KR20170006527A - Semiconductor package module - Google Patents

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KR20170006527A
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Abstract

A semiconductor package module according to an embodiment of the present invention includes a substrate on which an electronic component is mounted, and a shield can which includes a roof member provided on the upper side of the electronic component and a wall member provided on the edge part of the roof member, to be mounted on the substrate while receiving the electronic component inside. The substrate includes a combination groove into which the end part of the wall member is inserted, to support both sides of the wall member. Accordingly, the present invention can improve a combination force between the substrate and the shield can.

Description

반도체 패키지 모듈{Semiconductor package module}Semiconductor package module

본 발명은 반도체 패키지 모듈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 쉴드캔을 장착하는 발명에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package module, and more particularly, to an invention for mounting a shield can on a substrate.

반도체 패키지 모듈은 하나 이상의 전자부품이 기판에 탑재된 구조를 갖는다. 이러한 구조의 반도체 패키지 모듈은 탑재된 전자부품을 보호하기 위한 쉴드캔(Shield Can)을 별도로 구비한다. The semiconductor package module has a structure in which one or more electronic components are mounted on a substrate. The semiconductor package module having such a structure may additionally include a shield can for protecting the mounted electronic component.

그리고, 기존의 상기 쉴드캔은 기판의 표면에 실장되는 연결 구조(Surface Mount Technology)로 이루어져 있었다.In addition, the conventional shield can has a connection structure (Surface Mount Technology) mounted on the surface of the substrate.

이러한 구조의 경우에, 상기 쉴드캔을 기판의 표면에 결합시키기 위한 솔더링(soldering)이 수행되었다. In the case of this structure, soldering for bonding the shield can to the surface of the substrate was performed.

그런데, 솔더링을 기판에 표면에 하게 되면, 솔더링 물질이 차지하는 기판 표면상의 면적 증가로 인하여, 반도체 패키지 모듈의 크기가 커지는 문제가 있었다.However, when the soldering is performed on the surface of the substrate, there is a problem that the size of the semiconductor package module increases due to an increase in the area of the substrate surface occupied by the soldering material.

더욱이, 상기 솔더링 물질을 기판에 실장된 전자부품과 일정거리 이격시켜야 하므로, 반도체 패키지 모듈의 크기는 더욱 커지게 된다.Further, since the soldering material is spaced a certain distance from the electronic component mounted on the substrate, the size of the semiconductor package module becomes larger.

그리고, 상기 솔더링 물질은 상기 기판의 표면의 일면에만 결합되기 때문에, 상기 쉴드캔과 상기 기판 사이의 결합력이 작아지는 문제가 있었다.Since the soldering material is bonded only to one surface of the substrate, there is a problem that the bonding force between the shield can and the substrate is reduced.

더하여, 기존에는 상기 쉴드캔을 상기 기판의 측면에 결합하여 제공하는 개선 기술이 있었으나, 이러한 구조의 경우에도 기판 측면의 일면과만 쉴드캔이 솔더링 결합되기 때문에, 접합강도가 낮은 문제는 여전하였다. In addition, in the prior art, there has been an improvement technique in which the shield can is coupled to the side surface of the substrate. However, even in such a structure, the shield can is soldered to only one side of the substrate.

특히, 핸드폰에 구비되는 기판의 경우에, 상기 기판과 상기 쉴드캔 사이의 약한 결합력은 더욱 문제가 되었다. 즉, 핸드폰이 낙하여 큰 충격이 가해지는 경우가 빈번하기 때문에, 상기 기판과 상기 쉴드캔 사이의 약한 결합력은 핸드폰 자체의 고장 원인이 되기 때문이다.Particularly, in the case of a substrate provided in a cellular phone, a weak bonding force between the substrate and the shield can becomes more problematic. That is, since the cellular phone falls down and a large impact is frequently applied, the weak bonding force between the substrate and the shield can cause a failure of the cellular phone itself.

