JP2003174256A - プリント基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 転写フィルムの位置合わせを正確に行って位
置精度を上げることができ、各層の配線パターン間の位
置の整合性を向上させることが可能なプリント基板の製
造方法を提供する。 【解決手段】 コア材２の表面に配線パターン６０と絶
縁層４４とを交互に複数層形成してなるプリント基板の
製造方法において、表面全体に新たな絶縁層を形成する
工程と、前記新たな絶縁層に、パターン形成領域７内で
あって下層の配線パターンと重ならない位置において直
下の配線パターンを基準にしてレーザ光Ｌ１により下層
に届くように基準非貫通穴２８、４６を形成する工程
と、前記基準非貫通穴の上方に位置決め凹部３２ができ
るように絶縁層上に導電層を形成する工程と、前記新た
な絶縁層上に形成したレジスト層に対して前記位置決め
凹部を基準として所定の回路パターンが記録されている
転写フィルム３８、４６を位置合わせして固定する工程
と、前記転写フィルムの回路パターンを前記導電層３
０、４８に転写してパターン化することにより上層の配
線パターンを形成する工程と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度の電気回路
を形成する為のプリント基板に関するものであり、特に
コア材上に絶縁層と配線パターンを重ねて形成する積層
型のプリント基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、各種電子機器等に用いられるプ
リント基板は、更なる小型化及び軽量化が求められてお
り、これに応じて配線パターンも更なる微細化が要求さ
れている。この種のプリント基板では、コア材上に絶縁
層と例えば銅膜よりなる配線パターンを交互に単層或い
は複数層積層して形成する。具体的には、この配線パタ
ーンを形成する場合、銅膜よりなる導電層上にエッチン
グレジスト膜を形成し、その上に回路パターンを記録し
た転写フィルムを密着させ、露光、現像、エッチング、
エッチングレジストの除去を行って銅膜よりなる配線パ
ターンを形成する。ここで、積層を行う場合は上下の層
間で配線パターンの整合がとれていることが重要であ
り、配線パターン間で整合がとれていない場合は上下層
の接続をとるためのビアやスルービアを設計通り形成す
ることができず、上下間の配線パターンの接続が不可能
になる場合がある。このように、上下層の配線パターン
間で位置の整合性をとることは極めて重要である。この
為、基準となる穴を配線パターンに直接影響しない部分
にドリルにより形成しておき、各層の配線パターンを形
成する時にこの基準穴を位置合わせの基準に用いるのが
一般的である。

【０００３】ここで、従来のプリント基板の製造方法の
一例を図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は
プリント基板のベースとなるコア材を示す平面図、図１
２はプリント基板の従来の製造方法を概略的に示す工程
図である。図１１及び図１２に示すように、例えば織り
込まれたガラス繊維に樹脂等を含漬させてなる四角形の
コア材２の表面には銅膜等よりなる導電層４が全面に形
成されている。このコア材２は一辺が例えば数ｃｍ〜数
１０ｃｍ程度の大きさであり、例えばその四隅の枠の部
分には、直径が数ｍｍ程度の基準穴６が形成されてい
る。また、枠の内側部分は、配線パターンを形成するた
めのパターン形成領域７となっている。そして、１２
（Ｂ）に示すように、この導電層４の上面全面にレジス
ト層８を形成する。次に、所定の回路パターン１０が記
録されている転写フィルム１２を上記レジスト層８上に
固定する。この際、この転写フィルム１２に予め記録さ
れている円形マーク１４を、上記コア材２の円形の基準
穴６の中心に位置合わせする。

