JP2003174000A - Processing method and processing device - Google Patents

Processing method and processing device

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JP2003174000A
JP2003174000A JP2001372423A JP2001372423A JP2003174000A JP 2003174000 A JP2003174000 A JP 2003174000A JP 2001372423 A JP2001372423 A JP 2001372423A JP 2001372423 A JP2001372423 A JP 2001372423A JP 2003174000 A JP2003174000 A JP 2003174000A
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illuminance
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ultraviolet
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lamp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing method and a processing device capable of appropriately processing a substrate with ultraviolet rays, while extending a lifetime of an ultraviolet lamp. <P>SOLUTION: Immediately after an excimer UV lamp is lit on, a power to be supplied to the excimer UV lamp is adjusted and maintained to a minimum power necessary for maintaining the lighting. The illumination of the excimer UV lamp is lowered by using for a long time, and when coming to the minimum illumination (illumination limit N) necessary for a processing of a substrate, the power to be supplied to the excimer UV lamp is again increased. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,基板の処理方法及
び基板の処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては,基板
(例えば半導体ウェハ,LCD基板等)の表面が清浄化
された状態にあることを前提として各種の微細加工が行
われる。したがって,各加工処理に先立ち又は各加工処
理の間に基板表面の洗浄が行われ,例えばフォトリソグ
ラフィー工程では,レジスト塗布処理に先立って基板の
上面が洗浄される。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, various microfabrications are performed on the premise that the surface of a substrate (eg, semiconductor wafer, LCD substrate, etc.) is in a clean state. Therefore, the surface of the substrate is cleaned prior to each processing or during each processing. For example, in the photolithography process, the upper surface of the substrate is cleaned prior to the resist coating processing.

【0003】従来より,基板表面の有機物を洗浄する場
合,当該基板に紫外線を照射し,基板上の有機物を酸
化,気化させる紫外線洗浄処理が行われている。このよ
うな紫外線洗浄処理は,電力供給により紫外線ランプを
点灯させ,基板に所定照度の紫外線を照射することによ
り行われている。
Conventionally, when cleaning an organic substance on the surface of a substrate, an ultraviolet cleaning process has been performed in which the substrate is irradiated with ultraviolet rays to oxidize and vaporize the organic substance on the substrate. Such an ultraviolet cleaning process is performed by turning on an ultraviolet lamp by supplying power and irradiating the substrate with ultraviolet light having a predetermined illuminance.

【0004】紫外線ランプの点灯,消灯は,通常供給電
力量の調節により行われている。また紫外線ランプから
発光される紫外線の照度も供給電力量により制御されて
いる。そして,紫外線ランプの点灯を開始する際には,
最も多くの電力を要するので,このとき紫外線ランプに
は,より多くの電力が供給される。その後,紫外線ラン
プには,例えば紫外線の照度が一定になるような電力が
供給される。
Turning on and off of the ultraviolet lamp is usually carried out by adjusting the amount of electric power supplied. Further, the illuminance of ultraviolet rays emitted from the ultraviolet lamp is also controlled by the amount of electric power supplied. And when starting to turn on the ultraviolet lamp,
Since it requires the most power, more power is supplied to the UV lamp at this time. After that, electric power is supplied to the ultraviolet lamp so that the illuminance of the ultraviolet light becomes constant, for example.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで,紫外線ラン
プは,より大きな電力で強い照度で使用すればするほ
ど,寿命が短くなる。寿命が短くなると,その都度取り
替えのための時間を要し,基板の処理を停止させる必要
があるので,スループットが低下する。また,紫外線ラ
ンプは,高価であるため,頻繁に交換を要することにな
ると,ランニングコストが高くなる。一方,基板上の有
機物が紫外線により酸化等されるには,一定以上の照度
があれば足りる。すなわち,照度がある限度以上あれ
ば,紫外線照射洗浄は行われる。かかる観点から,でき
る限り紫外線ランプに供給する電力を抑え,照度を下げ
た状態で処理を行うことが望まれる。
By the way, the life of the ultraviolet lamp becomes shorter as it is used with larger power and strong illuminance. When the life is shortened, it takes time for replacement each time and it is necessary to stop the processing of the substrate, so that the throughput is lowered. Further, since the ultraviolet lamp is expensive, if it needs to be replaced frequently, the running cost becomes high. On the other hand, in order for the organic matter on the substrate to be oxidized by ultraviolet rays, it is sufficient if the illuminance is above a certain level. That is, if the illuminance is above a certain limit, the UV irradiation cleaning is performed. From this point of view, it is desirable to suppress the electric power supplied to the ultraviolet lamp as much as possible and perform the processing with the illuminance lowered.

【0006】しかしながら,安易に紫外線ランプへの供
給電力を下げると,紫外線ランプが消灯したり,紫外線
の点灯が不安定になったりすることがある。かかる場
合,基板の適切な処理が行われず,好ましくない。
However, if the power supplied to the ultraviolet lamp is easily lowered, the ultraviolet lamp may be turned off or the lighting of the ultraviolet may become unstable. In such a case, the substrate is not appropriately processed, which is not preferable.

【0007】本発明は,かかる点に鑑みてなされたもの
であり,紫外線ランプの寿命を延命させながら,基板に
紫外線を照射する処理を適切に行うことのできる基板の
処理方法及び基板の処理装置とを提供することをその目
的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of appropriately performing processing of irradiating a substrate with ultraviolet rays while extending the life of the ultraviolet lamp. The purpose is to provide and.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明によれ
ば,電力供給により紫外線ランプを点灯させ,基板に紫
外線を照射して基板を処理する処理方法であって,紫外
線ランプの点灯開始後に,前記基板の処理に必要な紫外
線の照度を実現できかつ前記点灯の維持に必要な最小限
の電力に,前記紫外線ランプへの供給電力を調節するこ
とを特徴とする処理方法が提供される。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a treatment method of turning on an ultraviolet lamp by supplying electric power and irradiating the substrate with ultraviolet rays to treat the substrate. There is provided a processing method characterized in that the electric power supplied to the ultraviolet lamp is adjusted to the minimum electric power required for maintaining the lighting and capable of realizing the illuminance of ultraviolet rays necessary for processing the substrate.

【0009】本発明によれば,紫外線ランプの点灯開始
後に,基板の処理が可能でかつ点灯の維持に必要な最小
限の電力に調節するので,紫外線ランプの照度が必要最
低限に抑えられ,紫外線ランプへの負担が軽減される。
こうなると紫外線ランプの劣化速度が遅くなるので,紫
外線ランプの寿命が延命できる。また,紫外線ランプの
点灯が維持されるので,基板の処理が適切に行われる。
さらに,消費電力量が低減されるので,コストダウンが
図られる。
According to the present invention, after the start of lighting of the ultraviolet lamp, the substrate can be processed and the electric power is adjusted to the minimum power necessary for maintaining the lighting, so that the illuminance of the ultraviolet lamp can be suppressed to the minimum necessary. The burden on the UV lamp is reduced.
In this case, the deterioration rate of the ultraviolet lamp becomes slower, so that the life of the ultraviolet lamp can be extended. Further, since the ultraviolet lamp is kept on, the substrate is properly processed.
Furthermore, since the power consumption is reduced, the cost can be reduced.

【0010】紫外線ランプを長時間使用すると,発光効
率が低下し,同じ電力を与えていても紫外線の照度が低
下する。本発明のように前記紫外線ランプの照度が低下
し,基板に照射される照度が基板の処理に必要な最低限
の照度に低下した時に,前記紫外線ランプへの供給電力
を増加させるようにしてもよい。この場合,減らしてい
た紫外線ランプへの供給電力を増加させるので,基板の
処理に必要な最低限以上の照度を維持できる。それ故,
基板の処理を継続して行うことができる。
When the ultraviolet lamp is used for a long time, the luminous efficiency is lowered and the illuminance of ultraviolet rays is lowered even if the same electric power is applied. As in the present invention, when the illuminance of the ultraviolet lamp decreases and the illuminance applied to the substrate decreases to the minimum illuminance required for processing the substrate, the power supplied to the ultraviolet lamp may be increased. Good. In this case, since the power supplied to the ultraviolet lamp, which has been reduced, is increased, the illuminance above the minimum necessary for processing the substrate can be maintained. Therefore,
Substrate processing can continue.

