JP2003197399A - 超高密度パルス配向分子ビーム発生装置 - Google Patents
超高密度パルス配向分子ビーム発生装置Info
- Publication number
- JP2003197399A JP2003197399A JP2001395546A JP2001395546A JP2003197399A JP 2003197399 A JP2003197399 A JP 2003197399A JP 2001395546 A JP2001395546 A JP 2001395546A JP 2001395546 A JP2001395546 A JP 2001395546A JP 2003197399 A JP2003197399 A JP 2003197399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- density
- electric field
- honeycomb
- beam generator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配向分子ビーム特性を変えることなく、超高
密度配向分子ビームを発生させることができるハニカム
型特殊六極電場を用いた超高密度パルス配向分子ビーム
発生装置を提供する。 【解決手段】 超高密度パルス配向分子ビーム発生装置
において、長尺方向に下流に行くに従って径が小さくな
るように形成された複数本の円錐電極を全体の外径が下
流に行くに従って径が小さくなるように構成するととも
に、前記長尺方向の断面方向に蜂の巣形状を有するハニ
カム型特殊六極電場電極７を具備し、７本の六回対称軸
がそれぞれ各分子ビーム軸に一致するように固定され
る。
密度配向分子ビームを発生させることができるハニカム
型特殊六極電場を用いた超高密度パルス配向分子ビーム
発生装置を提供する。 【解決手段】 超高密度パルス配向分子ビーム発生装置
において、長尺方向に下流に行くに従って径が小さくな
るように形成された複数本の円錐電極を全体の外径が下
流に行くに従って径が小さくなるように構成するととも
に、前記長尺方向の断面方向に蜂の巣形状を有するハニ
カム型特殊六極電場電極７を具備し、７本の六回対称軸
がそれぞれ各分子ビーム軸に一致するように固定され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アモルファス太陽
電池高効率化のための表面反応の選択的促進、半導体な
どナノ表面デバイスの微細加工や放射光励起と組み合わ
せたナノ表面デバイスの微細加工に好適なハニカム型特
殊六極電場を用いた超高密度パルス配向分子ビーム発生
装置に関するものである。
電池高効率化のための表面反応の選択的促進、半導体な
どナノ表面デバイスの微細加工や放射光励起と組み合わ
せたナノ表面デバイスの微細加工に好適なハニカム型特
殊六極電場を用いた超高密度パルス配向分子ビーム発生
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、超高速デバイスや電子−光融合デ
バイスなどナノ表面デバイスの次世代製造テクノロジー
の開発が求められている。配向分子ビームを用いたエピ
タキシャル表面加工技術は原子レベルで反応を制御で
き、しかも煩わしい副反応を避けることができるので、
今日考えられる範囲で最も理想的なデバイス製造技術で
ある。
バイスなどナノ表面デバイスの次世代製造テクノロジー
の開発が求められている。配向分子ビームを用いたエピ
タキシャル表面加工技術は原子レベルで反応を制御で
き、しかも煩わしい副反応を避けることができるので、
今日考えられる範囲で最も理想的なデバイス製造技術で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、配向分
子ビーム法の最大の弱点は、その分子ビーム強度の弱さ
である。標準配向分子ビームの数密度強度は１０-6Ｐａ
と推定されているが、さらに信号強度や反応度を高めた
い場合、一般に分子ビームノズル圧を上げたり、噴出ノ
ズル径を大きくするが、そうすると分子ビームがクラス
ター化したり速度分布、回転温度など配向分子ビーム特
性が大きく変化して、結果的に分子ビーム強度を上げる
目的が達成できない。
子ビーム法の最大の弱点は、その分子ビーム強度の弱さ
である。標準配向分子ビームの数密度強度は１０-6Ｐａ
と推定されているが、さらに信号強度や反応度を高めた
い場合、一般に分子ビームノズル圧を上げたり、噴出ノ
ズル径を大きくするが、そうすると分子ビームがクラス
ター化したり速度分布、回転温度など配向分子ビーム特
性が大きく変化して、結果的に分子ビーム強度を上げる
目的が達成できない。
