JP2003209447A

JP2003209447A - 合成型高周波増幅器

Info

Publication number: JP2003209447A
Application number: JP2002007993A
Authority: JP
Inventors: Fumihiko Uchiyama; 文彦内山; Isao Takahashi; 勲高橋; Toshio Maki; 敏夫槙
Original assignee: SPC Electronics Corp
Current assignee: SPC Electronics Corp
Priority date: 2002-01-16
Filing date: 2002-01-16
Publication date: 2003-07-25

Abstract

(57)【要約】【課題】合成損失を低減させる合成型高周波増幅器を提
供する。【解決手段】高周波信号を等位相等振幅で分岐出力す
る分配器１と、この分配器から分岐出力された高周波信
号を合成する合成器２とを備えて合成型高周波増幅器を
構成する。分配器１と合成器２との間には分岐出力され
た高周波信号が通過する二つの経路が形成される。経路
の各々には、増幅素子１１，２１と、当該経路を通過す
る高周波信号の位相を変化させる移相器１２１，２２１
及びその高周波信号の振幅を変化させる減衰器１２２，
２２２を含むベクトル調整器１２，２２が挿入接続され
ており、これによって増幅素子１１，２１間の位相偏差
及び振幅偏差をベクトル的に調整して低減させ、これら
の偏差に起因する合成損失を低減させるようにしてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯ない
しミリ波帯で使用される合成型高周波増幅器に関する。
合成型高周波増幅器は、複数の増幅素子の出力を合成し
て所要の飽和出力電力を得る増幅器である。合成する増
幅素子の数は、飽和出力と増幅素子の能力に依存する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の合成型高周波増幅器は、
図１１に示されるように、入力端ＩＮを通じて入力され
る高周波信号を等位相等振幅で二分配して第１分配信号
及び第２分配信号として出力する分配器１と、第１の分
配信号を増幅する第１増幅素子１１と、第２の分配信号
を増幅する第２増幅素子２１と、第１増幅素子１１及び
第２増幅素子２１の出力信号を等位相等振幅で合成する
合成器２とを有している。以後の説明では、第１増幅素
子１１を経て合成器２に至る経路を第１経路、第２増幅
素子２１を経て合成器２に至る経路を第２経路と称す
る。第１増幅素子１１と第２増幅素子２１には、電界効
果トランジスタ、バイポーラトランジスタ等のトランジ
スタ素子のほか、最近ではＭＭＩＣ（Monolithic Micro
wave Integrated Circuits）等の増幅機能デバイスが使
用される。分配器１と合成器２は、入出力特性が相反の
ため、同一のものを使用することができる。通常は、ウ
ィルキンソン型分配合成器が用いられる。

【０００３】ウィルキンソン型分配合成器を構成する素
子には、分布定数素子と集中定数素子とがある。図１３
は分布定数型のウィルキンソン型分配器、図１４は集中
定数型のウィルキンソン型分配器の原理図である。両分
配器は、使用目的に合わせて、いずれかを選択すること
ができる。

【０００４】次に、図１１に示される従来の合成型高周
波増幅器の動作を説明する。入力端ＩＮに注入された高
周波信号は、分配器１で等位相且つ等振幅に分配され、
その一方が第１増幅素子１１、他方が第２増幅素子２１
でそれぞれ等位相等振幅で増幅された後、合成器２で等
位相等振幅に合成されて、出力端ＯＵＴから外部回路に
出力される。出力端ＯＵＴから出力される信号レベル
（出力電力）は、第１増幅素子１１及び第２増幅素子２
１から出力される信号レベルのほぼ２倍となる。このよ
うな合成型高周波増幅器では、増幅素子１１、２１を飽
和領域で動作させたときに、合成損失が顕著になるとい
う問題がある。すなわち、増幅素子１１、２１の通過位
相と出力電力が互いに異なるとき、これら偏差が、図１
３及び図１４に示す分配器のアイソレーション抵抗２Ｚ
ｏに消費され、合成型高周波増幅器としては、出力端Ｏ
ＵＴに損失素子を配置したことと等価な状態となる。こ
のため、合成型高周波増幅器の目的である２倍の信号レ
ベルが得られないばかりでなく、場合によっては、増幅
素子単独の場合よりも低い信号レベルが出力される。ま
た、この合成損失の殆どがアイソレーション抵抗２Ｚｏ
に消費されることから、通過位相、出力電力の偏差に応
じて耐電力性の高い抵抗素子を配置する必要がある。そ
のため、高周波特性及びコストの面からも問題となって
いた。