【0011】請求項3の発明によれば,請求項1又は2
に記載の処理方法を実施するための基板の処理装置であ
って,紫外線を発光する紫外線ランプと,前記紫外線ラ
ンプに電力を供給する電力供給部と,当該電力供給部の
供給電力を制御する電力制御部と,前記紫外線ランプの
照度を検出する照度センサと,前記照度センサにより検
出される照度と実際に基板上に照射される照射照度との
相関関係を記憶する記憶部と,を備え,前記電力制御部
は,前記照度センサで検出した照度から前記記憶部の相
関関係により前記基板上の照射照度を算出し,当該算出
された前記照射照度に基づいて前記電力供給部の供給電
力を制御可能であることを特徴とする処理装置が提供さ
れる。
According to the invention of claim 3, claim 1 or 2
A substrate processing apparatus for performing the processing method according to claim 1, wherein the ultraviolet lamp emits ultraviolet light, an electric power supply unit for supplying electric power to the ultraviolet lamp, and electric power for controlling the electric power supplied by the electric power supply unit. A control unit; an illuminance sensor that detects the illuminance of the ultraviolet lamp; and a storage unit that stores the correlation between the illuminance detected by the illuminance sensor and the irradiation illuminance that is actually applied to the substrate. The power control unit can calculate the irradiation illuminance on the substrate from the illuminance detected by the illuminance sensor based on the correlation of the storage unit, and can control the power supply of the power supply unit based on the calculated irradiation illuminance. A processing device is provided.

【0012】この発明によれば,上記請求項1又は2に
記載の処理方法を実施できるので,点灯後の紫外線ラン
プへの電力供給を必要最小限に抑えることができる。こ
れにより,紫外線ランプの劣化が抑制され,紫外線ラン
プの寿命を延命するすることができる。一方で紫外線ラ
ンプの点灯は維持されるので,基板の処理を適切に行う
ことができる。また,照度センサにより,例えば紫外線
ランプの発光効率が低下して紫外線ランプの照度が基板
の処理に必要な最小限の照度に到達したことを検出する
ことができる。これにより,当該検出をトリガとして紫
外線ランプへの供給電力を増加させ,前記基板の処理に
必要な最小限の照度を維持することができる。この結
果,基板の処理を継続することができる。さらに,記憶
部に記憶された照度センサによる照度と実際に基板上に
照射される照射照度との前記相関関係により,前記電力
制御部が実際の基板上の照射照度に基づいて前記供給電
力を制御できるので,より正確に基板への照度を制御で
きる。
According to the present invention, since the processing method according to the above-mentioned claim 1 or 2 can be carried out, the power supply to the ultraviolet lamp after lighting can be suppressed to the necessary minimum. As a result, the deterioration of the ultraviolet lamp is suppressed and the life of the ultraviolet lamp can be extended. On the other hand, since the lighting of the ultraviolet lamp is maintained, the substrate can be appropriately processed. Further, the illuminance sensor can detect, for example, that the luminous efficiency of the ultraviolet lamp has dropped and the illuminance of the ultraviolet lamp has reached the minimum illuminance necessary for processing the substrate. This makes it possible to increase the power supplied to the ultraviolet lamp by using the detection as a trigger and maintain the minimum illuminance necessary for processing the substrate. As a result, the processing of the substrate can be continued. Further, the power control unit controls the supplied power based on the actual irradiation illuminance on the substrate, based on the correlation between the illuminance by the illuminance sensor stored in the storage unit and the irradiation illuminance actually irradiated on the substrate. Therefore, the illuminance on the substrate can be controlled more accurately.

【0013】前記紫外線ランプからの紫外線は,所定方
向の基板に対して照射され,前記紫外線ランプには,前
記所定方向と逆方向に放射された紫外線を前記所定方向
に反射させるための反射鏡が備えられており,前記照射
センサは,前記反射鏡の表面に取り付けられていてもよ
い。本発明によれば,照射センサが紫外線ランプから直
接基板に照射される紫外線を遮ることがないので,紫外
線の基板への照射が適切に行われる。また,紫外線ラン
プからの紫外線を適切に反射させる反射鏡に照度センサ
が設けられるので,紫外線ランプの照度を適切かつ正確
に検出できる。
The ultraviolet ray from the ultraviolet lamp is applied to the substrate in a predetermined direction, and the ultraviolet lamp has a reflecting mirror for reflecting the ultraviolet ray emitted in the opposite direction to the predetermined direction. The irradiation sensor may be attached to the surface of the reflecting mirror. According to the present invention, since the irradiation sensor does not block the ultraviolet light directly radiated from the ultraviolet lamp onto the substrate, the substrate is appropriately irradiated with the ultraviolet light. Further, since the illuminance sensor is provided on the reflecting mirror that appropriately reflects the ultraviolet rays from the ultraviolet lamp, the illuminance of the ultraviolet lamp can be detected appropriately and accurately.

【0014】前記処理装置は,前記紫外線ランプは,複
数設けられ,前記照度センサは,前記各紫外線ランプ毎
に備えられていてもよい。これにより,各紫外線ランプ
毎に照度を検出し,各紫外線ランプ毎に供給電力を制御
できる。したがって,基板に照射される紫外線の照度を
より厳密に制御することができ,基板の処理が好適に行
われる。
The processing apparatus may be provided with a plurality of the ultraviolet lamps, and the illuminance sensor may be provided for each of the ultraviolet lamps. As a result, the illuminance can be detected for each ultraviolet lamp and the supply power can be controlled for each ultraviolet lamp. Therefore, the illuminance of the ultraviolet rays applied to the substrate can be controlled more strictly, and the substrate is appropriately processed.

【0015】また,前記処理装置は,前記紫外線ランプ
は,複数設けられ,前記照度センサは,前記複数の紫外
線ランプの中で,同じ電力を与えた時に最も照度の低い
紫外線ランプに備えられていてもよい。この処理装置に
よって,最も発光効率の低い紫外線ランプを基準に紫外
線ランプへの供給電力を制御できる。したがって,基板
に照射される紫外線の照度を確実に一定以上に維持する
ことができる。
Further, in the processing apparatus, a plurality of the ultraviolet lamps are provided, and the illuminance sensor is provided in the ultraviolet lamp having the lowest illuminance when the same power is applied among the plurality of ultraviolet lamps. Good. With this processing device, the power supplied to the ultraviolet lamp can be controlled based on the ultraviolet lamp having the lowest luminous efficiency. Therefore, the illuminance of the ultraviolet rays applied to the substrate can be reliably maintained above a certain level.

【0016】前記複数の紫外線ランプは,水平方向に並
べて配置され,前記最も照度の低い紫外線ランプは,前
記複数の紫外線ランプの中央に配置されていてもよい。
こうすることにより,左右の紫外線ランプにより,前記
照度の低い紫外線ランプの照度が補われ,照度の斑が解
消される。したがって,基板に斑なく紫外線を照射でき
る。
The plurality of ultraviolet lamps may be arranged side by side in the horizontal direction, and the ultraviolet lamp having the lowest illuminance may be arranged at the center of the plurality of ultraviolet lamps.
By doing so, the left and right ultraviolet lamps supplement the illuminance of the ultraviolet lamps with low illuminance, and the unevenness of the illuminance is eliminated. Therefore, it is possible to irradiate the substrate with ultraviolet light without any spots.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下,本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図1は,本実施の形態にかかる紫
外線照射/冷却ユニットを搭載した塗布現像処理装置1
の構成の概略を示す平面図である。塗布現像処理装置1
は,LCD製造プロセスのフォトリソグラフィー工程に
おける一連の処理が行われるものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a coating and developing treatment apparatus 1 equipped with an ultraviolet irradiation / cooling unit according to the present embodiment.
It is a top view which shows the outline of a structure. Coating and developing processor 1
Is a series of processes in the photolithography process of the LCD manufacturing process.

【0018】塗布現像処理装置1は,図1に示すように
例えば塗布現像処理装置1の端部に位置し,複数の基板
Gをカセット単位で外部に対して搬入出するためのカセ
ットステーション2と,フォトリソグラフィー工程の中
で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットが配置さ
れた処理ステーション3と,塗布現像処理装置1に隣接
して設けられ,処理ステーション3と図示しない露光装
置との間で基板Gの受け渡しを行うインターフェイス部
4とを一体に接続した構成を有している。
As shown in FIG. 1, the coating and developing treatment apparatus 1 is located at the end of the coating and developing treatment apparatus 1, for example, and a cassette station 2 for loading and unloading a plurality of substrates G in units of a cassette. , A processing station 3 in which various processing units for performing a predetermined processing in a single-wafer process are arranged in a photolithography process, and a processing station 3 and an exposure device (not shown) which are provided adjacent to the coating and developing processing apparatus 1. It has a configuration in which it is integrally connected to an interface section 4 for transferring the substrate G between them.

【0019】カセットステーション2では,載置部とな
るカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセット
CをY方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在とな
っている。そして,カセットCに収容された基板Gの基
板配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能な基
板搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられてい
る。これにより,基板搬送体7は,各カセットCに対し
て選択的にアクセスできる。
In the cassette station 2, a plurality of cassettes C can be placed in a line in a Y direction (vertical direction in FIG. 1) at a predetermined position on a cassette placing table 5 which is a placing portion. A substrate carrier 7 that is movable in the substrate arranging direction (Z direction; vertical direction) of the substrates G accommodated in the cassette C is movably provided along a carrier path 8. As a result, the substrate carrier 7 can selectively access each cassette C.

【0020】処理ステーション3には,例えばカセット
ステーション2側から順に洗浄プロセス部10,塗布プ
ロセス部11及び現像プロセス部12が一列に設けられ
ている。洗浄プロセス部10と塗布プロセス部11との
間及び塗布プロセス部11と現像プロセス部12との間
には,それぞれ基板中継部13,処理液供給ユニット1
4及びスペース15が設けられている。
In the processing station 3, for example, a cleaning process section 10, a coating process section 11 and a developing process section 12 are provided in a line in order from the cassette station 2 side. Between the cleaning process unit 10 and the coating process unit 11 and between the coating process unit 11 and the developing process unit 12, the substrate relay unit 13 and the processing liquid supply unit 1 are provided, respectively.
4 and space 15 are provided.

【0021】洗浄プロセス部10は,例えば2つのスク
ラバ洗浄ユニット20,上下2段の本実施の形態にかか
る紫外線照射/冷却ユニット21,加熱ユニット22及
び冷却ユニット23を有している。
The cleaning process section 10 has, for example, two scrubber cleaning units 20, an ultraviolet irradiation / cooling unit 21, a heating unit 22 and a cooling unit 23 according to the present embodiment, which are vertically arranged in two stages.

【0022】塗布プロセス部11は,レジスト塗布ユニ
ット30,減圧乾燥ユニット31,エッジリムーバユニ
ット32,上下2段型アドヒージョン/冷却ユニット3
3,上下2段型加熱/冷却ユニット34及び加熱ユニッ
ト35を有している。
The coating process unit 11 includes a resist coating unit 30, a reduced pressure drying unit 31, an edge remover unit 32, and an upper / lower two-stage adhesion / cooling unit 3.
3 has an upper and lower two-stage heating / cooling unit 34 and a heating unit 35.

【0023】現像プロセス部12は,3つの現像ユニッ
ト40,2つの上下2段型加熱/冷却ユニット41及び
加熱ユニット42を有している。
The developing process section 12 has three developing units 40, two upper and lower two-stage heating / cooling units 41 and a heating unit 42.

【0024】各プロセス部10,11,12の中央部に
は,長手方向(X方向)に搬送路50,51,52が設
けられ,この各搬送路50,51,52には,主搬送装
置53,54,55が各々設けられている。この主搬送
装置53〜55は,各プロセス部10〜12内の処理ユ
ニットにアクセス可能であり,各処理ユニットへの基板
Gの搬入出と各処理ユニット間の基板Gの搬送を行うこ
とができる。
Conveying paths 50, 51, 52 are provided in the longitudinal direction (X direction) at the center of each process section 10, 11, 12, and the main conveying devices are provided in the respective conveying paths 50, 51, 52. 53, 54 and 55 are provided respectively. The main transfer devices 53 to 55 can access the processing units in the process units 10 to 12, and can carry in and out the substrate G to and from the processing units and transfer the substrate G between the processing units. .

【0025】インターフェイス部4は,処理ステーショ
ン3側にエクステンション部60とバッファステージ6
1とを有している。また,インターフェイス部4は,処
理ステーション3の反対側(X方向負方向側)であって
図示しない露光装置側に搬送装置62を有している。こ
の搬送装置62は,処理ステーション3の基板Gを露光
装置内に搬送し,また露光処理の終了した基板Gを処理
ステーション3内に搬送することができる。
The interface section 4 includes an extension section 60 and a buffer stage 6 on the processing station 3 side.
1 and. Further, the interface unit 4 has a transport device 62 on the opposite side of the processing station 3 (negative side in the X direction) and on the exposure device side (not shown). The transfer device 62 can transfer the substrate G of the processing station 3 into the exposure device, and can transfer the substrate G after the exposure processing to the processing station 3.

【0026】次に,上述した紫外線照射/冷却ユニット
21の構成について説明する。図2は,紫外線照射/冷
却ユニット21の構成の概略を示す側面図である。
Next, the structure of the above-mentioned ultraviolet irradiation / cooling unit 21 will be described. FIG. 2 is a side view showing the outline of the configuration of the ultraviolet irradiation / cooling unit 21.

【0027】紫外線照射/冷却ユニット21は,3本の
円筒状の紫外線ランプ,例えばエキシマUVランプ7
0,71,72を収容するランプ室73と,このランプ
室73の下方に隣接して設けられた洗浄処理室74とを
有している。ランプ室73の下面には,石英ガラス窓7
5が取り付けられており,エキシマUVランプ70〜7
2から所定方向である下方向に発光された紫外線は,石
英ガラス窓75を透過し,洗浄処理室74内に照射され
る。
The ultraviolet irradiation / cooling unit 21 includes three cylindrical ultraviolet lamps such as an excimer UV lamp 7.
It has a lamp chamber 73 for accommodating 0, 71, 72 and a cleaning processing chamber 74 provided below and adjacent to the lamp chamber 73. On the lower surface of the lamp chamber 73, the quartz glass window 7
5 is attached to the excimer UV lamp 70 to 7
Ultraviolet rays emitted downward from 2, which is a predetermined direction, pass through the quartz glass window 75 and are irradiated into the cleaning processing chamber 74.

【0028】ランプ室73のエキシマUVランプ70〜
72は,例えば水平方向に並べて配置されている。各エ
キシマUVランプ70〜72は,それぞれ電力供給部と
してのランプ電源76,77,78を有し,当該ランプ
電源76〜78からの供給電力により点灯する。各ラン
プ電源76〜78の供給電力は,電力制御部79により
制御される。電力制御部79は,エキシマUVランプ7
0〜72の電力可変範囲,例えば0〜100kWの範囲
内で供給電力を調節できる。この電力調節は,例えば電
力制御部79に設定された電力調節プログラムにより行
うことができる。
Excimer UV lamp 70 in the lamp chamber 73
The 72 are arranged, for example, side by side in the horizontal direction. Each of the excimer UV lamps 70 to 72 has a lamp power supply 76, 77, 78 as a power supply unit, and is turned on by the power supplied from the lamp power supply 76 to 78. The power supply of each of the lamp power supplies 76 to 78 is controlled by the power controller 79. The electric power control unit 79 uses the excimer UV lamp 7
The supplied power can be adjusted within a power variable range of 0 to 72, for example, within a range of 0 to 100 kW. This power adjustment can be performed by a power adjustment program set in the power control unit 79, for example.

