JP2003234302A - 半導体基板への不純物拡散方法 - Google Patents
半導体基板への不純物拡散方法Info
- Publication number
- JP2003234302A JP2003234302A JP2002032094A JP2002032094A JP2003234302A JP 2003234302 A JP2003234302 A JP 2003234302A JP 2002032094 A JP2002032094 A JP 2002032094A JP 2002032094 A JP2002032094 A JP 2002032094A JP 2003234302 A JP2003234302 A JP 2003234302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- impurity source
- diffusion
- furnace
- solid impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物源から半導体基板への不純物拡散にお
けるウエハボート上の位置による不純物量のばらつきを
低減することを目的とする。 【解決手段】 ウエハボート４上に、裏面同士を背中合
わせにした２枚構成の半導体基板２ａ、２ｂと円板状の
固体不純物源１ａ、１ｂが交互に立てられた基本構成を
とり、ここで、半導体基板２ａ、２ｂと相対する固体不
純物源１ａ、１ｂの位置関係は、拡散面が炉口５を向い
た半導体基板２ａと相対する固体不純物源１ａとの距離
をＬ１、拡散面がガス導入口６を向いた半導体基板２ｂ
と相対する固体不純物源１ｂとの距離をＬ２とした場
合、Ｌ１＞Ｌ２の距離に配置することを特徴とする。
けるウエハボート上の位置による不純物量のばらつきを
低減することを目的とする。 【解決手段】 ウエハボート４上に、裏面同士を背中合
わせにした２枚構成の半導体基板２ａ、２ｂと円板状の
固体不純物源１ａ、１ｂが交互に立てられた基本構成を
とり、ここで、半導体基板２ａ、２ｂと相対する固体不
純物源１ａ、１ｂの位置関係は、拡散面が炉口５を向い
た半導体基板２ａと相対する固体不純物源１ａとの距離
をＬ１、拡散面がガス導入口６を向いた半導体基板２ｂ
と相対する固体不純物源１ｂとの距離をＬ２とした場
合、Ｌ１＞Ｌ２の距離に配置することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体基板
を配置したウエハボートを拡散炉に挿入し、固体不純物
源あるいは気体不純物源から半導体基板への拡散を行う
不純物拡散方法に関する。
を配置したウエハボートを拡散炉に挿入し、固体不純物
源あるいは気体不純物源から半導体基板への拡散を行う
不純物拡散方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体不純物源による半導体基板へ
の不純物拡散方法は、図６の拡散炉３の断面図に示され
るように、ウエハボート４上に、円板状の固体不純物源
（例えば、ボロンナイトライド）１ａ、１ｂと、裏面同
士を背中合わせにした２枚構成の半導体基板２ａ，２ｂ
とを交互に立てて、半導体基板２ａ，２ｂの拡散面に不
純物を含んだ酸化膜の層を形成させ、不純物拡散層を得
る方法であり、ウエハボート４上の拡散面が炉口５を向
いた半導体基板２ａと相対する固体不純物源１ａの距離
Ｌ３と、ガス導入口６を向いた半導体基板２ｂと相対す
る固体不純物源１ｂの距離Ｌ４とは等しい位置に配置さ
れている。
の不純物拡散方法は、図６の拡散炉３の断面図に示され
るように、ウエハボート４上に、円板状の固体不純物源
（例えば、ボロンナイトライド）１ａ、１ｂと、裏面同
士を背中合わせにした２枚構成の半導体基板２ａ，２ｂ
とを交互に立てて、半導体基板２ａ，２ｂの拡散面に不
純物を含んだ酸化膜の層を形成させ、不純物拡散層を得
る方法であり、ウエハボート４上の拡散面が炉口５を向
いた半導体基板２ａと相対する固体不純物源１ａの距離
Ｌ３と、ガス導入口６を向いた半導体基板２ｂと相対す
