JP2001244704A - 薄膜共振器フィルタおよびその帯域幅を広げる方法 - Google Patents
薄膜共振器フィルタおよびその帯域幅を広げる方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
-
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振極−ゼロ分離を増大させて、ＴＦＲフィ
ルタの全帯域幅を改善することが可能なＴＦＲフィルタ
を提供すること。 【解決手段】 このＴＦＲフィルタおよびその帯域幅を
広げる方法は、フィルタの複数のＴＦＲコンポーネント
（２１０，２２０，２３０）のうちの少なくとも１つと
共にインダクタンス（２４０，２４５，２５０）を使用
する。ＴＦＲフィルタは、典型的には、交互の直列ブラ
ンチ／並列ブランチで構成された複数のＴＦＲコンポー
ネントを含む。インダクタエレメントは、フィルタの少
なくとも１つのＴＦＲコンポーネントと直列および／ま
たは並列に設けられ得る。この方法は、全体的帯域幅を
改善するように、フィルタの許容可能なリターンロス性
能を維持する一方で、直列ブランチおよび／または並列
ブランチＴＦＲコンポーネントの極−ゼロ分離を増大さ
せる能力を提供する。
ルタの全帯域幅を改善することが可能なＴＦＲフィルタ
を提供すること。 【解決手段】 このＴＦＲフィルタおよびその帯域幅を
広げる方法は、フィルタの複数のＴＦＲコンポーネント
（２１０，２２０，２３０）のうちの少なくとも１つと
共にインダクタンス（２４０，２４５，２５０）を使用
する。ＴＦＲフィルタは、典型的には、交互の直列ブラ
ンチ／並列ブランチで構成された複数のＴＦＲコンポー
ネントを含む。インダクタエレメントは、フィルタの少
なくとも１つのＴＦＲコンポーネントと直列および／ま
たは並列に設けられ得る。この方法は、全体的帯域幅を
改善するように、フィルタの許容可能なリターンロス性
能を維持する一方で、直列ブランチおよび／または並列
ブランチＴＦＲコンポーネントの極−ゼロ分離を増大さ
せる能力を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜共振器（ＴＦ
Ｒ）フィルタに係り、特に、ＴＦＲフィルタの帯域幅を
広げることに関する。
Ｒ）フィルタに係り、特に、ＴＦＲフィルタの帯域幅を
広げることに関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜共振器（以下、「ＴＦＲ」）は、典
型的に、数百メガヘルツ（ＭＨｚ）から数ギガヘルツ
（ＧＨｚ）の範囲の高周波環境において使用される。Ｔ
ＦＲコンポーネントは、典型的には、２つの導電性電極
間に挟まれたピエゾ電気材料を含む。電極の一方は、薄
膜のようなサポート構造上、または例えばシリコンまた
は水晶でできた半導体基板上に形成された複数の交互の
反射層上に形成され、または別のサポート構造上に形成
される。ピエゾ電気材料は、好ましくは、少なくともＺ
ｎＯ，ＣｄＳおよびＡｌＮを含むグループから選択され
た１つである。電極は、導電性材料、好ましくはＡｌか
ら形成されるが、他の導体からも形成され得る。
型的に、数百メガヘルツ（ＭＨｚ）から数ギガヘルツ
（ＧＨｚ）の範囲の高周波環境において使用される。Ｔ
ＦＲコンポーネントは、典型的には、２つの導電性電極
間に挟まれたピエゾ電気材料を含む。電極の一方は、薄
膜のようなサポート構造上、または例えばシリコンまた
は水晶でできた半導体基板上に形成された複数の交互の
反射層上に形成され、または別のサポート構造上に形成
される。ピエゾ電気材料は、好ましくは、少なくともＺ
ｎＯ，ＣｄＳおよびＡｌＮを含むグループから選択され
た１つである。電極は、導電性材料、好ましくはＡｌか
ら形成されるが、他の導体からも形成され得る。
【０００３】ＴＦＲコンポーネントは、しばしば、フィ
ルタにおいて使用され、特に、無数の通信技術に適用可
能なＴＦＲフィルタ回路において使用される。例えば、
ＴＦＲフィルタ回路は、セルラ、ワイヤレスおよびファ
イバオプティクス通信、並びにコンピュータまたはコン
ピュータ関連情報交換または情報共有システムにおいて
使用され得る。
ルタにおいて使用され、特に、無数の通信技術に適用可
能なＴＦＲフィルタ回路において使用される。例えば、
ＴＦＲフィルタ回路は、セルラ、ワイヤレスおよびファ
イバオプティクス通信、並びにコンピュータまたはコン
ピュータ関連情報交換または情報共有システムにおいて
使用され得る。
【０００４】これらのますます複雑になる通信システム
をポータブルにしかつハンドヘルドにさえする要求は、
特にますます混雑する無線周波数資源との関連で、フィ
ルタリング技術に大きな需要を生じる。ＴＦＲフィルタ
は、（ａ）非常に頑丈であること、（ｂ）容易に大量生
産できること、および（ｃ）ギガヘルツ領域に延びる周
波数範囲において性能対寸法比を急速に増大させること
ができることを含む厳しい性能要求を満たさなければな
らない。
をポータブルにしかつハンドヘルドにさえする要求は、
特にますます混雑する無線周波数資源との関連で、フィ
ルタリング技術に大きな需要を生じる。ＴＦＲフィルタ
は、（ａ）非常に頑丈であること、（ｂ）容易に大量生
産できること、および（ｃ）ギガヘルツ領域に延びる周
波数範囲において性能対寸法比を急速に増大させること
ができることを含む厳しい性能要求を満たさなければな
らない。
【０００５】しかし、これらの要求を満たすことに加え
て、比較的大きなストップバンド減衰に対する必要と同
時に、低いパスバンド挿入損失に対する必要性がある。
また、これらのＴＦＲフィルタ対する上述した典型的な
用途のうちのいくつかは、中心周波数の４％までのパス
バンド幅（例えば、２ＧＨｚ中心周波数に対して、これ
は約８０ＭＨｚの帯域幅となる）を必要とする。これ
は、特に、固体で取り付けられた共振器において、Ａｌ
Ｎのような一般のピエゾ電気素子を使用して容易に達成
できない。
て、比較的大きなストップバンド減衰に対する必要と同
時に、低いパスバンド挿入損失に対する必要性がある。
また、これらのＴＦＲフィルタ対する上述した典型的な
用途のうちのいくつかは、中心周波数の４％までのパス
バンド幅（例えば、２ＧＨｚ中心周波数に対して、これ
は約８０ＭＨｚの帯域幅となる）を必要とする。これ
は、特に、固体で取り付けられた共振器において、Ａｌ
Ｎのような一般のピエゾ電気素子を使用して容易に達成
できない。
【０００６】これらのＴＦＲコンポーネントのための従
来の電気回路モデルが、図１に示されている。回路モデ
ルは、Butterworth-Van Dykeモデル（ＢＶＤ）であり、
図１に示されているように、入力端子１０と出力端子２
０との間にＴＦＲのモーショナル（アコースティック）
共振を示す直列ＲＬＣラインを含む。直列ＲＬＣライン
は、ＴＦＲコンポーネントの電極の平行平板キャパシタ
ンス（スタティックキャパシタンス）を表すキャパシタ
Ｃ0 と並列になっている。
来の電気回路モデルが、図１に示されている。回路モデ
ルは、Butterworth-Van Dykeモデル（ＢＶＤ）であり、
図１に示されているように、入力端子１０と出力端子２
０との間にＴＦＲのモーショナル（アコースティック）
共振を示す直列ＲＬＣラインを含む。直列ＲＬＣライン
は、ＴＦＲコンポーネントの電極の平行平板キャパシタ
ンス（スタティックキャパシタンス）を表すキャパシタ
Ｃ0 と並列になっている。
【０００７】図１に示されたＢＶＤモデルのインピーダ
ンス分析で、２つの共振周波数のセットを得る。ゼロ共
振周波数（“zero”）およびその後の極共振周波数
（“pole”）である。ＴＦＲコンポーネントのゼロおよ
び極共振周波数が、図２に示されている。共振ゼロ周波
数“ｆzero”は、図１中の回路の直列ＲＬＣが短絡され
たときの周波数である。
ンス分析で、２つの共振周波数のセットを得る。ゼロ共
振周波数（“zero”）およびその後の極共振周波数
（“pole”）である。ＴＦＲコンポーネントのゼロおよ
び極共振周波数が、図２に示されている。共振ゼロ周波
数“ｆzero”は、図１中の回路の直列ＲＬＣが短絡され
たときの周波数である。
【数１】 共振極周波数“ｆpole”は、回路全体が開放回路として
働くときの周波数であり、次式で定義される。
働くときの周波数であり、次式で定義される。
【数２】 ここで、ＣT＝１／ｂ、およびｂ＝１／Ｃ＋１／Ｃ0であ
る。
る。
【０００８】ＣT ＜Ｃであるので、ｆpoleは、ｆzeroよ
りも僅かに大きい。これは、図２において、インピーダ
ンス（Ｚ）対周波数（ｆ）としてグラフ的に示されてい
る。ここで、ｆpoleとｆzeroとの間の僅かな広がりがあ
ることが分かる。この広がり、即ち周波数距離（Δｆ）
は、例えば、ＡｌＮを固体取り付けされた基板上の反射
層との組合せでピエゾ電気素子として使用する場合、ｆ
pole＝２．０ＧＨｚに対して約４０ＭＨｚであり、即
ち、共振極周波数の約２％である。
りも僅かに大きい。これは、図２において、インピーダ
ンス（Ｚ）対周波数（ｆ）としてグラフ的に示されてい
る。ここで、ｆpoleとｆzeroとの間の僅かな広がりがあ
ることが分かる。この広がり、即ち周波数距離（Δｆ）
は、例えば、ＡｌＮを固体取り付けされた基板上の反射
層との組合せでピエゾ電気素子として使用する場合、ｆ
pole＝２．０ＧＨｚに対して約４０ＭＨｚであり、即
ち、共振極周波数の約２％である。
【０００９】ゼロと極との間の間隔は、Ｋ2 として知ら
れているピエゾ電気音響結合係数に依存する。この係数
は、音響エネルギがどのくらい電気的に結合されている
かの尺度であり、ＴＦＲに使用されているピエゾ電気材
料で変化する。したがって、Δｆは、ＢＶＤモデルにお
いて設計パラメータではなく、ＴＦＲコンポーネントの
ピエゾ電気材料に依存する。即ち、Ｋ2 のサイズは、極
共振およびゼロ共振間の間隔の量に直接的に関連する。
れているピエゾ電気音響結合係数に依存する。この係数
は、音響エネルギがどのくらい電気的に結合されている
かの尺度であり、ＴＦＲに使用されているピエゾ電気材
料で変化する。したがって、Δｆは、ＢＶＤモデルにお
いて設計パラメータではなく、ＴＦＲコンポーネントの
ピエゾ電気材料に依存する。即ち、Ｋ2 のサイズは、極
共振およびゼロ共振間の間隔の量に直接的に関連する。
【００１０】共振器からフィルタを設計する標準的アプ
ローチは、交互に直列・並列（series-shunt）関係（即
ち、２つの「直列」共振器間の端子において並列に接続
された「並列」共振器）の「Ｔ−Ｃｅｌｌ」構成にそれ
らを配置することである。並列および直列共振器の各々
は、極共振およびゼロ共振を有する。バンドパスフィル
タ応答を得るために、直列ＴＦＲコンポーネントのゼロ
周波数と合わせるために、並列ＴＦＲコンポーネントの
極周波数を周波数においてシフトダウンすることが一般
的である。直列ＴＦＲコンポーネントの極周波数と一致
させるように、並列ＴＦＲコンポーネントの極周波数を
シフトダウンすることは、典型的には、並列ＴＦＲコン
ポーネントの上側電極に何らかの材料（金属、金属酸化
物などのような）を加えることによりなされる。
ローチは、交互に直列・並列（series-shunt）関係（即
ち、２つの「直列」共振器間の端子において並列に接続
された「並列」共振器）の「Ｔ−Ｃｅｌｌ」構成にそれ
らを配置することである。並列および直列共振器の各々
は、極共振およびゼロ共振を有する。バンドパスフィル
タ応答を得るために、直列ＴＦＲコンポーネントのゼロ
周波数と合わせるために、並列ＴＦＲコンポーネントの
極周波数を周波数においてシフトダウンすることが一般
的である。直列ＴＦＲコンポーネントの極周波数と一致
させるように、並列ＴＦＲコンポーネントの極周波数を
シフトダウンすることは、典型的には、並列ＴＦＲコン
ポーネントの上側電極に何らかの材料（金属、金属酸化
物などのような）を加えることによりなされる。
【００１１】現在、ＴＦＲラガーフィルタを設計する通
常の方法は、ＴＦＲコンポーネントのシンプルビルディ
ングブロックを設計し、一緒に連結する（直列にまたは
チェーン状に接続または連結する）ことである。単純化
して考えた場合、連結は、フィルタがより大きなストッ
