JP2003197842A - Semiconductor device, method and device for manufacturing it, circuit board and electronic equipment - Google Patents

Semiconductor device, method and device for manufacturing it, circuit board and electronic equipment

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JP2003197842A
JP2003197842A JP2001400231A JP2001400231A JP2003197842A JP 2003197842 A JP2003197842 A JP 2003197842A JP 2001400231 A JP2001400231 A JP 2001400231A JP 2001400231 A JP2001400231 A JP 2001400231A JP 2003197842 A JP2003197842 A JP 2003197842A
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semiconductor device
manufacturing
film
lead
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Hitoshi Inoue
仁 井上
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Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability and production efficiency of a product in forming a lead. <P>SOLUTION: Related to a method for manufacturing a semiconductor device, a sealing part 30 supporting a plurality of outer leads 24 is set on a mold 50. The outer lead 24 set on the mold 50 is covered with a film 60. The film 60 is made to stick fast to the mold 50, and the outer lead 24 is formed into the shape of the mold 50. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、半導
体装置の製造方法及び製造装置、回路基板並びに電子機
器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, a semiconductor device manufacturing method and device, a circuit board, and an electronic device.

【0002】[0002]

【発明の背景】半導体パッケージの1つの形態として、
QFP(Quad Flat Package)型などのように、リード
フレームを使用したパッケージが知られている。この半
導体パッケージでは、アウターリードが封止部の端部か
ら突出している。アウターリードは、メッキ後に所定の
形状にフォーミングされることが多い。
BACKGROUND OF THE INVENTION As one form of a semiconductor package,
A package using a lead frame is known, such as a QFP (Quad Flat Package) type. In this semiconductor package, the outer leads protrude from the end of the sealing portion. The outer leads are often formed into a predetermined shape after plating.

【0003】従来、フォーミング工程は、アウターリー
ドを一方の金型にセットし、ポンチなどの他方の金型を
プレスして行っていた。これによれば、金型によってア
ウターリードに衝撃を加えるので、アウターリードの金
属皮膜(メッキの皮膜)が剥がれることがあった。これ
により、実装時の接続強度の低下、アウターリードの腐
食、剥がれた金属くずによるアウターリード間のショー
トなどの半導体装置の不良を招くことがあった。また、
定期的に行われる金型のクリーニング回数も多くなるな
ど、金型の管理が煩雑であった。
Conventionally, the forming process has been carried out by setting the outer lead in one die and pressing the other die such as a punch. According to this, since the outer lead is impacted by the mold, the metal film (plating film) of the outer lead may be peeled off. As a result, a semiconductor device may be defective, such as a decrease in connection strength during mounting, corrosion of the outer leads, and a short circuit between the outer leads due to peeled metal scrap. Also,
The management of the mold was complicated, for example, the number of times the mold was regularly cleaned was increased.

【0004】本発明は、上述した課題を解決するための
ものであり、その目的は、製品の信頼性及び生産効率を
向上させて、リードをフォーミングすることにある。
The present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and an object thereof is to improve the reliability and production efficiency of products and form leads.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】(1)本発明に係る半導
体装置の製造方法は、複数のアウターリードを支持する
封止部を型にセットし、フィルムによって前記型にセッ
トされた前記アウターリードを覆い、前記型に前記フィ
ルムを吸着させて、前記型の形状に前記アウターリード
をフォーミングすることを含む。
(1) In a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a sealing portion that supports a plurality of outer leads is set in a mold, and the outer leads are set in the mold by a film. And adsorbing the film to the mold to form the outer lead into the shape of the mold.

【0006】本発明によれば、型にフィルムを吸着させ
ることによって、アウターリードをフォーミングする。
吸着されるとフィルムは、型の形状に追従してアウター
リードに重なるので、アウターリードを簡単にフォーミ
ングすることができる。
According to the present invention, the outer lead is formed by adsorbing the film to the mold.
When the film is adsorbed, the film follows the shape of the mold and overlaps the outer leads, so that the outer leads can be easily formed.

【0007】これによって、アウターリードに加えられ
る衝撃が緩和されるので、例えば、アウターリードの表
面の金属皮膜が剥がれるのを防止でき、装置の信頼性を
向上させることができる。また、フィルムを大きくすれ
ば、複数の封止部のアウターリードを一括してフォーミ
ングできるので、生産効率を向上させることができる。
As a result, the impact applied to the outer leads is alleviated, so that the metal coating on the surface of the outer leads can be prevented from peeling off, and the reliability of the device can be improved. In addition, if the film is made large, the outer leads of the plurality of sealing portions can be collectively formed, so that the production efficiency can be improved.

【0008】(2)この半導体装置の製造方法におい
て、前記型には、複数の孔が形成され、前記型の前記孔
を介して気体を吸引することによって、前記フィルムを
吸着させてもよい。
(2) In this method of manufacturing a semiconductor device, a plurality of holes may be formed in the mold, and the film may be adsorbed by sucking gas through the holes of the mold.

【0009】(3)この半導体装置の製造方法におい
て、前記型を囲む領域で前記フィルムを押さえて、前記
フィルムを吸着させてもよい。
(3) In this method of manufacturing a semiconductor device, the film may be sucked by pressing the film in a region surrounding the mold.

【0010】これによって、例えば、型とフィルムとの
間の気体を簡単に吸引することができる。したがって、
フィルムを確実に型に吸着させることができる。
As a result, for example, the gas between the mold and the film can be easily sucked. Therefore,
The film can be surely adsorbed to the mold.

【0011】(4)この半導体装置の製造方法におい
て、前記フォーミング工程前に、前記アウターリードを
メッキすることをさらに含んでもよい。
(4) This semiconductor device manufacturing method may further include plating the outer leads before the forming step.