る固体不純物源１ｂの距離Ｌ４とは等しい位置に配置さ
れている。
【０００３】また、従来の気体不純物源からの半導体基
板への不純物拡散方法は図７に示されるように、ウエハ
ボート４上に裏面同士を背中合わせにした２枚構成の半
導体基板７ａ，７ｂを立てて、拡散炉３に入れ、ガス導
入口６から気体不純物源を含んだガス（例えば、オキシ
塩化リン）を導入し、裏面同士を背中合わせにした２枚
構成の半導体基板７ａ，７ｂの拡散面に不純物拡散層を
得る方法である。
板への不純物拡散方法は図７に示されるように、ウエハ
ボート４上に裏面同士を背中合わせにした２枚構成の半
導体基板７ａ，７ｂを立てて、拡散炉３に入れ、ガス導
入口６から気体不純物源を含んだガス（例えば、オキシ
塩化リン）を導入し、裏面同士を背中合わせにした２枚
構成の半導体基板７ａ，７ｂの拡散面に不純物拡散層を
得る方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体不純物源から半導体基板への不純物拡散方法では、
シート抵抗値が３０〜２００Ω程度の濃度の不純物拡散
層を形成する場合、ウエハボート上に裏面同士を背中合
わせに立てられた２枚構成の半導体基板２ａ，２ｂのう
ち拡散面が炉口を向いた半導体基板２ａの方が、拡散面
がガス導入口を向いた半導体基板２ｂよりも拡散される
不純物量が多い傾向がある。このため、図８に示される
如く拡散面が炉口を向いた半導体基板のシート抵抗値
（図８の●）と拡散面がガス導入口を向いた半導体基板
のシート抵抗値（図８の×）とのばらつきが大きいとい
う問題を有していた。
固体不純物源から半導体基板への不純物拡散方法では、
シート抵抗値が３０〜２００Ω程度の濃度の不純物拡散
層を形成する場合、ウエハボート上に裏面同士を背中合
わせに立てられた２枚構成の半導体基板２ａ，２ｂのう
ち拡散面が炉口を向いた半導体基板２ａの方が、拡散面
がガス導入口を向いた半導体基板２ｂよりも拡散される
不純物量が多い傾向がある。このため、図８に示される
如く拡散面が炉口を向いた半導体基板のシート抵抗値
（図８の●）と拡散面がガス導入口を向いた半導体基板
のシート抵抗値（図８の×）とのばらつきが大きいとい
う問題を有していた。
【０００５】また、従来の気体不純物源からの半導体基
板への不純物拡散方法では、シート抵抗が３０〜２００
Ω程度の濃度の不純物拡散層を形成する場合、図９に示
されるように、ガス導入口から離れる程、拡散される不
純物量が少なく、シート抵抗値が高くなる傾向があると
ともに、ウエハボート上に裏面同士を背中合わせに立て
られた２枚の半導体基板７ａ，７ｂのうち拡散面が炉口
を向いた半導体基板７ａのシート抵抗値（図９の●）の
方が、拡散面がガス導入口を向いた半導体基板７ｂのシ
ート抵抗値（図９の×）よりも拡散される不純物量が少
ない傾向があり、半導体基板の拡散面の向きによって
も、シート抵抗値のばらつきが大きいという問題を有し
ていた。
板への不純物拡散方法では、シート抵抗が３０〜２００
Ω程度の濃度の不純物拡散層を形成する場合、図９に示
されるように、ガス導入口から離れる程、拡散される不
純物量が少なく、シート抵抗値が高くなる傾向があると
ともに、ウエハボート上に裏面同士を背中合わせに立て
られた２枚の半導体基板７ａ，７ｂのうち拡散面が炉口
を向いた半導体基板７ａのシート抵抗値（図９の●）の
方が、拡散面がガス導入口を向いた半導体基板７ｂのシ
ート抵抗値（図９の×）よりも拡散される不純物量が少
ない傾向があり、半導体基板の拡散面の向きによって
も、シート抵抗値のばらつきが大きいという問題を有し
ていた。
【０００６】本発明は、上記問題に鑑み、半導体基板の
拡散面の向き、およびウエハボート上の位置による不純
物拡散量のばらつきを低減し、均一化を図ることを目的
とする。
拡散面の向き、およびウエハボート上の位置による不純
物拡散量のばらつきを低減し、均一化を図ることを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の固体不純物源からの不純物拡散方法は、ウ
エハボート上に立てられた裏面同士を背中合わせにした
