CN110763332A - 光线检测装置 - Google Patents

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CN110763332A
CN110763332A CN201810824139.6A CN201810824139A CN110763332A CN 110763332 A CN110763332 A CN 110763332A CN 201810824139 A CN201810824139 A CN 201810824139A CN 110763332 A CN110763332 A CN 110763332A
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吴智濠
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Ruisheng optoelectronics Co.,Ltd.
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Innolux Display Corp
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20184—Detector read-out circuitry, e.g. for clearing of traps, compensating for traps or compensating for direct hits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04N5/00—Details of television systems
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    • H04N5/32—Transforming X-rays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
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    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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    • H—ELECTRICITY
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    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array

Abstract

本公开提供一种光线检测装置。光线检测装置的阵列基板包括第一扫描线、第一数据线、第一电子单元、第二电子单元、第三电子单元以及第一共用导线。第一扫描线沿第一方向延伸。第一数据线沿第二方向延伸，且与第一扫描线交错。第一电子单元电性连接第一扫描线及第一数据线。第二电子单元邻近第一电子单元且沿第一方向依序设置。第三电子单元邻近第一电子单元且沿第二方向依序设置。第一共用导线传送信号至第一电子单元，第二电子单元及第三电子单元。第一共用导线设置于第一电子单元和第二电子单元之间，或第一电子单元和第三电子单元之间。

Description

光线检测装置
技术领域
本公开是有关于一光线检测装置，特别是有关于光线检测装置中相邻的电子单元具有共用导线的光线检测装置技术。
背景技术
光线检测装置普遍应用于生活、办公室、学校或医疗上，随着科技进步，对光线检测装置的检测精确性(例如提高信号对噪声的比例关系)需求度不断增加，使光线检测装置需设置更多的晶体管(例如重置晶体管或放大晶体管)或更多条走线来提升检测精确性的需求，但设置此些晶体管或走线会占用到更多于阵列基板上的空间，使光线检测装置中的光电二极管(photodiode)的设置的空间相对被缩减，因而降低检测的灵敏度。故本公开提供一光线检测装置，有关于光线检测装置中的相邻的电子单元具有共用导线的光线检测装置，可以降低上述的光电二极管(photodiode)的空间相对被缩减的问题。
发明内容
根据本公开的一实施例提供一种光线检测装置。光线检测装置包括一阵列基板。阵列基板包括一第一扫描线、一第一数据线、一第一电子单元、一第二电子单元、一第三电子单元以及一第一共用导线。第一扫描线沿一第一方向延伸。第一数据线沿一第二方向延伸，且该第一数据线与该第一扫描线交错。第一电子单元电性连接该第一扫描线及该第一数据线。第二电子单元邻近该第一电子单元且沿该第一方向依序设置。第三电子单元邻近该第一电子单元且沿该第二方向依序设置。第一共用导线传送一信号至该第一电子单元，该第二电子单元及该第三电子单元。该第一共用导线，设置于该第一电子单元与该第二电子单元之间，或设置于该第一电子单元与该第三电子单元之间。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1是根据本公开的一实施例的光线检测装置1的示意图。
图2是根据本公开的一实施例的光线检测装置1的两相邻电子单元的上视图。
图3是根据本公开的图2的实施例的光线检测装置1的两相邻电子单元于切线A-A’的剖面结构图。
图4A是根据本公开的一实施例的光线检测装置4的示意图。
图4B是根据本公开的另一实施例的光线检测装置4的示意图。
图5是根据本公开的一实施例的光线检测装置4的两相邻电子单元的上视图。
图6A是根据本公开的图5的实施例的光线检测装置4的两相邻电子单元于切线B-B’的剖面结构图。
图6B是根据本公开的图5的实施例的光线检测装置4的两相邻电子单元于切线C-C’的剖面结构图。
图7A是根据本公开的一实施例的光线检测装置7的示意图。
图7B是根据本公开的另一实施例的光线检测装置7的示意图。
图8是根据本公开的一实施例的光线检测装置7的两相邻电子单元的上视图。
图9A是根据本公开的图8的实施例的光线检测装置7的两相邻电子单元于切线E-E’的剖面结构图。
图9B是根据本公开的图8的实施例的光线检测装置7的两相邻电子单元于切线D-D’的剖面结构图。
符号说明：
1、4、7 光线检测装置
110、410、710 阵列基板
110-1、410-1、710-1 第一电子单元
110-2、410-2、710-2 第二电子单元
110-3、410-3、710-3 第三电子单元
