JP2003232965A - 光受信モジュール - Google Patents
光受信モジュールInfo
- Publication number
- JP2003232965A JP2003232965A JP2002031296A JP2002031296A JP2003232965A JP 2003232965 A JP2003232965 A JP 2003232965A JP 2002031296 A JP2002031296 A JP 2002031296A JP 2002031296 A JP2002031296 A JP 2002031296A JP 2003232965 A JP2003232965 A JP 2003232965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- light receiving
- photodiode
- signal
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 317
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 56
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 56
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4292—Coupling light guides with opto-electronic elements the light guide being disconnectable from the opto-electronic element, e.g. mutually self aligning arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4239—Adhesive bonding; Encapsulation with polymer material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4249—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details comprising arrays of active devices and fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
の光信号の受信が可能な光受信モジュールを提供する。 【解決手段】 光信号を電気信号へと変換する受光素子
であるフォトダイオード20と、光信号をフォトダイオ
ード20へと伝送する光伝送路である光導波路26を有
する平面導波路型の光導波路素子25とを基板10上に
設置して、表面実装型の光受信モジュール1Aを構成す
る。そして、フォトダイオード20からみて光伝送路側
(光信号伝送方向での上流側)となる光導波路素子25
の上面上の所定位置に、フォトダイオード20で得られ
た電気信号を増幅するための増幅素子30を設置する。
これにより、増幅素子を配置するスペースを別に設ける
必要がなくなり、モジュールが小型化される。
Description
へと変換する受光素子を備える光受信モジュールに関す
るものである。
ステムにおいて、光ファイバ伝送路などの光伝送路を伝
送される光信号を受信するための受信装置として、光信
号を電気信号へと変換する受光素子を備える光受信モジ
ュールが用いられている(例えば、特開平9−5422
8号公報参照)。
一例を一部破断して示す側面図である。この光受信モジ
ュール6は、金属パッケージなどのハウジング60内に
受光素子であるフォトダイオード65等を設置した同軸
型の光モジュールである。光受信モジュール6のハウジ
ング60内には、フェルール61、レンズ63、及びフ
ォトダイオード65が光軸を一致させて設置されてい
る。フェルール61に挿通された光ファイバ62から入
力された光信号は、集光用のレンズ63を介してフォト
ダイオード65に入射され、電気信号へと変換されて出
力される。
の他の例を示す側面断面図である。また、図11は、図
10に示した光受信モジュールの平面構成を示す上面図
である。この光受信モジュール7は、フォトダイオード
80と、入力された光信号をフォトダイオード80へと
伝送する光導波路86を有する光導波路素子85とが基
板70上に設置された表面実装型の光モジュールであ
る。
0、光導波路86を有する光導波路素子85、及びフォ
トダイオード80が光軸を一致させて設置されている。
フェルール90に挿通された光ファイバ91から入力さ
れた光信号は、光導波路86を介してフォトダイオード
80に入射され、電気信号へと変換されて出力される。
図9に示した同軸型の光受信モジュールでは、その立体
的構造からモジュールのサイズが大型化し、低コスト化
にも限界がある。一方、図10及び図11に示した表面
実装型の光受信モジュールでは、モジュールの小型化、
低コスト化が可能である。
いては、受光素子で光信号を変換して得られる電気信号
に対して増幅素子を設置し、この増幅素子で電気信号を
増幅して出力する構成が用いられる場合がある。ここ
で、図9に示した同軸型の光受信モジュール6の場合、
フォトダイオード65の上流側(上方)にはレンズ63
などの光学素子やフェルール61などが配置されてお
