JP2003204054A - 放射線検出装置及び放射線検出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光電変換を行って放射線を検出する際の装置
の駆動速度を速くする。 【解決手段】 １つの半導体変換素子（フォトダイオー
ド）Ｐ１１〜Ｐ４５と、１つのＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ４
５）との組からなる画素を複数備えて構成される画素エ
リア１内の信号線（Ｓｉｇ線）Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ５方向
に隣接した２つの画素が、１本のゲート線（Ｖｇ線）Ｖ
ｇ１〜Ｖｇ５を共有する構成とすることにより、１本の
ゲート線（Ｖｇ線）の駆動で２ラインの画素を読み出す
ようにして、読み出し速度を向上させ、光電変換を行っ
て放射線を検出する放射線装置の駆動速度を早くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放射線検出装置及
び放射線検出方法に関し、特に、医療用画像診断装置、
非破壊検査装置、及び放射線を用いた分析装置などに応
用するために用いて好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の放射線検出装置の構成の一例を示
す等価回路図を図１２に示す。また、図１３は、図１２
に示した放射線検出装置の平面図である。

【０００３】図１２及び図１３において、Ｐ２１１〜Ｐ
２４５は、光電変換素子などの変換素子、Ｔ２１１〜Ｔ
２４５は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、これら
１組で１画素を構成している。

【０００４】なお、ここでは画素エリア６１に４×５画
素がある場合を示しているが、実際には例えば１０００
×２０００画素が絶縁基板６２に配置されている。

【０００５】図示するように、変換素子Ｐ２１１〜Ｐ２
４５は、列ごとに共通のバイアス線Ｖｓ４１〜Ｖｓ４４
に接続されており、読み出し装置６３から上記バイアス
線Ｖｓ４１〜Ｖｓ４４を介して一定値のバイアスが印加
されている。

【０００６】また、各ＴＦＴ（Ｔ２１１〜Ｔ２４５）の
ゲート電極は、行ごとに共通のゲート線Ｖｇ４１〜Ｖｇ
４５に接続されており、ゲート駆動装置６４は、上記ゲ
ート電極にゲート駆動パルスを出力することによってＴ
ＦＴ（Ｔ２１１〜Ｔ２４５）のゲートのＯＮ、ＯＦＦを
制御する。

【０００７】また、各ＴＦＴ（Ｔ２１１〜Ｔ２４５）の
ソース若しくはドレイン電極は、列ごとに共通の信号線
Ｓｉｇ４１〜Ｓｉｇ４４に接続されており、さらに、各
信号線Ｓｉｇ４１〜Ｓｉｇ４４は、読み出し装置６３に
接続されている。

【０００８】被検体に向けて曝射されたＸ線は、被検体
により減衰を受けて透過し、図示しない蛍光体層で可視
光に変換され、この可視光が変換素子Ｐ２１１〜Ｐ２４
５に入射し、電荷に変換される。

【０００９】この電荷は、ゲート駆動装置６４により印
加される上記ゲート駆動パルスによりＴＦＴ（Ｔ２１１
〜Ｔ２４５）を介して信号線Ｓｉｇ４１〜Ｓｉｇ４４に
転送され、読み出し装置６３により外部に読み出され
る。

【００１０】その後、共通のバイアス線Ｖｓ４１〜Ｖｓ
４４により、変換素子Ｐ２１１〜Ｐ２４５で発生し、転
送されきれなかった電荷が除去される。この動作をリフ
レッシュと呼ぶ。

【００１１】従来、この種の代表的な放射線検出装置と
しては、ＭＩＳ型光電変換素子とスイッチＴＦＴとから
構成されたＭＩＳ−ＴＦＴ構造の光センサーと、放射線
を可視光に変換するための蛍光体とを組み合わせた放射
線検出装置がある。

【００１２】図１４は、上記ＭＩＳ−ＴＦＴ構造の光セ
ンサーの１画素の層構成の一例を示す図であり、図１４
（ａ）は平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＢ−Ｂ
´方向の断面図である。

【００１３】図１４において、ＭＩＳ型光電変換素子Ｐ
は、第１の電極層（下部電極）６５、第１の絶縁膜６
６、第１の半導体層６７、ｎ＋型半導体層（ｎ＋層）６
８、及び第２の電極層により形成されたバイアス線など
を備えて構成され、下部電極６５はＴＦＴ（Ｔ）のソー
ス・ドレイン電極７０と接続されている。

【００１４】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔは、ゲート
電極層７１、ゲート絶縁層７２、第２の半導体層７３、
オーミックコンタクト層７４、及びソース・ドレイン電
極７０を備えている。

【００１５】また、各ゲート線（Ｖｇ線）は、ＴＦＴの
ゲート電極が形成される電極層７１に、各信号線（Ｓｉ
ｇ線）は、ソース・ドレイン電極を形成する層７０にそ
れぞれ接続されている。そして、ｎ＋型半導体層（ｎ＋
層）６８上部にはバイアス線Ｖｓが形成されている。

【００１６】さらに、このような構成のＭＩＳ型光電変
換素子Ｐと薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔの上方には、
第２の絶縁膜７５、ポリイミド層７６、接着層７７、蛍
光体７８が積層形成されている。このようにして、上記
ＭＩＳ−ＴＦＴ構造の光センサーの１画素が形成され
る。

【００１７】また、図１５は、前記構成の従来の放射線
検出装置を用いた場合に電荷を蓄積してから読み出しに
要するまでの時間を、タイミングチャートで示してい
る。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＴＦＴを用
いた液晶パネルの製造技術の発展や、光電変換素子を有
するエリアセンサーの各分野への利用（例えばＸ線撮像
装置）の進展により、ＴＦＴを用いたパネルの大画面化
が急速に進んでいる。

【００１９】また、例えば、Ｘ線撮像装置ではこれまで
の静止画から動画への利用要求が高まっている。

【００２０】しかしながら、従来の構成では１画像を得
るために、ゲート線（Ｖｇ線）の数だけゲートパルスを
印加しなければならないため、大画面化が進むに従い、
駆動速度の低下が生じてしまう。

【００２１】また、ＭＩＳ型光電変換素子とスイッチＴ
ＦＴとから構成されたＭＩＳ−ＴＦＴ構造の光センサー
では、リフレッシュ動作が必要な場合があることから
も、駆動速度の向上が大きな課題となっている。