【０００４】本発明は、上記状況に鑑みて、従来の技術
のように分子ビームノズル圧を上げたり、噴出ノズル径
を大きくすることによる、配向分子ビーム特性を変える
ことなく、超高密度配向分子ビームを発生させることが
できるハニカム型特殊六極電場を用いた超高密度パルス
配向分子ビーム発生装置を提供することを目的とする。
のように分子ビームノズル圧を上げたり、噴出ノズル径
を大きくすることによる、配向分子ビーム特性を変える
ことなく、超高密度配向分子ビームを発生させることが
できるハニカム型特殊六極電場を用いた超高密度パルス
配向分子ビーム発生装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕超高密度パルス配向分子ビーム発生装置におい
て、長尺方向に下流に行くに従って径が小さくなるよう
に形成された複数本の円錐電極を全体の外径が下流に行
くに従って径が小さくなるように構成するとともに、前
記長尺方向の断面方向に蜂の巣形状を有するハニカム型
特殊六極電場電極を具備し、七本の六回対称軸がそれぞ
れ各分子ビーム軸に一致するように固定されることを特
徴とする。
成するために、 〔１〕超高密度パルス配向分子ビーム発生装置におい
て、長尺方向に下流に行くに従って径が小さくなるよう
に形成された複数本の円錐電極を全体の外径が下流に行
くに従って径が小さくなるように構成するとともに、前
記長尺方向の断面方向に蜂の巣形状を有するハニカム型
特殊六極電場電極を具備し、七本の六回対称軸がそれぞ
れ各分子ビーム軸に一致するように固定されることを特
徴とする。
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載の超高密度パルス配
向分子ビーム発生装置において、前記電場の上流にパル
スバルブとビームスキマーとビームコリメーターとを備
え、前記パルスバルブの本数の調整により分子ビーム密
度の調整を可能にすることを特徴とする。
向分子ビーム発生装置において、前記電場の上流にパル
スバルブとビームスキマーとビームコリメーターとを備
え、前記パルスバルブの本数の調整により分子ビーム密
度の調整を可能にすることを特徴とする。
【０００７】〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の超高密
度パルス配向分子ビーム発生装置において、原材料気体
の圧力の調整により分子ビーム密度の調整を可能にする
ことを特徴とする。
度パルス配向分子ビーム発生装置において、原材料気体
の圧力の調整により分子ビーム密度の調整を可能にする
ことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【０００９】図１は本発明の実施例を示す超高密度配向
分子ビーム発生装置の側面図である。図２はその超高密
度配向分子ビーム発生装置のハニカム型特殊六極電場電
極の断面図、図３は本発明の実施例を示す超高密度配向
分子ビーム発生装置の要部構成図であり、図３（ａ）は
その側面図〔図３（ａ−１）は右側面図、図３（ａ−
２）は長尺方向の側面図〕、図３（ｂ）はその上面図
〔図３（ｂ−１）は右側面図、図３（ｂ−２）は長尺方
向の上面図〕である。
分子ビーム発生装置の側面図である。図２はその超高密
度配向分子ビーム発生装置のハニカム型特殊六極電場電
極の断面図、図３は本発明の実施例を示す超高密度配向
分子ビーム発生装置の要部構成図であり、図３（ａ）は
その側面図〔図３（ａ−１）は右側面図、図３（ａ−
２）は長尺方向の側面図〕、図３（ｂ）はその上面図
〔図３（ｂ−１）は右側面図、図３（ｂ−２）は長尺方
向の上面図〕である。
【００１０】これらの図において、１は第１の真空チャ
ンバー、２は第２の真空チャンバー、３は第３の真空チ
ャンバー、４はパルスバルブ、５はビームスキマー、６
はビームコリメーター、７は長尺方向に下流に行くに従
って径が小さくなるように形成された複数本の円錐電極
（上流端１５ｍｍφ、下流端７．５ｍｍφ）を全体の外
径が下流に行くに従って径が小さくなるように構成する
とともに、断面形状が蜂の巣形状であるハニカム型特殊
六極電場電極、１０はそのハニカム型特殊六極電場の出
口、１１は固定外枠部材、１２は固定外枠部材１１に固
定されるパルスバルブ４の支持部材、１３は固定外枠部
材１１に固定されるビームスキマー５の支持部材、１４
は固定外枠部材１１に固定されるビームコリメーター６
の支持部材、１５は固定外枠部材１１に固定されるハニ
カム型特殊六極電場電極（２４本）７の第１の支持部
材、１６は固定外枠部材１１に固定されるハニカム型特
殊六極電場電極（２４本）７の第２の支持部材、１７は
固定外枠部材１１に固定されるハニカム型特殊六極電場
