JP2003203943A - Flip-chip mounting substrate, manufacturing method and radio device - Google Patents

Flip-chip mounting substrate, manufacturing method and radio device

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JP2003203943A
JP2003203943A JP2001401791A JP2001401791A JP2003203943A JP 2003203943 A JP2003203943 A JP 2003203943A JP 2001401791 A JP2001401791 A JP 2001401791A JP 2001401791 A JP2001401791 A JP 2001401791A JP 2003203943 A JP2003203943 A JP 2003203943A
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chip
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武人 國久
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    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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    • H01L2924/01078Platinum [Pt]

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flip-chip mounting substrate, improved in a heat radiating efficiency, while having a structure capable of contriving the reduction of size and weight as a whole while securing a mounting area. <P>SOLUTION: A silicon substrate 11, on the one side main surface of which pole electrodes 112g, 112f and an IC chip 11a are mounted, and a printed substrate 10, arranged so as to be opposed to the main surface, are electrically connected via the pole electrode 112g and the like. A grand pattern 17b is patterned at a position opposed to the IC chip 111a on the printed substrate 10. The IC chip 111a is mounted on the silicon substrate 11 as the flip-chip and is soldered to the grand pattern 17b via a solder layer 18b. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子がフリ
ップチップ実装された第1の回路基板と、その半導体素
子が実装された主面に対向して第2の回路基板が配置さ
れているフリップチップ実装基板、当該フリップチップ
実装基板の製造方法及び当該フリップチップ実装基板を
備えている無線装置に関し、特に放熱特性の改善に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a first circuit board on which a semiconductor element is flip-chip mounted and a flip circuit on which a second circuit board is arranged so as to face a main surface on which the semiconductor element is mounted. The present invention relates to a chip mounting board, a method for manufacturing the flip chip mounting board, and a wireless device including the flip chip mounting board, and more particularly to improvement of heat dissipation characteristics.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯電話等の無線機器の小型軽量
化が強く求められており、このため無線機器を構成する
回路基板の小型軽量化が急務となっている。このような
要請に応えるべくフリップチップ実装技術の開発が進め
られている。例えば、特開平8−255965号公報に
はICチップをフリップチップ実装したマイクロチップ
モジュール組立体が開示されている。図9は従来公報に
係るマイクロチップモジュール組立体の一断面を示した
図である。図9に示すように、マイクロチップモジュー
ル組立体5は、ICチップ52をフリップチップ実装さ
れたシリコン基板51を、ボール電極53a、53bを
介してプリント基板50上に実装したものであって、シ
リコン基板51はICチップ52を実装した面がプリン
ト基板50に対向するように配置されている。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been a strong demand for reducing the size and weight of wireless devices such as mobile phones. Therefore, there is an urgent need to reduce the size and weight of circuit boards constituting the wireless devices. Flip-chip mounting technology is being developed to meet such demands. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-255965 discloses a microchip module assembly in which an IC chip is flip-chip mounted. FIG. 9 is a view showing a cross section of a microchip module assembly according to the conventional publication. As shown in FIG. 9, the microchip module assembly 5 is obtained by mounting a silicon substrate 51 on which an IC chip 52 is flip-chip mounted on a printed circuit board 50 via ball electrodes 53a and 53b. The board 51 is arranged so that the surface on which the IC chip 52 is mounted faces the printed board 50.

【0003】ボール電極53a、53bの高さはICチ
ップ52の高さよりも大きくなっており、ICチップ5
2とプリント基板50の間に空間が残されている。シリ
コン基板51とプリント基板50はボール電極53a、
53bを介して電気的に接続されると共に、シリコン基
板51とプリント基板50との間隙にはポリマ封入剤5
4a〜54cが流し込み熱処理によって充填、硬化され
ることにより密着強度を保ち、熱応力に対する信頼性を
確保するようになっている。
The height of the ball electrodes 53a and 53b is larger than the height of the IC chip 52, and the IC chip 5
A space is left between 2 and the printed circuit board 50. The silicon substrate 51 and the printed circuit board 50 have ball electrodes 53a,
It is electrically connected via 53b, and a polymer encapsulant 5 is provided in the gap between the silicon substrate 51 and the printed circuit board 50.
4a to 54c are filled and hardened by pouring heat treatment to maintain adhesion strength and ensure reliability against thermal stress.

【0004】以上のように上記公報に開示の技術によれ
ば、シリコン基板を用いて実装面積を確保しつつ、シリ
コン基板とプリント基板とを合わせた回路基板全体の厚
みを削減して、小型軽量化を図ることができる。
As described above, according to the technique disclosed in the above publication, the mounting area is secured by using the silicon substrate, and the total thickness of the circuit board including the silicon substrate and the printed circuit board is reduced to reduce the size and weight. Can be realized.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、無線機
器においては特に送信側回路でICチップの発熱が著し
く、上記の構成を無線機器に適用すると回路の誤動作を
招くという問題がある。このため、携帯電話のように、
様々な状況での使用を想定した高い耐環境性を要求され
る機器にあっては、上記公報の技術によっては十分な品
質を確保することができない。
However, in a wireless device, the IC chip generates a large amount of heat particularly in the transmitting side circuit, and when the above configuration is applied to the wireless device, a circuit malfunction occurs. Therefore, like a mobile phone,
In the case of a device that is required to have high environment resistance assuming use in various situations, sufficient quality cannot be ensured by the technique of the above publication.

【0006】本発明は、上記のような問題に鑑みてなさ
れたものであって、実装面積を確保しつつ全体として小
型軽量化を図ることができる構成をとりながら、更に放
熱効率を改善したフリップチップ実装基板、製造方法、
および無線装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has a structure in which the mounting area can be secured and the overall size and weight can be reduced, while the heat dissipation efficiency is further improved. Chip mounting board, manufacturing method,
And a wireless device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係るフリップチップ実装基板は、半導体素
子がフリップチップ実装されている第1の回路基板と、
前記第1の回路基板の前記半導体素子がフリップチップ
実装されている主面に対向して配置されている第2の回
路基板とからなるフリップチップ実装基板であって、前
記半導体素子と前記第2の回路基板とが導電性部材を介
して接続されていることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a flip-chip mounting board according to the present invention comprises a first circuit board on which a semiconductor element is flip-chip mounted,
A flip-chip mounting board comprising a second circuit board arranged so as to face a main surface on which the semiconductor element of the first circuit board is flip-chip mounted, the semiconductor element and the second circuit board. Is connected to the circuit board via a conductive member.

【0008】このようにすれば、実装面積を確保しつつ
全体として小型軽量化を図ると共に、前記半導体素子が
発する熱を前記第2の回路基板に伝導させて、放熱効率
を改善することができる。なお、前記導電性部材は、半
田ペーストまたは銀ペーストが固化されてなるのが望ま
しい。また、前記第1の回路基板と前記第2の回路基板
とは、離隔部材により、前記半導体素子の厚みよりも大
きく離隔されているとすれば良く、更に、前記離隔部材
は、前記半導体素子の厚みよりも大きな径を有するボー
ル電極であって、前記第1の回路基板と前記第2の回路
基板は当該ボール電極にて電気的に接続されているのが
好適である。
With this arrangement, the mounting area can be secured and the overall size and weight can be reduced, and the heat generated by the semiconductor element can be conducted to the second circuit board to improve the heat dissipation efficiency. . The conductive member is preferably formed by solidifying solder paste or silver paste. Further, the first circuit board and the second circuit board may be separated from each other by a separating member that is larger than the thickness of the semiconductor element. Further, the separating member may include the semiconductor element. In the ball electrode having a diameter larger than the thickness, it is preferable that the first circuit board and the second circuit board are electrically connected by the ball electrode.

【0009】前記第2の回路基板は、前記半導体素子に
対向する部分にグランドパターンが形成されているとす
れば、ノイズを防止するのに有効である。また、前記半
導体素子は、前記導電性部材と接する部分において金メ
ッキされているとすれば、半田がなじみやすく好適であ
る。更に、前記半導体素子の前記第2の回路基板と対向
する面のうち、発熱部分のみが前記導電性部材に接して
いるとしても良い。
The second circuit board is effective in preventing noise if a ground pattern is formed in a portion facing the semiconductor element. In addition, if the semiconductor element is gold-plated at the portion in contact with the conductive member, the solder is suitable because it is easy to adapt. Further, of the surface of the semiconductor element facing the second circuit board, only the heat generating portion may be in contact with the conductive member.

