JP2003177537A - Positive resist composition for electron beam, x-ray or euv - Google Patents

Positive resist composition for electron beam, x-ray or euv

Info

Publication number
JP2003177537A
JP2003177537A JP2002060583A JP2002060583A JP2003177537A JP 2003177537 A JP2003177537 A JP 2003177537A JP 2002060583 A JP2002060583 A JP 2002060583A JP 2002060583 A JP2002060583 A JP 2002060583A JP 2003177537 A JP2003177537 A JP 2003177537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
acid
embedded image
groups
carbon atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002060583A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4004820B2 (en
JP2003177537A5 (en
Inventor
Kazuyoshi Mizutani
一良 水谷
Shoichiro Yasunami
昭一郎 安波
Koji Shirakawa
浩司 白川
Akira Takahashi
表 高橋
Toru Fujimori
亨 藤森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP2002060583A priority Critical patent/JP4004820B2/en
Publication of JP2003177537A publication Critical patent/JP2003177537A/en
Publication of JP2003177537A5 publication Critical patent/JP2003177537A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4004820B2 publication Critical patent/JP4004820B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition which improves the profile of a resist pattern and suppresses a variation of line width due to laying in a vacuum chamber. <P>SOLUTION: The positive resist composition for an electron beam, X-rays or EUV (extreme-ultraviolet radiation) comprises (a) a resin which has a structural unit containing an acid-decomposable group of formula (X) and is decomposed by the action of an acid to increase solubility in an alkali developer and (b) a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic radiation. In formula (X), R<SB>1</SB>and R<SB>2</SB>may be the same or different and are each H or a 1-4C alkyl; W is a divalent organic group; and R<SB>3</SB>is an alkyl which may have substituents and has 11-20 carbon atoms in total, an aryl which may have substituents and has 11-30 carbon atoms in total or an aralkyl which may have substituents and has 12-30 carbon atoms in total. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路素
子、集積回路製造用マスク等の製造に用いるポジ型レジ
スト組成物に関するものである。 【0002】 【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物として、米
国特許第4,491,6 28号明細書、欧州特許第29,139号明細
書等に記載されている化学増幅系レジスト組成物があ
る。化学増幅型ポジレジスト組成物は、遠紫外光等の放
射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒
とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の
現像液に対する溶解性を変化させパターンを基板上に形
成させるパターン形成材料である。 【0003】上記化学増幅型ポジレジスト組成物は、ア
ルカリ可溶性樹脂、放射線露光によって酸を発生する化
合物(光酸発生剤)、及び酸分解性基を有するアルカリ
可溶性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る3成分系
と、酸との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有
する樹脂と光酸発生剤からなる2成分系、更に酸との反
応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹脂、酸
分解性基を有する低分子溶解阻止化合物、及び光酸発生
剤から成るハイブリット系に大別できる。 【0004】特開平9−319092号公報において、
オキシ連結を導入したアセタール基を導入した樹脂が定
在波低減効果等に効果があるとして開示されている。 【0005】また、特開平10−221854号公報で
は、置換アセタール基のユニットを持つ樹脂が開示され
ている。 【0006】しかしながら、これらのアセタール基を有
する樹脂では、電子線レジストとして用いた場合、電子
線後方散乱の影響が強く現れ、得られるレジストパター
ンが逆テーパー形状のプロファイルとなった。更に電子
線照射装置の真空チャンバー中での引き置き時間による
線幅変動の改善も望まれていた。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電子
線、X線、又はEUV(Extreme Ultraviolet)等の活
性放射線による照射用のレジストとして、得られるパタ
ーンプロファイルの形状が優れ、更に照射装置の真空チ
ャンバー中での引き置き時間による線幅変動も改善され
た化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供することにあ
る。 【0008】 【課題を解決するための手段】本発明者は、かかる現状
に鑑み、鋭意検討した結果、特定の構造の酸分解性基を
有する化合物を有するポジ型レジスト組成物を用いるこ
とで、上記目的が達成され、本発明を完成するに到っ
た。 【0009】即ち、本発明に係るポジ型レジスト組成物
は下記構成である。 (1)(a)下記一般式(X)で示される基を含有する
構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像
液に対する溶解性が増大する樹脂、及び(b)活性放射
線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特
徴とするポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成
物。 【0010】 【化2】 【0011】式(X)中、R1 、R2は、同一でも異な
っていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基
を表し、Wは2価の有機基を表し、R3は総炭素数11
〜20の置換基を有してもよいアルキル基、総炭素数1
1〜30の置換基を有してもよいアリール基、総炭素数
12〜30の置換基を有してもよいアラルキル基を表
す。 【0012】以下に、好ましい態様を記載する。 (2)(a)下記一般式(I)及び一般式(III)で示
される構造単位を有する、酸の作用により分解し、アル
カリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び/又
は、下記一般式(I)、一般式(II)及び一般式(II
I)で示される構造単位を有する、酸の作用により分解
し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及
び(b)活性放射線の照射により酸を発生する化合物を
含有することを特徴とするポジ型電子線、X線又はEU
V用レジスト組成物。 【0013】 【化3】【0014】式(I)〜(III)中、R21は水素原子
又はメチル基を表し、R22は酸の作用により分解しな
い基を表し、R23は水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロ
キシ基を表す。nは1〜3の整数を表す。Wは上記一般
式(X)で示される基を表す。 【0015】(3) 上記一般式(X)において、
1、R2の少なくとも何れかが炭素数1〜4の直鎖又は
分岐のアルキル基であることを特徴とする上記(1)又
は(2)に記載のポジ型電子線、X線又はEUV用レジ
スト組成物。 【0016】(4) 上記(b)活性放射線の照射によ
り酸を発生する化合物が、活性放射線の照射により、ス
ルホン酸を発生する下記一般式(A−1)、(A−
2)、(A−3)、(A−4)、(A−5)、(A−
6)及び(A−7)で表される化合物のうち少なくとも
1種であることを特徴とする上記(1)〜(3)のいず
れかに記載のポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト
組成物。 【0017】 【化4】 【0018】式(A−1)、(A−2)中、R1〜R
5は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキ
ル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ
基、ハロゲン原子、又は−S−R6基を示す。R6はアル
キル基、又はアリール基を示す。 【0019】X-は、(a)直鎖状、分岐状又は環状の
炭素数1〜12個のアルキルスルホン酸のアニオンで、
その水素原子の一部又は全部をフッ素原子で置換されて
いても良い、又は(b)分岐状又は環状の炭素数8個以
上のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる
基を少なくとも1個有するか、直鎖状、分岐状又は環状
の炭素数4〜7個のアルキル基及びアルコキシ基の群の
中から選ばれる基を少なくとも2個有するか、直鎖状又
は分岐状の炭素数1〜3個のアルキル基及びアルコキシ
基の群の中から選ばれる基を少なくとも3個有するか、
1〜5個のハロゲン原子を有するか、若しくは直鎖状又
は分岐状の炭素数1〜10のエステル基を有するベンゼ
ンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセン
スルホン酸のアニオン、を示す。 【0020】 【化5】 【0021】式(A−3)中、R7〜R10は、同一でも
異なっていてもよく、各々水素原子、アルキル基、シク
ロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、又はハロ
ゲン原子を示す。X-は、上記と同義である。m、n、
p及びqは、各々1〜3の整数を示す。 【0022】 【化6】 【0023】式(A−4)中、R11〜R13は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
又は−S−R6基を示す。R6、X-は上記と同義であ
る。l、m及びnは、同じでも異なってもよく、1〜3
の整数を示す。l、m及びnが各々2又は3の場合、2
〜3個のR11〜R13のうちの各々の2個が互いに結合し
て、炭素環、複素環又は芳香環を含む5〜8個の元素か
ら成る環を形成してもよい。 【0024】 【化7】 【0025】式(A−5)中、R14〜R16は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
又は−S−R6基を示す。R6、X-は前記と同義であ
る。l、m及びnは、同じでも異なってもよく、1〜3
の整数を示す。l、m及びnが各々2又は3の場合、2
〜3個のR14〜R16のうちの各々の2個が互いに結合し
て、炭素環、複素環又は芳香環を含む5〜8個の元素か
ら成る環を形成してもよい。 【0026】 【化8】 【0027】式(A−6)中、Yは置換基を有していて
もよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換されていても
よいアラルキル基、 【0028】 【化9】 【0029】で表される基を示す(R31〜R51は、同一
でも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有してい
てもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、アルコキシ基、
アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリ
ール基、アシロキシ基、アラルキル基もしくはアルコキ
シカルボニル基、又はホルミル基、ニトロ基、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、もしくはシアノ基
を示し、R31〜R35、R36〜R42及びR43〜R51はそれ
ぞれの群のうちの2つが結合して炭素原子及び/又はヘ
テロ原子からなる5〜8員環を形成していもよい)。ま
た、Yは別のイミドスルホネート化合物の残基と結合し
ていてもよい。 【0030】Xは置換基を有していてもよい直鎖、分岐
アルキレン基、置換基を有していてもよくヘテロ原子を
含んでいてもよい単環又は多環環状アルキレン基、置換
されていてもよい直鎖、分岐アルケニレン基、置換され
ていてもよくヘテロ原子を含んでいてもよい単環又は多
環環状アルケニレン基、置換されていてもよいアリーレ
ン基、置換されていてもよいアラルキレン基を示す。ま
た、Xは別のイミドスルホネート残基と結合していても
よい。 【0031】 Ar1−SO2−SO2−Ar2 (A−7) 式(A−7)中、Ar1、Ar2は、同一でも異なってい
てもよく、置換もしくは未置換のアリール基を示す。 【0032】(5) 上記(b)活性放射線の照射によ
り酸を発生する化合物が、活性放射線の照射により、ス
ルホン酸を発生する下記一般式(PAG3)及び(PA
G4)で表される化合物のうち少なくとも1種であるこ
とを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載の
ポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。 【0033】 【化10】 【0034】式中、Ar1、Ar2は、各々独立に、置換
もしくは未置換のアリール基を示す。R203、R204、R
205は、各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル
基、アリール基を示す。 【0035】Z-は、少なくとも1つのフッ素原子を有
するスルホン酸アニオンを示す。またR203、R204、R
205のうちの2つおよびAr1、Ar2はそれぞれの単結
合または置換基を介して結合してもよい。 【0036】(6) 更に、活性放射線の照射によりフ
ッ素原子を含有しないスルホン酸を発生する化合物、及
び、活性放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合
物の少なくともいずれかを含有することを特徴とする上
記(5)に記載のポジ型電子線、X線又はEUV用レジ
スト組成物。 (7) 更に環状アミン化合物を含有することを特徴と
する上記(1)〜(6)のいずれかに記載のポジ型電子
線、X線又はEUV用レジスト組成物。 (8) 更にフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活
性剤又はその両方を含有することを特徴とする上記
(1)〜(7)のいずれかに記載のポジ型電子線、X線
又はEUV用レジスト組成物。 (9) 酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対す
る溶解性が増大する化合物をさらに含むことを特徴とす
る上記(1)〜(8)のいずれかに記載のポジ型電子
線、X線又はEUV用レジスト組成物。 (10) 前記レジスト組成物中に含まれる酸の含有量
が500ppm以下であることを特徴とする上記(1)
〜(9)のいずれかに記載のポジ型電子線、X線又はE
UV用レジスト組成物。 【0037】 【発明の実施の形態】以下本発明を詳細に説明する。 (a)−1:上記一般式(X)で示される基を有する、
酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性
が増大する樹脂 一般式(X)におけるR1、R2のアルキル基としては、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、
t−ブチル基等の炭素数1〜4個のアルキル基が挙げら
れる。 【0038】Wにおける2価の有機基としては、好まし
くは置換基を有していてもよい、直鎖、分岐あるいは環
状のアルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン
基、アラルキレン基並びに、−S−、−C(=O)−、
−N(R4)−、−SO−、−SO2−、−CO2−、−
N(R4)SO2−あるいはこれらの基を2つ以上組み合
わせた2価の基を挙げることができる。ここでR4は水
素原子又はアルキル基(アルキル基の具体例としては上
記R1と同様のものが挙げられる)を挙げることができ
る。 【0039】R3における総炭素数11〜20の置換基
を有してもよいアルキル基としては、総炭素数11〜2
0の置換基を有してもよい鎖状アルキル基、総炭素数1
1〜20の置換基を有してもよい環状アルキル基が挙げ
られる。 【0040】上記R3の炭素数11〜20、好ましくは
炭素数11〜18、の鎖状アルキル基としては、直鎖状
であっても分岐状であっても良く、例えばn−ウンデシ
ル基、i−ウンデシル基、n−ドデシル基、i−ドデシ
ル基、n−トリデシル基、i−トリデシル基、n−テト
ラデシル基、i−テトラデシル基、n−ペンタデシル
基、i−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、i−ヘ
キサデシル基、n−ヘプタデシル基、i−ヘプタデシル
基、n−オクタデシル基、i−オクタデシル基、n−ノ
ナデシル基、i−ノナデシル基等を挙げることができ
る。 【0041】上記R3の炭素数11〜20、好ましくは
炭素数11〜18、の環状アルキル基としては、20ま
での炭素数で環を形成する場合でも置換基を有した環状
アルキルでも良く、例えばシクロウンデシル基、シクロ
ドデシル基、シクロトリデシル基、シクロトリデシル
基、シクロテトラデシル基、シクロペンタデシル基、シ
クロヘキサデシル基、シクロヘプタデシル基、シクロオ
クタデシル基、シクロノナデシル基、4−シクロヘキシ
ルシクロヘキシル基、4−n−ヘキシルシクロヘキシル
基、ペンタニルシクロヘキシル基、ヘキシルオキシシク
ロヘキシル基、ペンタニルオキシシクロヘキシル基等を
挙げることが出来る。ここに挙げた以外の置換環状アル
キル基も上記範囲内であれば使用できることができる。 【0042】上記R3の炭素数11〜30、好ましくは
炭素数11〜25、のアリール基としては、4−シクロ
ペンチルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、
4−シクロヘプテニルフェニル基、4−シクロオクタニ
ルフェニル基、2−シクロペンチルフェニル基、2−シ
クロヘキシルフェニル基、2−シクロヘプテニルフェニ
ル基、2−シクロオクタニルフェニル基、3−シクロペ
ンチルフェニル基、3−シクロヘキシルフェニル基、3
−シクロヘプテニルフェニル基、3−シクロオクタニル
フェニル基、4−シクロペンチルオキシフェニル基、4
−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−シクロヘプテ
ニルオキシフェニル基、4−シクロオクタニルオキシフ
ェニル基、2−シクロペンチルオキシフェニル基、2−
シクロヘキシルオキシフェニル基、2−シクロヘプテニ
ルオキシフェニル基、2−シクロオクタニルオキシフェ
ニル基、3−シクロペンチルオキシフェニル基、3−シ
クロヘキシルオキシフェニル基、3−シクロヘプテニル
オキシフェニル基、3−シクロオクタニルオキシフェニ
ル基、4−n−ペンチルフェニル基、4−n−ヘキシル
フェニル基、4−n−ヘプテニルフェニル基、4−n−
オクタニルフェニル基、2−n−ペンチルフェニル基、
2−n−ヘキシルフェニル基、2−n−ヘプテニルフェ
ニル基、2−n−オクタニルフェニル基、3−n−ペン
チルフェニル基、3−n−ヘキシルフェニル基、3−n
−ヘプテニルフェニル基、3−n−オクタニルフェニル
基、2,6−ジ−イソプロピルフェニル基、2,3−ジ
−イソプロピルフェニル基、2,4−ジ−イソプロピル
フェニル基、3,4−ジ−イソプロピルフェニル基、
3,6−ジ−t−ブチルフェニル基、2,3−ジ−t−
ブチルフェニル基、2,4−ジ−t−ブチルフェニル
基、3,4−ジ−t−ブチルフェニル基、2,6−ジ−
n−ブチルフェニル基、2,3−ジ−n−ブチルフェニ
ル基、2,4−ジ−n−ブチルフェニル基、3,4−ジ
−n−ブチルフェニル基、2,6−ジ−i−ブチルフェ
ニル基、2,3−ジ−i−ブチルフェニル基、2,4−
ジ−i−ブチルフェニル基、3,4−ジ−i−ブチルフ
ェニル基、2,6−ジ−t−アミルフェニル基、2,3
−ジ−t−アミルフェニル基、2,4−ジ−t−アミル
フェニル基、3,4−ジ−t−アミルフェニル基、2,
6−ジ−i−アミルフェニル基、2,3−ジ−i−アミ
ルフェニル基、2,4−ジ−i−アミルフェニル基、
3,4−ジ−i−アミルフェニル基、2,6−ジ−n−
ペンチルフェニル基、2,3−ジ−n−ペンチルフェニ
ル基、2,4−ジ−n−ペンチルフェニル基、3,4−
ジ−n−ペンチルフェニル基、4−アダマンチルフェニ
ル基、2−アダマンチルフェニル基、4−イソボロニル
フェニル基、3−イソボロニルフェニル基、2−イソボ
ロニルフェニル基、4−シクロペンチルオキシフェニル
基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−シクロ
ヘプテニルオキシフェニル基、4−シクロオクタニルオ
キシフェニル基、2−シクロペンチルオキシフェニル
基、2−シクロヘキシルオキシフェニル基、2−シクロ
ヘプテニルオキシフェニル基、2−シクロオクタニルオ
キシフェニル基、3−シクロペンチルオキシフェニル
基、3−シクロヘキシルオキシフェニル基、3−シクロ
ヘプテニルオキシフェニル基、3−シクロオクタニルオ
キシフェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル基、
4−n−ヘキシルオキシフェニル基、4−n−ヘプテニ
ルオキシフェニル基、4−n−オクタニルオキシフェニ
ル基、2−n−ペンチルオキシフェニル基、2−n−ヘ
キシルオキシフェニル基、2−n−ヘプテニルオキシフ
ェニル基、2−n−オクタニルオキシフェニル基、3−
n−ペンチルオキシフェニル基、3−n−ヘキシルオキ
シフェニル基、3−n−ヘプテニルオキシフェニル基、
3−n−オクタニルオキシフェニル基、2,6−ジ−イ
ソプロピルオキシフェニル基、2,3−ジ−イソプロピ
ルオキシフェニル基、2,4−ジ−イソプロピルオキシ
フェニル基、3,4−ジ−イソプロピルオキシフェニル
基、2,6−ジ−t−ブチルオキシフェニル基、2,3
−ジ−t−ブチルオキシフェニル基、2,4−ジ−t−
ブチルオキシフェニル基、3,4−ジ−t−ブチルオキ
シフェニル基、2,6−ジ−n−ブチルオキシフェニル
基、2,3−ジ−n−ブチルオキシフェニル基、2,4
−ジ−n−ブチルオキシフェニル基、3,4−ジ−n−
ブチルオキシフェニル基、2,6−ジ−i−ブチルオキ
シフェニル基、2,3−ジ−i−ブチルオキシフェニル
基、2,4−ジ−i−ブチルオキシフェニル基、3,4
−ジ−i−ブチルオキシフェニル基、2,6−ジ−t−
アミルオキシフェニル基、2,3−ジ−t−アミルオキ
シフェニル基、2,4−ジ−t−アミルオキシフェニル
基、3,4−ジ−t−アミルオキシフェニル基、2,6
−ジ−i−アミルオキシフェニル基、2,3−ジ−i−
アミルオキシフェニル基、2,4−ジ−i−アミルオキ
シフェニル基、3,4−ジ−i−アミルオキシフェニル
基、2,6−ジ−n−ペンチルオキシフェニル基、2,
3−ジ−n−ペンチルオキシフェニル基、2,4−ジ−
n−ペンチルオキシフェニル基、3,4−ジ−n−ペン
チルオキシフェニル基、4−アダマンチルオキシフェニ
ル基、3−アダマンチルオキシフェニル基、2−アダマ
ンチルオキシフェニル基、4−イソボロニルオキシフェ
ニル基、3−イソボロニルオキシフェニル基、2−イソ
ボロニルオキシフェニル基、等が挙げられこれらは上記
範囲内であればさらに置換しても良く上記例以外の置換
基に限定しない。 【0043】R3の炭素数12〜30、好ましくは炭素
数12〜25、のアラルキル基としては、4−シクロペ
ンチルフェニルエチル基、4−シクロヘキシルフェニル
エチル基、4−シクロヘプテニルフェニルエチル基、4
−シクロオクタニルフェニルエチル基、2−シクロペン
チルフェニルエチル基、2−シクロヘキシルフェニルエ
チル基、2−シクロヘプテニルフェニルエチル基、2−
シクロオクタニルフェニルエチル基、3−シクロペンチ
ルフェニルエチル基、3−シクロヘキシルフェニルエチ
ル基、3−シクロヘプテニルフェニルエチル基、3−シ
クロオクタニルフェニルエチル基、4−シクロペンチル
オキシフェニルエチル基、4−シクロヘキシルオキシフ
ェニルエチル基、4−シクロヘプテニルオキシフェニル
エチル基、4−シクロオクタニルオキシフェニルエチル
基、2−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、2−
シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、2−シクロヘ
プテニルオキシフェニルエチル基、2−シクロオクタニ
ルオキシフェニルエチル基、3−シクロペンチルオキシ
フェニルエチル基、3−シクロヘキシルオキシフェニル
エチル基、3−シクロヘプテニルオキシフェニルエチル
基、3−シクロオクタニルオキシフェニルエチル基、4
−n−ペンチルフェニルエチル基、4−n−ヘキシルフ
ェニルエチル基、4−n−ヘプテニルフェニルエチル
基、4−n−オクタニルフェニルエチル基、2−n−ペ
ンチルフェニルエチル基、2−n−ヘキシルフェニルエ
チル基、2−n−ヘプテニルフェニルエチル基、2−n
−オクタニルフェニルエチル基、3−n−ペンチルフェ
ニルエチル基、3−n−ヘキシルフェニルエチル基、3
−n−ヘプテニルフェニルエチル基、3−n−オクタニ
ルフェニルエチル基、2,6−ジ−イソプロピルフェニ
ルエチル基、2,3−ジ−イソプロピルフェニルエチル
基、2,4−ジ−イソプロピルフェニルエチル基、3,
4−ジ−イソプロピルフェニルエチル基、2,6−ジ−
t−ブチルフェニルエチル基、2,3−ジ−t−ブチル
フェニルエチル基、2,4−ジ−t−ブチルフェニルエ
チル基、3,4−ジ−t−ブチルフェニルエチル基、
2,6−ジ−n−ブチルフェニルエチル基、2,3−ジ
−n−ブチルフェニルエチル基、2,4−ジ−n−ブチ
ルフェニルエチル基、3,4−ジ−n−ブチルフェニル
エチル基、2,6−ジ−i−ブチルフェニルエチル基、
2,3−ジ−i−ブチルフェニルエチル基、2,4−ジ
−i−ブチルフェニルエチル基、3,4−ジ−i−ブチ
ルフェニルエチル基、2,6−ジ−t−アミルフェニル
エチル基、2,3−ジ−t−アミルフェニルエチル基、
2,4−ジ−t−アミルフェニルエチル基、3,4−ジ
−t−アミルフェニルエチル基、2,6−ジ−i−アミ
ルフェニルエチル基、2,3−ジ−i−アミルフェニル
エチル基、2,4−ジ−i−アミルフェニルエチル基、
3,4−ジ−i−アミルフェニルエチル基、2,6−ジ
−n−ペンチルフェニルエチル基、2,3−ジ−n−ペ
ンチルフェニルエチル基、2,4−ジ−n−ペンチルフ
ェニルエチル基、3,4−ジ−n−ペンチルフェニルエ
チル基、4−アダマンチルフェニルエチル基、3−アダ
マンチルフェニルエチル基、2−アダマンチルフェニル
エチル基、4−イソボロニルフェニルエチル基、3−イ
ソボロニルフェニルエチル基、2−イソボロニルフェニ
ルエチル基、4−シクロペンチルオキシフェニルエチル
基、4−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、4−
シクロヘプテニルオキシフェニルエチル基、4−シクロ
オクタニルオキシフェニルエチル基、2−シクロペンチ
ルオキシフェニルエチル基、2−シクロヘキシルオキシ
フェニルエチル基、2−シクロヘプテニルオキシフェニ
ルエチル基、2−シクロオクタニルオキシフェニルエチ
ル基、3−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、3
−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、3−シクロ
ヘプテニルオキシフェニルエチル基、3−シクロオクタ
ニルオキシフェニルエチル基、4−n−ペンチルオキシ
フェニルエチル基、4−n−へキシルオキシフェニルエ
チル基、4−n−ヘプテニルオキシフェニルエチル基、
4−n−オクタニルオキシフェニルエチル基、2−n−
ペンチルオキシフェニルエチル基、2−n−ヘキシルオ
キシフェニルエチル基、2−n−ヘプテニルオキシフェ
ニルエチル基、2−n−オクタニルオキシフェニルエチ
ル基、3−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、3−
n−ヘキシルオキシフェニルエチル基、3−n−ヘプテ
ニルオキシフェニルエチル基、3−n−オクタニルオキ
シフェニルエチル基、2,6−ジーイソプロピルオキシ
フェニルエチル基、2,3−ジ−イソプロピルオキシフ
ェニルエチル基、2,4−ジ−イソプロピルオキシフェ
ニルエチル基、3,4一ジーイソプロピルオキシフェニ
ルエチル基、2,6−ジ−t−ブチルオキシフェニルエ
チル基、2,3−ジ−t−ブチルオキシフェニルエチル
基、2,4−ジ−t−ブチルオキシフェニルエチル基、
3,4−ジ−t−ブチルオキシフェニルエチル基、2,
6−ジ−n−ブチルオキシフェニルエチル基、2,3−
ジ−n−ブチルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−
n−ブチルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−n−
ブチルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−i−ブチ
ルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−i−ブチルオ
キシフェニルエチル基、2,4−ジ−i−ブチルオキシ
フェニルエチル基、3,4−ジ−i−ブチルオキシフェ
ニルエチル基、2,6−ジ−t−アミルオキシフェニル
エチル基、2,3−ジ−t−アミルオキシフェニルエチ
ル基、2,4−ジ−t−アミルオキシフェニルエチル
基、3,4−ジ−t−アミルオキシフェニルエチル基、
2,6−ジ−i−アミルオキシフェニルエチル基、2,
3−ジ−i−アミルオキシフェニルエチル基、2,4−
ジ−i−アミルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−
i−アミルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−n−
ペンチルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−n−ペ
ンチルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−n−ペン
チルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−n−ペンチ
ルオキシフェニルエチル基、4−アダマンチルオキシフ
ェニルエチル基、3−アダマンチルオキシフェニルエチ
ル基、2−アダマンチルオキシフェニルエチル基、4−
イソボロニルオキシフェニルエチル基、3−イソボロニ
ルオキシフェニルエチル基、2−イソボロニルオキシフ
ェニルエチル基、あるいは、上記アルキルがメチル基、
プロピル基、ブチル基などに置き換えたもの等が挙げら
れる。 【0044】また、上記基の更なる置換基としては、水
酸基、ハロゲン原子(フツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、
ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・
エトキシ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒ
ドロキシプロポキシ基・n−ブトキシ基・イソブトキシ
基・sec−ブトキシ基・t−ブトキシ基等のアルコキ
シ基、メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等
のアルコキシカルボニル基、ベンジル基・フエネチル基
・クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホ
ルミル基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シ
アナミル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ
基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキ
シ基・プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニル
オキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、
フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ
基等のアリールオキシカルボニル基を挙げることができ
る。 【0045】R3の置換基としては、好ましくは炭素数
11〜25のアリール基又は炭素数12〜25のアラル
キル基である。これらの置換基はさらに置換基を有して
もよく、置換アリール基や置換アラルキル基の炭素数が
この範囲内であればよい。 【0046】また、上記一般式(X)において、R1
2の少なくとも何れかが炭素数2〜4の直鎖又は分岐
のアルキル基であることが好ましい。 【0047】一般式(X)で示される基の具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではない。 【0048】 【化11】 【0049】 【化12】【0050】 【化13】【0051】 【化14】【0052】本発明における一般式(X)で示される基
を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対す
る溶解性が増大する樹脂(以下、一般式(X)で示され
る基を有する樹脂ともいう)は、モノマ−を重合して得
られる、分子量分布を有する化合物に、一般式(X)で
示される酸分解性基を導入した構造を有し、酸の作用に
よりアルカリ可溶性となる化合物のことである。 【0053】一般式(X)で示される基を有する樹脂と
しては、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖
の両方に、一般式(X)で示される基を有する樹脂であ
る。この内、一般式(X)で示される基を側鎖に有する
樹脂がより好ましい。 【0054】次に、一般式(X)で示される基が側鎖と
して結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−OHも
しくは−COOH、好ましくは−R0−COOHもしく
は−Ar−OH基を有するアルカリ可溶性樹脂である。
例えば、後述する酸分解性基を含有していないアルカリ
可溶性樹脂を挙げることができる。ここで、−R0−は
置換基を有してもよい2価以上の脂肪族もしくは芳香族
炭化水素を表し、−Ar−は単環もしくは多環の置換基
を有してもよい2価以上の芳香族基を表す。 【0055】本発明において好ましい母体樹脂として
は、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂で
ある。 【0056】本発明に用いられるフェノール性水酸基を
有するアルカリ可溶性樹脂は、o−、m−又はp−ヒド
ロキシスチレン(これらを総称してヒドロキシスチレン
と言う)、あるいはo−、m−又はp−ヒドロキシ−α
−メチルスチレン(これらを総称してヒドロキシ−α−
メチルスチレンと言う)に相当する繰り返し単位を少な
くとも30モル%、好ましくは50モル%以上含有する
共重合体又はそのホモポリマー、あるいは該単位のベン
ゼン核が部分的に水素添加された樹脂であることが好ま
しく、p−ヒドロキシスチレンホモポリマーがより好ま
しい。 【0057】上記共重合体を共重合により調製するため
のヒドロキシスチレン及びヒドロキシ−α−メチルスチ
レン以外のモノマーとしては、アクリル酸エステル類、
メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリ
ルアミド類、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、
無水マレイン酸、スチレン、α−メチルスチレン、アセ
トキシスチレン、アルコキシスチレン類が好ましく、ス
チレン、アセトキシスチレン、t−ブトキシスチレンが
より好ましい。 【0058】本発明では、このような樹脂中における一
般式(X)で示される基を有する繰り返し単位(構造単
位)の含有量としては、全繰り返し単位に対して3モル
%〜50モル%が好ましく、より好ましくは5モル%〜
30モル%である。 【0059】本発明において一般式(X)で示される基
を有する樹脂中には、上記一般式(X)で示される基以
外に、他の酸分解性基を含んでいてもよい。 【0060】上記一般式(X)で示される基を含有する
樹脂は、対応するビニルエーテルを合成し、テトラヒド
ロフラン等の適当な溶媒に溶解したフェノール性水酸基
含有アルカリ可溶性樹脂と既知の方法により反応させる
ことで得ることができる。反応は、通常酸性の触媒、好
ましくは、酸性イオン交換樹脂や、塩酸、p−トルエン
スルホン酸あるいは、ピリジニウムトシレートのような
塩の存在下実施される。対応する上記ビニルエーテル
は、クロロエチルビニルエーテルのような活性な原料か
ら、求核置換反応等の方法により合成することができ、
また水銀やパラジウム触媒を用いて合成することができ
る。 【0061】また、別の方法として、対応するアルコー
ルとビニルエーテルを用いてアセタール交換する方法に
よっても合成することができる。この場合、導入したい
置換基をアルコールに持たせ、ビニルエーテルはt−ブ
チルビニルエーテルのような比較的不安定なビニルエー
テルを混在させ、p−トルエンスルホン酸やピリジニウ
ムトシレートのような酸存在下実施される。 【0062】上記一般式(X)で示される基を含有する
樹脂の重量平均分子量は2000〜200000が好ま
しく、3000〜100000がより好ましく、500
0〜50000が更に好ましい。 【0063】分子量分布(Mw/Mn)の範囲は、1.
01〜4.0であり、好ましくは1.05〜3.00で
ある。 【0064】このような分子量分布のポリマーを得るに
はアニオン重合、ラジカル重合等の手法を用いることが
好ましい。 【0065】このような一般式(X)で示される基を含
有する樹脂の具体的構造を以下に例示するが、本発明は
これらに限定されるものではない。 【0066】 【化15】 【0067】 【化16】【0068】 【化17】 【0069】 【化18】【0070】 【化19】 【0071】 【化20】 【0072】 【化21】 【0073】 【化22】 【0074】 【化23】 【0075】本発明で用いる樹脂(一般式(X)で示さ
れる基を含有する樹脂、一般式(I)及び一般式(II
I)で示される構造単位を有する、酸の作用により分解
し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及
び/又は、上記一般式(I)、一般式(II)及び一般式
(III)で示される構造単位を有する、酸の作用により
分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹
脂)は、アルカリ溶解速度調整及び耐熱姓向上のために
合成段階においてポリヒドロキシ化合物を添加して、ポ
リマー主鎖を多官能アセタール基で連結する架橋部位を
導入してもよい。 【0076】ポリヒドロキシ化合物の添加量は樹脂の水
酸基の数に対して、0.01〜10mol%、好ましく
は0.05〜8mol%、更に好ましくは0.1〜5m
ol%である。 【0077】ポリヒドロキシ化合物としては、フェノー
ル性水酸基あるいアルコール性水酸基を2〜6個持つも
のがあげられ、好ましくは水酸基の数が2〜4個であ
り、更に好ましくは水酸基の数が2又は3個である。以
下に具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。 【0078】 【化24】 【0079】(a)−2:上記一般式(I)及び一般式
(III)で示される構造単位を有する、酸の作用により
分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂
(以下、(A)−1の樹脂ともいう)、及び/又は、上
記一般式(I)、一般式(II)及び一般式(III)で示
される構造単位を有する、酸の作用により分解し、アル
カリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(以下、
(A)−2の樹脂ともいう)R21は、水素原子又はメ
チル基を表す。 【0080】R22における酸の作用により分解しない
基(酸安定基ともいう)としては、水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
アリール基、アルキルオキシ基(但し、−O−第3級ア
ルキルは除く)、アシル基、シクロアルキルオキシ基、
アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルカル
ボニルオキシ基、アルキルアミドメチルオキシ基、アル
キルアミド基、アリールアミドメチル基、アリールアミ
ド基等が挙げられる。酸安定基としては、好ましくはア
シル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ
基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アル
キルアミドオキシ基、アルキルアミド基であり、より好
ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アル
キルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキ
シ基である。 【0081】R22の酸安定基において、アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基の様な炭素数1〜
4個のものが好ましく、シクロアルキル基としてはシク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、ア
ダマンチル基の様な炭素数3〜10個のものが好まし
く、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、ア
リル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好ま
しく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、
アリル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好
ましく、アリール基としてはフエニル基、キシリル基、
トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル
基の様な炭素数6〜14個のものが好ましい。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエ
トキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n
−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基等
の炭素数1〜4個のアルコキシ基が好ましい。 【0082】上記R23におけるハロゲン原子として
は、フッ素、塩素、臭素、沃素が好ましく、アルキル基
としては、メチル、エチル、プロピル、n−ブチル、s
ec−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル等のよ
うな炭素数1〜8個のものが好ましく、アリール基とし
ては、フェニル、キシリル、トルイル、クメニル、ナフ
チル、アントラセニル等のような炭素数6〜14のもの
が好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ、エトキ
シ、ヒドロキシエトキシ、プロポキシ、ヒドロキシプロ
ポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキ
シ、t−ブトキシ等のような炭素数1〜4個のものが好
ましく、アシル基としては、ホルミル、アセチル、プロ
パノイル、ブタノイル、ベンゾイル等の炭素数1〜7の
ものが好ましく、アシロキシ基としては、アセトキシ、
プロプノイルオキシ、ブタノイルオキシ、ベンゾイルオ
キシ等の炭素数2〜7個のものが好ましい。 【0083】一般式(I)における置換基Wは、前記一
般式(X)のことであり、一般式(X)は前述の通りで
ある。 【0084】このような一般式(I)で示される構造単
位の具体的構造を以下に例示するが、本発明はこれらに
限定されるものではない。 【0085】 【化25】 【0086】 【化26】【0087】 【化27】 【0088】 【化28】【0089】 【化29】 【0090】 【化30】 【0091】一般式(II)で表される構造単位を樹脂に
含有させることにより、該樹脂が酸の作用により分解
し、アルカリ現像液中での溶解度を制御することができ
る。また、この構造単位を導入することによって矩形性
の優れたプロファイルを達成できる。さらには、一般式
(I)で表される構造単位の量を調整するのに有効であ
る。 【0092】このような一般式(II)で示される構造単
位の重合性モノマーの具体例としては、以下のものが挙
げられるが、これらに限定されるものではない。 【0093】 【化31】 【0094】 【化32】【0095】これら一般式(II) 、又は一般式(III)
で示される構造単位を含む樹脂は、フェノール樹脂ある
いは、そのモノマーへ、塩基存在下で酸無水物と反応さ
せることにより、あるいは塩基存在下対応するハライド
と反応させることなどにより得ることができる。 【0096】本発明の(A)−1の樹脂における一般式
(I)及び一般式(III)で示される繰り返し構造単位
の比率は、モル比で(一般式(I)で示される構造単位
/一般式(III)で示される構造単位)5/95〜50
/50であり、好ましくは10/90〜30/70であ
る。 【0097】また、本発明の(A)−2の樹脂における
一般式(I)、一般式(II)及び一般式(III)で示さ
れる構造単位の比率が、下記〜の条件を満足するこ
とが好ましい。 0.10<(I)/(I)+(II)+(III)<0.
25 0.01<(II)/(I)+(II)+(III)<0.
15 (I)>(III) 0.5<(I)/(I)+(II)<0.85 (式中、(I)、(II)、(III)は、各々、一般式
(I)、一般式(II)及び一般式(III)で示される構
造単位のモル分率を表す。) 本発明において、(A)−1の樹脂又は(A)−2の樹
脂は、一般式(I)、一般式(II)又は一般式(III)
で表される構造単位の他に共重合成分として他のモノマ
ー単位を含んでいてもよい。 【0098】一般式(I)、一般式(II) 又は一般式
(III)で示される繰り返し構造単位、又は他の重合性
モノマーからの繰り返し構造単位は、各々一種、又は二
種以上を組み合わせて樹脂中に存在させてもよい。 【0099】また、本発明のポジ型レジスト組成物にお
いて、(A)−1の樹脂又は(A)−2の樹脂は同時に
存在しても良く、更に他の樹脂を併用させても良い。 【0100】本発明において、(A)−1の樹脂と
(A)−2の樹脂が同時に存在する場合、(A)−1の
樹脂の含有量は、樹脂全体に対して、20〜90重量%
であり、好ましくは40〜70重量%である。 【0101】また、(A)−2の樹脂の含有量は、樹脂
全体に対して、20〜90重量%であり、好ましくは3
0〜50重量%である。 【0102】また本発明のポジ型レジスト組成物に含有
される樹脂は、アルカリ現像液に対する良好な現像性を
維持するために、アルカリ可溶性基、例えばフェノール
性水酸基、カルボキシル基が導入され得るように適切な
他の重合性モノマーが共重合されていてもよい。 【0103】上記の方法によって合成される本発明の
(A)−1の樹脂又は(A)−2の樹脂の分子量は、重
量平均(Mw:ポリスチレン標準)で2,000以上、
好ましくは3,000〜100,000であり、より好
ましくは5,000〜40,000である。 【0104】また、分散度(Mw/Mn)は、好ましく
は1.0〜4.0、より好ましくは1.0〜3.5、特
に好ましくは1.0〜3.0であり、分散度が小さい
程、耐熱性、画像形成性(パターンプロファイル、デフ
ォーカスラチチュード等)が良好となる。 【0105】本発明の一般式(I)、一般式(II)及び
一般式(III)で示される繰り返し構造単位を有する樹
脂((A)−2の樹脂)の具体例を以下に示すが、本発
明がこれらに限定されるものではない。 【0106】尚、一般式(I)及び一般式(III)で示
される繰り返し構造単位を有する樹脂((A)−1の樹
脂)の具体例としては、上述の具体例(A−1)〜(A
−28)が挙げられるが、本発明がこれらに限定される
ものではない。 【0107】 【化33】 【0108】 【化34】【0109】 【化35】【0110】 【化36】【0111】 【化37】 【0112】上記一般式(X)で示される基を有する樹
脂((A)−1の樹脂又は(A)−2の樹脂も含む)の
ポジ型レジスト組成物中(塗布溶媒を除く)の含有量
は、好ましくは50〜99重量%、更に好ましくは70
〜97重量%である。 【0113】また、本発明においては、他の酸分解性基
を有する樹脂を併用してもよい。本発明における化学増
幅型レジストにおいて用いられる他の酸により分解し、
アルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する樹
脂としては、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び
側鎖の両方に、酸で分解し得る基を有する樹脂である。
この内、酸で分解し得る基を側鎖に有する樹脂がより好
ましい。 【0114】酸で分解し得る基として好ましい基は、−
COOA0、−O−B0基であり、更にこれらを含む基と
しては、−R0−COOA0、又は−Ar−O−B0で示
される基が挙げられる。 【0115】ここでA0は、−C(R01)(R02)(R
03)、−Si(R01)(R02)(R0 3)又は−C
(R04)(R05)−O−R06基を示す。B0は、−A0
は−CO−O−A0基を示す(R0、R01〜R06、及びA
rは後述のものと同義)。 【0116】酸分解性基としては好ましくは、シリルエ
ーテル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒ
ドロピラニルエーテル基、テトラヒドロピラニルエステ
ル基、エノールエーテル基、エノールエステル基、第3
級のアルキルエーテル基、第3級のアルキルエステル
基、第3級のアルキルカーボネート基等である。更に好
ましくは、第3級アルキルエステル基、第3級アルキル
カーボネート基、クミルエステル基、アセタール基、テ
トラヒドロピラニルエーテル基である。 【0117】次に、これら酸で分解し得る基が側鎖とし
て結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−OHもし
くは−COOHを含有する基、好ましくは−R0−CO
OH基もしくは−Ar −OH基を有するアルカリ可溶性
樹脂である。例えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙
げることができる。 【0118】これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解
速度は、0.261Nテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して170
A/秒以上のものが好ましい。特に好ましくは330A
/秒以上のものである(Aはオングストローム)。 【0119】また、矩形プロファイルを達成する点から
遠紫外光やエキシマレーザー光に対する透過率が高いア
ルカリ可溶性樹脂が好ましい。好ましくは、1μm膜厚
の248nmでの透過率が20〜90%である。 【0120】このような観点から、特に好ましいアルカ
リ可溶性樹脂は、o−,m−,p−ポリ(ヒドロキシス
チレン)及びこれらの共重合体、水素化ポリ(ヒドロキ
シスチレン)、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリ(ヒ
ドロキシスチレン)、ポリ(ヒドロキシスチレン)の一
部、O−アルキル化もしくはO−アシル化物、スチレン
−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−
ヒドロキシスチレン共重合体及び水素化ノボラック樹脂
である。 【0121】本発明に用いられる酸で分解し得る基を有
する樹脂は、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の
前駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結
合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと
共重合して得ることができる。 【0122】上記酸発生剤、酸で分解し得る基を有する
樹脂とともに、後記する酸分解性低分子溶解阻止化合物
を混合してもよい。 【0123】本発明に用いられる酸分解性溶解阻止化合
物としては、その構造中に酸で分解し得る基を少なくと
も2個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置に
おいて、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも8個経
由する化合物である。 【0124】また、本発明に使用される酸分解性低分子
溶解阻止化合物は、一般式(X)で示される酸分解基を
少なくとも1種含有してもよい。 【0125】本発明において、好ましくは酸分解性溶解
阻止化合物は、その構造中に酸で分解し得る基を少なく
とも2個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置
において、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも10
個、好ましくは少なくとも11個、更に好ましくは少な
くとも12個経由する化合物、又は酸分解性基を少なく
とも3個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置
において、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも9
個、好ましくは少なくとも10個、更に好ましくは少な
くとも11個経由する化合物である。又、上記結合原子
の好ましい上限は50個、更に好ましくは30個であ
る。 【0126】本発明において、酸分解性溶解阻止化合物
が、酸分解性基を3個以上、好ましくは4個以上有する
場合、又酸分解性基を2個有するものにおいても、該酸
分解性基が互いにある一定の距離以上離れている場合、
アルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止性が著しく向上す
る。 【0127】なお、本発明における酸分解性基間の距離
は、酸分解性基を除く、経由結合原子数で示される。例
えば、以下の化合物(1),(2)の場合、酸分解性基
間の距離は、各々結合原子4個であり、化合物(3)で
は結合原子12個である。 【0128】 【化38】 【0129】また、本発明の酸分解性溶解阻止化合物
は、1つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有して
いてもよいが、好ましくは、1つのベンゼン環上に1個
の酸分解性基を有する骨格から構成される化合物であ
る。更に、本発明の酸分解性溶解阻止化合物の分子量は
3,000以下であり、好ましくは500〜3,00
0、更に好ましくは1,000〜2,500である。 【0130】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る基、即ち−COO−A0、−O−B0
を含む基としては、−R0−COO−A0、又は−Ar−
O−B0で示される基が挙げられる。 【0131】ここでA0は、−C(R01)(R02)(R
03)、−Si(R01)(R02)(R0 3)もしくは−C
(R04)(R05)−O−R06基を示す。B0は、A0又は
−CO−O−A0基を示す。 【0132】R01、R02、R03、R04及びR05は、それ
ぞれ同一でも相異していてもよく、水素原子、アルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基もしくはアリール
基を示し、R06はアルキル基もしくはアリール基を示
す。但し、R01〜R03の内少なくとも2つは水素原子以
外の基であり、又、R01〜R03、及びR04〜R06の内の
2つの基が結合して環を形成してもよい。R0は置換基
を有していてもよい2価以上の脂肪族もしくは芳香族炭
化水素基を示し、−Ar−は単環もしくは多環の置換基
を有していてもよい2価以上の芳香族基を示す。 【0133】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数3〜10個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜1
4個のものが好ましい。 【0134】また、置換基としては水酸基、ハロゲン原
子(フツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ
基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒド
ロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキ
シ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブト
キシ基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカル
ボニル基、ベンジル基、フエネチル基、クミル基等のア
ラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチ
ル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレ
リル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ
基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニル
オキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアル
ケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノキシ基等の
アリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオ
キシカルボニル基を挙げることができる。 【0135】酸により分解しうる基として、好ましく
は、シリルエーテル基、クミルエステル基、アセタール
基、テトラヒドロピラニルエーテル基、エノールエーテ
ル基、エノールエステル基、第3級のアルキルエーテル
基、第3級のアルキルエステル基、第3級のアルキルカ
ーボネート基等である。更に好ましくは、第3級アルキ
ルエステル基、第3級アルキルカーボネート基、クミル
エステル基、テトラヒドロピラニルエーテル基である。 【0136】酸分解性溶解阻止化合物としては、好まし
くは、特開平1−289946号、特開平1−2899
47号、特開平2−2560号、特開平3−12895
9号、特開平3−158855号、特開平3−1793
53号、特開平3−191351号、特開平3−200
251号、特開平3−200252号、特開平3−20
0253号、特開平3−200254号、特開平3−2
00255号、特開平3−259149号、特開平3−
279958号、特開平3−279959号、特開平4
−1650号、特開平4−1651号、特開平4−11
260号、特開平4−12356号、特開平4−123
57号、特願平3−33229号、特願平3−2307
90号、特願平3−320438号、特願平4−251
57号、特願平4−52732号、特願平4−1032
15号、特願平4−104542号、特願平4−107
885号、特願平4−107889号、同4−1521
95号等の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物の
フエノール性OH基の一部もしくは全部を上に示した
基、−R0−COO−A0もしくはB0基で結合し、保護
した化合物が含まれる。 【0137】更に好ましくは、特開平1−289946
号、特開平3−128959号、特開平3−15885
5号、特開平3−179353号、特開平3−2002
51号、特開平3−200252号、特開平3−200
255号、特開平3−259149号、特開平3−27
9958号、特開平4−1650号、特開平4−112
60号、特開平4−12356号、特開平4−1235
7号、特願平4−25157号、特願平4−10321
5号、特願平4−104542号、特願平4−1078
85号、特願平4−107889号、同4−15219
5号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。 【0138】より具体的には、一般式[I]〜[XV
I]で表される化合物が挙げられる。 【0139】 【化39】 【0140】 【化40】【0141】R101、R102、R108、R130:同一でも異
なっていてもよく、水素原子、−R0−COO−C(R
01)(R02)(R03)又は−CO−O−C(R01)(R
02)(R03)、但し、R0、R01、R02及びR03の定義
は前記と同じである。 【0142】R100:−CO−,−COO−,−NHC
ONH−,−NHCOO−、−O−、−S−、−SO
−、−SO2−、−SO3−、もしくは 【0143】 【化41】 【0144】ここで、G=2〜6 但し、G=2の時は
150、R151のうち少なくとも一方はアルキル基、 R150、R151:同一でも異なっていてもよく、水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、−OH、−COOH、
−CN、ハロゲン原子、−R152−COOR153もしくは
−R15 4−OH、 R152、R154:アルキレン基、 R153:水素原子、アルキル基、アリール基、もしくは
アラルキル基、 R99、R103〜R107、R109、R111〜R118、R131〜R
134:同一でも異なっても良く、水素原子、水酸基、ア
ルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、ア
リール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキ
ルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル
基、シアノ基、もしくは−N(R155)(R156)(R
155、R156:H、アルキル基、もし くはアリール
基) R110:単結合、アルキレン基、もしくは 【0145】 【化42】 【0146】R157、R159:同一でも異なってもよく、
単結合、アルキレン基、−O−、−S−、−CO−、も
しくはカルボキシル基、 R158:水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル
基、アシロキシ基、アリール基、ニトロ基、水酸基、シ
アノ基、もしくはカルボキシル基、但し、水酸基が酸分
解性基(例えば、t−ブトキシカルボニルメチル基、テ
トラヒドロピラニル基、1−エトキシ−1−エチル基、
1−t−ブトキシ−1−エチル基)で置き換ってもよ
い。 【0147】R119、R120:同一でも異なってもよく、
メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレ
ン基、もしくはハロアルキレン基、但し本発明において
低級アルキル基とは炭素数1〜4のアルキル基を指す、 A:メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメ
チレン基、もしくはハロアルキレン基、 a〜v、g1〜n1:複数の時、括弧内の基は同一又は異なっ
ていてもよい、 a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1:0もしくは1〜5の整
数、 r,u :0もしくは1〜4の整数、 j1 ,n1 :0もしくは1〜3の整数、 (a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(g1+h1+i1+j1) ≧2、 (j1+n1)≦3、 (r+u) ≦4、 (a+c),(b+d),(e+h),(f+i),(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q
+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l1),(i1+m1) ≦5、 を表す。 【0148】 【化43】【0149】 【化44】【0150】 【化45】【0151】この場合、該溶解阻止化合物の含量は、レ
ジスト組成物の全重量(溶媒を除く)を基準として3〜
45重量%、好ましくは5〜30重量%、より好ましく
は10〜20重量%である。 【0152】更に、アルカリ溶解性を調節するために、
酸で分解し得る基を有さないアルカリ可溶性樹脂を混合
してもよい。 【0153】そのようなアルカリ可溶性樹脂としては、
例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセト
ン−ピロガロール樹脂、o−ポリヒドロキシスチレン、
m−ポリヒドロキシスチレン、p−ポリヒドロキシスチ
レン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲンもしく
はアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシス
チレン−N−置換マレイミド共重合体、o/p−及びm
/p−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロキシス
チレンの水酸基に対する一部O−アルキル化物(例え
ば、5〜30モル%のO−メチル化物等)もしくはO−
アシル化物(例えば、5〜30モル%のo−アセチル化
物等)、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン
−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−
ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタ
クリル系樹脂及びその誘導体を挙げることができるが、
これらに限定されるものではない。 【0154】特に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボラ
ック樹脂及びo−ポリヒドロキシスチレン、m−ポリヒ
ドロキシスチレン、p−ポリヒドロキシスチレン及びこ
れらの共重合体、アルキル置換ポリヒドロキシスチレ
ン、ポリヒドロキシスチレンの一部O−アルキル化、も
しくはO−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン
共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共
重合体である。該ノボラック樹脂は所定のモノマーを主
成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮
合させることにより得られる。 【0155】所定のモノマーとしては、フェノール、m
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノー
ル、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等のキ
シレノール類、m−エチルフェノール、p−エチルフェ
ノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフェノ
ール、p−オクチルフエノール、2,3,5−トリメチル
フェノール等のアルキルフェノール類、p−メトキシフ
ェノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジメトキ
シフェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノール、
m−エトキシフェノール、p−エトキシフェノール、m
−プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノール、
m−ブトキシフェノール、p−ブトキシフェノール等の
アルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソプロピ
ルフェノール等のビスアルキルフェノール類、m−クロ
ロフェノール、p−クロロフェノール、o−クロロフェ
ノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、
フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトール等の
ヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは2種類以上混合し
て使用することができるが、これらに限定されるもので
はない。 【0156】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセ
トアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−
フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒド
ロキシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒ
ド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズア
ルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベ
ンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メ
チルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、
p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデ
ヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラー
ル、クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール
体、例えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール
等を使用することができるが、これらの中で、ホルムア
ルデヒドを使用するのが好ましい。 【0157】これらのアルデヒド類は、単独でもしくは
2種類以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては
塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸等を使用することが
できる。 【0158】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、1000〜30000の範囲であることが
好ましい。1000未満では未露光部の現像後の膜減り
が大きく30000を越えると現像速度が小さくなって
しまう。特に好適なのは2000〜20000の範囲で
ある。 【0159】また、ノボラック樹脂以外の前記ポリヒド
ロキシスチレン、及びその誘導体、共重合体の重量平均
分子量は、2000以上、好ましくは5000〜200
000、より好ましくは10000〜100000であ
る。また、レジスト膜の耐熱性を向上させるという観点
からは、25000以上が好ましい。 【0160】ここで、重量平均分子量はゲルパーミエー
ションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもっ
て定義される。 【0161】本発明におけるこれらのアルカリ可溶性樹
脂は2種類以上混合して使用してもよい。 【0162】本発明におけるこれらのアルカリ可溶性樹
脂の組成物中の添加量としては、好ましくは5〜30重
量%である。 【0163】本発明で用いられる酸発生剤(b)は、活
性放射線の照射により酸を発生する化合物である。 【0164】本発明で用いられる酸発生剤(b)として
の活性放射線(電子線、X線又はEUV)の照射により
酸を発生する化合物とは、酸発生剤(b)を含有するレ
ジスト膜が、活性放射線の照射を受けることにより、酸
を発生する化合物でさえあればよい。即ち、酸発生剤が
直接、照射を受け酸を発生する化合物であっても、照射
により樹脂などの構成成分から2次電子が放出され、そ
れにより酸を発生する化合物であってもよい。本発明で
使用されるこのような化合物としては、光カチオン重合
の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消
色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用さ
れている公知の光(400〜200nmの紫外線、遠紫
外線、特に好ましくは、g線、h線、i線、KrFエキ
シマレーザー光)、ArFエキシマレーザー光、X線、
分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合物及び
それらの混合物の中から、適宜に選択して使用すること
ができる。 【0165】たとえばジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属/有機ハロゲン化物、o
−ニトロベンジル型保護基を有する酸発生剤、イミノス
ルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発
生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができ
る。 【0166】また、これらの酸を発生する基、あるいは
化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物を用
いることができる。 【0167】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。 【0168】本発明においては、酸発生剤(b)とし
て、上記一般式(A−1)〜(A−7)で示される、活
性放射線の照射により、スルホン酸を発生する化合物が
好ましく使用される。以下、一般式(A−1)〜(A−
7)で示される化合物について詳細に説明する。 【0169】一般式(A−1)〜(A−3)で示される
酸発生剤 前記一般式(A−1)〜(A−3)における、R1〜R6
及びR7〜R10のアルキル基としては、置換基を有して
もよい、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数1
〜4個のものが挙げられる。シクロアルキル基として
は、置換基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個
のものが挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ
基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキ
シ基、t−ブトキシ基のような炭素数1〜4個のものが
挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。アリ
ール基としては、フェニル基、トリル基、メトキシフェ
ニル基、ナフチル基のような置換基を有してもよい炭素
数6〜14個のものが挙げられる。 【0170】置換基として好ましくは、炭素数1〜4個
のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原
子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリール基、炭素
数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、
カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等が
挙げられる。 【0171】本発明で使用される一般式(A−1)〜
(A−3)で表わされるスルホニウム、ヨードニウム化
合物は、その対アニオン、X-として、(a)直鎖状、
分岐状又は環状の炭素数1〜12個のアルキルスルホン
酸のアニオンで、その水素原子の一部又は全部をフッ素
原子で置換されていても良い、又は(b)分岐状又は環
状の炭素数8個以上のアルキル基及びアルコキシ基の群
の中から選ばれる基を少なくとも1個有するか、直鎖
状、分岐状又は環状の炭素数4〜7個のアルキル基及び
アルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも2個
有するか、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜3個のアルキ
ル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なく
とも3個有するか、1〜5個のハロゲン原子を有する
か、若しくは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜10のエス
テル基を有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホ
ン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオン、を有す
る。 【0172】これにより露光後発生する酸(上記基を有
するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又は
アントラセンスルホン酸)の拡散性が小さくなり、且つ
該スルホニウム、ヨードニウム化合物の溶剤溶解性が向
上する。 【0173】特に、拡散性を低減させるという観点から
は上記基として直鎖状のアルキル基又はアルコキシ基よ
り、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基の方
が好ましい。上記基が1個の場合は、直鎖状と分岐状又
は環状との拡散性の差異はより顕著になる。 【0174】炭素数8個以上、好ましくは炭素数8〜2
0個のアルキル基としては、分岐状又は環状のオクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
トリデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基等が挙
げられる。 【0175】炭素数8個以上、好ましくは炭素数8〜2
0個のアルコキシ基としては、分岐状又は環状のオクチ
ルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデ
シルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ
基、テトラデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が
挙げられる。 【0176】炭素数4〜7個のアルキル基としては、直
鎖状、分岐状又は環状のブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基等が挙げられる。 【0177】炭素数4〜7個のアルコキシ基としては、
直鎖状、分岐状又は環状のブトキシ基、ペンチルオキシ
基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基等が挙げられ
る。 【0178】炭素数1〜3個のアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基が
挙げられる。 【0179】炭素数1〜3個のアルコキシ基としては、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロ
ポキシ基が挙げられる。 【0180】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができ、好まし
くはフッ素原子である。 【0181】直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜10
個のエステルとしては、メチルエステル基、エチルエス
テル基、n−プロピルエステル基、i−プロピルエステ
ル基、n−ブチルエステル基、i−ブチルエステル基、
t−ブチルエステル基、n−ヘキシルエステル基、i−
ヘキシルエステル基、t−ヘキシルエステル基、n−ヘ
プチルエステル基、i−ヘプチルエステル基、t−ヘプ
チルエステル基、n−オクチルエステル基、i−オクチ
ルエステル基、t−オクチルエステル、n−ノニルエス
テル基、i−ノニルエステル基、t−ノニルエステル
基、n−デカニルエステル基、i−デカニルエステル
基、t−デカニルエステル、シクロプロピルエステル
基、シクロブチルエステル基、シクロペンチルエステル
基、シクロヘキシルエステル基、シクロヘプチルエステ
ル基、シクロオクチルエステル基、シクロノニルエステ
ル基、シクロデカニルエステル基等が挙げられる。 【0182】直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜12
個のアルキルスルホン酸のアニオンにおけるアルキル基
としては、好ましくは炭素数1〜12個のアルキル基、
例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等を挙げること
ができる。 【0183】また、X-で表されるアルキルスルホン
酸、芳香族スルホン酸には、上記特定の置換基以外に、
ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素
原子)、炭素数6〜10個のアリール基、シアノ基、ス
ルフィド基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基等
を置換基として含有してもよい。 【0184】以下に、これらの化合物の具体例(A−1
−1)〜(A−1−66)、(A−2−1)〜(A−2
−59)、(A−3−1)〜(A−3−35)を示す
が、これに限定されるものではない。 【0185】 【化46】 【0186】 【化47】【0187】 【化48】 【0188】 【化49】【0189】 【化50】【0190】 【化51】【0191】 【化52】【0192】 【化53】【0193】 【化54】【0194】 【化55】【0195】 【化56】【0196】 【化57】【0197】 【化58】 【0198】 【化59】【0199】 【化60】【0200】 【化61】【0201】 【化62】【0202】 【化63】【0203】 【化64】【0204】 【化65】【0205】 【化66】【0206】 【化67】【0207】 【化68】【0208】 【化69】【0209】 【化70】【0210】 【化71】【0211】 【化72】【0212】 【化73】【0213】 【化74】 【0214】尚、具体例中、nは直鎖、sは第2級、t
は第3級、iは分岐であることを示す。 【0215】一般式(A−1)〜(A−3)で表される
化合物は、例えば対応するCl-塩(一般式(A−1)
〜(A−3)でX-をCl- で置換した化合物)と、X-
+で表わされる化合物(X-は一般式(A−1)〜(A
−3)の場合と同義であり、Y+はH+、Na+、K+、N
4 +、N(CH3)4 + 等のカチオンを示す。)とを水溶
