JP2003208976A - エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 狭額縁化を図ることができると共に、均一な
封止剤を形成することができ、発光素子の素子性能の低
下を防止することができるＥＬ装置を提供する。 【解決手段】 本発明の有機ＥＬ装置（エレクトロルミ
ネッセンス装置）１においては、表面に複数の有機ＥＬ
素子（発光素子）２０が形成された基板１１と、周縁部
に環状の凸部３１を有する封止部材３０とが封止剤４０
を介して接合されていると共に、有機ＥＬ素子２０を構
成する陰極２４が有機ＥＬ素子の非形成領域５１にも形
成され、封止剤４０が、有機ＥＬ素子の非形成領域５１
であって、陰極の形成領域５２と非形成領域５３とに跨
った領域に形成されている。また、基板１１上方であっ
て、封止剤の形成領域５４を含む領域に、封止剤４０に
対する親和性を向上させるための親和性向上処理が施さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス（以下、「ＥＬ」と略記する。）装置及びその
製造方法、並びに電子機器に係り、特に、狭額縁化を図
ることができると共に、均一な封止剤を形成することが
でき、発光素子の素子性能の低下を防止することができ
るＥＬ装置、及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、
有機の発光材料を含有する発光層を挟持した構造を有す
る自発光素子であり、マトリクス状に配列された多数の
有機ＥＬ素子を具備して構成された有機ＥＬ装置は、高
輝度の表示が得られる、高速応答が可能であるなどの利
点を有することから、表示装置としての利用が期待され
ている。

【０００３】図１０に基づいて、スイッチング素子とし
てＴＦＴ（Thin-Film Transistor）を用いたアクティブ
マトリクス型の有機ＥＬ装置を取り上げて、従来の有機
ＥＬ装置の基本構造について簡単に説明する。図１０
は、従来の有機ＥＬ装置の概略断面図である。図１０に
示すように、従来の有機ＥＬ装置１００においては、基
板１１０上に、陽極として機能する画素電極２１０がマ
トリクス状に形成されており、各画素電極２１０上に発
光層２２０が形成され、発光層２２０が形成された基板
１１０のほぼ全面に渡って陰極２３０が形成されてい
る。また、各画素電極２１０には、スイッチングＴＦＴ
等（図示略）が電気的に接続されている。そして、各画
素電極２１０、及びその上に形成された発光層２２０と
陰極２３０により、１個の有機ＥＬ素子（発光素子）２
００が構成されており、有機ＥＬ装置１００は、マトリ
クス状に配列された多数の有機ＥＬ素子２００を具備し
て構成されている。

【０００４】有機ＥＬ装置１００において、有機ＥＬ素
子２００は少なくとも表示領域に形成されているが、有
機ＥＬ素子２００を構成する陰極２３０は、有機ＥＬ素
子の形成領域５００だけでなく、有機ＥＬ素子の非形成
領域５１０にも形成されている。このように、陰極２３
０を有機ＥＬ素子の非形成領域５１０にまで延設するこ
とにより、有機ＥＬ素子の非形成領域５１０に形成され
た陰極２３０に陰極電源配線（図示略）を接続し、陰極
電源配線を介して、陰極２３０と外部接続用端子部（図
示略）とを電気的に接続することが可能な構成になって
いる。また、基板１１０の有機ＥＬ素子２００が形成さ
れた側には、周縁部に環状の凸部３１０を有する封止部
材３００が配置されており、基板１１０の周縁部と封止
部材３００の凸部３１０とが、封止剤４００を介して接
合されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の有機ＥＬ装置は
上述のように概略構成されているが、有機ＥＬ装置にお
いては、装置外部から装置内部への水分や酸素等の侵入
を防止し、発光層や陰極の酸化を防止するために、基板
と封止部材とを気密に接合することが重要である。その
ため、封止剤にリークが形成されないように、封止剤
を、できるだけ幅広に、かつ均一に形成する必要がある
が、従来は、封止剤を陰極の非形成領域（図１０に示し
た有機ＥＬ装置においては、符号５２０で示す領域）に
形成していたため、有機ＥＬ装置の額縁領域（有機ＥＬ
装置が表示装置の場合、この額縁領域は非表示領域に相
当する。）が広くなり、有機ＥＬ装置を搭載する電子機
器の小型化を図ることが難しいという問題点があった。

【０００６】そこで、有機ＥＬ装置の狭額縁化を図るた
めに、封止剤の一部を陰極上に形成することが提案され
ている。しかしながら、かかる構成とした場合には、封
止剤が陰極の形成領域と非形成領域とに跨って形成され
るため、封止剤を材質の異なる２種類の下地上に形成す
る必要がある。一般に、基板と封止部材との接合は、有
機ＥＬ素子を形成した基板表面の所定の位置に未硬化の
接着剤を滴下し、接着剤が自然に広がった後、基板表面
に封止部材を押圧し、接着剤を硬化することにより行わ
れているが、材質の異なる２種類の下地上に接着剤を塗
布する場合には、材質の異なる２種類の下地の濡れ性が
異なるため、接着剤の広がり具合が異なり、均一な封止
剤が形成されない恐れがある。そして、均一な封止剤が
形成されない場合には、装置外部から装置内部への水分
や酸素等の侵入を防止することができず、発光層や陰極
が酸化され、有機ＥＬ素子の素子性能が低下する恐れが
ある。

【０００７】有機ＥＬ装置の狭額縁化を図ると共に、こ
の問題を解決するためには、すべての封止剤を陰極上に
形成することが考えられるが、かかる構成とした場合に
は、陰極の最端部が外気に曝され、陰極が酸化されやす
くなるため、有機ＥＬ素子の素子性能が低下する恐れが
あり、好ましくない。

【０００８】以上、有機の発光材料を含有する発光層を
具備する有機ＥＬ装置を取り上げて説明したが、以上の
問題は、無機の発光材料を含有する発光層を具備する無
機ＥＬ装置についても同様に生じる問題である。そこ
で、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、狭
額縁化を図ることができると共に、均一な封止剤を形成
することができ、発光素子の素子性能の低下を防止する
ことができるＥＬ装置、及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。また、狭額縁化を図ることができると
共に、発光素子の素子性能の低下を防止することができ
るＥＬ装置を備えることにより、小型化を図ることがで
きると共に、性能に優れた電子機器を提供することを目
的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】 本発明の第１のＥＬ装
置は、表面に発光素子が形成された基板と、周縁部に環
状の凸部を有する封止部材とを具備し、前記基板の周縁
部と前記封止部材の前記凸部とが封止剤を介して接合さ
れたエレクトロルミネッセンス装置において、前記発光
素子が、前記基板側から、第１の電極と発光層と第２の
電極とを順次具備してなり、前記第２の電極が前記発光
素子の非形成領域にも形成され、前記封止剤が、前記発
光素子の非形成領域であって、前記第２の電極の形成領
域と非形成領域とに跨った領域に形成されているととも
に、前記基板上方の、前記封止剤の形成領域を含む領域
に、前記封止剤に対する親和性を向上させる親和性向上
処理が施されていることを特徴とする。

