銅線を使用した場合、
熱電変換モジュールの組み立て時に、Ａｕ−Ｓｎ系はん
だを溶融させても、被覆されたＡｕ膜の融点が高いため
に、Ａｕ−Ｓｎ系はんだの融点（２８０℃）又はそれよ
り若干高い温度でもＡｕ膜が溶融したり、Ａｕ膜が剥が
れたりすることはない。 【００１４】また、Ａｕ−ＳｎはんだとＡｕ膜とが反応
しても、反応生成物はＡｕリッチになり、低融点のＳｎ
−１０質量％Ａｕ層は生成しない。 【００１５】なお、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃ
ｏ、Ｔｉ、Ｒｕ又はＲｈで被覆された軟銅線を使用して
も、同様に、メッキ剥がれ及び低融点のＳｎ−１０質量
％Ａｕ層の生成を防止することができる。即ち、はんだ
のＳｎとリード線の各被覆金属とが反応しても、Ａｕ−
Ｓｎ系はんだの融点を下げることはない。 【００１６】 【実施例】次に、本発明の実施例について、本発明の範
囲から外れる比較例と比較して説明する。下記表１及び
表２は、実施例及び比較例の接合強度（ｋｇ／ｍｍ２）
及び信頼性試験の結果（％）を示す。比較例は、従来の
Ｓｎ被覆リード線を使用した場合のものである。 【００１７】 【表１】 【００１８】 【表２】【００１９】この信頼性試験は、各実施例及び比較例に
ついて、夫々２０個の試験材（熱電変換モジュール）に
ついて、パワーサイクル試験を実施し、このパワーサイ
クル試験の前後のＡＣＲの変化率の平均値により評価し
た。パワーサイクル試験は熱電変換モジュール試験材に
１．５分間にわたり２アンペアを通電し、４．５分間電
流を停止し、これを５０００回繰り返した。ＡＣＲと
は、交流で測定した熱電素子の抵抗値（Alternative Cu
rrent of Resistance）のことである。このＡＣＲは、
２７℃で、１ｋＨｚの周波数の交流（０．１ｍＡ）で測
定したものである。パワーサイクル試験によるＡＣＲの
変化率が大きいほど、熱電素子の劣化が激しい。また、
接合強度は電極端子部に所定のはんだでリード線をはん
だ付けした後、電極端子部を固定し、リード線をリード
線の長手方向（基板と平行）に引っ張ることにより、リ
ード線が剥離するときの強度として測定した。 【００２０】表１に示すように、比較例は接合強度が
５．５ｋｇ／ｍｍ２と低く、信頼性試験においても、Ａ
ＣＲの変化率が１．２％と高く、熱冷サイクルより熱電
変換モジュールの劣化が激しかったことを示している。
これに対し、本発明の実施例１乃至４はいずれも接合強
度が７．０ｋｇ／ｍｍ２以上と高く、信頼性試験におい
ても、ＡＣＲの変化率が０．３１％以下と低く、熱電変
換モジュールの劣化が少ないことがわかる。また、表２
に示すように、本発明の実施例５乃至１０も、接合強度
が５．６ｋｇ／ｍｍ２以上であり、信頼性試験において
ＡＣＲの変化率が０．９７％以下であり、熱電変換モジ
ュールの劣化が少ないものである。 【００２１】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
熱電変換モジュールのリード線の接続信頼性が極めて高
いという効果を奏する。
に関し、特に、Ａｕ−Ｓｎ系はんだを使用した鉛フリー
の熱電変換モジュールに関する。 【０００２】 【従来の技術】熱電変換モジュールは、図２に示すよう
に、下基板１と、この下基板１に対向する上基板２との
間に、複数個の熱電素子３を配置して構成されている。
そして、下基板１及び上基板２の各対向面に形成された
下部電極４及び上部電極５に、例えば、１個の下部電極
４上に２個の熱電素子３を配置し、隣接する２個の下部
電極４上の隣接する２個の熱電素子同士を１個の上部電
極５により接続するというようにして、複数個の熱電素
子３を、下部電極４と上部電極５とで交互に接続するこ
とにより直列接続している。なお、これらの複数個の熱
電素子の全部又は一部を並列接続する場合もある。ま
た、熱電変換モジュールの下基板には、直列又は並列に
接続された熱電素子群の両端部に夫々接続された端子
（図示せず）が設けられており、この端子に外部リード
線（図示せず）が接続されて、熱電素子が外部に引き出
されている。 【０００３】この熱電変換モジュールにおいて、各熱電
素子と下部電極及び上部電極とは、従来、Ｓｎ−５質量
％Ｓｂはんだにより接合されている。これは、この熱電
変換モジュールをパッケージ６に搭載する際に、熱電変
換モジュールの下基板とパッケージ内面とを、Ｓｎ−３
７質量％Ｐｂはんだ８により接合していたからである。
このＳｎ−３７質量％Ｐｂはんだは融点が１８３℃であ
り、熱電変換モジュールとしては、このパッケージ側の
はんだ種よりも高温の融点を有するはんだを使用する必
要があり、Ｓｎ−５質量％はんだは、融点が２４０℃で
あり、適度の融点を有しているからである。ちなみに、
熱電変換モジュールが冷却しようとする対象物として、
ＬＤ（レーザダイオード）７があり、このＬＤと熱電変
換モジュールの上基板２との間は、Ｉｎ−Ｓｎ系はんだ
９（融点１３１℃）等により接合されている。 【０００４】しかし、近時、鉛公害の防止のための鉛フ
リー化に際し、Ｓｎ−３７質量％Ｐｂはんだに代わるは
んだ種の使用が要望されている。また、熱電変換モジュ
ールの接合ではないが、半導体装置又は光ファイバの接
合に、Ａｕ−Ｓｎ系はんだを使用することが提案されて
いる（特開平１１−３０７５８５号公報、特開平９−１
０２５１４号公報、特開平８−２５０８５１号公報）。
