JP2003229632A

JP2003229632A - 光素子モジュール

Info

Publication number: JP2003229632A
Application number: JP2002181680A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Tanaka; 強田中; Kiyoto Hatasawa; 清人畠澤; Yoshihiro Kobayashi; 善宏小林; Yosuke Fukuchi; 洋介福地; Hiroki Ito; 宏樹伊藤; Yasuhito Mogi; 康仁茂木; Masayuki Oba; 雅之大庭; Saeki Nakamura; 才恵樹中村; Toshiaki Muto; 利彰武藤; Yuhei Miyauchi; 雄平宮内
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-11-27
Filing date: 2002-06-21
Publication date: 2003-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】高周波変調時に発生する空間を介した容量結合
や、パッケージ内部での空洞共振を防止し、空洞共振防
止用リードを不要とすることができる。【解決手段】パッケージ内に備えた半導体レーザや外部
変調器チップ等の光素子と、該光素子に電気信号を入出
力するための外部配線用リードとを備えた光素子モジュ
ールであって、該光素子モジュールの内部にＢｒ、Ｃ
ｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と
磁性体粒子からなる電磁波吸収体を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用半導体レ
ーザモジュールや外部変調器モジュール等の光素子モジ
ュールに関わり、特にギガビット帯の高速変調下で使用
される広帯域光素子モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光素子モジュールのパッケージ内
部構造例を図５により説明する。

【０００３】図５は、光素子１が半導体レーザの場合の
光素子モジュール横断面図である。金属から成るパッケ
ージ２内に収納された光素子１から出射されるレーザ光
は第１レンズ４により平行光又は疑似平行光に変換さ
れ、第１レンズ４と光軸が合う位置に固定された第２レ
ンズ１０により光ファイバ１１に集光される。

【０００４】第２レンズ１０は、パッケージ２に固定さ
れた金属から成るレンズ保持部材９により固定され、光
ファイバ１１はフェルール１２及びフェルール保持部材
１３によりパッケージ２に固定されている。

【０００５】光素子１は、金属から成るステム３に第１
レンズ１０と共に搭載されており、ステム３は図示しな
い熱電子冷却素子上に搭載固定されている。

【０００６】パッケージ２の外部配線用リード５を形成
するパッケージ基板６は、Ａｌ₂Ｏ₃などのセラミック材
から成り、基板上には、メタライズパターンによりコプ
レーナ線路７が形成されている。

【０００７】ステム３上には、セラミック材から成り上
面にメタライズが施された中継基板１５が搭載されてお
り、光素子１と中継基板１５はボンディングワイヤ１６
により接続され、中継基板１５とパッケージ基板６もボ
ンディングワイヤ１７により接続されている。

【０００８】パッケージ基板６上のコプレーナ線路７の
入力信号が伝搬される中心導体の途中には、光素子１と
のインピーダンス整合用抵抗８が載置されており、中継
用基板１５上のメタライズパターンはマイクロストリッ
プ線路１４が形成され、寄生リアクタンスを低減し、入
力変調信号の劣化を抑制している。

【０００９】図示しない変調回路から供給される変調信
号１８は、外部配線用リード５、コプレーナ線路７、イ
ンピーダンス整合用抵抗８、ボンディングワイヤ１７、
マイクロストリップ線路１４、ボンディングワイヤ１６
を介し、光素子１に達する。高周波変調時に発生する空
間を介した容量結合や、パッケージ２内部での空洞共振
を防止するため、金属から成る空洞共振防止用リード１
９をステムとレンズ保持部材間にはんだ付け手段にて接
続している（特開平７−２２５３２６号公報参照）。

【００１０】この図では、パッケージ２に植設された他
の外部配線用リードや、これらの外部配線用リードに接
続されたパッケージ２内の他の回路部分は煩雑を避ける
ため、図示していない。