液中で塩交換させることにより合成できる。 【0216】一般式(A−4)、(A−5)で示される
酸発生剤 一般式(A−4)、(A−5)において、R11〜R13
14〜R16におけるアルキル基、シクロアルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子は前記R1〜R5のものと同様
のものを具体例として挙げることができる。R6、X
-は、前記と同義である。 【0217】また、l、m、nが各々2又は3の場合、
2又は3個のR11〜R13あるいはR14〜R16のうちの各
々の2個が互いに結合して、炭素環、複素環又は芳香環
を含む5〜8個の元素からなる環を形成してもよい。 【0218】以下に、一般式(A−4)で表される化合
物の具体例(A−4−1)〜(A−4−28)、一般式
(A−5)で表される化合物の具体例(A−5−1)〜
(A−5−30)を示すが、これに限定されるものでは
ない。 【0219】 【化75】 【0220】 【化76】【0221】 【化77】【0222】 【化78】【0223】 【化79】【0224】 【化80】【0225】 【化81】 【0226】 【化82】【0227】 【化83】【0228】 【化84】【0229】 【化85】 【0230】 【化86】 【0231】尚、具体例中、nは直鎖、sは第2級、t
は第3級、iは分岐であることを示す。 【0232】一般式(A−4)、(A−5)で表される
化合物は、例えば対応するCl-塩(一般式(A−
4)、(A−5)でX-をCl-で置換した化合物)と、
-+で表わされる化合物(X-は一般式(A−4)、
(A−5)の場合と同義、Y+はH+、Na+、K+、NH
4 +、N(CH3)4 +等のカチオンを示す。)とを水溶液中
で塩交換させることにより合成できる。 【0233】一般式(A−6)で表される酸発生剤 前記一般式(A−6)におけるY及びR31〜R51の直
鎖、分岐、環状アルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−
ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基のよ
うな炭素数1〜20個の直鎖又は分岐アルキル基及びシ
クロプロピル基、シクロペンチル基又はシクロヘキシル
基等の環状アルキル基が挙げられる。アルキル基の好ま
しい置換基としてはアルコキシ基、アシル基、アシロキ
シ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ
る。 【0234】また、Yのアラルキル基としてはベンジル
基もしくはフェネチル基のような炭素数7〜12個のア
ラルキル基が挙げられる。アラルキル基の好ましい置換
基としては、炭素数1〜4の低級アルキル基、炭素数1
〜4の低級アルコキシ基、ニトロ基、アセチルアミノ
基、ハロゲン原子などが挙げられる。 【0235】R31〜R51のアルコキシ基としてはメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、
n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t
−ブトキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基の
ような炭素数1〜20個のアルコキシ基又はエトキシエ
トキシ基などの置換基を有するアルコキシ基が挙げられ
る。 【0236】アシル基としてはアセチル基、プロピオニ
ル基、ベンゾイル基などが挙げられる。アシルアミノ基
としてはアセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ベ
ンゾイルアミノ基などが挙げられる。スルホニルアミノ
基としてはメタンスルホニルアミノ基、エタンスルホニ
ルアミノ基など炭素数1〜4個のスルホニルアミノ基、
p−トルエンスルホニルアミノ基のような置換または無
置換のベンゼンスルホニルアミノ基があげられる。 【0237】アリール基としてはフェニル基、トリル
基、ナフチル基などが挙げられる。アルコキシカルボニ
ル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、エトキシエトキシカルボニル基、オクチルオキシ
カルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基などの炭素
数2〜20個のアルコキシカルボニル基があげられる。 【0238】アシロキシ基としてはアセトキシ基、プロ
パノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイル
オキシ基のような炭素数2〜20個のアシロキシ基があ
げられる。 【0239】アラルキル基としては置換または無置換ベ
ンジル基、置換または無置換フェネチル基などの炭素数
7〜15個のアラルキル基があげられる。アラルキル基
の好ましい置換基としては前記にあげたものと同じもの
があげられる。 【0240】R31〜R51においては、R31〜R35、R36
〜R42及びR43〜R51はそれぞれの群のうちの2つが結
合して炭素及び/又はヘテロ原子からなる5〜8員環を
形成していもよい。このような5〜8員環としては、例
えばシクロヘキサン、ピリジン、フラン又はピロリジン
があげられる。 【0241】また、X、Yは別のイミドスルホネート化
合物の残基と結合していてもよく、2量体、3量体を形
成していても良い。別のイミドスルホネートとしては、
一般式(A−6)で表される化合物で、X又はYのとこ
ろで1価の基になったものがあげられる。 【0242】Xのアルキレン基としては、直鎖又は分岐
の炭素数1〜10個のアルキレン基あるいはヘテロ原子
を含んでいてもよい単環又は多環の環状アルキレン基が
挙げられる。 【0243】直鎖又は分岐のアルキレン基としてはメチ
レン基、エチレン基、プロピレン基又はオクチレン基な
どがあげられる。アルキレン基の好ましい置換基として
はアルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、ア
シルアミノ基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、ア
リール基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここ
で挙げたアルコキシ基、アシル基、ニトロ基、アシルア
ミノ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アルコキシ
カルボニル基はR31〜R51で挙げたものと同義である。
ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子を挙げることができる。 【0244】環状アルキレン基としてはシクロペンチレ
ン基、シクロヘキシレン基、などの炭素数4〜8個の単
環シクロアルキレン基、7−オキサビシクロ〔2.2.
1〕ヘプチレン基などの炭素数5〜15個の多環シクロ
アルキレン基が挙げられ、シクロアルキレン基の好まし
い置換基としては、炭素数1〜4個のアルキル基、アル
コキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルア
ミノ基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール
基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。 【0245】ここで挙げたアルコキシ基、アシル基、ニ
トロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリー
ル基、アルコキシカルボニル基はR31〜R51で挙げたも
のと同義である。ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができる。 【0246】アリーレン基としてはフェニレン基、ナフ
チレン基等が挙げられる。アリーレン基の好ましい置換
基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、
アルコキシカルボニル基が挙げられる。 【0247】ここで挙げたアルキル基、シクロアルキル
基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、
アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリール基、ア
ルコキシカルボニル基はR31〜R51で挙げたものと同義
である。ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができる。 【0248】アルケニレン基としては炭素数2〜4個の
アルケニレン基があげられ、例えばエテニレン基、ブテ
ニレン基等が挙げられ、アルケニレン基の好ましい置換
基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、
アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げたア
ルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル
基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニ
ルアミノ基、アリール基、アルコキシカルボニル基はR
31〜R51で挙げたものと同義である。ハロゲン原子とし
てはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙
げることができる。 【0249】環状アルケニレン基としてはシクロぺンテ
ニレン基、シクロヘキセニレン基、などの炭素数4〜8
個の単環シクロアルケニレン基、7−オキサビシクロ
〔2.2.1〕ヘプテニレン基、ノルボルネニレン基な
どの炭素数5〜15個の多環シクロアルケニレン基が挙
げられる。 【0250】アラルキレン基としては、トリレン基、キ
シリレン基などが挙げられ、その置換基としてはアリー
レン基で挙げた置換基をあげることができる。 【0251】以下に、これらの一般式(A−6)で表さ
れる化合物の具体例(A−6−1)〜(A−6−49)
を示すが、これに限定されるものではない。 【0252】 【化87】 【0253】 【化88】【0254】 【化89】 【0255】 【化90】【0256】 【化91】 【0257】 【化92】【0258】 【化93】 【0259】 【化94】【0260】 【化95】【0261】一般式(A−6)で表される化合物は、G.
F.Jaubert 著、Ber.. 28,360(1895)の方法、D.E.Ames等
著、J.Chem.Soc..3518(1955)の方法、あるいはM.A.Stol
berg等著、J.Am. Chem.Soc..79,2615(1957) の方法等に
従い合成されたN−ヒドロキシイミド化合物とスルホン
酸クロリドとを塩基性条件下、例えばL.Bauer 等著、J.
Org.Chem..24,1294(1959) の方法に従い合成することが
可能である。 【0262】一般式(A−7)で表される酸発生剤 一般式(A−7)中、Ar1、Ar2は、同一または異な
って、置換もしくは未置換のアリール基を示す。 【0263】ここで、アリール基としては、フェニル
基、トリル基、ナフチル基などが挙げられる。アリール
基の置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、
アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシ
ルアミノ基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリ
ール基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。 【0264】ここで挙げたアルキル基、シクロアルキル
基、アルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、
アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリール基、ア
ルコキシカルボニル基は上記R31〜R51で挙げたものと
同義である。ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができる。 【0265】一般式(A−7)で表される酸発生剤の具
体例としては以下に示す化合物(A−7−1)〜(A−
7−14)が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。 【0266】 【化96】【0267】 【化97】 【0268】上記一般式(A−7)で表される酸発生剤
の合成としては、ジー.シー.デンサー.ジュニア.ら
著「ジャーナル オブ オルガニックケミストリー」
(G.C. Denser, Jr. ら著、「Journal of Organic Chemi
stry」) 31、3418〜3419 (1966) 記載の方法、テー.ピ
ー.ヒルドイッチ著「ジャーナル オブ ザ ケミカル
ソサイアティ」(T.P. Hilditch著「Journal of the C
he mi cal Society 」)93、1524〜1527 (1908) 記載の
方法、あるいはオー.ヒンズベルク著「ベリヒテ デア
ドイチェン ヘミシエ ゲゼルシャフト」(O. Hinsbe
rg著、「Berichte der Deutschen Chemischen Gesellsc
haft」)49、2593〜2594(1918)記載の方法等にしたが
い合成できる。すなわち、硫酸水溶液中において、硫酸
コバルトを用い、一般式(a)で示されるスルフィン酸
より合成する方法、キサントゲン酸エチルを用い、一般
式(b)で示されるスルホン酸クロリドより合成する方
法、あるいは塩基性条件下、一般式(a)で示されるス
ルフィン酸と一般式(b)で示されるスルホン酸クロリ
ドとを合成する方法等が挙げられる。 【0269】Ar1 −SO2H (a) Ar2 −SO2Cl (b) (ここで、Ar1、Ar2は一般式(A−7)で定義され
たものと同一の意味である。) 本発明においては、上記一般式(A−1)〜(A−7)
で表される酸発生剤のうち、一般式(A−1)〜(A−
5)で表される酸発生剤が好ましく、より好ましくは一
般式(A−1)〜(A−4)で表される酸発生剤であ
る。これにより、解像度、感度が一層優れるようにな
る。 【0270】本発明において、酸発生剤(好ましくは一
般式(A−1)〜(A−7)で表される化合物)の組成
物中の含量は、全組成物の固形分に対し、0.1〜25
重量%が好ましく、より好ましくは1〜15重量%、更
に好ましくは2〜10重量%である。 【0271】また、酸発生剤(b)が、活性放射線の照
射によりフッ素含有スルホン酸を発生する化合物aであ
ることも好ましい。〔a〕化合物aとしては、例えば、
下記の一般式(PAG3)で表されるヨードニウム塩、
又は一般式(PAG4)で表されるスルホニウム塩を挙
げることができる。 【0272】 【化98】 【0273】式中、Ar1、Ar2は、各々独立に、置換
もしくは未置換のアリール基を示す。R203、R204、R
205は、各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル
基、アリール基を示す。 【0274】Z-は、少なくとも1つのフッ素原子を有
するスルホン酸アニオンを示す。 【0275】またR203、R204、R205のうちの2つお
よびAr1、Ar2はそれぞれの単結合または置換基を介
して結合してもよい。 【0276】Ar1、Ar2、R203、R204、R205とし
てのアリール基としては、好ましくは、炭素数6〜14
のアリール基、アルキル基としては、好ましくは炭素数
1〜8のアルキル基である。 【0277】好ましい置換基としては、アリール基に対
しては炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数1〜8のア
ルキル基、炭素数2〜9のアルコキシカルボニル基、炭
素数2〜9のアルキルカルボニルアミノ基、ニトロ基、
カルボキシル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子及びフェ
ニルチオ基であり、アルキル基に対しては炭素数1〜8
のアルコキシ基、炭素数5〜14のアリール基、炭素数
6〜15のアリールカルボニル基、カルボキシル基及び
ハロゲン原子を挙げることができる。 【0278】Z-のスルホン酸アニオンとしては、好ま
しくは、少なくとも1つのフッ素原子を有する炭素数1
〜20の脂肪族炭化水素及び炭素数5〜20の芳香族炭
化水素を挙げることができる。これらは置換基を有して
いてもよく、置換基としては、例えば、炭素数1〜10
のフッ素置換していてもよいアルコキシ基、炭素数2〜
11のフッ素置換していてもよいアルコキシカルボニル
基、フェニルアミノ基、フェニルカルボニル基、ハロゲ
ン原子、水酸基を挙げることができる。芳香族炭化水素
に対しては、さらに炭素数1〜15のアルキル基を挙げ
ることができる。 【0279】以下に具体例を挙げるが、これらに限定さ
れるものではない。 【0280】 【化99】 【0281】 【化100】【0282】 【化101】【0283】 【化102】【0284】 【化103】 【0285】 【化104】【0286】 【化105】【0287】 【化106】【0288】 【化107】【0289】 【化108】【0290】 【化109】【0291】化合物aを使用する場合、活性放射線の照
射により、フッ素原子を含有しないスルホン酸を発生す
る化合物、又は、活性放射線の照射により、カルボン酸
を発生する化合物の少なくともいずれかを併用すること
が好ましい。 【0292】〔b〕化合物aと併用することが好ましい
活性放射線の照射によりフッ素原子を含有しないスルホ
ン酸を発生する化合物(化合物b)としては、例えば、
先の一般式(PAG3)及び(PAG4)において、Z
-がフッ素原子を有しないスルホン酸アニオンであるヨ
ードニウム塩及びスルホニウム塩を挙げることができ
る。 【0293】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。 【0294】 【化110】【0295】 【化111】 【0296】 【化112】【0297】 【化113】 【0298】 【化114】 【0299】 【化115】【0300】 【化116】 【0301】 【化117】【0302】また、下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体又は一般式(PAG6)で表されるイ
ミノスルホネート誘導体を挙げることができる。 【0303】 【化118】 【0304】式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。R 206は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。 【0305】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。 【0306】 【化119】 【0307】 【化120】【0308】 【化121】 【0309】 【化122】 【0310】また、下記一般式(PAG7)で表される
ジアゾジスルホン誘導体を挙げることができる。 【0311】 【化123】 【0312】式中、Rは、直鎖、分岐又は環状アルキル
基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。 【0313】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。 【0314】 【化124】 【0315】上記〔a〕及び〔b〕で説明した化合物
は、過ヨウ素酸塩を用いて芳香族化合物を反応させ、得
られたヨードニウム塩を対応するスルホン酸に塩交換す
ることにより合成可能である。 【0316】また、アリールマグネシウムブロミドなど
のアリールグリニャール試薬と置換又は無置換のフェニ
ルスルホキシドを反応させ、得られたトリアリールスル
ホニウムハライドを対応するスルホン酸と塩交換する方
法で合成できる。また、置換又は無置換のフェニルスル
ホキシドと対応する芳香族化合物をメタンスルホン酸/
五酸化二リンあるいは塩化アルミニウムなどの酸触媒を
用いて縮合、塩交換する方法、ジアリールヨードニウム
塩とジアリールスルフィドを酢酸銅などの触媒を用いて
縮合、塩交換する方法などによって合成できる。 【0317】塩交換は、いったんハライド塩に導いた後
に酸化銀などの銀試薬を用いてスルホン酸塩に変換する
方法、あるいはイオン交換樹脂を用いることでも塩交換
できる。また、塩交換に用いるスルホン酸あるいはスル
ホン酸塩は、市販のものを用いるか、あるいは市販のス
ルホン酸ハライドの加水分解などによって得ることがで
きる。 【0318】化合物aと併用することが好ましい活性放
射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物として
は、フッ素非含有カルボン酸を発生する化合物c及びフ
ッ素含有カルボン酸を発生する化合物dを挙げることが
できる。 【0319】〔c〕化合物aと併用することが好ましい
活性放射線の照射によりフッ素非含有カルボン酸を発生
する化合物cとしては、例えば、下記一般式(AI)〜
(AV)で示される化合物を挙げることができる。 【0320】 【化125】 【0321】上記式において、R301 〜R337は、各々
独立に水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、
直鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、
ハロゲン原子、または−S−R0基を表す。R0は直鎖、
分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。 【0322】Ra、Rbは、各々独立に水素原子、ニト
ロ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい、アル
キル基、アルコキシ基を表す。Rc、Rdは、各々独立
にハロゲン原子、置換基を有していてもよい、アルキル
基又はアリール基を表す。RcとRdとが結合して芳香
環、単環あるいは多環の環状炭化水素(これらの環内に
は酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)を形成して
もよい。Y1、Y2は、炭素原子を表し、Y1−Y2結合
は、単結合でも2重結合でもよい。上記X-は、下記式
で示されるカルボン酸化合物がアニオンになったものを
表す。 【0323】X1、X2は、各々独立に、下記式で示され
るカルボン酸化合物がカルボキシル基部分でエステル基
となったものを表す。 【0324】 【化126】【0325】 【化127】【0326】上記式中、R338は、炭素数1〜30の直
鎖状、分岐状あるいは環状のアルキル基(ここで、アル
キル基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよ
い)、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の
アルケニル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしく
は環状のアルキニル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐
状あるいは環状のアルコキシル基、前記アルキル基の水
素原子の少なくとも一部がハロゲン原子および/または
水酸基で置換された基、前記アルケニル基の水素原子の
少なくとも一部がハロゲン原子および/または水酸基で
置換された基、あるいは炭素数6〜20の置換もしくは
非置換のアリール基を示す。ここで、アリール基の置換
基としてはアルキル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子
を挙げることができる。 【0327】R339は、単結合あるいは、炭素数1〜2
0の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキレン基(ここ
で、アルキレン基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んで
いてもよい)、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしく
は環状のアルケニレン基、前記アルキレン基の水素原子
の少なくとも一部がハロゲン原子および/または水酸基
で置換された基、前記アルケニレン基の水素原子の少な
くとも一部がハロゲン原子で置換された基、あるいは炭
素数2〜20のアルコキアルキレン基を示し、複数存在
するR338、R339は相互に同一でも異なってもよい。 【0328】R340は水酸基またはハロゲン原子を示
し、複数存在するR340は相互に同一でも異なってもよ
い。m、n、pおよびqは各々独立に、0〜3の整数
で、m+n≦5、p+q≦5である。zは0または1で
ある。 【0329】前記一般式(AI)〜(AV)における、
301〜R337、Ra、Rb、Rc、Rd、R0における
直鎖、分岐アルキル基としては、置換基を有してもよ
い、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数1〜4
個のものが挙げられる。環状アルキル基としては、置換
基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個のものが
挙げられる。 【0330】R301〜R337、Ra、Rbのアルコキシ基
としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキ
シ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ
基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基のような炭素
数1〜4個のものが挙げられる。 【0331】R301〜R337、Ra、Rb、Rc、Rdの
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、沃素原子を挙げることができる。 【0332】R0、Rc、Rdのアリール基としては、
フェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル
基のような置換基を有してもよい炭素数6〜14個のも
のが挙げられる。 【0333】これらの置換基として好ましくは、炭素数
1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、
塩素原子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリール
基、炭素数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロ
キシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニト
ロ基等が挙げられる。 【0334】RcとRdとが結合して形成する、芳香
環、単環あるいは多環の環状炭化水素(これらの環内に
は酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)としては、
ベンゼン構造、ナフタレン構造、シクロヘキサン構造、
ノルボルネン構造、オキサビシクロ構造等が挙げられ
る。 【0335】本発明で使用される一般式(AI)〜(A
III)で表されるスルホニウム、ヨードニウム化合物
は、その対アニオンX-として、上記式(C1)〜(C
10)で示されるカルボン酸化合物のうち少なくとも1
種の化合物のカルボキシル基(−COOH)がアニオン
(−COO-)となったものを含む。 【0336】本発明で使用される一般式(AIV)〜
(AV)で表される化合物は、置換基X1、X2として、
上記式(C1)〜(C10)で示されるカルボン酸化合
物のうち少なくとも1種の化合物のカルボキシル基(−
COOH)がエステル基(−COO−)となった置換基
を含む。 【0337】R338における、炭素数1〜30の直鎖
状、分岐状あるいは環状のアルキル基(ここで、アルキ
ル基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)
としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、シクロヘキシル、ドデシル、1−エトキ
シエチル、アダマンチル等が挙げられる。 【0338】炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルケニル基としては、エテニル、プロペニル、
イソプロペニル、シクロヘキセン等が挙げられる。 【0339】炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルキニル基としては、アセチレン、プロペニレ
ン等が挙げられる。 【0340】炭素数1〜20の直鎖状、分岐状あるいは
環状のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プ
ロピルオキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ、イソ
ブトキシ、ドデシルオキシ等が挙げられる。 【0341】炭素数6〜20の置換もしくは非置換のア
リール基としては、フェニル、ナフチル、アントラニル
等が挙げられる。 【0342】アリール基の置換基としてはアルキル基、
ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基、ハロゲン原子を挙げることができる。 【0343】R339における、炭素数1〜20の直鎖
状、分岐状あるいは環状のアルキレン基(ここで、アル
キレン基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよ
い)、としては、メチレン、エチレン、プロピレン、ブ
チレン、イソブチレン、エトキシエチレン、シクロヘキ
シレン等が挙げられる。 【0344】炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは
環状のアルケニレン基としては、ビニレン、アリレン等
が挙げられる。 【0345】具体例を示すが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。 【0346】 【化128】【0347】 【化129】【0348】 【化130】【0349】 【化131】【0350】 【化132】【0351】上記光酸発生剤、すなわち一般式(A
I)、一般式(AII)、一般式(AIII)で表される化
合物は、米国特許第3,734,928号明細書に記載
の方法、Macromolecules, vol. 10, 1307(1977), Journ
al of Organic Chemistry, vol.55, 4222(1990), J. Ra
diat. Curing, vol. 5(1), 2(1978) に記載の方法など
を用い、更にカウンターアニオンを交換することにより
合成できる。 【0352】一般式(AIV)、一般式(AV)で表さ
れる化合物は、N−ヒドロキシイミド化合物とカルボン
酸クロリドを塩基性条件で反応させる、あるいはニトロ
ベンジルアルコールとカルボン酸クロリドを塩基性条件
下反応させることにより得られる。 【0353】〔d〕次に、化合物aと併用することが好
ましい活性放射線の照射によりフッ素含有カルボン酸を
発生する化合物dについて説明する。 【0354】フッ素含有カルボン酸としては、例えば、
フッ素置換された脂肪族カルボン酸及び芳香族族カルボ
ン酸を挙げることができる。 【0355】フッ素置換された脂肪族カルボン酸として
は、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、イソ酪酸、バレリ
アン酸、トリメチル酢酸、カプロン酸、ヘプタン酸、カ
プリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミ
リスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ウンデカン
酸、ドデカン酸、トリデカン酸等の脂肪族カルボン酸の
フッ素置換物が挙げられる。これらは、水酸基、アルコ
キシ基、ハロゲン原子を置換基として有していてもよ
い。また、その脂肪族鎖の中に酸素原子、硫黄原子、カ
ルボニル基、カルボキシル基、スルホニル基などの連結
基を含んでいるものが好ましい。 【0356】好ましいフッ素置換された脂肪族カルボン
酸として、下記の一般式で表されるものを挙げることが
できる。 【0357】 L−(CH2)p(CF2)q(CH2)r−COOH 一般式中、Lは、水素原子又はフッ素原子を表す。p及
びrは、各々独立に0〜15の整数、qは1〜15の整
数を表す。この一般式におけるアルキル鎖の水素原子又
はフッ素原子は、フッ素原子で置換されていてもよいア
ルキル基(好ましくは炭素数1〜5)、フッ素原子で置
換されていてもよいアルコキシ基(好ましくは炭素数1
〜5)、または、水酸基で置換されていてもよい。 【0358】上記フッ素置換された脂肪族カルボン酸と
しては、好ましくはその炭素数が2〜20、より好まし
くは4〜20である飽和脂肪族カルボン酸のフッ素置換
物であることが好ましい。この炭素数を4個以上とする
ことで、発生するカルボン酸分解性の拡散性が低下し、
露光から後加熱までの経時による線幅変化をより抑制で
きる。なかでも、炭素数4〜18個の直鎖又は分岐飽和
脂肪族カルボン酸のフッ素置換物が好ましい。 【0359】また、上記フッ素置換された芳香族族カル
ボン酸としては、炭素数が7〜20、より好ましくは7
〜15であり、更に好ましくは7〜11である芳香族カ
ルボン酸のフッ素置換物であることが好ましい。具体的
には、安息香酸、置換安息香酸、ナフトエ酸、置換ナフ
トエ酸、アントラセンカルボン酸、置換アントラセンカ
ルボン酸(ここで、置換基としてはアルキル基、アルコ
キシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、アシル
基、アシルオキシ基、ニトロ基、アルキルチオ基、アリ
ールチオ基が挙げられる)等の芳香族カルボン酸のフッ
素置換物が挙げられる。なかでも、安息香酸、置換安息
香酸のフッ素置換物が好ましい。 【0360】これらフッ素原子で置換された脂肪族ある
いは芳香族のカルボン酸は、カルボキシル基以外の骨格
に存在する水素原子の1個以上がフッ素原子で置換され
たものであり、特に好ましくはカルボキシル基以外の骨
格に存在する水素原子すべてがフッ素原子で置換された
脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸(パーフルオロ飽和
脂肪族カルボン酸あるいはパーフルオロ芳香族カルボン
酸)である。これにより、感度が一層優れるようにな
る。 【0361】好ましくは、上記のようなフッ素原子で置
換された脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸のアニオン
をカウンターアニオンとして有するオニウム塩化合物
(スルホニウム塩、ヨードニウム塩等)、カルボン酸エ
ステル基を有するイミドカルボキシレート化合物あるい
はニトロベンジルエステル化合物等が挙げられる。 【0362】より好ましくは下記一般式(I)〜(II
I)で表される化合物が挙げられる。これにより、感
度、解像力、露光マージンが一層優れるようになる。こ
の化合物に活性放射線を照射することより、一般式
(I)〜(III)のX-に相当する少なくとも1つのフッ
素原子で置換された飽和脂肪族あるいは芳香族のカルボ
ン酸を発生し、光酸発生剤として機能する。 【0363】 【化133】 【0364】(上記式中、R1 〜R37は、各々独立に、
水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直鎖、
分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲ
ン原子、または−S−R38基を表す。ここでR38は直
鎖、分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。X
-は、少なくとも1つのフッ素原子で置換された脂肪族
あるいは芳香族のカルボン酸のアニオンである。) X-は、好ましくはパーフルオロ脂肪族カルボン酸ある
いはパーフルオロ芳香族カルボン酸のアニオンであり、
特に好ましくは炭素数4個以上のフッ素置換アルキルカ
ルボン酸のアニオンである。 【0365】一般式(I)〜(III)における、R1〜R
38の直鎖、分岐アルキル基としては、置換基を有しても
よい、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数1
〜4個のものが挙げられる。環状アルキル基としては、
置換基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個のも
のが挙げられる。 【0366】R1〜R37のアルコキシ基としては、メト
キシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキ
シ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブト
キシ基、t−ブトキシ基のような炭素数1〜4個のもの
が挙げられる。 【0367】R1〜R37のハロゲン原子としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることが
できる。 【0368】R38のアリール基としては、フェニル基、
トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基等の炭素数
6〜14個のものが挙げられる。アリール基は置換基を
有してもよい。 【0369】これらの置換基として好ましくは、炭素数
1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、
塩素原子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリール
基、炭素数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロ
キシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニト
ロ基等が挙げられる。 【0370】本発明で使用される一般式(I)〜(II
I)で表されるヨードニウム化合物あるいはスルホニウ
ム化合物は、その対アニオンX-として、少なくとも1
つのフッ素原子で置換された飽和脂肪族あるいは芳香族
のカルボン酸のアニオンを有する。これらのアニオン
は、該カルボン酸(−COOH)の水素原子が離脱した
アニオン(−COO-)である。 【0371】以下に、具体例を示すが、本発明はこれら
に限定されるものではない。 【0372】一般式(I)で表される光酸発生剤の具体
例(I−1f)〜(I〜36f): 【0373】 【化134】【0374】 【化135】 【0375】 【化136】【0376】 【化137】 【0377】 【化138】 【0378】一般式(II)で表される光酸発生剤の具体
例(II−1f)〜(II〜67f): 【0379】 【化139】 【0380】 【化140】【0381】 【化141】【0382】 【化142】【0383】 【化143】【0384】 【化144】【0385】 【化145】【0386】 【化146】【0387】 【化147】【0388】一般式(III)で表される光酸発生剤の具
体例(III−1f)〜(III〜4f): 【0389】 【化148】 【0390】その他の光酸発生剤の具体例(IV−1f)
〜(V〜4f): 【0391】 【化149】 【0392】上記一般式(I)で表される化合物は、過
ヨウ素酸塩を用いて芳香族化合物を反応させ、得られた
ヨードニウム塩を対応するカルボン酸に塩交換すること
により合成可能である。 【0393】一般式(II)、一般式(III)で表される
化合物は、例えば、アリールマグネシウムブロミドなど
のアリールグリニャール試薬と置換又は無置換のフェニ
ルスルホキシドを反応させ、得られたトリアリールスル
ホニウムハライドを対応するカルボン酸と塩交換する方
法で合成できる。また、置換又は無置換のフェニルスル
ホキシドと対応する芳香族化合物をメタンスルホン酸/
五酸化二リンあるいは塩化アルミニウムなどの酸触媒を
用いて縮合、塩交換する方法、ジアリールヨードニウム
塩とジアリールスルフィドを酢酸銅などの触媒を用いて
縮合、塩交換する方法などによって合成できる。 【0394】塩交換は、いったんハライド塩に導いた後
に酸化銀などの銀試薬を用いてカルボン酸塩に変換する
方法、あるいはイオン交換樹脂を用いることでも塩交換
できる。また、塩交換に用いるカルボン酸あるいはカル
ボン酸塩は、市販のものを用いるか、あるいは市販のカ
ルボン酸ハライドの加水分解などによって得ることがで
きる。 【0395】アニオン部分としてのフッ素置換されたカ
ルボン酸は、テロメリゼーション法(テロマー法ともい
われる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー
法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合
物から導かれるものを用いたものも好ましい。これらの
フルオロ脂肪族化合物の製造法に関しては、例えば、
「フッ素化合物の合成と機能」(監修:石川延男、発
行:株式会社シーエムシー、1987)の117〜11
8ページや、「Chemistry of Organic Fluorine Compo
unds II」(Monograph 187,Ed by Milos Hudlicky and
Attila E. Pavlath, American Chemical Society 199
5)の747−752ページに記載されている。テロメ
リゼーション法とは、沃化物等の連鎖移動常数の大きい
アルキルハライドをテローゲンとして、テトラフルオロ
エチレン等のフッ素含有ビニル化合物のラジカル重合を
行い、テロマーを合成する方法である(Scheme-1に例を
示した)。テロマー法による合成においては炭素鎖長の
異なる複数の化合物の混合物が得られるが、これを混合
物のまま使用してもよいし、精製して用いてもよい。 【0396】化合物aと化合物b〜dの総量の重量比
は、通常1/1〜50/1、好ましくは1/1〜10/
1、特に好ましくは2/1〜5/1である。 【0397】化合物aと化合物b〜dの合計量は、組成
物全固形分に対し、通常0.5〜20重量%、好ましく
は0.75〜15重量%、より好ましくは1〜10重量
%の範囲である。化合物aと化合物b〜dは、各々複数
種含有してもよい。 【0398】本発明の組成物には、有機塩基性化合物を
用いることができる。これにより、保存時の安定性が更
に向上し、かつPEDによる線巾変化が更に少なくなる
ため好ましい。 【0399】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。 【0400】好ましい化学的環境として、下記式(A)
〜(E)構造を挙げることができる。 【0401】 【化150】【0402】更に好ましい化合物は、窒素含有環状化合
物(環状アミン化合物ともいう)あるいは一分子中に異
なる化学的環境の窒素原子を2個以上有する含窒素塩基
性化合物である。 【0403】環状アミン化合物としては、多環構造であ
ることがより好ましい。環状アミン化合物の好ましい具
体例としては、下記一般式(F)で表される化合物が挙
げられる。 【0404】 【化151】 【0405】式(F)中、Y、Zは、各々独立に、ヘテ
ロ原子を含んでいてもよく、置換してもよい直鎖、分
岐、環状アルキレン基を表す。 【0406】ここで、ヘテロ原子としては、窒素原子、
硫黄原子、酸素原子が挙げられる。アルキレン基として
は、炭素数2〜10個が好ましく、より好ましくは2〜
5個のものである。アルキレン基の置換基としては、炭
素数1〜6個のアルキル基、アリール基、アルケニル基
の他、ハロゲン原子、ハロゲン置換アルキル基が挙げら
れる。 【0407】更に、一般式(F)で示される化合物の具
体例としては、下記に示す化合物が挙げられる。 【0408】 【化152】 【0409】上記の中でも、1、8−ジアザビシクロ
〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、1、5−ジアザビ
シクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エンが特に好ましい。 【0410】一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を
2個以上有する含窒素塩基性化合物としては、特に好ま
しくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含
む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基
を有する化合物である。好ましい具体例としては、置換
もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のア
ミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピ
リジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換
もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは未置換の
ピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もし
くは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリ
ン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは
未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジ
ン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換も
しくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げら
れる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル
基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールア
ミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水
酸基、シアノ基である。 【0411】特に好ましい化合物として、グアニジン、
1,1−ジメチルグアニジン、1,1、3,3−テトラメ
チルグアニジン、2−アミノピリジン、3−アミノピリ
ジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジ
ン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルアミノ
ピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ
−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジ
ン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ−6
−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4−ア
ミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペラジ
ン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−(2−
アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,2,6,6
−テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノピペリジ
ン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)
ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メチルピラ
ゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−トリルピラ
ゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5−メチル
ピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、
4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3
−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン、N−(2−ア
ミノエチル)モルフォリン、トリメチルイミダゾール、
トリフェニルイミダゾール、メチルジフェニルイミダゾ
ール等が挙げられるがこれに限定されるものではない。 【0412】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは2種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、ポジ型レジスト組成物(溶媒を除く)10
0重量部に対し、通常、0.001〜10重量部、好ま
しくは0.01〜5重量部である。 【0413】0.001重量部未満では上記効果が得ら
れない。一方、10重量部を超えると感度の低下や非露
光部の現像性が悪化する傾向がある。 【0414】本発明の化学増幅型ポジレジスト組成物に
は必要に応じて、更に界面活性剤、染料、顔料、可塑
剤、光増感剤及び現像液に対する溶解性を促進させるフ
エノール性OH基を2個以上有する化合物等を含有させ
ることができる。 【0415】本発明のポジ型レジスト組成物には、界面
活性剤を含有することが好ましい。具体的には、ポリオ
キシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンス
テアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテ
ル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキ
シエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオ
クチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニル
フェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルア
リルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロ
ピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレー
ト、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステ
アレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリ
オレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタ
ン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモ
ノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパル
ミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレ
ート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、
ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポ
リオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニ
オン系界面活性剤、エフトップEF301、EF30
3、EF352(新秋田化成(株)製)、メガファック
F171、F173、F176、F189、R08(大
日本インキ(株)製)、フロラ−ドFC430、FC4
31(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG7
10、サーフロンS−382、SC101、SC10
2、SC103、SC104、SC105、SC106
(旭硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノ
シロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)
製)やアクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合
ポリフローNo.75、No.95(共栄社油脂化学工
業(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル
(株)製)等を挙げることができる。 【0416】これらの界面活性剤の中でも、フッ素系ま
たはシリコン系界面活性剤が塗布性、現像欠陥低減の点
で好ましい。 【0417】界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
の全組成物の固形分に対し、通常0.01重量%〜2重
量%、好ましくは0.01重量%〜1重量%である。 【0418】これらの界面活性剤は1種単独であるいは
2種以上を組み合わせて用いることができる。 【0419】本発明の樹脂においては、特開平9−31
9092号など従来アセタール基を含有する樹脂に比較
して、不純物として含まれる酸(これは主として酸発生
剤中の不純物、あるいは本発明の樹脂合成時に使用の触
媒から由来する)の含有量の影響が認められた。 【0420】即ち、本発明のレジスト組成物中に不純物
として含まれる酸の含有量が500ppmよりも多い場
合、本発明の効果である優れたパターンプロファイル形
状および真空チャンバー中での引き置き時間での少ない
線幅変動が損なわれる。 【0421】従って、本発明のレジスト組成物において
は、レジスト組成物中に不純物として含まれる酸の含有
量を500ppm以下に抑えることが必要であり、好ま
しくは200ppm以下、さらに好ましくは100pp
m以下である。 【0422】さらに、下記に挙げるような分光増感剤を
添加し、使用する酸発生剤が吸収を持たない遠紫外より
長波長領域に増感させることで、本発明の化学増幅型ポ
ジレジストをi又はg線に感度を持たせることができ
る。 【0423】好適な分光増感剤としては、具体的にはベ
ンゾフェノン、p,p’−テトラメチルジアミノベンゾ
フェノン、p,p’−テトラエチルエチルアミノベンゾ
フェノン、2−クロロチオキサントン、アントロン、9
−エトキシアントラセン、アントラセン、ピレン、ペリ
レン、フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオレン
ジ、ベンゾフラビン、セトフラビン−T、9,10−ジ
フェニルアントラセン、9−フルオレノン、アセトフェ
ノン、フェナントレン、2−ニトロフルオレン、5−ニ
トロアセナフテン、ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニ
トロアニリン、N−アセチル−p−ニトロアニリン、p
−ニトロアニリン、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナ
フチルアミン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチ
ルアントラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、
1,2−ベンズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジ
アザ−1,9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセト
ン、1,2−ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス
(5,7−ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネ
ン等であるがこれらに限定されるものではない。 【0424】現像液に対する溶解性を促進させるフェノ
ール性OH基を2個以上有する化合物としては、ポリヒ
ドロキシ化合物が挙げられ、好ましくはポリヒドロキシ
化合物には、フェノール類、レゾルシン、フロログルシ
ン、フロログルシド、2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、α,α',α''−トリス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、トリス
(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1’−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)シクロヘキサンがある。 【0425】本発明の化学増幅型ポジ型レジスト組成物
は、上記各成分を溶解する溶媒に溶かして支持体上に塗
布するものであり、使用することのできる溶媒として
は、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロ
ペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メ
チルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メ
トキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸
エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピ
オン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、
ピルビン酸プロピル、N、N−ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラ
ヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるい
は混合して使用する。 【0426】上記化学増幅型ポジ型レジスト組成物は精
密集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シ
リコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター
等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通し
て露光し、ベークを行い現像することにより良好なレジ
ストパターンを得ることができる。 【0427】本発明の化学増幅型ポジ型レジスト組成物
の現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、リン酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の
無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等
の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミ
ン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、ホ
ルムアミドやアセトアミド等のアミド類、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチル(2−ヒドロキ
シエチル)アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリブチルメチルアンモニウ
ムヒドロキシド、テトラエタノールアンモニウムヒドロ
キシド、メチルトリエタノールアンモニウムヒドロキシ
ド、ベンジルメチルジエタノールアンモニウムヒドロキ
シド、ベンジルジメチルエタノールアンモニウムヒドロ
キシド、ベンジルトリエタノールアンモニウムヒドロキ
シド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラブチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニ
ウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン等のアル
カリ類の水溶液等がある。 【0428】 【実施例】以下、本発明によって更に具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 【0429】〔合成例I−1 ビニルエーテルの合成〕
p−シクロヘキシルフェノール83.1g(0.5モ
ル)を300mlのトルエンに溶解し、次いで2−クロ
ロエチルビニルエーテル150gを加え、さらに水酸化
ナトリウム25g、テトラブチルアンモニウムブロミド
5g、トリエチルアミン60gを加えて、120℃にて
5時間加熱攪拌した。反応液を水洗し、減圧留去にて過
剰のクロロレチルビニルエーテルとトルエンを除去し
た。得られたオイル分から、減圧蒸留により、目的物で
あるp−シクロヘキシルフェノキシエチルビニルエーテ
ル(X−1)を得た。 【0430】〔合成例I−2、3、4、5、6、7、
8、9〕合成例I−1と同様にして、以下に示すビニル
エーテルX−2,X−3,X−4,X−5,X−6,X
−7,X−8,X−9をそれぞれ得た。 【0431】 【化153】 【0432】 【化154】 【0433】〔合成例II−1〕p−アセトキシスチレン
32.4g(0.2モル)を酢酸ブチル120mlに溶
解し、窒素気流および攪拌下、80℃にてアゾビスイソ
ブチロニトリル(AIBN)0.033gを2.5時間
置きに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を続けること
により、重合反応を行った。反応液をヘキサン1200
mlに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹脂
を乾燥後、メタノール150mlに溶解した。これに水
酸化ナトリウム7.7g(0.19モル)/水50ml
の水溶液を添加し、3時間加熱還流することにより加水
分解させた。その後、水200mlを加えて希釈し、塩
酸にて中和し白色の樹脂を析出させた。この樹脂を濾別
し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフラン200
mlに溶解し、5Lの超純水中に激しく攪拌しながら滴
下、再沈を行った。この再沈操作を3回繰り返した。得
られた樹脂を真空乾燥器中で120℃、12時間乾燥
し、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)アルカリ可溶性樹
脂R−1を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は15
000であった。 【0434】〔合成例II−2〕常法に基づいて脱水、蒸
留精製したp−tert−ブトキシスチレンモノマー3
5.25g(0.2モル)およびスチレンモノマー5.
21g(0.05モル)をテトラヒドロフラン100m
lに溶解した。窒素気流および攪拌下、80℃にてアゾ
ビスイソブチロニトリル(AIBN)0.033gを
2.5時間置きに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を
続けることにより、重合反応を行った。反応液をヘキサ
ン1200mlに投入し、白色の樹脂を析出させた。得
られた樹脂を乾燥後、テトラヒドロフラン150mlに
溶解した。これに4N塩酸を添加し、6時間加熱還流す
ることにより加水分解させた後、5Lの超純水に再沈
し、この樹脂を濾別し、水洗・乾燥させた。更にテトラ
ヒドロフラン200mlに溶解し、5Lの超純水中に激
しく攪拌しながら滴下、再沈を行った。この再沈操作を
3回繰り返した。得られた樹脂を真空乾燥器中で120
℃、12時間乾燥し、ポリ(p−ヒドロキシスチレン/
スチレン)共重合体アルカリ可溶性樹脂R−2を得た。
得られた樹脂の重量平均分子量は12000であった。 【0435】〔合成例II−3〕p−アセトキシスチレン
32.4g(0.2モル)およびメタクリル酸メチル
7.01g(0.07モル)を酢酸ブチル120mlに
溶解し、窒素気流および攪拌下、80℃にてアゾビスイ
ソブチロニトリル(AIBN)0.033gを2.5時
間置きに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を続けるこ
とにより、重合反応を行った。反応液をヘキサン120
0mlに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹
脂を乾燥後、メタノール200mlに溶解した。これに
水酸化ナトリウム7.7g(0.19モル)/水50m
lの水溶液を添加し、1時間加熱還流することにより加
水分解させた。その後、水200mlを加えて希釈し、
塩酸にて中和し白色の樹脂を析出させた。この樹脂を濾
別し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフラン20
0mlに溶解し、5Lの超純水中に激しく攪拌しながら
滴下、再沈を行った。この再沈操作を3回繰り返した。
得られた樹脂を真空乾燥器中で120℃、12時間乾燥
し、ポリ(p−ヒドロキシスチレン/メタクリル酸メチ
ル)共重合体アルカリ可溶性樹脂R−3を得た。得られ
た樹脂の重量平均分子量は10000であった。 【0436】〔合成例II−4〕日本曹達株式会社製、ポ
リ(p−ヒドロキシスチレン)(VP8000)をアル
カリ可溶性樹脂R−4とした。重量平均分子量は980
0であった。 【0437】〔合成例III−1〕 合成例II−4で得られたアルカリ可溶性樹脂R−4 2
0g テトラヒドロフラン 80ml 合成例I−1で得られたビニルエーテルX−1 6.5
0g をフラスコ中で混合し、p−トルエンスルホン酸10m
gを添加して、室温下18時間攪拌した。ピリジン50
mgを添加した後に、反応液を、超純水5L中に激しく
攪拌しながら滴下、再沈を行った。得られた樹脂を真空
乾燥器中で70℃下、12時間乾燥し、本発明に係わる
置換基を有するアルカリ可溶性樹脂B−1を得た。 【0438】〔合成例III−2〜III−10〕下記表1に
示したアルカリ可溶性樹脂とビニルエーテルを用い、合
成例III−1と同様にして本発明に係わる置換基を有す
るアルカリ可溶性樹脂B−2〜B−15を得た。 【0439】 【表1】 【0440】〔合成例IV−1〜IV−4〕下記表2に示し
たアルカリ可溶性樹脂と、下記式で示されるエチルビニ
ルエーテル(Y−1)、ナフチルオキシエチルビニルエ
ーテル(Y−2)、(ベンジルオキシエトキシ)エチル
ビニルエーテル(Y−3)を用い、樹脂C−1〜C−3
を得た。 【0441】 【化155】 【0442】 【表2】 【0443】〔合成例V−1〕<トリフェニルスルホニ
ウムノナフロロブタンスルホネート(VII−4)の合成
>トリフェニルスルホニウムヨージド20gをメタノー
ル500mlに溶解させ、これに酸化銀12.5gを加
えて室温で4時間攪拌した。反応液を濾過して銀化合物
を除いた後、この溶液にノナフロロブタンスルホニック
アシッド14.9gを加え、この溶液を濃縮した。得ら
れた油状物にジイソプロピルエーテル300mlを加え
て十分に攪拌した後、ジイソプロピルエーテルをデカン
トで除く操作を2回繰り返した。得られた油状物を減圧
乾燥すると目的物が18g得られた。 【0444】〔合成例V−2〕<トリフェニルスルホニ
ウム 4−ドデシルベンゼンスルホネート(PAG4−
1)の合成>トリフェニルスルホニウムヨージド10g
をメタノール500mlに溶解させ、これに酸化銀4.
44gを加えて室温で4時間攪拌した。反応液を濾過し
て銀化合物を除いた後、この溶液に4−ドデシルベンゼ
ンスルホニックアシッド4.67gを加え、この溶液を
濃縮した。得られた油状物にジイソプロピルエーテル3
00mlを加えて十分に攪拌した後、ジイソプロピルエ
ーテルをデカントで除く操作を2回繰り返した。得られ
た油状物を減圧乾燥すると目的物が6g得られた。 【0445】〔合成例V−3〕<トリフェニルスルホニ
ウムノナフロロペンタノエート(II−4f)の合成>ト
リフェニルスルホニウムヨージド20gをメタノール5
00mlに溶解させ、これに酸化銀12.5gを加えて
室温で4晴間撹拌した。反応液をろ過して銀化合物を除
いた後、この溶液にノナフロロペンタノイックアシッド
14.9gを加え、この溶液を濃縮した。得られた油状
物にジイソプロピルエーテル300mlを加えて十分に
撹拌した後、ジイソプロピビルエーテルをデカントで除
く操作を2回繰り返した。得られた油状物を減圧乾燥す
ると目的物が18g得られた。 【0446】界面活性剤(F−1)として、メガファッ
クR08(大日本インキ(株)製)を使用した。 【0447】界面活性剤(F−2)として、トロイゾル
S−366(トロイケミカル(株)製)を使用した。 【0448】(実施例1〜12、比較例1〜6) 〔レジスト組成物の調製と評価〕下記表3に示す各素材
をPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート)8gに溶解し、0.2μmのフィルター
で濾過してレジスト溶液を作成した。なお、界面活性剤
の使用量は0.0035gであった。 【0449】このレジスト溶液を、スピンコーターを利
用して、シリコンウエハー上に塗布し、130℃、60
秒間真空吸着型のホットプレートで乾燥して、膜厚0.
3μmのレジスト膜を得た。 【0450】 【表3】 【0451】また、実施例に用いた各光酸発生剤および
有機塩基化合物を以下に示す。 【0452】 【化156】【0453】このレジスト膜に、電子線照射装置(加速
電圧50KeV)を用いて照射を行った。照射後100
℃ホットプレートで60秒間加熱を行い、直ちに0.2
6Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(T
MAH)水溶液で60秒間浸漬し、30秒間水でリンス
して乾燥した。このようにして得られたシリコンウェハ
ー上のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジスト
の性能を評価した。 【0454】その結果を表4に示す。 【0455】解像力は0.15μmのラインアンドスペ
ースのマスクパターンを再現する露光量における限界解
像力を表す。 【0456】得られたレジストパターンを光学顕微鏡あ
るいはSEMで観察し、レジストパターンの逆テーパー
の度合いを観察した。パターンの逆テーパーの傾きの度
合いが、非常に少ないもの(殆ど矩形プロファイル)を
◎、少ないものを○、パターンの逆テーパーが明らかに
観察されるものを×とした。 【0457】また、上記のように得られたレジスト膜を
電子線照射装置内で高真空下240分間放置したのち、
上記と同様に、露光、現像しレジストパターンを形成し
た。上記のように高真空下240分間放置して得られた
パターンの限界解像線幅(A)と、高真空下で放置しな
いで得られたパターンの限界解像線幅(B)とを測定
し、その変動率を下記のように計算した。その値は小さ
いほうがよい。 【0458】 変動率={1−|(B)−(A)|/(B)}×100 【0459】 【表4】 【0460】表4の結果から明らかなように、本発明に
係る各実施例のポジ型レジスト組成物は、それぞれ満足
すべき結果を得たが、各比較例のレジスト組成物は、特
にレジストパターン形状及び引き置き時間による線幅変
動について不満足なものであった。 【0461】(実施例13〜24、比較例7〜10)下
記表5に示すように、一般式(I)及び一般式(III)
で示される構造単位を有する、酸の作用により分解し、
アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び/
又は、上記一般式(I)、一般式(II)及び一般式(II
I)で示される構造単位を有する、酸の作用により分解
し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂に、
更に酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解
性が増大する化合物を添加した以外は実施例1〜12と
同様にしてレジスト液を作製し、同様にして0.3μm
のレジスト膜を得た。 【0462】実施例1〜12と同様の方法で解像力、レ
ジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引
き置きによる線幅変動について評価した結果を表6に示
す。 【0463】 【表5】 【0464】また、実施例に用いた溶解阻止化合物を以
下に示す。 【0465】 【化157】【0466】 【表6】 【0467】表6の結果から明らかなように、本発明に
係る各実施例のポジ型レジスト組成物は、特にレジスト
パターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置き
による線幅変動についてより一層の改善がなされ、それ
ぞれ満足すべき結果を得たが、各比較例のレジスト組成
物は、特にレジストパターンプロファイル、真空チャン
バー内での引き置きによる線幅変動について不満足なも
のであった。 【0468】 【発明の効果】本発明によれば、レジストパターンプロ
ファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変
動が改善された化学増幅型ポジ型レジスト組成物が提供
される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit element.
Positive type register used for manufacturing of masks for ICs and integrated circuits
It relates to a strike composition. [0002] 2. Description of the Related Art As a positive photoresist composition, rice
National Patent No. 4,491,628 No. 28, European Patent No. 29,139 No.
There is a chemically amplified resist composition described in the
The Chemically amplified positive resist compositions are used to release deep ultraviolet light, etc.
Irradiation generates acid in the exposed area, and this acid is used as a catalyst.
The reaction between the irradiated part of the active radiation and the non-irradiated part
Change the solubility in the developer to form a pattern on the substrate
It is a pattern forming material to be formed. The above chemically amplified positive resist composition has the following advantages.
Lucari-soluble resin that generates acid when exposed to radiation
Compound (photoacid generator) and alkali having acid-decomposable group
A three-component system consisting of a dissolution inhibiting compound for soluble resins
And a group that decomposes by reaction with an acid and becomes alkali-soluble.
Two-component system consisting of resin and photoacid generator
Resin having acid-decomposable and alkali-soluble group, acid
Low molecular weight dissolution inhibiting compounds having degradable groups and photoacid generation
Broadly divided into hybrid systems consisting of agents. In Japanese Patent Laid-Open No. 9-319092,
Resins with an acetal group with an oxy linkage introduced
It is disclosed that there is an effect on the presence wave reduction effect and the like. Also, in JP-A-10-221854
Discloses resins with substituted acetal group units
ing. However, it has these acetal groups.
When used as an electron beam resist,
The resist pattern obtained by the effect of line backscattering
Became a reverse taper profile. More electronic
Depending on the holding time in the vacuum chamber of the beam irradiation device
Improvement of line width variation was also desired. [0007] The object of the present invention is to provide an electronic
Such as X-ray, X-ray, or EUV (Extreme Ultraviolet)
Pattern obtained as a resist for irradiation with actinic radiation
The shape of the profile is excellent and the vacuum
The line width variation due to the holding time in the chamber is also improved.
To provide a chemically amplified positive resist composition.
The [0008] SUMMARY OF THE INVENTION The present inventor has found such a present situation.
In view of
A positive resist composition having a compound having
Thus, the above object is achieved and the present invention is completed.
It was. That is, the positive resist composition according to the present invention.
Has the following configuration. (1) (a) containing a group represented by the following general formula (X)
It has structural units and decomposes by the action of acid to develop alkali.
A resin with increased solubility in liquid, and (b) active radiation
It contains a compound that generates acid upon irradiation with rays.
Resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV
Stuff. [0010] [Chemical 2] In the formula (X), R1 , R2Are the same or different
May be a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
W represents a divalent organic group, RThreeIs the total carbon number 11
Alkyl group which may have a substituent of -20, total carbon number 1
Aryl group optionally having 1 to 30 substituents, total carbon number
Table 12 represents an aralkyl group which may have 12 to 30 substituents.
The The preferred embodiments are described below. (2) (a) Shown by the following general formula (I) and general formula (III)
Having a structural unit that is decomposed by the action of an acid,
Resin with increased solubility in potash developer, and / or
Are represented by the following general formula (I), general formula (II) and general formula (II
Decomposed by the action of an acid having the structural unit represented by I)
A resin having increased solubility in an alkaline developer, and
And (b) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic radiation.
Containing positive electron beam, X-ray or EU
Resist composition for V. [0013] [Chemical 3]In the formulas (I) to (III), R21 is a hydrogen atom.
Or represents a methyl group, and R22 is not decomposed by the action of an acid.
R23 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.
Group, aryl group, alkoxy group, acyl group or acylo
Represents a xy group. n represents an integer of 1 to 3. W is the above general
The group represented by formula (X) is represented. (3) In the above general formula (X),
R1, R2At least one of which is a straight chain having 1 to 4 carbon atoms or
(1) or (1) above, which is a branched alkyl group
Is a register for positive electron beam, X-ray or EUV as described in (2)
Strike composition. (4) (b) By irradiation with actinic radiation
Compounds that generate phosphoric acid are exposed to actinic radiation.
The following general formulas (A-1) and (A-
2), (A-3), (A-4), (A-5), (A-
6) At least of the compounds represented by (A-7)
Any of the above (1) to (3), characterized in that it is one type
Resist for positive electron beam, X-ray or EUV
Composition. [0017] [Formula 4] In the formulas (A-1) and (A-2), R1~ R
FiveMay be the same or different, and a hydrogen atom, an alkyl,
Group, cycloalkyl group, alkoxy group, hydroxy
Group, halogen atom, or -SR6Indicates a group. R6Is al
A kill group or an aryl group is shown. X-(A) linear, branched or cyclic
An anion of an alkyl sulfonic acid having 1 to 12 carbon atoms,
Some or all of the hydrogen atoms are replaced with fluorine atoms
Or (b) branched or cyclic carbon number of 8 or less
Selected from the group of the above alkyl and alkoxy groups
Have at least one group, linear, branched or cyclic
Of the group of alkyl groups having 4 to 7 carbon atoms and alkoxy groups
Having at least two groups selected from among, linear or
Is a branched alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and alkoxy
Having at least three groups selected from the group of groups,
Having 1 to 5 halogen atoms, or linear or
Is a benzene having a branched ester group having 1 to 10 carbon atoms
Sulfonic acid, naphthalenesulfonic acid or anthracene
An anion of sulfonic acid is shown. [0020] [Chemical formula 5] In the formula (A-3), R7~ RTenAre the same
Each of which may be different, hydrogen atom, alkyl group,
A loalkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, or a halo
Gen atom is shown. X-Is as defined above. m, n,
p and q each represent an integer of 1 to 3. [0022] [Chemical 6] In the formula (A-4), R11~ R13Are the same
May be different, hydrogen atom, alkyl group, cycloa
Alkyl group, alkoxy group, hydroxy group, halogen atom
Or -S-R6Indicates a group. R6, X-Is synonymous with the above
The l, m and n may be the same or different;
Indicates an integer. If l, m and n are each 2 or 3, then 2
~ 3 R11~ R13Two of each of which
5-8 elements including carbocyclic, heterocyclic or aromatic rings
A ring consisting of [0024] [Chemical 7] In the formula (A-5), R14~ R16Are the same
May be different, hydrogen atom, alkyl group, cycloa
Alkyl group, alkoxy group, hydroxy group, halogen atom
Or -S-R6Indicates a group. R6, X-Is as defined above
The l, m and n may be the same or different;
Indicates an integer. If l, m and n are each 2 or 3, then 2
~ 3 R14~ R16Two of each of which
5-8 elements including carbocyclic, heterocyclic or aromatic rings
A ring consisting of [0026] [Chemical 8] In the formula (A-6), Y has a substituent.
Linear, branched, cyclic alkyl groups, which may be substituted
Good aralkyl group, [0028] [Chemical 9] A group represented by (R)31~ R51Is the same
However, they may be different and have a hydrogen atom or a substituent.
Linear, branched, cyclic alkyl groups, alkoxy groups,
Acyl group, acylamino group, sulfonylamino group, ant
Group, acyloxy group, aralkyl group or alkoxy group
Sicarbonyl group, formyl group, nitro group, chlorine source
Child, bromine atom, iodine atom, hydroxyl group, or cyano group
R31~ R35, R36~ R42And R43~ R51Is it
Two of each group are bonded to carbon atoms and / or
A 5- to 8-membered ring composed of a terror atom may be formed). Ma
Y binds to the residue of another imide sulfonate compound.
It may be. X is a linear or branched chain optionally having a substituent.
Alkylene group, optionally substituted hetero atom
A monocyclic or polycyclic alkylene group which may contain, substituted
Linear, branched alkenylene groups, which may be substituted,
May be monocyclic or polycyclic and may contain heteroatoms
A cyclic alkenylene group, an optionally substituted aryle
And an optionally substituted aralkylene group. Ma
Even if X is bonded to another imide sulfonate residue
Good. [0031] Ar1-SO2-SO2-Ar2        (A-7) In formula (A-7), Ar1, Ar2Are the same or different
Or a substituted or unsubstituted aryl group. (5) (b) By irradiation with actinic radiation
Compounds that generate phosphoric acid are exposed to actinic radiation.
The following general formulas (PAG3) and (PA
It is at least one of the compounds represented by G4)
Any one of the above (1) to (3)
Resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV. [0033] Embedded image Where Ar1, Ar2Are each independently substituted
Or an unsubstituted aryl group is shown. R203, R204, R
205Each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl
A group and an aryl group; Z-Has at least one fluorine atom
A sulfonate anion. Also R203, R204, R
205Two of them and Ar1, Ar2Is a single unit for each
Or may be bonded via a substituent. (6) Further, when activated radiation is applied,
A compound capable of generating a sulfonic acid containing no nitrogen atom, and
And a compound that generates carboxylic acid upon irradiation with actinic radiation.
Characterized by containing at least one of the products
Register for positive electron beam, X-ray or EUV described in (5)
Strike composition. (7) Further comprising a cyclic amine compound
The positive electron according to any one of (1) to (6) above
Resist composition for X-ray, X-ray or EUV. (8) Further, fluorine-based surfactant or silicon-based surfactant
Characterized by containing a sex agent or both
The positive electron beam or X-ray according to any one of (1) to (7)
Or a resist composition for EUV. (9) Decomposes by the action of an acid and works against an alkaline developer
Further comprising a compound with increased solubility
The positive electron according to any one of (1) to (8) above
Resist composition for X-ray, X-ray or EUV. (10) Content of acid contained in the resist composition
(1) above, characterized in that is 500 ppm or less
To (9) positive electron beam, X-ray or E
Resist composition for UV. [0037] The present invention will be described in detail below. (A) -1: having a group represented by the general formula (X),
Decomposes by the action of acid, solubility in alkaline developer
Increased resin R in the general formula (X)1, R2As the alkyl group of
Methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl
Group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group,
and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as t-butyl group.
It is. The divalent organic group for W is preferred.
Or linear, branched or ring optionally having substituent (s)
Alkylene group, arylene group, heteroarylene
Group, aralkylene group, and -S-, -C (= O)-,
-N (RFour)-, -SO-, -SO2-, -CO2-,-
N (RFour) SO2-Or a combination of two or more of these groups
Can be mentioned divalent groups. Where RFourIs water
Elementary atoms or alkyl groups (specific examples of alkyl groups are
R1Can be mentioned)
The RThreeSubstituents with 11-20 total carbons in
As an alkyl group which may have a total carbon number of 11 to 2,
A chain alkyl group optionally having 0 substituents, total carbon number of 1
And a cyclic alkyl group optionally having 1 to 20 substituents.
It is done. R aboveThree11 to 20 carbon atoms, preferably
The chain alkyl group having 11 to 18 carbon atoms is linear
Or may be branched, for example n-undec
Group, i-undecyl group, n-dodecyl group, i-dodecyl group
Group, n-tridecyl group, i-tridecyl group, n-teto
Radecyl group, i-tetradecyl group, n-pentadecyl group
Group, i-pentadecyl group, n-hexadecyl group, i-he
Xadecyl group, n-heptadecyl group, i-heptadecyl group
Group, n-octadecyl group, i-octadecyl group, n-no
And nadecyl group, i-nonadecyl group, etc.
The R aboveThree11 to 20 carbon atoms, preferably
As the cyclic alkyl group having 11 to 18 carbon atoms,
Even if a ring is formed with the number of carbon atoms in
Alkyl may be used, for example, cycloundecyl group, cyclo
Dodecyl group, cyclotridecyl group, cyclotridecyl group
Group, cyclotetradecyl group, cyclopentadecyl group,
Clohexadecyl group, cycloheptadecyl group, cycloo
Kutadecyl group, cyclononadecyl group, 4-cyclohexyl
Rucyclohexyl group, 4-n-hexylcyclohexyl
Group, pentanylcyclohexyl group, hexyloxycycle
A hexyl group, a pentanyloxycyclohexyl group, etc.
I can list them. Substituted cyclic alkyls other than those listed here
A kill group can also be used if it exists in the said range. R aboveThree11 to 30 carbon atoms, preferably
As the aryl group having 11 to 25 carbon atoms, 4-cyclo
A pentylphenyl group, a 4-cyclohexylphenyl group,
4-cycloheptenylphenyl group, 4-cyclooctani
Ruphenyl group, 2-cyclopentylphenyl group, 2-silane
Chlohexylphenyl group, 2-cycloheptenyl phenyl
Group, 2-cyclooctanylphenyl group, 3-cyclope
Nthylphenyl group, 3-cyclohexylphenyl group, 3
-Cycloheptenylphenyl group, 3-cyclooctanyl
Phenyl group, 4-cyclopentyloxyphenyl group, 4
-Cyclohexyloxyphenyl group, 4-cyclohepte
Nyloxyphenyl group, 4-cyclooctanyloxyf
Enyl group, 2-cyclopentyloxyphenyl group, 2-
Cyclohexyloxyphenyl group, 2-cyclohepteni
Ruoxyphenyl group, 2-cyclooctanyloxyphene
Nyl group, 3-cyclopentyloxyphenyl group, 3-
Chlohexyloxyphenyl group, 3-cycloheptenyl
Oxyphenyl group, 3-cyclooctanyloxypheny
Group, 4-n-pentylphenyl group, 4-n-hexyl
Phenyl group, 4-n-heptenylphenyl group, 4-n-
Octanylphenyl group, 2-n-pentylphenyl group,
2-n-hexylphenyl group, 2-n-heptenyl phen
Nyl group, 2-n-octanylphenyl group, 3-n-pen
Tilphenyl group, 3-n-hexylphenyl group, 3-n
-Heptenylphenyl group, 3-n-octanylphenyl
Group, 2,6-di-isopropylphenyl group, 2,3-di
-Isopropylphenyl group, 2,4-di-isopropyl
Phenyl group, 3,4-di-isopropylphenyl group,
3,6-di-t-butylphenyl group, 2,3-di-t-
Butylphenyl group, 2,4-di-t-butylphenyl
Group, 3,4-di-t-butylphenyl group, 2,6-di-
n-butylphenyl group, 2,3-di-n-butylpheny
Group, 2,4-di-n-butylphenyl group, 3,4-di
-N-butylphenyl group, 2,6-di-i-butylphenol
Nyl group, 2,3-di-i-butylphenyl group, 2,4-
Di-i-butylphenyl group, 3,4-di-i-butylphenyl
Enyl group, 2,6-di-t-amylphenyl group, 2,3
-Di-t-amylphenyl group, 2,4-di-t-amyl
Phenyl group, 3,4-di-t-amylphenyl group, 2,
6-di-i-amylphenyl group, 2,3-di-i-ami
Ruphenyl group, 2,4-di-i-amylphenyl group,
3,4-di-i-amylphenyl group, 2,6-di-n-
Pentylphenyl group, 2,3-di-n-pentylpheny
Group, 2,4-di-n-pentylphenyl group, 3,4-
Di-n-pentylphenyl group, 4-adamantylpheny
Group, 2-adamantylphenyl group, 4-isoboronyl
Phenyl group, 3-isoboronylphenyl group, 2-isobo
Ronylphenyl group, 4-cyclopentyloxyphenyl
Group, 4-cyclohexyloxyphenyl group, 4-cyclo
Heptenyloxyphenyl group, 4-cyclooctanyl
Xiphenyl group, 2-cyclopentyloxyphenyl
Group, 2-cyclohexyloxyphenyl group, 2-cyclo
Heptenyloxyphenyl group, 2-cyclooctanoyl
Xiphenyl group, 3-cyclopentyloxyphenyl
Group, 3-cyclohexyloxyphenyl group, 3-cyclo
Heptenyloxyphenyl group, 3-cyclooctanyl
A xylphenyl group, a 4-n-pentyloxyphenyl group,
4-n-hexyloxyphenyl group, 4-n-hepteni
Ruoxyphenyl group, 4-n-octanyloxypheny
Group, 2-n-pentyloxyphenyl group, 2-n-he
Xyloxyphenyl group, 2-n-heptenyloxy
Enyl group, 2-n-octanyloxyphenyl group, 3-
n-pentyloxyphenyl group, 3-n-hexyloxy
Siphenyl group, 3-n-heptenyloxyphenyl group,
3-n-octanyloxyphenyl group, 2,6-di-i
Sopropyloxyphenyl group, 2,3-di-isopropyl
Ruoxyphenyl group, 2,4-diisopropyloxy
Phenyl group, 3,4-di-isopropyloxyphenyl
Group, 2,6-di-t-butyloxyphenyl group, 2,3
-Di-t-butyloxyphenyl group, 2,4-di-t-
Butyloxyphenyl group, 3,4-di-t-butyloxy
Cyphenyl group, 2,6-di-n-butyloxyphenyl
Group, 2,3-di-n-butyloxyphenyl group, 2,4
-Di-n-butyloxyphenyl group, 3,4-di-n-
Butyloxyphenyl group, 2,6-di-i-butyloxy
Cyphenyl group, 2,3-di-i-butyloxyphenyl
Group, 2,4-di-i-butyloxyphenyl group, 3,4
-Di-i-butyloxyphenyl group, 2,6-di-t-
Amyloxyphenyl group, 2,3-di-t-amyloxy
Cyphenyl group, 2,4-di-t-amyloxyphenyl
Group, 3,4-di-t-amyloxyphenyl group, 2,6
-Di-i-amyloxyphenyl group, 2,3-di-i-
Amyloxyphenyl group, 2,4-di-i-amyloxy
Cyphenyl group, 3,4-di-i-amyloxyphenyl
Group, 2,6-di-n-pentyloxyphenyl group, 2,
3-di-n-pentyloxyphenyl group, 2,4-di-
n-pentyloxyphenyl group, 3,4-di-n-pen
Tyloxyphenyl group, 4-adamantyloxypheny
Group, 3-adamantyloxyphenyl group, 2-adama
N-tyloxyphenyl group, 4-isoboronyloxyphene
Nyl group, 3-isoboronyloxyphenyl group, 2-iso
A boronyloxyphenyl group, and the like.
Substitutions other than the above examples may be further substituted within the range.
It is not limited to the group. RThreeCarbon number of 12-30, preferably carbon
As the aralkyl group of Formula 12 to 25, 4-cyclope
Nthylphenylethyl group, 4-cyclohexylphenyl
Ethyl group, 4-cycloheptenylphenylethyl group, 4
-Cyclooctanylphenylethyl group, 2-cyclopent
Tylphenylethyl group, 2-cyclohexylphenyl group
Til group, 2-cycloheptenylphenylethyl group, 2-
Cyclooctanylphenylethyl group, 3-cyclopentyl
Ruphenylethyl group, 3-cyclohexylphenylethyl
Group, 3-cycloheptenylphenylethyl group, 3-
Crooctanylphenylethyl group, 4-cyclopentyl
Oxyphenylethyl group, 4-cyclohexyloxy
Enylethyl group, 4-cycloheptenyloxyphenyl
Ethyl group, 4-cyclooctanyloxyphenyl ethyl
Group, 2-cyclopentyloxyphenylethyl group, 2-
Cyclohexyloxyphenylethyl group, 2-cyclohexyl
Ptenyloxyphenylethyl group, 2-cyclooctani
Ruoxyphenylethyl group, 3-cyclopentyloxy
Phenylethyl group, 3-cyclohexyloxyphenyl
Ethyl group, 3-cycloheptenyloxyphenyl ethyl
Group, 3-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 4
-N-pentylphenylethyl group, 4-n-hexylsulfate
Enylethyl group, 4-n-heptenylphenylethyl
Group, 4-n-octanylphenylethyl group, 2-n-pe
N-phenylphenyl group, 2-n-hexylphenyl ester
Til group, 2-n-heptenylphenylethyl group, 2-n
-Octanylphenylethyl group, 3-n-pentylphene
Nylethyl group, 3-n-hexylphenylethyl group, 3
-N-heptenylphenylethyl group, 3-n-octani
Ruphenylethyl group, 2,6-di-isopropylpheny
Ruethyl group, 2,3-di-isopropylphenylethyl
Group, 2,4-di-isopropylphenylethyl group, 3,
4-di-isopropylphenylethyl group, 2,6-di-
t-butylphenylethyl group, 2,3-di-t-butyl
Phenylethyl group, 2,4-di-t-butylphenyl ester
A til group, a 3,4-di-t-butylphenylethyl group,
2,6-di-n-butylphenylethyl group, 2,3-di
-N-butylphenylethyl group, 2,4-di-n-butyl
Ruphenylethyl group, 3,4-di-n-butylphenyl
An ethyl group, a 2,6-di-i-butylphenylethyl group,
2,3-di-i-butylphenylethyl group, 2,4-di
-I-butylphenylethyl group, 3,4-di-i-butyl
Ruphenylethyl group, 2,6-di-t-amylphenyl
An ethyl group, a 2,3-di-t-amylphenylethyl group,
2,4-di-t-amylphenylethyl group, 3,4-di
-T-amylphenylethyl group, 2,6-di-i-ami
Ruphenylethyl group, 2,3-di-i-amylphenyl
An ethyl group, a 2,4-di-i-amylphenylethyl group,
3,4-di-i-amylphenylethyl group, 2,6-di
-N-pentylphenylethyl group, 2,3-di-n-pe
N-phenylphenyl group, 2,4-di-n-pentylph
Enylethyl group, 3,4-di-n-pentylphenyl ether
Til, 4-adamantylphenylethyl, 3-ada
Mantylphenylethyl group, 2-adamantylphenyl
Ethyl group, 4-isoboronylphenylethyl group, 3-i
Soboronylphenylethyl group, 2-isoboronylphenyl
Ruethyl group, 4-cyclopentyloxyphenylethyl
Group, 4-cyclohexyloxyphenylethyl group, 4-
Cycloheptenyloxyphenylethyl group, 4-cyclo
Octanyloxyphenylethyl group, 2-cyclopent
Ruoxyphenylethyl group, 2-cyclohexyloxy
Phenylethyl group, 2-cycloheptenyloxypheny
Ruethyl group, 2-cyclooctanyloxyphenyl ethyl
Group, 3-cyclopentyloxyphenylethyl group, 3
-Cyclohexyloxyphenylethyl group, 3-cyclo
Heptenyloxyphenylethyl group, 3-cycloocta
Nyloxyphenylethyl group, 4-n-pentyloxy
Phenylethyl group, 4-n-hexyloxyphenyl ester
A til group, a 4-n-heptenyloxyphenylethyl group,
4-n-octanyloxyphenylethyl group, 2-n-
Pentyloxyphenylethyl group, 2-n-hexylo
Xiphenylethyl group, 2-n-heptenyloxyphene
Nylethyl group, 2-n-octanyloxyphenyl ethyl
Group, 3-n-pentyloxyphenylethyl group, 3-
n-hexyloxyphenylethyl group, 3-n-hepte
Nyloxyphenylethyl group, 3-n-octanyloxy
Cyphenylethyl group, 2,6-diisopropyloxy
Phenylethyl group, 2,3-di-isopropyloxy
Enylethyl group, 2,4-di-isopropyloxyphene
Nylethyl group, 3,4-diisopropyloxypheny
Ruethyl group, 2,6-di-t-butyloxyphenyl ester
Til group, 2,3-di-t-butyloxyphenylethyl
Group, 2,4-di-t-butyloxyphenylethyl group,
3,4-di-t-butyloxyphenylethyl group, 2,
6-di-n-butyloxyphenylethyl group, 2,3-
Di-n-butyloxyphenylethyl group, 2,4-di-
n-butyloxyphenylethyl group, 3,4-di-n-
Butyloxyphenylethyl group, 2,6-di-i-butyl
Ruoxyphenylethyl group, 2,3-di-i-butylo
Xiphenylethyl group, 2,4-di-i-butyloxy
Phenylethyl group, 3,4-di-i-butyloxyphene
Nylethyl group, 2,6-di-t-amyloxyphenyl
Ethyl group, 2,3-di-t-amyloxyphenyl ethyl
Group, 2,4-di-t-amyloxyphenylethyl
Group, 3,4-di-t-amyloxyphenylethyl group,
2,6-di-i-amyloxyphenylethyl group, 2,
3-di-i-amyloxyphenylethyl group, 2,4-
Di-i-amyloxyphenylethyl group, 3,4-di-
i-Amyloxyphenylethyl group, 2,6-di-n-
Pentyloxyphenylethyl group, 2,3-di-n-pe
Nthyloxyphenylethyl group, 2,4-di-n-pen
Tyloxyphenylethyl group, 3,4-di-n-pent
Ruoxyphenylethyl group, 4-adamantyloxyph
Enylethyl group, 3-adamantyloxyphenyl ethyl
Group, 2-adamantyloxyphenylethyl group, 4-
Isoboronyloxyphenylethyl group, 3-isoboroni
Ruoxyphenylethyl group, 2-isoboronyloxy
An phenylethyl group, or the above alkyl is a methyl group,
For example, propyl group, butyl group, etc.
It is. As a further substituent of the above group, water
Acid groups, halogen atoms (fluorine, chlorine, bromine, iodine),
Nitro group, cyano group, the above alkyl group, methoxy group,
Ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, H
Droxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group
Alkoxy such as group, sec-butoxy group, t-butoxy group
Si group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, etc.
Alkoxycarbonyl group, benzyl group and phenethyl group
・ Aralkyl groups such as cumyl groups, aralkyloxy groups,
Rumyl group, Acetyl group, Butyryl group, Benzoyl group, Si
Acyl groups such as anamil group and valeryl group, butyryloxy
Acyloxy groups such as groups, the above alkenyl groups, vinyloxy
Si group, propenyloxy group, allyloxy group, butenyl
An alkenyloxy group such as an oxy group, the above aryl group,
Aryloxy group such as phenoxy group, benzoyloxy
And aryloxycarbonyl groups such as
The RThreeAs a substituent of
11-25 aryl group or C12-25 aryl
Kill group. These substituents have further substituents
The number of carbon atoms of the substituted aryl group or the substituted aralkyl group is
It may be within this range. In the general formula (X), R1,
R2At least one of which is a straight or branched chain having 2 to 4 carbon atoms
The alkyl group is preferably. Specific examples of the group represented by the general formula (X) are as follows:
However, it is not limited to these. [0048] Embedded image [0049] Embedded image[0050] Embedded image[0051] Embedded imageGroup represented by the general formula (X) in the present invention
It decomposes by the action of acid and is
Resin with increased solubility (hereinafter represented by general formula (X)
Is also obtained by polymerizing monomers.
The compound having a molecular weight distribution is represented by the general formula (X)
It has a structure in which the acid-decomposable group shown is introduced.
It is a compound that becomes more alkali-soluble. A resin having a group represented by the general formula (X);
The main chain or side chain of the resin, or the main chain and side chain
Both are resins having a group represented by the general formula (X).
The Among these, it has a group represented by the general formula (X) in the side chain
A resin is more preferable. Next, the group represented by the general formula (X) is a side chain.
As a base resin in the case of bonding,
Or —COOH, preferably —R0-COOH
Is an alkali-soluble resin having an -Ar-OH group.
For example, an alkali containing no acid-decomposable group described later
A soluble resin can be mentioned. Where -R0− Is
Divalent or higher aliphatic or aromatic which may have a substituent
Represents a hydrocarbon, -Ar- is a monocyclic or polycyclic substituent
Represents a divalent or higher-valent aromatic group which may have As a preferred base resin in the present invention,
Is an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group
is there. The phenolic hydroxyl group used in the present invention is
The alkali-soluble resin having o-, m- or p-hydride
Loxystyrene (collectively these are hydroxystyrene)
Or o-, m- or p-hydroxy-α
-Methylstyrene (collectively these are hydroxy-α-
The number of repeating units corresponding to
At least 30 mol%, preferably 50 mol% or more
A copolymer or a homopolymer thereof, or
It is preferred that the core is a partially hydrogenated resin.
P-hydroxystyrene homopolymer is more preferred
That's right. To prepare the above copolymer by copolymerization
Hydroxystyrene and hydroxy-α-methylstyrene
As monomers other than Len, acrylic acid esters,
Methacrylic acid esters, acrylamides, methacrylates
Luamides, acrylonitrile, methacrylonitrile,
Maleic anhydride, styrene, α-methylstyrene, acetate
Toxistyrene and alkoxystyrene are preferred,
Tylene, acetoxystyrene, t-butoxystyrene
More preferred. In the present invention, one of the resins in such a resin is used.
A repeating unit having a group represented by the general formula (X) (structural unit
Content) is 3 mol with respect to all repeating units.
% To 50 mol% is preferred, more preferably 5 mol% to
30 mol%. In the present invention, a group represented by the general formula (X)
In the resin having a group represented by the general formula (X)
In addition, other acid-decomposable groups may be included. Contains a group represented by the above general formula (X)
Resin is synthesized by synthesizing the corresponding vinyl ether and tetrahydride.
Phenolic hydroxyl group dissolved in a suitable solvent such as lofuran
React with alkali-containing resin in a known manner
Can be obtained. The reaction is usually an acidic catalyst, preferably
Preferably, acidic ion exchange resin, hydrochloric acid, p-toluene
Like sulfonic acid or pyridinium tosylate
It is carried out in the presence of a salt. Corresponding vinyl ether
Is it an active ingredient like chloroethyl vinyl ether?
Can be synthesized by a method such as a nucleophilic substitution reaction,
It can also be synthesized using mercury or palladium catalysts.
The As another method, the corresponding alcohol is used.
For acetal exchange using ruthenium and vinyl ether
Therefore, it can be synthesized. In this case, I want to introduce
Substituents are attached to alcohol, and vinyl ether is t-butyl.
Relatively unstable vinyl agents such as til vinyl ether
Mixed with p-toluenesulfonic acid and pyridinium
It is carried out in the presence of an acid such as mutosylate. Contains a group represented by the above general formula (X)
The weight average molecular weight of the resin is preferably 2000-200000
300 to 100,000 is more preferable, 500
0 to 50000 is more preferable. The range of molecular weight distribution (Mw / Mn) is 1.
01-4.0, preferably 1.05-3.00
is there. To obtain a polymer having such a molecular weight distribution
Use anionic polymerization, radical polymerization, etc.
preferable. Such a group represented by the general formula (X) is included.
The specific structure of the resin having is exemplified below, the present invention is
It is not limited to these. [0066] Embedded image [0067] Embedded image[0068] Embedded image [0069] Embedded image[0070] Embedded image [0071] Embedded image [0072] Embedded image [0073] Embedded image [0074] Embedded image Resin used in the present invention (shown by general formula (X))
A resin containing a group represented by formula (I) and formula (II)
Decomposed by the action of an acid having the structural unit represented by I)
A resin having increased solubility in an alkaline developer, and
And / or the above general formula (I), general formula (II) and general formula
By the action of an acid having the structural unit represented by (III)
Trees that decompose and increase solubility in alkaline developers
Fat) for adjusting alkali dissolution rate and improving heat resistance
In the synthesis stage, polyhydroxy compounds are added to
A cross-linking site that connects the main chain of the limer with a polyfunctional acetal group
It may be introduced. The amount of polyhydroxy compound added is resin water.
0.01 to 10 mol%, preferably based on the number of acid groups
Is 0.05-8 mol%, more preferably 0.1-5 m
ol%. As polyhydroxy compounds, phenol
Having 2 to 6 rutile hydroxyl groups or alcoholic hydroxyl groups
Preferably, the number of hydroxyl groups is 2-4
More preferably, the number of hydroxyl groups is 2 or 3. Less than
Specific examples are shown below, but the present invention is not limited thereto.
is not. [0078] Embedded image (A) -2: General formula (I) and general formula
By the action of an acid having the structural unit represented by (III)
Resin that decomposes and increases solubility in alkaline developer
(Hereinafter also referred to as the resin (A) -1) and / or above
General formula (I), general formula (II) and general formula (III)
Having a structural unit that is decomposed by the action of an acid,
Resin with increased solubility in potash developer (hereinafter,
(Also referred to as (A) -2 resin) R21 represents a hydrogen atom or a
Represents a til group. Does not decompose by the action of acid in R22
Examples of groups (also referred to as acid stable groups) include hydrogen atoms, halogens
Atoms, alkyl groups, cycloalkyl groups, alkenyl groups,
Aryl group, alkyloxy group (provided that -O-tertiary
Except alkyl), acyl group, cycloalkyloxy group,
Alkenyloxy group, aryloxy group, alkylcal
Bonyloxy group, alkylamidomethyloxy group, al
Killamide group, arylamidomethyl group, arylamido
And the like. The acid stabilizing group is preferably
Sil group, alkylcarbonyloxy group, alkyloxy
Group, cycloalkyloxy group, aryloxy group, al
Kiramidooxy group and alkylamido group, more preferred
Preferably, acyl group, alkylcarbonyloxy group, al
Killoxy group, cycloalkyloxy group, aryloxy group
Si group. In the acid stable group of R22, an alkyl group and
A methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl
Group, such as sec-butyl group, t-butyl group, 1 to
4 are preferred, and the cycloalkyl group is
Ropropyl, cyclobutyl, cyclohexyl,
Those with 3 to 10 carbon atoms such as a damantyl group are preferred.
Alkenyl groups include vinyl, propenyl, and
Those having 2 to 4 carbon atoms such as a ryl group and a butenyl group are preferred.
As the alkenyl group, a vinyl group, a propenyl group,
Those having 2 to 4 carbon atoms such as allyl group and butenyl group are preferred.
Preferably, aryl groups include phenyl, xylyl,
Toluyl, cumenyl, naphthyl, anthracenyl
A group having 6 to 14 carbon atoms such as a group is preferred. Alkoki
Si groups include methoxy, ethoxy and hydroxy groups.
Toxi group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n
-Butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, etc.
The C1-C4 alkoxy group of these is preferable. As a halogen atom in R23
Is preferably fluorine, chlorine, bromine or iodine, and an alkyl group
As methyl, ethyl, propyl, n-butyl, s
ec-butyl, t-butyl, hexyl, octyl, etc.
Such an aryl group having 1 to 8 carbon atoms is preferable.
Phenyl, xylyl, toluyl, cumenyl, naphth
Having 6 to 14 carbon atoms such as chill, anthracenyl, etc.
Is preferred. Examples of alkoxy groups include methoxy and ethoxy.
Si, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypro
Poxy, n-butoxy, isobutoxy, sec-butoxy
Preferred are those having 1 to 4 carbon atoms such as t-butoxy.
Preferably, acyl groups include formyl, acetyl, pro
1 to 7 carbon atoms such as panoyl, butanoyl, benzoyl
Those having an acyloxy group such as acetoxy,
Propnoyloxy, butanoyloxy, benzoylo
Those having 2 to 7 carbon atoms such as xy are preferred. The substituent W in the general formula (I)
It is general formula (X), and general formula (X) is as described above.
is there. Such a structure represented by the general formula (I)
Specific examples of the structure are illustrated below, but the present invention includes these examples.
It is not limited. [0085] Embedded image [0086] Embedded image[0087] Embedded image [0088] Embedded image[0089] Embedded image [0090] Embedded image The structural unit represented by the general formula (II) is used as a resin.
By containing, the resin decomposes by the action of acid
And control the solubility in alkaline developer.
The In addition, by introducing this structural unit, rectangularity
Excellent profile can be achieved. Furthermore, the general formula
Effective for adjusting the amount of the structural unit represented by (I)
The Such a structure represented by the general formula (II)
Specific examples of the polymerizable monomer at the position include the following.
However, it is not limited to these. [0093] Embedded image [0094] Embedded imageThese general formula (II) or general formula (III)
The resin containing the structural unit represented by is a phenol resin
Or the monomer is reacted with acid anhydride in the presence of a base.
Or the corresponding halide in the presence of a base
It can obtain by making it react. The general formula in the resin (A) -1 of the present invention
Repeating structural units represented by (I) and general formula (III)
Is a molar ratio (the structural unit represented by the general formula (I)
/ Structural unit represented by general formula (III)) 5 / 95-50
/ 50, preferably 10/90 to 30/70
The In the resin (A) -2 of the present invention,
Shown by general formula (I), general formula (II) and general formula (III)
The ratio of structural units to satisfy the following conditions
And are preferred. 0.10 <(I) / (I) + (II) + (III) <0.
25 0.01 <(II) / (I) + (II) + (III) <0.
15 (I)> (III) 0.5 <(I) / (I) + (II) <0.85 (In the formula, (I), (II), and (III) each represent a general formula
(I), a structure represented by general formula (II) and general formula (III)
Represents the mole fraction of building units. ) In the present invention, (A) -1 resin or (A) -2 tree
The fat is represented by general formula (I), general formula (II) or general formula (III).
In addition to the structural unit represented by
-Units may be included. General formula (I), general formula (II) or general formula
Repeating unit represented by (III) or other polymerizability
Each repeating structural unit from the monomer is one kind or two
A combination of more than one species may be present in the resin. In the positive resist composition of the present invention,
And (A) -1 resin or (A) -2 resin are simultaneously
It may be present, and another resin may be used in combination. In the present invention, (A) -1 resin and
When the resin (A) -2 is present at the same time,
The resin content is 20 to 90% by weight based on the entire resin.
Preferably, it is 40 to 70% by weight. In addition, the content of the resin (A) -2 is the resin
20 to 90% by weight with respect to the whole, preferably 3
0 to 50% by weight. Also included in the positive resist composition of the present invention.
The resin used has good developability for alkaline developers.
To maintain alkali-soluble groups such as phenol
Suitable so that a neutral hydroxyl group and a carboxyl group can be introduced.
Other polymerizable monomers may be copolymerized. Of the present invention synthesized by the above method.
The molecular weight of the resin (A) -1 or the resin (A) -2 is
2,000 or more by weight average (Mw: polystyrene standard),
Preferably it is 3,000-100,000, and more preferable
It is preferably 5,000 to 40,000. The dispersity (Mw / Mn) is preferably
1.0 to 4.0, more preferably 1.0 to 3.5,
Is preferably 1.0 to 3.0, and the degree of dispersion is small.
Heat resistance, image formability (pattern profile, differential
The focus latitude, etc.). The general formula (I), general formula (II) and
Tree having a repeating structural unit represented by the general formula (III)
Specific examples of fat (resin (A) -2) are shown below.
Akira is not limited to these. Incidentally, it is represented by the general formula (I) and the general formula (III).
Having repeating structural units (tree of (A) -1
As specific examples of fat, the above-described specific examples (A-1) to (A
-28), but the present invention is limited to these.
It is not a thing. [0107] Embedded image [0108] Embedded image[0109] Embedded image[0110] Embedded image[0111] Embedded image Tree having a group represented by the above general formula (X)
Fat (including (A) -1 resin or (A) -2 resin)
Content in positive resist composition (excluding coating solvent)
Is preferably 50 to 99% by weight, more preferably 70%.
~ 97 wt%. Further, in the present invention, other acid-decomposable groups
You may use together resin which has. Chemical enhancement in the present invention
Decomposed by other acids used in width resists,
Trees with groups that increase solubility in alkaline developers
As the fat, the main chain or side chain of the resin, or the main chain and
It is a resin having groups capable of decomposing with an acid on both side chains.
Of these, resins having side groups that can be decomposed by acid are more preferred.
Good. Preferred groups that can be decomposed with an acid are-
COOA0, -OB0And a group containing these, and
-R0-COOA0Or -Ar-O-B0Indicated by
Group to be used. Here, A0Is -C (R01) (R02) (R
03), -Si (R01) (R02) (R0 Three) Or -C
(R04) (R05) -O-R06Indicates a group. B0Is -A0or
Is -CO-O-A0Group (R0, R01~ R06And A
r is as defined below. The acid-decomposable group is preferably silyl ether.
Ether group, cumyl ester group, acetal group, tetra
Dropyranyl ether group, tetrahydropyranyl ester
Group, enol ether group, enol ester group, third
Grade alkyl ether groups, tertiary alkyl esters
Groups, tertiary alkyl carbonate groups, and the like. Even better
Preferably, tertiary alkyl ester group, tertiary alkyl
Carbonate group, cumyl ester group, acetal group, tetra
It is a trahydropyranyl ether group. Next, these acid-decomposable groups become side chains.
As the base resin,
Or a group containing —COOH, preferably —R0-CO
Alkali-soluble having OH group or -Ar-OH group
Resin. For example, alkali-soluble resins described later are listed.
I can make it. Alkali dissolution of these alkali-soluble resins
The speed is 0.261N tetramethylammonium hydride
170 (23 ° C.) measured with peroxide (TMAH)
A / sec or more is preferable. Particularly preferably 330A
Per second (A is angstrom). From the point of achieving a rectangular profile
High transmittance for deep ultraviolet light and excimer laser light
Lucari soluble resin is preferred. Preferably, 1 μm film thickness
The transmittance at 248 nm is 20 to 90%. From this point of view, particularly preferred alk
Re-soluble resins are o-, m-, p-poly (hydroxys
Styrene) and their copolymers, hydrogenated poly (hydroxy)
Styrene), halogen or alkyl-substituted poly (H
Droxystyrene), poly (hydroxystyrene)
Part, O-alkylated or O-acylated, styrene
-Hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-
Hydroxystyrene copolymer and hydrogenated novolac resin
It is. It has a group that can be decomposed by the acid used in the present invention.
The resin to be used is an acid-decomposable group of an alkali-soluble resin.
Bonding of groups that can react with precursors or decompose with acids
Combined alkali-soluble resin monomers with various monomers
It can be obtained by copolymerization. The acid generator has a group that can be decomposed by an acid.
Along with resin, acid-decomposable low-molecular-weight dissolution inhibiting compounds described later
May be mixed. Acid-decomposable dissolution inhibiting compound used in the present invention
As a product, there must be at least groups that can be decomposed by acid in the structure.
2 and the distance between the acid-decomposable groups is the farthest away.
In this case, at least 8 bond atoms excluding the acid-decomposable group
It is a compound. In addition, the acid-decomposable small molecule used in the present invention
The dissolution inhibiting compound has an acid-decomposable group represented by the general formula (X).
You may contain at least 1 sort. In the present invention, preferably acid-decomposable dissolution
Blocking compounds contain fewer groups that can be decomposed with acid in their structure.
The position where the distance between the acid-decomposable groups is furthest away
And at least 10 bonding atoms excluding the acid-decomposable group.
, Preferably at least 11, more preferably less
There are at least 12 compounds or acid-decomposable groups
The position where the distance between the acid-decomposable groups is the most distant
And at least 9 bond atoms excluding the acid-decomposable group.
, Preferably at least 10, more preferably less
It is a compound that passes through at least 11. In addition, the above bonding atom
The upper limit is preferably 50, more preferably 30
The In the present invention, an acid-decomposable dissolution inhibiting compound
Has 3 or more, preferably 4 or more acid-decomposable groups
In the case where there are two acid-decomposable groups, the acid
If the degradable groups are separated from each other by a certain distance,
Dissolution prevention for alkali-soluble resins is significantly improved
The Incidentally, the distance between the acid-decomposable groups in the present invention.
Is represented by the number of via-bonded atoms excluding the acid-decomposable group. Example
For example, in the case of the following compounds (1) and (2), an acid-decomposable group
The distance between each is 4 bonded atoms, and in compound (3)
Is 12 bonded atoms. [0128] Embedded image Also, the acid-decomposable dissolution inhibiting compound of the present invention
Has a plurality of acid-decomposable groups on one benzene ring.
Preferably, one on one benzene ring
A compound composed of a skeleton having an acid-decomposable group of
The Furthermore, the molecular weight of the acid-decomposable dissolution inhibiting compound of the present invention is
3,000 or less, preferably 500 to 3,000
0, more preferably 1,000 to 2,500. In a preferred embodiment of the invention, the acid
Decomposable by the group, i.e. -COO-A0, -OB0Base
Examples of the group containing -R0-COO-A0Or -Ar-
OB0The group shown by these is mentioned. Here, A0Is -C (R01) (R02) (R
03), -Si (R01) (R02) (R0 ThreeOr -C
(R04) (R05) -O-R06Indicates a group. B0A0Or
-CO-O-A0Indicates a group. R01, R02, R03, R04And R05It
Each may be the same or different, hydrogen atom, alkyl
Group, cycloalkyl group, alkenyl group or aryl
Group R06Represents an alkyl group or an aryl group
The However, R01~ R03At least two of which are hydrogen atoms or less
Outside group and R01~ R03And R04~ R06Of
Two groups may combine to form a ring. R0Is a substituent
Divalent or higher aliphatic or aromatic charcoal that may have
Represents a hydrogen fluoride group, -Ar- is a monocyclic or polycyclic substituent
The aromatic group more than bivalence which may have is shown. Here, the alkyl group includes a methyl group,
Til, propyl, n-butyl, sec-butyl
Group having 1 to 4 carbon atoms such as t-butyl group is preferred.
Cycloalkyl groups include cyclopropyl and cyclyl groups.
Such as butyl, cyclohexyl, and adamantyl groups
Those having 3 to 10 carbon atoms are preferred,
Of vinyl, propenyl, allyl, and butenyl groups
Are preferably those having 2 to 4 carbon atoms such as aryl groups.
Are phenyl, xylyl, toluyl, cumenyl
Group having 6 to 1 carbon atoms such as naphthyl group and anthracenyl group
Four are preferred. Further, examples of the substituent include a hydroxyl group and a halogen atom.
Child (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro group, cyano