【００１０】すなわち、本発明の第１のＥＬ装置では、
封止剤を、第２の電極の形成領域と非形成領域とに跨っ
て形成する構成を採用しているので、すべての封止剤を
第２の電極の非形成領域に形成する場合に比較して狭額
縁化を図ることができる。また、すべての封止剤を第２
の電極の形成領域に形成する場合と異なり、第２の電極
が外気に曝される恐れもない。このように、本発明の第
１のＥＬ装置では、封止剤が、材質の異なる２種類の下
地上に形成されているが、基板上方の、封止剤の形成領
域を含む領域には、封止剤に対する親和性を向上させる
親和性向上処理が施されているので、封止剤を形成する
材質の異なる２種類の下地の濡れ性を略同一とすること
ができる。その結果、基板と封止部材とを接合する際
に、材質の異なる２種類の下地上に塗布された接着剤の
広がり具合を略同一とすることができ、安定して均一な
封止剤を形成することができる。

【００１１】また、本発明の第１のＥＬ装置では、均一
な封止剤を形成することができるので、基板と封止部材
とを気密に接合することができ、装置外部から装置内部
への水分や酸素等の侵入を防止することができること加
えて、第２の電極が外気に曝されないため、発光層や第
２の電極の酸化を防止することができ、発光素子の素子
性能の低下を防止することができる。

【００１２】以上の本発明の第１のＥＬ装置は、以下の
本発明のＥＬ装置の製造方法によって、製造することが
できる。本発明のＥＬ装置の製造方法は、基板上に、第
１の電極と発光層と第２の電極とが順次積層されてなる
発光素子を形成する工程と、周縁部に環状の凸部を有す
る封止部材によって、前記基板の周縁部と前記封止部材
の前記凸部とを封止剤を介して接合する工程と、を含む
エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前
記第２の電極を、前記発光素子の非形成領域にも形成
し、前記封止剤を、前記発光素子の非形成領域であっ
て、前記第２の電極の形成領域と非形成領域とに跨った
領域に形成し、前記複数の発光素子を形成した前記基板
上方において、前記封止剤の形成領域を含む領域に、前
記封止剤に対する親和性を向上させる処理を施すことを
特徴とする。なお、前記親和性向上処理としては、例え
ば、紫外線を照射する処理や、プラズマを照射する処理
が挙げられる。以上の本発明のＥＬ装置の製造方法によ
れば、本発明の第１のＥＬ装置を簡易に製造することが
でき、好適である。

【００１３】また、前記発光素子の形成領域を含む領域
であって、前記封止剤の形成領域を含まない領域をマス
クにより覆った状態で、紫外線若しくはプラズマを照射
することにより、前記発光素子の非形成領域であって、
前記封止剤の形成領域を含む領域にのみ、前記親和性向
上処理を施すことができる。また、局所的に紫外線を照
射することが可能な紫外線照射手段を用い、前記紫外線
照射手段から、前記発光素子を形成した前記基板上方に
対して紫外線を照射しながら、前記基板の表面に対して
前記紫外線照射手段を相対移動させることによっても、
前記発光素子の非形成領域であって、前記封止剤の形成
領域を含む領域にのみ、前記親和性向上処理を施すこと
ができる。

【００１４】このように、発光素子の非形成領域であっ
て、封止剤の形成領域を含む領域にのみ、紫外線若しく
はプラズマを照射する場合には、発光素子に紫外線若し
くはプラズマが照射されないため、発光素子を損傷する
ことなく、親和性向上処理を施すことができ、好適であ
る。

【００１５】また、本発明の第２のＥＬ装置は、表面に
発光素子が形成された基板と、周縁部に環状の凸部を有
する封止部材とを具備し、前記基板の周縁部と前記封止
部材の前記凸部とが封止剤を介して接合されたエレクト
ロルミネッセンス装置において、前記発光素子が、前記
基板側から、第１の電極と発光層と第２の電極とを順次
具備してなり、前記第２の電極が前記発光素子の非形成
領域にも形成され、前記封止剤が、前記発光素子の非形
成領域であって、前記第２の電極の形成領域と非形成領
域とに跨って形成されているとともに、前記基板上方
の、前記封止剤の形成領域を含む領域に、前記封止剤に
対する親和性を向上させるための無機膜が形成されてい
ることを特徴とする。本発明の第２のＥＬ装置におい
て、封止剤に対する親和性の高い無機膜としては、酸化
シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウムのうち少な
くとも１種からなる無機膜を例示することができる。

【００１６】本発明の第２のＥＬ装置においても、本発
明の第１のＥＬ装置と同様、封止剤を、第２の電極の形
成領域と非形成領域とに跨って形成する構成を採用して
いるので、狭額縁化を図ることができると共に、第２の
電極が外気に曝される恐れがない。このように、本発明
の第２のＥＬ装置においても、封止剤が、第２の電極の
形成領域と非形成領域とに跨って形成されているが、基
板上方であって、封止剤の形成領域を含む領域には、封
止剤に対する親和性を向上させるための無機膜が形成さ
れているため、封止剤はこの無機膜上に形成され、封止
剤を形成する下地が１種類となるため、基板と封止部材
とを接合する際に、接着剤の広がり具合を均一とするこ
とができ、安定して均一な封止剤を形成することができ
る。

【００１７】また、本発明の第２のＥＬ装置において
も、本発明の第１のＥＬ装置と同様、均一な封止剤を形
成することができるので、基板と封止部材とを気密に接
合することができ、装置外部から装置内部への水分や酸
素等の侵入を防止することができることに加えて、第２
の電極が外気に曝されないため、発光層や第２の電極の
酸化を防止することができ、発光素子の素子性能の低下
を防止することができる。

