JP2002016040A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus

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JP2002016040A
JP2002016040A JP2000194064A JP2000194064A JP2002016040A JP 2002016040 A JP2002016040 A JP 2002016040A JP 2000194064 A JP2000194064 A JP 2000194064A JP 2000194064 A JP2000194064 A JP 2000194064A JP 2002016040 A JP2002016040 A JP 2002016040A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To protect an ultraviolet irradiation window member from reaction products of ultraviolet-rays, in a simple way at low cost in a substrate processing apparatus for processing a substrate in an ultraviolet-ray process. SOLUTION: A stage 76 has a size larger than that of a substrate (G). A heating wire 86, extending in a horizontal direction crossing to the stage reciprocating direction (Y-direction) for heating the ultraviolet-ray irradiation window 62 in a scanning way from the stage 76, is provided at a right end part 76b of an upper stage face located in the front and adjacent to a prescribed central region for mounting the substrate (G) (substrate-mounting region) in the stage- reciprocating direction (Y direction). During the Y-directional movement of the stage, ultraviolet rays from a lamp chamber 66 cans from one end to the other end of the substrate (G), and organic material can be decomposed over the entire surface of the substrate. At the same time, the heat wire 86 on the side of the stage 76 scans from one end to the other end of the ultraviolet-ay irradiation window 62 of the lamp chamber 66 in the Y-direction, and heats at temperatures above a prescribed temperature of (110 deg.C), so that the reaction products of ultraviolet rays or deposition is removed or prevented from the entire window surface of the ultraviolet ray irradiation window 62.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に紫外
線を照射して所定の処理を行う基板処理装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing predetermined processing by irradiating a substrate to be processed with ultraviolet rays.

【0002】[0002]

【従来の技術】LCD(液晶ディスプレイ)や半導体デ
バイスの製造において被処理基板(LCD基板や半導体
ウエハ等)の表面に有機物除去その他の表面改質を目的
として誘電体バリア放電ランプによる所定波長(172
nm)の紫外線(エキシマ光)を照射する紫外線照射装
置では、紫外線照射窓を構成する石英ガラスの外側表面
(基板側の表面)に紫外線による反応生成物が付着する
現象が問題となっている。すなわち、被処理基板の表面
またはその付近に付着または漂遊している有機物や薬品
等が紫外線の光エネルギーで反応して、その反応生成物
が基板と間近に対向する石英ガラスに付着して白色の析
出物となり、それによって石英ガラスの紫外線透過特性
が低下したり、石英ガラスから反応生成物または析出物
が剥がれてパーティクルの原因になることがある。
2. Description of the Related Art In the manufacture of LCDs (liquid crystal displays) and semiconductor devices, the surface of a substrate to be processed (LCD substrate, semiconductor wafer, etc.) is removed at a predetermined wavelength (172
In the ultraviolet irradiation apparatus that irradiates ultraviolet rays (excimer light) of ultraviolet (nm), there is a problem that a reaction product due to ultraviolet rays adheres to the outer surface (surface on the substrate side) of the quartz glass constituting the ultraviolet irradiation window. In other words, organic substances and chemicals that adhere or float on or near the surface of the substrate to be processed react with the light energy of ultraviolet rays, and the reaction product adheres to the quartz glass that is in close proximity to the substrate, resulting in a white color. It may become a precipitate, thereby deteriorating the ultraviolet transmission properties of the quartz glass, or peeling off a reaction product or a precipitate from the quartz glass, which may cause particles.

【0003】従来より、上記の問題を解消するための有
効な技術として、紫外線照射窓の石英ガラスを100゜
C以上に加熱する技法が知られている。石英ガラスを1
00゜C以上に加熱すると、石英ガラスに付着またはそ
の付近に浮遊している紫外線反応生成物が熱分解して除
去される。
Conventionally, as an effective technique for solving the above problem, a technique of heating quartz glass of an ultraviolet irradiation window to 100 ° C. or more has been known. 1 quartz glass
When heated to more than 00 ° C., the ultraviolet reaction products attached to or floating on the quartz glass are thermally decomposed and removed.

【0004】従来のこの種の紫外線照射装置では、上記
の知見に基づいて紫外線照射窓の石英ガラスを加熱する
ために、石英ガラスの内側面(ランプ側の面)に導電性
発熱ペーストからなる厚膜ヒータやニクロム線からなる
線状ヒータを形成または配置して該ヒータの発熱により
石英ガラスを直接加熱するか、あるいは誘電体バリア放
電ランプの傍らにハロゲン白熱電球を配置して該白熱電
球より放射される赤外線によって石英ガラスを加熱する
ようにしていた。
In this type of conventional ultraviolet irradiation apparatus, based on the above findings, in order to heat the quartz glass of the ultraviolet irradiation window, the inner surface (surface on the lamp side) of the quartz glass is made of a conductive heating paste. A quartz heater is heated directly by forming or arranging a linear heater composed of a film heater or a nichrome wire, or a halogen incandescent lamp is arranged beside a dielectric barrier discharge lamp to radiate from the incandescent lamp. The quartz glass is heated by the infrared rays.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来の紫外線照射装置
では、上記のような厚膜ヒータや線状ヒータにより石英
ガラスを直接加熱する方式にしても、ハロゲン白熱電球
による赤外線で遠隔加熱する方式にしても、製作コスト
やメンテナンスコストが高くついている。
In the conventional ultraviolet irradiation apparatus, a method in which quartz glass is directly heated by a thick film heater or a linear heater as described above or a method in which infrared light is remotely heated by a halogen incandescent lamp is employed. However, production costs and maintenance costs are high.

【0006】特に、直接加熱方式は、元々高価な石英ガ
ラスに厚膜ヒータまたは線状ヒータを追加工で一体形成
するため、非常に面倒で周到な製造技術を必要とし、装
置コストの大幅な上昇を招く。そのうえ、石英ガラス表
面に形成されるヒータによって石英ガラスの紫外線透過
特性が低下するという問題もある。
In particular, the direct heating method requires an extremely troublesome and careful manufacturing technique since a thick film heater or a linear heater is integrally formed by additional processing on the originally expensive quartz glass, and the equipment cost is greatly increased. Invite. In addition, there is a problem that the ultraviolet light transmission characteristics of the quartz glass deteriorate due to the heater formed on the quartz glass surface.

【0007】また、上記の赤外線加熱方式は、ランプ室
内で複数の誘電体バリア放電ランプを並置する間隔がそ
の間に割り込むようにして配置される白熱電球のスペー
スぶんだけ広くなり、それによってランプ密度が低下
し、ひいては紫外線の照射密度または照度が低下すると
いう問題もある。
[0007] In the infrared heating method described above, the interval of juxtaposing a plurality of dielectric barrier discharge lamps in the lamp chamber is widened by the space of the incandescent lamps arranged so as to be interposed therebetween, thereby increasing the lamp density. There is also a problem that the irradiation density or the illuminance of ultraviolet rays is lowered.

【0008】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、紫外線照射用の窓部材を紫外線反応
生成物から低コストで簡易な構成により効果的に保護す
るようにした基板処理装置を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and has been made in consideration of the above problems, and has been made in consideration of the above circumstances. It is intended to provide a device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の基板処理装置は、被処理基板に紫外線を
照射して所定の処理を行う基板処理装置において、前記
被処理基板を載置して支持する載置台と、電力の供給を
受けて前記紫外線を発するランプと前記紫外線を透過さ
せる窓部材とを有し、前記ランプより発せられた紫外線
を前記窓部材を介して前記被処理基板に照射する紫外線
照射手段と、前記紫外線照射手段からの紫外線が前記載
置台上の前記被処理基板の被処理面を走査するように、
前記載置台および前記紫外線照射手段のいずれか一方ま
たは双方を所定の方向で移動させる駆動手段と、前記被
処理基板と干渉しない位置で前記載置台側に設けられ、
前記駆動手段の駆動により前記載置台および/または前
記紫外線照射手段が前記所定方向に移動する際に、前記
窓部材を走査しながら所定温度以上に加熱する加熱手段
とを具備する構成とした。
In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus of the present invention irradiates a substrate with ultraviolet light to perform a predetermined processing. A mounting table for mounting and supporting, a lamp that emits the ultraviolet ray when supplied with electric power, and a window member that transmits the ultraviolet ray; and the ultraviolet ray emitted from the lamp is covered by the window member through the window member. Ultraviolet irradiation means for irradiating the processing substrate, so that the ultraviolet light from the ultraviolet irradiation means scans the processing surface of the processing substrate on the mounting table,
Driving means for moving one or both of the mounting table and the ultraviolet irradiation means in a predetermined direction, provided on the mounting table side at a position that does not interfere with the substrate to be processed,
When the mounting table and / or the ultraviolet irradiation unit moves in the predetermined direction by the driving of the driving unit, the heating unit heats the window member to a predetermined temperature or higher while scanning the window member.

