JP2003164157A - 交流−直流変換回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 変換効率を向上させ、回路の小型化を図る。 【解決手段】 整流素子Ｄ１及びこれと直列に接続した
逆耐圧を有する双方向スイッチＴＴ３と、これと同様に
接続した整流素子Ｄ２及び双方向スイッチＴＴ４と、還
流ダイオードＤ５と、平滑コンデンサＣ２とをこの順に
並列に接続し、整流素子Ｄ及び双方向スイッチＴＴのそ
れぞれの接続点に交流電源ＡＣの交流出力を入力し、整
流素子Ｄ１及び双方向スイッチＴＴ３の接続点と交流電
源ＡＣとの間に、交流リアクトルＬ１及びこれと並列に
接続された双方向スイッチＴＴ１１を介挿する。また、
ダイオードＤ５のカソード側と平滑コンデンサＣ２との
間に、直流リアクトルＬ２及びこれと並列に接続された
双方向スイッチＴＴ１２を介挿する。昇圧動作時には双
方向スイッチＴＴ１２をオン、降圧動作時には双方向ス
イッチＴＴ１１をオンにし、交流入力の位相に応じて双
方向スイッチＴＴ３及びＴＴ４をオンオフ動作させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、交流電力を直流
電力に変換する、昇降圧可能な交流−直流変換回路に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、交流入力を直流出力に変換する交
流−直流変換回路であって、且つ昇圧又は降圧可能な交
流−直流変換回路としては、例えば、図６に示すよう
な、２組のコンバータを使用した交流−直流変換回路が
知られている。つまり、昇圧コンバータ部１０は、整流
素子Ｄ１〜Ｄ４によってフルブリッジ型の整流回路が構
成され、この整流回路の入力側に交流リアクトルＬ１が
介挿されている。また、各アーム毎の整流素子Ｄ３及び
Ｄ４に、トランジスタ或いはＩＧＢＴ等の半導体スイッ
チング素子Ｔ３及びＴ４がそれぞれ逆並列に接続され、
さらに、整流回路の出力側に平滑コンデンサＣ１が接続
されて構成されている。

【０００３】そして、交流電源ＡＣから供給される交流
入力の位相に同期して、半導体スイッチング素子Ｔ３又
はＴ４をスイッチングさせることによって、平滑コンデ
ンサＣ１の電圧を昇圧させるようになっている。また、
降圧チョッパ部２０は、直列に接続された半導体スイッ
チング素子Ｔ５と直流リアクトルＬ２と平滑コンデンサ
Ｃ２とが平滑コンデンサＣ１の両端に並列に接続され、
さらに、半導体スイッチング素子Ｔ５と直流リアクトル
Ｌ２との接続点と平滑コンデンサＣ１の半導体スイッチ
ング素子Ｔ５とは逆側との間に、還流ダイオードＤ５が
並列に接続されている。この還流ダイオードＤ５は、直
流リアクトルＬ２、平滑コンデンサＣ２及びダイオード
Ｄ５からなる閉回路において、平滑コンデンサＣ２の放
電を阻止する極性に接続されている。

【０００４】そして、半導体スイッチング素子Ｔ５を遮
断状態とし、還流ダイオードＤ５、直流リアクトルＬ
２、平滑コンデンサＣ２の閉回路内で電流を流すことに
よって、図示しない負荷側への電力供給を停止させると
共に、直流リアクトルＬ２に蓄積したエネルギをダイオ
ードＤ５を介して放電させることによって、平滑コンデ
ンサＣ１の電圧を、平滑コンデンサＣ２の電圧に降圧す
るようになっている。このようにすることによって、交
流−直流変換回路の最終出力電圧を、昇圧或いは降圧す
るようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、昇圧コンバータ部１０及び降圧チョッパ部２０
を形成した場合、交流電源ＡＣから平滑コンデンサＣ２
に至るまでの電流経路において、その通過素子数は、リ
アクトルが２台と、半導体スイッチング素子が３個とな
る。このため、それぞれがオン抵抗を有することになり
変換効率の低下を招いている。