【0012】これによって、フォーミング工程で、アウ
ターリードのメッキの金属皮膜が剥がれるのを防止する
ことができる。
As a result, it is possible to prevent the plating metal film of the outer leads from peeling off in the forming step.

【0013】(5)この半導体装置の製造方法におい
て、隣同士の前記アウターリードは連結されてなり、連
結されてなる一群の前記アウターリードをフォーミング
し、前記フォーミング工程後に、隣同士の前記アウター
リードの間の連結部を切断することをさらに含んでもよ
い。
(5) In this method of manufacturing a semiconductor device, adjacent outer leads are connected to each other, and a group of the connected outer leads are formed. After the forming step, the adjacent outer leads are formed. It may further include cutting a connection between the two.

【0014】これによって、フォーミング工程で、各ア
ウターリードが横方向に曲がるのを防止することができ
る。
As a result, it is possible to prevent each outer lead from bending laterally in the forming process.

【0015】(6)この半導体装置の製造方法におい
て、それぞれの前記アウターリードは、連結されずに独
立して前記封止部に支持されてもよい。
(6) In this method of manufacturing a semiconductor device, each of the outer leads may be independently supported by the sealing portion without being connected.

【0016】(7)この半導体装置の製造方法におい
て、前記封止部は、リードフレームの外枠に連結されて
もよい。
(7) In this method of manufacturing a semiconductor device, the sealing portion may be connected to the outer frame of the lead frame.

【0017】これによって、例えば、リードフレームに
連結された複数の封止部のアウターリードを一括してフ
ォーミングできるので、生産効率を向上させることがで
きる。
As a result, for example, the outer leads of the plurality of sealing portions connected to the lead frame can be collectively formed, so that the production efficiency can be improved.

【0018】(8)この半導体装置の製造方法におい
て、前記封止部は、リードフレームから個片に切断され
てもよい。
(8) In this method of manufacturing a semiconductor device, the sealing portion may be cut into individual pieces from the lead frame.

【0019】(9)本発明に係る半導体装置は、上記方
法によって製造されてなる。
(9) The semiconductor device according to the present invention is manufactured by the above method.

【0020】(10)本発明に係る回路基板は、上記半
導体装置が実装されてなる。
(10) A circuit board according to the present invention has the above semiconductor device mounted thereon.

【0021】(11)本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。
(11) An electronic device according to the present invention has the above semiconductor device.

【0022】(12)本発明に係る半導体装置の製造装
置は、複数のアウターリードを支持する封止部がセット
される型と、前記型にセットされた前記アウターリード
を覆うフィルムと、を含み、前記型は、前記フィルムを
吸着して、前記型の形状に前記アウターリードをフォー
ミングする。
(12) A semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention includes a mold in which a sealing portion for supporting a plurality of outer leads is set, and a film covering the outer leads set in the mold. The die adsorbs the film to form the outer leads into the shape of the die.

【0023】本発明によれば、型は、フィルムを吸着し
て、型の形状にアウターリードをフォーミングする。吸
着されるとフィルムは、型の形状に追従してアウターリ
ードに重なるので、アウターリードを簡単にフォーミン
グすることができる。
According to the present invention, the mold adsorbs the film and forms the outer leads into the shape of the mold. When the film is adsorbed, the film follows the shape of the mold and overlaps the outer leads, so that the outer leads can be easily formed.

【0024】これによって、アウターリードに加えられ
る衝撃が緩和されるので、例えば、アウターリードの表
面の金属皮膜が剥がれるのを防止でき、装置の信頼性を
向上させることができる。また、フィルムを大きくすれ
ば、複数の封止部のアウターリードを一括してフォーミ
ングできるので、生産効率を向上させることができる。
As a result, the impact applied to the outer leads is alleviated, so that the metal coating on the surface of the outer leads can be prevented from peeling off, and the reliability of the device can be improved. In addition, if the film is made large, the outer leads of the plurality of sealing portions can be collectively formed, so that the production efficiency can be improved.

【0025】(13)この半導体装置の製造装置におい
て、前記型には、前記フィルムとの間の気体を吸引する
複数の孔が形成されてもよい。
(13) In this semiconductor device manufacturing apparatus, the mold may be provided with a plurality of holes for sucking gas between the mold and the film.

【0026】(14)この半導体装置の製造装置におい
て、前記型を囲む領域で前記フィルムを押さえるシート
をさらに含んでもよい。
(14) This semiconductor device manufacturing apparatus may further include a sheet for pressing the film in a region surrounding the mold.

【0027】これによって、例えば、型とフィルムとの
間の気体を簡単に吸引することができる。したがって、
フィルムを確実に型に吸着させることができる。
As a result, for example, the gas between the mold and the film can be easily sucked. Therefore,
The film can be surely adsorbed to the mold.

【0028】(15)この半導体装置の製造装置におい
て、前記型は、前記封止部と前記アウターリードの基端
部とを支持する凹部と、前記アウターリードを前記基端
部から斜めに屈曲させる第1の面と、前記アウターリー
ドの前記先端部を前記基端部とほぼ平行になるように屈
曲させる第2の面と、を有してもよい。
(15) In this semiconductor device manufacturing apparatus, the mold has a recess for supporting the sealing portion and the base end of the outer lead, and the outer lead is bent obliquely from the base end. You may have a 1st surface and a 2nd surface which bends the said front-end | tip part of the said outer lead so that it may become substantially parallel to the said base end part.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の
実施の形態に限定されるものではない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments.

【0030】図1は、本実施の形態で使用するリードフ
レームを示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a lead frame used in this embodiment.

