JP2003229461A - 研磨機構付きプローブ装置およびその研磨方法 - Google Patents
研磨機構付きプローブ装置およびその研磨方法Info
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- JP2003229461A JP2003229461A JP2002029039A JP2002029039A JP2003229461A JP 2003229461 A JP2003229461 A JP 2003229461A JP 2002029039 A JP2002029039 A JP 2002029039A JP 2002029039 A JP2002029039 A JP 2002029039A JP 2003229461 A JP2003229461 A JP 2003229461A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨により確実に異物を除去して検査の信頼
性を向上させるとともに、過剰な研磨を防止して高価な
プローブピンの使用寿命を延ばすことができ、さらには
除去された異物によりＩＣ素子が汚染されることのない
研磨機構付きプローブ装置およびその研磨方法を提供す
る。 【解決手段】 プローブピン５に付着した異物を除去す
る研磨部７と、研磨部７上部に設けられたガス供給部８
と、ガス供給部８に接続され研磨部７を覆う形状を有す
る上カップ９と、研磨部７下部に設けられたガス排気部
１０と、ガス排気部１０に接続して研磨部７を覆う形状
を有する下カップ１１と、ガス中に含まれる異物を検出
するために、ガス排気部１０と下カップ１１との間に設
けられた異物検出部１２と、異物検出部１２のデータに
より、研磨の継続または終了を決定する研磨制御部１３
より構成される。
性を向上させるとともに、過剰な研磨を防止して高価な
プローブピンの使用寿命を延ばすことができ、さらには
除去された異物によりＩＣ素子が汚染されることのない
研磨機構付きプローブ装置およびその研磨方法を提供す
る。 【解決手段】 プローブピン５に付着した異物を除去す
る研磨部７と、研磨部７上部に設けられたガス供給部８
と、ガス供給部８に接続され研磨部７を覆う形状を有す
る上カップ９と、研磨部７下部に設けられたガス排気部
１０と、ガス排気部１０に接続して研磨部７を覆う形状
を有する下カップ１１と、ガス中に含まれる異物を検出
するために、ガス排気部１０と下カップ１１との間に設
けられた異物検出部１２と、異物検出部１２のデータに
より、研磨の継続または終了を決定する研磨制御部１３
より構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ上に形成
されたＩＣ素子の電気的特性を検査するプローブ装置に
関し、特にプローブピン先端部に付着した異物を除去す
る研磨機構を備えるプローブ装置およびその研磨方法に
関するものである。
されたＩＣ素子の電気的特性を検査するプローブ装置に
関し、特にプローブピン先端部に付着した異物を除去す
る研磨機構を備えるプローブ装置およびその研磨方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウェーハ上に拡散形成されたＩＣ
素子の電気的特性を検査する工程においては、図３
（ａ）に示すＰ／Ｗ（ペレット／ウェーハ）検査装置３
１が使用される。Ｐ／Ｗ検査装置３１は、プローブ装置
３２とＩＣテスタ３３から構成されている。プローブ装
置３２は、ウェーハ３４を真空吸着して固定するための
ウェーハステージ３５と、ウェーハステージ３５を
（Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ）方向に移動する駆動部３６と、ウェ
ーハ３４上のＩＣ素子３７に形成された金属膜からなる
外部電極取出し用のボンディングパッド３８から信号を
入出力するためのプローブピン３９と、プローブピン３
９を半田等の固着手段により固定したプローブカード４
０で構成されている。また、図３（ａ）Ａ部の拡大平面
図である図３（ｂ）に示すようにプローブカード４０に
は、あらかじめ、ＩＣ素子３７の全ボンディングパッド
３８の配置に合わせて、プローブピン３９が配設されて
いる。
素子の電気的特性を検査する工程においては、図３
（ａ）に示すＰ／Ｗ（ペレット／ウェーハ）検査装置３
１が使用される。Ｐ／Ｗ検査装置３１は、プローブ装置