【0010】前記半導体素子と前記第2の回路基板との
間に、前記導電性部材よりも熱伝導性が高い金属部材が
配設されており、当該金属部材は前記導電性部材にて支
持されているとすれば、更に、放熱効果を向上させるこ
とができる。また、前記第1の回路基板と前記第2の回
路基板とに挟まれた空間のうち、前記導電性部材以外の
部分は樹脂が封入されているとすれば、前記第1の回路
基板と前記第2の回路基板との密着強度を向上させるこ
とができる。また、本発明に係る製造方法は、前記第1
の回路基板に前記半導体素子をフリップチップ実装する
フリップチップ実装ステップと、前記第2の回路基板上
の前記半導体素子と対向する位置に導電性ペーストが被
着される被着ステップと、前記半導体素子が前記導電性
ペーストに接するように、前記第1の回路基板が前記第
2の回路基板に載置される載置ステップと、前記第1の
回路基板が前記第2の回路基板に載置されている状態
で、前記導電性ペーストが溶融、再固化される接合ステ
ップとを含むことを特徴とする。
A metal member having higher thermal conductivity than the conductive member is disposed between the semiconductor element and the second circuit board, and the metal member is supported by the conductive member. If so, the heat radiation effect can be further improved. Further, in the space sandwiched between the first circuit board and the second circuit board, if resin is sealed in a portion other than the conductive member, the first circuit board and the The adhesion strength with the second circuit board can be improved. In addition, the manufacturing method according to the present invention is the first
A flip-chip mounting step of flip-chip mounting the semiconductor element on the circuit board, and an applying step of applying a conductive paste to a position of the second circuit board facing the semiconductor element, A step of placing the first circuit board on the second circuit board so that the first circuit board is placed on the second circuit board so that the first circuit board contacts the conductive paste. A bonding step in which the conductive paste is melted and re-solidified in the state of being formed.

【0011】このようにすれば、新たな製造設備の開発
を必要とせず、既存の製造設備によって本発明のフリッ
プチップ実装基板を製造することができるので、フリッ
プチップ実装基板製造コストを低減することができる。
また、前記第1の回路基板に前記半導体素子をフリップ
チップ実装するフリップチップ実装ステップと、前記第
1の回路基板に前記離隔部材を接合する離隔部材接合ス
テップと、前記第2の回路基板上の前記離隔部材が接合
されるべき位置に第1の導電性ペーストが被着される第
1の被着ステップと、前記第2の回路基板上の前記半導
体素子と対向すべき位置に、前記第1の導電性ペースト
よりも厚く第2の導電性ペーストが被着される第2の被
着ステップと、前記離隔部材が前記第1の導電性ペース
トに接し、かつ、前記半導体素子が前記第2の導電性ペ
ーストに接するように、前記第1の回路基板が前記第2
の回路基板に載置される載置ステップと、前記第1の回
路基板が前記第2の回路基板に載置されている状態で、
前記第1の導電性ペーストと前記第2の導電性ペースト
とが溶融、再固化される接合ステップとを含むとするの
が望ましい。
In this way, the flip chip mounting board of the present invention can be manufactured by the existing manufacturing equipment without the need to develop new manufacturing equipment, so that the manufacturing cost of the flip chip mounting board can be reduced. You can
A flip-chip mounting step of flip-chip mounting the semiconductor element on the first circuit board; a separation member bonding step of bonding the separation member to the first circuit board; and a second circuit board on the second circuit board. A first applying step of applying a first conductive paste to a position where the separating member is to be joined, and a first applying step at a position where the first conductive paste should face the semiconductor element on the second circuit board. Second applying step in which the second conductive paste is applied thicker than the second conductive paste, and the separating member is in contact with the first conductive paste, and the semiconductor element is the second conductive paste. The first circuit board is connected to the second paste so as to contact the conductive paste.
A mounting step of mounting the first circuit board on the circuit board, and a step of mounting the first circuit board on the second circuit board.
It is desirable to include a joining step in which the first conductive paste and the second conductive paste are melted and re-solidified.

【0012】このようにすれば、前記第1の回路基板と
前記第2の回路基板との密着強度を向上させることがで
きると共に前記第2の導電性ペーストの厚みを調整する
ことができる。更に、前記第1の回路基板に前記半導体
素子をフリップチップ実装するフリップチップ実装ステ
ップと、前記第2の回路基板上の前記半導体素子と対向
すべき位置に第1の導電性ペーストが被着される第1の
被着ステップと、前記第1の導電性ペースト上に金属板
が載置される金属板載置ステップと、前記金属板上に第
2の導電性ペーストが被着される第2の被着ステップ
と、前記半導体素子が前記第2の導電性ペーストに接す
るように、前記第1の回路基板が前記第2の回路基板に
載置される載置ステップと、前記第1の回路基板が前記
第2の回路基板に載置されている状態で、前記導電性ペ
ーストが溶融、再固化される接合ステップとを含むとす
れば好適である。
According to this structure, the adhesion strength between the first circuit board and the second circuit board can be improved and the thickness of the second conductive paste can be adjusted. Further, a flip-chip mounting step of flip-chip mounting the semiconductor element on the first circuit board, and a first conductive paste is applied to a position on the second circuit board that should face the semiconductor element. A first depositing step, a metal plate depositing step of depositing a metal plate on the first conductive paste, and a second depositing second conductive paste on the metal plate. And a mounting step in which the first circuit board is mounted on the second circuit board so that the semiconductor element contacts the second conductive paste, and the first circuit. It is preferable that the method further includes a bonding step in which the conductive paste is melted and resolidified while the board is placed on the second circuit board.

【0013】このようにすれば、前記半導体素子と前記
第2の回路基板との間に、前記導電性部材よりも熱伝導
性が高い金属部材が配設して、当該金属部材を前記導電
性部材にて支持させることができるので、放熱効率を更
に向上させることができる。更に、前記接合ステップの
後に、前記第1の回路基板と前記第2の回路基板との間
隙に樹脂を封入する樹脂封入ステップを含むとするのが
望ましい。このようにすれば、前記第1の回路基板と前
記第2の回路基板との密着強度を向上させることができ
るので、回路基板を全体としてより丈夫なものとするこ
とができる。
According to this structure, a metal member having higher thermal conductivity than the conductive member is arranged between the semiconductor element and the second circuit board, and the metal member is electrically conductive. Since it can be supported by the member, the heat dissipation efficiency can be further improved. Further, it is preferable that a resin encapsulation step of encapsulating a resin in the gap between the first circuit board and the second circuit board is included after the joining step. With this configuration, the adhesion strength between the first circuit board and the second circuit board can be improved, so that the circuit board as a whole can be made stronger.

【0014】また、本発明に係る無線装置は、上述のよ
うなフリップチップ実装基板を備えていることを特徴と
する。このようにすれば、フリップチップ実装基板の小
型軽量化に伴って無線装置自体の小型軽量化も図ること
ができ、かつ、フリップチップ実装基板の放熱効率が高
いので、前記半導体素子の過熱に起因する無線装置の誤
動作を回避することができる。
A radio device according to the present invention is characterized by including the flip chip mounting substrate as described above. With this configuration, the wireless device itself can be reduced in size and weight along with the reduction in size and weight of the flip-chip mounting substrate, and since the heat dissipation efficiency of the flip-chip mounting substrate is high, it is caused by overheating of the semiconductor element. It is possible to avoid malfunction of the wireless device that operates.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。 (第1の実施の形態)本発明に係る携帯電話装置の実施
の形態について説明する。当該携帯電話装置には本発明
に係るフリップチップ実装基板が適用されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) An embodiment of a mobile phone device according to the present invention will be described. The flip-chip mounting substrate according to the present invention is applied to the mobile phone device.

【0016】(全体構成)本実施の形態に係る携帯電話
装置は、フリップチップを実装された回路基板であるフ
リップチップ実装基板に主たる特徴を有するので、外形
についての説明は省略する。図1は、本実施の形態に係
る携帯電話装置が備えているフリップチップ実装基板の
外観を模式的に示した平面図である。図1に示されるよ
うに、フリップチップ実装基板1は多層のプリント基板
10上にICチップ等の回路素子15a〜15qを高密
度で実装した構成となっている。
(Overall Structure) The mobile phone device according to the present embodiment has a main feature of a flip-chip mounting board which is a circuit board on which flip-chips are mounted, and therefore the description of the outer shape is omitted. FIG. 1 is a plan view schematically showing the outer appearance of a flip-chip mounting board included in the mobile phone device according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the flip-chip mounting substrate 1 has a structure in which circuit elements 15a to 15q such as IC chips are mounted on a multilayer printed circuit board 10 at a high density.

【0017】プリント基板10上には、回路素子15a
〜15qの他にも、ヘッドセットを接続するためのジャ
ック14aや、パーソナルコンピュータ等の機器との間
でデータ通信をするためのコネクタ14b、或いは振動
により着呼を報知するためのバイブレータ12が実装さ
れている。電極端子13は、フリップチップ実装基板1
に電力を供給する二次電池である電池パックを接続する
ための端子である。なお、当該電池パックは、コネクタ
14bに併設された電極端子(不図示)を介して携帯電
話装置の外部から電力の供給を受けて蓄電する。
A circuit element 15a is provided on the printed circuit board 10.
In addition to 15q, a jack 14a for connecting a headset, a connector 14b for data communication with a device such as a personal computer, or a vibrator 12 for notifying an incoming call by vibration is mounted. Has been done. The electrode terminal 13 is the flip chip mounting substrate 1.
It is a terminal for connecting a battery pack which is a secondary battery for supplying electric power to the. The battery pack receives power from the outside of the mobile phone device via an electrode terminal (not shown) provided in the connector 14b to store electricity.

