JP2003243596A - リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームのメッキ処理の効率化を図り
つつ、リードフレームの信頼性を向上させる。 【解決手段】 インナーリード１ａ、アウターリード１
ｂおよびダイパッド１ｃを含むリードフレーム１全面に
スズメッキ２を施す。
つつ、リードフレームの信頼性を向上させる。 【解決手段】 インナーリード１ａ、アウターリード１
ｂおよびダイパッド１ｃを含むリードフレーム１全面に
スズメッキ２を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム、
半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、
リードフレームのメッキ処理を行なう場合に適用して好
適なものである。
半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、
リードフレームのメッキ処理を行なう場合に適用して好
適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＩＣチップの実装に使われるリー
ドフレームでは、ボンディング用の銀メッキをインナー
リード先端とダイパッドにのみ部分的に施す方法が行わ
れていた。図５（ａ）は、従来のチップマウント後のリ
ードフレームの概略構成を示す上面図、図５（ｂ）は、
従来のワイヤボンディング後のリードフレームの概略構
成を示す側面図である。
ドフレームでは、ボンディング用の銀メッキをインナー
リード先端とダイパッドにのみ部分的に施す方法が行わ
れていた。図５（ａ）は、従来のチップマウント後のリ
ードフレームの概略構成を示す上面図、図５（ｂ）は、
従来のワイヤボンディング後のリードフレームの概略構
成を示す側面図である。
【０００３】図５において、リードフレーム２１には、
インナーリード２１ａ、アウターリード２１ｂおよびダ
イパッド２１ｃが設けられ、インナーリード２１ａの先
端およびダイパッド２１ｃには、銀メッキ２２が施され
ている。そして、銀メッキ２２が施されたダイパッド２
１ｃ上に、ＩＣチップ２３がダイボンドされ、銀メッキ
２２が施されたインナーリード２１ａの先端とＩＣチッ
プ２３とがワイヤボンドされることにより、インナーリ
ード２１ａの先端とＩＣチップ２３とがＡｕワイヤ２４
で接続される。
インナーリード２１ａ、アウターリード２１ｂおよびダ
イパッド２１ｃが設けられ、インナーリード２１ａの先
端およびダイパッド２１ｃには、銀メッキ２２が施され
ている。そして、銀メッキ２２が施されたダイパッド２
１ｃ上に、ＩＣチップ２３がダイボンドされ、銀メッキ
２２が施されたインナーリード２１ａの先端とＩＣチッ
プ２３とがワイヤボンドされることにより、インナーリ
ード２１ａの先端とＩＣチップ２３とがＡｕワイヤ２４
で接続される。
【０００４】そして、トランスファーモールドを行なう
ことにより、ＩＣチップ２３、インナーリード２１ａお
よびＡｕワイヤ２４がモールド樹脂２５で封止される。
ことにより、ＩＣチップ２３、インナーリード２１ａお
よびＡｕワイヤ２４がモールド樹脂２５で封止される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、リード
フレーム２１上に銀メッキ２２を部分的に施す方法で
は、リードフレーム２１を部分的にマスキングしなが
ら、リードフレーム２１のメッキ処理を行なう必要があ
り、手間がかかるだけでなく、高価な銀を使用する必要
があるため、リードフレーム２１のコストアップに繋が
るという問題があった。
フレーム２１上に銀メッキ２２を部分的に施す方法で
は、リードフレーム２１を部分的にマスキングしなが
ら、リードフレーム２１のメッキ処理を行なう必要があ
り、手間がかかるだけでなく、高価な銀を使用する必要
があるため、リードフレーム２１のコストアップに繋が
るという問題があった。
【０００６】また、リードフレーム２１に銀メッキ２２
を施すと、銀が酸化・変色するため、リードフレーム２
１とモールド樹脂２５との密着性が悪化し、ＩＣチップ
２３の信頼性が低下するという問題があった。さらに、
リードフレーム２１のメッキ処理に銀を用いる方法で
は、コストアップを抑えるため、銀の使用量を減らす必
要があり、アウターリード２１ｂには、銀メッキ２２が