【０００４】次に、上記レジスト層８の露光、レジスト
層８の現像、上記現像されたレジスト層８をマスクとす
る上記導電層４のパターンエッチング、及びレジスト層
８の除去を行うことによって図１２（Ｂ）に示すよう
に、第１層目の配線パターン１６が形成される。以後、
導電層の形成、レジスト層の形成、転写フィルムの位置
決め固定、配線パターンの形成というように、図１２
（Ａ）〜図１２（Ｄ）の各工程を繰り返すことにより、
複数の配線パターンを、その間に絶縁層を介在させて積
層させるようになっている。この場合、各層の配線パタ
ーンを形成する時の各転写フィルムの位置合わせは、常
に上記コア材２に設けた基準穴６を参照して行う。尚、
ここでは、コア材２の片面のみに配線パターンを積層形
成したが、コア材２の両面に配線パターンを積層形成す
る場合もある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した製
造方法では、配線パターン形成領域７の外側にこれより
離れた部分に基準穴６を設けるので、コア材２及び転写
フィルム１２の膨張、収縮を考慮すると、各層の配線パ
ターン間の位置の整合性には精度上の限界があり、配線
パターンの高密度化に制限を与えている、といった問題
があった。本発明は、以上のような問題点に着目し、こ
れを有効に解決すべく創案されたものであり、その目的
は、転写フィルムの位置合わせを正確に行って位置精度
を上げることができ、各層の配線パターン間の位置の整
合性を向上させることが可能なプリント基板の製造方法
を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
コア材の表面に配線パターンと絶縁層とを交互に複数層
形成してなるプリント基板の製造方法において、表面全
体に新たな絶縁層を形成する工程と、前記新たな絶縁層
に、パターン形成領域内であって下層の配線パターンと
重ならない位置において直下の配線パターンを基準にし
てレーザ光により下層に届くように基準非貫通穴を形成
する工程と、前記基準非貫通穴の上方に位置決め凹部が
できるように絶縁層上に導電層を形成する工程と、前記
新たな絶縁層上に形成したレジスト層に対して前記位置
決め凹部を基準として所定の回路パターンが記録されて
いる転写フィルムを位置合わせして固定する工程と、前
記転写フィルムの回路パターンを前記導電層に転写して
パターン化することにより上層の配線パターンを形成す
るようにしたことを特徴とするプリント基板の製造方法
である。

【０００７】この場合、例えば請求項２に規定するよう
に、前記上層の配線パターンが、前記コア材の表面側よ
り数えて第２層目の配線パターンの場合には、前記基準
非貫通穴の形成時にレーザ光が届く下層は、前記コア材
であり、このコア材の一部には、前記レーザ光が届く部
分に貫通孔に埋め込んだ樹脂材が設けられる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るプリント基
板の製造方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述す
る。まず、本発明方法がなされるまでの過程について簡
単に説明する。本発明等は、積層型のプリント基板（ビ
ルドアップ基板とも称される）における配線パターンの
高密度化を実現するべく検討を行った。その結果、微細
な配線パターンにおいて小径のビアやスルービア等のホ
ールにより各層の配線パターン間を接続するのはかなり
困難であり、接続を実現するには各層の配線パターン間
の位置の整合性を高めることが極めて重要である、とい
うことを認識した。そこで、積層時に、下層の配線パタ
ーンに対して上層の配線パターンを適正な位置に位置ず
れなく重ねる手段を検討した。この検討の結果、転写フ
ィルムの位置合わせを行うために、下層の配線パターン
を基準としてレーザ光によって絶縁層に基準非貫通穴を
複数個予め開けておき、この基準非貫通孔を開けること
でコア材の膨張、収縮が発生しても複数の基準非貫通孔
の位置を測定し、上層の配線パターン用の転写フィルム
を固定する時に、この転写フィルムの位置の補正を行う
ことで下層の配線パターンに対し適切な上層の配線パタ
ーンを形成することが一応可能となる、ということを見
い出した。