【００１８】また、本発明の第１又は第２のＥＬ装置を
備えることにより、本発明の電子機器を提供することが
できる。本発明の電子機器は、本発明の第１又は第２の
ＥＬ装置を備えたものであるので、小型化を図ることが
できると共に、性能に優れたものとなる。

【００１９】

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。なお、各実施形態においては、図
面を参照しながら説明するが、各図において、各層や各
部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各
層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

【００２０】［第１実施形態］（有機ＥＬ装置の構造）
図１〜図４に基づいて、本発明に係る第１実施形態の有
機ＥＬ装置の構造について説明する。本実施形態では、
スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマト
リクス型の有機ＥＬ装置への本発明の適用例を示す。本
実施形態では、特に、基板と封止部材との接合構造が特
徴的なものとなっている。図１は、本実施形態の有機Ｅ
Ｌ装置の表示領域を構成するマトリクス状に配置された
複数のドットにおける等価回路図である。図２は、本実
施形態の有機ＥＬ装置に備えられた基板を封止部材側か
ら見た時の全体構成を示す概略平面図である。図３は、
本実施形態の有機ＥＬ装置の全体構成を示す概略断面図
であり、図４は、本実施形態の有機ＥＬ装置を拡大して
示す部分概略断面図である。なお、図３、図４は、本実
施形態の有機ＥＬ装置を図２に示すＡ−Ａ’線に沿って
切断した時の断面図であり、図３、４では、下側が視認
側（観察者側）である場合について図示している。

【００２１】｛全体構造｝図２、図３に示すように、本
実施形態の有機ＥＬ装置１は、表面に、マトリクス状に
配列された多数の有機ＥＬ素子（発光素子）２０を具備
する基板１１を主体として構成されている。また、有機
ＥＬ装置１において、有機ＥＬ素子２０は少なくとも表
示領域に形成されており、各有機ＥＬ素子２０が形成さ
れた部分及びその周縁部が、１ドットになっている。な
お、有機ＥＬ素子２０を図示左右方向に６個配列した場
合について図示しているが、有機ＥＬ素子２０の配列個
数については適宜設計することが可能である。また、基
板１１は、図４に拡大して示すように、ガラス、透光性
樹脂等の透光性材料からなる基板本体１１Ａと、基板本
体１１Ａ上に形成された配線部６０とから構成されてい
るが、図３では、配線部６０の図示を省略している。

【００２２】また、基板１１の有機ＥＬ素子２０が形成
された側には、周縁部に環状の凸部３１を有する、ガラ
ス等からなる封止部材３０が配置されており、基板１１
の周縁部と封止部材３０の凸部３１とが、エポキシ樹脂
等の接着剤からなる封止剤４０を介して接合されてい
る。また、封止部材３０の内面には、酸化カルシウム、
酸化バリウム等を主成分とし、水分、酸素等を吸収する
ことが可能な吸収剤３２が貼着されており、有機ＥＬ素
子２０を構成する後述する発光層、陰極が酸化され、素
子性能が低下することを防止できるようになっている。

【００２３】より詳細には、有機ＥＬ装置１において
は、基板１１上に、インジウム錫酸化物等の透明導電性
材料からなり、陽極（第１の電極）として機能する平面
視矩形状の画素電極２１がマトリクス状に形成されてお
り、各画素電極２１上に、正孔注入／輸送層２２と発光
層２３とが順次積層形成され、発光層２２が形成された
基板１１のほぼ全面に渡って陰極（第２の電極）２４が
形成されている。また、各画素電極２１には、スイッチ
ングＴＦＴ等（図示略）が電気的に接続されている。そ
して、各画素電極２１、及びその上に形成された正孔注
入／輸送層２２と発光層２３と陰極２４により、１個の
有機ＥＬ素子２０が構成されている。

【００２４】ここで、正孔注入／輸送層２２は、画素電
極２１から発光層２３に正孔を注入すると共に、画素電
極２１から注入された正孔を正孔注入／輸送層２２内に
おいて輸送する機能を有する層である。正孔注入／輸送
層２２を構成する正孔注入／輸送層材料としては、公知
の正孔注入／輸送層材料を用いることができ、ポリエチ
レンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポ
リスチレンスルホン酸等の混合物等を例示することがで
きる。

【００２５】また、発光層２３は有機の発光材料を含有
する層であり、正孔注入／輸送層２２から注入された正
孔と、陰極２４から注入された電子との再結合エネルギ
ーにより、発光材料が発光することを利用して、所定の
波長（色）の光を発光することが可能な層である。本実
施形態では、図４に拡大して示すように、発光層２３と
して、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）を各
々発光することが可能な３種類の発光層２３Ｒ、２３
Ｇ、２３Ｂが所定のパターンで設けられており、赤色
光、緑色光、青色光を発光する３種類の発光層２３Ｒ、
２３Ｇ、２３Ｂが形成された３ドットで１画素の表示が
行われるようになっている。

【００２６】発光層２３を構成する発光材料としては、
蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材
料を用いることができる。具体的には、高分子系材料と
して、フルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニ
レンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフル
オレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェ
ン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミ
ン系色素等を例示することができる。また、低分子系材
料として、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニル
アントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッ
ド、クマリン６、キナクリドン等を例示することができ
る。

【００２７】また、本実施形態において、正孔注入／輸
送層２２と発光層２３とは、インクジェット方式を用い
て形成されたものであり、基板１１の表面には、正孔注
入／輸送層２２、発光層２３を形成する際に、正孔注入
／輸送層材料、発光層材料の液滴を吐出する部分を区画
するための隔壁２５が各ドットの外周部に沿って突設さ
れている。また、図４に拡大して示すように、隔壁２５
の直下、及び、画素電極２１上であって、隔壁２５によ
り囲まれた領域の周縁部には、酸化シリコン等からなる
無機膜２６が形成されている。

【００２８】また、陰極２４を構成する陰極材料は、発
光層２３を構成する発光材料に応じて適宜選択される
が、陰極２４は、アルミニウム合金、銀合金等の、導電
性を有すると共に、光反射性を有する材料により構成さ
れている。このように、陰極２４を光反射性材料により
構成することにより、発光層２３により発光された光の
うち、視認側と反対側、すなわち、陰極２４側に出射さ
れた光を陰極２４により反射させ、観察者側に出射させ
ることができるので、観察者に視認される光量を増大す
ることができ、好適である。なお、陰極２４を、複数の
陰極材料を積層させた積層構造としても良く、この場合
には、陰極２４を構成する層のうち少なくとも最表面に
位置する層を、導電性を有すると共に、光反射性を有す
る材料により構成することが好ましい。

