JP2003223861A - サンプル回転装置 - Google Patents

サンプル回転装置

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JP2003223861A
JP2003223861A JP2003006384A JP2003006384A JP2003223861A JP 2003223861 A JP2003223861 A JP 2003223861A JP 2003006384 A JP2003006384 A JP 2003006384A JP 2003006384 A JP2003006384 A JP 2003006384A JP 2003223861 A JP2003223861 A JP 2003223861A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 分析のためにサンプルを回転させる装置を提
供することを目的とする。 【解決手段】 前記装置はサンプルステージに置かれた
複数個のサンプルのうち、選択されたサンプルの位置を
分析地点に一致させるための回転キャップ204と移動
プレート206、分析地点と一致する中心軸を有し、選
択されたサンプルを回転させるための回転ステージを含
む。サンプルステージ102を支持する回転キャップ2
04と回転キャップ204を支持する移動プレート20
6の移動により分析地点に一致されたサンプルは回転ス
テージにより回転される。従って、前記装置はサンプル
のうち、選択されたサンプルを効果的に回転させること
ができ、複数個のサンプルに対する選択的または連続的
分析工程の効率を上昇させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は分析のためのサンプ
ル回転装置に関するものであり、より詳細には、半導体
装置の分析のための複数個のサンプルを固定させ、各サ
ンプルのうちの選択されたサンプルを回転させるサンプ
ル回転装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近来、コンピュータのような情報媒体の
急速な普及により、半導体装置は飛躍的に発展してい
る。その機能面において、半導体装置は高速で動作する
と同時に大容量の貯蔵能力を有することが要求される。
これにより、半導体装置は、集積度、信頼度および応答
速度などを向上させる方向に製造技術が発展している。
【0003】一般に、半導体装置は半導体基板上に膜形
成、パターン形成、金属配線形成などのための一連の単
位工程を実施することにより製造される。半導体装置の
製造工程には、上述したような加工工程以外に半導体基
板に多様な検査及び分析工程が含まれている。検査及び
分析工程は半導体基板上に形成された膜の内部または表
面に存在する不純物濃度、任意に注入したイオンの濃度
及び分布、半導体基板上に形成されたパターンのブリッ
ジ(bridge)現象、半導体基板上に形成された配
線の断線などを前記加工工程途中に随時確認する。
【0004】検査及び分析工程には、走査電子顕微鏡
(Scanning Electron Micros
cope;SEM)、透過電子顕微鏡(Transmi
ssion Electron Microscop
e;TEM)、2次イオン質量分析器(Seconda
ry Ion Mass Spectroscope;
SIMS)などが使用され、そのうちの2次イオン質量
分析器は半導体基板上に形成された膜の成分または深さ
プロファイルなどを分析するために使用される。
【0005】前記2次イオン質量分析器を用いて半導体
基板の深さプロファイルを分析する場合、一般にアルゴ
ンイオンビームを分析するサンプルに照射して前記サン
プルをエッチングすることになる。この時、アルゴンイ
オンビームの照射により前記サンプルから発生する2次
イオンを質量分析器を通じて分析することにより、半導
体基板に形成されたパターンまたは膜の深さプロファイ
ルが測定される。前記2次イオン質量分析器を使用する
分析工程の一例が特許文献1に開示されている。
【0006】一方、サンプルの表面は照射されるアルゴ
ンイオンビームにより不規則的にエッチングされる。即
ち、サンプルの表面には前記アルゴンイオンビームの照
射により不規則な凹凸が発生し、これにより深さプロフ
ァイル分析の分解能が低下する。上述したような問題点
はサンプルの回転により克服することができる。即ち、
サンプルを支持するサンプルステージを回転させること
により、前記深さプロファイル分析の分解能を向上させ
ることができる。
【0007】上述したように、サンプルを回転させなが
ら、深さプロファイルを分析する場合、2次イオン質量
分析器はサンプルを支持し、前記サンプルを分析地点に
移動させ、前記サンプルを回転させるサンプル回転装置
を備える。サンプル回転装置は3次元座標に該当する分
析地点にサンプルを位置決めさせるために、x軸、y軸
及びz軸方向に移動し、分析地点に位置決めされたサン
プルを回転させる。
【0008】上述したようなサンプル回転装置は、サン
プルを支持するサンプルステージと、前記サンプルステ
ージを回転させるための第1駆動部及び前記サンプルが
分析地点に一致するように前記サンプルステージ及び前
記第1駆動部を移動させるための第2駆動部を備える。
前記第2駆動部はx軸、y軸及びz軸方向に前記サンプ
ルステージ及び前記第1駆動部を移動させるためのモー
タを備える。前記サンプルは第1駆動部の回転軸と一致
するようにサンプルステージの中央部位に置かれ、第2
駆動部は前記サンプルを予め設定された3次元座標を有
する分析地点に一致させる。続いて、第1駆動部による
サンプルの回転及びアルゴンイオンビームによるエッチ
ングと共に、サンプルの深さプロファイル分析が進行す
る。
【0009】一方、深さプロファイルを分析する分析チ
ャンバの一側には、サンプルのローディング及びアンロ
ーディングのためのサブチャンバが備えられている。サ
ンプルはチャンバでサンプルステージ上に置かれた後、
分析チャンバ内部に備えられたサンプル回転装置に移動
される。この時、分析チャンバの圧力は10−9乃至1
−10torr程度に維持され、サブチャンバの圧力
は10−6乃至10 torr程度に維持される。即
ち、サンプルがサブチャンバにローディングされる時、
サブチャンバの圧力は大気圧であり、分析チャンバに移
動される時サブチャンバの圧力は10−6乃至10−7
torr程度に形成される。一方、サンプルに対する分
析が終了し、前記サンプルがサブチャンバに移動される
と、サブチャンバの圧力は前記サンプルのアンローディ
ングのために、再び大気圧に調節される。従って、複数
個のサンプルを分析する場合、サブチャンバの圧力を毎
回調節しなければならないので、時間的な損失が発生
し、分析工程の効率が低下する。
【0010】前記のような問題を解決するために、サン
プルステージ上に複数個のサンプルをローディングする
場合、複数個のサンプルのうちの選択されたサンプルを
分析地点に一致させた後、深さプロファイル分析を実施
する。しかし、深さプロファイル分析のために選択され
たサンプルを回転させることが容易でなく、選択された
サンプルを分析地点で回転させる場合、第1駆動部の回
転軸と分析地点とが一致しないために、第2駆動部の寿
命が短縮される。即ち、第1駆動部の回転により選択さ
れたサンプルの位置が分析地点から離脱しないように、
前記第2駆動部は第1駆動部の回転方向と同一の方向に
第1駆動部を回転させなければならない。この時、第2
駆動部のモータは過度な負荷により寿命が短縮される。
これは2次イオン質量分析器の維持補修費用を増加さ
せ、稼働率を低下させる原因になる。
【特許文献1】米国特許第5,943,548号明細書
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、サン
プルステージに置かれた複数個のサンプルのうちの選択
されたサンプルの位置を分析地点に一致させるための位
置調整部及び分析地点と一致した中心軸を有し、選択さ
れたサンプルを回転させるための回転部を含むサンプル
回転装置を提供することにある。
【0012】
【課題の解決するための手段】上述した目的を達成する
ための本発明によるサンプル回転装置は、複数個のサン
プルを支持するサンプルステージと、サンプルステージ
を支持し、サンプルのうちの一つを選択し、選択された
サンプルを分析地点に一致させるために、選択されたサ
ンプルの位置を調整する位置調整手段と、分析地点と一
致した中心軸を有し、位置調整手段により選択されたサ
ンプルが前記分析地点で回転するように、サンプルステ
ージと位置調整手段を回転させる回転手段とを含む。
【0013】上述した他の目的を達成するための本発明
によるサンプル回転装置は、円形に配列される複数個の
サンプルを支持するサンプルステージと、サンプルを分
析するための分析地点が、サンプルの配列により形成さ
れる円の円周上に位置するように、サンプルステージを
移動させる移送部材と、前記移送部材上に備えられサン
プルステージを支持し、サンプルのうちの選択されたサ
ンプルが分析地点と一致するように、サンプルステージ
を回転させる回転キャップと、回転キャップの下部に形
成され、前記回転軸を回転させるための第1駆動力によ
り前記回転キャップを回転させる第1ギヤ部と、回転キ
ャップと移送部材を連結する回転軸と、前記移送部材の
下部面に備えられ、移送部材を移動させるための第2駆
動力により移送部材を移動させるラックギヤと、回転キ
ャップの回転時には回転キャップの第1ギヤ部と結合さ
れ、移送部材の移動時にはラックギヤと結合され、第1
ギヤ部及びラックギヤに前記第1駆動力及び第2駆動力
を各々伝達する駆動ギヤと、移送部材を支持し、選択さ
れたサンプルを分析地点で回転させるための回転ステー
ジと、分析地点と一致した中心軸を有し、回転ステージ
の下部に連結され、回転ステージを回転させるための第
3駆動力を伝達する第1駆動軸と、第1駆動軸を貫通し
て駆動ギヤと連結され、第1駆動力及び第2駆動力を伝
達する第2駆動軸とを含む。
【0014】サンプル回転装置は、複数個のサンプルの
うち、選択されたサンプルを分析地点に一致させ、分析
地点と一致した中心軸を有する第1駆動軸による回転ス
テージの回転を通じて選択されたサンプルを回転させ
る。従って、サンプル回転装置とサンプル回転装置を支
持し、サンプル回転装置を移動させる3次元駆動装置に
過度な負荷が作用しない。従って、3次元駆動装置の寿
命が延び、複数個のサンプルに対する選択的または連続
的な分析工程の効率が向上される。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい一実施形態を詳細に説明する。
【0016】図1は本発明の一実施形態によるサンプル
回転装置を説明するための概略的な構成図であり、図2
は図1に示したサンプルステージ及び固定リングを示す
斜視図である。
【0017】図1に示すように、サンプル回転装置10
0は複数個のサンプルが置かれるサンプルステージ10
2と、サンプルステージ102に置かれた複数個のサン
プル10のうちの選択されたサンプル10の位置を分析
地点に一致させるための位置調整部200及び前記分析
地点と一致する中心軸を有し、前記選択されたサンプル
10aを回転させるための回転部300を含む。
【0018】図2に示すように、サンプルステージ10
2は複数個のサンプル10が置かれる円形プレート10
4と円形プレート104の下部に備えられる本体106
を含む。本体106はシリンダ形状を有し、外周面には
位置調整部200のクランプ202(図1参照)に対応
するクランピング溝108が円周方向に形成されてい
る。円形プレート104の上部面には複数個のサンプル
10が円形プレート104の縁部に沿って円形に置か
れ、サンプル10を固定するための固定リング110が
複数個のボルト112により円形プレート104に結合
される。円形プレート104の上部面にはボルト112
と対応する複数個のねじ孔114が円形プレート104
の縁部に沿って形成されている。固定リング110は環
状に形成されたフラットリング形状を有し、円形プレー
ト104のねじ孔に対応する複数個の貫通孔116が形
成されている。即ち、円形プレート104と円形プレー
ト104の上部面に結合される固定リング110間に複
数個のサンプルが配置される。
【0019】図1に示すように、位置調整部200はサ
ンプルステージ102を支持し、サンプルステージ10
2を回転させるための回転キャップ204と、回転キャ
ップ204を移動させるための移動プレート206、回
転キャップ204の回転及び移動プレート206の移動
のための第1駆動力及び第2駆動力を伝達する駆動ギヤ
208及び駆動ギヤ208の下部面に連結される第1駆
動軸210を含む。
【0020】回転部300は移動プレート206の下部
に備えられる回転ステージ302と回転ステージ302
を支持しかつ回転させるための第3駆動力を伝達する第
2駆動軸304を含む。
【0021】回転キャップ204はサンプルステージ1
02の本体106の半径と同一の半径を有する円板形状
を有し、下部面には円錐形状の溝212が形成されてい
る。溝212の内側面にはサンプルステージ102及び
回転キャップ204の回転のために駆動ギヤ208と結
合される第1ギヤ部214が形成されている。
【0022】移動プレート206は回転キャップ204
の半径と同一な半径を有する円板形状を有し、下部面に
は駆動ギヤ208と結合されるラックギヤ216が備え
られる。回転キャップ204と移動プレート206は回
転軸218により連結され、回転軸218は回転キャッ
プ204の溝212の中央部位と移動プレート206の
上部面中央部位を連結する。即ち、回転軸218は駆動
ギヤ208から伝達される第1駆動力により回転キャッ
プ204が回転するように回転キャップ204を支持す
る。
【0023】移動プレート206の中心と外周面との間
には駆動ギヤ208の通路220が形成され、ラックギ
ヤ216は駆動ギヤ208と結合するように通路220
の一側に形成されている。この時、ラックギヤ216は
駆動ギヤ208から伝達される第2駆動力により移動プ
レート206が移動プレート206の半径方向に移動さ
れるように備えられる。即ち、駆動ギヤ208は回転キ
ャップ204の回転時には第1ギヤ部214と結合する
ように通路220を通じて上方向に移動し、移動プレー
ト206の移動時にはラックギヤ216と結合するよう
に通路220を通じて下方向に移動する。この時、ラッ
クギヤ216の長さは移動プレート206の中心部位か
ら通路220までの距離より長く形成されることが望ま
しい。また、ラックギヤ216の長さによる移動プレー
ト206の移動距離はサンプル10の配列により限定さ
れる円12(図2参照)の半径より多少大きく決定され
ることが望ましい。
【0024】図3は図1に示したストッパーを示す断面
図である。
【0025】図1及び図3に示すように、移動プレート
206の上部面には駆動ギヤ208がラックギヤ216
と結合されている間回転キャップ204自体の回転を防
止するストッパー222が備えられる。ストッパー22
2は移動プレート206の上部面で駆動ギヤ208の通
路220と反対側に備えられ、一側端部が開放されたシ
リンダ形状を有するハウジング224と、ハウジング2
24に内蔵される圧縮コイルスプリング226、及びハ
ウジング224に内蔵され、圧縮コイルスプリング22
6により前記開放された一側端部から外部に突出され、
第1ギヤ部214と接触するボール228を含む。
【0026】図4は図1に示した回転キャップを示す底
面図であり、図5は図1に示した回転キャップを示す斜
視図である。
【0027】図4及び図5に示すように、回転キャップ
204の下部面には円錐形状の溝212が形成され、溝
212の内側面には第1ギヤ部214が形成されてい
る。回転キャップ204の外周面にはサンプルステージ
102(図2参照)を固定させるための複数個のクラン
プ202が備えられる。クランプ202は回転キャップ
204の外周面から上方向に延び、上端部にはサンプル
ステージ102の本体106に形成されているクランピ
ング溝108と対応する突出部230が形成されてい
る。突出部230はサンプルステージ102の定着が容
易であるように弾性を有する材質で形成され、サンプル
ステージ102の本体106と接触する突出部230の
一面はサンプルステージ102の定着が容易であるよう
にラウンディング処理されている。
【0028】図6は図1に示した駆動ギヤを示す斜視図
である。
【0029】図6に示すように、駆動ギヤ208の上部
は傾斜面を有する円錐形状で形成され、傾斜面には回転
キャップ204の第1ギヤ部214(図1参照)と対応
する第2ギヤ部232が形成されている。また、駆動ギ
ヤ208の外周面には移動プレート206のラックギヤ
216(図1参照)と対応する第3ギヤ部234が形成
され、下部面には第1駆動軸210が連結されている。
【0030】図7は図1に示した移動プレートを示す底
面図であり、図8は図1に示した回転ステージを示す斜
視図である。また、図9は回転ステージと移動プレート
の結合を示すためのサンプル回転装置の側面図である。
【0031】図1、図7、図8及び図9に示すように、
移動プレート206の下部には回転ステージ302が備
えられる。回転ステージ302は円板形状を有し、上部
面には移動プレート206の移動方向を案内し、移動プ
レート206を支持する一対のレール(rail)30
6が備えられる。レール306は移動プレート206の
ラックギヤ216と平行に備えられ、ラックギヤ216
及びラックギヤ216の移動通路220両側に備えられ
る。また、回転ステージ302の外周面と隣接するレー
ル306の一側面には、移動プレート206の離脱を防
止するための第1キャッチングジョー(Protrud
ing jaw)308が形成されている。一方、移動
プレート206の下部面には回転ステージ302のレー
ル306と対応する一対のガイド236が備えられ、向
き合うガイド236の一側面にはレール306の第1キ
ャッチングジョー308と対応する第1キャッチングジ
ョー238が各々形成されている。
【0032】一方、回転ステージ302の下部面には回
転ステージ302を回転させるための第3駆動力を伝達
する第2駆動軸304が連結されている。ここで、第1
駆動軸210は第2駆動軸304を貫通して設けられ、
第2駆動軸304内部で第1ギヤ部214及びラックギ
ヤ216と選択的に結合するために上下に移動する。
【0033】図10は図1に示したサンプル回転装置を
有する2次イオン質量分析器を説明するための概略的な
構成図であり、図11は図10に示したサンプル回転装
置及び3次元駆動装置を説明するための斜視図である。
【0034】図1、図10及び図11に示すように、サ
ンプル10を分析するための分析チャンバ402の内部
にはサンプル回転装置100と3次元駆動装置404が
備えられている。3次元駆動装置404はサンプル回転
装置100を支持し、サンプル回転装置100を移動さ
せる。また、サンプル回転装置100に駆動力を提供す
る。即ち、3次元駆動装置404は分析チャンバ402
内部でx軸、y軸及びz軸方向にサンプル回転装置10
0を移動させ、サンプルステージ102及び回転キャッ
プ204を回転させるための第1駆動力、移動プレート
206を移動させるための第2駆動力及び回転ステージ
302を回転させるための第3駆動力を提供する。例え
ば、3次元駆動装置404には第1駆動力及び第2駆動
力を提供するためのモータと、x軸、y軸及びz軸方向
移動のためのモータと、リードスクリューなどを備える
3軸直交座標ロボットなどを使用することができる。
【0035】分析チャンバ402の一側にはサンプルス
テージ102上にサンプル10をローディングし、サン
プルステージ102からサンプル10をアンローディン
グするためのサブチャンバ406が連結される。サブチ
ャンバ406でサンプル10が置かれたサンプルステー
ジ102は移送ロボット(図示せず)により分析チャン
バ402内部に備えられた回転キャップ204に移動さ
れ、クランプ202によりクランピングされる。一般
に、2次イオン質量分析器を利用した深さプロファイル
分析工程は10−9乃至10−10torr程度の真空
状態で実施され、サブチャンバ406はサンプル10の
ローディング及びアンローディング時に分析チャンバ4
02内部に異物が流入されることを防止し、分析工程の
効率を高めるために備えられる。即ち、分析チャンバ4
02の圧力は常に一定した状態に維持され、サンプル1
0のローディング及びアンローディング時は分析チャン
バ402とサブチャンバ406との間に備えられるドア
(図示せず)が閉鎖され、サブチャンバ406の圧力が
大気圧に形成される。また、移送ロボットがサンプル1
0が置かれたサンプルステージ102を移動させると
き、サブチャンバ406の圧力は10−6乃至10−7
程度の真空状態に形成され、続いて、ドアが開放され
る。一方、図示しなかったが、分析チャンバ402とサ
ブチャンバ406には真空のための真空ポンプ及び真空
度を調節するための複数個のバルブが連結される。
【0036】一方、分析チャンバ402の上部一側には
アルゴンイオンビームを提供するためのアルゴンイオン
ガン408が備えられ、上部他側にはアルゴンイオンビ
ームによりサンプルから発生した2次イオンのうちの特
定イオンを選別する質量分析器410及び特定イオンを
検出する検出器412が連結されている。
【0037】本発明のサンプル回転装置は前記実施形態
の第1ギヤ部及び駆動ギヤ以外に多様な駆動方法で具現
することができる。
【0038】図12は回転キャップの他の実施形態を示
すための底面図であり、図13は図12に示した回転キ
ャップの断面図である。また、図14は図12に示した
回転キャップと対応する駆動ギヤを示すための斜視図で
ある。
【0039】図12、図13及び図14に示すように、
回転キャップ500の下部には垂直な内側面を有する円
形溝502が形成され、円形溝502内側面にサンプル
ステージ102(図1参照)及び回転キャップ500を
回転させるための第4ギヤ部504が形成されている。
駆動ギヤ510の外周面には第4ギヤ部504と対応す
る第5ギヤ部512が形成され、第5ギヤ部512は移
動プレート206のラックギヤ216(図1参照)と対
応する。
【0040】また、本発明のサンプル回転装置100は
移動プレート206を移動させるための空気圧または油
圧シリンダのような多様な直線駆動装置及び回転キャッ
プ204を回転させるための多様な駆動装置及び動力伝
達装置により具現することができる。
【0041】以下、本発明の一実施形態によるサンプル
回転装置を有する2次イオン質量分析器を使用するサン
プルの深さプロファイル分析について、図面を参照して
説明する。
【0042】複数個のサンプル10は分析チャンバ40
2の一側に連結されたサブチャンバ406内部でサンプ
ルステージ102上に円形に置かれ、固定リング110
によりサンプルステージ102上に固定される。続い
て、サンプル10が置かれたサンプルステージ102は
移送ロボット(図示せず)により分析チャンバ402内
部に位置する回転キャップ204の上部面に置かれ、ク
ランプ202によりクランピングされる。
【0043】続いて、3次元駆動装置404は予め設定
された3次元座標を有する分析地点と回転ステージ30
2を回転させるための第2駆動軸304の中心軸とを一
致させるためにx軸方向及びy軸方向に移動し、サンプ
ル10の配列により限定される円12の中心と分析地点
とを一致させるためにz軸方向に移動する。この時、サ
ンプル10の配列により形成される円12の中心は第2
駆動軸304の中心軸と一致され、駆動ギヤ208はラ
ックギヤ216と結合している。
【0044】図15は第2駆動力により移動する移動プ
レートを説明するための図面である。図15に示すよう
に、第1駆動軸210と駆動ギヤ208から伝達される
第2駆動力により移動プレート206がサンプル10の
配列により形成される円12の円周を分析地点に一致さ
せるように移動する。この時、第2駆動軸304は回転
しない。示した矢印は移動プレート206の移動方向を
示す。
【0045】図16は、第1駆動力により回転するサン
プルステージを説明するための図面である。図16に示
すように、第1駆動軸210と駆動ギヤ208から伝達
される第1駆動力により回転キャップ204とサンプル
ステージ102は複数個のサンプル10のうち、選択さ
れた第1サンプル14を分析地点に一致させるために回
転する。この時、駆動ギヤ208は回転キャップ204
の第1ギヤ部214に結合され、第1駆動力を第1ギヤ
部214に伝達し、第2駆動軸304は回転しない。図
示した矢印は、サンプルステージ102の回転方向を示
す。
【0046】図17は第3駆動力により回転するサンプ
ル回転装置を説明するための図面である。図17に示す
ように、第1サンプル14は第2駆動軸304から伝達
される第3駆動力により分析地点で回転し、アルゴンイ
オンガン408から提供されるイオンビームは第1サン
プル14の表面に照射される。第1サンプル14の表面
で衝突するアルゴンイオンにより第1サンプル14がエ
ッチングされ、第1サンプル14から2次イオンが発生
する。2次イオンのうち、分析しようとする特定イオン
は質量分析器410で選別され、検出器412により検
出される。この時、駆動ギヤ208はラックギヤ216
と結合された状態であり、第1駆動軸210と第2駆動
軸304は同一の速度に回転する。従って、移動プレー
ト206の半径方向に移動プレート206が移動するこ
とが防止される。また、ストッパー222は回転キャッ
プ204自体の回転を防止する。
【0047】前述したように、第1サンプル14の深さ
プロファイル分析が終了すると、アルゴンイオンビーム
の照射及びサンプルステージ102の回転が停止され、
駆動ギヤ208は上昇して回転キャップ204の第1ギ
ヤ部214と結合される。続いて、第1駆動軸210及
び駆動ギヤ208から伝達される第1駆動力により回転
キャップ204及びサンプルステージ102が回転し、
これにより第2サンプル16が分析地点に一致する。
【0048】上述したようにサンプル10を連続的に分
析地点に一致させ、分析工程を進行することにより、複
数個のサンプル10を効率的に分析することができる。
また、サンプルステージ102の回転及び移動プレート
206の移動は選択されたサンプル12の多様な地点に
対する分析を可能にする。
【0049】以上、本発明の実施形態を詳細に説明した
が、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分
野において通常の知識を有するものであれば本発明の思
想と精神を離れることなく、本発明の実施形態を修正ま
たは変更できるであろう。
【0050】
【発明の効果】本発明によると、サンプル回転装置はサ
ンプルステージに置かれた複数個のサンプルのうちの選
択されたサンプルの位置を分析地点に一致させるための
位置調整部及び分析地点と一致する中心軸を有し、選択
されたサンプルを回転させるための回転部を含む。
【0051】サンプル回転装置及びサンプル回転装置を
支持する3次元駆動装置を有するサンプル分析装置を使
用して複数個のサンプルに対する選択的または連続的な
分析工程が進行されるの間に、サンプル回転装置を支持
する3次元駆動装置は停止された状態であるので、3次
元駆動装置に負荷がかからない。これにより、3次元駆
動装置の寿命が延びられ、複数個のサンプルに対する分
析効率が上昇する。また、サンプル分析装置の維持補修
費用を減少させることができ、また稼働率を向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態によるサンプル回転装置
を説明するための概略的な構成図である。
【図2】 図1に示したサンプルステージ及び固定リン
グを示す斜視図である。
【図3】 図1に示したストッパーを示す断面図であ
る。
【図4】 図1に示した回転キャップを示す底面図であ
る。
【図5】 図1に示した回転キャップを示す斜視図であ
る。
【図6】 図1に示した駆動ギヤを示す斜視図である。
【図7】 図1に示した移動プレートを示す底面図であ
る。
【図8】 図1に示した回転ステージを示す斜視図であ
る。
【図9】 回転ステージと移動プレートの結合を示すた
めのサンプル回転装置の側面図である。
【図10】 図1に示したサンプル回転装置を有する2
次イオン質量分析器を説明するための概略的な構成図で
ある。
【図11】 図10に示したサンプル回転装置及び3次
元駆動装置を説明するための斜視図である。
【図12】 回転キャップの他の実施形態を示すための
底面図である。
【図13】 図12に示した回転キャップの断面図であ
る。
【図14】 図12に示した回転キャップと対応する駆
動ギヤを示すための斜視図である。
【図15】 第2駆動力により移動する移動プレートを
説明するための図面である。
【図16】 第1駆動力により回転するサンプルステー
ジを説明するための図面である。
【図17】 第3駆動力により回転するサンプル回転装
置を説明するための図面である。
【符号の説明】
10 サンプル 100 サンプル回転装置 102 サンプルステージ 104 円形プレート 106 本体 110 固定リング 112 ボルト 200 位置調整部 202 クランプ 204 回転キャップ 206 移動プレート 208 駆動ギヤ 210 第1駆動軸 214 第1ギヤ部 216 クラックギヤ部 218 回転軸 222 ストッパー 224 ハウジング 226 圧縮コイルスプリング 228 ボール

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数個のサンプルを支持するサンプルス
    テージと、 前記サンプルステージを支持し、前記サンプルのうちの
    一つを選択し、前記選択されたサンプルを分析地点に一
    致させるために、前記選択されたサンプルの位置を調整
    する位置調整手段と、 前記分析地点と一致した中心軸を有し、前記位置調整手
    段により選択された前記サンプルが前記分析地点で回転
    するように、前記サンプルステージと前記位置調整手段
    を回転させる回転手段とを含むことを特徴とするサンプ
    ル回転装置。
  2. 【請求項2】 前記位置調整手段は、 前記サンプルステージを支持し、前記サンプルステージ
    を回転させるための第1手段と、 前記第1手段の下部に備えられ、前記第1手段の回転中
    心軸と前記選択されたサンプル間を往復運動する第2手
    段と、 前記第1手段及び第2手段に前記サンプルステージを回
    転させるための第1駆動力及び前記第2手段を往復運動
    させるための第2駆動力を提供するための駆動手段とを
    含むことを特徴とする請求項1に記載のサンプル回転装
    置。
  3. 【請求項3】 前記第1手段は、 前記サンプルステージを支持し、前記第1駆動力により
    前記サンプルステージを回転させるためのギヤ部が形成
    された回転キャップと、 前記回転キャップと前記第2手段を連結する回転軸を含
    むことを特徴とする請求項2に記載のサンプル回転装
    置。
  4. 【請求項4】 前記第2手段は、 前記回転キャップの下部に備えられる移送部材及び前記
    移送部材の下部面に備えられ、前記第2駆動力により前
    記移送部材を往復運動させるためのラックギヤを含むこ
    とを特徴とする請求項3に記載のサンプル回転装置。
  5. 【請求項5】 前記駆動手段は、 前記移送部材の往復運動時には前記ラックギヤと結合さ
    れ、前記回転キャップの回転運動時には前記回転キャッ
    プのギヤ部と結合される駆動ギヤと、 前記駆動ギヤと連結され、前記駆動ギヤに前記駆動力を
    伝達するための駆動軸を含むことを特徴とする請求項4
    に記載のサンプル回転装置。
  6. 【請求項6】 フラットリング形状を有し、ボルトによ
    り前記サンプルステージの上部面に結合され、前記複数
    個のサンプルを固定させるための固定リングをさらに含
    むことを特徴とする請求項1に記載のサンプル回転装
    置。
  7. 【請求項7】 前記サンプルステージ、前記位置調整手
    段及び前記回転手段を支持し、移動させるための3次元
    駆動手段をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載
    のサンプル回転装置。
  8. 【請求項8】 円形に配列される複数個のサンプルを支
    持するサンプルステージと、 前記サンプルステージを支持し、前記サンプルの配列に
    より形成される円が前記サンプルを分析するための分析
    地点と交差するように、前記サンプルステージを移動さ
    せる移送部材と、 前記移送部材上に回転可能であるように配置され、前記
    サンプルステージを支持し、前記サンプルの配列により
    形成される円が前記分析地点と交差する時に前記サンプ
    ルのうち、選択されたサンプルが前記分析地点と一致す
    るように、前記サンプルステージを回転させる回転キャ
    ップと、 前記移送部材を支持し、前記選択されたサンプルを前記
    分析地点を中心に回転させるための回転ステージとを含
    むことを特徴とするサンプル回転装置。
  9. 【請求項9】 前記回転キャップの下部に形成され、前
    記回転キャップを回転させるための第1駆動力により前
    記回転キャップを回転させる第1ギヤ部と、 前記回転キャップと前記移送部材を連結する回転軸と、 前記移送部材の下部面に備えられ、前記移送部材を移動
    させるための第2駆動力により前記移送部材を移動させ
    るラックギヤと、 前記回転キャップの回転時には前記回転キャップの第1
    ギヤ部と結合され、前記移送部材の移動時には前記ラッ
    クギヤと結合され、前記第1ギヤ部及び前記ラックギヤ
    に前記第1駆動力及び前記第2駆動力を各々伝達する駆
    動ギヤをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の
    サンプル回転装置。
  10. 【請求項10】 前記分析地点と一致した中心軸を有
    し、前記回転ステージの下部に連結され、前記回転ステ
    ージを回転させるための第3駆動力を伝達する第1駆動
    軸と、 前記第1駆動軸を貫通して前記駆動ギヤと連結され、前
    記第1駆動力及び前記第2駆動力を伝達する第2駆動軸
    をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のサンプ
    ル回転装置。
  11. 【請求項11】 前記回転キャップの下部面には円錐形
    状の溝が形成され、前記溝の内側面に前記第1ギヤ部が
    形成されていることを特徴とする請求項9に記載のサン
    プル回転装置。
  12. 【請求項12】 前記駆動ギヤの上部は傾斜面を有する
    円錐形状に形成され、前記傾斜面に前記第1ギヤ部と対
    応する第2ギヤ部が形成され、前記駆動ギヤの外周面に
    は前記ラックギヤと対応する第3ギヤ部が形成されてい
    ることを特徴とする請求項11に記載のサンプル回転装
    置。
  13. 【請求項13】 前記移送部材の上部面に備えられ、前
    記駆動ギヤが前記ラックギヤと結合されている間、前記
    回転キャップ自体の回転を防止するために前記第1ギヤ
    部と接触するストッパーをさらに含むことを特徴とする
    請求項9に記載のサンプル回転装置。
  14. 【請求項14】 前記ストッパーは、 前記移送部材の上部面に固定され、一側端部が開放され
    たシリンダ形状を有するハウジングと、 前記ハウジングに内蔵される圧縮コイルスプリングと、 前記ハウジングに内蔵され、前記圧縮コイルスプリング
    により前記開放された一側端部から外部に突出され、前
    記第1ギヤ部と接触するボールを含むことを特徴とする
    請求項13に記載のサンプル回転装置。
  15. 【請求項15】 前記回転キャップの下部面には前記回
    転軸と平行な内側面を有する円形溝が形成され、前記第
    1ギヤ部は前記円形溝の内側面に形成されていることを
    特徴とする請求項9に記載のサンプル回転装置。
  16. 【請求項16】 前記駆動ギヤの外周面には、前記第1
    ギヤ部及び前記ラックギヤと対応する第2ギヤ部が形成
    されていることを特徴とする請求項15に記載のサンプ
    ル回転装置。
  17. 【請求項17】 フラットリング形状を有し、ボルトに
    より前記サンプルステージの上部面に結合され、前記複
    数個のサンプルを固定させるための固定リングをさらに
    含むことを特徴とする請求項9に記載のサンプル回転装
    置。
  18. 【請求項18】 前記移送部材は円板形状を有し、前記
    駆動ギヤの通路が前記移送部材の上部面から下部面に貫
    通し、前記ラックギヤは前記駆動ギヤと結合するよう
    に、前記駆動ギヤの通路の一側に備えられることを特徴
    とする請求項9に記載のサンプル回転装置。
  19. 【請求項19】 前記回転ステージの上部面には前記移
    送部材の移動方向を案内するためのレールがさらに備え
    られ、前記移送部材の下部面には前記レールと対応する
    ガイドがさらに備えられることを特徴とする請求項8に
    記載のサンプル回転装置。
  20. 【請求項20】 前記回転キャップの周縁部位に沿って
    備えられ、前記回転キャップ上に置かれる前記サンプル
    ステージを固定させるための複数個のクランプをさらに
    含むことを特徴とする請求項8に記載のサンプル回転装
    置。
  21. 【請求項21】 前記サンプルステージ、移送部材、回
    転キャップ及び回転ステージを支持して移動させるため
    の3次元駆動手段をさらに含むことを特徴とする請求項
    8に記載のサンプル回転装置。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6967340B2 (en) * 2003-08-19 2005-11-22 Alps Electric Co., Ltd. Ion beam irradiation device and operating method thereof
KR100550350B1 (ko) * 2003-09-15 2006-02-08 삼성전자주식회사 이온 분석 방법 및 이를 이용한 분석 장치
KR100731910B1 (ko) * 2006-01-11 2007-06-25 코닉시스템 주식회사 진공챔버 내에서 사용하기 적합한 기판 스테이지
US7542136B2 (en) * 2007-07-03 2009-06-02 International Business Machines Corporation Flipping stage arrangement for reduced wafer contamination cross section and improved measurement accuracy and throughput
TW200918853A (en) * 2007-10-30 2009-05-01 King Yuan Electronics Co Ltd Coplanarity inspection device of printed circuit board
EP2260344A4 (en) * 2008-03-13 2014-03-05 Yu Sun MICROSCOPY METHOD AND APPARATUS
JP2011035206A (ja) * 2009-08-03 2011-02-17 Renesas Electronics Corp 半導体装置の解析装置及び半導体装置の解析方法
CN106876234B (zh) * 2017-04-17 2018-06-26 南京大学 一种用于矿物相自动识别分析的样品台
CN109834668A (zh) * 2019-03-26 2019-06-04 珠海罗西尼表业有限公司 旋转夹具
CN111074343A (zh) * 2020-01-17 2020-04-28 北京大学东莞光电研究院 一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法
EP4270442A1 (en) * 2020-12-28 2023-11-01 Bioland Laboratory Microscope sample stage
CN113884520A (zh) * 2021-09-24 2022-01-04 中国原子能科学研究院 一种用于中子散射测试样品的储存测试装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3899634A (en) * 1971-05-26 1975-08-12 Western Electric Co Video controlled positioning method and apparatus
US4328553A (en) * 1976-12-07 1982-05-04 Computervision Corporation Method and apparatus for targetless wafer alignment
US4203064A (en) * 1977-04-05 1980-05-13 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method for automatically controlling the position of small objects
US4627009A (en) * 1983-05-24 1986-12-02 Nanometrics Inc. Microscope stage assembly and control system
JPH066247B2 (ja) * 1985-06-28 1994-01-26 オムロン株式会社 微動ステ−ジ装置
JP2648230B2 (ja) * 1990-09-20 1997-08-27 科学技術振興事業団 マニピュレータ
GB2274196A (en) * 1993-01-06 1994-07-13 Kore Tech Ltd Manipulating a sample
KR100207460B1 (ko) * 1996-02-22 1999-07-15 윤종용 회전 다중 시료 호울더
KR19980031834A (ko) * 1996-10-31 1998-07-25 김광호 반도체 분석설비용 샘플 고정홀더
KR19990075531A (ko) * 1998-03-20 1999-10-15 윤종용 반도체소자 제조를 위한 분석장비의 샘플로더
KR100513426B1 (ko) * 1998-04-21 2005-11-30 삼성전자주식회사 반도체장치 분석설비의 샘플홀더
KR20010060137A (ko) * 1999-12-31 2001-07-06 박종섭 반도체 시료 검사장비의 일방향 회전구조
KR20010091614A (ko) * 2000-03-16 2001-10-23 신응수 초장축 시료운송장치

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