JP2003152588A - Multi-band antenna switching circuit and multi-band antenna switch laminate module composite part, and communication equipment using the same - Google Patents

Multi-band antenna switching circuit and multi-band antenna switch laminate module composite part, and communication equipment using the same

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JP2003152588A
JP2003152588A JP2002089023A JP2002089023A JP2003152588A JP 2003152588 A JP2003152588 A JP 2003152588A JP 2002089023 A JP2002089023 A JP 2002089023A JP 2002089023 A JP2002089023 A JP 2002089023A JP 2003152588 A JP2003152588 A JP 2003152588A
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啓介 深町
Shigeru Kenmochi
茂 釼持
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-band antenna switching circuit and laminate parts capable of suppressing higher harmonic yield, and realizing miniaturization and low power consumption. SOLUTION: This multi-band antenna switch circuit is provided with a first diplexer Dip1 having a first transmission terminal and a second reception terminal and a first common terminal, a second diplexer Dip2 having a second transmission terminal and a first reception terminal and a second common terminal, and a switching circuit SW having a first transmission/reception terminal and a second transmission/reception terminal and an antenna terminal, where either the first transmission/reception terminal or the second transmission/reception terminal is switched and connected to the antenna terminal. In this case, the first common terminal is connected to the first transmission/ reception terminal, and the second common terminal is connected to the second transmission/reception terminal, and a notch filter VNF is connected between the antenna terminal and the switching circuit. Also, it is possible to provide multi-band antenna switch laminate module composite parts constituting the multi-band antenna- switching circuit.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マルチバンドアン
テナスイッチ回路およびマルチバンドアンテナスイッチ
積層モジュール複合部品及びこれらを用いた通信装置に
関し、特に2つ以上の異なる周波数の信号を1つのアン
テナを共用して送受信する無線通信システムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-band antenna switch circuit, a multi-band antenna switch laminated module composite component, and a communication device using the same, and more particularly, a single antenna sharing two or more different frequency signals. The present invention relates to a wireless communication system that transmits and receives.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯無線通信システムには、例えば主に
欧州で盛んなEGSM(Extended Globa
l System for Mobile Commu
nications)方式およびDCS(Digita
l Cellular System)方式、米国で盛
んなPCS(Personal Communicat
ion Service)方式、日本で採用されている
PDC(Personal Digital Cell
ular)方式などの様々なシステムがあるが、昨今の
携帯電話の急激な普及に伴い、特に先進国の主要な大都
市部においては各システムに割り当てられた周波数帯域
ではシステム利用者を賄いきれず、接続が困難であった
り、通話途中で接続が切断するなどの問題が生じてい
る。そこで、利用者が複数のシステムを利用できるよう
にして、実質的に利用可能な周波数の増加を図り、さら
にサービス区域の拡充や各システムの通信インフラを有
効活用することが提唱されている。
2. Description of the Related Art EGSM (Extended Global), which is popular mainly in Europe, is used as a portable radio communication system.
l System for Mobile Commu
communications) system and DCS (Digital)
l Cellular System method, PCS (Personal Communicat) popular in the United States
Ion Service system, PDC (Personal Digital Cell) adopted in Japan
There are various systems such as the (ular) system, but due to the rapid spread of mobile phones in recent years, the system users cannot be covered by the frequency band allocated to each system, especially in the major metropolitan areas of developed countries. , There are problems such as difficulty in connection or disconnection during a call. Therefore, it has been proposed to allow users to use a plurality of systems so as to substantially increase available frequencies, further expand service areas, and effectively utilize communication infrastructure of each system.

【0003】前記利用者が複数のシステムを利用したい
場合には、各システムに対応した携帯通信機を必要な分
だけ持つか、あるいは複数のシステムで通信できる小型
軽量の携帯通信機を持つ必要がある。後者の場合、1台
の携帯通信機で複数のシステムを利用可能とするには、
システム毎の部品を用いて携帯通信機を構成すればよい
が、信号の送信系においては、例えば希望の送信周波数
の送信信号を通過させるフィルタ、送受信回路を切り換
える高周波スイッチや送受信信号を入放射するアンテ
ナ、また信号の受信系では、前記高周波スイッチを通過
した受信信号の希望の周波数を通過させるフィルタ等の
高周波回路部品が各システム毎に必要となる。このた
め、携帯通信機が高価になるとともに、体積および重量
ともに増加してしまい携帯用としては不適であった。そ
こで複数のシステムに対応した小型軽量の高周波回路部
品が必要になってきた。例えば、EGSMとDCSの2つのシ
ステムに対応した携帯通信機に用いられるデュアルバン
ド対応の高周波スイッチモジュールが特開平11−22
5088号公報および特開2001−185902号公
報、米国特許公報第5815804号に開示されてい
る。
When the user wants to use a plurality of systems, it is necessary to have as many portable communication devices corresponding to each system as necessary, or to have a small and lightweight portable communication device capable of communicating with a plurality of systems. is there. In the latter case, to enable multiple systems with one mobile communication device,
The mobile communication device may be configured using the components of each system, but in the signal transmission system, for example, a filter that passes a transmission signal of a desired transmission frequency, a high-frequency switch that switches the transmission / reception circuit, and a transmission / reception signal are transmitted / received. In an antenna or a signal receiving system, a high frequency circuit component such as a filter that allows a desired frequency of a received signal that has passed through the high frequency switch is required for each system. For this reason, the portable communication device becomes expensive, and its volume and weight increase, which is unsuitable for portable use. Therefore, small and lightweight high-frequency circuit components compatible with multiple systems have become necessary. For example, a dual band compatible high frequency switch module used in a portable communication device compatible with two systems of EGSM and DCS is disclosed in JP-A-11-22.
No. 5088, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-185902, and US Pat. No. 5,815,804.

【0004】図19に示した前者の特開平11−225
088号公報での従来技術のスイッチ回路では、EGSM送
信端子(Tx)とEGSM受信端子(Rx)とを切り換えるスイ
ッチ回路SW1とDCS送信端子(Tx)とDCS受信端子(Rx)
とを切り換えるスイッチ回路SW2およびSW1とSW2に接続
されるダイプレクサDip(分波器)を有する。SW1とSW2
には図20に示したPINダイオードスイッチを利用した
スイッチ回路が各々に利用される。したがって、EGSM、
DCS対応の高周波スイッチモジュールではPINダイオード
が合計4つ必要であり小型化の妨げになっていた。
The former Japanese Patent Laid-Open No. 11-225 shown in FIG.
In the switch circuit of the prior art in the 088 publication, a switch circuit SW1 that switches between the EGSM transmission terminal (Tx) and the EGSM reception terminal (Rx), the DCS transmission terminal (Tx), and the DCS reception terminal (Rx).
And a diplexer Dip connected to the switch circuits SW2 and SW1 and SW2. SW1 and SW2
For each of them, a switch circuit using the PIN diode switch shown in FIG. 20 is used. Therefore, EGSM,
A DCS-compatible high-frequency switch module requires a total of four PIN diodes, which hinders miniaturization.

【0005】これに対し後者のうち特開2001−18
5902号では図21に示すように、EGSM送信端子とDC
S送信端子とを分波する送信側のダイプレクサDip1と、E
GSM受信端子とDCS受信端子とを分波する受信側のダイプ
レクサDip2およびDip1とDip2に接続されるスイッチ回路
SWを有する。SWにはEGSM帯域〜DCS帯域の広い帯域をカ
バーするためにGaAsスイッチなどのFETスイッチ1個が
使用される。したがってPINダイオードスイッチを利用
したスイッチ回路と比較すると小型化が可能であり、さ
らに消費電力の低減も可能となった。
On the other hand, of the latter, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-18
In No. 5902, as shown in FIG. 21, EGSM transmission terminal and DC
Sip diplexer Dip1 for demultiplexing with S transmission terminal and E
Switch circuit connected to the diplexer Dip2 and Dip1 and Dip2 on the receiving side that demultiplexes the GSM receiving terminal and the DCS receiving terminal
Have SW. For the SW, one FET switch such as a GaAs switch is used to cover a wide band from the EGSM band to the DCS band. Therefore, compared to a switch circuit that uses a PIN diode switch, it can be made smaller and power consumption can be reduced.

【0006】他方、米国特許公報第5815804号で
は、EGSM受信端子とDCS送信端子とを分波するダイプレ
クサDip1と、EGSM送信端子とDCS受信端子とを分波する
ダイプレクサDip2と、Dip1とDip2に接続されるスイッチ
回路SWとを有し、このSWには上記例と同様にGaAsスイッ
チなどのFETスイッチ1個が使用されている。
On the other hand, in US Pat. No. 5,815,804, a diplexer Dip1 for demultiplexing an EGSM receiving terminal and a DCS transmitting terminal, a diplexer Dip2 for demultiplexing an EGSM transmitting terminal and a DCS receiving terminal, and Dip1 and Dip2 are connected. The switch circuit SW includes a FET switch such as a GaAs switch as in the above example.

【0007】[0007]

【本発明が解決しようとする課題】図21の特開200
1−185902号の従来技術ではEGSM送信モードにお
いてスイッチ回路SWが送信側のダイプレクサDip1に接続
されているため、DCS送信端子から入力されるDCS帯域の
信号も通過させるという問題があった。EGSM送信モード
の場合はDCS側のパワーアンプは動作しないように設定
されているが、EGSM送信信号の2倍高調波による発振お
よびEGSM側のアンプとのクロストークのためにDCS側の
パワーアンプからも僅かに信号を発生する。この現象は
特にEGSMとDCSの2つのパワーアンプを1つのパッケー
ジにまとめたデュアルパワーアンプの場合に顕著であ
り、-15dBm程度の信号がDCS側のパワーアンプから出力
される場合がある。
[Problems to be Solved by the Invention]
In the conventional technique of 1-185902, since the switch circuit SW is connected to the diplexer Dip1 on the transmission side in the EGSM transmission mode, there is a problem that a signal in the DCS band input from the DCS transmission terminal is also passed. In the EGSM transmission mode, the power amplifier on the DCS side is set not to operate, but due to oscillation by the 2nd harmonic of the EGSM transmission signal and crosstalk with the amplifier on the EGSM side, the power amplifier on the DCS side will Also produces a slight signal. This phenomenon is particularly remarkable in the case of a dual power amplifier in which two power amplifiers of EGSM and DCS are combined in one package, and a signal of about -15 dBm may be output from the power amplifier on the DCS side.

【0008】つまり、EGSM送信モードにおいてEGSM送信
帯域の2倍の周波数に相当する1.8GHz帯の信号がDCS送信
端子に入力され、さらにダイプレクサDip1およびスイッ
チSWは1.8GHz帯域の信号をそのまま通過させてしまうた
め、EGSM送信の2倍高調波歪みがアンテナから放射され
問題となる。このアンテナから放射される2倍高調波発
生量は-36dBm以下が望ましく、図21の従来技術では回
避できない問題点であった。
That is, in the EGSM transmission mode, a 1.8 GHz band signal corresponding to twice the frequency of the EGSM transmission band is input to the DCS transmission terminal, and the diplexer Dip1 and the switch SW pass the 1.8 GHz band signal as it is. Therefore, the double harmonic distortion of EGSM transmission is radiated from the antenna, which becomes a problem. The second harmonic generation amount radiated from this antenna is preferably -36 dBm or less, which is a problem that cannot be avoided by the conventional technique of FIG.

【0009】また、特開2001−185902号と米
国特許第5815804号と共にスイッチ回路にGaAsス
イッチを用いている。GaAsスイッチはPINダイオードを
使用した回路と比較すると高調波歪みが発生しやすいと
いう問題もある。特にEGSM送信では最大+36dBmの電力が
GaAsスイッチに投入される場合があり、2倍高調波発生
量を-36dBm以下に抑制するにはGaAsスイッチ自体で発生
するEGSM送信信号の2倍高調波発生量を-72dBc以下にす
る必要がある。しかしながら、このような高調波発生量
の少ないGaAsスイッチを入手することは現状困難であ
る。なぜならGaAsスイッチの高調波発生量を低減するに
は電源電圧を増加することにより容易に実現可能である
が、携帯電話に用いる部品として電源電圧の増加はバッ
テリーの電源電圧の増加に相当するため採用できないた
めである。
A GaAs switch is used in the switch circuit together with Japanese Patent Laid-Open No. 2001-185902 and US Pat. No. 5,815,804. GaAs switches also have the problem that harmonic distortion is more likely to occur when compared to circuits using PIN diodes. Especially in EGSM transmission, the maximum power of +36 dBm
It may be applied to a GaAs switch, and in order to suppress the amount of double harmonic generation to -36 dBm or less, it is necessary to set the amount of double harmonic generation of the EGSM transmission signal generated by the GaAs switch itself to -72 dBc or less. . However, it is currently difficult to obtain such a GaAs switch that generates a small amount of harmonics. This is because it is possible to easily reduce the amount of harmonics generated in the GaAs switch by increasing the power supply voltage, but it is adopted as a component used in mobile phones because the increase in power supply voltage corresponds to the increase in battery power supply voltage. This is because it cannot be done.

【0010】さらに、ダイプレクサを用いずに複数の周
波数の送受信信号をGaAsスイッチにより直接切り換える
回路の場合には、静電気破壊に対して弱いという問題が
ある。よって、アンテナとGaAsスイッチの間に静電サー
ジ対策用の回路を取り入れる必要がある。例えば従来の
静電サージ対策としては、特開2001−44883号
公報および特開2001−186047号公報などで開
示されている。しかしながら、これらはPINダイオード
を用いた回路用のものであり、これらの静電サージ対策
回路はアンテナトップに使用するには相応しくなかっ
た。
Further, in the case of a circuit in which transmission / reception signals of a plurality of frequencies are directly switched by a GaAs switch without using a diplexer, there is a problem that it is weak against electrostatic breakdown. Therefore, it is necessary to install a circuit for electrostatic surge protection between the antenna and the GaAs switch. For example, conventional electrostatic surge countermeasures are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-44883 and 2001-186047. However, these are for circuits using PIN diodes, and these electrostatic surge countermeasure circuits were not suitable for use on the antenna top.

