JP2003280199A - Positive resist composition for electron beam, x-radiation or euv - Google Patents

Positive resist composition for electron beam, x-radiation or euv

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JP2003280199A
JP2003280199A JP2002081329A JP2002081329A JP2003280199A JP 2003280199 A JP2003280199 A JP 2003280199A JP 2002081329 A JP2002081329 A JP 2002081329A JP 2002081329 A JP2002081329 A JP 2002081329A JP 2003280199 A JP2003280199 A JP 2003280199A
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一良 水谷
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition for an electron beam, X- radiation or EUV (extreme-ultraviolet radiation) improved in resist pattern profile and variation of line width due to keeping in a vacuum chamber. <P>SOLUTION: The positive resist composition comprises (a) a resin which has a structural unit containing an acid-decomposable group having a structure represented by formula (I) and is decomposed by the action of an acid to increase solubility in an alkali developer and (b) a compound which generates and acid upon irradiation with an active radiation, wherein R1 and R2 may be the same or different and are each H or a 1-4C alkyl; W is a divalent organic group; and X is -S-, -N(R4)CO-, -Se-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO- or -SO<SB>2</SB>- (where R4 is H or a 1-4C alkyl). <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路素
子、集積回路製造用マスク等の製造に用いるポジ型レジ
スト組成物に関するものである。 【0002】 【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物として、米
国特許第4,491,6 28号明細書、欧州特許第29,139号明細
書等に記載されている化学増幅系レジスト組成物があ
る。化学増幅型ポジレジスト組成物は、遠紫外光等の放
射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒
とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の
現像液に対する溶解性を変化させパターンを基板上に形
成させるパターン形成材料である。 【0003】上記化学増幅型ポジレジスト組成物は、ア
ルカリ可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化
合物(光酸発生剤)、及び酸分解性基を有するアルカリ
可溶性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る3成分系
と、酸との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有
する樹脂と光酸発生剤からなる2成分系、更に酸との反
応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹脂、酸
分解性基を有する低分子溶解阻止化合物、及び光酸発生
剤から成るハイブリット系に大別できる。 【0004】特開平10−87724号公報において、
ケトン、エステル、スルホニル、アミド基を含有するア
セタール基を導入した樹脂が定在波低減に効果があると
して開示されている。また、特開平10−306120
号公報では、エステル基を含有するアセタール基ユニッ
トを持つ樹脂が開示されている。しかしながら、これら
のアセタール基を有する樹脂では、電子線レジストとし
て用いた場合、電子線後方散乱の影響が強く現れ、得ら
れるレジストパターンが逆テーパー形状のプロファイル
となった。更に電子線照射装置の真空チャンバー中での
引き置き時間による線幅変動の改善も望まれていた。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電子
線、X線、又はEUV(Extreme Ultraviolet)等の活
性放射線による照射用のレジストとして、得られるパタ
ーンプロファイルの形状が優れ、更に照射装置の真空チ
ャンバー中での引き置き時間による線幅変動も改善され
た化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供することにあ
る。 【0006】 【課題を解決するための手段】本発明者は、かかる現状
に鑑み、鋭意検討した結果、特定の構造の酸分解性基を
有する化合物を有するポジ型レジスト組成物を用いるこ
とで、上記目的が達成され、本発明を完成するに到っ
た。即ち、本発明に係るポジ型レジスト組成物は下記構
成である。 【0007】(1) (a)下記一般式(I)で示され
る基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解し
てアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び
(b)活性放射線の照射により酸を発生する化合物を含
有することを特徴とするポジ型電子線、X線又はEUV
用レジスト組成物。 【0008】 【化2】 【0009】式(I)中、R1、R2は、同一でも異な
っていてもよく、水素原子、又は炭素数1〜4のアルキ
ル基を表し、Wは2価の有機基を表し、Xは−S−、−
N(R4)CO−、−Se−、−CO−、−COO−、
−OCO−、−SO−、又は−SO2−を表し(ここ
で、R4は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表
す)、R3は置換基を有してもよい鎖状アルキル基、置
換基を有してもよい環状アルキル基、置換基を有しても
よいアリール基、又は置換基を有してもよいアラルキル
基を表す。) 【0010】以下に、好ましい態様を記載する。 (2) (a)の樹脂が、更に下記一般式(II)で示さ
れる構造単位を有することを特徴とする上記(1)に記
載のポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。 【0011】 【化3】【0012】式(II)中、R21は水素原子又はメチル
基を表し、R22は酸の作用により分解しない基を表
し、R23は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
リール基、アルコキシ基、アシル基またはアシロキシ基
を表す。nは1〜3の整数を表す。 【0013】(3) 上記(b)活性放射線の照射によ
り酸を発生する化合物が、活性放射線の照射により、ス
ルホン酸を発生する下記一般式(A−1)、(A−
2)、(A−3)、(A−4)、(A−5)、(A−
6)及び(A−7)で表される化合物のうち少なくとも
1種であることを特徴とする上記(1)又は(2)に記
載のポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。 【0014】 【化4】 【0015】式(A−1)、(A−2)中、R1〜R
5は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキ
ル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ
基、ハロゲン原子、又は−S−R6基を示す。R6はアル
キル基、又はアリール基を示す。X-は、(a)直鎖
状、分岐状又は環状の炭素数1〜12個のアルキルスル
ホン酸のアニオンで、その水素原子の一部又は全部をフ
ッ素原子で置換されていても良い、又は(b)分岐状又
は環状の炭素数8個以上のアルキル基及びアルコキシ基
の群の中から選ばれる基を少なくとも1個有するか、直
鎖状、分岐状又は環状の炭素数4〜7個のアルキル基及
びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも2
個有するか、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜3個のアル
キル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少な
くとも3個有するか、1〜5個のハロゲン原子を有する
か、若しくは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜10のエス
テル基を有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホ
ン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオン、を示す。 【0016】 【化5】 【0017】式(A−3)中、R7〜R10は、同一でも
異なっていてもよく、各々水素原子、アルキル基、シク
ロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、又はハロ
ゲン原子を示す。X-は、上記と同義である。m、n、
p及びqは、各々1〜3の整数を示す。 【0018】 【化6】 【0019】式(A−4)中、R11〜R13は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
又は−S−R6基を示す。R6、X-は上記と同義であ
る。l、m及びnは、同じでも異なってもよく、1〜3
の整数を示す。l、m及びnが各々2又は3の場合、2
〜3個のR11〜R13のうちの各々の2個が互いに結合し
て、炭素環、複素環又は芳香環を含む5〜8個の元素か
ら成る環を形成してもよい。 【0020】 【化7】 【0021】式(A−5)中、R14〜R16は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
又は−S−R6基を示す。R6、X-は前記と同義であ
る。l、m及びnは、同じでも異なってもよく、1〜3
の整数を示す。l、m及びnが各々2又は3の場合、2
〜3個のR14〜R16のうちの各々の2個が互いに結合し
て、炭素環、複素環又は芳香環を含む5〜8個の元素か
ら成る環を形成してもよい。 【0022】 【化8】 【0023】式(A−6)中、Yは置換基を有していて
もよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換されていても
よいアラルキル基、 【0024】 【化9】 【0025】で表される基を示す(R31〜R51は、同一
でも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有してい
てもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、アルコキシ基、
アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリ
ール基、アシロキシ基、アラルキル基もしくはアルコキ
シカルボニル基、又はホルミル基、ニトロ基、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、もしくはシアノ基
を示し、R31〜R35、R36〜R42及びR43〜R51はそれ
ぞれの群のうちの2つが結合して炭素原子及び/又はヘ
テロ原子からなる5〜8員環を形成していもよい)。ま
た、Yは別のイミドスルホネート化合物の残基と結合し
ていてもよい。Xは置換基を有していてもよい直鎖、分
岐アルキレン基、置換基を有していてもよくヘテロ原子
を含んでいてもよい単環又は多環環状アルキレン基、置
換されていてもよい直鎖、分岐アルケニレン基、置換さ
れていてもよくヘテロ原子を含んでいてもよい単環又は
多環環状アルケニレン基、置換されていてもよいアリー
レン基、置換されていてもよいアラルキレン基を示す。
また、Xは別のイミドスルホネート残基と結合していて
もよい。 Ar1−SO2−SO2−Ar2 (A−7) 式(A−7)中、Ar1、Ar2は、同一でも異なってい
てもよく、置換もしくは未置換のアリール基を示す。 【0026】(4) 更に、活性放射線の照射により、
カルボン酸を発生する下記一般式(B−1)、(B−
2)、(B−3)、(B−4)及び(B−5)で表され
る化合物のうち少なくとも1種を含有することを特徴と
する上記(3)に記載のポジ型電子線、X線又はEUV
用レジスト組成物。 【0027】 【化10】 【0028】式(B−1)、(B−2)中、R1〜R
5は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキ
ル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ
基、ハロゲン原子、又は−S−R6基を示す。R6はアル
キル基、又はアリール基を示す。Y-は、(a)直鎖
状、分岐状又は環状の炭素数1〜12個のアルキルカル
ボン酸のアニオンで、その水素原子の一部又は全部をフ
ッ素原子で置換されていても良い、又は(b)分岐状又
は環状の炭素数8個以上のアルキル基及びアルコキシ基
の群の中から選ばれる基を少なくとも1個有するか、直
鎖状、分岐状又は環状の炭素数4〜7個のアルキル基及
びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも2
個有するか、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜3個のアル
キル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少な
くとも3個有するか、1〜5個のハロゲン原子を有する
か、若しくは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜10のエス
テル基を有するベンゼンカルボン酸、ナフタレンカルボ
ン酸又はアントラセンカルボン酸のアニオン、を示す。 【0029】 【化11】 【0030】式(B−3)中、R7〜R10は、同一でも
異なっていてもよく、各々水素原子、アルキル基、シク
ロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、又はハロ
ゲン原子を示す。Y-は、上記と同義である。m、n、
p及びqは、各々1〜3の整数を示す。 【0031】 【化12】 【0032】式(B−4)中、R11〜R13は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
又は−S−R6基を示す。R6、Y-は上記と同義であ
る。l、m及びnは、同じでも異なってもよく、1〜3
の整数を示す。l、m及びnが各々2又は3の場合、2
〜3個のR11〜R13のうちの各々の2個が互いに結合し
て、炭素環、複素環又は芳香環を含む5〜8個の元素か
ら成る環を形成してもよい。 【0033】 【化13】 【0034】式(B−5)中、R14〜R16は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子
又は−S−R6基を示す。R6、Y-は前記と同義であ
る。l、m及びnは、同じでも異なってもよく、1〜3
の整数を示す。l、m及びnが各々2又は3の場合、2
〜3個のR14〜R16のうちの各々の2個が互いに結合し
て、炭素環、複素環又は芳香環を含む5〜8個の元素か
ら成る環を形成してもよい。 【0035】(5) 酸の作用により分解し、アルカリ
現像液に対する溶解性が増大する化合物をさらに含むこ
とを特徴とする上記(1)〜(4)のいずれかに記載の
ポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。 (6) 前記レジスト組成物中に含まれる酸の含有量が
500ppm以下であることを特徴とする上記(1)〜
(5)のいずれかに記載のポジ型電子線、X線又はEU
V用レジスト組成物。 (7) 40KeV以上の高加速電圧の電子線照射によ
るパターン形成に用いる上記(1)〜(6)のいずれか
に記載のポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成
物。 【0036】 【発明の実施の形態】以下本発明を詳細に説明する。 【0037】(a)上記一般式(I)で示される基を含
有する構造単位を有し、酸の作用により分解し、アルカ
リ現像液に対する溶解性が増大する化合物一般式(I)
におけるR1、R2のアルキル基としては、メチル基、
エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基
等の炭素数1〜4個のアルキル基が挙げられる。Wにお
ける2価の有機基としては、好ましくは置換基を有して
いてもよい、直鎖、分岐あるいは環状のアルキレン基、
アリーレン基、ヘテロアリーレン基、アラルキレン基並
びに、−S−、−CO−、−N(R4)−、−SO−、
−SO2−、−COO−、−N(R4)SO2−(ここ
で、R4は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表
す)あるいはこれらの基を2つ以上組み合わせた2価の
基を挙げることができる。Xは、−S−、−N(R4)
CO−、−Se−、−CO−、−COO−、−OCO
−、−SO−、又は−SO2−を表し(ここで、R4は
水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す)、好ま
しくは−S−、−SO−、−SO2−、−N(R4)−
を表す。W及びXにおけるR4のアルキル基の具体例と
しては上記R1と同様のものが挙げられる。 【0038】上記R3の置換基を有してもよい鎖状アル
キル基としては、好ましくは炭素数1〜20、さらに好
ましくは炭素数1〜18の、直鎖状であっても分岐状で
あってもよく、例えば、メチル基、エチル基、n−プロ
ピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル
基、t−ブチル基、n−ペンチル基、i−ペンチル基、
t−ペンチル基、n−ヘキシル基、i−ヘキシル基、t
−ヘキシル基、n−ヘプチル基、i−ヘプチル基、t−
ヘプチル基、n−オクチル基、i−オクチル基、t−オ
クチル基、n−ノニル基、i−ノニル基、t−ノニル
基、n−デシル基、i−デシル基、t−デシル基、n−
ウンデシル基、i−ウンデシル基、n−ドデシル基、i
−ドデシル基、n−トリデシル基、i−トリデシル基、
n−テトラデシル基、i−テトラデシル基、n−ペンタ
デシル基、i−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、
i−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、i−ヘプタ
デシル基、n−オクタデシル基、i−オクタデシル基、
n−ノナデシル基、i−ノナデシル基等を挙げることが
できる。これらの置換基は、下記に示す置換基によって
置換されていてもよい。 【0039】上記R3の置換基を有してもよい環状アル
キル基としては、好ましくは炭素数3〜20、さらに好
ましくは炭素数3〜18の、20までの炭素数で環を形
成する場合でも置換基を有した環状アルキルでもよく、
例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シク
ロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シク
ロウンデシル基、シクロドデシル基、シクロトリデシル
基、シクロトリデシル基、シクロテトラデシル基、シク
ロペンタデシル基、シクロヘキサデシル基、シクロヘプ
タデシル基、シクロオクタデシル基、シクロノナデシル
基、4−シクロヘキシルシクロヘキシル基、4−n−ヘ
キシルシクロヘキシル基、ペンタニルシクロヘキシル
基、ヘキシルオキシシクロヘキシル基、ペンタニルオキ
シシクロヘキシル基等を挙げることができる。ここに挙
げた以外の置換環状アルキル基も上記範囲内であれば使
用できることができる。これらの置換基は、下記に示す
置換基によって置換されていてもよい。 【0040】上記R3の置換基を有していてもよいアリ
ール基としては、好ましくは炭素数6〜30、好ましく
は炭素数6〜25の、例えば、フェニル基、トリル基、
キシリル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、
メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオ
キシフェニル基、4−シクロペンチルフェニル基、4−
シクロヘキシルフェニル基、4−シクロヘプテニルフェ
ニル基、4−シクロオクタニルフェニル基、2−シクロ
ペンチルフェニル基、2−シクロヘキシルフェニル基、
2−シクロヘプテニルフェニル基、2−シクロオクタニ
ルフェニル基、3−シクロペンチルフェニル基、3−シ
クロヘキシルフェニル基、3−シクロヘプテニルフェニ
ル基、3−シクロオクタニルフェニル基、4−シクロペ
ンチルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフ
ェニル基、4−シクロヘプテニルオキシフェニル基、4
−シクロオクタニルオキシフェニル基、2−シクロペン
チルオキシフェニル基、2−シクロヘキシルオキシフェ
ニル基、2−シクロヘプテニルオキシフェニル基、2−
シクロオクタニルオキシフェニル基、3−シクロペンチ
ルオキシフェニル基、3−シクロヘキシルオキシフェニ
ル基、3−シクロヘプテニルオキシフェニル基、3−シ
クロオクタニルオキシフェニル基、4−n−ペンチルフ
ェニル基、4−n−ヘキシルフェニル基、4−n−ヘプ
テニルフェニル基、4−n−オクタニルフェニル基、2
−n−ペンチルフェニル基、2−n−ヘキシルフェニル
基、2−n−ヘプテニルフェニル基、2−n−オクタニ
ルフェニル基、3−n−ペンチルフェニル基、3−n−
ヘキシルフェニル基、3−n−ヘプテニルフェニル基、
3−n−オクタニルフェニル基、2,6−ジ−イソプロ
ピルフェニル基、2,3−ジ−イソプロピルフェニル
基、2,4−ジ−イソプロピルフェニル基、3,4−ジ
−イソプロピルフェニル基、3,6−ジ−t−ブチルフ
ェニル基、2,3−ジ−t−ブチルフェニル基、2,4
−ジ−t−ブチルフェニル基、3,4−ジ−t−ブチル
フェニル基、2,6−ジ−n−ブチルフェニル基、2,
3−ジ−n−ブチルフェニル基、2,4−ジ−n−ブチ
ルフェニル基、3,4−ジ−n−ブチルフェニル基、
2,6−ジ−i−ブチルフェニル基、2,3−ジ−i−
ブチルフェニル基、2,4−ジ−i−ブチルフェニル
基、3,4−ジ−i−ブチルフェニル基、2,6−ジ−
t−アミルフェニル基、2,3−ジ−t−アミルフェニ
ル基、2,4−ジ−t−アミルフェニル基、3,4−ジ
−t−アミルフェニル基、2,6−ジ−i−アミルフェ
ニル基、2,3−ジ−i−アミルフェニル基、2,4−
ジ−i−アミルフェニル基、3,4−ジ−i−アミルフ
ェニル基、2,6−ジ−n−ペンチルフェニル基、2,
3−ジ−n−ペンチルフェニル基、2,4−ジ−n−ペ
ンチルフェニル基、3,4−ジ−n−ペンチルフェニル
基、4−アダマンチルフェニル基、2−アダマンチルフ
ェニル基、4−イソボロニルフェニル基、3−イソボロ
ニルフェニル基、2−イソボロニルフェニル基、4−シ
クロペンチルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオ
キシフェニル基、4−シクロヘプテニルオキシフェニル
基、4−シクロオクタニルオキシフェニル基、2−シク
ロペンチルオキシフェニル基、2−シクロヘキシルオキ
シフェニル基、2−シクロヘプテニルオキシフェニル
基、2−シクロオクタニルオキシフェニル基、3−シク
ロペンチルオキシフェニル基、3−シクロヘキシルオキ
シフェニル基、3−シクロヘプテニルオキシフェニル
基、3−シクロオクタニルオキシフェニル基、4−n−
ペンチルオキシフェニル基、4−n−ヘキシルオキシフ
ェニル基、4−n−ヘプテニルオキシフェニル基、4−
n−オクタニルオキシフェニル基、2−n−ペンチルオ
キシフェニル基、2−n−ヘキシルオキシフェニル基、
2−n−ヘプテニルオキシフェニル基、2−n−オクタ
ニルオキシフェニル基、3−n−ペンチルオキシフェニ
ル基、3−n−ヘキシルオキシフェニル基、3−n−ヘ
プテニルオキシフェニル基、3−n−オクタニルオキシ
フェニル基、2,6−ジ−イソプロピルオキシフェニル
基、2,3−ジ−イソプロピルオキシフェニル基、2,
4−ジ−イソプロピルオキシフェニル基、3,4−ジ−
イソプロピルオキシフェニル基、2,6−ジ−t−ブチ
ルオキシフェニル基、2,3−ジ−t−ブチルオキシフ
ェニル基、2,4−ジ−t−ブチルオキシフェニル基、
3,4−ジ−t−ブチルオキシフェニル基、2,6−ジ
−n−ブチルオキシフェニル基、2,3−ジ−n−ブチ
ルオキシフェニル基、2,4−ジ−n−ブチルオキシフ
ェニル基、3,4−ジ−n−ブチルオキシフェニル基、
2,6−ジ−i−ブチルオキシフェニル基、2,3−ジ
−i−ブチルオキシフェニル基、2,4−ジ−i−ブチ
ルオキシフェニル基、3,4−ジ−i−ブチルオキシフ
ェニル基、2,6−ジ−t−アミルオキシフェニル基、
2,3−ジ−t−アミルオキシフェニル基、2,4−ジ
−t−アミルオキシフェニル基、3,4−ジ−t−アミ
ルオキシフェニル基、2,6−ジ−i−アミルオキシフ
ェニル基、2,3−ジ−i−アミルオキシフェニル基、
2,4−ジ−i−アミルオキシフェニル基、3,4−ジ
−i−アミルオキシフェニル基、2,6−ジ−n−ペン
チルオキシフェニル基、2,3−ジ−n−ペンチルオキ
シフェニル基、2,4−ジ−n−ペンチルオキシフェニ
ル基、3,4−ジ−n−ペンチルオキシフェニル基、4
−アダマンチルオキシフェニル基、3−アダマンチルオ
キシフェニル基、2−アダマンチルオキシフェニル基、
4−イソボロニルオキシフェニル基、3−イソボロニル
オキシフェニル基、2−イソボロニルオキシフェニル
基、等が挙げられこれらは上記範囲内であればさらに置
換してもよく上記例以外の置換基に限定されない。これ
らの置換基は、下記に示す置換基によって置換されてい
てもよい。 【0041】R3の置換基を有してもよいアラルキル基
としては、好ましくは炭素数7〜30、さらに好ましく
は炭素数8〜25の、例えば、フェニルエチル基、トリ
ルフェニルエチル基、キシリルフェニルエチル基、エチ
ルフェニルエチル基、プロピルフェニルエチル基、4−
シクロペンチルフェニルエチル基、4−シクロヘキシル
フェニルエチル基、4−シクロヘプテニルフェニルエチ
ル基、4−シクロオクタニルフェニルエチル基、2−シ
クロペンチルフェニルエチル基、2−シクロヘキシルフ
ェニルエチル基、2−シクロヘプテニルフェニルエチル
基、2−シクロオクタニルフェニルエチル基、3−シク
ロペンチルフェニルエチル基、3−シクロヘキシルフェ
ニルエチル基、3−シクロヘプテニルフェニルエチル
基、3−シクロオクタニルフェニルエチル基、4−シク
ロペンチルオキシフェニルエチル基、4−シクロヘキシ
ルオキシフェニルエチル基、4−シクロヘプテニルオキ
シフェニルエチル基、4−シクロオクタニルオキシフェ
ニルエチル基、2−シクロペンチルオキシフェニルエチ
ル基、2−シクロヘキシルオキシフェニルエチル基、2
−シクロヘプテニルオキシフェニルエチル基、2−シク
ロオクタニルオキシフェニルエチル基、3−シクロペン
チルオキシフェニルエチル基、3−シクロヘキシルオキ
シフェニルエチル基、3−シクロヘプテニルオキシフェ
ニルエチル基、3−シクロオクタニルオキシフェニルエ
チル基、4−n−ペンチルフェニルエチル基、4−n−
ヘキシルフェニルエチル基、4−n−ヘプテニルフェニ
ルエチル基、4−n−オクタニルフェニルエチル基、2
−n−ペンチルフェニルエチル基、2−n−ヘキシルフ
ェニルエチル基、2−n−ヘプテニルフェニルエチル
基、2−n−オクタニルフェニルエチル基、3−n−ペ
ンチルフェニルエチル基、3−n−ヘキシルフェニルエ
チル基、3−n−ヘプテニルフェニルエチル基、3−n
−オクタニルフェニルエチル基、2,6−ジ−イソプロ
ピルフェニルエチル基、2,3−ジ−イソプロピルフェ
ニルエチル基、2,4−ジ−イソプロピルフェニルエチ
ル基、3,4−ジ−イソプロピルフェニルエチル基、
2,6−ジ−t−ブチルフェニルエチル基、2,3−ジ
−t−ブチルフェニルエチル基、2,4−ジ−t−ブチ
ルフェニルエチル基、3,4−ジ−t−ブチルフェニル
エチル基、2,6−ジ−n−ブチルフェニルエチル基、
2,3−ジ−n−ブチルフェニルエチル基、2,4−ジ
−n−ブチルフェニルエチル基、3,4−ジ−n−ブチ
ルフェニルエチル基、2,6−ジ−i−ブチルフェニル
エチル基、2,3−ジ−i−ブチルフェニルエチル基、
2,4−ジ−i−ブチルフェニルエチル基、3,4−ジ
−i−ブチルフェニルエチル基、2,6−ジ−t−アミ
ルフェニルエチル基、2,3−ジ−t−アミルフェニル
エチル基、2,4−ジ−t−アミルフェニルエチル基、
3,4−ジ−t−アミルフェニルエチル基、2,6−ジ
−i−アミルフェニルエチル基、2,3−ジ−i−アミ
ルフェニルエチル基、2,4−ジ−i−アミルフェニル
エチル基、3,4−ジ−i−アミルフェニルエチル基、
2,6−ジ−n−ペンチルフェニルエチル基、2,3−
ジ−n−ペンチルフェニルエチル基、2,4−ジ−n−
ペンチルフェニルエチル基、3,4−ジ−n−ペンチル
フェニルエチル基、4−アダマンチルフェニルエチル
基、3−アダマンチルフェニルエチル基、2−アダマン
チルフェニルエチル基、4−イソボロニルフェニルエチ
ル基、3−イソボロニルフェニルエチル基、2−イソボ
ロニルフェニルエチル基、4−シクロペンチルオキシフ
ェニルエチル基、4−シクロヘキシルオキシフェニルエ
チル基、4−シクロヘプテニルオキシフェニルエチル
基、4−シクロオクタニルオキシフェニルエチル基、2
−シクロペンチルオキシフェニルエチル基、2−シクロ
ヘキシルオキシフェニルエチル基、2−シクロヘプテニ
ルオキシフェニルエチル基、2−シクロオクタニルオキ
シフェニルエチル基、3−シクロペンチルオキシフェニ
ルエチル基、3−シクロヘキシルオキシフェニルエチル
基、3−シクロヘプテニルオキシフェニルエチル基、3
−シクロオクタニルオキシフェニルエチル基、4−n−
ペンチルオキシフェニルエチル基、4−n−へキシルオ
キシフェニルエチル基、4−n−ヘプテニルオキシフェ
ニルエチル基、4−n−オクタニルオキシフェニルエチ
ル基、2−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、2−