【0031】リードフレーム10は、銅系又は鉄系の板
材を加工して形成される。その加工方法には、化学的な
エッチングや、機械的な打ち抜きが適用される。リード
フレーム10は、外枠12を有する。外枠12は、長方
形をなしていることが多く、外枠12の形状がリードフ
レーム10の外形となる。
The lead frame 10 is formed by processing a copper-based or iron-based plate material. As the processing method, chemical etching or mechanical punching is applied. The lead frame 10 has an outer frame 12. The outer frame 12 often has a rectangular shape, and the outer frame 12 has the outer shape of the lead frame 10.

【0032】外枠12には、少なくとも1つの穴(治具
穴)16が形成されている。これにより、リードフレー
ム10の型に対する位置決めを簡単に行える。外枠12
の両端部のそれぞれに、少なくとも1つの穴16を形成
してもよい。その場合、外枠12の一方の端部(例えば
図1では左側の端部)に形成された穴16と、他方の端
部(例えば図1では右側の端部)に形成された穴16と
は、外枠12の長さ方向(例えば図1では上下方向)に
ずれた位置に形成されていることが好ましい。こうする
ことで、向きを間違えずに、リードフレーム10を型に
セットすることができる。
At least one hole (jig hole) 16 is formed in the outer frame 12. Thereby, the lead frame 10 can be easily positioned with respect to the mold. Outer frame 12
At least one hole 16 may be formed in each of both ends of the. In that case, a hole 16 formed at one end (for example, the left end in FIG. 1) of the outer frame 12 and a hole 16 formed at the other end (for example, the right end in FIG. 1) Are preferably formed at positions displaced in the length direction of the outer frame 12 (for example, the vertical direction in FIG. 1). By doing so, the lead frame 10 can be set in the mold without making a mistake in the orientation.

【0033】リードフレーム10は、少なくとも1つ
(図1では1つのみが示されているが一般的には複数)
のダイパッド14を有する。ダイパッド14は、半導体
チップなどの電子部品を搭載する部分であり、矩形(特
に正方形)をなす場合が多い。ダイパッド14は、吊り
ピン(タイバー又は吊りリード)18によって外枠12
に支持されている。ダイパッド14は、吊りピン18が
屈曲されてダウンセットされている。
At least one lead frame 10 (only one is shown in FIG. 1, but generally a plurality) is provided.
The die pad 14 of FIG. The die pad 14 is a portion on which an electronic component such as a semiconductor chip is mounted, and often has a rectangular shape (particularly a square shape). The die pad 14 is attached to the outer frame 12 by hanging pins (tie bars or hanging leads) 18.
Supported by. The die pad 14 is down-set by bending the hanging pins 18.

【0034】リードフレーム10は、複数のリード20
を有する。リード20は、外枠12からダイパッド14
に向けて延びて設けられている。リード20は、詳しく
は、インナーリード22及びアウターリード24を含
む。インナーリード22は、半導体装置において2点鎖
線で示される封止材30で封止される部分であり、アウ
ターリード26は、封止材30から引き出された部分で
あって外部との電気的な接続に使用される部分である。
The lead frame 10 includes a plurality of leads 20.
Have. From the outer frame 12 to the die pad 14
It is provided so as to extend toward. Specifically, the lead 20 includes an inner lead 22 and an outer lead 24. The inner lead 22 is a portion sealed with a sealing material 30 shown by a two-dot chain line in the semiconductor device, and the outer lead 26 is a portion pulled out from the sealing material 30 and electrically connected to the outside. This is the part used for connection.

【0035】アウターリード24は、矩形のダイパッド
14の各辺に対して直角に延びている。インナーリード
22は、アウターリード24から、ダイパッド14の中
央部に向けて傾斜して延びている。隣同士のリード20
は、ダムバー26によって連結されている。詳しくは、
ダムバー26は、隣同士のアウターリード24における
インナーリード22に近い部分を連結している。
The outer leads 24 extend at right angles to the sides of the rectangular die pad 14. The inner lead 22 extends obliquely from the outer lead 24 toward the center of the die pad 14. Leads 20 next to each other
Are connected by a dam bar 26. For more information,
The dam bar 26 connects the portions of the outer leads 24 adjacent to each other near the inner lead 22.

【0036】隣同士のアウターリード24は、連結部2
8で連結されている。詳しくは、矩形のダイパッド14
の1つの辺に対して延びる一群のアウターリード24
は、アウターリード24とは直角に延びる連結部28に
よって連結されている。連結部28は、各アウターリー
ド24の先端部を連結している。言い換えれば、アウタ
ーリード24は、連結部28からダイパッド14に向け
て延びている。連結部28は、その延びる方向の両端部
で外枠12に支持される。
The outer leads 24 adjacent to each other are connected to each other by the connecting portion 2.
8 are connected. Specifically, the rectangular die pad 14
Of outer leads 24 extending along one side of the
Are connected by a connecting portion 28 that extends at a right angle to the outer lead 24. The connecting portion 28 connects the tip portions of the outer leads 24. In other words, the outer lead 24 extends from the connecting portion 28 toward the die pad 14. The connecting portion 28 is supported by the outer frame 12 at both ends in the extending direction.

【0037】本実施の形態の半導体装置の製造方法に
は、上述したリードフレーム10の他に、周知のリード
フレームの構成が適用されている。
In addition to the lead frame 10 described above, a well-known lead frame structure is applied to the method of manufacturing the semiconductor device of the present embodiment.