그리고, 상기 쉴드캔이 기판의 측면에 결합되는 경우에는, 상기 기판에는 하나의 쉴드캔만 결합될 수밖에 없는 한계가 있었다. 다시 말해, 기판의 측면에 결합되려면 기판의 측면 전체와 접하는 쉴드캔 하나만이 제공될 수 있는 한계가 있었던 것이다.In addition, when the shield can is coupled to the side surface of the substrate, there is a limitation that only one shield can can be coupled to the substrate. In other words, in order to be coupled to the side surface of the substrate, there was a limitation that only one shield can be provided which is in contact with the entire side surface of the substrate.

따라서, 전술한 문제를 해결하기 위한 반도체 패키지 모듈에 대한 연구가 필요하게 되었다.Therefore, research on a semiconductor package module for solving the above-mentioned problems has become necessary.

JPJP 2009-2779102009-277910 AA

본 발명의 목적은 기판과 쉴드캔의 결합력을 높일 수 있으며, 기판에 복수의 쉴드캔을 결합시킬 수 있는 반도체 패키지 모듈을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a semiconductor package module capable of increasing a coupling force between a substrate and a shield can, and capable of coupling a plurality of shield can to a substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈은 전자부품이 탑재되는 기판 및 상기 전자부품을 내부에 수용한 상태로 상기 기판에 장착되도록, 상기 전자부품의 상부에 제공되는 지붕부재와, 상기 지붕부재의 모서리 부분에 제공되는 벽부재를 구비하는 쉴드캔을 포함하며, 상기 기판은, 상기 벽부재의 단부가 삽입되어, 상기 벽부재의 양측면을 지지하게 형성되는 결합홈을 구비할 수 있다.A semiconductor package module according to an embodiment of the present invention includes a substrate on which electronic parts are mounted, a roof member provided on the electronic part so as to be mounted on the substrate while the electronic part is housed therein, And a shield can including a wall member provided at an edge portion of the wall member. The substrate may have an engaging groove formed to support both side surfaces of the wall member with an end of the wall member inserted.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈에서 상기 결합홈의 폭은 상기 벽부재의 두께보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.Further, in the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention, the width of the coupling groove may be larger than the thickness of the wall member.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 기판은 적어도 상기 벽부재 양측면과 상기 결합홈 사이에 솔더링 물질이 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.The substrate of the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention may be characterized in that a soldering material is formed between at least both sides of the wall member and the coupling groove.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 벽부재는 상기 결합홈에 삽입되며, 서로 이격 배치되는 복수의 톱니단부를 구비할 수 있다.Further, the wall member of the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention may include a plurality of tooth ends inserted into the coupling groove and spaced apart from each other.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 결합홈은 상기 벽부재의 형상에 대응하게, 연속된 형상의 긴 홈 또는 서로 이격 배치된 점선 형상으로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the coupling grooves of the semiconductor package module may be formed in a long groove of a continuous shape or a dotted line spaced apart from each other, corresponding to the shape of the wall member.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 기판은 상기 결합홈의 바닥면 및 측면 중 적어도 하나에 형성되어, 상기 벽부재와 전기적으로 연결되고, 그라운드(ground)와 연결되는 접지도선을 구비할 수 있다.Further, the substrate of the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention is formed on at least one of a bottom surface and a side surface of the coupling groove, and is electrically connected to the wall member, .

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 쉴드캔은 상기 기판 일면의 서로 다른 위치에 복수 개가 장착되는 것을 특징으로 할 수 있다.The shield can of the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention may be mounted at a plurality of different positions on one side of the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 쉴드캔은 상기 기판의 양면에 장착되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the shield can of the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention may be mounted on both sides of the substrate.

본 발명의 반도체 패키지 모듈에 의하면, 쉴드캔이 기판에 장착되는 면적을 감소시킬 수 있어서, 전자부품이 탑재되는 실장 면적을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.According to the semiconductor package module of the present invention, the area where the shield can is mounted on the substrate can be reduced, and the mounting area on which the electronic parts are mounted can be advantageously increased.

또한, 상기 쉴드캔과 상기 기판의 결합력을 높일 수 있는 효과도 가질 수 있다.In addition, it is possible to increase the coupling force between the shield can and the substrate.