【００２２】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
ので、放射線を検出する際の装置の駆動速度を速くする
ことを目的としている。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明の放射線検出装置
は、基板上にマトリックス状に配置された放射線を電荷
に変換する複数個の変換素子と、上記変換素子に接続さ
れるスイッチ素子と、上記スイッチ素子を駆動させるた
めの駆動信号を、上記スイッチ素子に供給する上記変換
素子が配置されたマトリックス状の領域の行方向に配設
された駆動線と、上記駆動線から供給された駆動信号に
より、上記スイッチ素子を介して上記変換素子から電荷
を読み出すべく上記変換素子が配置されたマトリックス
状の領域の列方向に配設された信号線とを含み、１本の
駆動線に駆動信号を供給し、複数の行に配置されている
上記変換素子から電荷の読み出しを行うことを特徴とし
ている。また、本発明の他の特徴とするところは、上記
マトリックス状に配置した複数個の変換素子のうち、異
なる行に配置されている変換素子に接続されたスイッチ
素子が、１本の駆動線を共有することを特徴としてい
る。また、本発明のその他の特徴とするところは、上記
信号線方向に隣接して配置されている変換素子に接続さ
れた２つのスイッチ素子が、１本の駆動線を共有するこ
とを特徴としている。また、本発明のその他の特徴とす
るところは、上記駆動線を１本おきに駆動させることを
特徴としている。また、本発明のその他の特徴とすると
ころは、上記マトリックス状に配置した複数個の変換素
子のうち、対角方向で隣接する位置に配置されている変
換素子に接続された２つのスイッチ素子が、１本の駆動
線を共有することを特徴としている。また、本発明のそ
の他の特徴とするところは、放射線を波長変換する波長
変換体を有し、前記波長変換体で波長変換された放射線
を電荷に変換する変換素子を有することを特徴としてい
る。また、本発明のその他の特徴とするところは、上記
変換素子は、外部から入射した放射線を直接電荷に変換
することを特徴としている。また、本発明のその他の特
徴とするところは、上記変換素子は、アモルファスセレ
ン、またはガリウム砒素を含むエネルギー変換体である
ことを特徴としている。また、本発明のその他の特徴と
するところは、共通電極と、放射線を電荷に変換するエ
ネルギー変換体と、変換された電荷を収集する電荷収集
用電極とを有する放射線変換基板と、上記電荷収集用電
極により収集された電荷を蓄積する容量素子を有する基
板とを有し、上記電荷収集用電極と上記容量素子とが電
気的に接続されており、上記駆動線から供給された駆動
信号により、上記容量素子に蓄積された電荷を上記信号
線から読み出すことを特徴としている。

【００２４】本発明の放射線検出方法は、放射線を電荷
に変換するマトリックス状に配置した変換素子に接続さ
れたスイッチ素子を駆動させる駆動信号を、駆動線を介
して上記スイッチ素子に供給して、上記スイッチ素子に
接続された変換素子から電荷の読み出しを行うに際し
て、１本の駆動線に駆動信号を供給し、上記マトリック
ス状に配置した複数個の変換素子のうち、複数の行に配
置されている変換素子から電荷の読み出しを行うことを
特徴としている。また、本発明の他の特徴とするところ
は、上記マトリックス状に配置した複数個の変換素子の
うち、異なる行に配置されている変換素子に接続された
スイッチ素子が、１本の駆動線を共有することを特徴と
している。また、本発明のその他の特徴とするところ
は、上記駆動線を１本おきに駆動することを特徴として
いる。また、本発明のその他の特徴とするところは、放
射線を波長変換する波長変換体を有し、前記波長変換体
で波長変換された放射線を変換素子により電荷に変換す
ることを特徴としている。また、本発明のその他の特徴
とするところは、入射した放射線を直接電荷に変換する
ことを特徴としている。また、本発明のその他の特徴と
するところは、上記エネルギー変換体により変換された
電荷を収集して蓄積し、上記駆動線から供給された駆動
信号により上記スイッチ素子が駆動した時に、上記蓄積
した電荷を読み出すことを特徴としている。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の放射線検出装置
及び放射線検出方法の実施の形態を、添付の図面を参照
しつつ詳細に説明する。なお、次に説明する各実施の形
態では、可視光等の電磁波やＸ線、α線、β線、γ線な
ども、放射線に含まれるものとする。

【００２６】（第１の実施の形態）以下に、本発明の放
射線検出装置及び放射線検出方法の第１の実施の形態
を、図面を用いて説明する。図１は本発明の放射線検出
装置の第１の実施の形態を説明する等価回路図、図２は
上記放射線検出装置の平面図、図３は上記放射線検出装
置を用いた場合の放射線検出動作を説明するタイミング
チャートである。

【００２７】図１及び図２において、Ｐ１１〜Ｐ１５、
Ｐ２１〜Ｐ２５、Ｐ３１〜Ｐ３５、及びＰ４１〜Ｐ４５
は、それぞれ、変換素子、Ｔ１１〜Ｔ１５、Ｔ２１〜Ｔ
２５、Ｔ３１〜Ｔ３５、Ｔ４１〜Ｔ４５は、それぞれ、
スイッチ素子としてのＴＦＴである。上記変換素子の具
体例としてはフォトダイオードが挙げられる。

【００２８】なお、以下では、上記変換素子を総称する
場合の符号をＰ１１〜Ｐ４５、上記ＴＦＴを総称する場
合の符号をＴ１１〜Ｔ４５と表す。

【００２９】また、ここでは画素エリア１に４×５画素
がある場合を示しているが、実際には、例えば１０００
×２０００画素が絶縁基板２上に配置されている。

【００３０】図示するように、変換素子Ｐ１１〜Ｐ１５
は共通のバイアス線Ｖｓ１に、変換素子Ｐ２１〜Ｐ２５
は共通のバイアス線Ｖｓ２に、変換素子Ｐ３１〜Ｐ３５
は共通のバイアス線Ｖｓ３に、変換素子Ｐ４１〜Ｐ４５
は共通のバイアス線Ｖｓ４にそれぞれ接続されており、
読み出し装置３からバイアス線Ｖｓ１〜Ｖｓ４を介して
一定値のバイアスが印加される。

【００３１】一方、ＴＦＴ（Ｔ１１、Ｔ３１）のゲート
電極は共通のゲート線Ｖｇ１に、ＴＦＴ（Ｔ２１、Ｔ２
２、Ｔ４１、Ｔ４２）のゲート電極は共通のゲート線Ｖ
ｇ２に、ＴＦＴ（Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ３２、Ｔ３３）の
ゲート電極は共通のゲート線Ｖｇ３に、ＴＦＴ（Ｔ２
３、Ｔ２４、Ｔ４３、Ｔ４４）のゲート電極は共通のゲ
ート線Ｖｇ４に、ＴＦＴ（Ｔ１４、Ｔ１５、Ｔ３４、Ｔ
３５）のゲート電極は共通のゲート線Ｖｇ５に、ＴＦＴ
（Ｔ２５、Ｔ４５）のゲート電極は共通のゲート線Ｖｇ
６にそれぞれ接続されており、ゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ６
は、ＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ４５）のＯＮ、ＯＦＦを制御す
るゲート駆動装置４に接続されている。なお、上記ゲー
ト線Ｖｇが駆動線としての機能を有する。

【００３２】また、図示するように、ＴＦＴ（Ｔ１２、
Ｔ１４）のソースまたはドレイン電極は共通の信号線Ｓ
ｉｇ１に、ＴＦＴ（Ｔ１１、Ｔ１３、Ｔ１５、Ｔ２１、
Ｔ２３、Ｔ２５）のソースまたはドレイン電極は共通の
信号線Ｓｉｇ２に、ＴＦＴ（Ｔ２２、Ｔ２４、Ｔ３２、
Ｔ３４）のソースまたはドレイン電極は共通の信号線Ｓ
ｉｇ３に、ＴＦＴ（Ｔ３１、Ｔ３３、Ｔ３５、Ｔ４１、
Ｔ４３、Ｔ４５）のソースまたはドレイン電極は共通の
信号線Ｓｉｇ４に、ＴＦＴ（Ｔ４２、Ｔ４４）のソース
またはドレイン電極は共通の信号線Ｓｉｇ５にそれぞれ
接続されており、信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ５は、読み出
し装置３に接続されている。

【００３３】入射放射線より変換素子Ｐ１１〜Ｐ４５で
発生した電荷は、ゲート駆動装置４により印加されるゲ
ート駆動パルスにより信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ５に転送
され、読み出し装置３により読み出される。

【００３４】変換素子とＴＦＴとからなる画素の情報を
読み出す際、１行につき１本のゲート線（Ｖｇ線）にゲ
ート駆動パルスを印加するのと比較して、本実施の形態
の放射線検査装置では、上述したように、信号線（Ｓｉ
ｇ線）Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ５方向に隣接した２つの画素
が、１本のゲート線（Ｖｇ線）を共有する構成をとるこ
とにより、ゲート線（Ｖｇ線）は１本の駆動で２行の読
み出しが可能となる。

【００３５】また、この２画素を１画素分ずらして隣の
列に配置すると、図２のようにＡ列とＢ列の２つの異な
った列が交互にできる。これにより、Ａ列を読む時はゲ
ート線Ｖｇ１、Ｖｇ３、Ｖｇ５に、また、Ｂ列を読む時
はゲート線Ｖｇ２、Ｖｇ４、Ｖｇ６に順次ゲート駆動パ
ルスを印加し、Ａ列とＢ列を交互に読み出すことが可能
となり、電荷の読み出し速度を向上できる。

【００３６】図３に、電荷の読み出し例を、従来の装置
を用いた読み出し方法と比較してタイミングチャートで
示す。図３（ａ）が従来の放射線検出装置を使用した読
み出し方法のタイミングチャート、図３（ｂ）が本実施
の形態の放射線検出装置を使用した場合のタイミングチ
ャート（実施例１）である。

【００３７】なお、以下では、従来の放射線検出装置も
図１及び図２に示した本実施の形態の放射線検出装置と
同様に、画素エリアに４×５画素がある場合を例に挙げ
て説明する。

【００３８】例えば動画用の放射線検出装置において電
荷の蓄積と読み出しを繰り返す場合、図３（ａ）に示す
ように、従来の放射線検出装置を用いた読み出し方法で
は、ゲート線（Ｖｇ線）１本分の読み出し時間をｔとす
ると、全てのゲート線（Ｖｇ線）においては５ｔの時間
が必要であった。したがって、電荷の蓄積時間を３ｔと
すると、電荷を蓄積してから読み出すまでに１画像あた
り８ｔの時間が必要であった。

【００３９】これに対して、図３（ｂ）に示すように、
本実施の形態の放射線検出装置では、ゲート線（Ｖｇ
線）１本分の読み出し時間はｔであり同じだが、Ａ列と
Ｂ列をそれぞれ３ｔの時間で読める。

【００４０】よって、従来の放射線検査装置が３画像読
む間に、１列おきに間引かれた画像が、５画像読み出さ
れる。つまり、大幅な読み出し速度の向上が実現でき
る。

【００４１】なお、画像情報を有した放射線を検出する
には、変換素子Ｐ１１〜Ｐ４５に例えばＧｄＡｓなどの
放射線を直接電荷に変換するものを用いてもよいし、蛍
光体などの放射線を可視光等に変換する波長変換体を変
換素子の上部に設けてもよい。

【００４２】（第２の実施の形態）以下に、本発明の放
射線検出装置及び放射線検出方法の第２の実施の形態
を、図面を用いて説明する。図４は本発明の放射線検出
装置の第２の実施の形態を説明する等価回路図、図５は
上記放射線検出装置の平面図、図６は上記放射線検出装
置において読み出される画像の例を示した図である。

【００４３】図４及び図５において、Ｐ５１〜Ｐ５５、
Ｐ６１〜Ｐ６５、Ｐ７１〜Ｐ７５、及びＰ８１〜Ｐ８５
は、それぞれ、変換素子、Ｔ５１〜Ｔ５５、Ｔ６１〜Ｔ
６５、Ｔ７１〜Ｔ７５、及びＴ８１〜Ｔ８５は、それぞ
れ、スイッチ素子としてのＴＦＴである。上記変換素子
の具体例としてはフォトダイオードが挙げられる。