n−ヘキシルオキシフェニルエチル基、2−n−ヘプテ
ニルオキシフェニルエチル基、2−n−オクタニルオキ
シフェニルエチル基、3−n−ペンチルオキシフェニル
エチル基、3−n−ヘキシルオキシフェニルエチル基、
3−n−ヘプテニルオキシフェニルエチル基、3−n−
オクタニルオキシフェニルエチル基、2,6−ジーイソ
プロピルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−イソプ
ロピルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−イソプロ
ピルオキシフェニルエチル基、3,4一ジーイソプロピ
ルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−t−ブチルオ
キシフェニルエチル基、2,3−ジ−t−ブチルオキシ
フェニルエチル基、2,4−ジ−t−ブチルオキシフェ
ニルエチル基、3,4−ジ−t−ブチルオキシフェニル
エチル基、2,6−ジ−n−ブチルオキシフェニルエチ
ル基、2,3−ジ−n−ブチルオキシフェニルエチル
基、2,4−ジ−n−ブチルオキシフェニルエチル基、
3,4−ジ−n−ブチルオキシフェニルエチル基、2,
6−ジ−i−ブチルオキシフェニルエチル基、2,3−
ジ−i−ブチルオキシフェニルエチル基、2,4−ジ−
i−ブチルオキシフェニルエチル基、3,4−ジ−i−
ブチルオキシフェニルエチル基、2,6−ジ−t−アミ
ルオキシフェニルエチル基、2,3−ジ−t−アミルオ
キシフェニルエチル基、2,4−ジ−t−アミルオキシ
フェニルエチル基、3,4−ジ−t−アミルオキシフェ
ニルエチル基、2,6−ジ−i−アミルオキシフェニル
エチル基、2,3−ジ−i−アミルオキシフェニルエチ
ル基、2,4−ジ−i−アミルオキシフェニルエチル
基、3,4−ジ−i−アミルオキシフェニルエチル基、
2,6−ジ−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、
2,3−ジ−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、
2,4−ジ−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、
3,4−ジ−n−ペンチルオキシフェニルエチル基、4
−アダマンチルオキシフェニルエチル基、3−アダマン
チルオキシフェニルエチル基、2−アダマンチルオキシ
フェニルエチル基、4−イソボロニルオキシフェニルエ
チル基、3−イソボロニルオキシフェニルエチル基、2
−イソボロニルオキシフェニルエチル基、あるいは、上
記アルキルがメチル基、プロピル基、ブチル基等に置き
換えたもの等が挙げられる。これらの置換基は、下記に
示す置換基によって置換されていてもよい。 【0042】また、上記基の更なる置換基としては、水
酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、
ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒ
ドロキシプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ
基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等のアルコキ
シ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等
のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フエネチル
基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、
ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、
シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキ
シ基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオ
キシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニ
ルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール
基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基等のアリールオキシカルボニル基を挙げることが
できる。 【0043】これらの置換基はさらに置換基を有しても
よく、置換アリール基や置換アラルキル基の炭素数がこ
の範囲内であればよい。 【0044】一般式(I)で示される基の具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではない。 【0045】 【化14】【0046】 【化15】【0047】 【化16】【0048】 【化17】【0049】 【化18】【0050】 【化19】【0051】 【化20】【0052】本発明における一般式(I)で示される基
を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解し、ア
ルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(以下、一
般式(I)で示される基を有する樹脂ともいう)は、モ
ノマ−を重合して得られる、分子量分布を有する化合物
に、一般式(I)で示される酸分解性基を導入した構造
を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる化合物の
ことである。一般式(I)で示される基を有する樹脂と
しては、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖
の両方に、一般式(I)で示される基を有する樹脂であ
る。この内、一般式(I)で示される基を側鎖に有する
樹脂がより好ましい。次に、一般式(I)で示される基
が側鎖として結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に
−OHもしくは−COOH、好ましくは−R0−COO
Hもしくは−Ar−OH基を有するアルカリ可溶性樹脂
である。例えば、後述する酸分解性基を含有していない
アルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。ここで、−
0−は置換基を有してもよい2価以上の脂肪族もしく
は芳香族炭化水素を表し、−Ar−は単環もしくは多環
の置換基を有してもよい2価以上の芳香族基を表す。 【0053】本発明において好ましい母体樹脂として
は、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂で
ある。本発明に用いられるフェノール性水酸基を有する
アルカリ可溶性樹脂は、o−、m−又はp−ヒドロキシ
スチレン(これらを総称してヒドロキシスチレンと言
う)、あるいはo−、m−又はp−ヒドロキシ−α−メ
チルスチレン(これらを総称してヒドロキシ−α−メチ
ルスチレンと言う)に相当する繰り返し単位を少なくと
も30モル%、好ましくは50モル%以上含有する共重
合体又はそのホモポリマー、あるいは該単位のベンゼン
核が部分的に水素添加された樹脂であることが好まし
く、p−ヒドロキシスチレンホモポリマーがより好まし
い。上記共重合体を共重合により調製するためのヒドロ
キシスチレン及びヒドロキシ−α−メチルスチレン以外
のモノマーとしては、アクリル酸エステル類、メタクリ
ル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド
類、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、無水マレ
イン酸、スチレン、α−メチルスチレン、アセトキシス
チレン、アルコキシスチレン類が好ましく、スチレン、
アセトキシスチレン、t−ブトキシスチレンがより好ま
しい。 【0054】本発明では、このような樹脂中における一
般式(I)で示される基を有する繰り返し単位の含有量
としては、全繰り返し単位に対して5モル%〜50モル
%が好ましく、より好ましくは5モル%〜30モル%で
ある。 【0055】本発明においては、上記一般式(I)で示
される基以外に、他の酸分解性基を含んでいてもよい。 【0056】上記一般式(I)で示される基を含有する
樹脂は、対応するビニルエーテルを合成し、テトラヒド
ロフラン等の適当な溶媒に溶解したフェノール性水酸基
含有アルカリ可溶性樹脂と既知の方法により反応させる
ことで得ることができる。反応は、通常酸性の触媒、好
ましくは、酸性イオン交換樹脂や、塩酸、p−トルエン
スルホン酸あるいは、ピリジニウムトシレートのような
塩の存在下実施される。対応する上記ビニルエーテル
は、クロロエチルビニルエーテルのような活性な原科か
ら、求核置換反応等の方法により合成することができ
る。また、別の方法あとして、対応するアルコールとビ
ニルエーテルを用いてアセタール交換する方法によって
も合成することができる。この場合、導入したい置換基
をアルコールに含有させ、ビニルエーテルはt−ブチル
ビニルエーテルのような比較的不安定なビニルエーテル
を混在させ、p−トルエンスルホン酸やビリジニウムト
シレートのような酸存在下実施される。 【0057】上記一般式(I)で示される基を含有する
の重量平均分子量は3000〜80000が好ましく、
より好ましくは7000〜50000である。分子量分
布(Mw/Mn)の範囲は、1.01〜4.0であり、
好ましくは1.05〜3.00とである。このような分
子量分布のポリマーを得るにはアニオン重合、ラジカル
重合等の手法を用いることが好ましい。 【0058】一般式(II)において、R21は水素原子
又はメチル基を表し、R22は酸の作用により分解しな
い基を表し、R23は水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基またはアシ
ロキシ基を表す。nは1〜3の整数を表す。 【0059】R21は、水素原子又はメチル基を表す。
R22における酸の作用により分解しない基(酸安定基
ともいう)としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
アルキルオキシ基(但し、−O−第3級アルキルは除
く)、アシル基、シクロアルキルオキシ基、アルケニル
オキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキ
シ基、アルキルアミドメチルオキシ基、アルキルアミド
基、アリールアミドメチル基、アリールアミド基等が挙
げられる。酸安定基としては、好ましくはアシル基、ア
ルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロ
アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミド
オキシ基、アルキルアミド基であり、より好ましくはア
シル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ
基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基であ
る。 【0060】R22の酸安定基において、アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基の様な炭素数1〜
4個のものが好ましく、シクロアルキル基としてはシク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、ア
ダマンチル基の様な炭素数3〜10個のものが好まし
く、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、ア
リル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好ま
しく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、
アリル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好
ましく、アリール基としてはフエニル基、キシリル基、
トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル
基の様な炭素数6〜14個のものが好ましい。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエ
トキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n
−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基等
の炭素数1〜4個のアルコキシ基が好ましい。 【0061】上記R23におけるハロゲン原子として
は、フッ素、塩素、臭素、沃素が好ましく、アルキル基
としては、メチル、エチル、プロピル、n−ブチル、s
ec−ブチル、t−ブチル、ヘキシル、オクチル等のよ
うな炭素数1〜8個のものが好ましく、アリール基とし
ては、フェニル、キシリル、トルイル、クメニル、ナフ
チル、アントラセニル等のような炭素数6〜14のもの
が好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ、エトキ
シ、ヒドロキシエトキシ、プロポキシ、ヒドロキシプロ
ポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキ
シ、t−ブトキシ等のような炭素数1〜4個のものが好
ましく、アシル基としては、ホルミル、アセチル、プロ
パノイル、ブタノイル、ベンゾイル等の炭素数1〜7の
ものが好ましく、アシロキシ基としては、アセトキシ、
プロプノイルオキシ、ブタノイルオキシ、ベンゾイルオ
キシ等の炭素数2〜7個のものが好ましい。 【0062】一般式(II)で表される構造単位を樹脂に
含有させることにより、該樹脂が酸の作用により分解
し、アルカリ現像液中での溶解度を制御することができ
る。また、この構造単位を導入することによって矩形性
の優れたプロファイルを達成できる。さらには、一般式
(I)で表される構造単位の量を調整するのに有効であ
る。本発明では、このような樹脂中における一般式(I
I)で示される基を有する繰り返し単位の含有量として
は、全繰り返し単位に対して5モル%〜50モル%が好
ましく、より好ましくは5モル%〜35モル%である。 【0063】このような一般式(II) で示される構造単
位の重合性モノマーの具体例としては、以下のものが挙
げられるが、これらに限定されるものではない。 【0064】 【化21】【0065】 【化22】【0066】本発明のポジ型フォトレジスト組成物にお
いては、さらに下記一般式(III)で表される構造単位
を有することが好ましい。 【0067】 【化23】 【0068】式(III)中、R21、R23は式(II)
におけるR21、R23の定義と同様の置換基を意味す
る。本発明では、このような樹脂中における一般式(II
I)で示される基を有する繰り返し単位の含有量として
は、全繰り返し単位に対して30モル%〜90モル%が
好ましく、より好ましくは35モル%〜85モル%であ
る。 【0069】これら一般式(II) 、又は一般式(III)で
示される構造単位を含む樹脂は、フェノール樹脂あるい
は、そのモノマーへ、塩基存在下で酸無水物と反応させ
ることにより、あるいは塩基存在下対応するハライドと
反応させることなどにより得ることができる。 【0070】本発明において、酸の作用により分解し、
アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹
脂は、一般式(I)、一般式(II) 又は一般式(III)で
表される構造単位の他に共重合成分として他のモノマー
単位を含んでいてもよい。 【0071】本発明で用いる樹脂は、アルカリ溶解速度
調整及び耐熱姓向上のために合成段階においてポリヒド
ロキシ化合物を添加して、ポリマー主鎖を多官能アセタ
ール基で連結する架橋部位を導入してもよい。ポリヒド
ロキシ化合物の添加量は樹脂の水酸基の数に対して、
0.01〜10mol%、好ましくは0.05〜8mo
l%、更に好ましくは0.1〜5mol%である。ポリ
ヒドロキシ化合物としては、フェノール性水酸基あるい
アルコール性水酸基を2〜6個持つものがあげられ、好
ましくは水酸基の数が2〜4個であり、更に好ましくは
水酸基の数が2又は3個である。以下に具体例を示す
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 【0072】 【化24】 【0073】一般式(I)、一般式(II) 又は一般式
(III)で示される繰り返し構造単位、又は他の重合性
モノマーからの繰り返し構造単位は、各々一種、又は二
種以上を組み合わせて樹脂中に存在させてもよい。また
本発明のポジ型感光性組成物に含有される樹脂は、アル
カリ現像液に対する良好な現像性を維持するために、ア
ルカリ可溶性基、例えばフェノール性水酸基、カルボキ
シル基が導入され得るように適切な他の重合性モノマー
が共重合されていてもよい。 【0074】上記の方法によって合成される上記一般式
(I) 、一般式(II) 又は一般式(III)の繰り返し構
造単位を有する樹脂の分子量は、重量平均(Mw:ポリ
スチレン標準)で2,000以上、好ましくは3,00
0〜200,000であり、より好ましくは5,000
〜70,000である。また、分散度(Mw/Mn)
は、好ましくは1.0〜4.0、より好ましくは1.0
〜3.5、特に好ましくは1.0〜3.0であり、分散
度が小さい程、耐熱性、画像形成性(パターンプロファ
イル、デフォーカスラチチュード等)が良好となる。 【0075】上記一般式(I)、(II) 又は一般式(II
I)の繰り返し構造単位を有する樹脂のポジ型感光性組
成物中(塗布溶媒を除く)の含有量は、好ましくは50
〜99重量%、更に好ましくは70〜97重量%であ
る。 【0076】一般式(I)、一般式(II) 又は一般式
(III)の繰り返し構造単位を有する樹脂の具体例を以
下に示すが、本発明がこれらに限定されるものではな
い。 【0077】 【化25】【0078】 【化26】【0079】 【化27】【0080】 【化28】【0081】 【化29】【0082】 【化30】【0083】 【化31】【0084】また、本発明においては、一般式(I)、
一般式(II) 又は一般式(III)で示される繰り返し構
造単位を有する樹脂以外に酸分解性基を有する樹脂を併
用してもよい。本発明における化学増幅型レジストにお
いて用いられる他の酸により分解し、アルカリ現像液中
での溶解性を増大させる基を有する樹脂としては、樹脂
の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸
で分解し得る基を有する樹脂である。この内、酸で分解
し得る基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。酸で分解
し得る基として好ましい基は、−COOA0 、−O−B
0 基であり、更にこれらを含む基としては、−R0 −C
OOA0 、又は−Ar −O−B0 で示される基が挙げら
れる。ここでA0 は、−C(R01)(R02)(R03)、
−Si(R01)(R02)(R03)もしくは−C(R04
(R05)−O−R06基を示す。B0 は、−A0 又は−C
O−O−A0 基を示す(R0 、R01〜R06、及びArは
後述のものと同義)。 【0085】酸分解性基としては好ましくは、シリルエ
ーテル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒ
ドロピラニルエーテル基、テトラヒドロピラニルエステ
ル基、エノールエーテル基、エノールエステル基、第3
級のアルキルエーテル基、第3級のアルキルエステル
基、第3級のアルキルカーボネート基等である。更に好
ましくは、第3級アルキルエステル基、第3級アルキル
カーボネート基、クミルエステル基、アセタール基、テ
トラヒドロピラニルエーテル基である。 【0086】次に、これら酸で分解し得る基が側鎖とし
て結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−OHもし
くは−COOH、好ましくは−R0 −COOHもしくは
−Ar −OH基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例
えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができ
る。 【0087】これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解
速度は、0.261Nテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して170
A/秒以上のものが好ましい。特に好ましくは330A
/秒以上のものである(Aはオングストローム)。ま
た、矩形プロファイルを達成する点から遠紫外光やエキ
シマレーザー光に対する透過率が高いアルカリ可溶性樹
脂が好ましい。好ましくは、1μm膜厚の248nmで
の透過率が20〜90%である。このような観点から、
特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、o−,m−,p−
ポリ(ヒドロキシスチレン)及びこれらの共重合体、水
素化ポリ(ヒドロキシスチレン)、ハロゲンもしくはア
ルキル置換ポリ(ヒドロキシスチレン)、ポリ(ヒドロ
キシスチレン)の一部、O−アルキル化もしくはO−ア
シル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α
−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体及び水
素化ノボラック樹脂である。 【0088】本発明に用いられる酸で分解し得る基を有
する樹脂は、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の
前駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結
合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと
共重合して得ることができる。 【0089】上記酸発生剤、酸で分解し得る基を有する
樹脂とともに、後記する酸分解性低分子溶解阻止化合物
を混合してもよい。本発明に用いられる酸分解性溶解阻
止化合物としては、その構造中に酸で分解し得る基を少
なくとも2個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた
位置において、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも
8個経由する化合物である。また、本発明に使用される
酸分解性低分子溶解阻止化合物は、一般式(X)で示さ
れる酸分解基を少なくとも1種含有してもよい。 【0090】本発明において、好ましくは酸分解性溶解
阻止化合物は、その構造中に酸で分解し得る基を少なく
とも2個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置
において、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも10
個、好ましくは少なくとも11個、更に好ましくは少な
くとも12個経由する化合物、又は酸分解性基を少なく
とも3個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置
において、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも9
個、好ましくは少なくとも10個、更に好ましくは少な
くとも11個経由する化合物である。又、上記結合原子
の好ましい上限は50個、更に好ましくは30個であ
る。本発明において、酸分解性溶解阻止化合物が、酸分
解性基を3個以上、好ましくは4個以上有する場合、又
酸分解性基を2個有するものにおいても、該酸分解性基
が互いにある一定の距離以上離れている場合、アルカリ
可溶性樹脂に対する溶解阻止性が著しく向上する。な
お、本発明における酸分解性基間の距離は、酸分解性基
を除く、経由結合原子数で示される。例えば、以下の化
合物(1),(2)の場合、酸分解性基間の距離は、各
々結合原子4個であり、化合物(3)では結合原子12
個である。 【0091】 【化32】 【0092】また、本発明の酸分解性溶解阻止化合物
は、1つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有して
いてもよいが、好ましくは、1つのベンゼン環上に1個
の酸分解性基を有する骨格から構成される化合物であ
る。更に、本発明の酸分解性溶解阻止化合物の分子量は
3,000以下であり、好ましくは500〜3,00
0、更に好ましくは1,000〜2,500である。 【0093】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る基、即ち−COO−A0、−O−B0
を含む基としては、−R0−COO−A0、又は−Ar−
O−B0で示される基が挙げられる。ここでA0は、−C
(R01)(R02)(R03)、−Si(R01)(R02
(R0 3)もしくは−C(R04)(R05)−O−R06基を
示す。B0は、A0又は−CO−O−A0基を示す。
01、R02、R03、R04及びR05は、それぞれ同一でも
相異していてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を示し、R
06はアルキル基もしくはアリール基を示す。但し、R01
〜R03の内少なくとも2つは水素原子以外の基であり、
又、R01〜R03、及びR04〜R06の内の2つの基が結合
して環を形成してもよい。R0は置換基を有していても
よい2価以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を示
し、−Ar−は単環もしくは多環の置換基を有していて
もよい2価以上の芳香族基を示す。 【0094】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数3〜10個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜1
4個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子(フツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキ
シプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、s
ec−ブトキシ基、t−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基、フエネチル基、クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミ
ル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、
プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。 【0095】酸により分解しうる基として、好ましく
は、シリルエーテル基、クミルエステル基、アセタール
基、テトラヒドロピラニルエーテル基、エノールエーテ
ル基、エノールエステル基、第3級のアルキルエーテル
基、第3級のアルキルエステル基、第3級のアルキルカ
ーボネート基等である。更に好ましくは、第3級アルキ
ルエステル基、第3級アルキルカーボネート基、クミル
エステル基、テトラヒドロピラニルエーテル基である。 【0096】酸分解性溶解阻止化合物としては、好まし
くは、特開平1−289946号、特開平1−2899
47号、特開平2−2560号、特開平3−12895
9号、特開平3−158855号、特開平3−1793
53号、特開平3−191351号、特開平3−200
251号、特開平3−200252号、特開平3−20
0253号、特開平3−200254号、特開平3−2
00255号、特開平3−259149号、特開平3−
279958号、特開平3−279959号、特開平4
−1650号、特開平4−1651号、特開平4−11
260号、特開平4−12356号、特開平4−123
57号、特願平3−33229号、特願平3−2307
90号、特願平3−320438号、特願平4−251
57号、特願平4−52732号、特願平4−1032
15号、特願平4−104542号、特願平4−107
885号、特願平4−107889号、同4−1521
95号等の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物の
フエノール性OH基の一部もしくは全部を上に示した
基、−R0−COO−A0もしくはB0基で結合し、保護
した化合物が含まれる。 【0097】更に好ましくは、特開平1−289946
号、特開平3−128959号、特開平3−15885
5号、特開平3−179353号、特開平3−2002
51号、特開平3−200252号、特開平3−200
255号、特開平3−259149号、特開平3−27
9958号、特開平4−1650号、特開平4−112
60号、特開平4−12356号、特開平4−1235
7号、特願平4−25157号、特願平4−10321
5号、特願平4−104542号、特願平4−1078
85号、特願平4−107889号、同4−15219
5号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。 【0098】より具体的には、一般式[I]〜[XV
I]で表される化合物が挙げられる。 【0099】 【化33】 【0100】 【化34】【0101】R101、R102、R108、R130:同一でも異
なっていてもよく、水素原子、−R0−COO−C(R
01)(R 02)(R03)又は−CO−O−C(R01)(R
02)(R03)、但し、R0、R01、R02及びR03の定義
は前記と同じである。 【0102】R100:−CO−,−COO−,−NHC
ONH−,−NHCOO−、−O−、−S−、−SO
−、−SO2−、−SO3−、もしくは 【0103】 【化35】 【0104】ここで、G=2〜6 但し、G=2の時は
150、R151のうち少なくとも一方はアルキル基、 R150、R151:同一でも異なっていてもよく、水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、−OH、−COOH、
−CN、ハロゲン原子、−R152−COOR153もしくは
−R15 4−OH、 R152、R154:アルキレン基、 R153:水素原子、アルキル基、アリール基、もしくは
アラルキル基、 R99、R103〜R107、R109、R111〜R118、R131〜R
134:同一でも異なっても良く、水素原子、水酸基、ア
ルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、ア
リール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキ
ルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル
基、シアノ基、もしくは−N(R155)(R156)(R