그리고, 상기 기판의 적어도 일면에 상기 쉴드캔이 복수 개가 장착될 수 있는 이점도 가질 수 있다.Further, it is possible to have a plurality of shield cans mounted on at least one surface of the substrate.

도 1은 본 발명의 반도체 패키지 모듈을 도시한 정면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 반도체 패키지 모듈에서 결합홈 부분에 대한 실시예들을 도시한 정면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 반도체 패키지 모듈에서 기판을 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 패키지 모듈에서 쉴드캔의 일 실시예를 도시한 정면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 반도체 패키지 모듈이 복수 개의 쉴드캔을 포함하는 것을 도시한 정면도이다.1 is a front view showing a semiconductor package module of the present invention.
2A and 2B are front views showing embodiments of coupling groove portions in the semiconductor package module of the present invention.
3A and 3B are plan views showing a substrate in the semiconductor package module of the present invention.
4 is a front view showing an embodiment of a shield can in the semiconductor package module of the present invention.
5 and 6 are front views showing that the semiconductor package module of the present invention includes a plurality of shield cans.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventive concept. Other embodiments falling within the scope of the inventive concept may readily be suggested, but are also considered to be within the scope of the present invention.

또한, 각 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
The same reference numerals are used to designate the same components in the same reference numerals in the drawings of the embodiments.

도 1은 본 발명의 반도체 패키지 모듈을 도시한 정면도로써, 이를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈은 전자부품(E)이 탑재되는 기판(10) 및 상기 전자부품(E)을 내부에 수용한 상태로 상기 기판(10)에 장착되도록, 상기 전자부품(E)의 상부에 제공되는 지붕부재(21)와, 상기 지붕부재(21)의 모서리 부분에 제공되는 벽부재(22)를 구비하는 쉴드캔(20)을 포함하며, 상기 기판(10)은, 상기 벽부재(22)의 단부가 삽입되어, 상기 벽부재(22)의 양측면을 지지하게 형성되는 결합홈(11)을 구비할 수 있다.1 is a front view showing a semiconductor package module according to the present invention. Referring to FIG. 1, the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention includes a substrate 10 on which an electronic component E is mounted, A roof member 21 provided on an upper portion of the electronic component E so as to be mounted on the substrate 10 while being accommodated in the roof member 21 and a wall member 22 Wherein the substrate 10 has an engagement groove 11 in which the end portion of the wall member 22 is inserted to support both side surfaces of the wall member 22, .

다시 말해, 본 발명의 반도체 패키지 모듈은 쉴드캔(20)이 기판(10)에 장착되는 면적을 감소시키면서, 상기 쉴드캔(20)과 상기 기판(10)의 결합력을 높일 수 있도록, 결합홈(11)이 형성된 기판(10) 및 쉴드캔(20)을 포함할 수 있다.
That is, the semiconductor package module according to the present invention can reduce the mounting area of the shield can 20 to the substrate 10 and increase the coupling force between the shield can 20 and the substrate 10, 11 and a shield can 20 formed thereon.

상기 기판(10)은 전자부품(E)이 탑재되며, 상기 쉴드캔(20)이 장착되는 기본 베이스 부품이다.The board 10 is a basic base component on which the electronic component E is mounted and on which the shield can 20 is mounted.

특히, 상기 기판(10)은 상기 쉴드캔(20)이 장착될 수 있는 결합홈(11)이 형성됨으로서, 상기 쉴드캔(20)과의 결합력을 높이며, 상기 쉴드캔(20)이 장착되는 면적을 감소시킬 수 있다. 이와 같은 결합홈(11)에 대한 설명은 도 2a 내지 도 3b를 참조하여 자세히 후술한다.Particularly, the substrate 10 is provided with a coupling groove 11 in which the shield can 20 can be mounted, thereby increasing a coupling force with the shield can 20, and an area of the shield can 20 Can be reduced. The description of the coupling groove 11 will be described in detail later with reference to FIGS. 2A to 3B.