【0038】図2〜図4は、本実施の形態に係る半導体
装置の製造方法を説明する図である。なお、図4は、本
実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示
す図である。
2 to 4 are views for explaining the method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment. 4 is a diagram showing a circuit board on which the semiconductor device according to the present embodiment is mounted.

【0039】まず、上述したリードフレーム10を用意
し、ダイパッド14に半導体チップ32を固定する(ダ
イボンディング工程)。例えば、ダイパッド14と半導
体チップ32とを接着剤34で接着する(図4参照)。
接着剤34として、熱硬化性樹脂を用いてもよいが、熱
伝導率の高い材料、例えば金属ペースト(銀ペースト
等)を用いてもよい。こうすることで、半導体チップ3
2の動作時の熱を、ダイパッド14を伝ってより発散さ
せやすくすることができる。
First, the lead frame 10 described above is prepared, and the semiconductor chip 32 is fixed to the die pad 14 (die bonding step). For example, the die pad 14 and the semiconductor chip 32 are bonded with the adhesive 34 (see FIG. 4).
As the adhesive 34, a thermosetting resin may be used, but a material having high thermal conductivity, for example, a metal paste (silver paste or the like) may be used. By doing this, the semiconductor chip 3
It is possible to easily dissipate the heat during the operation of No. 2 through the die pad 14 and dissipate it.

【0040】次に、ワイヤーボンディング工程を行う。
例えば、半導体チップのパッド(図示せず)とインナー
リード22(図1参照)とにワイヤ36をボンディング
する。
Next, a wire bonding process is performed.
For example, the wire 36 is bonded to the pad (not shown) of the semiconductor chip and the inner lead 22 (see FIG. 1).

【0041】次に、モールディング工程を行う。詳しく
は、モールド用の金型に、半導体チップ32が搭載され
たリードフレーム10をセットする。半導体装置がヒー
トシンク(放熱部材)40を備える場合は、ヒートシン
ク40をダイパッド14の下面にセットする。金型は上
型及び下型からなり、上下の金型によってリードフレー
ム10を挟み込む。上型及び下型には、それぞれに凹部
が形成されており、両者の凹部によってモールドのキャ
ビティが形成される。そして、キャビティに封止材料
(例えば熱硬化性樹脂)を注入し、半導体チップ32、
ワイヤ36及びインナーリード22を封止して封止部3
0を形成する。
Next, a molding process is performed. Specifically, the lead frame 10 on which the semiconductor chip 32 is mounted is set in a molding die. When the semiconductor device includes the heat sink (heat dissipation member) 40, the heat sink 40 is set on the lower surface of the die pad 14. The mold is composed of an upper mold and a lower mold, and the lead frame 10 is sandwiched between the upper and lower molds. A recess is formed in each of the upper die and the lower die, and the cavity of the mold is formed by the both recesses. Then, a sealing material (for example, thermosetting resin) is injected into the cavity, and the semiconductor chip 32,
The wire 36 and the inner lead 22 are sealed to seal the sealing portion 3
Form 0.

【0042】なお、封止材料をリードフレーム10の上
下から同時に注入するために、リードフレーム10には
ゲート位置に穴29が形成されている。
A hole 29 is formed in the lead frame 10 at the gate position in order to simultaneously inject the sealing material from above and below the lead frame 10.

【0043】次に、ダムバーカット工程を行う。詳しく
は、封止部30に近い部分のダムバー26(図1参照)
をカットする。なお、モールディング工程後に、封止材
のバリを除去することが好ましい。バリは、ダムバーカ
ット工程で同時に除去してもよい。
Next, a dam bar cutting process is performed. Specifically, the dam bar 26 near the sealing portion 30 (see FIG. 1)
To cut. In addition, it is preferable to remove the burr of the sealing material after the molding step. Burrs may be removed simultaneously in the dam bar cutting process.

【0044】次に、メッキ工程を行う。例えば、電解メ
ッキを行ってもよい。すなわち、リードフレーム10の
封止部30から露出した部分に、ロウ材(例えばハン
ダ)やスズ等の金属皮膜38(図4参照)を形成する。
例えば、複数のアウターリード24は、連結部28によ
って外枠12と連結されており、外枠12を介して電気
的に接続されているので電解メッキが可能である。こう
して、金属皮膜38を形成することで、耐食性が向上す
る。また、ハンダなどのロウ材のメッキを施せば、アウ
ターリード24と配線パターンとの接合を容易に行うこ
とができる。
Next, a plating process is performed. For example, electrolytic plating may be performed. That is, a metal coating 38 (see FIG. 4) of brazing material (for example, solder) or tin is formed on the portion of the lead frame 10 exposed from the sealing portion 30.
For example, the plurality of outer leads 24 are connected to the outer frame 12 by the connecting portion 28, and are electrically connected via the outer frame 12, so that electrolytic plating is possible. By thus forming the metal film 38, the corrosion resistance is improved. Further, if a brazing material such as solder is plated, the outer lead 24 and the wiring pattern can be easily joined.

【0045】メッキ工程後に、アウターリード24の連
結部28のうち、外枠12と連結される部分をカットす
る。その場合、図2に示すように、各アウターリード2
4は、連結部28によって連結されていることが好まし
い。こうすることで、後のフォーミング工程で、連結さ
れた一群のアウターリード24を同時にフォーミングす
ることができる。したがって、各アウターリード24が
横方向に曲がるのを防止することができる。
After the plating process, of the connecting portion 28 of the outer lead 24, the portion connected to the outer frame 12 is cut. In that case, as shown in FIG. 2, each outer lead 2
4 are preferably connected by a connecting portion 28. By doing so, a group of connected outer leads 24 can be simultaneously formed in the subsequent forming step. Therefore, it is possible to prevent each outer lead 24 from bending laterally.