【００１１】なお、パッケージ２やパッケージ基板６、
レンズ保持部材９などは全て金属又はセラミックが使用
され、図示しないパッケージ２の蓋体も金属が使用され
ている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】前記図５に示す従来の
光素子モジュールでは、光素子１の寿命劣化などの悪影
響を及ぼす腐食性の脱離ガスが発生するような樹脂など
は、パッケージ２やパッケージ基板６、レンズ保持部材
９に使用できず、同じ理由でパッケージ２内部に一般に
電子回路のシールドとして使用される空洞共振防止用の
ゴムや樹脂から成る電磁波吸収体も収容できない。その
ため、金属から成る空洞共振防止用リード１９をステム
３とレンズ保持部材９間にはんだ付け手段にて接続して
いるため、部品点数が多い上、作業工数も増加し高価に
なるという第１の課題があった。

【００１３】また、パッケージ２及びレンズ保持部材９
から空洞共振防止用リード１９を介し、ステム３に流入
する熱量が増加するため、熱電子冷却素子の冷却能力が
低下するという第２の課題があった。

【００１４】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解消することにあり、小信号周波数応答特性や温度特性
を損なうことなく、部品点数の削減と作業工数を削減し
た安価な光素子モジュールを提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題に鑑みて本発明
は、パッケージ内に備えた半導体レーザや外部変調器チ
ップ等の光素子と、該光素子に電気信号を入出力するた
めの外部配線用リードとを備えた光素子モジュールであ
って、該光素子モジュールの内部にＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素
の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子
からなる電磁波吸収体を備えたことを特徴とする。

【００１６】しかも、前記パッケージの外部配線用リー
ドを接続する基板がＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実質
的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子からなる電磁波
吸収体を備えたことを特徴とする。また、前記基板上の
電気信号入出力部にコプレーナ線路を形成したことを特
徴とする。

【００１７】更に、前記基板上のコプレーナ線路の入出
力信号伝搬路中に、インピーダンス整合用薄膜抵抗を形
成したことを特徴とする。

【００１８】又は、前記パッケージの壁面及び蓋体がＢ
ｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まない熱硬化性
樹脂と磁性体粒子からなる電磁波吸収体により形成され
ていることを特徴とする。他に、前記光素子と外部配線
用リードを接続する基板との間に、電気的接続の中継基
板を備え、該中継基板がＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を
実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子からなる電
磁波吸収体により形成されていることを特徴とする。ま
た、前記中継基板上の電気信号入出力部にマイクロスト
リップ線路を形成したことを特徴とする。

【００１９】更に、前記中継基板上のマイクロストリッ
プ線路の入出力信号伝搬路中に、インピーダンス整合用
薄膜抵抗を形成したことを特徴とする。

【００２０】加えて、前記パッケージ内に前記光素子と
光ファイバを光結合するためのレンズをレンズ保持部材
によって固定し、このレンズ保持部材がＢｒ、Ｃｌ、Ｓ
元素の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体
粒子からなる電磁波吸収体により形成されていることを
特徴とする。

【００２１】即ち、本発明は、パッケージの外部配線用
リードを接続する基板や中継基板、パッケージ壁面や蓋
体及びレンズ保持部材等の光素子モジュールの内部にＢ
ｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まない熱硬化性
樹脂と磁性体粒子からなる電磁波吸収体を形成すること
で、高周波変調時に発生する空間を介した容量結合や、
パッケージ内部での空洞共振を防止し、空洞共振防止用
リードを不要としたことで第１の課題及び第２の課題を
解決できるようにしたものである。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
よって説明する。

【００２３】まず、本発明の光素子モジュールの第一の
実施例であるバタフライ形の光素子モジュールについて
説明する。

【００２４】図１は、本発明のバタフライ形の光素子モ
ジュールの横断面図である。光素子１として例えば半導
体レーザ等の動作温度を制御するための熱電子冷却素子
（図示せず）がパッケージ２内の底面にはんだ等の接合
手段により固定されており、熱電子冷却素子上にはコバ
ール材や銅タングステン材などの金属から成るステム３
が搭載固定されている。光素子１は、光素子１の出射光
を平行光又は疑似平行光に変換する第１レンズ４と共に
ステム３上に搭載されている。