２枚構成の半導体基板のうち、拡散面が炉口を向いた半
導体基板と相対する固体不純物源との距離を拡散面がガ
ス導入口を向いた半導体基板と相対する固体不純物源と
の距離より大きくし、ウエハボート上に配置したことを
特徴とする。
に、本発明の固体不純物源からの不純物拡散方法は、ウ
エハボート上に立てられた裏面同士を背中合わせにした
２枚構成の半導体基板のうち、拡散面が炉口を向いた半
導体基板と相対する固体不純物源との距離を拡散面がガ
ス導入口を向いた半導体基板と相対する固体不純物源と
の距離より大きくし、ウエハボート上に配置したことを
特徴とする。
【０００８】この構成により半導体基板の拡散面のシー
ト抵抗値のばらつきが少なくなる。
ト抵抗値のばらつきが少なくなる。
【０００９】また、本発明の気体不純物源からの不純物
拡散方法は、ウエハボート上に、裏面同士を背中合わせ
にした２枚構成の半導体基板と、ダミーウエハとを交互
に配置し、２枚構成の半導体基板のうち、拡散面が炉口
を向いた半導体基板と相対するダミーウエハとの距離
を、拡散面がガス導入口を向いた半導体基板と相対する
ダミーウエハとの距離より大きくしたことを特徴とす
る。
拡散方法は、ウエハボート上に、裏面同士を背中合わせ
にした２枚構成の半導体基板と、ダミーウエハとを交互
に配置し、２枚構成の半導体基板のうち、拡散面が炉口
を向いた半導体基板と相対するダミーウエハとの距離
を、拡散面がガス導入口を向いた半導体基板と相対する
ダミーウエハとの距離より大きくしたことを特徴とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の固体不純物源から
の不純物拡散方法の実施の形態について、図を用いて具
体的に説明する。
の不純物拡散方法の実施の形態について、図を用いて具
体的に説明する。
【００１１】図１は、本発明の固体不純物源からの不純
物拡散方法の実施の形態を示す拡散炉３の断面図を示
し、従来と同じ構成には同一符号を付与し説明する。図
に示される様に、ウエハボート４上に、裏面同士を背中
合わせにした２枚構成の半導体基板２ａ，２ｂと円板状
の固体不純物源１ａ、１ｂが交互に立てられた基本構成
をとる。ここで、半導体基板２ａ、２ｂと相対する固体
不純物源１ａ、１ｂの位置関係は、拡散面が炉口５を向
いた半導体基板２ａと相対する固体不純物源１ａとの距
離をＬ１、拡散面がガス導入口６を向いた半導体基板２
ｂと相対する固体不純物源１ｂとの距離をＬ２とした場
合、Ｌ１＞Ｌ２の距離に配置されており、より具体的に
はＬ１／Ｌ２を１．１〜４．０にするのが好ましい。
物拡散方法の実施の形態を示す拡散炉３の断面図を示
し、従来と同じ構成には同一符号を付与し説明する。図
に示される様に、ウエハボート４上に、裏面同士を背中
合わせにした２枚構成の半導体基板２ａ，２ｂと円板状
の固体不純物源１ａ、１ｂが交互に立てられた基本構成
をとる。ここで、半導体基板２ａ、２ｂと相対する固体
不純物源１ａ、１ｂの位置関係は、拡散面が炉口５を向
いた半導体基板２ａと相対する固体不純物源１ａとの距
離をＬ１、拡散面がガス導入口６を向いた半導体基板２
ｂと相対する固体不純物源１ｂとの距離をＬ２とした場
合、Ｌ１＞Ｌ２の距離に配置されており、より具体的に
はＬ１／Ｌ２を１．１〜４．０にするのが好ましい。
【００１２】以上のような位置関係にウエハボート上に
配置した本発明の固体不純物源による不純物拡散方法に
よれば、拡散面が炉口５を向いた半導体基板２ａの方
が、拡散面がガス導入口６を向いた半導体基板２ｂより
も不純物拡散量が多くなり、シート抵抗値が低くなる傾
向を、半導体基板２ａと固体不純物源１ａの間隔を大き
くすることにより、半導体基板２ａの不純物拡散量を少
なくする効果で相殺できるため、拡散面の向きによるば
らつきを低減し、シート抵抗値を均一にすることが可能
となる。
配置した本発明の固体不純物源による不純物拡散方法に
よれば、拡散面が炉口５を向いた半導体基板２ａの方
が、拡散面がガス導入口６を向いた半導体基板２ｂより
も不純物拡散量が多くなり、シート抵抗値が低くなる傾
向を、半導体基板２ａと固体不純物源１ａの間隔を大き