【0010】本発明の基板処理装置では、載置台および
紫外線照射手段のいずれか一方または双方が上記所定の
方向で移動する動作において、紫外線照射手段からの紫
外線が被処理基板の被処理面を走査することにより被処
理面から有機物が分解除去されるとともに、載置台側の
加熱手段が紫外線照射手段の紫外線照射用窓部材を上記
所定方向またはその反対方向に走査して所定温度以上に
加熱することにより、窓部材から紫外線反応生成物また
は析出物が除去または回避される。
In the substrate processing apparatus according to the present invention, in the operation in which one or both of the mounting table and the ultraviolet irradiation means move in the predetermined direction, the ultraviolet light from the ultraviolet irradiation means scans the surface of the substrate to be processed. By doing so, the organic matter is decomposed and removed from the surface to be processed, and the heating means on the mounting table scans the ultraviolet irradiation window member of the ultraviolet irradiation means in the above-mentioned predetermined direction or the opposite direction to heat it to a predetermined temperature or more. Thereby, ultraviolet reaction products or precipitates are removed or avoided from the window member.

【0011】本発明の基板処理装置において、好ましく
は、前記加熱手段が、前記載置台上で前記被処理基板に
対して前記走査方向において前方に配置される発熱体を
有する構成であってよい。かかる発熱体は、たとえば、
前記走査方向と直交する方向に架線される電熱線で構成
することができる。該電熱線の発熱量を制御するため
に、好ましくは、前記加熱手段が、前記載置台上で前記
電熱線の近傍に配置される温度センサと、前記電熱線に
スイッチング回路を介して電気的に接続される電力源
と、前記窓部材が前記所定温度以上に加熱されるように
前記温度センサの出力信号に応じて前記スイッチング回
路のオン・オフ動作を制御する温度制御手段とを含む構
成を有してよい。
In the substrate processing apparatus of the present invention, preferably, the heating means may include a heating element disposed on the mounting table in front of the substrate to be processed in the scanning direction. Such a heating element is, for example,
It can be constituted by a heating wire which is wired in a direction orthogonal to the scanning direction. In order to control the heating value of the heating wire, preferably, the heating means is electrically connected to the heating wire via a switching circuit, and a temperature sensor arranged near the heating wire on the mounting table. A power source connected thereto; and a temperature control unit configured to control an on / off operation of the switching circuit in accordance with an output signal of the temperature sensor so that the window member is heated to the predetermined temperature or higher. May do it.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0013】図1に、本発明の基板処理装置が組み込み
可能なシステム例として塗布現像処理システムを示す。
この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置
され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製
造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
クの各処理を行うものである。露光処理は、このシステ
ムに隣接して設置される外部の露光装置(図示せず)で
行われる。
FIG. 1 shows a coating and developing system as an example of a system into which the substrate processing apparatus of the present invention can be incorporated.
This coating and developing system is installed in a clean room, and performs, for example, cleaning, resist coating, pre-baking, developing and post-baking in a photolithography process in an LCD manufacturing process, for example, using an LCD substrate as a substrate to be processed. is there. The exposure processing is performed by an external exposure apparatus (not shown) installed adjacent to this system.

【0014】この塗布現像処理システムは、大きく分け
て、カセットステーション(C/S)10と、プロセス
ステーション(P/S)12と、インタフェース部(I
/F)14とで構成される。
The coating and developing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, an interface unit (I / O).
/ F) 14.

【0015】システムの一端部に設置されるカセットス
テーション(C/S)10は、複数の基板Gを収容する
カセットCを所定数たとえば4個まで載置可能なカセッ
トステージ16と、このステージ16上のカセットCに
ついて基板Gの出し入れを行う搬送機構20とを備えて
いる。この搬送機構20は、基板Gを保持できる手段た
とえば搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作
可能であり、後述するプロセスステーション(P/S)
12側の主搬送装置38と基板Gの受け渡しを行えるよ
うになっている。
A cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system has a cassette stage 16 on which a predetermined number of, for example, four, cassettes C accommodating a plurality of substrates G can be placed, and a cassette stage 16 on this stage 16. And a transfer mechanism 20 for loading and unloading the substrate G with respect to the cassette C. The transfer mechanism 20 has a unit capable of holding the substrate G, for example, a transfer arm, is operable in four axes of X, Y, Z, and θ, and is a process station (P / S) described later.
The transfer of the substrate G to and from the main transfer device 38 on the 12th side can be performed.

【0016】プロセスステーション(P/S)12は、
上記カセットステーション(C/S)10側から順に洗
浄プロセス部22と、塗布プロセス部24と、現像プロ
セス部26とを基板中継部23、薬液供給ユニット25
およびスペース27を介して(挟んで)横一列に設けて
いる。
The process station (P / S) 12
The cleaning process unit 22, the coating process unit 24, and the developing process unit 26 are sequentially changed from the cassette station (C / S) 10 side to the substrate relay unit 23, the chemical solution supply unit 25.
And are provided in a horizontal row with (and sandwiching) a space 27 therebetween.

【0017】洗浄プロセス部22は、2つのスクラバ洗
浄ユニット(SCR)28と、上下2段の紫外線照射/
冷却ユニット(UV/COL)30と、加熱ユニット
(HP)32と、冷却ユニット(COL)34とを含ん
でいる。
The cleaning process section 22 includes two scrubber cleaning units (SCRs) 28 and two upper and lower ultraviolet irradiation /
It includes a cooling unit (UV / COL) 30, a heating unit (HP) 32, and a cooling unit (COL).

【0018】塗布プロセス部24は、レジスト塗布ユニ
ット(CT)40と、減圧乾燥ユニット(VD)42
と、エッジリムーバ・ユニット(ER)44と、上下2
段型アドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)4
6と、上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)
48と、加熱ユニット(HP)50とを含んでいる。
The coating process unit 24 includes a resist coating unit (CT) 40 and a reduced-pressure drying unit (VD) 42
And the edge remover unit (ER) 44 and the upper and lower 2
Stage type adhesion / cooling unit (AD / COL) 4
6, upper and lower two-stage heating / cooling unit (HP / COL)
48 and a heating unit (HP) 50.

【0019】現像プロセス部26は、3つの現像ユニッ
ト(DEV)52と、2つの上下2段型加熱/冷却ユニ
ット(HP/COL)55と、加熱ユニット(HP)5
3とを含んでいる。
The developing process section 26 includes three developing units (DEV) 52, two upper and lower two-stage heating / cooling units (HP / COL) 55, and a heating unit (HP) 5
3 is included.

【0020】各プロセス部22,24,26の中央部に
は長手方向に搬送路36,52,58が設けられ、主搬
送装置38,54,60が各搬送路に沿って移動して各
プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Gの搬入
/搬出または搬送を行うようになっている。なお、この
システムでは、各プロセス部22,24,26におい
て、搬送路36,52,58の一方の側にスピンナ系の
ユニット(SCR,CT,DEV等)が配置され、他方
の側に熱処理または照射処理系のユニット(HP,CO
L,UV等)が配置されている。
At the center of each of the process sections 22, 24 and 26, transport paths 36, 52 and 58 are provided in the longitudinal direction, and the main transport devices 38, 54 and 60 move along the respective transport paths and Each unit in the unit is accessed to carry in / out or carry in the substrate G. In this system, in each of the process units 22, 24, and 26, a spinner system unit (SCR, CT, DEV, etc.) is disposed on one side of the transport paths 36, 52, and 58, and heat treatment or heat treatment is performed on the other side. Irradiation treatment system unit (HP, CO
L, UV, etc.).