【0029】各エキシマUVランプ70〜72の上方側
には,横断面円弧状の凹面反射鏡80,81,82がそ
れぞれ配置されている。各エキシマUVランプ70〜7
2から上方に放射された紫外線は,各凹面反射鏡80〜
82で反射して洗浄処理室74側に照射される。
Above the excimer UV lamps 70 to 72, concave reflecting mirrors 80, 81, 82 having an arcuate cross section are arranged, respectively. Excimer UV lamp 70 to 7
The ultraviolet rays radiated upward from 2 are reflected by the concave reflecting mirrors 80-
It is reflected by 82 and is irradiated to the cleaning processing chamber 74 side.

【0030】各凹面反射鏡80〜82の表面には,それ
ぞれのエキシマUVランプ70〜72の照度を検出する
照度センサ83,84,85が取り付けられている。各
照度センサ83〜85の検出結果は,例えば電力制御部
79に出力できる。
Illuminance sensors 83, 84 and 85 for detecting the illuminance of the excimer UV lamps 70 to 72 are attached to the surfaces of the concave reflecting mirrors 80 to 82, respectively. The detection results of the illuminance sensors 83 to 85 can be output to the power control unit 79, for example.

【0031】電力制御部79には,例えばRAM等で構
成された記憶部86が備えられている。記憶部86に
は,照度センサ83〜85の検出する照度と,洗浄処理
室74内の後述するステージ90上の基板Gに実際に照
射される紫外線の照度との相関関係としての相関データ
が記憶されている。電力制御部79は,各照度センサ8
3〜85からの検出照度から,当該相関データにより実
際の基板Gへの照射照度を算出し,当該算出した照射照
度に基づいて供給電力を調節することができる。相関デ
ータは,例えば各照度センサ83〜85毎に記憶され
る。また,相関データは,例えば予め実験等により求め
られたものが用いられる。
The power control section 79 is provided with a storage section 86 composed of, for example, a RAM. Correlation data is stored in the storage unit 86 as a correlation between the illuminance detected by the illuminance sensors 83 to 85 and the illuminance of ultraviolet rays that are actually applied to the substrate G on the stage 90 in the cleaning processing chamber 74, which will be described later. Has been done. The power control unit 79 controls each illuminance sensor 8
From the detected illuminances from 3 to 85, the actual irradiation illuminance on the substrate G can be calculated from the correlation data, and the supplied power can be adjusted based on the calculated irradiation illuminance. The correlation data is stored for each of the illuminance sensors 83 to 85, for example. Moreover, as the correlation data, for example, data obtained in advance by experiments or the like is used.

【0032】基板G上の有機物が酸化,気化等を起こす
には,最低限の紫外線の照度(照度限界N)が必要とな
る。電力制御部79には,当該照度限界Nを設定でき,
例えば基板Gへの照射照度が照度限界Nになると,図示
しない警告部によりアラームが立つようになっている。
In order for the organic matter on the substrate G to oxidize, vaporize, etc., a minimum illuminance of ultraviolet rays (illuminance limit N) is required. In the power control unit 79, the illuminance limit N can be set,
For example, when the irradiation illuminance on the substrate G reaches the illuminance limit N, an alarm is raised by a warning unit (not shown).

【0033】なお,ランプ室73には,エキシマUVラ
ンプ70〜72を冷却する冷却ジャケット(図示しな
い)やランプ室73に不活性ガスや窒素ガスを充満させ
るためのガス供給機構(図示しない)等が設けられてい
てもよい。
The lamp chamber 73 has a cooling jacket (not shown) for cooling the excimer UV lamps 70 to 72, a gas supply mechanism (not shown) for filling the lamp chamber 73 with an inert gas or nitrogen gas, and the like. May be provided.

【0034】一方,洗浄処理室74には,基板Gを水平
に載置するステージ90が設けられている。ステージ9
0上には,例えば図示しない吸引口が設けられており,
基板Gは,この吸引口によりステージ90上に吸着され
る。ステージ90は,ステージ駆動部91上に設けられ
ている。ステージ駆動部91は,ボールねじ92を用い
てY方向に設けられたガイド93に沿って水平移動でき
る。つまり,ステージ90上の基板Gは,ステージ駆動
部91により紫外線の放射される石英ガラス窓75の下
方を通過することができ,基板Gに紫外線を斑なく照射
することができる。
On the other hand, the cleaning processing chamber 74 is provided with a stage 90 on which the substrate G is placed horizontally. Stage 9
0 is provided with, for example, a suction port (not shown),
The substrate G is adsorbed on the stage 90 by this suction port. The stage 90 is provided on the stage drive unit 91. The stage drive unit 91 can be horizontally moved along a guide 93 provided in the Y direction by using a ball screw 92. That is, the substrate G on the stage 90 can pass below the quartz glass window 75 where ultraviolet rays are radiated by the stage driving unit 91, and the substrate G can be uniformly radiated with ultraviolet rays.

【0035】また,ステージ90は,ステージ駆動部9
1により上下動できる。ステージ90には,基板Gを水
平に支持する支持ピン94が垂直方向に貫通している。
支持ピン94は,ステージ90と共に上下動せず,例え
ばステージ駆動部91に固定されている。これにより,
ステージ90を下降させると図2に示すように支持ピン
94がステージ90から突出した状態になる。したがっ
て,主搬送装置53とステージ90間で基板Gの受け渡
しを行う際に,主搬送装置53のアーム(図示しない)
が基板Gとステージ90との間に進入できるので,基板
Gの受け渡しを好適に行うことができる。
The stage 90 includes a stage drive unit 9
Can be moved up and down by 1. A support pin 94 that horizontally supports the substrate G penetrates the stage 90 in the vertical direction.
The support pin 94 does not move up and down together with the stage 90, but is fixed to, for example, the stage drive unit 91. By this,
When the stage 90 is lowered, the support pins 94 project from the stage 90 as shown in FIG. Therefore, when the substrate G is transferred between the main transfer device 53 and the stage 90, an arm (not shown) of the main transfer device 53.
Since it can enter between the substrate G and the stage 90, the substrate G can be transferred appropriately.

【0036】搬送路50側(Y方向負方向側)の洗浄処
理室74の側壁には,基板Gの搬送口95が設けられて
いる。搬送口95には,この搬送口95を開閉するシャ
ッタ96が設けられている。したがって,基板Gの洗浄
処理は,閉鎖空間で行うことができ,基板Gの搬入出の
時のみ搬送口95を開放することができる。なお,ステ
ージ90の水平移動及び上下動,シャッタ96の開閉
は,図示しないユニット制御部にて制御される。
A transfer port 95 for the substrate G is provided on the side wall of the cleaning processing chamber 74 on the transfer path 50 side (the Y direction negative direction side). The transfer port 95 is provided with a shutter 96 that opens and closes the transfer port 95. Therefore, the cleaning process of the substrate G can be performed in the closed space, and the transfer port 95 can be opened only when the substrate G is loaded and unloaded. The horizontal movement and vertical movement of the stage 90 and the opening and closing of the shutter 96 are controlled by a unit controller (not shown).

【0037】次に,以上のように構成されている紫外線
照射/冷却ユニット21の作用を,塗布現像処理装置1
で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に
説明する。
Next, the operation of the ultraviolet irradiation / cooling unit 21 configured as described above will be described with reference to the coating and developing treatment apparatus 1.
The process of the photolithography process performed in 1. will be described.

【0038】先ず,基板搬送体7によりカセットCから
未処理の基板Gが1枚取り出され,処理ステーション3
の洗浄プロセス部10の主搬送装置53に受け渡され
る。洗浄プロセス部10に搬送された基板Gは,先ず紫
外線照射/冷却ユニット21に搬送される。
First, one unprocessed substrate G is taken out from the cassette C by the substrate carrier 7 and the processing station 3
It is delivered to the main transfer device 53 of the cleaning process unit 10. The substrate G transferred to the cleaning process unit 10 is first transferred to the ultraviolet irradiation / cooling unit 21.