【００２５】パッケージ２の外部配線用リード５を接続
するパッケージ基板６は、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物
を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子から成る
電磁波吸収体により形成され、このパッケージ基板６上
には、メタライズパターンによりコプレーナ線路７が形
成されている。コプレーナ線路７の入力信号が伝搬され
る中心導体の途中には、光素子１とのインピーダンス整
合用抵抗８が薄膜により形成されている。

【００２６】レンズ保持部材９に固定された第２レンズ
１０は、第１レンズ４と光軸が合う位置にパッケージ２
に固定され、光ファイバ１１は、第２レンズ１０と光軸
が一致するよう調芯した後、光ファイバ１１を保持する
フェルール１２及びフェルール保持部材１３と共にパッ
ケージ２に固定されている。第１レンズ４と第２レンズ
１０の間に、又は第１レンズ４が集光レンズである場合
は第２レンズ１０の代わりに光アイソレータを載置して
も良い。

【００２７】図のように、パッケージ２内にレンズ保持
部材９が突出し、ステム３との距離が近接している場
合、レンズ保持部材９をＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を
実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子から成る電
磁波吸収体により形成することが好ましい。また、熱電
子冷却素子を搭載せず、パッケージ２本体壁面やパッケ
ージ２の図示しない蓋体もステム３と近接している小型
パッケージの場合、パッケージ２本体や蓋体もＢｒ、Ｃ
ｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と
磁性体粒子から成る電磁波吸収体により形成されている
ことが好ましい。

【００２８】また、ステム３上には、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｓ元
素の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒
子から成る電磁波吸収体により形成した中継基板１５が
搭載されており、その上面にメタライズパターンにより
マイクロストリップ線路１４が形成されている。光素子
１と中継基板１５はボンディングワイヤ１６により接続
され、中継基板１５とパッケージ基板６もボンディング
ワイヤ１７により接続されている。図では、パッケージ
基板６上にインピーダンス整合用抵抗８を薄膜により形
成しているが、代わりに中継基板１５上に形成しても良
い。

【００２９】ここで、実質的に含まないとは、以下の分
析法で検出できないことである。

【００３０】Ｂｒ、Ｃｌ、Ｓ元素を含む化合物の検出
は、ガスクロマトグラフ質量分析装置を用いてコールド
トラップ法で行う。パッケージ基板６の試料をステンレ
ス製ホルダに取り、加熱炉内に入れて昇温し、発生した
ガスをガスクロマトグラフ質量分析装置にて測定する。
一般に、電子回路のシールドとして使用されているゴム
や樹脂から成る電磁波吸収体は、脱離ガス成分中に光素
子１の寿命劣化の原因となる腐食性のＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元
素を含む化合物が検出される。Ｂｒ、Ｃｌ、Ｓ元素を含
む化合物を実質的に含んでいなければ、ガスの発生もな
く、光素子１の寿命劣化も抑制し、信頼性が向上する。

【００３１】また、本発明の熱硬化性樹脂としては、例
えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等
の樹脂を使用することができ、これらの中でも耐熱性、
寸法安定性、強度の点からフェノール樹脂が好適であ
る。磁性体粒子としては、例えば、フェライト粒子のＮ
ｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライ
ト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａフェライト等があ
り、Ｆｅ系合金粒子のカーボニル鉄、パーマロイ、フェ
ロシリコン、センダスト、アモルファス合金、電磁ステ
ンレス鋼等があり、これらのうちの１種類を混合して使
用することができる。

【００３２】混合比率としては、電磁波吸収特性、耐難
燃性、強度などの点で、９０重量％から９９重量％の磁
性体粒子と残部が熱硬化性樹脂、好ましくはフェノール
樹脂から成り、該フェノール樹脂中に未反応フェノール
が実質的に含まれないことが望ましい。磁性体粒子が９
０重量％未満であると電磁波吸収特性が低下するため、
パッケージ２内の空洞共振を十分に抑制できない。ま
た、樹脂量が多くなることから耐難燃性の低下、ガス発
生量の増加により、信頼性が低下する。逆に磁性体粒子
が９９重量％を超えると電磁波吸収体の強度が著しく低
下するため、構造部材としての使用が困難となる。