Group, the above alkyl group, methoxy group, ethoxy group, hydride
Roxyethoxy group, propoxy group, hydroxypropoxy group
Si group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-buto
Alkoxy groups such as xy group and t-butoxy group, methoxy group
Alkoxycarbonyl such as rubonyl group and ethoxycarbonyl group
Bonyl, benzyl, phenethyl, cumyl, etc.
Aralkyl group, aralkyloxy group, formyl group, acetyl
Group, butyryl group, benzoyl group, cyanamyl group,
Acyloxy such as acyl group such as ryl group and butyryloxy group
Group, the above alkenyl group, vinyloxy group, propenyl
Al, such as oxy group, allyloxy group, butenyloxy group
Such as kenyloxy group, the above aryl group, phenoxy group, etc.
Aryloxy groups such as aryloxy groups and benzoyloxy groups
Mention may be made of the xylcarbonyl group. Preferred as a group that can be decomposed by an acid
Is a silyl ether group, cumyl ester group, acetal
Group, tetrahydropyranyl ether group, enol ether
Group, enol ester group, tertiary alkyl ether
Group, tertiary alkyl ester group, tertiary alkyl group
-Bonate groups and the like. More preferably, the tertiary alkyl
Ruester group, tertiary alkyl carbonate group, cumyl
An ester group and a tetrahydropyranyl ether group. Preferred as an acid-decomposable dissolution inhibiting compound
JP-A-1-289946, JP-A-1-2899.
47, JP-A-2-2560, JP-A-3-12895
9, JP-A-3-158855, JP-A-3-1793
53, JP-A-3-191351, JP-A-3-200
No. 251, JP-A-3-200252, JP-A-3-20
No. 0253, Japanese Patent Laid-Open No. 3-200454, Japanese Patent Laid-Open No. 3-2
No. 00255, JP-A-3-259149, JP-A-3-259
279958, JP-A-3-279959, JP-A-4
-1650, JP-A-4-1651, JP-A-4-11
260, JP-A-4-12356, JP-A-4-123
No. 57, Japanese Patent Application No. 3-33229, Japanese Patent Application No. 3-2307
No. 90, Japanese Patent Application No. 3-320438, Japanese Patent Application No. 4-251
No. 57, Japanese Patent Application No. 4-52732, Japanese Patent Application No. 4-1032
No. 15, Japanese Patent Application No. 4-104542, Japanese Patent Application No. 4-107
No. 885, Japanese Patent Application Nos. 4-107889 and 4-1521
Of polyhydroxy compounds described in specifications such as No. 95
Some or all of the phenolic OH groups are shown above.
Group, -R0-COO-A0Or B0Bonded by group and protected
Compound. More preferably, JP-A-1-289946.
No. 3, JP-A-3-128959, JP-A-3-15885
5, JP-A-3-179353, JP-A-3-2002
No. 51, JP-A-3-200262, JP-A-3-200
No. 255, JP-A-3-259149, JP-A-3-27
No. 9958, JP-A-4-1650, JP-A-4-112
No. 60, JP-A-4-12356, JP-A-4-1235
No. 7, Japanese Patent Application No. 4-25157, Japanese Patent Application No. 4-10321
No. 5, Japanese Patent Application No. 4-104542, Japanese Patent Application No. 4-1078
No. 85, Japanese Patent Application No. 4-1078889, No. 4-15219
Using the polyhydroxy compound described in the specification of No. 5
Can be mentioned. More specifically, the general formulas [I] to [XV]
I]. [0139] Embedded image [0140] Embedded imageR101, R102, R108, R130: Same or different
May be a hydrogen atom, -R0-COO-C (R
01) (R02) (R03) Or -CO-O-C (R01) (R
02) (R03) However, R0, R01, R02And R03Definition of
Is the same as above. R100: -CO-, -COO-, -NHC
ONH-, -NHCOO-, -O-, -S-, -SO
-, -SO2-, -SOThree-Or [0143] Embedded image Here, G = 2 to 6 However, when G = 2,
R150, R151At least one of them is an alkyl group, R150, R151: Same or different, hydrogen source
Child, alkyl group, alkoxy group, -OH, -COOH,
-CN, halogen atom, -R152-COOR153Or
-R15 Four-OH, R152, R154: Alkylene group, R153: Hydrogen atom, alkyl group, aryl group, or
Aralkyl group, R99, R103~ R107, R109, R111~ R118, R131~ R
134: May be the same or different, hydrogen atom, hydroxyl group, a
Alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, acyl group
Reel group, aryloxy group, aralkyl group, aralkyl
Ruoxy group, halogen atom, nitro group, carboxyl
Group, cyano group, or -N (R155) (R156) (R
155, R156: H, alkyl group, or aryl
Base) R110: Single bond, alkylene group, or [0145] Embedded image R157, R159: Same or different,
Single bond, alkylene group, -O-, -S-, -CO-,
Or a carboxyl group, R158: Hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, acyl
Group, acyloxy group, aryl group, nitro group, hydroxyl group,
An ano group or carboxyl group, provided that the hydroxyl group has an acid content.
Decomposable groups (eg, t-butoxycarbonylmethyl, te
A trahydropyranyl group, a 1-ethoxy-1-ethyl group,
1-t-butoxy-1-ethyl group)
Yes. R119, R120: Same or different,
Methylene group, lower alkyl substituted methylene group, halomethyl
Group or haloalkylene group, provided that in the present invention
The lower alkyl group refers to an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, A: Methylene group, lower alkyl-substituted methylene group, halogen
A tylene group or a haloalkylene group, a-v, g1-n1: When there are multiple groups, the groups in parentheses are the same or different
May be, a to q, s, t, v, g1 to i1, k1 to m1: 0 or 1 to 5
number, r, u: 0 or an integer from 1 to 4, j1, n1: 0 or an integer of 1 to 3, (a + b), (e + f + g), (k + l + m), (q + r + s), (g1 + h1 + i1 + j1) ≧ 2, (j1 + n1) ≦ 3, (r + u) ≦ 4, (a + c), (b + d), (e + h), (f + i), (g + j), (k + n), (l + o), (m + p), (q
+ t), (s + v), (g1 + k1), (h1 + l1), (i1 + m1) ≦ 5, Represents. [0148] Embedded image[0149] Embedded image[0150] Embedded imageIn this case, the content of the dissolution inhibiting compound is
3 to 3 based on the total weight of the dyst composition (excluding solvent)
45% by weight, preferably 5-30% by weight, more preferably
Is 10 to 20% by weight. Furthermore, in order to adjust the alkali solubility,
Mixing alkali-soluble resins that do not have acid-decomposable groups
May be. As such an alkali-soluble resin,
For example, novolac resin, hydrogenated novolac resin, aceto
-Pyrogallol resin, o-polyhydroxystyrene,
m-polyhydroxystyrene, p-polyhydroxystyrene
Ren, hydrogenated polyhydroxystyrene, halogen or
Is alkyl-substituted polyhydroxystyrene, hydroxys
Tylene-N-substituted maleimide copolymers, o / p- and m
/ P-hydroxystyrene copolymer, polyhydroxys
Partially O-alkylated product of hydroxyl group of tylene (for example,
5-30 mol% O-methylated product) or O-
Acylates (eg, 5-30 mol% o-acetylated)
), Styrene-maleic anhydride copolymer, styrene
-Hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-
Hydroxystyrene copolymer, carboxyl group-containing meta
Examples thereof include cryl-based resins and derivatives thereof.
It is not limited to these. Particularly preferred alkali-soluble resins are Novola.
Resin, o-polyhydroxystyrene, m-polyethylene
Droxystyrene, p-polyhydroxystyrene and this
These copolymers, alkyl-substituted polyhydroxystyrene
, Partial O-alkylation of polyhydroxystyrene,
Or O-acylated product, styrene-hydroxystyrene
Copolymer, α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer
It is a polymer. The novolak resin mainly contains a predetermined monomer.
As an ingredient, addition condensation with aldehydes in the presence of an acidic catalyst
It is obtained by combining. As the predetermined monomer, phenol, m
-Cresol, p-cresol, o-cresol, etc.
Resols, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol
, 3,4-xylenol, 2,3-xylenol, etc.
Silenols, m-ethylphenol, p-ethylphenol
Nord, o-ethylphenol, pt-butylpheno
, P-octylphenol, 2,3,5-trimethyl
Alkylphenols such as phenol, p-methoxyph
Enol, m-methoxyphenol, 3,5-dimethyl
Siphenol, 2-methoxy-4-methylphenol,
m-ethoxyphenol, p-ethoxyphenol, m
-Propoxyphenol, p-propoxyphenol,
such as m-butoxyphenol, p-butoxyphenol, etc.
Alkoxyphenols, 2-methyl-4-isopropyl
Bisalkylphenols such as ruphenol, m-chloro
Lophenol, p-chlorophenol, o-chlorofe
Nord, dihydroxybiphenyl, bisphenol A,
Phenylphenol, resorcinol, naphthol, etc.
Hydroxy aroma compound alone or in combination
However, it is not limited to these
There is no. Examples of aldehydes include formal.
Dehydr, paraformaldehyde, acetaldehyde,
Lopionaldehyde, benzaldehyde, phenylacetate
Toaldehyde, α-phenylpropyl aldehyde, β-
Phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzua
Rudehydr, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydride
Roxybenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde
, M-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenza
Rudehydr, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobe
Aldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o-me
Tilbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde,
p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzalde
Hydride, pn-butylbenzaldehyde, furfura
, Chloroacetaldehyde and their acetals
Bodies such as chloroacetaldehyde diethyl acetal
Etc., but in these, formua
Preferably, aldehyde is used. These aldehydes may be used alone or
Two or more types are used in combination. As an acidic catalyst
Use hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid, etc.
it can. The weight average of the novolak resin thus obtained
The average molecular weight should be in the range of 1000-30000
preferable. If it is less than 1000, film loss after development of the unexposed area is reduced.
If it is large and exceeds 30000, the developing speed will decrease.
End up. Particularly preferred is the range of 2000 to 20000
is there. In addition, the above polyhydrides other than novolac resins.
Weight average of loxystyrene and its derivatives and copolymers
The molecular weight is 2000 or more, preferably 5000 to 200
000, more preferably 10,000 to 100,000
The In addition, the viewpoint of improving the heat resistance of the resist film
Is preferably 25000 or more. Here, the weight average molecular weight is gel permeation.
With the polystyrene equivalent value of
Defined. These alkali-soluble trees in the present invention
Two or more kinds of fats may be mixed and used. These alkali-soluble trees in the present invention
The amount added in the fat composition is preferably 5 to 30 layers.
%. The acid generator (b) used in the present invention is active.
It is a compound that generates an acid upon irradiation with actinic radiation. As the acid generator (b) used in the present invention
By irradiation of actinic radiation (electron beam, X-ray or EUV)
The compound generating an acid is a resin containing an acid generator (b).
When the dyst film is irradiated with actinic radiation,
As long as it is a compound that generates That is, the acid generator
Even compounds that generate acid directly upon irradiation are irradiated.
Causes secondary electrons to be emitted from components such as resin,
This may be a compound that generates an acid. In the present invention
Such compounds used include photocationic polymerization
Photoinitiators, photoinitiators of radical photopolymerization, photoextinguishing of pigments
Used for colorants, photochromic agents, or microresists
Known light (400-200 nm UV, deep purple
Outside line, particularly preferably g line, h line, i line, KrF exhaust
Shima laser light), ArF excimer laser light, X-ray,
Compounds that generate acid by molecular beam or ion beam, and
Select from the mixture and use as appropriate.
Can do. For example, diazonium salt, ammonium
Salt, phosphonium salt, iodonium salt, sulfonium
Onium salts such as salts, selenonium salts and arsonium salts,
Organic halogen compounds, organometallic / organic halides, o
-Iminos, an acid generator having a nitrobenzyl-type protecting group
Photolysis, such as sulfonate, generates sulfonic acid.
Compounds and disulfone compounds produced
The In addition, these acid generating groups, or
Use a compound with a compound introduced into the main chain or side chain of the polymer
Can be. Furthermore, V.N.R.Pillai, Synthesis, (1), 1 (198
0), A. Abad etal, Tetrahedron Lett., (47) 4555 (1971),
D.H.R.Barton etal, J. Chem. Soc., (C), 329 (1970), USA
Light described in Patent 3,779,778, European Patent 126,712, etc.
A compound capable of generating an acid can also be used. In the present invention, the acid generator (b) is used.
Actives represented by the above general formulas (A-1) to (A-7)
The compound that generates sulfonic acid when irradiated with actinic radiation
Preferably used. Hereinafter, the general formulas (A-1) to (A-
The compound represented by 7) will be described in detail. It is represented by the general formulas (A-1) to (A-3)
Acid generator R in the general formulas (A-1) to (A-3)1~ R6
And R7~ RTenAs the alkyl group, it has a substituent.
Methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl
1 carbon number such as a group, sec-butyl group, t-butyl group
There are ~ 4. As a cycloalkyl group
May have a substituent, cyclopropyl group, cyclo
3-8 carbon atoms such as pentyl and cyclohexyl groups
Can be mentioned. As an alkoxy group, methoxy
Group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy
Group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group
Those having 1 to 4 carbon atoms such as cis-group and t-butoxy group
Can be mentioned. Halogen atoms include fluorine and chlorine
An atom, a bromine atom, and an iodine atom can be mentioned. Ant
Examples of the group include phenyl group, tolyl group, methoxyphenol
Carbon which may have a substituent such as a nyl group or a naphthyl group
A thing of several 6-14 pieces is mentioned. [0170] The substituent is preferably 1 to 4 carbon atoms.
Alkoxy group, halogen atom (fluorine atom, chlorine atom
Child, iodine atom), aryl group having 6 to 10 carbon atoms, carbon
Several to six alkenyl groups, cyano groups, hydroxy groups,
Carboxy group, alkoxycarbonyl group, nitro group etc.
Can be mentioned. The general formula (A-1)-
Sulfonium represented by (A-3), iodinated
The compound is its counter anion, X-(A) linear,
Branched or cyclic alkyl sulfone having 1 to 12 carbon atoms
An anion of acid, part or all of its hydrogen atoms are fluorine
Optionally substituted by atoms, or (b) branched or ring
Group of alkyl and alkoxy groups having 8 or more carbon atoms
Having at least one group selected from
, Branched or cyclic alkyl groups having 4 to 7 carbon atoms and
At least two groups selected from the group of alkoxy groups
A linear or branched alkyl having 1 to 3 carbon atoms
Less groups selected from the group consisting of
Have 3 or 1 to 5 halogen atoms
Or linear or branched carbon having 1 to 10 carbon atoms.
Benzene sulfonic acid with ter group, naphthalene sulfo
An anion of acid or anthracene sulfonic acid
The As a result, an acid generated after exposure (having the above group).
Benzene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, or
Anthracene sulfonic acid) is less diffused, and
The solvent solubility of the sulfonium and iodonium compounds is improved.
I will go up. Especially from the viewpoint of reducing diffusibility.
Is a linear alkyl group or alkoxy group as the above group
A branched or cyclic alkyl group or alkoxy group
Is preferred. When there is a single group, straight-chain and branched or
The difference in diffusibility from the ring becomes more prominent. [0174] 8 or more carbon atoms, preferably 8 to 2 carbon atoms
Zero alkyl groups include branched or cyclic octyl
Group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group,
Tridecyl group, tetradecyl group, octadecyl group, etc.
I can get lost. [0175] C8 or more, preferably C8-2
Zero alkoxy groups include branched or cyclic octyl
Ruoxy, nonyloxy, decyloxy, unde
Siloxy group, dodecyloxy group, tridecyloxy
Group, tetradecyloxy group, octadecyloxy group, etc.
Can be mentioned. As the alkyl group having 4 to 7 carbon atoms,
Chain, branched or cyclic butyl, pentyl, hex
Group, heptyl group and the like. As the alkoxy group having 4 to 7 carbon atoms,
Linear, branched or cyclic butoxy group, pentyloxy
Group, hexyloxy group, heptyloxy group, etc.
The As the alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,
Til group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group
Can be mentioned. As the alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms,
Methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropyl
A poxy group is mentioned. The halogen atom includes a fluorine atom and chlorine.
Atom, bromine atom, iodine atom can be mentioned and preferred
Or a fluorine atom. Linear, branched or cyclic carbon number 1-10
These esters include methyl ester groups, ethyl ester
Tell group, n-propyl ester group, i-propyl ester
Group, n-butyl ester group, i-butyl ester group,
t-butyl ester group, n-hexyl ester group, i-
Hexyl ester group, t-hexyl ester group, n-he
Butyl ester group, i-heptyl ester group, t-hept
Chill ester group, n-octyl ester group, i-octyl
Ruester group, t-octyl ester, n-nonyl ester
Tell group, i-nonyl ester group, t-nonyl ester
Group, n-decanyl ester group, i-decanyl ester
Group, t-decanyl ester, cyclopropyl ester
Group, cyclobutyl ester group, cyclopentyl ester
Group, cyclohexyl ester group, cycloheptyl ester
Group, cyclooctyl ester group, cyclononyl ester
Group, cyclodecanyl ester group and the like. Linear, branched or cyclic carbon number 1-12
Group in the anion of one alkyl sulfonic acid
Is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms,
For example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl
Group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl
Group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl
And the like, alkyl group, octyl group, nonyl group, decyl group
Can do. In addition, X-Alkyl sulfone represented by
In acid and aromatic sulfonic acid, in addition to the above specific substituents,
Halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine
Atom), aryl group having 6 to 10 carbon atoms, cyano group,
Rufido group, hydroxy group, carboxy group, nitro group, etc.
May be contained as a substituent. Specific examples of these compounds (A-1) are shown below.
-1) to (A-1-66), (A-2-1) to (A-2)
-59), (A-3-1) to (A-3-35) are shown.
However, the present invention is not limited to this. [0185] Embedded image [0186] Embedded image[0187] Embedded image [0188] Embedded image[0189] Embedded image[0190] Embedded image[0191] Embedded image[0192] Embedded image[0193] Embedded image[0194] Embedded image[0195] Embedded image[0196] Embedded image[0197] Embedded image [0198] Embedded image[0199] Embedded image[0200] Embedded image[0201] Embedded image[0202] Embedded image[0203] Embedded image[0204] Embedded image[0205] Embedded image[0206] Embedded image[0207] Embedded image[0208] Embedded image[0209] Embedded image[0210] Embedded image[0211] Embedded image[0212] Embedded image[0213] Embedded image In the specific examples, n is a straight chain, s is a secondary, t
Indicates tertiary, i indicates branching. Represented by the general formulas (A-1) to (A-3).
The compounds are for example the corresponding Cl-Salt (general formula (A-1)
~ (A-3) X-Cl-And a compound substituted with-
Y+A compound represented by the formula (X-Are general formulas (A-1) to (A
-3), which is synonymous with Y+Is H+, Na+, K+, N
HFour +, N (CHThree)Four + And the like cations. ) And water soluble
It can be synthesized by salt exchange in the liquid. Represented by the general formulas (A-4) and (A-5)
Acid generator In the general formulas (A-4) and (A-5), R11~ R13,
R14~ R16Alkyl group, cycloalkyl group,
Lucoxy group, halogen atom is R1~ RFiveSimilar to
Can be given as a specific example. R6, X
-Is as defined above. Also, when l, m, and n are each 2 or 3,
2 or 3 R11~ R13Or R14~ R16Each of
Two of them bonded together to form a carbocyclic, heterocyclic or aromatic ring
You may form the ring which consists of 5-8 elements containing. The compound represented by the general formula (A-4) is shown below.
Specific examples of products (A-4-1) to (A-4-28), general formula
Specific examples of the compound represented by (A-5) (A-5-1) to
(A-5-30) is shown but is not limited to this.
Absent. [0219] Embedded image [0220] Embedded image[0221] Embedded image[0222] Embedded image[0223] Embedded image[0224] Embedded image[0225] Embedded image [0226] Embedded image[0227] Embedded image[0228] Embedded image[0229] Embedded image [0230] [Chemical Formula 86] In the specific examples, n is a straight chain, s is a secondary, t
Indicates tertiary, i indicates branching. It is represented by general formulas (A-4) and (A-5).
The compounds are for example the corresponding Cl-Salt (general formula (A-
4) X in (A-5)-Cl-And a compound substituted with
X-Y+A compound represented by the formula (X-Is the general formula (A-4),
Synonymous with (A-5), Y+Is H+, Na+, K+, NH
Four +, N (CH3)Four +And the like cations. ) And in aqueous solution
And can be synthesized by salt exchange. Acid generator represented by general formula (A-6) Y and R in the general formula (A-6)31~ R51Straight
Chain, branched, and cyclic alkyl groups include methyl and ethyl
Group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-
Butyl group, t-butyl group, hexyl group, octyl group
Such straight-chain or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms and
Chloropropyl group, cyclopentyl group or cyclohexyl
And cyclic alkyl groups such as groups. Preferred alkyl groups
New substituents include alkoxy groups, acyl groups, and acyloxy groups.
Si group, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, etc.
The In addition, the aralkyl group of Y is benzyl.
Group having 7 to 12 carbon atoms such as phenethyl group or phenethyl group
An aralkyl group may be mentioned. Preferred substitution of aralkyl groups
The group includes a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and 1 carbon atom.
-4 lower alkoxy group, nitro group, acetylamino
Group, halogen atom and the like. R31~ R51As an alkoxy group of
Si group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group,
n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, t
-Of butoxy group, octyloxy group, dodecyloxy group
Such an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms or ethoxy group
And alkoxy groups having a substituent such as a toxi group.
The The acyl group includes an acetyl group and propioni.
Group, benzoyl group and the like. Acylamino group
As acetylamino group, propionylamino group,
And nzoylamino group. Sulfonylamino
The groups include methanesulfonylamino group, ethanesulfonyl
A sulfonylamino group having 1 to 4 carbon atoms such as a ruamino group,
substituted or absent such as p-toluenesulfonylamino group
Examples thereof include a substituted benzenesulfonylamino group. As the aryl group, a phenyl group and tolyl
Group, naphthyl group and the like. Alkoxycarboni
As the alkyl group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group
Group, ethoxyethoxycarbonyl group, octyloxy
Carbon such as carbonyl group and dodecyloxycarbonyl group
Examples thereof include several to 20 alkoxycarbonyl groups. As an acyloxy group, an acetoxy group, a pro
Panoyloxy group, octanoyloxy group, benzoyl
There are acyloxy groups with 2 to 20 carbon atoms such as oxy groups.
I can get lost. An aralkyl group is a substituted or unsubstituted group.
Carbon number such as benzyl group, substituted or unsubstituted phenethyl group
There are 7 to 15 aralkyl groups. Aralkyl group
Preferred substituents for are the same as those listed above
Can be given. R31~ R51In R31~ R35, R36
~ R42And R43~ R51Are two of each group
Combined to form a 5- to 8-membered ring consisting of carbon and / or heteroatoms.
It may be formed. Examples of such 5- to 8-membered rings include
For example, cyclohexane, pyridine, furan or pyrrolidine
Can be given. X and Y are other imide sulfonates.
It may be bound to the residue of the compound and forms a dimer or trimer
It may be made. As another imide sulfonate,
A compound represented by the general formula (A-6), wherein X or Y
A monovalent group can be mentioned. The alkylene group for X is linear or branched
An alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hetero atom
A monocyclic or polycyclic alkylene group which may contain
Can be mentioned. As the linear or branched alkylene group,
Len group, ethylene group, propylene group or octylene group
I can give it. As a preferred substituent of the alkylene group
Is an alkoxy group, acyl group, formyl group, nitro group,
Silamino group, sulfonylamino group, halogen atom, a
Examples thereof include a reel group and an alkoxycarbonyl group. here
Alkoxy group, acyl group, nitro group, acyl group
Mino group, sulfonylamino group, aryl group, alkoxy
The carbonyl group is R31~ R51It is synonymous with what was mentioned in.
Halogen atoms include fluorine, chlorine and bromine
Examples include a child and an iodine atom. The cyclic alkylene group is cyclopentylene.
Single group having 4 to 8 carbon atoms such as chlorobenzene group, cyclohexylene group, etc.
A ring cycloalkylene group, 7-oxabicyclo [2.2.
1] Polycyclic cyclohexane having 5 to 15 carbon atoms such as heptylene group
An alkylene group, and a cycloalkylene group is preferred.
Examples of the substituent include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms,
Coxy group, acyl group, formyl group, nitro group, acyl group
Mino group, sulfonylamino group, halogen atom, aryl
Group and alkoxycarbonyl group. The alkoxy groups, acyl groups, di
Toro group, acylamino group, sulfonylamino group, aryl
R group and alkoxycarbonyl group are R31~ R51Also mentioned in
Is synonymous with Halogen atoms include fluorine atoms and salts
Mention may be made of elemental atoms, bromine atoms and iodine atoms. The arylene group includes a phenylene group and naphth
Tylene group etc. are mentioned. Preferred substitution of arylene groups
Groups include alkyl groups, cycloalkyl groups, and alkoxy
Group, acyl group, formyl group, nitro group, acylamino
Group, sulfonylamino group, halogen atom, aryl group,
An alkoxycarbonyl group is mentioned. Alkyl groups and cycloalkyl mentioned here
Group, alkoxy group, acyl group, formyl group, nitro group,
Acylamino group, sulfonylamino group, aryl group,
Lucoxycarbonyl group is R31~ R51Synonymous with
It is. As halogen atoms, fluorine atoms, chlorine atoms,
A bromine atom and an iodine atom can be mentioned. The alkenylene group has 2 to 4 carbon atoms.
Alkenylene groups such as ethenylene group, butene
Nylene group and the like, preferred substitution of alkenylene group
Groups include alkyl groups, cycloalkyl groups, and alkoxy
Group, acyl group, formyl group, nitro group, acylamino
Group, sulfonylamino group, halogen atom, aryl group,
An alkoxycarbonyl group is mentioned. A
Alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl
Group, formyl group, nitro group, acylamino group, sulfoni
Ramino group, aryl group, alkoxycarbonyl group is R
31~ R51It is synonymous with what was mentioned in. As halogen atoms
Include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
I can make it. The cyclic alkenylene group is cyclopente.
4-8 carbon atoms such as a nylene group or a cyclohexenylene group
Monocyclic cycloalkenylene groups, 7-oxabicyclo
[2.2.1] heptenylene group, norbornenylene group
Which polycyclic cycloalkenylene group having 5 to 15 carbon atoms is
I can get lost. Examples of the aralkylene group include a tolylene group and a key.
Examples of the substituent include arylene.
The substituents mentioned for the len group can be mentioned. In the following, these are represented by the general formula (A-6).
Specific examples of compounds (A-6-1) to (A-6-49)
However, the present invention is not limited to this. [0252] Embedded image [0253] Embedded image[0254] Embedded image [0255] Embedded image[0256] Embedded image [0257] Embedded image[0258] Embedded image [0259] Embedded image[0260] Embedded imageThe compound represented by formula (A-6) is G.
F. Jaubert, Ber .. 28, 360 (1895), D.E.Ames, etc.
Written by J.Chem.Soc..3518 (1955) or M.A.Stol
berg et al., J. Am. Chem. Soc. 79, 2615 (1957)
N-hydroxyimide compound and sulfone synthesized accordingly
Acid chloride and basic conditions, for example, L. Bauer et al., J.
Org.Chem..24,1294 (1959)
Is possible. Acid generator represented by general formula (A-7) In general formula (A-7), Ar1, Ar2Is the same or different
A substituted or unsubstituted aryl group. Here, as the aryl group, phenyl
Group, tolyl group, naphthyl group and the like. Aryl
As the substituent of the group, an alkyl group, a cycloalkyl group,
Alkoxy, acyl, formyl, nitro, acyl
Ruamino group, sulfonylamino group, halogen atom, ant
Group and alkoxycarbonyl group. Alkyl groups and cycloalkyl mentioned here
Group, alkoxy group, acyl group, formyl group, nitro group,
Acylamino group, sulfonylamino group, aryl group,
Lucoxycarbonyl group is R31~ R51And those listed in
It is synonymous. Halogen atoms include fluorine and chlorine
Examples thereof include a child atom, a bromine atom and an iodine atom. Ingredients of acid generator represented by formula (A-7)
As examples, the following compounds (A-7-1) to (A-
7-14), but is limited to these.
There is no. [0266] Embedded image[0267] Embedded image Acid generator represented by the above general formula (A-7)
As a synthesis of Sea. Denser. Junior. Et
"Journal of Organic Chemistry"
(G.C.Denser, Jr. et al., `` Journal of Organic Chemi
stry ") 31, 3418-3419 (1966). Pi
-. By Hildeich “Journal of the Chemical
  Society (Journal of the C by T.P.Hilditch
he mi cal Society ”) 93, 1524-1527 (1908)
Method or Oh. By Hinsberg "Berichte der
  Deutsche Hemicie Gezelshaft (O. Hinsbe
rg, "Berichte der Deutschen Chemischen Gesellsc
haft ”) 49, 2593-2594 (1918)
Can be synthesized. That is, in sulfuric acid aqueous solution, sulfuric acid
Cobalt and sulfinic acid represented by the general formula (a)
More synthetic methods, using ethyl xanthate,
One synthesized from sulfonic acid chloride represented by formula (b)
The method represented by the general formula (a) under basic or basic conditions
Rufinic acid and sulfonic acid chloride represented by the general formula (b)
And the like. Ar1 -SO2H (a) Ar2 -SO2Cl (b) (Where Ar1, Ar2Is defined by the general formula (A-7)
It has the same meaning as ) In the present invention, the above general formulas (A-1) to (A-7)
Among the acid generators represented by general formulas (A-1) to (A-
The acid generator represented by 5) is preferred, more preferably one
An acid generator represented by general formulas (A-1) to (A-4)
The This will improve resolution and sensitivity.
The In the present invention, an acid generator (preferably one
Composition of general formulas (A-1) to (A-7))
The content in the product is 0.1-25 with respect to the solid content of the whole composition.
% By weight is preferred, more preferably 1-15% by weight,
Preferably, it is 2 to 10% by weight. Further, the acid generator (b) is irradiated with actinic radiation.
Compound a that generates fluorine-containing sulfonic acid upon irradiation
It is also preferable. [A] As the compound a, for example,
An iodonium salt represented by the following general formula (PAG3),
Or a sulfonium salt represented by the general formula (PAG4).
I can make it. [0272] Embedded image In the formula, Ar1, Ar2Are each independently substituted
Or an unsubstituted aryl group is shown. R203, R204, R
205Each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl
A group and an aryl group; Z-Has at least one fluorine atom
A sulfonate anion. Also, R203, R204, R205Two of them
And Ar1, Ar2Each via a single bond or substituent
May be combined. Ar1, Ar2, R203, R204, R205age
All the aryl groups preferably have 6 to 14 carbon atoms.
As the aryl group and alkyl group, the number of carbon atoms is preferably
1 to 8 alkyl groups. As a preferred substituent group, an aryl group
C1-C8 alkoxy group, C1-C8 a
Rualkyl group, C2-C9 alkoxycarbonyl group, charcoal
A prime number 2-9 alkylcarbonylamino group, a nitro group,
Carboxyl group, hydroxy group, halogen atom and
It is a nylthio group and has 1 to 8 carbon atoms for the alkyl group.
Alkoxy group, aryl group having 5 to 14 carbon atoms, carbon number
6-15 arylcarbonyl groups, carboxyl groups and
Mention may be made of halogen atoms. Z-Preferred as sulfonate anion
Alternatively, the number of carbon atoms having at least one fluorine atom is 1
-20 aliphatic hydrocarbons and C5-C20 aromatic coals
Mention may be made of hydrogen fluoride. These have substituents
The substituent may be, for example, 1 to 10 carbon atoms.
A fluorine-substituted alkoxy group having 2 to 2 carbon atoms
11 fluorine-substituted alkoxycarbonyl
Group, phenylamino group, phenylcarbonyl group, halogen
An atom and a hydroxyl group can be mentioned. Aromatic hydrocarbons
In addition, an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms is mentioned.
Can. Specific examples are given below, but the present invention is not limited to these.
Is not something [0280] Embedded image [0281] Embedded image[0282] Embedded image[0283] Embedded image[0284] Embedded image [0285] Embedded image[0286] Embedded image[0287] Embedded image[0288] Embedded image[0289] Embedded image[0290] Embedded imageWhen compound a is used, it is irradiated with actinic radiation.
Generates sulfonic acid that does not contain fluorine atoms.
Or carboxylic acid by irradiation with actinic radiation
Concomitant use with at least one of the compounds
Is preferred. [B] Preferably used in combination with compound a
Sulfo containing no fluorine atom by irradiation with actinic radiation
Examples of the compound that generates acid (compound b) include:
In the general formulas (PAG3) and (PAG4), Z
-Is a sulfonate anion having no fluorine atom
Mention may be made of donium salts and sulfonium salts.
The Specific examples include the following compounds.
However, it is not limited to these. [0294] Embedded image[0295] Embedded image [0296] Embedded image[0297] Embedded image [0298] Embedded image [0299] Embedded image[0300] Embedded image [0301] Embedded imageFurther, it is represented by the following general formula (PAG5).
A disulfone derivative or an a represented by the general formula (PAG6)
Mention may be made of minosulfonate derivatives. [0303] Embedded image In the formula, ArThree, ArFourAre each independently substituted
Or an unsubstituted aryl group. R 206Is replaced or
An unsubstituted alkyl group and an aryl group are shown. A is substitution
Or an unsubstituted alkylene group, alkenylene group, aryle
Indicate group. Specific examples include the following compounds.
However, it is not limited to these. [0306] Embedded image [0307] Embedded image[0308] Embedded image [0309] Embedded image Further, it is represented by the following general formula (PAG7).
Mention may be made of diazodisulfone derivatives. [0311] Embedded image In the formula, R is linear, branched or cyclic alkyl.
Represents an aryl group which may be substituted. Specific examples include the following compounds.
However, it is not limited to these. [0314] Embedded image Compounds described in [a] and [b] above
Obtained by reacting aromatic compounds with periodate
Salt exchanged iodonium salt with the corresponding sulfonic acid
Can be synthesized. Further, arylmagnesium bromide and the like
Of aryl Grignard reagents and substituted or unsubstituted phenyl
The triarylsulfoxide obtained by reacting sulfoxide
For salt exchange of phonic halides with the corresponding sulfonic acids
Can be synthesized. In addition, substituted or unsubstituted phenylsulfur
Methanesulfonic acid / aromatic compound corresponding to foxide
Acid catalyst such as diphosphorus pentoxide or aluminum chloride
Condensation and salt exchange method, diaryliodonium
Salts and diaryl sulfides using catalysts such as copper acetate
It can be synthesized by methods such as condensation and salt exchange. [0317] After salt exchange, once led to halide salt
Convert to sulfonate using silver reagent such as silver oxide
Method or salt exchange by using ion exchange resin
it can. In addition, sulfonic acid or sulfur used for salt exchange
Use a commercially available fonate or use a commercially available sulfonate.
It can be obtained by hydrolysis of sulfonic acid halide.
Yes. Active release preferably used in combination with compound a
As a compound that generates carboxylic acid upon irradiation with rays
Are compounds c and fluorine which generate a fluorine-free carboxylic acid.
Mention may be made of compound d which generates a nitrogen-containing carboxylic acid.
it can. [C] Preferably used in combination with compound a
Generate fluorine-free carboxylic acid by irradiation with actinic radiation
As the compound c to be used, for example, the following general formula (AI) to
And a compound represented by (AV). [0320] Embedded image In the above formula, R301~ R337Each
Independently a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group,
Linear, branched or cyclic alkoxy group, hydroxy group,
Halogen atom or -S-R0Represents a group. R0Is straight chain,
A branched, cyclic alkyl group or aryl group is represented. Ra and Rb are each independently a hydrogen atom or nitrite.
B, a halogen atom, an optionally substituted al group
Represents a kill group or an alkoxy group. Rc and Rd are independent of each other
May have a halogen atom or a substituent, alkyl
Represents a group or an aryl group. Rc and Rd combine to give a fragrance
Ring, monocyclic or polycyclic hydrocarbons (within these rings)
May contain oxygen and nitrogen atoms)
Also good. Y1, Y2Represents a carbon atom and Y1-Y2Join
May be a single bond or a double bond. X above-Is the following formula
The carboxylic acid compound represented by
Represent. X1, X2Are each independently represented by the following formula:
Carboxylic acid compound is an ester group at the carboxyl group
It represents what became. [0324] Embedded image[0325] Embedded imageIn the above formula, R338Is straight from 1 to 30 carbon atoms.
A chain, branched or cyclic alkyl group (wherein
The chain of the kill group may contain oxygen and nitrogen atoms
1), linear, branched or cyclic having 1 to 20 carbon atoms
Alkenyl groups, straight-chain, branched or 1 to 20 carbon atoms
Is a cyclic alkynyl group, straight chain having 1 to 20 carbon atoms, branched
Or cyclic alkoxyl group, water of the alkyl group
At least some of the elementary atoms are halogen atoms and / or
A group substituted with a hydroxyl group, a hydrogen atom of the alkenyl group
At least part of which is a halogen atom and / or a hydroxyl group
A substituted group, or a C 6-20 substitution or
An unsubstituted aryl group is shown. Where substitution of aryl group
Groups include alkyl groups, nitro groups, hydroxyl groups, alkoxy
Group, acyl group, alkoxycarbonyl group, halogen atom
Can be mentioned. R339Is a single bond or 1 to 2 carbon atoms
0 linear, branched or cyclic alkylene group (here
Including an oxygen atom and a nitrogen atom in the chain of the alkylene group.
May be straight-chain, branched or 1 to 20 carbon atoms.
Is a cyclic alkenylene group, a hydrogen atom of the alkylene group
At least a part of which is a halogen atom and / or a hydroxyl group
The number of hydrogen atoms of the alkenylene group
A group partially substituted with a halogen atom or carbon
Indicates an alkoxyalkylene group having 2 to 20 prime numbers
