JP2003197373A - エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法及び表示装置用透明基体及びその製造方法 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法及び表示装置用透明基体及びその製造方法

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Hisao Haku
久雄 白玖
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光透過用の透明基体における光の直進性を良
好にし、輝度ならびに色制御に優れたエレクトロルミネ
ッセンス表示装置を提供する。 【構成】 有機EL表示装置1は、透明基体2上に形成
された一導電型のキャリアを注入するための透明電極
3、有機材料からなる能動層4、他導電型のキャリアを
注入するための電極5を有して成る。前記能動層4の発
光面に正対する前記透明基体2の第1の領域2aの屈折
率は、それ以外の第2の領域2bの屈折率よりも高くな
っている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、エレクトロルミネッ
センス(EL)表示装置及びその製造方法及び表示装置
用透明基体及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】平面表示装置として、低消費電力,高効
率,薄型,軽量,低視野角依存性等の特徴を有するエレ
クトロルミネッセンス(EL)素子を用いたEL表示装
置が注目されている。EL表示装置には、無機材料から
なる発光層を有する無機EL表示装置と、有機材料から
なる発光層を有する有機EL表示装置とがある。無機E
L表示装置は、一般に発光部に高電界を印加し、この高
電界中で電子を加速して発光中心に衝突させることによ
り、発光中心を励起させて発光させる自発光型の表示装
置である。一方、有機EL表示装置は、電子注入電極と
ホール注入電極とから電子とホールとを発光部内へ注入
し、注入された電子およびホールが発光中心で再結合し
て有機分子が励起状態から基底状態へと戻るときに蛍光
を発生する自発光型の表示装置である。有機EL表示装
置は、発光材料である蛍光物質を選択することにより発
光色を変化させることができ、マルチカラー、フルカラ
ー等の表示装置への応用に対する期待が高まっている。
【0003】これらのEL表示装置の基体としては、光
を通過させるために透明なガラス基板やプラスチック基
板などが用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ガラスなどの
透明基体は、発光層や透明電極などに比べて格段に分厚
くなっている(数百倍以上)。このため、光の入射界面
で屈折された光は、光路長が長いために大きく曲げられ
て進むと共に、表面側の界面(光の出射界面)で反射さ
れ、横方向にどんどん光が逃げていき、いわゆる迷光を
生ずる。すなわち、EL表示装置の光透過用の透明基体
にて光の直進が阻害されてしまうことで、隣り合う画素
との境界が不明瞭となり、制御できない混色が発生する
と共に、横方向に光が逃げた分だけ、取り出せる輝度も
低下してしまう。
【0005】この発明は、上記の事情に鑑み、光透過用
の透明基体における光の直進性を良好にし、輝度ならび
に混色防止性に優れたエレクトロルミネッセンス表示装
置及びその製造方法及び表示装置用透明基体及びその製
造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明のエレクトロル
ミネッセンス表示装置は、上記の課題を解決するため
に、陽極と陰極との間に発光物質を含む層を設け、前記
陽極及び陰極によって電気エネルギーを前記発光物質に
供給し発光させ、光を透明基体側から出射させるエレク
トロルミネッセンス表示装置において、前記発光物質の
発光面に正対する前記透明基体の第1の領域の屈折率
が、それ以外の第2の領域の屈折率よりも高くされたこ
とを特徴とする。
【0007】上記の構成であれば、発光物質の発光面に
正対する第1の領域を通る光が第2の領域にさしかかっ
たとしても、その光の多くは第2の領域へ進まずに反射
されて第1の領域から出射されることになる。すなわ
ち、前記透明基体における光の直進性が良好になり、輝
度ならびに混色防止性に優れたものとなる。
【0008】上記構成のエレクトロルミネッセンス表示
装置において、前記発光物質は有機材料から成っていて
もよい。
【0009】また、この発明の表示装置用透明基体は、