【０００５】通過偏差と通過振幅の偏差に起因する合成
損失は、下記（１）式で表される。１０・log（（１＋２αcosθ＋α・α）／４）［ｄB］・・・（１）但し、αは入力端１における電圧振幅比、θは入力端１
における位相偏差である。（１）式をグラフで示したも
のが図１５である。図中、横軸は位相偏差θ［度］、縦
軸は合成損失［dB］である。

【０００６】ここで、合成型高周波増幅器における問題
の対策について説明する。（１）式の電圧振幅比αと位
相偏差θは、いずれも、増幅素子１１，２１を飽和領域
で動作させたときの非線形歪に起因している。もしも両
方の増幅素子１１，２１が全く同一の非線形歪の場合に
は、問題は発生しない。しかし、殆どの場合、増幅素子
１１，２１の非線形歪の個体差が大きいため、これまで
は半導体デバイスを選別試験にかけなければならず、そ
れ故に製作コストが増加し、有効な対策とはいえなかっ
た。

【０００７】そこで、分配器１と合成器２の入力を、共
に９０度の位相差で等振幅にする手法（「９０度ハイブ
リッド法」）が存在する。図１２は、従来の９０度ハイ
ブリッド法を用いた分配器３及び合成器４を用いた合成
型高周波増幅器の構成例である。その動作は、分配器３
及び合成器４の各々の二つの入力信号に、それぞれ９０
度の位相差を持たせる点以外は、図１１に示した等位相
等振幅の合成型高周波増幅器と同じである。図１２によ
る合成型高周波増幅器の長所は、増幅素子１１，２１の
入力側の反射波が、アイソレーション抵抗Ｒｉに消費さ
れて、入力端ＩＮに戻らないことである。

【０００８】なお、増幅素子１１，２１の非線形歪に起
因する合成損失は、（１）式で表され、その殆どが図１
２の出力側のアイソレーション抵抗Ｒoに消費されるの
で、その耐電力性や高周波特性は、等位相等振幅型の合
成型高周波増幅器のアイソレーション抵抗（２Ｚｏ）と
同様の性能が要求される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の２種類の合成型
高周波増幅器には、以下のような問題点があった。第１
の問題点は、合成型高周波増幅器を飽和領域で動作させ
るとき、増幅素子１１，２１の非線形歪に起因した位相
の偏差と振幅偏差がもたらす合成損失を生じるというこ
とである。第２の問題点は、合成器２，４において合成
損失が生じることから、等位相等振幅合成器のアイソレ
ーション抵抗（２Ｚo）、９０度ハイブリッド法による
等振幅合成器のアイソレーション抵抗Ｒｉ、Ｒｏに電力
が消費されるということである。

【００１０】本発明は、位相偏差と振幅偏差がもたらす
合成損失及びそれに伴う消費電力の増大を低減させて高
周波特性を改善することができ、小型化も図れる合成型
高周波増幅器を提供することを主たる課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の合成型高周波増
幅器は、高周波信号を等位相等振幅で分岐出力する分配
器と、この分配器から分岐出力された高周波信号を合成
する合成器とを備え、前記分配器と前記合成器との間に
は前記分岐出力された高周波信号が通過する複数の経路
が形成されており、前記複数の経路の各々には、前記分
岐出力された高周波信号を増幅する単位増幅手段と、こ
の単位増幅手段で増幅された高周波信号の位相及び／又
は振幅を他の経路を通過する高周波信号のものに適合さ
せる調整手段とが挿入接続されているものである。この
ような合成型高周波増幅器は、複数の経路の単位増幅手
段による位相偏差、振幅偏差を低減させることができる
ので、これらの偏差がもたらす合成損失を低減させるこ
とができる。単位増幅手段は、回路部品ないしユニット
から構成される増幅回路のほか、ＩＣチップや半導体素
子で構成された増幅素子も含まれる。