り、下流側(下方)はハウジング60の金属製の台座と
なっている。
6に増幅素子を設ける場合、ハウジング60の外側、ま
たはハウジング60の内側でフォトダイオード65から
離れた位置に増幅素子を配置することとなる。このと
き、フォトダイオード65と増幅素子との間の結線長さ
が長くなり、モジュールが大型化する。また、フォトダ
イオード65と増幅素子との間の配線でのインピーダン
スにより、フォトダイオードを高速で駆動させることが
困難となる。
型の光受信モジュール7に増幅素子を設ける場合、図1
0及び図11に示すように、フォトダイオード80から
みて下流側に基板71を設置し、この基板71上に増幅
素子81を配置する構成が用いられる。しかしながら、
このような構成においても、フォトダイオード80と増
幅素子81との間の結線長さを充分に短くすることは難
しい。また、光導波路素子85及びフォトダイオード8
0とは別に増幅素子81を配置するスペースを設ける必
要があるので、モジュールが大型化する。
光信号を伝送して通信を行う際の通信速度に対して、例
えば1Gbpsから5Gbpsへと、より高速の通信速
度が要求されている。このとき、光信号を受信する光受
信モジュールにおいても、同様に、高速の受信速度が要
求される。また、多数の通信を効率良く行うことが可能
な光通信システムを実現するため、光受信モジュールな
どの光モジュールのサイズを小型化することが必要とな
っている。
なされたものであり、モジュールが小型化されるととも
に、高速での光信号の受信が可能な光受信モジュールを
提供することを目的とする。
るために、本発明による光受信モジュールは、入力され
た光信号を電気信号へと変換して受信する光受信モジュ
ールであって、(1)基板上に設置され、光信号を電気
信号へと変換する受光素子と、(2)基板上に受光素子
とともに設置され、入力された光信号を受光素子へと伝
送する光伝送路と、(3)受光素子からみて光伝送路側
の所定位置に配置され、受光素子によって変換された電
気信号を増幅する増幅素子とを備えることを特徴とす
る。
光素子及び光伝送路が基板上に設置される表面実装型の
構成とするとともに、電気信号を増幅するための増幅素
子を受光素子からみて光伝送路側(上流側)に配置して
いる。これにより、受光素子及び光伝送路とは別に増幅
素子を配置するスペースを設ける必要がなくなり、モジ
ュールを小型化することが可能となる。
ることができるので、受光素子と増幅素子との間の結線
長さを充分に短くすることが可能となる。これにより、
受光素子と増幅素子との間の配線でのインピーダンスが
低減され、フォトダイオードを高速で駆動させることが
できる。したがって、高速での光信号の受信が可能な光
受信モジュールが実現される。
光素子としては、フォトダイオードからなる受光素子を
用いることが好ましい。
光導波路からなる光伝送路を用いることが好ましい。あ
るいは、光ファイバ、または光ファイバを挿通した光フ
ァイバ付フェルールからなる光伝送路を用いることが好
ましい。
て、N個(Nは2以上の整数)の受光素子を並列に配置
するとともに、光伝送路及び増幅素子として、N個の受
光素子に対応するN個の光伝送路及びN個の増幅素子を
それぞれ並列に配置することを特徴とする。これによ
り、Nチャンネル(複数チャンネル)の光信号を単一の
光受信モジュールで受信することが可能となり、光信号
当たりの光受信モジュールのサイズをさらに小型化する
ことができる。
れ、増幅素子を載置するサブマウント部材を備えること
を特徴とする。これにより、受光素子からみて光伝送路
側に配置される増幅素子を、光伝送路とともに良好に設
置することができる。
号を外部へと取り出すための電気的接続手段として、金
属製のリードフレームを備えることを特徴とする。これ
により、電気信号の外部からの読み出しを好適に行うこ
とができる。
通過する所定の光路部分が、透明樹脂によって充填され
ていることが好ましい。あるいは、基板、受光素子、光
伝送路、及び増幅素子を含む全体が、樹脂モールドされ
ていることが好ましい。これにより、光受信モジュール
の各要素を良好に保持することができる。
光受信モジュールの好適な実施形態について詳細に説明
する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符
号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法
比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
第1実施形態の断面構成を示す側面断面図である。ま
た、図2は、図1に示した光受信モジュールの平面構成
を示す上面図である。なお、図1は、本光受信モジュー
ルにおける光信号伝送方向(図2での横方向)に平行な
モジュールの中心軸を含む断面図となっている。
信号を電気信号へと変換して受信する表面実装型の光モ
ジュールであり、基板10と、フォトダイオード20
と、平面導波路型の光導波路素子25と、増幅素子30
とを備えている。
ル1Aでの受信対象として入力される光信号に対して、
光信号を電気信号へと変換する受光素子である。このフ
ォトダイオード20は、基板10上に設置されている。
また、この基板10上には、フォトダイオード20とと
もに、光導波路素子25が設置されている。光導波路素
子25は、入力された光信号をフォトダイオード20へ
と伝送する光伝送路として機能する平面導波路型の光導
波路26を有する。
