JP2003191363A - 積層体、これを用いた袋体および半導体製品または半導体材料用包装材 - Google Patents
積層体、これを用いた袋体および半導体製品または半導体材料用包装材Info
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- JP2003191363A JP2003191363A JP2001396080A JP2001396080A JP2003191363A JP 2003191363 A JP2003191363 A JP 2003191363A JP 2001396080 A JP2001396080 A JP 2001396080A JP 2001396080 A JP2001396080 A JP 2001396080A JP 2003191363 A JP2003191363 A JP 2003191363A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物がほとんど内容物に移行することがな
い袋体、半導体製品・半導体材料用包装材、およびこれ
らに用いられる積層体を提供する。 【解決手段】 少なくともバリア層１３およびシーラン
ト層１１を有し、不純物溶出試験によってシーラント層
１１から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミ
ニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウ
ムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接する
シーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が各々
１ｎｇ／ｍｌ以下、または不純物溶出試験によってシー
ラント層１１から純水に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ
2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ（純水に接するシ
ーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が各々１
ｎｇ／ｍｌ以下である積層体１０、これを用いた袋体、
半導体製品・半導体材料用包装材。
い袋体、半導体製品・半導体材料用包装材、およびこれ
らに用いられる積層体を提供する。 【解決手段】 少なくともバリア層１３およびシーラン
ト層１１を有し、不純物溶出試験によってシーラント層
１１から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミ
ニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウ
ムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接する
シーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が各々
１ｎｇ／ｍｌ以下、または不純物溶出試験によってシー
ラント層１１から純水に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ
2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ（純水に接するシ
ーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が各々１
ｎｇ／ｍｌ以下である積層体１０、これを用いた袋体、
半導体製品・半導体材料用包装材。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バリア層およびヒ
ートシール可能なシーラント層を有する積層体およびこ
れを用いた袋体に関し、特に、半導体製品や半導体材料
の包装材料として好適な積層体に関する。
ートシール可能なシーラント層を有する積層体およびこ
れを用いた袋体に関し、特に、半導体製品や半導体材料
の包装材料として好適な積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子部品用の搬送袋、米袋等
の飲食品用袋、医薬品用袋、樹脂ペレット搬送用袋など
のように、光、酸素、湿気等の侵入を防ぐ必要のある袋
体には、用途に応じて光遮断性、酸素ガスバリア性、水
蒸気バリア性などを有するバリア層が設けられた積層体
が使用されている。
の飲食品用袋、医薬品用袋、樹脂ペレット搬送用袋など
のように、光、酸素、湿気等の侵入を防ぐ必要のある袋
体には、用途に応じて光遮断性、酸素ガスバリア性、水
蒸気バリア性などを有するバリア層が設けられた積層体
が使用されている。
【０００３】特に、電子部品用の搬送袋、米袋等の飲食
品用袋、医薬品用袋などのように、内部が異物等で汚染
されていてはならない袋に用いられる積層体としては、
例えば、特開平１０−２３５７７３号公報に、チューブ
状のシーラントフィルムを２方向からバリア層等を有す
るフィルムで挟み込み、積層体の製造工程でシーラント
層が異物等で汚染されないようにされた積層体が提案さ
れている。
品用袋、医薬品用袋などのように、内部が異物等で汚染
されていてはならない袋に用いられる積層体としては、
例えば、特開平１０−２３５７７３号公報に、チューブ
状のシーラントフィルムを２方向からバリア層等を有す
るフィルムで挟み込み、積層体の製造工程でシーラント
層が異物等で汚染されないようにされた積層体が提案さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような積層体の中
でも、半導体製品や半導体材料の包装材料として用いら
れる積層体においては、異物等で汚染されていないこと
はもちろんのこと、さらに、鉄、アルミニウム、銅、ニ
ッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムなどの微量の
金属、その化合物および金属イオンや、ＮＨ4 +、Ｃｌ
- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- などの微量のイオン
さえも半導体製品や半導体材料に移行しないことが必要
とされ、このような積層体の開発が求められていた。
でも、半導体製品や半導体材料の包装材料として用いら
れる積層体においては、異物等で汚染されていないこと
はもちろんのこと、さらに、鉄、アルミニウム、銅、ニ
ッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムなどの微量の
金属、その化合物および金属イオンや、ＮＨ4 +、Ｃｌ
- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- などの微量のイオン
さえも半導体製品や半導体材料に移行しないことが必要
とされ、このような積層体の開発が求められていた。
【０００５】よって、本発明の目的は、金属やイオン等
の不純物がほとんど内容物に移行することがないクリー
ンな袋体、およびこのような袋体に用いられるクリーン
な積層体を提供することにある。また、本発明の目的
は、金属やイオン等の不純物がほとんど半導体製品や半
導体材料に移行することがないクリーンな半導体製品・
半導体材料用包装材を提供することにある。
の不純物がほとんど内容物に移行することがないクリー
ンな袋体、およびこのような袋体に用いられるクリーン
な積層体を提供することにある。また、本発明の目的
は、金属やイオン等の不純物がほとんど半導体製品や半
導体材料に移行することがないクリーンな半導体製品・
半導体材料用包装材を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の積層体は、少な
くともバリア層およびシーラント層を有し、下記不純物
溶出試験（１）によってシーラント層から０．５重量％
硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケ
ル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ
（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積
１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であ
ることを特徴とする。 〔不純物溶出試験（１）〕シーラント層が内側となるよ
うに積層体から袋体を作製し、袋体内部に０．５重量％
硝酸水溶液を１００ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３
℃）下で激しく３０回振とうし、袋体内部の０．５重量
％硝酸水溶液に溶出した鉄、アルミニウム、銅、ニッケ
ル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムの溶出量Ｘ’をＩ
ＣＰ／ＭＳ分析によってそれぞれ測定し、下記式により
溶出量Ｘを求める。 溶出量Ｘ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｘ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／０．５重量％硝酸水溶液に接する
シーラント層の面積（ｃｍ2 ）
くともバリア層およびシーラント層を有し、下記不純物
溶出試験（１）によってシーラント層から０．５重量％
硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケ
ル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ
（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積
１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であ
ることを特徴とする。 〔不純物溶出試験（１）〕シーラント層が内側となるよ
うに積層体から袋体を作製し、袋体内部に０．５重量％
硝酸水溶液を１００ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３
℃）下で激しく３０回振とうし、袋体内部の０．５重量
％硝酸水溶液に溶出した鉄、アルミニウム、銅、ニッケ
ル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムの溶出量Ｘ’をＩ
ＣＰ／ＭＳ分析によってそれぞれ測定し、下記式により
溶出量Ｘを求める。 溶出量Ｘ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｘ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／０．５重量％硝酸水溶液に接する
シーラント層の面積（ｃｍ2 ）