【０００９】このように、上記した方法によれば、直径
の大きなドリルによる従来の貫通穴と違って、パターン
形成領域内であって配線パターンの近傍に微細な基準非
貫通穴を設けることができ、この点も配線パターンの位
置精度を上げる上で有効である。しかしながら、この場
合、基準非貫通穴の深さを絶縁層の厚さ一層分の厚さ以
内とすると、ビア等のホールの中をメッキ銅で充たすフ
ィルドビアを形成するのに適切な条件でメッキを行うと
絶縁層に開けたレーザ光による基準非貫通孔が埋まって
上部が平坦面となってしまい、上層の配線パターン用の
転写フィルムの位置合わせを行う際に、この基準非貫通
穴を基準として認識するのが困難となった。そこで、絶
縁層にレーザ光で基準非貫通穴を開ける場合、この基準
非貫通穴を深くして下層の絶縁層、或いはコア材に開け
た穴の中の樹脂に（第２層目の配線パターン形成の場
合）まで届くように穴開けすることにより、銅メッキ後
も位置合わせ用の基準非貫通穴の位置を認識することが
可能であることを見出した。尚、実際には、銅メッキに
より導電層を形成した時に、上記基準非貫通穴の真上に
凹部が発生するので、この凹部により基準非貫通穴の位
置を認識できることになり、従って、この凹部を位置決
め凹部として用いる。

【００１０】次に、具体的に本発明方法を説明する。図
１はコア材に形成された第１層目の配線パターンの一例
と微細な貫通穴の位置の一例を示す平面図、図２は図１
中のＡ−Ａ線矢視断面図、図３及び図４は本発明方法の
各工程を示す工程図である。尚、図１１及び図１２に示
す部分と同一構成部分については同一符号を付して説明
する。図１及び図２に示すコア材２の表面のパターン形
成領域７内には、所定の形状の第１層目の配線パターン
２０が形成されている。そして、このパターン形成領域
７内であって、上記第１の配線パターン２０と重ならな
いで、これを避けた位置に複数の微細な貫通孔２２を例
えば数ｃｍ間隔で形成している。尚、図示例ではこの貫
通孔２２を縦横に整然と配列しているが、特に、整然と
配列する必要もなく、配線パターン２０を避けて互いに
数ｃｍの間隔で形成するのであれば、どのように配置し
てもよい。この点に関しては、後述する基準非貫通穴も
同様である。

【００１１】さて、上述のように複数の貫通孔２２が配
列される点を理解した上で、図３の工程図を説明する。
まず、図３（Ａ）に示すように、コア材２の上面には第
１層目の配線パターン２０が形成されており、このコア
材２に上記配線パターン２０を避けた位置に上記直径が
０．３ｍｍ程度の複数の貫通孔２２をドリル等を用いて
形成する。尚、この貫通孔２２の位置は、第１の配線パ
ターン２０のパターン形状を画像処理によって認識し、
第１層目の配線パターン２０と干渉しない位置を特定す
ることにより設定される。また、この貫通孔２２の位置
は、先に図１において示した通りである。

【００１２】次に、図１（Ｃ）に示すように、上記各貫
通孔２２に樹脂材２４を充填してこれを埋め込む。尚、
このように、樹脂材２４を埋め込む理由は、後述するよ
うに、上層からレーザ光で基準非貫通穴を形成した際
に、コア材２の材質では穴が十分に形成できないからで
ある。次に、図３（Ｄ）に示すように、上記第１の配線
パターン２０及び樹脂材２４を含めて、コア材２の表面
全体に樹脂よりなる絶縁層２６を厚さが均一なるように
形成する。

【００１３】次に、図３（Ｅ）に示すように、レーザ光
Ｌ１を用いて、上記各樹脂材２４の位置に対応させて上
記絶縁層２６に、基準非貫通穴２８を形成する。この
際、下層のコア材２の樹脂材２４に届くように、例えば
樹脂材２４の厚さの１／３程度まで届くように十分に深
くなるように基準非貫通穴２８を形成する。この基準非
貫通穴２８の直径は１００μｍ程度である。また、第１
層目の配線パターン２０と上記各基準非貫通穴２８との
位置関係は、当然に認識された状態となっている。尚、
この場合、先に開けた貫通孔２２に充填した樹脂材２４
は絶縁層２６と同一の物質である必要はなく、レーザ光
Ｌ１による穴開けの条件が大きく異なるものでなければ
良い。一般に樹脂と銅箔や一般的なコア材であるガラス
繊維を含んだエポキシ樹脂などはレーザ光に対する挙動
が大きく異なり、絶縁層２６の上からコア材２にまで達
する基準非貫通穴２８をレーザ光Ｌ１により形成する場
合、コア材２に貫通孔２２を開けて樹脂材２４を充填し
ておくことが必要である。

【００１４】次に、図３（Ｆ）に示すように、上記絶縁
層２６上に例えば銅メッキ等を施すことにより導電層３
０を形成する。この時、上記各基準非貫通穴２８は先に
説明したように十分に深く形成されていることから、こ
の基準非貫通穴２８の上方には、位置決め凹部３２が自
然に発生することになる。換言すれば、この位置決め凹
部３２が発生するように、基準非貫通穴２８の深さや銅
メッキ条件が定められることになる。

【００１５】次に、図３（Ｇ）に示すように、この導電
層３０の上面全体にレジスト層３４を均一な厚さで形成
し、更に、このレジスト層３４上に、第２層目の配線パ
ターンに対応する所定の回路パターン３６が記録された
転写フィルム３８を固定する。この際、この転写フィル
ム３８には、上記各基準非貫通穴２８に対応させた位置
合わせマーク４０が予め付されており、この位置合わせ
マーク４０が上記位置決め凹部３２に精度良く一致する
ように上記転写フィルム３８を高い精度で位置決めし
て、この位置合わせを行う。そして、この状態で、図示
しない露光器により露光を行う。この場合、転写フィル
ム３８は、図１に示すようなコア材２の全面で一度に露
光するのではなく、転写フィルム３８を、例えば隣り合
う基準非貫通穴２８の１ピッチ或いは数ピッチの長さ程
度の大きさに方形状に分割して、各分割区分毎に複数回
に亘って露光するのが望ましい。

【００１６】次に、図３（Ｈ）に示すように、露光され
たレジスト層３４を現像し、現像後のレジスト層３４を
マスクとしてパターンマッチングを行い、そして、この
レジスト層３４を除去することにより、第２の配線パタ
ーン４２を形成する。尚、ここでは、レジスト層３４と
しては、図１２に示すレジスト層８とはネガ、ポジが逆
のものを用いているが、これはどちらを用いてもよい。
また、合計で２層の配線パターンを形成する場合には、
上記図３（Ｈ）で示す工程で終了するが、続けて３層以
上の配線パターンを積層して形成する場合もある。この
ように第３層目以上の配線パターンを形成するには、図
４（Ａ）に示すように、更に上記第２層目の配線パター
ン４２を含むコア材２の表面全体に絶縁層４４を形成す
る。この工程は図３（Ｃ）に示す工程と同じである。

【００１７】次に、図４（Ｂ）に示すように、レーザ孔
Ｌ１を用いて所定の位置に複数の基準非貫通穴４６を形
成する。この工程は図３（Ｅ）に示す工程と同じであ
る。ただし、この場合には、この基準非貫通穴４６は、
第２層目の配線パターン４２を避けてこれと干渉しない
所に形成する。従って、図３（Ｅ）に示す基準非貫通穴
２８と上記基準非貫通穴４６とは上下方向に一致すると
は限らず、多くの場合は水平方向に位置ずれすることが
多い。また、この基準非貫通穴４６の深さは、下層の絶
縁層、この場合には、絶縁層２６まで届いてこの厚さの
１／３程度まで達するように形成する。また、当然のこ
ととして、各基準非貫通穴４６の位置は、下層となるこ
こでは第２層目の配線パターン４２の形状を解析し、こ
れに基づいて定められた位置に配置される。

【００１８】次に、図４（Ｃ）に示すように、表面全体
に銅メッキを施して導電層４８を形成して、上記基準非
貫通穴４６を埋め込むと同時に、この上方に、位置決め
凹部５０が形成される。この工程は図３（Ｆ）に示す工
程と同じである。次に、図４（Ｄ）に示すように、上記
導電層４８の上面全体にレジスト層５２を形成し、更
に、この上面に第３層目の配線パターンに対応する回路
パターン５４が記録されている転写フィルム５６を固定
する。この時、この転写フィルム５６に上記基準非貫通
穴４６に対応させて予め形成されていた位置合わせマー
ク５８を上記位置決め凹部５０に精度良く一致するよう
に、転写フィルム５６の位置合わせを行い、そして、露
光処理を行う。この工程は、図３（Ｇ）に示す工程と同
じである。そして、図４（Ｅ）に示すように、上記レジ
スト層５２の現像処理、現像されたレジスト層５２をマ
スクとするパターンエッチング処理及び上記レジスト層
５２の除去処理を行うことにより、第３層目の配線パタ
ーン６０を形成する。

【００１９】更に、第４層目以降の配線パターンを形成
するには、図４（Ａ）〜図４（Ｅ）に示す各工程を、順
次同じように繰り返して行なえばばよい。このように、
絶縁層２６、４４に形成した複数の基準非貫通穴２８、
４６（具体的には位置決め凹部３２、５０）を参照して
転写フィルム３８、５６を精度良く位置決め固定して露
光するようにしたので、上下の配線パターン、例えば２
０と４２及び４２と６０間の位置の整合性を大幅に向上
させることができ、配線パターンの更なる高密度化を推
進することが可能となる。上記実施例では、コア材２と
してはガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたものを用
いたが、これは、コスト、基板強度、電気特性を鑑みて
決定するべきものであり、本発明はこの種のコア材に限
定されない。また、一般的なコア材は本発明者が用いた
各種の絶縁層の材料とはレーザ加工性が大きく異なる。
また、各配線パターンを形成する導体層については、上
述のようにメッキによる膜の作成が比較的容易であり、
形成後の膜の耐蝕性が比較的良好であることからこのメ
ッキ法が一般的に用いられている。しかしながら本発明
の内容から明らかな様に、配線パターンとしてメッキに
限らずスパッタなどによる異種金属または合金による導
体層を用いるようにしても良い。

【００２０】また、配線パターン形成後に積層する絶縁
層については積層するもの、樹脂を塗布するもの、シー
ト状のものを貼り付けるものなどがある。また、絶縁層
の厚みについては電気特性や信頼性などを考慮するべき
ものであるが、１０乃至１２０μｍの範囲のものが最適
である。また更に、絶縁層としては、レーザ加工性を改
善する為に紫外線吸収材などの顔料や染色を目的として
染料を添加することも可能である。この場合、絶縁層の
光透過率が低くなるが、１２０μｍ程度の厚みであれば
画像解析のために下層の配線パターンは読み出すことが
できるので、基準非貫通穴のレーザ光による作成は可能
である。また、絶縁層は形成後に硬化を行うが、本発明
者はレーザ光Ｌ１による基準非貫通穴の形成を行う時期
として、絶縁層の硬化前後の両方を行ったが、基準非貫
通穴の形成に関して大きな状況の差はなく、硬化工程の
前でも後でも良い結果を得た。また、ここに用いるレー
ザ光Ｌ１としてはＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザまたは
これらの高調波成分などが一般的に用いることができ
る。本発明においては使用するレーザ光Ｌ１は限定され
るものではなく、重要なのは配線パターンの高密度化に
対応した小径の基準非貫通穴を開けることが出来るもの
を使用することである。

【００２１】次に、具体的に本発明に係る製造方法を用
いてプリント基板を製造してその評価を行ったので、比
較例と共に説明する。図５は本発明の評価を行うプリン
ト基板の製造工程の途中のコア材を示す平面図、図６は
本発明の評価を行うプリント基板の製造工程を示す図で
ある。まず、縦横が３０×３０ｃｍ、厚さが０．８ｍｍ
の大きさのコア材２（ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸
して形成）の表面に厚さが１８μｍの銅箔を導電層とし
て形成したものを用意した。このコア材２の４辺の２ｃ
ｍを縁とし、内側の２６×２６ｃｍの部分をパターン形
成領域７とした（図５参照）。この導電層に、ビアホー
ルに対応する位置に直径Ｈ１が１２０μｍの多数の円形
ドット７０を内層パターンとして第１層目の配線パター
ン２０を形成した。この時のコア材２の部分断面図を図
６（Ａ）に示し、また、図５中においては上記第１層目
の配線パターン２０は白丸で表されている。この円形ド
ット７０は、縦横にそれぞれ１ｃｍ間隔で格子状に配列
されている。

