JP2003162843A - 光情報記録媒体 - Google Patents

光情報記録媒体

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JP2003162843A
JP2003162843A JP2002310417A JP2002310417A JP2003162843A JP 2003162843 A JP2003162843 A JP 2003162843A JP 2002310417 A JP2002310417 A JP 2002310417A JP 2002310417 A JP2002310417 A JP 2002310417A JP 2003162843 A JP2003162843 A JP 2003162843A
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glass
substrate
recording medium
light
film
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JP2002310417A
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English (en)
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Hirotaka Yamamoto
浩貴 山本
Takashi Naito
内藤  孝
Takashi Namekawa
滑川  孝
Yasutaka Suzuki
康隆 鈴木
Ken Takahashi
高橋  研
Motoyasu Terao
元康 寺尾
Toshimichi Shintani
俊通 新谷
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】繰り返しの読み書きにも劣化しない高密度光記
録媒体を得る。 【解決手段】光を照射して情報を再生する光情報記録媒
体において、基板1と、該基板上に設けられた情報を記
録する記録層3と、該基板上に設けられた、照射された
光の強度分布と透過した光の強度分布が非線形に変化す
るガラス層2とを備えたものである。大容量で、さらに
繰り返しの読み出し、書き込みに対して劣化が少ない情
報記録ディスクが提供できる。通常の光ディスク製造工
程による製造により、大容量な光ディスクを提供でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体に係
り、特に高い記録密度で読み出しまたは読み書きが可能
で、かつ繰り返しの記録再生動作に対して高い信頼性を
有する光情報記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】光情報記録媒体として、コンパクトディ
スク(CD),レーザーディスク(登録商標)(LD)など
が広く普及しており、最近では、CDの7倍の記録密度
を有するデジタルビデオディスク(DVD)が実用化さ
れた。このDVDは、直接基板に情報の書き込まれた読
み出し専用のROM(DVD−ROM)の他、書換可能
な記録再生媒体としても開発が進められており、コンピ
ュータ用のRAM(DVD−RAM)としても実用化検
討されている。
【0003】DVDでは、CDなどに使われていたレー
ザー(波長約800nm)よりも短波長の650nmの
レーザー光を用いることによって高密度記録化を達成し
ているが、コンピュータグラフィックス等の大容量の情
報を扱うためには、さらにその1.5 〜2倍の高記録密
度化を達成する必要がある。これを達成するため、さら
に短波長の緑〜青色半導体レーザー(波長520〜41
0nm)の開発が進められている。
【0004】もう一つの高記録密度化技術として、超解
像膜が挙げられる。この超解像膜は、記録媒体の下面に
形成される薄膜で、この膜を透過した入射光のビームス
ポットを縮小化することにより、高記録密度化を達成で
きる。
【0005】超解像効果のメカニズムの一つは、吸収飽
和現象であり、超解像膜がその吸収飽和量以上の強度を
もつ光は透過させ、それ以下の強度の光は吸収するとい
う非線形な光学特性を利用した現象である。読み書きに
利用されるレーザービームの空間的な強度はガウス分布
