JP2003156539A - 評価装置および評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】サブミクロンサイズの微小電子素子の電気的特
性に変化を与えることなく、目的の配線あるいは部材に
微細な探針を機械的に接触させ、素子に給電することで
の電気特性を評価するための装置および方法を提供す
る。 【解決手段】試料の電気特性測定対象領域をブランキン
グ領域とし、直接荷電粒子を照射する回数を１回ないし
皆無にした上で、過去に得られた画像あるいは周辺領域
の画像から探針先端の現在位置を演算することで探針を
目的の場所に接触させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微細領域の電気特
性を評価する装置および方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】微細領域の電気特性を評価する従来の装
置および方法は、走査電子顕微鏡により試料上の評価対
象領域および探針先端位置を確認し、機械的に探針先端
を試料表面に接触させる例が特開平９−３２６４２５号
公報に開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例は、位置確
認のために試料の評価対象領域に継続的に電子線を照射
するため、試料が帯電したり、熱などで試料が損傷した
り、炭化水素系ガス分子が試料表面にコンタミネーショ
ン層として形成されるなどの欠点があった。これらは走
査電子顕微鏡を用いた評価装置一般に当てはまる問題点
であり、例えば日本電子顕微鏡学会関東支部編、走査電
子顕微鏡、共立出版、２０００年の７３頁から７８頁に
解説されている。これらの影響により、評価前に評価対
象となる電子素子の電気特性が変化してしまったり、探
針との接触抵抗が高くなったりすると、精密な電気特性
の測定をすることができない。

【０００４】本発明の目的は、探針接触の段階で測定対
象の電子素子の電気特性を変えることなく、しかも探針
・試料間の接触抵抗を可能な限り低減した上でプロービ
ングできる評価装置および方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
には、評価対象領域に対する荷電粒子照射の機会を低減
し、あるいは全く照射することなく、かつ評価対象領域
内に存在する探針接触目標点に正確に探針先端を接触さ
せるための、観察および位置を制御する技術の確立が必
要となる。

【０００６】探針接触という目的のためには、探針接触
目標点の位置確認手段が不可欠であるが、本発明におい
ては、確認のために一度だけ走査した観察像を記憶し、
上記記憶させた観察像を継続的に表示することで、操作
者がその観察像を基に各探針接触目標点と、それに対応
する探針先端の初期位置とを指定することを可能とし
た。これにより各探針の移動量を算出することが可能で
あり、以後新規に走査して観察像を取得することなく、
全探針の移動を実行できる。

【０００７】次に、本発明においては探針接触目標点と
の相対位置関係が予め与えられている特定の点を観察像
にて確認し、観察像内の座標を指示することで、前記相
対位置関係から探針接触目標点を算出させ、探針接触目
標点を直接観察することなくその位置を指定できるよう
にした。このような特定の点を、試料表面上の荷電粒子
照射が許される場所に設け、観察像を走査する際にその
点を走査範囲に含める一方で、照射禁止の場所をブラン
キングすることで、連続的な観察像を得ることも可能で
ある。なお、探針接触目標点と特定の点との相対位置関
係は、試料の設計情報等を参照することで、明確に得る
ことができる。

【０００８】また、探針先端についても、前記の探針接
触目標点と同様に扱うことができる。すなわち、探針の
移動に伴い探針先端がブランキング領域に進入し、直接
その位置を観察像により確認できない場合にも、探針上
の特定の点を観察可能な位置範囲に保ち、かつ、その特
定の点と探針先端との相対位置関係を予め明らかにして
おくことで、この特定の点を観察して得られる位置から
探針先端の位置を算出することを可能にした。なお、予
めこの特定の点と探針先端とを同時に観察する手順を設
けることで、両者の相対位置関係を測定することができ
る。

【０００９】以上のように、探針接触目標点および探針
先端の代わりに、試料表面上および探針上の特定の点を
観察することで、探針接触目標点および探針先端の位置
を算出できるので、特定の点に関して探針移動機構をフ
ィードバック制御することにより、探針接触目標点を間
接的にフィードバック制御することを可能にした。

【００１０】

【発明の実施の形態】（実施例１）図１は、本発明の一
実施例である評価装置の構成の一例を示す略図である。
ここでは、試料３上の配線２に探針１を接触させて、試
料３内の微小電子素子の電気特性をテスター９により測
定することを目的としている。