【０００７】また、本発明の積層体は、少なくともバリ
ア層およびシーラント層を有し、下記不純物溶出試験
（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮ
Ｈ4 +、Ｃｌ - 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量
Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当
たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であることを特徴とす
る。 〔不純物溶出試験（２）〕シーラント層が内側となるよ
うに積層体から袋体を作製し、袋体内部に純水を１００
ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３℃）下で激しく３０
回振とうし、袋体内部の純水に溶出したＮＨ4 +、Ｃｌ
- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ’をイオ
ンクロマトグラフ分析によってそれぞれ測定し、下記式
により溶出量Ｙを求める。 溶出量Ｙ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｙ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／純水に接するシーラント層の面積
（ｃｍ2 ）
ア層およびシーラント層を有し、下記不純物溶出試験
（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮ
Ｈ4 +、Ｃｌ - 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量
Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当
たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であることを特徴とす
る。 〔不純物溶出試験（２）〕シーラント層が内側となるよ
うに積層体から袋体を作製し、袋体内部に純水を１００
ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３℃）下で激しく３０
回振とうし、袋体内部の純水に溶出したＮＨ4 +、Ｃｌ
- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ’をイオ
ンクロマトグラフ分析によってそれぞれ測定し、下記式
により溶出量Ｙを求める。 溶出量Ｙ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｙ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／純水に接するシーラント層の面積
（ｃｍ2 ）
【０００８】また、本発明の積層体は、少なくともバリ
ア層およびシーラント層を有し、上記不純物溶出試験
（１）によってシーラント層から０．５重量％硝酸水溶
液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、
ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重
量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積１０００ｃ
ｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、かつ上
記不純物溶出試験（２）によってシーラント層から純水
に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ
4 2- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０
００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であるこ
とを特徴とする。
ア層およびシーラント層を有し、上記不純物溶出試験
（１）によってシーラント層から０．５重量％硝酸水溶
液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、
ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重
量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積１０００ｃ
ｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、かつ上
記不純物溶出試験（２）によってシーラント層から純水
に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ
4 2- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０
００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であるこ
とを特徴とする。
【０００９】また、前記シーラント層は、半減期が１５
０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あ
るいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法
によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５
ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７
０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し
出して成形されたフィルムであることが望ましい。ま
た、前記シーラント層のフィルムは、ホッパー内を窒素
で置換し、チューブラーブローン用ダイを取り付けた押
出機から前記低密度ポリエチレンをチューブ状に押し出
し、清浄な空気を入れて成形されたものであることが望
ましい。
０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あ
るいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法
によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５
ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７
０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し
出して成形されたフィルムであることが望ましい。ま
た、前記シーラント層のフィルムは、ホッパー内を窒素
で置換し、チューブラーブローン用ダイを取り付けた押
出機から前記低密度ポリエチレンをチューブ状に押し出
し、清浄な空気を入れて成形されたものであることが望
ましい。
【００１０】また、前記バリア層は、透明フィルムであ
ることが望ましく、特にシリカ蒸着ポリエチレンテレフ
タレートフィルムであることが望ましい。もしくは、前
記バリア層は、アルミニウム箔を有するものであっても
よい。また、前記シーラント層は、無延伸フィルムであ
ることが望ましい。また、前記シーラント層に添加剤が
添加されていないことが望ましい。
ることが望ましく、特にシリカ蒸着ポリエチレンテレフ
タレートフィルムであることが望ましい。もしくは、前
記バリア層は、アルミニウム箔を有するものであっても
よい。また、前記シーラント層は、無延伸フィルムであ
ることが望ましい。また、前記シーラント層に添加剤が
添加されていないことが望ましい。
【００１１】また、積層体の各層間は、接着剤を用いた
ドライラミネート法によって接着されていることが望ま
しい。また、前記接着剤は、シリカを含まない接着剤で
あることが望ましい。また、本発明の積層体は、シリカ
蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルム／接着剤／ナ
イロンフィルム／接着剤／シーラント層の層構成を有す
るものであることが望ましい。
ドライラミネート法によって接着されていることが望ま
しい。また、前記接着剤は、シリカを含まない接着剤で
あることが望ましい。また、本発明の積層体は、シリカ
蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルム／接着剤／ナ
イロンフィルム／接着剤／シーラント層の層構成を有す
るものであることが望ましい。
【００１２】また、本発明の袋体は、本発明の積層体か
らなるものであることを特徴とする。また、本発明の袋
体は、本発明の積層体を、シーラント層が内側となるよ
うにクリーンルーム内で製袋加工してなるものであるこ
とが望ましい。また、本発明の袋体は、粒径０．５μｍ
以上の塵埃が、１０００個／ｃｆ以下であるクリーンル
ーム内で製袋加工してなるものであることが望ましい。
らなるものであることを特徴とする。また、本発明の袋
体は、本発明の積層体を、シーラント層が内側となるよ
うにクリーンルーム内で製袋加工してなるものであるこ
とが望ましい。また、本発明の袋体は、粒径０．５μｍ
以上の塵埃が、１０００個／ｃｆ以下であるクリーンル
ーム内で製袋加工してなるものであることが望ましい。
【００１３】また、本発明の半導体製品または半導体材
料用包装材は、本発明の積層体からなるものであること
を特徴とする。また、本発明の半導体製品または半導体
材料用包装材は、本発明の積層体を、シーラント層が内
側となるようにクリーンルーム内で製袋加工してなるも
のであることが望ましい。
料用包装材は、本発明の積層体からなるものであること
を特徴とする。また、本発明の半導体製品または半導体
材料用包装材は、本発明の積層体を、シーラント層が内
側となるようにクリーンルーム内で製袋加工してなるも
のであることが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明の積層体の一例を示す断面図である。こ
の積層体１０は、シーラント層１１と、このシーラント
層１１を挟むように設けられた基材フィルムからなる中
間層１２と、この中間層１２よりも外側に設けられたバ
リア性フィルムからなるバリア層１３とを有し、各層間
が接着剤１４で接着されているものである。
図１は、本発明の積層体の一例を示す断面図である。こ
の積層体１０は、シーラント層１１と、このシーラント
層１１を挟むように設けられた基材フィルムからなる中
間層１２と、この中間層１２よりも外側に設けられたバ
リア性フィルムからなるバリア層１３とを有し、各層間
が接着剤１４で接着されているものである。
【００１５】この積層体１０は、下記不純物溶出試験
（１）によってシーラント層１１から０．５重量％硝酸