一方、熱電変換モジュールの各部材の接合の場合には、
融点が２８０℃のＡｕ−２０質量％Ｓｎはんだのような
Ａｕ−Ｓｎ系はんだの使用が考えられる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかし、熱電変換モジ
ュールにおいては、基板上の端子と外部リード線とを接
続するはんだ種として、同様にＡｕ−Ｓｎ系はんだを使
用すると、リード線として、従来使用されているＳｎめ
っき銅線を組み合わせた場合に、Ｓｎの融点が２３２℃
であり、Ａｕ−Ｓｎ系はんだの融点２８０℃と大きく離
れているため、はんだ付け時にＳｎが先に溶け始め、は
んだ付け部との境界部近傍でＳｎが溶けるという問題点
がある。これにより、図３に示すように、Ｓｎメッキが
剥がれてしまい（Ｓｎメッキ剥がれ２０）、接続強度の
信頼性が劣化してしまう。 【０００６】また、図３に示すように、ＳｎめっきとＡ
ｕ−Ｓｎはんだとの反応層にＳｎリッチのＳｎ−１０質
量％Ａｕ層２１が発生し、この合金の融点は２１７℃と
極めて低いため、接続信頼性を著しく劣化させてしま
う。 【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、鉛フリー化のために、熱電変換モジュール
の組み立てにＡｕ−Ｓｎ系はんだを使用した場合に、熱
電変換モジュールの端子とリード線との間の接続信頼性
を向上させることができる熱電変換モジュールを提供す
ることを目的とする。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明に係る熱電変換モ
ジュールは、下基板と、前記下基板に対向する上基板
と、前記下基板及び上基板の各対向面に夫々形成された
複数個の下部電極及び上部電極と、前記下部電極と上部
電極との間に設けられ前記下部電極及び上部電極により
直列及び／又は並列に接続された複数個の熱電素子と、
前記直列及び／又は並列に接続された熱電素子群の両端
部の熱電素子に接続され前記下基板上に形成された少な
くとも１対の端子部と、この端子部に接続されたリード
線と、を有し、前記熱電素子と前記下部電極及び上部電
極と、並びに、前記リード線と前記端子部とは、Ａｕ−
Ｓｎ系合金（Ａｕが５０質量％以上）からなるはんだに
より接合されており、前記リード線は、Ａｕ線又はＡ
ｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｒｕ
及びＲｈからなる群から選択された材料で被覆された軟
銅線であることを特徴とする。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について添
付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の
実施例に係る熱電変換モジュールを示す図である。図１
において、図２と同一構成物には同一符号を付す。即
ち、下基板１と、下基板１に対向する上基板２と、下基
板１及び上基板２の各対向面に夫々形成された複数個の
下部電極４及び上部電極５と、下部電極４と上部電極５
との間に設けられた熱電素子３とから熱電変換モジュー
ルが構成されている。この熱電素子３は、下部電極４及
び上部電極５により直列及び／又は並列に接続されてい
る。図示例は、隣接する２個の下部電極４上に搭載され
た隣接する２個の熱電素子（Ｎ型及びＰ型）３は、１個
の上部電極３に接続されて、各熱電素子３が直列接続さ
れている。なお、これらの熱電素子３は下部電極４及び
上部電極５により並列接続される場合もある。 【００１０】そして、これらの直列接続された熱電素子
群の両端部に位置する熱電素子３が搭載された下部電極
４には、夫々端子部１２が接続されている。これらの端
子部１２は下部基板１上に形成されている。 【００１１】而して、各熱電素子３と下部電極４及び上
部電極５とはＡｕ−Ｓｎ系（Ａｕが５０質量％以上）は
んだにより接合されていると共に、端子部１２には、リ
ード線１０が、同様にＡｕ−Ｓｎ系（Ａｕが５０質量％
以上）はんだにより接合されている。 【００１２】このリード線１０は、Ａｕ被覆軟銅線であ
る。しかし、リード線１０は、これに限らず、例えば、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｒｕ及び
Ｒｈからなる群から選択された材料で被覆された軟銅線
を使用してもよいし、Ａｕ線を使用してもよい。 【００１３】次に、本実施例の動作について説明する。
リード線１０として、Ａｕ被覆軟銅線を使用した場合、
熱電変換モジュールの組み立て時に、Ａｕ−Ｓｎ系はん
だを溶融させても、被覆されたＡｕ膜の融点が高いため
に、Ａｕ−Ｓｎ系はんだの融点（２８０℃）又はそれよ
り若干高い温度でもＡｕ膜が溶融したり、Ａｕ膜が剥が
れたりすることはない。 【００１４】また、Ａｕ−ＳｎはんだとＡｕ膜とが反応
しても、反応生成物はＡｕリッチになり、低融点のＳｎ
−１０質量％Ａｕ層は生成しない。 【００１５】なお、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃ
ｏ、Ｔｉ、Ｒｕ又はＲｈで被覆された軟銅線を使用して
も、同様に、メッキ剥がれ及び低融点のＳｎ−１０質量
％Ａｕ層の生成を防止することができる。即ち、はんだ
のＳｎとリード線の各被覆金属とが反応しても、Ａｕ−
Ｓｎ系はんだの融点を下げることはない。 【００１６】 【実施例】次に、本発明の実施例について、本発明の範