画素の発光面に正対することとなる第1の領域の屈折率
がそれ以外の第2の領域の屈折率よりも高くされている
ことを特徴とする。前記第1の領域の屈折率と第2の領
域の屈折率との差異が0.1乃至1.0%に設定されて
いるのがよい。また、30μm乃至50μmの厚さを有
していてもよい。
【0010】また、この発明の表示装置用透明基体の製
造方法は、第1の領域にのみイオン注入処理を施すこと
を特徴とする。また、第2の領域にのみイオン交換処理
を施すことを特徴とする。かかる表示装置用透明基体の
製造方法において、当該表示装置用透明基体の表裏両面
から前記イオン注入処理又はイオン交換処理を施すよう
にしてもよい。
【0011】また、この発明のエレクトロルミネッセン
ス表示装置は、透明基体として前述したいずれかの表示
装置用透明基体を有してもよい。
【0012】また、この発明のエレクトロルミネッセン
ス表示装置の製造方法は、透明基体を前述したいずれか
の製造方法により製造する工程と、その後にこの透明基
体上に一方側電極と発光物質を含む層と他方側電極とを
形成する工程と、を有することを特徴とする。
【0013】また、この発明のエレクトロルミネッセン
ス表示装置の製造方法は、透明基体上に一方側電極と発
光物質を含む層と他方側電極とを形成する工程と、その
後に前記透明基体の第1の領域にのみイオン注入処理を
施す工程と、を有することを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】この発明のエレクトロルミネッセ
ンス表示装置及びその製造方法及び表示装置用透明基体
及びその製造方法を図1乃至図7に基づいて説明してい
く。
【0015】図1(a)は、この実施形態のエレクトロ
ルミネッセンス表示装置(以下、有機EL表示装置とい
う)の基本構造を簡素化して示した平面図であり、同図
(b)は同断面図である。有機EL表示装置1は、透明
基体2上に形成された一導電型のキャリアを注入するた
めの透明電極3、有機材料からなる能動層4、他導電型
のキャリアを注入するための電極5を有して構成され
る。なお、同図(b)において、発光面の寸法をAと
し、発光面間隔をBとする。
【0016】例えば、横640ドット×縦480ドット
のVGA(Video Graphics Arra
y)仕様の10インチのモノクロ表示装置を作製する場
合、画素ピッチ、すなわちA+Bは約318μmとな
る。フルカラーパネルでは、R、G、Bの3種類の発光
部を一単位として、一画素を構成させることとなり、横
方向(もしくは縦方向)の発光部は(A+B)/3=約
106μmの繰り返しピッチとなる。AとBの関係は、
通常、開口度と呼ばれるもので、配線スペース等の確保
から6対4(開口度36%)前後に設定される。
【0017】透明電極3は、例えば厚さ800ÅのIT
Oからなる。また、電極5は、例えば厚さ3000Åの
MgInからなる。有機EL能動層4は、図示はしない
が、透明電極3上に形成されたホール注入層(例えば厚
さ1000Åのトリフェニルアミン誘電体)と、その上
に順次形成されたホール輸送層(例えば厚さ200Åの
ジアミン誘導体)と発光層(例えば厚さ200Åのアル
ミニウムキノリノール錯体にキナクリドンをドープした
もの)とからなる。上記の各層は、真空度を10-4Pa
以下にして抵抗加熱ボートを用いた真空蒸着法を用いて
形成することができる。このように形成された有機EL
能動層4においては、10V程度の駆動電圧を印加する
ことにより、約300cd/m2 の輝度で発光する。
【0018】前記透明基体2における前記Aに対応する
領域、すなわち有機EL能動層4の発光面に正対する領
域(以下、この領域を第1の領域2aという)と、前記
Bに対応する領域(以下、この領域を第2の領域2bと
いう)とにおいて、第1の領域2aの屈折率は第2の領
域2bの屈折率よりも高くされている。前記第1の領域
2aの屈折率と第2の領域2bの屈折率との差異は、例
えば0.1乃至1.0%に設定される。
【0019】第1の領域2aの屈折率が第2の領域2b
の屈折率よりも高くされたことにより、第1の領域2a
を通る光が第2の領域2bにさしかかったとしても、そ
の光の多くは第2の領域2bへ進まずに反射されて第1
の領域2aから出射されることになる。すなわち、前記
透明基体2における光の直進性が良好になり、輝度なら
びに混色防止性に優れたものとなる。
【0020】次に、前記有機EL表示装置1の製造方法
を図2に基づいて説明する。この製造方法では、同図
(a)に示すように、透明基体2上に、透明電極3、有
機EL能動層4、電極5を順次形成し、その後に透明基