路素子25は、フォトダイオード20の光軸と、光伝送
路である光導波路26の光軸とが一致するように配置さ
れている。これにより、光導波路26の下流側の端部か
ら出射された光信号が、フォトダイオード20に効率良
く入射される。また、光導波路素子25の上流側の端部
には、フェルール40が接続されている。このフェルー
ル40は、フェルール40内に挿通される光信号入力用
の光ファイバ41と、光導波路26とが光学的に接続さ
れるように配置されている。
20によって光信号を変換して得られる電気信号を増幅
するための回路素子である。この増幅素子30は、光導
波路素子25の上面上の所定位置に設置されている。す
なわち、増幅素子30は、フォトダイオード20からみ
て、光伝送路である光導波路26側となる所定位置に配
置されている。また、フォトダイオード20で変換され
た電気信号を増幅素子30へと入力するため、フォトダ
イオード20の電極21と、増幅素子30の対応する電
極31とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続
されている。なお、増幅素子30としては、例えば、S
i−ICやGaAs−ICなどが用いられる。
レーム11が設けられている。このリードフレーム11
は、増幅素子30によって増幅された電気信号を外部へ
と取り出すための電気的接続手段である。リードフレー
ム11には、光信号伝送方向に平行な光受信モジュール
1Aの中心軸からみて左右の両側に、それぞれ所定本数
のリードピン12が形成されている。また、増幅素子3
0で増幅された電気信号を外部へと取り出すため、増幅
素子30の電極32と、リードフレーム11の対応する
リードピン12とが、ボンディングワイヤを介して電気
的に接続されている。
ュールの外観構成を示す斜視図である。本光受信モジュ
ール1Aにおいては、基板10、リードフレーム11、
フォトダイオード20、光導波路26を有する光導波路
素子25、及び増幅素子30を含む全体が所定の樹脂材
料によってトランスファモールドされており、このモー
ルド樹脂15がモジュールの外形を構成している。ただ
し、図3に示すように、リードフレーム11のリードピ
ン12、及びフェルール40は、モールド樹脂15の外
側に突出している。
ある光導波路26、及びフォトダイオード20と光導波
路26との間にあって光信号が通過する光路部分は、モ
ールド樹脂15とは別または同一の透明樹脂によって充
填されている。なお、図1及び図2においては、光受信
モジュール1Aの内部構成を示すため、モールド樹脂1
5の外形のみを破線によって図示している。
挿通された光信号入力用の光ファイバ41から光信号が
入力されると、入力された光信号は、光導波路素子25
の光導波路26、及び光導波路26とフォトダイオード
20との間の光路部分を介してフォトダイオード20へ
と入射され、電気信号へと変換される。そして、フォト
ダイオード20で光信号を変換して得られた電気信号
は、増幅素子30に入力されて増幅され、リードフレー
ム11の対応するリードピン12から外部へと出力され
る。
いて説明する。図1〜図3に示した光受信モジュール1
Aにおいては、受光素子であるフォトダイオード20
と、光伝送路である光導波路26を有する光導波路素子
25とが基板10上に設置された表面実装型の構成とす
るとともに、電気信号を増幅するための増幅素子30を
フォトダイオード20からみて光伝送路側、すなわち、
光信号伝送方向からみて上流側に配置している。
光伝送路として設置されている光導波路素子25が配置
されているスペースとは別に、それらの下流側などに増
幅素子を配置するスペースを設ける必要がなくなる。し
たがって、光受信モジュール1Aのサイズを小型化する
とともに、モジュールを低コスト化することが可能とな
る。また、このような光受信モジュール1Aは、量産に
優れている。
る構成によれば、増幅素子30をフォトダイオード20
の直近に配置することができるので、フォトダイオード
20と増幅素子30との間の結線長さを充分に短くする
ことが可能となる。これにより、フォトダイオード20
と増幅素子30との間の配線でのインピーダンスが低減
され、フォトダイオードを高速で駆動させることができ
る。したがって、高速での光信号の受信が可能な光受信
モジュールが実現される。
0によって増幅された電気信号を外部へと取り出すため
の電気的接続手段として、金属製のリードフレーム11
を用いている。これにより、電気信号の外部からの読み
出しを好適に行うことができる。
光導波路素子25、及び増幅素子30を含む全体が、モ
ールド樹脂15によって樹脂モールドされている。これ
により、光受信モジュール1Aの各要素を良好に保持す
ることができる。また、フォトダイオード20、光導波
路素子25、及び光信号が通過する所定の光路部分に
は、透明樹脂が充填されている。これにより、光受信モ
ジュール1Aの各要素を良好に保持するとともに、光信
号を充分な透過率で伝送させることができる。
ール1Aでの受信対象となっている光信号の波長の光を
充分に透過する樹脂を用いることが好ましい。また、全
体を樹脂モールドするモールド樹脂15としては、必ず
しも透明樹脂を用いる必要はないが、全体を透明樹脂モ
ールドする構成としても良い。また、光受信モジュール
の具体的な構成等によっては、全体を樹脂モールドする
構成以外の構成を用いても良い。
て、その製造方法及び具体的な構成の一例を説明する。