【0011】本発明では以上のような問題に鑑み、小
型、低消費電力および高調波発生量を抑制した、また静
電気破壊に対して強いマルチバンドアンテナスイッチ回
路およびマルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール
複合部品並びにこれらを用いた通信装置を提供すること
を目的とする。
In view of the above problems, the present invention is a multi-band antenna switch circuit, a multi-band antenna switch laminated module composite part, which is small in size, has low power consumption, suppresses the generation of harmonics, and is strong against electrostatic breakdown, and An object is to provide a communication device using these.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は従来のPINダイ
オードを使用したスイッチ回路の問題点であった小型
化、低消費電力化などを解決するために、GaAsスイッチ
などのFETスイッチ1つとダイプレクサ2つを用いた基
本構成を有するマルチバンドアンテナスイッチ回路であ
り、GaAsスイッチなどのFETスイッチを使用した場合に
懸念される高調波発生量を抑制するために、スイッチ回
路とアンテナとの間に送信信号の2倍又は3倍の周波数
を減衰させるフィルタを、例えばノッチフィルタを挿入
したことを要旨とするものである。また、本発明はGaAs
スイッチなどのFETスイッチ1つとダイプレクサ2つを
用いた基本構成を有するマルチバンドアンテナスイッチ
回路であり、GaAsスイッチなどのFETスイッチを使用し
た場合に問題となる静電気破壊を防止するために、スイ
ッチ回路とアンテナとの間に静電気放電によるサージ電
圧をグランドへ吸収させるフィルタを、例えばハイパス
フィルタを挿入したことを要旨とするものである。
In order to solve the problems of a conventional switch circuit using a PIN diode, such as miniaturization and low power consumption, the present invention provides a FET switch such as a GaAs switch and a diplexer. This is a multi-band antenna switch circuit that has a basic configuration using two, and transmits between the switch circuit and the antenna in order to suppress the amount of harmonic generation that is a concern when using FET switches such as GaAs switches. The gist of the present invention is to insert a notch filter, for example, as a filter for attenuating twice or three times the frequency of the signal. Further, the present invention is based on GaAs
It is a multi-band antenna switch circuit that has a basic configuration using one FET switch such as a switch and two diplexers. To prevent electrostatic breakdown, which is a problem when using a FET switch such as a GaAs switch, a switch circuit is used. The gist of the present invention is to insert a filter for absorbing a surge voltage due to electrostatic discharge to the ground between the antenna and, for example, a high-pass filter.

【0013】即ち、本発明は、第1の送信端子と第2の
受信端子と第1の共通端子を有する第1のダイプレクサ
と、第2の送信端子と第1の受信端子と第2の共通端子
を有する第2のダイプレクサと、第1の送受信端子と第
2の送受信端子とアンテナ端子を有し、前記第1の送受
信端子と前記第2の送受信端子とのいずれか一方が、前
記アンテナ端子に切り替え接続されるスイッチ回路とを
有し、前記第1の共通端子が前記第1の送受信端子に接
続され、前記第2の共通端子が前記第2の送受信端子に
接続され、前記スイッチ回路とアンテナとの間に、前記
第1の送信端子又は前記第2の送信端子に入力される送
信信号の2倍又は3倍の周波数を減衰させるフィルタを
設けたマルチバンドアンテナスイッチ回路である。
That is, according to the present invention, there is provided a first diplexer having a first transmission terminal, a second reception terminal and a first common terminal, a second transmission terminal, a first reception terminal and a second common terminal. A second diplexer having a terminal, a first transmission / reception terminal, a second transmission / reception terminal, and an antenna terminal, and one of the first transmission / reception terminal and the second transmission / reception terminal is the antenna terminal. And a switch circuit that is switch-connected to the first common terminal connected to the first transmission / reception terminal and the second common terminal connected to the second transmission / reception terminal. The multi-band antenna switch circuit is provided between the antenna and a filter for attenuating twice or three times the frequency of a transmission signal input to the first transmission terminal or the second transmission terminal.

【0014】また本発明は、第1の送信端子と第2の受
信端子と第1の共通端子を有する第1のダイプレクサ
と、第2の送信端子と第1の受信端子と第2の共通端子
を有する第2のダイプレクサと、第1の送受信端子と第
2の送受信端子とアンテナ端子を有し、前記第1の送受
信端子と前記第2の送受信端子とのいずれか一方が、前
記アンテナ端子に切り替え接続されるスイッチ回路とを
有し、前記第1の共通端子が前記第1の送受信端子に接
続され、前記第2の共通端子が前記第2の送受信端子に
接続され、前記スイッチ回路とアンテナとの間にノッチ
フィルタを設けたマルチバンドアンテナスイッチ回路で
ある。
Further, according to the present invention, there is provided a first diplexer having a first transmitting terminal, a second receiving terminal and a first common terminal, a second transmitting terminal, a first receiving terminal and a second common terminal. A second diplexer having a first transmission / reception terminal, a second transmission / reception terminal, and an antenna terminal, and one of the first transmission / reception terminal and the second transmission / reception terminal is connected to the antenna terminal. A switch circuit that is switchably connected, the first common terminal is connected to the first transmission / reception terminal, the second common terminal is connected to the second transmission / reception terminal, and the switch circuit and the antenna It is a multi-band antenna switch circuit in which a notch filter is provided between and.

【0015】上記発明において、以下の構成を採ること
は望ましいことである。前記ノッチフィルタがインダク
タ、ダイオード、容量、抵抗、および電源端子を有し、
前記電源端子に印加する電圧により共振周波数を可変と
すること。前記ノッチフィルタに前記ダイオードに逆電
圧を印加するための逆電圧端子を設けること。前記第1
の送信端子に第1のローパスフィルタを、第2の送信端
子に第2のローパスフィルタとを有すること。前記スイ
ッチ回路はGaAs半導体から構成すること。入力端子およ
び出力端子を有し、前記入力端子とグランドとの間に接
続された第1のインダクタ、前記入力端子と前記出力端
子との間に接続された第1の容量、前記出力端子に接続
された第2のインダクタ、およびこの第2のインダクタ
とグランドに接続された第2の容量とからなるハイパス
フィルタを、少なくとも前記ノッチフィルタとアンテナ
との間に設けること。前記ハイパスフィルタの第2のイ
ンダクタと前記出力端子との間に第3のインダクタおよ
び第3の容量からなる並列共振回路を挿入すること。
In the above invention, it is desirable to adopt the following configuration. The notch filter has an inductor, a diode, a capacitor, a resistor, and a power supply terminal,
The resonance frequency is variable by the voltage applied to the power supply terminal. A reverse voltage terminal for applying a reverse voltage to the diode is provided in the notch filter. The first
And a second low-pass filter at the second transmission terminal. The switch circuit shall be composed of GaAs semiconductor. A first inductor having an input terminal and an output terminal, connected between the input terminal and the ground, a first capacitor connected between the input terminal and the output terminal, and connected to the output terminal And a high-pass filter including the second inductor and the second capacitor connected to the ground and the second inductor is provided at least between the notch filter and the antenna. Inserting a parallel resonant circuit including a third inductor and a third capacitor between the second inductor of the high pass filter and the output terminal.

【0016】本発明は、第1の送信端子と第2の受信端
子と第1の共通端子を有する第1のダイプレクサと、第
2の送信端子と第1の受信端子と第2の共通端子を有す
る第2のダイプレクサと、第1の送受信端子と第2の送
受信端子とアンテナ端子を有し、前記第1の送受信端子
と前記第2の送受信端子とのいずれか一方が、前記アン
テナ端子に切り替え接続されるスイッチ回路とを有し、
前記第1の共通端子が前記第1の送受信端子に接続さ
れ、前記第2の共通端子が前記第2の送受信端子に接続
され、前記スイッチ回路とアンテナとの間に、静電気放
電によるサージ電圧をグランドへ吸収させるフィルタを
有するマルチバンドアンテナスイッチ回路である。
According to the present invention, there is provided a first diplexer having a first transmission terminal, a second reception terminal and a first common terminal, and a second transmission terminal, a first reception terminal and a second common terminal. It has a 2nd diplexer which has, a 1st transmission / reception terminal, a 2nd transmission / reception terminal, and an antenna terminal, and any one of the 1st transmission / reception terminal and the 2nd transmission / reception terminal switches to the said antenna terminal. With a switch circuit connected,
The first common terminal is connected to the first transmission / reception terminal, the second common terminal is connected to the second transmission / reception terminal, and a surge voltage due to electrostatic discharge is applied between the switch circuit and the antenna. It is a multi-band antenna switch circuit having a filter for absorbing to the ground.

【0017】また本発明は、第1の送信端子と第2の受
信端子と第1の共通端子を有する第1のダイプレクサ
と、第2の送信端子と第1の受信端子と第2の共通端子
を有する第2のダイプレクサと、第1の送受信端子と第
2の送受信端子とアンテナ端子を有し、前記第1の送受
信端子と前記第2の送受信端子とのいずれか一方が、前
記アンテナ端子に切り替え接続されるスイッチ回路とを
有し、前記第1の共通端子が前記第1の送受信端子に接
続され、前記第2の共通端子が前記第2の送受信端子に
接続され、前記スイッチ回路とアンテナとの間に、前記
アンテナに接続される入力端子および前記スイッチ回路
に接続される出力端子を有し、前記入力端子とグランド
との間に接続された第1のインダクタ、前記入力端子と
前記出力端子との間に接続された第1の容量、前記出力
端子に接続された第2のインダクタ、およびこの第2の
インダクタとグランドに接続された第2の容量とからな
るハイパスフィルタを有するマルチバンドアンテナスイ
ッチ回路である。ここで、前記ハイパスフィルタの第2
のインダクタと前記出力端子との間に第3のインダクタ
および第3の容量からなる並列共振回路を挿入しても良
い。
Further, according to the present invention, there is provided a first diplexer having a first transmission terminal, a second reception terminal and a first common terminal, a second transmission terminal, a first reception terminal and a second common terminal. A second diplexer having a first transmission / reception terminal, a second transmission / reception terminal, and an antenna terminal, and one of the first transmission / reception terminal and the second transmission / reception terminal is connected to the antenna terminal. A switch circuit that is switchably connected, the first common terminal is connected to the first transmission / reception terminal, the second common terminal is connected to the second transmission / reception terminal, and the switch circuit and the antenna A first inductor connected between the input terminal and the switch circuit, and an input terminal connected to the antenna, and an output terminal connected to the switch circuit, and the input terminal and the output. Between terminals A multi-band antenna switch circuit having a connected first capacitance, a second inductor connected to the output terminal, and a high-pass filter including the second inductor and a second capacitance connected to the ground. . Here, the second of the high-pass filter
A parallel resonance circuit composed of a third inductor and a third capacitor may be inserted between the inductor and the output terminal.

【0018】本発明は、上記したマルチバンドアンテナ
スイッチ回路を構成する伝送線路および容量の一部を積
層基板に内蔵し、前記マルチバンドアンテナスイッチ回
路の一部を構成するスイッチ素子、抵抗、容量およびイ
ンダクタなどのチップ部品を積層基板上に搭載したマル
チバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品であ
る。
According to the present invention, a part of a transmission line and a capacitor forming the above-mentioned multi-band antenna switch circuit is built in a laminated board, and a switch element, a resistor, a capacitor and a part of the multi-band antenna switch circuit are formed. It is a multi-band antenna switch laminated module composite component in which chip components such as inductors are mounted on a laminated substrate.

【0019】さらに本発明は、上記したマルチバンドア
ンテナスイッチ回路、又はマルチバンドアンテナスイッ
チ積層モジュール複合部品を用いた通信装置である。
Furthermore, the present invention is a communication device using the above-mentioned multi-band antenna switch circuit or multi-band antenna switch laminated module composite component.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明のマルチバンドアンテナス
イッチ回路は以上のような構成としたので、第1のダイ
プレクサは周波数帯域の異なる信号を第1の送信端子お
よび第2の受信端子へ分波し、第2のダイプレクサは周
波数の異なる帯域の信号を第2の送信端子および第1の
受信端子へ分波する。さらにスイッチ回路はアンテナ端
子と前記第1のダイプレクサとの間、あるいはアンテナ
端子と前記第2のダイプレクサとの間の接続を切り換え
る。従って、第1の送信端子とアンテナ端子が接続され
ている場合は、第2の送信端子は前記スイッチ回路によ
り遮断されているため、従来技術で問題であったOFF状
態でのパワーアンプから出力される高調波歪みをアンテ
ナ端子へ通過させることがない。同様に第2の送信端子
とアンテナ端子が接続されている場合は、第1の送信端
子は前記スイッチ回路により遮断されているため、従来
技術で問題であったOFF状態のパワーアンプから出力さ
れる高調波歪みをアンテナ端子へ通過させることがな
い。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Since the multi-band antenna switch circuit of the present invention is configured as described above, the first diplexer demultiplexes signals having different frequency bands into the first transmitting terminal and the second receiving terminal. Then, the second diplexer demultiplexes signals in different frequency bands to the second transmission terminal and the first reception terminal. Further, the switch circuit switches the connection between the antenna terminal and the first diplexer or between the antenna terminal and the second diplexer. Therefore, when the first transmission terminal and the antenna terminal are connected, the second transmission terminal is cut off by the switch circuit, so that the output from the power amplifier in the OFF state, which was a problem in the conventional technique, is output. Harmonic distortion that does not pass to the antenna terminal. Similarly, when the second transmission terminal and the antenna terminal are connected, the first transmission terminal is cut off by the switch circuit, and thus is output from the power amplifier in the OFF state, which is a problem in the conventional technique. Harmonic distortion is not passed to the antenna terminal.

