JP2003179402A - 広帯域高周波スイッチ - Google Patents
広帯域高周波スイッチInfo
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- JP2003179402A JP2003179402A JP2002045743A JP2002045743A JP2003179402A JP 2003179402 A JP2003179402 A JP 2003179402A JP 2002045743 A JP2002045743 A JP 2002045743A JP 2002045743 A JP2002045743 A JP 2002045743A JP 2003179402 A JP2003179402 A JP 2003179402A
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- line
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型、広帯域、高耐電力な高周波スイッチを
提供する。 【解決手段】 PINダイオードを並列にのみ用いて高耐
電力特性を確保し、分岐部に接続される中心周波数で１
／４波長の伝送線路と遮断ポートのON状態のPINダイオ
ードとによるf特を、通過ポートの中心周波数で１／２
波長の単一または複数の線路幅で構成された伝送線路
と、中心周波数で１／４波長の先端がDCカットキャパシ
タにより高周波的にショートされたバイアス回路と兼用
する並列伝送線路(スタブ)とにより整合させ、小型、広
帯域な高周波スイッチを得る。
提供する。 【解決手段】 PINダイオードを並列にのみ用いて高耐
電力特性を確保し、分岐部に接続される中心周波数で１
／４波長の伝送線路と遮断ポートのON状態のPINダイオ
ードとによるf特を、通過ポートの中心周波数で１／２
波長の単一または複数の線路幅で構成された伝送線路
と、中心周波数で１／４波長の先端がDCカットキャパシ
タにより高周波的にショートされたバイアス回路と兼用
する並列伝送線路(スタブ)とにより整合させ、小型、広
帯域な高周波スイッチを得る。
Description
【０００１】この発明は通信及びレーダーに用いる広帯
域高周波スイッチに関するものである。
域高周波スイッチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は特開平１０-２８４９０１号公
報に示された従来の広帯域・高耐電力スイッチの一例を
示す。図において４１は入力端子、４２ａ，４２ｂ（以
下、４２と呼ぶ），５０ａ，５０ｂ（以下、５０と呼
ぶ）はDCカットキャパシタ、４３ａ，４３ｂ（以下、４
３と呼ぶ），４５ａ，４５ｂ（以下、４５と呼ぶ）は伝
送線路、４４ａ，４４ｂ（以下、４４と呼ぶ）はPINダ
イオード、４６ａ，４６ｂ（以下、４６と呼ぶ）はテー
パー線路、４７ａ，４７ｂ（以下、４７と呼ぶ）はバイ
アス回路、５１ａ，５１ｂ（以下、５１と呼ぶ）は出力
端子である。
報に示された従来の広帯域・高耐電力スイッチの一例を
示す。図において４１は入力端子、４２ａ，４２ｂ（以
下、４２と呼ぶ），５０ａ，５０ｂ（以下、５０と呼
ぶ）はDCカットキャパシタ、４３ａ，４３ｂ（以下、４
３と呼ぶ），４５ａ，４５ｂ（以下、４５と呼ぶ）は伝
送線路、４４ａ，４４ｂ（以下、４４と呼ぶ）はPINダ
イオード、４６ａ，４６ｂ（以下、４６と呼ぶ）はテー
パー線路、４７ａ，４７ｂ（以下、４７と呼ぶ）はバイ
アス回路、５１ａ，５１ｂ（以下、５１と呼ぶ）は出力
端子である。
【０００３】次に動作を説明する。本方式の広帯域スイ
ッチでは通過ポートのPINダイオード44をON状態とし、
遮断ポートのそれをOFF状態とする。ON状態のPINダイオ
ード４４は低抵抗で近似でき、OFF状態のそれは低容量
のキャパシタで近似できる。ここで伝送線路４３が１／
４波長となっているために、分岐部から遮断ポート側を
みると中心周波数でOPENとなる。一方、通過ポートでは
PINダイオード４４は低容量のキャパシタとなるため、
通過周波数では擬似OPENとなり信号が通過する。このよ
うに、入力端子４１から入力した信号は中心周波数にお
いて通過ポート側のみに伝播する。しかし、伝送線路４
３は中心周波数で１／４波長であるため中心周波数を外
れると分岐部から見てOPENの状態からずれ、スイッチと
しての特性が劣化する問題があった。この問題に対して
従来の技術では、１／４波長の高インピーダンス伝送線
路４５とテーパー線路４６からなる整合部により広帯域
に整合を取ることにより、出力端子での反射を改善して
スイッチの広帯域化を図っている。また、PINダイオー
ド４４を並列にのみ使用しているためにダイオードの選
択により１０数W程度の高い耐電力特性が得られる。
ッチでは通過ポートのPINダイオード44をON状態とし、
遮断ポートのそれをOFF状態とする。ON状態のPINダイオ
ード４４は低抵抗で近似でき、OFF状態のそれは低容量
のキャパシタで近似できる。ここで伝送線路４３が１／
４波長となっているために、分岐部から遮断ポート側を
みると中心周波数でOPENとなる。一方、通過ポートでは
PINダイオード４４は低容量のキャパシタとなるため、
通過周波数では擬似OPENとなり信号が通過する。このよ
うに、入力端子４１から入力した信号は中心周波数にお
いて通過ポート側のみに伝播する。しかし、伝送線路４
３は中心周波数で１／４波長であるため中心周波数を外
れると分岐部から見てOPENの状態からずれ、スイッチと
しての特性が劣化する問題があった。この問題に対して
従来の技術では、１／４波長の高インピーダンス伝送線
路４５とテーパー線路４６からなる整合部により広帯域
に整合を取ることにより、出力端子での反射を改善して
スイッチの広帯域化を図っている。また、PINダイオー
ド４４を並列にのみ使用しているためにダイオードの選
択により１０数W程度の高い耐電力特性が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の広帯
域スイッチでは広帯域化を図るため、整合回路を構成す
る伝送線路４５及びテーパー線路４６はそれぞれ１／３
波長、１／２波長のように大型化する傾向があった。ま
た、従来の広帯域スイッチのバイアス回路は、高周波特
性を改善するためには高周波的に“見えなく”する必要
があり、チョークコイルや、高インピーダンス線路と高
抵抗の組み合わせ等により構成する必要があった。この
ため、チョークコイルを用いる場合は、スイッチが大型
化して二次実装が困難になる課題があり、高抵抗を用い
る場合はON時の電流より消費電力が上昇するという課題
があった。
域スイッチでは広帯域化を図るため、整合回路を構成す
る伝送線路４５及びテーパー線路４６はそれぞれ１／３
波長、１／２波長のように大型化する傾向があった。ま
た、従来の広帯域スイッチのバイアス回路は、高周波特
性を改善するためには高周波的に“見えなく”する必要
があり、チョークコイルや、高インピーダンス線路と高
抵抗の組み合わせ等により構成する必要があった。この
ため、チョークコイルを用いる場合は、スイッチが大型
化して二次実装が困難になる課題があり、高抵抗を用い
る場合はON時の電流より消費電力が上昇するという課題
があった。
【０００５】本発明は、このような従来の技術に存在す
る課題を解決するためになされたものであり、分岐部か
ら１／４波長の線路を介して並列にPINダイオードを装
荷する構成において、分岐線路に設けた伝送線路とバイ
アス回路と兼用するショートスタブにより広帯域を図る
ことにより、広帯域、小形、高耐電力な高周波スイッチ
を提供することを目的とする。
る課題を解決するためになされたものであり、分岐部か
ら１／４波長の線路を介して並列にPINダイオードを装
荷する構成において、分岐線路に設けた伝送線路とバイ
アス回路と兼用するショートスタブにより広帯域を図る
ことにより、広帯域、小形、高耐電力な高周波スイッチ
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第一の発明による広帯域
高周波スイッチは、能動素子にPINダイオードを用い、
１つの入力端子と前記入力端子から分岐する2つの分岐
線路と、前記分岐線路毎にをそれぞれ有する２つの出力
端子とを備える広帯域高周波スイッチにおいて、前記分
岐線路は、第一のDCカットキャパシタと、L1の線路長を
有する第一の伝送線路と、L2の線路長を有する第二の伝
送線路と、第一の並列PINダイオードと、L bの線路長を
有する第一のスタブと、バイアス端子と、第二のDCカッ
トキャパシタと、第三のDCカットキャパシタとを備え、 Ｌ１＝λc／４ Ｌ２＝λc／２ Ｌｂ＝λc／４ (λcは広帯域高周波スイッチの動作中心周波数での波
長)であることを特徴とするものである。
高周波スイッチは、能動素子にPINダイオードを用い、
１つの入力端子と前記入力端子から分岐する2つの分岐
線路と、前記分岐線路毎にをそれぞれ有する２つの出力
端子とを備える広帯域高周波スイッチにおいて、前記分
岐線路は、第一のDCカットキャパシタと、L1の線路長を
有する第一の伝送線路と、L2の線路長を有する第二の伝
送線路と、第一の並列PINダイオードと、L bの線路長を
有する第一のスタブと、バイアス端子と、第二のDCカッ
トキャパシタと、第三のDCカットキャパシタとを備え、 Ｌ１＝λc／４ Ｌ２＝λc／２ Ｌｂ＝λc／４ (λcは広帯域高周波スイッチの動作中心周波数での波
長)であることを特徴とするものである。
【０００７】第二の発明による広帯域高周波スイッチ
は、第一の発明において、前記第一の伝送線路の特性イ
ンピーダンスをZ1、前記第二の伝送線路の特性インピー
ダンスをZ2、前記第一のスタブの特性インピーダンスを
Zbとし、スイッチの終端抵抗をZ0としたとき、前記各特
性インピーダンスについて、 Ｚ１＝Ｚ０ Ｚ２＝（√２）＊Ｚ０ Ｚ３＝２Ｚ０ であることを特徴とするものである。
は、第一の発明において、前記第一の伝送線路の特性イ
ンピーダンスをZ1、前記第二の伝送線路の特性インピー
ダンスをZ2、前記第一のスタブの特性インピーダンスを
Zbとし、スイッチの終端抵抗をZ0としたとき、前記各特
性インピーダンスについて、 Ｚ１＝Ｚ０ Ｚ２＝（√２）＊Ｚ０ Ｚ３＝２Ｚ０ であることを特徴とするものである。
【０００８】第三の発明による広帯域高周波スイッチ
は、第一の発明において、前記分岐線路は、第一のDCカ
ットキャパシタと、L1の線路長を有する前記第一の伝送
線路と、Li(ｉ＝２〜ｎ；ｎ≧３)の線路長を有する第i
の伝送線路と、前記第一の並列PINダイオードと、Lbの
線路長を有する前記第一のスタブと、前記バイアス端子
と、前記第二のDCカットキャパシタと、第三のDCカット
キャパシタとを備え、 Ｌ１＝λc／４ Ｌｉ＜λc／８ （ｉ＝２〜ｎ−１） ΣＬｉ（ｉ＝２〜ｎ）＝λc／２ Ｌｂ＝λc／４ であることを特徴とするものである。
は、第一の発明において、前記分岐線路は、第一のDCカ
ットキャパシタと、L1の線路長を有する前記第一の伝送
線路と、Li(ｉ＝２〜ｎ；ｎ≧３)の線路長を有する第i
の伝送線路と、前記第一の並列PINダイオードと、Lbの
線路長を有する前記第一のスタブと、前記バイアス端子
と、前記第二のDCカットキャパシタと、第三のDCカット
キャパシタとを備え、 Ｌ１＝λc／４ Ｌｉ＜λc／８ （ｉ＝２〜ｎ−１） ΣＬｉ（ｉ＝２〜ｎ）＝λc／２ Ｌｂ＝λc／４ であることを特徴とするものである。
【０００９】第四の発明による広帯域高周波スイッチ
は、第一の発明において、前記分岐線路は、前記第一の
DCカットキャパシタと、L1の線路長を有する前記第一の
伝送線路と、Li(ｉ＝２〜ｎ；ｎ≧３)の線路長を有する
第iの伝送線路と、第ｊ(ｊ＝１〜n−１)の伝送線路と第
(ｊ＋１)の伝送線路の間に装荷される第ｊの並列PINダ
イオードと、Lbの線路長を有する前記第一のスタブと、
前記バイアス端子と、前記第二のDCカットキャパシタ
と、前記第三のDCカットキャパシタとを備え、 Ｌ１＝λc／４ Ｌｉ＜λc／８ （ｉ＝２〜ｎ−１） ΣＬｉ（ｉ＝２〜ｎ）＝λc／２ Ｌｂ＝λc／４ であることを特徴とするものである。
は、第一の発明において、前記分岐線路は、前記第一の
DCカットキャパシタと、L1の線路長を有する前記第一の
伝送線路と、Li(ｉ＝２〜ｎ；ｎ≧３)の線路長を有する
第iの伝送線路と、第ｊ(ｊ＝１〜n−１)の伝送線路と第
(ｊ＋１)の伝送線路の間に装荷される第ｊの並列PINダ
イオードと、Lbの線路長を有する前記第一のスタブと、
前記バイアス端子と、前記第二のDCカットキャパシタ
と、前記第三のDCカットキャパシタとを備え、 Ｌ１＝λc／４ Ｌｉ＜λc／８ （ｉ＝２〜ｎ−１） ΣＬｉ（ｉ＝２〜ｎ）＝λc／２ Ｌｂ＝λc／４ であることを特徴とするものである。
【００１０】第五の発明による広帯域高周波スイッチ
は、第一〜第四の発明において、前記バイアス端子に直
列抵抗を備えるものである。
は、第一〜第四の発明において、前記バイアス端子に直
列抵抗を備えるものである。
【００１１】第六の発明による広帯域高周波スイッチ
は、第一〜第五の発明において、第ｋ(ｋ＝1〜ｎ)の伝
送線路と前記第一のスタブからなる全ての伝送線路は同
一の誘電体基板上に形成され、前記誘電体基板はビアホ
ールを備え、前記第一、前記第二および前記第三のDCカ
ットキャパシタは前記誘電体基板上に実装され、ボンデ
ィングワイヤにより前記伝送線路と接続され、前記PIN
ダイオードは前記ビアホールに、または直近に実装さ
れ、ボンディングワイヤにより前記伝送線路と接続され
るものである。
は、第一〜第五の発明において、第ｋ(ｋ＝1〜ｎ)の伝
送線路と前記第一のスタブからなる全ての伝送線路は同
一の誘電体基板上に形成され、前記誘電体基板はビアホ
ールを備え、前記第一、前記第二および前記第三のDCカ
ットキャパシタは前記誘電体基板上に実装され、ボンデ
ィングワイヤにより前記伝送線路と接続され、前記PIN
ダイオードは前記ビアホールに、または直近に実装さ
れ、ボンディングワイヤにより前記伝送線路と接続され
るものである。
【００１２】第七の発明による広帯域高周波スイッチ
は、第一〜第六の発明において、出力端子をｍ(≧３)個
とし、入力端子から分岐する分岐線路をｍ個備えるもの
である。
は、第一〜第六の発明において、出力端子をｍ(≧３)個
とし、入力端子から分岐する分岐線路をｍ個備えるもの
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、本発明の
実施の形態１による広帯域高周波スイッチである。図２
は本発明の実施の形態１を簡略化した等価回路である。
１は入力端子、２ａ，２ｂ，８ａ，８ｂ，１０ａ，１０
ｂ(以下、各々2，8，10と呼ぶ)はDCカットキャパシタ、
３ａ，３ｂ（以下、３と呼ぶ）は広帯域高周波スイッチ
の動作中心周波数(以下、中心周波数と呼ぶ)において１
／４波長の線路長を有する第一の伝送線路、４ａ，４ｂ
（以下、４と呼ぶ）はPINダイオード、５ａ，５ｂ（以
下、５と呼ぶ）は第二の伝送線路, ６ａ，６ｂ（以下、
６と呼ぶ）は第三の伝送線路であり、第二、第三の伝送
線路の線路長を併せて中心周波数において１／２波長と
なり、７ａ，７ｂ（以下、７と呼ぶ）は中心周波数にお
けるの線路長を有するスタブ、９ａ，９ｂ（以下、９と
呼ぶ）はバイアス端子、１１ａ，１１ｂ（以下、１１と
呼ぶ）は出力端子である。
実施の形態１による広帯域高周波スイッチである。図２
は本発明の実施の形態１を簡略化した等価回路である。
１は入力端子、２ａ，２ｂ，８ａ，８ｂ，１０ａ，１０
ｂ(以下、各々2，8，10と呼ぶ)はDCカットキャパシタ、
３ａ，３ｂ（以下、３と呼ぶ）は広帯域高周波スイッチ
の動作中心周波数(以下、中心周波数と呼ぶ)において１
／４波長の線路長を有する第一の伝送線路、４ａ，４ｂ
（以下、４と呼ぶ）はPINダイオード、５ａ，５ｂ（以
下、５と呼ぶ）は第二の伝送線路, ６ａ，６ｂ（以下、
６と呼ぶ）は第三の伝送線路であり、第二、第三の伝送
線路の線路長を併せて中心周波数において１／２波長と
なり、７ａ，７ｂ（以下、７と呼ぶ）は中心周波数にお
けるの線路長を有するスタブ、９ａ，９ｂ（以下、９と
呼ぶ）はバイアス端子、１１ａ，１１ｂ（以下、１１と
呼ぶ）は出力端子である。
【００１４】次に動作を説明する。入力端子１から入力
された高周波信号は分岐部で通過ポート側を通り、通過
ポート側のDCカットキャパシタ２および第一の伝送線路
３を通って、第二、第三の伝送線路５,６を通り、先端
がDCカットキャパシタ８でショートされたスタブ７によ
りインピーダンス変換された後、DCカットキャパシタ１
０を通って通過ポート側出力端子１１に出力される。
された高周波信号は分岐部で通過ポート側を通り、通過
ポート側のDCカットキャパシタ２および第一の伝送線路
３を通って、第二、第三の伝送線路５,６を通り、先端
がDCカットキャパシタ８でショートされたスタブ７によ
りインピーダンス変換された後、DCカットキャパシタ１
０を通って通過ポート側出力端子１１に出力される。
【００１５】ここで、符号のサフィックスであるａ側を
通過ポートとし、ｂ側を遮断ポートとすれば、ａ側のPI
Nダイオードには、バイアス端子９ａよりマイナスの電
位を与えてOFF状態とし低容量のキャパシタ(COFF≒０)
とし、ｂ側にはバイアス端子９ｂよりプラスの電位を与
えて電流の流れるON状態とし、低抵抗(RON≒０)とす
る。このとき、図２のように、ｂ側の遮断ポートでは低
抵抗で接地されるので、擬似SHORTとなり、中心周波数
で１／４波長の第一の伝送線路３ｂを介して遮断ポート
側を見たインピーダンスは中心周波数においてOPENとな
り、電力はすべて通過ポート側に流れ、スイッチの機能
を得る。
通過ポートとし、ｂ側を遮断ポートとすれば、ａ側のPI
Nダイオードには、バイアス端子９ａよりマイナスの電
位を与えてOFF状態とし低容量のキャパシタ(COFF≒０)
とし、ｂ側にはバイアス端子９ｂよりプラスの電位を与
えて電流の流れるON状態とし、低抵抗(RON≒０)とす
る。このとき、図２のように、ｂ側の遮断ポートでは低
抵抗で接地されるので、擬似SHORTとなり、中心周波数
で１／４波長の第一の伝送線路３ｂを介して遮断ポート
側を見たインピーダンスは中心周波数においてOPENとな
り、電力はすべて通過ポート側に流れ、スイッチの機能
を得る。
【００１６】しかし、中心周波数以外では、分岐部から
みたインピーダンスはOPENとはならず、周波数特性を有
する。図３は図２の分岐線路の各点から共通ポート側を
見たf ｃ〜３ｆｃの広帯域な反射係数を示すスミスチャ
ート図であるが、スミスチャート図で見た場合、図３