【００３３】図示しない変調回路から供給される変調信
号１８は、外部配線用リード５、コプレーナ線路７、イ
ンピーダンス整合用抵抗８、ボンディングワイヤ１７、
マイクロストリップ線路１４、ボンディングワイヤ１６
を介し、光素子１に達する。

【００３４】このようにして光素子１が搭載されたステ
ム３周辺には、高周波変調時に発生する空間を介した容
量結合や、パッケージ２内部での空洞共振の要因となる
金属等から成る部品をＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実
質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子から成る電磁
波吸収体により形成する事で、空洞共振防止用リード１
９を不要とし、光素子１の寿命を損なうことなく部品点
数や作業工数を削減でき、低コスト化できる。また、パ
ッケージ２から空洞共振防止用リード１９を介してステ
ム３へ流入する熱量も削減でき、熱冷却素子の冷却能力
を改善できる。

【００３５】次に本発明の光素子モジュールの第二の実
施例であるレセプタクル形の光素子モジュールについて
説明する。

【００３６】図２は、本発明のレセプタクル形の光素子
モジュールの横断面図であり、ＳＣ形光コネクタを使用
するタイプのものを一例としている。

【００３７】光素子２と該光素子１からの光を集光する
ためのレンズ４がパッケージ２とヘッダ２１により固定
されており、該ヘッダ２１には外部配線リード５を有し
ている。ファイバスタブ２２は中心に光ファイバ素線２
３を接着剤で固定して取り付けており、該ファイバスタ
ブ２２のレンズ４と対向される一端側は斜めに研磨され
た状態に形成され、他端側は凸形球面状に形成されてい
る。そして、光素子１からの光はレンズ４で集光されて
光ファイバ素線２３の一端に入射され、これが光ファイ
バ素線２３内を伝搬されて、光ファイバ素線２３の他端
側まで伝えられる。

【００３８】上記ファイバスタブ２２は精密加工された
スリーブ２４の中心に圧入固定されているとともに、こ
のスリーブ２４内には光ファイバ素線が通されているＳ
Ｃ形光コネクタのコネクタ凸部が挿入可能な構造になっ
ている。レセプタクル２５の中心にはスリーブ２４が圧
入固定されている。ＳＣ形のアダプタハウジング２６は
レセプタクル２５の一端側に固定して取り付けられてお
り、内部には矢印Ａ方向よりコネクタ凸部を先にして差
し込まれて来るＳＣ形光コネクタを受け入れるための凹
所２７が形成されている。また、該凹所２７内には、Ｓ
Ｃ形光コネクタが所定の位置まで挿入されると、被係止
部に係合されて抜け止めするための爪２８を先端に各々
有した一対のフック片が、ＳＣ形光コネクタの被係止部
と対応して一体に設けられている。

【００３９】本発明の光素子モジュールにおいては、高
周波変調時に発生する空間を介した容量結合や、パッケ
ージ２内部での空洞共振の要因となる金属等から成る部
品をＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まない熱
硬化性樹脂と磁性体粒子から成る電磁波吸収体により形
成することが特徴であり、具体的にはヘッダ２１、パッ
ケージ２、レセプタクル２５アダプタハウジング２６、
爪１１等の一部もしくは全体にＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化
合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子から
成る電磁波吸収体を備えている。

【００４０】ここで、スリーブ２４は精密スリーブでな
くとも割スリーブでもよく、ファイバスタブ２２がない
構造でもかまわない。

【００４１】更に、ＳＣ形コネクタで説明してきたが、
特にＳＣ形に限ることなく、ＦＣ形、ＭＵ形、ＬＣ形等
の様々なコネクタに適用することが出来る。

【００４２】以上より、本発明の光素子モジュールはバ
タフライ形、レセプタクル形に限定することなく、様々
な形状の光素子モジュールに適用することができる。

【００４３】また、上記説明において、各部材をＢｒ、
Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂
と磁性体粒子から成る電磁波吸収体からなるとしたが、
これに限ることなくパッケージ内の各部材の少なくも一
部に本発明のＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含
まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子から成る電磁波吸収体
を貼り付けることでも同一の効果を奏することができ
る。

