JP2003188539A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 第１ビア導体と第１ビアランドとの間の抵抗
や第１ビア導体と第２ビア導体との間の抵抗が大きくな
りにくく、また、断線を生じ難くした信頼性の高い配線
基板を提供する。 【解決手段】 配線基板１００では、第１ビアホール１
２１の第１ビアランド１３１側端部の周縁部１２１ｆの
うち、その径方向外側に第２ビアホール１３５の第１ビ
アランド１３１側端部の周縁部１３５ｂが位置する部分
１２１ｄと、スルーホール１１１の中心軸Ｃ１とが交わ
るように、スルーホール１１１、第１ビアホール１２
１、及び第２ビアホール１３５を配置している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に関し、
特に筒状のスルーホール導体とこれに接続するビア導体
とを有する配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の配線基板としては、図３に示す配
線基板１０のようなものが知られている。配線基板１０
は、図３に示すように、内側絶縁層１７の外側（図中上
方）に第１外側絶縁層１８、第２外側絶縁層１９、及び
ソルダーレジスト層２０が積層されている。内側絶縁層
１７には、これを貫通するスルーホール１２が形成さ
れ、このスルーホール１２の内壁面には筒状のスルーホ
ール導体２１が形成されている。さらに、スルーホール
導体２１内には樹脂充填体１６が形成され、さらに内側
絶縁層１７と第１外側絶縁層１８との層間には、樹脂充
填体１６を覆うように蓋メッキ層２２が形成されてい
る。第１外側絶縁層１８には、第１ビアホール１１が形
成され、このビアホール１１内には蓋メッキ層２２と接
続する第１ビア導体１３が形成されている。さらに、第
１外側絶縁層１８と第２外側絶縁層１９との層間には、
第１ビア導体１３の周囲を囲んで接続する第１ビアラン
ド１４が形成されている。第２外側絶縁層１９には、第
２ビアホール３１が形成され、この第２ビアホール３１
内には第１ビアランド１４と接続する第２ビア導体３３
が形成されている。さらに、第２外側絶縁層１９とソル
ダーレジスト層２０との層間には、第２ビア導体３３の
周囲を囲んで接続する第２ビアランド３４が形成されて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】一般に、樹脂の熱膨張
係数は、金属の熱膨張係数よりも大きい。従って、配線
基板では、内側絶縁層及び樹脂充填体の熱膨張係数が、
スルーホール導体の熱膨張係数より大きい。このため、
配線基板の温度が上下すると、内側絶縁層及び樹脂充填
体がスルーホール導体に比べて大きく伸縮する。ところ
で、図３に示すように、従来の配線基板１０では、第１
ビアホール１１とスルーホール１２とが同軸に形成され
ていた。上述のように、配線基板１０の温度が上下する
と、内側絶縁層１７及び樹脂充填体１６がスルーホール
導体２１に比べて大きく伸縮する。このために、配線基
板１０では、第１ビア導体１３と第１ビアランド１４と
の境界部１４ｂに応力が集中して、図３に破断線で示す
ように、この境界部１４ｂにクラックが生じることがあ
った。

【０００４】このため、第１ビア導体１３と第１ビアラ
ンド１４との間の抵抗が大きくなることがあった。従っ
て、第１ビアランド１４を介して第１ビア導体１３と接
続する第２ビア導体３３と第１ビア導体１３との間の抵
抗が大きくなることがあった。特に、第１ビア導体１３
と第２ビア導体３３とを最短距離で結ぶ経路中に位置す
る境界部１４ｂにクラックが生じると、両者を結ぶ経路
が長くなり、また細くなるから、両者間の抵抗が大きく
なりやすい。さらに極端な場合には、環状の境界部１４
ｂを一周するクラックが生じて、第１ビア導体１３と第
１ビアランド１４とが断線することがあった。従って、
第１ビア導体１３と第２ビア導体３３とが断線してしま
うことがあった。

【０００５】本発明は、かかる現状に鑑みてなされたも
のであって、第１ビア導体と第１ビアランドとの間の抵
抗や第１ビア導体と第２ビア導体との間の抵抗が大きく
なりにくく、また、断線が生じ難く信頼性の高い配線基
板を提供する。

【０００６】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、１または複数の内側絶縁層と、上記内側絶縁層
を厚さ方向に貫通するスルーホールと、上記スルーホー
ルの内壁面に形成され、内部に貫通孔を有する筒状のス
ルーホール導体と、上記スルーホール導体内の上記貫通
孔内に充填された樹脂充填体と、上記内側絶縁層の外側
に積層された第１外側絶縁層と、上記内側絶縁層と上記
第１外側絶縁層との層間に形成され、上記樹脂充填体を
覆うと共に、上記スルーホール導体と接続する蓋メッキ
層と、上記第１外側絶縁層を厚さ方向に貫通する、上記
スルーホールより小径の第１ビアホールと、上記第１ビ
アホール内に形成され、上記蓋メッキ層と接続する第１
ビア導体と、上記第１外側絶縁層の外側面に積層された
第２外側絶縁層と、上記第１外側絶縁層と上記第２外側
絶縁層との層間に形成され、上記第１ビア導体と接続
し、その周囲に延在する第１ビアランドと、上記第２外
側絶縁層を厚さ方向に貫通する第２ビアホールと、上記
第２ビアホール内に形成され、上記第１ビアランドと接
続する第２ビア導体と、を備える配線基板であって、上
記第１ビアホールの中心軸が上記スルーホールの中心軸
と一致しないように、且つ上記第１ビアホールの中心軸
が上記スルーホール内に含まれるようにされ、上記第２
ビアホールの中心軸が上記第１ビアホールの中心軸より
上記スルーホールの中心軸側に位置し、且つ上記第２ビ
アホールのうち上記第１ビアランド側端部の周縁が、上
記第１ビアホールのうち上記第１ビアランド側端部の周
縁よりこの第１ビアホールの径方向外側に位置する配線
基板である。

【０００７】本発明の配線基板では、第１ビアホールの
中心軸がスルーホールの中心軸と一致しないように、且
つ第１ビアホールの中心軸がスルーホール内に含まれる
ようにしている。つまり、第１ビアホールの中心軸をス
ルーホールの中心軸からずらし、しかも、これがスルー
ホール内に含まれるようにしている。従って、第１ビア
ランドと第１ビア導体との境界部のうち、第１ビアホー
ルの中心軸よりスルーホールの中心軸側の部分は、その
反対側の部分に比してスルーホールの中心軸の近くに位
置するようになる。ところで、内側絶縁層及び樹脂充填
体とスルーホール導体との熱膨張係数の違いによる応力
は、スルーホール導体を第１外側絶縁層側に延ばした筒
状の領域内で最も高くなり、それよりもスルーホールの
径方向内側及び外側にずれるにしたがって減少すると考
えられる。このため、本発明の配線基板では、第１ビア
ランドと第１ビア導体との境界部のうち第１ビアホール
の中心軸よりスルーホールの中心軸側の部分では、その
反対側の部分よりも相対的に応力が低くなる。従って、
少なくとも、上記境界部のうちビアホールの中心軸より
もスルーホールの中心軸側の部分では、クラックが生じ
にくくなる。

【０００８】しかも、本発明では、第２ビアホールの中
心軸を第１ビアホールの中心軸よりスルーホールの中心
軸側に位置させ、且つ上記第２ビアホールのうち上記第
１ビアランド側端部の周縁を、上記第１ビアホールのう
ち上記第１ビアランド側端部の周縁よりこの第１ビアホ
ールの径方向外側に位置させている。ここで、第１ビア
ホールの中心軸よりスルーホールの中心軸側とは、スル
ーホールの中心軸と第１ビアホールの中心軸とを含む平
面と直交する平面のうち、第１ビアホールを含む平面を
境界としたとき、スルーホールの中心軸が含まれる側の
領域をいう。また、第１ビアホールのうち第１ビアラン
ド側端部の周縁よりこの第１ビアホールの径方向外側と
は、第１ビアホールのうち第１ビアランド側端部の周縁
から第１ビアホールの径方向外側の領域のことをさす。
従って、第１ビアランドと第１ビア導体との境界部のう
ちクラックが生じにくい部分を通って、第１ビア導体と
第２ビア導体とが最短距離で結ばれることになる。この
ため、たとえ上記境界部のうち反対側の部分にクラック
が生じたとしても、このクラックが第１ビア導体と第２
ビア導体との間の抵抗に及ぼす影響は小さい。また、ク
ラックが境界部の全周にわたって生じ、断線となること
も防止できる。

【０００９】さらに、上記配線基板であって、前記第１
ビアホールの前記第１ビアランド側端部の周縁のうち、
その径方向外側に前記第２ビアホールの上記第１ビアラ
ンド側端部の周縁が位置する部分と、前記スルーホール
の中心軸とが交わる配線基板とすると良い。

【００１０】本発明の配線基板では、第１ビアランドと
第１ビア導体との境界部のうち、第１ビアホールの径方
向外側に第１ビアランドと第２ビア導体との接続部が位
置する部分と、スルーホールの中心軸とが交わる。とこ
ろで、内側絶縁層及び樹脂充填体とスルーホール導体と
の熱膨張係数の違いによる応力は、スルーホール導体を
第１外側絶縁層側に延ばした筒状の領域よりも内側の領
域では、スルーホールの中心軸上が最も低いと考えられ
る。このため、上述のように配置することで、第１ビア
ランドと第１ビア導体との境界部のうち、その径方向外
側に第１ビアランドと第２ビア導体との接続部が位置す
る部分にかかる応力を最も低くできるので、この部分に
クラックが生じる危険性を最も低くできる。従って、本
発明の配線基板は、第１ビア導体と第２ビア導体との最
短経路にクラックが生じる危険性を最も低くできるの
で、抵抗安定性が高く、断線の危険性を最も低くするこ
とができる。なお、本明細書において、ビアホールの径
とは、ビアホールの開口径（直径）のうち最も大きな部
分を差す。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態を、図面を参照
しつつ説明する。図１に示す配線基板１００は、コア基
板１１０（内側絶縁層）、コア主面１１０ｂ側に積層さ
れた第１樹脂絶縁層１２０（第１外側絶縁層）、第２樹
脂絶縁層１３０（第２外側絶縁層）、及びソルダーレジ
スト層１４０を有する。さらに、図示しないが、コア裏
面側にも同様に、第１樹脂絶縁層、第２樹脂絶縁層、及
びソルダーレジスト層が積層されている。コア基板１１
０は、厚さ８００μｍのガラス−エポキシ樹脂複合材料
からなり、この厚さ方向を貫通する内径１００μｍのス
ルーホール１１１が多数形成されている。さらに、スル
ーホール１１１内には、厚さ１８ｍｍの円筒状のスルー
ホール導体１１２が形成されている。さらに、スルーホ
ール導体１１２の貫通孔１１２ｂ内には樹脂充填体１１
３が充填されている。

【００１２】コア基板１１０と第１樹脂絶縁層１２０と
の層間には、樹脂充填体１１３を覆いつつスルーホール
導体１１２と接続する、厚さ１５μｍの蓋メッキ層１１
５が形成されている。第１樹脂絶縁層１２０は、厚さ３
０μｍのエポキシ樹脂からなり、多数の第１ビアホール
１２１が形成されている。さらに、第１ビアホール１２
１内には、蓋メッキ層１１５と接続する肉厚１５μｍの
第１ビア導体１２２が形成されている。さらに、第１樹
脂絶縁層１２０と第２樹脂絶縁層１３０との層間には、
第１ビア導体１２２の周囲に位置し、これと接続する第
１ビアランド１３１が形成されている。第２樹脂絶縁層
１３０は、厚さ３０μｍのエポキシ樹脂からなり、多数
の第２ビアホール１３５が形成されている。さらに、第
２ビアホール１３５内には、第１ビアランド１３１と接
続する肉厚１５μｍの第２ビア導体１３６が形成されて
いる。さらに、第２樹脂絶縁層１３０とソルダーレジス
ト層１４０との層間には、第２ビア導体１３６の周囲に
位置し、これと接続する第２ビアランド１４１が形成さ
れている。さらに、図示してないが、ソルダーレジスト
層１４０には貫通孔が形成されており、第２ビアランド
１４１と接続する配線層の一部を露出させてパッドを形
成している。配線基板１００には、このパッドを利用し
て、図示しないＩＣチップ等の電子部品が搭載される。

【００１３】さらに、本実施形態の配線基板１００で
は、第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２がスルーホール
１１１の中心軸Ｃ１と一致しないように、且つ第１ビア
ホール１２１の中心軸Ｃ２がスルーホール１１１内に含
まれるようにしている。つまり、上面視した位置関係を
図２に示すように、第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２
をスルーホール１１１の中心軸Ｃ１からずらし、しか
も、これがスルーホール１１１内に含まれるようにして
いる。従って、第１ビアランド１３１と第１ビア導体１
２２との境界であるリング状の境界部１３１ｂのうち、
第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２よりスルーホール１
１１の中心軸Ｃ１側（図中右側）の部分である中心軸Ｃ
１側境界部１３１ｆは、その反対側の部分である反対側
境界部１３１ｇに比してスルーホール１１１の中心軸Ｃ
１の近くに位置するようになる。

【００１４】ところで、配線基板１００では、ガラス−
エポキシ樹脂複合材料からなるコア基板１１０の厚さ方
向の熱膨張係数、及びエポキシ樹脂からなる樹脂充填体
１１３の熱膨張係数が約４０ｐｐｍ、銅からなるスルー
ホール導体１１２の熱膨張係数が約１８ｐｐｍとなって
いる。従って、コア基板１１０及び樹脂充填体１１３の
熱膨張係数がスルーホール導体１１２の熱膨張係数より
もおよそ２倍以上大きいために、配線基板１００の温度
が上下すると、コア基板１１０及び樹脂充填体１１３が
スルーホール導体１１２に比べて大きく伸縮する。この
ため、コア基板１１０及び樹脂充填体１１３とスルーホ
ール導体１１２との熱膨張係数の違いによる応力は、ス
ルーホール導体１１２を樹脂絶縁層１２０側に延ばした
筒状の領域で最も高くなり、それよりもスルーホール１
１１の径方向内側及び外側にずれるにしたがって減少す
ると考えられる。このため、中心軸Ｃ１側境界部１３１
ｆは、反対側境界部１３１ｇよりも相対的に応力が低く
なる。従って、少なくとも、中心軸Ｃ１側境界部１３１
ｆでは、クラックが生じにくくなる。

【００１５】しかも、本実施形態の配線基板１００で
は、図２に示すように、第２ビアホール１３５の中心軸
Ｃ３を第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２よりスルーホ
ール１１１の中心軸Ｃ１側（図中右側）の領域に位置さ
せ、且つ第２ビアホール１３５のうち第１ビアランド１
３１側端部の周縁部１３５ｂを、第１ビアホール１２１
のうち第１ビアランド１３１側端部の周縁部１２１ｆよ
り第１ビアホール１２１の径方向外側の領域に位置させ
ている。ここで、第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２よ
りスルーホール１１１の中心軸Ｃ１側の領域とは、スル
ーホールの中心軸Ｃ１と第１ビアホールの中心軸Ｃ２と
を含む平面Ｆ２と直交する平面のうち、第１ビアホール
Ｃ２を含む平面Ｆ１を境界としたとき、スルーホール１
１１の中心軸Ｃ１が含まれる側の領域のことをいう。つ
まり、図２において、平面Ｆ１より右側の領域を差す。

【００１６】従って、第１ビアランド１３１と第１ビア
導体１２２との境界部１３１ｂのうちクラックが生じに
くい中心軸Ｃ１側境界部１３１ｆを通って、第１ビア導
体１２２と第２ビア導体１３６とが最短距離で結ばれる
ことになる。このため、たとえ反対側境界部１３１ｇに
クラックが生じたとしても、このクラックが第１ビア導
体１２２と第２ビア導体１３６との間の抵抗に及ぼす影
響は小さい。また、クラックが境界部１３１ｂの全周に
わたって生じ、断線となることも防止できる。

【００１７】特に、本実施形態の配線基板１００では、
図２に示すように、第１ビアホール１２１の第１ビアラ
ンド１３１側端部の周縁部１２１ｆのうち、その径方向
外側に第２ビアホール１３５の第１ビアランド１３１側
端部の周縁部１３５ｂが位置する部分１２１ｄと、スル
ーホール１１１の中心軸Ｃ１とが交わるように、スルー
ホール１１１、第１ビアホール１２１、及び第２ビアホ
ール１３５を配置している。ここで、第１ビアホール１
２１の第１ビアランド１３１側端部の周縁部１２１ｆの
うち、その径方向外側に第２ビアホール１３５の第１ビ
アランド１３１側端部の周縁部１３５ｂが位置する部分
とは、図２において、周縁部１２１ｆのうち、太破線で
示す第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２から周縁部１３
５ｂに引いた接線Ｔ１とＴ２に挟まれた部分１２１ｄを
指す。従って、第１ビアランド１３１と第１ビア導体１
２２との境界部１３１ｂのうち、その径方向外側に第１
ビアランド１３１と第２ビア導体１３６との接続部１３
６ｂが位置する部分である接続側境界部１３１ｄと、ス
ルーホール１１１の中心軸Ｃ１とが交わる。

【００１８】ところで、コア基板１１０及び樹脂充填体
１１３とスルーホール導体１１２との熱膨張係数の違い
による応力は、スルーホール導体１１２を第１樹脂絶縁
層１２０側に延ばした筒状の領域よりもスルーホール１
１１の径方向内側の領域では、スルーホール１１１の中
心軸Ｃ１上が最も低いと考えられる。このため、上記の
ように配置することで、接続側境界部１３１ｄにかかる
応力を最も低くできるので、接続側境界部１３１ｄにク
ラックが生じる危険性を最も低くできる。従って、第１
ビア導体１２２と第２ビア導体１３６との最短経路にク
ラックが生じる危険性を最も低くできるので、抵抗安定
性が高くなり、断線の危険性を最も低くした信頼性の高
い配線基板とすることができる。なお、コア裏面側にも
ビア導体、ビアランド、配線層等が、コア主面１１０ｂ
側と同様に形成されている。

【００１９】このような配線基板１００は、次のように
して製造する。なお、ここではコア裏面側についての説
明を省略するが、コア裏面側についてもコア主面１１０
ｂ側と同様に形成するものとする。まず、ガラス−エポ
キシ樹脂複合材料からなり、両面に銅箔を張り付けた、
厚さ約１．０ｍｍのコア基板１１０を用意する。そし
て、コア基板１００の所定の位置に、ドリルまたはレー
ザによって、これを貫通する多数のスルーホール１１１
を穿孔する。その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃ
ｕメッキによって、スルーホール１１１内にスルーホー
ル導体１１２を形成する。次いで、スルーホール導体１
１２の貫通孔１１２ｂ内に樹脂ペーストを印刷充填し、
熱硬化させて樹脂充填体１１３を形成する。次に、コア
主面１１０ｂ上に、樹脂充填体１１３を覆いつつスルー
ホール導体１１２と接続するような、直径１８０μｍ、
厚さ１５μｍの蓋メッキ層１１５をエッチングにより形
成する。

【００２０】次いで、コア主面１１０ｂ及び蓋メッキ層
１１５上に、第１ビアホール１２１を有する第１樹脂絶
縁層１２０を形成する。具体的には、未硬化感光性樹脂
を貼り付け、フォトリソグラフィ技術により、露光・現
像・硬化させて、第１ビアホール１２１を有する第１樹
脂絶縁層１２０を形成する。なお、第１ビアホール１２
１は、中心軸Ｃ２をスルーホール１１１の中心軸Ｃ１か
ら３０μｍずらし、第１樹脂絶縁層１２０の主面１２０
ｂ側の内径を６０μｍとして、蓋メッキ層１１５に近づ
くにつれて内径が小さくなるテーパ状に形成する。この
とき、図２に示すように、ビアホール１２１のうち第１
樹脂絶縁層１２０の主面１２０ｂ側の周縁部１２１ｆ
と、スルーホール１１１の中心軸Ｃ１とが交わる。

【００２１】その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃ
ｕメッキ及びエッチングによって、第１ビアホール１２
１内に肉厚１５μｍの第１ビア導体１２２を形成し、第
１樹脂絶縁層１２０の主面１２０ｂに第１ビアランド１
３１を形成する。第１ビアランド１３１は、図２に示す
ような厚さ１５μｍの小判形状で、ビア導体１２２の周
囲に位置してこれと接続する。次いで、第１樹脂絶縁層
１２０と同様な形成手法で、第１樹脂絶縁層１２０の主
面１２０ｂ及び第１ビアランド１３１上に、第１ビアホ
ール１２１と同形状の第２ビアホール１３５を有する第
２樹脂絶縁層１３０を形成する。なお、図２に示すよう
に、第２ビアホール１３５の中心軸Ｃ３が、スルーホー
ル１１１の中心軸Ｃ１及び第１ビアホール１２１の中心
軸Ｃ２と一直線上に並ぶように、第２ビアホール１３５
を形成する。

【００２２】その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃ
ｕメッキ及びエッチングによって、第２ビアホール１３
５内に肉厚１５μｍの第２ビア導体１３６を形成し、第
２樹脂絶縁層１３０の主面１３０ｂに第２ビアランド１
４１、及びこれと接続する図示しない配線層を形成す
る。第２ビアランド１４１は、外径１００μｍ、厚さ１
５μｍのリング形状で、第２ビア導体１３６の周囲に位
置してこれと接続する。次いで、ソルダーレジスト層１
４０を積層し、露光・現像して所定の位置に図示しない
貫通孔を形成すると共に、上記配線層の一部をこの貫通
孔から露出させた図示しないパッドを形成する。このよ
うにして、配線基板１００が完成する。

【００２３】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、内側絶縁層を
１層のコア基板１１０として、これらを貫通するスルー
ホール１１１を形成したが、内側絶縁層を複数の絶縁層
として、この複数の絶縁層を貫通するスルーホールを形
成しても良い。また、コア基板１１０の両面に樹脂絶縁
層１２０、第１ビア導体１２２等を形成したが、コア基
板１１０の主面１１０ｂ側のみに形成しても良い。ま
た、第１ビア導体１２２としては、第１ビアホール１２
１を充填しない非充填ビア導体としたが、第１ビアホー
ル１２１を導体により完全に充填する充填ビア導体とし
ても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態にかかる配線基板１００の要部を示す
部分断面図である。

【図２】実施形態にかかる配線基板１００の要部を示す
上面透視図である。

【図３】従来の配線基板１０の要部を示す部分断面図で
ある。

【符号の説明】

１０，１００ 配線基板 １７，１１０ コア基板（内側絶縁層） １２，１１１ スルーホール ２１，１１２ スルーホール導体 １１２ｂ 貫通孔 １６，１１３ 樹脂充填体 ２２，１１５ 蓋メッキ層 １８，１２０ 第１樹脂絶縁層（第１外側絶縁層） １９，１３０ 第２樹脂絶縁層（第２外側絶縁層） １１，１２１ 第１ビアホール ３１，１３５ 第２ビアホール １２１ｄ 第１ビアホールの第１ビアランド側端部の周
縁のうち、その径方向外側に第２ビアホールの第１ビア
ランド側端部の周縁が位置する部分 １３，１２２ 第１ビア導体 １４，１３１ 第１ビアランド ３３，１３６ 第２ビア導体 ３４，１４１ 第２ビアランド １４ｂ，１３１ｂ 境界部 １３６ｄ 接続部 １３１ｄ 接続側境界部 Ｃ１ スルーホール１１１の中心軸 Ｃ２ 第１ビアホール１２１の中心軸 Ｃ３ 第２ビアホール１３５の中心軸

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】１または複数の内側絶縁層と、 上記内側絶縁層を厚さ方向に貫通するスルーホールと、 上記スルーホールの内壁面に形成され、内部に貫通孔を
   有する筒状のスルーホール導体と、 上記スルーホール導体内の上記貫通孔内に充填された樹
   脂充填体と、 上記内側絶縁層の外側に積層された第１外側絶縁層と、 上記内側絶縁層と上記第１外側絶縁層との層間に形成さ
   れ、上記樹脂充填体を覆うと共に、上記スルーホール導
   体と接続する蓋メッキ層と、 上記第１外側絶縁層を厚さ方向に貫通する、上記スルー
   ホールより小径の第１ビアホールと、 上記第１ビアホール内に形成され、上記蓋メッキ層と接
   続する第１ビア導体と、 上記第１外側絶縁層の外側面に積層された第２外側絶縁
   層と、 上記第１外側絶縁層と上記第２外側絶縁層との層間に形
   成され、上記第１ビア導体と接続し、その周囲に延在す
   る第１ビアランドと、 上記第２外側絶縁層を厚さ方向に貫通する第２ビアホー
   ルと、 上記第２ビアホール内に形成され、上記第１ビアランド
   と接続する第２ビア導体と、を備える配線基板であっ
   て、 上記第１ビアホールの中心軸が上記スルーホールの中心
   軸と一致しないように、且つ上記第１ビアホールの中心
   軸が上記スルーホール内に含まれるようにされ、 上記第２ビアホールの中心軸が上記第１ビアホールの中
   心軸より上記スルーホールの中心軸側に位置し、且つ上
   記第２ビアホールのうち上記第１ビアランド側端部の周
   縁が、上記第１ビアホールのうち上記第１ビアランド側
   端部の周縁よりこの第１ビアホールの径方向外側に位置
   する配線基板。
2. 【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、 前記第１ビアホールの前記第１ビアランド側端部の周縁
   のうち、その径方向外側に前記第２ビアホールの上記第
   １ビアランド側端部の周縁が位置する部分と、前記スル
   ーホールの中心軸とが交わる配線基板。