プバンド減衰を得ることを助ける。これは、チェーン中
の個々の連結されたセクションの各々が、信号がチェー
ンを通過するときにその信号を連続的にフィルタするか
らである。図３は、一般にＴ−Ｃｅｌｌとして知られて
いるこのシンプルビルディングブロックを示す。
常の方法は、ＴＦＲコンポーネントのシンプルビルディ
ングブロックを設計し、一緒に連結する（直列にまたは
チェーン状に接続または連結する）ことである。単純化
して考えた場合、連結は、フィルタがより大きなストッ
プバンド減衰を得ることを助ける。これは、チェーン中
の個々の連結されたセクションの各々が、信号がチェー
ンを通過するときにその信号を連続的にフィルタするか
らである。図３は、一般にＴ−Ｃｅｌｌとして知られて
いるこのシンプルビルディングブロックを示す。
【００１２】図３において、Ｔ−Ｃｅｌｌビルディング
ブロック１００は、３個のＴＦＲコンポーネント１１
０，１２０および１３０を含む。ＴＦＲコンポーネント
１１０および１２０は、Ｔ−Ｃｅｌｌブロックの各「直
列アーム」部分であり、Ｔ−Ｃｅｌｌ１００の入力ポー
ト１１５とノード１３５との間、およびノード１３５と
出力ポート１２０との間に直列に接続されている。ＴＦ
Ｒコンポーネント１３０は、Ｔ−Ｃｅｌｌ１００の「並
列レグ」部を含み、ノード１３５と大地との間に並列接
続されている。ＴＦＲフィルタは、典型的には、一緒に
連結された複数のこれらのＴ−Ｃｅｌｌを有する。
ブロック１００は、３個のＴＦＲコンポーネント１１
０，１２０および１３０を含む。ＴＦＲコンポーネント
１１０および１２０は、Ｔ−Ｃｅｌｌブロックの各「直
列アーム」部分であり、Ｔ−Ｃｅｌｌ１００の入力ポー
ト１１５とノード１３５との間、およびノード１３５と
出力ポート１２０との間に直列に接続されている。ＴＦ
Ｒコンポーネント１３０は、Ｔ−Ｃｅｌｌ１００の「並
列レグ」部を含み、ノード１３５と大地との間に並列接
続されている。ＴＦＲフィルタは、典型的には、一緒に
連結された複数のこれらのＴ−Ｃｅｌｌを有する。
【００１３】ＴＦＲフィルタにおける１つの問題は、パ
スバンド幅が材料パラメータＫ2 により制限されるの
で、フィルタは、パスバンドを広げることについての柔
軟性がないことである。そこにある問題は、図２に既に
示されているように、ＴＦＲコンポーネントが、一緒に
近くに存在する共振極周波数および共振ゼロ周端数を有
することである。典型的には、ＴＦＲフィルタの帯域幅
を広げるために、並列ＴＦＲ共振周波数セット（極およ
びゼロ）は、さらにシフトダウンされなければならな
い。
スバンド幅が材料パラメータＫ2 により制限されるの
で、フィルタは、パスバンドを広げることについての柔
軟性がないことである。そこにある問題は、図２に既に
示されているように、ＴＦＲコンポーネントが、一緒に
近くに存在する共振極周波数および共振ゼロ周端数を有
することである。典型的には、ＴＦＲフィルタの帯域幅
を広げるために、並列ＴＦＲ共振周波数セット（極およ
びゼロ）は、さらにシフトダウンされなければならな
い。
【００１４】しかし、並列ＴＦＲの極およびゼロ共振周
波数は、直列共振周波数からさらにシフトされているの
で、「バンプ（bump）」が、バンドの中央におけるリタ
ーンロス応答中に急に生じる。このバンプは、ＴＦＲフ
ィルタが、５０オーム（フィルタの特性インピーダン
ス）にさらに不一致になっていることの表示であり、リ
ターンロス一致性能におけるドロップオフを示す。特
に、リターンロス応答中のバンプは、「バンプ」が最終
的にそのリターンロス仕様を満たさないようにするの
で、得ることができる帯域幅の量を制限する効果を有す
る。
波数は、直列共振周波数からさらにシフトされているの
で、「バンプ（bump）」が、バンドの中央におけるリタ
ーンロス応答中に急に生じる。このバンプは、ＴＦＲフ
ィルタが、５０オーム（フィルタの特性インピーダン
ス）にさらに不一致になっていることの表示であり、リ
ターンロス一致性能におけるドロップオフを示す。特
に、リターンロス応答中のバンプは、「バンプ」が最終
的にそのリターンロス仕様を満たさないようにするの
で、得ることができる帯域幅の量を制限する効果を有す
る。
【００１５】過去において、インダクタ補償が、ＴＦＲ
フィルタ回路と共に使用されてきた。主に、インダクタ
補償は、アウトオブバンド（ストップバンド）応答を操
作するための方法としてＴＦＲコンポーネントと並列に
使用されてきた。具体的には、インダクタ補償は、平行
平板キャパシタンスＣ0 を有効に共振外れさせることに
より、更なるアウトリジェクション性能を犠牲にして、
パスバンドに近いリジェクションを増大するために使用
される。しかし、インダクタ補償は、現在得ることがで
きるものよりも広い帯域幅のＴＦＲフィルタを得るため
に、今まで使用されてこなかった。
フィルタ回路と共に使用されてきた。主に、インダクタ
補償は、アウトオブバンド（ストップバンド）応答を操
作するための方法としてＴＦＲコンポーネントと並列に
使用されてきた。具体的には、インダクタ補償は、平行
平板キャパシタンスＣ0 を有効に共振外れさせることに
より、更なるアウトリジェクション性能を犠牲にして、
パスバンドに近いリジェクションを増大するために使用
される。しかし、インダクタ補償は、現在得ることがで
きるものよりも広い帯域幅のＴＦＲフィルタを得るため
に、今まで使用されてこなかった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、ＴＦＲフ
ィルタの全帯域幅を改善するために、共振極−ゼロ分離
を増大させることができるＴＦＲフィルタおよび方法に
対する必要性がある。これは、許容可能なリターンロス
性能を維持しつつ、極−ゼロ分離を増大させることを可
能にするＴＦＲフィルタおよび方法を必要とすることに
なる。
ィルタの全帯域幅を改善するために、共振極−ゼロ分離
を増大させることができるＴＦＲフィルタおよび方法に
対する必要性がある。これは、許容可能なリターンロス
性能を維持しつつ、極−ゼロ分離を増大させることを可
能にするＴＦＲフィルタおよび方法を必要とすることに
なる。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来のＴＦＲ
フィルタにより得ることができるものと比べて、より広
いバンドパスを有し得るＴＦＲフィルタを提供するため
に、インダクタンスを使用する。本発明のＴＦＲフィル
タ回路は、フィルタの入力ポートと出力ポートとの間に
設けられた複数のＴＦＲコンポーネントを含み、少なく
とも１つのＴＦＲコンポーネントに、インダクタエレメ
ントが設けられる。
フィルタにより得ることができるものと比べて、より広
いバンドパスを有し得るＴＦＲフィルタを提供するため
に、インダクタンスを使用する。本発明のＴＦＲフィル
タ回路は、フィルタの入力ポートと出力ポートとの間に
設けられた複数のＴＦＲコンポーネントを含み、少なく
とも１つのＴＦＲコンポーネントに、インダクタエレメ
ントが設けられる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態は、薄膜共振
器（ＴＦＲ）フィルタに関し、フィルタのＴＦＲコンポ
ーネントに合体されたインダクタンスを使用することに
より、帯域幅性能を改善することができる。ここで使用
される「合体する」とは、基板上でＴＦＲコンポーネン
トと一体化されたインダクタンス、ＴＦＲコンポーネン
トと別の隣接するデバイスとの間の別個のエレメントと
しておよび／またはシステムコンポ−ネントとしてＴＦ
Ｒコンポーネントに結合および／または接続されたイン
ダクタンス、および／またはＴＦＲコンポーネントと大
地との間に配置されたインダクタンスを含む。
器（ＴＦＲ）フィルタに関し、フィルタのＴＦＲコンポ
ーネントに合体されたインダクタンスを使用することに
より、帯域幅性能を改善することができる。ここで使用
される「合体する」とは、基板上でＴＦＲコンポーネン
トと一体化されたインダクタンス、ＴＦＲコンポーネン
トと別の隣接するデバイスとの間の別個のエレメントと
しておよび／またはシステムコンポ−ネントとしてＴＦ
Ｒコンポーネントに結合および／または接続されたイン
ダクタンス、および／またはＴＦＲコンポーネントと大
地との間に配置されたインダクタンスを含む。
【００１９】インダクタンスの使用は、並列および直列
ＴＦＲコンポーネントのゼロ共振周波数が、それらの各
共振極周波数からさらに離れて有効に「引っ張られる」
こと、即ち直列インダクタンスに対して、ゼロを周波数
においてシフトダウンし、並列インダクタンス構成にお
いて、極を周波数においてシフトアップすることを可能
にする。極−ゼロ分離が増大されるので、材料の有効Ｋ
2 が増大したかのようになる。極とゼロとの間により大
きな分離があるので、一方の共振周波数の他方への有害
な影響が低減され、所定レベルの不一致許容誤差に対し
てより広い帯域幅のフィルタを製造する機械を提供す
る。これは、インダクタンスの使用なしに得ることがで
きたものに比べて、帯域幅を全体的に広げることにな
る。
ＴＦＲコンポーネントのゼロ共振周波数が、それらの各
共振極周波数からさらに離れて有効に「引っ張られる」
こと、即ち直列インダクタンスに対して、ゼロを周波数
においてシフトダウンし、並列インダクタンス構成にお
いて、極を周波数においてシフトアップすることを可能
にする。極−ゼロ分離が増大されるので、材料の有効Ｋ
2 が増大したかのようになる。極とゼロとの間により大
きな分離があるので、一方の共振周波数の他方への有害
な影響が低減され、所定レベルの不一致許容誤差に対し
てより広い帯域幅のフィルタを製造する機械を提供す
る。これは、インダクタンスの使用なしに得ることがで
きたものに比べて、帯域幅を全体的に広げることにな
る。
【００２０】図４は、直列インダクタンスの場合に対す
る実施形態によるＴＦＲフィルタ回路の一例を示す。図
４のＴＦＲ回路２００は、単一のＴ−Ｃｅｌｌのみを便
宜のために示しているが、ＴＦＲフィルタ２００は、図
３に関して以前に説明したように、複数のＴ−Ｃｅｌｌ
を一緒に連結することにより形成することができ、また
は相互接続される直並列接続の数を任意に変更すること
により構成でき、または薄膜共振器コンポーネントのい
ずれか他の構成により形成することができる。
る実施形態によるＴＦＲフィルタ回路の一例を示す。図
４のＴＦＲ回路２００は、単一のＴ−Ｃｅｌｌのみを便
宜のために示しているが、ＴＦＲフィルタ２００は、図
３に関して以前に説明したように、複数のＴ−Ｃｅｌｌ
を一緒に連結することにより形成することができ、また
は相互接続される直並列接続の数を任意に変更すること
により構成でき、または薄膜共振器コンポーネントのい
ずれか他の構成により形成することができる。
【００２１】図４において、ＴＦＲフィルタ２００は、
ＴＦＲフィルタ２００の入力ポート２１５と出力ポート
２２５との間に隣接して接続された一対の第１のＴＦＲ
コンポーネント２１０および２２０を含む。第１のＴＦ
Ｒコンポーネント２１０および２２０は、ＴＦＲフィル
タ２００の各直列アーム部である。ポート２１５および
２２５は、所望のアプリケーションにより、隣接するＴ
−Ｃｅｌｌまたは図示しない他のシステムコンポーネン
トに接続され得る。第１のＴＦＲコンポーネント２１０
と２２０との間で、第２のＴＦＲコンポーネント２３０
が、ノード２３５と大地との間に、直列アームと並列に
接続されている。第２のＴＦＲコンポーネント２３０
は、ＴＦＲフィルタ２００の並列レグを形成する。
ＴＦＲフィルタ２００の入力ポート２１５と出力ポート
２２５との間に隣接して接続された一対の第１のＴＦＲ
コンポーネント２１０および２２０を含む。第１のＴＦ
Ｒコンポーネント２１０および２２０は、ＴＦＲフィル
タ２００の各直列アーム部である。ポート２１５および
２２５は、所望のアプリケーションにより、隣接するＴ
−Ｃｅｌｌまたは図示しない他のシステムコンポーネン
トに接続され得る。第１のＴＦＲコンポーネント２１０
と２２０との間で、第２のＴＦＲコンポーネント２３０
が、ノード２３５と大地との間に、直列アームと並列に
接続されている。第２のＴＦＲコンポーネント２３０
は、ＴＦＲフィルタ２００の並列レグを形成する。
【００２２】ＴＦＲコンポーネント２１０，２２０およ
び２３０の各々と直列に、それぞれのインダクタコンポ
ーネント２４０，２４５および２５０が配置される。具
体的にはインダクタコンポーネント２４０は、ノード２
１１と入力ポート２１５との間に、直列アームＴＦＲコ
ンポーネント２１０と直列に配置され、インダクタコン
ポーネント２４５は、ノード２２１と出力ポート２２５
との間に、直列アームＴＦＲコンポーネント２２０と直
列に配置され、インダクタコンポーネント２５０は、ノ
ード２３１と大地との間に、並列レグＴＦＲコンポーネ
ント２３０と直列に配置される。
び２３０の各々と直列に、それぞれのインダクタコンポ
ーネント２４０，２４５および２５０が配置される。具
体的にはインダクタコンポーネント２４０は、ノード２
１１と入力ポート２１５との間に、直列アームＴＦＲコ
ンポーネント２１０と直列に配置され、インダクタコン
ポーネント２４５は、ノード２２１と出力ポート２２５
との間に、直列アームＴＦＲコンポーネント２２０と直
列に配置され、インダクタコンポーネント２５０は、ノ
ード２３１と大地との間に、並列レグＴＦＲコンポーネ
ント２３０と直列に配置される。
【００２３】図４は、ＴＦＲフィルタ２００の各ＴＦＲ
コンポーネントと直列に配置されたインダクタコンポー
ネントを示すが、インダクタコンポーネントは、特定の
アプリケーションに必要とされる帯域幅を広げる程度に
応じて、フィルタの直列アームの少なくとも１つ、いく
つかまたは全てと直列に配置されることができ、または
フィルタの並列レグの少なくとも１つ、いくつかまたは
全てに配置されることができ、および／またはその両方
の組合せがあり得る。
コンポーネントと直列に配置されたインダクタコンポー
ネントを示すが、インダクタコンポーネントは、特定の
アプリケーションに必要とされる帯域幅を広げる程度に
応じて、フィルタの直列アームの少なくとも１つ、いく
つかまたは全てと直列に配置されることができ、または
フィルタの並列レグの少なくとも１つ、いくつかまたは
全てに配置されることができ、および／またはその両方
の組合せがあり得る。
【００２４】図５は、異なる直列インダクタンスおよび
適切な共振器セットダウンシフティングに対するパスバ
ンド挿入損失性能を示す。具体的には、図５は、本発明
の直列構成により得ることができる改善された帯域幅を
示すために提供されている。図５において、周波数（ｘ
軸：１ブロック＝０．０１ＧＨｚ／ｄｉｖまたは１０Ｍ
Ｈｚ／ｄｉｖ）に対する挿入損失（ｙ軸、ｄＢ）のグラ
フにおいて個々の応答曲線が、直列ＴＦＲ共振器周波数
セットに対する並列ＴＦＲ周波数セットの増大したダウ
ンシフティングとの組合せで、異なるインダクタンスに
対してプロットされている。
適切な共振器セットダウンシフティングに対するパスバ
ンド挿入損失性能を示す。具体的には、図５は、本発明
の直列構成により得ることができる改善された帯域幅を
示すために提供されている。図５において、周波数（ｘ
軸：１ブロック＝０．０１ＧＨｚ／ｄｉｖまたは１０Ｍ
Ｈｚ／ｄｉｖ）に対する挿入損失（ｙ軸、ｄＢ）のグラ
フにおいて個々の応答曲線が、直列ＴＦＲ共振器周波数
セットに対する並列ＴＦＲ周波数セットの増大したダウ
ンシフティングとの組合せで、異なるインダクタンスに
対してプロットされている。
【００２５】応答曲線のうちの３つが比較のため注釈を
つけられている。“Δ”で示された応答曲線は、直列イ
ンダクタンスを使用しないＴＦＲフィルタに対する帯域
幅を示し、約４８ＭＨｚの帯域幅（その最も広い点にお
いて４．８ブロック）を示す。残りの５個の外側の曲線
は、本発明により、異なるインダクタンスを使用して得
ることができる帯域幅および周波数セットシフティング
を示す。
つけられている。“Δ”で示された応答曲線は、直列イ
ンダクタンスを使用しないＴＦＲフィルタに対する帯域
幅を示し、約４８ＭＨｚの帯域幅（その最も広い点にお
いて４．８ブロック）を示す。残りの５個の外側の曲線
は、本発明により、異なるインダクタンスを使用して得
ることができる帯域幅および周波数セットシフティング
を示す。
【００２６】使用されるインダクタンスの量は、必要と
される帯域幅を広げる量に依存し、以下に説明するよう
に、許容できるパスバンドリターンロス性能を維持する
必要性により調節される。特に、並列および直列ＴＦＲ
コンポーネントの共振ゼロ周端数がその対応する共振極
周波数からより大きくダウンシフトされると、より大き
なインダクタンスが必要とされる。“Ｏ”および“□”
で示された応答曲線は、本発明によるＴＦＲフィルタで
得ることができる他の可能性のある帯域幅を表し、それ
ぞれ、約７５ＭＨｚおよび９０ＭＨｚを超えるパスバン
ド幅を示す。
される帯域幅を広げる量に依存し、以下に説明するよう
に、許容できるパスバンドリターンロス性能を維持する
必要性により調節される。特に、並列および直列ＴＦＲ
コンポーネントの共振ゼロ周端数がその対応する共振極
周波数からより大きくダウンシフトされると、より大き
なインダクタンスが必要とされる。“Ｏ”および“□”
で示された応答曲線は、本発明によるＴＦＲフィルタで
得ることができる他の可能性のある帯域幅を表し、それ
ぞれ、約７５ＭＨｚおよび９０ＭＨｚを超えるパスバン
ド幅を示す。
【００２７】図６は、異なる直列インダクタンスに対す
るパスバンドリターンロス性能を示す。図５と同様に、
いくつかの応答曲線が、比較のために、Δ，Ｏおよび□
のシンボルで示されており、図５において示されたパス
バンド挿入損失応答曲線に対応する。図６において、直
列インダクタンスを使用しないＴＦＲフィルタ（Δを参
照）、ＴＦＲ共振器と直列に配置された異なる量のイン
ダクタンスを使用するＴＦＲフィルタとの間でリターン
ロス性能があまり変化せず、並列ＴＦＲ周波数セットの
適切なダウンシフティングが見ることができる。
るパスバンドリターンロス性能を示す。図５と同様に、
いくつかの応答曲線が、比較のために、Δ，Ｏおよび□
のシンボルで示されており、図５において示されたパス
バンド挿入損失応答曲線に対応する。図６において、直