３２とＩＣテスタ３３から構成されている。プローブ装
置３２は、ウェーハ３４を真空吸着して固定するための
ウェーハステージ３５と、ウェーハステージ３５を
（Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ）方向に移動する駆動部３６と、ウェ
ーハ３４上のＩＣ素子３７に形成された金属膜からなる
外部電極取出し用のボンディングパッド３８から信号を
入出力するためのプローブピン３９と、プローブピン３
９を半田等の固着手段により固定したプローブカード４
０で構成されている。また、図３（ａ）Ａ部の拡大平面
図である図３（ｂ）に示すようにプローブカード４０に
は、あらかじめ、ＩＣ素子３７の全ボンディングパッド
３８の配置に合わせて、プローブピン３９が配設されて
いる。
【０００３】また、ＩＣテスタ３３は、ＩＣ素子３７か
らの信号を解析し良否判定をするために、プローブピン
３９に信号線４１を通して接続されている。また、ＩＣ
テスタ３３で識別された不良のＩＣ素子３７には、プロ
ーブ装置３２に内蔵したマーキング機構４２にてインク
打点や傷のマーキングが施される。
らの信号を解析し良否判定をするために、プローブピン
３９に信号線４１を通して接続されている。また、ＩＣ
テスタ３３で識別された不良のＩＣ素子３７には、プロ
ーブ装置３２に内蔵したマーキング機構４２にてインク
打点や傷のマーキングが施される。
【０００４】次に、P／W検査装置３１を使ったＩＣ素子
３７の検査方法について説明する。先ず、ウェーハ３４
をウェーハステージ３５に真空吸着してセットする。次
に、駆動部３６によりウェーハステージ３５を動かし、
測定するＩＣ素子３７をプローブカード４０の下方まで
移動する。次に、駆動部３６によりウェーハステージ３
５を上昇させて、ＩＣ素子３７のボンディングパッド３
８にプローブカード４０に固定されたプローブピン３９
の先端を押圧して、電気的に接続させる。プローブカー
ド４０からは、全プローブピン３９に対応する信号が信
号線４１を通して出ており、ＩＣテスタ３３に接続され
ている。この状態で、あらかじめプログラムされている
入力信号波形を、ＩＣ素子３７のボンディングパッド３
８の入力側から入力すると、ＩＣ素子３７のボンディン
グパッド３８の出力側から、一定の信号波形が出力さ
れ、これをＩＣテスタ３３が信号線４１を介して解析
し、ＩＣ素子３７の良否判定を行う。良否判定後はウェ
ーハステージ３５を移動し、この検査をウェーハ３４上
の個々のＩＣ素子について実施する。全てのＩＣ素子の
検査が完了した時点で、検査データに従い、不良判定と
なったＩＣ素子のみを順次、プローブ装置３２に内蔵さ
れたマーキング機構４２を動作させることにより、ＩＣ
素子の中心部に不良認識のために、一定の大きさのマー
キングを実施する。
３７の検査方法について説明する。先ず、ウェーハ３４
をウェーハステージ３５に真空吸着してセットする。次
に、駆動部３６によりウェーハステージ３５を動かし、
測定するＩＣ素子３７をプローブカード４０の下方まで
移動する。次に、駆動部３６によりウェーハステージ３
５を上昇させて、ＩＣ素子３７のボンディングパッド３
８にプローブカード４０に固定されたプローブピン３９
の先端を押圧して、電気的に接続させる。プローブカー
ド４０からは、全プローブピン３９に対応する信号が信
号線４１を通して出ており、ＩＣテスタ３３に接続され
ている。この状態で、あらかじめプログラムされている
入力信号波形を、ＩＣ素子３７のボンディングパッド３
８の入力側から入力すると、ＩＣ素子３７のボンディン
グパッド３８の出力側から、一定の信号波形が出力さ
れ、これをＩＣテスタ３３が信号線４１を介して解析
し、ＩＣ素子３７の良否判定を行う。良否判定後はウェ
ーハステージ３５を移動し、この検査をウェーハ３４上
の個々のＩＣ素子について実施する。全てのＩＣ素子の
検査が完了した時点で、検査データに従い、不良判定と
なったＩＣ素子のみを順次、プローブ装置３２に内蔵さ
れたマーキング機構４２を動作させることにより、ＩＣ
素子の中心部に不良認識のために、一定の大きさのマー
キングを実施する。
【０００５】しかし、この検査を繰り返すとプローブピ
ン３９先端部およびその近傍にボンディングパッド３８
から削り取られたＡｌ等の金属屑が付着するとともに、
このＡｌが酸化することによってプローブピン３９表面
にＡｌ２Ｏ３等の絶縁膜が形成される。このため、隣接
するプローブピン３９同士の先端が金属屑を介してブリ