110-4、410-4、710-4 第四电子单元
111-1、411-1、711-1 第一光电二极管
111-2、411-2、711-2 第二光电二极管
111-3、411-3、711-3 第三光电二极管
111-4、411-4、711-4 第四光电二极管
112-1、414-1、714-1 第一读取晶体管
112-2、414-2、714-2 第二读取晶体管
112-3、414-3、714-3 第三读取晶体管
112-4、414-4、714-4 第四读取晶体管
210-1、210-2、640 非晶硅层
220-1、220-2、230-1、230-2、510-1、510-2、520-1、520-2、530-1、530-2、810-1、810-2、820-1、820-2、830-1、830-2、840-1、840-2 导通孔
310、610、910 基板
320、620、920 第一金属层
320a、320b、620a、620b、620c、620d、620e、620f、920a、920b、920c、920d、920e、920f栅极端
330、630、930 栅极绝缘层
340、650、950 第二金属层
350、660、960 第一介电层
360、670、970 第三金属层
370、680、980 第二介电层
380、690、990 第四金属层
390、685、1000 第三介电层
391、695、1010 闪烁层
412-1、712-1 第一重置晶体管
412-2、712-2 第二重置晶体管
412-3、712-3 第三重置晶体管
412-4、712-4 第四重置晶体管
413-1、713-1 第一放大晶体管
413-2、713-2 第二放大晶体管
413-3、713-3 第三放大晶体管
413-4、713-4 第四放大晶体管
C1 偏压线
C1-1 第一偏压线
C1-2 第二偏压线
C2 重置栅极线
C2-1 第一重置栅极线
C2-2 第二重置栅极线
C3 电源电压线
C3-1 第一电源电压线
C3-2 第二电源电压线
C4 重置电压线
C4-1 第一重置电压线
C4-2 第二重置电压线
C1a、C3a 主体部
C1b、C3b 第一分支部
C1c、C3c 第二分支部
C3d 第三分支部
C3e 第四分支部
D1 第一数据线
D2 第二数据线
D11、D21、E11、E21、F11、F21 第一半导体层
D12、D22、E12、E22、F12、F22 第二半导体层
D13、D23、E13、E23、F13、F23 第三半导体层
D14、D24、E14、E24、F14、F24 导电层
G1 第一扫描线
G2 第二扫描线
虚线A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’
P1、P2、P3、P4 连接点
X 第一方向
Y 第二方向
具体实施方式
本公开所述“第一元件设置于第二元件上”，可包括第一元件与第二元件直接接触的态样，亦可包括第一元件与第二元件之间更具有其他元件的态样。
本公开的附图中的各个元件的外型或尺寸大小(包括宽度、长度、厚度等)仅为示意，本公开并不以此为限。在本说明书中以及申请专利范围中的序号，例如“第一”、“第二”等等，仅是为了方便说明，彼此之间并没有顺序上的先后关系。
图1是根据本公开的一实施例的光线检测装置1的示意图。光线检测装置1例如是一被动式像素传感器(passive pixel sensor，PPS)结构。光线检测装置1可例如包括一阵列基板110，阵列基板110上包括多个电子单元(或像素单元)，如图1所框的虚线部分，多个电子单元包括第一电子单元110-1、第二电子单元110-2、第三电子单元110-3及第四电子单元110-4。阵列基板110上例如包括一第一扫描线(或栅极线)G1、一第二扫描线(或栅极线)G2、一第一数据线(或读取线)D1、一第二数据线D2及一偏压线(bias line)C1。详细来说，第一扫描线G1与第二扫描线G2沿第二方向Y依序设置，而第一数据线D1与第二数据线D2沿第一方向X依序设置。第一电子单元110-1电性连接第一扫描线G1及第一数据线D1，第二电子单元110-2邻近第一电子单元110-1且沿第一方向X依序设置，第三电子单元110-3邻近第一电子单元110-1且沿第二方向Y依序设置。图1所示的示意图仅为了方便说明本公开的实施例，例如图示中的电子单元、扫描线、数据线或其它线路的数量仅绘制局部部分，本公开并不以此为限，光线检测装置1中亦可包含其它元件。光线检测装置1中亦可包含更多或更少数量的电子单元。
如图1所示，第一电子单元110-1、第二电子单元110-2、第三电子单元110-3及第四电子单元110-4中可分别包含一个光电二极管((photodiode)(例如第一光电二极管111-1、第二光电二极管111-2、第三光电二极管111-3及第四光电二极管111-4)。第一电子单元110-1、第二电子单元110-2、第三电子单元110-3及第四电子单元110-4中可分别包含一个读取晶体管(例如第一读取晶体管112-1、第二读取晶体管112-2、第三读取晶体管112-3及第四读取晶体管112-4)，此些读取晶体管例如用以分别控制是否读取所对应(或电性连接)的光电二极管中所储存的信号。此些电子单元中分别对应的光电二极管的一端可例如分别电性连接至对应的读取晶体管的第一端(例如漏极端或源极端)。举例来说，此些光电二极管(例如第一光电二极管111-1至第四光电二极管111-4)分别与对应的读取晶体管(例如第一读取晶体管112-1至第四读取晶体管112-4)电性连接，而此些电子单元中的光电二极管的一端例如可电性连接至所对应的读取晶体管的一端(例如源极端或漏极端)，上述两者相互连接至一连接点(例如连接点P1至连接点P4)，而此些光电二极管(例如第一光电二极管111-1至第四光电二极管111-4)的另一端则分别电性连接至一共用导线，此共用导线例如为一偏压线C1(bias-line)。第一读取晶体管112-1和第三读取晶体管112-3分别的另一端可例如电性连接至第一数据线D1(Data line或Readout line)，而第二读取晶体管112-2和第四读取晶体管112-4分别的另一端可例如电性连接至第二数据线D2(Data line或Readout line)。第一读取晶体管112-1和第二读取晶体管112-2分别的栅极端可例如电性连接至第一扫描线G1，第三读取晶体管112-3和第四读取晶体管112-4分别的栅极端可例如电性连接至第二扫描线G2。
