JP2009277910A - Semiconductor module and method of manufacturing semiconductor module - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor module which has electromagnetic shield effect and high heat dissipation effect. <P>SOLUTION: The semiconductor module includes a semiconductor chip, a printed circuit board mounted with the semiconductor chip, a resin portion which seals the semiconductor chip on the printed circuit board, and a metallic cap covering an upper part and a side surface of the resin portion, and has a region where there is no resin on a semiconductor chip upper surface on the opposite side from an element formation surface, and the metallic cap is in contact with or connected to the region through a conductor, so that sensing and radiation of electromagnetic wave noise are suppressed and the heat dissipation effect is high. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、情報通信機器などの電子機器に利用され、半導体チップや半導体装置を含む半導体モジュールあるいは半導体モジュールの形態を為し、特に高周波デバイスを扱った通信機器に関する。   The present invention relates to a communication device that is used in an electronic device such as an information communication device, takes the form of a semiconductor module or semiconductor module including a semiconductor chip or a semiconductor device, and particularly handles a high frequency device.

近年、情報通信機器などの電子機器の分野では、内部に搭載される電子部品の小型化、高機能化、高密度実装化が図られており、また、それら電子部品をモジュール化して更なる高機能化、高密度実装化が図られている。これら電子部品ならびに半導体モジュールは、実装基板へ実装した後の実装信頼性が重要となるが、当然半導体モジュール内に実装された電子部品の実装信頼性も重要な因子である。   In recent years, in the field of electronic devices such as information communication devices, electronic components mounted therein have been reduced in size, functionality, and high-density mounting. Functionalization and high-density mounting are being attempted. For these electronic components and semiconductor modules, mounting reliability after mounting on a mounting board is important, but naturally mounting reliability of electronic components mounted in the semiconductor module is also an important factor.

この種の半導体モジュール、例えば表面実装型電磁波シールド半導体装置として、特許文献１には図２０に示すような構造が提案されている。図２０（ａ）、（ｂ）は半導体モジュールの見取り図、（ｃ）は断面図である。   As a semiconductor module of this type, for example, a surface-mount type electromagnetic shielding semiconductor device, Patent Document 1 proposes a structure as shown in FIG. 20A and 20B are sketch views of the semiconductor module, and FIG. 20C is a cross-sectional view.

この半導体モジュール３００は、半導体チップ３１０と、半導体チップ３１０が実装された回路基板３０６と、半導体チップ３１０と回路基板３０６上の配線とを電気的に接続するボンディングワイヤ３１２と、回路基板３０６上の半導体チップ３１０およびボンディングワイヤ３１２を覆う封止樹脂３１４と、回路基板３０６の裏面に形成された外部接続電極３０８とを備えた半導体装置本体を有し、この半導体装置本体の上面および側面が金属製キャップ３０２で覆われ、このキャップ３０２の下端は、外部接続電極３０８の突端に対し一定高さの位置に形成されている。この半導体装置本体部のみの構成で実装基板（図示せず）に実装した場合には、半導体装置本体の上部および側面部が外に露出しているので、電磁波ノイズを抑えることができない。一方、上記の半導体モジュール３００は半導体装置本体の上部および側面部をシールドとしての金属製キャップ３０２で完全に覆う構造となっているため、より良く電磁波ノイズを遮断することができる。   The semiconductor module 300 includes a semiconductor chip 310, a circuit board 306 on which the semiconductor chip 310 is mounted, bonding wires 312 that electrically connect the semiconductor chip 310 and wiring on the circuit board 306, and the circuit board 306. The semiconductor device body includes a sealing resin 314 that covers the semiconductor chip 310 and the bonding wire 312, and external connection electrodes 308 formed on the back surface of the circuit board 306, and the upper surface and side surfaces of the semiconductor device body are made of metal. The cap 302 is covered, and the lower end of the cap 302 is formed at a certain height with respect to the protruding end of the external connection electrode 308. When mounted on a mounting board (not shown) with the configuration of only the semiconductor device main body, the upper and side portions of the semiconductor device main body are exposed to the outside, and therefore electromagnetic wave noise cannot be suppressed. On the other hand, the semiconductor module 300 has a structure in which the upper and side portions of the semiconductor device main body are completely covered with a metal cap 302 as a shield, so that electromagnetic wave noise can be better blocked.

また、半導体モジュール３００の実装基板への実装時に、実装基板と電気的に接続が取られる外部接続電極３０８とキャップ３０２の下端との相対高さ位置を適当な一定値にしたため、外部接続電極３０８およびキャップ３０２の下端の実装基板に対する接続は、はんだリフロー法等の表面実装法により、確実に品質良く一括に行うことができる。   In addition, when the semiconductor module 300 is mounted on the mounting substrate, the relative height position between the external connection electrode 308 that is electrically connected to the mounting substrate and the lower end of the cap 302 is set to an appropriate constant value. Further, the connection of the lower end of the cap 302 to the mounting substrate can be reliably and collectively performed by a surface mounting method such as a solder reflow method.

また、キャップ３０２の側面をプリント回路基板に対して垂直にすることにより、内蔵される回路基板３０６の位置をプリント回路基板に沿って上下に調整することができる。キャップ３０２の側面内側に設けられた凸部３０４は、回路基板３０６の側面に当接してその水平方向位置を規制し、常に同じ相対位置に回路基板３０６を固定することができるようにしている。この凸部３０４が回路基板３０６を押さえ保持しているので、回路基板３０６がキャップ３０２に固定され、製造が容易になる。   Further, by making the side surface of the cap 302 perpendicular to the printed circuit board, the position of the built-in circuit board 306 can be adjusted up and down along the printed circuit board. The convex portion 304 provided on the inner side surface of the cap 302 abuts on the side surface of the circuit board 306 to regulate its horizontal position so that the circuit board 306 can always be fixed at the same relative position. Since the convex portion 304 presses and holds the circuit board 306, the circuit board 306 is fixed to the cap 302, which facilitates manufacture.

また、キャップ３０２と半導体装置本体との固定を、半導体装置本体の上部において接着剤３１６により行うことにより、容易かつ確実に固定できる。接着されるキャップ３０２の上内面と半導体本体上面との間隔が様々に異なる場合であっても接着剤３１６の量の調整だけで対応でき、製造が容易である。
特開平１０−２５６４１２号公報（平成１０年（１９９８年）９月２５日公開）（特許公報２９２４８４４） Further, the cap 302 and the semiconductor device main body can be fixed easily and reliably by performing the fixing with the adhesive 316 on the upper portion of the semiconductor device main body. Even when the distance between the upper inner surface of the cap 302 to be bonded and the upper surface of the semiconductor main body is variously different, it can be dealt with only by adjusting the amount of the adhesive 316, and manufacturing is easy.
Japanese Laid-Open Patent Publication No. 10-256212 (published on September 25, 1998) (Patent Publication 2924844)

しかしながら、上記従来の構成では、以下の問題を生じる。   However, the above conventional configuration causes the following problems.

上記特許文献１によれば、「回路基板の側方に位置するキャップの側面が、キャップの内側に突出していて、その突出部分の先端が所定長さ延在されていて回路基板の側面と部分的に当接すことで、半導体装置本体とキャップとの水平的な位置を規制している。また、キャップ側面を垂直にすることにより、内蔵される回路基板の位置を上下に調整することができる。また、キャップの下端部がはんだ付けできる材質で形成されている。」とある。しかし、実際「キャップの対向する側面に配置された突出部分は回路基板を挟み込むことによって、ある程度の強度を持って回路基板を保持することができ、製造時における位置ずれが起こりにくくなる」と示されているように、キャップ３０２の凸部３０４を回路基板３０６の側面に押し当てながらキャップ３０２を回路基板３０６に被せざるを得ず、キャップ３０２および回路基板３０６の寸法公差を加味した嵌め合いゆえに、キャップ３０２の中での回路基板３０６の水平出しは困難である。   According to the above-mentioned patent document 1, “the side surface of the cap located on the side of the circuit board protrudes inside the cap, and the tip of the protruding portion extends a predetermined length so that the side surface and the part of the circuit board extend. The horizontal position of the semiconductor device main body and the cap is restricted by the abutment, and the position of the built-in circuit board can be adjusted up and down by making the side of the cap vertical. Also, the lower end of the cap is made of a material that can be soldered. " However, in fact, "The protruding parts arranged on the opposite sides of the cap can hold the circuit board with a certain degree of strength by sandwiching the circuit board, and it is difficult to cause misalignment during manufacturing." As shown in the figure, the cap 302 must be put on the circuit board 306 while pressing the convex portion 304 of the cap 302 against the side surface of the circuit board 306, and because the fitting takes into account the dimensional tolerances of the cap 302 and the circuit board 306. The leveling of the circuit board 306 in the cap 302 is difficult.

また、キャップ３０２側面を垂直にすることにより、内蔵される回路基板３０６の位置を上下に調整することができるとしても、上記寸法公差からキャップ３０２側面の垂直性が崩れ、キャップ３０２の下端部のはんだ付け位置もずれることになる。   Even if the position of the built-in circuit board 306 can be adjusted up and down by making the side surface of the cap 302 vertical, the verticality of the side surface of the cap 302 is lost due to the dimensional tolerance, and the lower end of the cap 302 The soldering position will also shift.

