JP2003195022A - 増反射積層体 - Google Patents

増反射積層体

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JP2003195022A
JP2003195022A JP2001399003A JP2001399003A JP2003195022A JP 2003195022 A JP2003195022 A JP 2003195022A JP 2001399003 A JP2001399003 A JP 2001399003A JP 2001399003 A JP2001399003 A JP 2001399003A JP 2003195022 A JP2003195022 A JP 2003195022A
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Naoko Shin
奈緒子 進
Yoshihito Katayama
佳人 片山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】波長領域350〜450nmの全域に亙って高
い分光反射率を示す増反射積層体の提供。 【解決手段】基板上に、アルミニウムまたは銀を含む金
属からなる第1層(幾何学的膜厚:60〜150n
m)、酸化シリコンを含む第2層、酸化ニオブ等を含む
第3層の順で積層され、第2および3層が幾何学的膜厚
d=λ/[4n(1−(sinθ/n)2 1/2
(λ:350〜450nm、n:各層の屈折率、θ:0
〜45度)を有する増反射積層体。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長領域350〜
450nmにおける光の反射特性に優れる増反射積層体
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、テレビ、デスクトップ型またはノ
ートブック型パソコンのモニタ等として、軽量薄型であ
る利点を活かして、CRTに代わって液晶ディスプレイ
が広く普及されつつある。この液晶ディスプレイ、例え
ば、液晶テレビにおける表示品質の向上と大画面化が求
められるに伴って、表示素子であるカラー液晶素子を構
成する主要部品であるカラーフィルタも大型化が求めら
れている。また、普及の拡大に伴って、生産効率の向
上、歩留りの向上等により、コストを削減し、より安価
に量産できることが求められている。
【0003】このカラーフィルタは、透明基板上にRG
Bの各色に対応する光透過性フィルタ層を、ブラックマ
トリックスを間にして所定の配列で形成したものであ
り、光リソグラフィによる微細加工によってブラックマ
トリックスおよび各光透過性フィルタ層が形成されてい
る。
【0004】従来、大型のカラーフィルタを製造する場
合、光リソグラフィに用いられる露光装置として、1)
マスクと基板とを近接させて一括露光するいわゆるプロ
キシミティ方式、2)投影光学系として転写面積の大き
な等倍、ないし拡大の屈折光学系を用いたステップ・ア
ンド・リピート方式、および3)投影光学系を等倍の反
射光学系とし、円弧状の照明光でマスクを照明してこの
マスクの像を円弧状に基板上に形成すると共に、マスク
と基板とを投影光学系に対して走査するミラープロジェ
クション方式が採用されている。近年、1回の走査でよ
り大面積の基板にも一括露光が可能なミラープロジェク
ション方式の露光装置が用いられるようになってきてい
る。
【0005】これらの露光装置の照明光学系および投影
光学系には、超高圧水銀ランプ、レーザ等の光源から出
射される露光光線を整光するために、各種の反射鏡が用
いられている。例えば、カラーフィルタの製造に用いら
れるミラープロジェクション方式の露光装置では、超高
圧水銀ランプから出射されるi線、g線およびh線を含
む波長350〜450nmの露光光線を平行化および光
路の変更のために、平面鏡、凹面鏡、あるいは台形状反
射鏡等の異形反射鏡などの各種の反射鏡が用いられてい
る。
【0006】一方、クリーンルーム内での省スペース化
を図り、露光装置のコストを低減するため、露光装置の
小型化が求められている。装置の小型化に伴って、装置
内で露光光線の光路を複数回変更するために複数枚の反
射鏡が用いられるようになってきている。
【0007】こうした複数枚の反射鏡によって構成され
る光学系を有する露光装置では、1枚の反射鏡における
反射率が少し向上するだけでも、複数枚の反射鏡で構成
