JP2003197980A - 金属基板を具えた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属基板の高導熱性により半導体装置の信頼
度と使用寿命を増進する金属基板を具えた半導体装置の
製造方法の提供。 【解決手段】 本発明の金属基板を具えた半導体装置の
製造方法によると、半導体基板を提供し暫時基板となす
ステップと、続いて少なくとも一つの半導体層を半導体
基板の上に形成するステップと、金属基板を半導体層の
上に形成するステップと、最後に半導体基板を除去する
ステップと、を少なくとも含む。金属基板の高導熱性に
より半導体装置の信頼度と使用寿命を増進する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の構造及
び製造方法に係り、特に光学半導体装置の構造と製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置はすでに広く各種の電子製品
に使用され、例えばＣＰＵ、メモリ、マイクロウエーブ
装置、発光装置に使用されている。

【０００３】半導体装置の発熱方面を考えると、熱は半
導体装置の温度を上昇させ、半導体装置の信頼度を減ら
し使用寿命を短縮させうる。このほか、発光ダイオー
ド、エッジ発光レーザー、面発光レーザーに係わらず、
装置の発光効率は悪くなりうる。ＡｌＧａＩｎＰ型発光
ダイオードを例に挙げると、その発光原理は、エネルギ
ーバンドの電子を直接バンドギャップによりホールと結
合させることにより、光線を発生させることにある。温
度上昇時に、一部の電子はＸエネルギーバンド間接バン
ドギャップにジャンプしさらにホールと結合し熱を発生
し、内部の量子効率の低下により、最終的に発光効率が
温度の上昇に伴い下がる。

【０００４】伝統的な発光ダイオードに関しては、その
使用する基板は、そのバンドギャップが発光層のバンド
ギャップより小さく、このため発光層の発生した光を吸
収して、装置の光出力効率を下げる。図１のＡｌＧａＩ
ｎＰダブルヘテロ接合発光ダイオードエピタキシャル結
晶片の側面図を例とすると、ｎ型ＧａＡｓ基板１１０の
上にｎ型（Ａｌ_X Ｇａ_1-X ）_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐ層１１２を
エピタキシャル成長させ、続いてさらに一層のノンドー
プ（Ａｌ_X Ｇａ_1-X ）_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐの発光層１１４
（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を成長
させ、その後さらにｐ型（Ａｌ_X Ｇａ_1-X ）_0.5 Ｉｎ
_0.5 Ｐ層１１６を成長させ、そのうちｘは各層中のアル
ミニウムの化学比例を表示する。この符号１１２、１１
４、１１６の層はいわゆるダブルヘテロ接合構造を形成
し、発光ダイオードの主要な発光領域とされる。最後に
さらにｐ型Ａｌ_X Ｇａ_1-X Ａｓ或いはＧａＰの電流拡散
層（ｓｐｒｅａｄｉｎｇ ｃｕｒｒｅｎｔ ｌａｙｅ
ｒ）１１８を成長させて、ｐ領域電流の横向き導通の能
力を強化して電流が均一にダブルヘテロ接合構造を通過
するようにし、こうして発光ダイオードのエピタキシャ
ル結晶作業を完成する。そのうち、発光層１１４中のｘ
の比率は発生する光の波長を決定し、ｎ型層１１２及び
ｐ型層１１６及び電流拡散層１１８の比率は発生する光
がこれらの三層に吸収されないようにする必要がある。
この構造により、上下のエピタキシャル層１１２及び１
１６及び電流拡散層１１８は光を吸収しないがしかし、
ＧａＡｓ基板１１０が光を吸収しうるため、この状況下
で、若干の下向きに射出された光がＧａＡｓ基板１１０
に吸収されて、発光装置の発光効率が大幅に低下した。

【０００５】最近、発光ダイオード基板の吸光性の問題
に対して、いくつかの解決方法が提供されている。第１
種の方式は、直接発光ダイオード装置を非吸光性基板に
成長させる方法である。しかし、基板の結晶の格子定数
は半導体発光装置のエピタキシャル層の格子常数と近く
なければならず、このためこの方法は基板の選択を制限
した。第２種の方式は、発光ダイオード構造層と基板の
間に先にブラッグ反射面（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂ
ｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＤＢＲ）を成長させ、
その後、さらに発光ダイオード構造を該ブラッグ反射面
の上に成長させる。しかしブラッグ反射面は垂直に近く
入射する光しか反射できず、その他の非垂直に入射する
光線は、相当な部分がブラッグ反射層を通過して基板に
吸収されるため、発光効率の増加は限られていた。

【０００６】第３種の方法は、暫時性の基板を利用する
ことであり、それは吸光性基板とされ、エピタキシャル
成長後に除去する。この状況下で、暫時性基板の上にま
ず一層の厚い透光と導電の透光層を成長させて永久性の
基板とし、その後、さらにこの透光基板の上に発光ダイ
オード構造をエピタキシャル成長させ、最後に暫時性基
板を研磨、或いはエッチング、或いはウエハーリフトオ
フ（ｗａｆｅｒ ｌｉｆｔ ｏｆｆ）の方式で除去す
る。しかし通常発光装置の構造は皆、相当に薄く且つ脆
いため、透光の永久性基板の厚さは相当に厚くなければ
ならず、エピタキシャル片がこれによりその他の後続の
工程に耐えることができ、これによりこのようなＬＥＤ
製造率は低く、且つ製造コストは依然として極めて高か
った。