【０００６】また、電解コンデンサ２台を含め、部品点
数が多い為、コストアップや、回路の大型化といった問
題もある。そこで、この発明は、上記従来の未解決の問
題点に着目してなされたものであり、変換効率の低下を
防止すると共に、回路の小型化を図ることの可能な交流
−直流変換回路を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に係る交流−直流変換回路は、単
相交流電源からの交流入力を整流すると共に昇圧及び降
圧調整可能な交流−直流変換回路であって、整流素子か
らなるフルブリッジ整流回路と、当該フルブリッジ整流
回路の入力側に直列に挿入された交流リアクトルと、前
記フルブリッジ整流回路の出力側に並列に接続された還
流ダイオードと、当該還流ダイオードのカソード側に一
端が接続された直流リアクトルと、当該直流リアクトル
の他端と前記還流ダイオードのアノード側との間に接続
された平滑コンデンサとを備え、前記フルブリッジ整流
回路を構成する二組の上下アームのうち少なくとも何れ
か一方の上下アームの整流素子又は各上下アームの片側
アームの整流素子を、逆耐圧を有する双方向性半導体ス
イッチング素子で構成することを特徴としている。

【０００８】この請求項１に係る発明では、例えば、昇
圧動作時には、単相交流電源からの交流入力の位相に応
じて一方の双方向性半導体スイッチング素子をオンつま
り導通状態にし、他方の双方向性半導体スイッチング素
子をオンオフ制御して、交流リアクトルのエネルギを放
出させて交流入力を整流すると共に昇圧し、降圧動作時
には、単相交流電源からの交流入力の位相に応じて一方
の双方向性半導体スイッチング素子をオフつまり遮断状
態にし、他方の双方向性半導体スイッチング素子をオン
オフ制御して、平滑コンデンサへの電力供給を停止する
共に直流リアクトルのエネルギを放出させて交流入力を
整流すると共に降圧する。

【０００９】このとき、単相交流電源から平滑コンデン
サに至るまでの通過素子数は従来に比較して削減され、
また、回路内のコンデンサ数も少ないから、その分、変
換効率の低下が抑制されると共に、回路の小型化を図る
ことが可能となる。また、請求項２に係る交流−直流変
換回路は、前記交流リアクトルと並列に逆耐圧を有する
双方向性半導体スイッチング素子を接続し、前記直流リ
アクトルと並列に半導体スイッチング素子を接続するこ
とを特徴としている。

【００１０】この請求項２に係る発明では、例えば、降
圧動作時には、交流リアクトルと並列に接続された逆耐
圧を有する双方向性半導体スイッチング素子をオフ状態
にし、直流リアクトルと並列に接続された半導体スイッ
チング素子をオン状態にする。このとき、交流リアクト
ルに電流が流れていると、降圧動作を目的としてフルブ
リッジ整流回路を構成する双方向性半導体スイッチング
素子をオフ状態に切り換えたときに、この双方向性半導
体スイッチング素子に、交流リアクトルを流れていた電
流のエネルギが転嫁されるため、瞬間的に過大な電圧が
印加されることになる。しかしながら、降圧動作時には
交流リアクトルと並列に接続された双方向性半導体スイ
ッチング素子を導通状態とすることによって、交流リア
クトルにエネルギが蓄積されないから、前述の双方向性
半導体スイッチング素子に過大な電圧が印加されること
が回避される。

【００１１】同様に、昇圧動作時にも、直流リアクトル
と並列に接続された半導体スイッチング素子をオフ状態
にし、フルブリッジ整流回路を構成する双方向性半導体
スイッチング素子をオフ状態に切り換えたときに、交流
リアクトルを流れていた電流による蓄積エネルギによっ
て、この双方向性半導体スイッチング素子に瞬間的に過
大な電圧が印加されることになるが、直流リアクトルと
並列に接続された半導体スイッチング素子を導通状態と
することによって、交流リアクトルに蓄積されたエネル
ギが平滑コンデンサに速やかにバイパスされるから、前
述の双方向性半導体スイッチング素子に過大な電圧が印
加されることが回避される。

【００１２】さらに、請求項３に係る交流−直流変換回
路は、前記交流リアクトル及び直流リアクトルそれぞれ
と並列に、機械的に動作するスイッチ回路を、さらに接
続することを特徴としている。この請求項３に係る発明
では、交流リアクトル及び直流リアクトルにはそれぞ
れ、半導体スイッチング素子が並列に接続されると共
に、さらに、機械的に動作するスイッチ回路が並列に接
続されている。