囲から外れる比較例と比較して説明する。下記表１及び
表２は、実施例及び比較例の接合強度（ｋｇ／ｍｍ２）
及び信頼性試験の結果（％）を示す。比較例は、従来の
Ｓｎ被覆リード線を使用した場合のものである。 【００１７】 【表１】 【００１８】 【表２】【００１９】この信頼性試験は、各実施例及び比較例に
ついて、夫々２０個の試験材（熱電変換モジュール）に
ついて、パワーサイクル試験を実施し、このパワーサイ
クル試験の前後のＡＣＲの変化率の平均値により評価し
た。パワーサイクル試験は熱電変換モジュール試験材に
１．５分間にわたり２アンペアを通電し、４．５分間電
流を停止し、これを５０００回繰り返した。ＡＣＲと
は、交流で測定した熱電素子の抵抗値（Alternative Cu
rrent of Resistance）のことである。このＡＣＲは、
２７℃で、１ｋＨｚの周波数の交流（０．１ｍＡ）で測
定したものである。パワーサイクル試験によるＡＣＲの
変化率が大きいほど、熱電素子の劣化が激しい。また、
接合強度は電極端子部に所定のはんだでリード線をはん
だ付けした後、電極端子部を固定し、リード線をリード
線の長手方向（基板と平行）に引っ張ることにより、リ
ード線が剥離するときの強度として測定した。 【００２０】表１に示すように、比較例は接合強度が
５．５ｋｇ／ｍｍ２と低く、信頼性試験においても、Ａ
ＣＲの変化率が１．２％と高く、熱冷サイクルより熱電
変換モジュールの劣化が激しかったことを示している。
これに対し、本発明の実施例１乃至４はいずれも接合強
度が７．０ｋｇ／ｍｍ２以上と高く、信頼性試験におい
ても、ＡＣＲの変化率が０．３１％以下と低く、熱電変
換モジュールの劣化が少ないことがわかる。また、表２
に示すように、本発明の実施例５乃至１０も、接合強度
が５．６ｋｇ／ｍｍ２以上であり、信頼性試験において
ＡＣＲの変化率が０．９７％以下であり、熱電変換モジ
ュールの劣化が少ないものである。 【００２１】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
熱電変換モジュールのリード線の接続信頼性が極めて高
いという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る熱電変換モジュールを示
す図である。 【図２】従来の熱電変換モジュールを示す図である。 【図３】同じく、従来の熱電変換モジュールを示す図で
ある。 【符号の説明】 １：下基板、２：上基板、３：熱電素子、４：下部電
極、５：上部電極、１０：リード線
す図である。 【図２】従来の熱電変換モジュールを示す図である。 【図３】同じく、従来の熱電変換モジュールを示す図で
ある。 【符号の説明】 １：下基板、２：上基板、３：熱電素子、４：下部電
極、５：上部電極、１０：リード線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 35/32 Ｈ０１Ｌ 35/32 Ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 下基板と、前記下基板に対向する上基板
と、前記下基板及び上基板の各対向面に夫々形成された
複数個の下部電極及び上部電極と、前記下部電極と上部
電極との間に設けられ前記下部電極及び上部電極により
直列及び／又は並列に接続された複数個の熱電素子と、
前記直列及び／又は並列に接続された熱電素子群の両端
部の熱電素子に接続され前記下基板上に形成された少な
くとも１対の端子部と、この端子部に接続されたリード
線と、を有し、前記熱電素子と前記下部電極及び上部電
極と、並びに、前記リード線と前記端子部とは、Ａｕ−
Ｓｎ系合金（Ａｕが５０質量％以上）からなるはんだに
より接合されており、前記リード線は、Ａｕ線又はＡ
ｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｒｕ
及びＲｈからなる群から選択された材料で被覆された軟
銅線であることを特徴とする熱電変換モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002042297A JP3552704B2 (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 熱電変換モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002042297A JP3552704B2 (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 熱電変換モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243728A true JP2003243728A (ja) | 2003-08-29 |