電極（２４本）７の第３の支持部材、２１は第４の真空
チャンバー、２２は質量分析計である。
ンバー、２は第２の真空チャンバー、３は第３の真空チ
ャンバー、４はパルスバルブ、５はビームスキマー、６
はビームコリメーター、７は長尺方向に下流に行くに従
って径が小さくなるように形成された複数本の円錐電極
（上流端１５ｍｍφ、下流端７．５ｍｍφ）を全体の外
径が下流に行くに従って径が小さくなるように構成する
とともに、断面形状が蜂の巣形状であるハニカム型特殊
六極電場電極、１０はそのハニカム型特殊六極電場の出
口、１１は固定外枠部材、１２は固定外枠部材１１に固
定されるパルスバルブ４の支持部材、１３は固定外枠部
材１１に固定されるビームスキマー５の支持部材、１４
は固定外枠部材１１に固定されるビームコリメーター６
の支持部材、１５は固定外枠部材１１に固定されるハニ
カム型特殊六極電場電極（２４本）７の第１の支持部
材、１６は固定外枠部材１１に固定されるハニカム型特
殊六極電場電極（２４本）７の第２の支持部材、１７は
固定外枠部材１１に固定されるハニカム型特殊六極電場
電極（２４本）７の第３の支持部材、２１は第４の真空
チャンバー、２２は質量分析計である。
【００１１】この超高密度配向分子ビーム発生装置は、
図２及び図３に示すように、長尺方向に複数本の円錐電
極を有するとともに、その長尺方向の断面方向にハニカ
ム形状を有する電極による電場を用いている。より具体
的には、２４本の円錐電極から成るハニカム電極による
特殊六極電場電極７を用いるようにしている。
図２及び図３に示すように、長尺方向に複数本の円錐電
極を有するとともに、その長尺方向の断面方向にハニカ
ム形状を有する電極による電場を用いている。より具体
的には、２４本の円錐電極から成るハニカム電極による
特殊六極電場電極７を用いるようにしている。
【００１２】図１の左側から、７本の分子ビームを同時
に発生させ、各々分子ビームが２３４０ｍｍ前方で一点
に集束するように７個のパルスバルブ４、ビームスキマ
ー５、ビームコリメーター６が扇状に並べられている。
引続き右隣の第３の真空チャンバー３に１メートル長の
２４本の円錐電極から成るハニカム電極による特殊六極
電場電極７が、７本の六回対称軸がそれぞれ各分子ビー
ム軸に一致するように固定されている。
に発生させ、各々分子ビームが２３４０ｍｍ前方で一点
に集束するように７個のパルスバルブ４、ビームスキマ
ー５、ビームコリメーター６が扇状に並べられている。
引続き右隣の第３の真空チャンバー３に１メートル長の
２４本の円錐電極から成るハニカム電極による特殊六極
電場電極７が、７本の六回対称軸がそれぞれ各分子ビー
ム軸に一致するように固定されている。
【００１３】従って、分子ビーム軸に垂直な断面は、図
２に示すように、六角形が７つ組み合わされた蜂の巣の
形状をしており、ハニカム電極の電位は隣同士が正負と
互い違いになるように印加電圧がかけられる。パルスバ
ルブ４とビームスキマー５は１０インチ油拡散ポンプ
（図示なし）により左端の第１の真空チャンバー１を真
空排気し、ビームスキマー５とビームコリメーター６間
は別の分子ターボ真空ポンプ（図示なし）により、第２
の真空チャンバー２を、さらに、ビームコリメーター６
より右側のハニカム型特殊六極電場電極７は更に別の分
子ターボ真空ポンプ（図示なし）による作動により、第
３の真空チャンバー３を排気する。
２に示すように、六角形が７つ組み合わされた蜂の巣の
形状をしており、ハニカム電極の電位は隣同士が正負と
互い違いになるように印加電圧がかけられる。パルスバ
ルブ４とビームスキマー５は１０インチ油拡散ポンプ
（図示なし）により左端の第１の真空チャンバー１を真
空排気し、ビームスキマー５とビームコリメーター６間
は別の分子ターボ真空ポンプ（図示なし）により、第２
の真空チャンバー２を、さらに、ビームコリメーター６
より右側のハニカム型特殊六極電場電極７は更に別の分
子ターボ真空ポンプ（図示なし）による作動により、第
３の真空チャンバー３を排気する。
【００１４】ハニカム型特殊六極電場の出口１０から１
メートル前方に分子ビーム強度を測定するために質量分
析計２２が設置されており、その第４の真空チャンバー
２１も独自の分子ターボ真空ポンプ（図示なし）によっ
て排気する。すなわち、隔壁で合計４つに区切られた真
空チャンバー１，２，３，２１で構成されている。到達
真空度は、約１×１０-5Ｐａである。
メートル前方に分子ビーム強度を測定するために質量分
析計２２が設置されており、その第４の真空チャンバー
２１も独自の分子ターボ真空ポンプ（図示なし）によっ
て排気する。すなわち、隔壁で合計４つに区切られた真
空チャンバー１，２，３，２１で構成されている。到達
真空度は、約１×１０-5Ｐａである。