【００１２】前記調整手段は、具体的には、当該経路を
通過する高周波信号の位相を変化させる移相器と、その
高周波信号の振幅を変化させる減衰器とを含んで構成さ
れる。この場合、前記位相と前記振幅とをベクトル的に
調整するようにすると、調整が容易になる。移相器はバ
ラクタダイオード、減衰器はＰＩＮダイオードで構成す
ることができる。これらのダイオードは、各々、所定の
制御電圧が印加されたときに動作するものである。バラ
クタダイオードとＰＩＮダイオードに共通の制御電圧が
選択的に印加されるように構成することで、調整手段の
構成を簡略化することができる。前記複数の経路がマイ
クロストリップ線路の場合、移相器を当該マイクロスト
リップ線路に形成された開放スタブ、前記減衰器を当該
マイクロストリップ線路に挿入された抵抗体とすること
ができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。＜第１実施形態＞図１は、本発明の第１実施形態による
等位相等振幅の合成型高周波増幅器の構成図である。図
１１に示した従来の合成型高周波増幅器と同一機能の構
成要素については、同一の符号を付して説明する。この
実施形態の合成型高周波増幅器は、単位増幅手段の一例
となる第１増幅素子１１の出力信号の位相及び／又は振
幅をベクトル的に調整する第１ベクトル調整器１２と、
第２増幅素子２１の出力信号の位相及び／又は振幅をベ
クトル的に調整する第２ベクトル調整器２２と、調整さ
れた第１増幅素子１１及び第２増幅素子２１の出力信号
を等位相等振幅で合成する合成器２とを有している。入
力端ＩＮ、出力端ＯＵＴ、分配器１、第１増幅素子１
１、第２増幅素子２１、合成器２は、図１１に示した従
来の合成型高周波増幅器が備えるものと同じ部品であ
る。

【００１４】第１増幅素子１１と第２増幅素子２１は同
性能のものであるが、製作時のばらつきがある。これ
が、前述した従来の問題点の原因になっている。すなわ
ち、第１増幅素子１１及び第２増幅素子２１の通過位相
と出力電力（振幅）の入力電力依存性を示した図１６に
示されるように、第１増幅素子１１の特性（図１６の点
線部分で示される部分ａ１，ｂ１）と、第２増幅素子２
１の特性（実線部分で示される部分ａ２，ｂ２）とが互
いに異なることが上記の各問題点の原因となっている。
そこで、本実施形態では、合成器２に入力される第１増
幅素子１１及び第２増幅素子２１の出力信号の通過位相
及び出力電力（振幅）を、それぞれ独立に配置されたベ
クトル調整器１２，２２で調整することで、増幅素子１
１，２１間の特性差を補正する。第１ベクトル調整器１
２は、第１増幅素子１１から出力される高周波信号の位
相を変位させる移相器１２１及び信号レベルを減衰させ
る減衰器１２２を直列に第１経路に挿入接続したもので
あり、第２ベクトル調整器２２は、第２増幅素子２１か
ら出力される高周波信号の位相を変位させる移相器２２
１及び信号レベルを減衰させる減衰器２２２とを直列に
第２経路に挿入接続したものである。

【００１５】＜第２実施形態＞図２は、本発明の第２実
施形態による９０度ハイブリッド法による合成型高周波
増幅器の構成図である。図１２に示した従来の合成型高
周波増幅器、図１に示した等位相等振幅の合成型高周波
増幅器と同一機能の構成要素については、同一の符号を
付して説明する。第２実施形態では、９０度ハイブリッ
ド型の分配器３及び合成器４を用いている。その動作
は、分配器３及び合成器４の各々の二つの入力信号に９
０度の位相差を持たせる点以外は、第１実施形態による
等位相等振幅の合成型高周波増幅器と同じとなる。

