JP2003156645A - 光電子部品の製造方法 - Google Patents
光電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JP2003156645A JP2003156645A JP2001355268A JP2001355268A JP2003156645A JP 2003156645 A JP2003156645 A JP 2003156645A JP 2001355268 A JP2001355268 A JP 2001355268A JP 2001355268 A JP2001355268 A JP 2001355268A JP 2003156645 A JP2003156645 A JP 2003156645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core layer
- honing
- manufacturing
- core
- flat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工時間が短く、３インチ以上の大判ウエハ
で形成が可能な低コストで導波損失の小さいガラス系光
導波路の製造方法を提供する。 【解決手段】 下部クラッド層１２の上面にコア層１１
を形成し、このコア層１１を所定の厚みとなるまで平面
ホーニング加工し、この平面ホーニング加工したコア層
１１をパターニングしてコア部を形成し、少なくともこ
のコア部を覆うように上部クラッド層１４を形成してな
る光導波路で、平面ホーニング加工は粒度＃１５００以
上の超砥粒ホイールを用いることにより３インチ以上の
大判でコア層を短時間で１０μｍ以下まで加工し、かつ
仕上げ面粗さを２ｎｍ以下と小さくできるため安価で導
波損失の小さいガラス系の光導波路の製造方法を提供可
能である。
で形成が可能な低コストで導波損失の小さいガラス系光
導波路の製造方法を提供する。 【解決手段】 下部クラッド層１２の上面にコア層１１
を形成し、このコア層１１を所定の厚みとなるまで平面
ホーニング加工し、この平面ホーニング加工したコア層
１１をパターニングしてコア部を形成し、少なくともこ
のコア部を覆うように上部クラッド層１４を形成してな
る光導波路で、平面ホーニング加工は粒度＃１５００以
上の超砥粒ホイールを用いることにより３インチ以上の
大判でコア層を短時間で１０μｍ以下まで加工し、かつ
仕上げ面粗さを２ｎｍ以下と小さくできるため安価で導
波損失の小さいガラス系の光導波路の製造方法を提供可
能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に光導波路およ
びその製造方法に用いる光電子部品の製造方法に関する
ものである。
びその製造方法に用いる光電子部品の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】光分波合波器、分岐挿入器等の光電子部
品は多々あるが、従来の技術としての光電子部品の一例
として、光導波路を例にして説明する。この光導波路の
製造方法としては、堆積法とイオン交換法の２種類に大
別することができる。
品は多々あるが、従来の技術としての光電子部品の一例
として、光導波路を例にして説明する。この光導波路の
製造方法としては、堆積法とイオン交換法の２種類に大
別することができる。
【０００３】堆積法は、シリコン等からなる基板上にＳ
ｉＯ2膜を付ける方法であって、火炎堆積法、Ｐ−ＣＶ
Ｄ法、ＭＢＥ蒸着等である。
ｉＯ2膜を付ける方法であって、火炎堆積法、Ｐ−ＣＶ
Ｄ法、ＭＢＥ蒸着等である。
【０００４】堆積法で光導波路を製造するには、まず、
図４（ａ）および（ｂ）に示すように、石英基板１上に
火災堆積法により、コア層２としてＧｅＯ2添加ＳｉＯ2
スート４あるいはＴｉＯ2添加ＳｉＯ2スート４を、噴射
孔３を介して数μｍの厚さに堆積させた後、これを焼結
透明化する。
図４（ａ）および（ｂ）に示すように、石英基板１上に
火災堆積法により、コア層２としてＧｅＯ2添加ＳｉＯ2
スート４あるいはＴｉＯ2添加ＳｉＯ2スート４を、噴射
孔３を介して数μｍの厚さに堆積させた後、これを焼結
透明化する。
【０００５】次いで、図４（ｃ）に示すように、フォト
リソグラフィー法、反応性イオンエッチング法によりコ
ア層２をパターニングしてコア部５を形成する。
リソグラフィー法、反応性イオンエッチング法によりコ