水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜
鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．
５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層１１の面積１
０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であ
る。これらイオンの溶出量Ｘが１ｎｇ／ｍｌを超える
と、内容物、特に半導体製品または半導体材料にこれら
金属やそのイオンが移行し、品質の低下を招く。
（１）によってシーラント層１１から０．５重量％硝酸
水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜
鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．
５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層１１の面積１
０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であ
る。これらイオンの溶出量Ｘが１ｎｇ／ｍｌを超える
と、内容物、特に半導体製品または半導体材料にこれら
金属やそのイオンが移行し、品質の低下を招く。
【００１６】以下、不純物溶出試験（１）について具体
的に説明する。 〔不純物溶出試験（１）〕まず、図２に示すように、積
層体１０の三方をヒートシールしてシーラント層１１が
内側となる袋体２０を作製する。ついで、この袋体２０
内部に上方の開口部から０．５重量％硝酸水溶液を１０
０ｍｌ注入し、開口部をヒートシールによって閉じる。
ここで、０．５重量％硝酸水溶液としては、ＩＣＰ／Ｍ
Ｓ分析によって下記の不純物が検出されないもの用い
る。
的に説明する。 〔不純物溶出試験（１）〕まず、図２に示すように、積
層体１０の三方をヒートシールしてシーラント層１１が
内側となる袋体２０を作製する。ついで、この袋体２０
内部に上方の開口部から０．５重量％硝酸水溶液を１０
０ｍｌ注入し、開口部をヒートシールによって閉じる。
ここで、０．５重量％硝酸水溶液としては、ＩＣＰ／Ｍ
Ｓ分析によって下記の不純物が検出されないもの用い
る。
【００１７】この袋体２０を常温（２３℃）下で激しく
３０回振とうした後、袋体２０内部の０．５重量％硝酸
水溶液を取り出す。ついで、この０．５重量％硝酸水溶
液をＩＣＰ／ＭＳ（高周波プラズマ質量分析）分析にか
け、シーラント層１１から０．５重量％硝酸水溶液に溶
出した鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリ
ウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ’をそれぞれ測定
する。下記式によりイオン溶出量Ｘ’をシーラント層１
１の面積１０００ｃｍ2 当たりのイオン溶出量Ｘに換算
する。 溶出量Ｘ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｘ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／０．５重量％硝酸水溶液に接する
シーラント層の面積（ｃｍ2 ）
３０回振とうした後、袋体２０内部の０．５重量％硝酸
水溶液を取り出す。ついで、この０．５重量％硝酸水溶
液をＩＣＰ／ＭＳ（高周波プラズマ質量分析）分析にか
け、シーラント層１１から０．５重量％硝酸水溶液に溶
出した鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリ
ウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ’をそれぞれ測定
する。下記式によりイオン溶出量Ｘ’をシーラント層１
１の面積１０００ｃｍ2 当たりのイオン溶出量Ｘに換算
する。 溶出量Ｘ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｘ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／０．５重量％硝酸水溶液に接する
シーラント層の面積（ｃｍ2 ）
【００１８】また、積層体１０は、下記不純物溶出試験
（２）によってシーラント層１１から純水に溶出するＮ
Ｈ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量
Ｙ（純水に接するシーラント層１１の面積１０００ｃｍ
2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下である。溶出量Ｙ
が１ｎｇ／ｍｌを超えると、内容物、特に半導体製品ま
たは半導体材料にこれらイオンが移行し、品質の低下を
招く。
（２）によってシーラント層１１から純水に溶出するＮ
Ｈ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量
Ｙ（純水に接するシーラント層１１の面積１０００ｃｍ
2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下である。溶出量Ｙ
が１ｎｇ／ｍｌを超えると、内容物、特に半導体製品ま
たは半導体材料にこれらイオンが移行し、品質の低下を
招く。
【００１９】以下、不純物溶出試験（２）について具体
的に説明する。 〔不純物溶出試験（２）〕まず、図２に示すように、積
層体１０の三方をヒートシールしてシーラント層１１が
内側となる袋体２０を作製する。ついで、この袋体２０
内部に上方の開口部から純水を１００ｍｌ注入し、開口
部をヒートシールによって閉じる。ここで、純水として
は、イオンクロマトグラフ分析によって下記の不純物が
検出されないもの用いる。
的に説明する。 〔不純物溶出試験（２）〕まず、図２に示すように、積
層体１０の三方をヒートシールしてシーラント層１１が
内側となる袋体２０を作製する。ついで、この袋体２０
内部に上方の開口部から純水を１００ｍｌ注入し、開口
部をヒートシールによって閉じる。ここで、純水として
は、イオンクロマトグラフ分析によって下記の不純物が
検出されないもの用いる。
【００２０】この袋体２０を常温（２３℃）下で激しく
３０回振とうした後、袋体２０内部の純水を取り出す。
ついで、この純水をイオンクロマトグラフ分析にかけ、
シーラント層１１から純水に溶出したＮＨ4 +、Ｃｌ- 、
ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ’をそれぞれ
測定する。下記式により溶出量Ｙ’をシーラント層１１
の面積１０００ｃｍ2 当たりの溶出量Ｙに換算する。 溶出量Ｙ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｙ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／純水に接するシーラント層の面積
（ｃｍ2 ）
３０回振とうした後、袋体２０内部の純水を取り出す。
ついで、この純水をイオンクロマトグラフ分析にかけ、
シーラント層１１から純水に溶出したＮＨ4 +、Ｃｌ- 、
ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ’をそれぞれ
測定する。下記式により溶出量Ｙ’をシーラント層１１
の面積１０００ｃｍ2 当たりの溶出量Ｙに換算する。 溶出量Ｙ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｙ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／純水に接するシーラント層の面積
（ｃｍ2 ）
【００２１】シーラント層１１は、ヒートシール性を有
する樹脂をチューブラーブローン法でチューブ状に成形
したものである。ヒートシール性を有する樹脂として
は、例えば、低密度ポリエチレン等のエチレン系重合
体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリ
ル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合
体、アイオノマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体鹸化
物、ナイロン、ポリプロピレンなどが挙げられる。ここ
で、低密度ポリエチレンとは、ラジカル重合によって得
られる、密度が０．９２ｇ／ｃｍ 3 以下のエチレン単独
重合体またはエチレン−α−オレフィン共重合体（エチ
レン８５重量％以上）である。
する樹脂をチューブラーブローン法でチューブ状に成形
したものである。ヒートシール性を有する樹脂として
は、例えば、低密度ポリエチレン等のエチレン系重合
体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリ
ル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合
体、アイオノマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体鹸化
物、ナイロン、ポリプロピレンなどが挙げられる。ここ
で、低密度ポリエチレンとは、ラジカル重合によって得
られる、密度が０．９２ｇ／ｃｍ 3 以下のエチレン単独
重合体またはエチレン−α−オレフィン共重合体（エチ
レン８５重量％以上）である。
【００２２】これらヒートシール性を有する樹脂の中で
も、半減期が１５０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジ
カル開始剤単体あるいは２種類以上を複合して用いた高
圧ラジカル重合法によって製造された低密度ポリエチレ
ンが好ましい。このような低密度ポリエチレンは、その
製造に金属含有触媒を用いないため、金属等の不純物の
含有量が極めて少ない。また、このエチレン系重合体の
メルトフローレートは、成形加工性の点から、０．３〜
５ｇ／１０分であることが好ましい。
も、半減期が１５０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジ
カル開始剤単体あるいは２種類以上を複合して用いた高
圧ラジカル重合法によって製造された低密度ポリエチレ
ンが好ましい。このような低密度ポリエチレンは、その
製造に金属含有触媒を用いないため、金属等の不純物の
含有量が極めて少ない。また、このエチレン系重合体の
メルトフローレートは、成形加工性の点から、０．３〜
５ｇ／１０分であることが好ましい。
【００２３】また、ヒートシール性を有する樹脂には、
添加剤が添加されていないことが好ましい。このような
ヒートシール性を有する樹脂を用いることにより、シー
ラント層１１中の不純物の含有量を低減させることがで
きる。ここでいう添加剤とは、滑剤、アンチブロッキン