て(100)Si基板を用意する。そして、このSi基
板10上にSiO2の熱酸化膜を形成し、その上にSi
O2からなるアンダークラッド層(例えば厚さ10μ
m)、SiO2−GeO2からなり光導波路26に対応す
る直線状の導波路パターンを有するコア層(例えば厚さ
6μm)、及びSiO2からなるオーバークラッド層
(例えば厚さ10μm)を順に形成する。これらの積層
構造により、平面導波路型の光導波路素子25が構成さ
れる。
造のうち、フォトダイオード20が配置されるSi基板
10上の所定範囲内に形成された積層構造部分をエッチ
ングにより除去し、その部分にフォトダイオード20を
半田付けするためのメタライズ層(メタライズパター
ン)を形成する。そして、フォトダイオード20及び増
幅素子30を、それぞれSi基板10上、光導波路素子
25上の所定位置に実装し、対応する電極間をAu線ま
たはAl線でワイヤボンディングを行って結線する。
ベースメタルに接着する。また、光導波路素子25の光
導波路26に対してつき合わせるように、光ファイバ4
1が挿通されたフェルール40を固定する。そして、フ
ォトダイオード20、光導波路26、及びフォトダイオ
ード20と光導波路26との間にあって光信号が通過す
る光路部分などの光が通る部分に透明樹脂としてシリコ
ーン樹脂をポッティングし、さらに、エポキシ系の樹脂
で全体をトランスファモールドすることによって、モジ
ュールの外形形状となるモールド樹脂15を形成する。
図1〜図3に示した光受信モジュールを好適に実現する
ことができる。ただし、本光受信モジュールの具体的な
構成及び製造方法については、上記実施例には限定され
ない。例えば、基板10として、Si基板のかわりにセ
ラミック(Al2O3)基板などを用いても良い。
第2実施形態の断面構成を示す側面断面図である。ま
た、図5は、図4に示した光受信モジュールの平面構成
を示す上面図である。本光受信モジュール1Bは表面実
装型の光モジュールであり、基板10と、フォトダイオ
ード20と、増幅素子30とを備えている。
入力される光信号を電気信号へと変換する受光素子であ
り、基板10上に設置されている。また、この基板10
上には、フォトダイオード20とともに、フェルール4
0が設置されている。フェルール40は、入力された光
信号をフォトダイオード20へと伝送する光伝送路とし
て機能する光ファイバ41が挿通された構成の光ファイ
バ付フェルールとなっている。
イバ付フェルール40は、フォトダイオード20の光軸
と、光伝送路である光ファイバ41の光軸とが一致する
ように配置されている。これにより、光ファイバ41の
下流側の端部から出射された光信号が、フォトダイオー
ド20に効率良く入射される。
るための回路素子であり、光ファイバ付フェルール40
の上方の所定位置に設置されている。すなわち、増幅素
子30は、フォトダイオード20からみて、光伝送路で
ある光ファイバ41及びフェルール40側となる所定位
置に配置されている。また、フォトダイオード20で変
換された電気信号を増幅素子30へと入力するため、フ
ォトダイオード20の電極21と、増幅素子30の対応
する電極31とが、ボンディングワイヤを介して電気的
に接続されている。
ュールの断面構成を示すI−I矢印断面図である。本実
施形態においては、基板10上に、図6に示すように、
光ファイバ付フェルール40を跨ぐサブマウント部材3
5が設置されている。サブマウント部材35は、増幅素
子30と、光伝送路である光ファイバ41及びフェルー
ル40との間に配置された載置部材であり、増幅素子3
0は、このサブマウント部材35の上面上に載置されて
いる。
ぞれ所定本数のリードピン12が形成された金属製のリ
ードフレーム11が設けられている。また、増幅素子3
0で増幅された電気信号を外部へと取り出すため、増幅
素子30の電極32と、リードフレーム11の対応する
リードピン12とが、ボンディングワイヤを介して電気
的に接続されている。
は、基板10、リードフレーム11、フォトダイオード
20、光ファイバ41が挿通されているフェルール4
0、及び増幅素子30を含む全体が所定の樹脂材料によ
ってトランスファモールドされており、このモールド樹
脂15がモジュールの外形を構成している。ただし、リ
ードフレーム11のリードピン12、及び光ファイバ付
フェルール40は、モールド樹脂15の外側に突出して
いる。また、フォトダイオード20、光伝送路である光
ファイバ41、及びフォトダイオード20と光ファイバ
41との間にあって光信号が通過する光路部分は、モー
ルド樹脂15とは別または同一の透明樹脂によって充填
されている。
挿通された光信号入力用の光ファイバ41から光信号が
入力されると、入力された光信号は、光ファイバ41と
フォトダイオード20との間の光路部分を介してフォト
ダイオード20へと入射され、電気信号へと変換され
る。そして、フォトダイオード20で光信号を変換して
得られた電気信号は、増幅素子30に入力されて増幅さ
れ、リードフレーム11の対応するリードピン12から
外部へと出力される。
いて説明する。図4〜図6に示した光受信モジュール1
Bにおいては、表面実装型の構成とするとともに、増幅
素子30をフォトダイオード20からみて光伝送路側
(上流側)に配置している。これにより、光受信モジュ
ール1Bのサイズを小型化することが可能となる。ま
た、増幅素子30をフォトダイオード20の直近に配置
して、フォトダイオード20と増幅素子30との間の結
線長さを充分に短くすることができるので、フォトダイ
