JP2003192367A - ガラス管内面の表面処理方法 - Google Patents

ガラス管内面の表面処理方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 エッチング量がガラス管の全長にわたって均
一となるようにし、内径が均一で、かつ内面の平滑なガ
ラス管を得ることのできるガラス管内面の表面処理方法
を提供する。 【解決手段】 ガラス管の長手方向に沿って相対的に移
動させることによりガラス管を加熱して、ガラス管の内
面を表面処理するガラス管の表面処理方法において、前
記ガラス管の両端部で、前記熱源の移動速度を低下させ
る減速工程を含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス管内面の表
面処理方法にかかり、特に光ファイバに用いられるガラ
ス管の内面を平滑に処理するためのに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、光通信技術の進歩に伴い、光ファ
イバの利用が急速に高まっている。この光通信技術を支
えるためには高品質の光ファイバが要求されており、光
ファイバの作製に用いられるプリフォームとしてのガラ
ス管の内面の平滑性が重要な要素となっている。
【0003】このため、ガラス管10の内面11を平滑
にするための表面処理方法としては、図5に示すよう
に、ガラス管10の内部にSF6等のエッチングガスを
流しつつ、ガラス管10の外側を、熱源として例えば誘
導加熱炉のような炉体(誘導加熱ユニット)30により
加熱しながら誘導加熱ユニット30をエッチングガスに
よるガス流の上流側から下流側へ移動させたりあるいは
往復移動させて、ガラス管10の内面11を平滑にする
ためのエッチング処理が施されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな気相エッチングでは、パイプ接続部のような内径変
動部においてエッチングガスが乱流を形成することがあ
り、ガス流が乱流となるため、図5に示すように、ガラ
ス管内面の端部では、エッチングが進行せず、中央部に
比べて内径が小さくなり、内面(内壁)が湾曲形状とな
るという問題があった。
【0005】またこの内径が小さくなっている誘導加熱
ユニット30の端部にはエッチング屑が付着し易いとい
う問題もあった。このように前述した従来技術において
は、内面が平滑で内径の均一なガラス管を得るのは困難
であるという問題があった。
【0006】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
であり、エッチング量がガラス管の全長にわたって均一
となるようにし、内径が均一で、かつ内面の平滑でなガ
ラス管を得ることのできるガラス管内面の表面処理方法
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のガラス管内面の表面処理方法は、ガラス管
の内部にエッチングガスを流しガス流を形成する共に、
熱源を前記ガラス管の長手方向に沿って相対的に移動さ
せることによりガラス管を加熱して、ガラス管の内面を
表面処理するガラス管の表面処理方法において、前記ガ
ラス管の両端部で、前記熱源の移動速度を低下させる減
速工程を含むことを特徴とする。
【0008】かかる構成によれば、ガラス管の内部にエ
ッチングガスのガス流を形成しながら、熱源をガラス管
に沿って相対的に移動させて加熱し、ガラス管の内面を
エッチングする際に、熱源の移動速度を低下させるよう
にしているため、乱流の発生によりガス密度の低い両端
部において、熱源の滞留時間をより長くし、中央部に比
べてより多くの熱エネルギーが供給され、エッチングが
進行し、結果として両端部も中央部も同程度のエッチン
グ量となり、内径の均一なガラス管を得ることが可能と
なる。また、ガラス管内面にエッチング屑が付着したり
することなく、平滑な内面を得ることが可能となる。
【0009】望ましくは、表面処理は、コラプス工程に
先立ち、ガラス管の内面をクリーニングするための気相
エッチング工程であることを特徴とする。
【0010】特に、コラプス工程に先立つ気相エッチン
グ工程では、均一でかつ清浄な内面を得る必要がある
が、かかる構成によってより均一で清浄な内面をもつガ
ラス管を得ることが可能となる。
【0011】望ましくは、前記減速工程は、前記ガラス