グ剤、帯電防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等のポリ
マー用の添加剤である。また、シーラント層１１は、無
延伸フィルムからなることが好ましい。無延伸フィルム
からなるシーラント層１１は、突き刺し強度に優れる、
柔軟である、ヒートシール加工性に優れる等の利点があ
る。
添加剤が添加されていないことが好ましい。このような
ヒートシール性を有する樹脂を用いることにより、シー
ラント層１１中の不純物の含有量を低減させることがで
きる。ここでいう添加剤とは、滑剤、アンチブロッキン
グ剤、帯電防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等のポリ
マー用の添加剤である。また、シーラント層１１は、無
延伸フィルムからなることが好ましい。無延伸フィルム
からなるシーラント層１１は、突き刺し強度に優れる、
柔軟である、ヒートシール加工性に優れる等の利点があ
る。
【００２４】バリア層１３は、積層体１０の用途に応じ
て用途に応じて光遮蔽性、酸素ガスバリア性、水蒸気バ
リア性などを有するバリア性フィルムからなるものであ
る。バリア層１３としては、積層体１０からなる袋体に
収納した内容物を確認できる点で、透明フィルムからな
ることが好ましい。なお、内容物が光によって変質する
など、光による悪影響を受ける場合は、バリア層１３と
しては、光バリア性を有するものが用いられる。
て用途に応じて光遮蔽性、酸素ガスバリア性、水蒸気バ
リア性などを有するバリア性フィルムからなるものであ
る。バリア層１３としては、積層体１０からなる袋体に
収納した内容物を確認できる点で、透明フィルムからな
ることが好ましい。なお、内容物が光によって変質する
など、光による悪影響を受ける場合は、バリア層１３と
しては、光バリア性を有するものが用いられる。
【００２５】また、バリア層１３はとしては、透明性お
よび酸素ガスバリア性を必要とするときは、例えば、酸
化ケイ素（シリカ）や金属酸化物が蒸着された二軸延伸
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、二軸
延伸ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、二軸延伸ポリア
ミドフィルム（ＮＹ）；ポリ塩化ビニリデンやポリビニ
ルアルコールをコーティングした二軸延伸ＰＥＴフィル
ム、二軸延伸ＰＰフィルム；エチレン−酢酸ビニル共重
合体鹸化物のフィルム、ポリビニルアルコールフィル
ム、ポリカーボネートフィルムなどを用いることができ
る。中でも、シリカ蒸着ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムが、透明性および酸素ガスバリア性に優れること
から好適に用いられる。
よび酸素ガスバリア性を必要とするときは、例えば、酸
化ケイ素（シリカ）や金属酸化物が蒸着された二軸延伸
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、二軸
延伸ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、二軸延伸ポリア
ミドフィルム（ＮＹ）；ポリ塩化ビニリデンやポリビニ
ルアルコールをコーティングした二軸延伸ＰＥＴフィル
ム、二軸延伸ＰＰフィルム；エチレン−酢酸ビニル共重
合体鹸化物のフィルム、ポリビニルアルコールフィル
ム、ポリカーボネートフィルムなどを用いることができ
る。中でも、シリカ蒸着ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムが、透明性および酸素ガスバリア性に優れること
から好適に用いられる。
【００２６】また、バリア層１３はとしては、光遮蔽性
および酸素ガスバリア性を必要とするときは、例えば、
アルミニウム箔、アルミニウム箔が貼着された二軸延伸
ＰＥＴフィルム、二軸延伸ＰＰフィルム；金属アルミニ
ウムが蒸着された二軸延伸ＰＥＴフィルム、二軸延伸Ｐ
Ｐフィルム（部分蒸着を含む）を用いることができる。
中でもアルミニウム箔を有するフィルムが、光遮蔽性お
よび酸素ガスバリア性に優れることから好適に用いられ
る。
および酸素ガスバリア性を必要とするときは、例えば、
アルミニウム箔、アルミニウム箔が貼着された二軸延伸
ＰＥＴフィルム、二軸延伸ＰＰフィルム；金属アルミニ
ウムが蒸着された二軸延伸ＰＥＴフィルム、二軸延伸Ｐ
Ｐフィルム（部分蒸着を含む）を用いることができる。
中でもアルミニウム箔を有するフィルムが、光遮蔽性お
よび酸素ガスバリア性に優れることから好適に用いられ
る。
【００２７】中間層１２は、積層体１０のベースとなる
基材フィルムからなり、積層体１０の機械的強度、各種
バリア性を補うための層である。中間層１２に用いられ
る基材フィルムとしては、例えば、ポリプロピレン、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリアミド（ナイロン−
６、ナイロン−６，６など）、セルロースアセテート、
エチレン−酢酸ビニル共重合体鹸化物、ポリカーボネー
トなどのプラスチックの延伸または未延伸フィルム、
紙、アルミニウム箔などが用いられる。
基材フィルムからなり、積層体１０の機械的強度、各種
バリア性を補うための層である。中間層１２に用いられ
る基材フィルムとしては、例えば、ポリプロピレン、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリアミド（ナイロン−
６、ナイロン−６，６など）、セルロースアセテート、
エチレン−酢酸ビニル共重合体鹸化物、ポリカーボネー
トなどのプラスチックの延伸または未延伸フィルム、
紙、アルミニウム箔などが用いられる。
【００２８】接着剤１４としては、ドライラミネーショ
ン、ウェットラミネーション、サンドイッチラミネーシ
ョン等にそれぞれ用いられる公知の各種接着剤、熱可塑
性樹脂等を用いることができる。積層体１０からなる袋
体に収納する内容物が半導体製品や半導体用材料の場
合、接着剤としてはシリカを含まないノンシリカタイプ
の接着剤が好ましい。
ン、ウェットラミネーション、サンドイッチラミネーシ
ョン等にそれぞれ用いられる公知の各種接着剤、熱可塑
性樹脂等を用いることができる。積層体１０からなる袋
体に収納する内容物が半導体製品や半導体用材料の場
合、接着剤としてはシリカを含まないノンシリカタイプ
の接着剤が好ましい。
【００２９】積層体１０としては、各種バリア性、機械
的強度の低下防止、および外観上の問題の点から、その
シーラント層１１にフィッシュアイ、ゲル等の練り込み
異物が少ないものが好ましい。具体的には、粒径０．５
〜１．０ｍｍの異物が、３０個／ｍ3 以下の積層体が好
ましく、２０個／ｍ3 以下のものがより好ましく、１０
個／ｍ3 以下のものがさらに好ましい。
的強度の低下防止、および外観上の問題の点から、その
シーラント層１１にフィッシュアイ、ゲル等の練り込み
異物が少ないものが好ましい。具体的には、粒径０．５
〜１．０ｍｍの異物が、３０個／ｍ3 以下の積層体が好
ましく、２０個／ｍ3 以下のものがより好ましく、１０
個／ｍ3 以下のものがさらに好ましい。
【００３０】積層体１０のシーラント層１１表面には、
製袋加工時、内容物充填作業時にある程度の滑り性が要
求される。具体的には、シーラント層１１表面の動摩擦
係数は、好ましくは０．５以下であり、より好ましくは
０．４５以下であり、さらに好ましくは０．４以下であ
る。
製袋加工時、内容物充填作業時にある程度の滑り性が要
求される。具体的には、シーラント層１１表面の動摩擦
係数は、好ましくは０．５以下であり、より好ましくは
０．４５以下であり、さらに好ましくは０．４以下であ
る。
【００３１】次に、積層体１０の製造方法について説明
する。まず、ヒートシール性を有する樹脂をチューブラ
ーブローン用ダイを取り付けた押出機から溶融状態で押
し出し、清浄な空気を入れてチューブ状のシーラントフ
ィルムに成形する。このチューブ状のシーラントフィル
ム（シーラント層１１）を平面状に開いて１枚にし、そ
の片面に接着剤１４を介して基材フィルム（中間層１
２）、バリア性フィルム（バリア層１３）を順次積層し
て積層体１０を得る。
する。まず、ヒートシール性を有する樹脂をチューブラ
ーブローン用ダイを取り付けた押出機から溶融状態で押
し出し、清浄な空気を入れてチューブ状のシーラントフ
ィルムに成形する。このチューブ状のシーラントフィル
ム（シーラント層１１）を平面状に開いて１枚にし、そ
の片面に接着剤１４を介して基材フィルム（中間層１
２）、バリア性フィルム（バリア層１３）を順次積層し
て積層体１０を得る。
【００３２】ここで、押出機のＬ／Ｄ比は１５以上であ
ることが好ましく、また、ヒートシール性を有する樹脂
を押出機から押し出す際の温度（成形温度）は、１３０
〜１７０℃の範囲が好ましい。このような条件で、メル
トフローレートが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポ
リエチレンを押し出すことにより、滑剤やアンチブロッ
キング剤などの添加剤を低密度ポリエチレンに添加しな
くとも、良好な成形加工性を維持することができる。ま
た、押出機のホッパー内を窒素で置換しておくことが好
ましい。ホッパー内を窒素で置換しておけば、ヒートシ
ール性を有する樹脂の押出機内における酸化を抑えるこ
とができ、酸化防止剤などの添加剤を添加する必要がな
くなる。
ることが好ましく、また、ヒートシール性を有する樹脂
を押出機から押し出す際の温度（成形温度）は、１３０
〜１７０℃の範囲が好ましい。このような条件で、メル
トフローレートが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポ
リエチレンを押し出すことにより、滑剤やアンチブロッ
キング剤などの添加剤を低密度ポリエチレンに添加しな
くとも、良好な成形加工性を維持することができる。ま
た、押出機のホッパー内を窒素で置換しておくことが好
ましい。ホッパー内を窒素で置換しておけば、ヒートシ
ール性を有する樹脂の押出機内における酸化を抑えるこ
とができ、酸化防止剤などの添加剤を添加する必要がな
くなる。
【００３３】また、接着剤を用いた各フィルムの積層方
法としては、ドライラミネート法、ウェットラミネート
法、サンドイッチラミネート法、押出ラミネート法など
が挙げられる。中でも、クリーン度の保持の点で、ドラ
イラミネート法が好適である。なお、押出ラミネート法
による場合、その成形温度は２５０℃以下とすることが
好ましい。
法としては、ドライラミネート法、ウェットラミネート
法、サンドイッチラミネート法、押出ラミネート法など
が挙げられる。中でも、クリーン度の保持の点で、ドラ
イラミネート法が好適である。なお、押出ラミネート法
による場合、その成形温度は２５０℃以下とすることが
好ましい。
【００３４】ドライラミネート法による各層の貼り合わ
せは、具体的には、各層を構成するフィルムの表面にド
ライラミネート用の接着剤を塗布し、接着剤を乾燥させ
て接着剤の揮発分を揮発させた後、各フィルムを貼り合