(ａ)のように、中心周波数(fc=２f０)では５０Ωとなる
が、低周波数(f０)でL性、高周波数(３f０)でC性の周波
数特性が生じる。スイッチの広帯域化を図ることは、こ
の周波数特性を小さくしてf０〜３f０の帯域内すべての
周波数について、中心の５０Ω部に持ってくることと等
価であり、このとき広帯域に低損失なスイッチを得るこ
とができる。
みたインピーダンスはOPENとはならず、周波数特性を有
する。図３は図２の分岐線路の各点から共通ポート側を
見たf ｃ〜３ｆｃの広帯域な反射係数を示すスミスチャ
ート図であるが、スミスチャート図で見た場合、図３
(ａ)のように、中心周波数(fc=２f０)では５０Ωとなる
が、低周波数(f０)でL性、高周波数(３f０)でC性の周波
数特性が生じる。スイッチの広帯域化を図ることは、こ
の周波数特性を小さくしてf０〜３f０の帯域内すべての
周波数について、中心の５０Ω部に持ってくることと等
価であり、このとき広帯域に低損失なスイッチを得るこ
とができる。
【００１７】このため、本実施の形態では、まず、１／
４波長となる第一の伝送線路３ａと低容量キャパシタで
あるPINダイオード４と１／２波長となる第二、第三の
伝送線路５ａ，６ａにより、図３のスミスチャート上で
５０Ωを中心として位相を回す。前記伝送線路３ａ，５
ａ，６ａの線路長は併せて中心周波数では３／４波長と
なるが、周波数に応じて、f０では３／８波長、３f０で
は９／８波長の線路長に相当する。従って、f０では５
０Ωを中心として＜３／４周、３f０では９／４周位相
が回り、このときＢ点からみた反射係数は図３(ｂ)示す
ようになる。次に、本実施の形態の広帯域高周波スイッ
チでは、この位置に中心周波数で１／４波長の線路長を
有する先端がDCカットキャパシタ８により高周波数的に
ショートされたスタブを装荷して広帯域化を図る。
４波長となる第一の伝送線路３ａと低容量キャパシタで
あるPINダイオード４と１／２波長となる第二、第三の
伝送線路５ａ，６ａにより、図３のスミスチャート上で
５０Ωを中心として位相を回す。前記伝送線路３ａ，５
ａ，６ａの線路長は併せて中心周波数では３／４波長と
なるが、周波数に応じて、f０では３／８波長、３f０で
は９／８波長の線路長に相当する。従って、f０では５
０Ωを中心として＜３／４周、３f０では９／４周位相
が回り、このときＢ点からみた反射係数は図３(ｂ)示す
ようになる。次に、本実施の形態の広帯域高周波スイッ
チでは、この位置に中心周波数で１／４波長の線路長を
有する先端がDCカットキャパシタ８により高周波数的に
ショートされたスタブを装荷して広帯域化を図る。
【００１８】１／４波長のショートスタブは、f０〜２f
０ではL性、２f０〜３f０ではC性となるため、図３(ｂ)
の反射特性に対しては、スミスチャート上でf０から２f
０の周波数では反時計回りに、２f０から３f０の周波数
では時計回りにインピーダンスを動かす作用を有するの
で、C点からみた反射係数は図３(c)のように、f０〜３f
０の周波数に対して中心の５０Ω部近傍に持ってくるこ
とができ、広帯域性を得る。なお、各伝送線路の３，
５，６，７の線路幅(特性インピーダンス)は、PINダイ
オード４ａのCOFFとPINダイオード４ｂのRONが0となら
ず、また接続部に起因する寄生成分を無視できない場合
は、種々のインピーダンスに最適化され、線路幅は異な
る。
０ではL性、２f０〜３f０ではC性となるため、図３(ｂ)
の反射特性に対しては、スミスチャート上でf０から２f
０の周波数では反時計回りに、２f０から３f０の周波数
では時計回りにインピーダンスを動かす作用を有するの
で、C点からみた反射係数は図３(c)のように、f０〜３f
０の周波数に対して中心の５０Ω部近傍に持ってくるこ
とができ、広帯域性を得る。なお、各伝送線路の３，
５，６，７の線路幅(特性インピーダンス)は、PINダイ
オード４ａのCOFFとPINダイオード４ｂのRONが0となら
ず、また接続部に起因する寄生成分を無視できない場合
は、種々のインピーダンスに最適化され、線路幅は異な
る。
【００１９】このように、バイアス回路と共用する１／
４波長線路で広帯域を図っているために、直列に接続さ
れる線路の線路長が３／４波長と比較的短くなるだけで
なく、PINダイオードを用いた高耐電力スイッチの課題
であったバイアス回路を小型に構成でき、スイッチ全体
の小型化が実現できる。また、高抵抗を使用していない
ため、付随する消費電力を無くすことができる。
４波長線路で広帯域を図っているために、直列に接続さ
れる線路の線路長が３／４波長と比較的短くなるだけで
なく、PINダイオードを用いた高耐電力スイッチの課題
であったバイアス回路を小型に構成でき、スイッチ全体
の小型化が実現できる。また、高抵抗を使用していない
ため、付随する消費電力を無くすことができる。
【００２０】また、バイアス端子９は、DCカットキャパ
シタ８により高周波的にショートされるため、接続され
るバイアス線路のインピーダンスに全く影響されず、特
性の安定したスイッチを得ることができる。また、PIN
ダイオードを並列にのみ用いているために高い耐電力特
性が得られる。本実施の形態では、１／２波長伝送線路
について、伝送線路５,６という線路幅の異なる２つの
線路で構成しているが、単一線路幅としても良いし、逆
に３つ以上の異なる線路幅の線路で構成しても良い。異
なる線路幅の伝送線路を用いることにより設計の自由度
が向上して、PINダイオードやＤＣカットキャパシタ及
びその接続部等に起因する寄生成分の影響を低減しやす
くなり、広帯域に良好な性能を有するスイッチを得るこ
とが出来る。
シタ８により高周波的にショートされるため、接続され
るバイアス線路のインピーダンスに全く影響されず、特
性の安定したスイッチを得ることができる。また、PIN
ダイオードを並列にのみ用いているために高い耐電力特
性が得られる。本実施の形態では、１／２波長伝送線路
について、伝送線路５,６という線路幅の異なる２つの
線路で構成しているが、単一線路幅としても良いし、逆
に３つ以上の異なる線路幅の線路で構成しても良い。異
なる線路幅の伝送線路を用いることにより設計の自由度
が向上して、PINダイオードやＤＣカットキャパシタ及
びその接続部等に起因する寄生成分の影響を低減しやす
くなり、広帯域に良好な性能を有するスイッチを得るこ
とが出来る。
【００２１】ここで、図４は、図２においてPINダイオ
ード４ａのCOFF＝０、PINダイオード４ｂのRON＝０、Ｄ
Ｃカットキャパシタ８ａの容量を無限大とし、また接続
部に起因する寄生成分を無視できる場合の広帯域高周波
スイッチ簡略化した等価回路である。図において、Z1，
L1は伝送線路３の特性インピーダンスと線路長、Z2，L2
は前記伝送線路5,6の特性インピーダンスと線路長、
Zb，Lbはスタブ7の特性インピーダンスと線路長であ
る。Z0は終端抵抗である。L1, L2, Lbの線路長は前述し
たように、L1=λc/4，L2=λc /4，Lb=λc/4（λcは中心
周波数での波長）であるため、整合条件より、各伝送線
路の特性インピーダンスを、 Ｚ１＝Ｚ０ Ｚ２＝（√２）＊Ｚ０ Ｚ３＝２Ｚ０ と決定することも可能である。図４のように、COFF＝
０，RON＝０の近似が得られるダイオードを用いる場
合、前記関係を満たすとき、f０、fc=２f０、３f０の3
点での整合が完全にとれる。このような場合、各伝送線
路インピーダンスを一意的に決定することができ、広帯
域高周波スイッチの設計が一層容易になる。なお、COFF
≠０，RON≠０の場合でも広帯域高周波スイッチ設計の
初期値として利用することができる。
ード４ａのCOFF＝０、PINダイオード４ｂのRON＝０、Ｄ
Ｃカットキャパシタ８ａの容量を無限大とし、また接続
部に起因する寄生成分を無視できる場合の広帯域高周波
スイッチ簡略化した等価回路である。図において、Z1，
L1は伝送線路３の特性インピーダンスと線路長、Z2，L2
は前記伝送線路5,6の特性インピーダンスと線路長、
Zb，Lbはスタブ7の特性インピーダンスと線路長であ
る。Z0は終端抵抗である。L1, L2, Lbの線路長は前述し
たように、L1=λc/4，L2=λc /4，Lb=λc/4（λcは中心
周波数での波長）であるため、整合条件より、各伝送線
路の特性インピーダンスを、 Ｚ１＝Ｚ０ Ｚ２＝（√２）＊Ｚ０ Ｚ３＝２Ｚ０ と決定することも可能である。図４のように、COFF＝
０，RON＝０の近似が得られるダイオードを用いる場
合、前記関係を満たすとき、f０、fc=２f０、３f０の3
点での整合が完全にとれる。このような場合、各伝送線
路インピーダンスを一意的に決定することができ、広帯
域高周波スイッチの設計が一層容易になる。なお、COFF
≠０，RON≠０の場合でも広帯域高周波スイッチ設計の
初期値として利用することができる。
【００２２】さらに、図５は、第二の伝送線路５および
第三の伝送線路６との間にPINダイオード１２を一段追
加装荷した広帯域高周波スイッチである。ここで、第二
の伝送線路５の線路長は１／８波長以下としてある。こ
のような形態とすることにより、１段のPINダイオードO
N抵抗では遮断ポートのアイソレーションが不足する場
合にこれを向上させることができる。
第三の伝送線路６との間にPINダイオード１２を一段追
加装荷した広帯域高周波スイッチである。ここで、第二
の伝送線路５の線路長は１／８波長以下としてある。こ
のような形態とすることにより、１段のPINダイオードO
N抵抗では遮断ポートのアイソレーションが不足する場
合にこれを向上させることができる。
【００２３】このとき、伝送線路５を１／８波長以下と
してあるので、ｆ０〜３f０まで共振点は現れず、広帯
域にアイソレーション特性を向上できる。同様に、１／
８波長以下の複数の(3以上)線路を用いてPINダイオード
を同数個多段化すれば、さらにアイソレーション特性を
向上できる。なお、2つの分岐線路に装荷されるＰＩＮ
ダイオードは必ずしも同数である必要はなく、所望のア
イソレーション量に応じて例えば、一方の分岐線路のPI
Nダイオードを１段とし、他方の分岐線路のPINダイオー
ドを２段として低コスト化を図ることも可能である。
してあるので、ｆ０〜３f０まで共振点は現れず、広帯
域にアイソレーション特性を向上できる。同様に、１／
８波長以下の複数の(3以上)線路を用いてPINダイオード
を同数個多段化すれば、さらにアイソレーション特性を
向上できる。なお、2つの分岐線路に装荷されるＰＩＮ
ダイオードは必ずしも同数である必要はなく、所望のア
イソレーション量に応じて例えば、一方の分岐線路のPI
Nダイオードを１段とし、他方の分岐線路のPINダイオー
ドを２段として低コスト化を図ることも可能である。
【００２４】また、図６のように、バイアス端子９に直
列抵抗１５を装荷する構成とすることも可能なことは当
然である。PINダイオードのON抵抗は、ダイオードを流
れる電流により制御されるが、PINダイオードの電流電
圧特性は指数関数で表現されるために、ON時において所
望の電流をPINダイオードに流してスイッチを動作させ
ようとする場合、電圧感度が高くなって設定が難しくな
り特性に影響する場合がある。直列抵抗１５はこの電圧
感度を低減させる働きを有する。
列抵抗１５を装荷する構成とすることも可能なことは当
然である。PINダイオードのON抵抗は、ダイオードを流
れる電流により制御されるが、PINダイオードの電流電
圧特性は指数関数で表現されるために、ON時において所
望の電流をPINダイオードに流してスイッチを動作させ
ようとする場合、電圧感度が高くなって設定が難しくな
り特性に影響する場合がある。直列抵抗１５はこの電圧
感度を低減させる働きを有する。
【００２５】ここで、直列抵抗１５は高周波特性には全
く影響しないため、所望の電圧において必要なON電流が
得られるよう自由に設定でき、本スイッチを上位のコン
ポーネントに格納する際、コンポーネントの電源電圧値
の数を少なくすることができ、全体の低コスト化を図れ
る。
く影響しないため、所望の電圧において必要なON電流が
得られるよう自由に設定でき、本スイッチを上位のコン
ポーネントに格納する際、コンポーネントの電源電圧値
の数を少なくすることができ、全体の低コスト化を図れ
る。
【００２６】本実施の形態では、広帯域高周波スイッチ
の回路形態を明記しないが、ディスクリートPINダイオ
ードを用いたハイブリッドマイクロ波集積回路(HMIC)と
しても、PINダイオードをモノリシック化したモノリシ
ックマイクロ波集積回路(MMIC)としても良い。また制御
素子にPINダイオードを用いたが、FETその他ON／OFF機
能を有するその他の素子を用いることも可能なことは勿
論である。
の回路形態を明記しないが、ディスクリートPINダイオ
ードを用いたハイブリッドマイクロ波集積回路(HMIC)と
しても、PINダイオードをモノリシック化したモノリシ
ックマイクロ波集積回路(MMIC)としても良い。また制御
素子にPINダイオードを用いたが、FETその他ON／OFF機
能を有するその他の素子を用いることも可能なことは勿
論である。
【００２７】また、本実施の形態で伝送線路の線路長を
特定しているが、PINダイオードやＤＣカットキャパシ
タ及びその接続部等に起因する寄生成分が無視できない
場合、それらの効果を伝送線路の線路長に変換して等価
的に本実施の形態で特定した伝送線路の線路長を実現し
ても良い。
特定しているが、PINダイオードやＤＣカットキャパシ
タ及びその接続部等に起因する寄生成分が無視できない
場合、それらの効果を伝送線路の線路長に変換して等価
的に本実施の形態で特定した伝送線路の線路長を実現し
ても良い。
【００２８】実施の形態２．図７は、本発明の実施の形
態２による広帯域高周波スイッチであり、図８は、本実
施の形態スイッチの実装例である。２０は誘電体基板で
あり、２１は入力伝送線路、２２〜２６はボンディング
ワイヤ、２７および２８は基板に設けたビアホール、２
９〜３１は平行平板キャパシタである。本実施の形態で
は、伝送線路３，５，６およびスタブ７は、全て同一の
誘電体基板上に構成しており、並列PINダイオード4とス
タブ7の接地には、それぞれ誘電体基板上に設けたビア
ホール２７，２８を用いている。PINダイオード4はディ
スクリート部品であり、平行平板キャパシタ２９〜３１
とともに、ボンディングワイヤ２２〜２６により伝送線
路と接続される。
態２による広帯域高周波スイッチであり、図８は、本実
施の形態スイッチの実装例である。２０は誘電体基板で
あり、２１は入力伝送線路、２２〜２６はボンディング
ワイヤ、２７および２８は基板に設けたビアホール、２
９〜３１は平行平板キャパシタである。本実施の形態で
は、伝送線路３，５，６およびスタブ７は、全て同一の
誘電体基板上に構成しており、並列PINダイオード4とス
タブ7の接地には、それぞれ誘電体基板上に設けたビア
ホール２７，２８を用いている。PINダイオード4はディ
スクリート部品であり、平行平板キャパシタ２９〜３１
とともに、ボンディングワイヤ２２〜２６により伝送線
路と接続される。
【００２９】このようにディスクリートPINダイオード4
を用いて、回路を同一の誘電体基板に実装したMIC回路
とすることにより、全体の低コスト化とともに小型化が
図れる。また、複数枚の誘電体基板に実装するのと比較
してスイッチとしての機能確認が容易となり、上位のコ
ンポーネントへの二次実装が容易となる利点を有する。
また、本実施の形態ではバイアス回路も伝送線路として
いることと併せて、一枚基板に構成することにより線路
のパターン形成の自由度が向上するため、図８のように
曲線線路を多用すれば、超小型、広帯域、高出力、低コ
ストなMIC PINスイッチを得ることができる。
を用いて、回路を同一の誘電体基板に実装したMIC回路
とすることにより、全体の低コスト化とともに小型化が
図れる。また、複数枚の誘電体基板に実装するのと比較
してスイッチとしての機能確認が容易となり、上位のコ
ンポーネントへの二次実装が容易となる利点を有する。
また、本実施の形態ではバイアス回路も伝送線路として
いることと併せて、一枚基板に構成することにより線路
のパターン形成の自由度が向上するため、図８のように
曲線線路を多用すれば、超小型、広帯域、高出力、低コ
ストなMIC PINスイッチを得ることができる。
【００３０】図８では、PINダイオード4とDCカットキャ
パシタ３０はそれぞれビアホール２７,２８上に実装さ
れ、インダクタを低減して高性能化を図っているが、ビ
アホールをはずしてPINダイオードおよび平行平板キャ
パシタを実装してもよい。なお、伝送線路３，５，６の
長さが実施の形態１で規定した値とはなっていないが、
これは主として、平行平板キャパシタの実装パッドの寄
生容量とボンディングワイヤのインダクタによるもので
ある。
パシタ３０はそれぞれビアホール２７,２８上に実装さ
れ、インダクタを低減して高性能化を図っているが、ビ
アホールをはずしてPINダイオードおよび平行平板キャ
パシタを実装してもよい。なお、伝送線路３，５，６の
長さが実施の形態１で規定した値とはなっていないが、
これは主として、平行平板キャパシタの実装パッドの寄
生容量とボンディングワイヤのインダクタによるもので
ある。
【００３１】実施の形態３．図９は、本発明の実施の形
態３による広帯域高周波スイッチであり、本実施の形態
では分岐線路を３個にして1入力３出力のスイッチを構
成している。通過側の1つの分岐線路のみPINダイオード
をOFFとし、他の2つの分岐線路のPINダイオードをONと
して遮断させ、スイッチとして動作させる。通過側の分
岐線路について、分岐部から見たインピーダンスは、図
３(ａ)と比較して周波数特性の拡散度は増すが、同様の
整合を取ることにより、広帯域、小型、高耐電力な３出
力のスイッチが得られる。また、分岐線路をn個にし
て、1入力n出力のスイッチも構成できる。
態３による広帯域高周波スイッチであり、本実施の形態
では分岐線路を３個にして1入力３出力のスイッチを構
成している。通過側の1つの分岐線路のみPINダイオード
をOFFとし、他の2つの分岐線路のPINダイオードをONと
して遮断させ、スイッチとして動作させる。通過側の分
岐線路について、分岐部から見たインピーダンスは、図
３(ａ)と比較して周波数特性の拡散度は増すが、同様の
整合を取ることにより、広帯域、小型、高耐電力な３出
力のスイッチが得られる。また、分岐線路をn個にし
て、1入力n出力のスイッチも構成できる。
【００３２】
【発明の効果】第一の発明によれば、バイアス回路を含
んだ小型な広帯域高周波スイッチが得られ、各伝送線路
の線路長が一意に決定できる効果がある。PINダイオー
ドを用いたスイッチを大型化、または消費電力を増加さ
せていたバイアス回路の問題点を解消することが出来
る。またバイアス端子は、DCカットキャパシタにより高
周波的に短絡されるため、接続されるバイアス線路のイ
ンピーダンスに全く影響されず、特性の安定した高耐電
力スイッチを得る効果がある。
んだ小型な広帯域高周波スイッチが得られ、各伝送線路
の線路長が一意に決定できる効果がある。PINダイオー
ドを用いたスイッチを大型化、または消費電力を増加さ
せていたバイアス回路の問題点を解消することが出来
る。またバイアス端子は、DCカットキャパシタにより高
周波的に短絡されるため、接続されるバイアス線路のイ
ンピーダンスに全く影響されず、特性の安定した高耐電
力スイッチを得る効果がある。
【００３３】また、第二の発明によれば、PINダイオー
ドON時の抵抗を0、PINダイオードOFF時の容量を0と近似
でき、また接続部に起因する寄生成分の影響が無視でき
る場合、各伝送線路の特性インピーダンスが一意的に決
定され、スイッチの設計が容易になる効果がある。
ドON時の抵抗を0、PINダイオードOFF時の容量を0と近似
でき、また接続部に起因する寄生成分の影響が無視でき
る場合、各伝送線路の特性インピーダンスが一意的に決
定され、スイッチの設計が容易になる効果がある。
【００３４】また、第三の発明によれば、第一のPINダ
イオードから出力端子までの伝送線路を複数の線路幅を
有するようにしたので、PINダイオードやＤＣカットキ
ャパシタとその接続部等に起因する寄生成分の影響を低
減しやすくなり、広帯域に良好な性能を有するスイッチ
を得る効果がある。
イオードから出力端子までの伝送線路を複数の線路幅を
有するようにしたので、PINダイオードやＤＣカットキ
ャパシタとその接続部等に起因する寄生成分の影響を低
減しやすくなり、広帯域に良好な性能を有するスイッチ
を得る効果がある。
【００３５】また、第四の発明によれば、分岐線路あた
りのPINダイオードを多段化したので、全体域に亘っ
て、遮断ポートのアイソレーション特性を向上できる効
果がある。
りのPINダイオードを多段化したので、全体域に亘っ
て、遮断ポートのアイソレーション特性を向上できる効
果がある。
【００３６】また、第五の発明によれば、バイアス端子
に直列抵抗を備えた構成としたので、PINダイオードON
時の電圧感度を低減させ、電流設定を容易にできる効果
がある。またON時の駆動電圧を自由に設定できるため、
本発明のスイッチを上位のコンポーネントに実装する際
の電源電圧値の数を低減でき、全体の低コスト化が図れ
る効果がある。
に直列抵抗を備えた構成としたので、PINダイオードON
時の電圧感度を低減させ、電流設定を容易にできる効果
がある。またON時の駆動電圧を自由に設定できるため、
本発明のスイッチを上位のコンポーネントに実装する際
の電源電圧値の数を低減でき、全体の低コスト化が図れ
る効果がある。
【００３７】また、第六の発明によれば、全ての伝送線
路を同一の誘電体基板上に形成し、ディスクリートPIN
ダイオードと平行平板キャパシタも同一の誘電体基板上
に実装したので、スイッチ全体の低コスト化と小型化を
実現できる。またスイッチ単体の機能確認が容易とな
り、上位のコンポーネントへの二次実装が容易となる効
果がある。また誘電体基板上の線路パターン形成の自由
度が向上するため、曲線線路を多用すれば超小型、広帯
域、高出力、低コストな広帯域高周波スイッチを得るこ
とができる。
路を同一の誘電体基板上に形成し、ディスクリートPIN
ダイオードと平行平板キャパシタも同一の誘電体基板上
に実装したので、スイッチ全体の低コスト化と小型化を
実現できる。またスイッチ単体の機能確認が容易とな
り、上位のコンポーネントへの二次実装が容易となる効
果がある。また誘電体基板上の線路パターン形成の自由
度が向上するため、曲線線路を多用すれば超小型、広帯
域、高出力、低コストな広帯域高周波スイッチを得るこ
とができる。
【００３８】また、第七の発明によれば、分岐線路をn
線路備え、出力端子をn個とした構成としたので、小
型、高耐電力な多出力端子のスイッチを得る効果があ
る。
線路備え、出力端子をn個とした構成としたので、小
型、高耐電力な多出力端子のスイッチを得る効果があ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１による広帯域高周波
スイッチ回路図である。
スイッチ回路図である。
【図２】 この発明の実施の形態１の簡略化した広帯域
高周波スイッチ等価回路図である。
高周波スイッチ等価回路図である。
【図３】 この発明の実施の形態１の各点のスミスチャ
ートである。
ートである。
【図４】 この発明の実施の形態１の広帯域高周波スイ
ッチ変形例である。
ッチ変形例である。
【図５】 この発明の実施の形態１の簡略化した広帯域
高周波スイッチ等価回路変形例である。
高周波スイッチ等価回路変形例である。
【図６】 この発明の実施の形態１の広帯域高周波スイ
ッチ変形例である。
ッチ変形例である。
【図７】 この発明の実施の形態２の広帯域高周波スイ
ッチ回路図である。
ッチ回路図である。
【図８】 この発明の実施の形態２の広帯域高周波スイ
ッチ実装例である。
ッチ実装例である。
【図９】 この発明の実施の形態３の広帯域高周波スイ
ッチ実装例である。
ッチ実装例である。
【図１０】 従来の広帯域高周波スイッチの回路図であ
る。
る。
１ 入力端子，２ DCカットキャパシタ，３ 第一の伝
送線路，４ PINダイオード，５ 第二の伝送線路，６
第三の伝送線路，７ スタブ，８ DCカットキャパシ
タ，９ バイアス端子，１０ DCカットキャパシタ，１
１ 出力端子，１２ PINダイオード，１５ 抵抗，２
１ 誘電体基板，２２〜２６ ボンディングワイヤ，２
７,２８ ビアホール，２９〜３１ 平行平板キャパシ
タ，４１入力端子，４２ DCカットキャパシタ，４３
伝送線路，４４ PINダイオード，４５ 伝送線路，４
６ テーパー線路，４７ バイアス回路，４９ 出力線
路，５０ DCカットキャパシタ，５１ 出力端子
送線路，４ PINダイオード，５ 第二の伝送線路，６
第三の伝送線路，７ スタブ，８ DCカットキャパシ
タ，９ バイアス端子，１０ DCカットキャパシタ，１
１ 出力端子，１２ PINダイオード，１５ 抵抗，２
１ 誘電体基板，２２〜２６ ボンディングワイヤ，２
７,２８ ビアホール，２９〜３１ 平行平板キャパシ
タ，４１入力端子，４２ DCカットキャパシタ，４３
伝送線路，４４ PINダイオード，４５ 伝送線路，４
６ テーパー線路，４７ バイアス回路，４９ 出力線
路，５０ DCカットキャパシタ，５１ 出力端子
Claims (7)
- 【請求項１】 能動素子にPINダイオードを用い、１つ
の入力端子と前記入力端子から分岐する2つの分岐線路
と、前記分岐線路毎にそれぞれ有する２つの出力端子と
を備える広帯域高周波スイッチにおいて、前記分岐線路
は、第一のDCカットキャパシタと、L1の線路長を有する
第一の伝送線路と、L2の線路長を有する第二の伝送線路
と、第一の並列PINダイオードと、L bの線路長を有する
第一のスタブと、バイアス端子と、第二のDCカットキャ
パシタと、第三のDCカットキャパシタとを備え、 L1＝λc／４ L2＝λc／２ Lb＝λc／４ (λcは広帯域高周波スイッチの動作中心周波数での波
長)であることを特徴とする広帯域高周波スイッチ。 - 【請求項２】 請求項１記載の広帯域高周波スイッチで
あって、前記第一の伝送線路の特性インピーダンスを
Z1、前記第二の伝送線路の特性インピーダンスをZ2、前
記第一のスタブの特性インピーダンスをZbとし、スイッ
チの終端抵抗をZ0としたとき、前記各特性インピーダン
スについて、 Z1＝Z0 Z2＝（√２）＊Z0 Zb＝２Z0 であることを特徴とする広帯域高周波スイッチ。 - 【請求項３】 請求項１記載の広帯域高周波スイッチで
あって、前記分岐線路は、第一のDCカットキャパシタ
と、L1の線路長を有する前記第一の伝送線路と、Li(ｉ
＝２〜ｎ；ｎ≧３)の線路長を有する第iの伝送線路と、
前記第一の並列PINダイオードと、Lbの線路長を有する
前記第一のスタブと、前記バイアス端子と、前記第二の
DCカットキャパシタと、第三のDCカットキャパシタとを
備え、 L1＝λc／４ Li＜λc／８ （ｉ＝２〜ｎ−１） ΣLi（ｉ＝２〜ｎ）＝λc／２ Lb＝λc／４ であることを特徴とする広帯域高周波スイッチ。 - 【請求項４】 請求項３記載の広帯域高周波スイッチで
あって、前記分岐線路は、前記第一のDCカットキャパシ
タと、L1の線路長を有する前記第一の伝送線路と、L
i(ｉ＝２〜ｎ；ｎ≧３)の線路長を有する第iの伝送線路
と、第ｊ(ｊ＝１〜n−１；ｎ≧３)の伝送線路と第(ｊ＋
１)の伝送線路の間に装荷される第ｊの並列PINダイオー
ドと、Lbの線路長を有する前記第一のスタブと、前記バ
イアス端子と、前記第二のDCカットキャパシタと、前記
第三のDCカットキャパシタとを備え、 L1＝λc／４ Li＜λc／８ （ｉ＝２〜ｎ−１） ΣLi（ｉ＝２〜ｎ）＝λc／２ Lb＝λc／４ であることを特徴とする広帯域高周波スイッチ。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の広
帯域高周波スイッチであって、前記バイアス端子に直列
抵抗を備えたことを特徴とする広帯域高周波スイッチ。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の広
帯域高周波スイッチであって、第ｋ(ｋ＝1〜ｎ)の伝送
線路と前記第一のスタブからなる全ての伝送線路は同一
の誘電体基板上に形成され、前記誘電体基板はビアホー
ルを備え、前記第一、前記第二および前記第三のDCカッ
トキャパシタは前記誘電体基板上に実装され、ボンディ
ングワイヤにより前記伝送線路と接続され、前記PINダ
イオードは前記ビアホールに、または直近に実装され、
ボンディングワイヤにより前記伝送線路と接続されるこ
とを特徴とする広帯域高周波スイッチ。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の広
帯域高周波スイッチであって、出力端子をｍ(≧3)個と
し、入力端子から分岐する分岐線路をｍ個備えたことを
特徴とする広帯域高周波スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002045743A JP3823843B2 (ja) | 2001-10-05 | 2002-02-22 | 広帯域高周波スイッチ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001309679 | 2001-10-05 | ||
| JP2001-309679 | 2001-10-05 | ||
| JP2002045743A JP3823843B2 (ja) | 2001-10-05 | 2002-02-22 | 広帯域高周波スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003179402A true JP2003179402A (ja) | 2003-06-27 |
| JP3823843B2 JP3823843B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=26623748
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002045743A Expired - Fee Related JP3823843B2 (ja) | 2001-10-05 | 2002-02-22 | 広帯域高周波スイッチ |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3823843B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841842B2 (en) * | 2002-03-28 | 2005-01-11 | Intel Corporation | Method and apparatus for electrical-optical packaging with capacitive DC shunts |
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