根据本公开的实施例，光线检测装置1的多个扫描线(例如第一扫描线G1和第二扫描线G2，但本公开不限于此)例如沿第一方向X延伸，而此些扫描线沿例如第二方向Y上依序排列设置。于一些实施例中，第一方向X例如不同于第二方向Y。于一些实施例中，第一方向X与第二方向Y大致呈垂直。于一些实施例中，第一方向X与第二方向Y可例如夹一85至45度的角度。光线检测装置1中的同一列的电子单元(例如于第一方向X上排列的电子单元)可例如电性连接至相同的扫描线。如图1所示，第一电子单元110-1和第二电子单元110-2例如电性连接至第一扫描线G1，第三电子单元110-3和第四电子单元110-4例如电性连接第二扫描线G2。此外，光线检测装置1的多个数据线(例如第一数据线D1和第二数据线D2)例如沿第二方向Y延伸，而此些数据线可例如沿第一方向X上依序排列设置。上述数据线例如与上述扫描线交错。光线检测装置1中的同一行的电子单元(例如于第二方向上排列的电子单元)可例如电性连接相同的数据线。如图1所示，第一电子单元110-1和第三电子单元110-3可例如电性连接第一数据线D1，第二电子单元110-2和第四电子单元110-4可例如电性连接第二数据线D2。
此外，在本实施例中，多个电子单元(例如第一电子单元110-1至第四电子单元110-4)例如共用一偏压线C1。举例来说，第一电子单元110-1、第二电子单元110-2及第三电子单元110-3可例如共用一共用导线，此共用导线为偏压线C1，但本公开不以此为限。
图2是根据本公开的一实施例(例如图1的实施例)所述的光线检测装置1的两相邻的电子单元(第一电子单元110-1及第二电子单元110-2)的上视图。图2中显示第一扫描线G1、第一数据线D1、第二数据线D2以及偏压线C1。共用导线(例如偏压线C1)是设置在第一电子单元110-1和第二电子单元110-2之间。在此实施例中，由于共用导线(例如偏压线C1)是沿第二方向Y延伸设置时，第一电子单元110-1与第二电子单元110-2例如设置于第一数据线D1与第二数据线D2之间。换句话说，在第一方向X相邻的两电子单元(例如第一电子单元110-1及第二电子单元110-2)例如以第一方向X为对称轴呈镜像对称设计，但本公开不限于此。于一些实施例中，第一电子单元110-1及第二电子单元110-2可有部分的元件呈非对称的设计。如图2所示，第一电子单元110-1和第二电子单元110-2例如设置于第一数据线D1和第二数据线D2之间。此外，共用导线(例如偏压线C1)例如具有一主体部C1a、一第一分支部C1b以及一第二分支部C1c。主体部C1a例如分别与第一分支部C1b及第二分支部C1c相连接，第一分支部C1b和第二分支部C1c分别设置于主体部C1a的两侧。详细来说，主体部C1a例如沿第二方向Y延伸，第一分支部C1b及第二分支部C1c例如分别由主体部的两侧所分支，且第一分支部C1b及一第二分支部C1c例如分别对应第一电子单元110-1和第二电子单元110-2。第一分支部C1b的延伸方向及第二分支部C1c的延伸方向可例如不同于第二方向Y。于一些实施例中，第一分支部C1b及第二分支部C1c例如彼此呈对称的方式设置于主体部C1a的两侧。于一些实施例中，第一分支部C1b及一第二分支部C1c例如彼此呈非对称的设方式置于主体部C1a的两侧。举例来说，第一分支部C1b及第二分支部C1c例如不设置于同一行轴(垂直第二方向Y的一轴)上。此外，第一分支部C1b及第二分支部C1c例如分别于俯视阵列基板方向上部分重叠于第一电子单元110-1和第二电子单元110-2。第一分支部C1b及第二分支部C1c可例如分别与第一电子单元110-1及第二电子单元110-2电性连接。于一些实施例中，第一分支部C1b及第二分支部C1c例如分别透过导通孔230-1和导通孔230-2电性连接至第一电子单元110-1和第二电子单元110-2。
图3是根据本公开的图2的实施例所述的光线检测装置1的两相邻电子单元(例如第一电子单元110-1及第二电子单元110-2)的虚线A-A’的剖面结构图。
如图3所示，基板310例如为一玻璃基板或塑胶基板、一软性或硬性电路板。基板310的材质可括玻璃、石英、有机聚合物或是金属，但本公开不限于此。若基板310的材质包括有机聚合物，例如包括聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)，但本公开不限于此。基板310上例如设置第一金属层320，第一金属层320经图样化制程(例如经由光刻、蚀刻等制程方式但本公开不限于此)，将第一金属层320图样化为读取晶体管的栅极端(例如第一读取晶体管112-1的栅极端320a及第二读取晶体管112-2的栅极端320b)、第一扫描线G1、第二扫描线G2或其他扫描线，但本公开不限于此。接着，第一金属层320上例如设置栅极绝缘层(gateinsulation layer)330。接着，非晶硅层210-1及第二金属层340依序设置在栅极绝缘层330上。第二金属层340例如经图样化制程(例如经由光刻、蚀刻等制程方式但本公开不限于此)形成第一读取晶体管112-1和第二读取晶体管112-2分别的源极端和漏极端、第一数据线D1、第二数据线D2或其他数据线，但本公开不限于此。接着，第一介电层(interlayerdielectric，ILD)350例如设置在第二金属层上。接着，将第一介电层350经由图样化制程形成多个穿透孔，并沉积第三金属层360于第一介电层350上，以将第三金属层360填入此些穿透孔中而形成导通孔220-1和导通孔220-2。经由图样化制程的第三金属层360例如分别作为第一电子单元110-1中的第一光电二极管111-1的下电极(bottom electrode)和第二电子单元110-2中的第二光电二极管111-2的下电极。接着，将第一光电二极管111-1和第二光电二极管111-2设置在第三金属层360上。接着，设置第二介电层370于第一光电二极管111-1和第二光电二极管111-2上。第一光电二极管111-1包括第一半导体层D11、第二半导体层D12和第三半导体层D13，第二光电二极管111-2包括第一半导体层D21、第二半导体层D22和第三半导体层D23。于一些实施例中，第一半导体层D11和第一半导体层D21例如为N型掺杂层、第二半导体层D12和第二半导体层D22例如为本质层，第三半导体层D13和第三半导体层D23例如为P型掺杂层。于一些实施例中，第一半导体层D11和第一半导体层D21例如为P型掺杂层，第三半导体层D13和第三半导体层D23例如为N型掺杂层。在第三半导体层D13和第三半导体层D23上例如设置一导电层，经图样化制程后的导电层D14和导电层D24例如分别作为第一光电二极管111-1的上电极(top electrode)和第二光电二极管111-2的上电极。第二介电层370例如经由图样化制程而形成多个穿透孔，第四金属层380例如设置于第二介电层370上，第四金属层380填入此些穿透孔中而形成导通孔230-1和导通孔230-2。经图样化的第四金属层380例如形成上述的偏压线C1，且偏压线C1例如分别电性连接至第一光电二极管111-1的上电极和第二光电二极管111-2的上电极。接着，设置第三介电层390在第四金属层380上，第四金属层380例如设置于第二介电层370与第三介电层390之间。于一些实施例中，光线检测装置1例如更包括闪烁层391。闪烁层391例如邻近于基板310设置，详细来说，闪烁层391例如设置于介电层390上。举例来说，当光线检测装置1包括闪烁层391时，此光线检测装置1可例如为一X射线检测装置，闪烁层391可将X射线光子转化为光电二极管可接收的可见光子。