【００４４】以上より、本発明は、パッケージの外部配
線用リードを接続する基板や中継基板、パッケージ壁面
や蓋体及びレンズ保持部材、またはレセプタクル内壁等
の光素子モジュールの内部にＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合
物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子からな
る電磁波吸収体を備えることで、高周波変調時に発生す
る空間を介した容量結合や、パッケージ内部での空洞共
振を防止し、空洞共振防止用リードを不要とすることが
できる。

【００４５】

【実施例】以下、本発明実施例として図１に示す光素子
モジュールを作製した。

【００４６】図１において、光素子１は半導体レーザで
あり、光素子１の動作温度を制御するための熱電子冷却
素子（図示せず）をパッケージ２内の底面にはんだによ
り固定し、熱電子冷却素子上には銅タングステン材から
成るステム３をはんだにより搭載固定している。光素子
１は第１レンズ４と共にステム３上にはんだにより搭載
固定している。

【００４７】パッケージ２の外部配線用リード５を接続
するパッケージ基板６は、磁性体粒子としてパーマロ
イ、カーボニル鉄、熱硬化性樹脂としてフェノール樹
脂、エポキシ樹脂をそれぞれ所定の比率に混合後、粉末
加圧成型法にて成形し、金型から離形後、常圧２００℃
×５時間の加熱硬化処理を行い作製した。これにより、
腐食性のＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まな
い電磁波吸収体が形成される。パッケージ基板６上に
は、メタライズパターンによりインピーダンス２５Ωと
したコプレーナ線路７を形成し、コプレーナ線路７の入
力信号が伝搬される中心導体の途中には、光素子１との
インピーダンス整合用抵抗８を薄膜により形成してい
る。ここで、上記パッケージ基板６の比誘電率は、従来
のＡｌ₂Ｏ₃などのセラミックとほぼ同等であるため、コ
プレーナ線路７幅も同等に形成できる。

【００４８】パッケージ２本体は、熱電子冷却素子を搭
載固定する底面に、高熱伝導材の銅タングステン材を用
いて放熱効果を高め、壁面をコバール材により成形し
た。熱電子冷却素子を搭載せず、光素子１の発熱量も小
さい場合は、底面及び壁面を同じく電磁波吸収体にて一
体成形することも可能である。

【００４９】レンズ保持部材９は、上記パッケージ基板
６及びパッケージ２本体壁面と同様に電磁波吸収体より
形成し、パッケージ２の壁面に銀ろう材により固定し、
第２レンズ１０をレンズ保持部材９にはんだによりし
た。光ファイバ１１は、第２レンズ１０と光軸が一致す
るよう調芯した後、光ファイバ１１を保持するフェルー
ル１２及びフェルール保持部材１３と共にパッケージ２
にＹＡＧレーザにて溶接固定した。

【００５０】ステム３上には、メタライズパターンによ
りインピーダンス２５Ωのマイクロストリップ線路１４
を形成した中継基板１５を搭載している。中継基板１５
は、上記パッケージ基板６と同一材料にて成形し、電磁
波吸収体としている。光素子１と中継基板１５上のマイ
クロストリップ線路１４はボンディングワイヤ１６によ
り接続され、中継基板１５とパッケージ基板６上のコプ
レーナ線路７もボンディングワイヤ１７により接続され
ている。

【００５１】図示しない蓋体はパッケージ２と同じコバ
ール材にて形成し、パッケージ２に溶接固定した。

【００５２】図示しない変調回路から供給される変調信
号１８は、外部配線用リード５、コプレーナ線路７、イ
ンピーダンス整合用抵抗８、ボンディングワイヤ１７、
マイクロストリップ線路１４、ボンディングワイヤ１６
を介し、光素子１に達する。