される露光装置全体では大きな反射率の向上となり、結
果として、マスクを通して基板上に投影される露光量の
増加につながる。したがって、露光装置に用いられる反
射鏡の反射率の向上は、露光量の増加による露光時間の
短縮、スループットの向上をもたらし、製造コストの低
減、生産効率の向上につながる重要な改善目標である。
特に、液晶素子の用途の拡大、普及に対応して進展する
大規模大量生産化におけるコストの低減に有効である。
【0008】しかし、従来、カラーフィルタの製造に主
として用いられる超高圧水銀ランプから出射される露光
光線の波長領域350〜450nmの全域に亙って高い
反射率を示す反射鏡は知られていなかった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、波長
領域350〜450nmの全域に亙って高い反射率(特
に93%以上の反射率)を示す増反射積層体を提供する
ことにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】従来、反射率を向上させ
るためには、反射膜を多層構造とすることが有効である
ことが知られている。しかし、液晶表示素子の主要部品
であるカラーフィルタの製造工程で用いられる超高圧水
銀ランプを光源とする波長領域350〜450nmの露
光光線を反射して90%以上、特に93%以上の反射率
を示す反射鏡を得ることができなかった。そこで、本発
明者らは、鋭意検討の結果、基板上に、アルミニウム等
からなる金属層、酸化シリコンを主成分とする層、およ
び酸化ニオブ等の特定の酸化金属を主成分とする層を、
この順で積層した3層構造の薄膜が、波長350〜45
0nmの波長領域の入射光に対して高い反射率を示し、
カラーフィルタの製造工程で用いられる露光装置の重要
部品である各種反射膜として有効であることを知見し
た。
【0011】本発明は、基板上に、アルミニウム、アル
ミニウム合金および銀からなる群から選ばれる少なくと
も1種の金属からなる第1層、酸化シリコンを主成分と
する第2層、および酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸
化タンタル、酸化ハフニウムからなる群から選ばれる少
なくとも1種の酸化物を主成分とする第3層の順で積層
されてなる増反射積層体を提供する。
【0012】第1層は、安価な材料であり、波長領域3
50〜450nmにおける反射率が高いことから、アル
ミニウム、アルミニウム合金、銀および銀合金からなる
群から選ばれる少なくとも1種からなる層である。アル
ミニウム合金は、アルミニウム以外に、ホウ素、マグネ
シウム、シリコン、銅、マンガン等の不可避的不純物を
含んでいてもよい。
【0013】第1層の幾何学的膜厚は、薄すぎると光を
透過して反射率が低下し、厚すぎると表面の凹凸による
光吸収を生じるため、60〜150nmであり、特に7
0〜90nmであることが好ましい。
【0014】第2層は、波長領域350〜450nmで
吸収がなく、屈折率が低いことから、酸化シリコンを主
成分とする層である。酸化シリコンを主成分とする層
は、シリコンを含む全金属元素に対するシリコンの含有
割合が90原子%以上である層である。酸化シリコンを
主成分とする層として、アルミニウムをシリコンを含む
全金属元素に対して10原子%以下含む層や酸化シリコ
ン層などが挙げられる。
【0015】第3層は、波長領域350〜450nmで
光吸収が小さく、高屈折率であることから、酸化ニオ
ブ、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム
からなる群から選ばれる少なくとも1種の酸化物を主成
分とする層であり、成膜速度が最も早く、最も屈折率が
高いことから、酸化ニオブを主成分とする層が好まし
い。酸化ニオブを主成分とする層によって350〜45
0nmでの平均反射率の高い増反射積層体が得られる。
酸化ニオブを主成分とする層は、全金属元素に対してニ
オブを90原子%以上含有する層である。酸化ニオブを
主成分とする層としては、酸化ニオブ層などが挙げられ
る。
【0016】第2層および第3層は、下記式で求められ
る幾何学的膜厚d2 およびd3 をそれぞれ有する。 d2 =λ/[4n2 (1−(sinθ/
2 2 1/2 ] d3 =λ/[4n3 (1−(sinθ/
3 2 1/2 ] ただし、λは350〜450nm、n2 、n3 はそれぞ
れ第2層および第3層の屈折率、θは0〜45度であ
る。第2層の屈折率(n2 )は1.4〜1.5であり、