列インダクタンスを使用しないＴＦＲフィルタ（Δを参
照）、ＴＦＲ共振器と直列に配置された異なる量のイン
ダクタンスを使用するＴＦＲフィルタとの間でリターン
ロス性能があまり変化せず、並列ＴＦＲ周波数セットの
適切なダウンシフティングが見ることができる。
【００２８】したがって、本発明の一実施形態は、フィ
ルタの許容可能なリターンロス性能を維持しつつ、極−
ゼロ分離を増大し、したがってパスバンド幅を増大する
能力を提供するために、ＴＦＲフィルタの直列アームお
よび／または並列レグのＴＦＲコンポーネントの少なく
とも１つ、いくつかまたは全てと直列にインダクタを使
用するＴＦＲフィルタを提供する。
ルタの許容可能なリターンロス性能を維持しつつ、極−
ゼロ分離を増大し、したがってパスバンド幅を増大する
能力を提供するために、ＴＦＲフィルタの直列アームお
よび／または並列レグのＴＦＲコンポーネントの少なく
とも１つ、いくつかまたは全てと直列にインダクタを使
用するＴＦＲフィルタを提供する。
【００２９】また、本発明は、Ｋ2 の材料制約をある程
度克服し、中心周波数の約４％（例えば、２ＧＨｚ中心
周波数を有するフィルタを要求するアプリケーションに
おいて、約８０ＭＨｚの帯域幅となる。）までのパスバ
ンド幅を必要とする典型的なセルラ、ワイヤレスおよび
ファイバオプティクス通信並びにコンピュータまたはコ
ンピュータ関連情報交換または情報共有システムにおい
て、使用され得るＴＦＲフィルタを提供する。また、こ
の構成を使用することは、インダクタンスの値を、並列
構成に比べて低くし、例えばワイヤボンドのような柔軟
なインダクタンスの具現化を可能にし、より小さなスペ
ースおよびインダクタプラスチックを必要とする。
度克服し、中心周波数の約４％（例えば、２ＧＨｚ中心
周波数を有するフィルタを要求するアプリケーションに
おいて、約８０ＭＨｚの帯域幅となる。）までのパスバ
ンド幅を必要とする典型的なセルラ、ワイヤレスおよび
ファイバオプティクス通信並びにコンピュータまたはコ
ンピュータ関連情報交換または情報共有システムにおい
て、使用され得るＴＦＲフィルタを提供する。また、こ
の構成を使用することは、インダクタンスの値を、並列
構成に比べて低くし、例えばワイヤボンドのような柔軟
なインダクタンスの具現化を可能にし、より小さなスペ
ースおよびインダクタプラスチックを必要とする。
【００３０】以上、本発明を説明したが、多くの変形が
なされうることは明らかであろう。より大きなインダク
タンス値の場合、即ち、設計者にとって、下側電極の寸
法およびアクセス可能性があまり問題とならない場合、
ＴＦＲコンポーネントとインダクタを並列に使用するこ
とも、直列インダクタンス構成について上述したものと
ある程度同じ方法で極およびゼロ共振周波数を分離する
ために使用され得る。例えば、図７は、並列インダクタ
ンス構成を有する本発明によるＴＦＲフィルタを示す。
なされうることは明らかであろう。より大きなインダク
タンス値の場合、即ち、設計者にとって、下側電極の寸
法およびアクセス可能性があまり問題とならない場合、
ＴＦＲコンポーネントとインダクタを並列に使用するこ
とも、直列インダクタンス構成について上述したものと
ある程度同じ方法で極およびゼロ共振周波数を分離する
ために使用され得る。例えば、図７は、並列インダクタ
ンス構成を有する本発明によるＴＦＲフィルタを示す。
【００３１】図７は、インダクタコンポーネントが直列
ではなく、ＴＦＲコンポーネントと並列に結合されてい
ること以外図４の回路と同じである。また、図４中の直
列構成と異なり、所望の帯域幅を広げる効果を得るため
に、ゼロ共振周波数をダウンシフトする代わりに、ＴＦ
Ｒコンポーネントと並列にインダクタエレメントを配置
して、ＴＦＲコンポーネントの共振極周波数をシフトア
ップする。
ではなく、ＴＦＲコンポーネントと並列に結合されてい
ること以外図４の回路と同じである。また、図４中の直
列構成と異なり、所望の帯域幅を広げる効果を得るため
に、ゼロ共振周波数をダウンシフトする代わりに、ＴＦ
Ｒコンポーネントと並列にインダクタエレメントを配置
して、ＴＦＲコンポーネントの共振極周波数をシフトア
ップする。
【００３２】図７において、ＴＦＲコンポーネント２１
０，２２０および２３０の各々と並列に、それぞれイン
ダクタコンポーネント２４０，２４５および２５０が配
置されている。具体的には、インダクタコンポーネント
２４０は、ノード２３５と入力ポート２１５との間に、
直列アームＴＦＲコンポーネント２１０と並列に配置さ
れ、インダクタコンポーネント２４５は、ノード２３５
と出力ポート２２５との間に、直列アームＴＦＲコンポ
ーネント２２０と並列に配置され、インダクタコンポー
ネント２５０は、ノード２３５と大地との間に並列レグ
ＴＦＲコンポーネント２３０と並列に配置される。
０，２２０および２３０の各々と並列に、それぞれイン
ダクタコンポーネント２４０，２４５および２５０が配
置されている。具体的には、インダクタコンポーネント
２４０は、ノード２３５と入力ポート２１５との間に、
直列アームＴＦＲコンポーネント２１０と並列に配置さ
れ、インダクタコンポーネント２４５は、ノード２３５
と出力ポート２２５との間に、直列アームＴＦＲコンポ
ーネント２２０と並列に配置され、インダクタコンポー
ネント２５０は、ノード２３５と大地との間に並列レグ
ＴＦＲコンポーネント２３０と並列に配置される。
【００３３】図７は、ＴＦＲフィルタ２００の各ＴＦＲ
コンポーネントと並列に配置されたインダクタコンポー
ネントを示すが、インダクタコンポーネントは、フィル
タの直列アームの少なくとも１つ、いくつかまたは全て
と並列に配置されることができ、または、フィルタの並
列レグの少なくとも１つ、いくつかまたは全てと配列に
配置されることもできる。また、フィルタは、特定のア
プリケーションにより必要とされる帯域幅を広げる程度
に依存して、インダクタコンポーネントと並列の並列レ
グおよび直列アームの組合せを有することができる。
コンポーネントと並列に配置されたインダクタコンポー
ネントを示すが、インダクタコンポーネントは、フィル
