JP2003243660A - 電界効果型トランジスタ - Google Patents
電界効果型トランジスタInfo
- Publication number
- JP2003243660A JP2003243660A JP2002035383A JP2002035383A JP2003243660A JP 2003243660 A JP2003243660 A JP 2003243660A JP 2002035383 A JP2002035383 A JP 2002035383A JP 2002035383 A JP2002035383 A JP 2002035383A JP 2003243660 A JP2003243660 A JP 2003243660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- residue
- residues
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】電界効果移動度が大きいとともにオン・オフ比
が大きく、簡便な方法で作製できる電界効果型トランジ
スタを提供する。 【解決手段】 半導体活性層とゲート絶縁膜を具備し、
前記半導体活性層が複数の有機基が樹枝状に結合した構
造を有する超分岐高分子化合物を含有する電界効果型ト
ランジスタにおいて、前記超分岐高分子化合物の分岐部
分または分岐末端の最外殻部分の部分構造に縮合環型芳
香族残基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を
含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
が大きく、簡便な方法で作製できる電界効果型トランジ
スタを提供する。 【解決手段】 半導体活性層とゲート絶縁膜を具備し、
前記半導体活性層が複数の有機基が樹枝状に結合した構
造を有する超分岐高分子化合物を含有する電界効果型ト
ランジスタにおいて、前記超分岐高分子化合物の分岐部
分または分岐末端の最外殻部分の部分構造に縮合環型芳
香族残基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を
含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹枝状構造を有する
有機化合物を半導体活性層に用いた電界効果型トランジ
スタに関し、生産性に優れ、オン・オフ比が大きくスイ
ッチング素子として有利に使用される電界効果型トラン
ジスタに関する。 【０００２】 【従来の技術】ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレ
ン等の高分子は半導体的性質を示し、シリコンやガリウ
ム砒素等の無機系の材料にない可撓性を持っている。ま
た、このようなπ共役系高分子は置換基の導入により有
機溶剤に可溶なものも合成可能であり、スピンコート
法、ディッピング法（浸漬法）など簡便な方法で薄膜を
形成することもできる。このようなことから、これまで
にπ共役系高分子を使った整流素子や、電界効果型トラ
ンジスタが試作され、一定の特性が得られている。 【０００３】π共役系高分子を電界効果型トランジスタ
の半導体活性層として用いた従来例としては、電解重合
によりπ共役系高分子薄膜を形成するもの（例として特
開昭６２−８５４６７号公報）、π共役系高分子の溶液
あるいはπ共役系高分子前駆体の溶液を塗布するもの
（例として特開平５−１１００６９号公報）等がある。 【０００４】有機物を用いた電界効果型トランジスタ
を、アクティブマトリクス式液晶ディスプレイの画素駆
動素子に応用するという検討がなされている。この場
合、オン・オフ比が高いこと、つまりオフ電流（ゲート
電圧が０Ｖの時にソース、ドレイン間に流れる電流）が
小さいこと、及びオン電流（ゲート電極に電圧を印加し
た時にソース、ドレイン間に流れる電流）が大きいこと
が、コントラスト向上や応答高速化にあたって要求され
る。 【０００５】オフ電流を低減するためには、オフ時の半
導体活性層の導電率が低いことが必要である。また、オ
ン電流に関しては、電界効果移動度の値が重要である。 【０００６】一般に、電界効果型トランジスタにおい
て、ソース、ドレイン間に充分な電圧を印加したとき
に、両電極間に流れる電流ＩD は、次式で表されること
が知られている（ただしオン電流のみ考慮）。 【０００７】 ＩD ＝（Ｗ／２Ｌ）μＣ （ＶG −Ｖth）2 （Ｗ：チャネル幅、Ｌ：チャネル長、μ：電界効果移動
度、Ｃ ：ゲート絶縁膜の単位面積当たりのキャパシタ
ンス、ＶG ：ゲート電圧、Ｖth：しきい電圧） ここで、電界効果移動度（μ）は、電界効果型トランジ
スタのオン電流とゲート電圧との関係から求められ、オ
ン時に半導体活性層を流れる電流の実効的なキャリア移
動度を表す。この式からわかるように、電界効果型トラ
ンジスタにおいて大きいオン電流を得るためには、上式
における電界効果移動度（μ）が大きいことが必要とな
る。 【０００８】初期のπ共役系高分子電界効果型トランジ
スタは、オン電流が低くオン・オフ比も小さかった。オ
ン電流の向上とオン・オフ比の向上のために、これまで
に種々の工夫が試みられてきた。 【０００９】特開平５−１１００６９号公報では、活性
化処理により半導体となる有機薄膜を活性化処理を施し
半導体とすることにより、π共役系高分子を電界効果型
トランジスタの半導体活性層として用いた例としてはか
なり高い１×１０-1cm2 ／Ｖ・sececという電界効果移
動度の値が得られている。しかしこの例では、オフ電流
（ゲート電圧が０Ｖの時にソース、ドレイン間に流れる
電流）も以前より増加してしまっており、オン・オフ比
の向上にはつながっていない。 【００１０】オン・オフ比を向上させることを優先する
ため、特にオフ電流を低減させることによってオン・オ
フ比５桁を実現したπ共役系高分子電界効果型トランジ
スタの例がある（アプライド・フィジクス・レター、
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ）、
６２巻、１７９４頁、１９９３年）。しかしこの場合、
電界効果移動度は２×１０-4cm2 ／Ｖ・sececにとどま
っており、オン電流が大きくとれない。このように、オ
フ電流の低減とオン電流の向上を同時に行うことが、従
来困難であった。 【００１１】オン電流を大きくし、オン・オフ比も大き
くする技術として、ゲート電極の上にキャリア密度の異
なる２種類の有機半導体活性層を積層し、ゲート電極か
らの電圧印加に応じて二つの有機層の間でキャリアを移
動させることによってソース・ドレイン間の電気伝導度
を変化させるというものがある（特開平５−４８０９４
号公報）。しかしこの方法は半導体活性層形成に二段階
の手順を必要とし、煩雑である。 【００１２】π共役系高分子膜の導電率を向上させる目
的で、延伸処理により分子鎖の配列状態の制御を行う試
みが多数行われ、延伸処理膜の導電率の異方性が多数観
測されている。また、分子鎖の結晶化が進むと導電率が
向上することも知られている。このように、分子鎖の配
列状態は電気伝導特性に大きな影響を及ぼす。このこと
から、π共役系高分子電界効果型トランジスタの電界効
果移動度は、半導体活性層における分子鎖の配列状態に
大きく依存すると考えられる。 【００１３】ソース・ドレイン間に電圧を印加し、ゲー
ト電極に電圧を印加することによってソース・ドレイン
間にオン電流が流れるのは、半導体活性層中の絶縁層と
の界面付近に伝導チャネルが形成されるためと考えられ
ている。一方、界面付近に伝導チャネルが形成されてい
なくても、ソース・ドレイン間に電圧を印加すれば、半
導体活性層が完全な絶縁体でない限り、半導体活性層／
ゲート絶縁膜界面付近以外の領域（バルク）も経由して
わずかながらソース・ドレイン間に電流が流れる。これ
がオフ電流の原因である。半導体活性層全体に対してド
ーピングを施したり、キャリア移動度を向上させて、半
導体活性層全体の導電率をあげると、オン電流も増加す
るがバルクを流れるオフ電流の増加も引き起こされる。 【００１４】つまり、半導体活性層のバルクを流れる電
流のキャリア移動度を増加させずに、絶縁層との界面付
近のみ分子鎖の配列制御を行い、この部分を流れる電流
に対してだけキャリア移動度を増加させれば、オフ電流
をほとんど増加させずにオン電流を増加させることがで
きる。 【００１５】固体の表面に横方向に配向させた形のπ共
役系高分子重合体を形成させる技術としては、化学吸着
単分子膜を用いる方法がある（例として特開平５−１８
６５３１号公報）。これはＳｉ−Ｃｌ基と、π共役系モ
ノマー部分を持つ分子を固体表面に化学吸着させて単分
子膜を形成した後、重合反応を起こさせることによっ
て、固体表面に固定されたπ共役系高分子を得るという
ものである。しかしこの方法では、一連の作業で一分子
層のπ共役系高分子超薄膜しか得られないため、電界効
果型トランジスタの半導体活性層として使った場合、充
分な大きさの電流を流すことは困難である。 【００１６】以上述べたように、従来、π共役系高分子
を半導体活性層に用いた電界効果型トランジスタは、オ
ン電流の向上と、オフ電流の低減を同時に行うことが困
難であった。また、この問題を改善するための従来技術
は、製造方法が煩雑なものであった。 【００１７】 【発明が解決しようとする課題】本発明はこの問題を解
決するためになされたもので、電界効果移動度が大きい
とともにオン・オフ比が大きく、簡便な方法で作製でき
る電界効果型トランジスタを提供することを目的とす
る。 【００１８】 【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によ
って達成された。 [1] 半導体活性層とゲート絶縁膜を具備し、前記半導
体活性層が複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物を含有する電界効果型トランジス
タにおいて、前記超分岐高分子化合物の分岐部分または
分岐末端の最外殻部分の部分構造に縮合環型芳香族残
基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を含有す
ることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 [2] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物がデンドリック高分子であること
を特徴とする[1]に記載の電界効果型トランジスタ。 [3] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物がデンドリマーであることを特徴
とする[1]に記載の電界効果型トランジスタ。 [4] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物がハイパーブランチポリマーであ
ることを特徴とする[1]に記載の電界効果型トランジス
タ。 [5] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物の分岐部の部分構造が縮合環型芳
香族残基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を
含有することを特徴とする[1]〜[4]のいずれかに記載の
電界効果型トランジスタ。 [6] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物の最外殻部分が縮合環型芳香族残
基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を含有す
ることを特徴とする[1]〜[5]のいずれかに記載の電界効
果型トランジスタ。 [7] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物の分子中心構造がπ共役系構造を
有することを特徴とする[1]〜[6]のいずれかに記載の電
界効果型トランジスタ。 [8] 前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末
端の最外殻部分の部分構造を形成する縮合環型芳香族残
基または複素環芳香族残基が、分子内に窒素原子を有す
る芳香族残基であることを特徴とする[1]〜[7]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 [9] 前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末
端の最外殻部分の部分構造を形成する縮合環型芳香族残
基または複素環芳香族残基が、分子内に硫黄原子を有す
る芳香族残基であることを特徴とする [1]〜[8]のいず
れかに記載の電界効果型トランジスタ。 [10] 前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末
端の最外殻部分の部分構造を形成する縮合環型芳香族残
基または複素環芳香族残基が、分子内に酸素原子を有す
る芳香族残基であることを特徴とする[1]〜[9]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 [11] 前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末
端の最外殻部分の部分構造を形成する芳香族アミン残基
が、ジアリールアミン構造またはトリアリールアミン構
造を有することを特徴とする[1]〜[10]のいずれかに記
載の電界効果型トランジスタ。 [12] 前記超分岐高分子化合物が分子内に芳香族アゾー
ル構造を有することを特徴とする[1]〜[11]のいずれか
に記載の電界効果型トランジスタ。 [13] 前記超分岐高分子化合物が分子内にカルバゾール
構造を有することを特徴とする[1]〜[12]のいずれかに
記載の電界効果型トランジスタ。 [14] 前記超分岐高分子化合物が分子内にチオフェン構
造を有することを特徴とする[1]〜[13]のいずれかに記
載の電界効果型トランジスタ。 [15] 前記超分岐高分子化合物の中心構造部分がπ共役
構造を有することを特徴とする[1]〜[14]のいずれかに
記載の電界効果型トランジスタ。 [16] 下記-の構成要素を備える[1]〜[15]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 ソース領域およびドレイン領域 前記ソース領域と前記ドレイン領域の間を延びる半導
体活性層 前記半導体活性層に隣接して間隔をあけて配置された
ゲート領域 前記ゲート領域と前記ソース領域、前記ドレイン領域
および前記半導体活性層との間のゲート絶縁膜 [17] 半導体活性層、ゲート酸化膜、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域の少なくとも１つが塗布法によっ
て形成されていることを特徴とする[1]〜[16]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 [18] 半導体活性層、ゲート酸化膜、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域の少なくとも１つが転写法によっ
て形成されていることを特徴とする[1]〜[17]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 [19] 半導体活性層、ゲート酸化膜、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域の少なくとも１つが印刷法によっ
て形成されていることを特徴とする[1]〜[18]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 [20] 半導体活性層、ゲート酸化膜、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域の少なくとも１つがインクジェッ
ト法によって形成されていることを特徴とする[1]〜[1
9]のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。 【００１９】 【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明における複数の有機基が樹枝状に結合した
構造を有する超分岐高分子化合物とは、任意形状の樹枝
状の分岐構造を持つ超分岐構造単位を最低１つ有する高
分子である。ここでいう「超分岐構造」とは、Ｇ．Ｒ．
Ｎｅｗｋｏｍｅら；“Ｄｅｎｄｒｉｔｉｃ Ｍｏｌｅｃ
ｕｌｅｓ：Ｃｏｎｃｅｐｔｓ，Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｐ
ｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅｓ”；ＶＣＨ Ｖｅｒｌａｇｓｇ
ｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｂＨ社刊（Ｗｅｉｎｈｅｉ
ｍ，Ｇｅｒｍａｎｙ，１９９６）、Ｃ．Ｊ．Ｈａｗｋｅ
ｒら；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕ
ｎ．，１９９０年，１０１０頁、Ｄ．Ａ．Ｔｏｍａｌｉ
ａら；Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇ
ｌ．，２９巻，１３８頁（１９９０）、Ｃ．Ｊ．Ｈａｗ
ｋｅｒら；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１２巻，
７６３８頁（１９９０）、Ｊ．Ｍ．Ｊ．Ｆｒｅｃｈｅ
ｔ；Ｓｃｉｅｎｃｅ，２６３巻，１７１０頁（１９９
４）、あるいは柿本雅明；化学，５０巻，６０８頁（１
９９５）等の文献に詳述されているデンドリマー構造に
代表される概念である。デンドリマーについては、例え
ば、高分子学会編、「高分子」1998年803-829ページや岡
田鉦彦著「デンドリマーの科学と機能」((株)アイピーシ
ー、2000年発行)などに詳しく解説されている。 【００２０】図１に模式的に示すように、１つの超分岐
構造単位は１つのフォーカルポイント（焦点）を有す
る。ここでフォーカルポイントとは、超分岐構造の中心
点、あるいは樹枝状分岐の開始点、より厳密には樹枝状
構造の任意の分岐末端から分岐の収束方向に分子鎖を逆
行した場合の最後の分岐点を意味する。本発明における
超分岐高分子においては、分岐点の数に制限はなく、フ
ォーカルポイントのみを分岐点とした構造も含む。ま
た、図２に模式的に示すごとく、複数の該超分岐構造単
位のフォーカルポイントが多官能性分子に結合して、該
多官能性分子残基を分子中心構造として取り囲む形をな
した分子も、本発明の超分岐高分子に該当する。図２
は、分子中心構造が３官能性分子残基であり、これが３
つの超分岐構造単位をそれらのフォーカルポイントで結
合した場合の模式図である。かかる複数の超分岐構造単
位は、互いに異なっていても差し支えない。 【００２１】なお、本発明で言う分子中心構造とは、任
意数のフォーカルポイントと結合し、該フォーカルポイ
ント以降の超分岐構造を除いた部分構造、換言すれば、
本発明の超分岐高分子の分子中心に位置し、任意の超分
岐構造単位の繰り返し単位（又は単量体単位）を含まな
い部分構造を意味する。かかる分子中心構造としては、
ベンゼン、ピリジン等の芳香環残基、エチレングリコー
ル、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール等
のジオール類の残基、ビスフェノールＡや４，４’−ジ
ヒドロキシビフェニル等のビスフェノール類の残基、マ
ロン酸、コハク酸、グルタル酸等のジカルボン酸類の残
基、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノ−ｎ−
プロパン、１，４−ジアミノ−ｎ−ブタン等のα，ω−
ジアミノ−ｎ−アルカン類の残基等の２官能性分子の残
基、グリセリン等のトリオール類の残基、１，１，１−
トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、1、３，５
−トリヒドロキシベンゼン等のトリスフェノール類の残
基、ニトリロ３酢酸等のトリカルボン酸類の残基、トリ
（２−アミノエチル）アミン等の３つのアミノ基を有す
る化合物の残基等の３官能性分子の残基、ペンタエリス
リトール等のテトラオール類の残基等の４官能性分子の
残基、２−アミノエタノール、チオ酢酸、グリシジルメ
タクリレート、エピクロロヒドリン、α−アミノ酸類等
の複数種の官能基を持つ２官能性分子の残基、リンゴ
酸、チオリンゴ酸、クエン酸、ジエタノールアミン、
３，５−ジヒドロキシベンジルアルコール等の複数種の
官能基を持つ３官能性分子の残基、トリス（２−ヒドロ
キシメチル）アミノメタン等の複数種の官能基を持つ４
官能性分子の残基等が挙げられ、中でもベンゼン、ピリ
ジン等の芳香環残基、1、３，５−トリヒドロキシベン
ゼン等のトリスフェノール類の残基、１，２−ジアミノ
エタン、１，３−ジアミノ−ｎ−プロパン等の２官能性
分子の残基、トリ（２−アミノエチル）アミン等の３官
能性分子の残基等が好適に用いられる。 【００２２】本発明に用いられる超分岐高分子の分岐部
の部分構造は複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有
する樹枝状構造であることが望ましい。前記樹枝状構造
とは、例えば分子中心構造に結合される基本単位である
枝分かれ構造（例えばＹ字型）を有する有機基の手に、
枝分かれ構造（例えばＹ字型）の有機基が結合し、さら
にその枝分かれ構造（例えばＹ字型）の有機基の手に次
の枝分かれ構造（例えばＹ字型）の有機基が結合する、
というように枝分かれ構造を有する複数の有機基が樹枝
状に順次規則的に結合している構造である。樹枝状構造
を形成する基本単位としての枝分かれ構造に特に制限は
ないが、岡田鉦彦著「デンドリマーの科学と機能」((株)
アイピーシー、2000年発行)30〜33ページに記載されて
いる構造が好ましい例として用いられる。本発明では該
超分岐高分子の分岐鎖（分子内部）や分岐末端（分子表
面）を利用してキャリアの伝導を起こさせることを目的
としていることから、それらの部分にπ共役の構造を持
つことが好ましく、縮合環型芳香族構造、複素環芳香族
構造または芳香族アミン構造がさらに好ましい。具体的
な単位構造の例としては以下の単位構造（１）〜（１
０）などの構造が望ましい。 【００２３】 【化１】【００２４】（ただし単位構造（１）〜（１０）におい
てＸは分子中心構造あるいは超分子構造の内殻部分との
結合部分、Ｙは水素原子、アルキル基、アリール基、芳
香族基、または超分岐高分子の外殻部分との結合部分を
表す。） 【００２５】本発明に用いられる超分岐高分子の構造に
は、前述したキャリアの移動度を著しく阻害しない限り
において特に制限はないが、本発明では該超分岐高分子
の分岐鎖（分子内部）や分岐末端（分子表面）を利用し
てキャリアの伝導を起こさせることを目的としているこ
とから、それらの部分にπ共役の構造を持つことが好ま
しい。さらに、超分岐高分子の分子表面を利用してキャ
リアの伝導を行うことが特に効果的であるため、最外殻
の分岐末端にπ共役の構造を持つことが好ましく、縮合
環型芳香族構造、複素環芳香族構造または芳香族アミン
構造を持つことが特に好ましい。具体的には、芳香環、
縮合した芳香環を有する構造、例えば、フェニル基、ナ
フタレン残基、アントラセン残基、ピレン残基、ペンタ
セン残基、また、芳香環は複素芳香環でも良く、イミダ
ゾール残基、ベンズイミダゾール崎、カルバゾール残
基、Ｎ−アルキルまたはアリールカルバゾール残基、ト
リアジン残基、フェナントレン残基、オキサゾール残
基、オキサジアゾール残基、インドール残基、チオフェ
ン残基、ベンゾチオフェン残基、セレノフェン残基、等
が好ましい例である。また、芳香環に結合した窒素原
子、硫黄原子、セレン原子を有する構造も好ましく、例
えば、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル基、４
−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）フェニル基、４−（Ｎ，
Ｎ−ジイソプロピルアミノ）フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ
−ジブチルアミノ）フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジベン
ジルアミノ）フェニル基等のジアルキルフェニルアミン
残基を有する構造、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
フェニル基、４−｛Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニ
ル）アミノ｝フェニル基等のトリフェニルアミン残基を
有する構造、４−フェニルチオフェニル基、４−フェニ
ルセレノフェニル基、２−フェニルチオチオフェン残基
等が好ましい例として挙げられる。さらに、ＨａｒｉＳ
ｉｎｇｈ Ｎａｌｗａ編“Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ
ａｎｄ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ”Ｖｏｌｕｍｅ１〜４，Ｊｏ
ｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ社刊（Ｅｎｇｌａｎｄ，
１９９７年発行）などの文献に記載の化合物の残基など
が好ましい例である。これらの残基が超分岐高分子の分
岐末端に結合する結合様式に特に制限はなく、例えば、
炭素−炭素結合、炭素−窒素結合、アミド結合、エーテ
ル結合、エステル結合等が好ましい。 【００２６】また、Ｍ．Ｅ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎら著の文
献に記載されているデンドリマーのように、分子中心構
造としてｄｙｅ ｔｒａｐとなる染料分子残基を有する
構造も好ましい。一般的に、超分岐高分子が、カルボニ
ル基とベンゼン環とを含むπ電子共役系を分子中心構造
中に有すると、該分子中心構造が前記のｄｙｅ ｔｒａ
ｐ同様の効果を持つ場合があるので好ましく使用でき
る。かかるカルボニル基とベンゼン環とを含むπ電子共
役系の具体構造としては、例えば、前記したＭ．Ｅ．Ｔ
ｈｏｍｐｓｏｎら著の文献に記載されているクマリン残
基やアントラキノン残基の他、アセトフェノン残基、ベ
ンゾフェノン残基、９−フルオレノン残基、アントロン
残基、ベンズアントロン残基、アセナフテンキノン残
基、１，４−ナフトキノン残基、フェナントレン−９，
１０−キノン残基、チオインドキシル残基、キサントン
残基、インジゴ残基、チオインジゴ残基、ヘミチオイン
ジゴ残基等の共役ケトン類の残基、フタリド等の共役エ
ステル類の残基等が例示される。 【００２７】本発明に用いられる超分岐高分子の構造例
としては、前記のＧ．Ｒ．Ｎｅｗｋｏｍｅら著の成書に
記載の諸構造、例えば、Ｅ．Ｂｕｈｌｅｉｅｒら；Ｓｙ
ｎｔｈｅｓｉｓ，１９７８年，１５５頁、あるいはＥ．
Ｍ．Ｍ．ｄｅ Ｂｒａｂａｎｄｅｒ−ｖａｎ ｄｅｎ
Ｂｅｒｇら；Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅ
ｎｇｌ．，３２巻，１３０８頁（１９９３）に報告され
ているポリプロピレンイミン構造、前記のＣ．Ｊ．Ｈａ
ｗｋｅｒら著の２文献に報告されているポリベンジルエ
ーテル構造、Ｃ．Ｊ．Ｈａｗｋｅｒら；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．，１１３巻，４５８３頁（１９９１）に
報告されている芳香族ポリエステル構造、Ｅ．Ｍａｌｍ
ｓｔｒｏｍら；Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２８
巻，１６９８頁（１９９５）に報告されているポリ
［２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸］構
造、Ａ．Ｍｏｒｉｋａｗａら；Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊ．，
２４巻，５７３頁（１９９２）に報告されているポリシ
ロキサン構造、Ｊ．Ｒｏｏｖｅｒｓら；Ｐｏｌｙｍ．Ｐ
ｒｅｐｒｉｎｔｓ，３３巻，１８２頁（１９９２）に報
告されているポリカルボシラン構造、Ｇ．Ｒ．Ｎｅｗｋ
ｏｍｅら；Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５０巻，２００３
頁（１９８５）に報告されているポリエーテルアミド構
造、前記のＤ．Ａ．Ｔｏｍａｌｉａら著の文献に報告さ
れているポリアミドアミン構造、あるいはＭ．Ｊａｙａ
ｒａｍａｎら；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１２０
巻、１２９９６頁（１９９８）に報告されている脂肪族
ポリエーテル構造等が挙げられ、合成のしやすさと安定
性から前記ポリプロピレンイミン構造、前記ポリアミド
アミン構造、前記脂肪族ポリエーテル構造、前記ポリベ
ンジルエーテル構造、前記芳香族ポリエステル構造等が
好ましい。 【００２８】超分岐高分子、特にデンドリマーと総称さ
れる完全に規則的な分岐構造を有するもの（図１参照）
は、分子量の増大と共に分岐末端が急速に込み合ってく
るために、球状高分子となることが知られている。その
分子直径は０．００１μｍ〜０．０２μｍ程度の範囲に
通常入るが、本発明に用いられる超分岐高分子の場合、
この値は好ましくは０．００１〜０．０１５μｍ、更に
好ましくは０．００２〜０．０１μｍ、最も好ましくは
０．００２〜０．００８μｍ程度となる。なお、かかる
分子直径は、光散乱法や透過型電子顕微鏡により観測さ
れる。 【００２９】デンドリマーは、単位分子量当たり最も効
率的な分岐密集度を達成できるので、本発明に用いられ
る超分岐高分子の構造として最も好ましい。デンドリマ
ーは原理的にその分子量をほぼ完全に制御できるが、本
発明が採用する分子量は、通常３００〜５００００、よ
り好ましくは５００〜３００００、更に好ましくは７０
０〜２００００、最も好ましくは１０００〜１００００
程度の範囲である。 【００３０】本発明で用いられる超分岐高分子は超分岐
構造を有する限りにおいてその分岐構造に制限はないの
で、完全に制御されたデンドリマーでなくても差し支え
なく、デンドリマーである場合でもその世代数に制限は
ない。なお、デンドリマーの世代とは、図1に示すよう
に規則分岐の次数を意味する術語である。デンドリマー
の世代数として、通常１〜１０、末端基の密集性と合成
の容易性から好ましくは２〜８、更に好ましくは３〜
７、最も好ましくは３〜５とする。本発明に用いること
のできる超分岐高分子の具体例を挙げるが本発明はこれ
に限定されない。 【００３１】 【化２】 【００３２】 【化３】 【００３３】 【化４】 【００３４】 【化５】【００３５】 【化６】【００３６】本発明に用いられる超分岐高分子は、例え
ば、岡田鉦彦著「デンドリマーの科学と機能」((株)アイ
ピーシー、2000年発行)などの文献やそれらに引用され
ている文献に記載の方法で合成することができる。 【００３７】本発明の電界効果トランジスタのゲート領
域、ソース領域、ドレイン領域に用いる電極としては、
導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニ
ッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタ
ル、インジウム、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、
およびこれらの合金や、インジウム・錫酸化物等の導電
性金属酸化物、あるいはドーピング等で導電率を向上さ
せた無機および有機半導体、例えばシリコン単結晶、ポ
リシリコン、アモルファスシリコン、ゲルマニウム、グ
ラファイト、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポ
リチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチエ
ニレンビニレン、ポリパラフェニレンビニレン等、さら
にはこれらの複合体が挙げられる。特にソース領域、ド
レイン領域に用いる電極は、上に挙げた中でも半導体活
性層との接触面において電気抵抗が少ないものが好まし
い。 【００３８】ゲート絶縁膜としては、誘電率が高く、導
電率が低いものが好ましい。例としては、酸化シリコ
ン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸
化タンタル、ポリエチレン、ポリイミド等が挙げられ
る。 【００３９】上記の電極やゲート絶縁膜を設置する手段
も限定されず、蒸着法、スパッタ法のような乾式法、塗
布法、印刷法、インクジェット法のような湿式法、その
他転写法などが用いられる。湿式法では、電極材料の溶
液を用いる方法、電極材料の微粒子を、それを溶かさな
い溶媒に分散した分散物を用いることもできる。 【００４０】半導体活性層の作製法としては、非水系有
機溶媒に前記の複数の有機基が樹枝状に結合した構造を
有する化合物を溶解させて、塗布・乾燥させる方法が好
ましい。上記非水系有機溶媒の例としては、クロロホル
ム、ジクロロメタン、トルエン、キシレン等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。塗布方法とし
ては、スピンキャスト法、ディッピング法、滴下法、凸
版あるいは凹版印刷法、インクジェット法などが挙げら
れる。また、前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造
を有する化合物は他の化合物と混合して用いることが出
きる。混合できる化合物としては高分子材料が好ましい
が、特に半導体性質を示す高分子材料が好ましい。 【００４１】本発明における電界効果型トランジスタの
構造は薄膜型に限定されるものではなく、円筒型など立
体型でもよい。 【００４２】 【実施例】以下に実施例を示すが、本発明は実施例に限
られるものではない。 【００４３】（実施例１）図３に本実施例におけるπ−
共役系樹状高分子電界効果型トランジスタの構造を示
す。まず、無アルカリガラス基板１上にクロムを蒸着
し、ゲート電極２とした。次にスパッタ法により、２０
００オングストロームの酸化シリコン膜３を製膜した
後、クロム、金の順に蒸着を行い、通常の光リソグラフ
ィー技術でソース電極４、ドレイン電極５を形成した。
続いて、基板を１０％濃度のフッ酸に浸漬することによ
り表面親水化処理をした後、この基板を化合物７の２質
量％クロロホルム溶液に浸漬してからゆっくり引き上げ
ることにより、半導体活性層６を形成した。 【００４４】以上の手順でチャネル長１０μm 、チャネ
ル幅１mm、半導体活性層の厚さ約０．２μmのπ−共役
系樹状高分子電界効果型トランジスタを得た。このトラ
ンジスタは電界効果移動度が８×１０-2cm2 ／Ｖ・se
c、オン・オフ比が約５桁であった。 【００４５】（実施例２）実施例１に記載の化合物７
を、化合物８に変更した以外は実施例１に準じてπ−共
役系樹状高分子電界効果型トランジスタを完成させた。
このトランジスタは電界効果移動度が４×１０-2cm2 ／
Ｖ・sec、オン・オフ比が約５桁であった。 【００４６】（実施例３）実施例１に記載の化合物７
を、化合物１０に変更した以外は実施例１に準じてπ−
共役系樹状高分子電界効果型トランジスタを完成させ
た。このトランジスタは電界効果移動度が６×１０-2cm
2 ／Ｖ・sec、オン・オフ比が約５桁であった。 【００４７】（実施例４）実施例１に記載のトランジス
タの構造を図１の構造から図２に示される構造に変更し
た以外は実施例１に準じてπ−共役系樹状高分子電界効
果型トランジスタを完成させた。このトランジスタは電
界効果移動度が７×１０-2cm2 ／Ｖ・sec、オン・オフ
比が約５桁であった。 【００４８】 【発明の効果】本発明によれば電界効果移動度が大き
く、オン・オフ比が大きいπ−共役系樹状高分子電界効
果型トランジスタが簡便な作製方法によって得られる。
有機化合物を半導体活性層に用いた電界効果型トランジ
スタに関し、生産性に優れ、オン・オフ比が大きくスイ
ッチング素子として有利に使用される電界効果型トラン
ジスタに関する。 【０００２】 【従来の技術】ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレ
ン等の高分子は半導体的性質を示し、シリコンやガリウ
ム砒素等の無機系の材料にない可撓性を持っている。ま
た、このようなπ共役系高分子は置換基の導入により有
機溶剤に可溶なものも合成可能であり、スピンコート
法、ディッピング法（浸漬法）など簡便な方法で薄膜を
形成することもできる。このようなことから、これまで
にπ共役系高分子を使った整流素子や、電界効果型トラ
ンジスタが試作され、一定の特性が得られている。 【０００３】π共役系高分子を電界効果型トランジスタ
の半導体活性層として用いた従来例としては、電解重合
によりπ共役系高分子薄膜を形成するもの（例として特
開昭６２−８５４６７号公報）、π共役系高分子の溶液
あるいはπ共役系高分子前駆体の溶液を塗布するもの
（例として特開平５−１１００６９号公報）等がある。 【０００４】有機物を用いた電界効果型トランジスタ
を、アクティブマトリクス式液晶ディスプレイの画素駆
動素子に応用するという検討がなされている。この場
合、オン・オフ比が高いこと、つまりオフ電流（ゲート
電圧が０Ｖの時にソース、ドレイン間に流れる電流）が
小さいこと、及びオン電流（ゲート電極に電圧を印加し
た時にソース、ドレイン間に流れる電流）が大きいこと
が、コントラスト向上や応答高速化にあたって要求され
る。 【０００５】オフ電流を低減するためには、オフ時の半
導体活性層の導電率が低いことが必要である。また、オ
ン電流に関しては、電界効果移動度の値が重要である。 【０００６】一般に、電界効果型トランジスタにおい
て、ソース、ドレイン間に充分な電圧を印加したとき
に、両電極間に流れる電流ＩD は、次式で表されること
が知られている（ただしオン電流のみ考慮）。 【０００７】 ＩD ＝（Ｗ／２Ｌ）μＣ （ＶG −Ｖth）2 （Ｗ：チャネル幅、Ｌ：チャネル長、μ：電界効果移動
度、Ｃ ：ゲート絶縁膜の単位面積当たりのキャパシタ
ンス、ＶG ：ゲート電圧、Ｖth：しきい電圧） ここで、電界効果移動度（μ）は、電界効果型トランジ
スタのオン電流とゲート電圧との関係から求められ、オ
ン時に半導体活性層を流れる電流の実効的なキャリア移
動度を表す。この式からわかるように、電界効果型トラ
ンジスタにおいて大きいオン電流を得るためには、上式
における電界効果移動度（μ）が大きいことが必要とな
る。 【０００８】初期のπ共役系高分子電界効果型トランジ
スタは、オン電流が低くオン・オフ比も小さかった。オ
ン電流の向上とオン・オフ比の向上のために、これまで
に種々の工夫が試みられてきた。 【０００９】特開平５−１１００６９号公報では、活性
化処理により半導体となる有機薄膜を活性化処理を施し
半導体とすることにより、π共役系高分子を電界効果型
トランジスタの半導体活性層として用いた例としてはか
なり高い１×１０-1cm2 ／Ｖ・sececという電界効果移
動度の値が得られている。しかしこの例では、オフ電流
（ゲート電圧が０Ｖの時にソース、ドレイン間に流れる
電流）も以前より増加してしまっており、オン・オフ比
の向上にはつながっていない。 【００１０】オン・オフ比を向上させることを優先する
ため、特にオフ電流を低減させることによってオン・オ
フ比５桁を実現したπ共役系高分子電界効果型トランジ
スタの例がある（アプライド・フィジクス・レター、
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ）、
６２巻、１７９４頁、１９９３年）。しかしこの場合、
電界効果移動度は２×１０-4cm2 ／Ｖ・sececにとどま
っており、オン電流が大きくとれない。このように、オ
フ電流の低減とオン電流の向上を同時に行うことが、従
来困難であった。 【００１１】オン電流を大きくし、オン・オフ比も大き
くする技術として、ゲート電極の上にキャリア密度の異
なる２種類の有機半導体活性層を積層し、ゲート電極か
らの電圧印加に応じて二つの有機層の間でキャリアを移
動させることによってソース・ドレイン間の電気伝導度
を変化させるというものがある（特開平５−４８０９４
号公報）。しかしこの方法は半導体活性層形成に二段階
の手順を必要とし、煩雑である。 【００１２】π共役系高分子膜の導電率を向上させる目
的で、延伸処理により分子鎖の配列状態の制御を行う試
みが多数行われ、延伸処理膜の導電率の異方性が多数観
測されている。また、分子鎖の結晶化が進むと導電率が
向上することも知られている。このように、分子鎖の配
列状態は電気伝導特性に大きな影響を及ぼす。このこと
から、π共役系高分子電界効果型トランジスタの電界効
果移動度は、半導体活性層における分子鎖の配列状態に
大きく依存すると考えられる。 【００１３】ソース・ドレイン間に電圧を印加し、ゲー
ト電極に電圧を印加することによってソース・ドレイン
間にオン電流が流れるのは、半導体活性層中の絶縁層と
の界面付近に伝導チャネルが形成されるためと考えられ
ている。一方、界面付近に伝導チャネルが形成されてい
なくても、ソース・ドレイン間に電圧を印加すれば、半
導体活性層が完全な絶縁体でない限り、半導体活性層／
ゲート絶縁膜界面付近以外の領域（バルク）も経由して
わずかながらソース・ドレイン間に電流が流れる。これ
がオフ電流の原因である。半導体活性層全体に対してド
ーピングを施したり、キャリア移動度を向上させて、半
導体活性層全体の導電率をあげると、オン電流も増加す
るがバルクを流れるオフ電流の増加も引き起こされる。 【００１４】つまり、半導体活性層のバルクを流れる電
流のキャリア移動度を増加させずに、絶縁層との界面付
近のみ分子鎖の配列制御を行い、この部分を流れる電流
に対してだけキャリア移動度を増加させれば、オフ電流
をほとんど増加させずにオン電流を増加させることがで
きる。 【００１５】固体の表面に横方向に配向させた形のπ共
役系高分子重合体を形成させる技術としては、化学吸着
単分子膜を用いる方法がある（例として特開平５−１８
６５３１号公報）。これはＳｉ−Ｃｌ基と、π共役系モ
ノマー部分を持つ分子を固体表面に化学吸着させて単分
子膜を形成した後、重合反応を起こさせることによっ
て、固体表面に固定されたπ共役系高分子を得るという
ものである。しかしこの方法では、一連の作業で一分子
層のπ共役系高分子超薄膜しか得られないため、電界効
果型トランジスタの半導体活性層として使った場合、充
分な大きさの電流を流すことは困難である。 【００１６】以上述べたように、従来、π共役系高分子
を半導体活性層に用いた電界効果型トランジスタは、オ
ン電流の向上と、オフ電流の低減を同時に行うことが困
難であった。また、この問題を改善するための従来技術
は、製造方法が煩雑なものであった。 【００１７】 【発明が解決しようとする課題】本発明はこの問題を解
決するためになされたもので、電界効果移動度が大きい
とともにオン・オフ比が大きく、簡便な方法で作製でき
る電界効果型トランジスタを提供することを目的とす
る。 【００１８】 【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によ
って達成された。 [1] 半導体活性層とゲート絶縁膜を具備し、前記半導
体活性層が複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物を含有する電界効果型トランジス
タにおいて、前記超分岐高分子化合物の分岐部分または
分岐末端の最外殻部分の部分構造に縮合環型芳香族残
基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を含有す
ることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 [2] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物がデンドリック高分子であること
を特徴とする[1]に記載の電界効果型トランジスタ。 [3] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物がデンドリマーであることを特徴
とする[1]に記載の電界効果型トランジスタ。 [4] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物がハイパーブランチポリマーであ
ることを特徴とする[1]に記載の電界効果型トランジス
タ。 [5] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物の分岐部の部分構造が縮合環型芳
香族残基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を
含有することを特徴とする[1]〜[4]のいずれかに記載の
電界効果型トランジスタ。 [6] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物の最外殻部分が縮合環型芳香族残
基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を含有す
ることを特徴とする[1]〜[5]のいずれかに記載の電界効
果型トランジスタ。 [7] 前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有す
る超分岐高分子化合物の分子中心構造がπ共役系構造を
有することを特徴とする[1]〜[6]のいずれかに記載の電
界効果型トランジスタ。 [8] 前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末
端の最外殻部分の部分構造を形成する縮合環型芳香族残
基または複素環芳香族残基が、分子内に窒素原子を有す
る芳香族残基であることを特徴とする[1]〜[7]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 [9] 前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末
端の最外殻部分の部分構造を形成する縮合環型芳香族残
基または複素環芳香族残基が、分子内に硫黄原子を有す
る芳香族残基であることを特徴とする [1]〜[8]のいず
れかに記載の電界効果型トランジスタ。 [10] 前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末
端の最外殻部分の部分構造を形成する縮合環型芳香族残
基または複素環芳香族残基が、分子内に酸素原子を有す
る芳香族残基であることを特徴とする[1]〜[9]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 [11] 前記超分岐高分子化合物の分岐部分または分岐末
端の最外殻部分の部分構造を形成する芳香族アミン残基
が、ジアリールアミン構造またはトリアリールアミン構
造を有することを特徴とする[1]〜[10]のいずれかに記
載の電界効果型トランジスタ。 [12] 前記超分岐高分子化合物が分子内に芳香族アゾー
ル構造を有することを特徴とする[1]〜[11]のいずれか
に記載の電界効果型トランジスタ。 [13] 前記超分岐高分子化合物が分子内にカルバゾール
構造を有することを特徴とする[1]〜[12]のいずれかに
記載の電界効果型トランジスタ。 [14] 前記超分岐高分子化合物が分子内にチオフェン構
造を有することを特徴とする[1]〜[13]のいずれかに記
載の電界効果型トランジスタ。 [15] 前記超分岐高分子化合物の中心構造部分がπ共役
構造を有することを特徴とする[1]〜[14]のいずれかに
記載の電界効果型トランジスタ。 [16] 下記-の構成要素を備える[1]〜[15]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 ソース領域およびドレイン領域 前記ソース領域と前記ドレイン領域の間を延びる半導
体活性層 前記半導体活性層に隣接して間隔をあけて配置された
ゲート領域 前記ゲート領域と前記ソース領域、前記ドレイン領域
および前記半導体活性層との間のゲート絶縁膜 [17] 半導体活性層、ゲート酸化膜、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域の少なくとも１つが塗布法によっ
て形成されていることを特徴とする[1]〜[16]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 [18] 半導体活性層、ゲート酸化膜、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域の少なくとも１つが転写法によっ
て形成されていることを特徴とする[1]〜[17]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 [19] 半導体活性層、ゲート酸化膜、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域の少なくとも１つが印刷法によっ
て形成されていることを特徴とする[1]〜[18]のいずれ
かに記載の電界効果型トランジスタ。 [20] 半導体活性層、ゲート酸化膜、ソース領域、ドレ
イン領域、ゲート領域の少なくとも１つがインクジェッ
ト法によって形成されていることを特徴とする[1]〜[1
9]のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。 【００１９】 【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明における複数の有機基が樹枝状に結合した
構造を有する超分岐高分子化合物とは、任意形状の樹枝
状の分岐構造を持つ超分岐構造単位を最低１つ有する高
分子である。ここでいう「超分岐構造」とは、Ｇ．Ｒ．
Ｎｅｗｋｏｍｅら；“Ｄｅｎｄｒｉｔｉｃ Ｍｏｌｅｃ
ｕｌｅｓ：Ｃｏｎｃｅｐｔｓ，Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｐ
ｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅｓ”；ＶＣＨ Ｖｅｒｌａｇｓｇ
ｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｂＨ社刊（Ｗｅｉｎｈｅｉ
ｍ，Ｇｅｒｍａｎｙ，１９９６）、Ｃ．Ｊ．Ｈａｗｋｅ
ｒら；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕ
ｎ．，１９９０年，１０１０頁、Ｄ．Ａ．Ｔｏｍａｌｉ
ａら；Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇ
ｌ．，２９巻，１３８頁（１９９０）、Ｃ．Ｊ．Ｈａｗ
ｋｅｒら；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１２巻，
７６３８頁（１９９０）、Ｊ．Ｍ．Ｊ．Ｆｒｅｃｈｅ
ｔ；Ｓｃｉｅｎｃｅ，２６３巻，１７１０頁（１９９
４）、あるいは柿本雅明；化学，５０巻，６０８頁（１
９９５）等の文献に詳述されているデンドリマー構造に
代表される概念である。デンドリマーについては、例え
ば、高分子学会編、「高分子」1998年803-829ページや岡
田鉦彦著「デンドリマーの科学と機能」((株)アイピーシ
ー、2000年発行)などに詳しく解説されている。 【００２０】図１に模式的に示すように、１つの超分岐
構造単位は１つのフォーカルポイント（焦点）を有す
る。ここでフォーカルポイントとは、超分岐構造の中心
点、あるいは樹枝状分岐の開始点、より厳密には樹枝状
構造の任意の分岐末端から分岐の収束方向に分子鎖を逆
行した場合の最後の分岐点を意味する。本発明における
超分岐高分子においては、分岐点の数に制限はなく、フ
ォーカルポイントのみを分岐点とした構造も含む。ま
た、図２に模式的に示すごとく、複数の該超分岐構造単
位のフォーカルポイントが多官能性分子に結合して、該
多官能性分子残基を分子中心構造として取り囲む形をな
した分子も、本発明の超分岐高分子に該当する。図２
は、分子中心構造が３官能性分子残基であり、これが３
つの超分岐構造単位をそれらのフォーカルポイントで結
合した場合の模式図である。かかる複数の超分岐構造単
位は、互いに異なっていても差し支えない。 【００２１】なお、本発明で言う分子中心構造とは、任
意数のフォーカルポイントと結合し、該フォーカルポイ
ント以降の超分岐構造を除いた部分構造、換言すれば、
本発明の超分岐高分子の分子中心に位置し、任意の超分
岐構造単位の繰り返し単位（又は単量体単位）を含まな
い部分構造を意味する。かかる分子中心構造としては、
ベンゼン、ピリジン等の芳香環残基、エチレングリコー
ル、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール等
のジオール類の残基、ビスフェノールＡや４，４’−ジ
ヒドロキシビフェニル等のビスフェノール類の残基、マ
ロン酸、コハク酸、グルタル酸等のジカルボン酸類の残
基、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノ−ｎ−
プロパン、１，４−ジアミノ−ｎ−ブタン等のα，ω−
ジアミノ−ｎ−アルカン類の残基等の２官能性分子の残
基、グリセリン等のトリオール類の残基、１，１，１−
トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、1、３，５
−トリヒドロキシベンゼン等のトリスフェノール類の残
基、ニトリロ３酢酸等のトリカルボン酸類の残基、トリ
（２−アミノエチル）アミン等の３つのアミノ基を有す
る化合物の残基等の３官能性分子の残基、ペンタエリス
リトール等のテトラオール類の残基等の４官能性分子の
残基、２−アミノエタノール、チオ酢酸、グリシジルメ
タクリレート、エピクロロヒドリン、α−アミノ酸類等
の複数種の官能基を持つ２官能性分子の残基、リンゴ
酸、チオリンゴ酸、クエン酸、ジエタノールアミン、
３，５−ジヒドロキシベンジルアルコール等の複数種の
官能基を持つ３官能性分子の残基、トリス（２−ヒドロ
キシメチル）アミノメタン等の複数種の官能基を持つ４
官能性分子の残基等が挙げられ、中でもベンゼン、ピリ
ジン等の芳香環残基、1、３，５−トリヒドロキシベン
ゼン等のトリスフェノール類の残基、１，２−ジアミノ
エタン、１，３−ジアミノ−ｎ−プロパン等の２官能性
分子の残基、トリ（２−アミノエチル）アミン等の３官
能性分子の残基等が好適に用いられる。 【００２２】本発明に用いられる超分岐高分子の分岐部
の部分構造は複数の有機基が樹枝状に結合した構造を有
する樹枝状構造であることが望ましい。前記樹枝状構造
とは、例えば分子中心構造に結合される基本単位である
枝分かれ構造（例えばＹ字型）を有する有機基の手に、
枝分かれ構造（例えばＹ字型）の有機基が結合し、さら
にその枝分かれ構造（例えばＹ字型）の有機基の手に次
の枝分かれ構造（例えばＹ字型）の有機基が結合する、
というように枝分かれ構造を有する複数の有機基が樹枝
状に順次規則的に結合している構造である。樹枝状構造
を形成する基本単位としての枝分かれ構造に特に制限は
ないが、岡田鉦彦著「デンドリマーの科学と機能」((株)
アイピーシー、2000年発行)30〜33ページに記載されて
いる構造が好ましい例として用いられる。本発明では該
超分岐高分子の分岐鎖（分子内部）や分岐末端（分子表
面）を利用してキャリアの伝導を起こさせることを目的
としていることから、それらの部分にπ共役の構造を持
つことが好ましく、縮合環型芳香族構造、複素環芳香族
構造または芳香族アミン構造がさらに好ましい。具体的
な単位構造の例としては以下の単位構造（１）〜（１
０）などの構造が望ましい。 【００２３】 【化１】【００２４】（ただし単位構造（１）〜（１０）におい
てＸは分子中心構造あるいは超分子構造の内殻部分との
結合部分、Ｙは水素原子、アルキル基、アリール基、芳
香族基、または超分岐高分子の外殻部分との結合部分を
表す。） 【００２５】本発明に用いられる超分岐高分子の構造に
は、前述したキャリアの移動度を著しく阻害しない限り
において特に制限はないが、本発明では該超分岐高分子
の分岐鎖（分子内部）や分岐末端（分子表面）を利用し
てキャリアの伝導を起こさせることを目的としているこ
とから、それらの部分にπ共役の構造を持つことが好ま
しい。さらに、超分岐高分子の分子表面を利用してキャ
リアの伝導を行うことが特に効果的であるため、最外殻
の分岐末端にπ共役の構造を持つことが好ましく、縮合
環型芳香族構造、複素環芳香族構造または芳香族アミン
構造を持つことが特に好ましい。具体的には、芳香環、
縮合した芳香環を有する構造、例えば、フェニル基、ナ
フタレン残基、アントラセン残基、ピレン残基、ペンタ
セン残基、また、芳香環は複素芳香環でも良く、イミダ
ゾール残基、ベンズイミダゾール崎、カルバゾール残
基、Ｎ−アルキルまたはアリールカルバゾール残基、ト
リアジン残基、フェナントレン残基、オキサゾール残
基、オキサジアゾール残基、インドール残基、チオフェ
ン残基、ベンゾチオフェン残基、セレノフェン残基、等
が好ましい例である。また、芳香環に結合した窒素原
子、硫黄原子、セレン原子を有する構造も好ましく、例
えば、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル基、４
−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）フェニル基、４−（Ｎ，
Ｎ−ジイソプロピルアミノ）フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ
−ジブチルアミノ）フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジベン
ジルアミノ）フェニル基等のジアルキルフェニルアミン
残基を有する構造、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
フェニル基、４−｛Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニ
ル）アミノ｝フェニル基等のトリフェニルアミン残基を
有する構造、４−フェニルチオフェニル基、４−フェニ
ルセレノフェニル基、２−フェニルチオチオフェン残基
等が好ましい例として挙げられる。さらに、ＨａｒｉＳ
ｉｎｇｈ Ｎａｌｗａ編“Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ
ａｎｄ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ”Ｖｏｌｕｍｅ１〜４，Ｊｏ
ｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ社刊（Ｅｎｇｌａｎｄ，
１９９７年発行）などの文献に記載の化合物の残基など
が好ましい例である。これらの残基が超分岐高分子の分
岐末端に結合する結合様式に特に制限はなく、例えば、
炭素−炭素結合、炭素−窒素結合、アミド結合、エーテ
ル結合、エステル結合等が好ましい。 【００２６】また、Ｍ．Ｅ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎら著の文
献に記載されているデンドリマーのように、分子中心構
造としてｄｙｅ ｔｒａｐとなる染料分子残基を有する
構造も好ましい。一般的に、超分岐高分子が、カルボニ
ル基とベンゼン環とを含むπ電子共役系を分子中心構造
中に有すると、該分子中心構造が前記のｄｙｅ ｔｒａ
ｐ同様の効果を持つ場合があるので好ましく使用でき
る。かかるカルボニル基とベンゼン環とを含むπ電子共
役系の具体構造としては、例えば、前記したＭ．Ｅ．Ｔ
ｈｏｍｐｓｏｎら著の文献に記載されているクマリン残
基やアントラキノン残基の他、アセトフェノン残基、ベ
ンゾフェノン残基、９−フルオレノン残基、アントロン
残基、ベンズアントロン残基、アセナフテンキノン残
基、１，４−ナフトキノン残基、フェナントレン−９，
１０−キノン残基、チオインドキシル残基、キサントン
残基、インジゴ残基、チオインジゴ残基、ヘミチオイン
ジゴ残基等の共役ケトン類の残基、フタリド等の共役エ
ステル類の残基等が例示される。 【００２７】本発明に用いられる超分岐高分子の構造例
としては、前記のＧ．Ｒ．Ｎｅｗｋｏｍｅら著の成書に
記載の諸構造、例えば、Ｅ．Ｂｕｈｌｅｉｅｒら；Ｓｙ
ｎｔｈｅｓｉｓ，１９７８年，１５５頁、あるいはＥ．
Ｍ．Ｍ．ｄｅ Ｂｒａｂａｎｄｅｒ−ｖａｎ ｄｅｎ
Ｂｅｒｇら；Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅ
ｎｇｌ．，３２巻，１３０８頁（１９９３）に報告され
ているポリプロピレンイミン構造、前記のＣ．Ｊ．Ｈａ
ｗｋｅｒら著の２文献に報告されているポリベンジルエ
ーテル構造、Ｃ．Ｊ．Ｈａｗｋｅｒら；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．，１１３巻，４５８３頁（１９９１）に
報告されている芳香族ポリエステル構造、Ｅ．Ｍａｌｍ
ｓｔｒｏｍら；Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２８
巻，１６９８頁（１９９５）に報告されているポリ
［２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸］構
造、Ａ．Ｍｏｒｉｋａｗａら；Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊ．，
２４巻，５７３頁（１９９２）に報告されているポリシ
ロキサン構造、Ｊ．Ｒｏｏｖｅｒｓら；Ｐｏｌｙｍ．Ｐ
ｒｅｐｒｉｎｔｓ，３３巻，１８２頁（１９９２）に報
告されているポリカルボシラン構造、Ｇ．Ｒ．Ｎｅｗｋ
ｏｍｅら；Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５０巻，２００３
頁（１９８５）に報告されているポリエーテルアミド構
造、前記のＤ．Ａ．Ｔｏｍａｌｉａら著の文献に報告さ
れているポリアミドアミン構造、あるいはＭ．Ｊａｙａ
ｒａｍａｎら；Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１２０
巻、１２９９６頁（１９９８）に報告されている脂肪族
ポリエーテル構造等が挙げられ、合成のしやすさと安定
性から前記ポリプロピレンイミン構造、前記ポリアミド
アミン構造、前記脂肪族ポリエーテル構造、前記ポリベ
ンジルエーテル構造、前記芳香族ポリエステル構造等が
好ましい。 【００２８】超分岐高分子、特にデンドリマーと総称さ
れる完全に規則的な分岐構造を有するもの（図１参照）
は、分子量の増大と共に分岐末端が急速に込み合ってく
るために、球状高分子となることが知られている。その
分子直径は０．００１μｍ〜０．０２μｍ程度の範囲に
通常入るが、本発明に用いられる超分岐高分子の場合、
この値は好ましくは０．００１〜０．０１５μｍ、更に
好ましくは０．００２〜０．０１μｍ、最も好ましくは
０．００２〜０．００８μｍ程度となる。なお、かかる
分子直径は、光散乱法や透過型電子顕微鏡により観測さ
れる。 【００２９】デンドリマーは、単位分子量当たり最も効
率的な分岐密集度を達成できるので、本発明に用いられ
る超分岐高分子の構造として最も好ましい。デンドリマ
ーは原理的にその分子量をほぼ完全に制御できるが、本
発明が採用する分子量は、通常３００〜５００００、よ
り好ましくは５００〜３００００、更に好ましくは７０
０〜２００００、最も好ましくは１０００〜１００００
程度の範囲である。 【００３０】本発明で用いられる超分岐高分子は超分岐
構造を有する限りにおいてその分岐構造に制限はないの
で、完全に制御されたデンドリマーでなくても差し支え
なく、デンドリマーである場合でもその世代数に制限は
ない。なお、デンドリマーの世代とは、図1に示すよう
に規則分岐の次数を意味する術語である。デンドリマー
の世代数として、通常１〜１０、末端基の密集性と合成
の容易性から好ましくは２〜８、更に好ましくは３〜
７、最も好ましくは３〜５とする。本発明に用いること
のできる超分岐高分子の具体例を挙げるが本発明はこれ
に限定されない。 【００３１】 【化２】 【００３２】 【化３】 【００３３】 【化４】 【００３４】 【化５】【００３５】 【化６】【００３６】本発明に用いられる超分岐高分子は、例え
ば、岡田鉦彦著「デンドリマーの科学と機能」((株)アイ
ピーシー、2000年発行)などの文献やそれらに引用され
ている文献に記載の方法で合成することができる。 【００３７】本発明の電界効果トランジスタのゲート領
域、ソース領域、ドレイン領域に用いる電極としては、
導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニ
ッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタ
ル、インジウム、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、
およびこれらの合金や、インジウム・錫酸化物等の導電
性金属酸化物、あるいはドーピング等で導電率を向上さ
せた無機および有機半導体、例えばシリコン単結晶、ポ
リシリコン、アモルファスシリコン、ゲルマニウム、グ
ラファイト、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポ
リチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチエ
ニレンビニレン、ポリパラフェニレンビニレン等、さら
にはこれらの複合体が挙げられる。特にソース領域、ド
レイン領域に用いる電極は、上に挙げた中でも半導体活
性層との接触面において電気抵抗が少ないものが好まし
い。 【００３８】ゲート絶縁膜としては、誘電率が高く、導
電率が低いものが好ましい。例としては、酸化シリコ
ン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸
化タンタル、ポリエチレン、ポリイミド等が挙げられ
る。 【００３９】上記の電極やゲート絶縁膜を設置する手段
も限定されず、蒸着法、スパッタ法のような乾式法、塗
布法、印刷法、インクジェット法のような湿式法、その
他転写法などが用いられる。湿式法では、電極材料の溶
液を用いる方法、電極材料の微粒子を、それを溶かさな
い溶媒に分散した分散物を用いることもできる。 【００４０】半導体活性層の作製法としては、非水系有
機溶媒に前記の複数の有機基が樹枝状に結合した構造を
有する化合物を溶解させて、塗布・乾燥させる方法が好
ましい。上記非水系有機溶媒の例としては、クロロホル
ム、ジクロロメタン、トルエン、キシレン等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。塗布方法とし
ては、スピンキャスト法、ディッピング法、滴下法、凸
版あるいは凹版印刷法、インクジェット法などが挙げら
れる。また、前記複数の有機基が樹枝状に結合した構造
を有する化合物は他の化合物と混合して用いることが出
きる。混合できる化合物としては高分子材料が好ましい
が、特に半導体性質を示す高分子材料が好ましい。 【００４１】本発明における電界効果型トランジスタの
構造は薄膜型に限定されるものではなく、円筒型など立
体型でもよい。 【００４２】 【実施例】以下に実施例を示すが、本発明は実施例に限
られるものではない。 【００４３】（実施例１）図３に本実施例におけるπ−
共役系樹状高分子電界効果型トランジスタの構造を示
す。まず、無アルカリガラス基板１上にクロムを蒸着
し、ゲート電極２とした。次にスパッタ法により、２０
００オングストロームの酸化シリコン膜３を製膜した
後、クロム、金の順に蒸着を行い、通常の光リソグラフ
ィー技術でソース電極４、ドレイン電極５を形成した。
続いて、基板を１０％濃度のフッ酸に浸漬することによ
り表面親水化処理をした後、この基板を化合物７の２質
量％クロロホルム溶液に浸漬してからゆっくり引き上げ
ることにより、半導体活性層６を形成した。 【００４４】以上の手順でチャネル長１０μm 、チャネ
ル幅１mm、半導体活性層の厚さ約０．２μmのπ−共役
系樹状高分子電界効果型トランジスタを得た。このトラ
ンジスタは電界効果移動度が８×１０-2cm2 ／Ｖ・se
c、オン・オフ比が約５桁であった。 【００４５】（実施例２）実施例１に記載の化合物７
を、化合物８に変更した以外は実施例１に準じてπ−共
役系樹状高分子電界効果型トランジスタを完成させた。
このトランジスタは電界効果移動度が４×１０-2cm2 ／
Ｖ・sec、オン・オフ比が約５桁であった。 【００４６】（実施例３）実施例１に記載の化合物７
を、化合物１０に変更した以外は実施例１に準じてπ−
共役系樹状高分子電界効果型トランジスタを完成させ
た。このトランジスタは電界効果移動度が６×１０-2cm
2 ／Ｖ・sec、オン・オフ比が約５桁であった。 【００４７】（実施例４）実施例１に記載のトランジス
タの構造を図１の構造から図２に示される構造に変更し
た以外は実施例１に準じてπ−共役系樹状高分子電界効
果型トランジスタを完成させた。このトランジスタは電
界効果移動度が７×１０-2cm2 ／Ｖ・sec、オン・オフ
比が約５桁であった。 【００４８】 【発明の効果】本発明によれば電界効果移動度が大き
く、オン・オフ比が大きいπ−共役系樹状高分子電界効
果型トランジスタが簡便な作製方法によって得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】フォーカルポイントと超分岐構造、およびデン
ドリマーの世代を表す模式図。 【図２】分子中心構造と分岐部部分構造の模式図。 【図３】本発明の一実施例を示す電界効果型トランジス
タの断面図。 【図４】本発明の一実施例を示す電界効果型トランジス
タの断面図。 【符号の説明】 １ 基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ ソース電極 ５ ドレイン電極 ６ 半導体活性層
ドリマーの世代を表す模式図。 【図２】分子中心構造と分岐部部分構造の模式図。 【図３】本発明の一実施例を示す電界効果型トランジス
タの断面図。 【図４】本発明の一実施例を示す電界効果型トランジス
タの断面図。 【符号の説明】 １ 基板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ ソース電極 ５ ドレイン電極 ６ 半導体活性層
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4J005 AA23 BD05 BD06
4J032 BA12 CG01
4J043 PA13 PB23 RA02 RA08 SA05
UA121 UA131 UB011 ZA45
ZB50
5F110 AA01 AA05 CC01 CC03 DD02
EE04 EE43 FF02 FF28 GG01
GG05 GG41 HK02 HK04 HK32
HK42 QQ06
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体活性層とゲート絶縁膜を具備し、
前記半導体活性層が複数の有機基が樹枝状に結合した構
造を有する超分岐高分子化合物を含有する電界効果型ト
ランジスタにおいて、前記超分岐高分子化合物の分岐部
分または分岐末端の最外殻部分の部分構造に縮合環型芳
香族残基、複素環芳香族残基または芳香族アミン残基を
含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002035383A JP2003243660A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 電界効果型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002035383A JP2003243660A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 電界効果型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243660A true JP2003243660A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27777586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002035383A Pending JP2003243660A (ja) | 2002-02-13 | 2002-02-13 | 電界効果型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243660A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005045037A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Sharp Corp | トランジスタおよびそれを用いた表示素子、ならびに液晶表示素子 |
| JP2005272846A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Hc Starck Gmbh | コア−シェル構造を有する高分子化合物 |
| JP2011513561A (ja) * | 2008-03-14 | 2011-04-28 | エイチ・シー・スタルク・クレビオス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 半導体として使用するためのコアシェル構造を有する新規な高分子化合物 |
| JP2011181928A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Xerox Corp | 電荷輸送粒子および電子デバイス |
| JP2012031372A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-02-16 | Tosoh Corp | 新規アリールアミンデンドリマー状化合物、その製造方法およびその用途 |
| US8173997B2 (en) | 2006-08-07 | 2012-05-08 | Ricoh Company, Ltd. | Laminated structure, electronic element using the same, manufacturing method therefor, electronic element array, and display unit |
| JP2017048271A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日立化成株式会社 | 有機エレクトロニクス材料及び有機エレクトロニクス素子 |
-
2002
- 2002-02-13 JP JP2002035383A patent/JP2003243660A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005045037A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Sharp Corp | トランジスタおよびそれを用いた表示素子、ならびに液晶表示素子 |
| JP4570341B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2010-10-27 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示素子、ならびに液晶表示素子 |
| JP2005272846A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Hc Starck Gmbh | コア−シェル構造を有する高分子化合物 |
| KR101196112B1 (ko) * | 2004-03-25 | 2012-10-30 | 하.체. 스타르크 게엠베하 | 코어-셀 구조를 갖는 거대분자 화합물 |
| US8173997B2 (en) | 2006-08-07 | 2012-05-08 | Ricoh Company, Ltd. | Laminated structure, electronic element using the same, manufacturing method therefor, electronic element array, and display unit |
| JP2011513561A (ja) * | 2008-03-14 | 2011-04-28 | エイチ・シー・スタルク・クレビオス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 半導体として使用するためのコアシェル構造を有する新規な高分子化合物 |
| JP2011181928A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Xerox Corp | 電荷輸送粒子および電子デバイス |
| JP2012031372A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-02-16 | Tosoh Corp | 新規アリールアミンデンドリマー状化合物、その製造方法およびその用途 |
| JP2017048271A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日立化成株式会社 | 有機エレクトロニクス材料及び有機エレクトロニクス素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6274203B2 (ja) | 有機半導体薄膜の作製方法 | |
| JP6018609B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP5476580B2 (ja) | 縦型有機半導体デバイス | |
| JP5202545B2 (ja) | チアゾロチアゾール誘導体を用いた有機トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP5847214B2 (ja) | ナノ粒子を有する有機半導体組成物 | |
| US20070178710A1 (en) | Method for sealing thin film transistors | |
| EP1997814A1 (en) | Functionalized Metal Nanoparticle, Buffer Layer Including the Same and Electronic Device Including the Buffer Layer | |
| US9203038B2 (en) | Electronic device | |
| TW200929651A (en) | Thin film transistors | |
| US7115900B2 (en) | Devices having patterned regions of polycrystalline organic semiconductors, and methods of making the same | |
| CN100452472C (zh) | 有机场效晶体管及其制备方法 | |
| CN102610754A (zh) | 半导体组合物、其制法及包含其的电子器件 | |
| CN101501080A (zh) | 绝缘层、电子元件、场效应晶体管和聚乙烯基苯硫酚 | |
| JP2003243660A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| US6541300B1 (en) | Semiconductor film and process for its preparation | |
| JP2006265534A (ja) | 重合体コンポジット | |
| JP2006245559A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2008120999A (ja) | 重合体コンポジット | |
| JP5062947B2 (ja) | 大きな有機半導体結晶を有するデバイスおよび該デバイスを作製する方法 | |
| JPH07221313A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| JP4139096B2 (ja) | トランジスタ及びそれを用いた表示装置 | |
| JP5082423B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| TW201000524A (en) | Novel macromolecular compounds having a core-shell structure for use as semiconductors | |
| JP2006303007A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| JP2004006827A (ja) | 有機薄膜トランジスタ素子 |