第3層の屈折率(n3 )は1.8〜2.5である。屈折
率n2 が1.48のときd2 は50〜70nmであり、
屈折率n3 が2.07のときd3 は44〜58nm、屈
折率n3 が2.17のときd3 は42〜55nm、屈折
率n3 が2.39のときd3 は37〜47nmである。
【0017】本発明の積層体は、膜面側からの入射光に
対する反射率が350nm〜450nmの波長領域の全
域で90%以上、特に93%以上であることが好まし
い。
【0018】また、本発明の積層体において、第1〜3
層からなる反射膜は、基板の片面または両面に積層され
ていてもよく、各面に積層される反射膜は、同一または
異なる構造を有していてもよい。
【0019】本発明の積層体において、基板は、特に制
限されず、例えば、1)ソーダライムガラス、2)PE
T、アクリル樹脂、ポリカーボネート等からなるプラス
チック等が挙げられる。基板は、平面鏡、凹面鏡、台形
ミラー等の各種の反射用光学部材の基体として求められ
る形状を有する。
【0020】本発明の積層体の製造は、真空槽内で、金
属ターゲットを用いて、スパッタリングにより、基板上
に、第1層、第2層、第3層の順に形成することによ
り、行うことができる。第2層および第3層について
は、 各層の酸化物を形成する金属ターゲットを用いて反
応性スパッタリングにより形成する。
【0021】スパッタリングは、交流(AC)または直
流(DC)スパッタリング法を用いることができる。D
Cスパッタリング法には、パルス化DCスパッタリング
法を含む。パルス化DCスパッタリング法は異常放電の
防止に有効である。中でも、緻密で高い屈折率を有する
膜を形成できるため、AC反応性スパッタリング法が有
効である。
【0022】本発明の積層体は、液晶素子のカラーフィ
ルタの製造、樹脂の紫外線分解および硬化装置、に用い
られる露光装置の反射鏡部材として有用である。
【0023】
【実施例】以下、本発明の実施例および比較例を説明す
る。
【0024】(例1)真空槽内に、金属アルミニウム
(純度99.999%)、金属シリコン(ボロンドープ
多結晶)および金属ニオブをスパッタターゲットとして
カソード上部の対向位置に設置し、真空槽内を8×10
-4Paまで排気した。
【0025】ガラス基板として予め清浄化したフロート
法で形成したソーダライムガラス(100×100×3
mm)をカソード上に設置し、そのガラス基板上に、下
記の工程によって、第1層、第2層および第3層を形成
して増反射積層体を製造した。
【0026】(アルミニウム層の形成)スパッタリング
ガスとしてアルゴンガス500sccmを真空槽内に導
入し、アルミニウムのDCスパッタリングにより、第1
層として膜厚が80nmのアルミニウム層を形成した。
【0027】(酸化シリコン層の形成)スパッタリング
ガスとしてアルゴン100sccmと反応性ガスである
酸素500sccmとの混合ガスを真空槽内に導入し、
シリコンのAC反応性スパッタリングにより、第2層と
して、膜厚が68nmの酸化シリコン層(波長400n
mにおける屈折率:1.48、吸収係数:0)を形成し
た。
【0028】(酸化ニオブ層の形成)スパッタリングガ
スとして反応性ガスである酸素ガス500sccmを導
入し、ニオブのDC反応性スパッタリングにより、第3
層として、膜厚が38nmの酸化ニオブ層(波長400
nmにおける屈折率:2.35、吸収係数:0.00
3)を形成した。
【0029】(例2)第1層をアルミニウム合金(アル
ミニウム含有率96wt%、Si、Mg:4wt%)で
形成した以外は、例1と同様にして、増反射積層体を製
造した。
【0030】(例3)第2層として、厚さ51nmの酸
化シリコン層を形成し、第3層として、金属ジルコニウ
ムをスパッタターゲットとして用いて、厚さ45nmの
酸化ジルコニウム層(波長400nmにおける屈折率:
2.17、吸収係数:0)を形成した以外は、例1と同
様にして増反射積層体を製造した。
【0031】(例4)第2層として、厚さ51nmの酸
化シリコン層を形成し、第3層として、金属タンタルを
スパッタターゲットとして用いて、厚さ46nmの酸化
タンタル層(波長400nmにおける屈折率:2.1
1、吸収係数:0)を形成した以外は、例1と同様にし
て増反射積層体を製造した。
【0032】(例5)第2層として、厚さ51nmの酸
化シリコン層を形成し、第3層として、金属ハフニウム
をスパッタターゲットとして用いて、厚さ47nmの酸
化ハフニウム層(波長400nmにおける屈折率:2.