【0021】システムの他端部に設置されるインタフェ
ース部(I/F)14は、プロセスステーション12と
隣接する側にイクステンション(基板受け渡し部)57
およびバッファステージ56を設け、露光装置と隣接す
る側に搬送機構59を設けている。
An interface (I / F) 14 installed at the other end of the system has an extension (substrate transfer section) 57 on the side adjacent to the process station 12.
And a buffer stage 56, and a transport mechanism 59 on the side adjacent to the exposure apparatus.

【0022】図2に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C
/S)10において、搬送機構20が、ステージ16上
の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、
プロセスステーション(P/S)12の洗浄プロセス部
22の主搬送装置38に渡す(ステップS1)。
FIG. 2 shows a processing procedure in this coating and developing system. First, the cassette station (C
/ S) 10, the transport mechanism 20 takes out one substrate G from the predetermined cassette C on the stage 16 and
It is transferred to the main transfer device 38 of the cleaning process section 22 of the process station (P / S) 12 (step S1).

【0023】洗浄プロセス部22において、基板Gは、
先ず紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30に
順次搬入され、上段の紫外線照射ユニット(UV)では
紫外線照射による乾式洗浄を施され、次に下段の冷却ユ
ニット(COL)では所定温度まで冷却される(ステッ
プS2)。この紫外線照射洗浄では基板表面の有機物が
除去される。これによって、基板Gの濡れ性が向上し、
次工程のスクラビング洗浄における洗浄効果を高めるこ
とができる。
In the cleaning process section 22, the substrate G
First, they are sequentially carried into an ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30, subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation in the upper ultraviolet irradiation unit (UV), and then cooled to a predetermined temperature in the lower cooling unit (COL). (Step S2). This ultraviolet irradiation cleaning removes organic substances on the substrate surface. This improves the wettability of the substrate G,
The cleaning effect in the scrubbing cleaning in the next step can be enhanced.

【0024】次に、基板Gはスクラバ洗浄ユニット(S
CR)28の1つでスクラビング洗浄処理を受け、基板
表面から粒子状の汚れが除去される(ステップS3)。
スクラビング洗浄の後、基板Gは、加熱ユニット(H
P)32で加熱による脱水処理を受け(ステップS
4)、次いで冷却ユニット(COL)34で一定の基板
温度まで冷却される(ステップS5)。これで洗浄プロ
セス部22における前処理が終了し、基板Gは、主搬送
装置38により基板受け渡し部23を介して塗布プロセ
ス部24へ搬送される。
Next, the substrate G is placed in a scrubber cleaning unit (S
One of the CRs 28 undergoes a scrubbing cleaning process to remove particulate contamination from the substrate surface (step S3).
After the scrubbing cleaning, the substrate G is heated by a heating unit (H
(P) 32 undergoes dehydration by heating (step S)
4) Then, the substrate is cooled to a certain substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5). Thus, the pre-processing in the cleaning process unit 22 is completed, and the substrate G is transported by the main transport unit 38 to the coating process unit 24 via the substrate transfer unit 23.

【0025】塗布プロセス部24において、基板Gは、
先ずアドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)4
6に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット(A
D)では疎水化処理(HMDS)を受け(ステップS
6)、次の冷却ユニット(COL)で一定の基板温度ま
で冷却される(ステップS7)。
In the coating process section 24, the substrate G
First, the adhesion / cooling unit (AD / COL) 4
6 in sequence, and the first adhesion unit (A
In D), a hydrophobizing treatment (HMDS) is performed (step S).
6) Then, the substrate is cooled to a constant substrate temperature in the next cooling unit (COL) (step S7).

【0026】その後、基板Gは、レジスト塗布ユニット
(CT)40でレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥
ユニット(VD)42で減圧による乾燥処理を受け、次
いでエッジリムーバ・ユニット(ER)44で基板周縁
部の余分(不要)なレジストを除かれる(ステップS
8)。
Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution in a resist coating unit (CT) 40, then subjected to a drying process under reduced pressure in a reduced-pressure drying unit (VD) 42, and then in an edge remover unit (ER) 44. Excess (unnecessary) resist on the periphery is removed (step S
8).

【0027】次に、基板Gは、加熱/冷却ユニット(H
P/COL)48に順次搬入され、最初の加熱ユニット
(HP)では塗布後のベーキング(プリベーク)が行わ
れ(ステップS9)、次に冷却ユニット(COL)で一
定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。なお、
この塗布後のベーキングに加熱ユニット(HP)50を
用いることもできる。
Next, the substrate G is heated / cooled (H
P / COL) 48, and the first heating unit (HP) performs baking (pre-bake) after coating (step S9), and then cools to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) (step S9). Step S10). In addition,
The heating unit (HP) 50 can be used for baking after the application.

【0028】上記塗布処理の後、基板Gは、塗布プロセ
ス部24の主搬送装置54と現像プロセス部26の主搬
送装置60とによってインタフェース部(I/F)14
へ搬送され、そこから露光装置に渡される(ステップS
11)。露光装置では基板G上のレジストに所定の回路パ
ターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基
板Gは、露光装置からインタフェース部(I/F)14
に戻される。インタフェース部(I/F)14の搬送機
構59は、露光装置から受け取った基板Gをイクステン
ション57を介してプロセスステーション(P/S)1
2の現像プロセス部26に渡す(ステップS11)。
After the coating process, the substrate G is transferred to the interface (I / F) 14 by the main transfer device 54 of the coating process unit 24 and the main transfer device 60 of the development process unit 26.
To the exposure apparatus from there (step S
11). The exposure device exposes a resist on the substrate G to a predetermined circuit pattern. Then, the substrate G after the pattern exposure is transferred from the exposure apparatus to the interface unit (I / F) 14.
Is returned to. The transfer mechanism 59 of the interface unit (I / F) 14 transfers the substrate G received from the exposure apparatus via the extension 57 to the process station (P / S) 1.
(Step S11).

【0029】現像プロセス部26において、基板Gは、
現像ユニット(DEV)52のいずれか1つで現像処理
を受け(ステップS12)、次いで加熱/冷却ユニット
(HP/COL)55の1つに順次搬入され、最初の加
熱ユニット(HP)ではポストベーキングが行われ(ス
テップS13)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基
板温度まで冷却される(ステップS14)。このポストベ
ーキングに加熱ユニット(HP)53を用いることもで
きる。
In the developing process section 26, the substrate G
One of the developing units (DEV) 52 undergoes a developing process (step S12), and then is sequentially loaded into one of the heating / cooling units (HP / COL) 55, and is post-baked in the first heating unit (HP). Is performed (step S13), and then cooled to a certain substrate temperature by the cooling unit (COL) (step S14). A heating unit (HP) 53 can be used for this post-baking.

【0030】現像プロセス部26での一連の処理が済ん
だ基板Gは、プロセスステーション(P/S)24内の
搬送装置60,54,38によりカセットステーション
(C/S)10まで戻され、そこで搬送機構20により
いずれか1つのカセットCに収容される(ステップS
1)。
The substrate G that has been subjected to a series of processes in the developing process section 26 is returned to the cassette station (C / S) 10 by the transfer devices 60, 54, and 38 in the process station (P / S) 24. Stored in one of the cassettes C by the transport mechanism 20 (step S
1).

【0031】この塗布現像処理システムにおいては、洗
浄プロセス部22の紫外線照射ユニット(UV)に本発
明を適用することができる。以下、図3〜図9につき本
発明を紫外線照射ユニット(UV)に適用した一実施形
態を説明する。
In this coating and developing system, the present invention can be applied to the ultraviolet irradiation unit (UV) of the cleaning process section 22. An embodiment in which the present invention is applied to an ultraviolet irradiation unit (UV) will be described below with reference to FIGS.

【0032】図3に示すように、この実施形態の紫外線
照射ユニット(UV)は、下面に合成石英ガラスからな
る紫外線照射窓62を取付し、室内に複数本(図示の例
は3本)の円筒状紫外線ランプ64(1),64(2)‥‥,
64(n)をランプの長手方向と直交する水平方向に並べ
て収容してなるランプ室66と、このランプ室66の下
に隣接して設けられた洗浄処理室68とを有する。
As shown in FIG. 3, the ultraviolet irradiation unit (UV) of this embodiment has an ultraviolet irradiation window 62 made of synthetic quartz glass on the lower surface, and a plurality of (three in the illustrated example) indoors. Cylindrical ultraviolet lamps 64 (1), 64 (2) ‥‥,
64 (n) are arranged side by side in the horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction of the lamp, and include a lamp chamber 66, and a cleaning processing chamber 68 provided adjacent to and below the lamp chamber 66.