155、R156:H、アルキル基、もし くはアリール
基) R110:単結合、アルキレン基、もしくは 【0105】 【化36】 【0106】R157、R159:同一でも異なってもよく、
単結合、アルキレン基、−O−、−S−、−CO−、も
しくはカルボキシル基、 R158:水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル
基、アシロキシ基、アリール基、ニトロ基、水酸基、シ
アノ基、もしくはカルボキシル基、但し、水酸基が酸分
解性基(例えば、t−ブトキシカルボニルメチル基、テ
トラヒドロピラニル基、1−エトキシ−1−エチル基、
1−t−ブトキシ−1−エチル基)で置き換ってもよ
い。 【0107】R119、R120:同一でも異なってもよく、
メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレ
ン基、もしくはハロアルキレン基、但し本発明において
低級アルキル基とは炭素数1〜4のアルキル基を指す、 A:メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメ
チレン基、もしくはハロアルキレン基、a〜v、g1〜n1:
複数の時、括弧内の基は同一又は異なっていてもよい、
a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1:0もしくは1〜5の整
数、r,u :0もしくは1〜4の整数、j1 ,n1 :0もし
くは1〜3の整数、 (a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(g1+h1+i1+j1) ≧2、
(j1+n1)≦3、 (r+u) ≦4、 (a+c),(b+d),(e+h),(f+i),(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q
+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l1),(i1+m1) ≦5、 を表す。 【0108】 【化37】【0109】 【化38】【0110】 【化39】【0111】この場合、該溶解阻止化合物の含量は、感
光性組成物の全重量(溶媒を除く)を基準として3〜4
5重量%、好ましくは5〜30重量%、より好ましくは
10〜20重量%である。 【0112】更に、アルカリ溶解性を調節するために、
酸で分解し得る基を有さないアルカリ可溶性樹脂を混合
してもよい。そのようなアルカリ可溶性樹脂としては、
例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセト
ン−ピロガロール樹脂、o−ポリヒドロキシスチレン、
m−ポリヒドロキシスチレン、p−ポリヒドロキシスチ
レン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲンもしく
はアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシス
チレン−N−置換マレイミド共重合体、o/p−及びm
/p−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロキシス
チレンの水酸基に対する一部O−アルキル化物(例え
ば、5〜30モル%のO−メチル化物等)もしくはO−
アシル化物(例えば、5〜30モル%のo−アセチル化
物等)、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン
−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−
ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタ
クリル系樹脂及びその誘導体を挙げることができるが、
これらに限定されるものではない。特に好ましいアルカ
リ可溶性樹脂はノボラック樹脂及びo−ポリヒドロキシ
スチレン、m−ポリヒドロキシスチレン、p−ポリヒド
ロキシスチレン及びこれらの共重合体、アルキル置換ポ
リヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの一部
O−アルキル化、もしくはO−アシル化物、スチレン−
ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒ
ドロキシスチレン共重合体である。該ノボラック樹脂は
所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、ア
ルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。 【0113】所定のモノマーとしては、フェノール、m
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノー
ル、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等のキ
シレノール類、m−エチルフェノール、p−エチルフェ
ノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフェノ
ール、p−オクチルフエノール、2,3,5−トリメチル
フェノール等のアルキルフェノール類、p−メトキシフ
ェノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジメトキ
シフェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノール、
m−エトキシフェノール、p−エトキシフェノール、m
−プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノール、
m−ブトキシフェノール、p−ブトキシフェノール等の
アルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソプロピ
ルフェノール等のビスアルキルフェノール類、m−クロ
ロフェノール、p−クロロフェノール、o−クロロフェ
ノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、
フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトール等の
ヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは2種類以上混合し
て使用することができるが、これらに限定されるもので
はない。 【0114】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセ
トアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−
フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒド
ロキシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒ
ド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズア
ルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベ
ンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メ
チルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、
p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデ
ヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラー
ル、クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール
体、例えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール
等を使用することができるが、これらの中で、ホルムア
ルデヒドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド
類は、単独でもしくは2種類以上組み合わせて用いられ
る。酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ
酸等を使用することができる。 【0115】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、1000〜30000の範囲であることが
好ましい。1000未満では未露光部の現像後の膜減り
が大きく30000を越えると現像速度が小さくなって
しまう。特に好適なのは2000〜20000の範囲で
ある。また、ノボラック樹脂以外の前記ポリヒドロキシ
スチレン、及びその誘導体、共重合体の重量平均分子量
は、2000以上、好ましくは5000〜20000
0、より好ましくは10000〜100000である。
また、レジスト膜の耐熱性を向上させるという観点から
は、25000以上が好ましい。ここで、重量平均分子
量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリス
チレン換算値をもって定義される。本発明におけるこれ
らのアルカリ可溶性樹脂は2種類以上混合して使用して
もよい。本発明におけるこれらのアルカリ可溶性樹脂の
組成物中の添加量としては、好ましくは5〜30重量%
である。 【0116】本発明で用いられる酸発生剤(b)は、活
性放射線の照射により酸を発生する化合物である。本発
明で用いられる酸発生剤(b)としての活性放射線(電
子線、X線又はEUV)の照射により酸を発生する化合
物とは、酸発生剤(b)を含有するレジスト膜が、活性
放射線の照射を受けることにより、酸を発生する化合物
でさえあればよい。即ち、酸発生剤が直接、照射を受け
酸を発生する化合物であっても、照射により樹脂などの
構成成分から2次電子が放出され、それにより酸を発生
する化合物であってもよい。本発明で使用されるこのよ
うな化合物としては、活性放射線の照射により分解して
酸を発生するものであれば使用できるが、光カチオン重
合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光
消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用
されている公知の光(400〜200nmの紫外線、遠
紫外線、特に好ましくは、g線、h線、i線、KrFエ
キシマレーザー光)、ArFエキシマレーザー光、X
線、分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合物
及びそれらの混合物の中から適宜に選択して使用するこ
とができる。 【0117】たとえばジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属/有機ハロゲン化物、o
−ニトロベンジル型保護基を有する酸発生剤、イミノス
ルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発
生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができ
る。 【0118】また、これらの酸を発生する基、あるいは
化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物を用
いることができる。 【0119】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。 【0120】本発明においては、酸発生剤(b)とし
て、上記一般式(A−1)〜(A−7)で示される、活
性放射線の照射により、スルホン酸を発生する化合物が
好ましく使用される。以下、一般式(A−1)〜(A−
7)で示される化合物について詳細に説明する。 【0121】一般式(A−1)〜(A−3)で示される
酸発生剤 前記一般式(A−1)〜(A−3)における、R1〜R6
及びR7〜R10のアルキル基としては、置換基を有して
もよい、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数1
〜4個のものが挙げられる。シクロアルキル基として
は、置換基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個
のものが挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ
基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキ
シ基、t−ブトキシ基のような炭素数1〜4個のものが
挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。アリ
ール基としては、フェニル基、トリル基、メトキシフェ
ニル基、ナフチル基のような置換基を有してもよい炭素
数6〜14個のものが挙げられる。 【0122】置換基として好ましくは、炭素数1〜4個
のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原
子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリール基、炭素
数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、
カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等が
挙げられる。 【0123】本発明で使用される一般式(A−1)〜
(A−3)で表わされるスルホニウム、ヨードニウム化
合物は、その対アニオン、X-として、(a)直鎖状、
分岐状又は環状の炭素数1〜12個のアルキルスルホン
酸のアニオンで、その水素原子の一部又は全部をフッ素
原子で置換されていても良い、又は(b)分岐状又は環
状の炭素数8個以上のアルキル基及びアルコキシ基の群
の中から選ばれる基を少なくとも1個有するか、直鎖
状、分岐状又は環状の炭素数4〜7個のアルキル基及び
アルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも2個
有するか、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜3個のアルキ
ル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なく
とも3個有するか、1〜5個のハロゲン原子を有する
か、若しくは直鎖状又は分岐状の炭素数1〜10のエス
テル基を有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホ
ン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオン、を有す
る。これにより露光後発生する酸(上記基を有するベン
ゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラ
センスルホン酸)の拡散性が小さくなり、且つ該スルホ
ニウム、ヨードニウム化合物の溶剤溶解性が向上する。
特に、拡散性を低減させるという観点からは上記基とし
て直鎖状のアルキル基又はアルコキシ基より、分岐状又
は環状のアルキル基又はアルコキシ基の方が好ましい。
上記基が1個の場合は、直鎖状と分岐状又は環状との拡
散性の差異はより顕著になる。 【0124】炭素数8個以上、好ましくは炭素数8〜2
0個のアルキル基としては、分岐状又は環状のオクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
トリデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基等が挙
げられる。炭素数8個以上、好ましくは炭素数8〜20
個のアルコキシ基としては、分岐状又は環状のオクチル
オキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシ
ルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、
テトラデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げ
られる。炭素数4〜7個のアルキル基としては、直鎖
状、分岐状又は環状のブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基等が挙げられる。炭素数4〜7個のアル
コキシ基としては、直鎖状、分岐状又は環状のブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基等が挙げられる。 【0125】炭素数1〜3個のアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基が
挙げられる。炭素数1〜3個のアルコキシ基としては、
メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロ
ポキシ基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることがで
き、好ましくはフッ素原子である。直鎖状、分岐状又は
環状の炭素数1〜10個のエステルとしては、メチルエ
ステル基、エチルエステル基、n−プロピルエステル
基、i−プロピルエステル基、n−ブチルエステル基、
i−ブチルエステル基、t−ブチルエステル基、n−ヘ
キシルエステル基、i−ヘキシルエステル基、t−ヘキ
シルエステル基、n−ヘプチルエステル基、i−ヘプチ
ルエステル基、t−ヘプチルエステル基、n−オクチル
エステル基、i−オクチルエステル基、t−オクチルエ
ステル、n−ノニルエステル基、i−ノニルエステル
基、t−ノニルエステル基、n−デカニルエステル基、
i−デカニルエステル基、t−デカニルエステル、シク
ロプロピルエステル基、シクロブチルエステル基、シク
ロペンチルエステル基、シクロヘキシルエステル基、シ
クロヘプチルエステル基、シクロオクチルエステル基、
シクロノニルエステル基、シクロデカニルエステル基等
が挙げられる。 【0126】直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜12
個のアルキルスルホン酸のアニオンにおけるアルキル基
としては、好ましくは炭素数1〜12個のアルキル基、
例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等を挙げること
ができる。 【0127】また、X-で表されるアルキルスルホン
酸、芳香族スルホン酸には、上記特定の置換基以外に、
ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素
原子)、炭素数6〜10個のアリール基、シアノ基、ス
ルフィド基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基等
を置換基として含有してもよい。 【0128】以下に、これらの化合物の具体例(A−1
−1)〜(A−1−66)、(A−2−1)〜(A−2
−59)、(A−3−1)〜(A−3−35)を示す
が、これに限定されるものではない。 【0129】 【化40】【0130】 【化41】【0131】 【化42】 【0132】 【化43】【0133】 【化44】【0134】 【化45】【0135】 【化46】【0136】 【化47】【0137】 【化48】【0138】 【化49】【0139】 【化50】【0140】 【化51】【0141】 【化52】 【0142】 【化53】【0143】 【化54】【0144】 【化55】【0145】 【化56】【0146】 【化57】【0147】 【化58】【0148】 【化59】【0149】 【化60】【0150】 【化61】【0151】 【化62】【0152】 【化63】【0153】 【化64】【0154】 【化65】【0155】 【化66】【0156】 【化67】【0157】 【化68】 【0158】尚、具体例中、nは直鎖、sは第2級、t
は第3級、iは分岐であることを示す。一般式(A−
1)〜(A−3)で表される化合物は、例えば対応する
Cl-塩(一般式(A−1)〜(A−3)でX-をCl-
で置換した化合物)と、X-+で表わされる化合物(X
-は一般式(A−1)〜(A−3)の場合と同義であ
り、Y+はH+、Na+、K+、NH4 +、N(CH3)4 +
のカチオンを示す。)とを水溶液中で塩交換させること
により合成できる。 【0159】一般式(A−4)、(A−5)で示される
酸発生剤 一般式(A−4)、(A−5)において、R11〜R13
14〜R16におけるアルキル基、シクロアルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子は前記R1〜R5のものと同様
のものを具体例として挙げることができる。R6、X
-は、前記と同義である。 【0160】また、l、m、nが各々2又は3の場合、
2又は3個のR11〜R13あるいはR 14〜R16のうちの各
々の2個が互いに結合して、炭素環、複素環又は芳香環
を含む5〜8個の元素からなる環を形成してもよい。 【0161】以下に、一般式(A−4)で表される化合
物の具体例(A−4−1)〜(A−4−28)、一般式
(A−5)で表される化合物の具体例(A−5−1)〜
(A−5−30)を示すが、これに限定されるものでは
ない。 【0162】 【化69】 【0163】 【化70】【0164】 【化71】【0165】 【化72】【0166】 【化73】【0167】 【化74】【0168】 【化75】 【0169】 【化76】【0170】 【化77】【0171】 【化78】【0172】 【化79】 【0173】 【化80】 【0174】尚、具体例中、nは直鎖、sは第2級、t
は第3級、iは分岐であることを示す。一般式(A−
4)、(A−5)で表される化合物は、例えば対応する
Cl-塩(一般式(A−4)、(A−5)でX-をCl-
で置換した化合物)と、X-+で表わされる化合物(X
-は一般式(A−4)、(A−5)の場合と同義、Y+
+、Na+、K+、NH4 +、N(CH3)4 +等のカチオン
を示す。)とを水溶液中で塩交換させることにより合成
できる。 【0175】一般式(A−6)で表される酸発生剤 前記一般式(A−6)におけるY及びR31〜R51の直
鎖、分岐、環状アルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−
ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基のよ
うな炭素数1〜20個の直鎖又は分岐アルキル基及びシ
クロプロピル基、シクロペンチル基又はシクロヘキシル
基等の環状アルキル基が挙げられる。アルキル基の好ま
しい置換基としてはアルコキシ基、アシル基、アシロキ
シ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ
る。 【0176】また、Yのアラルキル基としてはベンジル
基もしくはフェネチル基のような炭素数7〜12個のア
ラルキル基が挙げられる。アラルキル基の好ましい置換
基としては、炭素数1〜4の低級アルキル基、炭素数1
〜4の低級アルコキシ基、ニトロ基、アセチルアミノ
基、ハロゲン原子などが挙げられる。 【0177】R31〜R51のアルコキシ基としてはメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、
n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、t
−ブトキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基の
ような炭素数1〜20個のアルコキシ基又はエトキシエ
トキシ基などの置換基を有するアルコキシ基が挙げられ
る。アシル基としてはアセチル基、プロピオニル基、ベ
ンゾイル基などが挙げられる。アシルアミノ基としては
アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ベンゾイル
アミノ基などが挙げられる。スルホニルアミノ基として
はメタンスルホニルアミノ基、エタンスルホニルアミノ
基など炭素数1〜4個のスルホニルアミノ基、p−トル
エンスルホニルアミノ基のような置換または無置換のベ
ンゼンスルホニルアミノ基があげられる。アリール基と
してはフェニル基、トリル基、ナフチル基などが挙げら
れる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基、エトキシエトキシカル
ボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキ
シカルボニル基などの炭素数2〜20個のアルコキシカ
ルボニル基があげられる。 【0178】アシロキシ基としてはアセトキシ基、プロ
パノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイル
オキシ基のような炭素数2〜20個のアシロキシ基があ
げられる。アラルキル基としては置換または無置換ベン
ジル基、置換または無置換フェネチル基などの炭素数7
〜15個のアラルキル基があげられる。アラルキル基の
好ましい置換基としては前記にあげたものと同じものが
あげられる。 【0179】R31〜R51においては、R31〜R35、R36
〜R42及びR43〜R51はそれぞれの群のうちの2つが結
合して炭素及び/又はヘテロ原子からなる5〜8員環を
形成していもよい。このような5〜8員環としては、例
えばシクロヘキサン、ピリジン、フラン又はピロリジン
があげられる。また、X、Yは別のイミドスルホネート
化合物の残基と結合していてもよく、2量体、3量体を
形成していても良い。別のイミドスルホネートとして
は、一般式(A−6)で表される化合物で、X又はYの
ところで1価の基になったものがあげられる。 【0180】Xのアルキレン基としては、直鎖又は分岐
の炭素数1〜10個のアルキレン基あるいはヘテロ原子
を含んでいてもよい単環又は多環の環状アルキレン基が
挙げられる。直鎖又は分岐のアルキレン基としてはメチ
レン基、エチレン基、プロピレン基又はオクチレン基な
どがあげられる。アルキレン基の好ましい置換基として
はアルコキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、ア
シルアミノ基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、ア
リール基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここ
で挙げたアルコキシ基、アシル基、ニトロ基、アシルア
ミノ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アルコキシ
カルボニル基はR31〜R51で挙げたものと同義である。
ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子を挙げることができる。 【0181】環状アルキレン基としてはシクロペンチレ
ン基、シクロヘキシレン基、などの炭素数4〜8個の単
環シクロアルキレン基、7−オキサビシクロ〔2.2.
1〕ヘプチレン基などの炭素数5〜15個の多環シクロ
アルキレン基が挙げられ、シクロアルキレン基の好まし
い置換基としては、炭素数1〜4個のアルキル基、アル
コキシ基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルア
ミノ基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール
基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げ
たアルコキシ基、アシル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、アリール基、アルコキシカル
ボニル基はR31〜R51で挙げたものと同義である。ハロ
ゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子を挙げることができる。 【0182】アリーレン基としてはフェニレン基、ナフ
チレン基等が挙げられる。アリーレン基の好ましい置換
基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、
アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げたア
ルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル
基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニ
ルアミノ基、アリール基、アルコキシカルボニル基はR
31〜R51で挙げたものと同義である。ハロゲン原子とし
てはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙
げることができる。 【0183】アルケニレン基としては炭素数2〜4個の
アルケニレン基があげられ、例えばエテニレン基、ブテ
ニレン基等が挙げられ、アルケニレン基の好ましい置換
基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基、アシル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ
基、スルホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、
アルコキシカルボニル基が挙げられる。ここで挙げたア
ルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル
基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニ
ルアミノ基、アリール基、アルコキシカルボニル基はR
31〜R51で挙げたものと同義である。ハロゲン原子とし
てはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙
げることができる。環状アルケニレン基としてはシクロ
ぺンテニレン基、シクロヘキセニレン基、などの炭素数
4〜8個の単環シクロアルケニレン基、7−オキサビシ
クロ〔2.2.1〕ヘプテニレン基、ノルボルネニレン
基などの炭素数5〜15個の多環シクロアルケニレン基
が挙げられる。アラルキレン基としては、トリレン基、
キシリレン基などが挙げられ、その置換基としてはアリ
ーレン基で挙げた置換基をあげることができる。 【0184】以下に、これらの一般式(A−6)で表さ
れる化合物の具体例(A−6−1)〜(A−6−49)
を示すが、これに限定されるものではない。 【0185】 【化81】 【0186】 【化82】【0187】 【化83】 【0188】 【化84】【0189】 【化85】 【0190】 【化86】【0191】 【化87】 【0192】 【化88】【0193】 【化89】【0194】一般式(A−6)で表される化合物は、G.
F.Jaubert 著、Ber.. 28,360(1895)の方法、D.E.Ames等
著、J.Chem.Soc..3518(1955)の方法、あるいはM.A.Stol
berg等著、J.Am. Chem.Soc..79,2615(1957) の方法等に
従い合成されたN−ヒドロキシイミド化合物とスルホン
酸クロリドとを塩基性条件下、例えばL.Bauer 等著、J.
Org.Chem..24,1294(1959) の方法に従い合成することが
可能である。 【0195】一般式(A−7)で表される酸発生剤 一般式(A−7)中、Ar1、Ar2は、同一または異な
って、置換もしくは未置換のアリール基を示す。ここ
で、アリール基としては、フェニル基、トリル基、ナフ
チル基などが挙げられる。アリール基の置換基として
は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、ホルミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スル
ホニルアミノ基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキ
シカルボニル基が挙げられる。ここで挙げたアルキル
基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、ホル
ミル基、ニトロ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ
基、アリール基、アルコキシカルボニル基は上記R31
51で挙げたものと同義である。ハロゲン原子としては
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げる
ことができる。 【0196】一般式(A−7)で表される酸発生剤の具
体例としては以下に示す化合物(A−7−1)〜(A−
7−14)が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。 【0197】 【化90】【0198】 【化91】 【0199】上記一般式(A−7)で表される酸発生剤
の合成としては、ジー.シー.デンサー.ジュニア.ら
著「ジャーナル オブ オルガニックケミストリー」
(G.C. Denser, Jr. ら著、「Journal of Organic Chemi
stry」) 31、3418〜3419 (1966) 記載の方法、テー.ピ
ー.ヒルドイッチ著「ジャーナル オブ ザ ケミカル
ソサイアティ」(T.P. Hilditch著「Journal of the C
he mi cal Society 」)93、1524〜1527 (1908) 記載の
方法、あるいはオー.ヒンズベルク著「ベリヒテ デア
ドイチェン ヘミシエ ゲゼルシャフト」(O. Hinsbe
rg著、「Berichte der Deutschen Chemischen Gesellsc
haft」)49、2593〜2594(1918)記載の方法等にしたが
い合成できる。すなわち、硫酸水溶液中において、硫酸
コバルトを用い、一般式(a)で示されるスルフィン酸
より合成する方法、キサントゲン酸エチルを用い、一般
式(b)で示されるスルホン酸クロリドより合成する方
法、あるいは塩基性条件下、一般式(a)で示されるス
ルフィン酸と一般式(b)で示されるスルホン酸クロリ
ドとを合成する方法等が挙げられる。 Ar1 −SO2H (a) Ar2 −SO2Cl (b) (ここで、Ar1、Ar2は一般式(A−7)で定義され
たものと同一の意味である。) 【0200】本発明においては、上記一般式(A−1)
〜(A−7)で表される酸発生剤のうち、一般式(A−
1)〜(A−5)で表される酸発生剤が好ましく、より
好ましくは一般式(A−1)〜(A−4)で表される酸
発生剤である。これにより、解像度、感度が一層優れる
ようになる。 【0201】本発明において、酸発生剤(好ましくは一
般式(A−1)〜(A−7)で表される化合物)の組成
物中の含量は、全組成物の固形分に対し、0.1〜25
重量%が好ましく、より好ましくは1〜15重量%、更
に好ましくは2〜10重量%である。 【0202】更に、本発明においては、上記一般式(A
−1)〜(A−7)で表される酸発生剤とともに上記一
般式(B−1)〜(B−5)で表される酸発生剤を併用
していても良い。尚、上記一般式(B−1)〜(B−
5)で表される酸発生剤のカチオン側の構造は、各々に
対応する上記一般式(A−1)〜(A−5)で表される
カチオン側の構造と同様である。また、その対応するア
ニオン(Y-)は、上記一般式(A−1)のアニオン
(X-)におけるスルホン酸のアニオン(SO3 -)がカ
ルボン酸のアニオンに置き換えたものと同様である。 【0203】上記併用できる酸発生剤の添加量は、全酸
発生剤に対し、1〜80重量%が好ましく、10〜50
重量%が更に好ましい。 【0204】以下に、これらの化合物の具体例を示す
が、これに限定されるものではない。 【0205】 【化92】 【0206】 【化93】【0207】 【化94】 【0208】 【化95】【0209】 【化96】 【0210】 【化97】 【0211】 【化98】【0212】 【化99】【0213】 【化100】【0214】 【化101】【0215】 【化102】【0216】 【化103】【0217】 【化104】【0218】 【化105】【0219】 【化106】 【0220】 【化107】 【0221】 【化108】【0222】 【化109】【0223】 【化110】【0224】 【化111】 【0225】本発明の組成物には、有機塩基性化合物を
用いることができる。これにより、保存時の安定性が更
に向上し、かつPEDによる線巾変化が更に少なくなる
ため好ましい。本発明で用いることのできる好ましい有
機塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化
合物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好
ましい化学的環境として、下記式(A)〜(E)構造を
挙げることができる。 【0226】 【化112】【0227】更に好ましい化合物は、窒素含有環状化合
物(環状アミン化合物ともいう)あるいは一分子中に異
なる化学的環境の窒素原子を2個以上有する含窒素塩基
性化合物である。環状アミン化合物としては、多環構造
であることがより好ましい。環状アミン化合物の好まし
い具体例としては、下記一般式(F)で表される化合物
が挙げられる。 【0228】 【化113】 【0229】式(F)中、Y、Zは、各々独立に、ヘテ
ロ原子を含んでいてもよく、置換してもよい直鎖、分
岐、環状アルキレン基を表す。ここで、ヘテロ原子とし
ては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が挙げられる。ア
ルキレン基としては、炭素数2〜10個が好ましく、よ
り好ましくは2〜5個のものである。アルキレン基の置
換基としては、炭素数1〜6個のアルキル基、アリール
基、アルケニル基の他、ハロゲン原子、ハロゲン置換ア
ルキル基が挙げられる。更に、一般式(F)で示される
化合物の具体例としては、下記に示す化合物が挙げられ
る。 【0230】 【化114】 【0231】上記の中でも、1、8−ジアザビシクロ
〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、1、5−ジアザビ
シクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エンが特に好ましい。 【0232】一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を
2個以上有する含窒素塩基性化合物としては、特に好ま
しくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含
む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基
を有する化合物である。好ましい具体例としては、置換
もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のア
ミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピ
リジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換
もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは未置換の
ピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もし
くは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリ
ン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは
未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジ
ン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換も
しくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げら
れる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル
基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールア
ミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水
酸基、シアノ基である。 【0233】特に好ましい化合物として、グアニジン、
1,1−ジメチルグアニジン、1,1、3,3−テトラメ
チルグアニジン、2−アミノピリジン、3−アミノピリ
ジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジ
ン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルアミノ
ピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ
−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジ
ン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ−6
−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4−ア
ミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペラジ
ン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−(2−
アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,2,6,6
−テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノピペリジ
ン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)
ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メチルピラ
ゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−トリルピラ
ゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5−メチル
ピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、
4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3
−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン、N−(2−ア
ミノエチル)モルフォリン、トリメチルイミダゾール、
トリフェニルイミダゾール、メチルジフェニルイミダゾ
ール等が挙げられるがこれに限定されるものではない。 【0234】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは2種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、ポジ型レジスト組成物(溶媒を除く)10
0重量部に対し、通常、0.001〜10重量部、好ま
しくは0.01〜2重量部である。0.001重量部未
満では上記効果が得られない。一方、10重量部を超え
ると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向があ
る。 【0235】本発明の化学増幅型ポジレジスト組成物に
は必要に応じて、更に界面活性剤、染料、顔料、可塑
剤、光増感剤及び現像液に対する溶解性を促進させるフ
エノール性OH基を2個以上有する化合物等を含有させ
ることができる。 【0236】本発明のポジ型レジスト組成物には、界面
活性剤を含有することが好ましい。具体的には、ポリオ
キシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンス
テアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテ
ル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキ
シエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオ
クチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニル
フェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルア
リルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロ
ピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレー
ト、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステ
アレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリ
オレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタ
ン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモ
ノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパル
ミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレ
ート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、
ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポ
リオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニ
オン系界面活性剤、エフトップEF301、EF30
3、EF352(新秋田化成(株)製)、メガファック
F171、F173、F176、F189、R08(大
日本インキ(株)製)、フロラ−ドFC430、FC4
31(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG7
10、サーフロンS−382、SC101、SC10
2、SC103、SC104、SC105、SC106
(旭硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノ
シロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)
製)やアクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合
ポリフローNo.75、No.95(共栄社油脂化学工
業(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル
(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の中でも、フッ素系またはシリコン系界面活性剤が塗
布性、現像欠陥低減の点で好ましい。 【0237】界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
の全組成物の固形分に対し、通常0.01重量%〜2重
量%、好ましくは0.01重量%〜1重量%である。こ
れらの界面活性剤は1種単独であるいは2種以上を組み
合わせて用いることができる。 【0238】本発明の樹脂においては、特開平9−31
9092号など従来アセタール基を含有する樹脂に比較
して、不純物として含まれる酸(これは主として酸発生
剤中の不純物、あるいは本発明の樹脂合成時に使用の触
媒から由来する)の含有量の影響が認められた。即ち、
本発明のレジスト組成物中に不純物として含まれる酸の
含有量が500ppmよりも多い場合、本発明の効果で
ある優れたパターンプロファイル形状および真空チャン
バー中での引き置き時間での少ない線幅変動が損なわれ
る。従って、本発明のレジスト組成物においては、レジ
スト組成物中に不純物として含まれる酸の含有量を50
0ppm以下に抑えることが必要であり、好ましくは2
00ppm以下、さらに好ましくは100ppm以下で
ある。 【0239】さらに、下記に挙げるような分光増感剤を
添加し、使用する酸発生剤が吸収を持たない遠紫外より
長波長領域に増感させることで、本発明の化学増幅型ポ
ジレジストをi又はg線に感度を持たせることができ
る。好適な分光増感剤としては、具体的にはベンゾフェ
ノン、p,p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノ
ン、p,p’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノ
ン、2−クロロチオキサントン、アントロン、9−エト
キシアントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、
フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベン
ゾフラビン、セトフラビン−T、9,10−ジフェニル
アントラセン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フ
ェナントレン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセ
ナフテン、ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニ
リン、N−アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロ
アニリン、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルア
ミン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアント
ラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、1,2−
ベンズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−
1,9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,2
−ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,7−
ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等である
がこれらに限定されるものではない。 【0240】現像液に対する溶解性を促進させるフェノ
ール性OH基を2個以上有する化合物としては、ポリヒ
ドロキシ化合物が挙げられ、好ましくはポリヒドロキシ
化合物には、フェノール類、レゾルシン、フロログルシ
ン、フロログルシド、2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、α,α',α''−トリス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、トリス
(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1’−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)シクロヘキサンがある。 【0241】本発明の化学増幅型ポジレジスト組成物
は、上記各成分を溶解する溶媒に溶かして支持体上に塗
布するものであり、使用することのできる溶媒として
は、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロ
ペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メ
チルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メ
トキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸
エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピ
オン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、
ピルビン酸プロピル、N、N−ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラ
ヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるい
は混合して使用する。 【0242】上記化学増幅型ポジレジスト組成物は精密
集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリ
コン/二酸化シリコン被覆)上にスピナー、コーター等
の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して
露光し、ベークを行い現像することにより良好なレジス
トパターンを得ることができる。 【0243】本発明の化学増幅型ポジレジスト組成物の
現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、リン酸ナ
トリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無
機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の
第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン
等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチル
アミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミン、
トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、ホルム
アミドやアセトアミド等のアミド類、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド、トリメチル(2−ヒドロキシエ
チル)アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリブチルメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、テトラエタノールアンモニウムヒドロキシ
ド、メチルトリエタノールアンモニウムヒドロキシド、
ベンジルメチルジエタノールアンモニウムヒドロキシ
ド、ベンジルジメチルエタノールアンモニウムヒドロキ
シド、ベンジルトリエタノールアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
ブチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウ
ム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン等のアルカ
リ類の水溶液等がある。 【0244】 【実施例】以下、本発明によって更に具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 【0245】〔合成例I−1 ビニルエーテルの合成〕
ベンゼンチオール55.01g(0.5モル)を300
mlのN,N−ジメチルホルムアミドに溶解し、次いで
2−クロロエチルビニルエーテル150gを加え、さら
に水酸化ナトリウム25gを加えて、120℃にて2時
間加熱攪拌した。反応液を水洗し、減圧留去にて過剰の
クロロエチルビニルエーテルを除去した。得られたオイ
ル分から、減圧蒸留により、目的物であるフェニルチオ
エチルビニルエーテル(X−1)を得た。 〔合成例I−2〜6〕合成例I−1と同様にして、以下
に示すビニルエーテルX−2,X−3,X−4,X−
5,X−6をそれぞれ得た。 【0246】 【化115】【0247】〔合成例II−1〕p−アセトキシスチレン
32.4g(0.2モル)を酢酸ブチル120mlに溶
解し、窒素気流及び攪拌下、80℃にてアゾビスイソブ
チロニトリル(AIBN)0.033gを2.5時間置
きに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を続けることに
より、重合反応を行った。反応液をヘキサン1200m
lに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹脂を
乾燥後、メタノール150mlに溶解した。これに水酸
化ナトリウム7.7g(0.19モル)/水50mlの
水溶液を添加し、3時間加熱還流することにより加水分
解させた。その後、水200mlを加えて希釈し、塩酸
にて中和し白色の樹脂を析出させた。この樹脂を濾別
し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフラン200
mlに溶解し、5Lの超純水中に激しく攪拌しながら滴
下、再沈を行った。この再沈操作を3回繰り返した。得
られた樹脂を真空乾燥器中で120℃、12時間乾燥
し、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)アルカリ可溶性樹
脂R−1を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は15
000であった。 【0248】〔合成例II−2〕常法に基づいて脱水、蒸
留精製したp−tert−ブトキシスチレンモノマー3
5.25g(0.2モル)及びスチレンモノマー5.2
1g(0.05モル)をテトラヒドロフラン100ml
に溶解した。窒素気流及び攪拌下、80℃にてアゾビス
イソブチロニトリル(AIBN)0.033gを2.5
時間置きに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を続ける
ことにより、重合反応を行った。反応液をヘキサン12
00mlに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた
樹脂を乾燥後、テトラヒドロフラン150mlに溶解し
た。これに4N塩酸を添加し、6時間加熱還流すること
により加水分解させた後、5Lの超純水に再沈し、この
樹脂を濾別し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフ
ラン200mlに溶解し、5Lの超純水中に激しく攪拌
しながら滴下、再沈を行った。この再沈操作を3回繰り
返した。得られた樹脂を真空乾燥器中で120℃、12
時間乾燥し、ポリ(p−ヒドロキシスチレン/スチレ
ン)共重合体アルカリ可溶性樹脂R−2を得た。得られ
た樹脂の重量平均分子量は12000であった。 【0249】〔合成例II−3〕p−アセトキシスチレン
32.4g(0.2モル)及びメタクリル酸メチル7.
01g(0.07モル)を酢酸ブチル120mlに溶解
し、窒素気流及び攪拌下、80℃にてアゾビスイソブチ
ロニトリル(AIBN)0.033gを2.5時間置き
に3回添加し、最後に更に5時間攪拌を続けることによ
り、重合反応を行った。反応液をヘキサン1200ml
に投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹脂を乾
燥後、メタノール200mlに溶解した。これに水酸化
ナトリウム7.7g(0.19モル)/水50mlの水
溶液を添加し、1時間加熱還流することにより加水分解
させた。その後、水200mlを加えて希釈し、塩酸に
て中和し白色の樹脂を析出させた。この樹脂を濾別し、
水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフラン200ml
に溶解し、5Lの超純水中に激しく攪拌しながら滴下、
再沈を行った。この再沈操作を3回繰り返した。得られ
た樹脂を真空乾燥器中で120℃、12時間乾燥し、ポ
リ(p−ヒドロキシスチレン/メタクリル酸メチル)共
重合体アルカリ可溶性樹脂R−3を得た。得られた樹脂
の重量平均分子量は10000であった。 【0250】〔合成例II−4〕日本曹達株式会社製、ポ
リ(p−ヒドロキシスチレン)(VP8000)をアル
カリ可溶性樹脂R−4とした。重量平均分子量は980
0であった。 【0251】〔合成例III−1〕合成例II−4で得られ
たアルカリ可溶性樹脂R−4 20gプロピレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート(PGMEA)80
mlをフラスコ中で溶解し、減圧蒸留を行い、水とPG
MEAを共沸留去した。含水が十分低くなったことを確
認した後、合成例I−1で得られたビニルエーテルX−
1を7.0gとp−トルエンスルホン酸50mgを加
え、室温にて1時間攪拌した。そこへピリジン1.5
g、さらに無水酢酸1.5gを加えて室温にて1時間攪
拌した。反応液に酢酸エチルを添加、さらに水洗した
後、減圧留去によって酢酸エチル、水、共沸分のPGM
EAを留去し、本発明に係る置換基を有するアルカリ可
溶性樹脂B−1を得た。 【0252】〔合成例III−2〜III−18〕下記表1に
示したアルカリ可溶性樹脂と酸無水物とビニルエーテル
を用い、合成例III−1と同様にして本発明に係る置換
基を有するアルカリ可溶性樹脂B−2〜B−18を得
た。 【0253】 【表1】 【0254】〔合成例IV−1〜IV−2〕下記表2に示し
たアルカリ可溶性樹脂と、下記式で示されるエチルビニ
ルエーテル(Y−1)で、樹脂C−1、C−2を得た。 【0255】 【化116】 【0256】 【表2】 【0257】界面活性剤(F−1)として、メガファッ
クR08(大日本インキ(株)製)を使用した。界面活
性剤(F−2)として、トロイゾルS−366(トロイ
ケミカル(株)製)を使用した。 【0258】(実施例1〜22、比較例1〜2) 〔レジスト組成物の調製と評価〕下記表3に示す各素材
をPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート)8gに溶解し、0.2μmのフィルター
で濾過してレジスト溶液を作成した。なお、界面活性剤
の使用量は0.0035gであった。このレジスト溶液
を、スピンコーターを利用して、シリコンウエハー上に
塗布し、130℃、60秒間真空吸着型のホットプレー
トで乾燥して、膜厚0.3μmのレジスト膜を得た。 【0259】 【表3】【0260】また、実施例に用いた各光酸発生剤および
有機塩基化合物を以下に示す。 【0261】 【化117】 【0262】このレジスト膜に、電子線照射装置(加速
電圧50KeV)を用いて照射を行った。照射後100
℃ホットプレートで60秒間加熱を行い、直ちに0.2
6Nテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(T
MAH)水溶液で60秒間浸漬し、30秒間水でリンス
して乾燥した。このようにして得られたシリコンウェハ
ー上のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジスト
の性能を評価した。その結果を表4に示す。 【0263】解像力は0.15μmのラインアンドスペ
ースのマスクパターンを再現する露光量における限界解
像力を表す。 【0264】得られたレジストパターンを光学顕微鏡あ
るいはSEMで観察し、レジストパターンの逆テーパー
の度合いを観察した。パターンの逆テーパーの傾きの度
合いが、非常に少ないもの(殆ど矩形プロファイル)を
◎、少ないものを○、パターンの逆テーパーが明らかに
観察されるものを×とした。 【0265】また、上記のように得られたレジスト膜を
電子線照射装置内で高真空下240分間放置したのち、
上記と同様に、露光、現像しレジストパターンを形成し
た。上記のように高真空下240分間放置して得られた
パターンの限界解像線幅(A)と、高真空下で放置しな
いで得られたパターンの限界解像線幅(B)とを測定
し、その変動率を下記のように計算した。その値は小さ
いほうがよい。 変動率={1−|(B)−(A)|/(B)}×100 【0266】 【表4】【0267】表4の結果から明らかなように、本発明に
係る各実施例のポジ型レジスト組成物は、それぞれ満足
すべき結果を得たが、各比較例のレジスト組成物は、特
にレジストパターン形状及び引き置き時間による線幅変
動について不満足なものであった。 【0268】(実施例23〜26、比較例3〜4)下記
表5に示すように、一般式(I)及び一般式(III)で
示される構造単位を有する、酸の作用により分解し、ア
ルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び/又
は、上記一般式(I)、一般式(II)及び一般式(II
I)で示される構造単位を有する、酸の作用により分解
し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂に、
更に酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解
性が増大する化合物を添加した以外は実施例1〜22と
同様にしてレジスト液を作製し、同様にして0.3μm
のレジスト膜を得た。実施例1〜22と同様の方法で解
像力、レジストパターンプロファイル、真空チャンバー
内での引き置きによる線幅変動について評価した結果を
表6に示す。 【0269】 【表5】 【0270】また、実施例に用いた溶解阻止化合物を以
下に示す。 【0271】 【化118】【0272】 【表6】 【0273】表6の結果から明らかなように、本発明に
係る各実施例のポジ型レジスト組成物は、特にレジスト
パターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置き
による線幅変動についてより一層の改善がなされ、それ
ぞれ満足すべき結果を得たが、各比較例のレジスト組成
物は、特にレジストパターンプロファイル、真空チャン
バー内での引き置きによる線幅変動について不満足なも
のであった。 【0274】 【発明の効果】本発明によれば、レジストパターンプロ
ファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変
動が改善された化学増幅型ポジ型レジスト組成物が提供
される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit element.
Positive type register used for manufacturing of masks for ICs and integrated circuits
It relates to a strike composition. [0002] 2. Description of the Related Art As a positive photoresist composition, rice
National Patent No. 4,491,628 No. 28, European Patent No. 29,139 No.
There is a chemically amplified resist composition described in the
The Chemically amplified positive resist compositions are used to release deep ultraviolet light, etc.
Irradiation generates acid in the exposed area, and this acid is used as a catalyst.
Depending on the reaction
Change the solubility in the developer to form a pattern on the substrate
It is a pattern forming material to be formed. The above chemically amplified positive resist composition has the following advantages.
Lucari soluble resin that generates acid by radiation exposure
Compound (photoacid generator) and alkali having acid-decomposable group
A three-component system consisting of a dissolution inhibiting compound for soluble resins
And a group that decomposes by reaction with an acid and becomes alkali-soluble.
Two-component system consisting of resin and photoacid generator
Resin having acid-decomposable and alkali-soluble group, acid
Low molecular weight dissolution inhibiting compounds having degradable groups and photoacid generation
Broadly divided into hybrid systems consisting of agents. In Japanese Patent Laid-Open No. 10-87724,
Containing ketone, ester, sulfonyl, amide groups
If the resin introduced with a settal group is effective in reducing standing waves
It is disclosed as. Japanese Patent Laid-Open No. 10-306120
In this publication, an acetal group unit containing an ester group is used.
A resin having a base is disclosed. However, these
In the case of a resin having an acetal group of
When used, the effect of electron backscattering appears strongly and
The resist pattern is a reverse taper profile
It became. Furthermore, in the vacuum chamber of the electron beam irradiation device
Improvement of the line width variation due to the holding time has also been desired. [0005] The object of the present invention is to provide an electronic
Such as X-ray, X-ray, or EUV (Extreme Ultraviolet)
Pattern obtained as a resist for irradiation with actinic radiation
The shape of the profile is excellent and the vacuum
The line width variation due to the holding time in the chamber is also improved.
To provide a chemically amplified positive resist composition.
The [0006] SUMMARY OF THE INVENTION The present inventor has found such a present situation.
As a result of diligent investigation, an acid-decomposable group having a specific structure
A positive resist composition having a compound having
Thus, the above object is achieved and the present invention is completed.
It was. That is, the positive resist composition according to the present invention has the following structure.
It is completed. (1) (a) represented by the following general formula (I)
It has a structural unit containing a group that decomposes by the action of acid.
A resin having increased solubility in an alkaline developer, and
(B) containing a compound that generates an acid upon irradiation with actinic radiation.
Positive electron beam, X-ray or EUV characterized by having
Resist composition. [0008] [Chemical 2] In the formula (I), R1 and R2 may be the same or different.
May be a hydrogen atom or an alkyl having 1 to 4 carbon atoms.
W represents a divalent organic group, X represents —S—, —
N (R4) CO-, -Se-, -CO-, -COO-,
-OCO-, -SO-, or -SO2-Represents (here
R4 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
R3 is a chain alkyl group which may have a substituent,
A cyclic alkyl group which may have a substituent, a substituent
A good aryl group or aralkyl optionally having a substituent
Represents a group. ) The preferred embodiments are described below. (2) The resin of (a) is further represented by the following general formula (II)
(1) above, characterized by having a structural unit
A resist composition for positive type electron beam, X-ray or EUV. [0011] [Chemical 3]In the formula (II), R21 is a hydrogen atom or methyl.
R22 represents a group that is not decomposed by the action of an acid.
R23 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an
Reel group, alkoxy group, acyl group or acyloxy group
Represents. n represents an integer of 1 to 3. (3) (b) By irradiation with actinic radiation
Compounds that generate phosphoric acid are exposed to actinic radiation.
The following general formulas (A-1) and (A-
2), (A-3), (A-4), (A-5), (A-
6) At least of the compounds represented by (A-7)
As described in (1) or (2) above, which is one type
A resist composition for positive type electron beam, X-ray or EUV. [0014] [Formula 4] In the formulas (A-1) and (A-2), R1~ R
FiveMay be the same or different, and a hydrogen atom, an alkyl,
Group, cycloalkyl group, alkoxy group, hydroxy
Group, halogen atom, or -SR6Indicates a group. R6Is al
A kill group or an aryl group is shown. X-(A) linear
, Branched or cyclic alkylsulfurs having 1 to 12 carbon atoms
A part or all of the hydrogen atom is an phosphonic acid anion.
May be substituted with a nitrogen atom, or (b) branched or
Is a cyclic alkyl group having 8 or more carbon atoms and an alkoxy group
Having at least one group selected from the group of
A linear, branched or cyclic alkyl group having 4 to 7 carbon atoms and
And at least 2 groups selected from the group of alkoxy groups
1 to 3 linear or branched C 1 to C 3 carbon atoms
There are few groups selected from the group of a kill group and an alkoxy group.
Have at least 3 or 1 to 5 halogen atoms
Or linear or branched carbon having 1 to 10 carbon atoms.
Benzene sulfonic acid with ter group, naphthalene sulfo
An anion of acid or anthracene sulfonic acid. [0016] [Chemical formula 5] In the formula (A-3), R7~ RTenAre the same
Each of which may be different, hydrogen atom, alkyl group,
A loalkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, or a halo
Gen atom is shown. X-Is as defined above. m, n,
p and q each represent an integer of 1 to 3. [0018] [Chemical 6] In the formula (A-4), R11~ R13Are the same
May be different, hydrogen atom, alkyl group, cycloa
Alkyl group, alkoxy group, hydroxy group, halogen atom
Or -S-R6Indicates a group. R6, X-Is synonymous with the above
The l, m and n may be the same or different;
Indicates an integer. If l, m and n are each 2 or 3, then 2
~ 3 R11~ R13Two of each of which
5-8 elements including carbocyclic, heterocyclic or aromatic rings
A ring consisting of [0020] [Chemical 7] In the formula (A-5), R14~ R16Are the same
May be different, hydrogen atom, alkyl group, cycloa
Alkyl group, alkoxy group, hydroxy group, halogen atom
Or -S-R6Indicates a group. R6, X-Is as defined above
The l, m and n may be the same or different;
Indicates an integer. If l, m and n are each 2 or 3, then 2
~ 3 R14~ R16Two of each of which
5-8 elements including carbocyclic, heterocyclic or aromatic rings
A ring consisting of [0022] [Chemical 8] In the formula (A-6), Y has a substituent.
Linear, branched, cyclic alkyl groups, which may be substituted
Good aralkyl group, [0024] [Chemical 9] A group represented by (R)31~ R51Is the same
However, they may be different and have a hydrogen atom or a substituent.
Linear, branched, cyclic alkyl groups, alkoxy groups,
Acyl group, acylamino group, sulfonylamino group, ant
Group, acyloxy group, aralkyl group or alkoxy group
Sicarbonyl group, formyl group, nitro group, chlorine source
Child, bromine atom, iodine atom, hydroxyl group, or cyano group
R31~ R35, R36~ R42And R43~ R51Is it
Two of each group are bonded to carbon atoms and / or
A 5- to 8-membered ring composed of a terror atom may be formed). Ma
Y binds to the residue of another imide sulfonate compound.
It may be. X is an optionally substituted straight chain,
Heteroalkylene group, optionally substituted heteroatom
A monocyclic or polycyclic alkylene group which may contain
Linear, branched alkenylene groups, substituted
A single ring optionally containing heteroatoms or
Polycyclic alkenylene group, optionally substituted aryl
Rene group and an optionally substituted aralkylene group are shown.
X is bonded to another imide sulfonate residue.
Also good. Ar1-SO2-SO2-Ar2        (A-7) In formula (A-7), Ar1, Ar2Are the same or different
Or a substituted or unsubstituted aryl group. (4) Furthermore, by irradiation with actinic radiation,
The following general formulas (B-1) and (B-
2), (B-3), (B-4) and (B-5)
Containing at least one of the following compounds:
The positive electron beam, X-ray or EUV described in (3) above
Resist composition. [0027] Embedded image In the formulas (B-1) and (B-2), R1~ R
FiveMay be the same or different, and a hydrogen atom, an alkyl,
Group, cycloalkyl group, alkoxy group, hydroxy
Group, halogen atom, or -SR6Indicates a group. R6Is al
A kill group or an aryl group is shown. Y-(A) linear
, Branched, or cyclic C1-C12 alkylcal
A part or all of the hydrogen atom is an anion of boric acid.
May be substituted with a nitrogen atom, or (b) branched or
Is a cyclic alkyl group having 8 or more carbon atoms and an alkoxy group
Having at least one group selected from the group of
A linear, branched or cyclic alkyl group having 4 to 7 carbon atoms and
And at least 2 groups selected from the group of alkoxy groups
1 to 3 linear or branched C 1 to C 3 carbon atoms
There are few groups selected from the group of a kill group and an alkoxy group.
Have at least 3 or 1 to 5 halogen atoms
Or linear or branched carbon having 1 to 10 carbon atoms.
Benzenecarboxylic acid having a ter group, naphthalenecarbo
An anion of acid or anthracene carboxylic acid. [0029] Embedded image In the formula (B-3), R7~ RTenAre the same
Each of which may be different, hydrogen atom, alkyl group,
A loalkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, or a halo
Gen atom is shown. Y-Is as defined above. m, n,
p and q each represent an integer of 1 to 3. [0031] Embedded image In the formula (B-4), R11~ R13Are the same
May be different, hydrogen atom, alkyl group, cycloa
Alkyl group, alkoxy group, hydroxy group, halogen atom
Or -S-R6Indicates a group. R6, Y-Is synonymous with the above
The l, m and n may be the same or different;
Indicates an integer. If l, m and n are each 2 or 3, then 2
~ 3 R11~ R13Two of each of which
5-8 elements including carbocyclic, heterocyclic or aromatic rings
A ring consisting of [0033] Embedded image In the formula (B-5), R14~ R16Are the same
May be different, hydrogen atom, alkyl group, cycloa
Alkyl group, alkoxy group, hydroxy group, halogen atom
Or -S-R6Indicates a group. R6, Y-Is as defined above
The l, m and n may be the same or different;
Indicates an integer. If l, m and n are each 2 or 3, then 2
~ 3 R14~ R16Two of each of which
5-8 elements including carbocyclic, heterocyclic or aromatic rings
A ring consisting of (5) Decomposes by the action of an acid to produce an alkali
It may further contain a compound that increases solubility in the developer.
Any one of (1) to (4) above,
Resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV. (6) The acid content contained in the resist composition is
The above (1) to 500 ppm or less,
(5) Positive electron beam, X-ray or EU according to any one of
Resist composition for V. (7) By electron beam irradiation with a high acceleration voltage of 40 KeV or higher
Any of the above (1) to (6) used for pattern formation
Resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV
Stuff. [0036] The present invention will be described in detail below. (A) containing a group represented by the above general formula (I)
It has a structural unit and decomposes by the action of an acid
Compound with general solubility in re-developer (I)
As the alkyl group for R1 and R2 in FIG.
Ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl
Group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group
Examples thereof include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. W
As the divalent organic group, it preferably has a substituent.
A linear, branched or cyclic alkylene group,
Arylene, heteroarylene, and aralkylene groups
And -S-, -CO-, -N (R4)-, -SO-,
-SO2-, -COO-, -N (R4) SO2-(Here
R4 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
Or a divalent combination of two or more of these groups
The group can be mentioned. X is -S-, -N (R4).
CO-, -Se-, -CO-, -COO-, -OCO
-, -SO-, or -SO2-(Where R4 is
Represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), preferably
Or -S-, -SO-, -SO2-, -N (R4)-
Represents. Specific examples of the alkyl group of R4 in W and X
Examples thereof include those similar to the above R1. The above-mentioned linear alkyl which may have a substituent for R3
The kill group is preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably
Preferably it is a straight chain with 1 to 18 carbon atoms, but it is branched.
For example, methyl group, ethyl group, n-pro
Pill group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl
Group, t-butyl group, n-pentyl group, i-pentyl group,
t-pentyl group, n-hexyl group, i-hexyl group, t
-Hexyl group, n-heptyl group, i-heptyl group, t-
Heptyl group, n-octyl group, i-octyl group, t-octyl group
Cutyl group, n-nonyl group, i-nonyl group, t-nonyl
Group, n-decyl group, i-decyl group, t-decyl group, n-
Undecyl group, i-undecyl group, n-dodecyl group, i
-Dodecyl group, n-tridecyl group, i-tridecyl group,
n-tetradecyl group, i-tetradecyl group, n-penta
Decyl group, i-pentadecyl group, n-hexadecyl group,
i-hexadecyl group, n-heptadecyl group, i-hepta
Decyl group, n-octadecyl group, i-octadecyl group,
Examples include n-nonadecyl group and i-nonadecyl group.
it can. These substituents are represented by the substituents shown below.
May be substituted. The above cyclic alkyl optionally having a substituent for R3
The kill group is preferably 3 to 20 carbon atoms, more preferably
Preferably a ring with 3 to 18 carbon atoms and up to 20 carbon atoms
Even when it is formed, it may be a cyclic alkyl having a substituent,
For example, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclope
Nyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cycl
Looctyl, cyclononyl, cyclodecyl, cycl
Loundecyl, cyclododecyl, cyclotridecyl
Group, cyclotridecyl group, cyclotetradecyl group, cycl
Lopentadecyl group, cyclohexadecyl group, cyclohept
Tadecyl group, cyclooctadecyl group, cyclononadecyl
Group, 4-cyclohexylcyclohexyl group, 4-n-he
Xylcyclohexyl group, pentanylcyclohexyl
Group, hexyloxycyclohexyl group, pentanyloxy
Cicyclohexyl group and the like can be mentioned. Here
Substituted cyclic alkyl groups other than the above are used within the above range.
Can be used. These substituents are shown below.
It may be substituted with a substituent. Ali which may have a substituent of the above R3
As a group, it preferably has 6 to 30 carbon atoms, preferably
Has 6 to 25 carbon atoms, for example, a phenyl group, a tolyl group,
Xylyl group, ethylphenyl group, propylphenyl group,
Methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, propylo
Xylphenyl group, 4-cyclopentylphenyl group, 4-
Cyclohexylphenyl group, 4-cycloheptenyl phen
Nyl group, 4-cyclooctanylphenyl group, 2-cyclo
A pentylphenyl group, a 2-cyclohexylphenyl group,
2-cycloheptenylphenyl group, 2-cyclooctani
Ruphenyl group, 3-cyclopentylphenyl group, 3-
Chlohexylphenyl group, 3-cycloheptenyl phenyl
Group, 3-cyclooctanylphenyl group, 4-cyclope
Ntyloxyphenyl group, 4-cyclohexyloxy
Enyl group, 4-cycloheptenyloxyphenyl group, 4
-Cyclooctanyloxyphenyl group, 2-cyclopent
Tyloxyphenyl group, 2-cyclohexyloxyphene
Nyl group, 2-cycloheptenyloxyphenyl group, 2-
Cyclooctanyloxyphenyl group, 3-cyclopentyl
Ruoxyphenyl group, 3-cyclohexyloxypheny
Group, 3-cycloheptenyloxyphenyl group, 3-
Crooctanyloxyphenyl group, 4-n-pentylph
Enyl group, 4-n-hexylphenyl group, 4-n-hept
Tenenylphenyl group, 4-n-octanylphenyl group, 2
-N-pentylphenyl group, 2-n-hexylphenyl
Group, 2-n-heptenylphenyl group, 2-n-octani
Ruphenyl group, 3-n-pentylphenyl group, 3-n-
Hexylphenyl group, 3-n-heptenylphenyl group,
3-n-octanylphenyl group, 2,6-di-isopropyl
Pyrphenyl group, 2,3-di-isopropylphenyl
Group, 2,4-di-isopropylphenyl group, 3,4-di
-Isopropylphenyl group, 3,6-di-t-butyl
Enyl group, 2,3-di-t-butylphenyl group, 2,4
-Di-t-butylphenyl group, 3,4-di-t-butyl
Phenyl group, 2,6-di-n-butylphenyl group, 2,
3-di-n-butylphenyl group, 2,4-di-n-butyl
Ruphenyl group, 3,4-di-n-butylphenyl group,
2,6-di-i-butylphenyl group, 2,3-di-i-
Butylphenyl group, 2,4-di-i-butylphenyl
Group, 3,4-di-i-butylphenyl group, 2,6-di-
t-amylphenyl group, 2,3-di-t-amylpheny
Group, 2,4-di-t-amylphenyl group, 3,4-di
-T-amylphenyl group, 2,6-di-i-amylphe
Nyl group, 2,3-di-i-amylphenyl group, 2,4-
Di-i-amylphenyl group, 3,4-di-i-amylf
An phenyl group, a 2,6-di-n-pentylphenyl group, 2,
3-di-n-pentylphenyl group, 2,4-di-n-pe
Nthylphenyl group, 3,4-di-n-pentylphenyl
Group, 4-adamantylphenyl group, 2-adamantyl
Enyl, 4-isoboronylphenyl, 3-isoboro
Nylphenyl, 2-isoboronylphenyl, 4-thio
Clopentyloxyphenyl group, 4-cyclohexylo
Xiphenyl group, 4-cycloheptenyloxyphenyl
Group, 4-cyclooctanyloxyphenyl group, 2-cycl
Lopentyloxyphenyl group, 2-cyclohexyloxy
Cyphenyl group, 2-cycloheptenyloxyphenyl
Group, 2-cyclooctanyloxyphenyl group, 3-cycl
Lopentyloxyphenyl group, 3-cyclohexyloxy
Cyphenyl group, 3-cycloheptenyloxyphenyl
Group, 3-cyclooctanyloxyphenyl group, 4-n-
Pentyloxyphenyl group, 4-n-hexyloxyph
Enyl group, 4-n-heptenyloxyphenyl group, 4-
n-octanyloxyphenyl group, 2-n-pentylo
A xylphenyl group, a 2-n-hexyloxyphenyl group,
2-n-heptenyloxyphenyl group, 2-n-octa
Nyloxyphenyl group, 3-n-pentyloxypheny
Group, 3-n-hexyloxyphenyl group, 3-n-he
Ptenyloxyphenyl group, 3-n-octanyloxy
Phenyl group, 2,6-di-isopropyloxyphenyl
Group, 2,3-di-isopropyloxyphenyl group, 2,
4-di-isopropyloxyphenyl group, 3,4-di-
Isopropyloxyphenyl group, 2,6-di-t-butyl
Ruoxyphenyl group, 2,3-di-t-butyloxyph
An phenyl group, a 2,4-di-t-butyloxyphenyl group,
3,4-di-t-butyloxyphenyl group, 2,6-di
-N-butyloxyphenyl group, 2,3-di-n-butyl
Ruoxyphenyl group, 2,4-di-n-butyloxyph
An phenyl group, a 3,4-di-n-butyloxyphenyl group,
2,6-di-i-butyloxyphenyl group, 2,3-di
-I-Butyloxyphenyl group, 2,4-di-i-butyl
Ruoxyphenyl group, 3,4-di-i-butyloxyph
An phenyl group, a 2,6-di-t-amyloxyphenyl group,
2,3-di-t-amyloxyphenyl group, 2,4-di
-T-amyloxyphenyl group, 3,4-di-t-amino
Ruoxyphenyl group, 2,6-di-i-amyloxyph
An phenyl group, a 2,3-di-i-amyloxyphenyl group,
2,4-di-i-amyloxyphenyl group, 3,4-di
-I-amyloxyphenyl group, 2,6-di-n-pen
Tyloxyphenyl group, 2,3-di-n-pentyloxy
Cyphenyl group, 2,4-di-n-pentyloxypheny
Group, 3,4-di-n-pentyloxyphenyl group, 4
-Adamantyloxyphenyl group, 3-adamantyl
A xylphenyl group, a 2-adamantyloxyphenyl group,
4-isoboronyloxyphenyl group, 3-isoboronyl
Oxyphenyl group, 2-isoboronyloxyphenyl
Group, etc.
It may be substituted and is not limited to substituents other than the above examples. this
These substituents are substituted by the substituents shown below.
May be. Aralkyl group optionally having substituent for R3
Is preferably 7-30 carbon atoms, more preferably
Is a C 8-25, for example, phenylethyl group, tri
Ruphenylethyl group, xylylphenylethyl group, ethyl
Ruphenylethyl group, propylphenylethyl group, 4-
Cyclopentylphenylethyl group, 4-cyclohexyl
Phenylethyl group, 4-cycloheptenylphenyl ethyl
Group, 4-cyclooctanylphenylethyl group, 2-silane
Clopentylphenylethyl group, 2-cyclohexyl
Enylethyl group, 2-cycloheptenylphenylethyl
Group, 2-cyclooctanylphenylethyl group, 3-cycl
Lopentylphenylethyl group, 3-cyclohexylfe
Nylethyl group, 3-cycloheptenylphenylethyl
Group, 3-cyclooctanylphenylethyl group, 4-cycl
Lopentyloxyphenylethyl group, 4-cyclohexyl
Ruoxyphenylethyl group, 4-cycloheptenyloxy
Cyphenylethyl group, 4-cyclooctanyloxyphene
Nylethyl group, 2-cyclopentyloxyphenyl ethyl
Group, 2-cyclohexyloxyphenylethyl group, 2
-Cycloheptenyloxyphenylethyl group, 2-cycl
Looctanyloxyphenylethyl group, 3-cyclopent
Tyloxyphenylethyl group, 3-cyclohexyloxy
Cyphenylethyl group, 3-cycloheptenyloxyphene
Nylethyl group, 3-cyclooctanyloxyphenyl ester
Til group, 4-n-pentylphenylethyl group, 4-n-
Hexylphenylethyl group, 4-n-heptenylphenyl
Ruethyl group, 4-n-octanylphenylethyl group, 2
-N-pentylphenylethyl group, 2-n-hexylsulfate
Enylethyl group, 2-n-heptenylphenylethyl
Group, 2-n-octanylphenylethyl group, 3-n-pe
N-phenylphenyl group, 3-n-hexylphenyl ester
Til group, 3-n-heptenylphenylethyl group, 3-n
-Octanylphenylethyl group, 2,6-di-isopropyl
Pyrphenylethyl group, 2,3-di-isopropyl phen
Nylethyl group, 2,4-di-isopropylphenylethyl
Group, 3,4-di-isopropylphenylethyl group,
2,6-di-t-butylphenylethyl group, 2,3-di
-T-butylphenylethyl group, 2,4-di-t-butyl
Ruphenylethyl group, 3,4-di-t-butylphenyl
An ethyl group, a 2,6-di-n-butylphenylethyl group,
2,3-di-n-butylphenylethyl group, 2,4-di
-N-butylphenylethyl group, 3,4-di-n-butyl
Ruphenylethyl group, 2,6-di-i-butylphenyl
An ethyl group, a 2,3-di-i-butylphenylethyl group,
2,4-di-i-butylphenylethyl group, 3,4-di
-I-butylphenylethyl group, 2,6-di-t-amino
Ruphenylethyl group, 2,3-di-t-amylphenyl
An ethyl group, a 2,4-di-t-amylphenylethyl group,
3,4-di-t-amylphenylethyl group, 2,6-di
-I-amylphenylethyl group, 2,3-di-i-ami
Ruphenylethyl group, 2,4-di-i-amylphenyl
An ethyl group, a 3,4-di-i-amylphenylethyl group,
2,6-di-n-pentylphenylethyl group, 2,3-
Di-n-pentylphenylethyl group, 2,4-di-n-
Pentylphenylethyl group, 3,4-di-n-pentyl
Phenylethyl group, 4-adamantylphenylethyl
Group, 3-adamantylphenylethyl group, 2-adaman
Tylphenylethyl group, 4-isoboronylphenylethyl
Group, 3-isoboronylphenylethyl group, 2-isobo
Ronylphenylethyl group, 4-cyclopentyloxyf
Enylethyl group, 4-cyclohexyloxyphenyl ester
Til group, 4-cycloheptenyloxyphenylethyl
Group, 4-cyclooctanyloxyphenylethyl group, 2
-Cyclopentyloxyphenylethyl group, 2-cyclo
Hexyloxyphenylethyl group, 2-cyclohepteni
Ruoxyphenylethyl group, 2-cyclooctanyloxy
Cyphenylethyl group, 3-cyclopentyloxypheny
Ruethyl group, 3-cyclohexyloxyphenylethyl
Group, 3-cycloheptenyloxyphenylethyl group, 3
-Cyclooctanyloxyphenylethyl group, 4-n-
Pentyloxyphenylethyl group, 4-n-hexylo
Xiphenylethyl group, 4-n-heptenyloxyphene
Nylethyl group, 4-n-octanyloxyphenyl ethyl
Group, 2-n-pentyloxyphenylethyl group, 2-
n-hexyloxyphenylethyl group, 2-n-hepte
Nyloxyphenylethyl group, 2-n-octanyloxy
Cyphenylethyl group, 3-n-pentyloxyphenyl
An ethyl group, a 3-n-hexyloxyphenylethyl group,
3-n-heptenyloxyphenylethyl group, 3-n-
Octanyloxyphenylethyl group, 2,6-diiso
Propyloxyphenylethyl group, 2,3-di-isopropyl
Lopyloxyphenylethyl group, 2,4-di-isopropyl
Pyroxyphenylethyl group, 3,4-diisopropyl
Ruoxyphenylethyl group, 2,6-di-tert-butylo
Xiphenylethyl group, 2,3-di-t-butyloxy
Phenylethyl group, 2,4-di-t-butyloxyphene
Nylethyl group, 3,4-di-t-butyloxyphenyl
Ethyl group, 2,6-di-n-butyloxyphenyl ethyl
Group, 2,3-di-n-butyloxyphenylethyl
Group, 2,4-di-n-butyloxyphenylethyl group,
3,4-di-n-butyloxyphenylethyl group, 2,
6-di-i-butyloxyphenylethyl group, 2,3-
Di-i-butyloxyphenylethyl group, 2,4-di-
i-butyloxyphenylethyl group, 3,4-di-i-
Butyloxyphenylethyl group, 2,6-di-t-amino
Ruoxyphenylethyl group, 2,3-di-t-amylo
Xiphenylethyl group, 2,4-di-t-amyloxy
Phenylethyl group, 3,4-di-t-amyloxyphene
Nylethyl group, 2,6-di-i-amyloxyphenyl
Ethyl group, 2,3-di-i-amyloxyphenyl ethyl
Group, 2,4-di-i-amyloxyphenylethyl
A group, 3,4-di-i-amyloxyphenylethyl group,
2,6-di-n-pentyloxyphenylethyl group,
2,3-di-n-pentyloxyphenylethyl group,
2,4-di-n-pentyloxyphenylethyl group,
3,4-di-n-pentyloxyphenylethyl group, 4
-Adamantyloxyphenylethyl group, 3-adaman
Tyloxyphenylethyl group, 2-adamantyloxy
Phenylethyl group, 4-isoboronyloxyphenyl ester
Til group, 3-isoboronyloxyphenylethyl group, 2
-Isoboronyloxyphenylethyl group or above
Alkyl is placed on methyl, propyl, butyl, etc.
The thing etc. which changed are mentioned. These substituents are
It may be substituted by the substituent shown. As a further substituent of the above group, water
Acid groups, halogen atoms (fluorine, chlorine, bromine, iodine),
Nitro group, cyano group, the above alkyl group, methoxy group,
Ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group,
Droxypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy
Group, sec-butoxy group, t-butoxy group, etc.
Si group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, etc.