【０００７】ＬＥＤ品質に対し、もう一つの考慮しなけ
ればならない問題は、発光ダイオード電流分布である。
図２のｎ型基板で製造した発光ダイオードチップ側面図
に示されるように、通常、Ａｕ／Ｇｅの成分を含むｎ型
オームコンタクト１３０はｎ型基板１３２の背後にあ
る。発光層１３４は主要な発光構造とされ、それはモノ
ヘテロ接合或いはダブルヘテロ接合或いは多重ウエル構
造とされる。ｐ型の透光電流拡散層１３６層は発光層１
３４の上にあり、その上はｐ型オームコンタクトボンデ
ィングパッド１３８とされ、通常それはＡｕ／Ｂｅ或い
はＡｕ／Ｚｎの成分を含む。電流がｐ型オームコンタク
トボンディングパッド１３８より透光電流拡散層１３６
に流れる時、一部の電流はまずこの層にあって横向きに
流動してその後にさらに発光層１３４に進入し光線を発
生する。一部の電流はｐ型オームコンタクトボンディン
グパッド１３８より透光電流拡散層１３６に流れる時に
直接下向きに流れて発光層１３４に至り光線を発生する
が、しかし一部の光線は上向きに射出時にｐ型オームコ
ンタクトボンディングパッド１３８に突き当たりチップ
外部にでることができない。このため、この一部の電流
が無効な電流となり、使用量が減少する。この問題を解
決するため、電極の下方の電流阻止（ｃｕｒｒｅｎｔ
ｂｌｏｃｋｉｎｇ）により電流がｐ型オームコンタクト
ボンディングパッド１３８より透光電流拡散層１３６に
流れる時に直接下向きに発光層１３４へと流れないよう
にしなければならない。現在比較的知られた解決方法
は、ｎ型基板で製造したチップを例に挙げると、図３の
チップの側面図に示されるように、ｎ型の電流阻止構造
１４０と透光電流拡散層１３６（ｐ型）の異なる電性を
利用し、電流阻止の目的を達成する。この構造を形成す
るには現在二つの方法があり、第１種はツーステップエ
ピタキシャル法であり、即ち順にエピタキシャル発光層
１３４と電流阻止構造を形成し、エピタキシャルをチャ
ンバ外に取り出し、電流阻止構造をエッチングしｎ型電
流阻止構造１４０を形成し、その名落ち、さらにチップ
をエピタキシャルチャンバ内に入れてさらに透光の電流
拡散層１３６を形成する。この方式は比較的容易にエピ
タキシャルチャンバが汚染され、将来のエピタキシャル
品質に影響を与えるおそれがあった。第２種の方法は領
域選択性拡散を利用する方法であり、この方法は比較的
簡単でコストが低いが制御しにくかった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述の発明の背景を鑑
み、伝統的な発光ダイオードの発生する数々の欠点に対
して、本発明の主要な目的は、一種の金属基板を具えた
半導体装置の製造方法を提供し、金属基板の代わりに半
導体基板を採用し、金属基板の高導熱性、高導電性を利
用し、半導体装置の信頼度と使用寿命を増進し、半導体
光学装置の光出力効率を増加できるようにすることにあ
る。

【０００９】本発明のもう一つの目的は、半導体発光装
置に対して、鏡面に類似の面或いは粗い面を金属層と半
導体の間に形成する方法を提供することにあり、この表
面は金属／半導体界面で形成するか、或いは屈折率差異
の形成する表面を利用し、この表面を利用して半導体発
光装置の発光層を下向きに流れる光線を新たに案内して
それを装置表面より離脱させて発光効率を増加する。

【００１０】本発明のさらにもう一つの目的は、金属基
板の技術を利用し、発光ダイオード発光層の下に電流阻
止構造を形成し、電流阻止の目的を達成し、発光ダイオ
ードの発光効率を増加することにある。

【００１１】本発明のさらに一つの目的は、金属基板を
形成する方法を提供することにあり、金属を利用し暫時
性の基板として半導体中の一層の薄膜を取り外し、後続
のその他の用途に供する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、金属
基板を具えた半導体装置の製造方法において、半導体基
板を提供するステップと、少なくとも一つの半導体層を
該半導体基板の上に形成するステップと、該金属基板を
半導体層の上に形成するステップと、該半導体基板を除
去するステップと、を少なくとも含むことを特徴とす
る、金属基板を具えた半導体装置の製造方法としてい
る。請求項２の発明は、前記金属基板が金属を蒸着して
形成され、該金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、ア
ルミニウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の
金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれ
かとされたことを特徴とする、請求項１に記載の金属基
板を具えた半導体装置の製造方法としている。請求項３
の発明は、前記金属基板が金属をスパッタして形成さ
れ、該金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、アルミニ
ウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の金属の
合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれかとさ
れたことを特徴とする、請求項１に記載の金属基板を具
えた半導体装置の製造方法としている。請求項４の発明
は、前記金属基板が低温フォーミング可能な金属を溶融
した後、該低温フォーミング可能な金属を半導体層の上
にシャワーして形成され、この低温フォーミング可能な
金属が、インジウム、鉛、錫、或いは以上の金属の合
金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれかとされ
たことを特徴とする、請求項１に記載の金属基板を具え
た半導体装置の製造方法としている。請求項５の発明
は、前記金属基板が少なくとも一つの低温フォーミング
可能な金属とその他の金属を溶融してなる金属で形成さ
れたことを特徴とする、請求項１に記載の金属基板を具
えた半導体装置の製造方法としている。請求項６の発明
は、前記金属基板が金属を電気メッキする方法で形成さ
れ、この金属が、銅、ニッケル、金、パラジウム、白
金、上述の金属の合金、或いは上述の金属の合金の組合
せのいずれかとされたことを特徴とする、請求項１に記
載の金属基板を具えた半導体装置の製造方法としてい
る。請求項７の発明は、前記金属基板が金属を無電極電
気メッキする方法で形成され、この金属が、銅、ニッケ
ル、金、パラジウム、白金、上述の金属の合金、或いは
上述の金属の合金の組合せのいずれかとされたことを特
徴とする、請求項１に記載の金属基板を具えた半導体装
置の製造方法としている。請求項８の発明は、半導体装
置の製造方法において、半導体基板を提供するステップ
と、少なくとも一つの半導体層を該半導体基板の上に形
成するステップと、暫時性基板を該半導体層の第１側に
形成するステップと、該半導体基板を除去するステップ
と、永久性基板を該半導体層の第２側に形成するステッ
プと、該暫時性基板を除去するステップと、を少なくと
も含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法として
いる。請求項９の発明は、前記暫時性基板が金属を蒸着
して形成され、該金属が、金、白金、パラジウム、亜
鉛、アルミニウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは
以上の金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せの
いずれかとされたことを特徴とする、請求項８に記載の
半導体装置の製造方法としている。請求項１０の発明
は、前記暫時性基板が金属をスパッタして形成され、該
金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、アルミニウム、
ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の金属の合金、
或いは以上の金属の合金の組合せのいずれかとされたこ
とを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置の製造方
法としている。請求項１１の発明は、前記暫時性基板
が、低温フォーミング可能な金属を溶融した後、該低温
フォーミング可能な金属を半導体層の上にシャワーして
形成され、この低温フォーミング可能な金属が、インジ
ウム、鉛、錫、或いは以上の金属の合金、或いは以上の
金属の合金の組合せのいずれかとされたことを特徴とす
る、請求項８に記載の半導体装置の製造方法としてい
る。請求項１２の発明は、前記暫時性基板が少なくとも
一つの低温フォーミング可能な金属とその他の金属を溶
融してなる金属で形成されたことを特徴とする、請求項
８に記載の半導体装置の製造方法としている。請求項１
３の発明は、前記暫時性基板が金属を電気メッキする方
法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、金、パラジ
ウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述の金属の合
金の組合せのいずれかとされたことを特徴とする、請求
項８に記載の半導体装置の製造方法としている。請求項
１４の発明は、前記暫時性基板が金属を無電極電気メッ
キする方法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、
金、パラジウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述
の金属の合金の組合せのいずれかとされたことを特徴と
する、請求項８に記載の半導体装置の製造方法としてい
る。請求項１５の発明は、前記永久性基板が金属を蒸着
して形成され、該金属が、金、白金、パラジウム、亜
鉛、アルミニウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは
以上の金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せの
いずれかとされたことを特徴とする、請求項８に記載の
半導体装置の製造方法としている。請求項１６の発明
は、前記永久性基板が金属をスパッタして形成され、該
金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、アルミニウム、
ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の金属の合金、
或いは以上の金属の合金の組合せのいずれかとされたこ
とを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置の製造方
法としている。請求項１７の発明は、前記永久性基板
が、低温フォーミング可能な金属を溶融した後、該低温
フォーミング可能な金属を半導体層の上にシャワーして
形成され、この低温フォーミング可能な金属が、インジ
ウム、鉛、錫、或いは以上の金属の合金、或いは以上の
金属の合金の組合せのいずれかとされたことを特徴とす
る、請求項８に記載の半導体装置の製造方法としてい
る。請求項１８の発明は、前記永久性基板が少なくとも
一つの低温フォーミング可能な金属とその他の金属を溶
融してなる金属で形成されたことを特徴とする、請求項
８に記載の半導体装置の製造方法としている。請求項１
９の発明は、前記永久性基板が金属を電気メッキする方
法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、金、パラジ
ウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述の金属の合
金の組合せのいずれかとされたことを特徴とする、請求
項８に記載の半導体装置の製造方法としている。請求項
２０の発明は、前記永久性基板が金属を無電極電気メッ
キする方法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、
金、パラジウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述
の金属の合金の組合せのいずれかとされたことを特徴と
する、請求項８に記載の半導体装置の製造方法としてい
る。請求項２１の発明は、金属基板を具えた発光ダイオ
ードの製造方法において、半導体基板を提供するステッ
プと、複数の半導体層で組成されたエピタキシャル層を
該半導体基板の上に形成するステップと、金属オームコ
ンタクトを該エピタキシャル層の上に形成するステップ
と、金属基板を該金属オームコンタクトの上に形成する
ステップと、該半導体基板を除去するステップと、オー
ムコンタクトボンディングワイヤをエピタキシャル層の
下に形成するステップと、を少なくとも含むことを特徴
とする、金属基板を具えた発光ダイオードの製造方法と
している。請求項２２の発明は、前記金属基板が金属を
蒸着して形成され、該金属が、金、白金、パラジウム、
亜鉛、アルミニウム、ニッケル、チタン、クロム、或い
は以上の金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せ
のいずれかとされたことを特徴とする、請求項２１に記
載の金属基板を具えた発光ダイオードの製造方法として
いる。請求項２３の発明は、前記金属基板が金属をスパ
ッタして形成され、該金属が、金、白金、パラジウム、
亜鉛、アルミニウム、ニッケル、チタン、クロム、或い
は以上の金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せ
のいずれかとされたことを特徴とする、請求項２１に記
載の金属基板を具えた発光ダイオードの製造方法として
いる。請求項２４の発明は、前記金属基板が低温フォー
ミング可能な金属を溶融した後、該低温フォーミング可
能な金属を半導体層の上にシャワーして形成され、この
低温フォーミング可能な金属が、インジウム、鉛、錫、
或いは以上の金属の合金、或いは以上の金属の合金の組
合せのいずれかとされたことを特徴とする、請求項２１
に記載の金属基板を具えた発光ダイオードの製造方法と
している。請求項２５の発明は、前記金属基板が少なく
とも一つの低温フォーミング可能な金属とその他の金属
を溶融してなる金属で形成されたことを特徴とする、請
求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオードの製
造方法としている。請求項２６の発明は、前記金属基板
が金属を電気メッキする方法で形成され、この金属が、
銅、ニッケル、金、パラジウム、白金、上述の金属の合
金、或いは上述の金属の合金の組合せのいずれかとされ
たことを特徴とする、請求項２１に記載の金属基板を具
えた発光ダイオードの製造方法としている。請求項２７
の発明は、前記金属基板が金属を無電極電気メッキする
方法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、金、パラ
ジウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述の金属の
合金の組合せのいずれかとされたことを特徴とする、請
求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオードの製
造方法としている。請求項２８の発明は、前記製造方法
において、ブラッグ反射面がエピタキシャル層と金属オ
ームコンタクトの間に形成され、反射率を増加し発光効
率を高めたことを特徴とする、請求項２１に記載の金属
基板を具えた発光ダイオードの製造方法としている。請
求項２９の発明は、前記製造方法において、エピタキシ
ャル層と該金属オームコンタクトの間の全部或いは局部
に非吸光層を形成するステップを含み、該非吸光層の屈
折率がエピタキシャル層の屈折率より小さく、これによ
り反射率を増加して発光効率を高め、この非吸光層が、
Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、ＳｎＯ₂ 、ＩＴＯ、ＨｆＯ₂ 、ＭｇＯ、Ｓ
ｉＯ、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ_X 、ＴｉＯ、ＴｉＯ₂ 、ＴｉＯ
_X 、Ｔｉ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｔａ₂
Ｏ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ のいずれかとされることを特徴とす
る、請求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオー
ドの製造方法としている。請求項３０の発明は、前記製
造方法において、エピタキシャル層と金属オームコンタ
クトの間に粗い面を形成して上向きの光線をガイドして
発光効率を高めることを特徴とする、請求項２１に記載
の金属基板を具えた発光ダイオードの製造方法としてい
る。請求項３１の発明は、前記製造方法において、エピ
タキシャル層を形成する時、半絶縁層を該エピタキシャ
ル層と金属オームコンタクトの間に局部形成し、該半絶
縁層がオームコンタクトボンディングワイヤの上方に位
置して電流阻止層とされて下向きに発射される光線を阻
止し、発光効率を高めることを特徴とする、請求項２１
に記載の金属基板を具えた発光ダイオードの製造方法と
している。請求項３２の発明は、前記製造方法におい
て、エピタキシャル層を形成する時、第２導電性の半導
体層を該エピタキシャル層と金属オームコンタクトの間
に局部形成し、該半導体層がオームコンタクトボンディ
ングワイヤの上方に位置して電流阻止層とされて下向き
に発射される光線を阻止し、発光効率を高めることを特
徴とする、請求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダ
イオードの製造方法としている。請求項３３の発明は、
前記製造方法において、イオン注入法により、エピタキ
シャル層と金属オームコンタクトの間に半絶縁層を局部
形成し、該半絶縁層がオームコンタクトボンディングワ
イヤの上方に位置して電流阻止層とされて下向きに発射
される光線を阻止し、発光効率を高めることを特徴とす
る、請求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオー
ドの製造方法としている。請求項３４の発明は、前記製
造方法において、エピタキシャル層と金属オームコンタ
クトの間に絶縁層を局部形成し、該絶縁層がオームコン
タクトボンディングワイヤの上方に位置して電流阻止層
とされて下向きに発射される光線を阻止し、発光効率を
高めることを特徴とする、請求項２１に記載の金属基板
を具えた発光ダイオードの製造方法としている。請求項
３５の発明は、前記製造方法において、エピタキシャル
層と金属オームコンタクトの間に非オームコンタクト領
域を局部形成し、該非オームコンタクト領域がオームコ
ンタクトボンディングワイヤの上方に位置して電流阻止
層とされて下向きに発射される光線を阻止し、発光効率
を高めることを特徴とする、請求項２１に記載の金属基
板を具えた発光ダイオードの製造方法としている。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の金属基板を具えた半導体
装置の製造方法によると、半導体基板を提供し暫時基板
となすステップと、続いて少なくとも一つの半導体層を
半導体基板の上に形成するステップと、金属基板を半導
体層の上に形成するステップと、最後に半導体基板を除
去するステップと、を少なくとも含む。金属基板の高導
熱性により半導体装置の信頼度と使用寿命を増進する。