また、半導体モジュール３００内の半導体チップ３１０が、従来技術の実施図では示されていないボールグリッドアレイタイプの半導体装置として取り付けられる場合、キャップ３０２を半導体装置本体の上部において接着剤３１６で固定すると、キャップ３０２と半導体装置本体との相対的な移動自由度が制限され、温度変化による熱応力に対し、半導体チップと回路基板３０６との接続部（はんだ接続部）における負荷が増して実装信頼性が劣る原因となる。   In addition, when the semiconductor chip 310 in the semiconductor module 300 is attached as a ball grid array type semiconductor device not shown in the prior art drawings, when the cap 302 is fixed on the upper portion of the semiconductor device body with the adhesive 316, The relative freedom of movement between the cap 302 and the main body of the semiconductor device is limited, and the load at the connection portion (solder connection portion) between the semiconductor chip and the circuit board 306 increases due to thermal stress due to temperature change, thereby improving the mounting reliability. Causes inferiority.

また、上方への熱の拡散経路が確保できておらず、半導体チップ３１０が高消費電力の場合は使用に制約を受ける。   In addition, an upward heat diffusion path cannot be secured, and use is restricted when the semiconductor chip 310 has high power consumption.

したがって、本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的はより確実な電磁波シールド効果を保ちつつ放熱効果が高い半導体モジュールを提供することである。また半導体モジュールのシールドキャップの固定がより正確に簡便に為され、かつ安価に提供することをも目的としている。   Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a semiconductor module having a high heat dissipation effect while maintaining a more reliable electromagnetic wave shielding effect. It is another object of the present invention to provide a shield cap for a semiconductor module more accurately and simply and at a low cost.

本発明に係る半導体モジュールは、半導体チップ、または半導体チップから構成される半導体装置と、前記半導体チップまたは前記半導体装置が搭載されるプリント回路基板と、前記プリント回路基板上で、前記半導体チップまたは前記半導体装置を封止する樹脂部と、前記樹脂部の上部および側面を覆う金属製キャップとを備える半導体モジュールにおいて、前記半導体チップまたは前記半導体装置の、プリント回路基板側とは反対側であるチップ上面の少なくとも一部の領域には前記樹脂部が存在せず、前記チップ上面の前記樹脂部が存在しない領域の少なくとも一部の領域が、前記金属製キャップと接触していることを特徴としている。   A semiconductor module according to the present invention includes a semiconductor chip or a semiconductor device including the semiconductor chip, a printed circuit board on which the semiconductor chip or the semiconductor device is mounted, and the semiconductor chip or the semiconductor chip on the printed circuit board. In a semiconductor module comprising a resin part that seals a semiconductor device and a metal cap that covers an upper part and a side surface of the resin part, the semiconductor chip or a chip upper surface that is opposite to the printed circuit board side of the semiconductor device The resin part is not present in at least a part of the region, and at least a part of the region on the chip upper surface where the resin part is not present is in contact with the metal cap.

上記の構成によれば、前記半導体チップまたは前記半導体装置が樹脂に覆われずに直接金属製キャップに接触し、且つシールドされているので、熱放散性が高く、且つ電磁波ノイズの感受および放射が抑制されるという効果を奏する。   According to the above configuration, since the semiconductor chip or the semiconductor device is directly covered with the metal cap without being covered with the resin and is shielded, the heat dissipation is high, and the susceptibility and radiation of electromagnetic noise are high. It has the effect of being suppressed.

本発明に係る半導体モジュールは、半導体チップ、または半導体チップから構成される半導体装置と、前記半導体チップまたは前記半導体装置が搭載されるプリント回路基板と、前記プリント回路基板上で、前記半導体チップまたは前記半導体装置を封止する樹脂部と、前記樹脂部の上部および側面を覆う金属製キャップとを備える半導体モジュールにおいて、前記半導体チップまたは前記半導体装置の、プリント回路基板側とは反対側であるチップ上面の少なくとも一部の領域には前記樹脂部が存在せず、前記チップ上面の前記樹脂部が存在しない領域の少なくとも一部の領域が、前記金属製キャップと導電体を介して接続していることを特徴としている。   A semiconductor module according to the present invention includes a semiconductor chip or a semiconductor device including the semiconductor chip, a printed circuit board on which the semiconductor chip or the semiconductor device is mounted, and the semiconductor chip or the semiconductor chip on the printed circuit board. In a semiconductor module comprising a resin part that seals a semiconductor device and a metal cap that covers an upper part and a side surface of the resin part, the semiconductor chip or a chip upper surface that is opposite to the printed circuit board side of the semiconductor device The resin part does not exist in at least a part of the region, and at least a part of the region where the resin part does not exist on the upper surface of the chip is connected to the metal cap via a conductor. It is characterized by.

上記の構成によれば、前記半導体チップまたは前記半導体装置が樹脂に覆われずに導電体を介して金属製キャップに接続され、且つシールドされているので、熱放散性が高く、且つ電磁波ノイズの感受あるいは放射が抑制されるという効果を奏する。   According to the above configuration, since the semiconductor chip or the semiconductor device is connected to the metal cap through the conductor without being covered with the resin and is shielded, the heat dissipation is high and the electromagnetic noise is reduced. There is an effect that perception or radiation is suppressed.

本発明に係る半導体モジュールは、前記金属製キャップは、前記樹脂部の少なくとも一つの側面の一部で位置決めのために接触し位置合わせされていることが好ましい。   In the semiconductor module according to the present invention, it is preferable that the metal cap is in contact with and aligned with a part of at least one side surface of the resin portion.

上記の構成によれば、モールド金型で成型された略直方体は定型であり、その側面で金属製キャップが位置合わせしていることで、位置再現性が非常に良くなるというさらなる効果を奏する。   According to said structure, the substantially rectangular parallelepiped shape shape | molded with the mold die is a fixed type | mold, and there exists the further effect that position reproducibility becomes very good because the metal cap has aligned with the side surface.

また、本発明の半導体モジュールは、前記金属製キャップは、前記プリント回路基板の少なくとも一つの側面の一部、または前記樹脂部が形成された前記プリント回路基板の面とは反対側であるプリント回路基板裏面の端部、の少なくとも一方で位置決めのために接触し位置合わせされていることが好ましい。   In the semiconductor module of the present invention, the metal cap is a printed circuit in which a part of at least one side surface of the printed circuit board or the surface of the printed circuit board on which the resin portion is formed is opposite. It is preferable that at least one of the end portions on the back surface of the substrate is in contact and aligned for positioning.

上記の構成によれば、金属製キャップがプリント回路基板をも覆うので、更に電磁波ノイズの感受あるいは放射の影響を抑制できるという効果を奏する。   According to said structure, since a metal cap also covers a printed circuit board, there exists an effect that the influence of electromagnetic wave noise perception or radiation | emission can be suppressed further.

また、本発明の半導体モジュールは、前記金属製キャップは、前記プリント回路基板裏面の配線に接続されていることが好ましい。   In the semiconductor module of the present invention, it is preferable that the metal cap is connected to the wiring on the back surface of the printed circuit board.

上記の構成によれば、金属製キャップがプリント回路基板の配線に接地され、電磁波ノイズの感受あるいは放射の影響を更に抑制する効果が生まれる。また、金属製キャップの深さ方向の位置合わせが、プリント回路基板の裏面位置で決定されるため、金属製キャップの深さ方向の位置精度が良くなるというさらなる効果を奏する。   According to said structure, a metal cap is earth | grounded by the wiring of a printed circuit board, and the effect which further suppresses the perception of electromagnetic noise or the influence of radiation is produced. Further, since the alignment in the depth direction of the metal cap is determined by the position of the back surface of the printed circuit board, there is a further effect that the positional accuracy of the metal cap in the depth direction is improved.

また、本発明の半導体モジュールは、前記金属製キャップは、前記プリント回路基板表面の周囲の前記樹脂部が存在しない領域に配線された前記プリント回路基板表面の配線に接続されていることが好ましい。   In the semiconductor module of the present invention, it is preferable that the metal cap is connected to a wiring on the surface of the printed circuit board wired in a region around the surface of the printed circuit board where the resin portion does not exist.

上記の構成によれば、金属製キャップがプリント回路基板の配線に接地され、電磁波ノイズの感受あるいは放射の影響を更に抑制する効果が生まれる。また、金属製キャップの深さ方向の位置合わせが、プリント回路基板の表面位置で決定されるため、金属製キャップの深さ方向の位置精度が良くなるというさらなる効果を奏する。   According to said structure, a metal cap is earth | grounded by the wiring of a printed circuit board, and the effect which further suppresses the perception of electromagnetic noise or the influence of radiation is produced. Further, since the alignment in the depth direction of the metal cap is determined by the surface position of the printed circuit board, there is a further effect that the positional accuracy of the metal cap in the depth direction is improved.