【0046】こうして、図2に示すリードフレーム10
が製造される。封止部30は、複数のアウターリード2
4を支持している。封止部30は、吊りピン18によっ
て外枠12に連結されている。そのため、複数の封止部
30を1つのリードフレーム10で取り扱うことができ
る。
Thus, the lead frame 10 shown in FIG.
Is manufactured. The sealing portion 30 includes a plurality of outer leads 2
Supports 4. The sealing portion 30 is connected to the outer frame 12 by the hanging pins 18. Therefore, the plurality of sealing parts 30 can be handled by one lead frame 10.

【0047】次に、図3(A)及び図3(B)に示すよ
うに、フォーミング工程を行う。本工程では、型50
と、フィルム60と、を用意する。本実施の形態に係る
半導体装置の製造装置は、型50と、フィルム60と、
を含む。
Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, a forming process is performed. In this process, the mold 50
And the film 60 are prepared. The semiconductor device manufacturing apparatus according to the present embodiment includes a mold 50, a film 60,
including.

【0048】型50は、金属又はセラミックなどの変形
しにくい材料からなることが好ましい。こうすること
で、型50の形状にならって、アウターリード24をフ
ォーミングすることが可能になる。あるいは、フォーミ
ング可能であれば、型50は、樹脂などのプラスチック
からなるものであってもよい。型50は、例えば射出成
形で形成されてもよい。
The mold 50 is preferably made of a material such as metal or ceramic which is hard to deform. By doing so, it becomes possible to form the outer lead 24 according to the shape of the mold 50. Alternatively, the mold 50 may be made of plastic such as resin as long as it can be formed. The mold 50 may be formed by injection molding, for example.

【0049】図示する例では、型50は、封止部30と
アウターリード24の基端部とを支持する凹部54と、
凹部54に接続される第1の面56と、第1の面56に
接続される第2の面58と、を有する。凹部54は、封
止部30に密着するような形状になっている。こうする
ことで、フォーミング工程で封止部30が型50から位
置ずれするのを防止することができる。第1の面56
は、アウターリード24を斜めに屈曲させる。すなわ
ち、第1の面56は、アウターリード24の屈曲を規制
する斜面である。第2の面58は、アウターリード24
の先端部を基端部とほぼ平行になるように屈曲させる。
すなわち、第2の面38は、凹部54における封止部3
0の最も大きい面を支持する面と平行な面である。この
ような型50を使用すると、アウターリード24をガル
ウィング形状にフォーミングすることができる。なお、
型は、上述の形状に限定されず、アウターリード24の
所定の屈曲形状(例えばI字型(L字型を含む)、J字
型)に合わせた形状に構成される。その場合、上述した
第1及び第2の面が所定の形状に合わせた形状に構成さ
れる。
In the illustrated example, the mold 50 has a concave portion 54 for supporting the sealing portion 30 and the base end portion of the outer lead 24,
It has a first surface 56 connected to the recess 54 and a second surface 58 connected to the first surface 56. The recess 54 is shaped so as to be in close contact with the sealing portion 30. By doing so, it is possible to prevent the sealing portion 30 from being displaced from the mold 50 in the forming process. First side 56
Bends the outer leads 24 at an angle. That is, the first surface 56 is an inclined surface that restricts the bending of the outer lead 24. The second surface 58 is the outer lead 24.
Bend the tip of the to be almost parallel to the base.
That is, the second surface 38 is the sealing portion 3 in the recess 54.
It is a plane parallel to the plane supporting the largest plane of 0. By using such a mold 50, the outer lead 24 can be formed into a gull wing shape. In addition,
The mold is not limited to the above-described shape, and is configured to have a shape that matches the predetermined bent shape (for example, I-shape (including L-shape) or J-shape) of the outer lead 24. In that case, the above-mentioned first and second surfaces are formed in a shape that matches a predetermined shape.

【0050】図示する例では、型50は孔52を有す
る。孔52は、外部に連通する孔であり、型50の作業
面(フォーミングする側の面)から気体を吸引できるよ
うになっている。孔52は、少なくともアウターリード
24が配置される領域に形成される。孔52は、あらゆ
る方向に連通する多くの微細な小孔であってもよい。そ
の場合、型50を多孔質部材(多孔質ブロック)と呼ん
でもよい。
In the illustrated example, the mold 50 has holes 52. The hole 52 is a hole that communicates with the outside, and is capable of sucking gas from the work surface (surface on the forming side) of the mold 50. The hole 52 is formed at least in a region where the outer lead 24 is arranged. The holes 52 may be many fine small holes communicating in any direction. In that case, the mold 50 may be called a porous member (porous block).

【0051】型50は、吸引装置(例えば真空ポンプ)
であってもよい。あるいは、吸引装置は、型50とは別
体であって、型50の孔52に吸引装置の気体の吸引手
段が接続されてもよい。
The mold 50 is a suction device (for example, a vacuum pump).
May be Alternatively, the suction device may be separate from the mold 50, and the gas suction means of the suction device may be connected to the hole 52 of the mold 50.

【0052】フィルム60は、弾性変形可能な材料で形
成される。例えば、上述の吸引装置による吸引で、弾性
変形する材料(例えば樹脂)からなる。フィルム60
は、型50よりも大きい平面形状を有する。フィルム6
0は、伸縮自在(例えば約4倍に伸縮自在)であること
が好ましい。これによって、型50に吸着されたとき
に、フィルム60が型50の形状にならって密着するの
で、アウターリード24を型50の正確な形状にフォー
ミングすることができる。また、フィルム60は、伸び
たときに(例えば約4倍に伸びたときに)破れにくい材
料からなることが好ましい。
The film 60 is made of an elastically deformable material. For example, it is made of a material (for example, resin) that is elastically deformed by suction by the suction device described above. Film 60
Has a larger planar shape than the mold 50. Film 6
0 is preferably stretchable (for example, stretchable about 4 times). As a result, when the film 60 is attracted to the mold 50, the film 60 closely follows the shape of the mold 50, so that the outer lead 24 can be formed into the accurate shape of the mold 50. In addition, the film 60 is preferably made of a material that does not easily break when stretched (for example, when stretched about four times).