【００１５】装置各部位の寸法を、図３に示す。例え
ば、パルスバルブ４の支持部材１２とビームスキマー５
の支持部材１３との間隔Ｌ1 は７０ｍｍ、ビームスキマ
ー５の支持部材１３とビームコリメーター６の支持部材
１４との間隔Ｌ2 は２００ｍｍ、ビームコリメーター６
の支持部材１４とハニカム型特殊六極電場電極（２４
本）７の左端との間隔Ｌ3 は５０ｍｍ、ハニカム型特殊
六極電場電極（２４本）７の左端と右端との間隔Ｌ4 は
１０００ｍｍ、ハニカム型特殊六極電場電極（２４本）
７の右端と分子ビームの集束点の距離Ｌ5 は１０２０ｍ
ｍである。
ば、パルスバルブ４の支持部材１２とビームスキマー５
の支持部材１３との間隔Ｌ1 は７０ｍｍ、ビームスキマ
ー５の支持部材１３とビームコリメーター６の支持部材
１４との間隔Ｌ2 は２００ｍｍ、ビームコリメーター６
の支持部材１４とハニカム型特殊六極電場電極（２４
本）７の左端との間隔Ｌ3 は５０ｍｍ、ハニカム型特殊
六極電場電極（２４本）７の左端と右端との間隔Ｌ4 は
１０００ｍｍ、ハニカム型特殊六極電場電極（２４本）
７の右端と分子ビームの集束点の距離Ｌ5 は１０２０ｍ
ｍである。
【００１６】以下、本発明の超高密度配向分子ビーム発
生装置の作用について説明する。
生装置の作用について説明する。
【００１７】図１において、まず、パルスバルブ４から
原材料気体ガスを真空中に噴出させ、ビームスキマー５
を用いて、噴出ガス流の超音速化された中心部のみを取
り出して、ビームコリメーター６を通過させる。そこで
分子ビーム外径を制限する。
原材料気体ガスを真空中に噴出させ、ビームスキマー５
を用いて、噴出ガス流の超音速化された中心部のみを取
り出して、ビームコリメーター６を通過させる。そこで
分子ビーム外径を制限する。
【００１８】引続きハニカム型特殊六極電場電極７へ、
外径の決まった７本の分子ビームを導入して、２４本の
ハニカム型特殊六極電場電極７に正負交代静電場を印加
し、六電極で囲まれた７つの空間で不均一電場を発生さ
せる。
外径の決まった７本の分子ビームを導入して、２４本の
ハニカム型特殊六極電場電極７に正負交代静電場を印加
し、六電極で囲まれた７つの空間で不均一電場を発生さ
せる。
【００１９】次に、各々の六極電場でシュタルク効果を
利用して、原材料分子の回転量子状態（すなわち分子配
向状態）を選択し、ハニカム型特殊六極電場の出口１０
より１メートル先の質量分析計２２を用いて、配向分子
ビームのビーム強度を測定する。７本の配向分子ビーム
は一集束点に取り付けられている質量分析計２２で総和
としてビーム強度の測定を行う。
利用して、原材料分子の回転量子状態（すなわち分子配
向状態）を選択し、ハニカム型特殊六極電場の出口１０
より１メートル先の質量分析計２２を用いて、配向分子
ビームのビーム強度を測定する。７本の配向分子ビーム
は一集束点に取り付けられている質量分析計２２で総和
としてビーム強度の測定を行う。
【００２０】なお、この図においては、ビーム強度の測
定を行うために、第４の真空チャンバー２１内に質量分
析計２２が配置されているが、本発明の超高密度パルス
配向分子ビーム発生装置は、この分子ビームによる各種
デバイスの微細加工などを行うために、質量分析計２２
に代わって処理の対象となるデバイスが配置され、微細
加工処理などが行われることは言うまでもない。
定を行うために、第４の真空チャンバー２１内に質量分
析計２２が配置されているが、本発明の超高密度パルス
配向分子ビーム発生装置は、この分子ビームによる各種
デバイスの微細加工などを行うために、質量分析計２２
に代わって処理の対象となるデバイスが配置され、微細
加工処理などが行われることは言うまでもない。
【００２１】本発明によれば、このように構成したの
で、以下のような効果を奏することができる。
で、以下のような効果を奏することができる。
【００２２】図４に原材料気体としてアルゴンガス（Ａ
ｒ）を用いて、２０ｋＰａ、５ｋＰａ、３ｋＰａの３種
類のガス圧条件で、パルスバルブから噴出する分子ビー
ム数を順次増やして行ったときの、質量分析計における
分子ビーム強度の総和を示す。図４（ａ）にその特性
図、図４（ｂ）にそのノズルの配置図が示されている。
ｒ）を用いて、２０ｋＰａ、５ｋＰａ、３ｋＰａの３種
類のガス圧条件で、パルスバルブから噴出する分子ビー
ム数を順次増やして行ったときの、質量分析計における
分子ビーム強度の総和を示す。図４（ａ）にその特性
図、図４（ｂ）にそのノズルの配置図が示されている。
【００２３】図から明らかなように、どのガス圧条件で
もビーム本数と総和ビーム強度によい直線関係があるこ
とがわかる。
もビーム本数と総和ビーム強度によい直線関係があるこ
とがわかる。
【００２４】図５に原材料気体としてアルゴン（Ａｒ）