【0039】紫外線照射/冷却ユニット21において紫
外線照射による乾式洗浄が行われた基板Gは,スクラバ
洗浄ユニット20に搬送され,スクラビング洗浄処理に
付される。スクラビング洗浄された基板Gは,加熱ユニ
ット22に搬送され,脱水処理された後,冷却ユニット
23に搬送されて所定温度に冷却される。冷却処理の終
了した基板Gは,洗浄プロセス部10から基板中継部1
3を介して塗布プロセス部11に搬送される。
The substrate G which has been dry-cleaned by ultraviolet irradiation in the ultraviolet irradiation / cooling unit 21 is transferred to the scrubber cleaning unit 20 and subjected to scrubbing cleaning processing. The scrubbed and cleaned substrate G is transferred to the heating unit 22, subjected to dehydration processing, and then transferred to the cooling unit 23 to be cooled to a predetermined temperature. The substrate G that has been cooled is transferred from the cleaning process unit 10 to the substrate relay unit 1
3 is conveyed to the coating process unit 11.

【0040】塗布プロセス部11に搬送された基板G
は,先ず主搬送装置54によってアドヒージョン/冷却
ユニット33に搬送され,疎水化処理された後,冷却処
理される。次いで基板Gは,レジスト塗布ユニット30
に搬送され,基板G上にレジスト膜が形成された後,減
圧乾燥ユニット31に搬送され,レジスト膜の乾燥処理
が行われ,さらにエッジリムーバユニット32に搬送さ
れて,基板Gの外周部のレジスト膜が除去される。外周
部の膜の除去処理が終了した基板Gは,加熱/冷却ユニ
ット34に搬送され,プリベーキング処理が行われた
後,冷却処理される。
The substrate G transported to the coating process section 11
Is first transported to the adhesion / cooling unit 33 by the main transport device 54, subjected to hydrophobic treatment, and then cooled. Next, the substrate G is a resist coating unit 30.
Of the resist film on the substrate G, the resist film is formed on the substrate G, and then transferred to the reduced pressure drying unit 31, the resist film is dried, and further transferred to the edge remover unit 32, and the resist on the outer peripheral portion of the substrate G is transferred. The film is removed. The substrate G, which has been subjected to the removal processing of the film on the outer peripheral portion, is transported to the heating / cooling unit 34, subjected to prebaking processing, and then subjected to cooling processing.

【0041】その後,基板Gは,主搬送装置54及び主
搬送装置55によってインターフェイス部4のエクステ
ンション部60に搬送され,搬送装置62によって図示
しない露光装置に搬送される。露光装置では,基板G上
のレジスト膜に所定の回路パターンが露光される。露光
処理の終了した基板Gは,インターフェイス部4を介し
て現像プロセス部12に戻され,主搬送装置55により
現像ユニット40に搬送される。現像ユニット40で
は,現像処理が行われる。現像処理の終了した基板G
は,加熱/冷却ユニット41に搬送され,ポストベーキ
ング処理が行われた後,冷却処理される。冷却処理が終
了した基板Gは,主搬送装置55,54,53によって
カセットステーション2まで搬送され,基板搬送体7に
よってカセットCに戻されて,一連のフォトリソグラフ
ィー工程が終了する。
After that, the substrate G is transferred to the extension section 60 of the interface section 4 by the main transfer device 54 and the main transfer device 55, and transferred to the exposure device (not shown) by the transfer device 62. In the exposure device, a predetermined circuit pattern is exposed on the resist film on the substrate G. The exposed substrate G is returned to the developing process unit 12 via the interface unit 4 and is conveyed to the developing unit 40 by the main conveyance device 55. In the developing unit 40, development processing is performed. Substrate G for which development processing has been completed
Is transported to the heating / cooling unit 41, subjected to post-baking processing, and then cooled. The substrate G that has been cooled is transported to the cassette station 2 by the main transport devices 55, 54, and 53 and returned to the cassette C by the substrate transport body 7, and a series of photolithography steps is completed.

【0042】続いて,上述の紫外線照射/冷却ユニット
21における紫外線洗浄処理について詳しく説明する。
Next, the UV cleaning process in the UV irradiation / cooling unit 21 will be described in detail.

【0043】紫外線の発光状態を安定させるため,例え
ば塗布現像処理装置1の立ち上げ時にエキシマUVラン
プ70〜72が点灯される。このとき,ランプ電源76
〜78の供給電力は,図3に示すように点灯開始時に必
要な電力(点灯開始電力H),例えば100kW(最大
出力の100%)に調節される(図3のT1)。なお,
この点灯開始時の紫外線の照度は,例えば50mW/c
になる。
In order to stabilize the emission state of ultraviolet rays, for example, the excimer UV lamps 70 to 72 are turned on when the coating and developing apparatus 1 is started up. At this time, the lamp power supply 76
As shown in FIG. 3, the supplied powers of to 78 are adjusted to the power required at the start of lighting (lighting start power H), for example, 100 kW (100% of maximum output) (T1 in FIG. 3). In addition,
The illuminance of ultraviolet light at the start of lighting is, for example, 50 mW / c
become m 2.

【0044】エキシマUVランプ70〜72が点灯する
と,ランプ電源76〜78による供給電力が,点灯を維
持するのに必要な最小限の電力(点灯維持電力M),例
えば70kW(最大出力の70%)に減少される(図3
のT2)。これにより紫外線の照度は,例えば35mW
/cmに低下し,その後維持される。なお,この点灯
維持電力M時の紫外線の照度は,基板Gの洗浄処理に必
要な照度限界N,例えば20mW/cmより高い値で
ある。
When the excimer UV lamps 70 to 72 are turned on, the power supplied by the lamp power sources 76 to 78 is the minimum electric power required to maintain the lighting (lighting maintenance power M), for example, 70 kW (70% of the maximum output). ) (Fig. 3
T2). As a result, the illuminance of ultraviolet rays is, for example, 35 mW.
/ Cm 2 and then maintained. The illuminance of ultraviolet rays at the time of the lighting maintaining power M is higher than the illuminance limit N required for cleaning the substrate G, for example, 20 mW / cm 2 .

【0045】そして,上述した一連のフォトリソグラフ
ィー工程が開始され,主搬送装置53により洗浄処理室
74内に基板Gが搬送されると,例えば照度センサ83
〜85が作動し,各エキシマUVランプ70〜72の照
度が電力制御部79に出力され始める。洗浄処理室74
内に搬入された基板Gは,主搬送装置53から支持ピン
94に受け渡され,その後ステージ90が上昇して当該
基板Gがステージ90上に載置される。その後,基板G
は,ステージ駆動部91によりY方向に移動する。この
とき,基板Gが石英ガラス窓75の下方を通過し,エキ
シマUVランプ70〜72からの,例えば35mW/c
の紫外線が基板G上に照射される。これにより,基
板G上の不要な有機物が酸化,気化され,基板Gが洗浄
される。
When the series of photolithography steps described above are started and the substrate G is transferred into the cleaning processing chamber 74 by the main transfer device 53, for example, the illuminance sensor 83
~ 85 are activated, and the illuminance of the excimer UV lamps 70 to 72 starts to be output to the power control unit 79. Cleaning treatment room 74
The substrate G carried in is transferred from the main carrier device 53 to the support pins 94, and then the stage 90 rises and the substrate G is placed on the stage 90. Then substrate G
Moves in the Y direction by the stage drive unit 91. At this time, the substrate G passes below the quartz glass window 75, and the excimer UV lamps 70 to 72 generate, for example, 35 mW / c.
The substrate G is irradiated with ultraviolet rays of m 2 . As a result, unnecessary organic substances on the substrate G are oxidized and vaporized, and the substrate G is cleaned.