【００１１】試料３および配線２の形状および初期位置
関係を観察するための参照像を得る手段として、ここで
は走査型電子顕微鏡を用いる。すなわち、本発明による
評価装置の主要な機械系構成要素は真空容器２９内に格
納されており、電子銃１０は、１次電子ビーム照射制御
部２１により制御され、１次電子ビーム１２を放出し、
偏向機１３は偏向器制御部２２により制御され、１次電
子ビームを偏向して試料３表面を走査させ、放出される
２次電子１４は２次電子検出器１１により検出される。
検出された２次電子信号は、２次電子検出器制御部２３
により数値情報に置き換えられ、情報記憶部１５に記録
され、表示装置１６上の操作画面内に観察像として表示
される。表示装置１６は、操作画面の表示のほかに、マ
ウスあるいはキーボードなどの入力装置を備え、操作者
の操作を受け付ける。以上の制御および情報処理は、情
報処理部８によって一括処理される。

【００１２】探針１および試料３には、テスター９が接
続されており、情報処理部８からの命令で探針および試
料にそれぞれ印加電圧を与え、測定される電流値を情報
処理部８に送る。テスター９により得られた電圧電流特
性等のデータは、情報処理部８によりグラフ化されて表
示装置１６上に表示される。探針１は探針移動機構７に
固定されており、移動機構制御部４からの探針変位指示
信号に従い、３次元的に移動する。試料３は試料移動機
構６に固定されており、移動機構制御部４からの試料変
位指示信号に従い３次元的に移動する。移動機構制御部
４は、情報処理部８からの命令を受けとり試料移動機構
６および探針移動機構７に試料変位指示信号を出力す
る。なお、図１には探針が２本の場合が示されている
が、以下探針総数をｎで表す。

【００１３】図２は、本実施例の処理のうち、探針１を
試料３に接触させるまでを表したフローチャートであ
る。以下に、第１の拡大像すなわち参照用画像のみを用
い、第２の拡大像すなわち確認用画像を用いない場合の
手続きおよび処理を示す。

【００１４】はじめに処理１０１に示すように、試料お
よび探針を初期位置にセットする。すなわち、図６に示
すような参照用画像の視野内に、試料上の探針接触目標
点４３および各探針先端４２が含まれるように、予め決
められた位置に、試料移動機構６および探針移動機構７
を用いて試料３および探針１を移動する。なお、図６で
は配線２の一種として、ビアの頂上４１が示されてい
る。この段階では、試料と探針は接触しておらず、試料
表面上の予め定められた高さに探針先端が位置する。

【００１５】次に、処理１０２に示すように、参照用画
像を１画面のみ走査し、情報記憶部１５に記憶するとと
もに、表示装置１６上の操作画面上に表示する。続く処
理１０３では、操作画面上で、各探針先端位置Ｔ１〜Ｔ
ｎをマウスなどにより操作者が指定する。これにより、
各探針先端位置Ｔ１〜Ｔｎが画面座標系に関して得られ
る。

【００１６】次に、処理１０４に示すように、Ｔ１〜Ｔ
ｎを移動機構座標に変換する。移動機構座標系は、各探
針移動機構７および試料移動機構６に対して固有に定義
された座標系である。なお、移動機構座標系と画面座標
系との間の変換パラメータは、例えば本評価装置の電源
が投入された際に、あるいは一定時間ごとに、操作者に
より各探針および試料を各軸方向に移動させた際の、画
面上における座標変化量を基に定数として算出され、情
報記憶部１５に記憶される。

【００１７】さらに、処理１０５では、操作画面上で、
各探針接触目標点Ｄ１〜Ｄｎをマウスなどにより操作者
が指定する。これにより、各探針接触目標点Ｄ１〜Ｄｎ
が画面座標系に関して得られる。次に、処理１０６に示
すように、各探針接触目標点Ｄ１〜Ｄｎを移動機構座標
に変換する。

【００１８】処理１０７では、誤差ベクトルＴ１Ｄ１〜
ＴｎＤｎを算出することで、各探針が移動すべき距離を
得て、探針移動機構７により探針を移動させる。そし
て、処理１０８で探針を試料表面に接近させ、接触させ
る。