【００１４】

【実施例】本発明の半導体設計は広く多くの半導体設計
中に応用され、並びに多くの異なる半導体材料の製造に
利用可能であり、ｎ型エピタキシャル基板のＡｌＧａＩ
ｎＰ型ダブルヘテロ接合発光ダイオードを基本の装置と
して本発明の実施例の説明を行うが、この発明の属する
技術における通常の知識を有する者であれば熟知するよ
うに、多くのステップを改変可能であり、材料、不純物
も交換可能であり、これらの一般に行われる交換は本発
明の精神及び範疇より離脱しないものとする。

【００１５】次に本発明の図の説明は以下に詳しくなさ
れるが、本発明の実施例を説明するとき、表示される半
導体構造の断面図は半導体工程中にあって一般の比率に
依らず局部拡大して説明に有利とし、これは限定の認知
に該当しない。このほか、実際の製造中、長さ、幅及び
深さの三次元空間寸法を含む。

【００１６】本発明の金属基板を具えた半導体装置の製
造方法によると、半導体基板を提供し暫時基板となすス
テップと、続いて少なくとも一つの半導体層を半導体基
板の上に形成するステップと、金属基板を半導体層の上
に形成するステップと、最後に半導体基板を除去するス
テップと、を少なくとも含む。金属基板の高導熱性によ
り半導体装置の信頼度と使用寿命を増進する。