【0033】ランプ室66内において、各紫外線ランプ
64(1)〜64(n)はたとえば誘電体バリア放電ランプで
よく、後述するランプ電源部(108)より商用交流電
力の供給を受けて発光し、有機汚染の洗浄に好適な波長
172nmの紫外線(紫外エキシマ光)を放射する。各
紫外線ランプ64(1)〜64(n)の背後つまり上には横断
面円弧状の凹面反射鏡70が配置されており、各ランプ
64(1)〜64(n)より上方ないし側方に放射された紫外
線は直上の反射鏡凹面部で反射して紫外線照射窓62側
に向けられるようになっている。
In the lamp chamber 66, each of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) may be, for example, a dielectric barrier discharge lamp, and emits light when supplied with commercial AC power from a lamp power supply (108) described later. It emits ultraviolet light (ultraviolet excimer light) having a wavelength of 172 nm, which is suitable for cleaning organic contamination. A concave reflecting mirror 70 having an arc-shaped cross section is disposed behind, that is, above, each of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n), and above or to the side of each of the lamps 64 (1) to 64 (n). The emitted ultraviolet light is reflected by the concave surface of the reflector just above and directed to the ultraviolet irradiation window 62 side.

【0034】ランプ室66内には、紫外線ランプ64
(1)〜64(n)をたとえば水冷方式で冷却する冷却ジャケ
ット(図示せず)や、紫外線を吸収する(したがってラ
ンプ発光効率を悪化させる)酸素の室内への進入を防止
するための不活性ガスたとえばN2ガスを導入しかつ充
満させるガス流通機構(図示せず)等も設けられてよ
い。ランプ室66の両側には、この紫外線照射ユニット
(UV)内の各部に所要の用力または制御信号を供給す
るための用力供給部および制御部を収容するユーティリ
ティ・ユニット74が設けられている。
In the lamp chamber 66, an ultraviolet lamp 64 is provided.
A cooling jacket (not shown) for cooling (1) to 64 (n) by, for example, a water-cooling method, or an inert gas for preventing entry of oxygen that absorbs ultraviolet rays (and thus deteriorates lamp luminous efficiency) into the room. A gas distribution mechanism (not shown) for introducing and filling a gas such as N2 gas may be provided. On both sides of the lamp chamber 66, there are provided utility units 74 for accommodating a control unit and a utility supply unit for supplying a required utility or control signal to each unit in the ultraviolet irradiation unit (UV).

【0035】洗浄処理室68内には、基板Gを載置して
支持するための水平移動および昇降可能なステージ76
が設けられている。この実施形態では、ボールネジ78
を用いる自走式のステージ駆動部80の上にステージ7
6を垂直方向(図のZ方向)に昇降可能に搭載し、ステ
ージ駆動部80がボールネジ78およびこれと平行に延
在するガイド82に沿って所定の水平方向(図のY方
向)に、つまりランプ室66の真下をランプ配列方向と
平行に横切るように、可変制御可能な速度で往復移動で
きるように構成されている。
A horizontally movable and vertically movable stage 76 for mounting and supporting the substrate G is provided in the cleaning processing chamber 68.
Is provided. In this embodiment, the ball screw 78
Stage 7 on a self-propelled stage drive 80 using
6 is mounted so as to be able to move up and down in the vertical direction (Z direction in the figure), and the stage driving unit 80 is moved in a predetermined horizontal direction (Y direction in the figure) along the ball screw 78 and the guide 82 extending in parallel with the ball screw 78. It is configured to be able to reciprocate at a variable controllable speed so as to cross right below the lamp chamber 66 in parallel with the lamp arrangement direction.

【0036】ステージ76には、基板Gの搬入/搬出時
に基板Gを水平姿勢で担持するための複数本(たとえば
6本)のリフトピン84が垂直に貫通している。この実
施形態では、各リフトピン84が基板受け渡し用の所定
高さ位置で固定され、これらの固定リフトピン84に対
してステージ76が基板Gの搬入/搬出の邪魔にならな
い退避用の下限高さ位置Hbとステージ76自ら基板G
を載置支持するための一点鎖線で示す上限高さ位置Ha
との間で昇降機構(図示せず)により昇降可能となって
いる。
A plurality of (for example, six) lift pins 84 for vertically supporting the substrate G when loading / unloading the substrate G are vertically penetrated through the stage 76. In this embodiment, each of the lift pins 84 is fixed at a predetermined height position for transferring the substrate, and the stage 76 is positioned with respect to these fixed lift pins 84 so that the lower limit height position Hb for evacuation does not hinder the loading / unloading of the substrate G. And stage 76 itself substrate G
Upper limit position Ha indicated by a dashed line for mounting and supporting
Can be moved up and down by an elevating mechanism (not shown).

【0037】ステージ76は基板Gよりも一回り大きな
サイズに形成され、基板Gを載置する中心部付近の所定
領域(基板載置領域)76aには、基板Gを支持するた
めの多数の支持ピン(図示せず)や基板Gを吸引保持す
るための真空チャック吸引口(図示せず)が設けられて
いる。そして、図3において基板載置領域76aの右
隣、より詳細には基板載置領域76aに対してステージ
往動方向(Y方向)において前方の隣に位置するステー
ジ上面の右側端部76bには、ステージ76側から紫外
線照射窓62を走査式で加熱するための加熱手段とし
て、ステージ往動方向(Y方向)と直交する水平方向に
延在する電熱線86が設けられている。
The stage 76 is formed to have a size slightly larger than the substrate G, and a predetermined area (substrate mounting area) 76a near the center where the substrate G is mounted has a large number of supports for supporting the substrate G. A pin (not shown) and a vacuum chuck suction port (not shown) for sucking and holding the substrate G are provided. In FIG. 3, the right end 76b of the upper surface of the stage located adjacent to the right of the substrate mounting area 76a, more specifically, in front of the substrate mounting area 76a in the stage forward movement direction (Y direction). As a heating means for heating the ultraviolet irradiation window 62 in a scanning manner from the stage 76 side, a heating wire 86 extending in a horizontal direction orthogonal to the stage forward movement direction (Y direction) is provided.

【0038】図4に明示するように、ステージ右側端部
76bには、ステージ往動方向(Y方向)と直交する水
平方向に適当な(たとえばステージのほぼ端から端まで
の)間隔を置いて絶縁材からなる一対の柱状または突起
状支持体88,88が設けられ、これら一対の支持体8
8,88の間にたとえばモリブデンまたはタングステン
線からなる電熱線86がステージから離間した(浮い
た)状態で架線されている。電熱線86の両端部は両支
持ピン88,88に固定されるとともに、絶縁被覆され
た電気ケーブル90,90を介して後述するヒータ電源
部(110)に電気的に接続されている。ステージ右側
端部76bには、この電熱線86に近接する適当な位置
に、たとえば熱電対からなる温度センサ92も設けられ
ている。
As clearly shown in FIG. 4, the stage right end 76b is spaced at an appropriate interval (for example, almost from end to end of the stage) in the horizontal direction orthogonal to the stage forward direction (Y direction). A pair of columnar or protruding supports 88, 88 made of an insulating material are provided.
A heating wire 86 made of, for example, a molybdenum or tungsten wire is provided between 8, 88 while being separated (floated) from the stage. Both ends of the heating wire 86 are fixed to both support pins 88, 88, and are electrically connected to a heater power supply section (110) to be described later via electric cables 90, 90 covered with insulation. A temperature sensor 92 composed of, for example, a thermocouple is also provided at an appropriate position near the heating wire 86 at the right end 76b of the stage.

【0039】再び図3において、ステージ76のY方向
原点位置に隣接する洗浄処理室68の側璧には、固定リ
フトピン84の上端部に近い高さ位置にて基板Gを搬入
/搬出するための開閉可能なシャッタ(扉)94が取り
付けられている。このシャッタ94は洗浄プロセス部2
2の搬送路36(図1)に面しており、搬送路36上か
ら主搬送装置38が開状態のシャッタ94を通って洗浄
処理室68内への基板Gの搬入・搬出を行えるようにな
っている。
Referring again to FIG. 3, a side wall of the cleaning chamber 68 adjacent to the origin position of the stage 76 in the Y direction is provided for loading / unloading the substrate G at a height near the upper end of the fixed lift pins 84. An openable and closable shutter (door) 94 is attached. This shutter 94 is used for the cleaning process unit 2.
The main transfer device 38 faces the second transfer path 36 (FIG. 1), so that the substrate G can be loaded and unloaded from the transfer path 36 into the cleaning processing chamber 68 through the shutter 94 in the open state. Has become.