タの直列アームの少なくとも１つ、いくつかまたは全て
と並列に配置されることができ、または、フィルタの並
列レグの少なくとも１つ、いくつかまたは全てと配列に
配置されることもできる。また、フィルタは、特定のア
プリケーションにより必要とされる帯域幅を広げる程度
に依存して、インダクタコンポーネントと並列の並列レ
グおよび直列アームの組合せを有することができる。
【００３４】したがって、フィルタの全体の帯域幅を改
善するために、単一のＴＦＲフィルタ中に直列および並
列インダクタンス構成の両方を組み合わせることが望ま
しい。
善するために、単一のＴＦＲフィルタ中に直列および並
列インダクタンス構成の両方を組み合わせることが望ま
しい。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、共
振極−ゼロ分離を増大させて、ＴＦＲフィルタの全帯域
幅を改善することが可能なＴＦＲフィルタを提供するこ
とができる。
振極−ゼロ分離を増大させて、ＴＦＲフィルタの全帯域
幅を改善することが可能なＴＦＲフィルタを提供するこ
とができる。
【図１】従来のＴＦＲコンポーネントについての電気回
路モデルを示す図。
路モデルを示す図。
【図２】ＴＦＲコンポーネントのゼロおよび極共振周波
数を表すインピーダンス対周波数を示す図。
数を表すインピーダンス対周波数を示す図。
【図３】従来のＴＦＲフィルタにおいて使用されるＴ−
Ｃｅｌｌを示す図。
Ｃｅｌｌを示す図。
【図４】直列インダクタンス構成を使用する本発明のＴ
ＦＲフィルタ回路を示す図。
ＦＲフィルタ回路を示す図。
【図５】適切な共振周波数セットのシフトを有する異な
る直列インダクタンスについてのパスバンド挿入損失性
能を示す図。
る直列インダクタンスについてのパスバンド挿入損失性
能を示す図。
【図６】適切な共振周波数セットのシフティングを有す
る異なる直列インダクタンスに対するパスバンドリター
ンロス性能を示す図。
る異なる直列インダクタンスに対するパスバンドリター
ンロス性能を示す図。
【図７】並列インダクタンス構成における本発明のＴＦ
Ｒフィルタ回路を示す図。
Ｒフィルタ回路を示す図。
２００ ＴＦＲフィルタ ２１０，２２０，２３０ ＴＦＲコンポーネント ２１１，２２１，２３１，２３５ ノード ２１５ 入力ポート ２２５ 出力ポート ２４０，２４５，２５０ インダクタコンポーネント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 マイケル ジョージ ジエル アメリカ合衆国、08502 ニュージャージ ー、ベル ミード リバービュー テラス 25
Claims (28)
- 【請求項１】 入力ポートと出力ポートとの間に結合さ
れた複数のＴＦＲコンポーネントと、 前記複数のＴＦＲコンポーネントのうちの少なくとも１
つに合体されたインダクタエレメントとを有することを
特徴とする薄膜共振器（ＴＦＲ）フィルタ。 - 【請求項２】 インダクタエレメントは、前記複数のＴ
ＦＲコンポーネントの少なくとも１つと直列に設けられ
ることを特徴とする請求項１記載のフィルタ。 - 【請求項３】 前記複数のＴＦＲコンポーネントは、前
記入力ポートと出力ポートとの間で、直列および並列ブ
ランチの交互の構成となっていることを特徴とする請求
項１記載のフィルタ。 - 【請求項４】 インダクタエレメントは、前記並列ブラ
ンチ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少なくとも１つと
直列に設けられていることを特徴とする請求項３記載の
フィルタ。 - 【請求項５】 インダクタエレメントは、前記直列ブラ
ンチ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少なくとも１つと
直列に設けられていることを特徴とする請求項３記載の
フィルタ。 - 【請求項６】 第１のインダクタエレメントは、前記直
列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少なくとも
１つと直列に設けられており、第２のインダクタエレメ
ントは、前記並列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポーネン
トの少なくとも１つと直列に設けられていることを特徴
とする請求項３記載のフィルタ。 - 【請求項７】 インダクタエレメントは、前記ＴＦＲコ
ンポーネントの少なくとも１つと直列に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載のフィルタ。 - 【請求項８】 インダクタエレメントは、前記並列ブラ
ンチ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少なくとも１つと
並列に設けられていることを特徴とする請求項３記載の
フィルタ。 - 【請求項９】 インダクタエレメントは、前記直列ブラ
ンチ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少なくとも１つと
並列に設けられていることを特徴とする請求項３記載の
フィルタ。 - 【請求項１０】 第１のインダクタエレメントは、前記
直列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少なくと
も１つと並列に設けられており、第２のインダクタエレ
メントは、前記並列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポーネ
ントの少なくとも１つと並列に設けられていることを特
徴とする請求項３記載のフィルタ。 - 【請求項１１】 前記インダクタエレメントは、少なく
ともワイヤボンド、スタッブ（stub）または印刷インダ
クタであることを特徴とする請求項１記載のフィルタ。 - 【請求項１２】 入力ポートと出力ポートとの間に結合
された複数のＴＦＲコンポーネントと、 前記複数のＴＦＲコンポーネントの少なくとも１つに直
列に設けられた第１のインダクタエレメントと、 前記複数のＴＦＲコンポーネントの少なくとも１つと並
