JP2003197402A

JP2003197402A - 薄膜電子部品及びその製造方法

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Publication number: JP2003197402A
Application number: JP2001395379A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Fujimori; 博行藤森
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-12-26
Filing date: 2001-12-26
Publication date: 2003-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明はレーザーマーキングによるマイクロ
クラックの発生を防止し、容易にレーザーマーキングを
施すことを可能にし、識別性の高いマーキングが得ら
れ、且つ薄型化を可能にした薄膜電子部品を提供する。【解決手段】本発明は、絶縁基板１上に、電子部品素子
を形成し、さらに保護層を形成し、外部接続用電極が導
出されている薄膜電子部品であり、外部接続用電極が形
成された主面と対向する主面にはＴｉやＮｉにより薄膜
金属層が形成されている。また、薄膜電極層にはレーザ
ーによりマーキング加工が施されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板上に、薄
膜コンデンサ素子、薄膜インダクタンス素子、薄膜抵抗
素子またはこれらの複合素子を形成してなる薄膜電子部
品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年のコンピューター市場において小型
化、高速化が進められ、また、携帯電話等の携帯端末市
場においても１人１台の時代となり、何れの場合におい
ても内部に用いられる電子部品には更に高速化、高性能
化、高機能化、小型化が求められるようになってきてい
る。

【０００３】上記のような電子部品の中でもとくにＩＣ
の小型高速化はその勢いに衰えが感じられなく、メイン
フレーム、ワークステーション等の大型コンピューター
においては、低インダクタンス化、低背化が特に強く要
求されるという現状がある。コンデンサ素子において
は、これに対応するこれに伴い、ＩＣと同様に内蔵され
るコンデンサ等の受動部品も高周波にたいして優れた特
徴を持つということで、薄膜コンデンサ素子が有望視さ
れている。例えは、薄膜コンデンサ素子では、大型コン
ピューターにおいてはＩＣチップの周りに表面実装され
るデカップリングコンデンサなどが例示できる。ＩＣチ
ップ内の動作（クロックパルス）が高周波化すると、矩
形波の立ち上がり速度が遅いだけでも、誤動作の原因と
なり、これを防ぐ為にＩＣの電源電圧の安定を目的とす
るデカップリングコンデンサと呼ばれる電源電圧の供給
目的のコンデンサが必要となる。このコンデンサに必要
とされる特性は、高い周波数においてもコンデンサ特性
を十分に満足し、高速に電源を供給する事である。この
特性を満足するためにも低インダクタンスという特徴は
必要不可欠になるが、この特徴を発揮するために実装す
る場所が重要な意味を持ってくる。なぜならば、ＩＣか
らの距離が長くなると線路長がインダクタンス成分とな
ってしまうため、ＩＣ近傍に取り付けることが必要とな
るからである。尚、通信機器においても同様である。

【０００４】実装するメーカーにとって、これまではデ
カップリングコンデンサをＩＣチップの近傍に位置する
ように、パッケージＰや配線基板上に実装していた。し
かし、ＩＣチップの周囲での回路の見直しと、テカップ
リングコンデンサを薄膜コンデンサ素子にすることによ
り、ＩＣチップとパッケージとの間隙に、テカップリン
グコンデンサとして動作する薄膜コンデンサ素子に実装
し、ＩＣチップ、テカップリングコンデンサを含むパッ
チージや配線基板の小型化、低背化を達成していた。

【０００５】図６は、このような薄膜コンデンサである
薄膜電子部品を示す外観斜視図であり、図７は、その断
面図である。尚、図６〜図７は、最も簡単な構造である
2端子を有する薄膜電子部品を例にして説明する。図に
おいて、５１はアルミナセラミックなどの絶縁基板であ
り、５２は薄膜下部電極層、５３は薄膜誘電体層、５４
は薄膜上部電極であり、５５は保護層であり、５６、５
７は外部端子である。ここで、下部電極５２は、上部電
極５４の一部に接続し、さらに、この上部電極層の一部
には、外部端子５６が接続されている。また、上部電極
層５４には、外部端子５７が配置されている。即ち、保
護層５５は、上述の外部端子５６、５７を露出するよう
に上部電極層５４上に被着形成されている。このような
構造の薄膜部品において、製品番号、特性、製造ロット
などなどの情報を製品にマーキングする必要がある。こ
のマーギングの方法としては、従来、絶縁基板の表面
（外部端子５６、５７が形成された実装面と対向する
面）にメッシュ印刷や転写印刷などの工法で、マーキン
グインクやガラスペーストを印刷、転写し、乾燥や焼成
といったプロセスを経て形成していた。

【０００６】しかし、このようなマーキングでは、小型
化されつつある薄膜電子部品においては限界があり、ま
た、マーキング字体が崩れたり、見にくかったりすると
いう問題があった。

【０００７】そこで、図７に示すように、絶縁基板５１
の表面に直接、レーザー光５９の照射及びその走査によ
って、任意の形状に卦書くというレーザーマーカー（彫
り込み凹部）５８が考えられる。絶縁基板５１は、アル
ミナセラミック基板が一般的に用いられる。これは、機
械的強度でもビッカース硬さ１３００前後（荷重５００
ｇＨｖ）と高い値を示すこと、また、安価で入手も容易
であるなどの優れた特性をあることかからである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このようなレーザーマ
ーカー（彫り込み凹部）は、以下のような問題点を有し
ていた。即ち、絶縁基板５１である例えばアルミナセラ
ミック基板は、レーザーでは、１文字ずつを綺麗な任意
な形状（記号、文字）を書くことができても、その加工
性が非常に低い。仮に、レーザー照射の条件の最適化を
行なえば加工することは可能になるものの、例えば、高
精度での描画のできるＹＡＧレーザーでは、その波長は
1064nmであるため，純アルミナセラミック基板において
は透過が非常に大きくしてしまい、基板の表面の彫り込
み凹部５８を形成することができず、逆に実装面側の下
部電極５２や薄膜誘電体層５３を侵してしまう可能性が
ある。基板５１の表面に掘り込み凹部を形成する方法と
して、ＣＯ₂レーザーを用いることが考えられる。しか
し、数１０μｍの描画は可能であるが、描画精度が落ち
字体も繊細さを欠くものとなってしまっていた。

【０００９】また、アルミナセラミックなどの絶縁基板
５１は、色が白く、光を乱反射しやすいため、ＣＯ₂レ
ーザーにより彫り込み凹部５８形状のマーキングを形成
したとしても、段差のコントラストが低く視認性・識別
性が非常に悪かった。

【００１０】また、アルミナセラミックなどの絶縁基板
５１において、充分なコントラストを得るために確実な
掘削を行なおうとしてレーザーの強度を上げると、彫り
込み凹部５８の先端より絶縁基板５１内部へマイクロク
ラックが発生し、薄膜コンデンサ自体を損なってしまう
危険があった。

【００１１】本発明は、上述の問題に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、薄膜電子部品素子の特性に影
響を与えることなく、コントラストの高く、且つ視認性
の高いマーキングを有する薄膜電子部品及びその製造方
法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、絶縁基板の一方主面に、外部端子電極を
有する薄膜電子部品素子を被着して成る薄膜電子部品に
おいて、前記絶縁基板の他方主面には、任意形状の凹部
が形成された薄膜金属層からなるマーキング層が被着形
成されていることを特徴とする薄膜電子部品である。

【００１３】尚、前記マーキング層は、ＴｉまたはＮｉ
の薄膜金属層によって形成されていることが望ましい。

【００１４】また、前記絶縁基板の一方主面に電子部品
素子を形成するとともに、前記絶縁基板の他方主面にマ
ーキング層となる薄膜金属層を被着する工程、前記薄膜
金属層に、レーザー光の照射及び走査によって、任意形
状の凹部を形成する工程とを具備する薄膜電子部品の製
造方法である。

【作用】本発明では、アルミナなどの絶縁基板上に薄膜
電子部品素子が被着され、外部端子が露出するように保
護層が形成されている。そして、この外部端子が形成さ
れた実装面と対向する主面側には、薄膜金属層が形成さ
れ、この薄膜金属層層に凹部状のマーキングが施されて
いる。

【００１５】即ち、マーキングが形成されたマーキング
層は、薄膜金属層を除去して形成される凹部で構成され
ているため、絶縁基板が深く除去されることがないた
め、絶縁基板にマイクロクラックの発生を防ぐことがで
きる。また、マーキング層の処理で任意形状のマーキン
グを形成することができるため、基板の厚みを薄くする
ことができ、これによっても、薄膜電子部品全体として
厚みを薄くすることができるようになる。

【００１６】また、マーキング層となる薄膜金属層はＴ
ｉまたはＮｉによって形成されており、ＣＯ₂レーザー
のように加工精度の悪いレーザーから加工精度の高いＹ
ＡＧレーザーによりマーキングが施されることになる。
これにより、ＴｉまたはＮｉのように金属色と絶縁基板
の白色系とのコントラストが明確に得られ、視認性・識
別性に優れる薄膜電子部品が得られる。また、マーキン
グによりＴｉまたはＮｉの薄膜金属層を完全に除去し、
絶縁基板であるアルミナ基板が露出する部分ができた場
合でも金属色とアルミナ基板の白色でコントラストが得
られるため、同様の効果が得られ、薄膜電子部品が小型
化しても文字に崩れが発生するといった問題や文字数が
制限されるといった問題がなくなり、高精度で且つ繊細
なマーキングが可能になる。

【００１７】結局、薄型化・小型化が可能であり、視認
性・識別性に優れたマーキングを有する薄膜電子部品及
びその製造方法となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の薄膜電子部品及び
その製造方法を図面に基づいて詳説する。尚、薄膜電子
部品の一例として、薄膜コンデンサ、薄膜インダクタ、
薄膜抵抗、薄膜ヒューズ等が例示できるが、ここでは、
最も実用化実績が高い薄膜コンデンサを用いて説明す
る。

【００１９】図１は本発明の薄膜電子部品である薄膜コ
ンデンサの外観斜視図であり、図２は実装面側の平面図
であり、図３はその断面図であり、図４は分解斜視図で
ある。

【００２０】本発明の薄膜電子部品１０は、絶縁基板
1、薄膜下部電極２、薄膜誘電体層３、薄膜上部電極層
４、保護層５及び外部端子６、７とから構成されてい
る。

【００２１】絶縁基板１の一方の主面（実装面となる側
の面）には薄膜金属層を所定形状にパターンニングした
薄膜下部電極層２が被着形成されており、さらに、所定
形状の薄膜誘電体層３、所定形状の薄膜上部電極層４が
被着形成されている。さらに、薄膜上部電極層４上に
は、外部端子６、７が形成される領域を除いて保護層５
が被着形成されている。

【００２２】また、上述の薄膜下部電極層２、薄膜誘電
体層３、薄膜上部電極層４のパターンニングにより、少
なくとも薄膜誘電体層３を薄膜下部電極層２と薄膜上部
電極層４とで挟持した容量発生領域を形成する。即ち、
薄膜誘電体層３の誘電率、厚み、及び対向しあう薄膜下
部電極層２及び薄膜上部電極層４の対向面積により容量
値が決定される。また、薄膜下部電極層２の一部は、容
量発生領域から延出して外部端子６と接続するために薄
膜上部電極層４の一部４１と接続している。また、薄膜
上部電極層４または容量発生領域から延出する一部は、
外部端子７と接続する領域となる。また、薄膜上部電極
層４の一部４１は、上述の容量を発生する領域の薄膜上
部電極層４や外部端子７が形成される薄膜上部電極層４
の一部と電気的に分離して薄膜下部電極層２の一部と接
続する一部となっている。

【００２３】これにより、絶縁基板１の一方主面には、
薄膜下部電極層２、薄膜誘電体層３、薄膜上部電極層４
からなる薄膜コンデンサ素子が配置されることになる。
また、この薄膜コンデンサを複数並設したり、また、薄
膜上部電極層４の一部や薄膜下部電極層２の一部を複数
形成しても構わない。

【００２４】このような薄膜コンデンサ素子上に保護層
５が被着形成されている。この保護層５のパターンニン
グにより、少なくとも薄膜上部電極層４の一部や薄膜下
部電極層２の一部が露出する貫通穴が形成され、この貫
通穴に半田バンプなどからなる外部端子６、７が形成さ
れている。

【００２５】薄膜下部電極層２は、例えば金（Ａｕ）、
白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔ
ｉ）、クロム（Ｃｒ）及びニッケル（Ｎｉ）などの金属
材料からなる薄膜金属層を、フォトリソグラフィ技術に
より所定形状にパターン化して構成される。尚、薄膜下
部電極層２以外にも、薄膜上部電極層４についても同様
である。尚、これらの金属材料のうち、薄膜誘電体層３
との反応性が小さく、酸化されにくい金（Ａｕ）や抵抗
の低い銅（Ｃｕ）や取り扱いが容易なチタン（Ｔｉ）、
及びニッケル（Ｎｉ）が最適である。また、それらの金
属材料を単層に用いたり、積層状態で用いたりすること
もできる。その膜厚は、高周波領域でのインピーダンス
膜の被覆性を考慮して０．３〜０．５μｍとなってい
る。