【0053】上述の装置を使用して、フォーミング工程
を行う。まず、封止部30を型50にセットする。図3
(A)に示す例では、リードフレーム10の外枠12を
型50の外周に設けられた台62に載せて、封止部30
を型50の凹部54にセットする。アウターリード24
の基端部は、凹部54の外周の立ち上がる部分で支持さ
れ、封止部30からまっすぐに延びるように配置され
る。そして、フィルム60を封止部30(詳しくはアウ
ターリード24)の上方に配置し、フィルム60によっ
てアウターリード24を覆う。その後、型50によって
フィルム60を吸着させる。例えば、型50の複数の孔
52を介して、フィルム60と型50との間の気体を吸
引してもよい。
A forming process is performed using the above-mentioned apparatus. First, the sealing unit 30 is set in the mold 50. Figure 3
In the example shown in (A), the outer frame 12 of the lead frame 10 is placed on a table 62 provided on the outer periphery of the mold 50, and the sealing portion 30 is placed.
Is set in the recess 54 of the mold 50. Outer lead 24
The base end portion of is supported by the rising portion of the outer periphery of the recess 54, and is arranged so as to extend straight from the sealing portion 30. Then, the film 60 is arranged above the sealing portion 30 (specifically, the outer lead 24), and the outer lead 24 is covered with the film 60. After that, the film 60 is adsorbed by the mold 50. For example, the gas between the film 60 and the mold 50 may be sucked through the plurality of holes 52 of the mold 50.

【0054】こうして、図3(B)に示すように、フィ
ルム60と型50とでアウターリード24を挟む。フィ
ルム60は、型50に吸着されるので、型50に向けて
アウターリード24を押圧することができる。また、ア
ウターリード24を挟むものの一方は、弾性変形自在の
フィルム60であるので、アウターリード24に加えら
れる衝撃を緩和することができる。
Thus, as shown in FIG. 3B, the outer lead 24 is sandwiched between the film 60 and the mold 50. Since the film 60 is attracted to the mold 50, the outer lead 24 can be pressed toward the mold 50. Further, since one of the ones sandwiching the outer lead 24 is the elastically deformable film 60, the impact applied to the outer lead 24 can be mitigated.

【0055】フィルム60を吸着させるときに、シート
(押さえ部材)64によって、型50を囲む領域でフィ
ルム60を押さえてもよい。例えば、台62とシート6
4とで、外枠12及びフィルム60を挟み、リードフレ
ーム10及びフィルム60を固定してもよい。シート6
4は、リング状に形成されてもよい。これによれば、型
50とフィルム60との間の通気経路を孔52のみにす
ることができるので、簡単にフィルム60を型50に吸
着させることができる。
When adsorbing the film 60, the sheet (pressing member) 64 may press the film 60 in a region surrounding the mold 50. For example, the base 62 and the seat 6
4, the outer frame 12 and the film 60 may be sandwiched, and the lead frame 10 and the film 60 may be fixed. Sheet 6
4 may be formed in a ring shape. According to this, since the ventilation path between the mold 50 and the film 60 can be only the hole 52, the film 60 can be easily adsorbed to the mold 50.

【0056】本実施の形態によれば、型50にフィルム
60を吸着させることによって、アウターリード24を
フォーミングする。吸着されるとフィルム60は、型5
0の形状に追従してアウターリード24に重なるので、
アウターリード24を簡単にフォーミングすることがで
きる。これによって、アウターリード24に加えられる
衝撃が緩和されるので、例えば、アウターリード24の
表面の金属皮膜38(図4参照)が剥がれるのを防止で
き、装置の信頼性を向上させることができる。
According to the present embodiment, the outer lead 24 is formed by adsorbing the film 60 on the mold 50. When it is adsorbed, the film 60 forms
Since it follows the shape of 0 and overlaps the outer lead 24,
The outer lead 24 can be easily formed. As a result, the impact applied to the outer leads 24 is mitigated, and for example, the metal coating 38 (see FIG. 4) on the surface of the outer leads 24 can be prevented from peeling off, and the reliability of the device can be improved.

【0057】複数(例えば数十個〜数百個)の封止部3
0を一括してフォーミングしてもよい。すなわち、1つ
又は複数のリードフレーム10に支持された複数の封止
部30を、複数の型50にセットし、各封止部30の複
数のアウターリード24を一括してフォーミングしても
よい。これによれば、フィルム60を大きくすれば、複
数の封止部30のアウターリード24を一括してフォー
ミングできるので、生産効率を向上させることができ
る。
A plurality of (for example, several tens to several hundreds) sealing portions 3
You may form 0 collectively. That is, a plurality of sealing parts 30 supported by one or a plurality of lead frames 10 may be set in a plurality of molds 50, and a plurality of outer leads 24 of each sealing part 30 may be collectively formed. . According to this, if the film 60 is made larger, the outer leads 24 of the plurality of sealing portions 30 can be collectively formed, so that the production efficiency can be improved.