わせ、熱ロールによって圧着させることによって行われ
る。
せは、具体的には、各層を構成するフィルムの表面にド
ライラミネート用の接着剤を塗布し、接着剤を乾燥させ
て接着剤の揮発分を揮発させた後、各フィルムを貼り合
わせ、熱ロールによって圧着させることによって行われ
る。
【００３５】以上説明したように、このような積層体１
０にあっては、上記不純物溶出試験（１）によってシー
ラント層１１から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する
鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムお
よびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶
液に接するシーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当た
り）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、上記不純物溶出
試験（２）によってシーラント層１１から純水に溶出す
るＮＨ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2 - の溶
出量Ｙ（純水に接するシーラント層１１の面積１０００
ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であるので、
金属やイオン等の不純物がほとんど内容物に移行するこ
とがない袋体を提供することができる。
０にあっては、上記不純物溶出試験（１）によってシー
ラント層１１から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する
鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムお
よびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶
液に接するシーラント層１１の面積１０００ｃｍ2 当た
り）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であり、上記不純物溶出
試験（２）によってシーラント層１１から純水に溶出す
るＮＨ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2 - の溶
出量Ｙ（純水に接するシーラント層１１の面積１０００
ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であるので、
金属やイオン等の不純物がほとんど内容物に移行するこ
とがない袋体を提供することができる。
【００３６】このような積層体１０は、具体的には、半
減期が１５０〜２００℃のラジカル開始剤を用いた高圧
ラジカル重合法によって製造された、メルトフローレー
トが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを
ヒートシール性を有する樹脂として用い、この低密度ポ
リエチレンを１３０〜１７０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が
１５以上の押出機から押し出してシーラントフィルムを
成形し、このシーラントフィルムをシーラント層１１と
して用いることによって得ることができる。
減期が１５０〜２００℃のラジカル開始剤を用いた高圧
ラジカル重合法によって製造された、メルトフローレー
トが０．３〜５ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを
ヒートシール性を有する樹脂として用い、この低密度ポ
リエチレンを１３０〜１７０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が
１５以上の押出機から押し出してシーラントフィルムを
成形し、このシーラントフィルムをシーラント層１１と
して用いることによって得ることができる。
【００３７】なお、本発明の積層体においては、図示例
のように必ずしも中間層を設ける必要はなく、少なくと
もバリア層およびシーラント層を有するものであればよ
い。また、本発明の積層体においては、各層を積層する
際に、各層の表面にオゾン処理などの接着性を向上させ
る処理を施しても構わない。
のように必ずしも中間層を設ける必要はなく、少なくと
もバリア層およびシーラント層を有するものであればよ
い。また、本発明の積層体においては、各層を積層する
際に、各層の表面にオゾン処理などの接着性を向上させ
る処理を施しても構わない。
【００３８】次に、本発明の袋体について説明する。本
発明の袋体は、本発明の積層体からなるものである。本
発明の袋体としては、例えば、図２に示すように、シー
ラント層が内側となるようにして積層体１０の三方をヒ
ートシールした袋体２０が挙げられる。また、本発明の
袋体としては、図３に示すような袋体３０が例示でき
る。この袋体３０は、図４で示すように、広げると略立
方体状となる袋であって、側面フィルム３１，３２とガ
ゼット側面フィルム３３，３４とから概略構成されてい
る。側面フィルム３１，３２及びガゼット側面フィルム
３３，３４は、例えば、上述の積層体１０からなるフィ
ルムであって、最内層がシーラント層１１であるもので
あればよい。
発明の袋体は、本発明の積層体からなるものである。本
発明の袋体としては、例えば、図２に示すように、シー
ラント層が内側となるようにして積層体１０の三方をヒ
ートシールした袋体２０が挙げられる。また、本発明の
袋体としては、図３に示すような袋体３０が例示でき
る。この袋体３０は、図４で示すように、広げると略立
方体状となる袋であって、側面フィルム３１，３２とガ
ゼット側面フィルム３３，３４とから概略構成されてい
る。側面フィルム３１，３２及びガゼット側面フィルム
３３，３４は、例えば、上述の積層体１０からなるフィ
ルムであって、最内層がシーラント層１１であるもので
あればよい。
【００３９】図示例の袋体３０では、側面フィルム３１
と、折り込まれたガゼット側面フィルム３３とはそれぞ
れの側縁部において、ヒートシールにより溶着して側縁
ヒートシール部３５を形成し、側面フィルム３２とガゼ
ット側面フィルム３３も側縁部にてヒートシールにより
溶着している。同様に、側面フィルム３１と、折り込ま
れたガゼット側面フィルム３４もそれぞれの側縁部にて
ヒートシールにより溶着して側縁ヒートシール部３６を
形成し、側面フィルム３２とガゼット側面フィルム３４
も側縁部にてヒートシールにより溶着している。
と、折り込まれたガゼット側面フィルム３３とはそれぞ
れの側縁部において、ヒートシールにより溶着して側縁
ヒートシール部３５を形成し、側面フィルム３２とガゼ
ット側面フィルム３３も側縁部にてヒートシールにより
溶着している。同様に、側面フィルム３１と、折り込ま
れたガゼット側面フィルム３４もそれぞれの側縁部にて
ヒートシールにより溶着して側縁ヒートシール部３６を
形成し、側面フィルム３２とガゼット側面フィルム３４
も側縁部にてヒートシールにより溶着している。
【００４０】袋体３０においては、さらに、その底部に
おいて、側面フィルム３１，３２はそれぞれガゼット側
面フィルム３３，３４と、袋の短手方向に沿って直線状
にヒートシールにより溶着一体化して底辺ヒートシール
部３７を形成している。また、ガゼット側面フィルム３
３，３４が介在しない底辺中央部３８においては、側面
フィルム３１と側面フィルム３２とがヒートシールによ
り溶着一体化している。さらにまた、その底辺中央部３
８近傍から斜め上方に側縁部まで向かう線と、底辺ヒー
トシール部３７と、側縁ヒートシール部３５（３６）と
で囲まれる部分が三角形状にヒートシールされ、図４に
示すように、底面が四角形状に広げやすくなっている。
この三角形状のヒートシールには、縞状に非ヒートシー
ル部３９が形成されている。これは、大面積のヒートシ
ールを行うことによる波打ちを抑制する為である。さら
に、底辺ヒートシール部３７内の側方近傍の２ヵ所にお
いてスポットシール４０，４０により、ガゼット側面フ
ィルム３３同し及びガゼット側面フィルム３４同しが溶
着され、袋を略立方体状に広げやすくなっている。図示
例の袋体３０では開封を容易とする為の切欠４１が形成
されている。
おいて、側面フィルム３１，３２はそれぞれガゼット側
面フィルム３３，３４と、袋の短手方向に沿って直線状
にヒートシールにより溶着一体化して底辺ヒートシール
部３７を形成している。また、ガゼット側面フィルム３
３，３４が介在しない底辺中央部３８においては、側面
フィルム３１と側面フィルム３２とがヒートシールによ
り溶着一体化している。さらにまた、その底辺中央部３
８近傍から斜め上方に側縁部まで向かう線と、底辺ヒー
トシール部３７と、側縁ヒートシール部３５（３６）と
で囲まれる部分が三角形状にヒートシールされ、図４に
示すように、底面が四角形状に広げやすくなっている。
この三角形状のヒートシールには、縞状に非ヒートシー
ル部３９が形成されている。これは、大面積のヒートシ
ールを行うことによる波打ちを抑制する為である。さら
に、底辺ヒートシール部３７内の側方近傍の２ヵ所にお
いてスポットシール４０，４０により、ガゼット側面フ
ィルム３３同し及びガゼット側面フィルム３４同しが溶
着され、袋を略立方体状に広げやすくなっている。図示
例の袋体３０では開封を容易とする為の切欠４１が形成
されている。
【００４１】上述の袋体２０および袋体３０の製袋加工
は、クリーンルーム内で行うことが好ましい。クリーン
ルーム内で製袋加工することにより、異物が積層体１０
表面、特にシーラント層１１表面に付着することを抑え
ることができ、内容物に移行する金属やイオン等の不純
物をさらに減らすことができる。特に、粒径０．５μｍ
以上の塵埃の数が、１０００個／ｃｆ（ｃｆ：キュービ
ックフィート（１立方フィート）以下であるクリーンル
ーム内で製袋加工を行うことが好ましい。
は、クリーンルーム内で行うことが好ましい。クリーン
ルーム内で製袋加工することにより、異物が積層体１０
表面、特にシーラント層１１表面に付着することを抑え
ることができ、内容物に移行する金属やイオン等の不純
物をさらに減らすことができる。特に、粒径０．５μｍ
以上の塵埃の数が、１０００個／ｃｆ（ｃｆ：キュービ
ックフィート（１立方フィート）以下であるクリーンル
ーム内で製袋加工を行うことが好ましい。
【００４２】このような袋体２０および袋体３０にあっ
ては、これらに用いられる積層体が、上記不純物溶出試
験（１）によってシーラント層１１から０．５重量％硝
酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、
亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ
（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層１１の
面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下
であり、上記不純物溶出試験（２）によってシーラント
層１１から純水に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、Ｎ
Ｏ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラン
ト層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ
／ｍｌ以下であるものであるので、金属やイオン等の不
純物がほとんど内容物に移行することがない。このよう
な袋体は、特に、半導体製品または半導体材料用包装材
として好適に用いることができる。
ては、これらに用いられる積層体が、上記不純物溶出試
験（１）によってシーラント層１１から０．５重量％硝
酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、
亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ
（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラント層１１の
面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下
であり、上記不純物溶出試験（２）によってシーラント
層１１から純水に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、Ｎ
Ｏ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラン
ト層１１の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ
／ｍｌ以下であるものであるので、金属やイオン等の不
純物がほとんど内容物に移行することがない。このよう
な袋体は、特に、半導体製品または半導体材料用包装材
として好適に用いることができる。
【００４３】なお、本発明の袋体は、図示例の形状のも
のに限定はされず、本発明の積層体を用い、かつシーラ
ント層が最内層とされているものであれば、いかなる形
状のものであっても構わない。また、本発明の半導体製
品または半導体材料用包装材は、図示例のような袋体に
限定はされず、例えば、２枚のテープ状の本発明の積層
体によって電子部品等の複数の半導体製品を挟む形態の
もの、いわゆるキャリアテープなどであっても構わな
い。
のに限定はされず、本発明の積層体を用い、かつシーラ
ント層が最内層とされているものであれば、いかなる形
状のものであっても構わない。また、本発明の半導体製
品または半導体材料用包装材は、図示例のような袋体に
限定はされず、例えば、２枚のテープ状の本発明の積層
体によって電子部品等の複数の半導体製品を挟む形態の
もの、いわゆるキャリアテープなどであっても構わな
い。
【００４４】
【実施例】以下、実施例を示して本発明を詳しく説明す
る。 ［実施例１］シーラントフィルムとして、厚さ５０μｍ
の無添加タイプの低密度ポリエチレンフィルムを用意し
た。この無添加低密度ポリエチレンフィルムは、半減期
が１７５℃の過酸化物系のラジカル開始剤を用いた高圧
ラジカル重合法によって製造され、メルトフローレート
が０．８ｇ／１０分であり、添加剤が添加されていない
低密度ポリエチレンを、１４０℃の成形温度でＬ／Ｄ比
が２２であり、ホッパー内が窒素で置換され、かつチュ
ーブラーブローン用ダイを取り付けた押出機から押し出
し、清浄な空気を入れて成形されたチューブを開いたフ
ィルムである。
る。 ［実施例１］シーラントフィルムとして、厚さ５０μｍ
の無添加タイプの低密度ポリエチレンフィルムを用意し
た。この無添加低密度ポリエチレンフィルムは、半減期
が１７５℃の過酸化物系のラジカル開始剤を用いた高圧
ラジカル重合法によって製造され、メルトフローレート
が０．８ｇ／１０分であり、添加剤が添加されていない
低密度ポリエチレンを、１４０℃の成形温度でＬ／Ｄ比
が２２であり、ホッパー内が窒素で置換され、かつチュ
ーブラーブローン用ダイを取り付けた押出機から押し出
し、清浄な空気を入れて成形されたチューブを開いたフ
ィルムである。
【００４５】接着剤として、エステル系ノンシリカタイ
プ接着剤を乾燥時の塗布量が３．０ｇ／ｍ3 となるよう
に用いて、上記無添加低密度ポリエチレンフィルムに、
厚さ１５μｍの二軸延伸ナイロンフィルムおよび厚さ１
２μｍのシリカ蒸着二軸延伸ＰＥＴフィルムを順次ドラ
イラミネーション法で積層して、図１に示すような積層
体を得た。この積層体のシーラント層について、粒径
０．５〜１．０ｍｍの異物の数（フィッシュアイおよび
ゲル）、動摩擦係数を測定した。結果を表１に示す。
プ接着剤を乾燥時の塗布量が３．０ｇ／ｍ3 となるよう
に用いて、上記無添加低密度ポリエチレンフィルムに、
厚さ１５μｍの二軸延伸ナイロンフィルムおよび厚さ１
２μｍのシリカ蒸着二軸延伸ＰＥＴフィルムを順次ドラ
イラミネーション法で積層して、図１に示すような積層
体を得た。この積層体のシーラント層について、粒径
０．５〜１．０ｍｍの異物の数（フィッシュアイおよび
ゲル）、動摩擦係数を測定した。結果を表１に示す。
【００４６】ついで、粒径０．５μｍ以上の塵埃が１０
００個／ｃｆ以下であるクリーンルーム内でこの積層体
の三方をシーラント層が内側となるようにヒートシール
して、図２に示すような袋体を得た。この袋体内部のシ
ーラント層の表面積（接触面積）は、５３（ｃｍ）×３
０（ｃｍ）×２（面）＝３１８０ｃｍ2 であった。
００個／ｃｆ以下であるクリーンルーム内でこの積層体
の三方をシーラント層が内側となるようにヒートシール
して、図２に示すような袋体を得た。この袋体内部のシ
ーラント層の表面積（接触面積）は、５３（ｃｍ）×３
０（ｃｍ）×２（面）＝３１８０ｃｍ2 であった。
【００４７】この袋体について、上述の不純物溶出試験
（１）によってシーラント層から０．５重量％硝酸水溶
液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、
ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重
量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積１０００ｃ
ｍ2 当たり）、および上述の不純物溶出試験（２）によ
ってシーラント層から純水に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ- 、
ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ（純水に接す
るシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）を求め
た。それぞれの試験を３回ずつ行い、それぞれの溶出量
の平均値を求めた。結果を表１に示す。ここで、ＩＣＰ
／ＭＳ分析には、セイコーインスツルメンツ（株）製の
ＳＰＧ−９０００を用い、イオンクロマトグラフ分析に
は、ダイオネクス製のＤＸ３００／ＤＸ５００を用い
た。
（１）によってシーラント層から０．５重量％硝酸水溶
液に溶出する鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、
ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量Ｘ（０．５重
量％硝酸水溶液に接するシーラント層の面積１０００ｃ
ｍ2 当たり）、および上述の不純物溶出試験（２）によ
ってシーラント層から純水に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ- 、
ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ（純水に接す
るシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）を求め
た。それぞれの試験を３回ずつ行い、それぞれの溶出量
の平均値を求めた。結果を表１に示す。ここで、ＩＣＰ
／ＭＳ分析には、セイコーインスツルメンツ（株）製の
ＳＰＧ−９０００を用い、イオンクロマトグラフ分析に
は、ダイオネクス製のＤＸ３００／ＤＸ５００を用い
た。
【００４８】［実施例２］シーラントフィルムとして、
厚さ５０μｍの無添加タイプの低密度ポリエチレンフィ
ルムを用いた以外は、実施例１と同様にして積層体およ
び袋体を製造し、実施例１と同様にして評価を行った。
結果を表１に示す。この無添加低密度ポリエチレンフィ
ルムは、半減期が１７０℃の過酸化物系のラジカル開始
剤を用いた高圧ラジカル重合法によって製造され、メル
トフローレートが０．５ｇ／１０分であり、添加剤が添
加されていない低密度ポリエチレンを、１５０℃の成形
温度でＬ／Ｄ比が２０であり、ホッパー内が窒素で置換
され、かつチューブラーブローン用ダイを取り付けた押
出機から押し出し、清浄な空気を入れて成形されたチュ
ーブを開いたフィルムである。
厚さ５０μｍの無添加タイプの低密度ポリエチレンフィ
ルムを用いた以外は、実施例１と同様にして積層体およ
び袋体を製造し、実施例１と同様にして評価を行った。
結果を表１に示す。この無添加低密度ポリエチレンフィ
ルムは、半減期が１７０℃の過酸化物系のラジカル開始
剤を用いた高圧ラジカル重合法によって製造され、メル
トフローレートが０．５ｇ／１０分であり、添加剤が添
加されていない低密度ポリエチレンを、１５０℃の成形
温度でＬ／Ｄ比が２０であり、ホッパー内が窒素で置換
され、かつチューブラーブローン用ダイを取り付けた押
出機から押し出し、清浄な空気を入れて成形されたチュ
ーブを開いたフィルムである。
【００４９】［比較例１］シーラントフィルムとして、
厚さ５０μｍのアンチブロッキング剤、抗酸化剤の添加
された、無滑剤タイプの直鎖状低密度ポリエチレンフィ
ルムを用いた以外は、実施例１と同様にして積層体およ
び袋体を製造し、実施例１と同様にして評価を行った。
結果を表１に示す。比較例１の積層体は、シーラント層
を構成するシーラントフィルムに、アンチブロッキング
剤、抗酸化剤が添加されており、添加剤に起因する金属
イオン、陰イオンおよび陽イオンの溶出が多かった。
厚さ５０μｍのアンチブロッキング剤、抗酸化剤の添加
された、無滑剤タイプの直鎖状低密度ポリエチレンフィ
ルムを用いた以外は、実施例１と同様にして積層体およ
び袋体を製造し、実施例１と同様にして評価を行った。
結果を表１に示す。比較例１の積層体は、シーラント層
を構成するシーラントフィルムに、アンチブロッキング
剤、抗酸化剤が添加されており、添加剤に起因する金属
イオン、陰イオンおよび陽イオンの溶出が多かった。
【００５０】［比較例２］シーラントフィルムとして、
厚さ５０μｍの添加剤低減タイプの直鎖状低密度ポリエ
チレンフィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして
積層体および袋体を製造し、実施例１と同様にして評価
を行った。結果を表１に示す。参考例１の積層体は、シ
ーラント層を構成するシーラントフィルムに少量ながら
添加剤が添加されており、添加剤に起因する陰イオンお
よび陽イオンの溶出が多かった。
厚さ５０μｍの添加剤低減タイプの直鎖状低密度ポリエ
チレンフィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして
積層体および袋体を製造し、実施例１と同様にして評価
を行った。結果を表１に示す。参考例１の積層体は、シ
ーラント層を構成するシーラントフィルムに少量ながら
添加剤が添加されており、添加剤に起因する陰イオンお
よび陽イオンの溶出が多かった。
【００５１】［比較例３］シーラントフィルムとして、
厚さ５０μｍの添加剤低減タイプの低密度ポリエチレン
フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして積層体
および袋体を製造し、実施例１と同様にして評価を行っ
た。結果を表１に示す。参考例２の積層体は、シーラン
ト層を構成するシーラントフィルムに少量ながら添加剤
が添加されており、添加剤に起因する金属イオン、陰イ
オンおよび陽イオンの溶出が多かった。
厚さ５０μｍの添加剤低減タイプの低密度ポリエチレン
フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして積層体
および袋体を製造し、実施例１と同様にして評価を行っ
た。結果を表１に示す。参考例２の積層体は、シーラン
ト層を構成するシーラントフィルムに少量ながら添加剤
が添加されており、添加剤に起因する金属イオン、陰イ
オンおよび陽イオンの溶出が多かった。
【００５２】
【表１】
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の積層体
は、少なくともバリア層およびシーラント層を有し、上
述の不純物溶出試験（１）によってシーラント層から
０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、
銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオ
ン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラン
ト層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍ
ｌ以下であるので、金属やイオン等の不純物がほとんど
内容物に移行することがない袋体、半導体製品・半導体
材料用包装材を提供することができる。
は、少なくともバリア層およびシーラント層を有し、上
述の不純物溶出試験（１）によってシーラント層から
０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、
銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオ
ン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラン
ト層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍ
ｌ以下であるので、金属やイオン等の不純物がほとんど
内容物に移行することがない袋体、半導体製品・半導体
材料用包装材を提供することができる。
【００５４】また、本発明の積層体は、少なくともバリ
ア層およびシーラント層を有し、上述の不純物溶出試験
（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮ
Ｈ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量
Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当
たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であるので、金属やイ
オン等の不純物がほとんど内容物に移行することがない
袋体、半導体製品・半導体材料用包装材を提供すること
ができる。
ア層およびシーラント層を有し、上述の不純物溶出試験
（２）によってシーラント層から純水に溶出するＮ
Ｈ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量
Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当
たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下であるので、金属やイ
オン等の不純物がほとんど内容物に移行することがない
袋体、半導体製品・半導体材料用包装材を提供すること
ができる。
【００５５】また、前記シーラント層が、半減期が１５
０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あ
るいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法
によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５
ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７
０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し
出し、清浄な空気を入れて成形されたフィルムであれ
ば、上述の不純物溶出試験（１）によってシーラント層
から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウ
ム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムの
イオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシー
ラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が１ｎｇ／ｍｌ
以下である積層体、または上述の不純物溶出試験（２）
によってシーラント層から純水に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ
- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2-の溶出量Ｙ（純水に
接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、
１ｎｇ／ｍｌ以下である積層体を得ることが可能とな
る。
０〜２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あ
るいは２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法
によって製造された、メルトフローレートが０．３〜５
ｇ／１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７
０℃の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し
出し、清浄な空気を入れて成形されたフィルムであれ
ば、上述の不純物溶出試験（１）によってシーラント層
から０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウ
ム、銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムの
イオン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシー
ラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が１ｎｇ／ｍｌ
以下である積層体、または上述の不純物溶出試験（２）
によってシーラント層から純水に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ
- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2-の溶出量Ｙ（純水に
接するシーラント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、
１ｎｇ／ｍｌ以下である積層体を得ることが可能とな
る。
【００５６】また、前記シーラント層のフィルムが、ホ
ッパー内を窒素で置換し、チューブラーブローン用ダイ
を取り付けた押出機から前記低密度ポリエチレンをチュ
ーブ状に押し出し、清浄な空気を入れて成形されたもの
であれば、さらにシーラント層からの不純物の溶出を抑
えることができる。
ッパー内を窒素で置換し、チューブラーブローン用ダイ
を取り付けた押出機から前記低密度ポリエチレンをチュ
ーブ状に押し出し、清浄な空気を入れて成形されたもの
であれば、さらにシーラント層からの不純物の溶出を抑
えることができる。
【００５７】また、本発明の袋体は、本発明の積層体か
らなるものであるので、金属やイオン等の不純物がほと
んど内容物に移行することがない。また、本発明の半導
体製品または半導体材料用包装材は、本発明の積層体か
らなるものであるので、金属やイオン等の不純物がほと
んど半導体製品や半導体材料に移行することがない。
らなるものであるので、金属やイオン等の不純物がほと
んど内容物に移行することがない。また、本発明の半導
体製品または半導体材料用包装材は、本発明の積層体か
らなるものであるので、金属やイオン等の不純物がほと
んど半導体製品や半導体材料に移行することがない。
【図１】 本発明の積層体の一例を示す断面図である。
【図２】 本発明の袋体の一例を示す斜視図である。
【図３】 本発明の袋体の他の例を示す正面図である。
【図４】 図３の袋体の使用時の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【符号の説明】
１０ 積層体
１１ シーラント層
１３ バリア層
１４ 接着剤
２０ 袋体
３０ 袋体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 増田 享
奈良県五條市住川町1373番地 昭和電工パ
ッケージング株式会社内
(72)発明者 金子 篤
滋賀県彦根市清崎町60番地 昭和電工パッ
ケージング株式会社内
Ｆターム(参考） 3E067 AA11 AB41 BA12A BB14A
BB15A BB25A CA05 CA06
CA24 EA06 FA01 FC01 GD10
3E086 AB01 AD01 BA04 BA15 BA24
BB02 BB05 BB51 CA31
4F100 AA20C AB10C AB33C AK06A
AK42B AK48D AR00A AR00B