【００２２】そして、コア材２に、多数の貫通孔２２
（図６（Ｂ）参照）を図５に示すように縦横に、格子状
に形成する。この貫通孔２２も、縦横にそれぞれ１ｃｍ
間隔で格子状に配列されている。また、この貫通孔２２
は、例えば図３（Ｂ）において説明したように、直径が
極めて小さいドリルを用いて直径Ｈ２が０．３ｍｍ程度
となるように設定されている。そして、上記貫通孔２２
を例えばエポキシ樹脂よりなる樹脂材２４で埋め込む
（図６（Ｃ）参照）。そして、このコア材２の上面全体
に絶縁層２６を形成する（図６（Ｄ）参照）。そして、
この絶縁層２６に、この絶縁層２６の上から画像解析を
行って、レーザ孔Ｌ１を位置合わせしつつ上記絶縁層２
６に円形ドット７０に達する穴７２と、下層の上記樹脂
材２４の中まで達する基準非貫通穴２８とを形成する。
この時の状態が図６（Ｅ）に示されており、これを実施
例１−１とする。

【００２３】更に、この絶縁層２６の表面全体に銅メッ
キを施して導電層３０を形成する（図６（Ｆ）参照）。
この時、深い穴となっている基準非貫通穴２８の上方に
は、位置決め凹部３２が自然発生的に形成されている。
そして、上面にレジスト層を形成し、このレジスト層を
透過して上記位置決め凹部３２を画像解析して参照しつ
つ転写フィルムを位置合わせし、露光、現像、パターン
エッチング及びレジスト除去を行って、図６（Ｇ）に示
すように、ビアホールを形成すべき位置に直径Ｈ３が１
２０μｍの円形ドット７４よりなる第２層目の配線パタ
ーン４２を形成する。この図６（Ｆ）に示すものを実施
例１−２とする。

【００２４】次に、比較例を作成する。図７は比較例の
プリント基板の製造工程の途中のコア材を示す平面図、
図８及び図９は比較例のプリント基板の製造工程を示す
図である。ここでは、図７に示すように、上記実施例１
−１において用いたコア材、すなわち図５において説明
したと同じコア材２を用い、このコア材２の周縁部の幅
２ｃｍの縁の部分の４隅に、従来方法と同様な直径が３
ｃｍ程度の基準穴６（図１１参照）を直径の大きなドリ
ルによって形成する。そして、図５にて説明したと同様
に、縦横１ｃｍ間隔で配置された円形ドット７０よりな
る第１層目の配線パターン２０が形成されている（図８
（Ａ）参照）。この第１層目の配線パターン２０の形成
は、コア材２の表面の導電層に絶縁層を形成し、上記基
準穴６を基準として第１層目の配線パターン用の転写フ
ィルムを、上記基準穴６を基準としつつ絶縁層２６上に
位置合わせし、露光、現像、パターンエッチング、レジ
スト層の除去を行って、上記第１層目の配線パターン２
０を形成する。