【００１６】

【実施例】次に、合成型高周波増幅器の実施例を具体的
に説明する。＜第１実施例＞第１実施例による合成型高周波増幅器の
構成図を図３に示す。図３に示される合成型高周波増幅
器では、図１の合成器２として、分布定数Ｂ１，Ｂ２及
び抵抗Ｒｕを用いたウィルキンソン型の等位相等振幅分
配合成器を用いている。また、図１のベクトル調整器１
２，２２として、バラクタダイオードＢＤを用いた移相
器とＰＩＮダイオードＰＤを用いた減衰器とを組み合わ
せたものを用いている。

【００１７】まず、バラクタダイオードＢＤが移相器と
して動作することを説明する。図３のバラクタダイオー
ドＢＤの部分を図１７（ａ）に示す。バラクタダイオー
ドＢＤは、その入力端に印加する電圧を変化させること
により、図１７（ｂ）のように、その容量が変化する可
変コンデンサとして動作する。従って、バラクタダイオ
ードＢＤに外部回路から制御電圧Ｖｃを印加して容量Ｃ
を変化させることにより、通過位相φを調整することが
できる。容量Ｃと通過位相φとの関係は、（２）式で表
される。 φ＝tan^−１（ωＣ／２）・・・（２）但し、ωは高周波信号の角周波数である。これにより、
第１増幅素子１１と第２増幅素子２１のいずれか一方の
増幅素子を基準とし、制御電圧Ｖｃを調整してその増幅
素子の通過位相φに他方の増幅素子の通過位相φを合わ
せることができるようになる。つまり、相互の位相差を
補償できるようになる。

【００１８】次に、ＰＩＮダイオードＰＤが減衰器とし
て動作することを説明する。図３のＰＩＮダイオードの
部分を図１８（ａ）に示す。ＰＩＮダイオードＰＤは、
その入力端に印加する電圧を変化させることにより、図
１８（ｂ）のように、その抵抗成分Ｒが変化する可変抵
抗器として動作する。従って、ＰＩＮダイオードＰＤに
外部回路から制御電圧Ｖｃを印加して抵抗成分Ｒを変化
させることにより、通過損失Ｔを調整することができ
る。抵抗成分Ｒと通過損失Ｔの関係は、（３）式で表さ
れる。Ｔ＝２０・log（２Ｒｎ／（１＋２Ｒｎ））［ｄＢ］・・・（３）但し、ＲｎはＲ／Ｚｏ，Ｚｏは信号伝送系の特性インピ
ーダンスである。これより、第１増幅素子１１と第２増
幅素子２１のいずれか一方の増幅素子を基準とし、制御
電圧Ｖｃを調整してその増幅素子の振幅に他方の増幅素
子の振幅を合わせることができるようになる。つまり、
相互の振幅差を補償できるようになる。

【００１９】図３の第１経路におけるＣａ，Ｃｂ，Ｃｃ
はバラクタダイオードＢＤ用の制御電圧ＶｃとＰＩＮダ
イオードＰＤ用の制御電圧Ｖｃとを分離するためのコン
デンサであり、ＦａとＦｂは制御電圧Ｖｃを印加する外
部回路用のローパスフィルタである。第２経路にも同様
の回路素子が配置されている。ベクトル調整器の調整、
すなわち、バラクタダイオードＢＤ及びＰＩＮダイオー
ドＰＤの調整は、出力端OUTに導かれる電力が最大にな
るように制御電圧Ｖｃを設定すればよい。

【００２０】＜第２実施例＞第２実施例による合成型高
周波増幅器の構成図を図４に示す。図４に示される合成
型高周波増幅器では、図１の合成器２として、集中定数
Ｌ11、Ｃ11、Ｌ21、Ｃ21、Ｃo及び抵抗Ｒｕによるウィ
ルキンソン型の等位相等振幅分配分配合成器を用いてい
る。ベクトル調整器の構成については、第１実施例と同
様である。ベクトル調整器の調整は、出力端OUTに導か
れる電力が最大になるように制御電圧Ｖｃを設定すれば
よい。

【００２１】＜第３実施例＞第３実施例による合成型高
周波増幅器の構成図を図５に示す。図５に示される合成
型高周波増幅器では、図１の合成器２として、分布定数
Ｂ１，Ｂ２及び抵抗Ｒｕを用いたウィルキンソン型の等
位相等振幅分配合成器を用いている。また、図１のベク
トル調整器１２，２２として、マイクロストリップ線路
上の開放スタブＳＴＢを用いた移相器と抵抗素子Ｒsを
用いた減衰器とを組み合わせたものを用いている。ここ
で、開放スタブＳＴＢが移相器として動作することを説
明する。図５の開放スタブＳＴＢの部分を図１９（ａ）
に示す。この開放スタブＳＴＢは、図１９（ｂ）のよう
に、特性インピーダンスＺの線路の長さによって電気角
χを変え、通過位相φを調整することができる。電気角
χと通過位相φとの関係は、（４）式で表される。 φ＝−tan^−１（ｔａｎχ／（２Ｚｎ））・・・（４）但し、ＺｎはＺ／Ｚｏ，Ｚｏは信号伝送系の特性インピ
ーダンスである。このように、開放スタブＳＴＢの線路
長を調整することにより、第１増幅素子１１と第２増幅
素子２１のいずれか一方の増幅素子の通過位相φに、他
方の増幅素子の通過位相φを合わせることができるよう
になる。つまり、相互の位相差を補償できるようにな
る。

【００２２】減衰器については、単純な抵抗素子Ｒｓを
線路に直列に配置したものである。この抵抗値Ｒsと通
過損失Ｔの関係は、（５）式で表される。Ｔ＝２０・log （２／（２＋Ｒｎ））［ｄＢ］・・・（５）但し、ＲｎはＲs／Ｚｏ，Ｚｏは信号伝送系の特性イン
ピーダンスである。これより、いずれか一方の増幅素子
を基準にして抵抗素子Ｒｓの値を可変にすることによ
り、相互の振幅差を補償することができる。第３実施例
の場合も、ベクトル調整器の調整は、出力端OUTに導か
れる電力が最大になるように制御電圧Ｖｃを設定すれば
よい。

【００２３】＜第４実施例＞第４実施例による合成型高
周波増幅器の構成図を図６に示す。図６に示される合成
型高周波増幅器では、図１の合成器２として、集中定数
Ｌ11、Ｃ11、Ｌ21、Ｃ21、Ｃｏ及び抵抗Ｒｕによるウィ
ルキンソン型の等位相等振幅分配合成器を用いている。
また、図１のベクトル調整器１２，２２として、マイク
ロストリップ線路上の開放スタブＳＴＢを用いた移相器
と、抵抗素子Ｒsを用いた減衰器とを組み合わせたもの
を用いている。第３実施例の場合と同様、ベクトル調整
器の調整は、出力端OUTに導かれている電力が最大にな
るように制御電圧Ｖｃを設定すればよい。

【００２４】＜第５実施例＞第５実施例による合成型高
周波増幅器の構成図を図７に示す。この実施例の合成型
高周波増幅器は、図２に示したものの改良であり、図２
の合成器４として、分布定数Ｂ１〜Ｂ４及び抵抗Ｒoを
用いたブランチライン９０度ハイブリッド法による分配
合成器を用いている。図２のベクトル調整器１２，２２
については、第１及び第２実施例で用いたものと同一で
ある。ベクトル調整器の調整は、出力端OUTに導かれて
いる電力が最大になるように制御電圧Ｖｃを設定すれば
よい。

【００２５】＜第６実施例＞第６実施例による合成型高
周波増幅器の構成図を図８に示す。この実施例の合成型
高周波増幅器も、図２に示したものの改良であり、図２
の合成器４として、集中定数Ｌ11、Ｌ21、Ｌ31、Ｌ32、
Ｃ12、Ｃ13、Ｃ22、Ｃ23及び抵抗Ｒoによるブランチラ
イン９０度ハイブリッド法による分配合成器を用いてい
る。図２のベクトル調整器１２，２２については、第１
及び第２実施例で用いたものと同一である。ベクトル調
整器の調整は、出力端OUTに導かれている電力が最大に
なるようにすればよい。

【００２６】＜第７実施例＞第７実施例による合成型高
周波増幅器の構成図を図９に示す。この実施例の合成型
高周波増幅器も、図２に示したものの改良であり、図２
の合成器４として、分布定数Ｂ１〜Ｂ４及び抵抗Ｒoを
用いたブランチライン９０度ハイブリッド法による分配
合成器を用いている。図２のベクトル調整器１２，２２
については、第３及び第４実施例で用いたものと同一で
ある。ベクトル調整器１２，２２の調整は、出力端OUT
に導かれる電力が最大になるように制御電圧Ｖｃを設定
すればよい。

【００２７】（第８実施形態）第８実施例による合成型
高周波増幅器の構成図を図１０に示す。この実施例の合
成型高周波増幅器も、図２に示したものの改良であり、
図２の合成器４として、集中定数Ｌ11、Ｌ21、Ｌ31、Ｌ
32、Ｃ12、Ｃ13、Ｃ22、Ｃ23及び抵抗Ｒoによるブラン
チライン９０度ハイブリッド法による分配合成器を用い
ている。図２のベクトル調整器１２，２２については、
第３及び第４実施例で用いたものと同一である。ベクト
ル調整器１２，２２の調整は、出力端OUTに導かれる電
力が最大になるように制御電圧Ｖｃを設定すればよい。
以上、複数の実施形態及び実施例を示して本発明の合成
型高周波増幅器の内容を説明したが、実際に回路を組み
上げるときには集積化が可能なので、増幅素子１１，２
１をＭＭＩＣにしてもよいし、回路素子ごとにＩＣ化し
て混成ＩＣにしてもよい。また、本発明の効果を最大に
引き出すためには、増幅素子１１，２１の非線形歪の範
囲を予測して回路素子の値を決定するようにする。これ
により、ベクトル調整器１２，２２の調整方法が単純化
され、量産とコスト低減に有効になる。

【００２８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、移相器と減衰器とを組み合わせたベクトル調
整器を合成器の前段に配置することにより、飽和領域に
近い領域で動作する際の増幅素子の非線形歪に起因する
合成損失を改善することができるようになる。また、合
成器に組み込まれているアイソレーション抵抗の消費電
力が低減できるので、良好な高周波特性が得られるとい
う効果も得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態による等位相等振幅合成
型高周波増幅器の構成図。

【図２】本発明の第２実施形態による９０度ハイブリッ
ド法による合成型高周波増幅器の構成図。

【図３】本発明の第１実施例による合成型高周波増幅器
の構成図。

【図４】本発明の第２実施例による合成型高周波増幅器
の構成図。

【図５】本発明の第３実施例による合成型高周波増幅器
の構成図。

【図６】本発明の第４実施例による合成型高周波増幅器
の構成図。

【図７】本発明の第５実施例による合成型高周波増幅器
の構成図。

【図８】本発明の第６実施例による合成型高周波増幅器
の構成図。

【図９】本発明の第７実施例による合成型高周波増幅器
の構成図。

【図１０】本発明の第８実施例による合成型高周波増幅
器の構成図。

【図１１】等位相等振幅型の従来の合成型高周波増幅器
の構成図。

【図１２】９０度ハイブリッド型の従来の合成型高周波
増幅器の構成図。

【図１３】従来の分布定数型ウィルキンソン分配合成器
の説明図。

【図１４】従来の集中定数型ウィルキンソン分配合成器
の説明図。

【図１５】合成器出力の位相・振幅依存性を示したグラ
フ。

【図１６】増幅素子の入力電力依存性を示したグラフ。

【図１７】（ａ）はバラクタダイオードによる移相器の
部分抜き出し図、（ｂ）はその等価回路。

【図１８】（ａ）はＰＩＮダイオードによる減衰器の部
分抜き出し図、（ｂ）はその等価回路。

【図１９】（ａ）はマイクロストリップ線路上に形成さ
れた開放スタブによる移相器の部分抜き出し図、（ｂ）
はその等価回路。

【符号の説明】

１等位相等振幅分配器２等位相等振幅合成器３９０度ハイブリッド法による分配器４９０度ハイブリッド法による合成器１１第１増幅素子２１第２増幅素子１２，２２ベクトル調整器１２１，２２１移相器１２２，２２２減衰器ＩＮ入力端ＯＵＴ出力端