Alkoxycarbonyl group, benzyl group, phenethyl
Groups, aralkyl groups such as cumyl groups, aralkyloxy groups,
Formyl group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group,
Cyanamil group, acyl group such as valeryl group, butyryloxy
An acyloxy group such as
Xyl group, propenyloxy group, allyloxy group, buteni
An alkenyloxy group such as a ruoxy group, the above aryl
Group, aryloxy group such as phenoxy group, benzoylo
Mention of aryloxycarbonyl groups such as xy groups
it can. These substituents may further have a substituent.
Often, the number of carbon atoms in a substituted aryl group or substituted aralkyl group
If it is in the range. Specific examples of the group represented by the general formula (I) are as follows:
However, it is not limited to these. [0045] Embedded image[0046] Embedded image[0047] Embedded image[0048] Embedded image[0049] Embedded image[0050] Embedded image[0051] Embedded imageIn the present invention, the group represented by the general formula (I)
Having a structural unit containing
Resin with increased solubility in Lucari developer (hereinafter referred to as one
(Also referred to as a resin having a group represented by the general formula (I))
Compound having molecular weight distribution obtained by polymerizing monomer
In which an acid-decomposable group represented by the general formula (I) is introduced
Of a compound that becomes alkali-soluble by the action of an acid
That is. A resin having a group represented by the general formula (I);
The main chain or side chain of the resin, or the main chain and side chain
Both are resins having a group represented by the general formula (I).
The Among these, it has a group represented by the general formula (I) in the side chain
A resin is more preferable. Next, a group represented by the general formula (I)
As the base resin when is bound as a side chain,
-OH or -COOH, preferably -R0-COO
Alkali-soluble resin having H or -Ar-OH group
It is. For example, it does not contain an acid-decomposable group described later
Mention may be made of alkali-soluble resins. Where-
R0-Is a divalent or higher valent aliphatic group which may have a substituent or
Represents an aromatic hydrocarbon, -Ar- is monocyclic or polycyclic
Represents a divalent or higher-valent aromatic group which may have the following substituent. As a preferred base resin in the present invention,
Is an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group
is there. Has phenolic hydroxyl group used in the present invention
Alkali-soluble resins are o-, m- or p-hydroxy
Styrene (collectively these are called hydroxystyrene)
Or o-, m- or p-hydroxy-α-me
Tylstyrene (collectively referred to as hydroxy-α-methyl)
At least as many repeating units as
30% by mole, preferably 50% by mole or more
Coalescence or homopolymer thereof, or benzene of the unit
It is preferred that the core is a partially hydrogenated resin
P-hydroxystyrene homopolymer is more preferred
Yes. Hydro for preparing the copolymer by copolymerization
Other than xylstyrene and hydroxy-α-methylstyrene
Examples of the monomer include acrylic acid esters and methacrylates.
Luric acid esters, acrylamides, methacrylamides
, Acrylonitrile, methacrylonitrile, anhydrous male
Inic acid, styrene, α-methylstyrene, acetoxys
Tylene and alkoxystyrenes are preferred, styrene,
Acetoxystyrene and t-butoxystyrene are more preferred
That's right. In the present invention, one of such resins
Content of repeating unit having a group represented by formula (I)
As 5 mol% to 50 mol based on all repeating units.
%, More preferably 5 mol% to 30 mol%
is there. In the present invention, it is represented by the above general formula (I).
In addition to the group to be formed, other acid-decomposable groups may be contained. Contains the group represented by the above general formula (I)
Resin is synthesized by synthesizing the corresponding vinyl ether and tetrahydride.
Phenolic hydroxyl group dissolved in a suitable solvent such as lofuran
React with alkali-containing resin in a known manner
Can be obtained. The reaction is usually an acidic catalyst, preferably
Preferably, acidic ion exchange resin, hydrochloric acid, p-toluene
Like sulfonic acid or pyridinium tosylate
It is carried out in the presence of a salt. Corresponding vinyl ether
Is it an active ingredient like chloroethyl vinyl ether?
Can be synthesized by a method such as a nucleophilic substitution reaction.
The Another method is to use the corresponding alcohol and vinyl.
By the method of acetal exchange using nil ether
Can also be synthesized. In this case, the substituent to be introduced
Is contained in alcohol, and vinyl ether is t-butyl.
Relatively unstable vinyl ethers such as vinyl ether
P-toluenesulfonic acid and viridinium
It is carried out in the presence of an acid such as sylate. Contains a group represented by the above general formula (I)
Is preferably 3000 to 80000,
More preferably, it is 7000-50000. Molecular weight
The range of the cloth (Mw / Mn) is 1.01 to 4.0,
Preferably it is 1.05-3.00. Like this
To obtain a polymer with a molecular weight distribution, anionic polymerization, radical
It is preferable to use a technique such as polymerization. In the general formula (II), R21 represents a hydrogen atom.
Or represents a methyl group, and R22 is not decomposed by the action of an acid.
R23 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group.
Group, aryl group, alkoxy group, acyl group or acyl group
Represents a loxy group. n represents an integer of 1 to 3. R21 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A group that does not decompose by the action of an acid in R22 (acid stabilizing group
Also known as hydrogen, halogen, alkyl
Group, cycloalkyl group, alkenyl group, aryl group,
Alkyloxy group (excluding -O-tertiary alkyl)
), Acyl group, cycloalkyloxy group, alkenyl
Oxy group, aryloxy group, alkylcarbonyloxy
Si group, alkylamidomethyloxy group, alkylamide
Group, arylamidomethyl group, arylamido group, etc.
I can get lost. The acid stabilizing group is preferably an acyl group, an
Alkylcarbonyloxy group, alkyloxy group, cyclo
Alkyloxy group, aryloxy group, alkylamide
An oxy group and an alkylamide group, more preferably
Sil group, alkylcarbonyloxy group, alkyloxy
Group, cycloalkyloxy group, aryloxy group
The In the acid stable group of R22, an alkyl group and
A methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl
Group, such as sec-butyl group, t-butyl group, 1 to
4 are preferred, and the cycloalkyl group is
Ropropyl, cyclobutyl, cyclohexyl,
Those with 3 to 10 carbon atoms such as a damantyl group are preferred.
Alkenyl groups include vinyl, propenyl, and
Those having 2 to 4 carbon atoms such as a ryl group and a butenyl group are preferred.
As the alkenyl group, a vinyl group, a propenyl group,
Those having 2 to 4 carbon atoms such as allyl group and butenyl group are preferred.
Preferably, aryl groups include phenyl, xylyl,
Toluyl, cumenyl, naphthyl, anthracenyl
A group having 6 to 14 carbon atoms such as a group is preferred. Alkoki
Si groups include methoxy, ethoxy and hydroxy groups.
Toxi group, propoxy group, hydroxypropoxy group, n
-Butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, etc.
The C1-C4 alkoxy group of these is preferable. As a halogen atom in R23
Is preferably fluorine, chlorine, bromine or iodine, and an alkyl group
As methyl, ethyl, propyl, n-butyl, s
ec-butyl, t-butyl, hexyl, octyl, etc.
Such an aryl group having 1 to 8 carbon atoms is preferable.
Phenyl, xylyl, toluyl, cumenyl, naphth
Having 6 to 14 carbon atoms such as chill, anthracenyl, etc.
Is preferred. Examples of alkoxy groups include methoxy and ethoxy.
Si, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypro
Poxy, n-butoxy, isobutoxy, sec-butoxy
Preferred are those having 1 to 4 carbon atoms such as t-butoxy.
Preferably, acyl groups include formyl, acetyl, pro
1 to 7 carbon atoms such as panoyl, butanoyl, benzoyl
Those having an acyloxy group such as acetoxy,
Propnoyloxy, butanoyloxy, benzoylo
Those having 2 to 7 carbon atoms such as xy are preferred. The structural unit represented by the general formula (II) is converted into a resin.
By containing, the resin decomposes by the action of acid
And control the solubility in alkaline developer.
The In addition, by introducing this structural unit, rectangularity
Excellent profile can be achieved. Furthermore, the general formula
Effective for adjusting the amount of the structural unit represented by (I)
The In the present invention, the general formula (I
As content of the repeating unit having a group represented by I)
Is preferably 5 mol% to 50 mol% with respect to all repeating units.
More preferably, it is 5 mol% to 35 mol%. Such a structural unit represented by the general formula (II)
Specific examples of the polymerizable monomer at the position include the following.
However, it is not limited to these. [0064] Embedded image[0065] Embedded imageIn the positive photoresist composition of the present invention,
In addition, the structural unit represented by the following general formula (III)
It is preferable to have. [0067] Embedded image In the formula (III), R21 and R23 represent the formula (II)
Means the same substituents as defined for R21 and R23 in
The In the present invention, the general formula (II) in such a resin is used.
As content of the repeating unit having a group represented by I)
Is 30 mol% to 90 mol% with respect to all repeating units
Preferably, more preferably from 35 mol% to 85 mol%
The In these general formula (II) or general formula (III)
The resin containing the structural unit indicated is a phenolic resin or
Reacts with the acid anhydride in the presence of a base to the monomer.
Or with the corresponding halide in the presence of a base
It can be obtained by reacting. In the present invention, it decomposes by the action of an acid,
Trees with groups that increase solubility in alkaline developers
Fat is represented by general formula (I), general formula (II) or general formula (III).
Other monomers as copolymerization components in addition to the structural units represented
Units may be included. The resin used in the present invention has an alkali dissolution rate.
Polyhydride in the synthesis stage to adjust and improve heat resistance
Add a roxy compound to make the polymer main chain polyfunctional aceta
A cross-linking site linked by a diol group may be introduced. Polyhydr
The addition amount of the roxy compound is based on the number of hydroxyl groups in the resin.
0.01 to 10 mol%, preferably 0.05 to 8 mo
1%, more preferably 0.1 to 5 mol%. Poly
Hydroxy compounds include phenolic hydroxyl groups
Examples having 2 to 6 alcoholic hydroxyl groups are preferred.
Preferably the number of hydroxyl groups is 2-4, more preferably
The number of hydroxyl groups is 2 or 3. Specific examples are shown below.
However, the present invention is not limited to these. [0072] Embedded image General formula (I), general formula (II) or general formula
Repeating unit represented by (III) or other polymerizability
Each repeating structural unit from the monomer is one kind or two
A combination of more than one species may be present in the resin. Also
The resin contained in the positive photosensitive composition of the present invention is an alcohol.
In order to maintain good developability for potash developer,
Lucari soluble groups such as phenolic hydroxyl groups, carboxylic acids
Other polymerizable monomers suitable so that a sil group can be introduced
May be copolymerized. The above general formula synthesized by the above method
(I) Repeated structure of general formula (II) or general formula (III)
The molecular weight of the resin having a building unit is the weight average (Mw: poly
Styrene standard) 2,000 or more, preferably 3,000
0 to 200,000, more preferably 5,000
~ 70,000. Also, dispersity (Mw / Mn)
Is preferably 1.0 to 4.0, more preferably 1.0.
~ 3.5, particularly preferably 1.0-3.0, dispersion
The smaller the degree, the better the heat resistance and image formation (pattern profile
Il, defocus latitude, etc.). The above general formula (I), (II) or general formula (II
Positive photosensitive group of resin having repeating structural unit of I)
The content of the composition (excluding the coating solvent) is preferably 50
-99 wt%, more preferably 70-97 wt%
The General formula (I), general formula (II) or general formula
Specific examples of the resin having the repeating structural unit (III) are as follows.
As shown below, the present invention is not limited to these.
Yes. [0077] Embedded image[0078] Embedded image[0079] Embedded image[0080] Embedded image[0081] Embedded image[0082] Embedded image[0083] Embedded imageIn the present invention, the general formula (I),
Repeated structure represented by general formula (II) or general formula (III)
In addition to resins with structural units, resins with acid-decomposable groups
May be used. In the chemically amplified resist in the present invention,
Decomposed by other acids used in the alkaline developer
As a resin having a group that increases solubility in
In the main chain or side chain, or both the main chain and side chain
It is a resin having a group that can be decomposed by. Of these, decomposition with acid
A resin having a group capable of being formed on the side chain is more preferred. Decompose with acid
Preferred groups that may be used are -COOA0 , -OB
0 As a group further including these, -R0 -C
OOA0 Or -Ar-OB0 A group represented by
It is. Where A0 Is -C (R01) (R02) (R03),
-Si (R01) (R02) (R03) Or -C (R04)
(R05) -O-R06Indicates a group. B0 Is -A0 Or -C
O-O-A0 Group (R0 , R01~ R06And Ar is
Synonymous with the following). The acid-decomposable group is preferably silyl ether.
Ether group, cumyl ester group, acetal group, tetra
Dropyranyl ether group, tetrahydropyranyl ester
Group, enol ether group, enol ester group, third
Grade alkyl ether groups, tertiary alkyl esters
Groups, tertiary alkyl carbonate groups, and the like. Even better
Preferably, tertiary alkyl ester group, tertiary alkyl
Carbonate group, cumyl ester group, acetal group, tetra
It is a trahydropyranyl ether group. Next, these acid-decomposable groups become side chains.
As the base resin,
Or -COOH, preferably -R0 -COOH or
It is an alkali-soluble resin having an -Ar-OH group. Example
For example, the alkali-soluble resin described later can be mentioned.
The Alkali dissolution of these alkali-soluble resins
The speed is 0.261N tetramethylammonium hydride
170 (23 ° C.) measured with peroxide (TMAH)
A / sec or more is preferable. Particularly preferably 330A
Per second (A is angstrom). Ma
From the point of achieving a rectangular profile,
Alkali-soluble tree with high transmittance for sima laser light
Fat is preferred. Preferably, at 248 nm with a thickness of 1 μm
The transmittance is 20 to 90%. From this perspective,
Particularly preferred alkali-soluble resins are o-, m-, p-
Poly (hydroxystyrene) and copolymers thereof, water
Basic poly (hydroxystyrene), halogen or a
Rualkyl-substituted poly (hydroxystyrene), poly (hydro
Part of xylene), O-alkylation or O-a)
Silylated product, styrene-hydroxystyrene copolymer, α
-Methylstyrene-hydroxystyrene copolymer and water
It is an elemental novolac resin. It has a group that can be decomposed by an acid used in the present invention.
The resin to be used is an acid-decomposable group of an alkali-soluble resin.
Bonding of groups that can react with precursors or decompose with acids
Combined alkali-soluble resin monomers with various monomers
It can be obtained by copolymerization. The acid generator has a group that can be decomposed by an acid.
Along with resin, acid-decomposable low-molecular-weight dissolution inhibiting compounds described later
May be mixed. Acid-degradable dissolution inhibitor used in the present invention
As a stopping compound, there are few groups that can be decomposed by acid in the structure.
There are at least two, and the distance between the acid-decomposable groups is the longest
In the position, at least the bonding atom excluding the acid-decomposable group is
It is a compound that passes through eight. Also used in the present invention
The acid-decomposable low molecular weight dissolution inhibiting compound is represented by the general formula (X).
It may contain at least one acid-decomposable group. In the present invention, preferably acid-decomposable dissolution
Blocking compounds contain fewer groups that can be decomposed with acid in their structure.
The position where the distance between the acid-decomposable groups is furthest away
And at least 10 bonding atoms excluding the acid-decomposable group.
, Preferably at least 11, more preferably less
There are at least 12 compounds or acid-decomposable groups
The position where the distance between the acid-decomposable groups is the most distant
And at least 9 bond atoms excluding the acid-decomposable group.
, Preferably at least 10, more preferably less
It is a compound that passes through at least 11. In addition, the above bonding atom
The upper limit is preferably 50, more preferably 30
The In the present invention, the acid-decomposable dissolution inhibiting compound has an acid content.
When it has 3 or more, preferably 4 or more decomposable groups,
Even those having two acid-decomposable groups,
When they are separated from each other by a certain distance
Dissolution inhibitory properties for soluble resins are significantly improved. Na
The distance between the acid-decomposable groups in the present invention is the acid-decomposable group.
Indicated by the number of via-bonded atoms, excluding. For example, the following
In the case of compounds (1) and (2), the distance between the acid-decomposable groups is
There are 4 bonding atoms, and in compound (3), 12 bonding atoms.
It is a piece. [0091] Embedded image The acid-decomposable dissolution inhibiting compound of the present invention
Has a plurality of acid-decomposable groups on one benzene ring.
Preferably, one on one benzene ring
A compound composed of a skeleton having an acid-decomposable group of
The Furthermore, the molecular weight of the acid-decomposable dissolution inhibiting compound of the present invention is
3,000 or less, preferably 500 to 3,000
0, more preferably 1,000 to 2,500. In a preferred embodiment of the invention, the acid
Decomposable by the group, i.e. -COO-A0, -OB0Base
Examples of the group containing -R0-COO-A0Or -Ar-
OB0The group shown by these is mentioned. Where A0Is -C
(R01) (R02) (R03), -Si (R01) (R02)
(R0 Three) Or -C (R04) (R05) -O-R06Group
Show. B0A0Or -CO-O-A0Indicates a group.
R01, R02, R03, R04And R05Are the same
It may be different, hydrogen atom, alkyl group, cycloa
Represents an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group, R
06Represents an alkyl group or an aryl group. However, R01
~ R03At least two of these are groups other than hydrogen atoms,
R01~ R03And R04~ R06Two groups of
To form a ring. R0Has a substituent
Good divalent or higher aliphatic or aromatic hydrocarbon group
-Ar- has a monocyclic or polycyclic substituent.
Or a divalent or higher aromatic group. Here, the alkyl group includes a methyl group and an alkyl group.
Til, propyl, n-butyl, sec-butyl
Group having 1 to 4 carbon atoms such as t-butyl group is preferred.
Cycloalkyl groups include cyclopropyl and cyclyl groups.
Such as butyl, cyclohexyl, and adamantyl groups
Those having 3 to 10 carbon atoms are preferred,
Of vinyl, propenyl, allyl, and butenyl groups
Are preferably those having 2 to 4 carbon atoms such as aryl groups.
Are phenyl, xylyl, toluyl, cumenyl
Group having 6 to 1 carbon atoms such as naphthyl group and anthracenyl group
Four are preferred. Moreover, as a substituent, a hydroxyl group,
Halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), nitro
Group, cyano group, the above alkyl group, methoxy group, ethoxy group
Si group, hydroxyethoxy group, propoxy group, hydroxy
Cypropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, s
alkoxy groups such as ec-butoxy group and t-butoxy group,
Alkyl such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group
Coxycarbonyl group, benzyl group, phenethyl group, kumi
Aralkyl groups such as ru groups, aralkyloxy groups, formyl
Group, acetyl group, butyryl group, benzoyl group, cyanami
Such as an acyl group such as an alkyl group, valeryl group, butyryloxy group, etc.
An acyloxy group, the above alkenyl group, a vinyloxy group,
Propenyloxy, allyloxy, butenyloxy
Alkenyloxy groups such as the above groups, the above aryl groups,
Aryloxy groups such as xy groups, benzoyloxy groups, etc.
An aryloxycarbonyl group can be mentioned. Preferred as a group that can be decomposed by an acid
Is a silyl ether group, cumyl ester group, acetal
Group, tetrahydropyranyl ether group, enol ether
Group, enol ester group, tertiary alkyl ether
Group, tertiary alkyl ester group, tertiary alkyl group
-Bonate groups and the like. More preferably, the tertiary alkyl
Ruester group, tertiary alkyl carbonate group, cumyl
An ester group and a tetrahydropyranyl ether group. Preferred as an acid-decomposable dissolution inhibiting compound
JP-A-1-289946, JP-A-1-2899.
47, JP-A-2-2560, JP-A-3-12895
9, JP-A-3-158855, JP-A-3-1793
53, JP-A-3-191351, JP-A-3-200
No. 251, JP-A-3-200252, JP-A-3-20
No. 0253, Japanese Patent Laid-Open No. 3-200254, Japanese Patent Laid-Open No. 3-2
No. 00255, JP-A-3-259149, JP-A-3-259
279958, JP-A-3-279959, JP-A-4
-1650, JP-A-4-1651, JP-A-4-11
260, JP-A-4-12356, JP-A-4-123
No. 57, Japanese Patent Application No. 3-33229, Japanese Patent Application No. 3-2307
No. 90, Japanese Patent Application No. 3-320438, Japanese Patent Application No. 4-251
No. 57, Japanese Patent Application No. 4-52732, Japanese Patent Application No. 4-1032
No. 15, Japanese Patent Application No. 4-104542, Japanese Patent Application No. 4-107
No. 885, Japanese Patent Application Nos. 4-107889 and 4-1521
Of polyhydroxy compounds described in specifications such as No. 95
Some or all of the phenolic OH groups are shown above.
Group, -R0-COO-A0Or B0Bonded by group and protected
Compound. More preferably, JP-A-1-289946.
No. 3, JP-A-3-128959, JP-A-3-15885
5, JP-A-3-179353, JP-A-3-2002
No. 51, JP-A-3-200262, JP-A-3-200
No. 255, JP-A-3-259149, JP-A-3-27
No. 9958, JP-A-4-1650, JP-A-4-112
No. 60, JP-A-4-12356, JP-A-4-1235
No. 7, Japanese Patent Application No. 4-25157, Japanese Patent Application No. 4-10321
No. 5, Japanese Patent Application No. 4-104542, Japanese Patent Application No. 4-1078
No. 85, Japanese Patent Application No. 4-1078889, No. 4-15219
Using the polyhydroxy compound described in the specification of No. 5
Can be mentioned. More specifically, the general formulas [I] to [XV
I]. [0099] Embedded image [0100] Embedded imageR101, R102, R108, R130: Same or different
May be a hydrogen atom, -R0-COO-C (R
01) (R 02) (R03) Or -CO-O-C (R01) (R
02) (R03) However, R0, R01, R02And R03Definition of
Is the same as above. R100: -CO-, -COO-, -NHC
ONH-, -NHCOO-, -O-, -S-, -SO
-, -SO2-, -SOThree-Or [0103] Embedded image Here, G = 2 to 6 However, when G = 2,
R150, R151At least one of them is an alkyl group, R150, R151: Same or different, hydrogen source
Child, alkyl group, alkoxy group, -OH, -COOH,
-CN, halogen atom, -R152-COOR153Or
-R15 Four-OH, R152, R154: Alkylene group, R153: Hydrogen atom, alkyl group, aryl group, or
Aralkyl group, R99, R103~ R107, R109, R111~ R118, R131~ R
134: May be the same or different, hydrogen atom, hydroxyl group, a
Alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, acyl group
Reel group, aryloxy group, aralkyl group, aralkyl
Ruoxy group, halogen atom, nitro group, carboxyl
Group, cyano group, or -N (R155) (R156) (R
155, R156: H, alkyl group, or aryl
Base) R110: Single bond, alkylene group, or [0105] Embedded image R157, R159: Same or different,
Single bond, alkylene group, -O-, -S-, -CO-,
Or a carboxyl group, R158: Hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, acyl
Group, acyloxy group, aryl group, nitro group, hydroxyl group,
An ano group or carboxyl group, provided that the hydroxyl group has an acid content.