R to do338, R339May be the same as or different from each other. R340Represents a hydroxyl group or a halogen atom
And there are multiple R340May be the same or different
Yes. m, n, p and q are each independently an integer of 0 to 3
M + n ≦ 5 and p + q ≦ 5. z is 0 or 1
is there. In the general formulas (AI) to (AV),
R301~ R337, Ra, Rb, Rc, Rd, R0In
As a linear or branched alkyl group, it may have a substituent.
Methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group,
1 to 4 carbon atoms such as sec-butyl group and t-butyl group
Individuals are listed. Cyclic alkyl groups are substituted
May have a group, cyclopropyl group, cyclopentyl
Group having 3 to 8 carbon atoms such as cyclohexyl group
Can be mentioned. R301~ R337, Ra and Rb alkoxy groups
As methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy
Si group, propoxy group, n-butoxy group, isobutoxy
Groups, sec-butoxy groups, carbons such as t-butoxy groups
The thing of several 1-4 is mentioned. R301~ R337, Ra, Rb, Rc, Rd
Halogen atoms include fluorine, chlorine and bromine
A child and an iodine atom can be mentioned. R0As the aryl group of Rc, Rd,
Phenyl group, tolyl group, methoxyphenyl group, naphthyl
6 to 14 carbon atoms which may have a substituent such as a group
Can be mentioned. These substituents are preferably carbon atoms.
1-4 alkoxy groups, halogen atoms (fluorine atoms,
Chlorine atom, iodine atom), aryl having 6 to 10 carbon atoms
Group, alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, cyano group, hydro
Xoxy group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, nitro
And the like. Aroma formed by combining Rc and Rd
Ring, monocyclic or polycyclic hydrocarbons (within these rings)
May contain oxygen and nitrogen atoms)
Benzene structure, naphthalene structure, cyclohexane structure,
Examples include norbornene structure and oxabicyclo structure
The General formulas (AI) to (A) used in the present invention
III) sulfonium and iodonium compounds represented by
Is its counter anion X-As the above formulas (C1) to (C
At least one of the carboxylic acid compounds represented by 10)
The carboxyl group (—COOH) of the seed compound is an anion
(-COO-) Is included. In the present invention, the general formula (AIV) to
The compound represented by (AV) has the substituent X1, X2As
Carboxyoxidized compounds represented by the above formulas (C1) to (C10)
A carboxyl group (-
COOH) is an ester group (—COO—) substituent
including. R338Straight chain having 1 to 30 carbon atoms
Alkyl, branched or cyclic alkyl groups (wherein alkyl
The oxygen group or nitrogen atom may be included in the chain of the ru group)
As methyl, ethyl, propyl, butyl, pliers
Hexyl, cyclohexyl, dodecyl, 1-ethoxy
Examples include ciethyl and adamantyl. C1-C20 linear, branched or
Cyclic alkenyl groups include ethenyl, propenyl,
Examples include isopropenyl and cyclohexene. C1-C20 linear, branched or
Cyclic alkynyl groups include acetylene and propenyl.
And the like. C1-C20 linear, branched or
Cyclic alkoxy groups include methoxy, ethoxy,
Lopyloxy, butoxy, cyclohexyloxy, iso
Examples include butoxy and dodecyloxy. A substituted or unsubstituted aryl having 6 to 20 carbon atoms
Reel groups include phenyl, naphthyl, anthranyl
Etc. As the substituent for the aryl group, an alkyl group,
Nitro group, hydroxyl group, alkoxy group, acyl group, alkoxy
A cicarbonyl group and a halogen atom can be mentioned. R339Straight chain having 1 to 20 carbon atoms
, Branched or cyclic alkylene groups (wherein
Oxygen and nitrogen atoms may be included in the chain of the xylene group
), As methylene, ethylene, propylene,
Tylene, isobutylene, ethoxyethylene, cyclohex
Silene etc. are mentioned. C 1-20 linear, branched or
Examples of cyclic alkenylene groups include vinylene and arylene
Is mentioned. Specific examples are shown, but the present invention is not limited to these.
Is not something [0346] Embedded image[0347] Embedded image[0348] Embedded image[0349] Embedded image[0350] Embedded imageThe photoacid generator, that is, the general formula (A
I), general formula (AII), general formula (AIII)
The compound is described in US Pat. No. 3,734,928.
Method, Macromolecules, vol. 10, 1307 (1977), Journ
al of Organic Chemistry, vol.55, 4222 (1990), J. Ra
methods described in diat. Curing, vol. 5 (1), 2 (1978)
And further exchanging the counter anion
Can be synthesized. Represented by general formula (AIV) or general formula (AV)
N-hydroxyimide compound and carvone
React acid chloride under basic conditions or nitro
Basic conditions of benzyl alcohol and carboxylic acid chloride
It can be obtained by the following reaction. [D] Next, it is preferable to use in combination with compound a.
Fluorine-containing carboxylic acid by irradiation with active actinic radiation
The generated compound d will be described. As the fluorine-containing carboxylic acid, for example,
Fluorine-substituted aliphatic carboxylic acids and aromatic carbos
Mention may be made of acid. As a fluorine-substituted aliphatic carboxylic acid
Is acetic acid, propionic acid, n-butyric acid, isobutyric acid, valery
Anionic acid, trimethylacetic acid, caproic acid, heptanoic acid,
Prillic acid, pelargonic acid, capric acid, lauric acid,
Listinic acid, palmitic acid, stearic acid, undecane
Of aliphatic carboxylic acids such as acid, dodecanoic acid and tridecanoic acid
Fluorine substitution products are mentioned. These are hydroxyl, alcohol
May have a xy group or a halogen atom as a substituent
Yes. In addition, oxygen atoms, sulfur atoms,
Linkage of rubonyl, carboxyl, sulfonyl, etc.
Those containing groups are preferred. Preferred fluorinated aliphatic carboxylics
Examples of the acid include those represented by the following general formula:
it can. [0357] L- (CH2) P (CF2) Q (CH2) R-COOH In the general formula, L represents a hydrogen atom or a fluorine atom. p and
And r are each independently an integer of 0-15, q is an integer of 1-15.
Represents a number. In this general formula, an alkyl chain hydrogen atom or
Is a fluorine atom which may be substituted with a fluorine atom
An alkyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), and a fluorine atom.
An optionally substituted alkoxy group (preferably having 1 carbon atom)
-5) or may be substituted with a hydroxyl group. The above fluorine-substituted aliphatic carboxylic acid and
Therefore, the carbon number is preferably 2 to 20, more preferably
Fluorine substitution of saturated aliphatic carboxylic acids that are 4-20
It is preferable that it is a thing. Make this carbon number 4 or more
The carboxylic acid-decomposable diffusibility generated is reduced,
Reduces line width change over time from exposure to post-heating
Yes. Among them, straight chain or branched saturation having 4 to 18 carbon atoms
A fluorine-substituted aliphatic carboxylic acid is preferred. In addition, the above fluorine-substituted aromatic carbon
The boronic acid has 7 to 20 carbon atoms, more preferably 7 carbon atoms.
To 15 and more preferably 7 to 11
A fluorine-substituted product of rubonic acid is preferable. concrete
Benzoic acid, substituted benzoic acid, naphthoic acid, substituted naphtho
Toeic acid, anthracene carboxylic acid, substituted anthraceneca
Rubonic acid (wherein the substituent is alkyl group, alcohol
Xyl group, hydroxyl group, halogen atom, aryl group, acyl
Group, acyloxy group, nitro group, alkylthio group, ant
Of aromatic carboxylic acid such as
Elemental substitution may be mentioned. Among them, benzoic acid, substituted benzoic acid
A fluorine-substituted product of perfume acid is preferable. Some of these aliphatic groups are substituted with fluorine atoms.
Or aromatic carboxylic acid is a skeleton other than carboxyl group
One or more of the hydrogen atoms present in
And bones other than carboxyl groups are particularly preferred.
All hydrogen atoms present in the case were replaced with fluorine atoms
Aliphatic or aromatic carboxylic acids (perfluoro-saturated
Aliphatic carboxylic acid or perfluoroaromatic carboxylic
Acid). This will make the sensitivity even better.
The Preferably, the fluorine atom as described above is used.
Anion of a substituted aliphatic or aromatic carboxylic acid
Onium salt compounds having as counter anions
(Sulfonium salts, iodonium salts, etc.), carboxylic acid esters
Imidocarboxylate compounds having a stealth group or
Examples thereof include nitrobenzyl ester compounds. More preferably, the following general formulas (I) to (II)
Examples thereof include compounds represented by I). This will make you feel
Degree of resolution, resolution, and exposure margin are further improved. This
The compound of general formula
X of (I) to (III)-At least one foot
Saturated aliphatic or aromatic carbos substituted with elemental atoms
Generates acid and functions as a photoacid generator. [0363] Embedded image (In the above formula, R1 ~ R37Are each independently
Hydrogen atom, straight chain, branched or cyclic alkyl group, straight chain,
Branched or cyclic alkoxy group, hydroxy group, halogen
Atom or -SR38Represents a group. Where R38Straight
Represents a chain, branched, cyclic alkyl group or aryl group. X
-Is aliphatic substituted with at least one fluorine atom
Alternatively, an anion of an aromatic carboxylic acid. ) X-Is preferably a perfluoroaliphatic carboxylic acid
Or an anion of perfluoroaromatic carboxylic acid,
Particularly preferred is a fluorine-substituted alkyl group having 4 or more carbon atoms.
It is an anion of rubonic acid. In the general formulas (I) to (III), R1~ R
38As the straight chain or branched alkyl group, a substituent may be present.
Good, methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl
1 carbon number such as a group, sec-butyl group, t-butyl group
There are ~ 4. As the cyclic alkyl group,
Cyclopropyl group, cyclopen which may have a substituent
3 to 8 carbon atoms such as til group and cyclohexyl group
Can be mentioned. R1~ R37As the alkoxy group of
Xoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy
Si group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-buto
Having 1 to 4 carbon atoms such as a xoxy group or t-butoxy group
Is mentioned. R1~ R37As halogen atoms of
Names of atomic, chlorine, bromine and iodine atoms
it can. R38As the aryl group, a phenyl group,
Carbon number such as tolyl group, methoxyphenyl group, naphthyl group
6-14 things are mentioned. Aryl groups are substituted
You may have. These substituents are preferably carbon atoms.
1-4 alkoxy groups, halogen atoms (fluorine atoms,
Chlorine atom, iodine atom), aryl having 6 to 10 carbon atoms
Group, alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, cyano group, hydro
Xoxy group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, nitro
And the like. General formulas (I) to (II) used in the present invention
I) Iodonium compounds or sulfoniu represented by I)
Compound is its counter anion X-As at least 1
Saturated aliphatic or aromatic substituted with two fluorine atoms
Having an anion of carboxylic acid. These anions
Removed the hydrogen atom of the carboxylic acid (—COOH).
Anion (-COO-). Specific examples are shown below, but the present invention is not limited to these.
It is not limited to. Specific examples of the photoacid generator represented by formula (I)
Examples (I-1f) to (I to 36f): [0373] Embedded image[0374] Embedded image [0375] Embedded image[0376] Embedded image [0377] Embedded image Specific examples of the photoacid generator represented by the general formula (II)
Examples (II-1f) to (II to 67f): [0379] Embedded image [0380] Embedded image[0381] Embedded image[0382] Embedded image[0383] Embedded image[0384] Embedded image[0385] Embedded image[0386] Embedded image[0387] Embedded imageIngredients of photoacid generator represented by general formula (III)
Examples (III-1f) to (III to 4f): [0389] Embedded image Specific examples of other photoacid generators (IV-1f)
~ (V ~ 4f): [0390] Embedded image The compounds represented by the above general formula (I) are
Obtained by reacting aromatic compounds with iodate
Salt exchange of iodonium salt to the corresponding carboxylic acid
Can be synthesized. Represented by formulas (II) and (III)
Examples of the compound include arylmagnesium bromide
Of aryl Grignard reagents and substituted or unsubstituted phenyl
The triarylsulfoxide obtained by reacting sulfoxide
Those who exchange salt with carboxylic acid
Can be synthesized. In addition, substituted or unsubstituted phenylsulfur
Methanesulfonic acid / aromatic compound corresponding to foxide
Acid catalyst such as diphosphorus pentoxide or aluminum chloride
Condensation and salt exchange method, diaryliodonium
Salts and diaryl sulfides using catalysts such as copper acetate
It can be synthesized by methods such as condensation and salt exchange. After salt exchange, once led to halide salt
Convert to carboxylate using silver reagent such as silver oxide
Method or salt exchange by using ion exchange resin
it can. In addition, carboxylic acid or calcium used for salt exchange
Use a commercially available bonate or a commercially available bonate.
It can be obtained by hydrolysis of rubonic acid halide.
Yes. Fluorine-substituted cation as an anion moiety
Rubonic acid is a telomerization method (also called telomer method).
Or oligomerization method (oligomer)
Fluoroaliphatic compounds produced by
The thing using what was guide | induced from the thing is also preferable. these
Regarding the method for producing a fluoroaliphatic compound, for example,
"Synthesis and Function of Fluorine Compounds" (Supervision: Nobuo Ishikawa, Depart
Row: 117-11 of CMC Corporation, 1987)
8 pages, “Chemistry of Organic Fluorine Compo
unds II "(Monograph 187, Ed by Milos Hudlicky and
 Attila E. Pavlath, American Chemical Society 199
5), pages 747-752. Telome
The Liza method is a large chain transfer constant such as iodide.
Tetrafluoro with alkyl halide as telogen
Radical polymerization of fluorine-containing vinyl compounds such as ethylene
Is a method of synthesizing telomers (examples in Scheme-1
Indicated). In the telomer synthesis, the carbon chain length
A mixture of different compounds is obtained, which is mixed
The product may be used as it is, or may be used after purification. Weight ratio of the total amount of compound a and compounds b to d
Is usually 1/1 to 50/1, preferably 1/1 to 10 /
1, particularly preferably 2/1 to 5/1. The total amount of compound a and compounds b to d is the composition
0.5 to 20% by weight with respect to the total solid content, preferably
Is 0.75 to 15 wt%, more preferably 1 to 10 wt%
% Range. Compound a and compounds b to d are plural
It may contain seeds. The composition of the present invention contains an organic basic compound.
Can be used. This improves stability during storage.
And line width change due to PED is further reduced
Therefore, it is preferable. Preferred organics that can be used in the present invention
Basic compounds are compounds that are more basic than phenol.
It is a thing. Of these, nitrogen-containing basic compounds are preferred. As a preferred chemical environment, the following formula (A)
(E) The structure can be mentioned. [0401] Embedded imageFurther preferred compounds are nitrogen-containing cyclic compounds.
Product (also called cyclic amine compound) or different in one molecule
A nitrogenous base having two or more nitrogen atoms in a chemical environment
It is a sex compound. The cyclic amine compound has a polycyclic structure.
More preferably. Preferred tools for cyclic amine compounds
Examples of the compounds include compounds represented by the following general formula (F).
I can get lost. [0404] Embedded image In formula (F), Y and Z are each independently
A straight chain, which may contain a
Represents a cyclic alkylene group. Here, the hetero atom includes a nitrogen atom,
A sulfur atom and an oxygen atom are mentioned. As an alkylene group
Preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 2 carbon atoms.
There are five. As a substituent of the alkylene group, carbon
1-6 alkyl groups, aryl groups, alkenyl groups
Other examples include halogen atoms and halogen-substituted alkyl groups.
It is. In addition, the compound represented by formula (F)
Examples of the body include the compounds shown below. [0408] Embedded image Among the above, 1,8-diazabicyclo
[5.4.0] Undec-7-ene, 1,5-diazabi
Cyclo [4.3.0] non-5-ene is particularly preferred. [0410] Nitrogen atoms of different chemical environments in one molecule
Particularly preferred as a nitrogen-containing basic compound having two or more.
Or a substituted or unsubstituted amino group and a nitrogen atom.
Compounds containing both ring structures or alkylamino groups
It is a compound which has this. Preferred examples include substitution
Or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted
Minopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpi
Lysine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted
Or unsubstituted indazole, substituted or unsubstituted
Pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted
Or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted pre
Substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or
Unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazi
Substituted, unsubstituted aminomorpholine, substituted
Or unsubstituted aminoalkylmorpholine.
It is. Preferred substituents are amino group, aminoalkyl
Group, alkylamino group, aminoaryl group, aryl group
Mino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acylo
Xyl group, aryl group, aryloxy group, nitro group, water
An acid group and a cyano group. As particularly preferred compounds, guanidine,
1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetrame
Tilguanidine, 2-aminopyridine, 3-aminopyri
Gin, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridy
4-dimethylaminopyridine, 2-diethylamino
Pyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino
-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridy
, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6
-Methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4-a
Minoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazi
, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-
Aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6
-Tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidi
, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl)
Pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyra
Sol, 5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyra
Zole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methyl
Pyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine,
4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3
-Pyrazoline, N-aminomorpholine, N- (2-a
Minoethyl) morpholine, trimethylimidazole,
Triphenylimidazole, methyldiphenylimidazo
However, it is not limited to this. These nitrogen-containing basic compounds are used alone.
Or two or more are used together. Nitrogen-containing basic compounds
Is used in a positive resist composition (excluding the solvent) 10
Usually 0.001 to 10 parts by weight, preferably 0 parts by weight
Or 0.01 to 5 parts by weight. When the amount is less than 0.001 part by weight, the above effect can be obtained.
I can't. On the other hand, when the amount exceeds 10 parts by weight, the sensitivity is reduced and non-dew
There is a tendency for the developability of the light part to deteriorate. In the chemically amplified positive resist composition of the present invention,
If necessary, surfactants, dyes, pigments, plastics
That promotes solubility in photosensitizers, photosensitizers and developers.
Containing a compound having two or more enolic OH groups
Can. The positive resist composition of the present invention has an interface.
It is preferable to contain an activator. Specifically, polio
Xylethylene lauryl ether, polyoxyethylenes
Tearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether
And polyoxyethylene oleyl ether
Siethylene alkyl ethers, polyoxyethylene ether
Cutylphenol ether, polyoxyethylene nonyl
Polyoxyethylene alkyla such as phenol ether
Ryl ethers, polyoxyethylene / polyoxypro
Pyrene block copolymers, sorbitan monolaurate
, Sorbitan monopalmitate, sorbitan monostete
Allate, sorbitan monooleate, sorbitan tri
Solvita such as oleate, sorbitan tristearate
Fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan
Nolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopal
Mitate, polyoxyethylene sorbitan monosteare
, Polyoxyethylene sorbitan trioleate,
Polyoxyethylene sorbitan tristearate, etc.
Noni such as reoxyethylene sorbitan fatty acid esters
ON-based surfactant, F-top EF301, EF30
3, EF352 (made by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Mega Fuck
F171, F173, F176, F189, R08 (large
Nippon Ink Co., Ltd.), Florad FC430, FC4
31 (manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard AG7
10, Surflon S-382, SC101, SC10
2, SC103, SC104, SC105, SC106
Fluorosurfactants such as Asahi Glass Co., Organo
Siloxane polymer KP341 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
Manufactured) and acrylic acid or methacrylic acid (co) polymerization
Polyflow No. 75, no. 95 (Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd.)
Industry Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical)
For example). Among these surfactants, fluorine type
Silicone surfactants are easy to apply and reduce development defects
Is preferable. The amount of the surfactant added is in the composition of the present invention.
Usually 0.01% by weight to 2% based on the solid content of the whole composition
% By weight, preferably 0.01% to 1% by weight. These surfactants may be used alone or in combination.
Two or more kinds can be used in combination. In the resin of the present invention, JP-A-9-31.
Compared to conventional resin containing acetal group such as 9092
Acid contained as an impurity (this is mainly acid generation
Impurities in the agent, or touch used when synthesizing the resin of the present invention
The effect of the content of (derived from the medium) was observed. That is, impurities are contained in the resist composition of the present invention.
If the acid content is more than 500ppm
Excellent pattern profile shape which is the effect of the present invention
Less time for storage in vacuum and vacuum chambers
Line width variation is impaired. Accordingly, in the resist composition of the present invention,
Contains acid contained as an impurity in the resist composition
It is necessary to keep the amount below 500ppm, which is preferable
Or 200 ppm or less, more preferably 100 pp.
m or less. Furthermore, the following spectral sensitizers are used.
Add and use far ultraviolet rays where the acid generator used has no absorption
By sensitizing to the long wavelength region, the chemically amplified type of the present invention
Diresist can be sensitive to i or g line
The Specific examples of suitable spectral sensitizers include:
Nzophenone, p, p'-tetramethyldiaminobenzo
Phenone, p, p'-tetraethylethylaminobenzo
Phenone, 2-chlorothioxanthone, anthrone, 9
-Ethoxyanthracene, anthracene, pyrene, peri
Len, phenothiazine, benzyl, acridine orene
Di, benzoflavin, cetoflavin-T, 9,10-di
Phenylanthracene, 9-fluorenone, acetophene
Non, phenanthrene, 2-nitrofluorene, 5-ni
Troacenaphthene, benzoquinone, 2-chloro-4-ni
Troaniline, N-acetyl-p-nitroaniline, p
-Nitroaniline, N-acetyl-4-nitro-1-na
Phthylamine, picramide, anthraquinone, 2-ethyl
Luanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone,
1,2-benzanthraquinone, 3-methyl-1,3-di
Aza-1,9-benzanthrone, dibenzalaceto
1,2-naphthoquinone, 3,3'-carbonyl-bis
(5,7-dimethoxycarbonylcoumarin) and corone
However, the present invention is not limited to these. Phenolic to promote solubility in developer
Examples of the compound having two or more oleic OH groups include polyoxy
And droxy compounds, preferably polyhydroxy
Compounds include phenols, resorcin, phlorogluci
, Phloroglucid, 2,3,4-trihydroxybenzo
Phenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzof
Enon, α, α ', α' '-Tris (4-hydroxypheny
L) -1,3,5-Triisopropylbenzene, Tris
(4-hydroxyphenyl) methane, tris (4-hydride)
Loxyphenyl) ethane, 1,1'-bis (4-hydro)
Xylphenyl) cyclohexane. Chemically amplified positive resist composition of the present invention
Is dissolved in a solvent that dissolves each of the above components and coated on the support.
As a solvent that can be used
Is ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclo
Pentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone,
Tyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether
Tellurium, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methyl
Toxiethyl acetate, ethylene glycol monoethyl
Ruether acetate, propylene glycol monomethyl
Luether, propylene glycol monomethyl ether
Acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, lactic acid
Ethyl, methyl methoxypropionate, ethoxypropionate
Ethyl onate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate,
Propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide,
Dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetra
Hydrofuran or the like is preferable.
Are mixed and used. The chemical amplification type positive resist composition is a finely divided resin.
Substrates such as those used in the manufacture of densely integrated circuit elements (eg,
Spinner, coater on recon / silicon dioxide coating)
After application by an appropriate application method such as
Exposure, baking, and developing
A strike pattern can be obtained. Chemically amplified positive resist composition of the present invention
Examples of the developer include sodium hydroxide and hydroxide.
Potassium, sodium carbonate, sodium silicate, phosphoric acid
Sodium, sodium metasilicate, ammonia water, etc.
Inorganic alkalis, ethylamine, n-propylamine, etc.
Primary amines, diethylamine, di-n-butylamino
Secondary amines such as triethylamine, triethylamine, methyldiethyl
Tertiary amines such as ruamine, dimethylethanolamine
Alcohol amines such as ethanol and triethanolamine,
Amides such as rumamide and acetamide, tetramethyl
Ammonium hydroxide, trimethyl (2-hydroxy
Siethyl) ammonium hydroxide, tetraethyla
Ammonium hydroxide, tributylmethylammonium
Muhydroxide, tetraethanolammonium hydro
Koxide, methyltriethanolammonium hydroxy
Benzylmethyldiethanolammonium hydroxide
Sid, benzyldimethylethanolammonium hydro
Koxide, benzyltriethanolammonium hydroxide
Sid, tetrapropylammonium hydroxide, tet
Quaternary ammonia such as rabutylammonium hydroxide
Um salt, pyrrole, piperidine and other cyclic amines
There is an aqueous solution of potash. [0428] The present invention will be described more specifically below.
However, the present invention is not limited to these. Synthesis Example I-1 Synthesis of vinyl ether
83.1 g of p-cyclohexylphenol (0.5 mole)
Is dissolved in 300 ml of toluene and then 2-chloro
Add 150 g of roethyl vinyl ether and further hydroxylate
Sodium 25g, tetrabutylammonium bromide
Add 5g and 60g of triethylamine at 120 ℃
The mixture was heated and stirred for 5 hours. The reaction solution was washed with water and distilled off under reduced pressure.
Remove excess chlororetyl vinyl ether and toluene
It was. From the obtained oil, by distillation under reduced pressure,
Some p-cyclohexylphenoxyethyl vinyl ether
(X-1) was obtained. [Synthesis Examples I-2, 3, 4, 5, 6, 7,
8, 9] Vinyl as shown below in the same manner as in Synthesis Example I-1.
Ether X-2, X-3, X-4, X-5, X-6, X
-7, X-8, and X-9 were obtained. [0431] Embedded image [0432] Embedded image [Synthesis Example II-1] p-acetoxystyrene
Dissolve 32.4 g (0.2 mol) in 120 ml of butyl acetate.
And azobisisothene at 80 ° C. under nitrogen flow and stirring.
Butyronitrile (AIBN) 0.033g for 2.5 hours
Add 3 times, and finally continue stirring for another 5 hours
The polymerization reaction was carried out. The reaction mixture was hexane 1200.
The solution was poured into ml to precipitate a white resin. Obtained resin
After drying, it was dissolved in 150 ml of methanol. This water
Sodium oxide 7.7g (0.19mol) / water 50ml
Add an aqueous solution of
Decomposed. Then add 200ml of water to dilute, and salt
A white resin was precipitated by neutralization with an acid. Filter this resin
Washed with water and dried. Tetrahydrofuran 200
Dissolve in ml and drop into 5 L ultrapure water with vigorous stirring
Below, re-precipitation was performed. This reprecipitation operation was repeated three times. Gain
The resulting resin in a vacuum dryer at 120 ° C for 12 hours
Poly (p-hydroxystyrene) alkali-soluble tree
Fat R-1 was obtained. The weight average molecular weight of the obtained resin is 15
000. Synthesis Example II-2 Dehydration and steaming based on conventional methods
Distilled and purified p-tert-butoxystyrene monomer 3
5.25 g (0.2 mol) and styrene monomer
21 g (0.05 mol) of tetrahydrofuran 100 m
I. Azo at 80 ° C under nitrogen flow and stirring
0.033 g of bisisobutyronitrile (AIBN)
Add 3 times every 2.5 hours and finally stir for another 5 hours
The polymerization reaction was carried out by continuing. Hexadecimal reaction solution
The solution was added to 1200 ml to precipitate a white resin. Gain
The obtained resin was dried and then added to 150 ml of tetrahydrofuran.
Dissolved. Add 4N hydrochloric acid and heat to reflux for 6 hours.
And then re-precipitation in 5 L of ultrapure water
The resin was filtered off, washed with water and dried. Tetra
Dissolve in 200 ml of hydrofuran and intensify in 5 L of ultrapure water
The solution was dropped and re-precipitated with vigorous stirring. This re-sink operation
Repeated 3 times. The obtained resin was 120 in a vacuum dryer.
Dry at 12 ° C. for 12 hours, and poly (p-hydroxystyrene /
Styrene) copolymer alkali-soluble resin R-2 was obtained.
The weight average molecular weight of the obtained resin was 12,000. [Synthesis Example II-3] p-acetoxystyrene
32.4 g (0.2 mol) and methyl methacrylate
7.01 g (0.07 mol) to 120 ml butyl acetate
Dissolve the azobisin at 80 ° C under nitrogen flow and stirring.
Sobutyronitrile (AIBN) 0.033g 2.5 hours
Add three times at a time, and finally continue stirring for another 5 hours.
Then, a polymerization reaction was performed. The reaction solution was hexane 120.
The solution was added to 0 ml to precipitate a white resin. The resulting tree
The fat was dried and then dissolved in 200 ml of methanol. to this
Sodium hydroxide 7.7g (0.19mol) / water 50m
Add 1 g of aqueous solution and heat to reflux for 1 hour.
Water split. Then add 200ml of water to dilute,
Neutralization with hydrochloric acid precipitated a white resin. Filter this resin
Separated, washed with water and dried. Tetrahydrofuran 20
Dissolve in 0 ml and stir vigorously in 5 L of ultrapure water.
Dropping and reprecipitation were performed. This reprecipitation operation was repeated three times.
The obtained resin is dried in a vacuum dryer at 120 ° C. for 12 hours.
Poly (p-hydroxystyrene / methacrylic acid methyl)
I) A copolymer alkali-soluble resin R-3 was obtained. Obtained
The resin had a weight average molecular weight of 10,000. [Synthesis Example II-4] manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.
Al (p-hydroxystyrene) (VP8000)
Potassium-soluble resin R-4 was designated. The weight average molecular weight is 980
0. [Synthesis Example III-1] Alkali-soluble resin R-4 2 obtained in Synthesis Example II-4
0g Tetrahydrofuran 80ml Vinyl ether X-1 obtained in Synthesis Example I-1 6.5
0g In a flask and p-toluenesulfonic acid 10 m
g was added and stirred at room temperature for 18 hours. Pyridine 50
After adding mg, the reaction solution was vigorously poured into 5 L of ultrapure water.
Dropping and reprecipitation were performed while stirring. Vacuum the resulting resin
Dry in a dryer at 70 ° C. for 12 hours, according to the present invention
An alkali-soluble resin B-1 having a substituent was obtained. [Synthesis Examples III-2 to III-10]
Using the indicated alkali-soluble resin and vinyl ether,
Similar to Example III-1 having substituents according to the present invention
Alkali-soluble resins B-2 to B-15 were obtained. [0439] [Table 1] [Synthesis Examples IV-1 to IV-4] Shown in Table 2 below
Alkali-soluble resin and ethyl vinyl resin represented by the following formula:
Ruether (Y-1), naphthyloxyethyl vinyl ester
Ether (Y-2), (benzyloxyethoxy) ethyl
Resin C-1 to C-3 using vinyl ether (Y-3)
Got. [0441] Embedded image [0442] [Table 2] [Synthesis Example V-1] <Triphenylsulfoni
Synthesis of umnonafluorobutanesulfonate (VII-4)
> 20g of triphenylsulfonium iodide in methanol
12.5 g of silver oxide is added to this solution.
The mixture was stirred at room temperature for 4 hours. The reaction solution is filtered to obtain a silver compound
After removing the nonafluorobutane sulfonate into this solution
Acid 14.9g was added and the solution was concentrated. Obtained
Add 300 ml of diisopropyl ether to the oily product
After stirring well, diisopropyl ether is decanted.
The operation of removing the toner was repeated twice. The oil obtained was
When dried, 18 g of the desired product was obtained. [Synthesis Example V-2] <Triphenylsulfoni
Um 4-dodecylbenzenesulfonate (PAG4-
Synthesis of 1)> Triphenylsulfonium iodide 10 g
Is dissolved in 500 ml of methanol, and silver oxide 4.
44 g was added and stirred at room temperature for 4 hours. Filter the reaction solution
After removing the silver compound, 4-dodecylbenzase is added to this solution.
4.67 g of sulfonic acid is added, and this solution is added.
Concentrated. Diisopropyl ether 3 was added to the obtained oil.
After adding 00 ml and stirring well, diisopropyl ether
The operation of removing ether by decanting was repeated twice. Obtained
The oily product was dried under reduced pressure to obtain 6 g of the desired product. [Synthesis Example V-3] <Triphenylsulfoni
Synthesis of umnonafluoropentanoate (II-4f)
Rephenylsulfonium iodide (20 g) in methanol 5
Dissolve in 00ml, add 12.5g of silver oxide to this
Stir for 4 days at room temperature. Filter the reaction solution to remove the silver compound.
After this, nonafluoropentanoic acid in this solution
14.9 g was added and the solution was concentrated. Oil obtained
Add 300 ml of diisopropyl ether
After stirring, diisopropylpropyl ether is removed by decantation.
The operation was repeated twice. Dry the resulting oil under reduced pressure
As a result, 18 g of the desired product was obtained. As surfactant (F-1), mega fat
C08 (Dainippon Ink Co., Ltd.) was used. As the surfactant (F-2), Troisol
S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.) was used. (Examples 1 to 12, Comparative Examples 1 to 6) [Preparation and Evaluation of Resist Composition] Each material shown in Table 3 below
PGMEA (propylene glycol monomethyl ether
Ruacetate) dissolved in 8g, 0.2μm filter
To prepare a resist solution. Surfactant
The amount used was 0.0035 g. Using this resist solution, use a spin coater.
And applied onto a silicon wafer at 130 ° C., 60 ° C.
Dry on a vacuum adsorption-type hot plate for 2 seconds to obtain a film thickness of 0.
A 3 μm resist film was obtained. [0450] [Table 3] Each photoacid generator used in the examples and
Organic base compounds are shown below. [0452] Embedded imageAn electron beam irradiation device (acceleration is applied to this resist film.
Irradiation was performed using a voltage of 50 KeV. 100 after irradiation
Heat on a hot plate for 60 seconds and immediately add 0.2
6N tetramethylammonium hydroxide (T
MAH) soaked in aqueous solution for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds
And dried. Silicon wafer thus obtained
-Observe the upper pattern with a scanning electron microscope
The performance of was evaluated. The results are shown in Table 4. The resolving power is 0.15 μm line and spec.
Limit solution for exposure dose to reproduce the mask pattern
Represents image power. The obtained resist pattern was measured with an optical microscope.
Or, it is observed by SEM, and reverse taper of resist pattern
The degree of was observed. Degree of inclination of reverse taper of pattern
Matches with very little (almost rectangular profile)
◎, less is ○, pattern reverse taper is clear
What was observed was set as x. Also, the resist film obtained as described above is
After leaving in an electron beam irradiation device for 240 minutes under high vacuum,
As above, exposure and development to form a resist pattern
It was. As described above, obtained by leaving under high vacuum for 240 minutes
Limit resolution line width (A) of the pattern and do not leave under high vacuum
Measure the critical resolution line width (B) of the pattern obtained
The rate of change was calculated as follows. Its value is small
Better. [0458] Fluctuation rate = {1- | (B)-(A) | / (B)} × 100 [0459] [Table 4] As is apparent from the results in Table 4, the present invention
The positive resist compositions of the respective examples are satisfactory.
However, the resist composition of each comparative example is
Line width changes due to resist pattern shape and holding time
I was dissatisfied with the movement. (Examples 13 to 24, Comparative Examples 7 to 10)
As shown in Table 5, general formula (I) and general formula (III)
Decomposed by the action of an acid having a structural unit represented by
A resin with increased solubility in an alkaline developer, and / or
Or the above general formula (I), general formula (II) and general formula (II)
Decomposed by the action of an acid having the structural unit represented by I)
And a resin with increased solubility in an alkaline developer,
Furthermore, it decomposes by the action of acid and dissolves in alkaline developer
Examples 1 to 12 except that a compound with increased properties was added
Similarly, a resist solution is prepared and 0.3 μm is similarly obtained.
A resist film was obtained. In the same manner as in Examples 1 to 12, the resolution and resolution
Dist pattern profile, pull in vacuum chamber
Table 6 shows the results of the evaluation of line width variation due to settling.
The [0463] [Table 5] In addition, the dissolution inhibiting compounds used in the examples are shown below.
Shown below. [0465] Embedded image[0466] [Table 6] As is apparent from the results in Table 6, the present invention
The positive resist composition of each of these examples is particularly a resist.
Pattern profile, leaving in vacuum chamber
The line width variation caused by
Although satisfactory results were obtained, the resist composition of each comparative example
In particular, resist pattern profiles, vacuum channels
Unsatisfied with line width fluctuations due to placement in the bar
It was. [0468] According to the present invention, a resist pattern processor is obtained.
Line width change due to file and placement in vacuum chamber
Provides chemically amplified positive resist compositions with improved dynamics
Is done.