管の両端部で前記熱源の移動を停止させる工程を含むこ
とを特徴とする。
【0012】かかる構成によれば、ガラス管の両端部で
前記熱源を停止させるようにしているため、両端部でよ
り長時間の加熱がなされることになり、内径の均一なガ
ラス管を得ることが可能となる。
【0013】望ましくは、前記表面処理は、前記ガラス
管を回転しながら実行する工程であることを特徴とす
る。
【0014】かかる構成によれば、より均一で信頼性の
高いエッチング処理が可能となる。
【0015】望ましくは、前記熱源は、誘導コイルと、
加熱媒体とで形成せしめられる誘導加熱炉で構成されて
おり、前記ガラス管内部にエッチングガスを流しつつ、
誘導加熱炉をスキャンすることにより、前記誘導コイル
への通電により形成される帯状の加熱ゾーンを、所定の
速度で移動しつつ、前記ガラス管の長手方向に沿って、
加熱を行う加熱工程を含むことを特徴とする。
【0016】誘導加熱炉を用いた場合、ガラス管両端で
温度が低くなり易くまた、ガス密度についてもガラス管
両端で低くなり易く、エッチングの進行速度が遅くなる
上、エッチング屑がより付着し易いが、かかる構成によ
れば、エッチングガス密度が低くなり易い両端部で熱源
である誘導加熱炉が中央部より長く滞留するため、均一
で信頼性の高いガラス管内面を得ることが可能となる。
【0017】望ましくは、前記熱源は、抵抗加熱によっ
て加熱せしめられる発熱体であり、前記発熱体を前記ガ
ラス管の長手方向に沿って移動させるようにしたことを
特徴とする。
【0018】ガラス管両端で温度が低くなり易くまた、
ガス密度についてもガラス管両端で低くなり易く、エッ
チングの進行速度が遅くなる上、エッチング屑がより付
着し易いが、かかる構成によれば、エッチングガス密度
が低くなり易い両端部で熱源である誘導加熱炉が中央部
より長く滞留するため、均一で信頼性の高いガラス管内
面を得ることが可能となる。
【0019】望ましくは、前記熱源は、バーナで構成さ
れており、前記ガラス管内部にエッチングガスを流しつ
つ、前記バーナをスキャンすることにより、加熱ゾーン
を、所定の速度で移動しつつ、前記ガラス管の長手方向
に沿って、加熱を行う加熱工程と含むことを特徴とす
る。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ詳細に説明する。
【0021】実施の形態1 このガラス管内面の表面処理方法は、クラッド用ガラス
管にコア用ロッドを挿通し、加熱することにより溶着一
体化するコラプス工程の前処理として、クラッド用ガラ
ス管の内面をエッチング処理するのに用いられる。
【0022】まず、この装置で用いられる横型誘導加熱
装置は図1に全体図、図2に要部拡大断面図を示すよう
に、支持台20にクラッドを構成する石英ガラス管から
なる管体10を水平に装着し、誘導加熱ユニット30
を、この管体10の全長にわたって所定の速度で往復運
動せしめるように搬送する搬送手段5を具備してなるも
のである。
【0023】この誘導加熱ユニットは、図2に示すよう
に、誘導コイル1と、この誘導コイル1の内方に、配設
され、この誘導コイル1による誘導電流によって加熱せ
しめられる加熱媒体としての内径120mm、幅92m
mの高純度カーボンからなるカーボンシリンダ2とから
構成される。そして、このカーボンシリンダ2の内部空
間が、コラプスすべき、コアロッドの挿通された管体1
0に対して水平方向に移動せしめられるように搬送手段
5によって搬送せしめられ、加熱ゾーンが移動するよう
になっている。ここでカーボンシリンダ2の外側はカー
ボン繊維を主とする断熱材3で、完全に被覆されてお
り、カーボンシリンダは着脱自在に本体(図示せず)に
装着されている。
【0024】次に、この装置を用いた光ファイバ用母材
の製造方法について説明する。まず、石英ロッドの周り
にガス噴射機能を備えたバーナを用いて原料ガスを吹き
付け、石英ロッドまたはバーナを移動しながらガラス微
粒子を成長させるいわゆるVAD法(Vapor phase Axia
l Deposition:気相軸付法)によってガラス管を形成す
る。
【0025】そして、図1および2に示したような横型誘
導加熱装置にこのガラス管10を装着する。
【0026】ガラス管10の一端から他端に向けて、S
6等のエッチングガスをガラス管10の内部に供給
し、誘導加熱ユニット30をガラス管10の長手方向に
沿って上流側から下流側へ移動させる。