オードを高速で駆動させることができる。したがって、
高速での光信号の受信が可能な光受信モジュールが実現
される。
0をサブマウント部材35上に載置している。このよう
に、サブマウント部材35を用いることにより、フォト
ダイオード20からみて光伝送路側に配置される増幅素
子30を良好に設置することができる。例えば、本実施
形態のように、光信号をフォトダイオード20へと伝送
する光伝送路として光ファイバ付フェルール40を用い
た構成では、フェルール40を跨ぐ形状を有するサブマ
ウント部材35を設けることにより、基板10上でのフ
ェルール40のでっぱりを避けて増幅素子30を設置す
ることが可能となる。
第3実施形態の断面構成を示す側面断面図である。ま
た、図8は、図7に示した光受信モジュールの平面構成
を示す上面図である。本光受信モジュール1Cは表面実
装型の光モジュールであり、基板10と、フォトダイオ
ードアレイ22と、平面導波路型の光導波路素子27
と、増幅素子50とを備えている。
ジュール1Cでの受信対象として入力されるNチャンネ
ル(Nは2以上の整数)の光信号に対して、各チャンネ
ルの光信号を電気信号へと変換する受光素子であるN個
のフォトダイオードが並列に配置された受光素子アレイ
である。このフォトダイオードアレイ22は、基板10
上に設置されている。なお、図7及び図8においては、
N=4とした4チャンネルでの構成例を示している。
アレイ22とともに、光導波路素子27が設置されてい
る。光導波路素子27は、入力されたNチャンネルの光
信号のそれぞれを対応するフォトダイオードへと伝送す
る光伝送路として機能する平面導波路型のN個の光導波
路28を有する。これらのN個の光導波路28は、フォ
トダイオードアレイ22でのN個のフォトダイオードに
対応するように並列に配置されている。
光導波路素子27は、N個のフォトダイオードのそれぞ
れの光軸と、対応する光伝送路である光導波路28の光
軸とが一致するように配置されている。これにより、光
導波路28の下流側の端部から出射された光信号が、フ
ォトダイオードアレイ22での対応するフォトダイオー
ドに効率良く入射される。
は、フェルール42が接続されている。フェルール42
は、図8に示すように、光信号入力用のN本の光ファイ
バ43を並列に挿通させてテープファイバとすることが
可能な構成となっている。このフェルール42は、フェ
ルール42内に挿通される光信号入力用のN本の光ファ
イバ43のそれぞれと、対応する光導波路28とが光学
的に接続されるように配置されている。
アレイ22でのN個のフォトダイオードによって光信号
を変換して得られる電気信号を増幅するためのN個の増
幅素子を有する回路素子である。この増幅素子50は、
光導波路素子27の上面上の所定位置に設置されてい
る。すなわち、増幅素子50は、フォトダイオードアレ
イ22からみて、光伝送路である光導波路28側となる
所定位置に配置されている。また、フォトダイオードア
レイ22でのN個のフォトダイオードのそれぞれで変換
された電気信号を増幅素子50での対応する増幅素子へ
と入力するため、フォトダイオードアレイ22の電極2
3と、増幅素子50の対応する電極51とが、ボンディ
ングワイヤを介して電気的に接続されている。
レーム11が設けられている。このリードフレーム11
は、増幅素子50でのN個の増幅素子のそれぞれによっ
て増幅された電気信号を外部へと取り出すための電気的
接続手段である。リードフレーム11には、光信号伝送
方法に平行な光受信モジュール1Cの中心軸からみて左
右の両側に、それぞれ所定本数のリードピン12が形成
されている。また、増幅素子50でのN個の増幅素子の
それぞれで増幅された電気信号を外部へと取り出すた
め、増幅素子50の電極52と、リードフレーム11の
対応するリードピン12とが、ボンディングワイヤを介
して電気的に接続されている。
は、基板10、リードフレーム11、フォトダイオード
アレイ22、光導波路28を有する光導波路素子27、
及び増幅素子50を含む全体が所定の樹脂材料によって
トランスファモールドされており、このモールド樹脂1
5がモジュールの外形を構成している。ただし、リード
フレーム11のリードピン12、及びフェルール42
は、モールド樹脂15の外側に突出している。また、フ
ォトダイオードアレイ22、光伝送路である光導波路2
8、及びフォトダイオードアレイ22と光導波路28と
の間にあって光信号が通過する光路部分は、モールド樹
脂15とは別または同一の透明樹脂によって充填されて
いる。
挿通された光信号入力用のN本の光ファイバ43のそれ
ぞれから光信号が入力されると、入力されたNチャンネ
ルの光信号は、光導波路素子27の光導波路28、及び
光導波路28とフォトダイオードとの間の光路部分を介
してフォトダイオードアレイ22でのN個のフォトダイ
オードへとそれぞれ入射され、電気信号へと変換され
る。そして、フォトダイオードアレイ22でNチャンネ
ルの光信号を変換して得られた電気信号は、それぞれ増
幅素子50に入力されて増幅され、リードフレーム11
の対応するリードピン12から外部へと出力される。
いて説明する。図7、図8に示した光受信モジュール1
Cにおいては、表面実装型の構成とするとともに、増幅
素子50をフォトダイオードアレイ22からみて光伝送
路側(上流側)に配置している。これにより、光受信モ
ジュール1Cのサイズを小型化することが可能となる。