그리고, 상기 기판(10)은 경성 기판(10)일 수 있다. 일례로, 상기 기판(10)은 외부 충격에 의해 휨 변형이 거의 발생하지 않도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 기판(10)은 다수의 연성 기판(10)이 적층된 형태로 이루어질 수도 있다. The substrate 10 may be a rigid substrate 10. For example, the substrate 10 may be configured so that bending deformation hardly occurs due to an external impact. For example, the substrate 10 may be formed by stacking a plurality of the flexible substrates 10.

더하여, 상기 기판(10)은 절연재질로 이루어질 수 있다. 일례로, 상기 기판(10)은 플라스틱 등의 재질로 이루어질 수 있다. 그러나 기판(10)의 재질이 플라스틱으로 한정되는 것은 아니다. 일례로, 기판(10)은 세라믹 등의 재질로 변경될 수도 있다.In addition, the substrate 10 may be made of an insulating material. For example, the substrate 10 may be made of plastic or the like. However, the material of the substrate 10 is not limited to plastic. For example, the substrate 10 may be made of ceramic or the like.

또한, 상기 기판(10)에는 하나 이상의 회로 패턴이 형성될 수 있다. 일례로, 상기 기판(10)의 일면, 양면 또는 내부에는 복수의 전자부품(E)을 연결하도록 구성된 회로 패턴이 형성될 수 있다.Also, one or more circuit patterns may be formed on the substrate 10. For example, a circuit pattern configured to connect a plurality of electronic components E may be formed on one surface, both surfaces, or inside of the substrate 10. [

한편, 상기 전자부품(E)은 상기 기판(10)에 소정의 패턴에 따라 탑재될 수 있다. 일례로, 상기 전자부품(E)은 상기 기판(10)의 회로 패턴에 의해 연결 또는 분리되도록 탑재될 수 있다.
Meanwhile, the electronic component E may be mounted on the substrate 10 according to a predetermined pattern. For example, the electronic component E may be mounted to be connected or separated by a circuit pattern of the substrate 10. [

상기 쉴드캔(20)은 상기 전자부품(E)을 유해 전자파로부터 보호하는 역할을 할 수 있다.The shield can 20 protects the electronic component E from harmful electromagnetic waves.

일례로, 상기 기판(10)에는 복수의 전자부품(E)을 내부에 수용하도록 구성된 쉴드캔(20)이 탑재될 수 있다.For example, the substrate 10 may be equipped with a shield can 20 configured to house a plurality of electronic components E therein.

그리고, 상기 쉴드캔(20)은 유해 전자파를 용이하게 차단할 수 있도록 금속 재질로 제작될 수 있다. 그러나 상기 쉴드캔(20)의 재질이 금속으로 한정되는 것은 아니다. 일례로, 상기 쉴드캔(20)은 금속 분말을 포함한 합성 수지 재질로 제작될 수도 있다. The shield can 20 may be made of a metal material to easily block harmful electromagnetic waves. However, the material of the shield can 20 is not limited to metal. For example, the shield can 20 may be made of a synthetic resin material including metal powder.

또한, 상기 쉴드캔(20)은 상기 기판(10)에 의해 접지될 수 있다. 일례로, 상기 쉴드캔(20)의 적어도 일 부분은 기판(10)의 접지도선(12)과 연결될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 도 2a 및 도 2b를 참조하여 후술한다.Also, the shield can 20 can be grounded by the substrate 10. In one example, at least a portion of the shield can 20 may be connected to a ground lead 12 of the substrate 10. A detailed description thereof will be described later with reference to FIGS. 2A and 2B.

한편, 상기 쉴드캔(20)은 상기 기판(10)과의 결합을 더욱 용이하게 하기 위해서, 서로 이격 배치된 톱니 단부를 구비할 수 있는데, 이에 대한 자세한 설명은 도 4를 참조하여 후술한다.The shield can 20 may have toothed ends spaced apart from each other to facilitate coupling with the substrate 10. A detailed description thereof will be given later with reference to FIG.

그리고, 상기 쉴드캔(20)은 상기 기판(10)에 복수 개가 장착될 수 있으며, 특히 상기 기판(10)의 일면에 복수 개가 장착될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 도 5 및 도 6을 참조하여 후술한다.
A plurality of shield can 20 may be mounted on the substrate 10, and a plurality of shield can 20 may be mounted on one surface of the substrate 10. A detailed description thereof will be described later with reference to Figs. 5 and 6. Fig.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 반도체 패키지 모듈에서 결합홈(11) 부분에 대한 실시예들을 도시한 정면도이다. 여기서, 도 2a는 접지도선(12)이 결합홈(11)의 바닥면(11a)에만 형성된 실시예를 도시한 것이고, 도 2b는 접지도선(12)이 결합홈(11)의 바닥면(11a) 및 측면(11b)에 형성된 실시예를 도시한 것이다.2A and 2B are front views showing embodiments of the coupling groove 11 in the semiconductor package module of the present invention. 2A shows an embodiment in which the ground conductor 12 is formed only on the bottom surface 11a of the coupling groove 11 and FIG. 2B shows an embodiment in which the ground conductor 12 is formed on the bottom surface 11a And the side surface 11b.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈에서 상기 결합홈(11)의 폭(W)은 상기 벽부재(22)의 두께(t)보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.2A and 2B, the width W of the coupling groove 11 in the semiconductor package module according to the embodiment of the present invention is formed to be wider than the thickness t of the wall member 22 .

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 기판(10)은 적어도 상기 벽부재(22) 양측면과 상기 결합홈(11) 사이에 솔더링 물질(S)이 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.The substrate 10 of the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention may be characterized in that a soldering material S is formed at least between both sides of the wall member 22 and the coupling groove 11. [ have.

다시 말해, 상기 벽부재(22)가 상기 결합홈(11)에 삽입되어 상기 결합홈(11)에 결합되기 위해서, 상기 결합홈(11)의 폭(W)은 상기 벽부재(22)의 두께(t)보다 넓게 형성되고, 상기 솔더링 물질(S)은 상기 벽부재(22)의 양측면과 상기 결합홈(11) 사이에 결합되게 형성될 수 있는 것이다.In other words, in order for the wall member 22 to be inserted into the engaging groove 11 and to be engaged with the engaging groove 11, the width W of the engaging groove 11 is set to be larger than the thickness of the wall member 22 (t), and the soldering material S may be formed to be coupled between both sides of the wall member 22 and the coupling groove 11. [

일례로, 상기 벽부재(22)의 두께(t)가 0.1mm로 형성되는 경우에, 상기 결합홈(11)의 폭(W)은 0.2mm로 형성되는 것이 바람직하다.For example, when the thickness t of the wall member 22 is 0.1 mm, the width W of the coupling groove 11 is preferably 0.2 mm.

여기서, 상기 솔더링 물질(S)이 형성되는 높이는 20~30㎛로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 상기 벽부재(22)와 상기 결합홈(11) 사이의 결합력을 유지하기 위한 것이다.Here, the height of the soldering material S is preferably 20 to 30 占 퐉. This is for maintaining the binding force between the wall member 22 and the coupling groove 11. [

이에 의하면, 상기 결합홈(11)에 형성된 접지도선(12)과 상기 쉴드캔(20)이 전기적으로 연결됨으로써, 상기 쉴드캔(20)을 접지시킬 수 있게 된다.The shield can 20 can be grounded by electrically connecting the ground wire 12 formed in the coupling groove 11 and the shield can 20.

다시 말해, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 기판(10)은 접지도선(12)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 접지도선(12)은 상기 결합홈(11)의 바닥면(11a) 및 측면(11b) 중 적어도 하나에 형성되어, 상기 벽부재(22)와 전기적으로 연결되게 구비될 수 있는 것이다.In other words, the substrate 10 of the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention may include a ground conductor 12. The ground wire 12 may be formed on at least one of the bottom surface 11a and the side surface 11b of the coupling groove 11 so as to be electrically connected to the wall member 22.