フロントページの続き (72)発明者 白川 浩司 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 (72)発明者 高橋 表 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 (72)発明者 藤森 亨 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA03 AB16 AC04 AC05 AC06 AD03 BE00 BE10 BG00 CB17 CB41 FA17 4J100 AB02R AB07P AB07Q AB07R BA02P BA02R BA03Q BA04P BA05R BA12P BA15P BA15R BA34R BC03P BC04P BC04R BC09P BC43P CA04 CA05 FA03 FA19 JA38 Continued front page    (72) Inventor Koji Shirakawa             4,000 Kawajiri, Yoshida-cho, Kashihara-gun, Shizuoka Prefecture Fuji             Within Shin Film Co., Ltd. (72) Inventor Takahashi Table             4,000 Kawajiri, Yoshida-cho, Kashihara-gun, Shizuoka Prefecture Fuji             Within Shin Film Co., Ltd. (72) Inventor Satoshi Fujimori             4,000 Kawajiri, Yoshida-cho, Kashihara-gun, Shizuoka Prefecture Fuji             Within Shin Film Co., Ltd. F-term (reference) 2H025 AA03 AB16 AC04 AC05 AC06                       AD03 BE00 BE10 BG00 CB17                       CB41 FA17                 4J100 AB02R AB07P AB07Q AB07R                       BA02P BA02R BA03Q BA04P                       BA05R BA12P BA15P BA15R                       BA34R BC03P BC04P BC04R                       BC09P BC43P CA04 CA05                       FA03 FA19 JA38