【0018】プリント基板10のもう一方の面(不図
示)にはLCD(Liquid Crystal Display)ユニットが
装着されており、当該LCDユニットにより各種の表示
を行う。また、この面には銅パターンにてキー電極が形
成されており、不図示のキーボタンと組み合わされてキ
ー入力を受け付ける。すなわち、キー電極とキーボタン
とが接触するとキー電極とキーボタンとの間に電流が流
れるので、この電流が検出されることによってキー入力
が検出される。
An LCD (Liquid Crystal Display) unit is mounted on the other surface (not shown) of the printed circuit board 10, and various displays are performed by the LCD unit. In addition, a key electrode is formed on this surface with a copper pattern and is combined with a key button (not shown) to receive a key input. That is, when the key electrode and the key button come into contact with each other, a current flows between the key electrode and the key button, and the key input is detected by detecting this current.

【0019】また、プリント基板10上には、本実施の
形態に係る携帯電話装置の無線回路を実装したシリコン
基板11が接続されている。図2は、シリコン基板11
のプリント基板10と対向する面の外観を模式的に示し
た平面図である。シリコン基板11上には、無線送信用
ICチップ111aや無線受信用ICチップ111b等
がフリップチップ実装されている。この無線送信用IC
チップ111aは携帯電話装置を構成する部材中で最も
発熱量が多いことを特徴としている。
On the printed circuit board 10, a silicon substrate 11 on which a wireless circuit of the mobile phone device according to this embodiment is mounted is connected. FIG. 2 shows a silicon substrate 11
3 is a plan view schematically showing the outer appearance of the surface of the printed circuit board facing the printed circuit board 10. FIG. The wireless transmission IC chip 111a, the wireless reception IC chip 111b, and the like are flip-chip mounted on the silicon substrate 11. This wireless transmission IC
The chip 111a is characterized by having the largest amount of heat generation among the members constituting the mobile phone device.

【0020】また、シリコン基板11には、これらIC
チップ111a〜111cの周辺回路の回路素子である
抵抗素子や容量素子が集積されている。シリコン基板1
1の周縁部にはボール電極112a〜112tが配設さ
れている。ボール電極112a〜112tは半田製のボ
ール電極であり、前記プリント基板10上に形成された
銅パターン(配線パターン)と接合されることによっ
て、シリコン基板11とプリント基板10とを電気的に
接続する。
The silicon substrate 11 has these ICs.
A resistance element and a capacitance element which are circuit elements of peripheral circuits of the chips 111a to 111c are integrated. Silicon substrate 1
Ball electrodes 112a to 112t are arranged at the peripheral edge of the first electrode. The ball electrodes 112a to 112t are solder ball electrodes, and are electrically connected to the silicon substrate 11 and the printed circuit board 10 by being joined to the copper pattern (wiring pattern) formed on the printed circuit board 10. .

【0021】また、ボール電極112a〜112tはシ
リコン基板11に対しては公知のボールプレーサ法によ
り実装される。例えば、シリコン基板11のボール電極
112a〜112tを実装される面にフラックスを塗布
し、半田ボールを搭載した後、窒素雰囲気中で半田を溶
融させ(リフロー工程)、シリコン基板11を洗浄して
フラックスを取り除いた後、乾燥させるといった方法に
よって、シリコン基板11上にボール電極112a〜1
12tが実装される。
The ball electrodes 112a to 112t are mounted on the silicon substrate 11 by a known ball placer method. For example, flux is applied to the surface of the silicon substrate 11 on which the ball electrodes 112a to 112t are mounted, solder balls are mounted, then the solder is melted in a nitrogen atmosphere (reflow process), and the silicon substrate 11 is washed to remove the flux. Then, the ball electrodes 112a to 112a are formed on the silicon substrate 11 by a method of drying after removing the
12t is implemented.

【0022】次にプリント基板10とシリコン基板11
の接続状態について説明する。図3は、上記フリップチ
ップ実装基板1について一点鎖線A−Aにおける断面を
示した図であって、本発明に係るフリップチップ実装基
板の構造を示した図である。図2中の一点鎖線A−A
は、図1の一点鎖線A−Aに対応する位置を示してお
り、ボール電極112g、無線送信用ICチップ(以
下、単に「ICチップ」という。)111aおよびボー
ル電極112tを横切っている。
Next, the printed circuit board 10 and the silicon substrate 11
The connection state of will be described. FIG. 3 is a view showing a cross section of the flip-chip mounting board 1 taken along the alternate long and short dash line AA, showing the structure of the flip-chip mounting board according to the present invention. One-dot chain line AA in FIG.
1 shows a position corresponding to the one-dot chain line AA in FIG. 1 and crosses the ball electrode 112g, the wireless transmission IC chip (hereinafter, simply referred to as “IC chip”) 111a, and the ball electrode 112t.

【0023】さて、図3において、シリコン基板11は
ボール電極112g、112tを介してプリント基板1
0に電気的に接続されており、ボール電極112g、1
12tはそれぞれ半田18a、18cによりプリント基
板に半田付けされている。シリコン基板11にはICチ
ップ111aが微小な突起電極111a1a〜111a
1gを介して電気的に接続されており、この接続はポリ
マ封入剤111a2を用いてICチップ111aをフリ
ップチップ実装することによってなされている。
Now, referring to FIG. 3, the silicon substrate 11 has the printed circuit board 1 through the ball electrodes 112g and 112t.
0 is electrically connected to the ball electrode 112g, 1
12t is soldered to the printed circuit board by solders 18a and 18c, respectively. On the silicon substrate 11, the IC chip 111a has minute projection electrodes 111a1a to 111a.
They are electrically connected via 1g, and this connection is made by flip-chip mounting the IC chip 111a using the polymer encapsulant 111a2.

【0024】プリント基板10上のボール電極112
g、112tが接合される箇所にはそれぞれ半田付け可
能な銅ランド17a、17cがパターニングされてお
り、半田18a、18cによりボール電極112g、1
12tが接合されている。プリント基板10上のICチ
ップ111aと対向する箇所には同じく銅ランド17b
がパターニングされており、銅ランド17bは半田18
bによりICチップ111aが半田付けされている。
Ball electrode 112 on printed circuit board 10
Copper lands 17a and 17c which can be soldered are respectively patterned at positions where g and 112t are joined, and the ball electrodes 112g and 1c are soldered with solder lands 18a and 18c, respectively.
12t is joined. A copper land 17b is also provided on the printed circuit board 10 at a position facing the IC chip 111a.
Is patterned, and the copper land 17b is solder 18
The IC chip 111a is soldered by b.

【0025】プリント基板10の銅ランドがパターニン
グされていない箇所は絶縁性の被膜16a〜16dによ
って被覆されており、回路の短絡が防止されるようにな
っている。当該被膜16a〜16dは絶縁性の塗料がプ
リント基板10上に塗布されることにより形成される。
参考までに図3に係る各寸法を述べておく。シリコン基
板11の厚みは約300μmである。ボール電極112
g、112tの径はそれぞれ約500μmである。プリ
ント基板10からICチップ111aまでの距離は約3
00μmである。また、ICチップ111aからボール
電極112g、112tまでの距離は約1mm以上であ
る。
The portions of the printed board 10 where the copper lands are not patterned are covered with insulating coatings 16a to 16d to prevent short circuits. The coatings 16a to 16d are formed by applying an insulating paint on the printed circuit board 10.
For reference, each dimension according to FIG. 3 will be described. The thickness of the silicon substrate 11 is about 300 μm. Ball electrode 112
The diameters of g and 112t are each about 500 μm. The distance from the printed circuit board 10 to the IC chip 111a is about 3
It is 00 μm. The distance from the IC chip 111a to the ball electrodes 112g and 112t is about 1 mm or more.

【0026】さて、従来は、ICチップ111aとプリ
ント基板10の間に熱伝導率の低い樹脂材料が介在して
いたので、ICチップ111aが発生させた熱はなかな
か外部へ放出されず、ICチップ111aが過熱のため
誤動作する原因となっていた。これに対して、上述のよ
うにICチップ111aとプリント基板10との間に熱
伝導率の高い半田18bを介在させれば、ICチップ1
11aが発生させた熱が半田18bを経由してプリント
基板10に向けて効率良く放熱される。
Conventionally, since the resin material having a low thermal conductivity is interposed between the IC chip 111a and the printed circuit board 10, the heat generated by the IC chip 111a is not easily released to the outside, and the IC chip is not released. 111a was a cause of malfunction due to overheating. On the other hand, if the solder 18b having high thermal conductivity is interposed between the IC chip 111a and the printed circuit board 10 as described above, the IC chip 1
The heat generated by 11a is efficiently radiated to the printed circuit board 10 via the solder 18b.