【００２９】また、図２に示すように、基板１１の一端
部には、外部接続用端子部１２が設けられており、外部
接続用端子部１２には、駆動用ＩＣ（Integrated Circu
it）を搭載したフレキシブルプリント基板（図示略）が
電気的に接合されている。

【００３０】また、図３に示すように、有機ＥＬ素子２
０を構成する陰極２４は、有機ＥＬ素子の形成領域５０
だけでなく、有機ＥＬ素子の非形成領域５１にも形成さ
れている。そして、このように陰極２４を有機ＥＬ素子
の非形成領域５１にまで延設することにより、図２に示
すように、有機ＥＬ素子の非形成領域５１に形成された
陰極２４に陰極電源配線２４ａを接続し、陰極電源配線
２４ａを介して、陰極２４と外部接続用端子部１２とを
電気的に接続することが可能な構成になっている。な
お、陰極電源配線２４ａは、例えば、図示するように、
平面視コ字状に配設されるが、陰極電源配線２４ａは、
陰極２４と外部接続用端子部１２とを導通することがで
きれば、いかなるパターンで配設されても良い。また、
画素電極２１に接続されたスイッチングＴＦＴ等に接続
された配線も、外部接続用端子部１２に電気的に接続さ
れている。以下、図１に基づいて、画素電極２１と、ス
イッチングＴＦＴ、配線等の接続構造について、説明す
る。

【００３１】図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ
装置１には、複数の走査線１０１と、走査線１０１の延
在方向に対して交差する方向に延在する複数の信号線１
０２と、信号線１０２の延在方向に対して平行方向に延
在する複数の共通給電線１０３とが配設されており、走
査線１０１と信号線１０２の各交点に対応して、各ドッ
トが形成されている。走査線１０１、信号線１０２は、
各々、外部接続用端子部１２に電気的に接続されてお
り、駆動用ＩＣに搭載された走査側駆動回路１３、デー
タ側駆動回路１４に電気的に接続されている。

【００３２】また、各ドットには、走査線１０１を介し
て走査信号がゲート電極に供給されるスイッチングＴＦ
Ｔ１０４と、このスイッチングＴＦＴ１０４を介して信
号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量
capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲ
ート電極に供給されるカレントＴＦＴ１０５とが形成さ
れている。また、画素電極２１が、カレントＴＦＴ１０
５を介して共通給電線１０３に接続されている。さら
に、上述したように、画素電極２１と陰極２４との間
に、正孔注入／輸送層２２（図１では省略）と発光層２
３が形成されており、画素電極２１、正孔注入／輸送層
２２、発光層２３、陰極２４により、有機ＥＬ素子２０
が構成されている。

【００３３】そして、走査線１０１が駆動されてスイッ
チングＴＦＴ１０４がオンになると、そのときの信号線
１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量cap
の状態に応じて、カレントＴＦＴ１０５のオン・オフ状
態が決定されるように構成されている。また、カレント
ＴＦＴ１０５のチャネルを介して、共通給電線１０３か
ら画素電極２１に電流が流れ、さらに、正孔注入／輸送
層２２、発光層２３を介して陰極２４に電流が流れ、発
光層２３が、発光層２３内を流れる電流量に応じて発光
するように構成されている。

【００３４】なお、図４に拡大して示すように、画素電
極２１に接続されたスイッチングＴＦＴ、配線等は、基
板本体１１Ａ上に形成され、基板１１を構成する配線部
６０内に形成されている。また、陰極２４に接続された
陰極電源配線２４ａも同じ配線部６０内に形成されてい
る。

【００３５】より詳細には、基板本体１１Ａ上に、酸化
シリコン等からなる下地保護膜（図示略）が形成され、
この下地保護膜上に多結晶シリコン等からなる所定のパ
ターンの半導体層６３が形成されている。半導体層６３
には、ソース領域６３ａ及びドレイン領域６３ｂが高濃
度Ｐイオン打ち込みにより形成されており、Ｐが導入さ
れなかった部分がチャネル領域６３ｃとなっている。

【００３６】また、半導体層６３が形成された下地保護
膜上に、酸化シリコン、シリケートガラス等からなる透
明なゲート絶縁膜６１が形成され、ゲート絶縁膜６１上
に、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなる所定のパタ
ーンのゲート電極６４が形成され、ゲート電極６４が形
成されたゲート絶縁膜６１上に、酸化シリコン、シリケ
ートガラス等からなる透明な層間絶縁膜６２が形成され
ている。また、層間絶縁膜６２及びゲート絶縁膜６１を
貫通して、半導体層６３のソース、ドレイン領域６３
ａ、６３ｂにそれぞれ接続されたコンタクトホール６
５、６６が形成されている。そして、層間絶縁膜６２上
に、画素電極２１が形成されており、一方のコンタクト
ホール６５がこの画素電極２１に接続されている。ま
た、もう一方のコンタクトホール６６が共通給電線１０
３（図４では省略）に接続されている。

【００３７】以上のように、配線部６０には、各画素電
極２１に接続されたカレントＴＦＴ１０５が形成されて
いる。同様に、配線部６０には、前述した保持容量cap
及びスイッチングＴＦＴ１０４、陰極２４に接続された
陰極電源配線２４ａも形成されているが、図示を省略し
ている。

【００３８】｛基板と封止部材との接合構造｝次に、図
３に基づいて、基板１１と封止部材３０との接合構造に
ついて説明する。上述したように、陰極２４は、有機Ｅ
Ｌ素子の形成領域５０だけでなく、有機ＥＬ素子の非形
成領域５１にも形成されているが、本実施形態では、図
３に示すように、封止剤４０の一部分が、有機ＥＬ素子
の非形成領域５１に形成された陰極２４上に位置すると
共に、残りの部分が、陰極２４が形成されず、層間絶縁
膜６２（図３では省略）が基板１１最表面に露出した部
分の上に位置するように、封止剤４０が配置されてい
る。すなわち、本実施形態では、封止剤４０は、有機Ｅ
Ｌ素子の非形成領域５１であって、陰極の形成領域５２
と非形成領域５３とに跨った領域に形成されている。さ
らに、本実施形態では、基板１１上方であって、封止剤
の形成領域５４を含む領域に、封止剤４０に対する親和
性を向上させる親和性向上処理が施されている。すなわ
ち、基板１１上方において、少なくとも封止剤４０の下
地部分（陰極２４及び層間絶縁膜６２）に、封止剤４０
に対する親和性を向上させる親和性向上処理が施されて
いる。なお、封止剤４０の下地部分において異なる材質
の層のうち、いずれか一方が特に封止剤４０に対して親
和性が低い場合には、低い方の親和性が他方の層の親和
性に近くなるように処理すれば良い。例えば、封止剤４
０に対する親和性が、層間絶縁膜６２よりも陰極２４の
方が低い場合には、少なくとも陰極２４の封止剤４０に
対する親和性が向上するような処理を施せば良い。