【００１９】この後、テスター９が各探針および試料に
対して電圧を印加し、各探針および試料を流れる電流値
を測定し、その結果得られた評価データが情報処理部８
に送られ、表示装置１６上に表示される。 （実施例２）本実施例では、実施例１で記載した装置を
用い、試料のレイアウト情報を参照することで探針接触
目標点を決定し、かつ第２の拡大像すなわち確認用画像
を用いて第１の拡大像すなわち参照用画像とパターンマ
ッチングによりフィードバック制御する場合の手続きお
よび処理を示す。本実施例でも、実施例１と同様に探針
総数をｎで表す。

【００２０】図３は、本実施例の処理のうち、フィード
バック制御を開始する以前の初期処理を表したフローチ
ャートである。はじめに処理２０１では、処理１０１と
同様に試料および探針を初期位置にセットする。

【００２１】次に、処理２０２に示すように、第１の拡
大像すなわち周辺部のみの参照用画像を１画面のみ走査
し、情報記憶部１５に記憶するとともに、表示装置１６
上の操作画面上に表示する。ここで周辺部とは、例えば
図７に示すように、試料内基準点Ｓ０〜Ｓ２、各探針先
端Ｔ１〜Ｔｎ、および各探針特徴点Ｐ１〜Ｐｎが含ま
れ、かつ各探針接触目標点Ｄ１〜Ｄｎおよびその他の１
次電子照射禁止領域が全く含まれることが無いように、
予め決められた領域であり、この領域に対して参照用画
像が得られる。

【００２２】試料内基準点Ｓ０〜Ｓ２は、試料表面に存
在する特徴的な点であり、試料表面座標系と画面座標系
との間の座標変換のために利用される。この試料内基準
点Ｓ０〜Ｓ２の、試料表面座標系に関する位置情報は、
情報入出力部１７から本装置に取り込まれるレイアウト
情報に含まれている。ここで、情報入出力部１７は、例
えばフロッピィディスクのような情報記録媒体のドライ
ブ装置か、もしくはデータベース等にアクセスするため
の通信経路である。また、探針特徴点Ｐ１〜Ｐｎは、探
針表面に存在する特徴的な点であり、画像パターンマッ
チングによる探針位置解析に用いられる。この特徴点Ｐ
１〜Ｐｎは、例えば探針製造時に集束イオンビームなど
により十字型のマークを刻み付けるなどの方法で人為的
に作ることが望ましい。また、後述の探針特徴点変更処
理で用いるために、１本の探針に複数のマークをつけて
おくことが望ましい。

【００２３】処理２０３では、操作画面上で試料内基準
点Ｓ０〜Ｓ２をマウスなどにより操作者が指定する。こ
れによりＳ０〜Ｓ２の画面座標が得られる。そして、処
理２０４では、Ｓ０〜Ｓ２近傍の部分画像を、参照用画
像から抽出し、後の処理でマッチングするためのテンプ
レートとして、情報記憶部１５に記憶する。

【００２４】処理２０５では、Ｓ０〜Ｓ２の試料表面座
標と、処理２０３で得られた画面座標とを用い、試料表
面座標系と画面座標系との間の座標変換に用いるパラメ
ータを算出し、記憶する。

【００２５】処理２０６では、処理１０３と同様に、操
作画面上で各探針先端位置Ｔ１〜Ｔｎをマウスにより操
作者が指定することにより、各探針先端位置Ｔ１〜Ｔｎ
が画面座標系に関して得られる。続く処理２０７では、
各探針先端位置Ｔ１〜Ｔｎを移動機構座標に変換する。

【００２６】処理２０８では、操作画面上で探針特徴点
Ｐ１〜Ｐｎをマウスにより操作者が指定する。これによ
りＰ１〜Ｐｎの画面座標が得られる。そして、処理２０
９では探針特徴点Ｐ１〜Ｐｎ近傍の部分画像を、参照用
画像から抽出し、後の処理でマッチングするためのテン
プレートとして情報記憶部１５に記憶する。さらに、処
理２１０では探針特徴点Ｐ１〜Ｐｎを移動機構座標に変
換した上で、処理２０７で既に得られている移動機構座
標系に関する各探針先端位置Ｔ１〜Ｔｎの座標値から減
じることで、各探針の特徴点に対する先端の相対位置を
求める。以上で図３に示された初期処理は完了する。

【００２７】図４は、本実施例の処理のうち、フィード
バック制御を実現するループ処理を表したフローチャー
トである。ループのはじめに、処理２１１に示すよう
に、レイアウト情報に含まれる各探針接触目標点を、処
理２０５で既に得られている座標変換パラメータを利用
することで、試料表面座標から画面座標に変換する。さ
らにこの画面座標を移動機構座標に変換した上で、各探
針先端位置Ｔ１〜Ｔｎを減ずることで、誤差ベクトルＴ
１Ｄ１〜ＴｎＤｎを算出する。

【００２８】処理２１２は終了判定であり、全探針の誤
差が予め決められた許容範囲内ならば、処理２１３に示
すように探針を試料表面に接近させ、接触させた上で、
処理を終了する。次の処理２１４は、探針特徴点を変更
する必要がある場合の処理で、詳細は実施例３に記載す
る。

【００２９】その後の処理２１５では、処理２１１で得
られた誤差ベクトルＴ１Ｄ１〜ＴｎＤｎに従って、探針
移動機構７により探針を移動させる。処理２１６では、
レイアウト情報に含まれる、１次電子の照射が禁止され
ている領域Ｂ（４４）の座標を、試料表面座標から画面
座標に変換し、それに続く処理２１７で、本来の走査手
順では領域Ｂ内に１次電子ビームが照射されるタイミン
グにおいてブランキングされるように、１次電子ビーム
照射制御部２１および偏向器制御部２２を制御すること
により、第２の拡大像すなわち図８に示すような確認用
画面を作成し、情報記憶部１５に記憶し、表示装置１６
に表示する。

【００３０】処理２１８では、処理２０４でテンプレー
トとして記憶した部分画像を第２の拡大像である確認用
画面にマッチングし、この部分画像に一致あるいは近似
する部分領域の座標を検索することにより、試料内基準
点Ｓ０〜Ｓ２の新たな画面座標を解析する。画像パター
ンのマッチングには、例えば位相限定相関法を用いれ
ば、画素単位以下の精度で画面座標を得ることができ
る。

【００３１】さらに、処理２１９では、処理２０５と同
様にレイアウト情報に含まれているＳ０〜Ｓ２の試料表
面座標と、処理２１８で得られた画面座標とを用い、試
料表面座標系と画面座標系との間の座標変換に用いるパ
ラメータを算出し、記憶する。

【００３２】次に、処理２２０では、処理２０９等でテ
ンプレートとして記憶した部分画像を第２の拡大像であ
る確認用画面にマッチングし、この部分画像に一致ある
いは近似する部分領域の座標を検索することにより、各
探針特徴点Ｐ１〜Ｐｎの新たな画面座標を解析する。前
述のように、１本の探針に複数の特徴点を予め作ってあ
る場合があり、その場合はマッチする座標が複数存在す
る可能性があるが、この場合には、処理２１５による移
動量を考慮し、移動前の特徴点の位置から移動後の特徴
点の位置を推測した上で、その点から最も近い位置でマ
ッチする座標を新たな特徴点とみなすことが望ましい。
こうして得られた各探針特徴点Ｐ１〜Ｐｎを、処理２２
１では画面座標から移動機構座標に変換した上で、処理
２１０で予め算出してあるベクトルＰ１Ｔ１〜ＰｎＴｎ
を加算することで、各探針先端位置Ｔ１〜Ｔｎを推定す
る。以上の処理で、実際にはＴ１〜Ｔｎがブランキング
領域Ｂに含まれて直接観察することができなくとも、Ｐ
１〜Ｐｎを観察した結果からＴ１〜Ｔｎを推定すること
ができる。この後、ループの先頭、すなわち処理２１１
からの一連の処理を再び行うことで、フィードバック制
御を実行する。 （実施例３）本実施例は、実施例２に処理２１４として
記載された探針特徴点変更処理の具体例の詳細である。
図５に本実施例のフローチャートを示す。

【００３３】まず処理２２２で、次の移動により特徴点
Ｐｊがブランキング領域Ｂに含まれてしまう探針ｊの有
無を判定する。すなわち、現在の特徴点Ｐｊに探針ｊの
移動量を加えた点が、領域Ｂに含まれる場合は、新たな
特徴点を画像マッチングに用いることにする。もしこの
ように新たな特徴点への変更が必要な探針が存在しない
ならば、探針特徴点変更処理を終了する。

【００３４】探針ｊに変更が必要な場合は、処理２２３
に示すように、操作画面上で移動前および移動後ともに
領域Ｂに含まれることのない特徴点を、マウスにより操
作者が指定する。これにより新たな特徴点Ｐｊの画面座
標が得られる。そして、処理２２４では、処理２０９と
同様にＰｊ近傍の部分画像を最新の確認用画像から抽出
し、後の処理でマッチングするためのテンプレートとし
て情報記憶部１５に記憶する。さらに、処理２２５で
は、処理２１０と同様にＰｊを移動機構座標に変換した
上で、処理２０７で既に得られている移動機構座標系に
関するＴｊの座標値から減じることで、探針ｊの新たな
特徴点に対する先端の相対位置を求める。

【００３５】この後、処理２２２に戻り、特徴点の変更
を必要とする探針が他にも存在する場合には、この探針
に関して処理２２３〜２２５を実行する。 （実施例４）探針接触処理に用いる操作画面の実施例を
図８に示す。操作画面は画像表示部５００、メッセージ
表示部５０１、各種ボタンおよびチェックボックスによ
り構成される。メッセージ表示部５０１に、操作者が次
にすべき操作内容を表示することで、複雑な処理手順を
判りやすく確実に実行できる。

【００３６】例えば実施例２の処理２０３では、メッセ
ージ表示部５０１に「試料内基準点Ｓ０〜Ｓ２を、順に
クリックしてください。」と表示される。操作者は画像
表示部５００に表示されている参照用画像を見て、まず
Ｓ０の位置にマウスポインタを合わせクリックする。次
にＳ１、さらにＳ２の位置に関して同様の操作を行い、
最後に実行ボタン５０２をクリックする。Ｓ０〜Ｓ２の
各点が指定される度に、画像表示部５００上の該当位置
に、点シンボル５０６がスーパーインポーズ表示され、
指定された位置を確認することができる。例えば仮に操
作者がＳ１の誤った位置を指定した場合は、戻りボタン
５０３を次にクリックすることで、再度Ｓ１の入力待機
状態に戻すことができる。これと同様のマウス操作によ
り、各探針先端Ｔ１〜Ｔｎ、各探針特徴点Ｐ１〜Ｐｎ
も、操作画面上で連続的に指定することができる。

【００３７】図４のフローチャートに示すフィードバッ
ク処理は自動的に進めることができるが、例えば探針特
徴点変更処理が必要な場合は、図８に示すように、新し
い特徴点を入力するようにメッセージが表示され、操作
者がマウスにより新たな特徴点を指定することができ
る。また、フィードバック処理は、中断ボタン２０４に
より中断することができる。

【００３８】画面表示部５００には、初期処理の段階で
は参照用画面が、そして定常処理の段階では最新の確認
用画像が表示され、それに重なるようにレイアウト情報
を視覚化したビア頂上形状などの図形がスーパーインポ
ーズ表示される。例えば図８では、中央の矩形領域はブ
ランキング領域で、確認用画像は得られないが、レイア
ウト情報を基にビアを表す円形の記号が合成表示されて
いる。特に、探針接触目標であるビアは、固有の色やハ
ッチングにより他のビアと区別しやすくしてある。ま
た、マッチングの結果として得られた試料内基準点Ｓ０
〜Ｓ２および探針特徴点Ｐ１〜Ｐｎと、処理２２１によ
り得られた各探針先端Ｔ１〜Ｔｎの位置が、十字記号お
よび文字でスーパーインポーズ表示され、操作者が各点
の位置を把握しやすくしてある。

【００３９】確認用画像、レイアウト情報およびシンボ
ルは、表示選択チェックボックス５０５により、それぞ
れ表示／非表示を選択することができ、見やすい画面を
操作者が臨機応変に選ぶことができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明により、準備段階で評価対象の特
性が変化することを防ぎ、精密な電気特性評価が可能に
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による微細電子素子評価装置
の基本構造を示すブロック図。

【図２】本発明の探針接触処理の一例を示すフローチャ
ート。

【図３】本発明の探針接触処理の一例のうち、初期処理
を示すフローチャート。

【図４】本発明の探針接触処理の一例のうち、フィード
バック処理を示すフローチャート。

【図５】本発明の探針接触処理の一例のうち、探針特徴
点変更処理を示すフローチャート。

【図６】参照用画像の一例を示す平面図。

【図７】本発明の探針接触処理実行中の、試料内基準
点、探針接触目標点、探針特徴点、探針先端位置および
ブランキング領域の位置関係の一例を示す平面図。

【図８】本発明による探針接触処理に用いる操作画面の
一例を示す説明図。

【符号の説明】

１…探針、２…配線、３…試料、４…移動機構制御部、
６…試料移動機構、７…探針移動機構、８…情報処理
部、９…テスター、１０…電子銃、１１…２次電子検出
器、１２…１次電子ビーム、１３…偏向器、１４…２次
電子、１５…情報記憶部、１６…表示装置、１７…情報
入出力部、２１…１次電子ビーム照射制御部、２２…偏
向器制御部、２３…２次電子検出器制御部、２９…真空
容器、５００…画像表示部、５０１…メッセージ表示
部、５０２…実行ボタン、５０３…戻りボタン、５０４
…中断ボタン、５０５…表示選択チェックボックス、５
０６…点シンボル、５０７…ブランキング領域シンボ
ル、５０８…レイアウト図形。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 修 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 2G011 AA02 AD02 2G132 AE16 AF06 AF12 AF13 AL00

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】試料を載置する試料移動機構と、前記試料
   に機械的接触をする１本以上の探針を載置する探針移動
   機構と、前記探針を経由して前記試料に電圧を印加する
   と同時に電流値を計測することで電気特性を評価する手
   段と、荷電粒子を前記試料および探針の所定の領域を走
   査させながら照射する手段と、前記照射された荷電粒子
   を用い所定の領域の第１の拡大像を取得する手段と、前
   記第１の拡大像を記憶する手段と、前記第１の拡大像を
   操作画面に表示する手段と、前記第１の拡大像内の座標
   系に関する前記探針の移動量を操作者が指定する手段
   と、前記操作者が指定した移動量を前記探針移動機構固
   有の座標系に関する移動量に変換する手段と、を具備す
   ることを特徴とする評価装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の評価装置において、特に荷
   電粒子が電子線もしくはイオンビームであることを特徴
   とする評価装置。
3. 【請求項３】請求項１から２記載の評価装置において、
   特に各探針が独立に移動可能であることを特徴とする評
   価装置。
4. 【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載の評価装
   置において、特に前記第１の拡大像から所定の部分画像
   を抽出および記憶する手段と、前記照射された荷電粒子
   を用い前記第１の拡大像とは独立した所定の領域に関し
   て得られた第２の拡大像を取得する手段と、前記部分画
   像に一致あるいは近似する前記第２の拡大像中の部分領
   域の座標を検索する手段と、を具備することを特徴とす
   る評価装置。
5. 【請求項５】試料を試料移動機構に載置する工程と、前
   記試料に機械的接触をする１本以上の探針を探針移動機
   構に載置する工程と、前記探針を経由して前記試料に電
   圧を印加すると同時に電流値を計測することで電気特性
   を評価する工程と、荷電粒子を前記試料および探針の所
   定の領域を走査させながら照射する工程と、前記照射さ
   れた荷電粒子を用い所定の領域の第１の拡大像を取得す
   る工程と、前記第１の拡大像を記憶する工程と、前記第
   １の拡大像を操作画面に表示する工程と、前記第１の拡
   大像内の座標系に関する前記探針の移動量を操作者が指
   定する工程と、前記操作者が指定した移動量を前記探針
   移動機構固有の座標系に関する移動量に変換する工程
   と、を具備することを特徴とする評価方法。
6. 【請求項６】請求項５記載の評価方法において、特に前
   記第１の拡大像から所定の部分画像を抽出および記憶す
   る工程と、前記照射された荷電粒子を用い前記第１の拡
   大像とは独立した所定の領域に関して得られた第２の拡
   大像を取得する工程と、前記部分画像に一致あるいは近
   似する前記第２の拡大像中の部分領域の座標を検索する
   工程と、を具備することを特徴とする評価方法。
7. 【請求項７】請求項６記載の評価方法において、特に前
   記部分画像を用いて前記試料および探針の上の特定の点
   の位置を測定する工程と、前記特定の点の位置関係から
   前記試料上の探針接触目標点および前記探針の先端との
   間の誤差量を算出する工程と、前記誤差量を用いて前記
   探針移動機構をフィードバック制御する工程と、を具備
   することを特徴とする評価方法。