施されない。
を施すと、銀が酸化・変色するため、リードフレーム２
１とモールド樹脂２５との密着性が悪化し、ＩＣチップ
２３の信頼性が低下するという問題があった。さらに、
リードフレーム２１のメッキ処理に銀を用いる方法で
は、コストアップを抑えるため、銀の使用量を減らす必
要があり、アウターリード２１ｂには、銀メッキ２２が
施されない。
【０００７】このため、アウターリード２１ｂの酸化が
進行し、アウターリード２１ｂにハンダメッキを施す際
に、鉛フリーハンダメッキでの対応が困難になるという
問題があった。そこで、本発明の目的は、メッキ処理の
効率化を図りつつ、信頼性を向上させることが可能なリ
ードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法
を提供することである。
進行し、アウターリード２１ｂにハンダメッキを施す際
に、鉛フリーハンダメッキでの対応が困難になるという
問題があった。そこで、本発明の目的は、メッキ処理の
効率化を図りつつ、信頼性を向上させることが可能なリ
ードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法
を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１記載のリードフレームによれば、全面
にスズメッキが施されていることを特徴とする。これに
より、メッキ処理時にリードフレームのマスキングを行
なう必要がなくなることから、メッキ処理時の手間を軽
減して、リードフレームのコストダウンを図ることが可
能となるとともに、リードフレームの酸化・変色を抑制
して、モールド樹脂との密着性を向上させることがで
き、半導体装置の信頼性を向上させることが可能とな
る。
ために、請求項１記載のリードフレームによれば、全面
にスズメッキが施されていることを特徴とする。これに
より、メッキ処理時にリードフレームのマスキングを行
なう必要がなくなることから、メッキ処理時の手間を軽
減して、リードフレームのコストダウンを図ることが可
能となるとともに、リードフレームの酸化・変色を抑制
して、モールド樹脂との密着性を向上させることがで
き、半導体装置の信頼性を向上させることが可能とな
る。
【０００９】また、安価なスズを用いるため、リードフ
レームのコストアップを抑制しつつ、アウターリードに
もスズメッキ処理を行なうことが可能となり、アウター
リードの酸化を抑制することが可能となる。このため、
スズメッキ処理されたアウターリード上に、鉛フリーハ
ンダメッキを容易に行なうことが可能となり、環境汚染
を抑制することができる。
レームのコストアップを抑制しつつ、アウターリードに
もスズメッキ処理を行なうことが可能となり、アウター
リードの酸化を抑制することが可能となる。このため、
スズメッキ処理されたアウターリード上に、鉛フリーハ
ンダメッキを容易に行なうことが可能となり、環境汚染
を抑制することができる。
【００１０】また、請求項２記載の半導体装置によれ
ば、全面にスズメッキが施されたリードフレームと、前
記リードフレームのダイパット上にマウントされたＩＣ
チップと、前記リードフレームのインナーリードと前記
ＩＣチップとを接続するワイヤと、前記ＩＣチップ、前
記インナーリードおよび前記ワイヤを封止するモールド
樹脂と、前記リードフレームのアウターリードに形成さ
れたハンダメッキとを備えることを特徴とする。
ば、全面にスズメッキが施されたリードフレームと、前
記リードフレームのダイパット上にマウントされたＩＣ
チップと、前記リードフレームのインナーリードと前記
ＩＣチップとを接続するワイヤと、前記ＩＣチップ、前
記インナーリードおよび前記ワイヤを封止するモールド
樹脂と、前記リードフレームのアウターリードに形成さ
れたハンダメッキとを備えることを特徴とする。
【００１１】これにより、メッキ処理時にリードフレー
ムのマスキングを行なう必要がなくなることから、メッ
キ処理時の手間を軽減して、リードフレームのコストダ
ウンを図ることが可能となるとともに、ワイヤボンド時
のインナーリードとワイヤとの密着性を向上させて、配
線の信頼性を向上させることができる。また、スズメッ
キされたリードフレームの酸化・変色を抑制して、モー
ルド樹脂との密着性を向上させることができ、半導体装
置の信頼性を向上させることが可能となるとともに、リ