【００４４】なお、以下では、上記変換素子を総称する
場合の符号をＰ５１〜Ｐ８５、上記ＴＦＴを総称する場
合の符号をＴ５１〜Ｔ８５と表す。また、ここでは画素
エリア１１に４×５画素がある場合を示しているが、実
際には、例えば１０００×２０００画素が絶縁基板１２
上に配置されている。

【００４５】図示するように、変換素子Ｐ５１〜Ｐ５５
は共通のバイアス線Ｖｓ１１に、変換素子Ｐ６１〜Ｐ６
５は共通のバイアス線Ｖｓ１２に、変換素子Ｐ７１〜Ｐ
７５は共通のバイアス線Ｖｓ１３に、変換素子Ｐ８１〜
Ｐ８５は共通のバイアス線Ｖｓ１４にそれぞれ接続され
ており、読み出し装置１３からバイアス線Ｖｓ１１〜Ｖ
ｓ１４を介して一定値のバイアスが印加される。

【００４６】一方、ＴＦＴ（Ｔ５１、Ｔ７１）のゲート
電極は共通のゲート線Ｖｇ１１に、ＴＦＴ（Ｔ５２、Ｔ
６１、Ｔ７２、Ｔ８１）のゲート電極は共通のゲート線
Ｖｇ１２に、ＴＦＴ（Ｔ５３、Ｔ６２、Ｔ７３、Ｔ８
２）のゲート電極は共通のゲート線Ｖｇ１３に、ＴＦＴ
（Ｔ５４、Ｔ６３、Ｔ７４、Ｔ８３）のゲート電極は共
通のゲート線Ｖｇ１４に、ＴＦＴ（Ｔ５５、Ｔ６４、Ｔ
７５、Ｔ８４）のゲート電極は共通のゲート線Ｖｇ１５
に、ＴＦＴ（Ｔ６５、Ｔ８５）のゲート電極は共通のゲ
ート線Ｖｇ６にそれぞれ接続されており、ゲート線Ｖｇ
１１〜Ｖｇ１６はＴＦＴ（Ｔ５１〜Ｔ８５）のＯＮ、Ｏ
ＦＦを制御するゲート駆動装置１４に接続されている。
なお、上記ゲート線Ｖｇが駆動線としての機能を有す
る。

【００４７】また、図示するように、ＴＦＴ（Ｔ５１〜
Ｔ５５）のソースまたはドレイン電極は共通の信号線Ｓ
ｉｇ１１に、ＴＦＴ（Ｔ６１〜Ｔ６５）のソースまたは
ドレイン電極は共通の信号線Ｓｉｇ１２に、ＴＦＴ（Ｔ
７１〜Ｔ７５）のソースまたはドレイン電極は共通の信
号線Ｓｉｇ１３に、ＴＦＴ（Ｔ８１〜Ｔ８５）のソース
またはドレイン電極は共通の信号線Ｓｉｇ１４にそれぞ
れ接続されており、Ｓｉｇ１１〜Ｓｉｇ１４は読み出し
装置１３に接続されている。

【００４８】入射放射線より変換素子Ｐ５１〜Ｐ８５で
発生した電荷は、ゲート駆動装置１２により印加される
ゲート駆動パルスにより信号線Ｓｉｇ１１〜Ｓｉｇ１４
に転送され、読み出し装置１３により読み出される。

【００４９】変換素子とＴＦＴとからなる画素の情報を
読み出す際、１ラインにつき１本のゲート線（Ｖｇ線）
にゲート駆動パルスを印加する場合と比較して、本実施
の形態のように、マトリックス状に配置されている複数
の画素のうち、対角方向で隣接する２つの画素が１本の
ゲート線（Ｖｇ線）を共有し、かつ、１本のゲート線
（Ｖｇ線）が２つの行に配置されている画素に接続さ
れ、かつ、１本おきに配設されているゲート線（Ｖｇ
線）が各行の少なくとも何れか１つの画素を接続する構
成をとることにより、ゲート線（Ｖｇ線）は１本の駆動
で２行の読み出しが可能となる。

【００５０】すなわち、本実施の形態の放射線検出装置
の実現には、マトリックス状に配置されている複数の画
素のうち、対角方向で隣接する２つの画素が１本のゲー
ト線（Ｖｇ線）を共有する構成とすることが第１の条件
となる。

【００５１】図６に、従来の放射線検査装置において間
引きを行って読み出される画像、上述した第１の実施の
形態の放射線検査装置、及び本実施の形態の放射線検出
装置において読み出される画像の例を示す。図６におい
て、１つの正方形が１画素の出力を示し、白が読み出さ
れたデータである。

【００５２】なお、以下では、従来の放射線検出装置、
及び上述した第１の実施の形態の放射線検出装置も図４
及び図５に示した本実施の形態の放射線検出装置と同様
に、画素エリアに４×５画素がある場合について説明す
る。

【００５３】図６に示したように、従来の放射線検出装
置ではゲート線（Ｖｇ線）を１ラインおきに駆動するこ
とにより、１行おきに間引かれた画像を得ることができ
る。

【００５４】なお、図６の従来例の１画像目はゲート線
Ｖｇ４１、Ｖｇ４３、Ｖｇ４５を、２画像目はゲート線
Ｖｇ４２、Ｖｇ４４を駆動させた場合の例である。

【００５５】また、上述した第１の実施の形態の放射線
検出装置では、上述したように１列おきの読み出しとな
るため、図１及び図２のゲート線Ｖｇ１、Ｖｇ３、Ｖｇ
５を駆動すると、図６の実施例１の１画像目のようにな
り、ゲート線Ｖｇ２、Ｖｇ４、Ｖｇ６を駆動すると図６
の実施例１の２画像目のようになる。

【００５６】このように、従来の放射線検出装置と第１
の実施の形態の放射線検出装置においては、駆動速度を
向上させるためにゲート線（Ｖｇ線）を１ラインおきに
駆動させると、画像が行もしくは列のラインで抜けてし
まう（図６の従来例及び実施例１を参照）。

【００５７】しかしながら、本実施の形態の放射線検出
装置では、上述したように対角に位置した２つの画素
が、１本のゲート線（Ｖｇ線）を共有する構成をとるこ
とにより、ゲート線（Ｖｇ線）Ｖｇ１１〜Ｖｇ１６を１
ラインおきに駆動させても、ラインで画像が抜けること
はない（図６の実施例２を参照）。

【００５８】なお、図６の実施例２の１画像目は図４及
び図５のゲート線Ｖｇ１１、Ｖｇ１３、Ｖｇ１５を、２
画像目はゲート線Ｖｇ１２、Ｖｇ１４、Ｖｇ１６をそれ
ぞれ駆動させた場合の例である。

【００５９】よって、本実施の形態の放射線検出装置
は、上述した第１の実施の形態の放射線検出装置の効果
に加え、画像の質の良い間引き駆動が可能になるという
効果を有する。

【００６０】なお、変換素子Ｐ５１〜Ｐ８５としては、
ＧｄＡｓなどの放射線を直接電荷に変換する物質を用い
てもよいし、放射線を可視光等に波長変換する蛍光体な
どの波長変換体を放射線の入射側に設けてもよい。

【００６１】（第３の実施の形態）以下に、本発明の放
射線検出装置及び放射線検出方法の第３の実施の形態
を、図面を用いて説明する。図７は本発明の放射線検出
装置の第３の実施の形態を説明する立体図、図８は上記
放射線検出装置の１画素の層構成の一例を示す平面図及
び断面図、図９は上記放射線検出装置の等価回路図、図
１０は上記放射線検出装置の平面図、図１１は上記放射
線検出装置を用いた場合の放射線検出動作を説明するタ
イミングチャートである。

【００６２】図７のように、本実施の形態の放射線検出
装置の基本的な構成として、入射したＸ線などの放射線
を直接電荷に変換する電荷変換手段としての単結晶半導
体基板（ＧａＡｓ基板）２１を使用し、変換された電荷
を蓄積する電荷蓄積手段としてのコンデンサーやＴＦＴ
２２が形成された絶縁基板２３を使用しており、１枚の
ＧａＡｓ基板２１と１枚の絶縁基板２３を導電性の接着
剤２４により画素ごとに電気的に接続している。

【００６３】図８（ｂ）は、図７中Ａ−Ａ’の断面図、
図８（ａ）は、絶縁基板２３の平面図である。上述した
ように、電荷変換手段としてのエネルギー変換体である
単結晶半導体基板２１には例えばＧａＡｓ（ガリウム砒
素）を使用している。なお、単結晶半導体基板２１は、
ＧａＡｓ（ガリウム砒素）だけでなく、例えばアモルフ
ァスセレンを使用してもよい。これら基板は複数の基板
を貼り合わせて１枚の大面積パネルとして使用すること
も可能である。

【００６４】図８（ｂ）に示すように、ＧａＡｓ基板２
１の表裏にｐ層２５とｎ層２６を形成し、各層２５、２
６の上にアルミニウム（Ａｌ）膜２７、２８を形成し、
アルミニウム（Ａｌ）膜２７にバイアスを印加し、Ｇａ
Ａｓを空乏化させることにより、ＧａＡｓ基板２１を電
荷変換手段として使用している。また、アルミニウム
（Ａｌ）膜２７上には、第１の絶縁膜２９が形成されて
いる。

【００６５】ＧａＡｓで吸収したＸ線は、エレクトロン
とホールを生成する。発生したエレクトロンは、バンプ
メタル３０から導電性接着剤２４を介して絶縁基板２３
上に配置された第２の接続用金属３１へ引き出され、さ
らに絶縁基板２３に配置された容量素子としてのキャパ
シタ部３２で蓄積され、ＴＦＴ２２の駆動により後述す
る読出し装置へ転送される構成になる。

【００６６】また、上記第２の接続用金属３１は、絶縁
基板２３に配置されたキャパシタ部３２の第２の電極３
３と接続されている。単結晶半導体基板２１側の第１の
接続用金属であるＡｌ膜２８上には、第１のバリアメタ
ル３４、第２のバリアメタル３５が成膜されており、第
１のバリアメタル３４にはチタン（Ｔｉ）を、第２のバ
リアメタル３５にはパラジウム（Ｐｄ）を用いている。
また、バンプメタル３０には金（Ａｕ）を用いている。

【００６７】そして、ＧａＡｓ基板２１表面の、第１の
バリアメタル３４、及び第２のバリアメタル３５の側方
領域には、第２の絶縁膜３６が形成されている。

【００６８】さらに、第２の電極３３上の所定領域に
は、第３の絶縁膜３７、第１の半導体層３８、ｎ＋型半
導体層（ｎ＋層）３９、第１の電極４０が形成されてい
る。

【００６９】また、スイッチ素子としてのＴＦＴ２２
は、ソース・ドレイン電極４１と、ゲート電極４２と、
ゲート絶縁膜４３と、第２の半導体層５３と、オーミッ
クコンタクト層４４とを備えて構成される。そして、上
記第２の電極３３は、ＴＦＴ２２のソース・ドレイン電
極４１と接続されている。

【００７０】さらに、駆動線としてのゲート線（Ｖｇ
線）４５はＴＦＴ２２のゲート電極４２に、信号線（Ｓ
ｉｇ線）４６はソース・ドレイン電極４１にそれぞれ接
続されている。そして、キャパシタ部３２とＴＦＴ２２
は、上部から第４の絶縁膜４７で覆われている。

【００７１】図９は、本実施の形態の放射線検出装置の
構成の一例を示した等価回路である。ＧａＡｓ基板２１
には、空乏層を広げるためのバイアスを印加している
が、これを制御するのが制御手段である。

【００７２】図９において、Ｃ９１〜Ｃ９５、Ｃ１０１
〜Ｃ１０５、Ｃ１１１〜Ｃ１１５、及びＣ１２１〜Ｃ１
２５は、それぞれＧａＡｓ基板２１で発生したエレクト
ロンを蓄積するためのコンデンサー（上述したキャパシ
タ部３２）であり、Ｔ９１〜Ｔ９５、Ｔ１０１〜Ｔ１０
５、Ｔ１１１〜Ｔ１１５、Ｔ１２１〜Ｔ１２５はそれぞ
れＴＦＴ（上述したＴＦＴ２２）である。