| JP3552704B2 JP3552704B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=27782456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002042297A Expired - Fee Related JP3552704B2 (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 熱電変換モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3552704B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277256A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Aisin Seiki Co Ltd | リード線及びこれを備えた熱電モジュール |
| CN100397672C (zh) * | 2004-08-31 | 2008-06-25 | 株式会社东芝 | 热电变换装置以及热电变换装置的制造方法 |
| CN100397671C (zh) * | 2003-10-29 | 2008-06-25 | 京瓷株式会社 | 热电换能模块 |
-
2002
- 2002-02-19 JP JP2002042297A patent/JP3552704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100397671C (zh) * | 2003-10-29 | 2008-06-25 | 京瓷株式会社 | 热电换能模块 |
| JP2005277256A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Aisin Seiki Co Ltd | リード線及びこれを備えた熱電モジュール |
| CN100397672C (zh) * | 2004-08-31 | 2008-06-25 | 株式会社东芝 | 热电变换装置以及热电变换装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3552704B2 (ja) | 2004-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7148426B2 (en) | Lead-free solder, and connection lead and electrical component using said lead-free solder | |
| JP2009060101A (ja) | 電子機器 | |
| KR950000904A (ko) | 무연의 주석, 안티몬, 비스무트 및 구리 납땜 합금 | |
| JP5578326B2 (ja) | リード部品及びその製造方法、並びに半導体パッケージ | |
| JP2004174522A (ja) | 複合はんだ、その製造方法および電子機器 | |
| JP5362719B2 (ja) | 接合構造および電子部品の製造方法 | |
| JP2005161318A (ja) | 熱電変換モジュール | |
| JP2002261104A (ja) | 半導体装置および電子機器 | |
| JP2005340268A (ja) | トランジスタパッケージ | |
| JP4228926B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007067231A (ja) | 熱電モジュール | |
| JP3552704B2 (ja) | 熱電変換モジュール | |
| JP2003282974A (ja) | 熱電変換モジュール | |
| JP4432541B2 (ja) | 電子機器 | |
| JP2006140039A (ja) | リード線及びそれを用いた太陽電池 | |
| JP2009158725A (ja) | 半導体装置およびダイボンド材 | |
| JP2004342879A (ja) | 熱電変換モジュールの組立方法および当該モジュールの組立てに用いられるろう材 | |
| JP2002313604A (ja) | ポリマーｐｔｃ素子 | |
| JP4013895B2 (ja) | 熱電モジュール | |
| JP2008034514A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4792713B2 (ja) | リード線及びその製造方法並びに太陽電池アセンブリ | |
| JP2004186566A (ja) | 熱電変換モジュールの組立方法 | |
| JPH11354848A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4826310B2 (ja) | 熱電モジュール | |
| JP2005286274A (ja) | はんだ付け方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040409 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040413 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040426 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3552704 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140514 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |