JP2003240740A5 - - Google Patents

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Claims (20)

複数の素子が配置された基板と、
上記基板の上に載置された複数のキャップ体と、
上記素子が配置された部位に設けられ、上記基板と上記キャップ体とにより減圧雰囲気に保持された空洞部と
を備える電子デバイスであって、
上記空洞部または上記空洞部内の素子がある温度に加熱または冷却される熱処理を行い、上記熱処理を停止した後、上記素子が放散または吸収した熱量の変化を信号として出力する出力手段を備えることを特徴とする電子デバイス。
A substrate on which a plurality of elements are arranged;
A plurality of cap bodies placed on the substrate;
An electronic device provided at a portion where the element is disposed and including a cavity portion held in a reduced pressure atmosphere by the substrate and the cap body,
An output means for outputting, as a signal, a change in the amount of heat dissipated or absorbed by the element after performing a heat treatment in which the cavity or the element in the cavity is heated or cooled to a certain temperature and stopping the heat treatment; A featured electronic device.
請求項1に記載の電子デバイスにおいて、
上記電子デバイスは、ペルチェ素子をさらに備えており、
上記熱処理のうちの少なくとも一部は、上記ペルチェ素子を加熱または冷却することにより行われることを特徴とする電子デバイス。
The electronic device according to claim 1.
The electronic device further includes a Peltier element,
At least a part of the heat treatment is performed by heating or cooling the Peltier element.
複数の素子が配置された基板と、
上記基板の上に載置された複数のキャップ体と、
上記素子が配置された部位に設けられ、上記基板と上記キャップ体とにより減圧雰囲気に保持された空洞部と、
上記空洞部または上記空洞部内の素子が加熱または冷却される熱処理を行い、上記熱処理を停止した後、上記素子が放散または吸収した熱量の変化を信号として出力する出力手段と
を備え、上記出力手段の上記信号を受けて、上記素子の配置される上記空洞部のそれぞれの真空度の判定を行なう手段と
を備えるシステム。
A substrate on which a plurality of elements are arranged;
A plurality of cap bodies placed on the substrate;
A cavity provided in a portion where the element is disposed and held in a reduced-pressure atmosphere by the substrate and the cap body;
Output means for outputting a change in the amount of heat dissipated or absorbed by the element as a signal after performing a heat treatment for heating or cooling the cavity or the element in the cavity, and stopping the heat treatment; And a means for judging the degree of vacuum of each of the cavities in which the elements are arranged.
請求項3に記載のシステムにおいて、
上記熱処理のうちの少なくとも一部は、上記素子を自己発熱させることにより行なわれることを特徴とするシステム。
The system of claim 3, wherein
At least a part of the heat treatment is performed by causing the element to self-heat.
請求項3または4に記載のシステムにおいて、
上記システムは、ペルチェ素子をさらに備えており、
上記熱処理のうちの少なくとも一部は、上記ペルチェ素子を加熱または冷却することにより行われることを特徴とするシステム。
The system according to claim 3 or 4,
The system further includes a Peltier element,
At least a part of the heat treatment is performed by heating or cooling the Peltier element.
請求項3〜5のうちいずれかに1つに記載のシステムにおいて、
上記キャップ体のうちの少なくとも1つは、実質的に赤外線を透過しない材料によって覆われていることを特徴とするシステム。
The system according to any one of claims 3 to 5,
At least one of the cap bodies is covered with a material that does not substantially transmit infrared light.
請求項3〜6のうちいずれか1つに記載のシステムにおいて、
上記キャップ体のうちの少なくとも1つには、開口部が形成されていることを特徴とするシステム。
In the system according to any one of claims 3 to 6,
The system according to claim 1, wherein an opening is formed in at least one of the cap bodies.
請求項3に記載のシステムにおいて、
上記判定は、上記熱処理を停止した後、一定期間経過後に測定した上記素子の温度と、上記熱処理の前に測定した上記素子の温度との温度差を、設定温度と比較することにより行なうことを特徴とするシステム。
The system of claim 3, wherein
The determination is performed by comparing a temperature difference between the temperature of the element measured after a certain period of time after the heat treatment is stopped and the temperature of the element measured before the heat treatment with a set temperature. Feature system.
請求項8に記載のシステムにおいて、
上記設定温度を、上記判定時において、複数の上記素子における上記温度変化の値の平均値をとり、その平均値を基準として算出する機能をさらに備えることを特徴とするシステム。
The system of claim 8, wherein
The system further comprising a function of calculating the set temperature based on the average value of the temperature change values in the plurality of elements at the time of the determination.
請求項3〜7のうちいずれか1つに記載のシステムにおいて、
上記判定は、上記熱処理を停止した後、上記素子の温度が一定温度に達するまでの時間を測定し、上記時間を設定時間と比較することにより行なうことを特徴とするシステム。
The system according to any one of claims 3 to 7,
The determination is performed by measuring a time until the temperature of the element reaches a certain temperature after stopping the heat treatment, and comparing the time with a set time.
複数の素子が配置された基板と、上記基板の上に載置された複数のキャップ体と、上記素子が配置された部位に設けられ、上記基板と上記キャップ体とにより減圧雰囲気に保持された空洞部とを備える電子デバイスの真空度の判定方法であって、
上記空洞部または上記空洞部内の素子が加熱または冷却される熱処理を行う工程(a)と、
上記工程(a)の後に、上記素子が放散または吸収した熱量の変化を信号として出力する工程(b)と、
上記信号を受けて、上記素子の配置される上記空洞部のそれぞれの真空度の判定を行なう工程(c)と
を備える真空度の判定方法。
A substrate on which a plurality of elements are arranged, a plurality of cap bodies placed on the substrate, and a portion where the elements are arranged are held in a reduced-pressure atmosphere by the substrate and the cap body. A method for determining the degree of vacuum of an electronic device comprising a cavity,
(A) performing a heat treatment in which the cavity or the element in the cavity is heated or cooled;
After the step (a), a step (b) of outputting a change in the amount of heat dissipated or absorbed by the element as a signal;
And (c) determining the degree of vacuum of each of the cavities in which the elements are arranged in response to the signal.