【００２５】次に、図８（Ｂ）に示すように、上記第１
層目の配線パターン２０を含むコア材２の表面全体に絶
縁層２６を形成し、硬化後に、上記基準穴６を参照しつ
つこれを基準として位置決めを行って、レーザ孔Ｌ１に
より直径が１００μｍの穴７６を上記各円形ドット７０
に向けて形成する。ここで主に絶縁層２６の硬化中に収
縮したと思われる縦、横がそれぞれ５μｍの収縮が見ら
れ、レーザ孔Ｌ１の加工時に、補正を行った。この図８
（Ｂ）に示すものを比較例１−１とする。次に、図８
（Ｃ）に示すように、メッキ工程により上記穴７６が銅
で充たされフィルドビアとなる様に銅メッキを行って導
電層３０を形成する。次に、この導電層３０上に、基準
穴６を参照しつつこれを基準として転写フィルムを位置
調整して固定し、露光等をすることにより、上記穴７６
の部分に対応させて直径Ｈ４が１２０μｍとなる円形ド
ット８０の第２層目の配線パターン４２を形成する。こ
の円形ドット８０よりなるパターンの作成は先に記した
のと同一の工程手順による。この図８（Ｄ）に示すもの
を比較例１−２とする。

【００２６】次に、別の比較例として、図５に示すよう
なパターンを採用し、図９（Ａ）に示すように、第１層
目の配線パターン２０として、ビアホールに対応する部
分に直径が１２０μｍの円形ドット７０と、貫通孔７２
を形成すべき部分にも、直径Ｈ５が１００μｍの円形ド
ット８０を形成する。この円形ドット７０、８０の形成
は、図８（Ａ）にて説明したと同様に、基準穴６を参照
して行った。そして、図９（Ｂ）に示すように、この上
面全体に絶縁層２６を形成し、この絶縁層２６の上から
画像処理により上記各円形ドット７０、８０に向けて穴
８２、８４をそれぞれ形成した。図９（Ｂ）に示すこの
時の状態を比較例２−１とする。

【００２７】次に、図９（Ｃ）に示すように、メッキ工
程により上記穴８２、８４が銅で満たされたフィルドビ
アとなるように銅メッキを行って導電層３０を形成し
た。次に、この導電層３０上に縁の部分の基準穴６を参
照しつつこれを基準として転写フィルムを位置調整して
固定し、露光等をすることにより、図９（Ｄ）に示すよ
うに上記各穴８２、８４の部分に対応させて直径Ｈ６が
１２０μｍとなる円形ドット８６の第２層目の配線パタ
ーン４２を形成する。図９（Ｄ）に示すこの状態を比較
例２−２とする。ここで、直径が１２０μｍの上記各円
形ドットと直径が１００μｍの穴（基準非貫通穴を含
む）との関係は、図１０に示すようになっており、両者
の重なり具合を顕微鏡により観察した。

【００２８】尚、上記各実施例及び比較例で用いた絶縁
層の材料は以下の通りである。 エポキシ樹脂 ： ８（重量部） 硬化剤 ： ２（重量部） ＭＥＫ（メチルエチルケトン） ： ２０（重量部） この樹脂塗料をスクリーン印刷で塗布し、乾燥、硬化
（２００℃６０分）を行った。また、硬化後の絶縁層の
厚みは４６μｍであった。

【００２９】この様にして作成した比較例１−１、比較
例２−１、実施例１−１のビア用ホールの部分を上記の
ように観察し、円形の穴に対して銅のパターンが円形に
見えるものを良好なものとし、また、位置のずれが生じ
て円形に見えないものを不良とし、良好なものの比率を
求めた。その結果を次に示す。 良好なものの比率 比較例１−１ ９．１７％ 比較例２−１ １００％ 実施例１−１ １００％

【００３０】次に、比較例１−２、比較例２−２、実施
例１−２の各フィルドビアとその上に形成したパターン
（円形ドット）の整合性を観察した。ここで１２０μｍ
のパターンのみ見えるものを良好とし、パターンからフ
ィルドビアがはみだして見えるものを不良とした。その
結果を次に示す。 良好なものの比率 比較例１−２ ７．１０％ 比較例２−２ ７．６９％ 実施例１−２ １００％