また、増幅素子50をフォトダイオードアレイ22の直
近に配置して、フォトダイオードアレイ22での各フォ
トダイオードと増幅素子50での対応する増幅素子との
間の結線長さを充分に短くすることができるので、フォ
トダイオードを高速で駆動させることができる。したが
って、高速での光信号の受信が可能な光受信モジュール
が実現される。
して、N個(Nは2以上の整数)のフォトダイオードが
並列に配置されたフォトダイオードアレイ22を用いる
とともに、光伝送路及び増幅素子として、N個のフォト
ダイオードに対応するN個の光導波路28及びN個の増
幅素子がそれぞれ並列に配置された光導波路素子27及
び増幅素子50を用いている。これにより、Nチャンネ
ル(複数チャンネル)の光信号を単一の光受信モジュー
ル1Cで受信することが可能となり、光信号当たりの光
受信モジュール1Cのサイズをさらに小型化することが
できる。
た実施形態及び実施例に限られるものではなく、様々な
変形が可能である。例えば、光信号を電気信号へと変換
する受光素子としては、フォトダイオード以外の素子を
用いても良い。また、光伝送路についても、平面導波路
型の光導波路及び光ファイバ付フェルール以外のものを
用いても良く、例えばフェルールなしの光ファイバを用
いても良い。
受信モジュールについては、図7及び図8では受光素子
へと光信号を伝送する光伝送路として平面導波路型の光
導波路を用いているが、光伝送路としてN本の光ファイ
バを用いた場合でも、同様の構成が可能である。
詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、受光素子及び光伝送路が基板上に設置される表面実
装型の構成とするとともに、電気信号を増幅するための
増幅素子を受光素子からみて光伝送路側(上流側)に配
置した光受信モジュールによれば、光伝送路及び受光素
子とは別に増幅素子を配置するスペースを設ける必要が
なくなり、モジュールを小型化、低コスト化することが
可能となる。
ることができるので、受光素子と増幅素子との間の結線
長さを充分に短くすることが可能となる。これにより、
受光素子と増幅素子との間の配線でのインピーダンスが
低減され、フォトダイオードを高速で駆動させることが
できる。したがって、高速での光信号の受信が可能な光
受信モジュールが実現される。
示す側面断面図である。
す上面図である。
構成を示す斜視図である。
示す側面断面図である。
す上面図である。
構成を示すI−I矢印断面図である。
示す側面断面図である。
す上面図である。
断して示す側面図である。
す側面断面図である。
を示す上面図である。
1…リードフレーム、12…リードピン、15…モール
ド樹脂、20…フォトダイオード、21…電極、22…
フォトダイオードアレイ、23…電極、25、27…平
面導波路型の光導波路素子、26、28…光導波路、3
0、50…増幅素子、31、32、51、52…電極、
35…サブマウント部材、40、42…フェルール、4
1、43…光ファイバ。
Claims (9)
- 【請求項1】 入力された光信号を電気信号へと変換し
て受信する光受信モジュールであって、 基板上に設置され、光信号を電気信号へと変換する受光
素子と、 前記基板上に前記受光素子とともに設置され、入力され
た前記光信号を前記受光素子へと伝送する光伝送路と、 前記受光素子からみて前記光伝送路側の所定位置に配置
され、前記受光素子によって変換された前記電気信号を
増幅する増幅素子とを備えることを特徴とする光受信モ
ジュール。 - 【請求項2】 前記受光素子は、フォトダイオードから
なることを特徴とする請求項1記載の光受信モジュー
ル。 - 【請求項3】 前記光伝送路は、平面導波路型の光導波
路からなることを特徴とする請求項1または2記載の光
受信モジュール。 - 【請求項4】 前記光伝送路は、光ファイバ、または光
ファイバを挿通した光ファイバ付フェルールからなるこ
とを特徴とする請求項1または2記載の光受信モジュー
ル。 - 【請求項5】 前記受光素子として、N個(Nは2以上
の整数)の受光素子を並列に配置するとともに、前記光
伝送路及び前記増幅素子として、前記N個の受光素子に
対応するN個の光伝送路及びN個の増幅素子をそれぞれ
並列に配置することを特徴とする請求項1〜4のいずれ
か一項記載の光受信モジュール。 - 【請求項6】 前記増幅素子と前記光伝送路との間に配
置され、前記増幅素子を載置するサブマウント部材を備
えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載
の光受信モジュール。 - 【請求項7】 前記増幅素子によって増幅された前記電
気信号を外部へと取り出すための電気的接続手段とし
て、金属製のリードフレームを備えることを特徴とする
請求項1〜6のいずれか一項記載の光受信モジュール。 - 【請求項8】 前記受光素子、前記光伝送路、及び前記
光信号が通過する所定の光路部分が、透明樹脂によって
充填されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれ
か一項記載の光受信モジュール。 - 【請求項9】 前記基板、前記受光素子、前記光伝送
路、及び前記増幅素子を含む全体が、樹脂モールドされ
ていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記