【００１３】ここで、半導体スイッチング素子にはオン
抵抗が生じ、これは変換効率の低下の要因となるが、半
導体スイッチング素子と並列にさらに機械的に動作する
スイッチ回路を接続し、このスイッチ回路を半導体スイ
ッチング素子と同期して同様にオンオフ制御することに
よって、変換効率の低下が抑制されることになる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を説
明する。まず、第１の実施の形態を説明する。図１は、
第１の実施の形態における交流−直流変換回路の一例を
示す回路図である。図１に示すように、ダイオードから
なる整流素子Ｄ１のアノード側に双方向スイッチＴＴ３
が直列に接続され、同様に、整流素子Ｄ２のアノード側
に双方向スイッチＴＴ４が直列に接続され、これら直列
に接続された整流素子Ｄ１及び双方向スイッチＴＴ３
と、整流素子Ｄ２及び双方向スイッチＴＴ４と、還流ダ
イオードＤ５と、平滑コンデンサＣ２とが、この順に並
列に接続されている。前記整流素子Ｄ１及び双方向スイ
ッチＴＴ３と整流素子Ｄ２及び双方向スイッチＴＴ４と
で、フルブリッジ型の整流回路１５を構成している。

【００１５】そして、整流素子Ｄ１及び双方向スイッチ
ＴＴ３の接続点と、整流素子Ｄ２及び双方向スイッチＴ
Ｔ４の接続点とに、交流電源ＡＣからの単相交流電力が
入力され、整流素子Ｄ１及び双方向スイッチＴＴ３の接
続点と、交流電源ＡＣとの間には、交流リアクトルＬ１
が直列に介挿されている。また、ダイオードＤ５のカソ
ード側とコンデンサＣ２との間に直流リアクトルＬ２が
直列に介挿されている。

【００１６】なお、前記還流ダイオードＤ５は、直流リ
アクトルＬ２、平滑コンデンサＣ２及びダイオードＤ５
からなる閉回路において、平滑コンデンサＣ２の放電を
阻止する極性に接続されている。さらに、前記交流リア
クトルＬ１及び直流リアクトルＬ２には、それぞれ並列
に、双方向スイッチＴＴ１１及びＴＴ１２が接続されて
いる。前記双方向スイッチＴＴ３〜ＴＴ１２は、逆耐圧
を有する双方向性半導体スイッチ素子であって、例えば
図２（ａ）に示すように、二つのターンオフサイリスタ
を逆並列に接続して構成されている。また、例えば、図
２（ｂ）に示すように、ＮＰＮトランジスタのエミッタ
側とダイオードのカソード側とを接続し、二組の直列に
接続されたトランジスタ及びダイオードを、それぞれ逆
並列に接続して構成するようにしてもよい。また、これ
に限らず、逆耐圧を有する双方向性の半導体スイッチで
あっても適用することができる。

【００１７】そして、各双方向スイッチＴＴ３〜ＴＴ１
２を図示しない制御回路により、制御することによっ
て、交流入力を直流電力に変換すると共に、昇圧又は降
圧するようになっている。なお、前記双方向スイッチＴ
Ｔ３〜ＴＴ１２において、双方向スイッチを構成する二
つの素子は同様にオンオフ制御されるようになってい
る。次に、上記第１の実施の形態の動作を説明する。

【００１８】まず、昇圧動作を行う場合には、双方向ス
イッチＴＴ１１をオフつまり遮断状態、双方向スイッチ
ＴＴ１２をオンつまり導通状態にし、交流入力の位相に
応じて、双方向スイッチＴＴ３又はＴＴ４の何れかをオ
ン状態に制御し、他方の双方向スイッチをオンオフ動作
させる。例えば、交流入力が正電圧である場合には、双
方向スイッチＴＴ４をオン状態、双方向スイッチＴＴ３
をオンオフ動作させることによって、交流電源ＡＣ、交
流リアクトルＬ１、整流素子Ｄ１、双方向スイッチＴＴ
１２、平滑コンデンサＣ２、双方向スイッチＴＴ４、交
流電源ＡＣの回路が形成される。そして、双方向スイッ
チＴＴ３をオン状態とした時に、双方向スイッチＴＴ
３、双方向スイッチＴＴ４、交流電源ＡＣの経路で交流
リアクトルＬ１にエネルギを蓄積し、双方向スイッチＴ
Ｔ３がオフ状態の時に、交流リアクトルＬ１に蓄積され
たエネルギを放出して平滑コンデンサＣ２を充電する。
これによって、平滑コンデンサＣ２の両端電圧は、整流
動作をした場合の整流回路１５の出力よりも昇圧された
電圧となる。