体2の第1の領域2aにのみイオン注入処理を施すよう
にしている。透明基体2としては、厚さ30μmの薄板
ガラス(松浪硝子工業社AF45)を用いた。同図
(b)に示すように、透明基体2における表面の第2の
領域(Bに対応した部分)2bに樹脂等でマスキング6
を施す。その後、イオン加速器を用い、同図(c)に示
すように、第1の領域(Aに対応した部分)2aにの
み、Liイオンを注入する。Liイオンの注入時間を変
化させることにより、所望の屈折率を得ることができ
る。また、透明基体2の厚みに応じた加速エネルギーに
てイオン注入の深さの均一性を保つようにする。イオン
注入後、同図(d)に示すように、マスク6をエッチャ
ント等により除去する。
【0021】イオン注入量を1016個/cm2 から10
18個/cm2 まで変化させて屈折率を変化させることを
試みた。また、加速エネルギーを100keVから2M
eVまで変化させてイオン注入の深さを変化させること
を試みた。イオン注入処理によって、図3に示すごと
く、屈折率は放物線状に変化した。
【0022】図4は、屈折率変化における中心部Cの屈
折率と、画素から発光された光における第1の領域(A
に対応した部分)2aでの輝度との関係を示したグラフ
である。イオン注入前の薄板ガラスの屈折率は1.52
6(図4の左端データ)であり、第1の領域2aの屈折
率を増加させていくと、第1の領域2aでの輝度が増加
していくことが分かる。すなわち、迷光が低減され、輝
度の改善が図れたことになる。また、フルカラー時の隣
り合う画素において、境界を明確にでき、混色を防止で
きることを確認できた。
【0023】なお、中心部Cの屈折率が1.532より
越えるところでは、イオン注入処理によって薄板ガラス
のひずみが大きくなり破損することとなった。イオンの
注入量を増やしすぎると、このように薄板ガラスが破損
してしまうため、このイオン注入による屈折率変化手法
では、屈折率の変化量を0.1乃至0.4%程度とする
のがよいと考えられる。なお、注入するイオンとしては
Liの他に、Cu、Ag、Auなどの金属イオンや、N
イオンを用いても同様の効果が得られる。
【0024】また、透明基体2の片面からイオン注入す
る場合の注入深さは30μm程度が限界であり、用いる
透明基体2厚みは30μm程度となるが、前もって透明
基体2の両面からイオン注入をしておくのであれば、透
明基体2として50μm前後のもの使用できる。そし
て、このように前もってイオン注入により屈折率を調整
した透明基体2(片面・両面は問わない)を用い、透明
電極3、能動層4、電極5を形成して有機EL表示装置
1を製造することも可能である。
【0025】図5は、表示装置用透明基体8の製造方法
(図5(a)乃至(c))及びこの表示装置用透明基体
8を用いた有機EL表示装置の製造方法(同図(d))
を示した工程図である。この製造方法では、表示装置用
透明基体8における第1の領域(後で形成される有機E
L能動層4の発光面に正対する領域)8aと、第2の領
域(その他の領域)8bとにおいて、前記第2の領域8
bにのみイオン交換処理を施し、第2の領域8bの屈折
率を第1の領域8aの屈折率(表示装置用透明基体8の
当初屈折率)よりも低下させる。そして、このようにし
て得られた表示装置用透明基体8上に一導電型のキャリ
アを注入するための透明電極3、有機材料からなる能動
層4、他導電型のキャリアを注入するための電極5を順
次形成していく(図5(d)参照)。
【0026】表示装置用透明基体8として、厚さ700
μmのガラス(ショット社B−270)を用いた。表示
装置用透明基体8の両面には、第1の領域8a(Aに対
応した部分)に対応させてTi等でマスキング9を施
す。その後、400℃程度の硝酸カリ(KNO3 )溶融
塩中に数十時間浸漬させることにより、第2の領域8b
にのみ、ガラス中のNaイオンをKイオンと交換させて
屈折率を下げることができる。その際に浸漬温度を変化
させることにより、所望の屈折率を得ることができる。
また、透明基体2の厚みに応じ、浸漬時間を変化させる
ことにより、交換領域の深さの均一性を保つ。
【0027】具体的な浸漬温度を400℃から500℃
まで変えて屈折率を変化させることを試みた。また、浸
漬時間を50時間から100時間まで変化させて交換領
域の深さを変化させることを試みた。なお、侵漬中に電
界をかけることにより浸漬時間の短縮を図ることができ
る。イオン交換処理によって、図6に示すごとく、屈折
率は放物線状に変化した。
【0028】図7は、屈折率変化における中心部Dの屈
折率と、画素から発光された光における第1の領域(A
に対応した部分)8aでの輝度との関係を示したグラフ