【００５３】図３に従来の光素子モジュールにおける空
洞共振防止用リード１９がない場合の小信号周波数応答
特性を示す。パッケージ２内の空間を介した容量結合や
空洞共振により、２ＧＨｚ付近に３ｄＢ以上の共振状デ
ィップ２０を生じ、帯域制限されてしまう。この共振状
ディップ２０を消去するため、空洞共振防止用リード１
９がステム３とレンズ保持部材９間に接続されていた。

【００５４】図４に本実施例による光素子モジュールに
おける小信号周波数応答特性を示す。パッケージ基板
６、中継基板１５、パッケージ２壁面、レンズ保持部材
９などを電磁波吸収体により成形したことで、空洞共振
防止用リード１９を不要とし、共振状ディップ２０によ
る帯域制限がなく、４．５ＧＨｚの３ｄＢ帯域幅を達成
している。

【００５５】また、熱電子冷却素子を冷却動作、すなわ
ち光素子１が搭載されたステム３（低温側）を冷却する
動作をさせた場合、熱電子冷却素子が吸熱した熱量と熱
電子冷却素子の発生するジュール熱が、パッケージ２
（高温側）を介し外部ヒートシンクへ放熱される。光素
子モジュールの冷却能力は、上記高温側の温度と低温側
温度の差で表され、図５従来例の場合は、高温側である
パッケージ２からレンズ保持部材９及び空洞共振防止用
リード１９を介し、低温側のステム３に流入する熱量に
より低温側温度が上昇するため、冷却能力が劣化してし
まう。空洞共振防止用リード１９を介し、ステム３へ流
入する熱量Ｑは、高温側温度Ｔｈ、低温側温度Ｔｃ、熱
抵抗ｒを用いてＱ＝（Ｔｈ−Ｔｃ）／ｒより求められ、
図１の本実施例のように空洞共振防止用リード１９がな
い光素子モジュールの場合は、上記熱量Ｑが流入しない
ため、冷却能力が改善する事になる。

【００５６】上記の通り、パッケージ基板６、中継基板
１５、レンズ保持部材９をＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物
を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子から成る
電磁波吸収体により形成する事で、空洞共振防止用リー
ド１９を不要とし、光素子１の寿命を損なうことなく部
品点数や作業工数を削減できる。また、パッケージ２か
ら空洞共振防止用リード１９を介してステム３へ流入す
る熱量も削減できる。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パ
ッケージ内に備えた半導体レーザや外部変調器チップ等
の光素子と、該光素子に電気信号を入出力するための外
部配線用リードとを備えた光素子モジュールであって、
該光素子モジュールの内部にＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合
物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子からな
る電磁波吸収体を備えることにより、高周波変調時に発
生する空間を介した容量結合や、パッケージ内部での空
洞共振を防止し、空洞共振防止用リードを不要とするこ
とができる。

【００５８】また、パッケージ内に備えた半導体レーザ
や外部変調器チップ等の光素子と、この光素子に光信号
を入出力するための光ファイバと、前記光素子に電気信
号を入出力するための外部配線用リードとを備えた光素
子モジュールにおいて、前記パッケージの外部配線用リ
ードを接続する基板、及び前記光素子とパッケージ基板
間の電気的接続を中継する中継基板をＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元
素の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒
子から成る電磁波吸収体により形成することで、光素子
の寿命を損なうことなく部品点数や作業工数を削減で
き、安価な光素子モジュールを提供する事が可能となっ
た。

【００５９】また、熱電子冷却素子が内蔵される光素子
モジュールにおいては、前記パッケージから空洞共振防
止用リードを介して前記ステムへ流入する熱量も削減で
き、冷却能力を改善できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光素子モジュールを示す横断面図であ
る。