ッジが形成したり、絶縁物によりプローピン３９とボン
ディングパッド３８間に導通不良が発生し、その結果、
正常な電気的特性検査を行うことが出来なくなり、検査
の信頼性を損なわれるという問題がある。
ン３９先端部およびその近傍にボンディングパッド３８
から削り取られたＡｌ等の金属屑が付着するとともに、
このＡｌが酸化することによってプローブピン３９表面
にＡｌ２Ｏ３等の絶縁膜が形成される。このため、隣接
するプローブピン３９同士の先端が金属屑を介してブリ
ッジが形成したり、絶縁物によりプローピン３９とボン
ディングパッド３８間に導通不良が発生し、その結果、
正常な電気的特性検査を行うことが出来なくなり、検査
の信頼性を損なわれるという問題がある。
【０００６】これを防止するため、図３（ａ）に示すよ
うにウェーハステージ３５の近傍には、プローブピン３
９を研磨するための研磨部４３が設けられている。この
研磨部４３は、ウェーハステージ３５に連動した研磨ス
テージ４４と、研磨ステージ４４に固定された基板４５
と、基板４５上に形成されたセラミック等からなる研磨
層４６により構成されている。
うにウェーハステージ３５の近傍には、プローブピン３
９を研磨するための研磨部４３が設けられている。この
研磨部４３は、ウェーハステージ３５に連動した研磨ス
テージ４４と、研磨ステージ４４に固定された基板４５
と、基板４５上に形成されたセラミック等からなる研磨
層４６により構成されている。
【０００７】次に、従来の研磨方法について図面を参照
して説明する。図４（ａ）、（ｂ）は従来の研磨機構付
きプローブ装置３１の要部平面図およびＹ−Ｙ断面図で
ある。所定の回数、ウェーハ３４上に形成されたＩＣ素
子の電気的特性検査を行った後、駆動部３６により研磨
部４３をプローブピン３９下方に移動させる。次いで、
駆動部３６により研磨部４３を上昇させ、研磨層４６に
プローブピン３９を押圧し、研磨部４３を上下動させて
機械的研磨を一定時間施すことにより、プローブピン３
９先端に付着したＡｌやＡｌ２Ｏ３等の異物を除去して
いた。
して説明する。図４（ａ）、（ｂ）は従来の研磨機構付
きプローブ装置３１の要部平面図およびＹ−Ｙ断面図で
ある。所定の回数、ウェーハ３４上に形成されたＩＣ素
子の電気的特性検査を行った後、駆動部３６により研磨
部４３をプローブピン３９下方に移動させる。次いで、
駆動部３６により研磨部４３を上昇させ、研磨層４６に
プローブピン３９を押圧し、研磨部４３を上下動させて
機械的研磨を一定時間施すことにより、プローブピン３
９先端に付着したＡｌやＡｌ２Ｏ３等の異物を除去して
いた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プローブピンの研磨は、上述したように機械的な研磨を
一定時間施すのみであるので、研磨によりＡｌやＡｌ２
Ｏ３等の異物が除去されたかどうかの判断がなされてい
なかった。そのため、実際にウェーハ上に形成されたＩ
Ｃ素子の電気的特性検査を行い、コンタクト不良が数回
繰り返されれば、再びプローブピンに研磨を施すように
していたので、多大な時間のロスが生ずるとともに、検
査の信頼性も低下させるという問題があった。
プローブピンの研磨は、上述したように機械的な研磨を
一定時間施すのみであるので、研磨によりＡｌやＡｌ２
Ｏ３等の異物が除去されたかどうかの判断がなされてい
なかった。そのため、実際にウェーハ上に形成されたＩ
Ｃ素子の電気的特性検査を行い、コンタクト不良が数回
繰り返されれば、再びプローブピンに研磨を施すように
していたので、多大な時間のロスが生ずるとともに、検
査の信頼性も低下させるという問題があった。
【０００９】また、逆に異物の付着量が少ない場合に
は、異物が除去された後も研磨が施されることになり、
過剰の研磨により高価なプローブピンが磨耗して使用寿
命が短くなるという問題もあった。
は、異物が除去された後も研磨が施されることになり、
過剰の研磨により高価なプローブピンが磨耗して使用寿
命が短くなるという問題もあった。
【００１０】また、研磨部にプローブピンより除去され
た異物が残り、この異物が検査中のＩＣ素子を汚染する
という問題もあった。
た異物が残り、この異物が検査中のＩＣ素子を汚染する
という問題もあった。
【００１１】また、研磨の動作は研磨層にプローブピン
を押し付け、研磨部を上下動することにより行っていた
ので強固に付着した異物に対しては、研磨時間が長くな
るという問題もあった。
を押し付け、研磨部を上下動することにより行っていた