【００１９】逆に、交流入力が負電圧である場合には、
双方向スイッチＴＴ３をオン状態、双方向スイッチＴＴ
４をオンオフ動作することによって、交流電源ＡＣ、整
流素子Ｄ２、双方向スイッチＴＴ１２、平滑コンデンサ
Ｃ２、双方向スイッチＴＴ３、リアクトルＬ１、交流電
源ＡＣの回路が形成される。そして、上記と同様に、双
方向スイッチＴＴ４がオン状態のときに交流リアクトル
Ｌ１にエネルギを蓄積し、双方向スイッチＴＴ４がオフ
状態の時に、交流リアクトルＬ１に蓄積されたエネルギ
を放出して平滑コンデンサＣ２を充電する。

【００２０】したがって、前記図６の昇圧コンバータ部
１０と同等の動作が行われることになる。一方、降圧動
作を行う場合には、双方向スイッチＴＴ１１をオン状
態、双方向スイッチＴＴ１２をオフ状態にし、交流入力
の位相に応じて双方向スイッチＴＴ３及びＴＴ４の何れ
かをオフ状態にし、他方の双方向スイッチをオンオフ動
作させる。

【００２１】例えば、交流入力が正電圧である場合に
は、双方向スイッチＴＴ３をオフ状態、双方向スイッチ
ＴＴ４をオンオフ動作させることによって、交流電源Ａ
Ｃ、双方向スイッチＴＴ１１、整流素子Ｄ１、直流リア
クトルＬ２、平滑コンデンサＣ２、双方向スイッチＴＴ
４、交流電源ＡＣの回路が形成される。そして、双方向
スイッチＴＴ４がオン状態の時に、直流リアクトル２を
介して図示しない負荷に整流回路１５の直流出力を供給
し、双方向スイッチＴＴ４がオフ状態の時に、還流ダイ
オードＤ５、直流リアクトルＬ２、平滑コンデンサＣ２
からなる閉回路を形成し、この閉回路内で直流リアクト
ルＬ２に蓄積されたエネルギを放出することによって、
負荷側への電力供給を停止させると共に、直流リアクト
ルＬ２に蓄積したエネルギを還流ダイオードＤ５を通し
て放電させ、これによって、負荷への供給電圧を、整流
回路１５の出力電圧よりも降圧させる。

【００２２】逆に、交流入力が負電圧である場合には、
双方向スイッチＴＴ４をオフ状態、双方向スイッチＴＴ
３をオンオフ動作させることによって、交流電源ＡＣ、
整流素子Ｄ２、直流リアクトルＬ２、平滑コンデンサＣ
２、双方向スイッチＴＴ３、双方向スイッチＴＴ１１、
交流電源ＡＣの回路が形成される。そして、双方向スイ
ッチＴＴ３がオン状態の時に、直流リアクトルＬ２を介
して図示しない負荷に直流電力を供給し、双方向スイッ
チＴＴ３がオフ状態の時に、還流ダイオードＤ５、直流
リアクトルＬ２、平滑コンデンサＣ２からなる閉回路を
形成し、この閉回路内で直流リアクトルＬ２に蓄積され
たエネルギを放出することによって、負荷側への電力供
給を停止させると共に、直流リアクトルＬ２に蓄積した
エネルギを還流ダイオードＤ５を通して放電させる。

【００２３】したがって、入力電力が交流であるか直流
であるかの違いはあるものの、前記図６に示す従来の交
流−直流変換回路の降圧チョッパ部２０と同等の動作を
行うことになる。ここで、図１の交流−直流変換回路に
おいて、交流電源ＡＣから平滑コンデンサＣ２に至るま
での電流経路の通過素子数は、リアクトルが１台、半導
体素子が４個となる。したがって、図６に示す従来の交
流−直流変換回路に比較して、通過素子数を削減するこ
とができるから、その分、変換効率を向上させることが
できる。また、電解コンデンサの個数を削減することが
できるため、回路全体の小型化及びコストダウンを図る
ことができる。