图4A是根据本公开的一实施例所述的光线检测装置4的示意图。光线检测装置4例如是一有源式像素传感器(active pixel sensor，APS)结构。光线检测装置4可例如包括一阵列基板410。阵列基板410上包括多个电子单元(或像素单元)，例如包括第一电子单元410-1、第二电子单元410-2、第三电子单元410-3及第四电子单元410-4。阵列基板410上包括一第一扫描线(或栅极线)G1、一第二扫描线G2、一第一数据线(或读取线)D1、一第二数据线D2、一第一偏压线(bias line)C1-1、一第二偏压线C1-2、一第一重置栅极线(reset gateline)C2-1、一第二重置栅极线C2-2及一电源电压线(Vdd line)C3。需注意地是，在图4A所示的示意图，仅为了方便说明本公开的实施例，但本公开并不以此为限。光线检测装置4中亦可包含更多或更少数量的电子单元，或者其它元件。
如图4A所示，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4中分别可包含一光电二极管(例如分别包括第一光电二极管411-1、第二光电二极管411-2、第三光电二极管411-3及第四光电二极管411-4)、一重置晶体管(例如分别包括第一重置晶体管412-1、第二重置晶体管412-2、第三重置晶体管412-3及第四重置晶体管412-4)、一放大晶体管(例如分别包括第一放大晶体管413-1、第二放大晶体管413-2、第三放大晶体管413-3及第四放大晶体管413-4)，及一读取晶体管(例如分别包括第一读取晶体管414-1、第二读取晶体管414-2、第三读取晶体管414-3及第四读取晶体管414-4)，但本公开不限于此。于图4A的实施例中，第一重置晶体管412-1、第二重置晶体管412-2分别的栅极端例如电性连接至第一重置栅极线(reset gate line)C2-1，第一重置晶体管412-1的一端与第一光电二极管411-1的一端及第一放大晶体管413-1的栅极端电性连接，三者之间的连接处为连接点P1，而第二重置晶体管412-2的一端与第二光电二极管411-2的一端及第二放大晶体管413-2的栅极端电性连接，三者之间的连接处为连接点P2。
另外，第三重置晶体管412-3、第四重置晶体管412-4分别的栅极端电性连接至第二重置栅极线C2-2，而第三重置晶体管412-3的一端与第三光电二极管411-3的一端及第三放大晶体管413-3的栅极端电性连接，三者之间的连接处为连接点点P3，而第四重置晶体管412-4的一端与第四光电二极管411-4的一端及第四放大晶体管413-4的栅极端电性连接，三者之间的连接处为连接点P4。而上述的重置晶体管(第一重置晶体管412-1至第四重置晶体管412-4)的另一端例如电性连接至共同一条电源电压线(Vdd line)C3。上述的重置晶体管(第一重置电所对应的连接点(连接点P1至连接点P4)上的电压重置或回归至初始的电压值，但本公开不限于此。
另外，放大晶体管(例如第一放大晶体管413-1至第四放大晶体管413-4)的一端与分别所对应的读取晶体管(第一读取晶体管414-1至第四读取晶体管414-4)电性相连，而放大晶体管(例如第一放大晶体管413-1至第四放大晶体管413-4)的另一端例如电性连接至共用导线(例如电源电压线(Vdd line)C3)。共用导线例如传送一信号至第一电子单元410-1、第二电子单元410-2、第三电子单元410-3及第四电子单元410-4。详细来说，共用导线(电源电压线C3)例如透过外界电路信号供应器将一直流电压传送至此些放大晶体管(例如第一放大晶体管413-1至第四放大晶体管413-4)及重置晶体管(第一重置晶体管412-1至第四重置晶体管412-4)。于一些实施例中，电源电压线C3所传送的信号(包括电压)可例如为一正值的直流偏压，但本公开不限于此。于一些实施例中，电源电压线C3所传送的电压可例如为一负值的直流偏压。
另外，放大晶体管(例如第一放大晶体管413-1至第四放大晶体管413-4)例如用以将存于各自所对应(或电性连接)的光电二极管(第一光电二极管411-1至第四光电二极管411-4)中的电荷信号放大并转换成电压，此电压即为读取晶体管(第一读取晶体管414-1至第四读取晶体管414-4)的栅极端的电压。
另外此些读取晶体管(第一读取晶体管414-1至第四读取晶体管414-4)分别的栅极端例如电性连接至对应的第一扫描线(或栅极线)G1或第二扫描线G2，而此些读取晶体管(第一读取晶体管414-1至第四读取晶体管414-4)的一端分别电性连接至对应的第一数据线D1或第二数据线D2。详细来说，例如透过第一扫描线G1或第二扫描线G2接收电压信号而开启与其所连接的读取晶体管(第一读取晶体管414-1至第四读取晶体管414-4)，当此些读取晶体管被开启时，可透过分别所对应(或电性连接)的数据线(例如第一数据线D1、第二数据线D2)将信号传送至外部线路(未绘示)进行读值(或收值)。根据本公开的实施例，光线检测装置4的多个扫描线(例如第一扫描线G1和第二扫描线G2，但本公开不限于此)沿第一方向X轴方向延伸。光线检测装置4中的同一列的电子单元(例如于第一方向X上排列的电子单元)例如电性连接至相同的扫描线。光线检测装置4的多个数据线(例如第一数据线D1和第二数据线D2，但本公开不限于此)沿第二方向Y延伸。光线检测装置4中的同一行的电子单元(例如于第二方向上排列的电子单元)例如电性连接至相同的数据线。