【0027】また、図3に示すように、プリント基板1
0のシリコン基板11と対向する側の面においては、I
Cチップ111aと対向する部分すべてに銅ランド18
bが形成されている。銅ランド17bは接地されて、い
わゆるグランドパターンとなっている。更に、半田18
bもグランド電位となっており、ICチップの信号線に
ノイズが重畳するの防止する効果を有している。
Further, as shown in FIG. 3, the printed circuit board 1
On the surface of the side of 0 facing the silicon substrate 11, I
Copper lands 18 are provided on all parts facing the C chip 111a.
b is formed. The copper land 17b is grounded to form a so-called ground pattern. In addition, solder 18
b is also at the ground potential and has an effect of preventing noise from being superimposed on the signal line of the IC chip.

【0028】また、言うまでもなく、ICチップ111
aは、通常のICチップと同様に、信号線をプリント基
板10側の面に露出させていないので、半田18bによ
って回路の短絡が発生する心配はない。 (製造方法)次に、上述のようにシリコン基板をプリン
ト基板に接続したフリップチップ実装基板1の製造方法
について説明する。図4は、当該製造方法の各ステップ
を示した模式図である。
Needless to say, the IC chip 111
In the case of a, the signal line is not exposed to the surface on the printed circuit board 10 side as in the case of a normal IC chip, so there is no concern that a short circuit will occur in the circuit due to the solder 18b. (Manufacturing Method) Next, a manufacturing method of the flip chip mounting substrate 1 in which the silicon substrate is connected to the printed board as described above will be described. FIG. 4 is a schematic diagram showing each step of the manufacturing method.

【0029】先ず、図4(a)に示すように、プリント
基板10上のボール電極112g、112tが接合され
るべき箇所に半田付け可能な銅ランド17a、17cを
パターニングする。また、ICチップ111aが接合さ
れるべき箇所には同じく銅ランド17bをパターニング
する。このとき、併せて、銅ランド17a〜17c上に
は金メッキを施しておく。
First, as shown in FIG. 4A, solderable copper lands 17a and 17c are patterned on the printed circuit board 10 at positions where the ball electrodes 112g and 112t are to be joined. Further, the copper land 17b is similarly patterned at the position where the IC chip 111a is to be joined. At this time, the copper lands 17a to 17c are also plated with gold.

【0030】次に、図4(b)に示すように、プリント
基板10上のボール電極112g、112tが接合され
るべき箇所にある銅ランド17a、17c上に半田ペー
スト18a、18bを被着する。これは、例えば、スク
リーン印刷によって行えば良い。すなわち、先ず、半田
ペースト18a、18cを塗布すべき箇所の形状に合わ
せてアルミニウム板を打ち抜く。
Next, as shown in FIG. 4 (b), solder pastes 18a and 18b are deposited on the copper lands 17a and 17c on the printed circuit board 10 where the ball electrodes 112g and 112t are to be joined. . This may be done by screen printing, for example. That is, first, the aluminum plate is punched according to the shape of the portion to which the solder pastes 18a and 18c are to be applied.

【0031】当該アルミニウム板をプリント基板10上
の所定の位置に重ね合わせる。そして、そのアルミニウ
ム板の上から半田ペーストを塗布した後、アルミニウム
板を取り除ければ良い。なお、本実施の形態において
は、半田ペースト18a、18bの厚みが100μmと
なるように当該アルミニウム板の板厚は100μmとす
る。
The aluminum plate is placed on the printed circuit board 10 at a predetermined position. Then, after applying the solder paste from the aluminum plate, the aluminum plate may be removed. In the present embodiment, the aluminum plate has a thickness of 100 μm so that the solder pastes 18a and 18b have a thickness of 100 μm.

【0032】続いて、図4(c)に示すように、プリン
ト基板10上のICチップ111aが接合されるべき箇
所にある銅ランド17b上に、スクリーン印刷により、
半田ペースト18bを被着する。この被着についても、
例えば、上記と同様にスクリーン印刷によれば良い。本
実施の形態においては、半田ペースト18bをICチッ
プ111aに届かせるために、半田ペースト18bの厚
みを300μmとする必要がある。このため、前述のよ
うにスクリーン印刷を行う場合には、アルミニウム板の
板厚を300μmとするのが望ましい。
Then, as shown in FIG. 4C, by screen printing on the copper land 17b on the printed circuit board 10 where the IC chip 111a is to be joined,
The solder paste 18b is applied. As for this deposit,
For example, screen printing may be performed as described above. In the present embodiment, the solder paste 18b needs to have a thickness of 300 μm so that the solder paste 18b reaches the IC chip 111a. Therefore, when screen printing is performed as described above, it is desirable that the aluminum plate has a thickness of 300 μm.

【0033】そして、図4(d)に示すように、シリコ
ン基板11が、例えば、真空ピンセットにて把持され、
プリント基板10上の所定の位置に載置される。なお、
シリコン基板11には予めICチップ111aがフリッ
プチップ実装されている。また、ボール電極112g、
112tも予めシリコン基板11に接合されている。こ
のような状態で、リフロー工法により半田ペースト18
a〜18cを溶融、再固化させると、最終的に、図2
(e)のようなフリップチップ実装基板が完成する。
Then, as shown in FIG. 4D, the silicon substrate 11 is held by, for example, vacuum tweezers,
It is placed at a predetermined position on the printed board 10. In addition,
An IC chip 111a is flip-chip mounted in advance on the silicon substrate 11. In addition, the ball electrode 112g,
112t is also bonded to the silicon substrate 11 in advance. In this state, the solder paste 18 is formed by the reflow method.
When a to 18c are melted and re-solidified, finally, as shown in FIG.
The flip chip mounting substrate as shown in (e) is completed.

【0034】このような製造方法によれば、既存の製造
設備を活用して本発明に係るフリップチップ実装基板を
製造し、延いてはフリップチップ実装基板1を製造する
ことができる。従って、製造設備について新たな投資を
要しないので、本実施の形態に係る携帯電話装置の製造
コストを抑制して、安価な携帯電話装置を提供すること
ができる。
According to such a manufacturing method, it is possible to manufacture the flip chip mounting board according to the present invention by utilizing the existing manufacturing equipment, and further to manufacture the flip chip mounting board 1. Therefore, no new investment is required for manufacturing equipment, so that it is possible to suppress the manufacturing cost of the mobile phone device according to the present embodiment and provide an inexpensive mobile phone device.

【0035】(第2の実施の形態)次に、第2の実施の
形態に係る携帯電話装置について説明する。なお、本実
施の形態に係る携帯電話装置は上記第1の実施の形態に
係る携帯電話装置と概ね同様の構成を備えており、専ら
フリップチップ実装基板の構造に関してのみ異なってい
るので、以下においては第1の実施の形態に係る携帯電
話装置との相違点、すなわちフリップチップ実装基板の
構造について専ら説明する。
(Second Embodiment) Next, a portable telephone device according to a second embodiment will be described. The mobile phone device according to the present embodiment has substantially the same configuration as the mobile phone device according to the first embodiment, and is different only in the structure of the flip-chip mounting substrate. A different point from the mobile phone device according to the first embodiment, that is, a structure of a flip-chip mounting substrate will be described exclusively.

【0036】(全体構成)本実施の形態に係るフリップ
チップ実装基板は、シリコン基板に実装されているIC
チップが発生させた熱を、上記第1の実施の形態におけ
るよりも、更に効率よくプリント基板に伝導、放熱する
ために以下に述べるような構成をとっている。
(Overall Structure) The flip-chip mounting substrate according to this embodiment is an IC mounted on a silicon substrate.
In order to more efficiently conduct and dissipate the heat generated by the chip to the printed circuit board than in the first embodiment, the structure described below is adopted.

【0037】図5は、本実施の形態に係るフリップチッ
プ実装基板2の一断面を拡大して示した図である。フリ
ップチップ実装基板2は、第1の実施の形態におけるの
と同様に、ボール電極(不図示)を介してプリント基板
20にシリコン基板21を接合した構造となっている。
また、シリコン基板21には無線送信用ICチップ21
1aが微小な突起電極211a1a〜211a1dを介
してフリップチップ実装されている。
FIG. 5 is an enlarged view of a cross section of the flip chip mounting substrate 2 according to this embodiment. The flip-chip mounting substrate 2 has a structure in which the silicon substrate 21 is bonded to the printed circuit board 20 via ball electrodes (not shown), as in the first embodiment.
Further, the silicon substrate 21 has a wireless transmission IC chip 21.
1a is flip-chip mounted via minute protruding electrodes 211a1a to 211a1d.

【0038】プリント基板20上のICチップ211a
と対向する箇所には半田付け可能な銅ランド27bがパ
ターニングされている。本実施の形態においては、銅ラ
ンド27bとICチップ211aの間には銅板29が配
設されている。そして、ICチップ211aと銅板29
とは半田27bによって接着されており、銅板29と銅
ランド27bとは半田28cによって接着されている。
IC chip 211a on the printed circuit board 20
A copper land 27b that can be soldered is patterned at a position facing the. In the present embodiment, the copper plate 29 is arranged between the copper land 27b and the IC chip 211a. Then, the IC chip 211a and the copper plate 29
Are bonded by solder 27b, and the copper plate 29 and copper land 27b are bonded by solder 28c.