【0046】基板Gの全面に所定量の紫外線が照射さ
れ,基板Gの紫外線洗浄が終了すると,ステージ90が
搬送口95側に戻され,搬入時と同様に主搬送装置53
に基板Gが受け渡されて,洗浄処理室74から搬出され
る。こうして一連の紫外線洗浄処理が終了する。そし
て,一枚の基板Gの処理が終了すると,次の基板Gが洗
浄処理室74内に搬入され,同様の紫外線洗浄処理が行
われる。このように次々に新しい基板Gが搬送され,一
連の紫外線洗浄処理が連続して行われる。この間,紫外
線ランプ70〜73は,常時点灯している。
When the entire surface of the substrate G is irradiated with a predetermined amount of ultraviolet rays and the cleaning of the substrate G with ultraviolet rays is completed, the stage 90 is returned to the transfer port 95 side, and the main transfer device 53 is moved in the same manner as when the transfer is carried in.
The substrate G is transferred to the cleaning processing chamber 74. In this way, a series of ultraviolet cleaning processing is completed. Then, when the processing of one substrate G is completed, the next substrate G is carried into the cleaning processing chamber 74, and the same ultraviolet cleaning processing is performed. In this way, new substrates G are successively transported and a series of ultraviolet cleaning treatments are continuously performed. During this time, the ultraviolet lamps 70 to 73 are constantly lit.

【0047】このようにエキシマUVランプ70〜72
を点灯させた状態で長時間の基板Gの処理が行われる
と,供給電力を一定に保っていても図3に示すようにエ
キシマUVランプ70〜72の基板Gへの照度が徐々に
低下していく。これは,時間と共にエキシマUVランプ
の電極材料が劣化すること等に起因する。そして,いず
れかの照度センサ83〜85の検出照度に基づいて,基
板Gへの照射照度が照度限界Nに達したことが認識され
ると,アラームが発せられる(図3のT3)。次いで電
力制御部79により,照度限界Nに到達したエキシマU
Vランプへの供給電力が例えば70kWから増大され,
基板への照射照度が照度限界Nを下回らないように調節
される。この調節は,例えばエキシマUVランプの供給
電力を一定の傾きで増大させることにより行われる。こ
れにより,基板Gへの照射照度が,少なくとも照度限界
Nに維持され,紫外線洗浄処理が継続可能となる。な
お,このとき,照度センサ83〜85が基板Gへの照射
照度が照度限界Nを下回らないように監視し続けてもよ
い。
Thus, the excimer UV lamps 70 to 72 are
When the substrate G is processed for a long time in a state in which is turned on, the illuminance of the excimer UV lamps 70 to 72 on the substrate G gradually decreases as shown in FIG. 3 even if the supplied power is kept constant. To go. This is because the electrode material of the excimer UV lamp deteriorates over time. Then, when it is recognized that the irradiation illuminance on the substrate G reaches the illuminance limit N based on the illuminance detected by any of the illuminance sensors 83 to 85, an alarm is issued (T3 in FIG. 3). Next, the power control unit 79 causes the excimer U that has reached the illuminance limit N.
The power supplied to the V lamp is increased from 70 kW,
The irradiation illuminance on the substrate is adjusted so as not to fall below the illuminance limit N. This adjustment is performed, for example, by increasing the power supplied to the excimer UV lamp at a constant slope. As a result, the irradiation illuminance on the substrate G is maintained at least at the illuminance limit N, and the ultraviolet cleaning process can be continued. At this time, the illuminance sensors 83 to 85 may continue to monitor so that the illuminance of irradiating the substrate G does not fall below the illuminance limit N.

【0048】その後,エキシマUVランプ70〜72の
最大出力である100kWに到達し,当該最大出力であ
っても少なくとも一つのエキシマUVランプが照度限界
Nを維持できなったときに,例えば電力制御部79に連
動する別のアラームが発信され,この時基板Gの処理が
停止される(図3のT4)。
Then, when the maximum output of the excimer UV lamps 70 to 72 reaches 100 kW and at least one of the excimer UV lamps cannot maintain the illuminance limit N even with the maximum output, for example, the power control unit. Another alarm linked with 79 is transmitted, and at this time, the processing of the substrate G is stopped (T4 in FIG. 3).

【0049】以上の実施の形態によれば,電力制御部7
9により,点灯開始後にエキシマUVランプ70〜72
の供給電力を,点灯維持に最低限必要な点灯維持電力M
に下げたので,その分エキシマUVランプ70〜72の
劣化等が遅れ,エキシマUVランプ70〜72の寿命を
延ばすことができる。また,これによりエキシマUVラ
ンプ70〜72の消費電力も低減できる。
According to the above embodiment, the power control unit 7
9, excimer UV lamps 70-72 after starting lighting
The minimum required lighting maintenance power M to maintain lighting
As a result, the deterioration of the excimer UV lamps 70 to 72 is delayed, and the life of the excimer UV lamps 70 to 72 can be extended. In addition, this also reduces the power consumption of the excimer UV lamps 70 to 72.

【0050】処理開始後,照度センサ83〜85により
各エキシマUVランプ70〜72の照度を監視するよう
にしたので,エキシマUVランプ70〜72の発光効率
が低下し,基板Gへの照射照度が照度限界Nに達したこ
とを検出できる。そして,その後,抑えていた供給電力
を電力制御部79により上昇させるので,エキシマUV
ランプ70〜72による基板Gへの照度が照度限界N以
上に維持され,紫外線の洗浄処理を継続することができ
る。
After the processing is started, the illuminance sensors 83 to 85 monitor the illuminances of the excimer UV lamps 70 to 72. Therefore, the luminous efficiency of the excimer UV lamps 70 to 72 decreases and the illuminance of the substrate G is reduced. It can be detected that the illuminance limit N has been reached. Then, after that, the power supply that has been suppressed is increased by the power control unit 79, so that the excimer UV
The illuminance on the substrate G by the lamps 70 to 72 is maintained at the illuminance limit N or higher, and the ultraviolet cleaning process can be continued.

【0051】照度センサ83〜85を凹面反射鏡80〜
82に取り付けたので,エキシマUVランプ70〜72
の個々の照度を正確に検出できる。また,照度センサ8
3〜85は,基板Gと逆側に配置されるので,下方の基
板Gへの紫外線の照射を妨げることがない。
The illuminance sensors 83 to 85 are replaced by concave reflecting mirrors 80 to
Since it was attached to 82, excimer UV lamps 70-72
The individual illuminance of can be accurately detected. In addition, the illuminance sensor 8
Since Nos. 3 to 85 are arranged on the opposite side of the substrate G, the irradiation of ultraviolet rays to the lower substrate G is not hindered.

【0052】照度センサ83〜85で検出した照度と実
際の基板Gへの照射照度との相関データを予め記憶部8
6に記憶させておき,電力制御部79は,当該基板Gへ
の照射照度を基準に供給電力を制御できるので,より正
確かつ適切に供給電力を調節できる。
Correlation data between the illuminance detected by the illuminance sensors 83 to 85 and the actual illuminance applied to the substrate G is stored in advance in the storage unit 8.
6, the power control unit 79 can control the power supply based on the irradiation illuminance on the substrate G, so that the power supply can be adjusted more accurately and appropriately.

【0053】以上の実施の形態では,基板Gへの照射照
度を照度限界Nに維持する際に,エキシマUVランプ7
0〜72への供給電力を一定の傾きで上昇させていた
が,ステップ状に上昇させてもよい。かかる場合,図4
に示すように基板Gへの照射照度が低下して照度限界N
に達する度に供給電力を所定量ずつステップ状に上昇さ
せていく。こうすることによっても,基板Gへの照射照
度が維持され,紫外線洗浄処理を継続することができ
る。なお,基板Gへの照射照度が最初に照度限界Nに達
した時に,エキシマUVランプ70〜72の最大許容電
力(最大出力)まで一気に上昇させてもよい。
In the above embodiment, when the irradiation illuminance on the substrate G is maintained at the illuminance limit N, the excimer UV lamp 7 is used.
Although the power supplied to 0 to 72 is increased at a constant slope, it may be increased stepwise. In such a case, FIG.
As shown in FIG.
Power supply is increased stepwise by a predetermined amount each time. Also by doing so, the irradiation illuminance on the substrate G is maintained, and the ultraviolet cleaning process can be continued. When the irradiation illuminance on the substrate G first reaches the illuminance limit N, the maximum allowable power (maximum output) of the excimer UV lamps 70 to 72 may be increased at once.