【００３１】これらの結果より、コア材２の縁の基準穴
６を位置決めに用いた比較例１−１はパターンとビアホ
ールの整合性が悪い。同様に比較例１−２のビアとその
上のパターンの整合性が悪い。比較例２−１においては
画像解析により位置決めを行い、パターンとビアホール
の整合性は良好であるが、その後のフィルドビアならび
に外層（第２層目の配線パターン）を形成する為のメッ
キによって、先にレーザ光で設けた穴が埋まり、外層パ
ターンの整合を取る際に、コア材の縁に設けた基準穴を
用いざるをえなくなり、フィルドビアとその上のパター
ンの整合性が悪い。これに対し、実施例１−１、１−２
のものは基準非貫通穴の位置情報をメッキが行われても
失うことが無く、ビアホールの位置精度だけではなく、
更に積層するパターンの位置精度も良好である。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプリント
基板の製造方法によれば、次のように優れた作用効果を
発揮することができる。パターン形成領域内に複数の基
準非貫通穴を設けてこの位置情報を参照して転写フィル
ムを位置合わせを行うことにより、転写フィルムの位置
合わせを正確に行って位置精度を上げることができ、各
層の配線パターン間の位置の整合性を向上させることが
できる。従って、配線パターンの高密度化を更に推進す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】コア材に形成された第１層目の配線パターンの
一例と微細な貫通穴の位置の一例を示す平面図である。

【図２】図１中のＡ−Ａ線矢視断面図である。

【図３】本発明方法の各工程を示す工程図である。

【図４】本発明方法の各工程を示す工程図である。

【図５】本発明の評価を行うプリント基板の製造工程の
途中のコア材を示す平面図である。

【図６】本発明の評価を行うプリント基板の製造工程を
示す図である。

【図７】比較例のプリント基板の製造工程の途中のコア
材を示す平面図である。

【図８】比較例のプリント基板の製造工程を示す図であ
る。

【図９】比較例のプリント基板の製造工程を示す図であ
る。

【図１０】円形ドットと穴（ビアホール）との重なり状
態の一例を示す図である。

【図１１】プリント基板のベースとなるコア材を示す平
面図である。

【図１２】プリント基板の従来の製造方法を概略的に示
す工程図である。

【符号の説明】

２…コア材、７…パターン形成領域、２０，４２，６０
…配線パターン、２２…貫通孔、２４…樹脂材、２６，
４４…絶縁層、２８，４６…基準非貫通穴、３０，４８
…導電層、３２，５０…位置決め凹部、３４，５２…レ
ジスト層、３８，５６…転写フィルム、Ｌ１…レーザ
光。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅 慎司 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 多田 順一 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 Ｆターム(参考） 5E339 AB02 AD05 BC01 BD07 BD08 BE13 CC01 CC02 CD01 CE11 CE18 CF06 CF16 CF17 DD04 5E346 AA26 AA32 CC09 CC32 CC55 CC57 CC58 DD02 DD03 DD17 DD22 DD32 DD48 EE02 EE16 EE17 EE20 EE37 GG15 GG17 GG22 HH25 HH33

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コア材の表面に配線パターンと絶縁層と
   を交互に複数層形成してなるプリント基板の製造方法に
   おいて、 表面全体に新たな絶縁層を形成する工程と、 前記新たな絶縁層に、パターン形成領域内であって下層
   の配線パターンと重ならない位置において直下の配線パ
   ターンを基準にしてレーザ光により下層に届くように基
   準非貫通穴を形成する工程と、 前記基準非貫通穴の上方に位置決め凹部ができるように
   絶縁層上に導電層を形成する工程と、 前記新たな絶縁層上に形成したレジスト層に対して前記
   位置決め凹部を基準として所定の回路パターンが記録さ
   れている転写フィルムを位置合わせして固定する工程
   と、 前記転写フィルムの回路パターンを前記導電層に転写し
   てパターン化することにより上層の配線パターンを形成
   する工程と、 を備えたことを特徴とするプリント基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記上層の配線パターンが、前記コア材
   の表面側より数えて第２層目の配線パターンの場合に
   は、前記基準非貫通穴の形成時にレーザ光が届く下層
   は、前記コア材であり、このコア材の一部には、前記レ
   ーザ光が届く部分に貫通孔に埋め込んだ樹脂材が設けら
   れることを特徴とする請求項１記載のプリント基板の製
   造方法。