【0039】このように銅ランド27bとICチップ2
11aの間に銅板29を配設すれば、銅は半田よりも熱
伝導率が大きいので、ICチップ211aが発生させた
熱を、第1の実施の形態におけるよりもさらに効率良
く、プリント基板20へ伝導させることができる。従っ
て、フリップチップ実装基板2全体として放熱効率を向
上させることができる。
In this way, the copper land 27b and the IC chip 2 are
If the copper plate 29 is arranged between the 11a, the heat conductivity of copper is higher than that of the solder, so that the heat generated by the IC chip 211a is more efficient than that in the first embodiment and the printed circuit board 20 Can be conducted to. Therefore, the heat dissipation efficiency of the flip chip mounting substrate 2 as a whole can be improved.

【0040】(製造方法)次に、本実施の形態に係るフ
リップチップ実装基板の製造方法について説明する。図
6は、本実施の形態に係るフリップチップ実装基板の製
造方法の各ステップを示した模式図である。先ず、第1
の実施の形態におけるのと同様に、プリント基板20上
のボール電極212g、212tが接合されるべき箇所
に半田付け可能な銅ランド27a、27cをパターニン
グし、ICチップ211aが接合されるべき箇所に同じ
く銅ランド27bをパターニングする。そうしてパター
ニングした銅ランド27a〜27c上に更に金メッキを
施す(図6(a))。
(Manufacturing Method) Next, a method of manufacturing the flip chip mounting substrate according to the present embodiment will be described. FIG. 6 is a schematic diagram showing each step of the method of manufacturing the flip chip mounting substrate according to the present embodiment. First, the first
In the same manner as in the above embodiment, solderable copper lands 27a and 27c are patterned on the printed circuit board 20 at the places where the ball electrodes 212g and 212t are to be joined, and at the places where the IC chip 211a is to be joined. Similarly, the copper land 27b is patterned. Gold plating is further applied to the patterned copper lands 27a to 27c (FIG. 6A).

【0041】次に、図6(b)に示すように、銅ランド
27b上に半田ペースト28cを被着する。これは、例
えば、第1の実施の形態において説明したようなスクリ
ーン印刷によって行なえば良い。そうして被着した半田
ペース28c上に銅板29を載置する(図6(c))。
この銅板28は、リフロー工法により半田ペースト28
cが溶融、再固化されることによって、プリント基板2
0に半田付けされる。
Next, as shown in FIG. 6B, a solder paste 28c is deposited on the copper lands 27b. This may be performed, for example, by screen printing as described in the first embodiment. Then, the copper plate 29 is placed on the solder pace 28c thus deposited (FIG. 6C).
This copper plate 28 is solder paste 28 by the reflow method.
When c is melted and solidified, the printed circuit board 2
Soldered to zero.

【0042】続いて、図6(d)に示すように、銅ラン
ド27a、27c上に半田ペースト28a、28dを被
着した後、銅板29上に半田ペースト28bを被着する
(図6(e))。これらの処理も、例えばスクリーン印
刷によって行なえば良く、半田ペースト28a、28d
と半田ペースト28bとで異なる厚さのアルミニウム板
を用いるとよい。このアルミニウム板の厚さは半田ペー
ストの厚さに合わせて決定する。
Subsequently, as shown in FIG. 6D, after the solder pastes 28a and 28d are applied onto the copper lands 27a and 27c, the solder paste 28b is applied onto the copper plate 29 (see FIG. 6E). )). These processes may also be performed by screen printing, for example, and the solder pastes 28a and 28d
It is preferable to use aluminum plates having different thicknesses for the solder paste 28b and the solder paste 28b. The thickness of this aluminum plate is determined according to the thickness of the solder paste.

【0043】以上のようにしてプリント基板20上に半
田ペーストを被着した後、図6(f)に示すように、シ
リコン基板21が、例えば、真空ピンセットにて把持さ
れ、プリント基板20上の所定の位置に合わせて載置さ
れる。なお、シリコン基板21には予めICチップ21
1aがフリップチップ実装されており、ボール電極11
2g、112tも予め公知の手法にてシリコン基板11
に接合されている。
After the solder paste is deposited on the printed circuit board 20 as described above, the silicon substrate 21 is held on the printed circuit board 20 by vacuum tweezers, for example, as shown in FIG. 6 (f). It is placed according to a predetermined position. It should be noted that the IC chip 21 is previously formed on the silicon substrate
1a is flip-chip mounted, and the ball electrode 11
2g and 112t are also formed on the silicon substrate 11 by a known method.
Is joined to.

【0044】最後にリフロー工法により半田ペースト2
8a、28b、28dが溶融され、再固化されると、プ
リント基板20とシリコン基板21が結合されて、図6
(g)に示すようなフリップチップ実装基板が完成す
る。このような製造方法によれば、第1の実施の形態に
おけるのと同様に、既存の製造設備を活用して本発明に
係るフリップチップ実装基板を製造することができるの
で、製造設備について新たな投資を要することなくフリ
ップチップ実装基板を製造できる。従って、フリップチ
ップ実装基板の製造コストを抑制して、フリップチップ
実装基板を採用した携帯電話を安価に提供することがで
きる。
Finally, the solder paste 2 is applied by the reflow method.
When 8a, 28b, and 28d are melted and re-solidified, the printed circuit board 20 and the silicon substrate 21 are bonded to each other, as shown in FIG.
A flip chip mounting substrate as shown in (g) is completed. According to such a manufacturing method, as in the first embodiment, the existing manufacturing equipment can be utilized to manufacture the flip-chip mounting substrate according to the present invention. Flip chip mounting boards can be manufactured without investment. Therefore, it is possible to suppress the manufacturing cost of the flip chip mounting substrate and to provide the mobile phone employing the flip chip mounting substrate at a low cost.

【0045】(変形例)以上、本発明を実施の形態に基
づいて説明してきたが、本発明は、上述の実施の形態に限
定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施
することができる。 (1) 上記実施の形態においては、本発明を専ら携帯
電話に適用する場合について説明したが、これに代えて
次のようにしても良い。すなわち、IEEE802.11aやIEEE8
02.11b等の規格に準拠した無線LAN装置やBluetooth
(登録商標)等の仕様に従った無線装置等、無線通信回
路を備え、かつ、小型化の要望がある無線装置に対して
適用すれば、上記のように放熱効率を向上させるといっ
た効果を奏することができる。
(Modifications) The present invention has been described above based on the embodiments. However, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and the following modifications are carried out. be able to. (1) In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a mobile phone has been described, but instead of this, the following may be applied. That is, IEEE802.11a and IEEE8
Wireless LAN device and Bluetooth compliant with standards such as 02.11b
If it is applied to a wireless device that has a wireless communication circuit such as a wireless device conforming to the specifications of (registered trademark) and has a demand for downsizing, it has the effect of improving the heat dissipation efficiency as described above. be able to.

【0046】また、PCMCIA(Personal Computer
Memory Card International Association)らにより制
定された規格(PC Card Standard)に準拠した無線装置
を提供するにあたっても本発明によれば、フリップチッ
プ実装基板の高さを抑えつつ、放熱効率を向上させるこ
とができる。 (2) 上記実施の形態においては、シリコン基板とプ
リント基板はボール電極とICチップとを介して接合さ
れるとしたが、これに加えて次のようにしても良い。
Also, a PCMCIA (Personal Computer)
According to the present invention, it is possible to improve the heat dissipation efficiency while suppressing the height of the flip-chip mounting substrate even when providing a wireless device that complies with the standard (PC Card Standard) established by Memory Card International Association). it can. (2) In the above embodiment, the silicon substrate and the printed circuit board are bonded via the ball electrode and the IC chip, but in addition to this, the following may be performed.

【0047】図7は、本変形例に係る携帯電話のフリッ
プチップ実装基板3の断面を示した図である。図7に示
すように、本変形例に係るフリップチップ実装基板3は
第1の実施の形態に係るフリップチップ実装基板1と同
様のフリップチップ実装基板を備えており、更にシリコ
ン基板とプリント基板とがポリマ封入剤39a〜39d
によって結合されている。このポリマ封入剤39a〜3
9dは、上記第1の実施の形態に係るフリップチップ実
装基板1に対してシリコン基板11の周辺からポリマ封
入剤を流し込み熱処理によって充填、硬化させられたも
のである。
FIG. 7 is a view showing a cross section of the flip chip mounting substrate 3 of the mobile phone according to this modification. As shown in FIG. 7, the flip chip mounting substrate 3 according to the present modification includes the same flip chip mounting substrate as the flip chip mounting substrate 1 according to the first embodiment, and further includes a silicon substrate and a printed circuit board. Is a polymer mounting agent 39a to 39d
Are joined by. This polymer mounting agent 39a-3
9d is obtained by pouring a polymer encapsulant into the flip-chip mounting substrate 1 according to the first embodiment from the periphery of the silicon substrate 11 and filling and curing it by heat treatment.