그리고, 상기 결합홈(11)이 형성되는 깊이는 상기 솔더링 물질(S)이 형성된 높이의 두 배 이상으로 제공되는 것이 바람직하다. 이는 상기 솔더링 물질(S)이 상기 결합홈(11) 이외의 부분으로 누출되는 것을 방지하기 위함이다.
The depth at which the coupling groove 11 is formed is preferably at least twice the height of the soldering material S. This is to prevent the soldering material S from leaking to a portion other than the coupling groove 11. [

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 반도체 패키지 모듈에서 기판(10)을 도시한 평면도이다. 여기서 도 3a는 결합홈(11)이 연속되게 형성된 실시예를 도시한 것이고, 도 3b는 결합홈(11)이 서로 이격 배치된 점선 형상으로 형성된 실시예를 도시한 것이다.3A and 3B are plan views showing the substrate 10 in the semiconductor package module of the present invention. 3A shows an embodiment in which the coupling grooves 11 are continuously formed, and FIG. 3B shows an embodiment in which the coupling grooves 11 are formed in a dotted line shape spaced apart from each other.

다시 말해 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 결합홈(11)은 상기 벽부재(22)의 형상에 대응하게, 연속된 형상의 긴 홈 또는 서로 이격 배치된 점선 형상으로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.3A and 3B, the coupling groove 11 of the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention includes a long groove of a continuous shape or a long groove of a continuous shape corresponding to the shape of the wall member 22. In other words, And are formed in a dotted line shape spaced apart from each other.

여기서, 상기 결합홈(11)이 연속된 형상의 긴 홈으로 형성되는 경우는, 상기 결합홈(11)에 삽입되어 지지되는 상기 벽부재(22)의 단부가 연속되게 형성되어 제공되는 경우이다. Here, when the coupling groove 11 is formed as a continuous groove having a continuous shape, the end of the wall member 22 inserted and supported in the coupling groove 11 is continuously provided.

이러한 경우에는 상기 쉴드캔(20)을 더욱 견고하게 지지할 수 있다. 이에 의해서, 상기 쉴드캔(20)과 상기 기판(10) 사이의 결합력도 높일 수 있다. 그리고, 상기 기판(10)이 핸드폰 등의 디바이스(device) 장착되어는 경우에도, 낙하신뢰성을 향상시킬 수 있다. 즉, 상기 핸드폰의 낙하에 의한 충격에 의하더라도, 상기 기판(10)과 상기 쉴드캔(20) 사이의 결합력을 유지할 수 있어, 디바이스 전체의 내구성을 향상시킬 수 있는 것이다.In this case, the shield can 20 can be more firmly supported. As a result, the coupling force between the shield can 20 and the substrate 10 can be increased. In addition, even when a device such as a cellular phone is mounted on the substrate 10, dropping reliability can be improved. That is, even when the cellular phone is impacted by the drop, the coupling force between the substrate 10 and the shield can 20 can be maintained, and the durability of the entire device can be improved.

그리고, 상기 결합홈(11)이 서로 이격 배치된 점선 형상의 홈으로 형성되는 경우는, 상기 결합홈(11)에 삽입되어 지지되는 상기 벽부재(22)의 단부가 서로 이격 배치된 톱니단부(23)로 형성되어 제공되는 경우이다. 상기 톱니단부(23)에 대한 설명은 도 4를 참조하여 자세히 후술한다.
When the engaging grooves 11 are formed as dotted grooves spaced apart from each other, the end portions of the wall members 22, which are inserted into the engaging grooves 11, 23, respectively. The toothed end portion 23 will be described in detail later with reference to Fig.

도 4는 본 발명의 반도체 패키지 모듈에서 쉴드캔(20)의 일 실시예를 도시한 정면도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 벽부재(22)는 상기 결합홈(11)에 삽입되며, 서로 이격 배치되는 복수의 톱니단부(23)를 구비할 수 있다.4 is a front view showing an embodiment of the shield can 20 in the semiconductor package module of the present invention. 4, the wall member 22 of the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention may have a plurality of toothed ends 23 inserted into the coupling grooves 11 and spaced apart from one another have.