ア層２をパターニングしてコア部５を形成する。
【０００６】その後、図４（ｄ）に示すように、再び火
炎堆積法により、コア部５を覆うように石英基板１上
に、上部クラッド層６としてＰ2Ｏ5およびＢ2Ｏ3が添加
されたＳｉＯ2を堆積させ、これを焼結透明化して光導
波路を製造していた。
炎堆積法により、コア部５を覆うように石英基板１上
に、上部クラッド層６としてＰ2Ｏ5およびＢ2Ｏ3が添加
されたＳｉＯ2を堆積させ、これを焼結透明化して光導
波路を製造していた。
【０００７】また、イオン交換法においては、ボロシリ
ケートガラス基板上に導波路パターンの金属マスクを形
成する。次いで、前記基板をドーパントを含む溶融塩中
に浸漬し、導波路パターン上にイオン交換現象を利用し
て、ドーパントをガラス基板中に拡散させる（コア層の
表面形成）。さらに、ガラス内のイオン（ドーパントで
ないもの）と同種のイオンのみを含む溶融塩中にガラス
基板を浸漬し、電界を印加して表面のコア層（ドーパン
ト）をガラス内部に泳動させて（コア部の内部形成）、
光導波路となる高屈折率部を形成する。なお、マスクを
除去後に光導波路を基板内部に押し込みかつ表面層を低
屈折率に形成する。
ケートガラス基板上に導波路パターンの金属マスクを形
成する。次いで、前記基板をドーパントを含む溶融塩中
に浸漬し、導波路パターン上にイオン交換現象を利用し
て、ドーパントをガラス基板中に拡散させる（コア層の
表面形成）。さらに、ガラス内のイオン（ドーパントで
ないもの）と同種のイオンのみを含む溶融塩中にガラス
基板を浸漬し、電界を印加して表面のコア層（ドーパン
ト）をガラス内部に泳動させて（コア部の内部形成）、
光導波路となる高屈折率部を形成する。なお、マスクを
除去後に光導波路を基板内部に押し込みかつ表面層を低
屈折率に形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術で説明した堆積法、イオン交換法においては、以下
の問題点がある。
技術で説明した堆積法、イオン交換法においては、以下
の問題点がある。
【０００９】堆積法で形成したものは最も伝播損失が小
さいものであるが、コア、クラッド層の堆積と焼結工
程、フォトリソグラフィーによるパターニング工程を経
るため、光導波路の作製に工数および時間がかかり、特
に、コア層の堆積には１．５時間、焼結に１０時間を要
していた。
さいものであるが、コア、クラッド層の堆積と焼結工
程、フォトリソグラフィーによるパターニング工程を経
るため、光導波路の作製に工数および時間がかかり、特
に、コア層の堆積には１．５時間、焼結に１０時間を要
していた。
【００１０】また、イオン拡散法で形成したものは比較
的短時間で作製が可能であるが、コア層のイオン拡散の
分布を生じるため、屈折率分布を生じ、伝播損失が悪く
なる。
的短時間で作製が可能であるが、コア層のイオン拡散の
分布を生じるため、屈折率分布を生じ、伝播損失が悪く
なる。
【００１１】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、伝播損失が少なく、かつ光導波路の作製に費やさ
れる時間を短縮し、安価な光電子部品の製造方法を提供
することを目的とするものである。
ので、伝播損失が少なく、かつ光導波路の作製に費やさ
れる時間を短縮し、安価な光電子部品の製造方法を提供
することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は以下の構成を有する。
に本発明は以下の構成を有する。
【００１３】第１の発明は、平面ホーニング加工は粒度
＃１５００以上の超砥粒ホイールを用いることにより３
インチ以上の大判のウエハ上に厚み３０μｍ以下のコア
層を高速かつ高精度に形成することが可能となり、ガラ
ス系光導波路の作製に費やされる時間を短縮し、安価に
なるという作用を有する。
＃１５００以上の超砥粒ホイールを用いることにより３
インチ以上の大判のウエハ上に厚み３０μｍ以下のコア
層を高速かつ高精度に形成することが可能となり、ガラ
ス系光導波路の作製に費やされる時間を短縮し、安価に
なるという作用を有する。
【００１４】第２の発明は、平面ホーニングする加工
は、コア層の主面の仕上げ面粗さが５ｎｍ以下とするも
ので、コア部とクラッド部の界面での反射、吸収を抑制
し導波損失の小さな光導波路を提供できる作用を有す
る。
は、コア層の主面の仕上げ面粗さが５ｎｍ以下とするも
ので、コア部とクラッド部の界面での反射、吸収を抑制
し導波損失の小さな光導波路を提供できる作用を有す
る。
【００１５】第３の発明は、平面ホーニング加工する工
程に用いる砥石用の超砥粒ホイールのボンド材がレジン
であるもので、ボンド材によるポリッシュ効果により平
面ホーニング後のコア部主面の仕上げ面粗さをさらに向
上することが可能で、導波損失の非常に優れた光導波路
を提供できる作用を有する。
程に用いる砥石用の超砥粒ホイールのボンド材がレジン
であるもので、ボンド材によるポリッシュ効果により平
面ホーニング後のコア部主面の仕上げ面粗さをさらに向
上することが可能で、導波損失の非常に優れた光導波路
を提供できる作用を有する。
【００１６】第４の発明は、平面ホーニングする工程
は、超砥粒ホイールの回転数が毎分２００以上であるも
ので、加工圧に依存せず仕上げ面粗さを向上することが
可能であり、また加工時間を短縮することが可能である
ため導波損失が小さくかつ安価な光導波路を提供できる
作用を有する。
は、超砥粒ホイールの回転数が毎分２００以上であるも
ので、加工圧に依存せず仕上げ面粗さを向上することが
可能であり、また加工時間を短縮することが可能である
ため導波損失が小さくかつ安価な光導波路を提供できる
作用を有する。
【００１７】第５の発明は、平面ホーニングする工程
は、１００Ｎ以上の加工圧でコア層を平面ホーニング加
工した後に５０Ｎ以下の加工圧で前記コア層をさらに平
面ホーニング加工して所定の厚みに加工するもので、仕
上げ用に別仕様の砥石が不要で安価な光導波路を提供で
きる作用を有する。
は、１００Ｎ以上の加工圧でコア層を平面ホーニング加
工した後に５０Ｎ以下の加工圧で前記コア層をさらに平
面ホーニング加工して所定の厚みに加工するもので、仕
上げ用に別仕様の砥石が不要で安価な光導波路を提供で
きる作用を有する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態にお
ける光電子部品の製造方法を図１〜図３を参照しながら
説明する。本実施の形態における光電子部品の一例とし
て、光導波路の製造方法にて説明する。
ける光電子部品の製造方法を図１〜図３を参照しながら
説明する。本実施の形態における光電子部品の一例とし
て、光導波路の製造方法にて説明する。
【００１９】図１は本発明の一実施の形態における光導
波路の製造工程図、図２は同要部である平面ホーニング
加工の加工特性を説明する図、図３（ａ）は同要部であ
る平面ホーニング加工用ホイールの上面図、図３（ｂ）
は同下面図である。
波路の製造工程図、図２は同要部である平面ホーニング
加工の加工特性を説明する図、図３（ａ）は同要部であ
る平面ホーニング加工用ホイールの上面図、図３（ｂ）
は同下面図である。
【００２０】図１において１１はコア用ガラス材料であ
り、１２はクラッド用ガラス材料で、コア用ガラス材料
の上面に設けてなるものである。コア用ガラス材料１１
とクラッド用ガラス材料１２との界面で特定波長の光を
全反射させるために、コア用ガラス材料１１とクラッド
用ガラス材料１２との間には所定の屈折率差が得られる
ようにそれぞれのガラス材料を選定する。
り、１２はクラッド用ガラス材料で、コア用ガラス材料
の上面に設けてなるものである。コア用ガラス材料１１
とクラッド用ガラス材料１２との界面で特定波長の光を
全反射させるために、コア用ガラス材料１１とクラッド
用ガラス材料１２との間には所定の屈折率差が得られる
ようにそれぞれのガラス材料を選定する。
【００２１】まず、少なくとも互いに接する面の平坦度
が高くかつ光学研磨されたクラッド用ガラス材料１２お
よびコア用ガラス材料１１を準備する。
が高くかつ光学研磨されたクラッド用ガラス材料１２お
よびコア用ガラス材料１１を準備する。
【００２２】次に図１（ａ）に示すようにそれぞれを精
密洗浄を行い、光学研磨された面同士を重ねあわせて接
着する。この時、光学接着剤を用いてもよいし、さらに
ある一定の条件を満たすことにより接着剤を用いずに直
接接合することも可能である。直接接合する場合は、接
合面の仕上げ面粗さが所定の値以下になるように加工
し、接合面の汚れを極力取り除く必要がある。ガラス材
料の組成にも依存するが、おおむね平均仕上げ面粗さで
２ｎｍ以下は必要となる。また、重ね合わせて加圧した
後、最低２５０℃以上で１時間程度の加熱処理が必要と
なる。このようにコア用ガラス材料１１をクラッド用ガ
ラス材料１２に接着することにより、従来の火炎堆積法
やイオン交換法に比較してガラス材料の組み合わせ範囲
が広がることになる。すなわち火炎堆積法ではクラッド
用ガラス材料１２は事実上石英ガラスに制限され、コア
用ガラス材料１１の屈折率を変化させるためＧｅやＦを
ドープさせる。イオン交換法も同様である。石英ガラス
は硬度が高いため加工が非常に難しく、またコストも高
い。それに対し本発明の光電子部品の製造方法では、コ
ア層１１を接着により形成できることで、クラッド層１
１との屈折率差を満足する組み合わせであれば加工が比
較的容易で安価な低融点ガラスなどでも適用可能とな
る。
密洗浄を行い、光学研磨された面同士を重ねあわせて接
着する。この時、光学接着剤を用いてもよいし、さらに
ある一定の条件を満たすことにより接着剤を用いずに直
接接合することも可能である。直接接合する場合は、接
合面の仕上げ面粗さが所定の値以下になるように加工
し、接合面の汚れを極力取り除く必要がある。ガラス材
料の組成にも依存するが、おおむね平均仕上げ面粗さで
２ｎｍ以下は必要となる。また、重ね合わせて加圧した
後、最低２５０℃以上で１時間程度の加熱処理が必要と
なる。このようにコア用ガラス材料１１をクラッド用ガ
ラス材料１２に接着することにより、従来の火炎堆積法
やイオン交換法に比較してガラス材料の組み合わせ範囲
が広がることになる。すなわち火炎堆積法ではクラッド
用ガラス材料１２は事実上石英ガラスに制限され、コア
用ガラス材料１１の屈折率を変化させるためＧｅやＦを
ドープさせる。イオン交換法も同様である。石英ガラス
は硬度が高いため加工が非常に難しく、またコストも高
い。それに対し本発明の光電子部品の製造方法では、コ
ア層１１を接着により形成できることで、クラッド層１
１との屈折率差を満足する組み合わせであれば加工が比
較的容易で安価な低融点ガラスなどでも適用可能とな
る。
【００２３】次に、図１（ｂ）に示すように、コア層１
２側から、コア層１２の厚みが５〜７μｍとなるまで平
面ホーニング加工を行う。このとき、粒度が＃１５００
以上の細かい超砥粒を用いることによりコア層１２の主
表面の仕上げ表面粗さは２ｎｍ以下とすることが可能と
なる。光導波路として用いる場合、コア層１２とクラッ
ド層１１および１３との界面で光の反射および吸収を極
力抑える必要がある。そのため、コア層１２の主表面の
仕上げ面粗さは平滑であることが要求される。一般的に
導波させる波長の1/100以下にする必要がある。ＷＤＭ
などで使用される光の波長域は主に１．３μｍ帯と１．
５μｍ帯であるため、仕上げ表面粗さは１３〜１５ｎｍ
以下が要求されることになる。平面ホーニング加工によ
り上記の仕上げ面粗さを充分満足できる。この工程で実
施した平面ホーニング加工用砥石を図３に示す。図３
（ａ）において、２３は砥粒層を、２２は砥粒層を固定
するための面盤を示している。また図３（ｂ）で２１は
面状に形成した砥粒層を示している。加工後の平坦度を
要求する場合には図３（ａ）の砥粒層を放射状に配置し
たものが有効である。
２側から、コア層１２の厚みが５〜７μｍとなるまで平
面ホーニング加工を行う。このとき、粒度が＃１５００
以上の細かい超砥粒を用いることによりコア層１２の主
表面の仕上げ表面粗さは２ｎｍ以下とすることが可能と
なる。光導波路として用いる場合、コア層１２とクラッ
ド層１１および１３との界面で光の反射および吸収を極
力抑える必要がある。そのため、コア層１２の主表面の
仕上げ面粗さは平滑であることが要求される。一般的に
導波させる波長の1/100以下にする必要がある。ＷＤＭ
などで使用される光の波長域は主に１．３μｍ帯と１．
５μｍ帯であるため、仕上げ表面粗さは１３〜１５ｎｍ
以下が要求されることになる。平面ホーニング加工によ
り上記の仕上げ面粗さを充分満足できる。この工程で実
施した平面ホーニング加工用砥石を図３に示す。図３
（ａ）において、２３は砥粒層を、２２は砥粒層を固定
するための面盤を示している。また図３（ｂ）で２１は
面状に形成した砥粒層を示している。加工後の平坦度を
要求する場合には図３（ａ）の砥粒層を放射状に配置し
たものが有効である。
【００２４】平面ホーニング加工によりコア層１２を加
工する場合、まず初めに加工圧１００Ｎ以上で加工した
後５０Ｎ以下の加工圧で仕上げることによりさらに低損
失な光導波路を形成することが可能となる。図２は横軸
に加工時間を取り、縦軸に仕上げ面粗さと累積の加工量
を取ったものである。加工圧が１００Ｎ以上では累積の
加工量は加工時間に依存せずほぼ一定の加工レートを取
ることがわかる。また仕上げ面粗さは加工圧に依存しな
いこともわかる。このことから、加工初期の段階では加
工レートを高めるため加工圧が１００Ｎ以上が有効であ
り、仕上げ時には加工圧を５０Ｎ以下と下げることによ
り加工ダメージや残留応力の少ない仕上げ面にすること
が可能である。平面ホーニング用砥石の仕様に依存する
が、初期の加工圧は砥粒切れ刃の全てがコア層１２に埋
没しないように加工圧の上限を決める必要がある。本実
施の形態で検討した平面ホーニング加工用砥石では２０
０Ｎが上限であった。また、加工時の回転数が高いほど
平均化の効果が高いため、加工時の平面ホーニング用砥
石およびワークの回転数は毎分２００回転以上が望まし
い。回転数の上限は機械精度に依存するが、本研究で用
いた装置では機械振動が増加する毎分９００回転が上限
の回転数であった。
工する場合、まず初めに加工圧１００Ｎ以上で加工した
後５０Ｎ以下の加工圧で仕上げることによりさらに低損
失な光導波路を形成することが可能となる。図２は横軸
に加工時間を取り、縦軸に仕上げ面粗さと累積の加工量
を取ったものである。加工圧が１００Ｎ以上では累積の
加工量は加工時間に依存せずほぼ一定の加工レートを取
ることがわかる。また仕上げ面粗さは加工圧に依存しな
いこともわかる。このことから、加工初期の段階では加
工レートを高めるため加工圧が１００Ｎ以上が有効であ
り、仕上げ時には加工圧を５０Ｎ以下と下げることによ
り加工ダメージや残留応力の少ない仕上げ面にすること
が可能である。平面ホーニング用砥石の仕様に依存する
が、初期の加工圧は砥粒切れ刃の全てがコア層１２に埋
没しないように加工圧の上限を決める必要がある。本実
施の形態で検討した平面ホーニング加工用砥石では２０
０Ｎが上限であった。また、加工時の回転数が高いほど
平均化の効果が高いため、加工時の平面ホーニング用砥
石およびワークの回転数は毎分２００回転以上が望まし
い。回転数の上限は機械精度に依存するが、本研究で用
いた装置では機械振動が増加する毎分９００回転が上限
の回転数であった。
【００２５】通常、このような仕上げ面に加工するため
には遊離砥粒を用いた研磨法が用いられるが、研磨法は
加工レートが小さく仕上げまでに数時間を有する。ま
た、大判のウエハで研磨した場合、ウエハの周縁部がだ
れることにより歩留まりが劣化するという問題がある。
本発明による製造方法においてコア層１２を薄く加工す
る工程に平面ホーニング加工を用いることにより、５分
以下という非常に短時間で仕上げ面粗さを２ｎｍ以下ま
で加工し、さらに３インチ以上の大判のウエハでの一括
形成が可能となる。
には遊離砥粒を用いた研磨法が用いられるが、研磨法は
加工レートが小さく仕上げまでに数時間を有する。ま
た、大判のウエハで研磨した場合、ウエハの周縁部がだ
れることにより歩留まりが劣化するという問題がある。
本発明による製造方法においてコア層１２を薄く加工す
る工程に平面ホーニング加工を用いることにより、５分
以下という非常に短時間で仕上げ面粗さを２ｎｍ以下ま
で加工し、さらに３インチ以上の大判のウエハでの一括
形成が可能となる。
【００２６】ここで、図１（ｂ）の工程を研削により一
定量加工し、最終仕上げとして平面ホーニング加工を適
用することも可能である。この場合は、平面ホーニング
加工による除去量を研削により生じる加工変質層深さ以
上に設定する必要がある。
定量加工し、最終仕上げとして平面ホーニング加工を適
用することも可能である。この場合は、平面ホーニング
加工による除去量を研削により生じる加工変質層深さ以
上に設定する必要がある。
【００２７】次に、図１（ｃ）に示すようにレジスト１
３をスピンコートで塗布した後、図１（ｄ）に示すよう
にフォトリソグラフィー法でパターニングし、その後反
応性イオンエッチング法によりコア層１２をエッチング
して、次いでレジスト１３を除去してコア層１２を形成
した図１（ｅ）の基板を作製する。上部クラッド層１４
となるガラス材料をターゲットとし、真空中で図１
（ｆ）のコア層形成面上にガラスを堆積させ上部クラッ
ド層を被覆一体化した図１（ｆ）の光導波路を形成す
る。
３をスピンコートで塗布した後、図１（ｄ）に示すよう
にフォトリソグラフィー法でパターニングし、その後反
応性イオンエッチング法によりコア層１２をエッチング
して、次いでレジスト１３を除去してコア層１２を形成
した図１（ｅ）の基板を作製する。上部クラッド層１４
となるガラス材料をターゲットとし、真空中で図１
（ｆ）のコア層形成面上にガラスを堆積させ上部クラッ
ド層を被覆一体化した図１（ｆ）の光導波路を形成す
る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はコア層を
形成する工程で粒度が＃１５００以上の細かい超砥粒を
用いた平面ホーニング加工を用いることにより光電子部
品を作製でき、従来法より装置コストが少なく、しかも
作業時間も短く、容易かつ効率の良い光電子部品の製造
方法を提供できる。また、クラッドガラスとコアガラス
の組み合わせの選択幅を広くすることができるため、安
価なガラス系導波路を提供できる効果も奏する。
形成する工程で粒度が＃１５００以上の細かい超砥粒を
用いた平面ホーニング加工を用いることにより光電子部
品を作製でき、従来法より装置コストが少なく、しかも
作業時間も短く、容易かつ効率の良い光電子部品の製造
方法を提供できる。また、クラッドガラスとコアガラス
の組み合わせの選択幅を広くすることができるため、安
価なガラス系導波路を提供できる効果も奏する。
【図１】本発明の一実施の形態における光導波路の工程
図
図
【図２】同要部である平面ホーニング加工の加工特性を
説明する図
説明する図
【図３】（ａ） 同要部である平面ホーニング加工用砥
石の上面図 （ｂ） 同下面図
石の上面図 （ｂ） 同下面図
【図４】従来の導波路の工程図
１１ コア層
１２ 下部クラッド層
１３ レジスト
１４ 上部クラッド層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
// Ｂ２４Ｂ 13/00 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｍ
Ｆターム(参考） 2H047 KA04 PA04 PA21 PA24 QA04
TA36
3C043 BB00 CC04
3C049 AA04 CA01 CA06 CB01 CB03
3C058 AA02 AA09 CA06 CB03 DA02
3C063 AA02 AB05 BB02 BC03 EE27
Claims (5)
- 【請求項１】 第１のクラッド層の上面にコア層を形成
し、このコア層を所定の厚みとなるまで平面ホーニング
加工し、この平面ホーニング加工したコア層をパターニ
ングしてコア部を形成し、少なくともこのコア部を覆う
ように第２のクラッド層を形成するもので、前記平面ホ
ーニング加工は粒度＃１５００以上の超砥粒ホイールを
用いる光電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 平面ホーニング加工する工程は、コア層
の主面の仕上げ面粗さが５ｎｍ以下とする請求項１記載
の光電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 平面ホーニング加工する工程に用いる砥
石、超砥粒ホイールのボンド材がレジンである請求項１
記載の光電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 平面ホーニング加工する工程は、超砥粒
ホイールの回転数が毎分２００以上であることを特徴と
する請求項１記載の光電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 平面ホーニングする工程は、１００Ｎ以
上の加工圧でコア層を平面ホーニング加工した後に５０
Ｎ以下の加工圧で前記コア層をさらに平面ホーニング加
工して所定の厚みに加工する請求項１記載の光電子部品
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001355268A JP2003156645A (ja) | 2001-11-20 | 2001-11-20 | 光電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001355268A JP2003156645A (ja) | 2001-11-20 | 2001-11-20 | 光電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003156645A true JP2003156645A (ja) | 2003-05-30 |
Family
ID=19166995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001355268A Pending JP2003156645A (ja) | 2001-11-20 | 2001-11-20 | 光電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003156645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013176135A1 (ja) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | 日本電気株式会社 | 光路変換器、及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-11-20 JP JP2001355268A patent/JP2003156645A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013176135A1 (ja) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | 日本電気株式会社 | 光路変換器、及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3664174B2 (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| EP1597614B1 (en) | High precision mirror, and a method of making it | |
| US20110189505A1 (en) | Method for manufacturing glass substrate for magnetic recording medium | |
| JP5272218B2 (ja) | セミフィニッシュレンズの製造方法 | |
| CN100419951C (zh) | 形成半导体元件及半导体影像感测器的方法 | |
| JP2003156645A (ja) | 光電子部品の製造方法 | |
| JPH035702A (ja) | 貼り合わせレンズ等及びその製造方法 | |
| JPH1010348A (ja) | 光導波路デバイスの製造方法 | |
| KR20110017379A (ko) | 마이크로스케일 광학 구조 제조 방법 | |
| US4327606A (en) | Method of making a master replicating tool | |
| EP0924043B1 (en) | Method for fabricating molding tools for molding optical surfaces | |
| JPH0868913A (ja) | 光導波路構造物の仕上げ方法 | |
| US6036873A (en) | Process for generating precision polished non-plannar aspherical surfaces | |
| JP2513599B2 (ja) | 光導波路基板の製造方法 | |
| JP4578939B2 (ja) | 小型ガラス製品の製造方法 | |
| JP3329594B2 (ja) | フォトマスク用サファイヤ基板の製造方法 | |
| JP4799784B2 (ja) | 屈折率分布型レンズの製造方法 | |
| US6529677B2 (en) | Method for formatting the facet of optical waveguide element for use in optical communication | |
| JPH11352350A (ja) | 光導波路素子の製造方法 | |
| KR101211140B1 (ko) | 경면가공용 절삭팁 제조방법 및 상기 제조방법으로 제조된 절삭팁을 포함하는 경면가공용 연마공구 | |
| JPS6090851A (ja) | 光学部品の製造方法 | |
| CN116460667A (zh) | 氟化钙光学零件的加工方法 | |
| JPH0720337A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP4060902B2 (ja) | 複合型光学素子およびその製造方法 | |
| JPH09309053A (ja) | 光学部品の研磨方法及び光学部品 |