【００３９】本実施形態の有機ＥＬ装置１は以上のよう
に構成されており、本実施形態の有機ＥＬ装置１では、
封止剤４０を、陰極の形成領域５２と非形成領域５３と
に跨って形成する構成を採用しているので、すべての封
止剤を陰極の非形成領域に形成する場合に比較して狭額
縁化を図ることができる。また、すべての封止剤を陰極
の形成領域に形成する場合と異なり、陰極２４が外気に
曝される恐れもない。このように、本実施形態の有機Ｅ
Ｌ装置１では、封止剤４０が材質の異なる２種類の下地
（陰極２４及び層間絶縁膜６２）上に形成されている
が、基板１１上方であって、封止剤の形成領域５４を含
む領域には、封止剤に対する親和性を向上させる親和性
向上処理が施されているので、封止剤４０を形成する材
質の異なる２種類の下地の濡れ性を略同一とすることが
できる。その結果、基板１１と封止部材３０とを接合す
る際に、材質の異なる２種類の下地上に塗布された接着
剤の広がり具合を略同一とすることができ、安定して均
一な封止剤４０を形成することができる。

【００４０】また、本実施形態の有機ＥＬ装置１では、
均一な封止剤４０を形成することができるので、基板１
１と封止部材３０とを気密に接合することができ、装置
外部から装置内部への水分や酸素等の侵入を防止するこ
とができることに加えて、陰極２４が外気に曝されない
ため、発光層２３や陰極２４の酸化を防止することがで
き、有機ＥＬ素子２０の素子性能の低下を防止すること
ができる。なお、基板１１上方の親和性向上処理方法を
含む、基板１１と封止部材３０との接合方法について
は、後述する。

【００４１】（有機ＥＬ装置の製造方法）次に、本実施
形態の有機ＥＬ装置１の製造方法について簡単に説明す
る。なお、以下に示す製造方法は一例であって、本実施
形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、以下に記載の製造
方法に限定されるものではない。はじめに、基板本体１
１Ａを用意し、基板本体１１Ａ上に配線部６０を形成
し、基板１１を作製した後、フォトリソグラフィー法に
より、所定のパターンの画素電極２１を形成する。すな
わち、基板１１の全面に、スパッタリング法等により、
透明導電性材料を成膜し、基板１１の全面にフォトレジ
ストを塗布した後、フォトレジストの露光、現像、成膜
した透明導電性材料のエッチング、フォトレジストの除
去を行うことにより、所定のパターンの画素電極２１を
形成する。

【００４２】次に、フォトリソグラフィー法により、所
定のパターンの無機膜２６を形成する。すなわち、画素
電極２１を形成した基板１１の全面に、スパッタリング
法等により、無機材料を成膜し、基板１１の全面にフォ
トレジストを塗布した後、フォトレジストの露光、現
像、成膜した無機材料のエッチング、フォトレジストの
除去を行うことにより、所定のパターンの無機膜２６を
形成する。次に、フォトリソグラフィー法により、所定
のパターンの隔壁２５を形成する。すなわち、画素電極
２１を形成した基板１１の全面に、スピンコート法等に
より、感光性を有する隔壁形成用のレジストを塗布し、
露光、現像することにより、所定のパターンの隔壁２５
を形成する。

【００４３】次に、隔壁２５を形成した基板１１の表面
に対して、酸素プラズマを照射することにより、画素電
極２１、無機膜２６、隔壁２５の表面に露出した部分
に、ＯＨ基を導入し、親水化する。次いで、ＣＦ₄プラ
ズマを照射することにより、無機材料である画素電極２
１、無機膜２６の表面に導入されたＯＨ基は残して、隔
壁２５の表面に導入されたＯＨ基のみを脱離させる。以
上のようにして、画素電極２１、無機膜２６の表面に露
出した部分に親インク処理を施し、隔壁２５の表面に露
出した部分に撥インク処理を施す。このように処理を行
うことにより、後の正孔注入／輸送層２２、発光層２３
の形成工程において、隔壁２５で囲まれた領域に、正孔
注入／輸送層形成用インク、発光層形成用インクを簡易
に吐出することができ、好適である。

【００４４】次に、インクジェット方式を用いて、正孔
注入／輸送層２２を形成する。すなわち、正孔注入／輸
送層材料を溶媒に溶解した正孔注入／輸送層形成用イン
クを調製し、インクジェットヘッド内に調製したインク
を充填し、インクの液滴を隔壁２５により囲まれた領域
に吐出した後、乾燥処理を施し、溶剤を除去することに
より、正孔注入／輸送層２２を形成する。

【００４５】次に、インクジェット方式を用いて、正孔
注入／輸送層２２と同様に、発光層２３（２３Ｒ〜２３
Ｂ）を形成する。すなわち、赤色光、緑色光、青色光を
発光する発光層２３Ｒ〜２３Ｂに対応させて、発光層材
料を溶媒に溶解した３種類の発光層形成用インクを調製
し、インクジェットヘッド内に調製したインクを充填
し、インクの液滴を隔壁２５により囲まれた領域に吐出
した後、乾燥・焼成処理を施し、溶剤を除去することに
より、発光層２３Ｒ〜２３Ｂを形成する。なお、１種類
の吐出ノズルを有するインクジェットヘッドを用い、充
填するインクを交換し、発光色の異なる発光層２３Ｒ〜
２３Ｂを順次形成しても良いし、３種類のインクに対応
した３種類の吐出ノズルを有するマルチヘッドを用い、
発光色の異なる発光層２３Ｒ〜２３Ｂを一括形成しても
良い。