【００７３】なお、以下では、上記コンデンサーを総称
する場合の符号をＣ９１〜Ｃ１２５、上記ＴＦＴを総称
する場合の符号をＴ９１〜Ｔ１２５と表す。

【００７４】また、ここでは画素エリア５２に４×５画
素がある場合を示しているが、実際には、例えば１００
０×２０００画素が絶縁基板２３上に配置されている。

【００７５】図示するように、ＴＦＴ（Ｔ９１）のゲー
ト電極はゲート線Ｖｇ２１に、ＴＦＴ（Ｔ１１１）のゲ
ート電極はゲート線Ｖｇ２２に、ＴＦＴ（Ｔ１０１、１
０２）のゲート電極は共通のゲート線Ｖｇ２３に、ＴＦ
Ｔ（Ｔ１２１、１２２）のゲート電極は共通のゲート線
Ｖｇ２４に、ＴＦＴ（Ｔ９２、９３）のゲート電極は共
通のゲート線Ｖｇ２５に、ＴＦＴ（Ｔ１１２、１１３）
のゲート電極は共通のゲート線Ｖｇ２６に、ＴＦＴ（Ｔ
１０３、Ｔ１０４）のゲート電極はゲート線Ｖｇ２７
に、ＴＦＴ（Ｔ１２３、１２４）のゲート電極は共通の
ゲート線Ｖｇ２８に、ＴＦＴ（Ｔ９４、９５）のゲート
電極は共通のゲート線Ｖｇ２９に、ＴＦＴ（Ｔ１１４、
１１５）のゲート電極は共通のゲート線Ｖｇ３０に、Ｔ
ＦＴ（Ｔ１０５）のゲート電極は共通のゲート線Ｖｇ３
１に、ＴＦＴ（Ｔ１２５）のゲート電極は共通のゲート
線Ｖｇ３２に接続されている。

【００７６】また、ゲート線Ｖｇ２１、Ｖｇ２３、Ｖｇ
２５、Ｖｇ２７、Ｖｇ２９、Ｖｇ３１は、ＴＦＴ（Ｔ９
１〜Ｔ１２５）のＯＮ、ＯＦＦを制御する第１のゲート
駆動装置４８に、ゲート線Ｖｇ２２、Ｖｇ２４、Ｖｇ２
６、Ｖｇ２８、Ｖｇ３０、Ｖｇ３２は、第２のゲート駆
動装置４９に接続されている。

【００７７】また、図示するように、ＴＦＴ（Ｔ９２）
のソースまたはドレイン電極は信号線Ｓｉｇ２１に、Ｔ
ＦＴ（Ｔ９１、Ｔ９３、Ｔ１０１、Ｔ１０３）のソース
またはドレイン電極は信号線Ｓｉｇ２２に、ＴＦＴ（Ｔ
１０２、Ｔ１１２）のソースまたはドレイン電極は信号
線Ｓｉｇ２３に、ＴＦＴ（Ｔ１１１、Ｔ１１３、Ｔ１２
１、Ｔ１２３）のソースまたはドレイン電極は信号線Ｓ
ｉｇ２４に、ＴＦＴ（Ｔ１２２）のソースまたはドレイ
ン電極は信号線Ｓｉｇ２５に、ＴＦＴ（Ｔ９４）のソー
スまたはドレイン電極は信号線Ｓｉｇ２６に、ＴＦＴ
（Ｔ９５、Ｔ１０５）のソースまたはドレイン電極は信
号線Ｓｉｇ２７に、ＴＦＴ（Ｔ１０４、Ｔ１１４）のソ
ースまたはドレイン電極は信号線Ｓｉｇ２８に、ＴＦＴ
（Ｔ１１５、Ｔ１２５）のソースまたはドレイン電極は
信号線Ｓｉｇ２９に、ＴＦＴ（Ｔ１２４）のソースまた
はドレイン電極は信号線Ｓｉｇ３０にそれぞれ接続され
ている。

【００７８】そして、信号線Ｓｉｇ２１〜Ｓｉｇ２５は
第１の読み出し装置５０に、信号線Ｓｉｇ２６〜Ｓｉｇ
３０は第２の読み出し装置５１に接続されている。蓄積
されたエレクトロンは、ゲート駆動装置４８、４９によ
り印加されるゲート駆動パルスにより信号線Ｓｉｇ２１
〜Ｓｉｇ３０に転送され、読み出し装置５０、５１によ
り読み出される。

【００７９】さらに、図１０において、Ｖｓ２１〜Ｖｓ
２８は、バイアス線である。これらバイアス線Ｖｓ２１
〜Ｖｓ２８は、各コンデンサーＣ９１〜Ｃ１２５の上部
電極（図８に示した第１の電極４０）に接続されてお
り、読み出し装置５０、５１からバイアス線Ｖｓ２１〜
Ｖｓ２８を介して一定値のバイアスが印加される。

【００８０】コンデンサーとＴＦＴとからなる画素の情
報を読み出す際、１画素につき１本のゲート線（Ｖｇ
線）にゲート駆動パルスを印加するのに比較して、本実
施の形態のように、Ｓｉｇ線方向に隣接した２つの画素
が、１本のゲート線（Ｖｇ線）を共有する構成をとるこ
とにより、異なる列にある２画素につきゲート線（Ｖｇ
線）は１本で良い。

【００８１】また、この２画素を１画素分ずらして隣の
列に配置すると、図１０のようにＡ列とＢ列の２つの異
なった列が交互にできる。これにより、Ａ列を読む時は
ゲート線Ｖｇ２１、Ｖｇ２２、Ｖｇ２５、Ｖｇ２６、Ｖ
ｇ２９、Ｖｇ３０に、また、Ｂ列を読む時はゲート線Ｖ
ｇ２３、Ｖｇ２４、Ｖｇ２７、Ｖｇ２８、Ｖｇ３１、Ｖ
ｇ３２に順次ゲート駆動パルスを印加することにより、
Ａ列とＢ列を交互に読み出すことが可能となり、読み出
し速度が向上できる。

【００８２】また、センサ基板の向かい合う辺にそれぞ
れ読み出し装置及び駆動装置を設けているためにゲート
線（Ｖｇ線）の長さは片側のみに設けたものと比較して
１／２となるため、配線抵抗も１／２となる。よって、
ゲート駆動装置４８、４９から離れた位置においてもＴ
ＦＴ（Ｔ９１〜Ｔ１２５）を制御するためのゲートパル
スのナマリは小さくなり、ＴＦＴ（Ｔ９１〜Ｔ１２５）
のＯＮ時間を長くする必要がなく、ゲート線（Ｖｇ線）
１本分の読み出し時間ｔを短くできる。