載の光受信モジュール。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002031296A JP3941531B2 (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 光受信モジュール |
US10/355,832 US6824313B2 (en) | 2002-02-07 | 2003-01-31 | Optical receiver module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002031296A JP3941531B2 (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 光受信モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003232965A true JP2003232965A (ja) | 2003-08-22 |
JP3941531B2 JP3941531B2 (ja) | 2007-07-04 |
Family
ID=27774744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002031296A Expired - Fee Related JP3941531B2 (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 光受信モジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6824313B2 (ja) |
JP (1) | JP3941531B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2141526A1 (en) | 2008-07-02 | 2010-01-06 | Hitachi Ltd. | Optical module mounted WDM filter |
JP2012253131A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Murata Mfg Co Ltd | 光モジュール |
WO2021149671A1 (ja) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | 日東電工株式会社 | 光電変換モジュール |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104246569A (zh) | 2012-04-16 | 2014-12-24 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 集成光学子组件 |
US10379292B2 (en) * | 2015-04-27 | 2019-08-13 | Kyocera Corporation | Optical transmission module |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5521736A (en) * | 1994-09-29 | 1996-05-28 | Vixel Corporation | Control circuits for parallel optical interconnects |
US6406196B1 (en) * | 1995-08-03 | 2002-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device and method for producing the same |
JPH0954228A (ja) | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光受信モジュール |
CA2326980A1 (en) * | 1999-12-02 | 2001-06-02 | Jds Uniphase Inc. | Low cost amplifier using bulk optics |
JP4629852B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2011-02-09 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュールとそれを用いた光増幅器 |
US6663296B1 (en) * | 2001-04-23 | 2003-12-16 | Thomas H. Blair | Optoelectric module |
US6935791B2 (en) * | 2001-08-16 | 2005-08-30 | Pd-Ld, Inc. | Apparatus and methods for micro-positioning and alignment |
JP4007118B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2007-11-14 | 住友電気工業株式会社 | 発光デバイス、光モジュール、およびグレーティングチップ |
US6792171B2 (en) * | 2002-11-15 | 2004-09-14 | Jds Uniphase Corporation | Receiver optical sub-assembly |
-
2002