列に設けられた第２のインダクタエレメントとを有する
ことを特徴とする薄膜共振器（ＴＦＲ）フィルタ。 - 【請求項１３】 前記複数のＴＦＲコンポーネントは、
前記入力ポートと出力ポートとの間で、直列および並列
ブランチの交互の構成となっていることを特徴とする請
求項１２記載のフィルタ。 - 【請求項１４】 前記第１のインダクタエレメントは、
前記直列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少な
くとも１つと直列に設けられていることを特徴とする請
求項１３記載のフィルタ。 - 【請求項１５】 前記第１のインダクタエレメントは、
前記並列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少な
くとも１つと直列に設けられていることを特徴とする請
求項１３記載のフィルタ。 - 【請求項１６】 前記第１のインダクタエレメントは、
前記直列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少な
くとも１つと並列に設けられていることを特徴とする請
求項１３記載のフィルタ。 - 【請求項１７】 前記第１のインダクタエレメントは、
前記並列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少な
くとも１つと並列に設けられていることを特徴とする請
求項１３記載のフィルタ。 - 【請求項１８】 前記第１および第２のインダクタエレ
メントは、少なくともワイヤボンド、スタッブまたは印
刷インダクタであることを特徴とする請求項１２記載の
フィルタ。 - 【請求項１９】 入力ポートと出力ポートとの間に複数
の第１のＴＦＲコンポーネントを提供するステップと、 前記ＴＦＲコンポーネントの１つにインダクタエレメン
トを結合するステップとを有することを特徴とする薄膜
共振器（ＴＦＲ）フィルタの帯域幅を広げる方法。 - 【請求項２０】 前記結合するステップは、インダクタ
エレメントを、前記複数のＴＦＲコンポーネントの少な
くとも１つと直列に設けるステップを含むことを特徴と
する請求項１９記載の方法。 - 【請求項２１】 前記複数のＴＦＲコンポーネントは、
直列および並列ブランチの交互の構成に結合されること
を特徴とする請求項１９記載の方法。 - 【請求項２２】 前記結合するステップは、インダクタ
エレメントを、前記並列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポ
ーネントの少なくとも１つと直列に設けるステップをさ
らに含むことを特徴とする請求項２１記載の方法。 - 【請求項２３】 前記結合するステップは、インダクタ
エレメントを、前記直列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポ
ーネントの少なくとも１つと直列に設けるステップをさ
らに含むことを特徴とする請求項２１記載の方法。 - 【請求項２４】 前記結合するステップは、第１のイン
ダクタエレメントを、前記直列ブランチ中の前記ＴＦＲ
コンポーネントの少なくとも１つと直列に設けるステッ
プと、第２のインダクタエレメントを、前記並列ブラン
チ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少なくとも１つと直
列に設けるステプとをさらに含むことを特徴とする請求
項２１記載の方法。 - 【請求項２５】 前記結合するステップは、インダクタ
エレメントを、前記ＴＦＲコンポーネントの少なくとも
１つと並列に設けるステップをさらに含むことを特徴と
する請求項１９記載の方法。 - 【請求項２６】 前記結合するステップは、インダクタ
エレメントを、前記並列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポ
ーネントの少なくとも１つと並列に設けるステップをさ
らに含むことを特徴とする請求項２１記載の方法。 - 【請求項２７】 前記結合するステップは、インダクタ
エレメントを、前記直列ブランチ中の前記ＴＦＲコンポ
ーネントの少なくとも１つと並列に設けるステップをさ
らに含むことを特徴とする請求項２１記載の方法。 - 【請求項２８】 前記結合するステップは、第１のイン
ダクタエレメントを、前記直列ブランチ中の前記ＴＦＲ
コンポーネントの少なくとも１つと並列に設けるステッ
プと、第２のインダクタエレメントを、前記並列ブラン
チ中の前記ＴＦＲコンポーネントの少なくとも１つと並
列に設けるステップとをさらに含むことを特徴とする請
求項２１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US49785900A | 2000-02-04 | 2000-02-04 | |
| US09/497859 | 2000-02-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244704A true JP2001244704A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=23978598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001026680A Pending JP2001244704A (ja) | 2000-02-04 | 2001-02-02 | 薄膜共振器フィルタおよびその帯域幅を広げる方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1126604A2 (ja) |
| JP (1) | JP2001244704A (ja) |
| KR (1) | KR20010078190A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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