另外，第一光电二极管411-1及第三光电二极管411-3分别的另一端例如电性连接至第一偏压线C1-1，而第二光电二极管411-2及第四光电二极管411-4分别的另一端例如电性连接至第二偏压线C1-2。第一偏压线C1-1及第二偏压线C1-2例如分别传送一直流电压至所对应(或电性连接)的光电二极管。
在图4A中，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4例如共用一导线(例如为电源电压线C3)。于其他实施例中，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4例如共用一导线可例如共用其它的导线(例如偏压线、重置栅极线、重置电源线)。透过此种相邻近的电子单元共用导线的方式，可减少导线因设置而需要占用的空间、进而提高光电二极管可设置的空间或面积，有利于提高检测灵敏度。
于一些实施例中，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4例如共用一偏压线C1、一重置栅极线C2或一电源电压线C3的至少一者(包括多者或全部)。在一些实施例中，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4例如共用一偏压线C1和一重置栅极线C2。在一些实施例中，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4例如共用一偏压线C1、一重置栅极线C2和一电源电压线C3(如图4B所示)。在一些实施例中，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4例如共用一偏压线C1和一电源电压线C3。
根据本公开的另一实施例，如图4B所示，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4例如共用多种导线，此些共用导线例如包括偏压线C1、重置栅极线C2、或电源电压线C3。在此光线检测装置4中，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4之间仅需设置一条共用的偏压线C1、一条共用的重置栅极线C2及一条电源电压线C3，而此些共用导线与第一电子单元410-1至第四电子单元410-4的电性连接关系可例如如图4B所示做调整。具体来说，第一重置晶体管412-1至第四重置晶体管412-4分别的栅极端例如电性连接至重置栅极线C2。第一光电二极管411-1至第四光电二极管411-4分别的一端例如电性连接至偏压线C1。第一重置晶体管412-1至第四重置晶体管412-4分别的一端(例如漏极端或源极端)和第一放大晶体管413-1至第四放大晶体管413-4分别的一端(例如漏极端或源极端)例如电性连接至电源电压线C3。因此，在此实施例的光线检测装置4中，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4仅需设置一共用的偏压线C1、一共用的重置栅极线C2和一共用的电源电压线C3。
图5是根据本公开的一实施例所述的光线检测装置4的两相邻电子单元的上视图。如图5所示，第一电子单元410-1包括光电二极管411-1、第一重置晶体管412-1、第一放大晶体管413-1、第一读取晶体管414-1、导通孔510-1、导通孔520-1和导通孔530-1。第二电子单元410-2包括第二光电二极管411-2、第二重置晶体管412-2、第二放大晶体管413-2、第二读取晶体管414-2、导通孔510-2、导通孔520-2和导通孔530-2。在图5的实施例中，共用导线(例如电源电压线C3)例如是沿第二方向Y延伸，第一电子单元410-1和第二电子单元410-2例如设置于第一数据线D1和第二数据线D2之间。在第一方向X上相邻的两电子单元(例如第一电子单元410-1和第二电子单元410-2)例如以第一方向X为对称轴呈镜像对称的设置，但本公开不限于此。
在其他实施例中，若共用导线(例如重置栅极线C2)是沿第一方向X延伸，第一电子单元410-1与第三电子单元410-3设置于第一扫描线G1与第二扫描线G2之间。在第二方向Y上相邻的两电子单元(例如第一电子单元410-1与第三电子单元410-3)例如以第二方向Y为对称轴呈现镜像对称的设置。也就是说，在第二方向Y上相邻的两电子单元例如设置于第一扫描线G1和第二扫描线G2之间。需注意的是，本公开并不限共用导线的不同种类的电压线的延伸方向，图示中仅为示意。
继续参考图5所示，共用的电源电压线C3例如具有一主体部C3a、一第一分支部C3b及一第二分支部C3c。主体部C3a例如分别和第一分支部C3b及第二分支部C3c相连接。第一分支部C3b及第二分支部C3c例如分别与第一电子单元410-1和第二电子单元410-2于俯视阵列基板方向上部分重叠，以将电源电压线C3电性连接至第一电子单元410-1(例如第一放大晶体管413-1)和电性连接至第二电子单元410-2(例如第二放大晶体管413-2)。
根据本公开另一实施例，若共用导线(例如重置栅极线C2)是沿第一方向X延伸，共用导线的第一分支部以及第二分支部分别与第一电子单元410-1和第三电子单元410-3电性连接。详细来说，共用导线的第一分支部以及第二分支部例如与第一电子单元410-1和第三电子单元410-3于俯视阵列基板方向上部分重叠，以将共用的导线电性连接至第一电子单元410-1和第三电子单元410-3。在一些实施例中，第一分支部及第二分支部例如分别透过两导通孔电性连接至第一电子单元410-1和第三电子单元410-3。
继续参考图5所示，共用的电源电压线C3例如具有第三分支部C3d和第四分支部C3e。主体部C3a和分别第三分支部C3d及第四分支部C3e相连接。此外，第三分支部C3d和第四分支部C3e分别与第一电子单元410-1和第二电子单元410-2于俯视阵列基板方向上部分重叠，以将电源电压线C3电性连接至电子单元第一410-1(例如第一重置晶体管412-1)和电性连接至第二电子单元410-2(例如第二重置晶体管412-2)。
图6A是根据本公开的图5所述的光线检测装置4的两相邻电子单元的沿虚线B-B’的剖面结构图。