【００２６】薄膜誘電体層３は高周波領域でおいて高誘
電率を有するものであればよいが、その膜厚は１μｍ以
下が望ましい。薄膜誘電体層３は、ペロブスカイト型酸
化物結晶からなる誘電体材料で、例えばＰｂ（Ｍｇ，Ｎ
ｂ）Ｏ₃系、Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃−ＰｂＴｉＯ₃系、
Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃系、Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃−Ｐ
ｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃系、（Ｐｂ，Ｌａ）ＺｒＴｉＯ
₃系、ＢａＴｉＯ₃系、（Ｓｒ，Ｂａ）ＴｉＯ₃系、ある
いはこれに他の添加物を添加したり、置換した化合物で
あってもよく、特に限定されるものではない。

【００２７】また、薄膜誘電体層３の膜厚は、高容量と
絶縁性を確保するために０．３〜１．０μｍが望まし
い。これは０．３μｍよりも薄い場合には被覆性が良好
でなく、絶縁性が低下する場合があり、１．０μｍより
も厚い場合には、容量が小さくなる傾向がある。また、
測定周波数３００ＭＨｚ（室温）での比誘電率が１００
０以上の誘電体薄膜３が望ましい。このような薄膜誘電
体層３は、スパッタ法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル
法等の公知の方法に絶縁基板１の下部電極２上の全面に
誘電体層を形成し、フォトリソグラフィ技術によりパタ
ーン化して形成する。

【００２８】また、保護層５は、容量発生領域の表面を
保護するためのものであり、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ
₂、ポリイミド樹脂及びＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）
等から構成されている。保護層５は外部端子６、７が形
成される領域を残して薄膜上部電極層4を完全に覆うよ
う、即ち、絶縁基板１の一方主面側を被覆するよう形成
されている。

【００２９】この保護層５に形成された外部端子６、７
用の貫通穴には、実装基板に接合する外部端子６、７が
形成される。例えば、外部端子６は、薄膜上部電極層４
の一部、薄膜下部電極層２の一部を介して、容量発生領
域の薄膜下部電極層２に接続されている。また、外部端
子７は、薄膜上部電極層４の一部を介して、容量発生領
域の薄膜上部電極層４に接続されている。この外部端子
は、半田などのボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）で形成
されている。

【００３０】このような薄膜コンデンサにおいては、図
１で現れる側、即ち、絶縁基板１の他方主面側には、マ
ーキング層８が形成されている。このマーキング層は、
絶縁基板１の他方主面に被着形成された薄膜金属層８０
と、薄膜金属層８０にＹＡＧレーザーにより掘削されて
凹部９が形成されている。この凹部９が任意形状に形成
されており、図に示すよう、例えば、「ＡｏＡ」のよう
に任意な記号、文字などを構成する。

【００３１】以上のように、本発明では、アルミナセラ
ミックなどの絶縁基板１に直接マーキングがほどこされ
るのではなく、絶縁基板１の他方主面に、ＴｉやＮｉか
らなる薄膜金属層８０を形成し、この薄膜金属層８０に
対してレーザー光の照射及び走査により形成される。即
ち、レーザー光の照射により、薄膜金属層８０の照射・
走査領域のみに、凹部９が形成されることになるため、
視認性・識別性が長期的に安定して得られる。特に、Ｔ
ｉをマーキング層８に用いた場合は酸化されにくく、長
期的に金属色が維持される。また、Ｎｉの場合は再表面
の酸化は早く起こるが、酸化自体の進行は非常に遅く、
変色も起こしにくいという特長があるためである。ま
た、レーザー光線の種類をみた時に、ＣＯ₂レーザーだ
けでなく、微細加工性の高いＹＡＧレーザー光線を用い
ることができる。このように、特にＹＡＧレーザーを用
いることにより、位置精度が良くなり、コントラストは
充分に得られ、マーキングの品位を上げることが可能に
なる。しかも、マーキングの位置精度や崩れを防ぐこと
ができる。例えば、微細加工性の高いＹＡＧレーザーを
用いると、薄膜コンデンサのように２．０ｍｍ×１．８
ｍｍといった小型の薄膜電子部品の主面に、小型の文字
についても精度よく確実にマーキングを作製することが
可能になった。また、例えばＣＯ₂レーザーなどを用い
てアルミナセラミックの絶縁基板１を充分に深く掘削す
ることがなくなったため、従来、絶縁基板１に起こって
いたマイクロクラックの発生を防ぐことができるように
なった。さらに、局所的に高い熱の影響を受けることが
なくなるため、金属薄膜層や薄膜コンデンサに対する熱
の影響も小さく抑えることができるようになる。