また、本発明の半導体モジュールは、前記金属製キャップと、前記プリント回路基板裏面または表面の配線との接続は、はんだ、または導電性ペーストを介して行われていることが好ましい。   In the semiconductor module of the present invention, it is preferable that the metal cap and the printed circuit board back or front surface are connected to each other through solder or conductive paste.

上記の構成によれば、金属製キャップが安定してプリント回路基板に取り付けられ、かつ、金属製キャップが確実にプリント回路基板の配線に接地されるというさらなる効果を奏する。   According to said structure, there exists the further effect that a metal cap is stably attached to a printed circuit board, and a metal cap is reliably earth | grounded to the wiring of a printed circuit board.

また、本発明の半導体モジュールは、前記金属製キャップと前記プリント回路基板裏面または表面の配線との接続、および、前記金属製キャップと前記チップ上面の接続は、導電性ペーストを介してそれぞれ行われることが好ましい。   In the semiconductor module of the present invention, the connection between the metal cap and the wiring on the back surface or the front surface of the printed circuit board, and the connection between the metal cap and the top surface of the chip are performed via a conductive paste, respectively. It is preferable.

上記の構成によれば、金属製キャップと半導体チップのチップ上面との接続、および、金属製キャップとプリント回路基板の裏面または表面の配線との接続が、導電性ペーストで同時に行われるので、効率的に金属製キャップの固定が為されると同時に、相互に接続された部位を同電位とすることができるというさらなる効果を奏する。   According to the above configuration, since the connection between the metal cap and the top surface of the semiconductor chip and the connection between the metal cap and the wiring on the back surface or the front surface of the printed circuit board are simultaneously performed with the conductive paste, the efficiency is improved. In addition, the metallic cap is fixed, and at the same time, there is an additional effect that the mutually connected parts can be at the same potential.

また、本発明の半導体モジュールは、前記金属製キャップの上面の一部が前記チップ上面の方向に曲げられていることで、前記チップ上面の前記樹脂部が存在しない領域と、金属製キャップとが接触していることが好ましい。   Further, in the semiconductor module of the present invention, a part of the upper surface of the metal cap is bent in the direction of the chip upper surface, so that the region of the chip upper surface where the resin portion does not exist and the metal cap It is preferably in contact.

上記の構成によれば、金属製キャップの上面の一部が、常に半導体チップのチップ上面を押さえつける力が働いており、前記導電性ペーストなどで接続しなくとも、金属製キャップと半導体チップのチップ上面とを接触し続けることができるというさらなる効果を奏する。   According to the above configuration, a part of the upper surface of the metal cap always acts to press down the upper surface of the chip of the semiconductor chip, and the metal cap and the chip of the semiconductor chip can be connected without being connected with the conductive paste or the like. There is an additional effect that the upper surface can be kept in contact.

また、本発明の半導体モジュールは、前記チップ上面の前記樹脂部が存在しない領域は、前記樹脂部の上面と同一平面上にあってもよい。   In the semiconductor module of the present invention, the region where the resin portion on the top surface of the chip does not exist may be on the same plane as the top surface of the resin portion.

上記の構成によれば、樹脂部を所定の厚さになるように研削加工または研磨加工することにより、完全に樹脂で封止されていた半導体チップのチップ上面が必然的に露出することになり、製造が簡易になるというさらなる効果を奏する。   According to the above configuration, the top surface of the semiconductor chip completely sealed with resin is necessarily exposed by grinding or polishing the resin portion to a predetermined thickness. This has the further effect of simplifying manufacturing.

また、本発明の半導体モジュールは、前記半導体チップまたは前記半導体装置の基準電位端子、前記チップ上面の素子が形成されていないバルク部、前記基準電位端子が接続された前記プリント回路基板表面の配線、前記配線と接続され且つ電磁波をシールドするために層内の少なくとも半導体チップまたは半導体装置の実装位置がメタル化されたプリント回路基板金属層、前記金属製キャップ、前記プリント回路基板の下面に形成された外部接続部位、および前記金属製キャップが接続された前記プリント回路基板表面または裏面の配線が、電気的に接続されていることで基準電位となっていることが好ましい。   Further, the semiconductor module of the present invention includes a reference potential terminal of the semiconductor chip or the semiconductor device, a bulk portion in which an element on the top surface of the chip is not formed, wiring on the surface of the printed circuit board to which the reference potential terminal is connected, A printed circuit board metal layer in which at least a semiconductor chip or a semiconductor device mounting position in the layer is metalized to connect to the wiring and shield electromagnetic waves, the metal cap, and the lower surface of the printed circuit board are formed. It is preferable that the external connection site and the wiring on the front surface or the back surface of the printed circuit board to which the metal cap is connected have a reference potential by being electrically connected.

上記の構成によれば、半導体チップまたは半導体装置が、基準電位となっている部位により全方位を覆われ、且つ半導体チップまたは半導体装置の基準電位が該部位に接地されているので、電磁波シールドの効果が極めて高くなるという効果を奏する。   According to the above configuration, since the semiconductor chip or the semiconductor device is covered in all directions by the portion having the reference potential, and the reference potential of the semiconductor chip or the semiconductor device is grounded to the portion, The effect is that the effect is extremely high.

また、本発明の半導体モジュールは、前記半導体チップまたは前記半導体装置と前記プリント回路基板との間に、アンダーフィル材を備えていてもよい。   The semiconductor module of the present invention may include an underfill material between the semiconductor chip or the semiconductor device and the printed circuit board.

上記の構成によれば、半導体チップまたは半導体装置とプリント回路基板との間隙部が狭く、封止する前記樹脂を該間隙部に充填させることが困難な場合、予めその間隙をアンダーフィル材で充填しておき、半導体チップまたは半導体装置とプリント回路基板とを接続する端子、例えばはんだなどが、半導体モジュールを実装する際の熱による再溶融し、隣り合う端子同士がブリッジ（電気的な接続）する可能性を排除できるという効果を奏する。   According to the above configuration, when the gap between the semiconductor chip or semiconductor device and the printed circuit board is narrow and it is difficult to fill the gap with the resin to be sealed, the gap is filled with the underfill material in advance. In addition, a terminal for connecting a semiconductor chip or a semiconductor device and a printed circuit board, such as solder, is remelted by heat when mounting the semiconductor module, and adjacent terminals are bridged (electrically connected). The effect is that the possibility can be eliminated.

また、本発明の半導体モジュールは、前記金属製キャップの少なくとも対向する二側面の少なくとも一部の領域が内側に曲げられており、曲げられた上記領域が弾性的に付勢することにより前記樹脂部または前記プリント回路基板の側面部と接触していることが好ましい。   Further, in the semiconductor module of the present invention, at least a part of at least a part of two opposing side surfaces of the metal cap is bent inward, and the bent region elastically biases the resin part. Or it is preferable that it is contacting the side part of the said printed circuit board.

上記の構成によれば、金属製キャップを、封止する樹脂部の側面あるいはプリント回路基板の側面に確実接触させることができ、一意的に取り付け位置を決定することができるという効果を奏する。   According to said structure, a metal cap can be reliably made to contact the side surface of the resin part to seal, or the side surface of a printed circuit board, and there exists an effect that an attachment position can be determined uniquely.

また、本発明の半導体モジュールは、前記半導体チップおよび前記半導体装置以外に、前記プリント回路基板の上面、下面、あるいは両方の面に、別の半導体チップ、別の半導体装置、その他の電子部品、あるいはそれらの組合せが搭載されていてもよい。   In addition to the semiconductor chip and the semiconductor device, the semiconductor module of the present invention may have another semiconductor chip, another semiconductor device, other electronic components on the upper surface, the lower surface, or both surfaces of the printed circuit board, or A combination thereof may be mounted.

上記の構成によれば、電磁波シールドの効果をもった多機能で付加価値の高い半導体モジュールが得られる。   According to said structure, the multifunctional and high added value semiconductor module with the effect of an electromagnetic wave shield is obtained.

また、本発明の半導体モジュールの製造方法において、複数の前記半導体モジュールを形成する、前記プリント回路基板、前記半導体チップまたは前記半導体装置、および前記樹脂部、は一つに繋がった前記プリント回路基板上に形成され、前記樹脂部は、各半導体モジュールに対応するユニットごとに切断分離される前に、前記プリント回路基板上で一括して、モールド成型または印刷形成されることが好ましい。   In the method for manufacturing a semiconductor module of the present invention, the printed circuit board, the semiconductor chip or the semiconductor device, and the resin portion that form a plurality of the semiconductor modules are connected to the printed circuit board. Preferably, the resin part is molded or printed in a lump on the printed circuit board before being cut and separated for each unit corresponding to each semiconductor module.

上記の方法によれば、プリント回路基板上に搭載された複数の半導体チップまたは半導体装置を一括して樹脂封止することができ、製造上の効率が非常に良くなるという効果を奏する。   According to the above method, a plurality of semiconductor chips or semiconductor devices mounted on the printed circuit board can be collectively sealed with resin, and the manufacturing efficiency is greatly improved.