となっているため、ビームが超解像膜を通過することに
より強度の低い裾野の部分は超解像膜によって吸収さ
れ、中心部分の強度の高い部分では光が透過する。この
ため、透過後のビーム径を縮小することができる。
【0006】現在、このような超解像膜として、特開平
8−96412号公報にみられるようなフタロシアニン系の有
機薄膜やカルコゲナイド、または化合物半導体微粒子等
が知られている。この他、同じく有機材料で、特開平6
−162564 号公報記載のサーモクロミック材料や、特開
平6−267078 号公報記載のフォトクロミック材料を超解
像膜として用いる試みも知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
材料では、信頼性,生産性などの点でそれぞれ問題があ
る。すなわち、有機薄膜は、記録、あるいは読み出し時
にはビームのエネルギー密度が局所的に非常に高くなる
ため、繰り返して記録や再生動作を行うと、徐々に膜が
劣化していくことが懸念される。このため、コンピュー
ター用のRAM等、頻繁に記録再生を行うような過酷な
使用環境下では十分な記録再生動作の保証期間が得られ
にくい。
【0008】また、カルコゲナイドは化学的に不安定で
あるため、長い保証期間を得ることが難しい。さらに化
合物半導体微粒子では作製プロセスが難しい。
【0009】本発明では、充分長い繰り返し記録再生動
作を保証でき、かつ生産性が良好で高い超解像効果を有
する超解像膜を有する光記録媒体を得ることを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第1の発明の光情報記録媒体は、情報を記
録する記録層が形成された基板と、該基板上に設けられ
た、照射された光の強度分布と透過した光の強度分布が
非線形に変化するガラスとを備えるものである。
【0011】基板は、光を透過するものが好ましく、ガ
ラス等の無機物からなるもの、ポリカーボネート,ポリ
エチレンテレフタレート等の有機物からなるものなどが
好ましい。ここで、ガラスとは、非晶質化した固体酸化
物、あるいはそれを主成分とする非晶質相全般をさす。
【0012】基板上に設けるとは、直接設けても良い
し、他の層、例えば保護層等を介して設けても良い。
【0013】上記構成により、大容量で、さらに繰り返
しの読み出し,書き込みに対して劣化が少ない情報記録
ディスクが提供できる。
【0014】第1の発明において、記録層が、情報を記
録したピットパターンであっても良い。ピットパターン
とは、情報を基板表面に設けられた孔の配置により記録
するものである。この記録方法では、記録された情報を
書き換えることはできないが、情報を記録した基板の母
型を作っておくと、同一の記録基板を容易に大量生産で
きるので、映画,音楽、或いはコンピュータプログラム
の記録に用いられる。
【0015】また、第1の発明の記録層が、光エネルギ
ーにより情報が記録されるものであっても良い。光エネ
ルギーにより情報が記録されるものとは、光の照射によ
って、結晶形が変化する、いわゆる相変化型の有機また
は無機物材料を記録層として用いた情報記録基板であ
る。
【0016】本発明の第2の発明は、少なくとも基板
と、該基板上に設けられた、情報が記録される記録層
と、該記録層上に設けられた光を反射させる反射膜とを
有し、該基板は照射される光の強度の増加に対して光透
過率が非線形に増加するガラスであることを特徴とする
情報記録媒体である。
【0017】上記構成によれば、大容量で、さらに繰り
返しの読み出し,書き込みに対して劣化が少ない反射型
の情報記録ディスクが提供できる。
【0018】第2の発明は、記録膜の下部に設けた反射
膜により、入射光を反射させ、その反射光で情報を読み
とる形式の情報記録基板である。
【0019】第1または第2の発明のガラスが、遷移金
属元素,希土類金属元素のうちの少なくとも一種以上を
含有するガラスであることが好ましい。
【0020】上記遷移金属元素,希土類金属元素として
は、特に、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,
Nd,Ce,Pr,Sm,Eu,Tb,Ho,Er,T
mから選ばれる少なくとも一種以上の元素であることが
好ましい。
【0021】上記遷移金属元素,希土類金属元素が、ガ