- 2002-02-07 JP JP2002031296A patent/JP3941531B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-31 US US10/355,832 patent/US6824313B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2141526A1 (en) | 2008-07-02 | 2010-01-06 | Hitachi Ltd. | Optical module mounted WDM filter |
US7991251B2 (en) | 2008-07-02 | 2011-08-02 | Hitachi, Ltd. | Optical module mounted with WDM filter |
JP2012253131A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Murata Mfg Co Ltd | 光モジュール |
WO2021149671A1 (ja) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | 日東電工株式会社 | 光電変換モジュール |
JP2021118215A (ja) * | 2020-01-23 | 2021-08-10 | 日東電工株式会社 | 光電変換モジュール |
JP7477310B2 (ja) | 2020-01-23 | 2024-05-01 | 日東電工株式会社 | 光電変換モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3941531B2 (ja) | 2007-07-04 |
US6824313B2 (en) | 2004-11-30 |
US20030219218A1 (en) | 2003-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4066665B2 (ja) | パラレル送受信モジュール | |
JP3750649B2 (ja) | 光通信装置 | |
JP4036008B2 (ja) | パラレル送受信モジュール | |
JP5910057B2 (ja) | 光受信モジュール | |
JP3937911B2 (ja) | 光送受信モジュール及びこれを用いた光通信システム | |
JP2000241642A (ja) | 光送受信モジュール | |
JP2001154066A (ja) | 光トランシーバ用光学系ユニット | |
JP7117133B2 (ja) | 光サブアセンブリ及びその製造方法並びに光モジュール | |
WO2001023932A1 (fr) | Dispositif de communication optique | |
JP2010122312A (ja) | 送受信レンズブロック及びそれを用いた光モジュール | |
JP3896905B2 (ja) | 光通信装置 | |
JP2001185752A (ja) | 半導体装置とそれを用いた光信号入出力装置 | |
JP2004226845A (ja) | 光送受信モジュール及びその製造方法 | |
WO2002089274A1 (fr) | Dispositif de communication optique | |
CN106646784A (zh) | 一种基于阵列波导光栅的波分复用光发射器件 | |
US20040126118A1 (en) | Optical module and a method of fabricating the same | |
JP2010122311A (ja) | レンズブロック及びそれを用いた光モジュール | |
JP3890999B2 (ja) | 光送信モジュール | |
JP2004085756A (ja) | 光送受信モジュール | |
JP2001318283A (ja) | 光モジュール | |
US20050036730A1 (en) | COB package type bi-directional transceiver module | |
JP2007081261A (ja) | 光伝送モジュール | |
JP3941531B2 (ja) | 光受信モジュール | |
JP4203837B2 (ja) | 光伝送モジュール | |
US6497517B1 (en) | Light-receiving module for optical fiber transmission with mesh shielding conductor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070313 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100413 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130413 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130413 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140413 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |