JP2003218668A

JP2003218668A - 有極型弾性表面波フィルタ

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Publication number: JP2003218668A
Application number: JP2002013353A
Authority: JP
Inventors: Kazushige Noguchi; 和繁野口; Satoshi Terada; 智寺田; Wataru Ohashi; 渉大橋; Tomokazu Komazaki; 友和駒崎
Original assignee: OKI TECHNOCOLLAGE Inc; Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: OKI TECHNOCOLLAGE Inc; Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2002-01-22
Filing date: 2002-01-22
Publication date: 2003-07-31
Anticipated expiration: 2022-01-22
Also published as: JP3913558B2

Abstract

(57)【要約】【課題】通過帯域の更なる低挿入損失化および通過帯域
の低域減衰域において高減衰量化された高性能ＳＡＷフ
ィルタを提供することにある。【解決手段】有極型ＳＡＷフィルタにおいて、ＳＡＷ共
振器を用いて梯子型ＳＡＷフィルタを構成するフィルタ
用２端子対回路１（１８０）と、インピーダンスの直列
接続からなるインピーダンス用２端子対回路２（１８
１）とから構成される有極型ＳＡＷフィルタにおいて、
通過帯域の低域側に十分な減衰特性を有する所定幅の減
衰帯域を形成するように前記インピーダンス用２端子対
回路２（１８１）のインピーダンスを構成すること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の小型
移動体通信機器において、弾性表面波（ＳＡＷ）共振器
を用いた梯子型構成の帯域通過形フィルタに関し、特
に、減衰帯域で高減衰量を有し、且つ通過帯域で低挿入
損を持つ有極型ＳＡＷフィルタに関する。

【０００２】

【従来技術】近年、小型で、軽量な携帯電話などの移動
体通信機器端末の開発が急速に進められてきている。こ
れに伴い、用いられる部品の小型化、高性能化が行われ
ている。これに対応してＳＡＷフィルタを用いたＲＦ
（ラジオ周波数帯）部品が開発され、用いられている。
特に、このＳＡＷフィルタはＲＦ部の小型化に大きく貢
献するデバイスのため、活発に開発が行われ、一部実用
化されている。

【０００３】移動体通信機器端末の性能向上のため、通
過帯域の更なる低挿入損失化及び減衰帯域の高減衰量化
された高性能ＳＡＷフィルタが要望されている。

【０００４】この高性能ＳＡＷフィルタは移動体通信機
器端末における信号の分岐、生成の入力、出力部に用い
られている。

【０００５】この高性能ＳＡＷフィルタを構成する、従
来の梯子型ＳＡＷフィルタは「ＳＡＷ共振器を用いた低
損失帯域フィルタ：佐藤他４名電子情報通信学会論文
誌Ａ．ｖｏｌ．Ｊ７６−Ａ、Ｎｏ．２、ｐｐ２４５−２
５２、１９９３」に示されている。

【０００６】また、高性能フィルタとして有極用インダ
クタンスＬ（３３０）を付加した、図１２に示されてい
る有極用フィルタが用いられている。

【０００７】図１２は従来の３個の直列腕Ｓ１（３１
０）、Ｓ２（３１１）、Ｓ３（３１２）および２個の並
列腕Ｐ１（３２０）、Ｐ２（３２１）からなる梯子型Ｓ
ＡＷフィルタの２端子対回路１（３８０）に、直列に有
極用インダクタンスＬ（３３０）を備えた２端子対回路
２（３８１）を接続した回路構成図である。

【０００８】図１２に示す有極型ＳＡＷフィルタは特開
平１０−１６３８０８号公報に示す如く、通過帯域の高
域側減衰帯域に、従来の梯子型ＳＡＷフィルタ特性に加
えて、有極用インダクタンスＬ（３３０）により、減衰
極を形成する。この減衰極により、通過帯域の高域側減
衰特性において、一応高減衰特性が得られるようになっ
ている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】最近の移動体通信機器
端末の性能向上のため、通過帯域において更なる低挿入
損失化および通過帯域の低域減衰域において高減衰量化
された高性能ＳＡＷフィルタが要望されている。この高
性能化ＳＡＷフィルタは従来のボンディングワイヤーを
用いて、検討されているがまだ満足する特性は得られて
いないのが現状である。

【００１０】従来の、携帯電話等の移動体通信端末機器
において、通信帯域の高域側減衰帯域において、一応高
減衰特性を持つ、有極型ＳＡＷフィルタは上記図１２に
示されている。

【００１１】このことから、高域側減衰帯域に形成する
減衰極が必要な場合は上記図１２の回路が用いられ、こ
の図１２の有極用インダクタンスＬ（３３０）には従来
のボンディングワイヤーが用いられていた。

【００１２】この例では、従来のボンディングワイヤー
をインダクタンスＬとして用いて、このＬ値により減衰
極周波数を変化させ、特性を変えて一応高減衰化してい
るが、しかし満足する特性はまだ得られていない。

【００１３】また、低域側減衰帯域に高減衰特性の要求
が課せられ、減衰極を形成する必要がある場合も従来の
ボンディングワイヤーが用いられている。これに対応す
る有極型ＳＡＷフィルタとしては梯子型ＳＡＷフィルタ
の並列腕の従来のボンディングワイヤーを用いて、通過
帯域の低域側減衰帯域の減衰極周波数を調整したフィル
ムが用いられていたがこの場合も要求される特性は満足
されていなかった。

【００１４】携帯電話等の移動体通信端末機器におい
て、通過帯域の低域側減衰帯域および高域側減衰帯域に
おいて高減衰特性を持つ、有極型ＳＡＷフィルタが求め
られている。これに対応する有極型ＳＡＷフィルタとし
ては、従来のボンディングワイヤーをインダクタンスと
して用いて、通過帯域の低域側減衰帯域において減衰極
周波数を形成し、この減衰極周波数を変えて、フィルタ
の特性を高減衰量化した有極型ＳＡＷフィルタが用いら
れていたが要求される特性は満足されなかった。

【００１５】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、通過
帯域の更なる低挿入損失化および通過帯域の低域減衰域
において高減衰量化された高性能ＳＡＷフィルタを提供
することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために下記の解決手段を採用する。（１）有極型弾性表面波フィルタにおいて、弾性表面波
共振器を用いて梯子型弾性表面波フィルタを構成するフ
ィルタ用２端子対回路と、インピーダンスの直列接続か
らなるインピーダンス用２端子対回路とから構成される
有極型弾性表面波フィルタにおいて、通過帯域の低域側
に十分な減衰特性を有する所定幅の減衰帯域を形成する
ように前記インピーダンス用２端子対回路のインピーダ
ンスを構成すること。（２）上記（１）記載の有極型弾性表面波フィルタにお
いて、前記インピーダンス用２端子対回路のインピーダ
ンスを抵抗とインダクタンスで構成すること。（３）上記（１）記載の有極型弾性表面波フィルタにお
いて、前記インピーダンス用２端子対回路のインピーダ
ンスをボンディングワイヤーのインピーダンスで構成す
ること。（４）弾性表面波共振器を用いて梯子型弾性表面波フィ
ルタを構成するフィルタ用２端子対回路と、インピーダ
ンスの直列接続からなるインピーダンス用２端子対回路
とから構成される有極型弾性表面波フィルタにおいて、
通過帯域の低域側に十分な減衰特性を有する所定幅の減
衰帯域を形成するように前記インピーダンス用２端子対
回路を３個のインピーダンスからなるπ形回路により構
成すること。（５）上記（４）記載の有極型弾性表面波フィルタにお
いて、前記インピーダンス用２端子対回路の３個のイン
ピーダンスとしてボンディングワイヤーを用いること。（６）上記（２）記載の有極型弾性表面波フィルタにお
いて、前記インピーダンス用２端子対回路のインピーダ
ンスとして電極３個を用いた２個のボンディングワイヤ
ーを用いたこと。（７）上記（２）記載の有極型弾性表面波フィルタにお
いて、前記インピーダンス用２端子対回路のインピーダ
ンスに電極３個を用いた２個のボンディングワイヤーを
用い、１つのボンディングワイヤーに並列にキャパシタ
ンスを接続したこと。（８）上記（１）ないし（７）のいずれか１項記載の有
極型弾性表面波フィルタにおいて、前記インピーダンス
のうち、インダクタンスを１（ｎＨ）に略一定とし、抵
抗を０．２０（Ω）ないし１．２０（Ω）の範囲の任意
の値としたこと。（９）上記（１）ないし（７）のいずれか１項記載の有
極型弾性表面波フィルタにおいて、前記インピーダンス
のうち、インダクタンスを０．５（ｎＨ）に略一定と
し、抵抗を０．１０（Ω）ないし０．６０（Ω）の範囲
の任意の値としたこと。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図に基づい
て詳細に説明する。

【００１８】（第１実施例）図１は本発明の第１実施例
の回路構成を示す図である。

【００１９】第１実施例は、図１に点線で示すように、
２段π形梯子型ＳＡＷフィルタからなるフィルタ用２端
子対回路１（１８０）に、抵抗Ｒ₁₁とインダクタンスＸ
₁₁の直列接続有極用インピーダンスＺ₁₁（１４０）を用
いた２端子対回路２（１８１）を直列に接続して構成す
る。

【００２０】即ち、入力端ＩＮ（１０３）と出力端ＯＵ
Ｔ（１０４）との間に直列腕Ｓ１（１１０）を直列接続
し、該直列腕Ｓ１（１１０）の両端にそれぞれ並列腕Ｐ
１（１２０）、Ｐ２（１２１）を並列に接続して構成し
て２段π形梯子型ＳＡＷフィルタとする。

【００２１】インピーダンス用２端子対回路２（１８
１）は有極用インピーダンスＺ₁₁（１４０）からなる。
インピーダンスＺ₁₁（１４０）はＲ₁₁＋ｊＸ₁₁で構成さ
れる。

【００２２】インピーダンス用２端子対回路２（１８
１）は低域側減衰帯域の極周波数を有極用インピーダン
スＺ₁₁の実数部Ｒ₁₁と虚数部Ｘ₁₁で変化可能に構成して
いることが本発明の特徴である。

【００２３】図２は本発明の第１実施例を説明するため
の図１の集中定数等価回路を示す図である。

【００２４】図３は本発明の第１実施例の特性と構成素
子の関係を示す為の図２の二等分回路の集中定数等価回
路を示す図である。

【００２５】図２の集中定数等価回路は、インピーダン
ス２ＺＳ₁₁の直列腕Ｓ１（４１０）、それぞれインピー
ダンスＺＦ₁の並列腕Ｐ１（４２０）およびＰ２（４２
１）からなるπ型フィルタの２端子対回路に、直列に、
２Ｒ₁₁＋ｊ２Ｘ₁₁のインピーダンスＺ₁₁（４４０）から
なる２端子対回路を接続して構成する。

【００２６】図３の二等分等価回路は、入力端ＩＮ（５
６０）と先端Ｍ２（５７０）の間に直列腕ＺＳ₁₁（５１
０）を接続し、入力端ＩＮ（５６０）と入力端Ｅ１（５
６１）との間にインピーダンスＺＦ₁の並列腕（５２
０）とＲ₁₁＋ｊＸ₁₁のインピーダンス５４０）とを直列
に接続し、前記並列腕ＺＦ₁（５２０）とインピーダン
スＺ₁₁（５４０）との接続点を先端Ｍ３（５７２）に接
続している。

【００２７】図３において、先端Ｍ２（５７０）、先端
Ｍ３（５７２）および先端Ｅ２（５７１）を開放した場
合の入力インピーダンスをＺ₁、先端Ｍ２（５７０）、先
端Ｍ３（５７２）および先端Ｅ２（５７１）を短絡した
場合の入力インピーダンスをＺ₂とするとＺ₁、Ｚ₂はそ
れぞれ式（１）、式（２）で与えられる。

【００２８】

【式１】

【００２９】図４は、本発明の第１実施例の格子型等価
回路である。

【００３０】第１実施例の特性はＺ₁、Ｚ₂を用いて、図
１の回路を図４の格子型回路へ等価回路変換することに
より評価できる。この場合のＦマトリクス（４端子行列
〔Ｆ〕）は式（３）で与えられる。

【００３１】

【式２】

【００３２】従って、動作伝送係数Ｓは式（３）からＳ
＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）／２であるから、式（４）を用い
て評価される。

【００３３】

【式３】

【００３４】減衰特性α（ω）は式（５）で与えられ
る。

【００３５】

【式４】

【００３６】式（４）、式（５）から、減衰特性α
（ω）の減衰極周波数は次の場合となる。

【００３７】従来の梯子型ＳＡＷフィルタの場合、イン
ピーダンス（Ｚ₂）および（Ｚ₁）が無限大およびゼロの
条件で、減衰極が形成されることが知られている。

【００３８】本発明は上記の条件に加えて、Ｚ₂＝Ｚ₁の
場合も減衰極周波数が形成されることが特徴であり、し
かも有極用インピーダンスＺ₁₁（１４０）が実数部と虚
数部を持っていることである。

【００３９】これに対し、従来のボンディングワイヤー
はインダクタンスのみで虚数部のみの場合となる。即
ち、本発明は実数部でも減衰特性を変えることが可能と
なることである。

【００４０】以下、Ｃｄｍａ−ＯＮＥ用ＳＡＷフィルタ
を例にとり、本発明の有用性を説明する。

【００４１】表１には図１を構成する各直列腕、並列腕
の共振器の構成を示す。

【００４２】

【表１】

【００４３】表２に本発明の有用性を示す。

【００４４】

【表２】

【００４５】従来、高減衰量特性を得る手法として、上
記公知文献に示した如く有極用インダクタンスＬとして
ボンディングワイヤーを用いて、減衰帯域に減衰極を形
成して対応していた。

【００４６】即ち、抵抗値が無視できてインダクタンス
のみがインピーダンスとして作用する従来のボンディン
グワイヤーを用いて減衰帯域に減衰極を形成していた。

【００４７】これに対し、本発明は、表２に示す如く、
前記従来のボンディングワイヤーのインピーダンスに加
え、少なくとも抵抗成分を増加増加することにより、通
過帯域の特性は不変で、減衰極周波数および減衰特性を
変えることを可能として、高減衰特性を得るようにした
ものである。

【００４８】本発明のボンディングワイヤーは、前記従
来のボンディングワイヤーのインピーダンスに加え、少
なくとも抵抗成分を増加した線としたものである。これ
らインピーダンスの設定は下記で説明する関係に設定す
る。

【００４９】まず、本発明のボンディングワイヤーを以
下図６〜図９に基づいて説明する。

【００５０】図６は本発明の有極用インピーダンス例１
の構成図である。

【００５１】図７は本発明の有極用インピーダンス例１
の等価回路を示す図である。

【００５２】図８は本発明の有極用インピーダンス例２
の構成図である。

【００５３】図９は本発明の有極用インピーダンス例２
の等価回路を示す図である。

【００５４】図６は本発明のボンディングワイヤーを用
いた線有極用インピーダンスの実施例である。本発明の
ボンディングワイヤーを接続線１０２として、圧電基板
１００側電極１とパッケージ１０１側電極２を接続す
る。

【００５５】図７は、図６の等価回路を表し、圧電基板
１００側電極１と接続する電極１１２（１１０）と、パ
ッケージ１０１側電極２と接続する電極１１３（１１
１）とを、抵抗Ｒ₁₁とインダクタンスＬ₁₁との直列回路
で接続する等価回路となる。即ち、本発明のボンディン
グワイヤーからなる接続線１０２のインピーダンスがＲ
₁₁＋ｊωＬ₁₁となることを表している。

【００５６】また、インピーダンスの無効成分を調節で
きるようにした実施例を図８に示す。本発明のボンディ
ングワイヤーを接続線（１）１２６および接続線（２）
１２７として、圧電基板１２０側電極（１）とパッケー
ジ１２１側電極（２）とパッケージ１２２側電極（３）
を接続する。さらに、無効成分調整用に、パッケージ１
２１側電極（２）とパッケージ１２２側電極（３）の間
に、本発明のボンディングワイヤーと関係ない通常の抵
抗値が無視できる接続線（Ｃ１）１２４および接続線
（Ｃ２）１２５を介して、キャパシタンス用基板１２３
を接続する。

【００５７】図９は、図８の等価回路を表し、圧電基板
１２０側電極１と接続する電極１３３（１３０）と、パ
ッケージ１２１側電極２と接続する電極１３４（１３
１）とを、抵抗Ｒ₁₁とインダクタンスＬ ₁₁との直列回路
で接続する等価回路とし、パッケージ１２１側電極２と
接続する電極１３４（１３１）と、パッケージ１２２側
電極３と接続する電極１３５（１３２）とを、抵抗Ｒ₁₂
とインダクタンスＬ₁₂との直列回路で接続する等価回路
とし、同じく、パッケージ１２１側電極２と接続する電
極１３４（１３１）と、パッケージ１２２側電極３と接
続する電極１３５（１３２）とを、通常の抵抗値が無視
できる接続線を介してキャパシタンスＣ₁₂を接続する等
価回路となる。即ち、電極１３３（１３０）と電極１３
４（１３１）の間をＲ₁₁＋ｊωＬ₁₁の回路で接続し、電
極１３４（１３１）と電極１３５（１３２）の間を、Ｒ
₁₂＋ｊωＬ₁₂の回路と１／ｊωＣ₁₂の回路とでそれぞれ
接続する等価回路となる。

【００５８】以上図６〜図９を用いて説明したようにし
て本発明の有極用インピーダンスが構成される。

【００５９】表２の１−１は、有極インピーダンスＺ₁₁
が、インダクタンスＬ≒１（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒ
をパラメータとしたときの通過帯域の低域側減衰帯域の
減衰値が１９．０（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ
ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ
特性値を表す。

【００６０】表２の１−２は、有極インピーダンスＺ₁₁
が、インダクタンスＬ≒０．５（ｎＨ）に略一定で、抵
抗Ｒをパラメータとしたときの通過帯域の低域側減衰帯
域の減衰値が２４．０（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏ
ｎｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタ
のＱ特性値を表す。

【００６１】図１１は本発明のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ
ｗｉｄｔｈを説明する図である。

【００６２】なお、上記「Ａｔｔｅｎｎａｔｉｏｎｗ
ｉｄｔｈ」は、図１１に示すように、通過帯域の低域側
減衰帯域の減衰値が所定値以下で連続する間隔をいう。
「所定値」は通過帯域の減衰値に対し低域側減衰帯域の
減衰値が実行上十分に減衰する値をいう。現状、傾向と
しては狭い範囲で大きく減衰する特性ではなく前記Ａｔ
ｔｅｎｎａｔｉｏｎｗｉｄｔｈが十分に採れる特性に
なる。

【００６３】（第１実施例の抵抗の範囲）通過帯域の低
域側減衰帯域の減衰値およびＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ
ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値は、実行レベルでの十分な値
を設定する。そのとき条件を確実にクリアする好ましい
抵抗値範囲は以下のようになる。

【００６４】・Ｌ≒１（ｎＨ）の場合の抵抗の範囲は
０．２０（Ω）〜１．２０（Ω）。

【００６５】・Ｌ≒０．５（ｎＨ）の場合の抵抗の範囲
は０．１０（Ω）〜０．６０（Ω）。

【００６６】（第１実施例の効果）以上説明したよう
に、第１実施例は、通過帯域の低域側減衰帯域におい
て、高減衰量特性を有する。

【００６７】通過帯域の低域側減衰帯域において、減衰
帯域内に減衰極を設けて、高減衰特性を実現するために
従来から有極用インダクタンスＬとしてボンディングワ
イヤーを用いて対応していたが、満足する特性は得られ
なかった。

【００６８】これに対して、本発明の第１実施例は、上
記従来の梯子型ＳＡＷフィルタの特性に比較して、極周
波数を形成する２端子対回路に実数部を有するインピー
ダンスを用いて、ボンディングワイヤー等のインピーダ
ンスと共に抵抗成分の実数部により、高減衰特性を得る
ことにより、必要な特性を得ることができる。

【００６９】（第２実施例）図５は本発明の第２実施例
の構成図である。

【００７０】この第２実施例においては、フィルタ用２
端子対回路１（１８０）は前記第１実施例と同じ回路構
成の２段π形梯子型ＳＡＷフィルタで構成し、インピー
ダンス用２端子対回路２（１８１）は３個のインピーダ
ンスを用いたπ形回路で構成する。この３個の各インピ
ーダンスＺ₂₁（２４１）、Ｚ₂₂（２４２）、Ｚ₂₃（２４
３）はそれぞれ抵抗ＲとインダクタンスＸで構成されて
いる。

【００７１】即ち、フィルタ用２端子対回路１（１８
０）は、１個の直列腕Ｓ１（２１０）、２個の並列腕Ｐ
１（２２０）、Ｐ２（２２１）でπ型回路を構成してい
る。

【００７２】インピーダンス用２端子対回路２（１８
１）は、Ｒ₁＋ｊＸ₁の有極用インピーダンスＺ₂₁（２４
１）、Ｒ₂＋ｊＸ₂の有極用インピーダンスＺ₂₂（２４
２）、およびＲ₃＋ｊＸ₃の有極用インピーダンスＺ
₂₃（２４３）で、π型回路を構成している。

【００７３】低域側減衰帯域の極周波数が有極用インピ
ーダンスＺ₂₁、Ｚ₂₂およびＺ₂₃の実数部Ｒと虚数部Ｘに
より、高減衰特性を得ることが本発明の特徴である。

【００７４】図５の第２実施例の各共振器の構成は第１
実施例と同じ構成となる。表３に示す。

【００７５】

【表３】

【００７６】下記式（８）のＺ₁、Ｚ₂は下記式（６）、
式（７）で与えられる。

【００７７】

【式５】

【００７８】従って、動作伝送係数Ｓは式（６）から式
（７）を用いて評価される。

【００７９】

【式６】

【００８０】第２実施例の減衰特性は式（６）、式
（７）を式（８）に入れて求められる。即ち、第１実施
例との相違点は、２端子対回路２にπ型回路構成を用い
たことにより、式（６）、式（７）から、式（８）に入
れて求められる。これにより極周波数は式（８）の分母
がゼロになる周波数となり、従来のものと異なり、減衰
特性が高減衰特性になる。

【００８１】以下、Ｃｄｍａ−ＯＮＥ用フィルタの周波
数帯域を例にとり、表４を参照して本発明の有用性を説
明する。表４には図５を構成する各直列腕、並列腕の共
振器を示す。

【００８２】表４の２−１の上段は、有極インピーダン
スＺ₂₁、Ｚ₂₂およびＺ₂₃が、インダクタンスＬ１〜Ｌ３
≒０．５（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとし
たときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が１５．５
（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎｗｉｄｔｈ（ＭＨ
ｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。

【００８３】表４の２−１の下段は、有極インピーダン
スＺ₂₁、Ｚ₂₂およびＺ₂₃が、インダクタンスＬ１および
Ｌ３≒０．５（ｎＨ）に略一定、インダクタンスＬ２≒
０．２（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとした
ときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が２２．０
（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎｗｉｄｔｈ（ＭＨ
ｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。

【００８４】表４の２−２の上段は、有極インピーダン
スＺ₂₁、Ｚ₂₂およびＺ₂₃が、インダクタンスＬ１〜Ｌ３
≒１．０（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとし
たときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が１５．５
（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎｗｉｄｔｈ（ＭＨ
ｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。

【００８５】表４の２−２の中段は、有極インピーダン
スＺ₂₁、Ｚ₂₂およびＺ₂₃が、インダクタンスＬ１および
Ｌ３≒１．０（ｎＨ）に略一定、インダクタンスＬ２≒
０．２（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとした
ときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が２４．１
（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎｗｉｄｔｈ（ＭＨ
ｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。

【００８６】表４の２−２の下段は、有極インピーダン
スＺ_２１、Ｚ_２２およびＺ_２３が、インダクタンスＬ１
およびＬ３≒１．０（ｎＨ）に略一定、インダクタンス
Ｌ２≒０．５（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータ
としたときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が１
７．２（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎｗｉｄｔｈ
（ＭＨｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表
す。

【表４】

【００８７】（第２実施例の抵抗の範囲）通過帯域の低
域側減衰帯域の減衰値およびＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ
ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値は、実行レベルでの十分な値
を設定する。そのとき条件を確実にクリアする好ましい
抵抗値範囲は以下のようになる。

【００８８】・Ｌ≒１（ｎＨ）の場合の抵抗の範囲は
０．２０（Ω）〜１．２０（Ω）。

【００８９】・Ｌ≒０．５（ｎＨ）の場合の抵抗の範囲
は０．１０（Ω）〜０．６０（Ω）。

【００９０】従来、高減衰量特性を得る手法として、上
記先行文献に示されるように有極用インダクタンスＬと
してボンディングワイヤーを用いて、減衰帯域に減衰極
を形成して対応していた。

【００９１】本発明の第２実施例は、ボンディングワイ
ヤーに加えて、抵抗成分を用いることにより、通過帯域
の特性は不変で、減衰極周波数および減衰特性を変える
ことが可能になり、高減衰特性が得られる。特に、減衰
特性の改善は著しく、２０（ｄＢ）帯域幅を広帯域化す
ることができる。

【００９２】（有機型ＳＡＷフィルタの減衰量幅と抵抗
の関係）図１０は、本発明の表２および表４の特性をま
とめたグラフである。

【００９３】特性曲線は、前記表２の１−１を表す。

【００９４】特性曲線は、前記表２の１−２を表す。

【００９５】特性曲線は、前記表４の２−１・上段を
表す。

【００９６】特性曲線は、前記表４の２−２・下段を
表す。

【００９７】特性曲線は、前記表４の２−２・上段を
表す。

【００９８】特性曲線は、前記表４の２−２・中段を
表す。

【００９９】特性曲線は、前記表４の２−２・下段を
表す。

【０１００】上記それぞれの特性曲線の点ａ、ａ’、
ｂ、ｂ’、ｃ、ｃ’、ｄ、ｄ’、ｅ、ｅ’、ｆ、ｆ’、
ｇ、ｇ’は、前記通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が
所定値以下で連続する間隔をいうときの「所定値」を意
味し、上記好ましい範囲を含む有効範囲を意味する。

【０１０１】有極インダクタンスＬ≒０．５（ｎＨ）の
場合、抵抗範囲は０．１（Ω）〜０．６（Ω）が良品の
条件となる。

【０１０２】有極インダクタンスＬ≒１．０（ｎＨ）の
場合、抵抗範囲は０．１（Ω）〜１．２（Ω）が良品の
条件となる。

【０１０３】有極インピーダンスは、インダクタンスＬ
の値が増加するに応じて、抵抗範囲が広くなる傾向を有
する。

【０１０４】これらの特性曲線に基づいてインダクタン
スと抵抗の関係を選択することができる。

【０１０５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、通過帯
域の低域側減衰帯域において、高減衰量特性を有する。

【０１０６】本発明は、従来の梯子型ＳＡＷフィルタの
特性に比較して、極周波数を形成する２端子対用回路に
実数部を有するインピーダンスを用いて、ボンディング
ワイヤー等のインピーダンスと共に抵抗成分の実数部に
より、高減衰特性を得ることにより、必要な特性を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の回路構成を示す図であ
る。

【図２】本発明の第１実施例を説明するための図１の集
中定数等価回路を示す図である。

【図３】本発明の第１実施例の特性と構成素子の関係を
示す為の図２の二等分回路の集中定数等価回路を示す図
である。

【図４】本発明の第１実施例の格子型等価回路である。

【図５】本発明の第２実施例の構成図である。

【図６】本発明の有極用インピーダンス例１の構成図で
ある。

【図７】本発明の有極用インピーダンス例１の等価回路
を示す図である。

【図８】本発明の有極用インピーダンス例２の構成図で
ある。

【図９】本発明の有極用インピーダンス例２の等価回路
を示す図路である。

【図１０】本発明の表２および表４の特性をまとめたグ
ラフである。

【図１１】本発明の「Ａｔｔｅｎｎａｔｉｏｎｗｉｄ
ｔｈ」を説明する図である。

【図１２】従来の３個の直列腕Ｓ１（３１０）、Ｓ２
（３１１）、Ｓ３（３１２）および２個の並列腕Ｐ１
（３２０）、Ｐ２（３２１）からなる梯子型ＳＡＷフィ
ルタの２端子対回路１（３８０）に、直列に有極用イン
ダクタンスＬ（３３０）を備えた２端子対回路２（３８
１）を接続した回路構成図である。

【符号の説明】

Ｓ１（１１０）、Ｓ１（２１０）、Ｓ１（４１０）、Ｓ
１（５１０）直列腕Ｐ１（１２０）、Ｐ２（１２
１）、Ｐ１（４２０）、Ｐ２（４２１）、Ｐ１（５２
０）、Ｐ１（２２０）、Ｐ２（２２１）並列腕Ｚ₁₁（１４０）、Ｚ₂₁（２４１）、Ｚ₂₂（２４２）、Ｚ
₂₃（２４３）、Ｚ₁₁（４４０）、Ｚ₁₁（５４０）
有極用インピーダンスＺＳ₁₁（５１０）、ＺＦ₁（５２０）、ＺＦ₁（４２
０）、ＺＦ₁（４２１）、Ｚ_I _N（５００）、Ｚ₁（６１
０）、Ｚ₂（６２０）インピーダンスＣ₁₂ キャパシタンスＬ₁₁、Ｌ₁₂、Ｘ₁₁、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃ インダクタンスＲ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃ 抵抗１１２、１１３、１３３、１３４、１３５電極１圧電基板側電極２、３パッケージ側電極１００、１２０圧電基板１０１、１２１、１２２パッケージ１０２、１２４、１２５、１２６、１２７接続線１０３、５６０入力端ＩＮ１０４出力端ＯＵＴ１２３キャパシタンス用基板１８０フィルタ用２端子対回路１１８１インピーダンス用２端子対回路２５６１入力端Ｅ１５７０先端Ｍ２５７１先端Ｅ２５７２先端Ｍ３

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者寺田智東京都港区虎ノ門１丁目７番12号沖電気工業株式会社内 (72)発明者大橋渉東京都港区虎ノ門１丁目７番12号沖電気工業株式会社内 (72)発明者駒崎友和東京都八王子市三崎町４番８号株式会社テクノコラージュ内Ｆターム(参考） 5J097 AA16 BB02 BB11 CC02 CC05 KK04 KK08 LL01 LL03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】弾性表面波共振器を用いて梯子型弾性表面
波フィルタを構成するフィルタ用２端子対回路と、イン
ピーダンスの直列接続からなるインピーダンス用２端子
対回路とから構成される有極型弾性表面波フィルタにお
いて、通過帯域の低域側に十分な減衰特性を有する所定
幅の減衰帯域を形成するように前記インピーダンス用２
端子対回路のインピーダンスを構成することを特徴とす
る有極型弾性表面波フィルタ。
【請求項２】請求項１記載の有極型弾性表面波フィルタ
において、前記インピーダンス用２端子対回路のインピ
ーダンスを抵抗とインダクタンスで構成することを特徴
とする有極型弾性表面波フィルタ。
【請求項３】請求項１記載の有極型弾性表面波フィルタ
において、前記インピーダンス用２端子対回路のインピ
ーダンスをボンディングワイヤーのインピーダンスで構
成することを特徴とする有極型弾性表面波フィルタ。
【請求項４】弾性表面波共振器を用いて梯子型弾性表面
波フィルタを構成するフィルタ用２端子対回路と、イン
ピーダンスの直列接続からなるインピーダンス用２端子
対回路とから構成される有極型弾性表面波フィルタにお
いて、通過帯域の低域側に十分な減衰特性を有する所定
幅の減衰帯域を形成するように前記インピーダンス用２
端子対回路を３個のインピーダンスからなるπ形回路に
より構成することを特徴とする有極型弾性表面波フィル
タ。
【請求項５】請求項４記載の有極型弾性表面波フィルタ
において、前記インピーダンス用２端子対回路の３個の
インピーダンスとしてボンディングワイヤーを用いるこ
とを特徴とする有極型弾性表面波フィルタ。
【請求項６】請求項２記載の有極型弾性表面波フィルタ
において、前記インピーダンス用２端子対回路のインピ
ーダンスとして電極３個を用いた２個のボンディングワ
イヤーを用いたことを特徴とする有極型弾性表面波フィ
ルタ。
【請求項７】請求項２記載の有極型弾性表面波フィルタ
において、前記インピーダンス用２端子対回路のインピ
ーダンスに電極３個を用いた２個のボンディングワイヤ
ーを用い、１つのボンディングワイヤーに並列にキャパ
シタンスを接続したことを特徴とする有極型弾性表面波
フィルタ。
【請求項８】請求項１ないし７のいずれか１項記載の有
極型弾性表面波フィルタにおいて、前記インピーダンス
のうち、インダクタンスを１ｎＨに略一定とし、抵抗を
０．２０Ωないし１．２０Ωの範囲の任意の値としたこ
とを特徴とする有極型弾性表面波フィルタ。
【請求項９】請求項１ないし７のいずれか１項記載の有
極型弾性表面波フィルタにおいて、前記インピーダンス
のうち、インダクタンスを０．５ｎＨに略一定とし、抵
抗を０．１０Ωないし０．６０Ωの範囲の任意の値とし
たことを特徴とする有極型弾性表面波フィルタ。