【0027】図6に距離と移動(トラバース)速度との
関係を示す。縦軸はトラバース速度、横軸は誘導加熱ユ
ニットの移動距離を示す。
【0028】そして、下流側から所定の距離にきたと
き、搬送速度が約半分となるように減速させる。
【0029】そして下流端に到達すると、向きを変更し
上流側に向けて誘導加熱ユニット30動かし、所定の距
離に到達すると、通常速度に戻す。更に上流端から所定
の距離にきたとき、搬送速度が約半分となるように減速
させる。
【0030】そして上流端に到達すると、向きを変更し
下流側に向けて誘導加熱ユニット30を動かし、所定の
距離に到達すると、通常速度に戻すというように、所定
回数往復移動させる。
【0031】そして所定回数だけの往復移動が完了した
か否かの判断を行い、まだ所定回数に達しない場合は誘
導加熱ユニット30を上流側へ移動させて、往復移動を
継続する。
【0032】一方、誘導加熱ユニット30を所定回数往
復移動させた場合は、下流側において誘導加熱ユニット
30をOFFにすると共にエッチングガスの供給を停止
し、誘導加熱ユニット30をガラス管の真ん中まで上流
側へ移動させて、エッチング処理を終了する。
【0033】この後、このガラス管内に別工程で形成し
たコアロッドを挿通し、同様の誘導加熱装置を使用して
コラプスを行い、ガラスファイバ母材が形成される。
【0034】以上説明したガラス管内面の表面処理方法
によれば、誘導加熱ユニット30をガラス管10に沿っ
て所定回数往復移動させてエッチング処理を行うに際
し、ガラス管の両端部で誘導加熱ユニット30の搬送速度
を約半分と減速しているため、両端部で熱源である誘導
加熱炉が中央部より長く滞留することになる。このた
め、ガラス両端部での反応性が高められ、エッチングが
効率よく進行する。また、従来の方法によれば、ガラス
管両端で温度が低くなり易くまた、ガス密度についても
ガラス管両端で低くなり易く、エッチングの進行速度が
遅くなる上、エッチング屑がより付着し易いという問題
があったが、かかる構成によれば、エッチングガス密度
が低くなり易い両端部で熱源である誘導加熱炉が中央部
より長く滞留するため、図3および図4に示すように、内
径が均一でかつ信頼性の高いガラス管10の内面11を
得ることが可能となる。
【0035】また、下流側で誘導加熱ユニット30をO
FFにすると同時にエッチングガスの供給を停止するの
で、エッチング屑がガラス管の内面に付着するのを防止
してより効果的にガラス管30の内面の平滑性を高める
ことができる。
【0036】実施の形態2 なお、前記第1の実施の形態では、両端で搬送速度を約
半分に減速するようにしたが、本発明の第2の実施の形
態では、両端で所定時間誘導加熱ユニット30を停止させ
るようにしている。
【0037】図7に、この時の距離と移動(トラバー
ス)速度との関係を示す。縦軸はトラバース速度、横軸
は誘導加熱ユニットの移動距離を示す。
【0038】他の工程については前記第1の実施形態と
同様である。
【0039】かかる方法によっても、温度が低くなり易
いガラス管両端部で誘導加熱ユニット30の滞留時間が
長くなるように構成しているため、同様内径が均一でか
つ信頼性の高いガラス管内面を得ることが可能となる。
【0040】なお、本発明のガラス管内面の表面処理方
法は、前述した各実施形態に限定されるものでなく、適
宜変形、改良可能である。すなわち、前述した各実施形
態では、ガラス管10を固定的に支持して誘導加熱ユニ
ット30をガス流の上流側から下流側へ往復移動させた
が、反対に誘導加熱ユニット30を固定してガラス管1
0を下流側から上流側へ移動させることも可能である。
【0041】また、前述した各実施形態では、コラプス
の前処理として行われるエッチングについて説明した
が、この他、肉付け用パイプ内に原料ガスを噴射し、加
熱しながらパイプ内面にガラス微粒子を成長させる、い
わゆるMCVD(Modified Chemical Vaporphase De
position)法におけるパイプ内面の清浄化などにも適用
することができる。
【0042】また、前記実施の形態では、気相エッチン
グを用いた表面処理方法に付いて説明したが、成膜用の
ガスを供給し同様の加熱工程を実行することにより、ガ
ラス管内壁に所望のコーティングを行う方法などにも適
用可能である。
【0043】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明のガラ