〔９４％のアルゴン（Ａｒ）の混合気体〕にアセトニト
リル（ＣＨ3 ＣＮ）を６％希釈した混合ガスを使った電
場電圧依存性を示す。アセトニトリル分子は六極電場で
シュタルク効果を示す標準気体であるので、ハニカム型
特殊六極電場が設計通りにシュタルク効果を示すかどう
かを確かめることができる。
〔９４％のアルゴン（Ａｒ）の混合気体〕にアセトニト
リル（ＣＨ3 ＣＮ）を６％希釈した混合ガスを使った電
場電圧依存性を示す。アセトニトリル分子は六極電場で
シュタルク効果を示す標準気体であるので、ハニカム型
特殊六極電場が設計通りにシュタルク効果を示すかどう
かを確かめることができる。
【００２５】ハニカム電場の印加電圧を上げると、予想
される通りの配向分子ビーム強度の増大が見られ、ハニ
カム型特殊六極電場は、設計通り正常に働いていること
がわかる。加えて確認のため計算機シミュレーションを
行った結果、実測点をすべてうまく再現することができ
た。その時の分子ビームの回転温度（Ｔｒ）は４０Ｋ、
流れ速度（Ｖｓ）は５１０ｍ／ｓが最適であった。
される通りの配向分子ビーム強度の増大が見られ、ハニ
カム型特殊六極電場は、設計通り正常に働いていること
がわかる。加えて確認のため計算機シミュレーションを
行った結果、実測点をすべてうまく再現することができ
た。その時の分子ビームの回転温度（Ｔｒ）は４０Ｋ、
流れ速度（Ｖｓ）は５１０ｍ／ｓが最適であった。
【００２６】本発明によれば、上記したように、ハニカ
ム型特殊六極電場（１メートル長×２４ハニカム型特殊
六極電場電極）の製作に成功した。したがって、真空中
で分子ビーム特性を損なうことなく制御しながら超高密
度で超音速のパルス配向分子ビームを発生させることが
できた。
ム型特殊六極電場（１メートル長×２４ハニカム型特殊
六極電場電極）の製作に成功した。したがって、真空中
で分子ビーム特性を損なうことなく制御しながら超高密
度で超音速のパルス配向分子ビームを発生させることが
できた。
【００２７】標準配向分子ビームの数密度強度は１０-4
Ｐａと推定されているが、この装置を用いると同様の分
子ビーム特性を保ったままで７倍の分子ビーム強度の増
大が可能である。ハニカム型特殊六極電場電極を増やせ
ば、原理的には、１０倍〜数１０倍の配向分子ビームの
高密度化も可能である。
Ｐａと推定されているが、この装置を用いると同様の分
子ビーム特性を保ったままで７倍の分子ビーム強度の増
大が可能である。ハニカム型特殊六極電場電極を増やせ
ば、原理的には、１０倍〜数１０倍の配向分子ビームの
高密度化も可能である。
【００２８】本発明のハニカム型特殊六極電場を用いた
超高密度パルス配向分子ビーム発生装置を使用すれば、
特定の表面反応の選択的促進、半導体などナノ表面デバ
イスの微細加工、放射光励起と組み合わせたナノ表面デ
バイスの微細加工などが可能となる。
超高密度パルス配向分子ビーム発生装置を使用すれば、
特定の表面反応の選択的促進、半導体などナノ表面デバ
イスの微細加工、放射光励起と組み合わせたナノ表面デ
バイスの微細加工などが可能となる。
【００２９】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
【００３１】（Ａ）真空中で分子ビーム特性を損なうこ
となく制御しながら超高密度で超音速のパルス配向分子
ビームを発生させることができる。
となく制御しながら超高密度で超音速のパルス配向分子
ビームを発生させることができる。
【００３２】（Ｂ）標準配向分子ビームの数密度強度は
１０-4Ｐａと推定されているが、この装置を用いると同
様の分子ビーム特性を保ったままで７倍分子ビーム強度
の増大が可能である。円錐電極数を増やせば、原理的に
は１０倍〜数１０倍の配向分子ビームの高密度化も可能
である。
１０-4Ｐａと推定されているが、この装置を用いると同
様の分子ビーム特性を保ったままで７倍分子ビーム強度
の増大が可能である。円錐電極数を増やせば、原理的に
は１０倍〜数１０倍の配向分子ビームの高密度化も可能
である。
【００３３】（Ｃ）ハニカム型特殊六極電場を用いた超
高密度パルス配向分子ビーム発生装置によれば、特定の
表面反応の選択的促進、半導体などナノ表面デバイスの
微細加工、放射光励起と組み合わせたナノ表面デバイス
の微細加工などが可能となる。
高密度パルス配向分子ビーム発生装置によれば、特定の
表面反応の選択的促進、半導体などナノ表面デバイスの
微細加工、放射光励起と組み合わせたナノ表面デバイス
の微細加工などが可能となる。
【図１】本発明の実施例を示す超高密度配向分子ビーム
発生装置の側面図である。
発生装置の側面図である。
【図２】本発明の実施例を示す超高密度配向分子ビーム
発生装置のハニカム型特殊六極電場電極の断面図であ