である。イオン交換前のガラスの屈折率は1.523
(図7の右端データ)であり、第2の領域8bの屈折率
を低下させていくと、第1の領域8aでの輝度が増加し
ていくことが分かる。すなわち、迷光が低減され、輝度
の改善が図れたことになる。また、フルカラー時の隣り
合う画素において、境界を明確にでき、混色を防止でき
ることを確認できた。
【0029】なお、中心部Dの屈折率が1.503より
下回るところでは、イオン交換処理によってガラスのひ
ずみが大きくなり破損することとなった。イオンの交換
量を増やしすぎると、このようにガラスが破損してしま
うため、このイオン交換による屈折率変化手法では、屈
折率の変化量を0.3乃至1.0%程度とするのがよい
と考えられる。なお、交換するイオンとしては、Kの他
に、Tl(タリウム)などのイオン半径が大きく電子分
極率の大きい元素を用いても同等の効果が得られる。
【0030】なお、かかる発明は、発光部として色純度
の制御性に優れる有機材料を使用した有機EL表示素子
に特に有用であるが、同様の構造をもつ無機EL表示素
子にも適用することができる。また、透明基体としてガ
ラスを挙げたが、透明樹脂にも適用し得る。また、薄膜
トランジスタ(TFT)を用いるいわゆるアクティブタ
イプの表示装置においても、かかる発明を適用すること
ができる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、発光物質の発光面に正対する透明基体の第1の領域
の屈折率が、それ以外の第2の領域の屈折率よりも高く
されたので、第1の領域を通る光が第2の領域にさしか
かったとしても、その光の多くは第2の領域へ進まずに
反射されて第1の領域から出射されることになる。すな
わち、透明基体における光の直進性が良好になり、輝度
ならびに混色防止性に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】同図(a)はこの発明の実施形態のエレクトロ
ルミネッセンス表示装置を示した平面図であり、同図
(b)は同断面図である。
【図2】この発明の実施形態のエレクトロルミネッセン
ス表示装置を製造する工程を示した説明図である。
【図3】イオン注入による屈折率変化を示したグラフで
ある。
【図4】屈折率変化における中心部Cの屈折率と、画素
から発光された光のうち第1の領域における輝度との関
係を示したグラフである。
【図5】この発明の実施形態の表示用透明基体及びエレ
クトロルミネッセンス表示装置を製造する工程を示した
説明図である。
【図6】イオン交換による屈折率変化を示したグラフで
ある。
【図7】屈折率変化における中心部Dの屈折率と、画素
から発光された光のうち第1の領域における輝度との関
係を示したグラフである。
【符号の説明】
1 エレクトロルミネッセンス表示装置 2 透明基体 2a 第1の領域 2b 第2の領域 3 透明電極 4 能動層 5 電極 8 表示装置用透明基体 8a 第1の領域 8b 第2の領域

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陽極と陰極との間に発光物質を含む層を
    設け、前記陽極及び陰極によって電気エネルギーを前記
    発光物質に供給し発光させ、光を透明基体側から出射さ
    せるエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記
    発光物質の発光面に正対する前記透明基体の第1の領域
    の屈折率が、それ以外の第2の領域の屈折率よりも高く
    されたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示
    装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のエレクトロルミネッセ
    ンス表示装置において、前記発光物質は有機材料から成
    ることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装
    置。
  3. 【請求項3】 画素の発光面に正対することとなる第1
    の領域の屈折率がそれ以外の第2の領域の屈折率よりも
    高くされていることを特徴とする表示装置用透明基体。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の表示装置用透明基体に
    おいて、前記第1の領域の屈折率と第2の領域の屈折率
    との差異が0.1乃至1.0%に設定されていることを
    特徴とする表示装置用透明基体。