【0021】また、本発明において第1の送信端子に接
続される第1のローパスフィルタは、前記第1の送信端
子に入力されるパワーアンプから出力された送信信号に
対して、基本周波数の信号のみを通過させ、高次高調波
歪みを低減する。同様に第2の送信端子に接続される第
2のローパスフィルタは、前記第2の送信端子に入力さ
れるパワーアンプから出力された送信信号に対して、基
本周波数の信号のみを通過させ、高次高調波歪みを低減
する。そして、スイッチ回路とアンテナとの間に接続さ
れたローパスフィルタであるとかノッチフィルタは、送
信信号の2倍もしくは3倍の周波数に減衰極をもつよう
に調整されている。したがってこれらのフィルタを接続
することにより、前記スイッチ回路で発生する2次ある
いは3次高調波歪みをも効果的に低減することができ
る。
In the present invention, the first low-pass filter connected to the first transmission terminal is a signal having a fundamental frequency with respect to the transmission signal output from the power amplifier input to the first transmission terminal. Only high frequency harmonic distortion. Similarly, the second low-pass filter connected to the second transmission terminal passes only the signal of the fundamental frequency with respect to the transmission signal output from the power amplifier input to the second transmission terminal, Reduces harmonic distortion. A low-pass filter or a notch filter connected between the switch circuit and the antenna is adjusted so as to have an attenuation pole at a frequency twice or three times the frequency of the transmission signal. Therefore, by connecting these filters, it is possible to effectively reduce the second-order or third-order harmonic distortion generated in the switch circuit.

【0022】また、本発明のノッチフィルタは、インダ
クタ、ダイオードスイッチ、容量、抵抗、および電源端
子により構成され、前記電源端子に印加する電圧により
ノッチフィルタの共振周波数を変化させることが可能と
なる。したがって、ノッチフィルタの減衰極を第1の送
信端子がアンテナ端子に接続される場合には、第1の送
信信号の2倍あるいは3倍高調波の周波数に設定し、第
2の送信端子がアンテナ端子に接続される場合には、第
2の送信信号の2倍あるいは3倍高調波の周波数に設定
することにより、両方の帯域の高調波発生量を同時に低
減可能となる。また、前記ノッチフィルタを構成するダ
イオードスイッチに電圧が印加されていない状態ではノ
ッチフィルタ自体が高調波歪みを発生する。これを回避
するためには前記ダイオードスイッチに逆電圧を印加す
るための逆電圧端子を設けることが有効である。
The notch filter of the present invention comprises an inductor, a diode switch, a capacitor, a resistor, and a power supply terminal, and the resonance frequency of the notch filter can be changed by the voltage applied to the power supply terminal. Therefore, when the first transmission terminal is connected to the antenna terminal, the attenuation pole of the notch filter is set to the frequency of the double or triple harmonic of the first transmission signal, and the second transmission terminal is set to the antenna. When it is connected to the terminal, the harmonic generation amount in both bands can be reduced at the same time by setting the frequency of the double or triple harmonic of the second transmission signal. Further, the harmonic distortion occurs in the notch filter itself when no voltage is applied to the diode switch forming the notch filter. In order to avoid this, it is effective to provide a reverse voltage terminal for applying a reverse voltage to the diode switch.

【0023】本発明に使用されるスイッチ回路には前記
ダイプレクサに入出力される低周波数および高周波数の
信号を低損失で通過させる必要があるため、通過帯域の
広いGaAs FETスイッチなどが用いられる。しかし、Ga
As FETスイッチはPINダイオードなどと比較する
と静電気破壊に対して弱いというデメリットがある。こ
れに対しては、スイッチ回路とアンテナとの間に静電サ
ージ電圧をグランドへ吸収させるフィルタを設けること
により解消できる。より具体的なハイパスフィルタによ
れば第1のインダクタと第1の容量により静電気放電に
よるサージ電圧をグランド側へ逃がし、第2のインダク
タとグランドに接続された第2の容量からなる直列共振
回路により共振周波数帯での静電サージを効果的にグラ
ンドへ吸収すると共に900MHz帯域〜1.8GHz帯域までの広
帯域での整合を取ることが出来る。
Since the switch circuit used in the present invention needs to pass low-frequency and high-frequency signals input to and output from the diplexer with low loss, a GaAs FET switch having a wide pass band is used. However, Ga
As FET switches have the demerit that they are weak against electrostatic breakdown as compared with PIN diodes. This can be solved by providing a filter for absorbing the electrostatic surge voltage to the ground between the switch circuit and the antenna. According to a more specific high-pass filter, the surge voltage due to electrostatic discharge is released to the ground side by the first inductor and the first capacitance, and the series resonance circuit including the second inductor and the second capacitance connected to the ground is used. It is possible to effectively absorb the electrostatic surge in the resonance frequency band to the ground and to match in a wide band from 900MHz band to 1.8GHz band.

【0024】また、マルチバンドアンテナスイッチ回路
を構成するダイプレクサとスイッチ回路の伝送線路およ
び容量の一部を積層基板に内蔵し一体化するため、ダイ
プレクサとスイッチ回路との配線も積層基板の表面又は
内部に形成され、配線による損失を低減し、また両者間
の整合調整が容易となる。一方、マルチバンドアンテナ
スイッチ回路の一部を構成するスイッチ素子、抵抗、容
量およびインダクタなどのチップ部品は積層基板上に搭
載することにより、小型で安価なマルチバンドアンテナ
スイッチ積層モジュール複合部品が得られる。また、こ
れらのマルチバンドアンテナスイッチ回路、又はマルチ
バンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品を用い
た通信装置は装置の小型化と低消費電力仕様となる。以
上のことより、本発明のアンテナスイッチ回路およびマ
ルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品並
びに通信装置は、パワーアンプでの高調波発生量および
スイッチ回路での高調波発生量の抑制、GaAs FETスイッ
チの静電破壊の保護、小型化、低コスト化、低消費電力
化を図ることができる。
Further, since the diplexer forming the multi-band antenna switch circuit and a part of the transmission line and the capacitance of the switch circuit are built in and integrated with the laminated board, the wiring between the diplexer and the switch circuit is also provided on the surface or inside the laminated board. Are formed on the substrate, the loss due to wiring is reduced, and the matching adjustment between the two is facilitated. On the other hand, chip components such as switch elements, resistors, capacitors, and inductors that form part of the multi-band antenna switch circuit are mounted on a laminated substrate to obtain a compact and inexpensive multi-band antenna switch laminated module composite component. . Further, a communication device using these multi-band antenna switch circuits or multi-band antenna switch laminated module composite parts has a small size and low power consumption specifications. From the above, the antenna switch circuit, the multi-band antenna switch laminated module composite component, and the communication device of the present invention can suppress the harmonic generation amount in the power amplifier and the harmonic generation amount in the switch circuit, and reduce the static electricity of the GaAs FET switch. It is possible to achieve protection against electric breakdown, downsizing, cost reduction, and power consumption reduction.

【0025】以下、本発明に係るマルチバンドアンテナ
スイッチ回路、およびマルチバンドアンテナスイッチ積
層モジュール複合部品並びに通信装置の実施形態につい
て図面を参照して説明する。まず、図2は本発明に係わ
るマルチバンドアンテナスイッチ回路の一例である、EG
SM、DCS対応のアンテナスイッチ回路のブロック図を示
す。第1のダイプレクサDip1はEGSM送信信号(880MHz〜
915MHz)とDCS受信信号(1805MHz〜1880MHz)を分波合
成する。第2のダイプレクサDip2はEGSM受信信号(925M
Hz〜960MHz)とDCS送信信号(1710MHz〜1785MHz)を分
波合成する。スイッチ回路SWはDip1およびDip2に接続さ
れ、アンテナ端子ANTとDip1との間、あるいはANT端子と
Dip2の間の接続を切り換える。この場合、スイッチ回路
はEGSMおよびDCS帯域の信号を低損失で通過させる必要
があり、通過帯域の広いSPDT(Single Pole Dual Throw)
と呼ばれるGaAs FETスイッチなどが用いられ
る。従って、ANT端子とDip1が接続し、EGSM送信端子とA
NT端子が接続されている場合は、DCS送信端子はSWによ
り遮断される。EGSM送信モードの場合はDCS側のパワー
アンプは動作しないように設定されているが、EGSM送信
信号の2倍高調波による発振およびEGSM側のアンプとの
クロストークのためにDCS側のパワーアンプからも僅か
に信号を発生する。つまり、EGSM側のパワーアンプで発
生したEGSM送信信号の2倍高調波(1760MHz〜1830MHz)
が、EGSMとDCSのパワーアンプ間のクロストークによりD
CS送信端子から入力され、Dip2を通過する。しかしSWに
よりANT端子とDip2の間が遮断されるためANT端子側には
通過できないことになる。これに対し、図21の従来技
術ではEGSM送信モードにおいてDCS送信端子とANT端子間
が接続されているため、EGSM送信信号の2倍高調波はAN
T端子へ通過してしまい問題であった。以上のことより
本発明の回路構成により、まずはEGSM送信モードにおけ
るEGSM送信信号の2倍高調波発生量を低減可能となる。
Embodiments of a multi-band antenna switch circuit, a multi-band antenna switch laminated module composite component, and a communication device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. First, FIG. 2 shows an example of a multi-band antenna switch circuit according to the present invention, EG
The block diagram of the antenna switch circuit corresponding to SM and DCS is shown. The first diplexer Dip1 is an EGSM transmission signal (880MHz-
915MHz) and the DCS reception signal (1805MHz to 1880MHz) are demultiplexed and combined. The second diplexer Dip2 is an EGSM received signal (925M
(Hz to 960MHz) and DCS transmission signal (1710MHz to 1785MHz) are demultiplexed and combined. The switch circuit SW is connected to Dip1 and Dip2, and is connected between the antenna terminal ANT and Dip1 or the ANT terminal.
Switch the connection between Dip2. In this case, the switch circuit needs to pass with a low loss signal EGSM and DCS bands, wide passband SPDT (S ingle P ole D ual T hrow)
A GaAs FET switch or the like called is used. Therefore, ANT terminal and Dip1 are connected, and EGSM transmission terminal and A
When the NT terminal is connected, the DCS transmission terminal is shut off by SW. In the EGSM transmission mode, the power amplifier on the DCS side is set not to operate, but due to oscillation by the 2nd harmonic of the EGSM transmission signal and crosstalk with the amplifier on the EGSM side, the power amplifier on the DCS side will Also produces a slight signal. In other words, the second harmonic of the EGSM transmission signal generated by the power amplifier on the EGSM side (1760MHz to 1830MHz)
However, due to crosstalk between the EGSM and DCS power amplifiers, D
It is input from the CS transmission pin and passes through Dip2. However, the SW blocks the connection between the ANT terminal and Dip2, so it cannot pass through to the ANT terminal side. On the other hand, in the conventional technique of FIG. 21, since the DCS transmission terminal and the ANT terminal are connected in the EGSM transmission mode, the 2nd harmonic of the EGSM transmission signal is AN.
There was a problem because it passed to the T terminal. From the above, the circuit configuration of the present invention makes it possible to reduce the amount of double harmonic generation of the EGSM transmission signal in the EGSM transmission mode.

【0026】(実施例1)図1は本発明のマルチバンド
アンテナスイッチ回路の一実施例である、EGSM、DCS対
応のアンテナスイッチ回路のブロック図を示す。この実
施例では上記実施例の回路に加えて、Dip1とEGSM送信端
子の間にローパスフィルタLPF1、Dip2とDCS送信端子の
間にローパスフィルタLPF2、ANTとSWとの間に可変ノッ
チフィルタVNFがそれぞれ挿入されている。LPF1はEGSM
送信信号に含まれる高次高調波歪みを抑制するため、EG
SM送信信号のみを通過し、EGSM送信信号の2倍以上の周
波数を減衰するような特性のフィルタが用いられる。同
様にLPF2はDCS送信信号に含まれる高次高調波歪みを抑
制するため、DCS送信信号のみを通過し、DCS送信信号の
2倍以上の周波数を減衰するような特性のフィルタが用
いられる。したがってパワーアンプで発生される高調波
歪みがLPF1、LPF2により低減されるため、アンテナから
放射される高調波発生量を低減可能である。さらに、可
変ノッチフィルタVNFは前記GaAs FETスイッチで発生す
る高調波発生量を低減するために、EGSM送信モードにお
いてはEGSM送信信号の2倍あるいは3倍の周波数に減衰
極をもつようなノッチフィルタであり、DCS送信モード
においてはDCS送信信号の2倍あるいは3倍の周波数に
減衰極をもつような特性のノッチフィルタが望ましく、
本実施例ではEGSM、DCS各モードにおいて上記のように
共振周波数が変化する可変ノッチフィルタを採用した。
したがってGaAs FETスイッチで発生する高調波歪みをVN
Fにより低減可能である。尚、本発明では実施例のよう
な可変ノッチフィルタVNFに限るものではなく、通常の
ノッチフィルタNFを用いても良いことは言うまでもな
い。さらに言えばノッチフィルタに限るものでもなく、
要は各種送信信号の2倍又は3倍の周波数を減衰させる
フィルタであれば良い。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a block diagram of an antenna switch circuit compatible with EGSM and DCS, which is an embodiment of the multi-band antenna switch circuit of the present invention. In this embodiment, in addition to the circuit of the above embodiment, low-pass filter LPF1 between Dip1 and EGSM transmission terminals, low-pass filter LPF2 between Dip2 and DCS transmission terminals, and variable notch filter VNF between ANT and SW, respectively. Has been inserted. LPF1 is EGSM
In order to suppress high-order harmonic distortion included in the transmitted signal, EG
A filter having a characteristic of passing only the SM transmission signal and attenuating a frequency twice or more that of the EGSM transmission signal is used. Similarly, the LPF2 suppresses high-order harmonic distortion included in the DCS transmission signal, and therefore a filter having a characteristic of passing only the DCS transmission signal and attenuating a frequency twice or more that of the DCS transmission signal is used. Therefore, since the harmonic distortion generated in the power amplifier is reduced by LPF1 and LPF2, the amount of harmonic generation radiated from the antenna can be reduced. In addition, the variable notch filter VNF is a notch filter that has an attenuation pole at twice or three times the frequency of the EGSM transmission signal in the EGSM transmission mode in order to reduce the amount of harmonics generated in the GaAs FET switch. Yes, in the DCS transmission mode, a notch filter having a characteristic having an attenuation pole at a frequency twice or three times that of the DCS transmission signal is desirable,
In this embodiment, the variable notch filter in which the resonance frequency changes in each of the EGSM and DCS modes is adopted.
Therefore, the harmonic distortion generated in the GaAs FET switch is
It can be reduced by F. It is needless to say that the present invention is not limited to the variable notch filter VNF as in the embodiment, and a normal notch filter NF may be used. Furthermore, it is not limited to notch filters,
The point is that a filter that attenuates a frequency that is twice or three times that of various transmission signals may be used.

【0027】図8に本実施例の具体的な等価回路の一例
を示した。ダイプレクサDip1は伝送線路またはインダク
タL7〜L9および容量C8〜C11により構成される。L8とC8
は直列共振回路を形成し、DCS受信帯域に共振周波数を
持つように設計することが望ましい。本実施例では1.8G
Hzに減衰極をあわせた。L9とC10は直列共振回路を形成
し、EGSM送信帯域に共振周波数を持つように設計するこ
とが望ましい。本実施例では0.9GHzに減衰極をあわせ
た。この回路により、EGSM送信信号とDCS受信信号を分
波合成することが可能となる。ダイプレクサDip2は伝送
線路またはインダクタL4〜L6および容量C4〜C7により構
成される。L5とC4は直列共振回路を形成し、DCS送信帯
域に共振周波数を持つように設計することが望ましい。
本実施例では1.8GHzに減衰極をあわせた。L6とC6は直列
共振回路を形成し、EGSM受信帯域に共振周波数を持つよ
うに設計することが望ましい。本実施例では0.9GHzに減
衰極をあわせた。この回路により、DCS送信信号とEGSM
受信信号を分波合成することが可能となる。
FIG. 8 shows an example of a concrete equivalent circuit of this embodiment. The diplexer Dip1 is composed of transmission lines or inductors L7 to L9 and capacitors C8 to C11. L8 and C8
It is desirable to form a series resonance circuit and design it so that it has a resonance frequency in the DCS reception band. 1.8G in this embodiment
The attenuation pole was set to Hz. It is desirable that L9 and C10 form a series resonant circuit and that the resonant frequency be in the EGSM transmission band. In this embodiment, the attenuation pole is set to 0.9 GHz. This circuit makes it possible to demultiplex the EGSM transmission signal and the DCS reception signal. The diplexer Dip2 is composed of transmission lines or inductors L4 to L6 and capacitors C4 to C7. It is desirable that L5 and C4 form a series resonance circuit and have a resonance frequency in the DCS transmission band.
In this embodiment, the attenuation pole is set to 1.8 GHz. It is desirable that L6 and C6 form a series resonance circuit and that the resonance frequency be in the EGSM reception band. In this embodiment, the attenuation pole is set to 0.9 GHz. This circuit allows DCS transmission signals and EGSM
The received signal can be demultiplexed and combined.

【0028】ローパスフィルタLPF1は、伝送線路または
インダクタL11および容量C15〜C17により構成される。
このときL11とC15は並列共振回路を形成し、その共振周
波数はEGSM送信周波数の2倍あるいは3倍に設定するの
が望ましい。本実施例では3倍の2.7GHzに設定した。こ
の回路によりパワーアンプで発生するEGSM送信の3倍高
調波発生量の低減が可能となる。ローパスフィルタLPF2
は、伝送線路またはインダクタL10および容量C12〜C14
により構成される。このときL10とC12は並列共振回路を
形成し、その共振周波数はDCS送信周波数の2倍あるい
は3倍に設定するのが望ましい。本実施例では2倍の3.
6GHzに設定した。この回路によりパワーアンプで発生す
るDCS送信の2倍高調波発生量の低減が可能となる。
The low pass filter LPF1 is composed of a transmission line or inductor L11 and capacitors C15 to C17.
At this time, L11 and C15 form a parallel resonance circuit, and the resonance frequency thereof is preferably set to be twice or three times the EGSM transmission frequency. In this embodiment, the frequency is tripled to 2.7 GHz. With this circuit, it is possible to reduce the amount of triple harmonic generation of EGSM transmission generated by the power amplifier. Low pass filter LPF2
Is a transmission line or inductor L10 and capacitors C12 to C14
It is composed of At this time, L10 and C12 form a parallel resonance circuit, and the resonance frequency thereof is preferably set to be twice or three times the DCS transmission frequency. In this embodiment, it is doubled 3.
Set to 6GHz. With this circuit, it is possible to reduce the amount of double harmonic generation of DCS transmission generated by the power amplifier.

【0029】可変ノッチフィルタVNFは、伝送線路また
はインダクタL1、チョークコイルL2、容量C1〜C3、ダイ
オードスイッチDおよび抵抗Rにより構成される。L1、D
およびC3は直列共振回路を形成し、その共振周波数はダ
イオードDのON/OFF状態により変化する。通常ダイオー
ドはON状態ではショートに近く、OFF状態では0.1〜1.0p
Fの容量値をもつ。このため、ON状態ではL1とC3の直列
共振回路、OFF状態ではL1とC3およびダイオードの容量
値との直列共振回路を形成する。本実施例で使用したVN
Fの特性を図6に示す。ダイオードがON状態ではEGSM送
信信号の3倍の周波数(約2.7GHz)に減衰極をもち、ダ
イオードがOFF状態ではDCS送信信号の2倍の周波数(約
3.6GHz)に減衰極をもつ特性が得られる。なお、ダイオ
ードがONの場合の共振周波数、およびOFFの場合の共振
周波数は、L1およびC3の組み合わせにより任意に調整可
能である。ダイオードDがON状態となるためにはダイオ
ードに約0.7V以上の電圧を印加して直流電流を流す必要
があり、チョークコイルL2はこの直流電流を流すために
必要である。また、L2はEGSMおよびDCS帯域の信号に対
し、インピーダンスが大きくなるように20nH〜100nHが
望ましい。本実施例では27nHを使用した。また、抵抗R
はダイオードDに流れる電流値を制限する。本実施例で
は1kΩを使用した。
The variable notch filter VNF is composed of a transmission line or inductor L1, a choke coil L2, capacitors C1 to C3, a diode switch D and a resistor R. L1, D
And C3 form a series resonance circuit, the resonance frequency of which changes depending on the ON / OFF state of the diode D. Normally, the diode is close to a short circuit in the ON state and 0.1 to 1.0p in the OFF state.
Has a capacitance value of F. Therefore, a series resonance circuit of L1 and C3 is formed in the ON state, and a series resonance circuit of L1 and C3 and the capacitance value of the diode is formed in the OFF state. VN used in this example
The characteristics of F are shown in FIG. When the diode is ON, it has an attenuation pole at a frequency three times that of the EGSM transmission signal (about 2.7 GHz), and when the diode is OFF, it has twice the frequency of the DCS transmission signal (about 2.7 GHz).
A characteristic with an attenuation pole at 3.6 GHz is obtained. The resonance frequency when the diode is ON and the resonance frequency when the diode is OFF can be arbitrarily adjusted by the combination of L1 and C3. In order for the diode D to be in the ON state, it is necessary to apply a voltage of about 0.7 V or more to the diode to flow a direct current, and the choke coil L2 is necessary to flow this direct current. Further, L2 is preferably 20 nH to 100 nH so that the impedance becomes large for signals in the EGSM and DCS bands. In this example, 27 nH was used. Also, the resistance R
Limits the value of the current flowing through the diode D. In this example, 1 kΩ was used.

【0030】尚、チョークコイルL2はアンテナ直下で、
かつグランドに接続されているため、外部から静電サー
ジが加わった場合でもL2によりサージがグランドへ逃げ
やすくなる。このため、SW回路およびそれ以降に接続さ
れるSAWフィルタ、パワーアンプ、ローノイズアンプな
どの静電破壊に対して弱い部品の保護という機能も兼ね
備えたアンテナスイッチ回路となっている。また、ある
いは下記する図18(a)(b)のようなインダクター
を挿入した回路を設けることによっても静電気放電によ
るサージ電圧をグランドへ吸収させるフィルタの作用を
なし、GaAsスイッチを用いたアンテナスイッチ回路にお
いては有効である。しかしながら、(b)ではインダク
タおよび容量を多数必要とするため、小型化、低コスト
化の妨げになり、挿入損失の劣化の原因にもなってい
た。(a)では分波器の一部にインダクタを追加したも
のであり、GaAsスイッチを静電サージから保護するため
にはグランドに落ちるインダクタを5nH以下に設定する
必要があるが、アンテナトップに5nH以下のインダクタ
を接続した場合900MHz帯域〜1.8GHz帯域までの広帯域で
の整合を取ることが困難になる。これらの不具合を解消
するためには後述するハイパスフィルタ回路を用いるこ
とがより望ましい。
The choke coil L2 is directly below the antenna,
Moreover, since it is connected to the ground, even if an electrostatic surge is applied from the outside, L2 makes it easier for the surge to escape to the ground. For this reason, the antenna switch circuit also has a function of protecting components that are weak against electrostatic damage, such as the SW circuit and the SAW filters, power amplifiers, and low-noise amplifiers connected thereafter. Alternatively, an antenna switch circuit using a GaAs switch can be realized by providing a circuit in which an inductor is inserted as shown in FIGS. 18 (a) and 18 (b) described below to absorb a surge voltage due to electrostatic discharge to the ground. Is effective in. However, (b) requires a large number of inductors and capacitors, which hinders size reduction and cost reduction, and also causes deterioration of insertion loss. In (a), an inductor is added to a part of the demultiplexer. To protect the GaAs switch from electrostatic surge, it is necessary to set the inductor that falls to the ground to 5nH or less, but 5nH on the antenna top. If the following inductors are connected, it will be difficult to achieve matching in a wide band from 900MHz band to 1.8GHz band. In order to solve these problems, it is more desirable to use a high pass filter circuit described later.

【0031】スイッチ回路SWは、Dip1、Dip2、およびVN
Fに接続され、VC1がHighの場合はVNF〜Dip1間が接続さ
れ、VNF〜Dip2間は遮断される。逆にVC2がHighの場合は
VNF〜Dip2間が接続され、VNF〜Dip1間は遮断される。C
1、C2、C18、C19はスイッチ回路SWの切り換え、ダイオ
ードDのON/OFFのために必要なDCカットコンデンサであ
る。
The switch circuit SW includes Dip1, Dip2, and VN.
Connected to F, when VC1 is High, VNF-Dip1 is connected and VNF-Dip2 is cut off. Conversely, when VC2 is High
VNF and Dip2 are connected, and VNF and Dip1 are blocked. C
1, C2, C18 and C19 are DC cut capacitors required for switching the switch circuit SW and turning ON / OFF the diode D.

【0032】表1に本実施例の動作モードと電源電圧の
関係を示した。表1の電源電圧レベルのHighは+1V〜+5
V、Lowは-0.5V〜+0.5Vが望ましい。EGSM送信モードに
おいてはVC1、VC3がHighでVC2がLowになり、SWはANTとD
ip1との間を接続し、ANTとDip2はオープンになる。ま
た、ノッチフィルタVNFの共振周波数はダイオードDがON
状態になるため、EGSM送信信号の3倍の周波数約2.7GHz
になる。DCS送信モードにおいてはVC2がHighでVC1、VC3
がLowになり、SWはANTとDip2との間を接続し、ANTとDip
1はオープンになる。また、ノッチフィルタVNFの共振周
波数はダイオードDがOFF状態になるため、DCS送信信号
の2倍の周波数約3.6GHzになる。EGSM受信モードにおい
てはVC2がONでVC1、VC3がLowになり、SWはANTとDip2と
の間を接続し、ANTとDip1はオープンになる。また、ノ
ッチフィルタVNFの共振周波数はダイオードDがOFF状態
になるため、約3.6GHzになる。DCS受信モードにおいて
はVC1がONでVC2、VC3がLowになり、SWはANTとDip1との
間を接続し、ANTとDip2はオープンになる。また、ノッ
チフィルタVNFの共振周波数はダイオードDがOFF状態に
なるため、約3.6GHzになる。
Table 1 shows the relationship between the operation mode and the power supply voltage in this embodiment. The high power supply voltage level in Table 1 is + 1V to +5.
V and Low should be -0.5V to + 0.5V. In EGSM transmission mode, VC1 and VC3 are High, VC2 is Low, SW is ANT and D
Connect between ip1 and ANT and Dip2 will be open. Also, the resonance frequency of the notch filter VNF turns on the diode D.
The frequency is about 2.7 GHz, which is three times the frequency of the EGSM transmission signal.
become. In DCS transmission mode, VC2 is High and VC1, VC3
Goes low, SW connects between ANT and Dip2, and ANT and Dip
1 is open. The resonance frequency of the notch filter VNF is about 3.6 GHz, which is twice the frequency of the DCS transmission signal because the diode D is in the OFF state. In EGSM reception mode, VC2 is ON, VC1 and VC3 are Low, SW connects ANT and Dip2, and ANT and Dip1 are open. The resonance frequency of the notch filter VNF is about 3.6 GHz because the diode D is in the OFF state. In DCS reception mode, VC1 is ON, VC2 and VC3 are Low, SW connects ANT and Dip1, and ANT and Dip2 are open. The resonance frequency of the notch filter VNF is about 3.6 GHz because the diode D is in the OFF state.

【0033】[0033]

【表1】 [Table 1]

【0034】次に、本実施例による高調波抑制効果につ
いて測定した結果を表2に示す。測定は図2のようにノ
ッチフィルタがない場合と図1の実施例のようにノッチ
フィルタ等を設けた本発明の場合について、2倍、3倍
高調波(2f、3f)の減衰量(dB)の特性値を測定した。
この結果から明らかなように本発明によって20dB以上の
抑制効果が確認できた。以上の実施例により、本発明の
アンテナスイッチ回路によれば、パワーアンプでの高調
波発生量の抑制、スイッチ回路での高調波発生量の抑
制、および静電破壊の保護などが可能であることが明ら
かである。
Next, Table 2 shows the measurement results of the harmonic suppression effect according to the present embodiment. The measurement is made in the case of not having a notch filter as shown in FIG. 2 and in the case of the present invention in which a notch filter or the like is provided as in the embodiment of FIG. 1, the attenuation amount (dB) of the second and third harmonics (2f, 3f) ) Was measured.
As is clear from this result, the suppression effect of 20 dB or more was confirmed by the present invention. According to the above-described embodiment, the antenna switch circuit of the present invention can suppress the amount of harmonic generation in the power amplifier, suppress the amount of harmonic generation in the switch circuit, and protect against electrostatic damage. Is clear.

【0035】[0035]

【表2】 [Table 2]

【0036】(実施例2)次に、図10に本発明の他の
実施例である、EGSM、DCS対応のアンテナスイッチ回路
の等価回路図を示す。この実施例では実施例1の図8に
示した可変ノッチフィルタVNFを変更したものである。
本実施例のVNFは伝送線路またはインダクタL1、チョー
クコイルL2、L3、容量C1〜C3、ダイオードスイッチDお
よび抵抗Rにより構成される。L1、DおよびC3は直列共振
回路を形成し、実施例1と同様にその共振周波数はダイ
オードDのON/OFF状態により変化する。本実施例に示し
たVNFはダイオードDに逆電圧が印加可能であることが特
徴である。
(Embodiment 2) Next, FIG. 10 shows an equivalent circuit diagram of an antenna switch circuit compatible with EGSM and DCS, which is another embodiment of the present invention. In this embodiment, the variable notch filter VNF shown in FIG. 8 of the first embodiment is modified.
The VNF of this embodiment is composed of a transmission line or inductor L1, choke coils L2 and L3, capacitors C1 to C3, a diode switch D and a resistor R. L1, D and C3 form a series resonance circuit, and the resonance frequency thereof changes depending on the ON / OFF state of the diode D as in the first embodiment. The VNF shown in this embodiment is characterized in that a reverse voltage can be applied to the diode D.

【0037】一般的にダイオードなどの非線形デバイス
に高電力の高周波信号を投入すると、高調波歪みが発生
することが知られている。特にPINダイオードの場合はO
FF状態の時が顕著である。この理由は図9に示すダイオ
ードのV-I特性からも明らかであり、ON状態ではコント
ロール電源の電圧Vcにより比較的線形性の良い動作点で
ダイオードが駆動しているため、高周波信号による電圧
変動に対しても線形的な応答をするため高調波発生量は
少ない。これに対し、OFF状態ではV=0付近が動作点とな
り、高周波信号による電圧変動に対しても非線形的な応
答をする。このため高調波発生量が大きくなる。本実施
例の動作モードと電源電圧の関係は表1と同様である。
実施例1との違いは、DCS送信モードにおいて、VC2がHi
gh、VC3がLowとなり、ダイオードDに逆電圧が印加でき
ることである。ダイオードに逆電圧を印加した場合、図
9に示すように高周波信号による電圧変動に対しても線
形的な応答をするためノッチフィルタでの高調波発生量
が低減できる。DCS送信モードにおいてはVC2がHighでVC
1、VC3がLowになり、SWはANTとDip2との間を接続し、AN
TとDip1はオープンになる。また、ノッチフィルタVNFの
共振周波数はダイオードDがOFF状態になるが逆電圧がか
かっている。チョークコイルL3はEGSMおよびDCS帯域の
信号に対し、インピーダンスが大きくなるように20nH〜
100nHが望ましい。本実施例では27nHを使用した。ま
た、抵抗RはダイオードDに流れる電流値を制限する。本
実施例では1kΩを使用した。さらにインダクタL2をANT
直下に接続することにより静電破壊保護機能も実現可能
となっている。以上の実施例により、実施例1の問題点
であるダイオードDのOFF状態での高調波発生量を低減可
能なマルチバンドアンテナスイッチ回路が得られる。
It is generally known that when a high-power high-frequency signal is applied to a nonlinear device such as a diode, harmonic distortion occurs. O especially for PIN diodes
It is remarkable in the FF state. The reason for this is clear from the VI characteristics of the diode shown in FIG. 9, and in the ON state, the diode is driven at an operating point with relatively good linearity due to the voltage Vc of the control power supply, so there is However, since it has a linear response, the amount of generated harmonics is small. On the other hand, in the OFF state, the operating point is near V = 0, and a non-linear response is provided even to voltage fluctuations due to high frequency signals. For this reason, the amount of harmonic generation increases. The relationship between the operation mode and the power supply voltage in this embodiment is the same as in Table 1.
The difference from the first embodiment is that VC2 is Hi in DCS transmission mode.
This means that the reverse voltage can be applied to the diode D because gh and VC3 become Low. When a reverse voltage is applied to the diode, as shown in FIG. 9, it produces a linear response to the voltage fluctuation due to the high frequency signal, so that the amount of harmonic generation in the notch filter can be reduced. VC2 is High and VC in DCS transmission mode
1, VC3 becomes Low, SW connects between ANT and Dip2, AN
T and Dip1 are open. At the resonance frequency of the notch filter VNF, the diode D is in the OFF state, but a reverse voltage is applied. The choke coil L3 is designed to have a high impedance of 20nH for signals in the EGSM and DCS bands.
100nH is desirable. In this example, 27 nH was used. Further, the resistor R limits the value of the current flowing through the diode D. In this example, 1 kΩ was used. Furthermore, inductor L2 is ANT
It is also possible to realize an electrostatic breakdown protection function by connecting it directly below. According to the above embodiment, a multi-band antenna switch circuit capable of reducing the amount of harmonic generation in the OFF state of the diode D, which is a problem of the first embodiment, can be obtained.

【0038】(実施例3)図3に本発明の他の実施例で
ある、EGSM、DCS、PCS対応のトリプルバンドアンテナス
イッチ回路のブロック図を示す。この実施例は実施例1
のスイッチ回路にPCS受信端子を加えたものである。
尚、本発明はGaAsスイッチ等のFETスイッチ1つとダイ
プレクサ2つを用いた基本構成を備えたアンテナスイッ
チ回路に関しており、この基本構成を備えている限り、
他に複数の送受信系システムが加わろうとも本発明のマ
ルチバンドアンテナスイッチ回路であると言える。以下
の実施例についても同様である。さて、本実施例ではこ
のスイッチとしてSP3T(Single Pole 3 Throw)とよば
れるGaAs FETスイッチを使用した。さらにDCS
送信端子とPCS送信端子を共通にすることにより、回路
の簡略化が可能となる。この場合、DCS送信(1710MHz〜
1785MHz)とPCS送信(1850MHz〜1910MHz)とが比較的近
い周波数にあるため、パワーアンプも共通化可能であ
る。他詳細な説明は上記実施例と同様であるので省略す
るが、本実施例によればEGSM、DCS、PCS対応のトリプル
バンドアンテナスイッチ回路が得られる。
(Embodiment 3) FIG. 3 is a block diagram of another embodiment of the present invention, a triple band antenna switch circuit compatible with EGSM, DCS and PCS. This embodiment is the first embodiment.
This is a switch circuit with a PCS receiving terminal added.
The present invention relates to an antenna switch circuit having a basic configuration using one FET switch such as a GaAs switch and two diplexers. As long as this basic configuration is provided,
Even if a plurality of transmission / reception systems are added, it can be said that the multi-band antenna switch circuit of the present invention. The same applies to the following examples. Now, in this embodiment using the GaAs FET switch called SP3T (S ingle P ole 3 T hrow) as the switch. Further DCS
By making the transmission terminal and PCS transmission terminal common, the circuit can be simplified. In this case, DCS transmission (1710MHz ~
1785MHz) and PCS transmission (1850MHz ~ 1910MHz) are relatively close to each other, so the power amplifier can be shared. The other detailed description is omitted because it is the same as the above embodiment, but according to this embodiment, a triple band antenna switch circuit compatible with EGSM, DCS, and PCS can be obtained.

【0039】(実施例4)図4に本発明の他の実施例で
ある、EGSM、DAMPS、DCS、PCS対応のクワッドバンドア
ンテナスイッチ回路のブロック図を示す。この実施例で
は実施例4のスイッチ回路にダイプレクサDip3を接続
し、DAMPS受信端子を追加した回路になっている。さら
にEGSM送信端子とDAMPS送信端子を共通にすることによ
り、回路の簡略化が可能となる。この場合、EGSM送信
(880MHz〜915MHz)とDAMPS送信(824MHz〜849MHz)と
が比較的近い周波数にあるため、パワーアンプも共通化
可能である。以上本実施例によればEGSM、DAMPS、DCS、
PCS対応のクワッドバンドアンテナスイッチ回路が得ら
れる。
(Embodiment 4) FIG. 4 is a block diagram of a quad band antenna switch circuit compatible with EGSM, DAMPS, DCS and PCS, which is another embodiment of the present invention. In this embodiment, the switch circuit of the fourth embodiment is connected to the diplexer Dip3 and a DAMPS receiving terminal is added. Furthermore, by making the EGSM transmission terminal and the DAMPS transmission terminal common, the circuit can be simplified. In this case, since the EGSM transmission (880MHz to 915MHz) and the DAMPS transmission (824MHz to 849MHz) are relatively close to each other, the power amplifier can be shared. As described above, according to this embodiment, EGSM, DAMPS, DCS,
A quad band antenna switch circuit compatible with PCS can be obtained.

【0040】(実施例5)図12に本発明の他の実施例
である、EGSM、DCS、PCS、W-CDMA対応のクワッドバンド
アンテナスイッチ回路のブロック図を示す。本例のスイ
ッチとしてSP4T(Single Pole 4 Throw)とよばれるG
aAs FETスイッチを使用した。さらにW-CDMA送受
信端子の後段にデュプレクサDupを接続した回路となっ
ている。この場合、デュプレクサDupはW-CDMA帯域(192
0MHz〜2170MHz)の送受信信号を分波合成し、W-CDMAの
送信と受信を切り換えることができ、TDMA系とCDMA系の
異なるシステムにも対応できる。以上本実施例によれば
EGSM、DCS、PCS、W-CDMA対応のクワッドバンドアンテナ
スイッチ回路が得られる。
(Embodiment 5) FIG. 12 is a block diagram of another embodiment of the present invention, a quad band antenna switch circuit compatible with EGSM, DCS, PCS and W-CDMA. G, as the switch of the present example is called SP4T (S ingle P ole 4 T hrow)
An aAs FET switch was used. Furthermore, it is a circuit in which a duplexer Dup is connected after the W-CDMA transceiver terminal. In this case, the duplexer Dup is the W-CDMA band (192
(0MHz to 2170MHz) can be combined by demultiplexing the transmitted and received signals to switch between W-CDMA transmission and reception, and can be used for different systems of TDMA and CDMA. As described above, according to this embodiment
Quad-band antenna switch circuit compatible with EGSM, DCS, PCS and W-CDMA can be obtained.

【0041】(実施例6)一般的にGaAsスイッチはダイ
オードスイッチと比較すると高価であり、さらに実施例
3、実施例4で使用したSP3T型、実施例5で使用したSP
4T型のGaAsスイッチは実施例1、2で使用したSPDT型の
GaAsスイッチより更に高価となり携帯電話端末に使用す
る部品としては不向きである。その点の一つの改良とし
て図5に本発明の他の実施例である、EGSM、DAMPS、DC
S、PCS対応のクワッドバンドアンテナスイッチ回路のブ
ロック図を示す。本実施例では実施例1の回路に加え
て、Dip1に位相分波器PS2、Dip2に位相分波器PS1を接続
した回路になっている。この実施例で使用するGaAsスイ
ッチはSPDTであるため、SP3T、SP4Tを使用した場合と比
較すると低コストの部品が実現可能となる。図11に本
実施例の具体的な等価回路を示す。Dip1、Dip2、SW、LP
F1、LPF2およびVNFは実施例1で説明したものと同じで
あるのでここでの説明は省略する。
(Embodiment 6) Generally, a GaAs switch is more expensive than a diode switch, and the SP3T type used in Embodiments 3 and 4 and the SP used in Embodiment 5 are used.
The 4T type GaAs switch is the SPDT type GaAs switch used in the first and second embodiments.
It is more expensive than a GaAs switch and is not suitable as a component used in a mobile phone terminal. As one improvement of that point, FIG. 5 shows another embodiment of the present invention, EGSM, DAMPS, DC.
The block diagram of the quad band antenna switch circuit corresponding to S and PCS is shown. In the present embodiment, in addition to the circuit of the first embodiment, a circuit in which a phase demultiplexer PS2 is connected to Dip1 and a phase demultiplexer PS1 is connected to Dip2. Since the GaAs switch used in this embodiment is SPDT, low-cost parts can be realized as compared with the case of using SP3T and SP4T. FIG. 11 shows a concrete equivalent circuit of this embodiment. Dip1, Dip2, SW, LP
Since F1, LPF2 and VNF are the same as those described in the first embodiment, the description thereof is omitted here.

【0042】位相分波器PS1は伝送線路L12、L13、DAMPS
受信用のSAWフィルタSAW1、およびEGSM受信用のSAWフィ
ルタSAW2より構成される。伝送線路L13はDAMPS受信周波
数(869MHz〜894MHz)で共振するように伝送線路の長さ
が調節されたλ/4共振器である。伝送線路L12はEGSM受
信周波数(925MHz〜960MHz)で共振するように伝送線路
の長さが調節されたλ/4共振器である。λ/4共振器は
終端条件によりインピーダンスが大きく変化する特性を
持ち、50Ω終端の場合は50Ω、ショート終端の場合はオ
ープン、オープン終端の場合にはショートのインピーダ
ンスを持つ。一方SAWフィルタの特性は、通過帯域では5
0Ω、通過帯域近傍の周波数ではショートに近いインピ
ーダンスを持つ。したがって、DAMPS受信帯域において
は、ダイプレクサDip2から見たEGSM受信端子のインピー
ダンスはオープン、DAMPS受信端子のインピーダンスは5
0Ωになり、DAMPS受信信号はDAMPS受信端子側へ分波さ
れる。逆にEGSM受信帯域においては、ダイプレクサDip2
から見たDAMPS受信端子のインピーダンスはオープン、E
GSM受信端子のインピーダンスは50Ωになり、EGSM受信
信号はEGSM受信端子側へ分波される。以上の動作でPS1
はDAMPS受信信号とEGSM受信信号とを分波できる。
The phase demultiplexer PS1 is composed of transmission lines L12, L13, DAMPS.
It is composed of a SAW filter SAW1 for reception and a SAW filter SAW2 for reception of EGSM. The transmission line L13 is a λ / 4 resonator in which the length of the transmission line is adjusted so as to resonate at the DAMPS reception frequency (869 MHz to 894 MHz). The transmission line L12 is a λ / 4 resonator in which the length of the transmission line is adjusted so as to resonate at the EGSM reception frequency (925 MHz to 960 MHz). The λ / 4 resonator has the characteristic that the impedance changes greatly depending on the termination condition. It has a 50Ω impedance for a 50Ω termination, an open impedance for a short termination, and a short impedance for an open termination. On the other hand, the SAW filter has a characteristic of 5 in the pass band.
It has an impedance close to a short-circuit at frequencies near 0Ω and the pass band. Therefore, in the DAMPS reception band, the impedance of the EGSM reception terminal seen from the diplexer Dip2 is open, and the impedance of the DAMPS reception terminal is 5
It becomes 0Ω and the DAMPS reception signal is demultiplexed to the DAMPS reception terminal side. Conversely, in the EGSM reception band, the diplexer Dip2
The impedance of the DAMPS receiving terminal seen from is open, E
The impedance of the GSM receiving terminal becomes 50Ω, and the EGSM receiving signal is demultiplexed to the EGSM receiving terminal side. With the above operation PS1
Can split the DAMPS received signal and the EGSM received signal.

【0043】位相分波器PS2は伝送線路L14、L15、DCS受
信用のSAWフィルタSAW3、およびPCS受信用のSAWフィル
タSAW4より構成される。伝送線路L15はDCS受信周波数
(1805MHz〜1880MHz)で共振するように伝送線路の長さ
が調節されたλ/4共振器である。伝送線路L14はPCS受
信周波数(1930MHz〜1990MHz)で共振するように伝送線
路の長さが調節されたλ/4共振器である。λ/4共振器
は終端条件によりインピーダンスが大きく変化する特性
を持ち、50Ω終端の場合は50Ω、ショート終端の場合は
オープン、オープン終端の場合にはショートのインピー
ダンスを持つ。一方SAWフィルタの特性は、通過帯域で
は50Ω、通過帯域近傍の周波数ではショートに近いイン
ピーダンスを持つ。したがって、DCS受信帯域において
は、ダイプレクサDip1から見たPCS受信端子のインピー
ダンスはオープン、DCS受信端子のインピーダンスは50
Ωになり、DCS受信信号はDCS受信端子側へ分波される。
逆にPCS受信帯域においては、ダイプレクサDip1から見
たDCS受信端子のインピーダンスはオープン、PCS受信端
子のインピーダンスは50Ωになり、PCS受信信号はPCS受
信端子側へ分波される。以上の動作でPS2はDCS受信信号
とPCS受信信号とを分波できる。
The phase demultiplexer PS2 comprises transmission lines L14, L15, a DCS receiving SAW filter SAW3, and a PCS receiving SAW filter SAW4. The transmission line L15 is a λ / 4 resonator in which the length of the transmission line is adjusted so as to resonate at the DCS reception frequency (1805 MHz to 1880 MHz). The transmission line L14 is a λ / 4 resonator in which the length of the transmission line is adjusted so as to resonate at the PCS reception frequency (1930 MHz to 1990 MHz). The λ / 4 resonator has the characteristic that the impedance changes greatly depending on the termination condition. It has a 50Ω impedance for a 50Ω termination, an open impedance for a short termination, and a short impedance for an open termination. On the other hand, the characteristics of the SAW filter have an impedance of 50Ω in the pass band and an impedance close to a short circuit at frequencies near the pass band. Therefore, in the DCS reception band, the impedance of the PCS reception terminal seen from the diplexer Dip1 is open, and the impedance of the DCS reception terminal is 50.
It becomes Ω, and the DCS reception signal is demultiplexed to the DCS reception terminal side.
Conversely, in the PCS reception band, the impedance of the DCS reception terminal seen from the diplexer Dip1 is open, the impedance of the PCS reception terminal is 50Ω, and the PCS reception signal is branched to the PCS reception terminal side. With the above operation, the PS2 can demultiplex the DCS reception signal and the PCS reception signal.

【0044】さらに、EGSM送信端子とDAMPS送信端子を
共通にすることにより、回路の簡略化が可能となる。こ
の場合、EGSM送信(880MHz〜915MHz)とDAMPS送信(824
MHz〜849MHz)とが比較的近い周波数にあるため、パワ
ーアンプも共通化可能である。同様にDCS送信端子とPCS
送信端子を共通にすることにより、回路の簡略化が可能
となる。この場合、DCS送信(1710MHz〜1785MHz)とPCS
送信(1850MHz〜1910MHz)とが比較的近い周波数にある
ため、パワーアンプも共通化可能である。以上の実施例
によれば、SPDTのGaAsスイッチ1個を使用するだけでEG
SM、DAMPS、DCS、PCS対応のクアッドバンドアンテナス
イッチ回路が得られ、小型化、低コスト化が図れる。
Further, the circuit can be simplified by making the EGSM transmission terminal and the DAMPS transmission terminal common. In this case, EGSM transmission (880MHz to 915MHz) and DAMPS transmission (824MHz)
(MHz ~ 849MHz) and a relatively close frequency, the power amplifier can be shared. Similarly, DCS transmission terminal and PCS
By using a common transmission terminal, the circuit can be simplified. In this case, DCS transmission (1710MHz ~ 1785MHz) and PCS
Since the frequency of transmission (1850MHz to 1910MHz) is relatively close, the power amplifier can be shared. According to the above embodiment, the EG switch can be used by using only one SPDT GaAs switch.
A quad-band antenna switch circuit compatible with SM, DAMPS, DCS, and PCS can be obtained, which enables downsizing and cost reduction.

【0045】次に、静電サージ対策用のハイパスフィル
タについて説明する。図13はその一実施例を示す等価
回路図である。図13においてインダクタL1は入力端子
P1とグランドとの間に接続され、容量C1は入力端子P1と
出力端子P2との間に挿入され、インダクタL2と容量C2か
らなる直列共振回路は出力端子P2とグランドとの間に接
続されている。この場合、L1とC1の値を適宜選択するこ
とによって静電サージはグランドへ逃がし、高周波信号
は低損失で伝達するようなハイパスフィルタが構成され
る。ここでL1は50nH以下、C1は10pF以下が望ましい。ま
た、L2およびC2からなる直列共振回路は、その共振周波
数が100MHz〜500MHzの間に設定されるようにL、Cの値を
設定する。この場合C2は10pF以上、L2は50nH以下が望ま
しい。これにより静電破壊で問題となる前記共振周波数
帯での静電サージをグランドへ吸収することができ、静
電サージ対策をより効率的に行うことが出来る。
Next, a high-pass filter for electrostatic surge countermeasures will be described. FIG. 13 is an equivalent circuit diagram showing the embodiment. In FIG. 13, the inductor L1 is an input terminal
Connected between P1 and ground, the capacitance C1 is inserted between the input terminal P1 and the output terminal P2, and the series resonant circuit consisting of the inductor L2 and the capacitance C2 is connected between the output terminal P2 and the ground. There is. In this case, by appropriately selecting the values of L1 and C1, a high-pass filter is constructed so that the electrostatic surge escapes to the ground and the high frequency signal is transmitted with low loss. Here, L1 is preferably 50 nH or less, and C1 is preferably 10 pF or less. Further, the series resonance circuit composed of L2 and C2 sets the values of L and C so that the resonance frequency is set between 100 MHz and 500 MHz. In this case, C2 is preferably 10 pF or more and L2 is preferably 50 nH or less. As a result, the electrostatic surge in the resonance frequency band, which is a problem due to electrostatic breakdown, can be absorbed in the ground, and the electrostatic surge countermeasure can be taken more efficiently.

【0046】図14は静電サージ対策用ハイパスフィル
タ回路の他の実施例である。図14においてインダクタ
L1、L2、容量C1、C2の役割は図13に示したものと同じ
であるが、容量C1と出力端子P2の間に容量C3およびイン
ダクタL3から構成される並列共振回路が挿入されている
点が異なる。この並列共振回路は送信信号のN倍の周波
数に減衰極を持つように設定することにより、アンテナ
から発信する高調波ノイズ信号を除去する働きをする。
また、C3、L3の値を調整することにより静電サージ回路
全体の整合が調整可能となり、より効果的である。
FIG. 14 shows another embodiment of the high-pass filter circuit for electrostatic surge countermeasures. Inductor in FIG.
The roles of L1, L2 and capacitors C1, C2 are the same as those shown in FIG. 13, but a parallel resonant circuit composed of capacitor C3 and inductor L3 is inserted between capacitor C1 and output terminal P2. Is different. This parallel resonant circuit has a function of removing a harmonic noise signal transmitted from the antenna by setting an attenuation pole at a frequency N times that of the transmission signal.
Further, by adjusting the values of C3 and L3, the matching of the entire electrostatic surge circuit can be adjusted, which is more effective.

【0047】実際の携帯端末で起こりうる静電サージに
よる破壊は、人体が帯電した状態で携帯端末のアンテナ
に接触した場合が想定される。この状況を実験的に再現
する方法としてHuman Body Modelが一般的に用いられ
る。このモデルより人体からのサージ波形はDC〜300MHz
までの周波数成分が支配的であることが知られている。
そこで、本発明の図13の静電サージ対策回路と図18
(a)(b)で示す回路についてDC〜2GHzまでの減衰特
性を測定した。図16に減衰特性を、図17に反射特性
をそれぞれ示す。特性比較として、通過させる信号は図
中△印で示す900MHz帯域、1800MHz帯域を想定し、図1
7に示すようにそれぞれの帯域での反射特性V.S.W.Rが
1.5以下となるように設定した。図16の減衰特性より
静電破壊で問題となる300MHz以下の周波数帯での減衰量
は、図18(a)(b)の静電サージ対策回路では5dB
以下であるのに対し、図13の静電サージ対策回路では
30dB以上であり、こちらの静電サージ対策回路の方が25
dB強(17倍以上)の減衰量(静電サージ除去効果)が確
保できている。
The destruction due to an electrostatic surge that may occur in an actual mobile terminal is supposed to be caused when the human body comes into contact with the antenna of the mobile terminal while being charged. The Human Body Model is generally used as a method for experimentally reproducing this situation. The surge waveform from the human body is DC to 300MHz from this model.
It is known that the frequency components up to are dominant.
Therefore, the electrostatic surge countermeasure circuit of FIG. 13 of the present invention and FIG.
Attenuation characteristics from DC to 2 GHz were measured for the circuits shown in (a) and (b). FIG. 16 shows attenuation characteristics, and FIG. 17 shows reflection characteristics. As a characteristic comparison, the signals to be passed are assumed to be in the 900MHz band and 1800MHz band indicated by the triangles in the figure, and
As shown in 7, the reflection characteristics VSWR in each band
It was set to 1.5 or less. According to the attenuation characteristics of Fig. 16, the amount of attenuation in the frequency band of 300MHz or less, which is a problem due to electrostatic breakdown, is 5dB in the electrostatic surge countermeasure circuit of Fig. 18 (a) (b).
In contrast to the following, in the electrostatic surge countermeasure circuit of FIG.
It is 30 dB or more, and this electrostatic surge countermeasure circuit is 25
The amount of attenuation (above 17 times) (electrostatic surge elimination effect) is secured.

【0048】(実施例7)図15は静電サージ対策用の
ハイパスフィルタを備えたトリプルバンドアンテナスイ
ッチ回路の実施例である。この例の場合SP3Tスイッチは
アンテナ端子から入出力された信号のうちEGSM送信信
号、DCS受信信号を分波器Dip1へ切り換え、DCS/PCS送信
信号、EGSM受信信号を分波器Dip2へ切り換え、PCS受信
信号をPCS受信のSAWへそれぞれ切り換えを行う。ローパ
スフィルタLPF1へはEGSM TX端子から入力される
送信信号に含まれるN次高調波歪を減衰する役割を担
い、LPF2はDCS/PCS TX端子から入力される送
信信号に含まれるN次高調波歪を減衰する役割を担う。S
AWフィルタSAW1、SAW2、SAW3はそれぞれEGSM受信信号、
DCS受信信号、PCS受信信号に含まれる受信帯域外のノイ
ズを除去する役割を担う。分波器Dip1はLPF1およびSAW2
に接続され、分波器Dip2はLPF2およびSAW1に接続され
る。
(Embodiment 7) FIG. 15 shows an embodiment of a triple band antenna switch circuit equipped with a high-pass filter for electrostatic surge countermeasures. In this example, the SP3T switch switches the EGSM transmission signal and DCS reception signal to the demultiplexer Dip1 among the signals input and output from the antenna terminal, switches the DCS / PCS transmission signal and the EGSM reception signal to the demultiplexer Dip2, and The received signal is switched to SAW for PCS reception. The low-pass filter LPF1 plays a role of attenuating the Nth harmonic distortion included in the transmission signal input from the EGSM TX terminal, and the LPF2 has the Nth harmonic distortion included in the transmission signal input from the DCS / PCS TX terminal. Plays the role of attenuating. S
AW filters SAW1, SAW2, and SAW3 are EGSM received signals,
It plays the role of removing noise outside the reception band included in the DCS reception signal and PCS reception signal. The duplexer Dip1 is LPF1 and SAW2
, And the duplexer Dip2 is connected to LPF2 and SAW1.

【0049】静電サージ対策回路はアンテナ端子ANTとS
P3Tスイッチの間に挿入され、アンテナから入力された
静電サージをグランドへ吸収する。点線枠内に示したイ
ンダクタL3とコンデンサーC3で構成される並列共振回路
はオプションであるが、この並列共振回路を設けた場合
は、減衰極をDCS/PCS Txの2倍の周波数(34
20MHz〜3820MHz)に調整することにより、EGSM送信の4
倍の周波数(3520MHz〜3660MHz)も同時に減衰させること
ができるため、DCS/PCS送信の2倍減衰量、EGSM送信の
4倍減衰量を同時に減衰させることができる。また並列
共振回路L3、C3は整合回路としての機能も兼ね備えてい
るため、アンテナスイッチ全体のマッチング調整用とし
て有用である。この静電サージ対策回路はアンテナトッ
プだけではなく必要に応じてDipとLPFの間、またDipとS
AWの間などに適宜挿入してもよい。また、本例ではノッ
チフィルタを省いているが、上述してきたノッチフィル
タ等を組み合わせて設けても良いことは無論である。以
上により、SP3Tスイッチ、受信のSAWフィルタ、送信端
子に接続されるパワーアンプ、受信端子に接続されるロ
ーノイズアンプなどの回路を静電サージから効率的に保
護することが出来る。
Electrostatic surge countermeasure circuit is antenna terminal ANT and S
Inserted between P3T switches to absorb the electrostatic surge input from the antenna to the ground. The parallel resonance circuit consisting of inductor L3 and capacitor C3 shown in the dotted line frame is an option, but when this parallel resonance circuit is provided, the attenuation pole is set at a frequency twice that of DCS / PCS Tx (34
20MHz ~ 3820MHz) by adjusting the 4 of EGSM transmission
Since the double frequency (3520 MHz to 3660 MHz) can be attenuated at the same time, the DCS / PCS transmission double attenuation amount and the EGSM transmission four times attenuation amount can be simultaneously attenuated. Further, since the parallel resonant circuits L3 and C3 also have a function as a matching circuit, they are useful for matching adjustment of the entire antenna switch. This electrostatic surge protection circuit is not only for the antenna top, but also between Dip and LPF, or Dip and S if necessary.
You may insert as needed between AW. Further, although the notch filter is omitted in this example, it goes without saying that the notch filter and the like described above may be provided in combination. As described above, circuits such as the SP3T switch, the SAW filter for reception, the power amplifier connected to the transmission terminal, and the low noise amplifier connected to the reception terminal can be efficiently protected from electrostatic surges.

【0050】(実施例8)本発明におけるダイプレク
サ、ローパスフィルタおよび可変ノッチフィルタを構成
する伝送線路および容量の一部は誘電体積層基板に内蔵
可能であり、スイッチ回路として用いたSPDT、SP3T、SP
4TなどのGaAs FETスイッチ素子、および抵抗、
容量、チョークコイルなどのチップ部品を前記誘電体積
層基板上に搭載することにより、小型で安価なマルチバ
ンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品が得られ
る。図7は図8の等価回路で示されるアンテナスイッチ
積層モジュール複合部品の斜視図を示した。積層体の内
部にはダイプレクサDip1、Dip2、ローパスフィルタLPF
1、LPF2および可変ノッチフィルタVNFを構成する伝送線
路および容量が複数の層に分けられて印刷されるため、
小型化軽量化が可能となる。また、本実施例では積層基
板は950℃以下の低温焼成が可能なセラミック誘電材
料(LTCC)を用いており、焼成前のセラミックグリ
ーンシートは伝送線路、容量を形成しやすいように、シ
ート厚みが40〜200μmのものを使用した。このセ
ラミックグリーンシートを複数積層し、個片にカットし
側面電極を印刷した後に、950℃で焼成することによ
り、アンテナスイッチ積層モジュール複合部品の積層体
が得られる。さらに、得られた積層体上にGaAs FETスイ
ッチ、チップ抵抗、チップコンデンサおよびチョークコ
イルを実装する事により、図8の等価回路で示されるア
ンテナスイッチ積層モジュール複合部品が得られる。
(Embodiment 8) A part of the transmission line and the capacitor constituting the diplexer, the low-pass filter and the variable notch filter according to the present invention can be built in the dielectric laminated substrate, and SPDT, SP3T, SP used as the switch circuit can be used.
GaAs FET switch element such as 4T, and resistor,
By mounting chip components such as capacitors and choke coils on the dielectric laminated substrate, a compact and inexpensive multi-band antenna switch laminated module composite component can be obtained. FIG. 7 shows a perspective view of the antenna switch laminated module composite component shown by the equivalent circuit of FIG. Inside the stack, diplexers Dip1, Dip2, low pass filter LPF
1, LPF2 and variable notch filter The transmission lines and capacitors that make up VNF are divided into multiple layers and printed,
The size and weight can be reduced. Further, in this embodiment, the laminated substrate uses a ceramic dielectric material (LTCC) that can be fired at a low temperature of 950 ° C. or less, and the ceramic green sheet before firing has a sheet thickness so as to easily form a transmission line and a capacitance. The thing of 40-200 micrometers was used. A plurality of the ceramic green sheets are laminated, cut into individual pieces, printed with side electrodes, and then fired at 950 ° C. to obtain a laminated body of an antenna switch laminated module composite component. Further, by mounting a GaAs FET switch, a chip resistor, a chip capacitor and a choke coil on the obtained laminated body, the antenna switch laminated module composite component shown by the equivalent circuit of FIG. 8 can be obtained.

【0051】(その他の実施例)以上の実施例ではEGS
M、DCS、DAMPS、PCS、W-CDMAに対応した、マルチバンド
アンテナスイッチ回路について述べたが、これ以外にも
PDC800帯域(810〜960MHz)、GPS帯域(1575.42MHz)、PHS
帯域(1895〜1920MHz)、Bluetooth帯域(2400〜2484MHz)
や、米国で普及が見込まれるCDMA2000、中国で普及が見
込まれるTD-SCDMAなどの場合も同様の効果が期待でき
る。したがって、本発明によれば高調波発生量を抑制し
た、デュアルバンド、3バンド、4バンド、5バンド等
のマルチモードマルチバンドのアンテナスイッチ回路が
得られ、しかも従来のPINダイオードを用いた回路と比
較して、小型化、低消費電力化が可能となる。
(Other Embodiments) In the above embodiments, EGS is used.
The multi-band antenna switch circuit compatible with M, DCS, DAMPS, PCS and W-CDMA has been described.
PDC800 band (810 to 960MHz), GPS band (1575.42MHz), PHS
Band (1895 to 1920MHz), Bluetooth band (2400 to 2484MHz)
The same effect can be expected in the case of CDMA2000, which is expected to become popular in the United States, and TD-SCDMA, which is expected to become popular in China. Therefore, according to the present invention, it is possible to obtain a multi-mode multi-band antenna switch circuit such as a dual band, a 3-band, a 4-band, a 5-band, etc. in which the amount of harmonics is suppressed, and a circuit using a conventional PIN diode. In comparison, downsizing and low power consumption are possible.

【0052】[0052]

【発明の効果】本発明によれば、GaAsスイッチなどのFE
Tスイッチと2つのダイプレクサを用い、ダイプレクサ
の送信端子にローパスフィルタを接続し、アンテナ端子
とスイッチとの間にノッチフィルタすることによりGaAs
スイッチなどのFETスイッチを使用した場合に懸念され
る高調波発生量を抑制することができる。また、静電サ
ージ対策回路を用いればアンテナ端子からの静電サージ
をグランドに逃がし、かつ広範囲の周波数帯に対して静
電サージを吸収し、より完全に静電破壊対策ができる。
また、ダイプレクサとスイッチ回路の伝送線路および容
量の一部を積層基板に内蔵し一体化するため、ダイプレ
クサとスイッチ回路との配線も積層基板の表面又は内部
に形成され、配線による損失を低減し、また両者間の整
合調整が容易となる。さらに、スイッチ素子、抵抗、容
量およびインダクタなどのチップ部品は積層基板上に搭
載するので、一層小型で安価な積層モジュール複合部品
となる。以上によりこれらのマルチバンドアンテナスイ
ッチ回路、又はマルチバンドアンテナスイッチ積層モジ
ュール複合部品を用いた通信装置は、従来のPINダイオ
ードを用いた回路と比較して装置の小型化と低消費電力
が可能となる。
According to the present invention, an FE such as a GaAs switch is
A T-switch and two diplexers are used, a low-pass filter is connected to the transmission terminal of the diplexer, and a notch filter is used between the antenna terminal and the switch to achieve GaAs.
It is possible to suppress the amount of harmonic generation that is a concern when using FET switches such as switches. Further, if an electrostatic surge countermeasure circuit is used, the electrostatic surge from the antenna terminal is released to the ground, and the electrostatic surge is absorbed in a wide range of frequency bands, so that the electrostatic breakdown can be more completely prevented.
Further, since the transmission line and part of the capacitance of the diplexer and the switch circuit are built in and integrated with the laminated substrate, the wiring between the diplexer and the switch circuit is also formed on the surface or inside of the laminated substrate to reduce the loss due to the wiring, In addition, matching adjustment between the two becomes easy. Furthermore, since chip components such as switch elements, resistors, capacitors and inductors are mounted on the laminated substrate, the laminated module composite component becomes smaller and cheaper. As described above, a communication device using these multi-band antenna switch circuits or multi-band antenna switch laminated module composite parts can be downsized and have low power consumption as compared with a circuit using a conventional PIN diode. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施例を示すEGSM、DCS対応アン
テナスイッチ回路のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of an EGSM / DCS compatible antenna switch circuit showing an embodiment of the present invention.

【図2】 EGSM、DCS対応アンテナスイッチ回路の一例
を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of an EGSM / DCS compatible antenna switch circuit.

【図3】 本発明に係る他の実施例で、EGSM、DCS、PCS
対応アンテナスイッチ回路のブロック図である。
FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, in which EGSM, DCS, PCS
It is a block diagram of a corresponding antenna switch circuit.

【図4】 本発明に係る他の実施例で、EGSM、DAMPS、D
CS、PCS対応アンテナスイッチ回路のブロック図であ
る。
FIG. 4 shows another embodiment of the present invention, in which EGSM, DAMPS, D
It is a block diagram of the antenna switch circuit corresponding to CS and PCS.

【図5】 本発明に係る他の実施例で、EGSM、DAMPS、D
CS、PCS対応アンテナスイッチ回路のブロック図であ
る。
FIG. 5 shows another embodiment of the present invention, in which EGSM, DAMPS, D
It is a block diagram of the antenna switch circuit corresponding to CS and PCS.

【図6】 本発明に用いる可変ノッチフィルタの特性を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing characteristics of a variable notch filter used in the present invention.

【図7】 本発明であるEGSM、DCS対応アンテナスイッ
チ積層モジュール複合部品の斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view of an EGSM / DCS compatible antenna switch laminated module composite component of the present invention.

【図8】 本発明に係る図1に示したEGSM、DCS対応ア
ンテナスイッチ回路の等価回路図である。
FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of the EGSM / DCS compatible antenna switch circuit shown in FIG. 1 according to the present invention.

【図9】 PINダイオードの動作点を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing operating points of a PIN diode.

【図10】 本発明に係る他の実施例で、逆電圧印加型
の可変ノッチフィルタを使用したEGSM、DCS対応アンテ
ナスイッチ回路の等価回路図である。
FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of an EGSM / DCS compatible antenna switch circuit using a reverse notch type variable notch filter according to another embodiment of the present invention.

【図11】 本発明に係る図5に示したEGSM、DAMPS、D
CS、PCS対応アンテナスイッチ回路の等価回路図であ
る。
11] EGSM, DAMPS, D shown in FIG. 5 according to the present invention
It is an equivalent circuit diagram of a CS, PCS compatible antenna switch circuit.

【図12】 本発明に係る他の実施例で、EGSM、W-CDM
A、DCS、PCS対応アンテナスイッチ回路のブロック図で
ある。
FIG. 12 shows another embodiment according to the present invention, EGSM, W-CDM
It is a block diagram of an antenna switch circuit corresponding to A, DCS, and PCS.

【図13】 本発明に係る静電サージ対策用ハイパスフ
ィルタの実施例の等価回路図である。
FIG. 13 is an equivalent circuit diagram of an embodiment of a high-pass filter for preventing electrostatic surge according to the present invention.

【図14】 本発明に係る他の静電サージ対策用ハイパ
スフィルタの等価回路図である。
FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of another high-pass filter for preventing electrostatic surges according to the present invention.

【図15】 本発明に係る他の実施例で、静電サージ対
策用ハイパスフィルタを用いたアンテナスイッチ回路の
ブロック図である。
FIG. 15 is a block diagram of an antenna switch circuit using a high-pass filter for electrostatic surge prevention according to another embodiment of the present invention.

【図16】 本発明の静電サージ対策回路の減衰特性を
示す図である。
FIG. 16 is a diagram showing the attenuation characteristic of the electrostatic surge countermeasure circuit of the present invention.

【図17】 本発明の静電サージ対策回路の反射特性を
示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing reflection characteristics of the electrostatic surge countermeasure circuit of the present invention.

【図18】 静電サージ対策回路の例を示す等価回路図
である。
FIG. 18 is an equivalent circuit diagram showing an example of an electrostatic surge countermeasure circuit.

【図19】 従来技術によるPINダイオードスイッチを
使用したEGSM、DCS対応アンテナスイッチ回路のブロッ
ク図である。
FIG. 19 is a block diagram of an EGSM / DCS compatible antenna switch circuit using a PIN diode switch according to a conventional technique.

【図20】 従来技術によるPINダイオードスイッチを
使用したスイッチ回路の等価回路を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing an equivalent circuit of a switch circuit using a PIN diode switch according to a conventional technique.

【図21】 従来技術によるGaAsスイッチを使用したEG
SM、DCS対応アンテナスイッチ回路のブロック図であ
る。
FIG. 21: EG using a GaAs switch according to the prior art
It is a block diagram of the antenna switch circuit corresponding to SM and DCS.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

ANT:アンテナ端子 TX:送信端子 RX:受信端子 Dip、Dip1、Dip2:ダイプレクサ Dup:デュプレクサ LPF1、LPF2:ローパスフィルタ SW、SW1、SW2:スイッチ回路 VNF:可変ノッチフィルタ L1〜L17:伝送線路、インダクタまたはチョークコ
イル C、C1〜C19:容量 D:PINダイオード R:抵抗 VC、VC1、VC2、VC3:コントロール電源 1:積層誘電体 2:SPDT GaAs FETスイッチ 3:ダイオードスイッチ 4:チップコンデンサ 5:チョークコイル 6:チップ抵抗 7:側面電極端子
ANT: Antenna terminal TX: Transmission terminal RX: Reception terminal Dip, Dip1, Dip2: Diplexer Dup: Duplexer LPF1, LPF2: Low pass filter SW, SW1, SW2: Switch circuit VNF: Variable notch filter L1 to L17: Transmission line, inductor or Choke coils C, C1 to C19: Capacitance D: PIN diode R: Resistors VC, VC1, VC2, VC3: Control power supply 1: Multilayer dielectric 2: SPDT GaAs FET switch 3: Diode switch 4: Chip capacitor 5: Choke coil 6 : Chip resistor 7: Side electrode terminal

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の送信端子と第2の受信端子と第1
の共通端子を有する第1のダイプレクサと、 第2の送信端子と第1の受信端子と第2の共通端子を有
する第2のダイプレクサと、 第1の送受信端子と第2の送受信端子とアンテナ端子を
有し、前記第1の送受信端子と前記第2の送受信端子と
のいずれか一方が、前記アンテナ端子に切り替え接続さ
れるスイッチ回路とを有し、 前記第1の共通端子が前記第1の送受信端子に接続さ
れ、前記第2の共通端子が前記第2の送受信端子に接続
され、 前記スイッチ回路とアンテナとの間に、前記第1の送信
端子又は前記第2の送信端子に入力される送信信号の2
倍又は3倍の周波数を減衰させるフィルタを有すること
を特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ回路。
1. A first transmission terminal, a second reception terminal, and a first
, A second diplexer having a second transmission terminal, a first reception terminal, and a second common terminal, a first transmission / reception terminal, a second transmission / reception terminal, and an antenna terminal And a switch circuit in which one of the first transmission / reception terminal and the second transmission / reception terminal is switchably connected to the antenna terminal, and the first common terminal is the first transmission / reception terminal. It is connected to a transmission / reception terminal, the second common terminal is connected to the second transmission / reception terminal, and is input to the first transmission terminal or the second transmission terminal between the switch circuit and the antenna. Transmission signal 2
A multiband antenna switch circuit having a filter for attenuating a frequency doubled or tripled.
【請求項2】 前記フィルタがノッチフィルタであり、
インダクタ、ダイオード、容量、抵抗、および電源端子
を有し、前記電源端子に印加する電圧により共振周波数
が可変となることを特徴とする請求項1記載のマルチバ
ンドアンテナスイッチ回路。
2. The filter is a notch filter,
The multi-band antenna switch circuit according to claim 1, further comprising an inductor, a diode, a capacitor, a resistor, and a power supply terminal, wherein a resonance frequency is variable by a voltage applied to the power supply terminal.
【請求項3】 第1の送信端子と第2の受信端子と第1
の共通端子を有する第1のダイプレクサと、 第2の送信端子と第1の受信端子と第2の共通端子を有
する第2のダイプレクサと、 第1の送受信端子と第2の送受信端子とアンテナ端子を
有し、前記第1の送受信端子と前記第2の送受信端子と
のいずれか一方が、前記アンテナ端子に切り替え接続さ
れるスイッチ回路とを有し、 前記第1の共通端子が前記第1の送受信端子に接続さ
れ、前記第2の共通端子が前記第2の送受信端子に接続
され、 前記スイッチ回路とアンテナとの間に、ノッチフィルタ
を有することを特徴とするマルチバンドアンテナスイッ
チ回路。
3. A first transmission terminal, a second reception terminal, and a first
, A second diplexer having a second transmission terminal, a first reception terminal, and a second common terminal, a first transmission / reception terminal, a second transmission / reception terminal, and an antenna terminal And a switch circuit in which one of the first transmission / reception terminal and the second transmission / reception terminal is switchably connected to the antenna terminal, and the first common terminal is the first transmission / reception terminal. A multi-band antenna switch circuit connected to a transmission / reception terminal, the second common terminal connected to the second transmission / reception terminal, and a notch filter provided between the switch circuit and the antenna.
【請求項4】 前記ノッチフィルタがインダクタ、ダイ
オード、容量、抵抗、および電源端子を有し、前記電源
端子に印加する電圧により共振周波数が可変となること
を特徴とする請求項3記載のマルチバンドアンテナスイ
ッチ回路。
4. The multiband according to claim 3, wherein the notch filter has an inductor, a diode, a capacitor, a resistor, and a power supply terminal, and a resonance frequency is variable depending on a voltage applied to the power supply terminal. Antenna switch circuit.
【請求項5】 前記ノッチフィルタが前記ダイオードに
逆電圧を印加するための逆電圧端子を有したことを特徴
とする請求項2〜4のいずれかに記載のマルチバンドア
ンテナスイッチ回路。
5. The multi-band antenna switch circuit according to claim 2, wherein the notch filter has a reverse voltage terminal for applying a reverse voltage to the diode.
【請求項6】 入力端子および出力端子を有し、前記入
力端子とグランドとの間に接続された第1のインダク
タ、前記入力端子と前記出力端子との間に接続された第
1の容量、前記出力端子に接続された第2のインダク
タ、およびこの第2のインダクタとグランドに接続され
た第2の容量とからなるハイパスフィルタを、少なくと
も前記ノッチフィルタとアンテナとの間に設けたことを
特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載のマルチバン
ドアンテナスイッチ回路。
6. A first inductor having an input terminal and an output terminal, connected between the input terminal and a ground, a first capacitor connected between the input terminal and the output terminal, A high-pass filter including a second inductor connected to the output terminal and a second capacitor connected to the ground and the second inductor is provided at least between the notch filter and the antenna. The multi-band antenna switch circuit according to claim 2.
【請求項7】 前記ハイパスフィルタの第2のインダク
タと前記出力端子との間に第3のインダクタおよび第3
の容量からなる並列共振回路を挿入したことを特徴とす
る請求項6記載のマルチバンドアンテナスイッチ回路。
7. A third inductor and a third inductor between the second inductor of the high pass filter and the output terminal.
The multi-band antenna switch circuit according to claim 6, wherein a parallel resonant circuit having the capacitance of 1 is inserted.
【請求項8】 第1の送信端子と第2の受信端子と第1
の共通端子を有する第1のダイプレクサと、 第2の送信端子と第1の受信端子と第2の共通端子を有
する第2のダイプレクサと、 第1の送受信端子と第2の送受信端子とアンテナ端子を
有し、前記第1の送受信端子と前記第2の送受信端子と
のいずれか一方が、前記アンテナ端子に切り替え接続さ
れるスイッチ回路とを有し、 前記第1の共通端子が前記第1の送受信端子に接続さ
れ、前記第2の共通端子が前記第2の送受信端子に接続
され、 前記スイッチ回路とアンテナとの間に、静電気放電によ
るサージ電圧をグランドへ吸収させるフィルタを有する
ことを特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ回路。
8. A first transmitting terminal, a second receiving terminal, and a first
, A second diplexer having a second transmission terminal, a first reception terminal, and a second common terminal, a first transmission / reception terminal, a second transmission / reception terminal, and an antenna terminal And a switch circuit in which one of the first transmission / reception terminal and the second transmission / reception terminal is switchably connected to the antenna terminal, and the first common terminal is the first transmission / reception terminal. A filter for absorbing a surge voltage due to electrostatic discharge to the ground between the switch circuit and the antenna, the filter being connected to the transmitting / receiving terminal, the second common terminal being connected to the second transmitting / receiving terminal. Multi-band antenna switch circuit.
【請求項9】 前記フィルタが前記アンテナに接続され
る入力端子および前記スイッチ回路に接続される出力端
子を有し、前記入力端子とグランドとの間に接続された
第1のインダクタ、前記入力端子と前記出力端子との間
に接続された第1の容量、前記出力端子に接続された第
2のインダクタ、およびこの第2のインダクタとグラン
ドに接続された第2の容量とからなるハイパスフィルタ
であることを特徴とする請求項8記載のマルチバンドア
ンテナスイッチ回路。
9. The first inductor, wherein the filter has an input terminal connected to the antenna and an output terminal connected to the switch circuit, and is connected between the input terminal and ground, and the input terminal. And a second capacitor connected to the output terminal, a second inductor connected to the output terminal, and a second capacitor connected to the ground. 9. The multi-band antenna switch circuit according to claim 8, which is provided.
【請求項10】 第1の送信端子と第2の受信端子と第
1の共通端子を有する第1のダイプレクサと、 第2の送信端子と第1の受信端子と第2の共通端子を有
する第2のダイプレクサと、 第1の送受信端子と第2の送受信端子とアンテナ端子を
有し、前記第1の送受信端子と前記第2の送受信端子と
のいずれか一方が、前記アンテナ端子に切り替え接続さ
れるスイッチ回路とを有し、 前記第1の共通端子が前記第1の送受信端子に接続さ
れ、前記第2の共通端子が前記第2の送受信端子に接続
され、 前記スイッチ回路とアンテナとの間に、前記アンテナに
接続される入力端子および前記スイッチ回路に接続され
る出力端子を有し、前記入力端子とグランドとの間に接
続された第1のインダクタ、前記入力端子と前記出力端
子との間に接続された第1の容量、前記出力端子に接続
された第2のインダクタ、およびこの第2のインダクタ
とグランドに接続された第2の容量とからなるハイパス
フィルタを有することを特徴とするマルチバンドアンテ
ナスイッチ回路。
10. A first diplexer having a first transmission terminal, a second reception terminal, and a first common terminal, and a second diplexer having a second transmission terminal, a first reception terminal, and a second common terminal. A second diplexer, a first transmission / reception terminal, a second transmission / reception terminal, and an antenna terminal, and one of the first transmission / reception terminal and the second transmission / reception terminal is switchably connected to the antenna terminal. Between the switch circuit and the antenna, wherein the first common terminal is connected to the first transmission / reception terminal, the second common terminal is connected to the second transmission / reception terminal, and A first inductor having an input terminal connected to the antenna and an output terminal connected to the switch circuit, the first inductor being connected between the input terminal and ground, the input terminal and the output terminal Connected between Multiband antenna switch having a first capacitor, a second inductor connected to the output terminal, and a high-pass filter including the second inductor and a second capacitor connected to the ground. circuit.
【請求項11】 前記ハイパスフィルタの第2のインダ
クタと前記出力端子との間に第3のインダクタおよび第
3の容量からなる並列共振回路を挿入したことを特徴と
する請求項9又は10に記載のマルチバンドアンテナス
イッチ回路。
11. The parallel resonant circuit including a third inductor and a third capacitor is inserted between the second inductor of the high pass filter and the output terminal, according to claim 9 or 10. Multi-band antenna switch circuit.
【請求項12】 第1の送信端子と第2の受信端子と第
1の共通端子を有する第1のダイプレクサと、 第2の送信端子と第1の受信端子と第2の共通端子を有
する第2のダイプレクサと、 第1の送受信端子と第2の送受信端子とアンテナ端子を
有し、前記第1の送受信端子と前記第2の送受信端子と
のいずれか一方が、前記アンテナ端子に切り替え接続さ
れるスイッチ回路とを有し、 前記第1の共通端子が前記第1の送受信端子に接続さ
れ、前記第2の共通端子が前記第2の送受信端子に接続
され、 前記スイッチ回路とアンテナとの間に、静電気放電によ
るサージ電圧をグランドへ吸収させるフィルタと、前記
第1の送信端子又は前記第2の送信端子に入力される送
信信号の2倍又は3倍の周波数を減衰させるフィルタを
有することを特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ
回路。
12. A first diplexer having a first transmission terminal, a second reception terminal, and a first common terminal, and a second diplexer having a second transmission terminal, a first reception terminal, and a second common terminal. A second diplexer, a first transmission / reception terminal, a second transmission / reception terminal, and an antenna terminal, and one of the first transmission / reception terminal and the second transmission / reception terminal is switchably connected to the antenna terminal. Between the switch circuit and the antenna, wherein the first common terminal is connected to the first transmission / reception terminal, the second common terminal is connected to the second transmission / reception terminal, and And a filter that absorbs a surge voltage due to electrostatic discharge to the ground, and a filter that attenuates a frequency that is twice or three times the frequency of the transmission signal input to the first transmission terminal or the second transmission terminal. Characteristic Multi-band antenna switch circuit.
【請求項13】 前記第1の送信端子に接続された第1
のローパスフィルタと、前記第2の送信端子に接続され
た第2のローパスフィルタとを有することを特徴とする
請求項1〜12のいずれかに記載のマルチバンドアンテ
ナスイッチ回路。
13. A first device connected to the first transmission terminal.
13. The multiband antenna switch circuit according to claim 1, further comprising: a lowpass filter according to claim 1 and a second lowpass filter connected to the second transmission terminal.
【請求項14】 前記スイッチ回路が、GaAs半導体から
なることを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載
のマルチバンドアンテナスイッチ回路。
14. The multiband antenna switch circuit according to claim 1, wherein the switch circuit is made of a GaAs semiconductor.
【請求項15】 請求項1〜14のいずれかに記載のマ
ルチバンドアンテナスイッチ回路を構成する伝送線路お
よび容量の一部を積層基板に内蔵し、前記マルチバンド
アンテナスイッチ回路の一部を構成するスイッチ素子、
抵抗、容量およびインダクタなどのチップ部品を積層基
板上に搭載したことを特徴とするマルチバンドアンテナ
スイッチ積層モジュール複合部品。
15. A multi-band antenna switch circuit according to claim 1, wherein a part of a transmission line and a capacitance constituting the multi-band antenna switch circuit is built in a laminated substrate to constitute a part of the multi-band antenna switch circuit. Switch element,
Multi-band antenna switch multi-layer module composite part characterized in that chip parts such as resistors, capacitors and inductors are mounted on a multi-layer board.
【請求項16】 前記請求項1〜14のいずれかに記載
のマルチバンドアンテナスイッチ回路、又は請求項15
記載のマルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複
合部品を用いたことを特徴とする通信装置。
16. The multiband antenna switch circuit according to claim 1, or 15.
A communication device using the multi-band antenna switch laminated module composite component described.
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