BA02 BA03 BA04 BA07 BA10A
BA10B BA10C BA13 CB00
DA01 DA02 EC18 EH66C
GB16 GB41 JA06A JB20A
JB20B JD02B JL12A JM02C
JN01B YY00A YY00B
Claims (18)
- 【請求項１】 少なくともバリア層およびシーラント層
を有し、 下記不純物溶出試験（１）によってシーラント層から
０．５重量％硝酸水溶液に溶出する鉄、アルミニウム、
銅、ニッケル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオ
ン溶出量Ｘ（０．５重量％硝酸水溶液に接するシーラン
ト層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍ
ｌ以下であることを特徴とする積層体。 〔不純物溶出試験（１）〕シーラント層が内側となるよ
うに積層体から袋体を作製し、袋体内部に０．５重量％
硝酸水溶液を１００ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３
℃）下で激しく３０回振とうし、袋体内部の０．５重量
％硝酸水溶液に溶出した鉄、アルミニウム、銅、ニッケ
ル、亜鉛、ナトリウムおよびカリウムのイオン溶出量
Ｘ’をＩＣＰ／ＭＳ分析によってそれぞれ測定し、下記
式により溶出量Ｘを求める。 溶出量Ｘ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｘ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／０．５重量％硝酸水溶液に接する
シーラント層の面積（ｃｍ2 ） - 【請求項２】 少なくともバリア層およびシーラント層
を有し、 下記不純物溶出試験（２）によってシーラント層から純
水に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳ
Ｏ4 2- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラント層の面積１
０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／ｍｌ以下である
ことを特徴とする積層体。 〔不純物溶出試験（２）〕シーラント層が内側となるよ
うに積層体から袋体を作製し、袋体内部に純水を１００
ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３℃）下で激しく３０
回振とうし、袋体内部の純水に溶出したＮＨ4 +、Ｃｌ
- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ’をイオ
ンクロマトグラフ分析によってそれぞれ測定し、下記式
により溶出量Ｙを求める。 溶出量Ｙ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｙ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／純水に接するシーラント層の面積
（ｃｍ2 ） - 【請求項３】 下記不純物溶出試験（２）によってシー
ラント層から純水に溶出するＮＨ4 +、Ｃｌ- 、ＮＯ2 -、
ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ（純水に接するシーラ
ント層の面積１０００ｃｍ2 当たり）が、各々１ｎｇ／
ｍｌ以下であることを特徴とする請求項１記載の積層
体。 〔不純物溶出試験（２）〕シーラント層が内側となるよ
うに積層体から袋体を作製し、袋体内部に純水を１００
ｍｌ注入し、この袋体を常温（２３℃）下で激しく３０
回振とうし、袋体内部の純水に溶出したＮＨ4 +、Ｃｌ
- 、ＮＯ2 -、ＮＯ3 -およびＳＯ4 2- の溶出量Ｙ’をイオ
ンクロマトグラフ分析によってそれぞれ測定し、下記式
により溶出量Ｙを求める。 溶出量Ｙ（ｎｇ／ｍｌ）＝溶出量Ｙ’（ｎｇ／ｍｌ）×
１０００（ｃｍ2 ）／純水に接するシーラント層の面積
（ｃｍ2 ） - 【請求項４】 前記シーラント層が、半減期が１５０〜
２００℃の範囲の過酸化物系ラジカル開始剤単体あるい
は２種類以上を複合して用いた高圧ラジカル重合法によ
って製造された、メルトフローレートが０．３〜５ｇ／
１０分である低密度ポリエチレンを、１３０〜１７０℃
の成形温度でＬ／Ｄ比が１５以上の押出機から押し出し
て成形されたフィルムであることを特徴とする請求項１
ないし３いずれか一項に記載の積層体。 - 【請求項５】 前記フィルムが、ホッパー内を窒素で置
換し、チューブラーブローン用ダイを取り付けた押出機
から前記低密度ポリエチレンをチューブ状に押し出し、
清浄な空気を入れて成形されたものであることを特徴と
する請求項４記載の積層体。 - 【請求項６】 前記バリア層が、透明フィルムであるこ
とを特徴とする請求項１ないし５いずれか一項に記載の
積層体。 - 【請求項７】 前記透明フィルムが、シリカ蒸着ポリエ
チレンテレフタレートフィルムであることを特徴とする
請求項６記載の積層体。 - 【請求項８】 前記バリア層が、アルミニウム箔を有す
ることを特徴とする請求項１ないし５いずれか一項に記
載の積層体。 - 【請求項９】 前記シーラント層が、無延伸フィルムで
あることを特徴とする請求項１ないし８いずれか一項に
記載の積層体。 - 【請求項１０】 前記シーラント層に添加剤が添加され
ていないことを特徴とする請求項１ないし９いずれか一
項に記載の積層体。 - 【請求項１１】 各層間が、接着剤を用いたドライラミ
ネート法によって接着されていることを特徴とする請求
項１ないし１０いずれか一項に記載の積層体。 - 【請求項１２】 前記接着剤が、ノンシリカの接着剤で
あることを特徴とする請求項１１記載の積層体。 - 【請求項１３】 シリカ蒸着ポリエチレンテレフタレー
トフィルム／接着剤／ナイロンフィルム／接着剤／シー
ラント層の層構成を有する請求項１１または請求項１２
記載の積層体。 - 【請求項１４】 請求項１ないし１３いずれか一項に記
載の積層体からなることを特徴とする袋体。 - 【請求項１５】 前記積層体を、シーラント層が内側と
なるようにクリーンルーム内で製袋加工してなることを
特徴とする請求項１４記載の袋体。 - 【請求項１６】 前記積層体を、粒径０．５μｍ以上の
塵埃が、１０００個／ｃｆ以下であるクリーンルーム内
で製袋加工してなることを特徴とする請求項１５記載の
袋体。 - 【請求項１７】 請求項１ないし１３いずれか一項に記
載の積層体からなることを特徴とする半導体製品または
半導体材料用包装材。 - 【請求項１８】 前記積層体を、シーラント層が内側と
なるようにクリーンルーム内で製袋加工してなることを
特徴とする請求項１７記載の半導体製品または半導体材
料用包装材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001396080A JP4098520B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 積層体、これを用いた袋体および半導体製品または半導体材料用包装材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001396080A JP4098520B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 積層体、これを用いた袋体および半導体製品または半導体材料用包装材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003191363A true JP2003191363A (ja) | 2003-07-08 |
| JP4098520B2 JP4098520B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=27602280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001396080A Expired - Fee Related JP4098520B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 積層体、これを用いた袋体および半導体製品または半導体材料用包装材 |
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006021450A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Kureha Corp | 帯電防止性を有するガスバリア性フィルムおよびそれからなる袋 |
| JP2018177286A (ja) * | 2017-04-11 | 2018-11-15 | 昭和電工パッケージング株式会社 | 無塵包装袋 |
| US10266964B2 (en) * | 2014-12-17 | 2019-04-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Storage bag for polycrystalline silicon ingot, method for packing polycrystalline silicon ingot, and method for producing CZ silicon single crystal |
| JP2020152457A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-09-24 | 大日本印刷株式会社 | 液体収納容器 |
| DE112005002793B4 (de) | 2004-11-10 | 2021-12-30 | Showa Denko Packaging Co. | Verpackungsbeutel mit einem in ihn verpackten elektronischen Produkt |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001396080A patent/JP4098520B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006021450A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Kureha Corp | 帯電防止性を有するガスバリア性フィルムおよびそれからなる袋 |
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| JP2020152457A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-09-24 | 大日本印刷株式会社 | 液体収納容器 |
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