  5. 【請求項5】 請求項3又は請求項4に記載の表示装置
    用透明基体において、30μm乃至50μmの厚さを有
    することを特徴とする表示装置用透明基体。
  6. 【請求項6】 請求項3乃至請求項5のいずれかに記載
    の表示装置用透明基体を製造する方法であって、前記第
    1の領域にのみイオン注入処理を施すことを特徴とする
    表示装置用透明基体の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項3乃至請求項5のいずれかに記載
    の表示装置用透明基体を製造する方法であって、前記第
    2の領域にのみイオン交換処理を施すことを特徴とする
    表示装置用透明基体の製造方法。
  8. 【請求項8】 請求項6又は請求項7に記載の表示装置
    用透明基体の製造方法において、当該表示装置用透明基
    体の表裏両面から前記イオン注入処理又はイオン交換処
    理を施すことを特徴とする表示装置用透明基体の製造方
    法。
  9. 【請求項9】 請求項1又は請求項2に記載のエレクト
    ロルミネッセンス表示装置において、透明基体として請
    求項3乃至請求項5のいずれかに記載の表示装置用透明
    基体を有することを特徴とするエレクトロルミネッセン
    ス表示装置。
  10. 【請求項10】 請求項1又は請求項2に記載のエレク
    トロルミネッセンス表示装置を製造する方法において、
    透明基体を請求項6乃至請求項8のいずれかに記載の製
    造方法により製造する工程と、その後に前記透明基体上
    に一方側電極と発光物質を含む層と他方側電極とを形成
    する工程と、を有することを特徴とするエレクトロルミ
    ネッセンス表示装置の製造方法。
  11. 【請求項11】 請求項1又は請求項2に記載のエレク
    トロルミネッセンス表示装置を製造する方法において、
    透明基体上に一方側電極と発光物質を含む層と他方側電
    極とを形成する工程と、その後に前記透明基体の第1の
    領域にのみイオン注入処理を施す工程と、を有すること
    を特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造
    方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055553A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Eastman Kodak Co 有機発光ダイオード表示装置
JP2011181403A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Toshiba Corp 照明装置及びその製造方法
JP2018511550A (ja) * 2015-03-20 2018-04-26 ショット グラス テクノロジーズ (スゾウ) カンパニー リミテッドSchott Glass Technologies (Suzhou) Co., Ltd. 不均一にイオン交換された表面層を有する薄型ガラス物品およびこのような薄型ガラス物品を製造する方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055553A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Eastman Kodak Co 有機発光ダイオード表示装置
JP2011181403A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Toshiba Corp 照明装置及びその製造方法
US8283858B2 (en) 2010-03-02 2012-10-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Illumination device and method for manufacturing same
JP2018511550A (ja) * 2015-03-20 2018-04-26 ショット グラス テクノロジーズ (スゾウ) カンパニー リミテッドSchott Glass Technologies (Suzhou) Co., Ltd. 不均一にイオン交換された表面層を有する薄型ガラス物品およびこのような薄型ガラス物品を製造する方法

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