【００８３】また、図示するように、読み出し装置５
０、５１が画素エリア５２を挟んで上下に配置されてい
るため、図１０において、例えば、Ａ列を読み出す時
は、ゲート線Ｖｇ２１、Ｖｇ２２とゲート線Ｖｇ２９、
Ｖｇ３０を同時に読むことができる。

【００８４】図１１に、電荷の読み出し例を、従来例と
比較してタイミングチャートで示す。図１１（ａ）が従
来の放射線検出装置を使用した場合のタイミングチャー
ト、図１１（ｂ）が本実施の形態の放射線検出装置を使
用した場合のタイミングチャートである。

【００８５】なお、以下では、従来の放射線検出装置も
図９及び図１０に示した本実施の形態の放射線検出装置
と同様に、画素エリアに４×５画素がある場合について
説明する。

【００８６】例えば動画用の放射線検出装置において電
荷の蓄積と読み出しを繰り返す場合、図１１（ａ）に示
すように、従来の放射線検出装置を用いた読み出し方法
では、ゲート線（Ｖｇ線）１本分の読み出し時間をｔと
すると、全てのゲート線（Ｖｇ線）においては５ｔの時
間が必要であった。したがって、電荷の蓄積時間を３ｔ
とすると、電荷を蓄積してから読み出すまでに１画像あ
たり８ｔの時間が必要であった。

【００８７】これに対して、図１１（ｂ）に示すよう
に、本実施の形態の放射線検出装置では、ゲート線（Ｖ
ｇ線）１本分の読み出し時間を同じ時間ｔにしても、Ａ
列とＢ列をそれぞれ３ｔの時間で読め、更に上述のよう
に、上下方向から同時に電荷を読み出せるため、１列あ
たりの読出し時間は２ｔで良い。

【００８８】よって、例えば従来の放射線検出装置を用
いた読み出し方法において３画像読む間に、１列おきに
間引かれた画像が、６画像読み出される。つまり、本実
施の形態の放射線検出装置を用いれば、従来の放射線検
出装置だけでなく、上述した第１及び第２の実施の形態
の放射線検出装置よりも更に読み出し速度を向上でき好
ましい。

【００８９】なお、本実施形態においては、直接変換型
を例にとって説明したが、蛍光体などの波長変換体を設
ける間接型を用いて、駆動装置、読み出し装置をセンサ
基板の向かい合う辺にそれぞれ設けて実施してもよいも
のである。

【００９０】（本発明の他の実施形態）上述した実施形
態の機能を実現するべく各種のデバイスを動作させるよ
うに、該各種デバイスと接続された装置あるいはシステ
ム内のコンピュータに対し、上記実施形態の機能を実現
するためのソフトウェアのプログラムコードを供給し、
そのシステムあるいは装置のコンピュータ（ＣＰＵある
いはＭＰＵ）に格納されたプログラムに従って上記各種
デバイスを動作させることによって実施したものも、本
発明の範疇に含まれる。

【００９１】また、この場合、上記ソフトウェアのプロ
グラムコード自体が上述した実施形態の機能を実現する
ことになり、そのプログラムコード自体、およびそのプ
ログラムコードをコンピュータに供給するための手段、
例えば、かかるプログラムコードを格納した記録媒体は
本発明を構成する。かかるプログラムコードを記憶する
記録媒体としては、例えばフレキシブルディスク、ハー
ドディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を
用いることができる。

【００９２】また、コンピュータが供給されたプログラ
ムコードを実行することにより、上述の実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードがコン
ピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティング
システム）あるいは他のアプリケーションソフト等と共
同して上述の実施形態の機能が実現される場合にもかか
るプログラムコードは本発明の実施形態に含まれること
は言うまでもない。

【００９３】さらに、供給されたプログラムコードがコ
ンピュータの機能拡張ボードやコンピュータに接続され
た機能拡張ユニットに備わるメモリに格納された後、そ
のプログラムコードの指示に基づいてその機能拡張ボー
ドや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の
一部または全部を行い、その処理によって上述した実施
形態の機能が実現される場合にも本発明に含まれること
は言うまでもない。

【００９４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
変換素子により放射線から電荷に変換し、変換した電荷
を読み出して放射線を検出する際に、複数ラインの変換
素子で変換された電荷を１本のゲート線（Ｖｇ線）を駆
動することにより読み出せるようにしたので、電荷の読
み出し速度を大幅に向上でき、光電変換を行って放射線
を検出する際の装置の駆動速度を速くすることが可能に
なる。

【００９５】また、本発明の他の特徴によれば、マトリ
ックス状に配置した複数個の変換素子のうち、対角方向
で隣接する位置に配置されている変換素子に接続された
２つのスイッチ素子が、１本の駆動線を共有するパター
ンを含む構成としたので、駆動線を１ラインおきに駆動
させても１ラインの出力が抜けることがなくなり、出力
画像の質をおとすことなく放射線を検出する際の装置の
駆動速度を速くすることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示し、放射線検出
装置の構成の一例を示した等価回路図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態を示し、放射線検出
装置の構成の一例を示した平面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態を示し、放射線検出
装置を用いて電荷を読み出す場合の動作の一例を従来例
と比較して説明するタイミングチャートであり、図３
（ａ）が従来の放射線検出装置を使用した場合のタイミ
ングチャート、図３（ｂ）が本実施の形態の放射線検出
装置を使用した場合のタイミングチャートである。

【図４】本発明の第２の実施の形態を示し、放射線検出
装置の構成の一例を示した等価回路図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態を示し、放射線検出
装置の構成の一例を示した平面図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態を示し、放射線検出
装置を用いて得られる出力画像を、従来例及び第１の実
施の形態と比較して示した図である。