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 (a)下記一般式(X)で示される基を
含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアル
カリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び(b)
活性放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する
ことを特徴とするポジ型電子線、X線又はEUV用レジ
スト組成物。 【化1】 式(X)中、R1 、R2は、同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基を表し、Wは
2価の有機基を表し、R3は総炭素数11〜20の置換
基を有してもよいアルキル基、総炭素数11〜30の置
換基を有してもよいアリール基、総炭素数12〜30の
置換基を有してもよいアラルキル基を表す。
What is claimed is: (a) a resin having a structural unit containing a group represented by the following general formula (X), which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer And (b)
A resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV, comprising a compound that generates an acid upon irradiation with actinic radiation. [Chemical 1] In formula (X), R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, W represents a divalent organic group, and R 3 represents total carbon. An alkyl group that may have a substituent of 11 to 20, an aryl group that may have a substituent of 11 to 30 carbon atoms, and an aralkyl that may have a substituent of 12 to 30 carbon atoms Represents a group.
JP2002060583A 2001-10-01 2002-03-06 Resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV Expired - Lifetime JP4004820B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002060583A JP4004820B2 (en) 2001-10-01 2002-03-06 Resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-305364 2001-10-01
JP2001305364 2001-10-01
JP2002060583A JP4004820B2 (en) 2001-10-01 2002-03-06 Resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003177537A true JP2003177537A (en) 2003-06-27
JP2003177537A5 JP2003177537A5 (en) 2005-04-07
JP4004820B2 JP4004820B2 (en) 2007-11-07