【0040】洗浄処理室68の側璧または底面には1つ
または複数の排気口96が設けられており、各排気口9
6は排気管98を介して排気ダクト等の排気系統(図示
せず)に接続されている。また、洗浄処理室68の適当
な箇所に外気吸い込み口(図示せず)が設けられてよ
い。
One or a plurality of exhaust ports 96 are provided in the side wall or bottom surface of the cleaning processing chamber 68.
Reference numeral 6 is connected to an exhaust system (not shown) such as an exhaust duct via an exhaust pipe 98. Further, an outside air suction port (not shown) may be provided at an appropriate position in the cleaning processing chamber 68.

【0041】図5に、この紫外線照射ユニット(UV)
における制御系の構成を示す。制御部100は、マイク
ロコンピュータで構成されてよく、内蔵のメモリには本
ユニット内の各部および全体を制御するための所要のプ
ログラムを格納しており、適当なインタフェースを介し
て、本塗布現像処理システムの全体的な処理手順を統括
するメインコントローラ(図示せず)や本紫外線照射ユ
ニット(UV)内の制御系の各部に接続されている。
FIG. 5 shows the ultraviolet irradiation unit (UV).
3 shows the configuration of the control system. The control unit 100 may be constituted by a microcomputer, and a built-in memory stores a necessary program for controlling each unit in the unit and the whole unit. It is connected to a main controller (not shown) that controls the overall processing procedure of the system and to various parts of a control system in the ultraviolet irradiation unit (UV).

【0042】この実施形態において、制御部100と関
係する本紫外線照射ユニット(UV)内の主要な部分
は、シャッタ94を駆動するためのシャッタ駆動部10
2、ステージ76をZ方向で昇降駆動するためのステー
ジ昇降駆動部104、ステージ76をY方向で水平駆動
または走査駆動するための走査駆動部106、ランプ室
66内の紫外線ランプ64(1)〜64(n)を点灯駆動する
ためのランプ電源部108、電熱線86に発熱用の電力
を供給するためのヒータ電源部110、装置内の各部の
状態または状態量を検出するためのセンサ類112等で
ある。ステージ昇降駆動部104および走査駆動部10
6はそれぞれの駆動源としてたとえばサーボモータを有
し、ステージ駆動部80内に設けられる。センサ類11
2は、ステージ右側端部76b上の上記温度センサ92
を含む。
In this embodiment, a main part in the ultraviolet irradiation unit (UV) related to the control unit 100 is a shutter driving unit 10 for driving the shutter 94.
2. A stage elevating drive unit 104 for driving the stage 76 up and down in the Z direction, a scan driving unit 106 for horizontally or scanning driving the stage 76 in the Y direction, and the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (1) in the lamp chamber 66. 64 (n), a lamp power supply unit 108 for lighting and driving, a heater power supply unit 110 for supplying heating power to the heating wire 86, and sensors 112 for detecting the state or state amount of each unit in the apparatus. And so on. Stage elevation drive unit 104 and scan drive unit 10
Reference numerals 6 each have, for example, a servomotor as a driving source, and are provided in the stage driving unit 80. Sensors 11
2 is the temperature sensor 92 on the right end 76b of the stage.
including.

【0043】図6に、ヒータ電源部110の一構成例を
示す。このヒータ電源部110は、交流電源114から
の電力を温調用のスイッチング回路たとえばSSR(ソ
リッド・ステート・リレー)116を介して電熱線86
に供給し、温度センサ92により検出される電熱線86
付近の温度を温度測定回路120によりフィードバック
して温度制御回路118がSSR116のオン・オフを
制御するようにしている。
FIG. 6 shows an example of the configuration of the heater power supply section 110. The heater power supply unit 110 supplies electric power from an AC power supply 114 to a heating wire 86 via a switching circuit for temperature control, for example, an SSR (solid state relay) 116.
And the heating wire 86 detected by the temperature sensor 92
The temperature in the vicinity is fed back by the temperature measurement circuit 120 so that the temperature control circuit 118 controls ON / OFF of the SSR 116.

【0044】電熱線86が発熱することによってランプ
室68の紫外線照射窓62が加熱される温度と温度セン
サ92の感知する温度との間には一定の対応関係がある
ので、温度センサ92の検出温度またはそれから該対応
関係に基づいて推定した紫外線照射窓62の温度が設定
値Ts以上となるように電熱線86に供給する電力の実
効値を制御してよい。
Since there is a certain correspondence between the temperature at which the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 68 is heated by the heating of the heating wire 86 and the temperature sensed by the temperature sensor 92, the temperature sensor 92 detects the temperature. The effective value of the power supplied to the heating wire 86 may be controlled such that the temperature or the temperature of the ultraviolet irradiation window 62 estimated based on the corresponding relationship becomes equal to or higher than the set value Ts.

【0045】この実施形態では、電熱線86が紫外線照
射窓62の目の前または傍を通過(走査)する際に、紫
外線照射窓62のうちの少なくとも電熱線86に最も近
接する部分付近が110゜C以上の温度まで加熱される
ように上記設定値Tsを選択してよい。
In this embodiment, when the heating wire 86 passes (scans) in front of or near the eyes of the ultraviolet irradiation window 62, at least a portion of the ultraviolet irradiation window 62 near the portion closest to the heating wire 86 is 110. The set value Ts may be selected so that the heating is performed to a temperature of ゜ C or more.

【0046】図7に、この紫外線照射ユニット(UV)
における主要な動作手順を示す。先ず、上記メインコン
トローラからの指示を受けて制御部100を含めてユニ
ット内の各部を初期化する(ステップA1)。この初期
化の中で、ステージ76は、Y方向ではシャッタ94に
近接する所定の原点位置に位置決めされ、Z方向では退
避用の高さ位置(Hb)に降ろされる。ヒータ電源部1
10では、電熱線86に対する給電を開始し、フィード
バック方式で電熱線86の発熱温度を設定値まで立ち上
げる。
FIG. 7 shows this ultraviolet irradiation unit (UV).
The main operation procedure in is shown. First, upon receiving an instruction from the main controller, each unit in the unit including the control unit 100 is initialized (step A1). During this initialization, the stage 76 is positioned at a predetermined origin position close to the shutter 94 in the Y direction, and is lowered to the retreat height position (Hb) in the Z direction. Heater power supply 1
At 10, power supply to the heating wire 86 is started, and the heating temperature of the heating wire 86 is raised to a set value by a feedback method.

【0047】主搬送装置38(図1)がカセットステー
ション(C/S)10から処理前の基板Gを本紫外線照
射ユニット(UV)の前まで搬送してくると、制御部1
00は主搬送装置38と基板Gの受け渡しをするように
該当の各部を制御する(ステップA2)。
When the main transfer device 38 (FIG. 1) transfers the unprocessed substrate G from the cassette station (C / S) 10 to the position before the main ultraviolet irradiation unit (UV), the controller 1
00 controls corresponding parts so as to transfer the substrate G to and from the main transfer device 38 (step A2).