다시 말해, 상기 벽부재(22)의 단부의 형상의 일례로써 톱니단부(23)를 제시한 것이다. 상기 톱니단부(23)의 형상은 톱니의 형상과 유사하게 형성된 단부의 형상이다.In other words, the toothed end portion 23 is shown as an example of the shape of the end portion of the wall member 22. The shape of the toothed end 23 is the shape of the end formed similarly to the shape of the toothed portion.

이와 같은 톱니단부(23)의 형상에 의하면, 상기 결합홈(11)과의 결합되는 부분을 줄일 수 있으며, 상기 기판(10)에 형성되는 상기 결합홈(11)의 면적을 줄일 수 있다.
According to the shape of the toothed end 23, a portion to be coupled with the coupling groove 11 can be reduced, and the area of the coupling groove 11 formed in the substrate 10 can be reduced.

도 5 및 도 6은 본 발명의 반도체 패키지 모듈이 복수 개의 쉴드캔(20)을 포함하는 것을 도시한 정면도이다. 여기서, 도 5는 쉴드캔(20)이 기판(10)의 일면에 복수 개가 장창된 실시예를 도시한 것이고, 도 6은 쉴드캔(20)이 기판(10)의 양면에 장착된 실시예를 도시한 것이다.5 and 6 are front views showing that the semiconductor package module of the present invention includes a plurality of shield cans 20. Fig. 5 shows an embodiment in which a plurality of shield can 20 are mounted on one side of the substrate 10 and FIG. 6 shows an embodiment in which the shield can 20 is mounted on both sides of the substrate 10 Respectively.

다시 말해, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 쉴드캔(20)은 상기 기판(10) 일면의 서로 다른 위치에 복수 개가 장착되는 것을 특징으로 할 수 있다.In other words, the shield can 20 of the semiconductor package module according to the embodiment of the present invention may be mounted at a plurality of different positions on one side of the substrate 10.

이와 같이, 상기 쉴드캔(20)이 상기 기판(10) 상에 복수 개가 장착되는 것은, 전자부품(E)의 기능별로 구분된 섹터들마다 전자파 차폐의 필요성이 있기 때문이다.The reason why the shield can 20 is mounted on the board 10 in this way is that it is necessary to shield electromagnetic waves for each of the sectors classified by function of the electronic component E.

다시 말해, 본 발명에서는 기판(10) 적어도 일면에 결합홈(11)을 형성하기 때문에 차폐하려는 섹터를 구분하여 결합홈(11)을 형성하고, 상기 결합홈(11)에 대응되게 형성된 쉴드캔(20)을 장착하여 섹터마다 차폐할 수 있다.In other words, according to the present invention, since the coupling groove 11 is formed on at least one surface of the substrate 10, the sector to be shielded is divided to form the coupling groove 11, and the shield can 20 can be mounted and shielded for each sector.

그러나, 기존의 구조 중에서, 기판의 측면에 쉴드캔을 결합시키는 경우에는, 하나의 기판에 하나의 쉴드캔만 결합할 수밖에 없어, 본 발명과 같이 하나의 기판(10)에 복수 개의 쉴드캔(20)을 장착할 수 없다. 즉, 기존에는 기능에 따른 섹터별로 차폐할 수 없는 한계가 있었으나, 본 발명에서는 이를 극복할 수 있는 것이다.However, in the conventional structure, when the shield can is coupled to the side surface of the substrate, only one shield can is required to be connected to one substrate, and a plurality of shield can (20 ) Can not be installed. In other words, there has been a limit that can not be shielded by sectors according to functions, but the present invention can overcome this limitation.

그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 모듈의 상기 쉴드캔(20)은 상기 기판(10)의 양면에 장착되는 것을 특징으로 할 수 있다.The shield can 20 of the semiconductor package module according to an embodiment of the present invention may be mounted on both sides of the substrate 10.

이에 의하면, 상기 기판(10)의 양면에 모두 전자부품(E)을 실장할 수 있어서, 상기 전자부품(E)이 실장되는 기판(10)의 평면 넓이를 줄일 수 있게 된다.
In this case, the electronic parts E can be mounted on both sides of the substrate 10, and the planar area of the substrate 10 on which the electronic parts E are mounted can be reduced.