ードフレームのコストアップを抑制しつつ、アウターリ
ードにもスズメッキ処理を行なうことが可能となり、ア
ウターリードの酸化を抑制して、鉛フリーハンダメッキ
に容易に対応することが可能となる。
ムのマスキングを行なう必要がなくなることから、メッ
キ処理時の手間を軽減して、リードフレームのコストダ
ウンを図ることが可能となるとともに、ワイヤボンド時
のインナーリードとワイヤとの密着性を向上させて、配
線の信頼性を向上させることができる。また、スズメッ
キされたリードフレームの酸化・変色を抑制して、モー
ルド樹脂との密着性を向上させることができ、半導体装
置の信頼性を向上させることが可能となるとともに、リ
ードフレームのコストアップを抑制しつつ、アウターリ
ードにもスズメッキ処理を行なうことが可能となり、ア
ウターリードの酸化を抑制して、鉛フリーハンダメッキ
に容易に対応することが可能となる。
【００１２】また、請求項３記載の半導体装置の製造方
法によれば、リードフレーム全面にスズメッキを行なう
工程と、前記スズメッキが行なわれたリードフレームの
ダイパット上にＩＣチップをダイポンドする工程と、前
記スズメッキが行なわれたリードフレームのインナーリ
ードと前記ＩＣチップとをワイヤボンドする工程と、前
記ワイヤボンドされたＩＣチップおよびインナーリード
をモールド樹脂で封止する工程と、前記リードフレーム
のアウターリードにハンダメッキを行なう工程と、前記
リードフレームをリードカットする工程とを備えること
を特徴とする。
法によれば、リードフレーム全面にスズメッキを行なう
工程と、前記スズメッキが行なわれたリードフレームの
ダイパット上にＩＣチップをダイポンドする工程と、前
記スズメッキが行なわれたリードフレームのインナーリ
ードと前記ＩＣチップとをワイヤボンドする工程と、前
記ワイヤボンドされたＩＣチップおよびインナーリード
をモールド樹脂で封止する工程と、前記リードフレーム
のアウターリードにハンダメッキを行なう工程と、前記
リードフレームをリードカットする工程とを備えること
を特徴とする。
【００１３】これにより、スズメッキを行なう際に、リ
ードフレームのマスキングを行なう必要がなくなること
から、メッキ処理時の手間を軽減して、リードフレーム
のコストダウンを図ることが可能となる。また、リード
フレームにスズメッキを行なうことにより、ワイヤボン
ド時のインナーリードとワイヤとの密着性を向上させる
ことが可能となり、配線の信頼性を向上させることがで
きる。
ードフレームのマスキングを行なう必要がなくなること
から、メッキ処理時の手間を軽減して、リードフレーム
のコストダウンを図ることが可能となる。また、リード
フレームにスズメッキを行なうことにより、ワイヤボン
ド時のインナーリードとワイヤとの密着性を向上させる
ことが可能となり、配線の信頼性を向上させることがで
きる。
【００１４】さらに、スズメッキされたリードフレーム
の酸化・変色を抑制することが可能となることから、モ
ールド樹脂でＩＣチップを封止した場合においても、リ
ードフレームとモールド樹脂との密着性を向上させるこ
とができ、半導体装置の信頼性を向上させることが可能
となる。さらにまた、アウターリードにもスズメッキ処
理を行なうことが可能となることから、ハンダメッキと
の相性を向上させつつ、アウターリードの酸化を抑制す
ることが可能となり、鉛フリーハンダメッキに容易に対
応することが可能となるとともに、サンドブラスト処理
を省略して、製造工程を簡略化することが可能となる。
の酸化・変色を抑制することが可能となることから、モ
ールド樹脂でＩＣチップを封止した場合においても、リ
ードフレームとモールド樹脂との密着性を向上させるこ
とができ、半導体装置の信頼性を向上させることが可能
となる。さらにまた、アウターリードにもスズメッキ処
理を行なうことが可能となることから、ハンダメッキと
の相性を向上させつつ、アウターリードの酸化を抑制す
ることが可能となり、鉛フリーハンダメッキに容易に対
応することが可能となるとともに、サンドブラスト処理
を省略して、製造工程を簡略化することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る半
導体装置およびその製造方法について、図面を参照しな
がら説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係