くすることにより、半導体基板２ａの不純物拡散量を少
なくする効果で相殺できるため、拡散面の向きによるば
らつきを低減し、シート抵抗値を均一にすることが可能
となる。
【００１３】図２は、本発明による構成で、Ｌ１＝４．
０ｍｍ、Ｌ２＝２．０ｍｍとし、炉内の温度を約９００
℃の条件下で、固体不純物源であるＰ型不純物ボロンに
より、不純物拡散を行った場合のシート抵抗値の測定結
果であり、縦軸はシート抵抗値、横軸はウエハボート上
の位置を示したものである。この測定結果からも明らか
なように、本発明の実施形態により、シート抵抗値のば
らつきを均一にすることが可能となる。
０ｍｍ、Ｌ２＝２．０ｍｍとし、炉内の温度を約９００
℃の条件下で、固体不純物源であるＰ型不純物ボロンに
より、不純物拡散を行った場合のシート抵抗値の測定結
果であり、縦軸はシート抵抗値、横軸はウエハボート上
の位置を示したものである。この測定結果からも明らか
なように、本発明の実施形態により、シート抵抗値のば
らつきを均一にすることが可能となる。
【００１４】なお、Ｌ１、Ｌ２の距離に関しては、目標
とするシート抵抗値、炉内の温度設定等の拡散条件によ
り影響を受けるので、図３に示すような半導体基板２ａ
と固体不純物１ａの距離とシート抵抗値との関係を実験
により求め、設定することが好ましい。
とするシート抵抗値、炉内の温度設定等の拡散条件によ
り影響を受けるので、図３に示すような半導体基板２ａ
と固体不純物１ａの距離とシート抵抗値との関係を実験
により求め、設定することが好ましい。
【００１５】また、本発明はＰ型不純物ボロンだけでな
く、他の不純物例えばＮ型不純物リンの固体不純物源に
も応用できる。
く、他の不純物例えばＮ型不純物リンの固体不純物源に
も応用できる。
【００１６】次に、気体不純物源からの不純物拡散方法
の実施の形態について、図を用いて具体的に説明する。
の実施の形態について、図を用いて具体的に説明する。
【００１７】図４は、本発明の気体不純物源からの不純
物拡散方法の実施の形態を示す拡散炉３の断面図を示
し、ウエハボート４上に、裏面同士を背中合わせにした
２枚構成の半導体基板７ａ，７ｂとダミーウエハ８ａ、
８ｂが交互に立てられた基本構成をとる。
物拡散方法の実施の形態を示す拡散炉３の断面図を示
し、ウエハボート４上に、裏面同士を背中合わせにした
２枚構成の半導体基板７ａ，７ｂとダミーウエハ８ａ、
８ｂが交互に立てられた基本構成をとる。
【００１８】ここで、半導体基板７ａ、７ｂと相対する
ダミーウエハ８ａ、８ｂとの位置関係は、拡散面が炉口
５を向いた半導体基板７ａと相対するダミーウエハ８ａ
との距離をＬ５、拡散面がガス導入口６を向いた半導体
基板７ｂと相対するダミーウエハ８ｂとの距離をＬ６と
した場合、Ｌ５＞Ｌ６の位置に配置されており、より具
体的にはＬ５／Ｌ６を１．１〜４．０にするのが好まし
い。
ダミーウエハ８ａ、８ｂとの位置関係は、拡散面が炉口
５を向いた半導体基板７ａと相対するダミーウエハ８ａ
との距離をＬ５、拡散面がガス導入口６を向いた半導体
基板７ｂと相対するダミーウエハ８ｂとの距離をＬ６と
した場合、Ｌ５＞Ｌ６の位置に配置されており、より具
体的にはＬ５／Ｌ６を１．１〜４．０にするのが好まし
い。
【００１９】以上のような構成による本発明の気体不純
物源による不純物拡散方法によれば、ウエハボート４上
の位置で、炉口５に近づくに従い、不純物量が低くな
る、つまりシート抵抗が高くなる傾向をダミーウエハ８
ａ、８ｂにより低減し、更に、半導体基板７ａ、７ｂの
うち、拡散面が炉口５を向いた７ａの方が、不純物拡散
量が少なくシート抵抗値が高くなる傾向を、半導体基板
７ａと相対するダミーウエハ８ａとの間隔を広くするこ
とにより、ガスから供給される不純物量が多くなる効果
で相殺することにより、シート抵抗値を均一にすること
が可能となる。
物源による不純物拡散方法によれば、ウエハボート４上
の位置で、炉口５に近づくに従い、不純物量が低くな
る、つまりシート抵抗が高くなる傾向をダミーウエハ８
ａ、８ｂにより低減し、更に、半導体基板７ａ、７ｂの