請求項11に記載の真空度の判定方法であって、
上記工程(a)の前に、上記素子の温度に相当する第1の信号出力を行い、
上記工程(b)では、上記工程(a)における上記熱処理を停止してから一定期間経過後に、上記素子の温度に相当する第2の信号出力を行い、上記第1の信号出力と上記第2の信号出力との差の値を温度変化値に相当する上記信号として出力し、
上記工程(c)では、上記信号を、設定値と比較することにより、上記素子の真空度の判断を行なうことを特徴とする真空度の判定方法。
The method for determining a degree of vacuum according to claim 11,
Before the step (a), a first signal output corresponding to the temperature of the element is performed,
In the step (b), a second signal output corresponding to the temperature of the element is performed after a lapse of a certain period after the heat treatment in the step (a) is stopped, and the first signal output and the second signal output are performed. The value of the difference from the signal output of is output as the signal corresponding to the temperature change value,
In the step (c), the degree of vacuum of the element is determined by comparing the signal with a set value.
請求項11に記載の真空度の判定方法であって、
上記工程(b)では、上記工程(a)における上記熱処理を停止してから、上記素子の温度が一定温度に相当する信号出力に達するまでの時間を測定し、
上記工程(c)では、上記時間と設定時間とを比較することにより真空度の判定を行うことを特徴とする真空度の判定方法。
The method for determining a degree of vacuum according to claim 11,
In the step (b), the time from when the heat treatment in the step (a) is stopped until the temperature of the element reaches a signal output corresponding to a constant temperature is measured,
In the step (c), the degree of vacuum is determined by comparing the time with a set time.
複数の素子が配置された基板と、A substrate on which a plurality of elements are arranged;
上記基板の上に載置された複数のキャップ体と、  A plurality of cap bodies placed on the substrate;
上記素子が配置された部位に設けられ、上記基板と上記キャップ体とにより減圧雰囲気に保持された空洞部とを備える電子デバイスであって、  An electronic device provided at a site where the element is disposed, and including a cavity portion held in a reduced pressure atmosphere by the substrate and the cap body,
上記空洞部または上記空洞部内の上記素子を加熱または冷却して所定の温度に制御する手段と、上記加熱または冷却する前後の上記素子の温度変化量を得る手段と、上記温度変化量を出力する手段とを備えることを特徴とする電子デバイス。  A means for heating or cooling the cavity or the element in the cavity to control to a predetermined temperature, a means for obtaining a temperature change amount of the element before and after the heating or cooling, and outputting the temperature change amount And an electronic device.
請求項14に記載の電子デバイスであって、The electronic device according to claim 14, comprising:
上記温度を制御する手段は、上記素子を自己発熱させることにより上記素子を加熱することを特徴とする電子デバイス。  The electronic device is characterized in that the means for controlling the temperature heats the element by causing the element to self-heat.
請求項14に記載の電子デバイスであって、The electronic device according to claim 14, comprising:
上記温度変化量は、上記加熱または冷却する前後の上記素子の出力電圧から得ることを特徴とする電子デバイス。  The temperature change amount is obtained from an output voltage of the element before and after the heating or cooling.
複数の素子が配置された基板と、A substrate on which a plurality of elements are arranged;
上記基板の上に載置された複数のキャップ体と、  A plurality of cap bodies placed on the substrate;
上記素子が配置された部位に設けられ、上記基板と上記キャップ体とにより減圧雰囲気に保持された空洞部とを備えるシステムであって、  A system provided with a cavity portion provided in a portion where the element is disposed and held in a reduced-pressure atmosphere by the substrate and the cap body,
上記空洞部または上記空洞部内の上記素子を加熱または冷却して所定の温度に制御する手段と、上記加熱または冷却する前後の上記素子の温度変化量を得る手段と、上記温度変化量に基づいて上記素子の配置される上記空洞部のそれぞれの真空度の判定を行なう手段とを備えることを特徴とするシステム。  Based on the temperature change amount, means for heating or cooling the cavity or the element in the cavity to control to a predetermined temperature, means for obtaining a temperature change amount of the element before and after the heating or cooling, and Means for determining the degree of vacuum of each of the cavities in which the elements are arranged.
請求項17に記載のシステムであって、The system of claim 17, comprising:
上記真空度の判定を行なう手段により、所定の真空度に達していない上記素子の位置を欠陥位置として欠陥位置メモリに記憶する手段を備えることを特徴とするシステム。  A system comprising means for storing, in a defect position memory, a position of the element that has not reached a predetermined degree of vacuum as a defect position by means for determining the degree of vacuum.
請求項18に記載のシステムであって、The system of claim 18, comprising:
上記素子は赤外線センサ素子であって、上記欠陥位置メモリに記憶された欠陥画素から得られる信号を、上記欠陥画素の周囲に位置する画素の信号を用いて補間処理することを特徴とするシステム。  The element is an infrared sensor element, and interpolates a signal obtained from a defective pixel stored in the defect position memory by using a signal of a pixel located around the defective pixel.
請求項17に記載のシステムであって、The system of claim 17, comprising:
上記温度変化量は、上記加熱または冷却する前後の上記素子の出力電圧から得ることを特徴とするシステム。  The temperature change amount is obtained from an output voltage of the element before and after the heating or cooling.
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