【００１７】図４のエピタキシャル片の側面図を例に挙
げると、適当なウエハを基板６０となし、基板６０は将
来の装置完成時に除去され、これによりこの基板６０は
ｎ型或いはｐ型或いは半絶縁、透光性或いは吸光性基板
のいずれであってもよく、そのポイントは良好な発光ダ
イオードを成長させられることにある。ｎ型ＧａＡｓ基
板の欠陥は比較的少なく且つ格子定数がＡｌＧａＩｎＰ
型発光ダイオードと一致するため、それは吸光性基板と
されるが、一般にはｎ型ＧａＡｓ基板が使用される。こ
の基板６０の上にさらに順にＬＥＤ層６２、６４、６６
を順に成長させる。ＬＥＤ層６４はダブルヘテロ接合構
造を形成するためであるが、説明すべきは、本発明はま
たその他の種類のＬＥＤ装置にも適用可能であることで
ある。

【００１８】基板６０の上にＬＥＤ層６２を成長させ、
それはｎ型ＡｌＧａＡｓ或いはＡｌＧａＩｎＰの透光性
の電流拡散層とされ、その後、さらにその上にＡｌＧａ
ＩｎＰダブルヘテロ接合構造の層６４を成長させ、その
後、さらに成長させるＬＥＤ層６６は、ｐ型の透光性の
ＧａＰ或いはＡｌＧａＡｓ或いは極薄吸光層、例えばＧ
ａＡｓ層とされ、後続工程で良好なオームコンタクトを
形成するのに供する。

【００１９】上述のエピタキシャル作業を完成したら、
即ちその上に一層の金属オームコンタクト６８を形成す
る。それは一層のＡｕ／Ｂｅ或いはＡｕ／Ｚｎのメッキ
を利用し並びに高温アニールにより達成する。しかし、
垂直導通不要の半導体装置或いは金属基板が直接半導体
とオームコンタクトを形成する装置に対しては、金属オ
ームコンタクト６８は不要で、半導体装置を直接金属基
板７０とＬＥＤ層６６の間に形成する。この金属オーム
コンタクト６８を完成した後、この金属の上に一層の金
属基板７０を形成して永久性基板となす。金属は半導体
に較べて破裂しにくく、このためこの金属基板７０の厚
さは２０ｕｍ以上であれば十分に半導体エピタキシャル
層を指示して破裂させないが、しかし、一般に使用され
る基板の厚さとすることも可能である。

【００２０】この金属基板７０の形成の方式は、一般の
半導体工程の方式で、蒸着、スパッタにより、金、白
金、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、チタン、クロム或
いはその合金或いはそれらの複合層で形成される。或い
は低温フォーミング可能な金属、例えばインジウム、
鉛、錫或いはその合金を溶融させた後に、それを金属オ
ームコンタクト６８或いは半導体層表面（即ち上述のエ
ピタキシャル半導体層）にシャワーして金属基板７０を
形成する。或いは低温フォーミング可能な金属を粘着剤
とし、もう一片の金属を金属オームコンタクト６８或い
は半導体層表面に粘着して厚い金属基板７０を形成す
る。

【００２１】さらに、電気メッキ方式も利用でき、金属
オームコンタクト６８或いは直接半導体層表面を利用し
て陰極電極とし、金属基板７０を電気メッキにより金属
オームコンタクト６８或いは半導体層表面に形成しう
る。その材料は、例えば銅、ニッケル、クロム、亜鉛、
錫、金、銀とされる。銅を例とすると、電気メッキは硫
酸銅に加硫加水し電気メッキ液を形成し、その後、陽極
に銅を連接し並びに電気メッキ液中に入れ、陰極を金属
オームコンタクト６８或いは半導体層に連接し、並びに
電気メッキ液中に入れ、通電後に銅の金属基板７０を形
成す。うもう一つの例はニッケルを使用し、電気メッキ
は硫酸ニッケルに塩化ニッケル、硼酸、水を加えて電気
メッキ液を形成し、その後、陽極にニッケルを連接し並
びに電気メッキ液中に入れ、陰極に金属オームコンタク
ト６８或いは半導体層を連接して電気メッキ液中に入
れ、通電後にニッケルの金属基板７０を形成する。さら
に、さらに無電極電気メッキ方法を利用でき、金属基板
７０を堆積させ、その材料は、例えば銅、ニッケル、
金、白金、パラジウムとされる。その原理は金属イオン
を溶液中に溶かし、還元剤を添加して金属イオンを金属
イオンに還元し、並びに金属オームコンタクト６８或い
は半導体層の上に堆積させて、金属基板７０を形成す
る。金属基板７０完成後に、選択性エッチング、研磨或
いはウエハーリフトオフの方式を利用してＧａＡｓ基板
を除去する。

【００２２】上述の工程を完成した後、このウエハーの
上下を逆転させると、図５のようになり、そのうち基板
がすでに金属基板７０に改められているほか、その他の
構造は一般の発光ダイオードエピタキシャル片と一致
し、図５の金属基板のエピタキシャル片を形成した後、
このエピタキシャル片に対して素子工程を行い、正面金
属オームコンタクトボンディングパッドを形成する。こ
れは図６に示されるとおりである。