ス管内面の表面処理方法によれば、熱源をガラス管に沿
って所定回数往復移動させてエッチングを行うに際し、
ガラス管の両端で熱源を減速するかあるいは所定時間停
止させるようにしているため両端部で熱源である誘導加
熱炉が中央部より長く滞留するため、ガラス両端部での
反応性が高められ、エッチングが効率よく進行する。
【0044】従って、ガラス管両端で温度が低くなり易
くまた、ガス密度についてもガラス管両端で低くなり易
く、エッチングの進行速度が遅くなる上、エッチング屑
がより付着し易いが、本発明の方法によれば、エッチン
グガス密度が低くなり易い両端部で熱源である誘導加熱
炉が中央部より長く滞留するため、内径が均一でかつ信
頼性の高いガラス管内面を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るガラス管内面の表面処理方法に用
いられる誘導加熱装置を示す図である。
【図2】同装置の要部説明図である。
【図3】本発明の実施形態の方法で得られるガラス管を
示す説明図である。
【図4】本発明の実施形態の方法で選られるガラス管を
示す説明図である。
【図5】従来技術の方法で得られるガラス管を示す説明
図である。
【図6】本発明の第1の実施形態の方法を示す図であ
る。
【図7】本発明の第2の実施形態の方法を示す図であ
る。
【符号の説明】
10 管体(ガラス管) 11 内面 20 支持台 30 誘導加熱ユニット 1 誘導コイル 2 カーボンシリンダ 3 断熱部材 5 搬送装置

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス管の内部にエッチングガスを流し
    ガス流を形成する共に、熱源を前記ガラス管の長手方向
    に沿って相対的に移動させることによりガラス管を加熱
    して、ガラス管の内面を表面処理するガラス管の表面処
    理方法において、 前記ガラス管の両端部で、前記熱源の移動速度を低下さ
    せる減速工程を含むことを特徴とするガラス管内面の表
    面処理方法。
  2. 【請求項2】 前記表面処理は、コラプス工程に先立
    ち、ガラス管の内面をクリーニングするための気相エッ
    チング工程であることを特徴とする請求項1記載のガラ
    ス管内面の表面処理方法。
  3. 【請求項3】 前記減速工程は、前記ガラス管の両端部
    で前記熱源の移動を停止させる工程を含むことを特徴と
    する請求項1または2に記載のガラス管内面の表面処理
    方法。
  4. 【請求項4】 前記表面処理は、前記ガラス管を回転し
    ながら実行する工程であることを特徴とする請求項1乃
    至3のいずれかに記載のガラス管内面の表面処理方法。
  5. 【請求項5】 前記熱源は、誘導コイルと、加熱媒体と
    で形成せしめられる誘導加熱炉で構成されており、 前記ガラス管内部にエッチングガスを流しつつ、誘導加
    熱炉をスキャンすることにより、前記誘導コイルへの通
    電により形成される帯状の加熱ゾーンを、所定の速度で
    移動しつつ、前記ガラス管の長手方向に沿って、加熱を
    行う加熱工程を含むことを特徴とする請求項1乃至4のい
    ずれかに記載のガラス管内面の表面処理方法。
  6. 【請求項6】 前記熱源は、抵抗加熱によって加熱せし
    められる発熱体であり、前記発熱体を前記ガラス管の長
    手方向に沿って移動させるようにしたことを特徴とする
    請求項1乃至4のいずれかに記載のガラス管内面の表面処
    理方法。
  7. 【請求項7】 前記熱源は、バーナで構成されており、 前記ガラス管内部にエッチングガスを流しつつ、前記バ
    ーナをスキャンすることにより、加熱ゾーンを、所定の
    速度で移動しつつ、前記ガラス管の長手方向に沿って、
    加熱を行う加熱工程と含むことを特徴とする請求項1乃
    至4のいずれかに記載のガラス管内面の表面処理方法。
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JP2011093742A (ja) * 2009-10-29 2011-05-12 Sumitomo Electric Ind Ltd ガラスパイプの製造方法
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