本発明に係る半導体モジュールは、以上のように、半導体チップまたは半導体装置のチップ上面の一部に封止する樹脂部が存在しない領域があり、前記半導体チップまたは前記半導体装置を覆う金属製キャップが前記領域に接触または導電体を介して接続しているので、熱放散性が高く、且つ電磁波ノイズの感受あるいは放射が抑制されるという効果を奏する。   As described above, in the semiconductor module according to the present invention, there is a region where there is no resin portion to be sealed in a part of the upper surface of the semiconductor chip or the semiconductor device, and the metal cap that covers the semiconductor chip or the semiconductor device is provided. Since it is connected to the region via a contact or a conductor, there is an effect that heat dissipation is high and susceptibility or emission of electromagnetic noise is suppressed.

本発明の一実施形態について図１ないし図１９に基づいて説明すると以下の通りである。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

本発明の半導体モジュールは、半導体チップあるいは半導体チップを内蔵する半導体装置がプリント回路基板上に実装されている。更に、周辺部品として、コンデンサ，インダクタ，抵抗、更に別の半導体装置が、プリント回路基板の同一面に実装されており、機能がまとめられたモジュールとなっている。これら実装された実装部位は、各半導体モジュールが個々に分離切断される前に、モールド成型あるいは印刷封止により樹脂で封止され、後に各半導体モジュールが分離切断されることで樹脂部は略直方体に形造られる。また、電磁界ノイズをシールドするために、金属製キャップが樹脂部を覆うようにプリント回路基板に取り付けられている。なお、金属製キャップを取り付ける前に、半導体チップあるいは半導体チップを内蔵する半導体装置が樹脂部から露出するよう樹脂上面は研削されていて、半導体チップあるいは半導体チップを内蔵する半導体装置が、金属製キャップと接続あるいは接触できる状態になっている。   In the semiconductor module of the present invention, a semiconductor chip or a semiconductor device incorporating the semiconductor chip is mounted on a printed circuit board. Further, as peripheral components, a capacitor, an inductor, a resistor, and another semiconductor device are mounted on the same surface of the printed circuit board, and the module is a function integrated. These mounted parts are sealed with resin by molding or printing sealing before each semiconductor module is separated and cut individually, and then the resin part is cut into a substantially rectangular parallelepiped. Formed into. Moreover, in order to shield electromagnetic field noise, a metal cap is attached to the printed circuit board so as to cover the resin portion. Before attaching the metal cap, the resin upper surface is ground so that the semiconductor chip or the semiconductor device incorporating the semiconductor chip is exposed from the resin portion, and the semiconductor chip or the semiconductor device incorporating the semiconductor chip is It can be connected to or contacted.

本発明に係る半導体モジュールの様々な実施の形態を更に詳しく、以下に図１〜図１９に基づいて説明する。   Various embodiments of the semiconductor module according to the present invention will be described in more detail below with reference to FIGS.

［実施の形態１］
図１（ａ）は本発明の実施の形態に係る半導体モジュール１００を示す斜視図、図１（ｂ）は金属製キャップ１８０ａを浮かし、金属製キャップ１８０ａが取り付けられる前の半導体モジュール１００の内部を示した透視図である。また図２〜図１０は、図１で示される半導体モジュール１００を製作する過程の概要を示した断面概略図である。なお、図２〜図７を除き、これらの図における実線，点線は、基本的に見える部分、隠れている部分に該当するが、過不足なく描いているわけではなく、説明する上便宜的に区別している。以降説明する他の図も同様である。 [Embodiment 1]
FIG. 1A is a perspective view showing the semiconductor module 100 according to the embodiment of the present invention, and FIG. 1B shows the interior of the semiconductor module 100 before the metal cap 180a is attached to the metal cap 180a. FIG. 2 to 10 are cross-sectional schematic views showing an outline of the process of manufacturing the semiconductor module 100 shown in FIG. Note that, except for FIGS. 2 to 7, the solid and dotted lines in these figures correspond to the part that is basically visible and the part that is hidden, but are not drawn without excess or deficiency, for convenience of explanation. Distinguish. The same applies to other figures described below.

まず、製作する過程を示した図２〜図１０を以て本発明の半導体モジュールを説明する。   First, the semiconductor module of the present invention will be described with reference to FIGS.

図２：プリント回路基板１０２は、ガラスエポキシからなるベース基材１０６と、配線である銅のメタル層１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ，１０４dの計４層と、これらメタル層を相互に接続する銅のビア部１０８と、メタル層１０４ａおよびメタル層１０４ｄの実装領域でない部分を覆う絶縁層（エポキシ系ソルダーレジスト）１１０とを主たる構成要素としている。プリント回路基板１０２はその上に複数の半導体モジュールを形成できるよう繋がっている。また部位１１６は、最終的に各半導体モジュールに個片化する際の切断位置を表している。   FIG. 2: A printed circuit board 102 includes a base substrate 106 made of glass epoxy, copper metal layers 104a, 104b, 104c, and 104d, which are wirings, and a copper via that interconnects these metal layers. The main component is the portion 108 and an insulating layer (epoxy solder resist) 110 that covers a portion of the metal layer 104a and the metal layer 104d that is not a mounting region. The printed circuit board 102 is connected so that a plurality of semiconductor modules can be formed thereon. Moreover, the site | part 116 represents the cutting position at the time of finally dividing into each semiconductor module.

図３：プリント回路基板１０２の半導体装置およびチップ部品が実装されるメタル層１０４ａ上に、はんだペースト１１８を印刷する。   FIG. 3: A solder paste 118 is printed on the metal layer 104a on which the semiconductor device and chip components of the printed circuit board 102 are mounted.

図４：半導体装置（半導体チップ）１２０ａ，半導体装置１２０ｂ，およびチップ部品１４０を、部品搭載機（マウンタ）で、先に印刷した図３に示すはんだペースト１１８上に載せ、更にリフロー装置ではんだペースト１１８を溶融・凝固させて、これらの装置，部品をプリント回路基板１０２に取り付ける。ここでチップ部品１４０はコンデンサ、インダクタ、または抵抗などである。   FIG. 4: The semiconductor device (semiconductor chip) 120a, the semiconductor device 120b, and the chip component 140 are placed on the solder paste 118 shown in FIG. 3 printed by a component mounting machine (mounter), and further soldered by a reflow device. 118 is melted and solidified, and these devices and components are attached to the printed circuit board 102. Here, the chip component 140 is a capacitor, an inductor, a resistor, or the like.

図５：半導体装置１２０ａおよび半導体装置１２０ｂとプリント回路基板１０２の間に、エポキシ系アンダーフィル材１５０を注入し、熱処理で硬化させる。尚、アンダーフィル材１５０には、後に本発明による半導体モジュールをマザー基板に実装する際のリフロー工程の温度に耐えられるものを用いる必要がある。現在広く使用されているはんだ材（無鉛対応）を使用する場合、想定されるリフローの最高温度は約２６０℃であり、アンダーフィル材１５０はこれに耐える耐熱温度を持っている必要がある。   FIG. 5: An epoxy underfill material 150 is injected between the semiconductor device 120a and the semiconductor device 120b and the printed circuit board 102, and is cured by heat treatment. The underfill material 150 needs to withstand the temperature of the reflow process when the semiconductor module according to the present invention is mounted on the mother board later. When a solder material (lead-free) widely used at present is used, the assumed maximum reflow temperature is about 260 ° C., and the underfill material 150 needs to have a heat resistant temperature that can withstand this.

本図では、チップ部品１４０とプリント回路基板１０２の間にアンダーフィル材１５０を注入していないが、注入しておいても構わない。   In this figure, the underfill material 150 is not injected between the chip component 140 and the printed circuit board 102, but may be injected.

図６：モールド成型機または印刷機により、半導体装置１２０ａ、１２０ｂおよびチップ部品１４０を樹脂１６０で一括して封止する。   FIG. 6: The semiconductor devices 120a and 120b and the chip component 140 are collectively sealed with the resin 160 by a molding machine or a printing machine.

図７：研磨機により、樹脂（樹脂部）１６０をその上面から研磨してゆき、半導体装置１２０ａのベース部であるシリコン面（チップ上面）１２２ａを露出させる。   FIG. 7: The resin (resin portion) 160 is polished from the upper surface by a polishing machine to expose the silicon surface (chip upper surface) 122a which is the base portion of the semiconductor device 120a.

ここで、製作する過程の説明の途中になるが、半導体装置１２０ａの構造について、図１１を基に説明する。   Here, in the middle of the description of the manufacturing process, the structure of the semiconductor device 120a will be described with reference to FIG.