ラスが膜である場合は、ガラス全体に対して酸化物換算
で20重量%以上,90重量%以下含有され、ガラスが
基板である場合は、ガラス全体に対して酸化物換算で
0.1 重量%以上,29重量%以下含有されていること
が好ましい。
【0022】また、第1の発明において、前記ガラス
が、酸化物換算でSiO2 :6〜80重量%,R2O :
0〜20重量%(R=アルカリ金属元素),B23:0
〜30重量%,CoO:20〜90重量%含有すること
が好ましい。
【0023】また、第2の発明において、前記ガラス
が、コバルト酸化物をCoO換算で0.1 〜29重量%
含有するガラスであることが好ましい。
【0024】本発明の第3の発明は、情報を記録する記
録層が形成された基板と、該基板上に設けられた、照射
される光の強度の増加に対して光透過率が非線形に増加
する超解像層とを備える情報記録媒体であって、前記情
報記録媒体の104 回の繰り返し記録後の出力保持率が
90%以上であることを特徴とする情報記録媒体にあ
る。
【0025】出力保持率とは、光を照射して1回目の記
録を行い、その情報を読みとった際の電気的信号の強度
を100%として、104 回記録,再生後の電気的信号
の強度がどれくらい保持されているかを示す値である。
光照射を繰り返すことにより、超解像膜が劣化すると、
記録層に達するレーザー光のスポット径が大きくなり、
結果として電気的出力が低下する。すなわち、出力保持
率ができるだけ長期間維持されるような超解像膜が好ま
しい。
【0026】更に、本発明の第4の発明によれば、透光
性を有する基板と、該基板上に設けられた情報を記録す
る記録層とを備える情報記録媒体であって、前記情報記
録媒体は記録された信号の周波数8MHzにおける出力
低下が1kHzにおける出力の−30dB以内であり、
かつ104 回の繰り返し記録後の出力保持率が90%以
上であることを特徴とする情報記録媒体が提供される。
【0027】図8は、本発明の超解像膜があるものとな
いものでの記録周波数と出力の関係を示すものである。
超解像膜があるものでは、記録層に達するレーザー光の
スポット径が絞られるため、より高周波成分の記録が可
能になる。どれだけ高周波成分の記録が可能かどうかを
示す指標を示したのが上記構成である。
【0028】本発明の第5の発明によれば、酸化物換算
でSiO2:6〜80重量%,R2O:0〜20重量%
(R=アルカリ金属元素),B23:0〜30重量%,
CoO:20〜90重量%含有することを特徴とするガ
ラスが提供される。
【0029】上記ガラスは超解像効果のある膜として、
光ディスクに限らずいろいろな媒体上に設けることがで
きる。例えば、レーザー光を照射することによって蛍光
体を励起させ、発光させる表示装置に対して、蛍光体の
表面に本発明のガラス膜を設けることにより、レーザー
光のスポットを収束させることが可能になるので、より
高精細な表示が可能になる。
【0030】本発明の第6の発明によれば、コバルト酸
化物をCoO換算で0.1 〜29重量%含有することを
特徴とするガラス薄膜が提供される。
【0031】ガラス膜の場合は、CoOを多量に添加す
ると析出して、失透するので、CoO添加量の上限が規定
される。
【0032】
【発明の実施の形態】(実施例1)本発明の実施例を用
いて詳細に説明する。表1に、本発明で検討したガラス
ターゲットの組成を示す。
【0033】
【表1】
【0034】表1において、膜質の欄には、得られた膜
の透明性,均質性等から、均質な膜が得られている場合
には○、そうでない場合には×を記した。母ガラスとし
てソーダライム系のガラスを用い、遷移金属として65
0nm付近に大きな吸収のあるCoの酸化物を用いた。
Co酸化物原料として、Co34とCoOを用いた。N
o.1〜No.7は、ソーダライムガラスとCo34とから
なるターゲットである。このうち、No.1〜No.3はガ
ラス化したため、ガラスブロックをターゲットとした。
No.4〜No.7では、Co34含有量が多く、ガラス化
しなかった。このため、ガラス粉末とCo34粉末の混
合物の焼結体を作製し、焼結ターゲットとした。
【0035】なお、No.8は、Co34のみの比較例の
焼結ターゲットである。
【0036】No.9〜No.13では、Co酸化物原料と
してCoOを用いた。この場合もCoO含有量が28.