【0054】照度センサ83〜85の作動開始タイミン
グは,任意に選択でき,例えばエキシマUVランプの累
積使用時間が所定の設定時間を経過した時に作動を開始
するように設定する図示しない設定部を備えてもよい。
かかる設定時間は,例えばエキシマUVランプの平均寿
命の所定の割合,例えば80%〜90%程度であっても
よい。
The operation start timings of the illuminance sensors 83 to 85 can be arbitrarily selected, and for example, a setting section (not shown) is set to start the operation when the accumulated use time of the excimer UV lamp has exceeded a predetermined set time. May be.
The set time may be, for example, a predetermined ratio of the average life of the excimer UV lamp, for example, about 80% to 90%.

【0055】以上の実施の形態では,全てのエキシマU
Vランプ70〜72に対して照度センサ83〜85を備
えていたが,複数のエキシマUVランプのうち,最も発
光効率の低いもの,つまり同じ電力を与えた時に最も照
度の弱いものに照度センサを備えるようにしてもよい。
In the above embodiment, all excimers U are used.
Although the illuminance sensors 83 to 85 are provided for the V lamps 70 to 72, the illuminance sensor is used for the one having the lowest luminous efficiency among the plurality of excimer UV lamps, that is, the one having the weakest illuminance when the same power is applied. It may be provided.

【0056】発光効率の低いエキシマUVランプは,予
め検査等により定めておく。図5に示すようにエキシマ
UVランプ100,101,102のうち,最も発光効
率の低いエキシマUVランプ101は,中央部に配置さ
れる。各エキシマUVランプ100〜102には,凹面
反射鏡103〜105が設けられ,エキシマUVランプ
101の凹面反射鏡104には,照度センサ106が設
けられる。照度センサ106の検出結果は,電力制御部
107に出力可能である。電力制御部107では,この
検出結果を基に前記実施の形態と同様のエキシマUVラ
ンプ100〜102への供給電力の制御が行われる。例
えば,エキシマUVランプ104の照度が低下し,照度
センサ106によって照度限界Nに相当する照度が検出
されると,電力制御部107は,各エキシマUVランプ
100〜102への供給電力を上げる。その後,照度セ
ンサ106は,エキシマUVセンサ101の照度を監視
しつづける。電力制御部107は,照度センサ106の
検出結果に基づき基板Gへの照射照度が照度限界Nを下
回らないようにエキシマUVランプ100〜102への
供給電力を制御する。
Excimer UV lamps having low luminous efficiency are determined in advance by inspection or the like. As shown in FIG. 5, of the excimer UV lamps 100, 101, 102, the excimer UV lamp 101 having the lowest luminous efficiency is arranged in the central portion. Concave reflecting mirrors 103 to 105 are provided in each excimer UV lamp 100 to 102, and an illuminance sensor 106 is provided in the concave reflecting mirror 104 of the excimer UV lamp 101. The detection result of the illuminance sensor 106 can be output to the power control unit 107. Based on this detection result, the electric power control unit 107 controls the electric power supplied to the excimer UV lamps 100 to 102 as in the above-described embodiment. For example, when the illuminance of the excimer UV lamp 104 decreases and the illuminance sensor 106 detects the illuminance corresponding to the illuminance limit N, the power control unit 107 increases the power supplied to the excimer UV lamps 100 to 102. After that, the illuminance sensor 106 continues to monitor the illuminance of the excimer UV sensor 101. The power control unit 107 controls the power supplied to the excimer UV lamps 100 to 102 so that the irradiation illuminance on the substrate G does not fall below the illuminance limit N based on the detection result of the illuminance sensor 106.

【0057】この例によれば,発光効率の低いエキシマ
UVランプ101に照度センサ106を備え,当該照度
センサ106により検出された照度に基づいて照度限界
Nを維持するので,必然的に他のエキシマUVランプ1
00,102の照度も照度限界N以上に維持される。し
たがって,照度センサを一箇所に設けるだけで,全エキ
シマUVランプ100〜102の照度を適切に制御でき
る。また,発光効率の低いエキシマランプ101を中央
部に配置するので,左右のエキシマUVランプ100,
102によりエキシマUVランプ101の照度が補填さ
れ,基板Gに対して斑のない紫外線を照射できる。
According to this example, the excimer UV lamp 101 having a low luminous efficiency is provided with the illuminance sensor 106, and the illuminance limit N is maintained based on the illuminance detected by the illuminance sensor 106. Therefore, it is inevitable that another excimer is used. UV lamp 1
The illuminances of 00 and 102 are also maintained above the illuminance limit N. Therefore, the illuminances of all the excimer UV lamps 100 to 102 can be appropriately controlled only by providing the illuminance sensor at one place. Further, since the excimer lamp 101 having low luminous efficiency is arranged in the central portion, the left and right excimer UV lamps 100,
The illuminance of the excimer UV lamp 101 is compensated by 102, so that the substrate G can be irradiated with ultraviolet rays without spots.

【0058】上述した実施の形態で使用されたエキシマ
UVランプは,3本であったが,その数は,任意に選択
可能である。また,前記実施の形態で用いた紫外線ラン
プは,エキシマUVランプであったが,他の紫外線ラン
プ,例えば水銀灯,ハロゲンランプ,メタルハライドラ
ンプ等であってもよい。なお,エキシマUVランプ等の
紫外線ランプは直ちに点灯し,照度が安定するため,一
枚の基板処理の開始と終了に合わせて紫外線ランプの点
灯と消灯を行ってもよい。この場合,例えば支持ピン9
4上への基板Gの搬入,ステージ90の上昇開始又はス
テージ90の上昇終了に基づいて紫外線ランプに点灯信
号を送信し,予め設定された照射時間が経過した後に消
灯すればよい。そして,点灯時は,点灯に必要な電力
(点灯開始電力H)を供給し,点灯後,点灯を維持する
のに必要な最小限の電力(点灯維持電力M)又は照度限
界Nを維持する電力まで減少させればよい。このように
することで,さらに寿命を延ばすことができる。また,
照度が照度限界Nに達したときに基板Gの処理を停止す
る代わりに,予め時間T3以降の時間による供給電力と
照度を記憶し,この記憶結果から実際に照度限界Nにな
る時間T4より前に時間T4を予測するようにしてもよ
い。かかる場合,予測した時間T4までの残り時間で次
の基板が処理できない場合に,現在の基板Gの処理が終
了したときにアラームを発信し,次の基板の処理を行わ
ないようにしてもよい。こうすることにより,基板Gの
処理が処理中に停止されることがなく,装置の信頼性が
向上できる。
The number of excimer UV lamps used in the above-described embodiment is three, but the number can be arbitrarily selected. Further, the ultraviolet lamp used in the above-mentioned embodiment is an excimer UV lamp, but it may be another ultraviolet lamp, for example, a mercury lamp, a halogen lamp, a metal halide lamp or the like. Since an ultraviolet lamp such as an excimer UV lamp is immediately turned on and the illuminance is stable, the ultraviolet lamp may be turned on and off at the start and end of processing one substrate. In this case, for example, the support pin 9
4, the lighting signal may be transmitted to the ultraviolet lamp on the basis of the loading of the substrate G onto the substrate 4, the start of the rising of the stage 90, or the end of the rising of the stage 90, and the light may be turned off after a preset irradiation time has elapsed. Then, at the time of lighting, the power necessary for lighting (lighting start power H) is supplied, and after lighting, the minimum power necessary for maintaining lighting (lighting maintenance power M) or power for maintaining the illuminance limit N. It should be reduced to. By doing so, the life can be further extended. Also,
Instead of stopping the processing of the substrate G when the illuminance reaches the illuminance limit N, the supply power and the illuminance for the time after the time T3 are stored in advance, and the time before the time T4 when the illuminance reaches the illuminance limit N is actually stored. Alternatively, the time T4 may be predicted. In this case, when the next substrate cannot be processed within the estimated remaining time up to the time T4, an alarm may be issued when the processing of the current substrate G is completed and the processing of the next substrate may not be performed. . By doing so, the processing of the substrate G is not stopped during the processing, and the reliability of the device can be improved.