如图6A所示，基板610上设置第一金属层620，第一金属层620例如经由图样化制程(例如光刻、蚀刻等制程方式，但本公开不限于此)，将第一金属层620图样化为第一读取晶体管414-1的栅极端620a、第一放大晶体管413-1的栅极端620b、第一重置晶体管412-1的栅极端620c、第二重置晶体管412-2的栅极端620d、第二放大晶体管413-2的栅极端620e、第二读取晶体管414-2的栅极端620f、第一扫描线G1、第二扫描线G2或其它扫描线，但本公开不限于此。接着，设置栅极绝缘层(gate insulation layer)630于第一金属层620上。接着，设置非晶硅层640及第二金属层650在栅极绝缘层630上。第二金属层650例如经由图样化制程后形成多个晶体管(包括第一重置晶体管412-1和第二重置晶体管412-2、第一放大晶体管413-1和第二放大晶体管413-2、第一读取晶体管414-1和第二读取晶体管414-2)的分别的源极端和漏极端、电源电压线C3、第一数据线D1、第二数据线D2或其它数据线，但本公开不限于此。于其他实施例中，电源电压线C3例如为其它层的导电层(包括金属层)。接着，设置第一介电层660在第二金属层650上。接着，第一介电660例如经由图样化制程形成多个穿透孔，后续例如将第三金属层670填入至此些穿透孔中以形成多个导通孔(包括导通孔510-1、导通孔530-1、导通孔510-2和导通孔530-2，但本公开不限于此)。经图形化制程的第三金属层670例如分别用以作为第一电子单元410-1的第一光电二极管411-1的下电极(bottomelectrode)和第二电子单元410-2的第二光电二极管411-2的下电极。接着，设置第一光电二极管411-1和第二光电二极管411-2。光电二极管411-1由下层至上层例如包括第一半导体层E11、第二半导体层E12、和第三半导体层E13，而光电二极管411-2由下层至上层包括第一半导体层E21、第二半导体层E22、和第三半导体层E23。于一实施例中，第一半导体层E11和第一半导体层E21例如为N型掺杂层、第二半导体层E12和第二半导体层E22例如为本质层，第三半导体层E13和第三半导体层E23例如为P型掺杂层。设置一导电层于第三半导体层E13和第三半导体层E23上，经图样化制程的导电层E14和导电层E24例如分别用以作为第一光电二极管411-1的上电极(top electrode)和第二光电二极管411-2的上电极。接着，设置第二介电层680于第一光电二极管411-1、第二光电二极管411-2上。第二介电层680例如经图样化后形成多个穿透孔，沉积或设置第四金属层690于第二介电层680上，后续例如将第四金属层690填入至此些穿透孔中以形成多个导通孔(包括导通孔520-1和导通孔520-2)。接着，设置第三介电层685在第四金属层690上。在一些实施例中，光线检测装置4可更包括一闪烁层695，闪烁层例如邻近于基板610设置，详细来说，闪烁层695例如设置于第三介电层685上。举例来说，当光线检测装置4包括闪烁层695时，此光线检测装置4可例如为一X射线检测装置，闪烁层695可将X射线光子转化为光电二极管可接收的可见光子。
图6B是根据本公开的图5的实施例的光线检测装置4的两相邻电子单元于虚线C-C’的剖面结构图。
如图6B所示，第一偏压线C1-1和第二偏压线C1-2例如设置在第二介电层680上，图6B中的第一电子单元410-1和第二电子单元410-2例如共用一条电源电压线C3。
图7A是根据本公开的一实施例所述的光线检测装置7的示意图。
光线检测装置7例如是一有源式像素传感器(active pixel sensor，APS)结构。如图7A所示，光线检测装置7例如包括一阵列基板710。阵列基板710上包括多个电子单元(包括第一电子单元710-1至第四电子单元710-4)、第一扫描线G1、第二扫描线G2、第一数据线D1、第二数据线D2、第一偏压线C1-1、第二偏压线C1-2、第一重置栅极线C2-1、第二重置栅极线C2-2、第一电源电压线C3-1、第二电源电压线C3-2及重置电压线(Vreset line)C4。需注意地是，图7A所示的示意图，仅为了方便说明本公开的实施例，但并不以此为限。光线检测装置7中亦可包含其它元件。
如图7A所示，第一电子单元710-1至第四电子单元710-4中分别可包含一光电二极管(第一光电二极管711-1至第四光电二极管711-4)、一重置晶体管(第一重置晶体管712-1至第四重置晶体管412-4)、一放大晶体管(第一放大晶体管713-1至第四放大晶体管713-4)，及一读取晶体管(第一读取晶体管714-1至第四读取晶体管414-4)，但本公开不限于此。而第一电子单元710-1至第四电子单元710-4中的元件(包括光电二极管、重置晶体管、放大晶体管、读取晶体管)与上述的第一电子单元410-1至第四电子单元410-4相似或相同，故此些晶体管与线路的连接方式不再详细叙述。光线检测装置7与光线检测装置4的其中之一个主要的差异为第一重置晶体管712-1至第四重置晶体管712-4的一端改电性连接至重置电压线C4，换句话说，重置晶体管(第一重置晶体管712-1至第四重置晶体管712-4)并非与放大晶体管(第一放大晶体管713-1至第四放大晶体管713-4)共同电性连接至电源电压线(第一电源电压线C3-1或第二电源电压线C3-2)，此种设计的优点为，电源电压线(例如第一电源电压线C3-1或第二电源电压线C3-2)与重置电压线C4例如接受并传送不同的直流电压，提高光线检测装置7驱动设计的弹性。详细来说，如图7A所示，第一放大晶体管713-1和第三放大晶体管713-3电性连接至第一电源电压线C3-1，第二放大晶体管713-2和第四放大晶体管713-4电性连接至第二电源电压线C3-2。放大晶体管(第一放大晶体管713-1至第四放大晶体管713-4)分别电性连接至对应的读取晶体管(第一读取晶体管414-1至第四读取晶体管414-4)。第一读取晶体管414-1和第二读取晶体管414-2分别的栅极端例如电性连接至第一扫描线G1，且第三读取晶体管414-3和第四读取晶体管414-4分别的栅极端例如电性连接至第二扫描线G2。第一读取晶体管414-1和第三读取晶体管414-3分别的一端(例如源极端或漏极端)例如电性连接至第一数据线D1，且第二读取晶体管414-2和第四读取晶体管414-4分别的一端(例如源极端或漏极端)例如电性连接至第二数据线D2。第一重置晶体管412-1至第四重置晶体管412-4的一端(例如源极端或漏极端)电性连接至重置电压线C4。
在图7A中，第一电子单元710-1和第二电子单元710-2例如电性连接第一重置栅极线C2-1，第三电子单元410-3和第四电子单元410-4例如电性连接第二重置栅极线C2-2。第一电子单元410-1和第三电子单元410-3例如电性连接第一偏压线C1-1和第一电源电压线C3-1，第二电子单元410-2和第四电子单元410-4例如电性连接第二偏压线C1-2和第二电源电压线C3-2。第一电子单元710-1至第四电子单元710-4共用一重置电压线C4。因此，在光线检测装置7中，对于第一电子单元710-1至第四电子单元710-4仅需设置一条共用的重置电压线C4。