るチップマウント後のリードフレームの概略構成を示す
上面図、図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るワイ
ヤボンディング後のリードフレームの概略構成を示す側
面図である。
導体装置およびその製造方法について、図面を参照しな
がら説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係
るチップマウント後のリードフレームの概略構成を示す
上面図、図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るワイ
ヤボンディング後のリードフレームの概略構成を示す側
面図である。
【００１６】図１において、リードフレーム１には、イ
ンナーリード１ａ、アウターリード１ｂおよびダイパッ
ド１ｃが設けられ、これらのインナーリード１ａ、アウ
ターリード１ｂおよびダイパッド１ｃを含むリードフレ
ーム１全面には、スズメッキ２が施されている。なお、
リードフレーム１の材質としては、ＣｕやＣｕ合金、４
２アロイなどを使うことができる。また、スズメッキ２
の厚みは、例えば、５〜１０μｍ程度が好ましい。
ンナーリード１ａ、アウターリード１ｂおよびダイパッ
ド１ｃが設けられ、これらのインナーリード１ａ、アウ
ターリード１ｂおよびダイパッド１ｃを含むリードフレ
ーム１全面には、スズメッキ２が施されている。なお、
リードフレーム１の材質としては、ＣｕやＣｕ合金、４
２アロイなどを使うことができる。また、スズメッキ２
の厚みは、例えば、５〜１０μｍ程度が好ましい。
【００１７】そして、スズメッキ２が施されたダイパッ
ド１ｃ上に、ＩＣチップ３がダイボンドされ、スズメッ
キ２が施されたインナーリード１ａの先端とＩＣチップ
３とがワイヤボンドされることにより、インナーリード
１ａの先端とＩＣチップ３とがＡｕワイヤ４で接続され
ている。そして、トランスファーモールドを行なうこと
により、ＩＣチップ３、インナーリード１ａおよびＡｕ
ワイヤ４がモールド樹脂５で封止される。
ド１ｃ上に、ＩＣチップ３がダイボンドされ、スズメッ
キ２が施されたインナーリード１ａの先端とＩＣチップ
３とがワイヤボンドされることにより、インナーリード
１ａの先端とＩＣチップ３とがＡｕワイヤ４で接続され
ている。そして、トランスファーモールドを行なうこと
により、ＩＣチップ３、インナーリード１ａおよびＡｕ
ワイヤ４がモールド樹脂５で封止される。
【００１８】ここで、リードフレーム１上には、スズメ
ッキ２が全面に施されるため、スズメッキ２を行なう際
に、リードフレーム１のマスキングを行なう必要がなく
なる。このため、リードフレーム１上にスズメッキ２を
行なう際の手間を軽減して、リードフレーム１のコスト
ダウンを図ることが可能となる。
ッキ２が全面に施されるため、スズメッキ２を行なう際
に、リードフレーム１のマスキングを行なう必要がなく
なる。このため、リードフレーム１上にスズメッキ２を
行なう際の手間を軽減して、リードフレーム１のコスト
ダウンを図ることが可能となる。
【００１９】また、リードフレーム１にスズメッキ２を
行なうことにより、ワイヤボンド時のインナーリード１
ａとＡｕワイヤ４との密着性を向上させることが可能と
なり、配線の信頼性を向上させることができる。さら
に、スズメッキ２の酸化・変色を抑制することが可能と
なるため、モールド樹脂５でＩＣチップ３を封止する際
に、スズメッキ２が施されたリードフレーム１とモール
ド樹脂５との密着性を向上させることができ、ＩＣチッ
プ３の信頼性を向上させることが可能となる。
行なうことにより、ワイヤボンド時のインナーリード１
ａとＡｕワイヤ４との密着性を向上させることが可能と
なり、配線の信頼性を向上させることができる。さら
に、スズメッキ２の酸化・変色を抑制することが可能と
なるため、モールド樹脂５でＩＣチップ３を封止する際
に、スズメッキ２が施されたリードフレーム１とモール
ド樹脂５との密着性を向上させることができ、ＩＣチッ
プ３の信頼性を向上させることが可能となる。
【００２０】さらにまた、安価なズズを用いてリードフ
レーム１のメッキ処理を行なうことが可能となり、コス
トアップを抑制しつつ、アウターリード１ｂにもスズメ
ッキ２を行なうことが可能となることから、アウターリ
ード１ｂの酸化を抑制することが可能となり、鉛フリー
ハンダメッキに容易に対応して、環境汚染を抑制するこ
とができる。