【００３２】また、後述するようにマーキングは、大型
絶縁基板の状態で、各素子領域に形成できるため、マー
キング工程も簡略することができる。次に、図５を用い
て薄膜電子部品である薄膜コンデンサの製造方法を説明
する。

【００３３】まず、複数の絶縁基板１が抽出できる大型
絶縁基板１１を用意する（図５（ａ））。

【００３４】次に、大型絶縁基板１１の一方主面には、
薄膜下部電極層２となる金属薄膜層２１、マーキング層
８となる金属薄膜層８０を被着形成する（図５
（ｂ））。例えば、厚み０．１ｍｍ（φ３inch）のアル
ミナの大型絶縁基板１１上に、スパッタ機にて密着層と
なるＴｉ層と表面層となるＡｕ層をそれぞれ０．１、
０．５μｍの厚みで形成する。ここで、薄膜下部電極層
２となる金属薄膜層２１は、例えば、多層構造にして、
マーキング層8となる薄膜金属層8０を単層(薄膜下部電
極層２の密着層に相当するＴｉ層の一層)としても構わ
ない。この場合、大型絶縁基板１１の表裏両主面に共通
的に薄膜金属層（密着層に相当）を被着し、その後、絶
縁基板１１の一方主面には、その密着層に相当する金属
層上にＡｕ層を被着形成してもよい。また、大型絶縁基
板１１の一方主面のみに、０．５μｍの厚みで密着層と
なる金属層を被着形成し、その後、表面層となるＡｕ層
を続けて被着した後、大型絶縁基板１１の他方主面にマ
ーキング層８となる金属層８０を０．１μｍの膜厚で被
着形成しても構わない。次に、上述の手法により、各種
成膜工程とパターンニング工程を繰り返して、大型絶縁
基板１１上に薄膜下部電極層２、薄膜誘電体層３、薄膜
上部電極層４からなる容量素子を複数形成するととも
に、所定形状の保護層５を形成する（図５（ｃ））。

【００３５】例えば、薄膜下部電極層２は、上述の金属
層上にポジレジストを用いフォトリソ工程で、エッチン
グによってパターンニングを行い形成する。薄膜誘電体
層３は、パターンニングされた薄膜下部電極層２上に誘
電体ゾル液を用い、スピンコーターで塗布し、約３００
度で乾燥後、７００〜９００度で焼成し、約１μｍの誘
電体薄膜を形成し、その後パターンニングとしては、薄
膜下部電極層２同様にフォトリソ加工を用い、誘電体を
ウエットエッチングする。さらに、薄膜上部電極層４
は、スパッタ装置を用い、密着層／バリア層を含めた積
層構造の薄膜金属層を成膜し、同じく、感光性レジスト
を用いフォトリソエッチング工程でパターンニングす
る。これらの工程で形成された容量素子を湿度及び衝撃
から守るため、中間保護層/誘電体保護層となる材料を
用いて保護層となる塗膜をスピンコーターで塗布し、こ
れを露光プロセスを用いて外部端子６、７が形成される
貫通孔を加工する。

【００３６】次に、これを大型基板１１の他方主面の各
素子領域に、ＹＡＧレーザー光線を用いて、マーキング
層8となる金属層８０の一部が所定形状（記号、文字な
ど）の除去部が形成されるように照射・走査する（図５
（ｄ）。

【００３７】次に、保護層８の貫通孔に外部端子６、７
を形成する。例えば粒径の小さい半田ペーストを用いて
上述貫通孔内に充填印刷した後、２５０℃前後で焼成し
て形成する（図５（ｅ））。

【００３８】次に、外部端子６、７が形成された大型絶
縁基板１１をダイシング装置を用いて、各素子毎に切断
する（図５（ｆ））。

【００３９】これにより、大型絶縁基板１１から図１〜
図３に示す薄膜コンデンサが得られる。

【００４０】尚、上述の製造方法では、大型絶縁基板１
１の状態で、マーキングを施したが、このマーキングの
形成を、大型絶縁基板１１を個々の素子に分離した後
に、振動型絶縁基板整列機を用い、絶縁基板1の他方主
面が露出するように整列させて、各素子の絶縁基板１の
他方主面にＹＡＧレーザー光線を用いて、マーキング層
8となる薄膜金属層８０の一部が所定形状（記号、文字
など）の凹部９を形成するように照射・走査しても構わ
ない。