根据本公开的另一实施例，第一电子单元710-1至第四电子单元710-4亦可共用一偏压线C1、一重置栅极线C2，或一电源电压线C3，且本公开不限于此。
根据本公开的另一实施例，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4例如共用一偏压线C1、一重置栅极线C2、一电源电压线C3或一重置电压线C4的多者或全部。举例来说，在一些实施例中，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4例如共用一偏压线C1和一重置栅极线C2。在一些实施例中，第一电子单元410-1至第四电子单元410-4例如共用一偏压线C1、一重置栅极线C2、一电源电压线C3和一重置电压线C4(可参考图7B所示)。更具体来说，第一重置晶体管712-1至第四重置晶体管712-4分别的栅极端例如皆电性连接至重置栅极线C2。第一光电二极管711-1至第四光电二极管711-4分别的一端例如电性连接至偏压线C1。第一重置晶体管712-1至第四重置晶体管712-4分别的一端(例如源极端或漏极端)例如皆电性连接至重置电压线C4。第一放大晶体管713-1至第四放大晶体管713-4分别的一端(例如源极端或漏极端)例如皆电性连接至电源电压线C3。因此，在此实施例的光线检测装置7中，对于第一电子单元710-1至第四电子单元710-4仅需设置一共用的偏压线C1、一共用的重置栅极线C2、一共用的电源电压线C3和一共用的重置电压线C4。在此实施例的光线检测装置7中，共用导线(例如偏压线C1)、共用导线(例如电源电压线C3)和共用导线(例如重置电压线C4)可例如设置于第一电子单元710-1与第二电子单元710-2之间。在此实施例的光线检测装置7中，共用导线(例如重置栅极线C2)例如设置于第一电子单元710-1与第三电子单元710-3之间，但本公开不限于此。透过上述设计可减少线路的占用面积、有助于提高光电二极管的面积，进而提升检测灵敏度。
图8是根据本公开的一实施例所述的光线检测装置7的两相邻电子单元的上视图。
如图8所示，第一电子单元710-1包括第一光电二极管711-1、第一重置晶体管712-1、第一放大晶体管713-1，第一读取晶体管714-1、导通孔810-1、导通孔820-1、导通孔830-1及导通孔840-1，第二电子单元710-2包括第二光电二极管711-2、第二重置晶体管712-2、第二放大晶体管713-2、第二读取晶体管414-2、导通孔810-2、导通孔830-2及导通孔840-2。
在图8的实施例中，由于共用的电源电压线C3是沿第二方向Y延伸，因此，在第一方向X相邻的两个电子单元(例如第一电子单元710-1和第二电子单元710-2)可例如以第一方向为对称轴呈现镜像对称的设置。第一电子单元710-1和第二电子单元710-2例如设置于第一数据线D1和第二数据线D2之间。
此外，如图8所示，共用的电源电压线C3例如具有一主体部C3a、一第一分支部C3b及一第二分支部C3c。主体部C3a例如和第一分支部C3b及第二分支部C3c相连接。第一分支部C3b及第二分支部C3c例如分别与第一电子单元710-1和第二电子单元710-2部分重叠，以分别电性连接至第一电子单元710-1(例如第一电子单元710-1的放大晶体管713-1)和第二电子单元710-2(例如第二电子单元710-2的放大晶体管713-2)。
根据本公开另一实施例，若共用的导线(例如重置栅极线C2)是沿第一方向X延伸，共用的导线的第一分支部及第二分支部则可例如分别与第一电子单元710-1和第三电子单元710-3部分重叠，以分别电性连接至第一电子单元710-1(例如第一电子单元710-1的第一重置晶体管712-1)和第三电子单元710-3(例如第三电子单元710-3的第三重置晶体管712-3)。
另外，上述的第一分支部C3b及第二分支部C3c例如于俯视阵列基板710的方向上之外型轮廓相同或不相同，本公开并不做限制。另需注意的是，上述的镜向对称并不代表所有元件的大小、尺寸、或外型需要相同，上述的镜向对称可例如代表电子元间中的相似元件之间的相对位置关系呈镜向对称即可。
图9A是根据本公开的一实施例所述的光线检测装置7的两相邻电子单元于的虚线E-E’的第一剖面结构图。
如图9A所示，基板910上设置第一金属层920，第一金属层920例如经由图样化制程(例如光刻、蚀刻等制程方式，但本公开不限于此)，将第一金属层920图样化为第一读取晶体管714-1的栅极端920a、第一放大晶体管713-1的栅极端920b、第一重置晶体管712-1的栅极端920c、第二重置晶体管712-2的栅极端920d、第二放大晶体管713-2的栅极端920e、第二读取晶体管714-2的栅极端920f、第一扫描线G1、第二扫描线G2或其他扫描线，但本公开不限于此。接着，设置栅极绝缘层(gate insulation layer)930于第一金属层920上。接着，设置非晶硅层940及第二金属层950于栅极绝缘层930上。第二金属层950例如经由图样化制程后形成多个晶体管(例如第一重置晶体管712-1、第二重置晶体管712-2、第一放大晶体管713-1、第二放大晶体管713-2、第一读取晶体管714-1和第二读取晶体管714-2)分别的源极端和漏极端、电源电压线C3、第一数据线D1、第二数据线D2或其他数据线，但本公开不限于此。于其他实施例中，电源电压线C3例如为其它层的导电层(包括金属层)。接着，设置第一介电层960于第二金属层950上。接着，第一介电层960例如经由图样化制程形成多个穿透孔，后续例如将第三金属层970填入至此些穿透孔中以形成导通孔810-1、导通孔830-1、导通孔840-1、导通孔810-2、导通孔830-2和导通孔840-2，但本公开不限于此。如上所述，经图形化制程后的第三金属层970可用以作为第一电子单元710-1的下电极(bottomelectrode)和第二电子单元710-2的下电极。此外，经图形化制程后的第三金属层970例如可形成第一重置电压线C4-1和第二重置电压线C4-2，但本公开不限于此。