【００２４】また、図１においては、交流リアクトルＬ
１と並列に双方向スイッチＴＴ１１を設けているが、こ
の双方向スイッチＴＴ１１がない場合、降圧動作時に双
方向スイッチＴＴ３、ＴＴ４をオフ状態に切り換える
と、交流リアクトルＬ１に流れていた電流による蓄積エ
ネルギが、双方向スイッチＴＴ３、ＴＴ４に転嫁される
ため、瞬間的にこれら双方向スイッチＴＴ３、ＴＴ４に
過大な電圧が印加されることになる。しかしながら、交
流リアクトルＬ１と並列に双方向スイッチＴＴ１１を接
続し、降圧動作時にはこれをオン状態にし、交流リアク
トルＬ１に流れていた電流を双方向スイッチＴＴ１１に
バイパスさせることによって交流リアクトルＬ１にエネ
ルギを蓄積しないようにしているから、双方向スイッチ
ＴＴ３及びＴＴ４に過大な電圧が印加されることを回避
することができる。

【００２５】同様に、図１においては、直流リアクトル
Ｌ２と並列に双方向スイッチＴＴ１２を設けているが、
この双方向スイッチＴＴ１２がない場合、昇圧動作時に
双方向スイッチＴＴ３又はＴＴ４をオフ状態に切り換え
ると、交流リアクトルＬ１に流れていた電流のエネルギ
が双方向スイッチＴＴ３又はＴＴ４に転嫁されるため、
瞬間的に双方向スイッチＴＴ３又はＴＴ４に、過大な電
圧が印加されることになる。しかしながら、直流リアク
トルＬ２と並列に双方向スイッチＴＴ１２を接続し、昇
圧動作時にはこれをオン状態にし、交流リアクトルＬ１
の蓄積エネルギを平滑コンデンサＣ２に速やかにバイパ
スするようにしたから、双方向スイッチＴＴ３又はＴＴ
４の過大な電圧が印加されることを回避することができ
る。

【００２６】なお、上記第１の実施の形態においては、
整流回路１５を構成する二つのアームにおいて、上側ア
ームを整流素子Ｄ、下側アームを双方向スイッチＴＴで
構成した場合について説明したが、これに限らず、図３
に示すように、上側アームを双方向スイッチＴＴ１、Ｔ
Ｔ２、下側アームを整流素子Ｄ３、Ｄ４で構成するよう
にしてもよい。また、図４に示すように、二つのアーム
のうち、片側アームを上下アーム共に双方向スイッチで
構成し、例えば、双方向スイッチＴＴ１及び双方向スイ
ッチＴＴ３からなるアームと、整流素子Ｄ２及び整流素
子Ｄ４からなるアームとで構成するようにしてもよい。
このようにした場合であっても、上記第１の実施の形態
と同様に、各双方向スイッチを制御すればよく、この場
合も、上記と同等の作用効果を得ることができる。

【００２７】また、上記第１の実施の形態において、前
記双方向スイッチＴＴ１２を双方向性半導体スイッチン
グ素子で構成した場合について説明したが、還流ダイオ
ードＤ５から双方向スイッチＴＴ１２方向への流れのみ
を許容する、トランジスタのような単方向の半導体スイ
ッチング素子であっても適用することができる。また、
双方向スイッチＴＴ１２を構成する各スイッチング素子
を共に同様に制御する場合について説明したが、還流ダ
イオードＤ５から双方向スイッチＴＴ１２方向への電流
の流れを制御するスイッチング素子のみを制御し、他方
は遮断状態に維持するようにしてもよい。

【００２８】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。この第２の実施の形態は、図５に示すように、図１
に示す交流−直流変換回路において、交流リアクトルＬ
１及び直流リアクトルＬ２に、さらに、機械的に動作す
るスイッチ回路として、コンタクタ等の機械スイッチＳ
Ｗ１及びＳＷ２がそれぞれ並列に接続されている。そし
て、これら機械スイッチＳＷ１及びＳＷ２は、双方向ス
イッチＴＴ１１及びＴＴ１２とそれぞれ同期して同様に
制御されるようになっている。

【００２９】つまり、図１に示す、上記第１の実施の形
態においては、双方向スイッチＴＴ１１及びＴＴ１２に
電流が流れるため、そのオン抵抗のため変換効率の低下
を招く。しかしながら、この第２の実施の形態において
は、双方向スイッチＴＴ１１及びＴＴ１２と並列に機械
スイッチＳＷ１及びＳＷ２が設けられ、且つこれら機械
スイッチＳＷ１及びＳＷ２は、それぞれ双方向スイッチ
ＴＴ１１及びＴＴ１２のオンオフ制御と共にこれらと同
様にオンオフ制御される。したがって、双方向スイッチ
と共に、機械スイッチが導通状態に制御されることによ
って、双方向スイッチを流れる電流量が減少するから、
双方向スイッチのオン抵抗による変換効率の低下を低減
することができる。

【００３０】したがって、双方向スイッチＴＴ１１及び
ＴＴ１２を通過することに伴う通電損失を低減すること
ができるから、交流−直流変換回路全体の変換効率の向
上を図ることができる。なお、上記各実施の形態におい
ては、整流回路１５を構成する整流素子の一部のみを双
方向スイッチで構成するようにした場合について説明し
たが、これに限らず、整流回路１５を構成する整流素子
全てを双方向スイッチで構成することも可能である。こ
のようにすることによって、電源回生動作を行うことが
できる。なお、この場合には、直流リアクトルＬ１２に
並列に接続されるスイッチ（双方向スイッチＴＴ１２）
として、双方向スイッチを用いればよい。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に係る交流−直流変換回路によれば、単相交流電源から
平滑コンデンサに至るまでの通過素子数を削減すること
ができると共に、回路内のコンデンサ数も削減すること
ができるから、変換効率の低下を抑制することができる
と共に、回路の小型化を図ることができる。また、請求
項２に係る交流−直流変換回路によれば、交流リアクト
ル及び直流リアクトルと半導体スイッチング素子を接続
し、昇圧時には交流リアクトルへのエネルギの蓄積を回
避し、降圧時には交流リアクトルの蓄積エネルギを速や
かに平滑コンデンサにバイパスするようにしたから、交
流リアクトルの蓄積エネルギによって、フルブリッジ整
流回路の双方向性半導体スイッチング素子に過大電圧が
印加されることを回避することができる。

【００３２】さらに、請求項３に係る交流−直流変換回
路によれば、交流リアクトル及び直流リアクトルと並列
に半導体スイッチング素子だけでなく、さらに機械的に
作動するスイッチ回路も設けたから、半導体スイッチン
グ素子のオン抵抗に起因する変換効率の低下を回避する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における交流−直流
変換回路の一例を示す回路図である。

【図２】図１の双方向スイッチの一例である。

【図３】第１の実施の形態のその他の例を示す回路図で
ある。

【図４】第１の実施の形態のその他の例を示す回路図で
ある。

【図５】第２の実施の形態における交流−直流変換回路
の一例を示す回路図である。

【図６】従来の交流−直流変換回路の一例を示す回路図
である。

【符号の説明】 ＡＣ 交流電源 ＴＴ１〜ＴＴ１２ 双方向スイッチ ＳＷ 機械スイッチ Ｄ１〜Ｄ４ 整流素子 Ｄ５ 還流ダイオード Ｃ１、Ｃ２ 平滑コンデンサ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 単相交流電源からの交流入力を整流する
   と共に昇圧及び降圧調整可能な交流−直流変換回路であ
   って、 整流素子からなるフルブリッジ整流回路と、 当該フルブリッジ整流回路の入力側に直列に挿入された
   交流リアクトルと、 前記フルブリッジ整流回路の出力側に並列に接続された
   還流ダイオードと、 当該還流ダイオードのカソード側に一端が接続された直
   流リアクトルと、 当該直流リアクトルの他端と前記還流ダイオードのアノ
   ード側との間に接続された平滑コンデンサとを備え、 前記フルブリッジ整流回路を構成する二組の上下アーム
   のうち少なくとも何れか一方の上下アームの整流素子又
   は各上下アームの片側アームの整流素子を、逆耐圧を有
   する双方向性半導体スイッチング素子で構成することを
   特徴とする交流−直流変換回路。
2. 【請求項２】 前記交流リアクトルと並列に逆耐圧を有
   する双方向性半導体スイッチング素子を接続し、前記直
   流リアクトルと並列に半導体スイッチング素子を接続す
   ることを特徴とする請求項１記載の交流−直流変換回
   路。
3. 【請求項３】 前記交流リアクトル及び直流リアクトル
   それぞれと並列に、機械的に動作するスイッチ回路を、
   さらに接続することを特徴とする請求項２記載の交流−
   直流変換回路。