うち、拡散面が炉口５を向いた７ａの方が、不純物拡散
量が少なくシート抵抗値が高くなる傾向を、半導体基板
７ａと相対するダミーウエハ８ａとの間隔を広くするこ
とにより、ガスから供給される不純物量が多くなる効果
で相殺することにより、シート抵抗値を均一にすること
が可能となる。
【００２０】図５は、本発明による構成で、Ｌ５＝４．
０ｍｍとＬ６＝２．０ｍｍとし、炉内の温度を約９００
℃の条件下で、気体不純物源としてＮ型不純物リンによ
り、不純物拡散を行った場合のシート抵抗値の測定結果
であり、縦軸にシート抵抗値、横軸にウエハボート上の
位置を示したものである。この測定結果からも明らかな
ように、本発明の実施形態による不純物拡散方法によ
り、シート抵抗のばらつきを均一にすることが可能とな
る。
０ｍｍとＬ６＝２．０ｍｍとし、炉内の温度を約９００
℃の条件下で、気体不純物源としてＮ型不純物リンによ
り、不純物拡散を行った場合のシート抵抗値の測定結果
であり、縦軸にシート抵抗値、横軸にウエハボート上の
位置を示したものである。この測定結果からも明らかな
ように、本発明の実施形態による不純物拡散方法によ
り、シート抵抗のばらつきを均一にすることが可能とな
る。
【００２１】なお、本発明はＮ型不純物リンだけでな
く、他の不純物例えばＰ型不純物ボロンの気体不純物源
にも応用できる。
く、他の不純物例えばＰ型不純物ボロンの気体不純物源
にも応用できる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明の固体不純物源か
ら半導体基板への不純物拡散方法によれば、ウエハボー
ト上に、裏面同士を背中合わせにした２枚構成の半導体
基板と円板状の固体不純物源を交互に立てる際、拡散面
が炉口を向いた半導体基板と相対する固体不純物源との
間隔を、拡散面がガス導入口を向いた半導体基板と相対
する固体不純物源との間隔より大きくしたことにより、
拡散面の向きによる不純物拡散量のばらつきを低減し、
均一にすることができる。
ら半導体基板への不純物拡散方法によれば、ウエハボー
ト上に、裏面同士を背中合わせにした２枚構成の半導体
基板と円板状の固体不純物源を交互に立てる際、拡散面
が炉口を向いた半導体基板と相対する固体不純物源との
間隔を、拡散面がガス導入口を向いた半導体基板と相対
する固体不純物源との間隔より大きくしたことにより、
拡散面の向きによる不純物拡散量のばらつきを低減し、
均一にすることができる。
【００２３】また、本発明の気体不純物源から、半導体
基板への不純物拡散方法によれば、ウエハボート上に、
裏面同士を背中合わせにした２枚構成の半導体基板とダ
ミーウエハを交互に立て、拡散面が炉口を向いた相対す
る半導体基板とダミーウエハとの間隔を、拡散面がガス
導入口を向いた半導体基板と相対するダミーウエハとの
間隔より大きくしたことにより、ウエハボート上の位置
および拡散面の向きによる不純物拡散量のばらつきを低
減し、均一にすることができる。
基板への不純物拡散方法によれば、ウエハボート上に、
裏面同士を背中合わせにした２枚構成の半導体基板とダ
ミーウエハを交互に立て、拡散面が炉口を向いた相対す
る半導体基板とダミーウエハとの間隔を、拡散面がガス
導入口を向いた半導体基板と相対するダミーウエハとの
間隔より大きくしたことにより、ウエハボート上の位置
および拡散面の向きによる不純物拡散量のばらつきを低
減し、均一にすることができる。
【図１】本発明の固体不純物源からの不純物拡散方法の
実施の形態を示す拡散炉の断面図
実施の形態を示す拡散炉の断面図
【図２】本発明の固体不純物源からの不純物拡散方法に
よる半導体基板のシート抵抗値とウエハボート上の位置
関係を示す特性図
よる半導体基板のシート抵抗値とウエハボート上の位置
関係を示す特性図
【図３】固体不純物源と半導体基板の距離とシート抵抗
値の関係を示す特性図
値の関係を示す特性図
【図４】本発明の気体不純物源からの不純物拡散方法の
実施の形態を示す拡散炉の断面図
実施の形態を示す拡散炉の断面図
【図５】本発明の気体不純物源からの不純物拡散方法に
よる半導体基板のシート抵抗値とウエハボート上の位置