接着，设置第一光电二极管911-1和第二光电二极管911-2于第三金属层970上。第一光电二极管911-1由下层至上层例如包括第一半导体层F11、第二半导体层F12、和第三半导体层F13，光电二极管911-2由下层至上层例如包括第一半导体层F21、第二半导体层F22、和第三半导体层F23。于一些实施例中，第一半导体层F11和第一半导体层F21例如为N型掺杂层、第二半导体层F12和第二半导体层F22例如为本质层，第三半导体层F13和第三半导体层F23例如为P型掺杂层。于一些实施例中，第一半导体层F11和第一半导体层F21例如为P型掺杂层，第三半导体层F13和第三半导体层F23例如为N型掺杂层。在第三半导体层F13和第三半导体F23上分别设置一导电层，经图样化制程后的导电层F14和导电层F24例如分别用以作为第一光电二极管911-1的上电极和第二光电二极管911-2的上电极。接着，设置第二介电层980于第一光电二极管911-1、第二光电二极管911-2上。第二介电层980例如经图样化后形成多个穿透孔，设置第四金属层990于第二介电层980上，第四金属层990例如填入至这些穿透孔中形成导通孔820-1和导通孔820-2。接着，一第三介电层1000例如设置在第四金属层990上。在一些实施例中，光线检测装置7可更包括一闪烁层1010，闪烁层1010例如邻近于基板910设置，详细来说，闪烁层1010例如设置于第三介电层1000上。
图9B是根据本公开的一实施例所述的光线检测装置900的两相邻电子单元于虚线D-D’的剖面结构图。如图9B所示，第一偏压线C1-1和第二偏压线C1-2设置在第二介电层980上，第一电子单元710-1和第二电子单元710-2可例如共用同一条电源电压线C3。
根据本公开的实施例，共用导线(例如偏压线C1、重置栅极线C2、电源电压线C3，或重置电压线C4，但本公开不限于此)与扫描线或数据线或其它线路(非共用导线)之间于交错处例如具有至少一介电层所隔开，可降低不同线路之间彼此发生短路。举例来说，阵列基板更包括一介电层，介电层设置于共用导线(例如偏压线C1、重置栅极线C2、电源电压线C3，或重置电压线C4，但本公开不限于此)与第一扫描线G1之间，或介电层设置于共用导线与第一扫描线G1之间。另外，不相同种类的共用导线(例如偏压线C1、重置栅极线C2、电源电压线C3，或重置电压线C4，但本公开不限于此)之间于交错处可例如具有至少一介电层所隔开。
举例来说，如图3所示，共用的偏压线C1和交错的第一扫描线G1(未绘示，但第一扫描线G1与第一金属层320是同一层)之间例如透过第一介电层350和第二介电层370所隔开，但本公开不以此为限。
上述的制作流程仅为举例，不应用来限制本案，可以是需求调整上述的制作流程。而上述的晶体管(例如放大晶体管、读取晶体管及重置晶体管)仅以下底栅极(bottomgate)型晶体管来举例，但于其他实施例，上述的晶体管(例如放大晶体管、读取晶体管及重置晶体管)可例如是顶栅极(top gate)型晶体管，而公开虽仅举例非晶硅晶体管，但本公开不限制晶体管的种类，于其他实施例中，晶体管可例如包括低温多晶硅(Low TermperaturePoly-Silicon,LTPS)、氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)或其它合适的晶体管种类。
根据本公开的实施例所提出的光线检测装置，在光线检测装置的一电子单元可和其相邻的电子单元共用至少一共用导线(例如偏压线、重置栅极线、电源电压线，或重置电压线，但本公开不限于此)，可减少光线检测装置内的走线的数量或走线的占用面积、有利于增加光电二极管的检测的面积，进而提高检测灵敏度。
以上段落使用多种层面描述。显然的，本文的教示可以多种方式实现，而在范例中公开的任何特定架构或功能仅为一代表性的状况。根据本文的教示，任何所属技术领域的技术人员应理解在本文公开的各层面可独立实作或两种以上的层面可以合并实作。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (10)

1.一种光线检测装置，其特征包括:
一阵列基板包括：
一第一扫描线，沿一第一方向延伸；
一第一数据线，沿一第二方向延伸，且该第一数据线与该第一扫描线交错；
一第一电子单元，电性连接该第一扫描线及该第一数据线；
一第二电子单元，邻近该第一电子单元且沿该第一方向依序设置；
一第三电子单元，邻近该第一电子单元且沿该第二方向依序设置；以及
一第一共用导线，传送一信号至该第一电子单元，该第二电子单元及该第三电子单元，
其中该第一共用导线，设置于该第一电子单元与该第二电子单元之间，或设置于该第一电子单元与该第三电子单元之间。
2.如权利要求1所述的光线检测装置，更包括：
一第二数据线，该第一数据线与该第二数据线沿该第一方向依序设置，
其中该第一共用导线沿该第二方向延伸，且该第一电子单元与该第二电子单元设置于该第一数据线与该第二数据线之间。
3.如权利要求1所述的光线检测装置，更包括：
一第二扫描线，该第一扫描线与该第二扫描线沿该第二方向依序设置，
其中该第一共用导线沿该第一方向延伸，且该第一电子单元与该第三电子单元设置于该第一扫描线与该第二扫描线之间。
4.如权利要求1所述的光线检测装置，其特征在于，该第一共用导线具有一主体部、一第一分支部以及一第二分支部，该主体部连接于该第一分支部和该第二分支部，且该第一分支部和该二分支部分别设置于该主体部的两侧。
5.如权利要求4所述的光线检测装置，其特征在于，该第一分支部及该第二分支部分别与该第一电子单元及该第二电子单元电性连接，或者分别与该第一电子单元及该第三电子单元电性连接。
6.如权利要求5所述的光线检测装置，其特征在于，该第一分支部及该第二分支部分别透过两导通孔与该第一电子单元及该第二电子单元电性连接，或者该第一分支部及该第二分支部分别透过两导通孔与该第一电子单元及该第三电子单元电性连接。
7.如权利要求1所述的光线检测装置，其特征在于，该阵列基板更包括一第二共用导线，该第二共用导线传送一信号至该第一电子单元，该第二电子单元及该第三电子单元，该第二共用导线设置于该第一电子单元与该第二电子单元之间，或设置于该第一电子单元与该第三电子单元之间。
8.如权利要求7所述的光线检测装置，其特征在于，该第二共用导线与该第一共用导线分别为一偏压线、一电源电压线、一重置电源线及一重置栅极线的其中不同两者。
9.如权利要求1所述的光线检测装置，其特征在于，该阵列基板更包括一介电层，该介电层设置于该第一共用导线与该第一扫描线之间，或设置于该第一共用导线与该第一数据线之间。
10.如权利要求1所述的光线检测装置，其特征在于，该光线检测装置更包括一闪烁层，该闪烁层邻近于该阵列基板设置。
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