レーム１のメッキ処理を行なうことが可能となり、コス
トアップを抑制しつつ、アウターリード１ｂにもスズメ
ッキ２を行なうことが可能となることから、アウターリ
ード１ｂの酸化を抑制することが可能となり、鉛フリー
ハンダメッキに容易に対応して、環境汚染を抑制するこ
とができる。
【００２１】図２〜４は、本発明の一実施形態に係る半
導体装置の製造工程を示す上面図である。図２（ａ）に
おいて、例えば、Ｃｕ板にエッチングまたは打ち抜きな
どを行なうことにより、インナーリード１１ａ、アウタ
ーリード１１ｂおよびダイパッド１１ｃが設けられたリ
ードフレーム１１を形成する。
導体装置の製造工程を示す上面図である。図２（ａ）に
おいて、例えば、Ｃｕ板にエッチングまたは打ち抜きな
どを行なうことにより、インナーリード１１ａ、アウタ
ーリード１１ｂおよびダイパッド１１ｃが設けられたリ
ードフレーム１１を形成する。
【００２２】次に、図２（ｂ）に示すように、インナー
リード１１ａ、アウターリード１１ｂおよびダイパッド
１１ｃが設けられたリードフレーム１１を電解曹に浸
し、このリードフレーム１１に対しスズの電解メッキを
行なうことにより、リードフレーム１１全面にスズメッ
キ１２を施す。ここで、リードフレーム１１全面にスズ
メッキ１２を施すことにより、スズメッキ１２を行なう
際に、リードフレーム１１のマスキングを行なう必要が
なくなり、リードフレーム１１上にスズメッキ１２を行
なう際の手間を軽減することが可能となり、メッキ処理
されたリードフレーム１１のコストダウンを図ることが
可能となる。
リード１１ａ、アウターリード１１ｂおよびダイパッド
１１ｃが設けられたリードフレーム１１を電解曹に浸
し、このリードフレーム１１に対しスズの電解メッキを
行なうことにより、リードフレーム１１全面にスズメッ
キ１２を施す。ここで、リードフレーム１１全面にスズ
メッキ１２を施すことにより、スズメッキ１２を行なう
際に、リードフレーム１１のマスキングを行なう必要が
なくなり、リードフレーム１１上にスズメッキ１２を行
なう際の手間を軽減することが可能となり、メッキ処理
されたリードフレーム１１のコストダウンを図ることが
可能となる。
【００２３】次に、図２（ｃ）に示すように、スズメッ
キ１２が施されたダイパッド１１ｃ上にＡｇペーストを
塗布し、Ａｇペーストが塗布されたダイパッド１１ｃ上
にＩＣチップ１３をマウントする。次に、図３（ａ）に
示すように、ダイパッド１１ｃ上にマウントされたＩＣ
チップ１３のワイヤボンドを行なうことにより、ＩＣチ
ップ１３上に形成されているパッドと、スズメッキ１２
が施されたインナーリード１１ａとをＡｕワイヤ１４で
接続する。
キ１２が施されたダイパッド１１ｃ上にＡｇペーストを
塗布し、Ａｇペーストが塗布されたダイパッド１１ｃ上
にＩＣチップ１３をマウントする。次に、図３（ａ）に
示すように、ダイパッド１１ｃ上にマウントされたＩＣ
チップ１３のワイヤボンドを行なうことにより、ＩＣチ
ップ１３上に形成されているパッドと、スズメッキ１２
が施されたインナーリード１１ａとをＡｕワイヤ１４で
接続する。
【００２４】ここで、インナーリード１１ａにはスズメ
ッキ１２が施されているので、ワイヤボンド時のインナ
ーリード１１ａとＡｕワイヤ１４との密着性を向上させ
ることが可能となり、配線の信頼性を向上させることが
できる。次に、図３（ｂ）に示すように、スズメッキ１
２が施されたリードフレーム１１のトランスファーモー
ルドを行なうことにより、インナーリード１１ａ、ＩＣ
チップ１３およびＡｕワイヤ１４をモールド樹脂１５で
封止する。なお、モールド樹脂１５としては、例えば、
エポキシ樹脂などを用いることができる。
ッキ１２が施されているので、ワイヤボンド時のインナ
ーリード１１ａとＡｕワイヤ１４との密着性を向上させ
ることが可能となり、配線の信頼性を向上させることが
できる。次に、図３（ｂ）に示すように、スズメッキ１
２が施されたリードフレーム１１のトランスファーモー
ルドを行なうことにより、インナーリード１１ａ、ＩＣ
チップ１３およびＡｕワイヤ１４をモールド樹脂１５で
封止する。なお、モールド樹脂１５としては、例えば、
エポキシ樹脂などを用いることができる。
【００２５】これにより、Ａｇの酸化・変色に比べ、ス
ズの酸化膜の方が安定しているため、図５のＡｇメッキ
２３が施されたリードフレーム２１に比べ、スズメッキ