Decomposable groups (eg, t-butoxycarbonylmethyl, te
A trahydropyranyl group, a 1-ethoxy-1-ethyl group,
1-t-butoxy-1-ethyl group)
Yes. R119, R120: Same or different,
Methylene group, lower alkyl substituted methylene group, halomethyl
Group or haloalkylene group, provided that in the present invention
The lower alkyl group refers to an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, A: Methylene group, lower alkyl-substituted methylene group, halogen
Tylene group or haloalkylene group, a to v, g1 to n1:
When plural, the groups in parentheses may be the same or different,
a to q, s, t, v, g1 to i1, k1 to m1: 0 or 1 to 5
Number, r, u: 0 or an integer from 1 to 4, j1, n1: 0
Or an integer from 1 to 3, (a + b), (e + f + g), (k + l + m), (q + r + s), (g1 + h1 + i1 + j1) ≧ 2,
(j1 + n1) ≦ 3, (r + u) ≦ 4, (a + c), (b + d), (e + h), (f + i), (g + j), (k + n), (l + o), (m + p), (q
+ t), (s + v), (g1 + k1), (h1 + l1), (i1 + m1) ≦ 5, Represents. [0108] Embedded image[0109] Embedded image[0110] Embedded imageIn this case, the content of the dissolution inhibiting compound is not sensitive.
3 to 4 based on the total weight of the light composition (excluding the solvent)
5% by weight, preferably 5-30% by weight, more preferably
10 to 20% by weight. Furthermore, in order to adjust the alkali solubility,
Mixing alkali-soluble resins that do not have acid-decomposable groups
May be. As such an alkali-soluble resin,
For example, novolac resin, hydrogenated novolac resin, aceto
-Pyrogallol resin, o-polyhydroxystyrene,
m-polyhydroxystyrene, p-polyhydroxystyrene
Ren, hydrogenated polyhydroxystyrene, halogen or
Is alkyl-substituted polyhydroxystyrene, hydroxys
Tylene-N-substituted maleimide copolymers, o / p- and m
/ P-hydroxystyrene copolymer, polyhydroxys
Partially O-alkylated product of hydroxyl group of tylene (for example,
5-30 mol% O-methylated product) or O-
Acylates (eg, 5-30 mol% o-acetylated)
), Styrene-maleic anhydride copolymer, styrene
-Hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-
Hydroxystyrene copolymer, carboxyl group-containing meta
Examples thereof include cryl-based resins and derivatives thereof.
It is not limited to these. Particularly preferred alk
Resoluble resins are novolak resin and o-polyhydroxy
Styrene, m-polyhydroxystyrene, p-polyhydride
Roxystyrene and their copolymers, alkyl-substituted polymers
Rehydroxystyrene, part of polyhydroxystyrene
O-alkylated or O-acylated product, styrene-
Hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-H
Droxystyrene copolymer. The novolac resin is
In the presence of an acidic catalyst with a predetermined monomer as the main component,
It can be obtained by addition condensation with aldehydes. As the predetermined monomer, phenol, m
-Cresol, p-cresol, o-cresol, etc.
Resols, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol
, 3,4-xylenol, 2,3-xylenol, etc.
Silenols, m-ethylphenol, p-ethylphenol
Nord, o-ethylphenol, pt-butylpheno
, P-octylphenol, 2,3,5-trimethyl
Alkylphenols such as phenol, p-methoxyph
Enol, m-methoxyphenol, 3,5-dimethyl
Siphenol, 2-methoxy-4-methylphenol,
m-ethoxyphenol, p-ethoxyphenol, m
-Propoxyphenol, p-propoxyphenol,
such as m-butoxyphenol, p-butoxyphenol, etc.
Alkoxyphenols, 2-methyl-4-isopropyl
Bisalkylphenols such as ruphenol, m-chloro
Lophenol, p-chlorophenol, o-chlorofe
Nord, dihydroxybiphenyl, bisphenol A,
Phenylphenol, resorcinol, naphthol, etc.
Hydroxy aroma compound alone or in combination
However, it is not limited to these
There is no. Examples of aldehydes include formal.
Dehydr, paraformaldehyde, acetaldehyde,
Lopionaldehyde, benzaldehyde, phenylacetate
Toaldehyde, α-phenylpropyl aldehyde, β-
Phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzua
Rudehydr, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydride
Roxybenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde
, M-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenza
Rudehydr, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobe
Aldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o-me
Tilbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde,
p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzalde
Hydride, pn-butylbenzaldehyde, furfura
, Chloroacetaldehyde and their acetals
Bodies such as chloroacetaldehyde diethyl acetal
Etc., but in these, formua
Preferably, aldehyde is used. These aldehydes
Can be used alone or in combination of two or more
The Acid catalysts include hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid,
An acid or the like can be used. The weight average of the novolak resin thus obtained
The average molecular weight should be in the range of 1000-30000
preferable. If it is less than 1000, film loss after development of the unexposed area is reduced.
If it is large and exceeds 30000, the developing speed will decrease.
End up. Particularly preferred is the range of 2000 to 20000
is there. In addition, the polyhydroxy other than the novolak resin
Weight average molecular weight of styrene, its derivatives and copolymers
Is 2000 or more, preferably 5000-20000
0, more preferably 10,000 to 100,000.
From the viewpoint of improving the heat resistance of the resist film
Is preferably 25000 or more. Where the weight average molecule
The amount is the gel permeation chromatography police
It is defined with a chilled value. This in the present invention
Use two or more of these alkali-soluble resins.
Also good. Of these alkali-soluble resins in the present invention.
The addition amount in the composition is preferably 5 to 30% by weight.
It is. The acid generator (b) used in the present invention is active.
It is a compound that generates an acid upon irradiation with actinic radiation. Main departure
Actinic radiation (electron) as acid generator (b) used in light
A compound that generates acid upon irradiation with a daughter beam, X-ray or EUV.
A resist film containing an acid generator (b) is active
Compound that generates acid when irradiated with radiation
You just have to. That is, the acid generator is directly irradiated.
Even for compounds that generate acid, the resin
Secondary electrons are emitted from the constituents, thereby generating acid.
It may be a compound. This used in the present invention
Such compounds can be decomposed by irradiation with actinic radiation.
It can be used as long as it generates an acid.
Photoinitiator for photosynthesis, photoinitiator for photoradical polymerization, light of pigments
Used for decolorizers, photochromic agents, or microresists
Known light (400-200 nm ultraviolet, far
Ultraviolet rays, particularly preferably g-line, h-line, i-line, KrF
Excimer laser light), ArF excimer laser light, X
Compound that generates acid by beam, molecular beam or ion beam
And a mixture of them and use as appropriate.
You can. For example, diazonium salt, ammonium
Salt, phosphonium salt, iodonium salt, sulfonium
Onium salts such as salts, selenonium salts and arsonium salts,
Organic halogen compounds, organometallic / organic halides, o
-Iminos, an acid generator having a nitrobenzyl-type protecting group
Photolysis, such as sulfonate, generates sulfonic acid.
Compounds and disulfone compounds produced
The Further, these acid-generating groups, or
Use a compound with a compound introduced into the main chain or side chain of the polymer
Can be. Furthermore, V.N.R.Pillai, Synthesis, (1), 1 (198
0), A. Abad etal, Tetrahedron Lett., (47) 4555 (1971),
D.H.R.Barton etal, J. Chem. Soc., (C), 329 (1970), USA
The light described in Patent No. 3,779,778, European Patent No. 126,712, etc.
A compound capable of generating an acid can also be used. In the present invention, the acid generator (b) is used.
Actives represented by the above general formulas (A-1) to (A-7)
The compound that generates sulfonic acid when irradiated with actinic radiation
Preferably used. Hereinafter, the general formulas (A-1) to (A-
The compound represented by 7) will be described in detail. It is represented by the general formulas (A-1) to (A-3)
Acid generator R in the general formulas (A-1) to (A-3)1~ R6
And R7~ RTenAs the alkyl group, it has a substituent.
Methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl
1 carbon number such as a group, sec-butyl group, t-butyl group
There are ~ 4. As a cycloalkyl group
May have a substituent, cyclopropyl group, cyclo
3-8 carbon atoms such as pentyl and cyclohexyl groups
Can be mentioned. As an alkoxy group, methoxy
Group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy
Group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group
Those having 1 to 4 carbon atoms such as cis-group and t-butoxy group
Can be mentioned. Halogen atoms include fluorine and chlorine
An atom, a bromine atom, and an iodine atom can be mentioned. Ant
Examples of the group include phenyl group, tolyl group, methoxyphenol
Carbon which may have a substituent such as a nyl group or a naphthyl group
A thing of several 6-14 pieces is mentioned. The substituent preferably has 1 to 4 carbon atoms.
Alkoxy group, halogen atom (fluorine atom, chlorine atom
Child, iodine atom), aryl group having 6 to 10 carbon atoms, carbon
Several to six alkenyl groups, cyano groups, hydroxy groups,
Carboxy group, alkoxycarbonyl group, nitro group etc.
Can be mentioned. The general formula (A-1)-
Sulfonium represented by (A-3), iodinated
The compound is its counter anion, X-(A) linear,
Branched or cyclic alkyl sulfone having 1 to 12 carbon atoms
An anion of acid, part or all of its hydrogen atoms are fluorine
Optionally substituted by atoms, or (b) branched or ring
Group of alkyl and alkoxy groups having 8 or more carbon atoms
Having at least one group selected from
, Branched or cyclic alkyl groups having 4 to 7 carbon atoms and
At least two groups selected from the group of alkoxy groups
A linear or branched alkyl having 1 to 3 carbon atoms
Less groups selected from the group consisting of
Have 3 or 1 to 5 halogen atoms
Or linear or branched carbon having 1 to 10 carbon atoms.
Benzene sulfonic acid with ter group, naphthalene sulfo
An anion of acid or anthracene sulfonic acid
The As a result, the acid generated after exposure (benZe having the above group).
Zen sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, or anthra
Sensulphonic acid) is reduced in diffusibility, and the sulfone
Solvent solubility of nium and iodonium compounds is improved.
In particular, from the viewpoint of reducing diffusivity,
From a straight-chain alkyl group or alkoxy group.
Is preferably a cyclic alkyl group or an alkoxy group.
When the number of the above groups is one, linear and branched or cyclic expansion
The difference in dispersity becomes more pronounced. [0124] C8 or more, preferably C8-2
Zero alkyl groups include branched or cyclic octyl
Group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group,
Tridecyl group, tetradecyl group, octadecyl group, etc.
I can get lost. 8 or more carbon atoms, preferably 8 to 20 carbon atoms
As an alkoxy group, branched or cyclic octyl
Oxy, nonyloxy, decyloxy, undec
Ruoxy group, dodecyloxy group, tridecyloxy group,
Examples include tetradecyloxy group and octadecyloxy group
It is done. As an alkyl group having 4 to 7 carbon atoms, a straight chain
, Branched or cyclic butyl group, pentyl group, hexyl
Group, heptyl group and the like. Al with 4 to 7 carbon atoms
The alkoxy group includes linear, branched or cyclic butoxy
Group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptylo
And a xyl group. As the alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,
Til group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group
Can be mentioned. As an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms,
Methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropyl
A poxy group is mentioned. As halogen atom, fluorine
Mention atoms, chlorine atoms, bromine atoms, iodine atoms.
And preferably a fluorine atom. Linear, branched or
Examples of cyclic esters having 1 to 10 carbon atoms include methyl ester.
Steal group, ethyl ester group, n-propyl ester
Group, i-propyl ester group, n-butyl ester group,
i-butyl ester group, t-butyl ester group, n-he
Xyl ester group, i-hexyl ester group, t-hex
Silester group, n-heptyl ester group, i-heptyl
Ruester group, t-heptyl ester group, n-octyl
Ester group, i-octyl ester group, t-octyl ester
Steal, n-nonyl ester group, i-nonyl ester
Group, t-nonyl ester group, n-decanyl ester group,
i-decanyl ester group, t-decanyl ester, cycl
Ropropyl ester group, cyclobutyl ester group,
Lopentyl ester group, cyclohexyl ester group,
Chloheptyl ester group, cyclooctyl ester group,
Cyclononyl ester group, cyclodecanyl ester group, etc.
Is mentioned. Linear, branched or cyclic carbon number 1-12
Group in the anion of one alkyl sulfonic acid
Is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms,
For example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl
Group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl
Group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl
And the like, alkyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, etc.
Can do. In addition, X-Alkyl sulfone represented by
In acid and aromatic sulfonic acid, in addition to the above specific substituents,
Halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine
Atom), aryl group having 6 to 10 carbon atoms, cyano group,
Rufido group, hydroxy group, carboxy group, nitro group, etc.
May be contained as a substituent. Specific examples of these compounds (A-1) are shown below.
-1) to (A-1-66), (A-2-1) to (A-2)
-59), (A-3-1) to (A-3-35) are shown.
However, the present invention is not limited to this. [0129] Embedded image[0130] Embedded image[0131] Embedded image [0132] Embedded image[0133] Embedded image[0134] Embedded image[0135] Embedded image[0136] Embedded image[0137] Embedded image[0138] Embedded image[0139] Embedded image[0140] Embedded image[0141] Embedded image [0142] Embedded image[0143] Embedded image[0144] Embedded image[0145] Embedded image[0146] Embedded image[0147] Embedded image[0148] Embedded image[0149] Embedded image[0150] Embedded image[0151] Embedded image[0152] Embedded image[0153] Embedded image[0154] Embedded image[0155] Embedded image[0156] Embedded image[0157] Embedded image In the specific examples, n is a straight chain, s is a secondary, t
Indicates tertiary, i indicates branching. General formula (A-
The compounds represented by 1) to (A-3) correspond, for example,
Cl-Salt (in formulas (A-1) to (A-3)-Cl-
And a compound substituted with-Y+A compound represented by the formula (X
-Is synonymous with the case of general formulas (A-1) to (A-3).
Y+Is H+, Na+, K+, NHFour +, N (CHThree)Four + etc
Of the cation. ) And salt exchange in aqueous solution
Can be synthesized. Represented by the general formulas (A-4) and (A-5)
Acid generator In the general formulas (A-4) and (A-5), R11~ R13,
R14~ R16Alkyl group, cycloalkyl group,
Lucoxy group, halogen atom is R1~ RFiveSimilar to
Can be given as a specific example. R6, X
-Is as defined above. Further, when l, m, and n are each 2 or 3,
2 or 3 R11~ R13Or R 14~ R16Each of
Two of them bonded together to form a carbocyclic, heterocyclic or aromatic ring
You may form the ring which consists of 5-8 elements containing. The compound represented by the general formula (A-4) is shown below.
Specific examples of products (A-4-1) to (A-4-28), general formula
Specific examples of the compound represented by (A-5) (A-5-1) to
(A-5-30) is shown but is not limited to this.
Absent. [0162] Embedded image [0163] Embedded image[0164] Embedded image[0165] Embedded image[0166] Embedded image[0167] Embedded image[0168] Embedded image [0169] Embedded image[0170] Embedded image[0171] Embedded image[0172] Embedded image [0173] Embedded image In the specific examples, n is a straight chain, s is a secondary, t
Indicates tertiary, i indicates branching. General formula (A-
4) The compounds represented by (A-5) correspond, for example,
Cl-Salt (general formula (A-4), (A-5)-Cl-
And a compound substituted with-Y+A compound represented by the formula (X
-Is the same as in the general formulas (A-4) and (A-5), Y+Is
H +, Na+, K+, NHFour +, N (CH3)Four +Cations etc.
Indicates. ) And salt exchange in aqueous solution
it can. Acid generator represented by general formula (A-6) Y and R in the general formula (A-6)31~ R51Straight
Chain, branched, and cyclic alkyl groups include methyl and ethyl
Group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-
Butyl group, t-butyl group, hexyl group, octyl group
Such straight-chain or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms and
Chloropropyl group, cyclopentyl group or cyclohexyl
And cyclic alkyl groups such as groups. Preferred alkyl group
New substituents include alkoxy groups, acyl groups, and acyloxy groups.
Si group, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, etc.
The In addition, the aralkyl group of Y is benzyl.
Group having 7 to 12 carbon atoms such as phenethyl group or phenethyl group
An aralkyl group may be mentioned. Preferred substitution of aralkyl groups
The group includes a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and 1 carbon atom.
-4 lower alkoxy group, nitro group, acetylamino
Group, halogen atom and the like. R31~ R51As an alkoxy group of
Si group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group,
n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, t
-Of butoxy group, octyloxy group, dodecyloxy group
Such an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms or ethoxy group
And alkoxy groups having a substituent such as a toxi group.
The Acyl groups include acetyl, propionyl, and
Nzoyl group and the like. As acylamino group
Acetylamino group, propionylamino group, benzoyl
An amino group etc. are mentioned. As a sulfonylamino group
Is methanesulfonylamino group, ethanesulfonylamino group
A sulfonylamino group having 1 to 4 carbon atoms such as a group, p-tolu
Substituted or unsubstituted benzene such as enesulfonylamino group
And benzenesulfonylamino group. An aryl group and
Examples include phenyl, tolyl, and naphthyl groups.
It is. As an alkoxycarbonyl group, methoxycarbo
Nyl group, ethoxycarbonyl group, ethoxyethoxycal
Bonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxy
Alkoxy groups having 2 to 20 carbon atoms such as a sicarbonyl group
A rubonyl group. As an acyloxy group, an acetoxy group, a pro
Panoyloxy group, octanoyloxy group, benzoyl
There are acyloxy groups with 2 to 20 carbon atoms such as oxy groups.
I can get lost. Aralkyl groups are substituted or unsubstituted
7 carbon atoms such as dil group, substituted or unsubstituted phenethyl group
There are ˜15 aralkyl groups. Aralkyl group
Preferred substituents are the same as those listed above.
can give. R31~ R51In R31~ R35, R36
~ R42And R43~ R51Are two of each group
Combined to form a 5- to 8-membered ring consisting of carbon and / or heteroatoms.
It may be formed. Examples of such 5- to 8-membered rings include
For example, cyclohexane, pyridine, furan or pyrrolidine
Can be given. X and Y are other imide sulfonates.
It may be bound to the residue of the compound.
It may be formed. As another imide sulfonate
Is a compound represented by the general formula (A-6), wherein X or Y is
By the way, there is a monovalent group. As the alkylene group for X, linear or branched
An alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a hetero atom
A monocyclic or polycyclic alkylene group which may contain
Can be mentioned. As a linear or branched alkylene group,
Len group, ethylene group, propylene group or octylene group
I can give it. As a preferred substituent of the alkylene group
Is an alkoxy group, acyl group, formyl group, nitro group,
Silamino group, sulfonylamino group, halogen atom, a
Examples thereof include a reel group and an alkoxycarbonyl group. here
Alkoxy group, acyl group, nitro group, acyl group
Mino group, sulfonylamino group, aryl group, alkoxy
The carbonyl group is R31~ R51It is synonymous with what was mentioned in.
Halogen atoms include fluorine, chlorine and bromine
Examples include a child and an iodine atom. As the cyclic alkylene group, cyclopentylene is used.
Single group having 4 to 8 carbon atoms such as chlorobenzene group, cyclohexylene group, etc.
A ring cycloalkylene group, 7-oxabicyclo [2.2.
1] Polycyclic cyclohexane having 5 to 15 carbon atoms such as heptylene group
An alkylene group, and a cycloalkylene group is preferred.
Examples of the substituent include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms,
Coxy group, acyl group, formyl group, nitro group, acyl group
Mino group, sulfonylamino group, halogen atom, aryl
Group and alkoxycarbonyl group. Cited here
Alkoxy group, acyl group, nitro group, acylamino
Group, sulfonylamino group, aryl group, alkoxycal
Bonyl group is R31~ R51It is synonymous with what was mentioned in. Halo
Gen atoms include fluorine, chlorine, bromine, and iodine.
A boron atom can be mentioned. The arylene group includes a phenylene group and naphth
Tylene group etc. are mentioned. Preferred substitution of arylene groups
Groups include alkyl groups, cycloalkyl groups, and alkoxy
Group, acyl group, formyl group, nitro group, acylamino
Group, sulfonylamino group, halogen atom, aryl group,
An alkoxycarbonyl group is mentioned. A
Alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl
Group, formyl group, nitro group, acylamino group, sulfoni
Ramino group, aryl group, alkoxycarbonyl group is R
31~ R51It is synonymous with what was mentioned in. As halogen atoms
Include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
I can make it. The alkenylene group has 2 to 4 carbon atoms.
Alkenylene groups such as ethenylene group, butene
Nylene group and the like, preferred substitution of alkenylene group
Groups include alkyl groups, cycloalkyl groups, and alkoxy
Group, acyl group, formyl group, nitro group, acylamino
Group, sulfonylamino group, halogen atom, aryl group,
An alkoxycarbonyl group is mentioned. A
Alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl
Group, formyl group, nitro group, acylamino group, sulfoni
Ramino group, aryl group, alkoxycarbonyl group is R
31~ R51It is synonymous with what was mentioned in. As halogen atoms
Include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
I can make it. Cyclic alkenylene groups are cyclo
Carbon number such as pentenylene group, cyclohexenylene group, etc.
4-8 monocyclic cycloalkenylene groups, 7-oxabici
Chloro [2.2.1] heptenylene group, norbornenylene
C5-C15 polycyclic cycloalkenylene group such as a group
Is mentioned. As an aralkylene group, a tolylene group,
Xylylene group and the like.
Examples thereof include the substituents exemplified for the -len group. In the following, these are represented by the general formula (A-6).
Specific examples of compounds (A-6-1) to (A-6-49)
However, the present invention is not limited to this. [0185] Embedded image [0186] Embedded image[0187] Embedded image [0188] Embedded image[0189] Embedded image [0190] [Chemical Formula 86][0191] Embedded image [0192] Embedded image[0193] Embedded imageThe compound represented by formula (A-6) is G.
F. Jaubert, Ber .. 28, 360 (1895), D.E.Ames, etc.
Written by J.Chem.Soc..3518 (1955) or M.A.Stol
berg et al., J. Am. Chem. Soc. 79, 2615 (1957)
N-hydroxyimide compound and sulfone synthesized accordingly
Acid chloride and basic conditions, for example, L. Bauer et al., J.
Org.Chem..24,1294 (1959)
Is possible. Acid generator represented by general formula (A-7) In general formula (A-7), Ar1, Ar2Is the same or different
A substituted or unsubstituted aryl group. here
And aryl groups include phenyl, tolyl, naphth
A til group etc. are mentioned. As a substituent of the aryl group
Is an alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group,
Sil group, formyl group, nitro group, acylamino group, sulfo group
Phonylamino group, halogen atom, aryl group, alkoxy
A cicarbonyl group may be mentioned. Alkyl mentioned here
Group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl group,
Mill group, nitro group, acylamino group, sulfonylamino
Group, aryl group, alkoxycarbonyl group31~
R51It is synonymous with what was mentioned in. As halogen atom
List fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom
be able to. Ingredients of acid generator represented by formula (A-7)
As examples, the following compounds (A-7-1) to (A-
7-14), but is limited to these.
There is no. [0197] Embedded image[0198] Embedded image Acid generator represented by the above general formula (A-7)
As a synthesis of Sea. Denser. Junior. Et
"Journal of Organic Chemistry"
(G.C.Denser, Jr. et al., `` Journal of Organic Chemi
stry ") 31, 3418-3419 (1966). Pi
-. By Hildeich, Journal of the Chemical
  Society (Journal of the C by T.P.Hilditch
he mi cal Society ”) 93, 1524-1527 (1908)
Method or Oh. By Hinsberg "Berichte der
  Deutsche Hemicie Gezelshaft (O. Hinsbe
rg, "Berichte der Deutschen Chemischen Gesellsc
haft ”) 49, 2593-2594 (1918)
Can be synthesized. That is, in sulfuric acid aqueous solution, sulfuric acid
Cobalt and sulfinic acid represented by the general formula (a)
More synthetic methods, using ethyl xanthate,
One synthesized from sulfonic acid chloride represented by formula (b)
The method represented by the general formula (a) under basic or basic conditions
Rufinic acid and sulfonic acid chloride represented by the general formula (b)
And the like. Ar1 -SO2H (a) Ar2 -SO2Cl (b) (Where Ar1, Ar2Is defined by the general formula (A-7)
It has the same meaning as ) In the present invention, the above general formula (A-1)
Among the acid generators represented by (A-7), the general formula (A-
Acid generators represented by 1) to (A-5) are preferred, and more
Preferably acids represented by general formulas (A-1) to (A-4)
It is a generator. This further improves resolution and sensitivity.