【００４１】ここで、例えば、ＹＡＧレーザー光線の照
射・走査条件は、電流値、１５Ａ、速度７０ｍｍ/ｓｅ
ｃ、加工周波数９０ｋＨｚで行った。このようにする
と、絶縁基板１の他方主面のマーキング層８に、線幅４
０μｍの所定形状の凹部９が形成できる。尚、上述の条
件では、例えは０．７ｍｍ角のスペースにアルファベッ
ト８文字を繊細に描くことができた。

【００４２】さらに、このＹＡＧレーザー光線によるマ
ーキング加工では、絶縁基板基板１の断面から見たの基
板表面の掘り込みを発生させることなく、また、マイク
ロクラックを発生させることなく、マーキング加工を行
なうことができる。そして、また、この薄膜コンデンサ
が、低インダクタンス高容量のまま特性が維持できた。

【００４３】さらに、このレーザーの種類は、ＹＡＧレ
ーザーに限ることはない。即ち、基板に過度の堀り込み
が形成されず、かつ、マーキングが鮮明に形成できれ
ば、ＣＯ₂レーザーやその他のレーザーを用いることが
できる。

【００４４】また、図５（ｃ）の工程では、薄膜電子部
品としては、薄膜コンデンサ素子を形成するための製造
工程で示したが、このこの薄膜電子部品が薄膜抵抗素子
である場合は、薄膜誘電体層３に変えて薄膜抵抗体層に
変更するとともに、膜薄膜下部電極層２、薄膜上部電極
層４のパターン及び成膜順番を変える。さらに、薄膜イ
ンダクタ素子である場合には、薄膜誘電体層３に変えて
所定パターンの薄膜導体層に変更するとともに、膜薄膜
下部電極層２、薄膜上部電極層４のパターン及び成膜順
番を変える。さらに、これらの複合電子部品の場合に
は、膜薄膜下部電極層２、薄膜上部電極層４のパターン
及び成膜順番を変えることにより、達成できる。

【００４５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、薄膜コン
デンサ素子、薄膜抵抗素子、薄膜インダクタ素子などの
薄膜電子部品を構成する絶縁基板の実装面と対向する主
面に、マーキング層を形成して、レーザー光線の照射・
走査によりマーキングを形成した。これにより、絶縁基
板に過度の衝撃を与えることなく、素子の特性を確保
し、且つ、コントラストの良好なマーキングを施すこと
ができる。

【００４６】また、マーキング層となる薄膜金属層も、
薄膜下部電極層となる金属層となる同一工程で形成する
などでき、従来の製造工程に対して、異種の工程が付加
されることがなく、安価で、簡単にマーキングを形成で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜電子部品である薄膜コンデンサの
外観斜視図である。

【図２】本発明の薄膜電子部品である薄膜コンデンサの
実装面側の平面図である。

【図３】本発明の薄膜電子部品である薄膜コンデンサの
実装面側の断面図である。

【図４】本発明の薄膜電子部品である薄膜コンデンサの
分解斜視図である。

【図５】本発明の薄膜電子部品である薄膜コンデンサの
製造方法を示すものであり、（ａ）〜（ｆ）はいずれも
概略側面図である。

【図６】従来の薄膜コンデンサの外観斜視図である。

【図７】従来の薄膜コンデンサの断面構造、及びマーキ
ング加工を示す断面図である。

【符号の説明】

１０・・・薄膜コンデンサ１・・・絶縁基板２・・・薄膜下部電極層３・・・薄膜誘電体層４・・・上部電極層５・・・保護層８・・・マーキング層９・・・凹部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板の一方主面に、外部端子電極を
有する薄膜電子部品素子を形成して成る薄膜電子部品に
おいて、前記絶縁基板の他方主面には、任意形状の凹部が形成さ
れた薄膜金属層からなるマーキング層が被着形成されて
いることを特徴とする薄膜電子部品。
【請求項２】前記マーキング層は、ＴｉまたはＮｉの
薄膜金属層によって形成されていることを特徴とする請
求項１記載の薄膜電子部品。
【請求項３】前記絶縁基板の一方主面に電子部品素子
を形成するとともに、前記絶縁基板の他方主面にマーキ
ング層となる薄膜金属層を被着し、前記薄膜金属層に、
レーザー光の照射及び走査によって、任意形状の凹部を
形成することを特徴とする薄膜電子部品の製造方法。