【0059】以上の実施の形態では,本発明を基板Gに
紫外線洗浄処理を施す装置に用いたが,本発明は,紫外
線ランプを用いる他の処理装置,例えば周辺露光装置,
露光装置等にも適用できる。また,以上で説明した実施
の形態は,本発明をLCD製造プロセスのフォトリソグ
ラフィー工程が行われる処理装置について適用したもの
であったが,本発明はLCD基板以外の基板例えば半導
体ウェハ,フォトマスク用のマスクレチクル基板等の処
理装置においても適用できる。
In the above embodiment, the present invention is used in the apparatus for performing the ultraviolet cleaning treatment on the substrate G. However, the present invention is applicable to other processing apparatuses using an ultraviolet lamp, such as a peripheral exposure apparatus,
It can also be applied to an exposure device or the like. Further, although the embodiments described above are applied to the processing apparatus in which the photolithography process of the LCD manufacturing process is performed, the present invention is applied to substrates other than LCD substrates such as semiconductor wafers and photomasks. The present invention can also be applied to a processing device for a mask reticle substrate or the like.

【0060】[0060]

【発明の効果】本発明によれば,紫外線ランプの寿命が
延びるので,高価な紫外線ランプを頻繁に交換する必要
が無く,ランニングコストが低減できる。また,紫外線
ランプの交換のために基板の処理が中断されないので,
スループットの向上も図られる。
According to the present invention, since the life of the ultraviolet lamp is extended, it is not necessary to frequently replace the expensive ultraviolet lamp, and the running cost can be reduced. Also, because the processing of the substrate is not interrupted due to the replacement of the UV lamp,
Throughput can also be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施の形態にかかる塗布現像処理装置の構成の
概略を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a coating and developing treatment apparatus according to an embodiment.

【図2】紫外線照射/冷却ユニットに構成の概略を示す
側面図である。
FIG. 2 is a side view showing a schematic configuration of an ultraviolet irradiation / cooling unit.

【図3】供給電力及び照度の時間変化を示すグラフであ
る。
FIG. 3 is a graph showing changes over time in supplied power and illuminance.

【図4】図3の供給電力の他の制御例を示すグラフであ
る。
FIG. 4 is a graph showing another control example of the power supply shown in FIG.

【図5】照射センサを一箇所に設けた場合のランプ室内
の構成を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a configuration of a lamp chamber when an irradiation sensor is provided at one place.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 塗布現像処理装置 21 紫外線照射/冷却ユニット 70〜72 エキシマUVランプ 73 ランプ室 74 洗浄処理室 79 電力制御部 83〜85 照度センサ N 照度限界 G 基板 1 Coating and developing equipment 21 UV irradiation / cooling unit 70-72 excimer UV lamp 73 Lamp Room 74 Cleaning room 79 Power control unit 83-85 Illuminance sensor N illuminance limit G board

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電力の供給により紫外線ランプを点灯さ
せ,基板に紫外線を照射して基板を処理する処理方法で
あって,紫外線ランプの点灯開始直後に,前記基板の処
理に必要な紫外線の照度を実現できかつ前記点灯の維持
に必要な最小限の電力に,前記紫外線ランプへの供給電
力を調節することを特徴とする,処理方法。
1. A processing method for processing a substrate by illuminating an ultraviolet lamp by supplying electric power and irradiating the substrate with ultraviolet light, wherein the illuminance of the ultraviolet light required for processing the substrate immediately after starting the lighting of the ultraviolet lamp. The processing method is characterized in that the electric power supplied to the ultraviolet lamp is adjusted to the minimum electric power required to realize the above and to maintain the lighting.
【請求項2】 前記紫外線ランプの照度が低下し,基板
に照射される照度が基板の処理に必要な最低限の照度に
低下した時に,前記紫外線ランプへの供給電力を増加さ
せることを特徴とする,請求項1に記載の処理方法。
2. The power supply to the ultraviolet lamp is increased when the illuminance of the ultraviolet lamp decreases and the illuminance applied to the substrate decreases to a minimum illuminance necessary for processing the substrate. The processing method according to claim 1.
【請求項3】 請求項1又は2に記載の処理方法を実施
するための基板の処理装置であって,紫外線を発光する
紫外線ランプと,前記紫外線ランプに電力を供給する電
力供給部と,当該電力供給部の供給電力を制御する電力
制御部と,前記紫外線ランプの照度を検出する照度セン
サと,前記照度センサにより検出される照度と実際に基
板上に照射される照射照度との相関関係を記憶する記憶
部と,を備え,前記電力制御部は,前記照度センサで検
出した照度から前記記憶部の相関関係により前記基板上
の照射照度を算出し,当該算出された前記照射照度に基
づいて前記電力供給部の供給電力を制御可能であること
を特徴とする,処理装置。
3. A substrate processing apparatus for performing the processing method according to claim 1, wherein the ultraviolet lamp emits ultraviolet light, a power supply unit supplies power to the ultraviolet lamp, A power control unit that controls the power supply of the power supply unit, an illuminance sensor that detects the illuminance of the ultraviolet lamp, and a correlation between the illuminance detected by the illuminance sensor and the irradiation illuminance that is actually irradiated on the substrate are shown. And a storage unit that stores the storage unit, wherein the power control unit calculates the irradiation illuminance on the substrate from the illuminance detected by the illuminance sensor based on the correlation of the storage unit, and based on the calculated irradiation illuminance. A processing device, wherein the power supplied by the power supply unit can be controlled.
【請求項4】 前記紫外線ランプからの紫外線は,所定
方向の基板に対して照射され,前記紫外線ランプには,
前記所定方向と逆方向に放射された紫外線を前記所定方
向に反射させるための反射鏡が備えられており,前記照
射センサは,前記反射鏡の表面に取り付けられているこ
とを特徴とする,請求項3に記載の処理装置。
4. The ultraviolet ray from the ultraviolet lamp is applied to a substrate in a predetermined direction, and the ultraviolet lamp is
A reflecting mirror is provided for reflecting the ultraviolet light emitted in the opposite direction to the predetermined direction in the predetermined direction, and the irradiation sensor is attached to a surface of the reflecting mirror. Item 5. The processing device according to item 3.
【請求項5】 前記紫外線ランプは,複数設けられ,前
記照度センサは,前記各紫外線ランプ毎に備えられてい
ることを特徴とする,請求項3又は4のいずれかに記載
の処理装置。
5. The processing apparatus according to claim 3, wherein a plurality of the ultraviolet lamps are provided, and the illuminance sensor is provided for each of the ultraviolet lamps.
【請求項6】 前記紫外線ランプは,複数設けられ,前
記照度センサは,前記複数の紫外線ランプの中で,同じ
電力を与えた時に最も照度の低い紫外線ランプに備えら
れることを特徴とする,請求項3又は4のいずれかに記
載の処理装置。
6. The plurality of ultraviolet lamps are provided, and the illuminance sensor is provided in the ultraviolet lamp having the lowest illuminance when the same power is applied among the plurality of ultraviolet lamps. Item 5. The processing device according to item 3 or 4.
【請求項7】 前記複数の紫外線ランプは,水平方向に
並べて配置され,前記最も照度の低い紫外線ランプは,
当該複数の紫外線ランプの中央に配置されることを特徴
とする,請求項6に記載の処理装置。
7. The plurality of ultraviolet lamps are arranged side by side in a horizontal direction, and the ultraviolet lamp having the lowest illuminance is
The processing device according to claim 6, wherein the processing device is arranged in the center of the plurality of ultraviolet lamps.
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