半導体装置１２０ａは、半導体装置の一種であるウエハレベルＣＳＰの一形態であり、図１１（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１３０の状態で形成される。すなわち、図１１（ａ）に示すように、ベースとなるシリコン部１２２ｆはシリコンで、下面がシリコン面１２２ａである。電極パッド１２２ｂを有する半導体チップ１２２上に、順次、フォトリソグラフィにより絶縁性保護膜１２４ａ、スパッタ，フォトリソグラフィ，電界めっき、または化学エッチング、あるいはそれらの組み合わせにより銅の配線１２６、フォトリソグラフィにより絶縁性保護膜１２４ｂ、はんだボール搭載，リフローにより絶縁性保護膜１２４ｂの開口部に位置する銅の配線１２６上に実装用はんだ端子１２８ａを形成する。ダイシングにより、図１１（ｂ）に示すように、各半導体装置１２０ａに個片化される。   The semiconductor device 120a is a form of a wafer level CSP which is a kind of semiconductor device, and is formed in a state of a semiconductor wafer 130 as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 11A, the silicon part 122f serving as the base is silicon, and the lower surface is the silicon surface 122a. On the semiconductor chip 122 having the electrode pads 122b, the insulating protective film 124a is sequentially formed by photolithography, the copper wiring 126 is formed by sputtering, photolithography, electric field plating, chemical etching, or a combination thereof, and the insulating protection is formed by photolithography. A mounting solder terminal 128a is formed on the copper wiring 126 located in the opening of the insulating protective film 124b by mounting the film 124b, solder balls, and reflow. By dicing, as shown in FIG. 11B, the semiconductor devices 120a are separated into individual pieces.

再び、製作する過程を示した図８から続きを説明する。   The continuation will be described again from FIG. 8 showing the manufacturing process.

図８：図７に記載の部位１１６をダイサーのブレードを用いて切断し、各モジュールに分割個片化する。   FIG. 8: The part 116 shown in FIG. 7 is cut using a dicer blade, and divided into individual modules.

図９：半導体装置１２０ａのベース部であるシリコン面１２２ａ上に、銀粉等の金属フィラーを含有する導電性ペースト（導電体）１７０を、ディスペンサで塗布する。   FIG. 9: A conductive paste (conductor) 170 containing a metal filler such as silver powder is applied with a dispenser onto the silicon surface 122a which is a base portion of the semiconductor device 120a.

図１０：金属製キャップ１８０ａを、樹脂１６０の上方から被せてゆき、導電性ペースト１７０が押し広げられるように設置する。その後、熱処理によって導電性ペースト１７０を硬化させることで、金属製キャップ１８０ａは固定される。   FIG. 10: A metal cap 180a is placed from above the resin 160 so that the conductive paste 170 is spread. Then, the metal cap 180a is fixed by curing the conductive paste 170 by heat treatment.

このようにして、本実施の形態の半導体モジュール１００が完成する。こうして個片化されたモジュールは、樹脂１６０の切断面とプリント回路基板１０２の切断面とが連続的な面となっているため、目視でもって各半導体モジュールを個別に製作した場合とはその製作方法を区別することができる。   In this way, the semiconductor module 100 of the present embodiment is completed. In the module thus separated, since the cut surface of the resin 160 and the cut surface of the printed circuit board 102 are continuous surfaces, it is different from the case where each semiconductor module is manufactured individually by visual inspection. A method can be distinguished.

本実施の形態の半導体モジュール１００は、半導体装置１２０ａの上に樹脂１６０が存在せず、導電性ペースト１７０を介して半導体モジュール１００の上面および側面を覆う金属製キャップ１８０ａと接続されている。導電性ペーストとして、半導体装置製造によく使用されるダイボンド材としての銀ペーストを使用することができる。この銀ペーストは銀粉とエポキシ樹脂と溶剤との混合物である。導電性ペースト１７０は一般に樹脂よりも熱伝導率が高く、そのため従来技術に比べ熱放散性を高くすることができ、且つ電磁波ノイズをシールドすることができる。例えば、一般的な樹脂の熱伝導率が０．８Ｗ／ｍ・Ｋ前後であるのに対し、導電性ペーストの熱伝導率は１０〜６０Ｗ／ｍ・Ｋ程もあり、１０倍以上の差がある。   In the semiconductor module 100 of the present embodiment, the resin 160 does not exist on the semiconductor device 120a, and is connected to a metal cap 180a that covers the upper surface and side surfaces of the semiconductor module 100 via the conductive paste 170. As the conductive paste, a silver paste as a die bond material often used for manufacturing semiconductor devices can be used. This silver paste is a mixture of silver powder, an epoxy resin and a solvent. The conductive paste 170 generally has a higher thermal conductivity than the resin, so that it can have higher heat dissipation than the prior art and can shield electromagnetic noise. For example, the thermal conductivity of a general resin is around 0.8 W / m · K, whereas the thermal conductivity of a conductive paste is about 10 to 60 W / m · K, which is a difference of 10 times or more. is there.

また、金属製キャップ１８０ａが樹脂１６０の側面で位置決めのために接触し位置合わせされており、金属製キャップの位置再現性が良い。本実施の形態では樹脂１６０の両側面が金属製キャップ１８０ａと接触しているが、片側の側面だけで接触してもよい。いずれの場合も金属製キャップ１８０ａの固定は導電性ペースト１７０、導電性フィルムまたは接着剤等で行われる。また金属製キャップ１８０ａがプリント回路基板１０２の側面までを覆っており、プリント回路基板１０２への電磁波ノイズも抑制することができる。   Further, the metal cap 180a is in contact with the side surface of the resin 160 for positioning, and the position reproducibility of the metal cap is good. In the present embodiment, both side surfaces of the resin 160 are in contact with the metal cap 180a, but may be in contact with only one side surface. In any case, the metal cap 180a is fixed with the conductive paste 170, a conductive film, an adhesive, or the like. Further, the metal cap 180a covers up to the side surface of the printed circuit board 102, and electromagnetic wave noise to the printed circuit board 102 can also be suppressed.

尚、本実施の形態ではシリコン面１２２ａを露出させるために、樹脂１６０で封止した後、研磨加工を行ったが、シリコン面１２２ａを露出させる方法は上記に限らない。樹脂１６０を形成する時に、金型によってシリコン面１２２ａの一部を避けて形成しても良い。例えば樹脂形成時に金型側にテープを貼っておき、シリコン面１２２ａの上部に樹脂が載らないようにする方法がある。   In this embodiment, in order to expose the silicon surface 122a, polishing is performed after sealing with the resin 160. However, the method for exposing the silicon surface 122a is not limited to the above. When forming the resin 160, a part of the silicon surface 122a may be avoided by a mold. For example, there is a method in which a tape is applied to the mold side during resin formation so that the resin does not rest on the silicon surface 122a.

［実施の形態２］
図１２は、他の実施の形態における金属製キャップの形状を示す斜視図である。図１２（ａ）に示す金属製キャップ１８０ｂは、その各側面の中央部分に当たる一部が内側に曲げられており、その先端が更に内側に曲げられている。図１３は金属製キャップ１８０ｂが半導体モジュール２００に取り付けられた状態を示す断面図である。図１３に示すように、金属製キャップ１８０ｂの折り曲げられた部分がプリント回路基板１０３を挟み込み、上記折り曲げられた部分のバネ力でもってプリント回路基板１０３を保持している。このため金属製キャップ１８０ｂの取り付け位置を一意に決定することができる。また、接触する部位は樹脂部１６０でもかまわない。金属製キャップ１８０ｂの折り曲げられた先端部分は、プリント回路基板１０３裏面の端部と位置決めのために接触し、同時にプリント回路基板１０３裏面の配線である裏面配線１０５ｄに、金属フィラーを含有する導電性ペースト（導電体）１７２を介して接続されている。接続には導電性ペースト１７２の代わりにはんだを用いても良い。 [Embodiment 2]
FIG. 12 is a perspective view showing the shape of a metal cap in another embodiment. The metal cap 180b shown in FIG. 12A is bent inward at a part corresponding to the center part of each side surface, and the tip thereof is further bent inward. FIG. 13 is a cross-sectional view showing a state in which the metal cap 180 b is attached to the semiconductor module 200. As shown in FIG. 13, the bent portion of the metal cap 180b sandwiches the printed circuit board 103, and the printed circuit board 103 is held by the spring force of the bent portion. For this reason, the attachment position of the metal cap 180b can be uniquely determined. Further, the contacting portion may be the resin portion 160. The bent front end portion of the metal cap 180b is in contact with the end portion on the back surface of the printed circuit board 103 for positioning, and at the same time, the back surface wiring 105d, which is the wiring on the back surface of the printed circuit board 103, contains a metal filler. They are connected via a paste (conductor) 172. Solder may be used instead of the conductive paste 172 for connection.

図１４を参照しながら図１３の構成をさらに詳しく説明する。上述したように金属製キャップ１８０ｂは、導電性ペースト１７０を介して半導体装置１２０ａのベース部であるシリコン面１２２ａと接続されている。また金属製キャップ１８０ｂは導電性ペースト１７２を介してプリント回路基板１０３裏面の配線である裏面配線１０５ｄと接続されている。半導体装置１２０ａの基準電位端子１２９はプリント回路基板１０３表面の配線である表面配線１０５ａと接続されている。プリント回路基板１０３は内部に電磁波ノイズをシールドするための金属層（プリント回路基板金属層）１０５ｂを備えており、金属層１０５ｂ、表面配線１０５ａ、および裏面配線１０５ｄは電気的に接続されている。金属層１０５ｂは、半導体装置１２０ａ、１２０ｂの実装位置の下面を覆うように層内がメタル化されており、これによってプリント回路基板下面からの電磁波をもシールドすることができる。さらにこれらは外部接続用パッド（外部接続部位）１９１に電気的に接続されており、図１４に示す斜線部分が基準電位となっており、金属キャップ１８０ｂおよび金属層１０５ｂの電磁波に対するシールド効果を高めている。   The configuration of FIG. 13 will be described in more detail with reference to FIG. As described above, the metal cap 180b is connected to the silicon surface 122a, which is the base portion of the semiconductor device 120a, via the conductive paste 170. The metal cap 180 b is connected to the back surface wiring 105 d which is the wiring on the back surface of the printed circuit board 103 through the conductive paste 172. A reference potential terminal 129 of the semiconductor device 120 a is connected to a surface wiring 105 a that is a wiring on the surface of the printed circuit board 103. The printed circuit board 103 includes a metal layer (printed circuit board metal layer) 105b for shielding electromagnetic wave noise inside, and the metal layer 105b, the front surface wiring 105a, and the back surface wiring 105d are electrically connected. The metal layer 105b is metalized so as to cover the lower surfaces of the mounting positions of the semiconductor devices 120a and 120b, thereby shielding electromagnetic waves from the lower surface of the printed circuit board. Furthermore, these are electrically connected to an external connection pad (external connection site) 191, and the hatched portion shown in FIG. 14 is a reference potential, and the shielding effect against electromagnetic waves of the metal cap 180 b and the metal layer 105 b is enhanced. ing.

尚、金属層１０５ｂは半導体装置１２０ａ、１２０ｂの実装位置の下面を隙間なく覆う必要はなく、電磁波シールドの効果に影響を及ぼさない範囲で配線を形成することができる。   The metal layer 105b does not need to cover the lower surfaces of the mounting positions of the semiconductor devices 120a and 120b without any gaps, and wiring can be formed within a range that does not affect the effect of the electromagnetic wave shield.

［実施の形態３］
図１２（ｂ）は、さらなる他の実施の形態による金属製キャップ１８０ｃを示す斜視図である。 [Embodiment 3]
FIG. 12 (b) is a perspective view showing a metal cap 180c according to still another embodiment.

図１２（ｂ）に示す金属製キャップ１８０ｃは、実施の形態２における金属製キャップ１８０ｂの更にその上面の、半導体装置の実装位置に対応する一部が樹脂部の方向に曲げられている。他の構成は実施の形態２と同様である。金属製キャップ１８０ｃが半導体モジュール２１０に取り付けられた状態の断面図は、図１５のようになる。図１５で示すように、金属製キャップ１８０ｃの上面折り曲げ部１８２はバネのように半導体チップ１２０ａを押さえ、シリコン面１２２ａと直接接触している。そのためはんだおよび導電性ペーストを使用しないで電気的な接続が確保でき、熱放散性も高くできる。   In the metal cap 180c shown in FIG. 12B, a part of the upper surface of the metal cap 180b in the second embodiment corresponding to the mounting position of the semiconductor device is bent toward the resin portion. Other configurations are the same as those of the second embodiment. A cross-sectional view of the state in which the metal cap 180c is attached to the semiconductor module 210 is as shown in FIG. As shown in FIG. 15, the upper surface bent portion 182 of the metal cap 180c presses the semiconductor chip 120a like a spring and is in direct contact with the silicon surface 122a. Therefore, electrical connection can be secured without using solder and conductive paste, and heat dissipation can be enhanced.

尚、本実施の形態では金属製キャップ１８０ｃの一部が内側に曲げられているが、金属製キャップとチップ上面とを接触させる構造は上記に限らない。金属製キャップの上面の一部が内側に凸部をもっていて、チップ上面の樹脂から露出した部分に接触していてもよい。   In the present embodiment, a part of the metal cap 180c is bent inward, but the structure for bringing the metal cap into contact with the upper surface of the chip is not limited to the above. A part of the upper surface of the metal cap may have a convex portion on the inside, and may be in contact with a portion exposed from the resin on the chip upper surface.

［実施の形態４］
また図１６に、その他の金属製キャップとして、金属製キャップ１８０ｄが半導体モジュール２２０に取り付けられた状態の断面図を示す。 [Embodiment 4]
FIG. 16 is a cross-sectional view showing a state in which a metal cap 180d is attached to the semiconductor module 220 as another metal cap.

金属製キャップ１８０ｄの各側面の中央部分に当たる一部の先端は外側に曲げられており、その先端部分は、プリント回路基板１０２表面の配線１０４ａの一部に、はんだまたは導電性ペーストを介して接続されている。   A part of the tip corresponding to the center part of each side surface of the metal cap 180d is bent outward, and the tip part is connected to a part of the wiring 104a on the surface of the printed circuit board 102 via solder or conductive paste. Has been.

これによると、金属製キャップ１８０ｄの深さ方向の位置合わせが、プリント回路基板１０２の表面位置で決定されるため、金属製キャップ１８０ｄの深さ方向の位置精度を良くすることができる。   According to this, since the alignment of the metal cap 180d in the depth direction is determined by the surface position of the printed circuit board 102, the position accuracy of the metal cap 180d in the depth direction can be improved.

［実施の形態５］
以上、各実施の形態で示した半導体モジュールには、図１７に示すような、はんだ製の外部接続端子１９０を設けていてもよい。図１７には実施の形態１の半導体モジュール１００にさらに外部接続端子１９０を設けた半導体モジュール２３０の構成を示してある。外部接続部位としての外部接続端子１９０はプリント回路基板１０３上に形成された外部接続用パッド１９１上に形成されている。 [Embodiment 5]
As described above, the semiconductor module shown in each embodiment may be provided with an external connection terminal 190 made of solder as shown in FIG. FIG. 17 shows a configuration of a semiconductor module 230 in which an external connection terminal 190 is further provided in the semiconductor module 100 of the first embodiment. An external connection terminal 190 as an external connection part is formed on an external connection pad 191 formed on the printed circuit board 103.

［実施の形態６］
また、各実施の形態で示した半導体モジュールにおいて、プリント回路基板の裏面側に、別の半導体装置が実装されていてもよい。図１８にはプリント回路基板１０７の上面に半導体装置を設けた半導体モジュールにさらに別の半導体装置１２０ｄを実装した半導体モジュール２４０の構成を示してある。半導体装置１２０ｄはプリント回路基板１０７の裏面側に実装されている。これにより、電磁波ノイズに対するシールド効果をもったさらに多機能で付加価値の高い半導体モジュール２４０が得られる。 [Embodiment 6]
In the semiconductor module shown in each embodiment, another semiconductor device may be mounted on the back side of the printed circuit board. FIG. 18 shows a configuration of a semiconductor module 240 in which another semiconductor device 120d is mounted on a semiconductor module in which a semiconductor device is provided on the upper surface of the printed circuit board 107. The semiconductor device 120 d is mounted on the back side of the printed circuit board 107. As a result, a semiconductor module 240 having a higher function and a higher added value having a shielding effect against electromagnetic noise can be obtained.

また、半導体モジュールに使用する半導体装置の簡単な構造例として、図１９に示すような、半導体チップ１２０ｃでもよい。半導体チップ１２０ｃは、半導体ウエハの状態で形成され、ベースとなるシリコン部１２２ｃはシリコンで、絶縁膜１２２ｄと電極パッド１２２ｂを有し、その電極パッド１２２ｂの上に、マスキングされた状態で電界めっきで形成された金バンプ１２２ｅを有する。金バンプ１２２ｅ部が、プリント回路基板と接続される部位となる。また、図示していないが、本発明の半導体モジュールで適用できる半導体装置は、樹脂を研磨することでシリコンのバルク部分を露出できる半導体チップを包含しているものも含まれる。   Further, as a simple structure example of a semiconductor device used for a semiconductor module, a semiconductor chip 120c as shown in FIG. 19 may be used. The semiconductor chip 120c is formed in the state of a semiconductor wafer, the silicon part 122c as a base is made of silicon, has an insulating film 122d and an electrode pad 122b, and is electroplated in a masked state on the electrode pad 122b. A gold bump 122e is formed. The gold bump 122e portion is a part connected to the printed circuit board. Although not shown, the semiconductor device applicable to the semiconductor module of the present invention includes a semiconductor device including a semiconductor chip that can expose a bulk portion of silicon by polishing a resin.

本発明の半導体モジュールとして、デジタル放送のテレビ映像および音声を受信できる携帯電話用のチューナモジュールが一例として挙げられる。   As an example of the semiconductor module of the present invention, a tuner module for a mobile phone capable of receiving digital broadcast TV video and audio can be given.

図１０に示す半導体装置１２０ａはＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）、半導体装置１２０ｂはＯＦＤＭ−ＩＣ（Orthogonal Frequency Division Multiple access Integrated Circuit）、チップ部品１４０はインダクタ，コンデンサ，抵抗が該当する。この他、図中に記載していないが、ＬＰＦ（Low Pass Filter），水晶振動子などの部品の実装も行われ、これら半導体装置，部品は、プリント回路基板の表層および内層に形成された金属配線を介して、相互に電気的な接続がなされている。   The semiconductor device 120a shown in FIG. 10 corresponds to an RF-IC (Radio Frequency Integrated Circuit), the semiconductor device 120b corresponds to an OFDM-IC (Orthogonal Frequency Division Multiple access Integrated Circuit), and the chip component 140 corresponds to an inductor, a capacitor, and a resistor. In addition, although not shown in the figure, components such as an LPF (Low Pass Filter) and a crystal resonator are also mounted, and these semiconductor devices and components are formed on the surface layer and the inner layer of the printed circuit board. Electrical connections are made to each other through wiring.