6 重量%のNo.9ではガラス化したので、ガラスター
ゲットとした。No.10〜12ではガラス化しなかった
ため、母ガラス原料とCoOとの焼結体ターゲットとし
た。
【0037】なお、No.13はCoOのみの比較例の焼
結ターゲットである。
【0038】ガラスターゲットは、所定量の原料粉末を
秤量後、白金製のるつぼに入れ、電気炉中で約1500
℃に加熱し、溶解した。ガラスが充分に溶解後、予め約
400℃に保温された黒鉛治具にガラス融液を流し込み、
急冷後、約600℃に再加熱して徐冷することにより歪
取りを行った。裏面を研磨加工してターゲット用ガラス
ブロックを得た。
【0039】焼結ターゲットは、所定量の原料粉末を造
粒後、金型に入れて成形した。脱脂後、所定温度でホッ
トプレスして焼結体ターゲットを得た。熱処理温度は、
Co酸化物原料がCo34のとき900℃,CoOのと
き1200℃とした。
【0040】ディスク形状で評価する前段階として、図
2に示すガラス薄膜の予備検討用試料を作製してガラス
薄膜の基本物性を測定した。図2において、1は基板、
2はガラス薄膜である。本検討では、1の基板として厚
さ0.55mm ,30mm角のソーダライムガラス基板を用
いた。
【0041】生成した膜の構造を薄膜X線回折法によっ
て評価したところ、ターゲットがガラスであるか焼結体
であるかによらず生成した膜はすべて非晶質であり、ガ
ラス膜が生成していることが分かった。
【0042】図3に、表1に示したターゲットを用いて
成膜したガラス薄膜の透過率の波長依存性を示す。透過
率の測定は白色光源をモノクロメータで単色化した光を
用いて行った。No.1では、Co34含有量が少なす
ぎ、300nmではほとんど吸収を示すピークは見られ
なかった。No.2〜4では、500nm〜700nmの
領域にわずかながらCoによる吸収を示すピークが見ら
れた。No.3ガラスでは、波長650nmにおける透過
率は約85%であった。
【0043】No.5,6薄膜では、透過率の値は充分低
かったものの、透過率は波長が短くなるほど小さくな
り、散乱により透過率が減少していることを示してい
た。また、No.7のガラス、およびNo.8のCo34
は、透過率は低かったものの、スパッタリング雰囲気で
還元されており、金属光沢のある膜が得られた。このた
め、反射により透過率が減少した。
【0044】一方、CoOを原料としたNo.9〜No.1
1ガラスでは、波長500nm〜700nm付近にCo
による吸収を示すピークが見られた。透過率はCoO含
有量が増加するほど低下しており、No.11のCoOを
80%含有する薄膜では、波長650nmでの透過率は
約5%となった。なお、No.12のCoO含有量が9
1.9 重量%ガラスおよびNo.13のCoO100%の
膜では、No.8の場合と同様の結果が得られた。
【0045】図3中における透過率曲線のスペクトルの
違いを解析するため、XPSによりCoの価数、及び酸
化物状態を解析した。図4に、No.3とNo.5薄膜のC
oのXPSスペクトルを示す。No.3薄膜のスペクトル
では、786eV付近にシェイクアップピークと呼ばれ
るピークが存在している。これは、Co2+が多く存在し
ていることを示している。一方、No.5薄膜のスペクト
ルでは、このシェイクアップピークが見られない。これ
は、Co3+の共存するCo34の酸化物状態であること
を示している。このため、散乱が起こり、図3のような
プロファイルになった。
【0046】他の薄膜についても同様に調べたところC
2+の状態にあるものはNo.2,3,10,11のよう
にCo特有の吸収のピークとなり、Co3+の存在するも
のはNo.5,6のように散乱を伴う曲線となった。
【0047】図5に、No.2,3,10,11の薄膜の
透過率曲線から、ターゲットのCoイオン含有量に対し
てプロットした波長650nmにおける透過率を示す。
透過率は、CoO含有量の増加に伴って減少し、CoO
含有量が60%で約30%となった。
【0048】次に、生成したガラス薄膜中のCo含有量
を評価するため、二次イオン質量分析(SIMS)によ
り膜の組成分析を行った。基板としてターゲット組成と
同じガラスを切り出したものを用い、その基板上に同組
成の薄膜をスパッタリングした。分析は、成膜方向から
深さ方向に行い、膜組成と基板組成が連続的に評価でき
るようにした。なお、本実施例では、ターゲット組成と
してNo.3を用いて検討した。
【0049】結果を図6に示す。Co元素の含有量は、
薄膜中のほうが、基板中よりも多いことが分かった。ま
た、Siでは、薄膜中のほうが少なくなっていた。しか