関係を示す特性図
よる半導体基板のシート抵抗値とウエハボート上の位置
関係を示す特性図
【図６】従来の固体不純物源からの不純物拡散方法の実
施の形態を示す拡散炉の断面図
施の形態を示す拡散炉の断面図
【図７】従来の気体不純物源からの不純物拡散方法の実
施の形態を示す拡散炉の断面図
施の形態を示す拡散炉の断面図
【図８】従来の固体不純物源からの不純物拡散方法によ
る半導体基板のシート抵抗値とウエハボート上の位置関
係を示す特性図
る半導体基板のシート抵抗値とウエハボート上の位置関
係を示す特性図
【図９】従来の気体不純物源からの不純物拡散方法によ
る半導体基板のシート抵抗値とウエハボート上の位置関
係を示す特性図
る半導体基板のシート抵抗値とウエハボート上の位置関
係を示す特性図
１ａ、１ｂ 固体不純物源
２ａ、２ｂ 半導体基板
３ 拡散炉
４ ウエハボート
５ 炉口
６ ガス導入口
７ａ、７ｂ 半導体基板
８ａ、８ｂ ダミーウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】一端にガス導入口を、他端に炉口を備えた
拡散炉による固体不純物源から半導体基板への不純物拡
散方法において、前記固体不純物源と裏面同士を背中合
わせにした２枚構成の前記半導体基板とを交互にウエハ
ボート上に立て、前記拡散炉内で加熱する際、ウエハボ
ート上に、前記２枚構成の半導体基板のうち拡散面が炉
口を向いた半導体基板と、前記拡散面が炉口を向いた半
導体基板と相対する固体不純物源の間隔を、拡散面がガ
ス導入口を向いた半導体基板と、前記拡散面がガス導入
口を向いた半導体基板と相対する固体不純物源との間隔
より大きくし、前記ウエハボート上に配置したことを特
徴とする固体不純物源から半導体基板への不純物拡散方
法。 - 【請求項２】一端にガス導入口を、他端に炉口を備えた
拡散炉による気体不純物源から半導体基板への不純物拡
散方法において、ウエハボート上に２枚ずつ裏面同士を
背中合わせにした２枚構成の前記半導体基板と、円板状
のダミーウエハとを、交互に前記ウエハボート上に配置
したことを特徴とする気体不純物源による半導体基板へ
の不純物拡散方法。 - 【請求項３】２枚構成の半導体基板のうち、拡散面が炉
口を向いた半導体基板と、前記拡散面が炉口を向いた半
導体基板と相対するダミーウエハとの間隔が、拡散面が
ガス導入口を向いた半導体基板と、前記拡散面がガス導
入口を向いた半導体基板に相対するダミーウエハとの間
隔より大きい位置にウエハボート上に配置したことを特
徴とする請求項２記載の不純物拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002032094A JP2003234302A (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 半導体基板への不純物拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002032094A JP2003234302A (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 半導体基板への不純物拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003234302A true JP2003234302A (ja) | 2003-08-22 |
Family
ID=27775310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002032094A Pending JP2003234302A (ja) | 2002-02-08 | 2002-02-08 | 半導体基板への不純物拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003234302A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012069738A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2016149507A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、太陽電池の製造方法および太陽電池 |