金属製キャップは、金属板を切断，圧延，折り曲げ加工することで完成する。   A metal cap is completed by cutting, rolling, and bending a metal plate.

具体的な寸法，構成材料について説明する。   Specific dimensions and constituent materials will be described.

プリント回路基板は、メタル配線層６層を含む総厚０．３ｍｍのガラスエポキシ製の基板で、ダイシング時に６．７×６．７ｍｍの大きさに切断される。プリント回路基板の裏面側外周部には、基板実装前では高さ０．４ｍｍ，基板実装後には高さ０．３ｍｍとなるはんだでできた外部接続端子を備えている。   The printed circuit board is a glass epoxy board having a total thickness of 0.3 mm including six metal wiring layers, and is cut into a size of 6.7 × 6.7 mm during dicing. An outer connection terminal made of solder having a height of 0.4 mm before mounting on the substrate and a height of 0.3 mm after mounting on the substrate is provided on the outer peripheral portion on the back surface side of the printed circuit board.

ＲＦ−ＩＣをウエハレベルＣＳＰ（Chip Size Package）化しており、実装前の大きさは２．２×２．２ｍｍ，シリコン（ＩＣ）厚さ０．７５ｍｍである。   The RF-IC is made into a wafer level CSP (Chip Size Package), the size before mounting is 2.2 × 2.2 mm, and the silicon (IC) thickness is 0.75 mm.

また、ＯＦＤＭ−ＩＣもウエハレベルＣＳＰ化しており、大きさは２．８×２．８ｍｍ，シリコン（ＩＣ）厚さ０．２５ｍｍ，実装後の取り付け高さは０．３５ｍｍである。   Further, the OFDM-IC is also made into a wafer level CSP, the size is 2.8 × 2.8 mm, the silicon (IC) thickness is 0.25 mm, and the mounting height after mounting is 0.35 mm.

チップ部品らは、インダクタ，コンデンサ，抵抗で、通称０６０３部品（大きさ０．６×０．３ｍｍ×高さ０．３ｍｍ），または通称０４０２部品（大きさ０．４×０．４ｍｍ×高さ０．２ｍｍ）であり、実装後の取り付け高さは順に０．３５ｍｍ，０．２５ｍｍである。その他、ＬＰＦ（大きさ１．６×０．８ｍｍ×高さ０．４５ｍｍ）の取り付け高さは０．５ｍｍ、水晶振動子（大きさ１．６×１．２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍ）の取り付け高さは０．４ｍｍとなっており、樹脂の厚みが０．６ｍｍとなるように研磨することで、ＲＦ−ＩＣのシリコン面のみ露出するようになっている。   Chip parts are inductors, capacitors and resistors, commonly known as 0603 parts (size 0.6 x 0.3 mm x height 0.3 mm), or commonly known as 0402 parts (size 0.4 x 0.4 mm x height). 0.2 mm), and the mounting height after mounting is 0.35 mm and 0.25 mm in this order. In addition, the mounting height of LPF (size 1.6 x 0.8 mm x height 0.45 mm) is 0.5 mm, and the crystal resonator (size 1.6 x 1.2 mm x height 0.35 mm) The mounting height is 0.4 mm, and only the silicon surface of the RF-IC is exposed by polishing so that the thickness of the resin is 0.6 mm.

本発明は上述した各実施形態、実施例に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications can be made within the scope of the claims, and the technical means disclosed in different embodiments can be appropriately combined. Such embodiments are also included in the technical scope of the present invention.

本発明は、情報通信機器などの電子機器に利用され、半導体チップや半導体装置を含む半導体モジュールあるいは半導体モジュールの形態を為し、特に高周波デバイスを扱った通信機器に応用できる。   The present invention is used in electronic equipment such as information communication equipment, and takes the form of a semiconductor module or semiconductor module including a semiconductor chip or a semiconductor device, and is particularly applicable to communication equipment that handles high-frequency devices.

（ａ）は本発明における半導体モジュールの構成を示す斜視図であり、（ｂ）はその金属製キャップを実装する前の透視図である。(A) is a perspective view which shows the structure of the semiconductor module in this invention, (b) is a perspective view before mounting the metal cap. 本発明における半導体モジュールの製作過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacture process of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの製作過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacture process of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの製作過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacture process of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの製作過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacture process of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの製作過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacture process of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの製作過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacture process of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの製作過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacture process of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの製作過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacture process of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの製作過程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacture process of the semiconductor module in this invention. （ａ）は本発明における半導体装置の一例を示す断面図であり、（ｂ）はその斜視図であり、（ｃ）はその製造過程を示す斜視図である。(A) is sectional drawing which shows an example of the semiconductor device in this invention, (b) is the perspective view, (c) is a perspective view which shows the manufacturing process. （ａ）は本発明におけるシールド用金属製キャップの一例を示す斜視図であり、（ｂ）はさらに別の一例を示す斜視図である。(A) is a perspective view which shows an example of the metal cap for shielding in this invention, (b) is a perspective view which shows another example. 本発明における半導体モジュールの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the semiconductor module in this invention. 実施の形態２における半導体モジュールの基準電位部を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a reference potential portion of a semiconductor module in a second embodiment. 本発明における半導体モジュールの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the semiconductor module in this invention. 本発明における半導体モジュールの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the semiconductor module in this invention. （ａ）は本発明における半導体チップの一例を示す断面図であり、（ｂ）はその斜視図である。(A) is sectional drawing which shows an example of the semiconductor chip in this invention, (b) is the perspective view. （ａ）、（ｂ）は従来の半導体モジュールを示す斜視図であり、（ｃ）はその断面図である。(A), (b) is a perspective view which shows the conventional semiconductor module, (c) is the sectional drawing.

符号の説明Explanation of symbols

１００，２００，２１０，２２０，２３０、２４０ 半導体モジュール
１０２ プリント回路基板
１０３ プリント回路基板
１０４ａ メタル層（表面の配線）
１０４ｂ，１０４ｃ メタル層
１０４ｄ メタル層（裏面の配線）
１０５ａ 表面配線（表面の配線）
１０５ｂ 金属層（プリント回路基板金属層）
１０５ｄ 裏面配線（裏面の配線）
１０６ ベース基材
１０７ プリント回路基板
１０８ ビア部
１１０ 絶縁層
１１８ はんだペースト
１２０ａ，１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ 半導体装置（半導体チップ）
１２２ａ シリコン面（チップ上面）
１２２ｂ 電極パッド
１２２ｃ、１２２ｆ シリコン部
１２２ｄ 絶縁膜
１２２ｅ 金バンプ
１２４ａ，１２４ｂ 絶縁性保護膜
１２６ 配線
１２８ａ はんだ端子
１２９ 基準電位端子
１３０ 半導体ウエハ
１４０ チップ部品
１５０ アンダーフィル材
１６０ 樹脂（樹脂部）
１７０ 導電性ペースト（導電体）
１７２ 導電性ペースト（導電体）
１８０ａ，１８０ｂ，１８０ｃ，１８０ｄ 金属製キャップ
１８２ 折り曲げ部
１９０ 外部接続端子（外部接続部位）
１９１ 外部接続用パッド（外部接続部位） 100, 200, 210, 220, 230, 240 Semiconductor module 102 Printed circuit board 103 Printed circuit board 104a Metal layer (surface wiring)
104b, 104c Metal layer 104d Metal layer (rear wiring)
105a Surface wiring (surface wiring)
105b Metal layer (printed circuit board metal layer)
105d Back side wiring (back side wiring)
106 Base substrate 107 Printed circuit board 108 Via portion 110 Insulating layer 118 Solder paste 120a, 120b, 120c, 120d Semiconductor device (semiconductor chip)
122a Silicon surface (chip upper surface)
122b Electrode pads 122c, 122f Silicon part 122d Insulating film 122e Gold bumps 124a, 124b Insulating protective film 126 Wiring 128a Solder terminal 129 Reference potential terminal 130 Semiconductor wafer 140 Chip component 150 Underfill material 160 Resin (resin part)
170 Conductive paste (conductor)
172 Conductive paste (conductor)
180a, 180b, 180c, 180d Metal cap 182 Bending part 190 External connection terminal (external connection part)
191 External connection pad (external connection part)

Claims (17)

半導体チップ、または半導体チップから構成される半導体装置と、前記半導体チップまたは前記半導体装置が搭載されるプリント回路基板と、前記プリント回路基板上で、前記半導体チップまたは前記半導体装置を封止する樹脂部と、前記樹脂部の上部および側面を覆う金属製キャップとを備える半導体モジュールにおいて、
前記半導体チップまたは前記半導体装置の、プリント回路基板側とは反対側であるチップ上面の少なくとも一部の領域には前記樹脂部が存在せず、
前記チップ上面の前記樹脂部が存在しない領域の少なくとも一部の領域が、前記金属製キャップと接触していることを特徴とする半導体モジュール。 Semiconductor chip or semiconductor device composed of semiconductor chip, printed circuit board on which the semiconductor chip or the semiconductor device is mounted, and resin portion for sealing the semiconductor chip or the semiconductor device on the printed circuit board And a semiconductor module comprising a metal cap that covers the upper and side surfaces of the resin part,
The resin part does not exist in at least a part of the upper surface of the chip on the side opposite to the printed circuit board side of the semiconductor chip or the semiconductor device,
A semiconductor module, wherein at least a part of a region where the resin portion does not exist on the upper surface of the chip is in contact with the metal cap. 半導体チップ、または半導体チップから構成される半導体装置と、前記半導体チップまたは前記半導体装置が搭載されるプリント回路基板と、前記プリント回路基板上で、前記半導体チップまたは前記半導体装置を封止する樹脂部と、前記樹脂部の上部および側面を覆う金属製キャップとを備える半導体モジュールにおいて、
前記半導体チップまたは前記半導体装置の、プリント回路基板側とは反対側であるチップ上面の少なくとも一部の領域には前記樹脂部が存在せず、
前記チップ上面の前記樹脂部が存在しない領域の少なくとも一部の領域が、前記金属製キャップと導電体を介して接続していることを特徴とする半導体モジュール。 Semiconductor chip or semiconductor device composed of semiconductor chip, printed circuit board on which the semiconductor chip or the semiconductor device is mounted, and resin portion for sealing the semiconductor chip or the semiconductor device on the printed circuit board And a semiconductor module comprising a metal cap that covers the upper and side surfaces of the resin part,
The resin part does not exist in at least a part of the upper surface of the chip on the side opposite to the printed circuit board side of the semiconductor chip or the semiconductor device,
A semiconductor module, wherein at least a part of a region where the resin portion does not exist on the upper surface of the chip is connected to the metal cap via a conductor. 前記金属製キャップは、前記樹脂部の少なくとも一つの側面の一部で位置決めのために接触し位置合わせされていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体モジュール。   3. The semiconductor module according to claim 1, wherein the metal cap is in contact with and aligned with a part of at least one side surface of the resin portion for positioning. 4. 前記金属製キャップは、前記プリント回路基板の少なくとも一つの側面の一部、または前記樹脂部が形成された前記プリント回路基板の面とは反対側であるプリント回路基板裏面の端部、の少なくとも一方で位置決めのために接触し位置合わせされていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   The metal cap is at least one of a part of at least one side surface of the printed circuit board, or an end portion of the back surface of the printed circuit board opposite to the surface of the printed circuit board on which the resin portion is formed. 4. The semiconductor module according to claim 1, wherein the semiconductor module is contacted and aligned for positioning. 前記金属製キャップは、前記プリント回路基板裏面の配線に接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   5. The semiconductor module according to claim 1, wherein the metal cap is connected to a wiring on a back surface of the printed circuit board. 前記金属製キャップは、前記プリント回路基板表面の周囲の前記樹脂部が存在しない領域に配線された前記プリント回路基板表面の配線に接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   The said metal cap is connected to the wiring of the said printed circuit board surface wired by the area | region where the said resin part of the circumference | surroundings of the said printed circuit board surface does not exist, The one of Claim 1 to 4 characterized by the above-mentioned. The semiconductor module according to one item. 前記金属製キャップと、前記プリント回路基板裏面または表面の配線との接続は、はんだ、または導電性ペーストを介して行われていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体モジュール。   7. The semiconductor module according to claim 5, wherein the metal cap is connected to the wiring on the back surface or the front surface of the printed circuit board through solder or conductive paste. 8. . 前記金属製キャップと前記プリント回路基板裏面または表面の配線との接続、および、前記金属製キャップと前記チップ上面の接続は、導電性ペーストを介してそれぞれ行われることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体モジュール。   6. The connection between the metal cap and the wiring on the back surface or the front surface of the printed circuit board and the connection between the metal cap and the top surface of the chip are made through conductive paste, respectively. 6. The semiconductor module according to 6. 前記金属製キャップの上面の一部が前記チップ上面の方向に曲げられていることで、前記チップ上面の前記樹脂部が存在しない領域と、金属製キャップとが接触していることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体モジュール。   A part of the upper surface of the metal cap is bent in the direction of the upper surface of the chip, so that the region of the upper surface of the chip where the resin portion does not exist is in contact with the metal cap. The semiconductor module according to claim 5 or 6. 前記チップ上面の前記樹脂部が存在しない領域は、前記樹脂部の上面と同一平面上にあることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   9. The semiconductor module according to claim 1, wherein a region where the resin portion does not exist on the upper surface of the chip is on the same plane as the upper surface of the resin portion. 前記半導体チップまたは前記半導体装置の基準電位端子、前記チップ上面、前記基準電位端子が接続された前記プリント回路基板表面の配線、前記配線と接続され且つ電磁波をシールドするために層内の少なくとも半導体チップまたは半導体装置の実装位置がメタル化されたプリント回路基板金属層、前記金属製キャップ、前記プリント回路基板の下面に形成された外部接続部位、および前記金属製キャップが接続された前記プリント回路基板表面または裏面の配線が、電気的に接続されていることで基準電位となっていることを特徴とする請求項５から１０のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   Reference potential terminal of the semiconductor chip or semiconductor device, top surface of the chip, wiring on the surface of the printed circuit board to which the reference potential terminal is connected, at least a semiconductor chip in a layer connected to the wiring and shielded from electromagnetic waves Alternatively, the printed circuit board metal layer in which the mounting position of the semiconductor device is metalized, the metal cap, the external connection portion formed on the lower surface of the printed circuit board, and the printed circuit board surface to which the metal cap is connected The semiconductor module according to claim 5, wherein the wiring on the back surface is at a reference potential by being electrically connected. 前記半導体チップまたは前記半導体装置と前記プリント回路基板との間に、アンダーフィル材を備えることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   The semiconductor module according to claim 1, further comprising an underfill material between the semiconductor chip or the semiconductor device and the printed circuit board. 前記金属製キャップの少なくとも対向する二側面の少なくとも一部の領域が内側に曲げられており、曲げられた上記領域が弾性的に付勢することにより前記樹脂部または前記プリント回路基板の側面部と接触していることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   At least a partial region of at least two opposing side surfaces of the metal cap is bent inward, and the bent region elastically biases the resin portion or the side surface portion of the printed circuit board. The semiconductor module according to claim 1, wherein the semiconductor module is in contact with the semiconductor module. 前記半導体チップおよび前記半導体装置以外に、前記プリント回路基板の上面、下面、あるいは両方の面に、別の半導体チップ、別の半導体装置、その他の電子部品、あるいはそれらの組合せが搭載されていることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   In addition to the semiconductor chip and the semiconductor device, another semiconductor chip, another semiconductor device, another electronic component, or a combination thereof is mounted on the upper surface, the lower surface, or both surfaces of the printed circuit board. The semiconductor module according to claim 1, wherein: 請求項１０に記載の半導体モジュールの製造方法であって、
前記チップ上面は半導体素子が形成される面の反対側であり、
研削加工または研磨加工によって、前記チップ上面の前記樹脂部が存在しない領域と前記樹脂部の上面とを同一平面上に形成することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the semiconductor module according to claim 10,
The chip upper surface is opposite to the surface on which the semiconductor element is formed,
A method of manufacturing a semiconductor module, wherein a region where the resin portion does not exist on the upper surface of the chip and an upper surface of the resin portion are formed on the same plane by grinding or polishing. 請求項１から１４のいずれか一項に記載の半導体モジュールの製造方法であって、
複数の前記半導体モジュールを形成する、前記プリント回路基板、前記半導体チップまたは前記半導体装置、および前記樹脂部、は一つに繋がった前記プリント回路基板上に形成され、
前記樹脂部は、各半導体モジュールに対応するユニットごとに切断分離される前に、前記プリント回路基板上で一括して、モールド成型または印刷形成されることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor module according to any one of claims 1 to 14,
Forming the plurality of semiconductor modules, the printed circuit board, the semiconductor chip or the semiconductor device, and the resin portion are formed on the printed circuit board connected to one,
The method of manufacturing a semiconductor module, wherein the resin part is collectively molded or printed on the printed circuit board before being cut and separated for each unit corresponding to each semiconductor module. 複数の前記半導体モジュールを形成する、前記プリント回路基板、前記半導体チップまたは前記半導体装置、および前記樹脂部、は一つに繋がった前記プリント回路基板上に形成され、
前記樹脂部は、前記プリント回路基板上で一括して、モールド成型または印刷形成され、
各半導体モジュールは対応するユニットごとに切断分離されて形成されたことを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 Forming the plurality of semiconductor modules, the printed circuit board, the semiconductor chip or the semiconductor device, and the resin portion are formed on the printed circuit board connected to one,
The resin portion is collectively molded or printed on the printed circuit board,
The semiconductor module according to claim 1, wherein each semiconductor module is cut and separated for each corresponding unit.
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