【0048】かかるポリマ封入剤としては、例えば、エ
ポキシ樹脂等を用いるのが好適である。このようにすれ
ば、シリコン基板31とプリント基板30との密着強度
を高めることができるので、フリップチップ実装基板3
の機械的強度を向上させることができる。このことは、
携帯電話のように高い耐環境性を要求されるような機器
に本発明を適用する際に大きな効果を発揮する。
As the polymer encapsulant, for example, epoxy resin or the like is preferably used. By doing so, the adhesion strength between the silicon substrate 31 and the printed circuit board 30 can be increased, so that the flip chip mounting substrate 3
The mechanical strength of can be improved. This is
The present invention exerts a great effect when the present invention is applied to a device such as a mobile phone that requires high environment resistance.

【0049】また、これと同様に、上記第2の実施の形
態に係るフリップチップ実装基板に対しても、シリコン
基板21の周辺からポリマ封入剤を充填、硬化させれ
ば、シリコン基板21とプリント基板20との密着強度
を高めて、フリップチップ実装基板2の機械的強度を向
上させることができる。また、同様の変形例として、シ
リコン基板上に複数のICチップが実装されている場合
に、特に発熱量が大きいICチップのみを半田にてプリ
ント基板に接続するとしてもよいし、発熱量に関わらず
すべてのICチップをプリント基板に半田にて接続して
も良い。勿論、シリコン基板上にICチップが1つしか
実装されていない場合に、当該ICチップをプリント基
板に半田にて接続しても良く、いずれも場合も本発明の
効果を得ることができる。
Similarly, for the flip-chip mounting substrate according to the second embodiment, if the polymer encapsulant is filled and cured from the periphery of the silicon substrate 21, the silicon substrate 21 and the printed board are printed. The adhesion strength with the substrate 20 can be increased, and the mechanical strength of the flip chip mounting substrate 2 can be improved. Further, as a similar modification, when a plurality of IC chips are mounted on a silicon substrate, only the IC chips having a particularly large heat generation amount may be connected to the printed circuit board by soldering, or regardless of the heat generation amount. Instead, all the IC chips may be connected to the printed board by soldering. Of course, when only one IC chip is mounted on the silicon substrate, the IC chip may be connected to the printed board by soldering, and in any case, the effect of the present invention can be obtained.

【0050】(3) 上記の実施の形態においては、I
Cチップのプリント基板と対向する面の全体に亘って半
田ペーストを接触させるとしたが、これに代えて次のよ
うにしても良い。すなわち、ICチップの、トランジス
タが形成されている箇所等、特に発熱量の大きく、従っ
てより放熱が必要となる箇所にのみ半田ペーストを接触
させるとしても良い。図8は、本変形例に係るフリップ
チップ実装基板の断面を示した図である。図8に示すよ
うに、ICチップ411aの特に発熱量の大きい箇所に
のみ半田ペースト48bを接触させるとしても、ICチ
ップ411aが発する熱を従来よりも効率よくプリント
基板40に伝導させて、放熱を図ることができる。
(3) In the above embodiment, I
Although the solder paste is brought into contact with the entire surface of the C chip facing the printed circuit board, it may be replaced with the following. That is, the solder paste may be brought into contact only with a portion of the IC chip where a transistor is formed, or the like, which generates a particularly large amount of heat and therefore requires more heat dissipation. FIG. 8 is a diagram showing a cross section of a flip-chip mounting substrate according to this modification. As shown in FIG. 8, even if the solder paste 48b is brought into contact only with a portion of the IC chip 411a that generates a particularly large amount of heat, the heat generated by the IC chip 411a is conducted to the printed circuit board 40 more efficiently than in the conventional case, and the heat radiation is performed. Can be planned.

【0051】また、このようにすれば、半田ペースト4
8bがICチップ411aやプリント基板40に接触す
る面積を低減することができるので、半田ペースト48
bが本来接触すべきでない電極や配線パターンに誤って
接触してしまい、回路の短絡が発生する可能性を低減す
ることができる。従って、回路の短絡に起因する誤動作
を防止してフリップチップ実装基板の品質を向上させる
ことができる。
Further, in this way, the solder paste 4
Since the area in which 8b contacts the IC chip 411a and the printed circuit board 40 can be reduced, the solder paste 48
It is possible to reduce the possibility that the circuit b will accidentally contact the electrode or the wiring pattern which should not be in contact, and a short circuit will occur in the circuit. Therefore, it is possible to prevent the malfunction caused by the short circuit of the circuit and improve the quality of the flip chip mounting substrate.

【0052】なお、本変形例においては半田ペーストの
接触の有無に関わらず、上記の実施の形態と同様に、プ
リント基板46のシリコン基板40と対向している主面
のうち、ICチップ42と対向する部分全体に亘って銅
ランド44bが形成されている。このようにすることに
より、上記の実施の形態におけるのと同様にICチップ
42の動作を安定させることができる。
In this modification, regardless of the presence or absence of contact with the solder paste, as in the above-described embodiment, one of the main surfaces of the printed circuit board 46 facing the silicon substrate 40 is connected to the IC chip 42. Copper lands 44b are formed over the entire facing portions. By doing so, the operation of the IC chip 42 can be stabilized as in the above-described embodiment.

【0053】また、上記第2の実施の形態におけるのと
同様に、ICチップ411aとプリント基板40との間
の半田ペースト48b中に銅板を挿入するとすれば、更
に放熱効率を向上させることができる。また、半田ペー
ストにより接合する面積を減少させた分のシリコン基板
40とプリント基板46との密着強度の低下を補うため
には、例えば、上記の変形例(1)と同様に、シリコン
基板41とプリント基板40との間にポリマ封入剤を充
填して2つの基板を固着させても良い。
Further, as in the second embodiment, if a copper plate is inserted into the solder paste 48b between the IC chip 411a and the printed board 40, the heat dissipation efficiency can be further improved. . Further, in order to compensate for the decrease in the adhesion strength between the silicon substrate 40 and the printed circuit board 46, which is reduced by the area to be joined by the solder paste, for example, as in the modification (1), the silicon substrate 41 and A polymer encapsulant may be filled between the printed board 40 and the two boards to fix them together.

【0054】(4) 上記の実施の形態においては、シ
リコン基板にICチップをフリップチップ実装するとし
たが、これに代えて次のようにしても良い。すなわち、
ガラスや石英、サファイア、セラミック等を基材とする
基板にICチップをフリップチップ実装するとしても良
い。このような基材を用いても、シリコンを基材とする
場合と同様に、薄膜蒸着技術等を用いた微細な半導体の
工法でパターニングができ、精度良く容量素子やインダ
クタ、抵抗素子等を組み込んだ半導体基板を実現するこ
とができるので、本発明の効果を達成しつつ、小型軽量
化を実現することができる。
(4) In the above embodiment, the IC chip was flip-chip mounted on the silicon substrate, but instead of this, the following may be carried out. That is,
The IC chip may be flip-chip mounted on a substrate whose base material is glass, quartz, sapphire, ceramics, or the like. Even if such a base material is used, patterning can be performed by a method of manufacturing a fine semiconductor using thin film vapor deposition technology, etc., as in the case of using silicon as a base material, and a capacitive element, an inductor, a resistive element, etc. can be accurately incorporated. Since it is possible to realize a semiconductor substrate, it is possible to reduce the size and weight while achieving the effects of the present invention.

【0055】(5) 上記実施の形態においては特に言
及しなかったが、シリコン基板にICチップをフリップ
チップ実装するにあたっては、スタッドバンプ工法、異
方性導電膜を用いた工法、半田バンプ接続工法等、公知
の工法を用いれば良く、ICチップをフリップチップ実
装するための工法の如何に関わらず、本発明は効果を奏
することができる。
(5) Although not particularly mentioned in the above embodiment, when flip-chip mounting an IC chip on a silicon substrate, a stud bump method, a method using an anisotropic conductive film, and a solder bump connection method are used. A known construction method such as the above may be used, and the present invention can exert the effect regardless of the construction method for flip-chip mounting the IC chip.

【0056】(6) 上記実施の形態においては、半田
を素材とするボール電極を用いてシリコン基板とプリン
ト基板とを接合するとしたが、これに代えて次のように
しても良い。すなわち、銅ボール、金属被膜された樹脂
ボールなどを用いてシリコン基板とプリント基板とを接
合するとしても良く、これらを用いた場合においても本
発明の効果には変わりがない。また、ボール電極以外の
電極にてシリコン基板とプリント基板を接続した場合に
おいても、本発明は効果を奏することができる。
(6) In the above embodiment, the silicon substrate and the printed circuit board are joined by using the ball electrode made of solder, but instead of this, the following may be done. That is, the silicon substrate and the printed circuit board may be joined by using copper balls, metal-coated resin balls, or the like. Even when these are used, the effect of the present invention does not change. Further, the present invention can exert the effect even when the silicon substrate and the printed circuit board are connected by an electrode other than the ball electrode.