이와 같이, 본 발명의 반도체 패키지 모듈은 기판(10)에 쉴드캔(20)을 장착한 발명에 관한 것으로, 쉴드캔(20)이 기판(10)에 장착되는 면적을 감소시킬 수 있어서, 전자부품(E)이 탑재되는 실장 면적을 증가시킬 수 있다.As described above, the semiconductor package module of the present invention relates to the invention in which the shield can 20 is mounted on the substrate 10, and the area where the shield can 20 is mounted on the substrate 10 can be reduced, It is possible to increase the mounting area on which the electronic component E is mounted.

또한, 상기 쉴드캔(20)과 상기 기판(10)의 결합력을 높일 수 있으며, 상기 기판(10)의 적어도 일면에 상기 쉴드캔(20)을 복수 개 장착시킬 수 있다.In addition, the coupling force between the shield can 20 and the substrate 10 can be increased, and a plurality of the shield can 20 can be mounted on at least one surface of the substrate 10.

10: 기판 11: 결합홈
12: 접지도선 20: 쉴드캔
21: 지붕부재 22: 벽부재
23: 톱니단부10: substrate 11: engaging groove
12: Grounding wire 20: Shielded can
21: roof member 22: wall member
23: Toothed end

Claims (8)

전자부품이 탑재되는 기판; 및
상기 전자부품을 내부에 수용한 상태로 상기 기판에 장착되도록, 상기 전자부품의 상부에 제공되는 지붕부재와, 상기 지붕부재의 모서리 부분에 제공되는 벽부재를 구비하는 쉴드캔;
을 포함하며,
상기 기판은,
상기 벽부재의 단부가 삽입되어, 상기 벽부재의 양측면을 지지하게 형성되는 결합홈;
을 구비하는 반도체 패키지 모듈.A substrate on which electronic parts are mounted; And
A shield can including a roof member provided on an upper portion of the electronic component so as to be mounted on the substrate while the electronic component is housed therein, and a wall member provided on an edge portion of the roof member;
/ RTI >
Wherein:
An engaging groove inserted into an end of the wall member to support both side surfaces of the wall member;
And a semiconductor package. 제1항에 있어서,
상기 결합홈의 폭은, 상기 벽부재의 두께보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a width of the coupling groove is larger than a thickness of the wall member. 제2항에 있어서,
상기 기판은,
적어도 상기 벽부재 양측면과 상기 결합홈 사이에 솔더링 물질이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.3. The method of claim 2,
Wherein:
Wherein a soldering material is formed at least between both side surfaces of the wall member and the engaging groove. 제1항에 있어서,
상기 벽부재는 상기 결합홈에 삽입되며, 서로 이격 배치되는 복수의 톱니단부;
를 구비하는 반도체 패키지 모듈.The method according to claim 1,
The wall member being inserted into the engaging groove and having a plurality of toothed ends spaced apart from each other;
And a semiconductor package. 제1항에 있어서,
상기 결합홈은, 상기 벽부재의 형상에 대응하게, 연속된 형상의 긴 홈 또는 서로 이격 배치된 점선 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the engagement groove is formed in a long groove of a continuous shape or a dotted line shape spaced apart from each other in correspondence with the shape of the wall member. 제1항에 있어서,
상기 기판은,
상기 결합홈의 바닥면 및 측면 중 적어도 하나에 형성되어, 상기 벽부재와 전기적으로 연결되고, 그라운드(ground)와 연결되는 접지도선;
을 구비하는 반도체 패키지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein:
A grounding wire formed on at least one of a bottom surface and a side surface of the coupling groove, the grounding wire being electrically connected to the wall member and connected to a ground;
And a semiconductor package. 제1항에 있어서,
상기 쉴드캔은 상기 기판 일면의 서로 다른 위치에 복수 개가 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the shield can is mounted at a plurality of different positions on one side of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 쉴드캔은 상기 기판의 양면에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the shield can is mounted on both sides of the substrate.
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