【図７】本発明の第３の実施の形態を示し、放射線検出
装置の構成の一例を示した立体図である。

【図８】本発明の第３の実施の形態を示し、放射線検出
装置の１画素の層構成を示した図であり、図８（ａ）は
平面図、図８（ｂ）は断面図である。

【図９】本発明の第３の実施の形態を示し、放射線検出
装置の構成の一例を示した等価回路図である。

【図１０】本発明の第３の実施の形態を示し、放射線検
出装置の構成の一例を示した平面図である

【図１１】本発明の第３の実施形態を示し、放射線検出
装置を用いて電荷を読み出す場合の動作の一例を従来例
と比較して説明するタイミングチャートであり、図１１
（ａ）が従来の放射線検出装置を使用した場合のタイミ
ングチャート、図１１（ｂ）が本実施の形態の放射線検
出装置を使用した場合のタイミングチャートである。

【図１２】従来の技術を示し、放射線検出装置の構成の
一例を示した等価回路図である。

【図１３】従来の技術を示し、放射線検出装置の構成の
一例を示した平面図である。

【図１４】従来の技術を示し、放射線検出装置の１画素
の層構成の一例を示したずであり、図１４（ａ）は平面
図、図１４（ｂ）は断面図である。

【図１５】従来の技術を示し、放射線検出装置の電荷の
蓄積時間と読み出し時間の一例を示したタイミングチャ
ートである。

【符号の説明】

ＴＦＴ 薄膜トランジスタ Ｐ１１〜Ｐ８５ 変換素子（フォトダイオード） Ｔ１１〜Ｔ１２５ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） Ｃ９１〜Ｃ１２５ コンデンサー Ｖｇ１〜Ｖｇ３２ 共通のゲート線 Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３０ 共通の信号線 Ｖｓ１〜Ｖｓ２８ 共通バイアス線 ３、１３、５０、５１ 読出し装置 ４、１４、４８、４９ ゲート駆動装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ Ｈ０４Ｎ 5/30 27/14 Ｆ Ｋ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE29 FF02 FF04 FF05 FF06 GG19 GG21 JJ05 JJ09 JJ33 4M118 AB01 BA05 CA02 FB03 FB13 FB16 FB25 5C024 AX12 GY31 5F088 AA01 AB01 AB07 BA02 BB03 BB07 EA04 EA08 KA03 LA08

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にマトリックス状に配置された放
   射線を電荷に変換する複数個の変換素子と、 上記変換素子に接続されるスイッチ素子と、 上記スイッチ素子を駆動させるための駆動信号を、上記
   スイッチ素子に供給する上記変換素子が配置されたマト
   リックス状の領域の行方向に配設された駆動線と、 上記駆動線から供給された駆動信号により、上記スイッ
   チ素子を介して上記変換素子から電荷を読み出すべく上
   記変換素子が配置されたマトリックス状の領域の列方向
   に配設された信号線とを含み、 １本の駆動線に駆動信号を供給し、複数の行に配置され
   ている上記変換素子から電荷の読み出しを行うことを特
   徴とする放射線検出装置。
2. 【請求項２】 上記マトリックス状に配置した複数個の
   変換素子のうち、異なる行に配置されている変換素子に
   接続されたスイッチ素子が、１本の駆動線を共有するこ
   とを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
3. 【請求項３】 上記信号線方向に隣接して配置されてい
   る変換素子に接続された２つのスイッチ素子が、１本の
   駆動線を共有することを特徴とする請求項１または２に
   記載の放射線検出装置。
4. 【請求項４】 上記駆動線を１本おきに駆動させること
   を特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の放射線
   検出装置。
5. 【請求項５】 上記マトリックス状に配置した複数個の
   変換素子のうち、対角方向で隣接する位置に配置されて
   いる変換素子に接続された２つのスイッチ素子が、１本
   の駆動線を共有することを特徴とする請求項１〜４の何
   れか１項に記載の放射線検出装置。
6. 【請求項６】 放射線を波長変換する波長変換体を有
   し、前記波長変換体で波長変換された放射線を電荷に変
   換する変換素子を有することを特徴とする請求項１〜５
   のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
7. 【請求項７】 上記変換素子は、外部から入射した放射
   線を直接電荷に変換することを特徴とする請求項１〜５
   のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
8. 【請求項８】 上記変換素子は、アモルファスセレン、
   またはガリウム砒素を含むエネルギー変換体であること
   を特徴とする請求項７に記載の放射線検出装置。
9. 【請求項９】 共通電極と、放射線を電荷に変換するエ
   ネルギー変換体と、変換された電荷を収集する電荷収集
   用電極とを有する放射線変換基板と、 上記電荷収集用電極により収集された電荷を蓄積する容
   量素子を有する基板とを有し、 上記電荷収集用電極と上記容量素子とが電気的に接続さ
   れており、上記駆動線から供給された駆動信号により、
   上記容量素子に蓄積された電荷を上記信号線から読み出
   すことを特徴とする請求項１〜５に記載の放射線検出装
   置。
10. 【請求項１０】 放射線を電荷に変換するマトリックス
    状に配置した変換素子に接続されたスイッチ素子を駆動
    させる駆動信号を、駆動線を介して上記スイッチ素子に
    供給して、上記スイッチ素子に接続された変換素子から
    電荷の読み出しを行うに際して、 １本の駆動線に駆動信号を供給し、上記マトリックス状
    に配置した複数個の変換素子のうち、複数の行に配置さ
    れている変換素子から電荷の読み出しを行うことを特徴
    とする放射線検出方法。
11. 【請求項１１】 上記マトリックス状に配置した複数個
    の変換素子のうち、異なる行に配置されている変換素子
    に接続されたスイッチ素子が、１本の駆動線を共有する
    ことを特徴とする請求項１０に記載の放射線検出方法。
12. 【請求項１２】 上記駆動線を１本おきに駆動すること
    を特徴とする請求項１０または１１に記載の放射線検出
    方法。
13. 【請求項１３】 放射線を波長変換する波長変換体を有
    し、前記波長変換体で波長変換された放射線を変換素子
    により電荷に変換することを特徴とする請求項１０〜１
    ２のいずれか１項に記載の放射線検出方法。
14. 【請求項１４】 入射した放射線を直接電荷に変換する
    ことを特徴とする請求項１０〜１２の何れか１項に記載
    の放射線検出方法。
15. 【請求項１５】 上記エネルギー変換体により変換され
    た電荷を収集して蓄積し、上記駆動線から供給された駆
    動信号により上記スイッチ素子が駆動した時に、上記蓄
    積した電荷を読み出すことを特徴とする請求項１０〜１
    ２の何れか１項に記載の放射線検出方法。