る。
発生装置のハニカム型特殊六極電場電極の断面図であ
る。
【図３】本発明の実施例を示す超高密度配向分子ビーム
発生装置の要部構成図である。
発生装置の要部構成図である。
【図４】本発明の実施例を示す超高密度配向分子ビーム
発生装置の信号強度のノズル数とビーム強度との依存特
性図である。
発生装置の信号強度のノズル数とビーム強度との依存特
性図である。
【図５】本発明の実施例を示す原材料気体としてクリプ
トン（Ｋｒ）〔９４％のクリプトン（Ｋｒ）の混合気
体〕にアセトニトリル（ＣＨ3 ＣＮ）を６％希釈した混
合ガスを使った電場電圧依存性を示す図である。
トン（Ｋｒ）〔９４％のクリプトン（Ｋｒ）の混合気
体〕にアセトニトリル（ＣＨ3 ＣＮ）を６％希釈した混
合ガスを使った電場電圧依存性を示す図である。
１ 第１の真空チャンバー
２ 第２の真空チャンバー
３ 第３の真空チャンバー
４ パルスバルブ
５ ビームスキマー
６ ビームコリメーター
７ ハニカム型特殊六極電場電極
１０ ハニカム型特殊六極電場の出口
１１ 固定外枠部材
１２ パルスバルブの支持部材
１３ ビームスキマーの支持部材
１４ ビームコリメーターの支持部材
１５ 円錐電極（２４本）の第１の支持部材
１６ 円錐電極（２４本）の第２の支持部材
１７ 円錐電極（２４本）の第３の支持部材
２１ 第４の真空チャンバー
２２ 質量分析計
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 清水 雄一郎
愛知県岡崎市羽根町大池115 グランド
ビュー 大池 506
(72)発明者 鈴井 光一
愛知県岡崎市竜美南２−４−１ 竜美ケ丘
公務員宿舎２−54
Ｆターム(参考） 2G085 BA06 BA15 EA08
Claims (3)
- 【請求項１】 長尺方向に下流に行くに従って径が小さ
くなるように形成された複数本の円錐電極を全体の外径
が下流に行くに従って径が小さくなるように構成すると
ともに、前記長尺方向の断面方向に蜂の巣形状を有する
ハニカム型特殊六極電場電極を具備し、七本の六回対称
軸がそれぞれ各分子ビーム軸に一致するように固定され
ることを特徴とする超高密度パルス配向分子ビーム発生
装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の超高密度パルス配向分子
ビーム発生装置において、前記電場の上流にパルスバル
ブとビームスキマーとビームコリメーターとを備え、前
記パルスバルブの本数の調整により分子ビーム密度の調
整を可能にすることを特徴とする超高密度パルス配向分
子ビーム発生装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の超高密度パルス配
向分子ビーム発生装置において、原材料気体の圧力の調
整により分子ビーム密度の調整を可能にすることを特徴
とする超高密度パルス配向分子ビーム発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001395546A JP3727584B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 超高密度パルス配向分子ビーム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001395546A JP3727584B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 超高密度パルス配向分子ビーム発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197399A true JP2003197399A (ja) | 2003-07-11 |
| JP3727584B2 JP3727584B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=27601894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001395546A Expired - Fee Related JP3727584B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 超高密度パルス配向分子ビーム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3727584B2 (ja) |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001395546A patent/JP3727584B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3727584B2 (ja) | 2005-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1314300C (zh) | 星形箍缩的x射线和远紫外线光子源 | |