【図２】本発明の光素子モジュールを示す横断面図であ
る。

【図３】従来の光素子モジュールの空洞共振防止用リー
ドがない場合の小信号応答特性図である。

【図４】本発明の光素子モジュールの小信号周波数応答
特性図である。

【図５】従来の光素子モジュールを示す横断面図であ
る。

【符号の説明】

１：光素子２：パッケージ３：ステム４：レンズ５：外部配線用リード６：パッケージ基板７：コプレーナ線路８：インピーダンス整合用抵抗９：レンズ保持部材１０：レンズ１１：光ファイバ１２：フェルール１３：フェルール保持部材１４：マイクロストリップ線路１５：中継基板１６：ボンディングワイヤ１７：ボンディングワイヤ１８：変調信号１９：空洞共振防止用リード２０：共振状ディップ２１：ヘッダ２２：ファイバスタブ２３：光ファイバ素線２４：スリーブ２５：レセプタクル２６：アダプタハウジング２７：凹所２８：爪

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福地洋介神奈川県横浜市都筑区加賀原２丁目１番１号京セラ株式会社横浜事業所内 (72)発明者伊藤宏樹神奈川県横浜市都筑区加賀原２丁目１番１号京セラ株式会社横浜事業所内 (72)発明者茂木康仁東京都中央区八重洲２丁目３番14号京セラ株式会社東京八重洲事業所内 (72)発明者大庭雅之東京都中央区八重洲２丁目３番14号京セラ株式会社東京八重洲事業所内 (72)発明者中村才恵樹鹿児島県国分市山下町１番１号京セラ株式会社鹿児島国分工場内 (72)発明者武藤利彰鹿児島県川内市高城町1810番地京セラ株式会社鹿児島川内工場内 (72)発明者宮内雄平埼玉県さいたま市桜木町２−287 松栄第五ビル２Ｆ京セラ株式会社大宮営業所内Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA03 BA12 CA14 DA15 DA33 DA38 5F073 AB27 AB28 EA27 EA28 FA15 FA25 FA30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パッケージ内に備えた半導体レーザや外部
変調器チップ等の光素子と、該光素子に電気信号を入出
力するための外部配線用リードとを備えた光素子モジュ
ールであって、該光素子モジュールの内部にＢｒ、Ｃ
ｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と
磁性体粒子からなる電磁波吸収体を備えたことを特徴と
する光素子モジュール。
【請求項２】前記パッケージの外部配線用リードを接続
する基板がＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含ま
ない熱硬化性樹脂と磁性体粒子からなる電磁波吸収体を
備えたことを特徴とする請求項１記載の光素子モジュー
ル。
【請求項３】前記基板上の電気信号入出力部にコプレー
ナ線路を形成したことを特徴とする請求項１又は２記載
の光素子モジュール。
【請求項４】前記基板上のコプレーナ線路の入出力信号
伝搬路中に、インピーダンス整合用薄膜抵抗を形成した
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光素
子モジュール。
【請求項５】前記パッケージの壁面がＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元
素の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒
子からなる電磁波吸収体により形成されていることを特
徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光素子モジュ
ール。
【請求項６】前記パッケージを封止する蓋体がＢｒ、Ｃ
ｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と
磁性体粒子からなる電磁波吸収体により形成されている
ことを特徴とする請求項５記載の光素子モジュール。
【請求項７】前記光素子と外部配線用リードを接続する
基板との間に電気的接続の中継基板を備え、該中継基板
がＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を実質的に含まない熱硬
化性樹脂と磁性体粒子からなる電磁波吸収体により形成
されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに
記載の光素子モジュール。
【請求項８】前記中継基板上の電気信号入出力部にマイ
クロストリップ線路を形成したことを特徴とする請求項
７記載の光素子モジュール。
【請求項９】前記中継基板上のマイクロストリップ線路
の入出力信号伝搬路中に、インピーダンス整合用薄膜抵
抗を形成したことを特徴とする請求項７又は８記載の光
素子モジュール。
【請求項１０】前記パッケージ内に前記光素子と光ファ
イバを光結合するためのレンズをレンズ保持部材によっ
て固定し、このレンズ保持部材がＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の
化合物を実質的に含まない熱硬化性樹脂と磁性体粒子か
らなる電磁波吸収体により形成されていることを特徴と
する請求項１〜９のいずれかに記載の光素子モジュー
ル。