ので強固に付着した異物に対しては、研磨時間が長くな
るという問題もあった。
【００１２】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、研磨により確実に異物を除去して検査の信
頼性を向上させるとともに、過剰な研磨を防止して高価
なプローブピンの使用寿命を延ばすことができ、さらに
は除去された異物によりＩＣ素子が汚染されることのな
い研磨機構付きプローブ装置およびその研磨方法を提供
することを目的としている。
れたもので、研磨により確実に異物を除去して検査の信
頼性を向上させるとともに、過剰な研磨を防止して高価
なプローブピンの使用寿命を延ばすことができ、さらに
は除去された異物によりＩＣ素子が汚染されることのな
い研磨機構付きプローブ装置およびその研磨方法を提供
することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に係るプローブ装置は、プローブ
ピンの先端部に付着した異物を除去する研磨部を有する
プローブ装置において、前記研磨部の上下方向にガス供
給部とガス排気部を備えたことを特徴とする。本構成に
より、研磨によりプローブピンから除去された異物を、
ガスに含ませて研磨部より排除できる。
に、本発明の請求項１に係るプローブ装置は、プローブ
ピンの先端部に付着した異物を除去する研磨部を有する
プローブ装置において、前記研磨部の上下方向にガス供
給部とガス排気部を備えたことを特徴とする。本構成に
より、研磨によりプローブピンから除去された異物を、
ガスに含ませて研磨部より排除できる。
【００１４】本発明の請求項２に係るプローブ装置は、
請求項１記載の研磨機構付きプローブ装置であって、前
記研磨部と前記ガス排気部の間に、研磨により除去され
た異物を検出する異物検出部を備えたことを特徴とす
る。本構成により、研磨によりプローブピンから除去さ
れた異物の有無を、ガス中に含まれる異物を検出するこ
とにより容易に確認できる。
請求項１記載の研磨機構付きプローブ装置であって、前
記研磨部と前記ガス排気部の間に、研磨により除去され
た異物を検出する異物検出部を備えたことを特徴とす
る。本構成により、研磨によりプローブピンから除去さ
れた異物の有無を、ガス中に含まれる異物を検出するこ
とにより容易に確認できる。
【００１５】本発明の請求項３に係るプローブ装置は、
請求項１記載の研磨機構付きプローブ装置であって、前
記異物検出部からのデータにより、研磨の継続、終了を
判断して、研磨を制御する研磨制御部を備えたことを特
徴とする。本構成により、異物除去の有無に応じて、研
磨の継続、終了を決定できるので、研磨により確実に異
物が除去できる。
請求項１記載の研磨機構付きプローブ装置であって、前
記異物検出部からのデータにより、研磨の継続、終了を
判断して、研磨を制御する研磨制御部を備えたことを特
徴とする。本構成により、異物除去の有無に応じて、研
磨の継続、終了を決定できるので、研磨により確実に異
物が除去できる。
【００１６】本発明の請求項４に係るプローブ装置は、
請求項１記載の研磨機構付きプローブ装置であって、前
記研磨部にガス通過用の孔を多数設けたことを特徴とす
る。本構成により、異物を含んだガスを効率よく、前記
研磨部より排除できる。
請求項１記載の研磨機構付きプローブ装置であって、前
記研磨部にガス通過用の孔を多数設けたことを特徴とす
る。本構成により、異物を含んだガスを効率よく、前記
研磨部より排除できる。
【００１７】本発明の請求項５に係るプローブ装置は、
請求項１記載の研磨機構付きプローブ装置であって、前
記研磨部に、振動発生装置を設けたことを特徴とする。
本構成により、高周波振動を利用してプローブピンを研
磨できるので、プローブピン先端に強固に付着した異物
も短時間で除去でき、研磨時間が短縮できる。
請求項１記載の研磨機構付きプローブ装置であって、前
記研磨部に、振動発生装置を設けたことを特徴とする。
本構成により、高周波振動を利用してプローブピンを研
磨できるので、プローブピン先端に強固に付着した異物
も短時間で除去でき、研磨時間が短縮できる。
【００１８】本発明の請求項６に係る研磨方法は、プロ
ーブピンの先端部に付着した異物を除去するための研磨
部を有するプローブ装置を使用した研磨方法において、
前記研磨部に設けた研磨層の表面に前記プローブピンを
押し付けて研磨を行い、前記研磨部にガスを供給して研
磨により除去された異物を排出し、ガス中に含まれる異
物を検出し、そのデータにより研磨の継続または終了を
決定することを特徴とする。本方法により、研磨により
除去される異物を正確に検出し、そのデータに基づいて
研磨の継続または終了を決定できるので、研磨により確
実に異物が除去できる。このため、異物がプローブピン
に付着した状態でＩＣ素子の電気的特性検査を行うこと
がなくなるので、検査の信頼性を向上させることができ
る。また、プローブピンに付着した異物がなくなれば直
ちに研磨を終了できるので、不要な研磨を防止して高価
なプローブピンの使用寿命をのばすこともできる。ま
た、研磨部に除去された異物が残ることがないので、検
査中にＩＣ素子を汚染することもない。
ーブピンの先端部に付着した異物を除去するための研磨
部を有するプローブ装置を使用した研磨方法において、
前記研磨部に設けた研磨層の表面に前記プローブピンを
押し付けて研磨を行い、前記研磨部にガスを供給して研
磨により除去された異物を排出し、ガス中に含まれる異
物を検出し、そのデータにより研磨の継続または終了を
決定することを特徴とする。本方法により、研磨により
除去される異物を正確に検出し、そのデータに基づいて
研磨の継続または終了を決定できるので、研磨により確
実に異物が除去できる。このため、異物がプローブピン
に付着した状態でＩＣ素子の電気的特性検査を行うこと
がなくなるので、検査の信頼性を向上させることができ
る。また、プローブピンに付着した異物がなくなれば直
ちに研磨を終了できるので、不要な研磨を防止して高価
なプローブピンの使用寿命をのばすこともできる。ま
た、研磨部に除去された異物が残ることがないので、検
査中にＩＣ素子を汚染することもない。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。図１（ａ）、（ｂ）は本発明の研磨機構
付きプローブ装置の要部平面図およびＸ−Ｘ断面図であ
る。本発明の研磨機構付きプローブ装置１は、ウェーハ
２を真空吸着して固定するためのウェーハステージ３
と、ウェーハステージ３を（Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ）方向に移
動させるための駆動部４と、ウェーハ２上に形成された
ＩＣ素子を検査するプローブピン５と、プローブピン５
を固定するプローブカード６と、検査によりプローブピ
ン５に付着した異物を除去する研磨部７と、ガスをプロ
ーブピン５に吹き付けて異物を研磨部７より取り除くた
めに、研磨部７上部に設けられたガス供給部８と、ガス
供給部８に接続され研磨部７を覆う形状を有する上カッ
プ９と、研磨部７下部に設けられたガスを排気するため
の真空ポンプ等からなるガス排気部１０と、ガス排気部
１０に接続して研磨部７を覆う形状を有する下カップ１
１と、ガス中に含まれる異物を検出するために、ガス排
気部１０と下カップ１１との間に設けられた異物検出部
１２と、異物検出部１２のデータにより、研磨の継続ま
たは終了を決定する研磨制御部１３より構成される。
して説明する。図１（ａ）、（ｂ）は本発明の研磨機構
付きプローブ装置の要部平面図およびＸ−Ｘ断面図であ
る。本発明の研磨機構付きプローブ装置１は、ウェーハ
２を真空吸着して固定するためのウェーハステージ３
と、ウェーハステージ３を（Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ）方向に移
動させるための駆動部４と、ウェーハ２上に形成された
ＩＣ素子を検査するプローブピン５と、プローブピン５
を固定するプローブカード６と、検査によりプローブピ
ン５に付着した異物を除去する研磨部７と、ガスをプロ
ーブピン５に吹き付けて異物を研磨部７より取り除くた
めに、研磨部７上部に設けられたガス供給部８と、ガス
供給部８に接続され研磨部７を覆う形状を有する上カッ
プ９と、研磨部７下部に設けられたガスを排気するため
の真空ポンプ等からなるガス排気部１０と、ガス排気部
１０に接続して研磨部７を覆う形状を有する下カップ１
１と、ガス中に含まれる異物を検出するために、ガス排
気部１０と下カップ１１との間に設けられた異物検出部
１２と、異物検出部１２のデータにより、研磨の継続ま
たは終了を決定する研磨制御部１３より構成される。
【００２０】また、図１（ｂ）における研磨部７の拡大
平面図および拡大断面図である図２（ａ）、（ｂ）に示
すように、研磨部７は、ウェーハステージ３に連動した
研磨ステージ１４と研磨ステージ１４上に取付けられた