フロントページの続き (72)発明者槙敏夫東京都調布市柴崎２丁目１番地３島田理化工業株式会社内Ｆターム(参考） 5J067 AA04 AA21 CA36 CA61 CA92 FA19 HA19 HA21 HA25 HA26 HA29 HA30 HA33 KA00 KA16 KA23 KA68 KS03 KS04 LS12 QS04 SA13 TA01 TA02 5J069 AA04 AA21 CA36 CA61 CA92 FA19 HA19 HA21 HA25 HA26 HA29 HA30 HA33 KA00 KA16 KA23 KA68 KC03 KC06 KC07 SA13 TA01 TA02 5J092 AA04 AA21 CA36 CA61 CA92 FA19 HA19 HA21 HA25 HA26 HA29 HA30 HA33 KA00 KA16 KA23 KA68 SA13 TA01 TA02 5J500 AA04 AA21 AC36 AC61 AC92 AF19 AH19 AH21 AH25 AH26 AH29 AH30 AH33 AK00 AK16 AK23 AK68 AS13 AT01 AT02 CK03 CK06 CK07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高周波信号を等位相等振幅で分岐出力す
る分配器と、この分配器から分岐出力された高周波信号
を合成する合成器とを備え、前記分配器と前記合成器との間には前記分岐出力された
高周波信号が通過する複数の経路が形成されており、前記複数の経路の各々には、前記分岐出力された高周波
信号を増幅する単位増幅手段と、この単位増幅手段で増
幅された高周波信号の位相及び／又は振幅を、他の経路
を通過する高周波信号のものに適合させる調整手段とが
挿入接続されている、合成型高周波増幅器。
【請求項２】前記調整手段が、当該経路を通過する高
周波信号の位相を変化させる移相器と、その高周波信号
の振幅を変化させる減衰器とを含んで構成される、請求
項１記載の合成型高周波増幅器。
【請求項３】前記調整手段は、前記位相と前記振幅を
ベクトル的に調整するものである、請求項２記載の合成
型高周波増幅器。
【請求項４】前記移相器がバラクタダイオード、前記
減衰器がＰＩＮダイオードであり、各々、所定の制御電
圧が印加されたときに動作するものである、請求項２記載の合成型高周波増幅器。
【請求項５】前記バラクタダイオードと前記ＰＩＮダ
イオードに共通の制御電圧が選択的に印加されるように
構成されている、請求項４記載の合成型高周波増幅器。
【請求項６】前記複数の経路がマイクロストリップ線
路であり、前記移相器が当該マイクロストリップ線路に形成された
開放スタブ、前記減衰器が当該マイクロストリップ線路
に挿入された抵抗体である、請求項２記載の合成型高周波増幅器。
【請求項７】前記分配器が等振幅等位相で高周波信号
を分岐出力するものであり、前記合成器が前記複数の経
路を通過してきた高周波信号を等位相で合成するもので
ある、請求項１ないし６のいずれかの項記載の合成型高周波増
幅器。
【請求項８】前記分配器が９０度の位相差をもって等
振幅で二つの高周波信号を分岐出力するものであり、前
記合成器が二つの経路を通過してきた高周波信号を９０
度の位相差で合成するものである、請求項１ないし６のいずれかの項記載の合成型高周波増
幅器。
【請求項９】前記合成器が分布定数線路方式の合成回
路である、請求項７又は８記載の合成型高周波増幅器。
【請求項１０】前記合成器が集中定数線路方式の合成
回路である、請求項７又は８記載の合成型高周波増幅器。