Family

ID=26623540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002060583A Expired - Lifetime JP4004820B2 (en) 2001-10-01 2002-03-06 Resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4004820B2 (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004036315A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Photoresist base material, method for purification thereof, and photoresist compositions
WO2005031464A1 (en) * 2003-09-25 2005-04-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and resist laminate for low-acceleration electron beam and method of pattern formation
JP2005099558A (en) * 2003-09-26 2005-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photoresist composition for electron beam, x-ray or euv ray, and pattern forming method using same
WO2005071490A1 (en) * 2004-01-23 2005-08-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
US7250246B2 (en) 2004-01-26 2007-07-31 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern formation method using the same
US7407734B2 (en) 2003-10-22 2008-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition for electron beam or EUV
US7736842B2 (en) 2004-09-09 2010-06-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition for electron beam or EUV (extreme ultraviolet) and method for forming resist pattern
EP2455812A3 (en) * 2010-11-17 2012-08-01 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photosensitive copolymer and photoresist composition
JP2013156563A (en) * 2012-01-31 2013-08-15 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic electroluminescent (el) display device and liquid crystal display device
KR20190078537A (en) * 2017-12-26 2019-07-04 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004036315A1 (en) * 2002-10-15 2004-04-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Photoresist base material, method for purification thereof, and photoresist compositions
WO2005031464A1 (en) * 2003-09-25 2005-04-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and resist laminate for low-acceleration electron beam and method of pattern formation
KR100758870B1 (en) * 2003-09-25 2007-09-14 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Positive resist composition and resist laminate for low-acceleration electron beam and method of pattern formation
JP2005099558A (en) * 2003-09-26 2005-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photoresist composition for electron beam, x-ray or euv ray, and pattern forming method using same
US7407734B2 (en) 2003-10-22 2008-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition for electron beam or EUV
US7879528B2 (en) 2003-10-22 2011-02-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition for electron beam or EUV
WO2005071490A1 (en) * 2004-01-23 2005-08-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
US7250246B2 (en) 2004-01-26 2007-07-31 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern formation method using the same
US7736842B2 (en) 2004-09-09 2010-06-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition for electron beam or EUV (extreme ultraviolet) and method for forming resist pattern
EP2455812A3 (en) * 2010-11-17 2012-08-01 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photosensitive copolymer and photoresist composition
US8703383B2 (en) 2010-11-17 2014-04-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photosensitive copolymer and photoresist composition
JP2013156563A (en) * 2012-01-31 2013-08-15 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic electroluminescent (el) display device and liquid crystal display device
KR20190078537A (en) * 2017-12-26 2019-07-04 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process
KR102143283B1 (en) * 2017-12-26 2020-08-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process
US11018015B2 (en) 2017-12-26 2021-05-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process

Also Published As

Publication number Publication date
JP4004820B2 (en) 2007-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100760245B1 (en) Positive-working resist composition
JP4231622B2 (en) Positive resist composition
JP4262402B2 (en) Positive resist composition
US6749987B2 (en) Positive photosensitive composition
JP4177952B2 (en) Positive resist composition
US6265135B1 (en) Positive-working electron beam or X-ray resist composition
JP4253427B2 (en) Positive resist composition
JP4149194B2 (en) Positive radiation sensitive composition
JP3963625B2 (en) Positive photoresist composition
JP3992993B2 (en) Resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV
US6638683B1 (en) Positive photoresist composition
JP2003177537A (en) Positive resist composition for electron beam, x-ray or euv
JPH11167199A (en) Positive photoresist composition
JP4177966B2 (en) Positive photoresist composition
JP3890365B2 (en) Positive resist composition
JP3907165B2 (en) Positive resist composition
JP3963708B2 (en) Positive resist composition
JP2000267282A (en) Positive photosensitive composition
JP4177970B2 (en) Positive photoresist composition
JP2003280199A (en) Positive resist composition for electron beam, x-radiation or euv
JP3890376B2 (en) Positive photosensitive composition
JP4264185B2 (en) Positive photoresist composition
JP2002072478A (en) Positive type photoresist composition
JP2000330286A (en) Positive photoresist composition
JPH10133364A (en) Photosensitive composition

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040514

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040514

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060324

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060724

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061102

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070418

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070524

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070815

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070822

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4004820

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130831

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term