基板１５と、基板１５上に形成されたセラミック材等か
らなる研磨層１６より構成されている。また、研磨ステ
ージ１４周囲には、研磨部７に上方から吹き付けられた
ガス１７を下方に導出するための孔１４ａが多数設けて
ある。
平面図および拡大断面図である図２（ａ）、（ｂ）に示
すように、研磨部７は、ウェーハステージ３に連動した
研磨ステージ１４と研磨ステージ１４上に取付けられた
基板１５と、基板１５上に形成されたセラミック材等か
らなる研磨層１６より構成されている。また、研磨ステ
ージ１４周囲には、研磨部７に上方から吹き付けられた
ガス１７を下方に導出するための孔１４ａが多数設けて
ある。
【００２１】次に、図１（ｂ）を用いて、上記の研磨機
構付きプローブ装置１を用いた本発明の研磨方法につい
て説明する。ウェーハ２上に形成されたＩＣ素子の電気
的特性検査を所定の回数行った後、駆動部４により研磨
部７をプローブピン５下方までに移動させる。次いで、
駆動部４により研磨部７を上昇させ、研磨層１６をプロ
ーブピン５に接触させる。次いで、上カップ９と下カッ
プ１１を、それぞれ下降、上昇させて研磨部７全体を覆
うように研磨ステージ１４に接触させる。これにより、
研磨部７周囲が密閉され、異物を含んだガスがウェーハ
２を汚染することがない。次いで、研磨部７を一定量上
下動させながら、プローブピン５の研磨を行う。このと
き同時に、ガス供給部８よりガスをプローブピン５およ
び研磨部７に吹き付ける。ここで、ガス供給部８より供
給されるガスには、クリーンガスを使用する。例えば、
除塵フィルタ（図示せず）を通過させた空気や不活性ガ
スが使用できる。このプローブピン５および研磨部７に
吹き付けられたガスは、ガス排気部１０によって吸引さ
れて、研磨ステージ１４の周囲に多数形成された孔１４
ａおよび下カップ１１を通じて、異物検出部１２に導か
れる。
構付きプローブ装置１を用いた本発明の研磨方法につい
て説明する。ウェーハ２上に形成されたＩＣ素子の電気
的特性検査を所定の回数行った後、駆動部４により研磨
部７をプローブピン５下方までに移動させる。次いで、
駆動部４により研磨部７を上昇させ、研磨層１６をプロ
ーブピン５に接触させる。次いで、上カップ９と下カッ
プ１１を、それぞれ下降、上昇させて研磨部７全体を覆
うように研磨ステージ１４に接触させる。これにより、
研磨部７周囲が密閉され、異物を含んだガスがウェーハ
２を汚染することがない。次いで、研磨部７を一定量上
下動させながら、プローブピン５の研磨を行う。このと
き同時に、ガス供給部８よりガスをプローブピン５およ
び研磨部７に吹き付ける。ここで、ガス供給部８より供
給されるガスには、クリーンガスを使用する。例えば、
除塵フィルタ（図示せず）を通過させた空気や不活性ガ
スが使用できる。このプローブピン５および研磨部７に
吹き付けられたガスは、ガス排気部１０によって吸引さ
れて、研磨ステージ１４の周囲に多数形成された孔１４
ａおよび下カップ１１を通じて、異物検出部１２に導か
れる。
【００２２】次いで、研磨を行いながら、ガスに含まれ
た異物の数や大きさを異物検出部１２で検出する。ここ
で、異物検出部１２には、気体試料に光ビームを照射
し、試料中の微粒子によってもたらされる散乱光を検出
する光散乱方式のパーティクルカウンタ等が使用でき
る。研磨始めは、除去された異物が多く検出されるが、
研磨が終わるに従い異物が徐々に減少することになる。
異物検出部１２で検出された異物のデータを研磨制御部
１３へ送り、あらかじめ定めた基準を超えた値であれ
ば、異物除去が不十分であると判断して、再び同様の方
法でプローブピン５の研磨を継続する。基準の値以内で
あれば、異物除去が十分であると判断して、研磨作業を
終了する。次いで、ガスの供給を停止した後、上カップ
９、下カップ１１を初期の位置に復帰させ、ウェーハ２
をプローブピン５の下方に移動して、ＩＣ素子の電気的
特性検査を開始する。
た異物の数や大きさを異物検出部１２で検出する。ここ
で、異物検出部１２には、気体試料に光ビームを照射
し、試料中の微粒子によってもたらされる散乱光を検出
する光散乱方式のパーティクルカウンタ等が使用でき
る。研磨始めは、除去された異物が多く検出されるが、
研磨が終わるに従い異物が徐々に減少することになる。
異物検出部１２で検出された異物のデータを研磨制御部
１３へ送り、あらかじめ定めた基準を超えた値であれ
ば、異物除去が不十分であると判断して、再び同様の方
法でプローブピン５の研磨を継続する。基準の値以内で
あれば、異物除去が十分であると判断して、研磨作業を
終了する。次いで、ガスの供給を停止した後、上カップ
９、下カップ１１を初期の位置に復帰させ、ウェーハ２
をプローブピン５の下方に移動して、ＩＣ素子の電気的
特性検査を開始する。
【００２３】このようにすれば、プローブピン５に付着
した異物除去の有無を研磨後直ちに確認でき、そのデー
タに基づいて研磨の継続、終了が決定されるので、研磨
の作業効率が大きく改善する。同時に、研磨により確実
に異物が除去できるので、異物が除去されないままＩＣ
素子の電気的特性検査を行うことがなくなり、検査の信
頼性も大きく向上する。
した異物除去の有無を研磨後直ちに確認でき、そのデー
タに基づいて研磨の継続、終了が決定されるので、研磨
の作業効率が大きく改善する。同時に、研磨により確実
に異物が除去できるので、異物が除去されないままＩＣ
素子の電気的特性検査を行うことがなくなり、検査の信
頼性も大きく向上する。
【００２４】また、本発明における実施例として、研磨
部を上下動させてプローブピンの研磨を行う例について
説明したが、研磨部を高周波振動させて研磨を行っても
よい。このとき、研磨部の任意の場所に取付けられる振
動発生装置には、バイブレータやモーター、または圧電
素子型アクチュエータや電磁型アクチュエータ等を挙げ
ることができる。これにより、プローブピン先端に強固
に付着した異物も短時間で除去でき、研磨時間が短縮で
きる。
部を上下動させてプローブピンの研磨を行う例について
説明したが、研磨部を高周波振動させて研磨を行っても
よい。このとき、研磨部の任意の場所に取付けられる振
動発生装置には、バイブレータやモーター、または圧電
素子型アクチュエータや電磁型アクチュエータ等を挙げ
ることができる。これにより、プローブピン先端に強固
に付着した異物も短時間で除去でき、研磨時間が短縮で
きる。
【００２５】また、本発明における実施例として、研磨
部上方からガスを供給し、下方から排気する例について
説明したが、研磨部の横からガスを供給し、上方から排
気するようにしてもよい。特にガスの供給、排気方向を
限定するものではない。
部上方からガスを供給し、下方から排気する例について
説明したが、研磨部の横からガスを供給し、上方から排
気するようにしてもよい。特にガスの供給、排気方向を
限定するものではない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明による研磨機
構付きプローブ装置およびその研磨方法は、ガス供給
部、ガス排気部、異物検出部、研磨制御部を新たに設
け、研磨による異物除去の有無を確認し、その結果に基
づいて研磨の継続または終了を決定できるようにした。
このため、研磨により確実に異物が除去でき、良好なコ
ンタクト接続ができて検査の信頼性を向上させることが
出来る。また、過剰な研磨を行うことがなくなり、高価
なプローブピンの使用寿命を延ばすことができる。
構付きプローブ装置およびその研磨方法は、ガス供給
部、ガス排気部、異物検出部、研磨制御部を新たに設
け、研磨による異物除去の有無を確認し、その結果に基
づいて研磨の継続または終了を決定できるようにした。
このため、研磨により確実に異物が除去でき、良好なコ
ンタクト接続ができて検査の信頼性を向上させることが
出来る。また、過剰な研磨を行うことがなくなり、高価
なプローブピンの使用寿命を延ばすことができる。
【図１】 本発明の研磨機構付きプローブ装置の要部平
面図およびＸ−Ｘ断面図
面図およびＸ−Ｘ断面図
【図２】 本発明の研磨機構付きプローブ装置における
研磨部の拡大平面図および拡大断面図
研磨部の拡大平面図および拡大断面図
【図３】 従来のＰ／Ｗ検査装置のブロック図およびＡ
部拡大平面図
部拡大平面図
【図４】 従来の研磨機構付きプローブ装置の要部平面
図およびＹ−Ｙ断面図
図およびＹ−Ｙ断面図
１ 研磨機構付きプローブ装置
２ ウェーハ
３ ウェーハステージ
４ 駆動部
５ プローブピン
６ プローブカード
７ 研磨部
８ ガス供給部
９ 上カップ
１０ ガス排気部
１１ 下カップ
１２ 異物検出部
１３ 研磨制御部
１４ 研磨ステージ
１４ａ 孔
１５ 基板
１６ 研磨層
３１ Ｐ／Ｗ検査装置
３２ プローブ装置
３３ ＩＣテスタ
３４ ウェーハ
３５ ウェーハステージ
３６ 駆動部
３７ ＩＣ素子
３８ ボンディングパッド
３９ プローブピン
４０ プローブカード
４１ 信号線
４２ マーキング機構
４３ 研磨部
４４ 研磨ステージ
４５ 基板
４６ 研磨層
Claims (6)
- 【請求項１】プローブピンの先端部に付着した異物を除
去するための研磨部を有するプローブ装置において、前
記研磨部の上下方向にガス供給部とガス排気部を備えた
ことを特徴とする研磨機構付きプローブ装置。 - 【請求項２】前記研磨部と前記ガス排気部の間に、研磨
により除去された異物を検出する異物検出部を備えたこ
とを特徴とする請求項１記載の研磨機構付きプローブ装
置。 - 【請求項３】前記異物検出部からのデータにより、研磨
の継続、終了を判断して研磨を制御する研磨制御部を備
えたことを特徴とする請求項１記載の研磨機構付きプロ
ーブ装置。 - 【請求項４】前記研磨部にガス通過用の孔を多数設けた
ことを特徴とする請求項１記載の研磨機構付きプローブ
装置。 - 【請求項５】前記研磨部に、振動発生装置を設けたこと
を特徴とする請求項１記載の研磨機構付きプローブ装
置。 - 【請求項６】プローブピンの先端部に付着した異物を除
去するための研磨部を有するプローブ装置を使用した研
磨方法において、前記研磨部に設けた研磨層の表面に前
記プローブピンを押し付けて研磨を行い、前記研磨部に
ガスを供給して研磨により除去された異物を排出し、ガ
ス中に含まれる異物を検出し、そのデータにより研磨の
継続または終了を決定することを特徴とする研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002029039A JP2003229461A (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | 研磨機構付きプローブ装置およびその研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002029039A JP2003229461A (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | 研磨機構付きプローブ装置およびその研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003229461A true JP2003229461A (ja) | 2003-08-15 |
Family
ID=27749996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002029039A Pending JP2003229461A (ja) | 2002-02-06 | 2002-02-06 | 研磨機構付きプローブ装置およびその研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003229461A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1592057A2 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-02 | Solid State Measurements, Inc. | Method and apparatus for removing and/or preventing surface contamination of a probe |
-
2002
- 2002-02-06 JP JP2002029039A patent/JP2003229461A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1592057A2 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-02 | Solid State Measurements, Inc. | Method and apparatus for removing and/or preventing surface contamination of a probe |
| EP1592057A3 (en) * | 2004-04-28 | 2006-08-23 | Solid State Measurements, Inc. | Method and apparatus for removing and/or preventing surface contamination of a probe |
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