１２が施されたリードフレーム１１の方が、モールド樹
脂１５との密着性を向上させることが可能となり、パッ
ケージング時の気密性や耐湿性を向上させることが可能
となることから、ＩＣチップ１３の信頼性を向上させる
ことができる。
ズの酸化膜の方が安定しているため、図５のＡｇメッキ
２３が施されたリードフレーム２１に比べ、スズメッキ
１２が施されたリードフレーム１１の方が、モールド樹
脂１５との密着性を向上させることが可能となり、パッ
ケージング時の気密性や耐湿性を向上させることが可能
となることから、ＩＣチップ１３の信頼性を向上させる
ことができる。
【００２６】次に、図３（ｃ）に示すように、モールド
樹脂１５が形成されたリードフレーム１１をハンダメッ
キ曹に浸し、電解メッキを行なうことにより、アウター
リード１１ｂにハンダメッキ１６を施す。ここで、安価
なスズを用いることにより、コストアップを抑制しつ
つ、アウターリード１１ｂにもスズメッキ１２を施すこ
とが可能となることから、ハンダメッキ１６との相性を
向上させつつ、アウターリード１１ｂの酸化を抑制する
ことが可能となる。
樹脂１５が形成されたリードフレーム１１をハンダメッ
キ曹に浸し、電解メッキを行なうことにより、アウター
リード１１ｂにハンダメッキ１６を施す。ここで、安価
なスズを用いることにより、コストアップを抑制しつ
つ、アウターリード１１ｂにもスズメッキ１２を施すこ
とが可能となることから、ハンダメッキ１６との相性を
向上させつつ、アウターリード１１ｂの酸化を抑制する
ことが可能となる。
【００２７】このため、アウターリード１１ｂにハンダ
メッキ１６を施す際に、アウターリード１１ｂのサンド
ブラスト処理を省略して、製造工程を簡略化することが
可能となるとともに、鉛フリーハンダメッキに容易に対
応することを可能として、環境汚染を抑制することが可
能となる。次に、図４に示すように、ハンダメッキ１６
が施されたリードフレーム１１のリードカットを行なう
ことにより、樹脂封止されたＩＣチップ１３を１個づつ
切り離す。
メッキ１６を施す際に、アウターリード１１ｂのサンド
ブラスト処理を省略して、製造工程を簡略化することが
可能となるとともに、鉛フリーハンダメッキに容易に対
応することを可能として、環境汚染を抑制することが可
能となる。次に、図４に示すように、ハンダメッキ１６
が施されたリードフレーム１１のリードカットを行なう
ことにより、樹脂封止されたＩＣチップ１３を１個づつ
切り離す。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リードフレーム全面にスズメッキを施すことにより、リ
ードフレームのコストダウンを図りつつ、リードフレー
ムの酸化・変色を抑制して、半導体装置の信頼性を向上
させることが可能となるとともに、アウターリードの酸
化を抑制して、鉛フリーハンダメッキに容易に対応する
ことが可能となる。
リードフレーム全面にスズメッキを施すことにより、リ
ードフレームのコストダウンを図りつつ、リードフレー
ムの酸化・変色を抑制して、半導体装置の信頼性を向上
させることが可能となるとともに、アウターリードの酸
化を抑制して、鉛フリーハンダメッキに容易に対応する
ことが可能となる。
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係るチッ
プマウント後のリードフレームの概略構成を示す上面
図、図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るワイヤボ
ンディング後のリードフレームの概略構成を示す側面図
である。
プマウント後のリードフレームの概略構成を示す上面
図、図１（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るワイヤボ
ンディング後のリードフレームの概略構成を示す側面図
である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工
程を示す上面図である。
程を示す上面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工
程を示す上面図である。
程を示す上面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工
程を示す上面図である。
程を示す上面図である。