【0057】(7) 上記第2の実施の形態において
は、ICチップ211aからプリント基板20に向けて
より効率よく熱を伝導させるために銅板を用いるとした
が、銅以外の金属板を用いるとしても良い。半田等、I
Cチップ211aとプリント基板とを接続する部材より
も熱伝導性が高い金属であれば、どのような金属から成
る金属板であっても更に放熱効率を向上させることがで
きる。
(7) In the above-described second embodiment, the copper plate is used to more efficiently conduct heat from the IC chip 211a to the printed circuit board 20, but a metal plate other than copper is used. Is also good. Solder, etc.
As long as the metal has a higher thermal conductivity than the member connecting the C chip 211a and the printed board, the heat dissipation efficiency can be further improved even if the metal plate is made of any metal.

【0058】(8) 上記の実施の形態においては、I
Cチップとプリント基板とを接続するに際して半田ペー
ストを用いるとしたが、これに代えて銀ペーストを用い
るとしても良い。また、金ペースト、銅ペースト、アル
ミニウムペーストを用いても良いし、例えば、特開平5
−347320号公報に開示の技術のように、適当なフ
ィラーを添加することによって熱伝導性を向上させた導
電性ペーストを用いればなお好適である。
(8) In the above embodiment, I
Although the solder paste is used when connecting the C chip and the printed circuit board, a silver paste may be used instead. Alternatively, a gold paste, a copper paste, or an aluminum paste may be used.
It is more preferable to use a conductive paste having improved thermal conductivity by adding an appropriate filler, as in the technique disclosed in Japanese Patent Publication No. 347320.

【0059】また、銀ペーストを用いて本発明に係るフ
リップチップ実装基板を製造するにあたっては、プリン
ト基板に対して銀ペーストをディスペンサのノズルから
噴射させることによって供給するとしても良い。この場
合、ノズルの噴射量を調節することによってプリント基
板上の銀ペーストの厚みを変えることができる。 (9) 上記の実施の形態においては、ICチップとプ
リント基板とを接続するに際してICチップに直に半田
を接触させるとしたが、これに代えて次のようにしても
良い。すなわち、ICチップのプリント基板と対向する
面全体に金メッキを施し、或いは、少なくともICチッ
プの半田が被着されるべき部分に金メッキを施して、当
該金メッキを介してICチップに半田を被着させるとし
ても良い。
Further, when the flip chip mounting substrate according to the present invention is manufactured by using the silver paste, the silver paste may be supplied to the printed circuit board by jetting the silver paste from the nozzle of the dispenser. In this case, the thickness of the silver paste on the printed board can be changed by adjusting the injection amount of the nozzle. (9) In the above embodiment, when the IC chip and the printed board are connected, the IC chip is directly contacted with the solder, but instead of this, the following may be performed. That is, the entire surface of the IC chip facing the printed circuit board is gold-plated, or at least the portion of the IC chip to be soldered is gold-plated, and the IC chip is soldered through the gold plating. Also good.

【0060】このようにすれば、半田は金と能く密着す
るため、半田とICチップの密着性を向上させることが
できるので、シリコン基板とプリント基板の密着強度を
向上させることができる。 (10) 上記第2の実施の形態においては、フリップ
チップ実装基板2を製造するにあたって、半田ペース2
8c上に銅板29を載置した後に、半田ペースト28
a、28dを銅ランド27a、27c上に被着するとし
たが、これに代えて次のようにしても良い。
By doing so, since the solder is in good contact with the gold, the adhesion between the solder and the IC chip can be improved, and thus the adhesion strength between the silicon substrate and the printed circuit board can be improved. (10) In the second embodiment, when manufacturing the flip chip mounting substrate 2, the solder paste 2 is used.
After placing the copper plate 29 on 8c, solder paste 28
Although it has been stated that a and 28d are deposited on the copper lands 27a and 27c, instead of this, the following may be applied.

【0061】すなわち、先ず、半田ペースト、28a、
28c、28dを同時に銅ランド27a、27b、27
c上に被着させる。次に、半田ペース28c上に銅板2
9を載置し、更に、銅板29上に半田ペースト28bを
被着させる。その後、シリコン基板21を所定位置に載
置して、リフロー工法により半田ペースト28a〜28
dを溶融、再固化させる。
That is, first, the solder paste, 28a,
28c, 28d simultaneously with copper lands 27a, 27b, 27
It is applied on c. Next, the copper plate 2 is placed on the solder pace 28c.
9 is placed, and the solder paste 28b is further applied onto the copper plate 29. After that, the silicon substrate 21 is placed at a predetermined position, and the solder pastes 28a to 28a are formed by the reflow method.
d is melted and resolidified.

【0062】以上のような手順でフリップチップ実装基
板2を製造するとしても良く、このようにすれば、上記
第2の実施の形態にて説明した製造方法と比較して、ス
クリーン印刷のために必要となるアルミニウム板の数を
低減できるので、フリップチップ実装基板2の製造コス
トを削減することができる。
The flip-chip mounting substrate 2 may be manufactured by the procedure as described above, which makes it possible to perform screen printing in comparison with the manufacturing method described in the second embodiment. Since the number of required aluminum plates can be reduced, the manufacturing cost of the flip chip mounting substrate 2 can be reduced.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体素子がフリップチップ実装されている第1の回路
基板と、前記第1の回路基板の前記半導体素子がフリッ
プチップ実装されている主面に対向して配置されている
第2の回路基板とからなるフリップチップ実装基板であ
って、前記半導体素子と前記第2の回路基板とが導電性
部材を介して接続されているので、第1の基板にフリッ
プチップ実装された半導体素子が発生させる熱を第2の
基板に伝導させて効率よく放熱を図ることができる。ま
た、前記導電性部材をグランド電位とすることにより半
導体素子に対するノイズを低減することができる。
As described above, according to the present invention,
A first circuit board on which semiconductor elements are flip-chip mounted; and a second circuit board on the first circuit board facing the main surface on which the semiconductor elements are flip-chip mounted. Since the semiconductor element and the second circuit board are connected via a conductive member, the heat generated by the semiconductor element flip-chip mounted on the first board is generated. The heat can be efficiently dissipated by conducting the heat to the second substrate. Further, by setting the conductive member to the ground potential, it is possible to reduce noise on the semiconductor element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の実施の形態に係る携帯電話装置が備えて
いるフリップチップ実装基板の外観を模式的に示した平
面図である。
FIG. 1 is a plan view schematically showing an external appearance of a flip-chip mounting board included in a mobile phone device according to a first embodiment.

【図2】フリップチップ実装基板1を構成するシリコン
基板11について、プリント基板10と対向する面の外
観を模式的に示した平面図である。
FIG. 2 is a plan view schematically showing the outer appearance of the surface of the silicon substrate 11 constituting the flip-chip mounting substrate 1 that faces the printed circuit board 10.

【図3】フリップチップ実装基板1について、図1に示
した一点鎖線A−Aにおける断面を示した図である。
3 is a diagram showing a cross section of the flip-chip mounting substrate 1 taken along the alternate long and short dash line AA shown in FIG.

【図4】第1の実施の形態に係るフリップチップ実装基
板1の製造方法の各ステップを示した模式図である。
FIG. 4 is a schematic view showing each step of the method of manufacturing the flip chip mounting substrate 1 according to the first embodiment.

【図5】第2の実施の形態に係るフリップチップ実装基
板2の一断面を拡大して示した図である。
FIG. 5 is an enlarged view showing a cross section of a flip chip mounting substrate 2 according to a second embodiment.

【図6】第2の実施の形態に係るフリップチップ実装基
板2の製造方法の各ステップを示した模式図である。
FIG. 6 is a schematic view showing each step of the method of manufacturing the flip chip mounting substrate 2 according to the second embodiment.

【図7】変形例(2)に係るフリップチップ実装基板3
の一断面を示して、その構造を表した図である。
FIG. 7 is a flip-chip mounting substrate 3 according to a modification (2).
It is a figure showing one section and showing the structure.

【図8】変形例(3)に係るフリップチップ実装基板4
の一断面を示して、その構造を表した図である。
FIG. 8 is a flip-chip mounting substrate 4 according to Modification (3).
It is a figure showing one section and showing the structure.