【0048】より詳細には、先ずシャッタ駆動部102
を制御してシャッタ94を開けさせる。主搬送装置38
は一対の搬送アームを有しており、一方の搬送アームに
洗浄前の基板Gを載せ、他方の搬送アームを空き(基板
無し)状態にしてくる。本紫外線照射ユニット(UV)
内に洗浄済みの基板Gがないときは、洗浄前の基板Gを
支持する方の搬送アームをそのまま開状態のシャッタ9
4を通って洗浄処理室68内に伸ばし、その未洗浄基板
Gを固定リフトピン84の上に移載する。本紫外線照射
ユニット(UV)内に洗浄済みの基板Gが有るときは、
最初に空の搬送アームでその洗浄済みの基板Gを搬出し
てから、未洗浄の基板Gを上記と同様にして搬入する。
上記のようにして本紫外線照射ユニット(UV)で紫外
線洗浄処理を受けるべき基板Gが主搬送装置38により
固定リフトピン84の上に搬入載置されたなら、シャッ
タ94を閉める。
More specifically, first, the shutter driving unit 102
To open the shutter 94. Main transfer device 38
Has a pair of transfer arms, places the substrate G before cleaning on one transfer arm, and leaves the other transfer arm empty (no substrate). Ultraviolet irradiation unit (UV)
If there is no cleaned substrate G in the shutter 9, the transfer arm supporting the substrate G before cleaning is directly opened by the shutter 9.
4, the uncleaned substrate G is transferred onto the fixed lift pins 84. If there is a cleaned substrate G in the ultraviolet irradiation unit (UV),
First, the cleaned substrate G is carried out by the empty transfer arm, and then the uncleaned substrate G is carried in in the same manner as described above.
As described above, when the substrate G to be subjected to the ultraviolet cleaning process by the main ultraviolet irradiation unit (UV) is loaded and mounted on the fixed lift pins 84 by the main transfer device 38, the shutter 94 is closed.

【0049】次いで、制御部100は、ステージ昇降駆
動部92を制御してステージ76を基板載置用の高さ位
置Haまで上昇させる(ステップA3)。この際、ステー
ジ76の上昇する間に真空チャック部の吸引を開始さ
せ、ステージ76が基板載置用の高さ位置Haに到達す
ると同時に基板Gを吸引保持できるようにしてよい。ス
テージ76が基板Gを載置した状態で基板載置用の高さ
位置Haまで上昇すると、ステージ右側端部76a上の
電熱線86がランプ室66の紫外線照射窓62の左側端
部と所定の間隔(たとえば2〜3mm)を置いて向かい
合う。この時点から、紫外線照射窓62に対してステー
ジ76側の電熱線86による加熱が開始される。
Next, the control section 100 controls the stage up / down drive section 92 to raise the stage 76 to the substrate mounting height position Ha (step A3). At this time, the suction of the vacuum chuck portion may be started while the stage 76 is raised, so that the substrate G can be suction-held at the same time when the stage 76 reaches the substrate mounting height position Ha. When the stage 76 rises to the substrate mounting height position Ha with the substrate G mounted thereon, the heating wire 86 on the right side end 76a of the stage 76 is in contact with the left end of the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66 at a predetermined position. They face each other at an interval (for example, 2-3 mm). From this point, heating of the ultraviolet irradiation window 62 by the heating wire 86 on the stage 76 side is started.

【0050】次に、制御部100は、ランプ電源部10
8を制御して紫外線ランプ64(1)〜64(n)を点灯させ
(ステップA4)、基板Gに対する紫外線照射洗浄処理
を実行する(ステップA5)。
Next, the control unit 100 controls the lamp power supply unit 10
8, the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) are turned on (step A4), and the substrate G is subjected to an ultraviolet irradiation cleaning process (step A5).

【0051】この紫外線照射洗浄処理を行うため、制御
部100はステージ駆動部80の走査駆動部106によ
りステージ76を原点位置と点線76’で示す往動位置
との間でY方向に片道移動または往復移動させる。この
ステージ76のY方向移動によりステージ上の基板Gが
ランプ室66の真下を所定の高さ位置HaでY方向に横
切ることで、ランプ室66の紫外線照射窓62よりほぼ
垂直下方に向けて放射される波長172nmの紫外線が
基板Gを照射しながらY方向とは逆方向に基板の一端か
ら他端まで走査する。
To perform this ultraviolet irradiation cleaning process, the control unit 100 moves the stage 76 one way in the Y direction between the origin position and the forward movement position indicated by the dotted line 76 ′ by the scanning drive unit 106 of the stage drive unit 80. Move back and forth. When the stage G moves in the Y direction, the substrate G on the stage crosses directly below the lamp chamber 66 in the Y direction at a predetermined height position Ha, and radiates almost vertically downward from the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66. While the substrate G is irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm, the substrate G is scanned from one end to the other end in the direction opposite to the Y direction.

【0052】このように基板Gに対して波長172nm
の紫外線が照射されることにより、基板表面付近に存在
している酸素が該紫外線によりオゾンO3に変わり、さ
らにこのオゾンO3が該紫外線によって励起され酸素原
子ラジカルO*が生成される。この酸素ラジカルによ
り、基板Gの表面に付着している有機物が二酸化炭素と
水とに分解して基板表面から除去される。分解・気化し
た有機物は排気口96から排気される。
As described above, the wavelength of the substrate G is 172 nm.
Is irradiated, the oxygen existing near the substrate surface is changed into ozone O3 by the ultraviolet light, and the ozone O3 is excited by the ultraviolet light to generate oxygen atom radicals O *. Due to the oxygen radicals, organic substances attached to the surface of the substrate G are decomposed into carbon dioxide and water and removed from the substrate surface. The decomposed and vaporized organic matter is exhausted from an exhaust port 96.

【0053】このような走査式の紫外線洗浄処理におい
て、基板Gに対する紫外線の照射量または積算光量はス
テージ76の移動速度(走査速度)に反比例する。つま
り、走査速度Fを速くするほど基板Gに対する紫外線照
射時間が短くなって紫外線照射量は少なくなり、反対に
走査速度を遅くするほど基板Gに対する紫外線照射時間
が長くなって紫外線照射量は多くなる。一定の限度内
で、紫外線照射量が多いほど、基板Gの表面から除去さ
れる有機物も多くなる。
In such a scanning type ultraviolet cleaning process, the irradiation amount or integrated light amount of the ultraviolet ray to the substrate G is inversely proportional to the moving speed (scanning speed) of the stage 76. That is, as the scanning speed F increases, the ultraviolet irradiation time on the substrate G decreases and the amount of ultraviolet irradiation decreases. On the contrary, as the scanning speed decreases, the ultraviolet irradiation time on the substrate G increases and the amount of ultraviolet irradiation increases. . Within a certain limit, the larger the amount of ultraviolet irradiation, the more organic substances are removed from the surface of the substrate G.

【0054】この実施形態では、ステージ76のY方向
移動により、上記のような走査式の紫外線洗浄処理が行
われるのと並行して、ランプ室66の紫外線出射窓62
に対するステージ76側の電熱線86による走査式の加
熱が行われる。
In this embodiment, by moving the stage 76 in the Y direction, the above-described scanning type ultraviolet cleaning process is performed, and at the same time, the ultraviolet exit window 62 of the lamp chamber 66 is opened.
Is heated by the heating wire 86 on the stage 76 side.

【0055】図8に模式的に示すように、ステージ76
がランプ室66の紫外線照射窓62の真下をY方向に通
過する際、ステージ右側端部76a上の電熱線86が基
板載置領域76a上の基板Gよりも前方位置で紫外線照
射窓62を加熱しながらY方向に移動する。上記したよ
うなヒータ電源部110における温度制御により、電熱
線86が紫外線照射窓62を通過または走査する際に、
紫外線照射窓62のうちの少なくとも電熱線86に最も
近接する部分付近の温度が110゜C以上に加熱され
る。
As schematically shown in FIG.
When the heater passes in the Y direction just below the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66, the heating wire 86 on the right end 76a of the stage heats the ultraviolet irradiation window 62 at a position ahead of the substrate G on the substrate mounting area 76a. While moving in the Y direction. By the temperature control in the heater power supply unit 110 as described above, when the heating wire 86 passes or scans the ultraviolet irradiation window 62,
The temperature near at least the portion of the ultraviolet irradiation window 62 closest to the heating wire 86 is heated to 110 ° C. or higher.

【0056】こうしてステージ76と一体にY方向に移
動する電熱線86からの輻射熱によって、紫外線照射窓
62を構成する合成石英ガラスの各部が一定時間110
゜C以上に加熱され、そこに付着またはその付近に浮遊
している紫外線反応生成物ないし白色析出物が熱分解す
る。そして、熱分解して気化した紫外線反応生成物ない
し白色析出物は洗浄処理室68の排気口96から外へ排
出される。
In this way, the radiant heat from the heating wire 86 moving in the Y direction integrally with the stage 76 causes each part of the synthetic quartz glass constituting the ultraviolet irradiation window 62 to remain for a certain time 110
When heated to above ゜ C, the UV reaction product or white precipitate adhering to or floating near it is thermally decomposed. Then, the UV reaction product or the white precipitate vaporized by the thermal decomposition is discharged to the outside through the exhaust port 96 of the cleaning processing chamber 68.