しながら、それらの変化量は小さく、大きく組成ずれが
起こっている可能性は少なかった。このことから、膜組
成は、ほぼターゲット組成と等しいと考えて良い。
【0050】以上のことから、ガラス薄膜中に存在する
Co酸化物含有量は、CoOの酸化物換算で、4.5 重
量%以上85重量%以下,Co34換算で4.9 重量%
以上91重量%以下であることが望ましい。CoOが
4.5 重量%未満では、膜厚300nmのとき、充分な
光の吸収を得ることが難しい。また、CoO含有量が8
5重量%を超えると、膜が金属光沢をおよび、透過率が
低下する。
【0051】(実施例2)次に、本ガラス膜を形成した
ROMディスクを作製し、超解像効果を検討した。
【0052】図15に、本発明で用いた光記録装置の構
成図を示す。このような構成の光記録装置を用いて、本
発明のROMディスクの性能を試験した。他の実施例に
おいても同様の装置を用いた。
【0053】図7に、作製したROMディスクの断面の
概略図を示す。図7において1はポリカーボネート基
板、2はガラス薄膜、5はSiO2 保護膜、4はAl反
射膜、6は情報をもって書き込まれたピットである。
【0054】ROMディスクは以下の工程によって作製
した。まず、フォトレジスト上にレーザーを用いて情報
を持ったピットパターンを形成した。その後Ni金型に
ピットパターンを複写し、この金型にポリカーボネート
を射出成形することによって基板を形成した。この基板
上に160nmのガラス膜をスパッタリングにて形成
し、SiO2 保護膜140nmを形成した後、Al反射
膜を100nm形成した。本実施例では、ガラス薄膜と
してNo.11を形成した。また、比較例として、ガラス
膜を形成しないROMディスクも作製した。
【0055】作製したROMディスクの再生出力強度の
周波数依存性をスペクトラムアナライザにより解析し
た。結果を図8に示す。再生レーザーパワーは4mWで
ある。No.11のガラス薄膜を形成した場合、形成しな
い場合に比べてより高周波成分まで出力レベルが高いこ
とが分かった。ROMディスク上では、信号の高周波数
成分はより緻密なビットパターンで描かれることから、
ガラス膜を形成した場合には、より微細なピットパター
ンまで読み取って再生出力していることを示している。
このことから、ガラス膜を形成した場合には、超解像効
果が得られていることが分かった。
【0056】同様の検討を表1中の他のガラス膜で検討
したところ、No.3〜6,9〜11のガラス膜で同様な
超解像効果を確認することができた。
【0057】次に、上記で検討したガラス薄膜を基板上
に形成したRAMディスクを作製し、その特性を評価し
た。図1に、本発明で作製したRAMディスクの断面図
の模式図を示す。図1において、1はポリカーボネート
基板、2はガラス超解像膜、3は記録膜、4は反射膜、
5,5′は保護膜である。本発明では、1のポリカーボ
ネート基板として厚さ0.6mm ,直径120mmの円盤形
状のものを用いた。その上面にガラス膜2をスパッタリ
ング法で300nm成膜した。その上面にZnS−SiO2
保護膜を80nm成膜後、記録膜であるGe−Sb−
Te系相変化膜を同じくスパッタリング法で約20nm
成膜した。保護膜を約90nm形成後、さらにAlTi
反射膜を約200nm成膜した。
【0058】ガラス薄膜は以下の方法によって成膜し
た。すなわち、ターゲットとして、厚さ5mm,直径12
0mmのガラスブロックまたは焼結体を作製し、裏面に真
空用有機系接着剤を用いてCu製バッキングプレートを
張り付けた。スパッタリングはArガスを用いて行っ
た。パワーは200mWとした。スパッタリング中、基
板を回転させることで基板中に均一に成膜した。本実施
例では、ガラス膜としてNo.11を用いた。また、比較
例として、ガラス膜を形成しないRAMディスクも作製
した。
【0059】図9に、等間隔に等形状の記録マークを作
製したRAMディスクの、その記録マーク長に対する再
生出力強度を示す。読み出しのレーザーパワーは2mW
とした。再生出力はNo.11のガラス薄膜を形成した実
施例の方が形成しない比較例に比べて短いマーク長に対
して高くなっていることが分かった。このことから、ガ
ラス膜を形成した場合、より短いマーク長に対して再生
可能であることが分かった。このことから、RAMディ
スクに対しても、超解像効果を確認することができた。
【0060】なお、表1中のすべてのガラス薄膜を検討
したところ、ROMディスクの場合と同様の結果が得ら
れた。
【0061】次に、以上の超解像効果の得られた時の反
射光の空間強度分布を調べた。ガラス膜を形成し、超解
像効果の得られた場合とガラス膜を形成しない場合のビ
ームの進行方向に対するレーザー光の強度分布の模式図
を図14に示す。ガラス膜を形成しない場合、空間分布
強度はほぼガウス分布になっているのに対し、ガラス膜
を形成した場合には、進行方向にビームの分布が片寄っ
ていることが分かった。同時に、読み出しに必要なビー
ム強度でのビーム径Qが、ガラス膜を成膜しない場合に
比べて小さくなっていることが分かった。
【0062】このことから、このように本実施例のよう
なガラス膜を形成することによって、読み出し光の強度
や強度分布を変化させることが分かった。また、そのよ
うなときに、超解像効果が得られることが分かった。
【0063】(実施例3)次に、繰り返し再生に対する
膜の劣化を検討した。評価は、作製したRAMディスク
に繰り返し再生信号光を照射し、再生出力を検出するこ
とによって行った。ピットピッチは0.3μm とした。
ガラス薄膜として、No.11を用いた。さらに、比較例
として、フタロシアニン系有機薄膜を選び、同様な検討
を行った。
【0064】図10に、繰り返し回数に対する出力を示
す。有機材料系薄膜を形成したディスクでは、10,000回
弱の繰り返し回数から徐々に出力が低下してくることが
分かった。一方、本発明のガラス薄膜を形成したディス
クでは、100,000 回の繰り返しによってもほとんど出力
の低下は見られなかった。以上のように、本発明の光デ
ィスクは、繰り返しの再生によっても超解像効果が保持
されることが分かった。
【0065】また、ガラス薄膜として表1中の他のガラ
ス膜のうち、実施例2で超解像効果の得られたものを用
いた場合でも、繰り返し再生に対して高い安定性を得る
ことができた。
【0066】(実施例4)次に、ガラス薄膜の組成を検
討した。まず、ガラス膜中のCo酸化物の含有量に着目
し、実施例2と同様のRAMディスクを作製しCo含有
量に対する出力の関係を調べた。マーク長は0.3μm
とした。また、レーザーパワーは2mWとした。図11
に、CoO含有量に対する出力を示す。CoO含有量が
上昇するに従って出力は増加しており、小さいマーク長
に対しても高い出力が得られることが分かった。すなわ
ち、CoO含有量が上昇するに従って超解像効果が大き
くなっていることが分かった。また、CoO含有量が2
0%以上では出力が5dB以上あり、信号として処理す
ることが可能であることが分かった。しかしCoO含有
量が20%未満では、出力が5dB未満であり、信号と
して処理することが不可能であった。
【0067】また、図7に示すROMディスクを作製
し、スペクトラムアナライザーによって高周波成分に対
する出力を評価したところ、CoO含有量が20%以上
ではより高周波成分まで読み取りが可能であったが、C
oO含有量が20%未満では、CoO含有の効果が顕著
には見られなかった。
【0068】以上のことから、ROM,RAMいずれの
場合でも、CoOの含有量は、20重量%以上であるこ
とが望ましい。また、実施例1の検討から、CoOの含
有量は91%以下であることが望ましい。
【0069】さらに、ガラス膜中に含有させる元素につ
いて検討した。母ガラスは、ソーダライムガラスとし
た。遷移金属元素のうち、Ti,V,Cr,Mn,F
e,Co,Ni,Cu、および希土類元素のうち、N
d,Ce,Pr,Sm,Eu,Tb,Ho,Er,Tm
のうち少なくとも一元素の酸化物を含有させたガラスで
は、おのおのの元素に特有な吸収スペクトルを有してお
り、吸収の生ずる波長帯のレーザーを用いることによっ
て、実施例2と同様の超解像効果を得ることができた。
【0070】以上のことから、遷移金属酸化物,希土類
酸化物のうち、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,N
i,Cu,Nd,Ce,Pr,Sm,Eu,Tb,H
o,Er,Tmのうち少なくとも一元素を含有したガラ
ス薄膜を用いることにより超解像効果を持った光ディス
クを得ることができた。
【0071】次に、母ガラス組成の検討を行った。これ
までの実施例では、ソーダライムガラスを用いたが、ホ
ウ素を含有したホウケイ酸ガラスを用いても同様な効果
を得ることができた。しかし、SiO2 含有量が6重量
%未満では、ガラスとしての安定性が低く、遷移金属や
希土類元素の酸化物の含有によって結晶化したりした。
また、80重量%を超える場合では、ガラスの構造中に
上記酸化物が含有されにくく、安定したガラスを得るこ
とが難しかった。以上のことから、SiO2 含有量は6
重量%以上80重量%以下であることが好ましい。
【0072】また、ガラス中に含有されるアルカリ酸化
物の含有量が20重量%を超える場合、ガラスの耐久性
が低くなり、安定したガラスを得ることが難しかった。
従ってアルカリ酸化物の含有量は20重量%以下である
ことが望ましい。
【0073】さらに、ガラス中のホウ素酸化物の含有量
は30重量%を超えるとガラス構造中に遷移金属や希土
類元素の酸化物が含有されにくく、安定したガラスを得
ることが難しかった。従って、ホウ素酸化物の含有量は
30重量%以下であることが好ましい。
【0074】上記必須成分の他、ガラスを安定化させる
ための成分としてアルカリ土類酸化物やアルミナ,ジル
コニア等が含有されることが望ましい。
【0075】(実施例5)次に、遷移金属元素を含有し
たガラス基板を作製し超解像効果を検討した。作製した
RAMディスクの断面を図12に示す。図12におい
て、12はガラス基板、3は記録膜、4は反射膜、5,
5′は保護膜である。基板の厚みは0.6mmとし、その
上面にフォトレジストをマスクにした反応性イオンエッ
チングによりトラックを施した。また、図13に、同様
な基板を用いて作製したROMディスクの断面の模式図
を示す。図13において、12はガラス基板、4は反射
膜、6は情報をもって書き込まれた記録マークである。
本実施例では、ガラス基板の母ガラスとしてソーダライ
ムガラスを用い、遷移金属酸化物としてCoOを含有さ
せ、その含有量を0.01〜30重量%まで変化させて
実施例2と同様の評価法を用いて超解像効果を検討し
た。
【0076】表2に作製したガラス基板の組成,ガラス
化の可否及び超解像効果の良否を示す。ガラス化の可否
では、結晶化せずガラスになった場合は○,結晶化,失
透した場合は×とした。また、超解像効果の良否では、
0.3μm のマーク長及びスペース長での出力を示し
た。読み出しのレーザー波長は680nmとした。
【0077】
【表2】
【0078】実施例No.14〜19,No.21〜23で
は、結晶化や失透が起こらず、安定なガラスを作製する
ことができた。一方、No.20のガラスでは、ガラス流
し込み後に相分離が起こり、安定したガラスを得ること
ができなかった。以上のことから、ガラスに含有される
CoO量は29%以下であることが好ましい。なお、N
o.21〜23のガラスはNo.14〜19のガラスのCa
Oに代えてB23を添加したものである。
【0079】再生出力を見ると、CoO含有量が0.1
0 重量%以上では10dB以上の出力が得られ、信号
を読み出すことが可能であった。一方、0.05 重量%
以下では出力が5dB以下と小さく、読み出しが不可能
であった。
【0080】以上のことから、CoO含有量は0.10
重量%以上,29重量%以下であることが好ましい。こ
の効果は、CaOに代えてB23を添加したガラスでも
同様であった。
【0081】
【発明の効果】本発明によれば、大容量で、さらに繰り
返しの読み出し、書き込みに対して劣化が少ない情報記
録ディスクが提供できる。本発明は、通常の光ディスク
製造工程による製造により、大容量な光ディスクを提供
できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で作製したRAMディスクの断面の模式
図。
【図2】本発明で作製した模擬サンプルの断面の模式
図。
【図3】本発明で作製したガラス薄膜の透過率の波長依
存性。
【図4】本発明で作製したガラス薄膜のCoのXPS。
【図5】CoO含有量に対する680nmの光の透過
率。
【図6】ターゲット組成のガラス基板上に成膜したガラ
ス薄膜のSIMS。
【図7】本発明で作製したROMディスクの断面の模式
図。
【図8】図7のROMディスクから得られた出力の読み
出し周波数依存性。
【図9】図1のRAMディスクから得られた記録マーク
長に対する出力の変化。
【図10】図1のRAMディスクから得られた繰り返し
動作に対する出力依存性。
【図11】図1のRAMディスクのCoO含有量に対す
る読み出し出力の変化。
【図12】本発明で作製したRAMディスクの断面の模
式図。
【図13】本発明で作製したROMディスクの断面の模
式図。
【図14】本発明のガラス膜を形成した場合、及びしな
い場合のレーザービーム径の変化。
【図15】本発明の光ディスクを用いる装置の構成図。
【符号の説明】
1…基板、2…ガラス薄膜、3…記録膜、4…反射膜、
5,5′…保護膜、6…ピット、12…ガラス基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 滑川 孝 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 鈴木 康隆 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 研 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 寺尾 元康 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 新谷 俊通 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Fターム(参考) 5D029 KA24 KA25 KA26 KC04 MA02 MA04

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光を照射して情報を再生する光情報記録媒
    体において、 少なくとも基板と、該基板上に設けられた情報を記録す
    る記録層と、 該基板上に設けられた、照射された光の強度分布と透過
    した光の強度分布が非線形に変化するガラス層とを備え
    ることを特徴とする光情報記録媒体。
  2. 【請求項2】請求項1記載の記録層が、情報を記録した
    ピットパターンであることを特徴とする光情報記録媒
    体。
  3. 【請求項3】請求項1記載の記録層が、光エネルギーに
    より情報が記録されることを特徴とする光情報記録媒
    体。
  4. 【請求項4】少なくとも基板と、 該基板上に設けられた情報を記録する記録層と、 該記録層上に設けられた光を反射させる反射膜とを有
    し、 該基板は照射される光の強度の増加に対して光透過率が
    非線形に増加するガラスであることを特徴とする光情報
    記録媒体。
  5. 【請求項5】請求項1または4記載のガラスが、遷移金
    属元素,希土類金属元素のうちの少なくとも一種以上を
    含有するガラスであることを特徴とする光情報記録媒
    体。
  6. 【請求項6】請求項5記載の遷移金属元素,希土類金属
    元素は、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,N
    d,Ce,Pr,Sm,Eu,Tb,Ho,Er,Tm
    から選ばれる少なくとも一種以上の元素であることを特
    徴とする光情報記録媒体。
  7. 【請求項7】請求項6記載の遷移金属元素,希土類金属
    元素が、 ガラスが膜である場合は、ガラス全体に対して酸化物換
    算で20重量%以上,90重量%以下含有され、 ガラスが基板である場合は、ガラス全体に対して酸化物
    換算で0.1 重量%以上,29重量%以下含有されてい
    ることを特徴とする光情報記録媒体。
  8. 【請求項8】請求項1記載のガラスが、酸化物換算でS
    iO2 :6〜80重量%,R2O :0〜20重量%(R
    =アルカリ金属元素),B23:0〜30重量%,Co
    O:20〜90重量%含有することを特徴とする光情報
    記録媒体。
  9. 【請求項9】請求項4記載のガラスが、コバルト酸化物
    をCoO換算で0.1 〜29重量%含有するガラスであ
    ることを特徴とする光情報記録媒体。
  10. 【請求項10】情報を記録する記録層が形成された基板
    と、 該基板上に設けられた、照射される光の強度の増加に対
    して光透過率が非線形に増加する超解像層とを備える情
    報記録媒体であって、 前記情報記録媒体の104 回の繰り返し記録後の出力保
    持率が90%以上であることを特徴とする情報記録媒
    体。
  11. 【請求項11】基板と、 該基板上に設けられた情報を記録する記録層とを備える
    情報記録媒体であって、 前記情報記録媒体は記録された信号の周波数8MHzに
    おける出力低下が1kHzにおける出力の−30dB以
    内であり、かつ104 回の繰り返し記録後の出力保持率
    が90%以上であることを特徴とする情報記録媒体。
  12. 【請求項12】酸化物換算でSiO2 :6〜80重量
    %,R2O :0〜20重量%(R=アルカリ金属元
    素),B23:0〜30重量%,CoO:20〜90重
    量%含有することを特徴とするガラス。
  13. 【請求項13】コバルト酸化物をCoO換算で0.1 〜
    29重量%含有することを特徴とするガラス薄膜。
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