【００４６】次に、マスクを用いた真空蒸着法により、
複数の発光層２３Ｒ〜２３Ｂが形成された領域を覆うよ
うに、最外周部に位置する隔壁２５の外側まで陰極２４
を形成する。すなわち、この工程において、陰極２４を
有機ＥＬ素子の形成領域５０のみならず、有機ＥＬ素子
の非形成領域５１にも形成するが、有機ＥＬ素子の非形
成領域５１に形成される陰極２４は、最外周部に位置す
る隔壁２５の外側の側面と、基板１１に接して形成され
る。

【００４７】次に、基板１１上方において、封止剤の形
成領域５４を含む領域に、封止剤４０に対する親和性を
向上させる親和性向上処理を施す。この処理は、基板上
方に対して紫外線、プラズマ等を照射することにより施
すことが可能であるが、有機ＥＬ素子２０の発光層２３
等が損傷されないように、有機ＥＬ素子の非形成領域５
１であって、封止剤の形成領域５４を含む領域にのみ、
紫外線、プラズマ等を照射することが好ましい。

【００４８】例えば、図５に示すように、広範囲に紫外
線を照射することが可能な紫外線照射手段７１を用い、
有機ＥＬ素子の形成領域５０を含む領域であって、封止
剤の形成領域５４を含まない領域をマスク７２により覆
った状態で、基板１１上方に対して紫外線を照射するこ
とにより、有機ＥＬ素子の非形成領域５１であって、封
止剤の形成領域５４を含む領域にのみ、紫外線を照射す
ることができる。なお、図５においては、紫外線照射手
段７１から出射される紫外線を波線の矢印で示してい
る。

【００４９】同様に、紫外線照射手段７１の代わりに、
広範囲にプラズマを照射することが可能なプラズマ照射
手段を用い、有機ＥＬ素子の形成領域５０を含む領域で
あって、封止剤の形成領域５４を含まない領域をマスク
７２により覆った状態で、基板１１上方に対してプラズ
マを照射することによっても、有機ＥＬ素子の非形成領
域５１であって、封止剤の形成領域５４を含む領域にの
み、プラズマを照射することができる。なお、用いるプ
ラズマとしては、大気圧プラズマや減圧プラズマが挙げ
られる。ここで、大気圧プラズマとしては、酸素プラズ
マや、不活性ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の希ガス）をキ
ャリアガスとして用いたプラズマが好適である。また、
減圧プラズマとしては、酸素プラズマや、不活性ガス
（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の希ガス）をキャリアガスとして
用いたプラズマが好適であるが、大気プラズマを用いて
も良い。なお、プラズマとして、酸素プラズマを用いた
場合には、照射した部分が親水化され、封止剤４０との
密着性が向上するので、化学的に親和性を向上させるこ
とができる。また、不活性ガスを用いたプラズマを用い
た場合は、表面が荒らされることによって、封止剤４０
との密着性が向上するので、物理的に親和性を向上させ
ることができる。

【００５０】また、図６に示すように、スポット状に
（局所的に）紫外線を照射することが可能な紫外線照射
手段７３を用い、紫外線照射手段７３から基板表面に対
して紫外線を照射しながら、基板表面に対して紫外線照
射手段７３を相対移動させることによっても、有機ＥＬ
素子の非形成領域５１であって、封止剤の形成領域５４
を含む領域にのみ、紫外線を照射することができる。な
お、図６においても、紫外線照射手段７３から出射され
る紫外線を波線の矢印で示している。

【００５１】なお、紫外線、プラズマ等の照射条件は、
陰極２４あるいは層間絶縁膜６２の材質等により、適宜
設計されるが、紫外線、プラズマ等を照射する陰極２４
と層間絶縁膜６２の表面の濡れ性が略同一になるよう
に、紫外線、プラズマ等を照射することが好ましい。

【００５２】次に、基板１１と、あらかじめ吸収剤３２
を貼着しておいた封止部材３０とを接合する。すなわ
ち、基板１１上方であって、封止剤の形成領域５４に、
ディスペンス法等により、封止剤として、未硬化の接着
剤を滴下する。このとき、未硬化の接着剤は、材質の異
なる陰極２４と層間絶縁膜６２上に滴下されるが、封止
剤４０の下地部分には、ほぼ均一な濡れ性を有するよう
に、封止剤４０に対する親和性を向上させる親和性向上
処理が施されているので、接着剤は自然に均一に広が
る。

【００５３】次いで、接着剤上に封止部材３０の凸部３
１が位置するように、基板１１表面に封止部材３０を押
圧した後、接着剤を硬化することにより、基板１１と封
止部材３０とを接合することができる。なお、接着剤と
してエポキシ系等の熱硬化性接着剤を用いる場合には、
加熱により接着剤を硬化することができる。また、基板
１１と封止部材３０との接合は、窒素、アルゴン等の不
活性ガス雰囲気中で行われるので、基板１１と封止部材
３０との間の空間には、不活性ガスが充填される。以上
のようにして、本実施形態の有機ＥＬ装置１を簡易に製
造することができる。

【００５４】以上の製造方法によれば、基板１１上方で
あって、封止剤の形成領域５４を含む領域に、封止剤４
０に対する親和性を向上させる親和性向上処理を施した
後、基板１１と封止部材３０とを接合する構成を採用し
ているので、基板１１と封止部材３０とを接合する際
に、材質の異なる２種類の下地上に塗布された接着剤の
広がり具合を略同一とすることができ、安定して均一な
封止剤４０を形成することができる。さらに、このよう
な親和性向上処理を施すことにより、下地部分に対する
封止剤４０の密着性も向上できるので、より信頼性の高
い有機ＥＬ装置１を得ることができる。

【００５５】また、有機ＥＬ素子の非形成領域５１であ
って、封止剤の形成領域５４を含む領域にのみ、紫外
線、プラズマ等を照射し、紫外線、プラズマ等を照射し
た領域に親和性向上処理を施す場合には、有機ＥＬ素子
２０に紫外線、プラズマ等が照射されないため、有機Ｅ
Ｌ素子２０を損傷することなく、親和性向上処理を施す
ことができ、好適である。

【００５６】［第２実施形態］ （有機ＥＬ装置の構造）次に、本発明に係る第２実施形
態の有機ＥＬ装置の構造について説明する。本実施形態
でも、第１実施形態と同様に、スイッチング素子として
ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置
への本発明の適用例を示す。本実施形態の有機ＥＬ装置
の基本構成は、第１実施形態と同様であり、基板と封止
部材との接合構造のみが異なっているので、第１実施形
態と同じ構成要素については同じ参照符号を付し、説明
は省略する。また、第１実施形態の図３に相当する図７
に基づいて説明する。なお、図７は、本実施形態の有機
ＥＬ装置の全体構成を示す概略断面図であり、図７にお
いても、下側が視認側（観察者側）である場合について
図示している。