【0057】このように、基板Gの表面に紫外線照射を
施す直前に、紫外線照射窓62に付着していた白色析出
物を走査式の加熱によって掃引除去するため、紫外線照
射窓62の紫外線透過度を良好な状態にしてから紫外線
照射を行うことができる。
As described above, just before the surface of the substrate G is irradiated with ultraviolet light, the white precipitate adhering to the ultraviolet light irradiation window 62 is swept away by scanning heating. Irradiating with ultraviolet rays can be performed after the above conditions are satisfied.

【0058】また、電熱線86が通過する前後でも紫外
線照射窓62の各部は伝熱ないし余熱によってしばらく
110゜C以上またはその付近の温度を維持するので、
上記のような走査式の紫外線洗浄処理に付随して生成さ
れる紫外線反応生成物は、紫外線照射窓62には付着し
にくく、排気口96から排気系統へ排出される。
Also, before and after the heating wire 86 passes, each part of the ultraviolet irradiation window 62 keeps a temperature of 110 ° C. or more for a while due to heat transfer or residual heat.
The UV reaction product generated in association with the above-described scanning UV cleaning process hardly adheres to the UV irradiation window 62 and is discharged from the exhaust port 96 to the exhaust system.

【0059】上記のような基板Gに対する走査式の紫外
線洗浄処理が終了したなら、制御部100はランプ電源
部108を制御して紫外線ランプ64(1)〜64(n)を消
灯させる(ステップA6)。
When the scanning type ultraviolet cleaning process for the substrate G is completed, the control unit 100 controls the lamp power supply unit 108 to turn off the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) (step A6). ).

【0060】次いで、制御部100はステージ76をス
タート位置に戻す(ステップA7)。この実施形態で
は、先ず走査駆動部106によりステージ76を往動位
置(図3の点線位置76’)からY方向原点位置まで移
動または復動させ、次にY方向原点位置にて真空チャッ
クをオフにしてからステージ昇降駆動部104によりス
テージ76を退避用の高さ位置(Hb)まで降ろし、基
板Gを固定リフトピン84に支持させる。こうして、1
枚の基板Gに対する本紫外線洗浄ユニット(UV)内の
全工程が終了し、主搬送装置38(図1)が来るのを待
つ。この間、電熱線86に対する給電は継続してもよい
し、あるいはいったん切ってもよい。
Next, the control section 100 returns the stage 76 to the start position (step A7). In this embodiment, first, the stage 76 is moved or moved backward from the forward movement position (dotted line position 76 'in FIG. 3) to the origin position in the Y direction by the scanning drive unit 106, and then the vacuum chuck is turned off at the origin position in the Y direction. After that, the stage 76 is lowered to the retreat height position (Hb) by the stage raising / lowering drive unit 104, and the substrate G is supported by the fixed lift pins 84. Thus, 1
The whole process in the ultraviolet cleaning unit (UV) for one substrate G is completed, and the main transfer device 38 (FIG. 1) is awaited. During this time, the power supply to the heating wire 86 may be continued or may be cut off once.

【0061】上記したように、この実施形態では、基板
Gを載置するステージ76に電熱線86を設け、向かい
側の上方に固定設置されたランプ室66に対してステー
ジ76を基板表面またはステージ面と平行な所定の方向
(Y方向)に移動させる。このステージ移動において、
ランプ室66からの紫外線が基板Gの表面を基板の端か
ら端まで走査することにより、基板表面全体から有機物
が分解除去されるとともに、ステージ76側の電熱線8
6がランプ室66の紫外線照射窓62を上記所定方向で
端から端まで走査して所定温度(110゜C)以上に加
熱することにより、紫外線照射窓62の窓表面全体から
紫外線反応生成物または析出物が除去ないし付着が回避
される。
As described above, in this embodiment, the heating wire 86 is provided on the stage 76 on which the substrate G is mounted, and the stage 76 is placed on the substrate surface or the stage surface with respect to the lamp chamber 66 fixed and installed above the opposite side. Is moved in a predetermined direction (Y direction) parallel to. In this stage movement,
The ultraviolet rays from the lamp chamber 66 scan the surface of the substrate G from one end of the substrate to the other, whereby organic substances are decomposed and removed from the entire surface of the substrate, and the heating wires 8 on the stage 76 side
6 scans the UV irradiation window 62 of the lamp chamber 66 from end to end in the above-described predetermined direction and heats the UV irradiation window 62 to a predetermined temperature (110 ° C.) or more. Precipitates are not removed or adhered.

【0062】このように、この実施形態では、紫外線照
射窓62を保護するための紫外線反応生成物対策とし
て、ステージ76側に電熱線86を設ける構成であり、
ランプ室66側の特別な仕様(追加工、部品または機能
の追加、構造変更等)は一切不要となっている。特に、
この実施形態では、ステージ76上で基板Gに対して走
査方向の前方に1本の電熱線86を走査方向と直交する
水平方向に配置する構成により、紫外線照射処理の直前
ないし処理中に紫外線照射窓62を所定温度以上に加熱
する方式であり、ステージ76側に本発明における加熱
手段を簡単かつ低コストに付設することができる。
As described above, in this embodiment, the heating wire 86 is provided on the stage 76 side as a countermeasure against the UV reaction product for protecting the UV irradiation window 62.
No special specifications (additional work, addition of parts or functions, structural changes, etc.) on the lamp chamber 66 side are required at all. In particular,
In this embodiment, one heating wire 86 is arranged in the horizontal direction orthogonal to the scanning direction on the stage 76 in front of the substrate G in the scanning direction, so that the ultraviolet irradiation is performed immediately before or during the ultraviolet irradiation processing. This is a method in which the window 62 is heated to a predetermined temperature or higher, and the heating means of the present invention can be simply and inexpensively provided on the stage 76 side.

【0063】もっとも、この実施形態においてステージ
76側に電熱線86を設ける構成は種々の変形が可能で
ある。たとえば、図9に示すように、ステージ76上で
基板G(基板載置領域76a)の回りを部分的または全
体的(一周して)囲むように電熱線86を架線する構成
も可能である。図9の構成例ではステージ76の左側端
部76c上に電熱線86を架線していないが、この領域
76cにも架線可能である。特に、ステージ76の復動
(Y方向とは反対方向への移動)でも紫外線照射(ステ
ップA5)を行う場合には、ステージ左側端部76c上
の電熱線86は有用である。また、図示しないが、電熱
線86を複数本並列に架線する構成も可能である。
However, in this embodiment, the configuration in which the heating wire 86 is provided on the stage 76 side can be variously modified. For example, as shown in FIG. 9, a configuration in which the heating wire 86 is wired so as to partially or entirely (circle around) the substrate G (substrate mounting area 76 a) on the stage 76 is also possible. In the configuration example of FIG. 9, the heating wire 86 is not wired on the left end portion 76c of the stage 76, but the heating wire 86 can also be wired in this region 76c. In particular, when ultraviolet irradiation (step A5) is performed even when the stage 76 moves backward (moves in the direction opposite to the Y direction), the heating wire 86 on the stage left end 76c is useful. Although not shown, a configuration in which a plurality of heating wires 86 are connected in parallel is also possible.

【0064】本発明における加熱手段としては、ステー
ジ76側からランプ室66の紫外線照射窓62を上記所
定温度(110゜C)以上に加熱できるようなものであ
れば、電熱線以外の加熱手段でもよく、たとえばセラミ
ックヒータや赤外線ヒータ等も使用可能である。また、
本発明における加熱手段は必ずしもステージ76の上面
に取付される必要はなくステージ76の側面、あるいは
ステージ76と一体的に移動する任意の部材に取付可能
である。
As a heating means in the present invention, any heating means other than a heating wire may be used as long as it can heat the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66 from the stage 76 side to the predetermined temperature (110 ° C.) or more. For example, a ceramic heater or an infrared heater can be used. Also,
The heating means in the present invention does not necessarily need to be attached to the upper surface of the stage 76, but can be attached to the side surface of the stage 76 or any member that moves integrally with the stage 76.