【００２３】その後、ダイシングを行い、各ダイを分離
すれば、金属基板の発光ダイオード装置が完成する。各
ダイの正面図は図７に示されるようである。金属基板７
０の高導熱性により発光ダイオードがさらに高い信頼度
を獲得し、さらに図６中の金属オームコンタクト６８と
ＬＥＤ層６６（ｐ型透光性のＧａＰ或いはＡｌＧａＡｓ
或いは極薄のＧａＡｓ層）の界面によりダブルヘテロ接
合の発生する光を反射するが、しかしこの界面は高温ア
ニールの工程を経ているため、反射率の加工をもたら
す。この界面の反射率を改善するため、比較的低温でオ
ームコンタクトの金属を図６に示される金属オームコン
タクト６８の代わりに形成するほか、図６中の金属オー
ムコンタクト６８とＬＥＤ層６４（ダブルヘテロ構造）
の間にブラッグ反射面を加えるか、或いは粗い面の方法
を利用し、図６に示される金属オームコンタクト６８と
ｐ型層６６の界面を製造時に、研磨或いはその他の方式
でそれを粗い面となして、光の進行方向を改変して発光
効率を増加し、又は図６の金属オームコンタクト６８と
層６６界面間の部分或いは全面に屈折率がＬＥＤ層６６
の屈折率より低い不吸光物質を加え、光線を高屈折率か
ら低い屈折率で入射する時に、全反射の現象を有するよ
うにして発光効率を増加する方法を採用する。このよう
な低屈折率の材料は、例えば、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、ＳｎＯ₂ 、
ＩＴＯ、ＨｆＯ ₂ 、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ
_X 、ＴｉＯ、ＴｉＯ₂ 、ＴｉＯ_X 、Ｔｉ ₂ Ｏ₃ 、Ｚｎ
Ｏ、ＺｎＳ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ とさ
れる。電流阻止を利用して発光ダイオードの発光効率を
増加する方面にあっては、この金属基板技術を利用する
と極めて容易に電流阻止を達成できる。第１種の方法
は、図８に示されるように、層６６と金属オームコンタ
クト６８の間に一層の電流阻止層７９を加えることで、
その位置は正面金属オームコンタクトボンディングパッ
ド７８の下方とされて、電流阻止層とされる。この電流
阻止層７９はエピタキシャル時に形成する半絶縁層を利
用し、さらに後続工程を利用し形成する。或いは層６６
と異なる導電性の半導体層を形成した後に構造工程を利
用して形成する。この電流阻止層７９は或いはイオンレ
イアウトにより形成する。このほか、ＬＥＤ層６６との
間にオームコンタクトを形成不能の金属層もまた電流阻
止層７９とされうる。

【００２４】第２種の電流阻止層形成の方法は図９に示
されるとおりであり、正面金属オームコンタクトボンデ
ィングパッド７８の下方の層６６をエッチングして除去
し、これにより正面金属オームコンタクトボンディング
パッド７８の下方の金属オームコンタクト６８が層６６
と接触しないようにし、その間に非オームコンタクトを
形成でき、電流流通を阻止して電流阻止の目的を達成す
る。以上の方法は、いずれも極めて高い電流阻止効果を
達成でき、これにより発光効率を増加する目的を達成す
る。

【００２５】このほか、上述の金属基板の技術で取り外
したウエハーはそのエピタキシャル層の順序が上下反対
であり、これによりエピタキシャル時に、この方面を考
慮する必要があり、製造上注意が必要である。このほ
か、二回本発明の金属基板技術を応用可能である。即
ち、第１金属基板は暫時性基板となし、さらに例えば再
度金属基板の技術を利用すればこの状況を防止できる。
例えば図１０に示されるように、金属基板８０は、その
目的が暫時性基板とされ、一部領域８２は金属基板技術
を利用し半導体ウエハーより取り外したある一部分であ
り、これにより、金属基板８０と一部領域８２の間の界
面は元来半導体ウエハーの上方とされる。このとき、再
度金属基板の技術を利用し、一部領域８２の上方に永久
性基板８４を形成し、その後、エッチング或いは電気分
解の方式を利用し暫時性金属基板８０を除去し、さらに
このウエハーを上下逆とし、こうしてエピタキシャル層
が上下逆となる状況を発生しないようにする。これによ
り、金属基板の技術は単純にウエハーの一部の取り外し
に用いることができ、即ち金属基板が暫時性の基板とさ
れ、ウエハーのある必要な部分を取り外した後にさらに
その他の用途に使用する。

【００２６】以上の実施例は本発明の実施範囲を限定す
るものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或
いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものと
する。

【００２７】

【発明の効果】本発明の金属基板を具えた半導体装置の
製造方法によると、半導体基板を提供し暫時基板となす
ステップと、続いて少なくとも一つの半導体層を半導体
基板の上に形成するステップと、金属基板を半導体層の
上に形成するステップと、最後に半導体基板を除去する
ステップと、を少なくとも含む。金属基板の高導熱性に
より半導体装置の信頼度と使用寿命を増進する。

【図面の簡単な説明】

【図１】伝統的な方法で形成した発光ダイオードの断面
図である。

【図２】伝統的な方法で形成したボンディングパッドを
含むダイオードの断面図である。

【図３】伝統的な方法で形成した電流阻止層を含むダイ
オードの断面図である。

【図４】伝統的な方法で形成した比較的厚い金属層を含
むダイオードの断面図である。

【図５】本発明の方法で形成した厚い金属基板を暫時基
板の代わりに採用したダイオードの断面図である。

【図６】本発明の方法で形成した若干のボンディングパ
ッドを含むダイオードの断面図である。

【図７】本発明の方法で形成したダイオードの正面図で
ある。

【図８】本発明の方法で形成した電流阻止層を含むダイ
オードの断面図である。

【図９】本発明の方法で形成したもう一種の電流阻止層
を含むダイオードの断面図である。

【図１０】本発明の方法で形成した厚い金属基板を暫時
基板の代わりに採用したダイオードの断面図である。

【符号の説明】 ６０ 基板 ６２ ＬＥＤ層 ６４ ＬＥＤ層 ６６ ＬＥＤ層 ６８ 金属オームコンタクト ７０ 金属基板 ７８ 正面金属オームコンタクトボンディングパッド ８０ 金属基板 ８２ 一部領域 ８４ 永久性基板 １１０ ｎ型ＧａＡｓ基板 １１２ ｎ型（Ａｌ_X Ｇａ_1-X ）_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐ層 １１４ ノンドープｎ型（Ａｌ_X Ｇａ_1-X ）_0.5 Ｉｎ
_0.5 Ｐ発光層 １１６ ｐ型（Ａｌ_X Ｇａ_1-X ）_0.5 Ｉｎ_0.5 Ｐ層 １１８ ｐ型電流拡散層 １３０ ｎ型オームコンタクト １３２ ｎ型基板 １３４ 発光層 １３６ ｐ型の透光電流拡散層 １３８ ｐ型オームコンタクトボンディングパッド １４０ 電流阻止構造