【図５】図５（ａ）は、従来のチップマウント後のリー
ドフレームの概略構成を示す上面図、図５（ｂ）は、従
来のワイヤボンディング後のリードフレームの概略構成
を示す側面図である。
ドフレームの概略構成を示す上面図、図５（ｂ）は、従
来のワイヤボンディング後のリードフレームの概略構成
を示す側面図である。
１、１１ リードフレーム
１ａ、１１ａ インナーリード
１ｂ、１１ｂ アウターリード
１ｃ、１１ｃ ダイパッド
２、１２ スズメッキ
３、１３ ＩＣチップ
４、１４ Ａｕワイヤ
５、１５ モールド樹脂
１６ ハンダメッキ
Claims (3)
- 【請求項１】 全面にスズメッキが施されていることを
特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 全面にスズメッキが施されたリードフレ
ームと、 前記リードフレームのダイパット上にマウントされたＩ
Ｃチップと、 前記リードフレームのインナーリードと前記ＩＣチップ
とを接続するワイヤと、 前記ＩＣチップ、前記インナーリードおよび前記ワイヤ
を封止するモールド樹脂と、 前記リードフレームのアウターリードに形成されたハン
ダメッキとを備えることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 リードフレーム全面にスズメッキを行な
う工程と、 前記スズメッキが行なわれたリードフレームのダイパッ
ト上にＩＣチップをダイポンドする工程と、 前記スズメッキが行なわれたリードフレームのインナー
リードと前記ＩＣチップとをワイヤボンドする工程と、 前記ワイヤボンドされたＩＣチップおよびインナーリー
ドをモールド樹脂で封止する工程と、 前記リードフレームのアウターリードにハンダメッキを
行なう工程と、 前記リードフレームをリードカットする工程とを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002045242A JP2003243596A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002045242A JP2003243596A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243596A true JP2003243596A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27784280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002045242A Pending JP2003243596A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243596A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108666A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Samsung Techwin Co Ltd | 半導体リードフレームと、それを備える半導体パッケージと、それをメッキする方法 |
| JP2020035778A (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 株式会社ジェイテクト | 樹脂モールド品、センサ装置、および樹脂モールド品の製造方法 |
-
2002
- 2002-02-21 JP JP2002045242A patent/JP2003243596A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108666A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Samsung Techwin Co Ltd | 半導体リードフレームと、それを備える半導体パッケージと、それをメッキする方法 |
| JP2020035778A (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | 株式会社ジェイテクト | 樹脂モールド品、センサ装置、および樹脂モールド品の製造方法 |
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