07、吸収係数:0)を形成した以外は、例1と同様に
して増反射積層体を製造した。
【0033】(例6)第2層として、厚さ41nmの酸
化シリコン層を形成し、第3層として、厚さ38nmの
酸化ニオブ層(波長400nmにおける屈折率:2.4
9、吸収係数:0003)をAC反応性スパッタリング
で形成した以外は、例1と同様にして増反射積層体を製
造した。
【0034】(例7(比較例))真空槽内に、金属アル
ミニウム(純度99.999%)をスパッタターゲット
としてカソード上部の対向位置に設置し、真空槽内を8
×10-4Paまで排気した。
【0035】ガラス基板として予め清浄化したフロート
法で形成したソーダライムガラス(100×100×3
mm)をカソード上に設置し、そのガラス基板上に、下
記の工程によって、アルミニウム層および酸化アルミニ
ウム層を形成して反射積層体を製造した。
【0036】(アルミニウム層の形成)スパッタリング
ガスとしてアルゴンガス500sccmを真空槽内に導
入し、アルミニウムのDCスパッタリングにより、膜厚
が80nmのアルミニウム層を形成した。
【0037】(酸化アルミニウム層の形成)スパッタリ
ングガスとしてアルゴン100sccmと反応性ガスで
ある酸素500sccmとの混合ガスを真空槽内に導入
し、アルミニウムのAC反応性スパッタリングにより、
膜厚が30nmの酸化アルミニウム層(波長400nm
における屈折率:1.70、吸収係数:0)を形成し
た。
【0038】(例8(比較例))酸化アルミニウム層の
代わりに、シリコンのAC反応性スパッタリングによ
り、厚さ20nmの酸化シリコン膜(波長400nmに
おける屈折率:1.48、吸収係数:0)を形成した以
外は、例7と同様にして反射積層体を製造した。
【0039】例1〜6で得られた増反射積層体、ならび
に例7および8(比較例)で得られた反射積層体につい
て、入射角度5度で反射膜面側から波長350〜450
nmの光を入射し、反射した光について分光光度計(日
立製作所製、U−4000)により測定した分光反射率
曲線を図1に示す。
【0040】本発明の実施例に該当する例1〜6の増反
射積層体は、図1〜6から明らかなように、反射率が3
50〜450nmの波長領域の全域で93%以上であっ
た。また、本発明の比較例に該当する例7および8の反
射積層体は、図7および8から明らかなように、反射率
が350〜450nmの波長領域の全域で90%に満た
なかった。
【0041】例1で得られた増反射積層体について、5
度、30度および45度の各入射角度で入射した光につ
いて、反射光の反射率を、分光光度計(日立製作所製、
U−4000)により測定した。測定結果を図9に示
す。図9から明らかなように、入射角度に拘らず、35
0〜450nmの波長領域の全域にわたって、反射率が
93%以上であった。例2〜6で得られた増反射積層体
について、前記と同様に45度の入射角度で入射した光
の反射率を測定した結果、やはり、350〜450nm
の波長領域の全域に亙って反射率が93%以上であっ
た。
【0042】
【発明の効果】本発明の増反射積層体は、波長領域35
0〜450nmの全域に亙って93%以上の分光反射率
を示し、露光装置の光学系部品として用いて、露光量の
向上、露光時間の短縮等に有用である。特に、液晶素子
の主要部品であるカラーフィルタの製造に用いられる露
光装置の光学系に用いられる各種反射鏡として用いて、
スル−プットの向上、タスクの増加、大画面・高精細な
液晶素子の製造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 例1で得られた増反射積層体の分光反射率曲
線である。
【図2】 例2で得られた増反射積層体の分光反射率曲
線である。
【図3】 例3で得られた増反射積層体の分光反射率曲
線である。
【図4】 例4で得られた増反射積層体の分光反射率曲
線である。
【図5】 例5で得られた増反射積層体の分光反射率曲
線である。
【図6】 例6で得られた増反射積層体の分光反射率曲
線である。
【図7】 例7で得られた反射積層体の分光反射率曲線
である。
【図8】 例8で得られた反射積層体の分光反射率曲線
である。
【図9】 例1で得られた増反射積層体の入射角5度、
30度および45度における分光反射率曲線である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H042 DA02 DA04 DA08 DA11 DA12 DB02 DC02 4F100 AA17D AA20C AA27D AB10B AB24B AB31B AG00 AT00A BA04 BA07 GB51 YY00B YY00C YY00D

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に、アルミニウム、アルミニウム合
    金、銀および銀合金からなる群から選ばれる少なくとも
    1種の金属からなる第1層、酸化シリコンを主成分とす
    る第2層、および酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化
    タンタル、酸化ハフニウムからなる群から選ばれる少な
    くとも1種の酸化物を主成分とする第3層の順で積層さ
    れ、第1層の幾何学的膜厚が60〜150nm、第2層
    および第3層が下記式で求められる幾何学的膜厚d2
    3 をそれぞれ有する増反射積層体。 d2 =λ/[4n2 (1−(sinθ/
    2 2 1/2 ] d3 =λ/[4n3 (1−(sinθ/
    3 2 1/2 ] ただし、λは350〜450nm、n2 、n3 はそれぞ
    れ第2層および第3層の屈折率、θは0〜45度であ
    る。
  2. 【請求項2】膜面への入射角度が45度である入射光に
    対する反射率が350〜450nmの波長領域の全域で
    93%以上である請求項1に記載の増反射積層体。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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