フロントページの続き (72)発明者 易 乃冠 台湾桃園縣龍潭郷凌雲村千城路170號 (72)発明者 陳 建安 台湾台北縣新莊市民安西路245巷10弄15號 ５樓 Ｆターム(参考） 4K044 BA02 BA06 BA08 BA10 BB06 BC14 CA13 CA14 CA17 CA18 5F041 AA03 AA33 CA46 CB15

Claims (35)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属基板を具えた半導体装置の製造方法
   において、 半導体基板を提供するステップと、 少なくとも一つの半導体層を該半導体基板の上に形成す
   るステップと、 該金属基板を半導体層の上に形成するステップと、 該半導体基板を除去するステップと、 を少なくとも含むことを特徴とする、金属基板を具えた
   半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記金属基板が金属を蒸着して形成さ
   れ、該金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、アルミニ
   ウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の金属の
   合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれかとさ
   れたことを特徴とする、請求項１に記載の金属基板を具
   えた半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記金属基板が金属をスパッタして形成
   され、該金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、アルミ
   ニウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の金属
   の合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれかと
   されたことを特徴とする、請求項１に記載の金属基板を
   具えた半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記金属基板が低温フォーミング可能な
   金属を溶融した後、該低温フォーミング可能な金属を半
   導体層の上にシャワーして形成され、この低温フォーミ
   ング可能な金属が、インジウム、鉛、錫、或いは以上の
   金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれ
   かとされたことを特徴とする、請求項１に記載の金属基
   板を具えた半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記金属基板が少なくとも一つの低温フ
   ォーミング可能な金属とその他の金属を溶融してなる金
   属で形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の金
   属基板を具えた半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記金属基板が金属を電気メッキする方
   法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、金、パラジ
   ウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述の金属の合
   金の組合せのいずれかとされたことを特徴とする、請求
   項１に記載の金属基板を具えた半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記金属基板が金属を無電極電気メッキ
   する方法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、金、
   パラジウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述の金
   属の合金の組合せのいずれかとされたことを特徴とす
   る、請求項１に記載の金属基板を具えた半導体装置の製
   造方法。
8. 【請求項８】 半導体装置の製造方法において、 半導体基板を提供するステップと、 少なくとも一つの半導体層を該半導体基板の上に形成す
   るステップと、 暫時性基板を該半導体層の第１側に形成するステップ
   と、 該半導体基板を除去するステップと、 永久性基板を該半導体層の第２側に形成するステップ
   と、 該暫時性基板を除去するステップと、 を少なくとも含むことを特徴とする、半導体装置の製造
   方法。
9. 【請求項９】 前記暫時性基板が金属を蒸着して形成さ
   れ、該金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、アルミニ
   ウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の金属の
   合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれかとさ
   れたことを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置の
   製造方法。
10. 【請求項１０】 前記暫時性基板が金属をスパッタして
    形成され、該金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、ア
    ルミニウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の
    金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれ
    かとされたことを特徴とする、請求項８に記載の半導体
    装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記暫時性基板が、低温フォーミング
    可能な金属を溶融した後、該低温フォーミング可能な金
    属を半導体層の上にシャワーして形成され、この低温フ
    ォーミング可能な金属が、インジウム、鉛、錫、或いは
    以上の金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せの
    いずれかとされたことを特徴とする、請求項８に記載の
    半導体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記暫時性基板が少なくとも一つの低
    温フォーミング可能な金属とその他の金属を溶融してな
    る金属で形成されたことを特徴とする、請求項８に記載
    の半導体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記暫時性基板が金属を電気メッキす
    る方法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、金、パ
    ラジウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述の金属
    の合金の組合せのいずれかとされたことを特徴とする、
    請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記暫時性基板が金属を無電極電気メ
    ッキする方法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、
    金、パラジウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述
    の金属の合金の組合せのいずれかとされたことを特徴と
    する、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記永久性基板が金属を蒸着して形成
    され、該金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、アルミ
    ニウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の金属
    の合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれかと
    されたことを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置
    の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記永久性基板が金属をスパッタして
    形成され、該金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、ア
    ルミニウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の
    金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれ
    かとされたことを特徴とする、請求項８に記載の半導体
    装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記永久性基板が、低温フォーミング
    可能な金属を溶融した後、該低温フォーミング可能な金
    属を半導体層の上にシャワーして形成され、この低温フ
    ォーミング可能な金属が、インジウム、鉛、錫、或いは
    以上の金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せの
    いずれかとされたことを特徴とする、請求項８に記載の
    半導体装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記永久性基板が少なくとも一つの低
    温フォーミング可能な金属とその他の金属を溶融してな
    る金属で形成されたことを特徴とする、請求項８に記載
    の半導体装置の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記永久性基板が金属を電気メッキす
    る方法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、金、パ
    ラジウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述の金属
    の合金の組合せのいずれかとされたことを特徴とする、
    請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記永久性基板が金属を無電極電気メ
    ッキする方法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、
    金、パラジウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述
    の金属の合金の組合せのいずれかとされたことを特徴と
    する、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
21. 【請求項２１】 金属基板を具えた発光ダイオードの製
    造方法において、 半導体基板を提供するステップと、 複数の半導体層で組成されたエピタキシャル層を該半導
    体基板の上に形成するステップと、 金属オームコンタクトを該エピタキシャル層の上に形成
    するステップと、 金属基板を該金属オームコンタクトの上に形成するステ
    ップと、 該半導体基板を除去するステップと、 オームコンタクトボンディングワイヤをエピタキシャル
    層の下に形成するステップと、 を少なくとも含むことを特徴とする、金属基板を具えた
    発光ダイオードの製造方法。
22. 【請求項２２】 前記金属基板が金属を蒸着して形成さ
    れ、該金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、アルミニ
    ウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の金属の
    合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれかとさ
    れたことを特徴とする、請求項２１に記載の金属基板を
    具えた発光ダイオードの製造方法。
23. 【請求項２３】 前記金属基板が金属をスパッタして形
    成され、該金属が、金、白金、パラジウム、亜鉛、アル
    ミニウム、ニッケル、チタン、クロム、或いは以上の金
    属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいずれか
    とされたことを特徴とする、請求項２１に記載の金属基
    板を具えた発光ダイオードの製造方法。
24. 【請求項２４】 前記金属基板が低温フォーミング可能
    な金属を溶融した後、該低温フォーミング可能な金属を
    半導体層の上にシャワーして形成され、この低温フォー
    ミング可能な金属が、インジウム、鉛、錫、或いは以上
    の金属の合金、或いは以上の金属の合金の組合せのいず
    れかとされたことを特徴とする、請求項２１に記載の金
    属基板を具えた発光ダイオードの製造方法。
25. 【請求項２５】 前記金属基板が少なくとも一つの低温
    フォーミング可能な金属とその他の金属を溶融してなる
    金属で形成されたことを特徴とする、請求項２１に記載
    の金属基板を具えた発光ダイオードの製造方法。
26. 【請求項２６】 前記金属基板が金属を電気メッキする
    方法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、金、パラ
    ジウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述の金属の
    合金の組合せのいずれかとされたことを特徴とする、請
    求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオードの製
    造方法。
27. 【請求項２７】 前記金属基板が金属を無電極電気メッ
    キする方法で形成され、この金属が、銅、ニッケル、
    金、パラジウム、白金、上述の金属の合金、或いは上述
    の金属の合金の組合せのいずれかとされたことを特徴と
    する、請求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオ
    ードの製造方法。
28. 【請求項２８】 前記製造方法において、ブラッグ反射
    面がエピタキシャル層と金属オームコンタクトの間に形
    成され、反射率を増加し発光効率を高めたことを特徴と
    する、請求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオ
    ードの製造方法。
29. 【請求項２９】 前記製造方法において、エピタキシャ
    ル層と該金属オームコンタクトの間の全部或いは局部に
    非吸光層を形成するステップを含み、該非吸光層の屈折
    率がエピタキシャル層の屈折率より小さく、これにより
    反射率を増加して発光効率を高め、この非吸光層が、Ｉ
    ｎ₂ Ｏ₃ 、ＳｎＯ₂ 、ＩＴＯ、ＨｆＯ ₂ 、ＭｇＯ、Ｓｉ
    Ｏ、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ_X 、ＴｉＯ、ＴｉＯ₂ 、ＴｉＯ
    _X 、Ｔｉ ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｔａ₂
    Ｏ₃ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ のいずれかとされることを特徴とす
    る、請求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオー
    ドの製造方法。
30. 【請求項３０】 前記製造方法において、エピタキシャ
    ル層と金属オームコンタクトの間に粗い面を形成して上
    向きの光線をガイドして発光効率を高めることを特徴と
    する、請求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオ
    ードの製造方法。
31. 【請求項３１】 前記製造方法において、エピタキシャ
    ル層を形成する時、半絶縁層を該エピタキシャル層と金
    属オームコンタクトの間に局部形成し、該半絶縁層がオ
    ームコンタクトボンディングワイヤの上方に位置して電
    流阻止層とされて下向きに発射される光線を阻止し、発
    光効率を高めることを特徴とする、請求項２１に記載の
    金属基板を具えた発光ダイオードの製造方法。
32. 【請求項３２】 前記製造方法において、エピタキシャ
    ル層を形成する時、第２導電性の半導体層を該エピタキ
    シャル層と金属オームコンタクトの間に局部形成し、該
    半導体層がオームコンタクトボンディングワイヤの上方
    に位置して電流阻止層とされて下向きに発射される光線
    を阻止し、発光効率を高めることを特徴とする、請求項
    ２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオードの製造方
    法。
33. 【請求項３３】 前記製造方法において、イオン注入法
    により、エピタキシャル層と金属オームコンタクトの間
    に半絶縁層を局部形成し、該半絶縁層がオームコンタク
    トボンディングワイヤの上方に位置して電流阻止層とさ
    れて下向きに発射される光線を阻止し、発光効率を高め
    ることを特徴とする、請求項２１に記載の金属基板を具
    えた発光ダイオードの製造方法。
34. 【請求項３４】 前記製造方法において、エピタキシャ
    ル層と金属オームコンタクトの間に絶縁層を局部形成
    し、該絶縁層がオームコンタクトボンディングワイヤの
    上方に位置して電流阻止層とされて下向きに発射される
    光線を阻止し、発光効率を高めることを特徴とする、請
    求項２１に記載の金属基板を具えた発光ダイオードの製
    造方法。
35. 【請求項３５】 前記製造方法において、エピタキシャ
    ル層と金属オームコンタクトの間に非オームコンタクト
    領域を局部形成し、該非オームコンタクト領域がオーム
    コンタクトボンディングワイヤの上方に位置して電流阻
    止層とされて下向きに発射される光線を阻止し、発光効
    率を高めることを特徴とする、請求項２１に記載の金属
    基板を具えた発光ダイオードの製造方法。