It becomes like this. In the present invention, an acid generator (preferably one
Composition of general formulas (A-1) to (A-7)
The content in the product is 0.1-25 with respect to the solid content of the whole composition.
% By weight is preferred, more preferably 1-15% by weight,
Preferably, it is 2 to 10% by weight. Furthermore, in the present invention, the above general formula (A
-1) to (A-7) and the acid generator
Combined use of acid generators represented by general formulas (B-1) to (B-5)
You may do it. The general formulas (B-1) to (B-
5) The structure on the cation side of the acid generator represented by
It is represented by the corresponding general formulas (A-1) to (A-5).
The structure is the same as that on the cation side. In addition, the corresponding
Nion (Y-Is an anion of the above general formula (A-1)
(X-) Anion of sulfonic acid (SO)Three -)
This is the same as that replaced with the anion of rubonic acid. The amount of the acid generator that can be used in combination is the total acid.
1 to 80% by weight is preferable with respect to the generator, and 10 to 50%.
More preferred is weight percent. Specific examples of these compounds are shown below.
However, the present invention is not limited to this. [0205] Embedded image [0206] Embedded image[0207] Embedded image [0208] Embedded image[0209] Embedded image [0210] Embedded image [0211] Embedded image[0212] Embedded image[0213] Embedded image[0214] Embedded image[0215] Embedded image[0216] Embedded image[0217] Embedded image[0218] Embedded image[0219] Embedded image [0220] Embedded image [0221] Embedded image[0222] Embedded image[0223] Embedded image[0224] Embedded image The composition of the present invention contains an organic basic compound.
Can be used. This improves stability during storage.
And line width change due to PED is further reduced
Therefore, it is preferable. Preferred presence that can be used in the present invention
Basic compounds are more basic than phenol
It is a compound. Of these, nitrogen-containing basic compounds are preferred. Good
As a favorable chemical environment, the following structures (A) to (E)
Can be mentioned. [0226] Embedded imageFurther preferable compounds are nitrogen-containing cyclic compounds.
Product (also called cyclic amine compound) or different in one molecule
A nitrogenous base having two or more nitrogen atoms in a chemical environment
It is a sex compound. Cyclic amine compounds include polycyclic structures
It is more preferable that Preferred cyclic amine compounds
As specific examples, compounds represented by the following general formula (F)
Is mentioned. [0228] Embedded image In the formula (F), Y and Z are each independently
A straight chain, which may contain a
Represents a cyclic alkylene group. Where heteroatoms
Examples thereof include a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom. A
The alkylene group preferably has 2 to 10 carbon atoms,
More preferably, it is 2-5. Placement of alkylene group
As the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, aryl
Group, alkenyl group, halogen atom, halogen-substituted group
Examples include an alkyl group. Furthermore, it is represented by the general formula (F)
Specific examples of the compound include the compounds shown below.
The [0230] Embedded image Of these, 1,8-diazabicyclo
[5.4.0] Undec-7-ene, 1,5-diazabi
Cyclo [4.3.0] non-5-ene is particularly preferred. Nitrogen atoms of different chemical environments in one molecule
Particularly preferred as a nitrogen-containing basic compound having two or more.
Or a substituted or unsubstituted amino group and a nitrogen atom.
Compounds containing both ring structures or alkylamino groups
It is a compound which has this. Preferred examples include substitution
Or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted
Minopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpi
Lysine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted
Or unsubstituted indazole, substituted or unsubstituted
Pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted
Or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted pre
Substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or
Unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazi
Substituted, unsubstituted aminomorpholine, substituted
Or unsubstituted aminoalkylmorpholine.
It is. Preferred substituents are amino group, aminoalkyl
Group, alkylamino group, aminoaryl group, aryl group
Mino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acylo
Xyl group, aryl group, aryloxy group, nitro group, water
An acid group and a cyano group. As particularly preferred compounds, guanidine,
1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetrame
Tilguanidine, 2-aminopyridine, 3-aminopyri
Gin, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridy
4-dimethylaminopyridine, 2-diethylamino
Pyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino
-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridy
, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6
-Methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4-a
Minoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazi
, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-
Aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6
-Tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidi
, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl)
Pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyra
Sol, 5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyra
Zole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methyl
Pyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine,
4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3
-Pyrazoline, N-aminomorpholine, N- (2-a
Minoethyl) morpholine, trimethylimidazole,
Triphenylimidazole, methyldiphenylimidazo
However, it is not limited to this. These nitrogen-containing basic compounds are used alone.
Or two or more are used together. Nitrogen-containing basic compounds
Is used in a positive resist composition (excluding the solvent) 10
Usually 0.001 to 10 parts by weight, preferably 0 parts by weight
Or 0.01 to 2 parts by weight. 0.001 part by weight
If it is full, the above effect cannot be obtained. On the other hand, over 10 parts by weight
This tends to reduce sensitivity and developability in unexposed areas.
The In the chemically amplified positive resist composition of the present invention,
If necessary, further surfactants, dyes, pigments, plastics
That promotes solubility in photosensitizers, photosensitizers and developers.
Containing a compound having two or more enolic OH groups
Can. The positive resist composition of the present invention has an interface.
It is preferable to contain an activator. Specifically, polio
Xylethylene lauryl ether, polyoxyethylenes
Tearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether
And polyoxyethylene oleyl ether
Siethylene alkyl ethers, polyoxyethylene ether
Cutylphenol ether, polyoxyethylene nonyl
Polyoxyethylene alkyla such as phenol ether
Ryl ethers, polyoxyethylene / polyoxypro
Pyrene block copolymers, sorbitan monolaurate
, Sorbitan monopalmitate, sorbitan monostete
Allate, sorbitan monooleate, sorbitan tri
Solvita such as oleate, sorbitan tristearate
Fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan
Nolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopal
Mitate, polyoxyethylene sorbitan monosteare
, Polyoxyethylene sorbitan trioleate,
Polyoxyethylene sorbitan tristearate, etc.
Noni such as reoxyethylene sorbitan fatty acid esters
ON-based surfactant, F-top EF301, EF30
3, EF352 (made by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Mega Fuck
F171, F173, F176, F189, R08 (large
Nippon Ink Co., Ltd.), Florad FC430, FC4
31 (manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard AG7
10, Surflon S-382, SC101, SC10
2, SC103, SC104, SC105, SC106
Fluorosurfactants such as Asahi Glass Co., Organo
Siloxane polymer KP341 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
Manufactured) and acrylic acid or methacrylic acid (co) polymerization
Polyflow No. 75, no. 95 (Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd.)
Industry Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical)
For example). These surface activities
Among these agents, fluorine or silicon surfactants are applied.
This is preferable in terms of fabric properties and reduction in development defects. The blending amount of the surfactant is in the composition of the present invention.
Usually 0.01% by weight to 2% based on the solid content of the whole composition
% By weight, preferably 0.01% to 1% by weight. This
These surfactants can be used alone or in combination of two or more.
They can be used together. In the resin of the present invention, JP-A-9-31.
Compared to conventional resin containing acetal group such as 9092
Acid contained as an impurity (this is mainly acid generation
Impurities in the agent, or touch used during the synthesis of the resin of the present invention
The effect of the content of (derived from the medium) was observed. That is,
The acid contained as an impurity in the resist composition of the present invention
When the content is more than 500 ppm, the effect of the present invention
Some excellent pattern profile shapes and vacuum channels
Less line width fluctuation in the holding time in the bar
The Therefore, in the resist composition of the present invention, the resist
The content of acid contained as an impurity in the strike composition is 50
It is necessary to suppress it to 0 ppm or less, preferably 2
00 ppm or less, more preferably 100 ppm or less
is there. Further, the following spectral sensitizers are used.
Add and use far ultraviolet rays where the acid generator used has no absorption
By sensitizing to the long wavelength region, the chemically amplified type of the present invention
Diresist can be sensitive to i or g line
The Specific examples of suitable spectral sensitizers include benzophene.
Non, p, p'-tetramethyldiaminobenzopheno
P, p'-tetraethylethylaminobenzopheno
, 2-chlorothioxanthone, anthrone, 9-eth
Xyanthracene, anthracene, pyrene, perylene,
Phenothiazine, benzyl, acridine orange, ben
Zoflavine, cetoflavin-T, 9,10-diphenyl
Anthracene, 9-fluorenone, acetophenone, fu
Enanthrene, 2-nitrofluorene, 5-nitroacetate
Naphthene, benzoquinone, 2-chloro-4-nitroani
Phosphorus, N-acetyl-p-nitroaniline, p-nitro
Aniline, N-acetyl-4-nitro-1-naphthylua
Min, picramide, anthraquinone, 2-ethylant
Laquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 1,2-
Benzanthraquinone, 3-methyl-1,3-diaza
1,9-benzanthrone, dibenzalacetone, 1,2
-Naphthoquinone, 3,3'-carbonyl-bis (5,7-
Dimethoxycarbonylcoumarin) and coronene.
However, it is not limited to these. Feno that promotes solubility in developers
Examples of the compound having two or more oleic OH groups include polyoxy
And droxy compounds, preferably polyhydroxy
Compounds include phenols, resorcin, phlorogluci
, Phloroglucid, 2,3,4-trihydroxybenzo
Phenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzof
Enon, α, α ', α' '-Tris (4-hydroxypheny
L) -1,3,5-Triisopropylbenzene, Tris
(4-hydroxyphenyl) methane, tris (4-hydride)
Loxyphenyl) ethane, 1,1'-bis (4-hydro)
Xylphenyl) cyclohexane. Chemically amplified positive resist composition of the present invention
Is dissolved in a solvent that dissolves each of the above components and coated on the support.
As a solvent that can be used
Is ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclo
Pentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone,
Tyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether
Tellurium, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methyl
Toxiethyl acetate, ethylene glycol monoethyl
Ruether acetate, propylene glycol monomethyl
Luether, propylene glycol monomethyl ether
Acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, lactic acid
Ethyl, methyl methoxypropionate, ethoxypropionate
Ethyl onate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate,
Propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide,
Dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetra
Hydrofuran or the like is preferable.
Are mixed and used. The above chemically amplified positive resist composition is precision.
Substrates such as those used in the manufacture of integrated circuit elements (eg, silicon
Spinner, coater, etc.
After application by an appropriate application method, pass through a predetermined mask.
Good resist by exposure, baking and development
Pattern can be obtained. The chemically amplified positive resist composition of the present invention
Examples of the developer include sodium hydroxide and potassium hydroxide.
Sodium, sodium carbonate, sodium silicate, sodium phosphate
Thorium, sodium metasilicate, ammonia water, etc.
Machine alkalis, ethylamine, n-propylamine, etc.
Primary amines, diethylamine, di-n-butylamine
Secondary amines such as triethylamine, methyldiethyl
Tertiary amines such as amines, dimethylethanolamine,
Alcohol amines such as triethanolamine, form
Amides such as amide and acetamide, tetramethylan
Monium hydroxide, trimethyl (2-hydroxy ester)
Til) ammonium hydroxide, tetraethylammo
Nium hydroxide, tributylmethylammonium
Droxide, tetraethanolammonium hydroxy
Methyltriethanolammonium hydroxide,
Benzylmethyldiethanolammonium hydroxy
And benzyldimethylethanolammonium hydroxide
Sid, benzyltriethanolammonium hydroxy
Tetrapropylammonium hydroxide, tetra
Quaternary ammonia such as butylammonium hydroxide
Alkaline such as cyclic amines such as salt, pyrrole and piperidine
There is an aqueous solution of li. [0244] The present invention will be described more specifically below.
However, the present invention is not limited to these. [Synthesis Example I-1 Synthesis of Vinyl Ether]
Benzenethiol 55.01 g (0.5 mol) 300
dissolved in ml N, N-dimethylformamide, then
Add 150 g of 2-chloroethyl vinyl ether,
25 g of sodium hydroxide was added to the mixture at 120 ° C. for 2 hours.
The mixture was heated and stirred for a while. The reaction solution was washed with water, and excess pressure was removed by distillation under reduced pressure.
Chloroethyl vinyl ether was removed. Obtained oy
The target product, phenylthio, is obtained by distillation under reduced pressure.
Ethyl vinyl ether (X-1) was obtained. [Synthesis Examples I-2 to 6] In the same manner as in Synthesis Example I-1,
Vinyl ether X-2, X-3, X-4, X-
5, X-6 was obtained. [0246] Embedded image[Synthesis Example II-1] p-acetoxystyrene
Dissolve 32.4 g (0.2 mol) in 120 ml butyl acetate.
Azobisisobutane at 80 ° C. under nitrogen flow and stirring
Place 0.033 g of Tyronitrile (AIBN) for 2.5 hours.
3 times and finally continue stirring for another 5 hours
Thus, a polymerization reaction was performed. The reaction liquid is hexane 1200m.
1 was deposited to precipitate a white resin. The resulting resin
After drying, it was dissolved in 150 ml of methanol. To this
Sodium chloride 7.7 g (0.19 mol) / water 50 ml
Add aqueous solution and heat to reflux for 3 hours to hydrolyze
I was allowed to understand. Then, add 200 ml of water to dilute, hydrochloric acid
And a white resin was precipitated. Filter this resin
Washed with water and dried. Tetrahydrofuran 200
Dissolve in ml and drop into 5 L ultrapure water with vigorous stirring
Below, re-precipitation was performed. This reprecipitation operation was repeated three times. Gain
The resulting resin in a vacuum dryer at 120 ° C for 12 hours
Poly (p-hydroxystyrene) alkali-soluble tree
Fat R-1 was obtained. The weight average molecular weight of the obtained resin is 15
000. [Synthesis Example II-2]
Distilled and purified p-tert-butoxystyrene monomer 3
5.25 g (0.2 mol) and styrene monomer 5.2
1 g (0.05 mol) of 100 ml of tetrahydrofuran
Dissolved in. Azobis at 80 ° C under nitrogen flow and stirring
Isobutyronitrile (AIBN) 0.033 g 2.5
Add 3 times every hour and finally continue stirring for another 5 hours
Thus, a polymerization reaction was performed. Hexane 12
The solution was poured into 00 ml to precipitate a white resin. Obtained
After drying the resin, dissolve it in 150 ml of tetrahydrofuran.
It was. Add 4N hydrochloric acid and heat to reflux for 6 hours.
After being hydrolyzed by this, it is re-precipitated in 5 L of ultrapure water.
The resin was filtered off, washed with water and dried. Tetrahydroph
Dissolve in 200 ml of run and stir vigorously in 5 L of ultrapure water
While dropping, reprecipitation was performed. Repeat this re-sink operation three times.
I returned. The resulting resin was placed in a vacuum dryer at 120 ° C., 12
Time dried and poly (p-hydroxystyrene / styrene)
N) A copolymer alkali-soluble resin R-2 was obtained. Obtained
The weight average molecular weight of the resin was 12,000. [Synthesis Example II-3] p-acetoxystyrene
32.4 g (0.2 mol) and methyl methacrylate 7.
01 g (0.07 mol) dissolved in 120 ml butyl acetate
And azobisisobutyrate at 80 ° C. under nitrogen flow and stirring.
Ritonitrile (AIBN) 0.033g every 2.5 hours
3 times and finally stirring for another 5 hours
The polymerization reaction was performed. The reaction solution is 1200 ml of hexane.
The white resin was deposited. Dry the resulting resin
After drying, it was dissolved in 200 ml of methanol. This is hydroxylated
Sodium 7.7 g (0.19 mol) / water 50 ml water
Hydrolysis by adding solution and heating to reflux for 1 hour
I let you. Then, add 200 ml of water to dilute and add hydrochloric acid.
To neutralize a white resin. This resin is filtered off,
Washed with water and dried. Furthermore, 200 ml of tetrahydrofuran
Dissolved in 5 L of ultrapure water and stirred vigorously,
Re-precipitation was performed. This reprecipitation operation was repeated three times. Obtained
The dried resin is dried at 120 ° C. for 12 hours in a vacuum drier.
Li (p-hydroxystyrene / methyl methacrylate)
Polymer alkali-soluble resin R-3 was obtained. Obtained resin
The weight average molecular weight of was 10000. [Synthesis Example II-4] manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.
Al (p-hydroxystyrene) (VP8000)
Potassium-soluble resin R-4 was designated. The weight average molecular weight is 980
0. [Synthesis Example III-1] Obtained in Synthesis Example II-4
Alkali-soluble resin R-4 20g propylene glycol
Monoethyl ether acetate (PGMEA) 80
ml is dissolved in a flask, distilled under reduced pressure, water and PG
MEA was distilled off azeotropically. Make sure that the water content is low enough.
After confirmation, vinyl ether X- obtained in Synthesis Example I-1
7.0 g of 1 and 50 mg of p-toluenesulfonic acid were added.
The mixture was stirred at room temperature for 1 hour. There pyridine 1.5
g and 1.5 g of acetic anhydride were added and stirred at room temperature for 1 hour.
Stir. Ethyl acetate was added to the reaction solution and further washed with water.
Then, PGM of ethyl acetate, water and azeotrope by vacuum distillation
EA is distilled off and the alkali having the substituent according to the present invention is acceptable.
Soluble resin B-1 was obtained. [Synthesis Examples III-2 to III-18]
Alkali soluble resin, acid anhydride and vinyl ether indicated
And substitution according to the present invention in the same manner as in Synthesis Example III-1.
Obtaining alkali-soluble resins B-2 to B-18 having a group
It was. [0253] [Table 1] [Synthesis Examples IV-1 to IV-2] Shown in Table 2 below
Alkali-soluble resin and ethyl vinyl resin represented by the following formula:
Resins C-1 and C-2 were obtained with ruether (Y-1). [0255] Embedded image [0256] [Table 2] As surfactant (F-1), mega fat
C08 (Dainippon Ink Co., Ltd.) was used. Surface activity
As a sex agent (F-2), Troisol S-366 (Troy
Chemical Co., Ltd.) was used. Examples 1-22 and Comparative Examples 1-2 [Preparation and Evaluation of Resist Composition] Each material shown in Table 3 below
PGMEA (propylene glycol monomethyl ether
Ruacetate) dissolved in 8g, 0.2μm filter
To prepare a resist solution. Surfactant
The amount used was 0.0035 g. This resist solution
On a silicon wafer using a spin coater
Apply, 130 ° C, 60 seconds vacuum adsorption type hot play
To obtain a resist film having a film thickness of 0.3 μm. [0259] [Table 3]In addition, each photoacid generator used in the examples and
Organic base compounds are shown below. [0261] Embedded image An electron beam irradiation device (acceleration is applied to this resist film.
Irradiation was performed using a voltage of 50 KeV. 100 after irradiation
Heat on a hot plate for 60 seconds and immediately add 0.2
6N tetramethylammonium hydroxide (T
MAH) soaked in aqueous solution for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds
And dried. Silicon wafer thus obtained
-Observe the upper pattern with a scanning electron microscope
The performance of was evaluated. The results are shown in Table 4. The resolution is 0.15 μm line and spec.
Limit solution for exposure dose to reproduce the mask pattern
Represents image power. The obtained resist pattern was measured with an optical microscope.
Or, it is observed by SEM, and reverse taper of resist pattern
The degree of was observed. Degree of inclination of reverse taper of pattern
Matches with very little (almost rectangular profile)
◎, less is ○, pattern reverse taper is clear
What was observed was set as x. In addition, the resist film obtained as described above was used.
After leaving in an electron beam irradiation device for 240 minutes under high vacuum,
As above, exposure and development to form a resist pattern
It was. As described above, obtained by leaving under high vacuum for 240 minutes
Limit resolution line width (A) of the pattern and do not leave under high vacuum
Measure the critical resolution line width (B) of the pattern obtained
The rate of change was calculated as follows. The value is small
Better. Fluctuation rate = {1− | (B) − (A) | / (B)} × 100 [0266] [Table 4]As is apparent from the results in Table 4, the present invention
The positive resist compositions of the respective examples are satisfactory.
However, the resist composition of each comparative example is
Line width changes due to resist pattern shape and holding time
I was dissatisfied with the movement. Examples 23 to 26 and Comparative Examples 3 to 4
As shown in Table 5, in general formula (I) and general formula (III)
It is decomposed by the action of an acid having the structural unit shown
Resins with increased solubility in Lucari developer, and / or
Are the above general formula (I), general formula (II) and general formula (II)
Decomposed by the action of an acid having the structural unit represented by I)
And a resin with increased solubility in an alkaline developer,
Furthermore, it decomposes by the action of acid and dissolves in alkaline developer
Examples 1-22 with the exception that a compound with increased properties was added
Similarly, a resist solution is prepared and 0.3 μm is similarly obtained.
A resist film was obtained. Solution in the same manner as in Examples 1-22.
Image power, resist pattern profile, vacuum chamber
The results of evaluating the line width variation due to the
Table 6 shows. [0269] [Table 5] In addition, the dissolution inhibiting compounds used in the examples are shown below.
Shown below. [0271] Embedded image[0272] [Table 6] As is apparent from the results in Table 6, the present invention
The positive resist composition of each of these examples is particularly a resist.
Pattern profile, leaving in vacuum chamber
The line width variation caused by
Although satisfactory results were obtained, the resist composition of each comparative example
In particular, resist pattern profiles, vacuum channels
Unsatisfied with line width fluctuations due to placement in the bar
It was. [0274] According to the present invention, a resist pattern processor is provided.
Line width change due to file and placement in vacuum chamber
Provides chemically amplified positive resist compositions with improved dynamics
Is done.

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Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 (a)下記一般式(I)で示される基を
含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアル
カリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び(b)
活性放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する
ことを特徴とするポジ型電子線、X線又はEUV用レジ
スト組成物。 【化1】 式(I)中、R1、R2は、同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表し、
Wは2価の有機基を表し、Xは−S−、−N(R4)C
O−、−Se−、−CO−、−COO−、−OCO−、
−SO−、又は−SO2−を表し(ここで、R4は水素
原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す)、R3は置
換基を有してもよい鎖状アルキル基、置換基を有しても
よい環状アルキル基、置換基を有してもよいアリール
基、又は置換基を有してもよいアラルキル基を表す。)
What is claimed is: (a) a resin having a structural unit containing a group represented by the following general formula (I), which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer And (b)
A resist composition for positive electron beam, X-ray or EUV, comprising a compound which generates an acid upon irradiation with actinic radiation. [Chemical 1] In formula (I), R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
W represents a divalent organic group, and X represents -S-, -N (R4) C.
O-, -Se-, -CO-, -COO-, -OCO-,
—SO— or —SO 2 — (wherein R4 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), R3 represents a chain alkyl group which may have a substituent, or a substituent. The cyclic alkyl group which may have, the aryl group which may have a substituent, or the aralkyl group which may have a substituent is represented. )
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