【図9】特開平8−255965号公報に係るマイクロ
チップモジュール組立体の一断面を示した図である。
FIG. 9 is a view showing a cross section of a microchip module assembly according to Japanese Patent Laid-Open No. 8-255965.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、20、30等 プリント基板 11、21、31等 シリコン基板 111a、211a等 ICチップ 112a〜112t等 ボール電極 16a〜16d等 絶縁性の被膜 17a〜17c等 金メッキされた銅ランド 18a〜18c等 半田 29 銅板 10, 20, 30 etc. Printed circuit board 11, 21, 31 etc. Silicon substrate 111a, 211a, etc. IC chips 112a to 112t, etc. Ball electrode 16a-16d etc. Insulating film 17a to 17c, etc. Gold-plated copper land 18a-18c, etc. Solder 29 Copper plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/34 507 H05K 3/34 507C 3/36 3/36 B (72)発明者 八幡 和宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5E319 AA03 AA07 AB06 AC01 BB05 CC33 CD26 GG20 5E336 AA04 CC34 CC58 EE03 GG03 5E338 CC06 CC08 CD24 EE02 5E344 AA01 AA17 AA22 BB02 BB06 CC24 DD03 EE02 EE07 5F044 KK02 LL07 LL13 RR10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05K 3/34 507 H05K 3/34 507C 3/36 3/36 B (72) Inventor Kazuhiro Yawata Kadoma Osaka Prefecture 1006, Kadoma, Ichimaji Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. F-term (reference) RR10

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体素子がフリップチップ実装されて
いる第1の回路基板と、前記第1の回路基板の前記半導
体素子がフリップチップ実装されている主面に対向して
配置されている第2の回路基板とからなるフリップチッ
プ実装基板であって、 前記半導体素子と前記第2の回路基板とが導電性部材を
介して接続されていることを特徴とするフリップチップ
実装基板。
1. A first circuit board on which a semiconductor element is flip-chip mounted, and a second circuit board that is arranged so as to face a main surface of the first circuit board on which the semiconductor element is flip-chip mounted. A flip-chip mounting board comprising the circuit board according to claim 1, wherein the semiconductor element and the second circuit board are connected via a conductive member.
【請求項2】 前記導電性部材は半田ペーストまたは銀
ペーストが固化されてなることを特徴とする請求項1に
記載のフリップチップ実装基板。
2. The flip chip mounting substrate according to claim 1, wherein the conductive member is formed by solidifying a solder paste or a silver paste.
【請求項3】 前記第1の回路基板と前記第2の回路基
板とは、離隔部材により、前記半導体素子の厚みよりも
大きく離隔されていることを特徴とする請求項1に記載
のフリップチップ実装基板。
3. The flip chip according to claim 1, wherein the first circuit board and the second circuit board are separated from each other by a separating member by a distance larger than a thickness of the semiconductor element. Mounting board.
【請求項4】 前記離隔部材は、前記半導体素子の厚み
よりも大きな径を有するボール電極であって、 前記第1の回路基板と前記第2の回路基板は当該ボール
電極にて電気的に接続されていることを特徴とする請求
項3に記載のフリップチップ実装基板。
4. The separating member is a ball electrode having a diameter larger than the thickness of the semiconductor element, and the first circuit board and the second circuit board are electrically connected by the ball electrode. The flip chip mounting substrate according to claim 3, wherein the flip chip mounting substrate is provided.
【請求項5】 前記第2の回路基板は、前記半導体素子
に対向する部分にグランドパターンが形成されているこ
とを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ実装基
板。
5. The flip chip mounting board according to claim 1, wherein a ground pattern is formed on a portion of the second circuit board facing the semiconductor element.
【請求項6】 前記半導体素子は、前記導電性部材と接
する部分において金メッキされていることを特徴とする
請求項1に記載のフリップチップ実装基板。
6. The flip chip mounting substrate according to claim 1, wherein the semiconductor element is gold-plated at a portion in contact with the conductive member.
【請求項7】 前記半導体素子の前記第2の回路基板と
対向する面のうち、発熱部分のみが前記導電性部材に接
していることを特徴とする請求項1に記載のフリップチ
ップ実装基板。
7. The flip chip mounting board according to claim 1, wherein only a heat generating portion of a surface of the semiconductor element facing the second circuit board is in contact with the conductive member.
【請求項8】 前記半導体素子と前記第2の回路基板と
の間に、前記導電性部材よりも熱伝導性が高い金属部材
が配設されており、 当該金属部材は前記導電性部材にて支持されていること
を特徴とする請求項1に記載のフリップチップ実装基
板。
8. A metal member having thermal conductivity higher than that of the conductive member is disposed between the semiconductor element and the second circuit board, and the metal member is the conductive member. The flip chip mounting substrate according to claim 1, which is supported.
【請求項9】 前記第1の回路基板と前記第2の回路基
板とに挟まれた空間のうち、前記導電性部材以外の部分
は樹脂が封入されていることを特徴とする請求項1に記
載のフリップチップ実装基板。
9. The resin is sealed in a portion of the space sandwiched between the first circuit board and the second circuit board other than the conductive member. The flip chip mounting substrate described.
【請求項10】 請求項1に記載のフリップチップ実装
基板の製造方法であって、 前記第1の回路基板に前記半導体素子をフリップチップ
実装するフリップチップ実装ステップと、 前記第2の回路基板上の前記半導体素子と対向する位置
に導電性ペーストが被着される被着ステップと、 前記半導体素子が前記導電性ペーストに接するように、
前記第1の回路基板が前記第2の回路基板に載置される
載置ステップと、 前記第1の回路基板が前記第2の回路基板に載置されて
いる状態で、前記導電性ペーストが溶融、再固化される
接合ステップとを含むことを特徴とする製造方法。
10. The method of manufacturing a flip-chip mounting board according to claim 1, wherein a flip-chip mounting step of flip-chip mounting the semiconductor element on the first circuit board, and the second circuit board. A deposition step in which a conductive paste is deposited at a position facing the semiconductor element, so that the semiconductor element is in contact with the conductive paste,
A placing step in which the first circuit board is placed on the second circuit board; and a step of placing the conductive paste in a state where the first circuit board is placed on the second circuit board. A joining step of melting and re-solidifying.
【請求項11】 請求項3に記載のフリップチップ実装
基板の製造方法であって、 前記第1の回路基板に前記半導体素子をフリップチップ
実装するフリップチップ実装ステップと、 前記第1の回路基板に前記離隔部材を接合する離隔部材
接合ステップと、 前記第2の回路基板上の前記離隔部材が接合されるべき
位置に第1の導電性ペーストが被着される第1の被着ス
テップと、 前記第2の回路基板上の前記半導体素子と対向すべき位
置に、前記第1の導電性ペーストよりも厚く第2の導電
性ペーストが被着される第2の被着ステップと、 前記離隔部材が前記第1の導電性ペーストに接し、か
つ、前記半導体素子が前記第2の導電性ペーストに接す
るように、前記第1の回路基板が前記第2の回路基板に
載置される載置ステップと、 前記第1の回路基板が前記第2の回路基板に載置されて
いる状態で、前記第1の導電性ペーストと前記第2の導
電性ペーストとが溶融、再固化される接合ステップとを
含むことを特徴とする製造方法。
11. The method of manufacturing a flip-chip mounting board according to claim 3, wherein the flip-chip mounting step of flip-chip mounting the semiconductor element on the first circuit board comprises: A separating member joining step of joining the separating member; a first attaching step of attaching a first conductive paste to a position on the second circuit board where the separating member is to be joined; A second deposition step of depositing a second conductive paste thicker than the first conductive paste at a position on the second circuit board that should face the semiconductor element; A mounting step in which the first circuit board is mounted on the second circuit board so as to contact the first conductive paste and so that the semiconductor element contacts the second conductive paste; , The first And a bonding step in which the first conductive paste and the second conductive paste are melted and re-solidified while the second circuit board is placed on the second circuit board. And manufacturing method.
【請求項12】 請求項8に記載のフリップチップ実装
基板の製造方法であって、 前記第1の回路基板に前記半導体素子をフリップチップ
実装するフリップチップ実装ステップと、 前記第2の回路基板上の前記半導体素子と対向すべき位
置に第1の導電性ペーストが被着される第1の被着ステ
ップと、 前記第1の導電性ペースト上に金属板が載置される金属
板載置ステップと、 前記金属板上に第2の導電性ペーストが被着される第2
の被着ステップと、 前記半導体素子が前記第2の導電性ペーストに接するよ
うに、前記第1の回路基板が前記第2の回路基板に載置
される載置ステップと、 前記第1の回路基板が前記第2の回路基板に載置されて
いる状態で、前記導電性ペーストが溶融、再固化される
接合ステップとを含むことを特徴とする製造方法。
12. The method of manufacturing a flip-chip mounting board according to claim 8, wherein a flip-chip mounting step of flip-chip mounting the semiconductor element on the first circuit board, the second circuit board A first depositing step of depositing a first conductive paste at a position to face the semiconductor element, and a metal plate placing step of placing a metal plate on the first conductive paste. And a second conductive paste deposited on the metal plate.
And a mounting step in which the first circuit board is mounted on the second circuit board so that the semiconductor element contacts the second conductive paste, and the first circuit And a bonding step in which the conductive paste is melted and resolidified while the substrate is placed on the second circuit board.
【請求項13】 前記接合ステップの後に、前記第1の
回路基板と前記第2の回路基板との間隙に樹脂を封入す
る樹脂封入ステップを含むことを特徴とする請求項10
から請求項12のいずれかに記載の製造方法。
13. A resin encapsulation step of encapsulating resin in a gap between the first circuit board and the second circuit board after the joining step.
13. The manufacturing method according to claim 12.
【請求項14】 請求項1から請求項9のいずれかに記
載のフリップチップ実装基板を備えていることを特徴と
する無線装置。
14. A wireless device comprising the flip chip mounting substrate according to claim 1. Description:
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