【0058】フィルム60は、フォーミング工程の1つ
又は複数のサイクルごとに取り換えてもよい。その場
合、リール(図示しない)でフィルム60を引き出し及
び巻き取り可能にすれば、製造装置の管理が簡単にな
る。また、フィルム60は、従来の金型よりも製造装置
自体の費用が安いので、クリーニングせずに廃棄しても
よい。そのため、製造装置のクリーニング(又はメンテ
ナンス)の作業を省略又は少なくすることができる。
The film 60 may be replaced every one or more cycles of the forming process. In that case, if the film 60 can be pulled out and taken up by a reel (not shown), the management of the manufacturing apparatus becomes easy. Further, the film 60 may be discarded without cleaning since the cost of the manufacturing apparatus itself is lower than that of the conventional mold. Therefore, the work of cleaning (or maintaining) the manufacturing apparatus can be omitted or reduced.

【0059】フォーミング工程後、その他の(ダムバー
カット以外の)トリミング工程を行う。隣同士のアウタ
ーリード24の間の連結部28をカットし、封止部30
と外枠12とを連結する吊りピン18をカットする。続
いて、必要であれば、マーキング工程を行う。その後、
検査工程などを含め、以上の工程を経て半導体装置を製
造することができる。
After the forming step, other trimming steps (other than the dam bar cut) are performed. The connecting portion 28 between the outer leads 24 adjacent to each other is cut, and the sealing portion 30
The hanging pin 18 that connects the outer frame 12 with the outer frame 12 is cut. Then, if necessary, a marking process is performed. afterwards,
A semiconductor device can be manufactured through the above steps including an inspection step and the like.

【0060】上述の例とは別に、封止部30をリードフ
レーム10から個片に切断した後に、封止部30のアウ
ターリード24をフォーミングしてもよい。これによれ
ば、外枠12などの不要な部分がないので、簡単にアウ
ターリード24をフォーミングしやすくすることができ
る。また、各アウターリード24が連結されずに独立し
た状態で、フォーミング工程を行ってもよい。その場
合、上述のリードフレーム10でいえば、連結部28の
うち隣同士のアウターリード24を連結する部分をカッ
トした後に、フォーミング工程を行う。これによれば、
フォーミング後にアウターリード24のカットを行わな
くて済む。
Apart from the above example, the outer leads 24 of the sealing portion 30 may be formed after the sealing portion 30 is cut into individual pieces from the lead frame 10. According to this, since there is no unnecessary portion such as the outer frame 12, it is possible to easily form the outer lead 24 easily. Further, the forming process may be performed in a state where the outer leads 24 are not connected but are independent. In that case, in the case of the lead frame 10 described above, the forming step is performed after cutting the portion of the connecting portion 28 that connects the adjacent outer leads 24. According to this
It is not necessary to cut the outer leads 24 after forming.

【0061】図4に示すように、本実施の形態に係る半
導体装置は、半導体チップ32を有する封止部30と、
封止部30に支持されるリード20(インナーリード2
2及びアウターリード24)と、を含む。図示するよう
に、ヒートシンク40が設けられる場合には、ヒートシ
ンク40の一方の面は、封止部30から露出する。
As shown in FIG. 4, the semiconductor device according to the present embodiment includes a sealing portion 30 having a semiconductor chip 32,
The lead 20 (inner lead 2) supported by the sealing portion 30.
2 and outer leads 24). As illustrated, when the heat sink 40 is provided, one surface of the heat sink 40 is exposed from the sealing section 30.

【0062】図4において、半導体装置は、回路基板1
00に実装されている。回路基板100には例えばガラ
スエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的で
ある。回路基板100には例えば銅等からなる配線パタ
ーン102が所望の回路となるように形成されていて、
配線パターン102と半導体装置のアウターリード24
とが接合されている。また、回路基板100には、放熱
部材(ヒートスプレッダ)104が設けられており、放
熱部材104は、半導体装置のダイパッド14(又はヒ
ートシンク40)の露出面と接合されている。こうする
ことで、半導体チップ32に生じた熱を、ダイパッド1
4(又はヒートシンク40)を通して放熱部材104か
ら発散させることができる。本実施の形態に係る半導体
装置のその他の構成は、上述したリードフレーム10及
び半導体装置の製造方法について説明した通りである。
In FIG. 4, the semiconductor device is a circuit board 1.
It is implemented in 00. For the circuit board 100, it is common to use an organic substrate such as a glass epoxy substrate. A wiring pattern 102 made of, for example, copper or the like is formed on the circuit board 100 so as to form a desired circuit.
Wiring pattern 102 and outer leads 24 of the semiconductor device
And are joined. A heat dissipation member (heat spreader) 104 is provided on the circuit board 100, and the heat dissipation member 104 is bonded to the exposed surface of the die pad 14 (or the heat sink 40) of the semiconductor device. By doing so, the heat generated in the semiconductor chip 32 is transferred to the die pad 1
4 (or the heat sink 40) can be radiated from the heat dissipation member 104. The other configurations of the semiconductor device according to the present embodiment are as described in the above-described lead frame 10 and the method for manufacturing the semiconductor device.

【0063】そして、本発明を適用した半導体装置を有
する電子機器として、図5にはノート型パーソナルコン
ピュータ200、図6には携帯電話300が示されてい
る。
As an electronic device having a semiconductor device to which the present invention is applied, a notebook personal computer 200 is shown in FIG. 5, and a mobile phone 300 is shown in FIG.

【0064】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations having the same function, method and result, or configurations having the same purpose and result). Further, the invention includes configurations in which non-essential parts of the configurations described in the embodiments are replaced. Further, the present invention includes a configuration having the same effects as the configurations described in the embodiments or a configuration capable of achieving the same object. Further, the invention includes configurations in which known techniques are added to the configurations described in the embodiments.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、本実施の形態で使用されるリードフレ
ームを示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a lead frame used in the present embodiment.