【００５７】本実施形態の有機ＥＬ装置２においても、
第１実施形態と同様、陰極２４は、有機ＥＬ素子の形成
領域５０だけでなく、有機ＥＬ素子の非形成領域５１に
も形成されていると共に、封止剤４０は、有機ＥＬ素子
の非形成領域５１であって、陰極の形成領域５２と非形
成領域５３とに跨った領域に形成されている。さらに、
本実施形態では、基板１１上方において、有機ＥＬ素子
の非形成領域５１であって、封止剤の形成領域５４を含
む領域に、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニ
ウム等からなる、封止剤４０に対する親和性の高い無機
膜４１が形成されており、この無機膜４１上に封止剤４
０が形成されている。そして、本実施形態では、この無
機膜４１と封止剤４０の双方により、基板１１と封止部
材３０の凸部３１との間隙を封止するように構成されて
いる。なお、基板１１表面であって、無機膜４１の非形
成領域をマスクにより覆った状態で、基板１１表面に対
して無機材料をスパッタリングするなどして、所定の領
域にのみ無機膜４１を成膜することができる。

【００５８】本実施形態の有機ＥＬ装置２は以上のよう
に構成されており、本実施形態の有機ＥＬ装置２におい
ても、第１実施形態と同様、封止剤４０を、陰極の形成
領域５２と非形成領域５３とに跨って形成する構成を採
用しているので、狭額縁化を図ることができると共に、
陰極が外気に曝される恐れがない。このように、本実施
形態の有機ＥＬ装置２においても、封止剤４０が、陰極
の形成領域５２と非形成領域５３とに跨って形成されて
いるが、基板１１上方において、有機ＥＬ素子の非形成
領域５１であって、封止剤の形成領域５４を含む領域
に、封止剤４０に対する親和性の高い無機膜４１を形成
し、この無機膜４１上に封止剤４０を形成する構成とし
ているので、封止剤４０を形成する下地が１種類となる
ため、基板１１と封止部材３０とを接合する際に、接着
剤の広がり具合を均一とすることができ、安定して均一
な封止剤を形成することができる。

【００５９】また、本実施形態の有機ＥＬ装置２におい
ても、均一な封止剤４０を形成することができるので、
基板１１と封止部材３０とを気密に接合することがで
き、装置外部から装置内部への水分や酸素等の侵入を防
止することができることに加えて、陰極２４が外気に曝
されないため、発光層２３や陰極２４の酸化を防止する
ことができ、有機ＥＬ素子２０の素子性能の低下を防止
することができる。

【００６０】なお、本実施形態では、無機膜４１を、有
機ＥＬ素子の非形成領域５１であって、封止剤の形成領
域５４を含む領域に形成する場合について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、少なくとも封
止剤の形成領域５４を含む領域であれば、いかなる範囲
に無機膜４１を形成しても良い。例えば、図８に示すよ
うに、無機膜４１を基板１１の全面に形成しても良く、
かかる構成とした場合には、基板１１を無機膜４１によ
り保護することができるので、無機膜４１の存在によ
り、陰極２４や発光層２３側に水分や酸素等が浸透する
ことをより一層防止することができ、好適である。

【００６１】なお、以上の第１、第２実施形態において
は、正孔注入／輸送層と発光層とをインクジェット方式
を用いて形成した有機ＥＬ装置を取り上げて説明した
が、正孔注入／輸送層と発光層の形成方法については特
に限定されるものではなく、蒸着法等を用いてもよい。
また、第１、第２実施形態においては、陽極として機能
する画素電極、正孔注入／輸送層、発光層、陰極からな
る有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を取り上げて説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、陽極
と発光層との間に正孔注入／輸送層を具備しない有機Ｅ
Ｌ素子や、発光層と陰極との間に、電子輸送層を具備す
る有機ＥＬ素子など、陽極と陰極との間に少なくとも発
光層を具備する構成であれば、いかなる構成の有機ＥＬ
素子を備えた有機ＥＬ装置にも適用可能である。

【００６２】また、第１、第２実施形態においては、ス
イッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリ
クス型の有機ＥＬ装置を取り上げて説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、スイッチング素子と
してＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ
装置やパッシブマトリクス型の有機ＥＬ装置など、いか
なる駆動方式の有機ＥＬ装置にも適用可能である。ま
た、本発明は、有機の発光材料を含有する発光層を備え
た有機ＥＬ装置に限定されるものではなく、無機の発光
材料を含有する発光層を備えた無機ＥＬ装置にも適用可
能である。

【００６３】［電子機器］次に、上記第１、第２実施形
態の有機ＥＬ装置１又は２を備えた電子機器の具体例に
ついて説明する。図９（ａ）は、携帯電話の一例を示し
た斜視図である。図９（ａ）において、５００は携帯電
話本体を示し、５０１は前記の有機ＥＬ装置１又は２を
備えた表示部を示している。図９（ｂ）は、ワープロ、
パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視
図である。図９（ｂ）において、６００は情報処理装
置、６０１はキーボードなどの入力部、６０３は情報処
理本体、６０２は前記の有機ＥＬ装置１又は２を備えた
表示部を示している。図９（ｃ）は、腕時計型電子機器
の一例を示した斜視図である。図９（ｃ）において、７
００は時計本体を示し、７０１は前記の有機ＥＬ装置１
又は２を備えた表示部を示している。図９（ａ）〜
（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の有機ＥＬ装置
１又は２を備えたものであるので、小型化を図ることが
できると共に、性能に優れたものとなる。

【００６４】

【発明の効果】 以上、詳細に説明したように、本発明
の第１、第２のＥＬ装置によれば、封止剤を、発光素子
の非形成領域であって、陰極の形成領域と非形成領域と
に跨った領域に形成すると共に、基板上方であって、封
止剤の形成領域を含む領域に、封止剤に対する親和性を
向上させる親和性向上処理を施す構成、若しくは、基板
上方であって、封止剤の形成領域を含む領域に、封止剤
に対する親和性の高い無機膜を形成する構成を採用した
ので、狭額縁化を図ることができると共に、均一な封止
剤を形成することができ、発光素子の素子性能の低下を
防止することができる。また、本発明の有機ＥＬ装置の
製造方法によれば、本発明の第１のＥＬ装置を簡易に製
造することができる。また、本発明の第１又は第２のＥ
Ｌ装置を備えることにより、小型化を図ることができる
と共に、性能に優れた電子機器を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明に係る第１実施形態の有機Ｅ
Ｌ装置の表示領域を構成するマトリクス状に配置された
複数のドットにおける等価回路図である。