【0065】上記した実施形態では、ランプ室66側を
固定し、ステージ76および電熱線86側を基板Gの表
面と平行に移動させる走査方式であった。しかし、ステ
ージ76および電熱線86側を所定位置で固定し、ラン
プ室66側を基板Gの表面と平行に移動させる走査方式
も可能である。走査駆動手段は、上記のようなボールネ
ジ機構に限定されるものではなく、ベルト式やローラ式
等でもよい。上記した実施形態におけるランプ室66内
や洗浄処理室68内の構成、特に紫外線照射窓62、紫
外線ランプ64(1)〜64(n)、ステージ76、ステージ
駆動部80、ヒータ電源部110等の構成も一例であ
り、各部について種々の変形・変更が可能である。
In the above-described embodiment, the scanning system in which the lamp chamber 66 side is fixed and the stage 76 and the heating wire 86 side are moved in parallel with the surface of the substrate G is used. However, a scanning method in which the stage 76 and the heating wire 86 are fixed at predetermined positions and the lamp chamber 66 is moved in parallel with the surface of the substrate G is also possible. The scanning drive means is not limited to the ball screw mechanism as described above, but may be a belt type or a roller type. The configuration inside the lamp chamber 66 and the inside of the cleaning processing chamber 68 in the above-described embodiment, in particular, the ultraviolet irradiation window 62, the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n), the stage 76, the stage driving unit 80, the heater power supply unit 110, and the like The configuration is also an example, and various modifications and changes are possible for each unit.

【0066】上記実施形態は、紫外線照射洗浄装置(U
V)に係わるものであった。しかし、本発明の基板処理
装置は、有機汚染の除去以外の目的で被処理基板に紫外
線を照射する処理にも適用可能である。たとえば、上記
したような塗布現像処理システムにおいて、ポストベー
キング(ステップS13)の後にレジストを硬化させる目
的で基板Gに紫外線を照射する工程に上記実施形態と同
様の紫外線照射装置を使用できる。本発明における被処
理基板はLCD基板に限らず、半導体ウエハ、CD基
板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能
である。
In the above embodiment, the ultraviolet irradiation cleaning device (U
V). However, the substrate processing apparatus of the present invention is also applicable to a process of irradiating a substrate to be processed with ultraviolet rays for a purpose other than the removal of organic contamination. For example, in the coating and developing system as described above, the same ultraviolet irradiating apparatus as in the above embodiment can be used in the step of irradiating the substrate G with ultraviolet rays for the purpose of curing the resist after the post-baking (step S13). The substrate to be processed in the present invention is not limited to the LCD substrate, but may be a semiconductor wafer, a CD substrate, a glass substrate, a photomask, a printed substrate, or the like.

【0067】[0067]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、基板を載置する載置台側に設けた加熱手
段により紫外線照射用の窓部材を走査式で所定温度以上
に加熱するようにしたので、該窓部材を紫外線反応生成
物から簡易な構成により効果的に保護することができ
る。
As described above, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the window member for ultraviolet irradiation is heated to a predetermined temperature or higher by the scanning means by the heating means provided on the mounting table side on which the substrate is mounted. As a result, the window member can be effectively protected from the ultraviolet reaction product by a simple configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の基板処理装置が適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a coating and developing processing system to which a substrate processing apparatus of the present invention can be applied.

【図2】実施形態の塗布現像処理システムにおける処理
の手順を示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a processing procedure in the coating and developing processing system according to the embodiment.

【図3】実施形態の紫外線照射ユニットの構成を示す斜
視図である。
FIG. 3 is a perspective view illustrating a configuration of an ultraviolet irradiation unit according to the embodiment.

【図4】実施形態の紫外線照射ユニットにおける電熱線
取付構造を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a heating wire mounting structure in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.

【図5】実施形態の紫外線照射ユニットの制御系の構成
を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration of a control system of the ultraviolet irradiation unit according to the embodiment.

【図6】実施形態の紫外線照射ユニットにおけるヒータ
電源部の一構成例を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration example of a heater power supply unit in the ultraviolet irradiation unit according to the embodiment.

【図7】実施形態の紫外線照射ユニットにおける主要な
動作手順を示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a main operation procedure in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.

【図8】実施形態の紫外線照射ユニットにおいて紫外線
照射窓を走査式で加熱する作用を模式的に示す平面図で
ある。
FIG. 8 is a plan view schematically showing an action of heating the ultraviolet irradiation window by scanning in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.

【図9】実施形態の紫外線照射ユニットにおける電熱線
取付構造の一変形例を示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing a modification of the heating wire mounting structure in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

38 主搬送装置 UV 紫外線照射ユニット 62 紫外線照射窓(石英ガラス窓) 64(1),64(2),‥‥,64(n) 紫外線ランプ 66 ランプ室 68 洗浄処理室 76 ステージ 76a 基板載置領域 76b ステージ右側端部 78 ボールネジ 80 ステージ駆動部 82 ガイド 84 固定リフトピン 86 電熱線 88 支持ピン 92 温度センサ 100 制御部 104 ステージ昇降駆動部 106 走査駆動部 110 ヒータ電源部 38 Main transfer unit UV UV irradiation unit 62 UV irradiation window (quartz glass window) 64 (1), 64 (2), ‥‥, 64 (n) UV lamp 66 Lamp room 68 Cleaning treatment room 76 Stage 76a Substrate mounting area 76b Stage right end portion 78 Ball screw 80 Stage drive unit 82 Guide 84 Fixed lift pin 86 Heating wire 88 Support pin 92 Temperature sensor 100 Control unit 104 Stage up / down drive unit 106 Scanning drive unit 110 Heater power supply unit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理基板に紫外線を照射して所定の処
理を行う基板処理装置において、 前記被処理基板を載置して支持する載置台と、 電力の供給を受けて紫外線を発するランプと紫外線を透
過させる窓部材とを有し、前記ランプより発せられた紫
外線を前記窓部材を介して前記被処理基板に照射する紫
外線照射手段と、 前記紫外線照射手段からの紫外線が前記載置台上の前記
被処理基板の被処理面を走査するように、前記載置台お
よび前記紫外線照射手段のいずれか一方または双方を所
定の方向で移動させる駆動手段と、 前記被処理基板と干渉しない位置で前記載置台側に設け
られ、前記駆動手段の駆動により前記載置台および/ま
たは前記紫外線照射手段が前記所定方向に移動する際
に、前記窓部材を走査しながら所定温度以上に加熱する
加熱手段とを具備する基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing by irradiating a substrate to be processed with ultraviolet light, comprising: a mounting table for mounting and supporting the substrate to be processed; and a lamp for receiving the supply of electric power and emitting ultraviolet light. A window member that transmits ultraviolet light, an ultraviolet irradiation unit that irradiates the substrate to be processed with ultraviolet light emitted from the lamp through the window member, and the ultraviolet light from the ultraviolet irradiation unit is on the mounting table. Driving means for moving one or both of the mounting table and the ultraviolet irradiation means in a predetermined direction so as to scan the processing surface of the processing substrate, and a driving means for interfering with the processing substrate. The window member is heated to a predetermined temperature or higher while scanning the window member when the mounting table and / or the ultraviolet irradiation unit is moved in the predetermined direction by the driving of the driving unit. A substrate processing apparatus having a heating means that.
【請求項2】 前記加熱手段が、前記載置台上で前記被
処理基板に対して前記走査方向において前方に配置され
る発熱体を有することを特徴とする請求項1に記載の基
板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heating means has a heating element disposed on the mounting table in front of the substrate to be processed in the scanning direction.
【請求項3】 前記発熱体が、前記走査方向と直交する
方向に架線される電熱線からなることを特徴とする請求
項2に記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the heating element comprises a heating wire that is wired in a direction orthogonal to the scanning direction.
【請求項4】 前記加熱手段が、前記載置台上で前記電
熱線の近傍に配置される温度センサと、前記電熱線にス
イッチング回路を介して電気的に接続される電力源と、
前記窓部材が前記所定温度以上に加熱されるように前記
温度センサの出力信号に応じて前記スイッチング回路の
オン・オフ動作を制御する温度制御手段とを含むことを
特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
4. A heating device comprising: a temperature sensor disposed on the mounting table in the vicinity of the heating wire; a power source electrically connected to the heating wire via a switching circuit;
4. A temperature control means for controlling on / off operation of the switching circuit according to an output signal of the temperature sensor so that the window member is heated to the predetermined temperature or higher. Substrate processing equipment.
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