【図2】図2は、本実施の形態に係る半導体装置の製造
方法を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment.

【図3】図3(A)及び図3(B)は、本実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
FIG. 3A and FIG. 3B are views for explaining the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment.

【図4】図4は、本実施の形態に係る半導体装置及び回
路基板を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a semiconductor device and a circuit board according to the present embodiment.

【図5】図5は、本実施の形態に係る電子機器を示す図
である。
FIG. 5 is a diagram showing an electronic device according to the present embodiment.

【図6】図6は、本実施の形態に係る電子機器を示す図
である。
FIG. 6 is a diagram showing an electronic device according to the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 リードフレーム 12 外枠 24 アウターリード 28 連結部 30 封止部 50 型 52 孔 54 凹部 56 第1の面 58 第2の面 60 フィルム 64 シート 10 lead frame 12 outer frame 24 Outer leads 28 Connection 30 Sealing part 50 type 52 holes 54 recess 56 First side 58 Second side 60 films 64 sheets

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のアウターリードを支持する封止部
を型にセットし、 フィルムによって前記型にセットされた前記アウターリ
ードを覆い、 前記型に前記フィルムを吸着させて、前記型の形状に前
記アウターリードをフォーミングすることを含む半導体
装置の製造方法。
1. A sealing part for supporting a plurality of outer leads is set in a mold, and the outer leads set in the mold are covered with a film, and the film is adsorbed to the mold to obtain the shape of the mold. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising forming the outer lead.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記型には、複数の孔が形成され、 前記型の前記孔を介して気体を吸引することによって、
前記フィルムを吸着させる半導体装置の製造方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a plurality of holes are formed in the mold, and gas is sucked through the holes of the mold,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the film is adsorbed.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の半導体装
置の製造方法において、 前記型を囲む領域で前記フィルムを押さえて、前記フィ
ルムを吸着させる半導体装置の製造方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the film is held in a region surrounding the mold to adsorb the film.
【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記フォーミング工程前に、 前記アウターリードをメッキすることをさらに含む半導
体装置の製造方法。
4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising plating the outer lead before the forming step.
【請求項5】 請求項1から請求項4のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 隣同士の前記アウターリードは連結されてなり、 連結されてなる一群の前記アウターリードをフォーミン
グし、 前記フォーミング工程後に、 隣同士の前記アウターリードの間の連結部を切断するこ
とをさらに含む半導体装置の製造方法。
5. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the outer leads adjacent to each other are connected, and a group of the connected outer leads is formed. A method of manufacturing a semiconductor device, further comprising cutting a connecting portion between adjacent outer leads after the forming step.
【請求項6】 請求項1から請求項4のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 それぞれの前記アウターリードは、連結されずに独立し
て前記封止部に支持されてなる半導体装置の製造方法。
6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the outer leads are not connected to each other but are independently supported by the sealing portion. Manufacturing method.
【請求項7】 請求項1から請求項6のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記封止部は、リードフレームの外枠に連結されてなる
半導体装置の製造方法。
7. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the sealing portion is connected to an outer frame of a lead frame.
【請求項8】 請求項1から請求項6のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記封止部は、リードフレームから個片に切断されてな
る半導体装置の製造方法。
8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the encapsulation portion is cut into individual pieces from a lead frame.
【請求項9】 請求項1から請求項8のいずれかに記載
の方法によって製造されてなる半導体装置。
9. A semiconductor device manufactured by the method according to claim 1. Description:
【請求項10】 請求項9記載の半導体装置が実装され
た回路基板。
10. A circuit board on which the semiconductor device according to claim 9 is mounted.
【請求項11】 請求項9記載の半導体装置を有する電
子機器。
11. An electronic device including the semiconductor device according to claim 9.
【請求項12】 複数のアウターリードを支持する封止
部がセットされる型と、 前記型にセットされた前記アウターリードを覆うフィル
ムと、 を含み、 前記型は、前記フィルムを吸着して、前記型の形状に前
記アウターリードをフォーミングする半導体装置の製造
装置。
12. A mold in which a sealing part supporting a plurality of outer leads is set, and a film covering the outer leads set in the mold, wherein the mold adsorbs the film, A semiconductor device manufacturing apparatus for forming the outer lead into the shape of the mold.
【請求項13】 請求項12記載の半導体装置の製造装
置において、 前記型には、前記フィルムとの間の気体を吸引する複数
の孔が形成されてなる半導体装置の製造装置。
13. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 12, wherein the mold is formed with a plurality of holes for sucking gas between the mold and the film.
【請求項14】 請求項12又は請求項13に記載の半
導体装置の製造装置において、 前記型を囲む領域で前記フィルムを押さえるシートをさ
らに含む半導体装置の製造装置。
14. The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 12, further comprising a sheet that holds the film in a region surrounding the mold.
【請求項15】 請求項12から請求項14のいずれか
に記載の半導体装置の製造装置において、 前記型は、 前記封止部と前記アウターリードの基端部とを支持する
凹部と、 前記アウターリードを前記基端部から斜めに屈曲させる
第1の面と、 前記アウターリードの前記先端部を前記基端部とほぼ平
行になるように屈曲させる第2の面と、 を有する半導体装置の製造装置。
15. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 12, wherein the mold includes a concave portion that supports the sealing portion and a base end portion of the outer lead, and the outer portion. Manufacture of a semiconductor device having: a first surface that bends the lead obliquely from the base end portion; and a second surface that bends the tip end portion of the outer lead so as to be substantially parallel to the base end portion. apparatus.
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