【図２】 図２は、本発明に係る第１実施形態の有機Ｅ
Ｌ装置に備えられた基板を封止部材側から見た時の全体
構成を示す概略平面図である。

【図３】 図３は、本発明に係る第１実施形態の有機Ｅ
Ｌ装置の全体構成を示す概略断面図である。

【図４】 図４は、本発明に係る第１実施形態の有機Ｅ
Ｌ装置を拡大して示す部分概略断面図である。

【図５】 図５は、本発明に係る第１実施形態の有機Ｅ
Ｌ装置の製造方法において、基板上方の親水化処理方法
を説明するための図である。

【図６】 図６は、本発明に係る第１実施形態の有機Ｅ
Ｌ装置の製造方法において、基板上方の親水化処理方法
を説明するための図である。

【図７】 図７は、本発明に係る第２実施形態の有機Ｅ
Ｌ装置の全体構成を示す概略断面図である。

【図８】 図８は、本発明に係る第２実施形態の有機Ｅ
Ｌ装置のその他の構成を示す概略断面図である。

【図９】 図９（ａ）は、上記実施形態の有機ＥＬ装置
を備えた携帯電話の一例を示す図、図９（ｂ）は、上記
実施形態の有機ＥＬ装置を備えた携帯型情報処理装置の
一例を示す図、図９（ｃ）は、上記実施形態の有機ＥＬ
装置を備えた腕時計型電子機器の一例を示す図である。

【図１０】 図１０は、従来の有機ＥＬ装置の基本構造
を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１、２ 有機ＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装
置） １１ 基板 ２０ 有機ＥＬ素子（発光素子） ２１ 画素電極（陽極） ２２ 正孔注入／輸送層 ２３ 発光層 ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂ 発光層 ２４ 陰極 ２５ 隔壁 ３０ 封止部材 ３１ 凸部 ４０ 封止剤 ４１ 無機膜 ５０ 有機ＥＬ素子の形成領域 ５１ 有機ＥＬ素子の非形成領域 ５２ 陰極の形成領域 ５３ 陰極の非形成領域 ５４ 封止剤の形成領域 ７１、７３ 紫外線照射手段 ７２ マスク

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に発光素子が形成された基板と、周
   縁部に環状の凸部を有する封止部材とを具備し、前記基
   板の周縁部と前記封止部材の前記凸部とが封止剤を介し
   て接合されたエレクトロルミネッセンス装置において、 前記発光素子が、前記基板側から、第１の電極と発光層
   と第２の電極とを順次具備してなり、 前記第２の電極が前記発光素子の非形成領域にも形成さ
   れ、前記封止剤が、前記発光素子の非形成領域であっ
   て、前記第２の電極の形成領域と非形成領域とに跨った
   領域に形成されているとともに、 前記基板上方の、前記封止剤の形成領域を含む領域に、
   前記封止剤に対する親和性を向上させる親和性向上処理
   が施されていることを特徴とするエレクトロルミネッセ
   ンス装置。
2. 【請求項２】 表面に発光素子が形成された基板と、周
   縁部に環状の凸部を有する封止部材とを具備し、前記基
   板の周縁部と前記封止部材の前記凸部とが封止剤を介し
   て接合されたエレクトロルミネッセンス装置において、 前記発光素子が、前記基板側から、第１の電極と発光層
   と第２の電極とを順次具備してなり、 前記第２の電極が前記発光素子の非形成領域にも形成さ
   れ、前記封止剤が、前記発光素子の非形成領域であっ
   て、前記第２の電極の形成領域と非形成領域とに跨って
   形成されているとともに、 前記基板上方の、前記封止剤の形成領域を含む領域に、
   前記封止剤に対する親和性を向上させるための無機膜が
   形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセ
   ンス装置。
3. 【請求項３】 前記無機膜が、酸化シリコン、窒化シリ
   コン、窒化アルミニウムのうち少なくとも１種からなる
   ことを特徴とする請求項２に記載のエレクトロルミネッ
   センス装置。
4. 【請求項４】 基板上に、第１の電極と発光層と第２の
   電極とが順次積層されてなる発光素子を形成する工程
   と、 周縁部に環状の凸部を有する封止部材によって、前記基
   板の周縁部と前記封止部材の前記凸部とを封止剤を介し
   て接合する工程と、 を含むエレクトロルミネッセンス装置の製造方法におい
   て、 前記第２の電極を、前記発光素子の非形成領域にも形成
   し、前記封止剤を、前記発光素子の非形成領域であっ
   て、前記第２の電極の形成領域と非形成領域とに跨った
   領域に形成し、 前記複数の発光素子を形成した前記基板上方において、
   前記封止剤の形成領域を含む領域に、前記封止剤に対す
   る親和性を向上させる処理を施すことを特徴とするエレ
   クトロルミネッセンス装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記親和性向上処理が、紫外線を照射す
   る処理であることを特徴とする請求項４に記載のエレク
   トロルミネッセンス装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記親和性向上処理が、プラズマを照射
   する処理であることを特徴とする請求項４に記載のエレ
   クトロルミネッセンス装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記発光素子の形成領域を含む領域であ
   って、前記封止剤の形成領域を含まない領域をマスクに
   より覆った状態で、前記発光素子の非形成領域であっ
   て、前記封止剤の形成領域を含む領域にのみ、前記親和
   性向上処理を施すことを特徴とする請求項５又は請求項
   ６に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
8. 【請求項８】 局所的に紫外線を照射することが可能な
   紫外線照射手段を用い、前記紫外線照射手段から、前記
   発光素子を形成した前記基板上方に対して紫外線を照射
   しながら、前記基板の表面に対して前記紫外線照射手段
   を相対移動させることにより、前記発光素子の非形成領
   域であって、前記封止剤の形成領域を含む領域にのみ、
   前記親和性向上処理を施すことを特徴とする請求項５に
   記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１から請求項３までのいずれか１
   項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を備えたこと
   を特徴とする電子機器。