-
2002
- 2002-02-08 JP JP2002032094A patent/JP2003234302A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012069738A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2016149507A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、太陽電池の製造方法および太陽電池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4992301A (en) | Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness | |
| CN103137529B (zh) | 半导体晶片的热处理方法、太阳能电池的制造方法及热处理装置 | |
| JP2003234302A (ja) | 半導体基板への不純物拡散方法 | |
| JP2003151912A (ja) | 半導体基板への不純物拡散方法 | |
| JP4443689B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| CN209401633U (zh) | 低压降二极管 | |
| KR20110087440A (ko) | 반도체 제조용 서셉터 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 | |
| JPH11150077A (ja) | 半導体ウエハの熱拡散装置 | |
| JPS63181315A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3214109B2 (ja) | 酸化シリコン膜の製造方法 | |
| JPH07169705A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP6743727B2 (ja) | 半導体ウェハの熱処理方法および太陽電池の製造方法 | |
| JPS6020510A (ja) | 不純物拡散方法 | |
| JPH04336420A (ja) | 石英ウェハ支持治具及び熱処理炉 | |
| US3948695A (en) | Method of diffusing an impurity into semiconductor wafers | |
| JP2005175194A (ja) | 固体不純物源からの半導体基板への不純物拡散方法 | |
| JP2002141290A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6058608A (ja) | 熱処理炉 | |
| JP2967593B2 (ja) | 開管式プレデポジション拡散方法 | |
| Ramanathan et al. | Optimization of phosphoric acid based limited-source-diffusion to obtain high quality emitter for screen printed contacts | |
| JP2004140320A (ja) | 化学的気相成長装置 | |
| JPH0622982Y2 (ja) | 減圧ｃｖｄ用ウエハボート | |
| Rozenzon et al. | Multi-channel gas-delivery system | |
| JP2578914B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0590392A (ja) | 縦型拡散炉用ウエハボート |