| JP4654141B2 (ja) | 短波長放射線発生のための放射線源 | |
| US20100170440A9 (en) | Surface treatment apparatus | |
| US8957572B2 (en) | Microplasma jet devices, arrays, medical devices and methods | |
| US6881971B2 (en) | Arrangement for the suppression of particle emission in the generation of radiation based on hot plasma | |
| US20080106202A1 (en) | Hollow cathode discharging apparatus | |
| JP2006074005A (ja) | 短波長電磁放射線を生成するためにターゲット材料を供給する装置 | |
| JP2005276618A (ja) | マイクロプラズマ生成装置および方法 | |
| JP2002050567A5 (ja) | ||
| JP2003197399A (ja) | 超高密度パルス配向分子ビーム発生装置 | |
| JP6841347B2 (ja) | イオンガイド装置およびそれに関連する方法 | |
| JP4568768B2 (ja) | プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置 | |
| KR101349898B1 (ko) | 극자외선 빔을 생성하기 위한 모듈 | |
| CA1267715A (en) | Axial gas laser | |
| US9343271B2 (en) | Apparatus for generating thermodynamically cold microwave plasma | |
| JP2003234199A (ja) | アプライドプラズマダクトシステム | |
| Oohara et al. | Plasma state transition originating from local production of massive negative ions | |
| KR101453856B1 (ko) | 곡면 형상의 구동 전극을 구비한 분사형 플라즈마 발생기 | |
| JPH09270245A (ja) | 不純物イオン発生装置及びこれを用いた質量分析装置 | |
| US20100218721A1 (en) | Hollow-cathode discharge apparatus for plasma-based processing | |
| JP2007179829A (ja) | 有機ｅｌ素子用マスククリーニング装置及びそれを用いた有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| JPS60153127A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JP2004170353A (ja) | 電子線照射装置とその照射方法 | |
| CN212992669U (zh) | 超强激光驱动微通道靶产生涡旋伽马光子束的系统 | |
| JP2004146085A (ja) | ガスクラスターイオンの発生方法及びその発生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050111 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050927 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050928 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091007 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101007 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111007 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |