JP2003152131A - Hollow sealed package and its manufacturing method - Google Patents

Hollow sealed package and its manufacturing method

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hollow sealed package which can be manufactured easily and inexpensively and in which the reliability of electromagnetic shield effect can be sustained over a long term, and to provide a hollow sealed package in which high reliability of electromagnetic shield effect can be sustained even if a silicon control element is mounted simultaneously. SOLUTION: The hollow sealed package comprises a high frequency semiconductor element 10 located in a cavity 70, high frequency circuit wiring performing electrical lead out of the high frequency semiconductor element 10 to the outside of the package, and a frame 50 and a cap 60 surrounding the cavity 70, wherein the frame 50 and the cap 60 are bonded through an anisotropic conductive film (ACF) 30.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波半導体素子
を気密封止する中空封着パッケージおよびその製造方法
に関し、特に高周波半導体素子から発生する電磁波が外
部に漏洩しないように電磁シールドを具備した中空封着
パッケージおよびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hollow sealed package for hermetically sealing a high frequency semiconductor element and a method for manufacturing the same, and in particular, a hollow package provided with an electromagnetic shield so that electromagnetic waves generated from the high frequency semiconductor element do not leak to the outside. The present invention relates to a sealed package and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路のパッケージの一形態として、
中空封着パッケージがある。この中空封着パッケージ
は、パッケージ内部に設けられた空間内に集積回路を実
装し、この空間を気密封止することで製品の高信頼性を
保つものである。このため、種々の集積回路の実装に用
いられている。
2. Description of the Related Art As one form of an integrated circuit package,
There is a hollow sealed package. In this hollow sealed package, a high reliability of the product is maintained by mounting an integrated circuit in a space provided inside the package and hermetically sealing this space. Therefore, it is used for mounting various integrated circuits.

【0003】この中空封着パッケージに搭載される集積
回路の一例としては、マイクロ波半導体素子やミリ波半
導体素子などの高周波半導体素子がある。高周波半導体
素子は、商用の通信機器や、衛星、レーダーなどに汎用
されており、信頼性が高く製品寿命が長いことが必要不
可欠である。このため、高周波半導体素子を中空封着パ
ッケージの気密空間内に実装することにより、製品の信
頼性の向上が図られている。また近年、高周波半導体素
子に加えて、ASIC(Application Specified Integr
ated Circuit)などの制御用半導体素子を気密空間内に
同時に実装するパッケージも多く見られる。
An example of an integrated circuit mounted in this hollow sealed package is a high frequency semiconductor element such as a microwave semiconductor element or a millimeter wave semiconductor element. High-frequency semiconductor elements are widely used in commercial communication devices, satellites, radars, etc., and it is essential that they have high reliability and long product life. Therefore, by mounting the high frequency semiconductor element in the airtight space of the hollow sealed package, the reliability of the product is improved. Recently, in addition to high frequency semiconductor devices, ASICs (Application Specified Integr
There are many packages that simultaneously mount a control semiconductor device such as an ated circuit in an airtight space.

【0004】これら中空封着パッケージのうち、特に高
周波増幅器として用いられる高周波半導体素子の中空封
着パッケージでは、先に述べた高信頼性に加え、高周波
半導体素子や高周波回路配線(以下、高周波半導体素子
等という。)から発生する電磁波のパッケージ外部への
漏洩を遮断する必要がある。このため、電磁シールド効
果を有するパッケージを使用する必要性があり、金属製
のパッケージや、一部に導体材料が使用されたセラミッ
クスや樹脂などの絶縁材料によるパッケージが使用され
る。いずれにしても、気密空間内に実装された高周波半
導体素子等から発生する電磁波を遮断するために、導体
材料で高周波半導体素子等を取り囲む必要がある。
Among these hollow sealed packages, in particular, the hollow sealed package for a high frequency semiconductor element used as a high frequency amplifier, in addition to the high reliability described above, has a high frequency semiconductor element and a high frequency circuit wiring (hereinafter, high frequency semiconductor element). It is necessary to block the leakage of electromagnetic waves generated from the outside of the package. For this reason, it is necessary to use a package having an electromagnetic shielding effect, and a metal package or a package made of an insulating material such as ceramics or resin partially used as a conductor material is used. In any case, it is necessary to surround the high-frequency semiconductor element or the like with a conductor material in order to block electromagnetic waves generated from the high-frequency semiconductor element or the like mounted in the airtight space.

【0005】図25は、高周波半導体素子の実装に用い
られる従来の一般的な中空封着パッケージの構造を説明
するための断面図である。中空封着パッケージは、上面
開口の容器形状からなる金属製のフレーム1050と、
この開口を塞ぐようにフレーム1050上部に取付けら
れる同じく金属製のキャップ1060とから構成されて
いる。フレーム1050とキャップ1060とは、ろう
材1090によって封着され、これによりパッケージ内
部に気密空間であるキャビティ1070が形成される。
このキャビティ1070を形成するフレーム1050の
凹部底面には、高周波半導体素子1010が実装されて
いる。
FIG. 25 is a sectional view for explaining the structure of a conventional general hollow sealing package used for mounting a high frequency semiconductor device. The hollow sealed package includes a metal frame 1050 having a container shape with an upper opening,
The cap 1060 is also made of a metal and is attached to the upper portion of the frame 1050 so as to close the opening. The frame 1050 and the cap 1060 are sealed by a brazing material 1090, thereby forming a cavity 1070 which is an airtight space inside the package.
A high frequency semiconductor element 1010 is mounted on the bottom surface of the concave portion of the frame 1050 forming the cavity 1070.

【0006】高周波半導体素子1010は、キャビティ
1070を形成するフレーム1050の凹部底面に設け
られたリード1055にボンディングワイヤ1020に
よって接続されている。このリード1055は、パッケ
ージからの電気的引出しを行なうためのものである。こ
のリード1055が親回路基板(図示せず)の端子に接
続される。なお、リード1055は、フレーム1050
との短絡を避けるため、セラミック材1056を介して
ハーメチックシールされる。
The high frequency semiconductor device 1010 is connected to the lead 1055 provided on the bottom surface of the concave portion of the frame 1050 forming the cavity 1070 by a bonding wire 1020. The leads 1055 are for electrically drawing out from the package. The leads 1055 are connected to the terminals of the parent circuit board (not shown). The lead 1055 is connected to the frame 1050.
A hermetically sealed via ceramic material 1056 to avoid short circuit with.

【0007】上述の従来例では、パッケージの材質とし
て金属材料が選択されているが、前述したようにセラミ
ックスや樹脂といった絶縁材料を主材料とし、その一部
に導体材料が使用されているパッケージが利用される場
合もある。この場合、たとえばセラミックス材料のフレ
ームおよびキャップの表面にめっきなどでメタライズを
施し、これらのフレームおよびキャップをろう材などの
導電性の接合部材によって接合することで電磁シールド
効果を得ている。
In the above-mentioned conventional example, the metal material is selected as the material of the package. However, as described above, a package in which an insulating material such as ceramics or resin is used as a main material and a conductor material is used for a part of the package is used. It may be used. In this case, for example, the surface of the frame and the cap made of a ceramic material is metalized by plating or the like, and the frame and the cap are joined by a conductive joining member such as a brazing material to obtain an electromagnetic shield effect.

【0008】しかしながら、上述の構成の中空封着パッ
ケージにおいて、溶融したろう材やろう材中に含まれる
フラックスがキャビティ内に流れ込むことにより、不具
合を引き起こす場合がある。たとえば、ろう材やフラッ
クスがボンディングワイヤや電極に接触することでショ
ートを引き起こしたり、パッケージ内部の汚損を引き起
こしたりする。これにより、歩留まりが低下するばかり
でなく、製品の信頼性が大きく損なわれることもある。
[0008] However, in the hollow sealed package having the above-mentioned structure, there is a case where the molten brazing material or the flux contained in the brazing material flows into the cavity to cause a problem. For example, a brazing material or flux may contact a bonding wire or an electrode to cause a short circuit or stain the inside of the package. As a result, not only the yield is lowered, but also the reliability of the product may be significantly impaired.

【0009】このろう材のキャビティ内への流入を防止
する構造として、実開平1−174939号公報や特開
平10−303323号公報に開示された構造がある。
これらの公報に開示された構造では、フレーム上部のキ
ャップとの接合面に溝を設けることにより、ろう付けの
際にキャビティ内へ流れ込もうとするろう材やフラック
スを回収し、キャビティ内へ流入することを防止してい
る。
As a structure for preventing the brazing material from flowing into the cavity, there are structures disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-174939 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-303323.
In the structures disclosed in these publications, a groove is formed on the joint surface with the cap on the upper part of the frame to collect the brazing material and flux that try to flow into the cavity during brazing and to flow into the cavity. To prevent it.

【0010】また、導電性の接着剤を使用してフレーム
とキャップを接合する場合にも、この導電性接着剤が硬
化工程において液状化し、キャビティ内に流れ込むこと
がある。この場合にも上述のろう材と同様の問題を引き
起こす。
Also, when the frame and the cap are joined using a conductive adhesive, the conductive adhesive may be liquefied in the curing step and flow into the cavity. Also in this case, the same problem as that of the brazing material described above occurs.

【0011】この導電性接着剤の流入を防止する構造と
して、特許第2842355号公報に開示された構造が
ある。これは、キャップの内側に土手部を設けて、この
土手部で樹脂をせき止めることによって、内部への樹脂
の流入を防止するものである。
As a structure for preventing the inflow of the conductive adhesive, there is a structure disclosed in Japanese Patent No. 2842355. This is to prevent the resin from flowing into the inside by providing a bank portion inside the cap and damming the resin at the bank portion.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電磁シ
ールドを有する中空封着パッケージに上述の構造を適用
した場合には、いずれの構造にあっても問題が生ずる。
以下にその問題点を個別に説明する。
However, when the above-mentioned structure is applied to the hollow sealed package having the electromagnetic shield, a problem occurs in any structure.
The problems will be individually described below.

【0013】実開平1−174939号公報や特開平1
0−303323号公報に開示された構造では、ろう材
の流入を防止するための溝をフレームの接合面に設ける
必要があるが、特にフレームがセラミックス製である場
合にはこの溝を形成することが非常に困難である。セラ
ミックス製のフレームに溝を設けるためには、フレーム
の製造過程において工程を非常に複雑にする必要があ
り、またこれに伴う歩留まりの低下もあるため実現性に
乏しい。また、樹脂製のフレームである場合には溝を設
けることは容易であるが、耐熱性に乏しいため、ろう付
けの高温に耐えられない可能性がある。
Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-174939 and Japanese Unexamined Patent Publication No.
In the structure disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 0-303323, it is necessary to provide a groove for preventing the inflow of the brazing material on the joint surface of the frame, but especially when the frame is made of ceramics, this groove should be formed. Is very difficult. In order to form a groove in a ceramic frame, it is necessary to make the process extremely complicated in the manufacturing process of the frame, and the yield is also reduced accordingly, which is not practical. Further, in the case of a resin frame, it is easy to provide the groove, but since it has poor heat resistance, it may not be able to withstand the high temperature of brazing.

【0014】また、一般に高周波半導体素子は、キャビ
ティ内部の実装面に金−スズ半田によってダイボンドが
行なわれる。このダイボンドに使用される金−スズ半田
は、融点が約280℃程度(たとえば、80Au−20
Sn)のものが使用される。一般的に高周波半導体素子
は化合物半導体であるため、約280℃という高温に晒
しても、特に素子に問題は生じない。ところが、近年よ
く行なわれる制御素子の同時封着において用いられる制
御素子は、ASICなどのシリコン製の半導体素子であ
る場合が多く、このような高温に晒すことで特性に悪影
響が及ぶ懸念がある。
In general, in a high frequency semiconductor element, die bonding is performed on the mounting surface inside the cavity by gold-tin solder. The gold-tin solder used for this die bond has a melting point of about 280 ° C. (for example, 80 Au-20
Sn) is used. Generally, a high-frequency semiconductor element is a compound semiconductor, and therefore, even if it is exposed to a high temperature of about 280 ° C., no particular problem occurs in the element. However, in recent years, the control element used in the simultaneous sealing of control elements is often a semiconductor element made of silicon such as ASIC, and there is a concern that the characteristics may be adversely affected by exposure to such a high temperature.

【0015】このため、ダイボンド材として樹脂製のダ
イボンド材を選択することが必要となる。しかし、樹脂
製のダイボンド材を使用した場合には、その後に行なわ
れるフレームとキャップの接合工程において、この樹脂
製のダイボンド材が高温に晒されることで劣化する可能
性がある。このダイボンド材の劣化は、中空封着パッケ
ージの信頼性に悪影響を及ぼすため、制御素子の同時封
着を目的とした場合には、パッケージとキャップのろう
付けによる接合は好ましくない。
Therefore, it is necessary to select a resin-made die bond material as the die bond material. However, when a resin die bond material is used, the resin die bond material may be deteriorated by being exposed to a high temperature in the subsequent step of joining the frame and the cap. The deterioration of the die-bonding material adversely affects the reliability of the hollow sealed package, so that the brazing of the package and the cap is not preferable for the purpose of simultaneously sealing the control elements.

【0016】特許第2842355号公報に開示された
構造においては、フレームとキャップとを接続する樹脂
製の接着剤として、エポキシ系樹脂やフェノール系樹脂
を用いることが記載されているが、これらの樹脂はいず
れも絶縁性の樹脂であるため、この接着剤単独では電磁
シールド効果を得ることはできない。
In the structure disclosed in Japanese Patent No. 2842355, it is described that an epoxy resin or a phenol resin is used as an adhesive made of resin for connecting the frame and the cap. Since each of these is an insulating resin, the electromagnetic shield effect cannot be obtained by this adhesive alone.

【0017】この問題を解決するために導電性接着剤を
使用することが容易に想到されるが、この導電性接着剤
はもともと不導体である樹脂に電気的導通をもたせるた
めに多量の金属紛やカーボンなどの導体材料を混入して
いるため、接着性が絶縁性の接着剤に比べて格段に劣
る。また、耐湿性能も不十分であるため、長期にわたっ
て信頼性を保つことは困難であり、高周波半導体素子の
実装には不向きである。
Although it is easily conceivable to use a conductive adhesive to solve this problem, this conductive adhesive is used in large amounts in order to make a resin, which is originally a non-conductor, electrically conductive. Since a conductive material such as carbon or carbon is mixed in, the adhesiveness is significantly inferior to that of an insulating adhesive. Further, since the moisture resistance is insufficient, it is difficult to maintain reliability for a long period of time, and it is not suitable for mounting a high frequency semiconductor element.

【0018】したがって、本発明の目的は、容易かつ安
価に製造することが可能であり、長期にわたって信頼性
を維持することができる電磁シールド効果を備えた中空
封着パッケージを提供することにある。また、他の目的
としては、シリコン製の制御素子をキャビティ内に同時
実装しても高信頼性の保たれる電磁シールド効果を備え
た中空封着パッケージを提供することを目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a hollow sealed package having an electromagnetic shield effect which can be manufactured easily and inexpensively and which can maintain reliability for a long period of time. Another object of the present invention is to provide a hollow sealed package having an electromagnetic shield effect that maintains high reliability even when a control element made of silicon is simultaneously mounted in the cavity.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の局面に基
づく中空封着パッケージは、気密空間内に位置する高周
波半導体素子と、高周波半導体素子の外部への電気的引
出しを行なう高周波回路配線と、気密空間を取り囲むフ
レームおよびキャップとを備えた中空封着パッケージで
あって、フレームとキャップとが異方性導電フィルムに
よって接合されている。
A hollow sealed package according to a first aspect of the present invention is a high frequency semiconductor device located in an airtight space, and a high frequency circuit wiring for electrically drawing the high frequency semiconductor device to the outside. And a frame and a cap surrounding the airtight space, wherein the frame and the cap are joined by an anisotropic conductive film.

【0020】本構成のように、異方性導電フィルムを用
いてフレームとキャップとを接合することにより、気密
空間内に接合部材が流入することが防止される。これに
より、歩留まりが向上するとともに高信頼性の中空封着
パッケージを提供することが可能になる。また、ろう材
に比べより低温で接合が行なえるため、ASICなどの
シリコン製半導体素子を気密空間内に同時実装する場合
にも好適である。さらには、本構成ではフィルム状の接
合部材を使用しているため、従来のろう材や接着剤に比
べ簡易かつ迅速に作業が行なえ、中空封着パッケージを
効率良く生産することが可能になる。
By joining the frame and the cap using the anisotropic conductive film as in the present construction, the joining member is prevented from flowing into the airtight space. This makes it possible to improve the yield and provide a highly reliable hollow sealed package. In addition, since bonding can be performed at a lower temperature than that of a brazing material, it is also suitable when simultaneously mounting silicon semiconductor elements such as ASIC in an airtight space. Furthermore, since the film-shaped joining member is used in this configuration, the work can be performed more easily and quickly than conventional brazing materials and adhesives, and the hollow sealed package can be efficiently produced.

【0021】上記本発明の第1の局面に基づく中空封着
パッケージにあっては、たとえば、フレームとキャップ
の少なくとも一方が、高周波半導体素子または高周波回
路配線から発生する電磁波を遮断するための導体部分を
有していることが好ましい。
In the hollow sealed package according to the first aspect of the present invention, for example, at least one of the frame and the cap is a conductor portion for blocking an electromagnetic wave generated from the high frequency semiconductor element or the high frequency circuit wiring. It is preferable to have

【0022】本構成のように、フレームとキャップの一
部に電磁シールドを備えたパッケージとすることによ
り、高周波半導体素子等から発生する電磁波が外部に漏
洩することが遮断可能になる。また同時に、外部から気
密空間内への電磁波の漏入も防止できる。このフレーム
とキャップに設けられた導体部分どうしの電気的接続も
異方性導電フィルムを用いることで簡易にかつ確実に行
なえる。
By using a package having an electromagnetic shield in a part of the frame and the cap as in this configuration, it is possible to block the leakage of electromagnetic waves generated from the high-frequency semiconductor element or the like to the outside. At the same time, it is possible to prevent electromagnetic waves from leaking into the airtight space from the outside. The electrical connection between the conductor portions provided on the frame and the cap can be easily and surely made by using the anisotropic conductive film.

【0023】上記本発明の第1の局面に基づく中空封着
パッケージあっては、たとえば、導体部分が気密空間を
取り囲むようにフレームおよびキャップに配置された壁
状導体であり、高周波半導体素子から見て全方位に位置
していることが望ましい。
In the hollow sealed package according to the first aspect of the present invention, for example, the conductor portion is a wall-shaped conductor arranged in the frame and the cap so as to surround the airtight space, and is seen from the high frequency semiconductor device. It is desirable to be located in all directions.

【0024】特に電磁波の漏洩を完全に遮断したい場合
には、本構成のように高周波半導体素子から見て全方
位、すなわち高周波半導体素子を取り囲むように導体部
分を形成することが好ましい。この場合、キャップおよ
びフレームの側面および下面のすべてに導体部分が形成
されることになる。ただし、一部、中空封着パッケージ
が実装される親回路基板のグランド配線などによって代
用することも可能である。
In particular, when it is desired to completely block the leakage of electromagnetic waves, it is preferable to form the conductor portion in all directions as viewed from the high frequency semiconductor element, that is, so as to surround the high frequency semiconductor element as in this configuration. In this case, conductor portions are formed on all the side surfaces and the lower surface of the cap and the frame. However, it is also possible to partially substitute the ground wiring of the parent circuit board on which the hollow sealed package is mounted.

【0025】上記本発明の第1の局面に基づく中空封着
パッケージにあっては、たとえば、少なくともフレーム
およびキャップのいずれか一方が気密空間を複数の空間
に分割する隔壁を備えている場合に、フレームまたはキ
ャップと隔壁とが導電ペーストによって接合されている
ことが望ましい。
In the hollow sealed package according to the first aspect of the present invention, for example, when at least one of the frame and the cap is provided with a partition for dividing the airtight space into a plurality of spaces, It is desirable that the frame or cap and the partition wall be joined by a conductive paste.

【0026】このように、気密空間内に実装される複数
の電子回路を互いに電磁気的に分離する必要がある場合
には、フレームまたはキャップのいずれかに設けられた
隔壁によって気密空間が分離される。この場合、キャッ
プとフレームとの接合面のうち、外周に相当する部分に
おいては異方性導電フィルムを用いて接合し、フレーム
またはキャップと隔壁との接合には導電ペースト用いる
ことが望ましい。これにより、隔壁とキャップとの電気
的導通が確保され、電磁シールド効果が実現されるよう
になる。
Thus, when it is necessary to electromagnetically separate a plurality of electronic circuits mounted in the airtight space from each other, the airtight space is separated by the partition wall provided on either the frame or the cap. . In this case, it is preferable that an anisotropic conductive film is used to bond the portion of the bonding surface between the cap and the frame that corresponds to the outer periphery, and a conductive paste is used to bond the frame or the cap to the partition wall. As a result, electrical continuity between the partition wall and the cap is secured, and the electromagnetic shield effect is realized.

【0027】上記本発明の第1の局面に基づく中空封着
パッケージにあっては、たとえば、フレームのキャップ
との接合面にフレーム側端子電極が形成されており、フ
レーム側端子電極と対向するキャップの接合面のフレー
ム側端子電極に対応する位置にキャップ側端子電極が形
成されていることが好ましい。
In the hollow sealed package according to the first aspect of the present invention, for example, the frame-side terminal electrode is formed on the joint surface of the frame with the cap, and the cap is opposed to the frame-side terminal electrode. It is preferable that the cap-side terminal electrode is formed at a position corresponding to the frame-side terminal electrode on the joint surface of.

【0028】本構成のように、フレームおよびキャップ
の接合面に端子電極を形成することにより、この間に介
挿される異方性導電フィルムに含まれる導電フィラーが
効率良く捕捉され、より確実な電気的導通が確保される
ようになる。
By forming the terminal electrodes on the joint surfaces of the frame and the cap as in this structure, the conductive filler contained in the anisotropic conductive film interposed therebetween is efficiently captured, and more reliable electrical conductivity is obtained. Continuity is ensured.

【0029】上記本発明の第1の局面に基づく中空封着
パッケージは、たとえば、フレーム側端子電極とキャッ
プ側端子電極のうち、少なくとも一方の端子電極上に金
属材料からなるバンプが設けられていることが望まし
い。
In the hollow sealed package according to the first aspect of the present invention, for example, a bump made of a metal material is provided on at least one of the frame-side terminal electrode and the cap-side terminal electrode. Is desirable.

【0030】本構成のように、端子電極上にバンプを設
けておくことにより、端子電極のみの構成よりもさらに
効率良く異方性導電フィルムの導電フィラーを捕捉する
ことが可能となり、より確実な電気的導通が確保される
ようになる。
By providing the bumps on the terminal electrodes as in the present structure, it is possible to capture the conductive filler of the anisotropic conductive film more efficiently as compared with the structure having only the terminal electrodes, and thus more reliable. Electrical continuity is ensured.

【0031】上記本発明の第1の局面に基づく中空封着
パッケージにあっては、たとえば、フレームとキャップ
の接合面に、フレーム側端子電極とキャップ側端子電極
とが点列状に設けられており、互いに隣接するフレーム
側端子電極の間隔はいずれも高周波半導体素子および高
周波回路配線から発生する電磁波の波長の(1/4)以
下であることが望ましい。
In the hollow sealed package according to the first aspect of the present invention, for example, the frame-side terminal electrodes and the cap-side terminal electrodes are provided in a dot array on the joint surface between the frame and the cap. Therefore, it is desirable that the interval between the frame-side terminal electrodes adjacent to each other is not more than (1/4) of the wavelength of the electromagnetic wave generated from the high-frequency semiconductor element and the high-frequency circuit wiring.

【0032】本構成のように、フレームおよびキャップ
の両端子電極を点列状に配設し、この点列状に配設され
た端子電極の間隔を高周波半導体素子等から発生する電
磁波の波長の(1/4)以下とすることにより、フレー
ムとキャップとの接合部分の全面において導電材料によ
る接合を行なわなくとも電磁シールド効果を得ることが
できるようになる。また、この点列状に配設された端子
電極の間には、セラミックスや樹脂といったフレームお
よびキャップの下地が露出しているため、異方性導電フ
ィルムとの高い接合強度が確保される。すなわち、本構
成とすることにより、高い接合強度と確実な電気的接続
が可能となり、電磁シールド効果を備えた高信頼性の中
空封着パッケージを提供することが可能になる。
As in this structure, both the terminal electrodes of the frame and the cap are arranged in a dot array, and the interval between the terminal electrodes arranged in the dot array is set to the wavelength of the electromagnetic wave generated from the high frequency semiconductor element or the like. By setting the ratio to (1/4) or less, it becomes possible to obtain the electromagnetic shield effect without performing bonding with a conductive material on the entire surface of the bonding portion between the frame and the cap. Further, since the base of the frame and the cap made of ceramics or resin is exposed between the terminal electrodes arranged in a dot array, a high bonding strength with the anisotropic conductive film is secured. That is, with this configuration, high bonding strength and reliable electrical connection are possible, and it is possible to provide a highly reliable hollow sealed package having an electromagnetic shield effect.

【0033】本発明の第2の局面に基づく中空封着パッ
ケージは、気密空間内に位置する高周波半導体素子と、
高周波半導体素子の外部への電気的引出しを行なう高周
波回路配線と、気密空間を取り囲むフレームおよびキャ
ップとを備えた中空封着パッケージであって、フレーム
とキャップとを接続する接続部材は、内側に位置する内
側接続部材と外側に位置する外側接続部材とを含み、内
側接続部材は気密空間を封止するフィルムであり、外側
接続部材はろう材である。
A hollow sealed package according to the second aspect of the present invention includes a high-frequency semiconductor element located in an airtight space,
A hollow sealing package including a high-frequency circuit wiring for electrically pulling out a high-frequency semiconductor element to the outside, and a frame and a cap surrounding an airtight space, wherein a connecting member for connecting the frame and the cap is located inside. The inner connecting member is a film that seals the airtight space, and the outer connecting member is a brazing material.

【0034】本構成のように、フレームとキャップとの
接続の際に、内側を気密空間を封止するフィルムにて接
続し、外側をろう材にて接合することにより、ろう材の
気密空間内への流入を防止することが可能になる。これ
は、先に接続されたフィルムによってろう材の気密空間
内への流入が阻止されるためである。また、ろう材を使
用することにより、フレームとキャップとの電気的接続
が実現されるため、電磁シールド効果を確保することも
可能である。これにより、気密空間内へのろう材の流入
を防止した上で電磁シールド効果を維持できる高信頼性
の中空封着パッケージが実現される。
When the frame and the cap are connected to each other by connecting the inner side with a film for sealing the airtight space and joining the outer side with a brazing material as in this structure, It is possible to prevent the inflow to. This is because the previously connected film prevents the brazing material from flowing into the airtight space. Further, by using the brazing material, the electric connection between the frame and the cap is realized, so that it is possible to secure the electromagnetic shield effect. As a result, a highly reliable hollow sealed package that can maintain the electromagnetic shield effect while preventing the brazing material from flowing into the airtight space is realized.

【0035】上記本発明の第2の局面に基づく中空封着
パッケージにあっては、たとえば、内側接続部材である
フィルムは、樹脂製の接着フィルムであることが好まし
い。
In the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention, for example, the film which is the inner connecting member is preferably a resin adhesive film.

【0036】このように、内側接続部材であるフィルム
を樹脂製の接着フィルムとすることにより、後に実施さ
れるろう付けの際にも、ろう材やフラックスが気密空間
内に流入することが防止される。また、接着フィルムを
用いることにより、フレームとキャップとの仮固定が行
なえるため、製造の際の作業性の向上が図られる。
As described above, by using a resin adhesive film as the inner connecting member, it is possible to prevent the brazing material and the flux from flowing into the airtight space even during the later brazing. It Further, since the frame and the cap can be temporarily fixed by using the adhesive film, workability in manufacturing can be improved.

【0037】上記本発明の第2の局面に基づく中空封着
パッケージにあっては、たとえば、内側接続部材である
フィルムは、圧縮変形することによりフレームおよびキ
ャップに密着するシール部材であることが望ましい。
In the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention, for example, the film which is the inner connecting member is preferably a seal member which comes into close contact with the frame and the cap by being compressed and deformed. .

【0038】このように、内側接続部材であるフィルム
をシール部材とすることにより、後に実施されるろう付
けの際にも、ろう材やフラックスが気密空間内に流入す
ることが防止される。また、シール部材を圧縮して用い
ることにより、気密空間内の封止が確実に行なえるた
め、歩留まりの向上が期待できる。
As described above, by using the film which is the inner connecting member as the sealing member, it is possible to prevent the brazing material and the flux from flowing into the airtight space even when brazing is performed later. Further, since the sealing member is compressed and used, the airtight space can be surely sealed, so that an improvement in yield can be expected.

【0039】上記本発明の第2の局面に基づく中空封着
パッケージにあっては、たとえば、内側接続部材である
フィルムは、異方性導電フィルムであってもよい。
In the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention, for example, the film which is the inner connecting member may be an anisotropic conductive film.

【0040】このように、内側接続部材であるフィルム
を異方性導電フィルムとすることも可能である。この異
方性導電フィルムにより、後に実施されるろう付けの際
にも、ろう材やフラックスが気密空間内に流入すること
が防止される。また、異方性導電フィルムを使用するこ
とにより、上述した本発明の第1の局面に基づいた中空
封着パッケージと同様の効果を得ることが可能になる。
As described above, the film as the inner connecting member can be an anisotropic conductive film. This anisotropic conductive film prevents the brazing material and the flux from flowing into the airtight space even during brazing performed later. Further, by using the anisotropic conductive film, it is possible to obtain the same effect as that of the hollow sealed package based on the first aspect of the present invention described above.

【0041】上記本発明の第2の局面に基づく中空封着
パッケージにあっては、たとえば、フレームとキャップ
の少なくとも一方が、高周波半導体素子または高周波回
路配線から発生する電磁波を遮断するための導体部分を
有していることが好ましい。
In the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention, for example, at least one of the frame and the cap is a conductor portion for blocking electromagnetic waves generated from the high frequency semiconductor element or the high frequency circuit wiring. It is preferable to have

【0042】本構成とすることにより、本発明の第2の
局面に基づく中空封着パッケージにおいても、高周波半
導体素子等から発生する電磁波の外部への漏洩を防止す
ることができるようになる。また同時に、外部から気密
空間内への電磁波の漏入も防止できるようになる。
With this configuration, even in the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention, it is possible to prevent the electromagnetic waves generated from the high frequency semiconductor element or the like from leaking to the outside. At the same time, it becomes possible to prevent leakage of electromagnetic waves from the outside into the airtight space.

【0043】上記本発明の第2の局面に基づく中空封着
パッケージあっては、たとえば、導体部分が気密空間を
取り囲むようにフレームおよびキャップに配置された壁
状導体であり、高周波半導体素子から見て全方位に位置
していることが望ましい。
In the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention, for example, the conductor portion is a wall-shaped conductor arranged in the frame and the cap so as to surround the airtight space, and is seen from the high frequency semiconductor device. It is desirable to be located in all directions.

【0044】本構成とすることにより、本発明の第2の
局面に基づく中空封着パッケージにおいても、特に電磁
波の漏洩を完全に遮断したい場合に、高周波半導体素子
を取り囲むようにフレームおよびキャップに導体部分を
形成することによって電磁波の漏洩を完全に遮断するこ
とができるようになる。
With this configuration, also in the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention, a conductor is provided on the frame and the cap so as to surround the high frequency semiconductor element, especially when it is desired to completely block the leakage of electromagnetic waves. By forming the portion, it becomes possible to completely block the leakage of electromagnetic waves.

【0045】上記本発明の第2の局面に基づく中空封着
パッケージにあっては、たとえば、少なくともフレーム
およびキャップのいずれか一方が気密空間を複数の空間
に分割する隔壁を備えている場合に、フレームまたはキ
ャップと隔壁とが導電ペーストによって接合されている
ことが望ましい。
In the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention, for example, when at least one of the frame and the cap is provided with a partition wall that divides the airtight space into a plurality of spaces, It is desirable that the frame or cap and the partition wall be joined by a conductive paste.

【0046】本構成とすることにより、本発明の第2の
局面に基づく中空封着パッケージにおいてもフレームま
たはキャップと隔壁との電気的導通が確保されるため、
気密空間同士における電磁シールド効果が実現されるよ
うになる。
With this structure, electrical continuity between the frame or the cap and the partition wall is ensured even in the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention.
The electromagnetic shield effect between the airtight spaces is realized.

【0047】上記本発明の第2の局面に基づく中空封着
パッケージにおいては、たとえば、フレームとキャップ
とを含むパッケージ側面において、少なくともフレーム
およびキャップのいずれか一方にキャスタレーションが
形成されており、このキャスタレーションが形成された
部位においてフレームとキャップとがろう付けにて接合
されていることが好ましい。
In the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention, the castellation is formed on at least one of the frame and the cap on the side surface of the package including the frame and the cap. It is preferable that the frame and the cap are joined by brazing at the site where the castellation is formed.

【0048】本構成のように、パッケージ外側面にキャ
スタレーションを形成し、このキャスタレーションが形
成された部位においてろう材にてフレームとキャップと
を接合することにより、効率よく中空封着パッケージを
製造することが可能になる。
As in this structure, a castellation is formed on the outer surface of the package, and the frame and the cap are joined to each other with a brazing material at the portion where the castellation is formed, whereby the hollow sealed package is efficiently manufactured. It becomes possible to do.

【0049】上記本発明の第2の局面に基づく中空封着
パッケージにおいては、たとえば、フレームとキャップ
とを含むパッケージ側面において、フレームおよびキャ
ップのいずれか一方にキャスタレーションが形成されて
おり、他方にキャスタレーションの端部と対面する端子
電極が形成されており、キャスタレーションと端子電極
との間にろう材のフィレットが形成されていることが望
ましい。
In the hollow sealed package according to the second aspect of the present invention, for example, on the side surface of the package including the frame and the cap, the castellation is formed on either one of the frame and the cap, and the other is formed on the other side. It is preferable that a terminal electrode facing the end portion of the castellation is formed, and a fillet of brazing material is formed between the castellation and the terminal electrode.

【0050】本構成のように、フレームとキャップとを
接合するろう材にフィレットが形成されていることによ
り、熱履歴によって生ずる応力の緩和が可能となる。こ
の結果、熱履歴に強い高信頼性の中空封着パッケージを
提供することが可能になる。
Since the fillet is formed in the brazing material that joins the frame and the cap as in this structure, it is possible to relieve stress caused by thermal history. As a result, it is possible to provide a highly reliable hollow sealed package that is resistant to heat history.

【0051】本発明の第1の局面に基づく中空封着パッ
ケージの製造方法は、気密空間内に位置する高周波半導
体素子と、高周波半導体素子の外部への電気的引出しを
行なう高周波回路配線と、気密空間を取り囲むフレーム
およびキャップとを備えた中空封着パッケージの製造方
法であって、以下の工程を備える。
A method for manufacturing a hollow sealed package according to the first aspect of the present invention is directed to a high-frequency semiconductor element located in an airtight space, a high-frequency circuit wiring for electrically pulling out the high-frequency semiconductor element to the outside, and an airtight A method for manufacturing a hollow sealed package including a frame surrounding a space and a cap, comprising the following steps.

【0052】(a) フレームとキャップとの接続部位
のうち、気密空間に隣接する部分にシール部材を介挿す
る工程。
(A) A step of inserting a seal member in a portion adjacent to the airtight space in a connecting portion between the frame and the cap.

【0053】(b) シール部材を圧縮変形させること
により、シール部材をフレームおよびキャップに密着さ
せる工程。
(B) A step of bringing the seal member into close contact with the frame and the cap by compressing and deforming the seal member.

【0054】(c) シール部材を圧縮変形させた状態
にて、フレームとキャップとをろう付けにて接合する工
程。
(C) A step of joining the frame and the cap by brazing while the seal member is compressed and deformed.

【0055】本構成のように、まず、圧縮変形すること
によりフレームとキャップとに密着するシール部材を用
いて気密空間を密閉し、このシール部材が圧縮された状
態にてフレームとキャップとの接続部位をろう材を用い
て接合することにより、ろう材が気密空間内部に流入す
ることなくキャップとフレームとを接合することが可能
になる。これにより、簡便に高信頼性の中空封着パッケ
ージを製造することが可能になる。
As in the present structure, first, the airtight space is sealed by using a seal member which is brought into close contact with the frame and the cap by being compressed and deformed, and the frame and the cap are connected in the compressed state of the seal member. By joining the parts with the brazing material, it becomes possible to join the cap and the frame without the brazing material flowing into the airtight space. This makes it possible to easily manufacture a highly reliable hollow sealed package.

【0056】本発明の第2の局面に基づく中空封着パッ
ケージの製造方法は、気密空間内に位置する高周波半導
体素子と、高周波半導体素子の外部への電気的引出しを
行なう高周波回路配線と、気密空間を取り囲むフレーム
およびキャップとを備え、フレームおよびキャップの少
なくともいずれか一方の外側面にキャスタレーションが
形成されており、少なくともキャスタレーションを含む
部分においてフレームとキャップとがろう付けにて接合
されてなる中空封着パッケージの製造方法であって、溶
融前のろう材をキャスタレーションの下方に近接配置
し、熱処理を施すことによってろう材を溶融させ、溶融
したろう材がキャスタレーションに接して上がることに
よりフレームとキャップとの接続部位にまで達すること
によってフレームとキャップとの接合が行なわれる。
A method for manufacturing a hollow sealed package according to the second aspect of the present invention is directed to a high-frequency semiconductor element located in an airtight space, a high-frequency circuit wiring for electrically pulling out the high-frequency semiconductor element to the outside, and an airtight seal. A frame and a cap that surround the space are provided, and a castellation is formed on the outer surface of at least one of the frame and the cap, and the frame and the cap are joined by brazing at least in a portion including the castellation. A method for manufacturing a hollow sealed package, in which a brazing filler metal before melting is closely arranged below the castellation, and the brazing filler metal is melted by heat treatment, and the molten brazing filler metal comes up in contact with the castellation. By reaching the connection part between the frame and the cap, Joining of the cap is performed.

【0057】本構成のように、パッケージの外側面にキ
ャスタレーションが形成された中空封着パッケージにお
いて、ろう材の這い上がりを利用してフレームとキャッ
プとを接続することにより、簡便に効率よく中空封着パ
ッケージを製造することが可能になる。
In the hollow sealed package having the castellation formed on the outer surface of the package as in the present structure, the frame and the cap are connected by utilizing the crawling of the brazing filler metal so that the hollow can be easily and efficiently formed. It becomes possible to manufacture a sealed package.

【0058】[0058]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0059】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の
形態1における中空封着パッケージの組付け構造を説明
するための分解斜視図であり、図2は、組付け後の図1
中A−A面における断面図である。また、図3(a)
は、フレームの接合面の形状を説明するための上面図で
あり、図3(b)は、キャップの接合面の形状を説明す
るための下面図である。また、図4は、フレームとキャ
ップとの接続部分の構造を示す概略断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is an exploded perspective view for explaining an assembly structure of a hollow sealed package according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view of FIG.
It is sectional drawing in the AA surface. In addition, FIG.
3B is a top view for explaining the shape of the joint surface of the frame, and FIG. 3B is a bottom view for explaining the shape of the joint surface of the cap. Further, FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the connecting portion between the frame and the cap.

【0060】(構造)まず、図1および図2を参照し
て、本実施の形態における中空封着パッケージの構造に
ついて説明する。中空封着パッケージは、上面開口の容
器形状からなるフレーム50、およびこの開口を塞ぐよ
うに取付けられるキャップ60とから構成されている。
これらフレーム50およびキャップ60が気密に接合さ
れることにより、パッケージ内部に気密空間であるキャ
ビティ70が形成される。
(Structure) First, the structure of the hollow sealed package in the present embodiment will be described with reference to FIGS. The hollow sealed package is composed of a frame 50 having a container shape with an upper surface opening, and a cap 60 attached so as to close the opening.
By hermetically joining the frame 50 and the cap 60, a cavity 70 that is an airtight space is formed inside the package.

【0061】フレーム50はセラミックス材料から構成
されており、グリーンシートを積層して焼成することに
よって容器形状が形成される。これらグリーンシート中
には、予め高周波半導体素子等から発生する電磁波を遮
断するための導体部分であるグランド配線54が、それ
ぞれキャビティ70となる開口を取り囲むように配設さ
れている。グリーンシートの積層時に、このグランド配
線54が互いに接触することによって導通し、電磁シー
ルド効果を発揮する壁となる。また、フレーム50上部
の接合面には、このグランド配線54と導通するフレー
ム側端子電極であるフレームパッド51が所定の間隔を
もって開口を取り囲むように点列状に配設されている。
The frame 50 is made of a ceramic material, and a container shape is formed by stacking green sheets and firing them. In each of these green sheets, a ground wiring 54, which is a conductor portion for blocking an electromagnetic wave generated from a high-frequency semiconductor element or the like, is arranged in advance so as to surround the opening to be the cavity 70. When the green sheets are stacked, the ground wirings 54 are brought into contact with each other to be electrically connected, and serve as walls that exhibit an electromagnetic shield effect. Further, frame pads 51, which are terminal electrodes on the frame side, which are electrically connected to the ground wiring 54, are arranged in a dotted line on the joint surface above the frame 50 so as to surround the openings at a predetermined interval.

【0062】フレーム50に設けられたキャビティ70
の底面には、回路配線(図示せず)が施されており、そ
の所定位置に高周波半導体素子10が実装されている。
この高周波半導体素子10と回路配線とは、金ワイヤな
どのボンディングワイヤ20によって接続される。これ
らによって、高周波半導体素子10のパッケージ外部へ
の電気的引出しを行なう高周波回路配線が構成されてい
る。
Cavity 70 provided in frame 50
Circuit wiring (not shown) is provided on the bottom surface of, and the high-frequency semiconductor element 10 is mounted at a predetermined position thereof.
The high frequency semiconductor element 10 and the circuit wiring are connected by a bonding wire 20 such as a gold wire. By these, the high-frequency circuit wiring for electrically pulling out the high-frequency semiconductor element 10 to the outside of the package is configured.

【0063】一方、フレーム50の下面には外部接続パ
ッド55が設けられており、さらにこの外部接続パッド
55上には半田ボール56が形成されている。中空封着
パッケージの親回路基板80への実装の際に、この半田
ボール56を親回路基板80の基板パッド81に取付け
ることにより、中空封着パッケージが親回路基板80へ
と実装される。なお、上述のグランド配線54もこの外
部接続パッド55を経由して、親回路基板80のグラン
ド配線へと接続される。
On the other hand, external connection pads 55 are provided on the lower surface of the frame 50, and solder balls 56 are formed on the external connection pads 55. When the hollow sealed package is mounted on the parent circuit board 80, the solder balls 56 are attached to the board pads 81 of the parent circuit board 80, whereby the hollow sealed package is mounted on the parent circuit board 80. The above-mentioned ground wiring 54 is also connected to the ground wiring of the parent circuit board 80 via this external connection pad 55.

【0064】フレーム50の底面においては、高周波半
導体素子10のパッケージ外部への電気的引出しを行な
う回路配線の都合から、電磁シールドとなる導体部分に
よって高周波回路配線全体を囲むことは実質的に不可能
である。このため、フレーム50の底面に導体部分を2
層に分けて設けてその間を縫うように回路配線を施した
り、フレーム50には電磁シールドとなる導体部分を設
けずに親回路基板80のグランド配線を代用して使用す
ることで電磁シールド効果を得たりする手法が用いらる
ことが多い。本実施の形態では、後者を採用している。
On the bottom surface of the frame 50, it is practically impossible to surround the entire high-frequency circuit wiring with a conductor portion serving as an electromagnetic shield because of the circuit wiring that electrically draws the high-frequency semiconductor element 10 out of the package. Is. For this reason, two conductor parts are provided on the bottom surface of the frame 50.
Electromagnetic shielding effect can be obtained by providing the circuit wiring so as to be sewn between the layers separately or by substituting the ground wiring of the parent circuit board 80 without providing the frame 50 with the conductor portion serving as the electromagnetic shield. Often the method of obtaining or using is used. In the present embodiment, the latter is adopted.

【0065】キャップ60は、フレーム50と同じくセ
ラミックス材料によって構成されており、その下面には
電磁シールド効果を発揮する導体部分であるメタライズ
領域62が形成されている。また、上述のフレームパッ
ド51と対向する位置に、このメタライズ領域62と連
続するキャップ側端子電極であるキャップパッド61が
形成されている。
The cap 60 is made of a ceramic material like the frame 50, and a metallized region 62, which is a conductor portion exhibiting an electromagnetic shield effect, is formed on the lower surface of the cap 60. A cap pad 61, which is a cap-side terminal electrode and is continuous with the metallized region 62, is formed at a position facing the frame pad 51.

【0066】次に、図4を参照して、フレーム50とキ
ャップ60の接続部分について詳説する。フレーム50
とキャップ60との接合には、異方性導電フィルム(以
下、ACF(Anisotropic Conductive Film)とい
う。)30が使用される。このACF30は、絶縁性の
バインダである樹脂31中に導電フィラー32が分散し
た接着用のフィルムであり、電気的に接続する端子電極
どうしの近接によってバインダ樹脂31が押し退けられ
た部分において、導電フィラー32が介在することで両
者の間に導通が成立するものである。なお、この導通部
分以外の部分では、導電フィラー32がバインダ樹脂3
1中に分散することで絶縁が保たれるようになってい
る。
Next, with reference to FIG. 4, the connecting portion between the frame 50 and the cap 60 will be described in detail. Frame 50
An anisotropic conductive film (hereinafter referred to as ACF (ACF)) 30 is used for joining the cap and the cap 60. The ACF 30 is an adhesive film in which a conductive filler 32 is dispersed in a resin 31 which is an insulating binder, and the conductive filler 32 is pushed away in a portion where the binder resin 31 is pushed away by the proximity of electrically connected terminal electrodes. The interposition of 32 establishes conduction between the two. In addition, in the portion other than the conductive portion, the conductive filler 32 is used as the binder resin 3
By being dispersed in 1, the insulation is maintained.

【0067】次に、図3を参照して、フレーム50およ
びキャップ60の接合面の形状について説明する。ま
ず、図3(a)を参照して、フレーム50の接合面は、
キャビティ70を構成する開口を囲むようにロの字型の
形状をしている。このフレーム50の接合面には、上述
したフレームパッド51が高周波半導体素子10等から
発生する電磁波の波長の(1/4)より短い間隔で点列
状に配設されており、このフレームパッド51以外の接
合面はセラミックス基板が露出している。
Next, the shapes of the joint surfaces of the frame 50 and the cap 60 will be described with reference to FIG. First, referring to FIG. 3A, the joint surface of the frame 50 is
It is shaped like a square bracket so as to surround the opening forming the cavity 70. On the bonding surface of the frame 50, the frame pads 51 described above are arranged in a dot array at intervals shorter than (1/4) of the wavelength of the electromagnetic wave generated from the high frequency semiconductor element 10 or the like. The ceramic substrate is exposed on the bonding surfaces other than.

【0068】ここで、高周波半導体素子等から発生する
電磁波の波長とは、電磁波の作用を問題とする部位の誘
電体中における電磁波の波長λdのことであり、本実施
の形態では、高周波半導体素子等から発生する電磁波の
空気中またはセラミックス中、あるいは樹脂中における
波長のうち、最も波長の短い誘電体中における波長のこ
とを指す。すなわちフレームパッドの点列のピッチは、
(1/4)λd以下で配列されることになる。なお、キ
ャビティ内に充填される他の気体としてヘリウムなどの
不活性ガスがあるが、この場合はその不活性ガス中にお
ける電磁波の波長を指すことになる。
Here, the wavelength of the electromagnetic wave generated from the high-frequency semiconductor element or the like is the wavelength λd of the electromagnetic wave in the dielectric material at the site where the action of the electromagnetic wave is a problem. In the present embodiment, the high-frequency semiconductor element is used. Of the wavelengths of the electromagnetic waves generated from the like in air, ceramics, or resin, it refers to the wavelength in the dielectric having the shortest wavelength. That is, the pitch of the dot array on the frame pad is
They are arranged at (1/4) λd or less. In addition, there is an inert gas such as helium as another gas filled in the cavity, but in this case, it means the wavelength of the electromagnetic wave in the inert gas.

【0069】次に、図3(b)に示すように、キャップ
60の下面のうちフレーム50の接合面と対向せず、キ
ャビティ70の天面となる部分には、全面に電磁シール
ドとなるメタライズ領域62が形成されている。このメ
タライズ領域62は、キャップ60のセラミックス表面
にめっきを施すことによって形成されている。このメタ
ライズ領域62によって、キャップ60部分の電磁シー
ルドが構成されることになる。
Next, as shown in FIG. 3B, a portion of the lower surface of the cap 60, which does not face the joint surface of the frame 50 and serves as the top surface of the cavity 70, is entirely metalized to serve as an electromagnetic shield. A region 62 is formed. The metallized region 62 is formed by plating the ceramic surface of the cap 60. The metallized region 62 constitutes the electromagnetic shield of the cap 60 portion.

【0070】フレーム50の接合面と対向するキャップ
60の接合面は、前述の通り、上記キャップ60下面に
設けられたメタライズ領域62と連続して、キャップパ
ッド61が形成されている。このキャップパッド61
は、その接合面において上述のフレームパッド51と対
応するように点列状に配設される。なお、このフレーム
パッド61は、上述のメタライズ領域62の形成時に同
時にめっきによって形成されてもよい。
As described above, a cap pad 61 is formed on the joint surface of the cap 60 facing the joint surface of the frame 50 so as to be continuous with the metallized region 62 provided on the lower surface of the cap 60. This cap pad 61
Are arranged in a dot array so as to correspond to the above-mentioned frame pad 51 on the joint surface. The frame pad 61 may be formed by plating at the same time when the metallized region 62 is formed.

【0071】(作用・効果)以上の構成のように、フレ
ームとキャップの接合にACFを用いることにより、フ
レームに溝や土手部を設けることなく接合部材のキャビ
ティ内への流入を防止することが可能になる。また、A
CFというフィルム状の接合部材を使用することによ
り、簡易かつ迅速にフレームとキャップの接合が行なえ
るようになる。さらには、ASICなどのシリコン製の
制御素子を同時実装した場合にもろう付けを必要としな
いため、高温に晒す必要がなくなる。この結果、安価に
製造可能でかつ高信頼性の電磁シールド効果を備えた中
空封着パッケージを提供することが可能になる。
(Operation / Effect) As described above, by using the ACF for joining the frame and the cap, it is possible to prevent the joining member from flowing into the cavity without providing a groove or a bank portion in the frame. It will be possible. Also, A
By using a film-shaped joining member called CF, the frame and the cap can be joined easily and quickly. Furthermore, even when a silicon control element such as an ASIC is mounted at the same time, brazing is not required, so that it is not necessary to expose it to high temperatures. As a result, it is possible to provide a hollow sealed package which can be manufactured at low cost and has a highly reliable electromagnetic shield effect.

【0072】(実施例1)上記実施の形態1に基づいた
実施例を以下に示す。
Example 1 An example based on the first embodiment will be shown below.

【0073】本実施例では、パッケージの構成要素であ
るキャップおよびフレームをLTCC(Low Temperatur
e Co-fired Ceramics)を用いて製作した。フレームの
幅および奥行きはともに10mmとし、高さは2.5m
mとした。キャップの幅および奥行きは、フレームにあ
わせて10mmとし、キャップの厚みは0.5mmとし
た。
In this embodiment, the cap and frame, which are the components of the package, are connected to LTCC (Low Temperatur).
e Co-fired Ceramics). The width and depth of the frame are both 10 mm and the height is 2.5 m.
m. The width and depth of the cap were set to 10 mm according to the frame, and the thickness of the cap was set to 0.5 mm.

【0074】電磁シールドとなる導体部分は、フレーム
およびキャップの内層部分では銀ペーストを使用し、露
出部分に関してはこの下地の銀ペースト上にNi/Au
のめっきを施した。なお、露出部分の下地の銀ペースト
は印刷法で供給し、焼成後の仕上り厚さは10μmであ
る。ニッケルめっきは、電解めっき法を用いて平均めっ
き厚が4μmとなるようにした。このニッケルめっき上
に施した金めっきは、同じく電解めっき法を用いて平均
めっき厚が0.3μmとなるようにした。金めっきを施
すのは、金ワイヤ等の金属細線のボンディングを可能と
するためや、接続部の電気抵抗を下げるため、露出配線
部の酸化を防止するためなどの目的で実施した。
For the conductor portion serving as the electromagnetic shield, silver paste is used for the inner layer portion of the frame and cap, and for the exposed portion, Ni / Au is used on the underlying silver paste.
Was plated. The underlying silver paste of the exposed portion is supplied by a printing method, and the finished thickness after firing is 10 μm. The nickel plating was performed by electrolytic plating so that the average plating thickness was 4 μm. The gold plating applied on this nickel plating was also made to have an average plating thickness of 0.3 μm by the same electrolytic plating method. The gold plating was carried out for the purpose of enabling the bonding of a fine metal wire such as a gold wire, reducing the electric resistance of the connection portion, and preventing the oxidation of the exposed wiring portion.

【0075】次に、これらの構成部材を用いて中空封着
パッケージを製作した手順を示す。まず、高周波半導体
素子をフレームのキャビテイ底面にダイボンドし、金ワ
イヤを用いて所定の位置にボンディングした。次に、キ
ャップより僅かに小さめにカットしたACFをキャップ
の下面に貼付けた。ACFの一辺の長さは9mmとし、
厚さは0.05mmとした。なお、硬化前のACFは適
度な粘性を有しているため、メタライズ部に容易に貼付
けできる。つづいて、ACFの硬化を荷重2kg、加熱
温度180℃、硬化時間20秒で行なった。最後に、フ
レーム下面の外部接続端子に半田ボールを形成して、中
空封着パッケージが完成した。
Next, the procedure for producing a hollow sealed package using these components will be described. First, a high frequency semiconductor element was die-bonded to the bottom surface of the cavity of the frame, and was bonded at a predetermined position using a gold wire. Next, the ACF cut slightly smaller than the cap was attached to the lower surface of the cap. The length of one side of the ACF is 9 mm,
The thickness was 0.05 mm. Since ACF before curing has an appropriate viscosity, it can be easily attached to the metallized portion. Subsequently, the ACF was cured at a load of 2 kg, a heating temperature of 180 ° C., and a curing time of 20 seconds. Finally, solder balls were formed on the external connection terminals on the lower surface of the frame to complete the hollow sealed package.

【0076】以上の条件および手順によって製作した中
空封着パッケージを用いて信頼性試験を行なった結果を
以下に示す。
The results of a reliability test conducted using the hollow sealed package manufactured under the above conditions and procedures are shown below.

【0077】まず、ACF封着によるパッケージの気密
性を確認するためにグロスリーク試験を実施した。グロ
スリーク試験はフッ素系不活性液体(フロリナート
(R))中にパッケージを浸漬し、気泡の排出を確認す
ることで封着性を確認する試験である。本実施例におい
て製作した中空封着パッケージ11個を用いて気密性の
良否を判断したところ、何ら異常は検出されず全数高い
気密性が確保されていることが確認された。
First, a gross leak test was conducted to confirm the airtightness of the package by ACF sealing. The gloss leak test is a test for confirming the sealing property by immersing the package in a fluorine-based inert liquid (Fluorinert (R)) and confirming the discharge of bubbles. When the quality of the airtightness was judged using 11 hollow sealed packages manufactured in this example, no abnormality was detected and it was confirmed that a high level of airtightness was ensured.

【0078】次に、ACF封着によるパッケージの長期
信頼性試験として冷熱サイクル試験を実施した。冷熱サ
イクル試験は基板実装後のパッケージをくり返し冷熱サ
イクル環境下に晒し、試験後に封着部分の損傷の有無を
電気的導通と断面研磨観察によって確認する試験であ
る。本実施例において製作した中空封着パッケージ11
個用いて、−40℃〜+125℃の冷熱サイクル試験を
1000サイクル実施した後、まず電気的導通に異常が
無いことを確認した。次に、各試料の4辺の封着部分を
断面研磨観察したところ、冷熱サイクル試験後も封着部
分には何ら異常が発生しておらず、高い気密性が確保さ
れていることが確認できた。
Next, a thermal cycle test was carried out as a long-term reliability test of the package by ACF sealing. The thermal cycle test is a test in which the package after mounting on the substrate is repeatedly exposed to the thermal cycle environment, and after the test, the presence or absence of damage to the sealed portion is confirmed by electrical conduction and cross-section polishing observation. Hollow sealing package 11 manufactured in this embodiment
After carrying out 1000 cycles of the cooling / heating cycle test of −40 ° C. to + 125 ° C. using each piece, it was first confirmed that there was no abnormality in electrical continuity. Next, cross-section polishing observation of the sealed portion on the four sides of each sample confirmed that no abnormality occurred in the sealed portion even after the thermal cycle test, and that high airtightness was secured. It was

【0079】このように、実施の形態1における構造の
中空封着パッケージとすることにより、電磁シールド効
果を有した上で高い気密性を維持した高信頼性の中空封
着パッケージが実現されることが確認された。
As described above, by providing the hollow sealed package having the structure of the first embodiment, a highly reliable hollow sealed package having an electromagnetic shielding effect and maintaining high airtightness can be realized. Was confirmed.

【0080】(実施の形態2)図5は、本発明の実施の
形態2における中空封着パッケージのフレームとキャッ
プの接続部分の構造を説明するための概略断面図であ
る。上述の実施の形態1と同様の部分は図中同じ符号を
付し、その説明は省略する。なお、本実施の形態におけ
る中空封着パッケージは、上述の実施の形態1とほぼ同
様の構造であり、フレームパッド上にバンプが形成され
ている点のみが異なる。
(Embodiment 2) FIG. 5 is a schematic sectional view for explaining the structure of the connecting portion between the frame and the cap of the hollow sealing package according to Embodiment 2 of the present invention. The same parts as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof will be omitted. The hollow sealed package according to the present embodiment has substantially the same structure as that of the first embodiment described above, and is different only in that bumps are formed on the frame pads.

【0081】パッケージの構成部品であるキャップやフ
レームにおいては、セラミックスまたは樹脂などの絶縁
材料であるが故に、金属材料とは違ってその製造条件や
製造ロットによっては反りやねじれ、うねりなどの変形
が生じる場合がある。これを無視した場合には、フレー
ムパッドとキャップパッドとの間に空隙が生じてしま
い、パッド間で電気的導通が得られない状態(以下、オ
ープン状態という。)が生じる場合がある。
Since the cap and frame, which are the components of the package, are made of an insulating material such as ceramics or resin, they may be deformed such as warp, twist, or swell depending on the manufacturing conditions or manufacturing lot, unlike the metal material. May occur. If this is ignored, a gap may occur between the frame pad and the cap pad, and a state in which electrical continuity cannot be obtained between the pads (hereinafter referred to as an open state) may occur.

【0082】オープン状態が生じると、実施の形態1で
述べた高周波半導体素子等から発生する電磁波から導か
れる波長λdの(1/4)以下の接続ピッチを満足する
事ができなくなる。これにより、フレームとキャップの
接合部分において電磁シールドを構成することができな
くなってしまい、電磁波の漏洩を遮断するという目的が
実現できなくなってしまう。
When the open state occurs, it becomes impossible to satisfy the connection pitch of (1/4) or less of the wavelength λd introduced from the electromagnetic wave generated from the high frequency semiconductor device described in the first embodiment. As a result, the electromagnetic shield cannot be formed at the joint between the frame and the cap, and the purpose of blocking the leakage of electromagnetic waves cannot be realized.

【0083】これを避けるために本実施の形態では、図
5に示すように、封着時の荷重により変形するバンプ5
7をフレームパッド51上に形成することにより、フレ
ーム50またはキャップ60の反りやねじれ、うねりな
どによって生ずる空隙の吸収を図っている。これによ
り、キャビティ70の良好な気密性および電磁シールド
が確保され、歩留まりが向上するようになる。
In order to avoid this, in the present embodiment, as shown in FIG. 5, the bump 5 that is deformed by the load at the time of sealing is used.
By forming 7 on the frame pad 51, it is possible to absorb voids caused by warping, twisting, waviness or the like of the frame 50 or the cap 60. As a result, good airtightness and electromagnetic shield of the cavity 70 are secured, and the yield is improved.

【0084】ここで、適用可能なバンプの材質として
は、たとえば金、はんだなどの柔らかい金属材料が考え
られる。柔らかい金属材料で形成されたバンプを介して
封着することにより、キャップとフレームの距離が短い
部位のバンプはつぶれが大きく、距離が長い部位のバン
プはつぶれが小さいため、すべての領域にわたって良好
な電気的導通を維持することが可能になる。
Here, the applicable bump material may be a soft metal material such as gold or solder. By sealing through the bumps made of soft metal material, the bumps in the parts where the distance between the cap and the frame is short are large and the bumps in the parts where the distance is long are small, so that good coverage is achieved over all areas. It becomes possible to maintain electrical continuity.

【0085】この場合、硬化条件を最適化すれば、接合
部材としては必ずしも実施の形態1で用いたACFを用
いなくてもよい。通常の絶縁性の接着剤または接着フイ
ルムを用いた場合にも、硬化工程の加熱加圧時にバンプ
がパッドに接触して変形することにより、柔らかい金属
材料のバンプがフレームパッドとキャップパッドの間の
絶縁性樹脂を排除するため、導通が得られるようにな
る。ただし、絶縁性の接着剤を使用した場合には、キャ
ビティ内への接合部材の流入が懸念されるため、接着フ
ィルムを使用する方が好ましい。
In this case, if the curing conditions are optimized, the ACF used in Embodiment 1 does not necessarily have to be used as the joining member. Even when a normal insulating adhesive or adhesive film is used, the bumps made of a soft metal material may be deformed by contacting the pads during heating and pressurization in the curing process, so that the bumps between the frame pad and the cap pad may be deformed. Since the insulating resin is eliminated, conduction can be obtained. However, when an insulating adhesive is used, there is a concern that the joining member will flow into the cavity, so it is preferable to use an adhesive film.

【0086】なお、本実施の形態では、バンプをフレー
ムパッド上に形成したが、当然にキャップパッド上に形
成しても同様の効果が得られる。また、本実施の形態に
おける金バンプは1段で構成されているが、バンプを2
段以上積み重ねる多段バンプとすることにより、より大
きな反りやねじれ、うねりなどに対処する事も可能であ
る。
Although the bumps are formed on the frame pad in the present embodiment, the same effect can be obtained by forming them on the cap pad. Further, although the gold bumps in the present embodiment are configured in one step, the bumps are
Larger warpage, twisting, and swell can be dealt with by using multi-stage bumps that stack more than one stage.

【0087】(実施例2)以下、上記実施の形態2に基
づいた実施例について詳説する。なお、フレームおよび
キャップの形状および大きさは、上述の実施例1と同様
である。
Example 2 Hereinafter, an example based on the above-described Embodiment 2 will be described in detail. The shapes and sizes of the frame and the cap are the same as those in the above-described first embodiment.

【0088】本実施例ではバンプの材質を金とし、接合
前のバンプの直径を80μm、高さを40μmとした。
本実施例のキャップにはうねりがあり、その値は一辺1
0mmに対して最大30μmである。
In this embodiment, the material of the bump is gold, the diameter of the bump before joining is 80 μm, and the height is 40 μm.
The cap of this embodiment has undulations, and its value is one side 1.
The maximum is 30 μm for 0 mm.

【0089】これらの構成要素を用いて、実施例1と同
じ条件および手順にて中空封着パッケージを作製した。
ただし、金バンプを変形させるために荷重は3kgとし
た。試料作成後、電気的導通試験と断面研磨を実施した
ところ、本実施例においても接合が良好に行われている
ことが確認された。また、実施例1と同様な信頼性試験
を実施した結果、本実施例においても異常は検出されな
かった。
Using these components, a hollow sealed package was manufactured under the same conditions and procedures as in Example 1.
However, the load was 3 kg in order to deform the gold bumps. After the sample was prepared, an electrical continuity test and cross-section polishing were carried out, and it was confirmed that good bonding was performed also in this example. Further, as a result of carrying out a reliability test similar to that in Example 1, no abnormality was detected also in this example.

【0090】(実施の形態3)図6は、本発明の実施の
形態3における中空封着パッケージの構造を説明するた
めの概略断面図である。また、図7(a)は、フレーム
の接続面の形状を説明するための上面図であり、図7
(b)は、キャップの接続面の形状を説明するための下
面図である。なお、上記実施の形態1と同様の部分は図
中同じ符号を付し、その説明は省略する。
(Third Embodiment) FIG. 6 is a schematic sectional view for explaining the structure of a hollow sealed package according to a third embodiment of the present invention. FIG. 7A is a top view for explaining the shape of the connection surface of the frame.
(B) is a bottom view for explaining the shape of the connection surface of the cap. The same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof will be omitted.

【0091】(構造)まず、フレーム50とキャップ6
0の接続面の形状について説明する。図7(a)を参照
して、フレーム50の接続面は、キャビティ70となる
開口に隣接して形成された内側接続領域と、その外側に
位置する外側接続領域とに2分され、内側接続領域では
セラミックスの下地が露出しており、外側接続領域では
セラミックス基板表面にめっきによるメタライズ領域5
2が形成されている。このメタライズ領域52はフレー
ム50内部のグランド配線54に電気的に接続されてお
り、フレーム側端子電極をも兼ねている。
(Structure) First, the frame 50 and the cap 6
The shape of the connection surface of 0 will be described. With reference to FIG. 7A, the connection surface of the frame 50 is divided into an inner connection area formed adjacent to the opening to be the cavity 70 and an outer connection area located outside the inner connection area. In the area, the ceramic base is exposed, and in the outer connection area, the metallized area 5 is formed on the surface of the ceramic substrate by plating.
2 is formed. The metallized region 52 is electrically connected to the ground wiring 54 inside the frame 50 and also serves as a frame-side terminal electrode.

【0092】次に、図7(b)に示すように、キャップ
60のフレーム50の接続面に対向しない部分には、上
述の実施の形態1と同様にめっきによるメタライズ領域
62がキャビティ70の天面全面を覆うように形成され
ている。上述のフレーム60の外側接続領域に対向する
キャップ60の接続面にも、同じくめっきによる外側メ
タライズ領域63が形成されている。これらキャップ6
0下面のメタライズ領域62,63の間に位置し、上述
のフレームの内側接続領域に対向するキャップの接続面
には、交互にメタライズ領域とセラミックスの下地が露
出した非メタライズ領域とが設けられている。
Next, as shown in FIG. 7B, in a portion of the cap 60 not facing the connection surface of the frame 50, a metallized region 62 formed by plating is placed on the top of the cavity 70 as in the first embodiment. It is formed so as to cover the entire surface. An outer metallized region 63 is also formed by plating on the connection surface of the cap 60 facing the outer connection region of the frame 60. These caps 6
A metallized region and a non-metallized region where a ceramic underlayer is exposed are alternately provided on the connection surface of the cap located between the metallized regions 62 and 63 on the lower surface and facing the inner connection region of the frame. There is.

【0093】上記フレーム50とキャップ60の接合に
は、上述の実施の形態1と異なり、接合部材として非導
電性樹脂製接着フィルム40およびろう材90の2種類
が用いられる。まず、内側接続領域においては、非導電
性樹脂製接着フィルム40が使用される。この非導電性
樹脂製接着フィルム40により、フレーム50とキャッ
プ60の内側接続領域が接合される。また、外側接続領
域においては、前述の内側接続領域の接合が行なわれた
後に、ろう材90による接合が行なわれる。このろう付
けは、半田こてや加熱ツール、リフロー、レーザ溶接な
どによって実施される。なお、本実施の形態において、
キャップ60の内側接続領域において、メタライズ領域
と非メタライズ領域が交互に配設されているのは、キャ
ップ60のキャビティ70天面となるメタライズ領域6
2と、外側接続領域となる外側メタライズ領域63の電
気的接続と、非導電性樹脂製接着フィルム40による接
合力の確保の両立を図るために施されたものである。
Different from the first embodiment, two kinds of joining members, that is, the non-conductive resin adhesive film 40 and the brazing material 90, are used for joining the frame 50 and the cap 60. First, in the inner connection region, the non-conductive resin adhesive film 40 is used. The non-conductive resin adhesive film 40 joins the inner connection regions of the frame 50 and the cap 60. In the outer connecting region, the brazing material 90 is joined after the inner connecting region is joined. This brazing is performed by a soldering iron, a heating tool, reflow, laser welding, or the like. In the present embodiment,
In the inner connection region of the cap 60, the metallized region and the non-metallized region are alternately arranged because the metallized region 6 serving as the top surface of the cavity 70 of the cap 60 is disposed.
2 and the outer metallized region 63 serving as the outer connection region are electrically connected, and the bonding force by the non-conductive resin adhesive film 40 is ensured.

【0094】(作用・効果)上記構成のように、内側接
続領域において非導電性の樹脂製接着フィルムを使用し
て接着することにより、キャビティ内へのろう材の流入
が防止される。また、内側接続領域に非メタライズ領域
が形成されているため、高い接合力が確保される。さら
には、外側をろう付けすることによって樹脂フィルムの
みで接合した場合に起こり得る水分のキャビティ内への
浸入を阻止している。これにより、高い信頼性が実現さ
れた電磁シールド効果を有する中空封着パッケージを提
供することが可能となる。
(Operation / Effect) As in the above structure, the non-conductive resin adhesive film is used for adhesion in the inner connection region, so that the brazing material is prevented from flowing into the cavity. Moreover, since the non-metallized region is formed in the inner connection region, a high bonding force is secured. Further, the outside is brazed to prevent moisture from entering the cavity, which may occur when the resin film alone is used for joining. This makes it possible to provide a hollow sealed package having an electromagnetic shield effect with high reliability.

【0095】(実施例3)以下、上記実施の形態3に基
づいた実施例について説明する。なお、本実施例では、
上述の実施例1と同様の大きさのフレームおよびキャッ
プを使用して、中空封着パッケージを製作した。
Example 3 An example based on the above-described Embodiment 3 will be described below. In this example,
A hollow sealed package was manufactured using a frame and a cap having the same size as in Example 1 described above.

【0096】これらフレームおよびキャップの接合に使
用する非導電性の樹脂製接着フィルムは、一辺を8.5
mmとし、その厚さを0.05mmとした。また、ろう
付けに使用する半田として、一般的な鉛−スズ共晶半田
(37Pb−63Sn、融点183℃)を使用した。
The non-conductive resin adhesive film used for joining the frame and the cap has a side of 8.5.
mm, and the thickness was 0.05 mm. Further, as a solder used for brazing, a general lead-tin eutectic solder (37Pb-63Sn, melting point 183 ° C.) was used.

【0097】上記条件にて製作した中空封着パッケージ
を実施例1と同様の信頼性試験にかけた結果、何ら異常
は確認されなかった。また、外部からの水分の混入によ
る高周波半導体素子等の腐食が起こり得ないかを確認す
るために、121℃、100%RH、2気圧、24時間
のプレッシャークッカー試験を実施し、実施例1と同様
の検査を行ったが、この信頼性試験においても異常は検
出されず、良好な接合状態が確保されていることが確認
された。
The hollow sealed package manufactured under the above conditions was subjected to the same reliability test as in Example 1, and as a result, no abnormality was confirmed. Further, in order to confirm whether corrosion of the high-frequency semiconductor element or the like due to the mixing of moisture from the outside is unlikely to occur, a pressure cooker test was performed at 121 ° C., 100% RH, 2 atmospheric pressure for 24 hours, and the results of Example 1 and Similar tests were performed, but no abnormality was detected in this reliability test, and it was confirmed that a good bonding state was secured.

【0098】(実施の形態4)図8は、本発明の実施の
形態4における中空封着パッケージの構造を説明するた
めの概略断面図である。また、図9(a)は、フレーム
の接続面の形状を説明するための上面図であり、図9
(b)は、キャップの接続面の形状を説明するための下
面図であり、図9(c)はキャップの上面図である。な
お、上記実施の形態3と同様の部分は図中同じ符号を付
し、その説明は省略する。
(Fourth Embodiment) FIG. 8 is a schematic sectional view for explaining the structure of a hollow sealed package according to a fourth embodiment of the present invention. Further, FIG. 9A is a top view for explaining the shape of the connection surface of the frame.
9B is a bottom view for explaining the shape of the connection surface of the cap, and FIG. 9C is a top view of the cap. The same parts as those in the third embodiment are designated by the same reference numerals in the figure, and the description thereof will be omitted.

【0099】(構造)図8に示すように、本実施の形態
ではキャビティ70となるフレーム50の凹部側壁に段
差形状を施しており、この段差部分にキャップ60が嵌
め込まれる構成となっている。この嵌め込まれたキャッ
プ60とフレーム50の段差部分との接合は、非導電性
樹脂製接着フィルム40が使用される。さらにキャップ
60とフレーム50との間に生ずる上下方向の空隙に
は、パッケージ上部からろう材90が流し込まれる。
(Structure) As shown in FIG. 8, in the present embodiment, the side wall of the concave portion of the frame 50 serving as the cavity 70 is provided with a step shape, and the cap 60 is fitted in this step portion. The non-conductive resin adhesive film 40 is used to bond the fitted cap 60 to the stepped portion of the frame 50. Further, the brazing material 90 is poured from the upper part of the package into the vertical gap formed between the cap 60 and the frame 50.

【0100】図9(a)に示すように、フレーム50の
最上面には、キャップ60が嵌まり込む開口に隣接して
上面メタライズ領域58が設けられている。また、この
上面メタライズ領域58の外側は、セラミックスの露出
した非メタライズ領域となっている。段差部分には、段
差面メタライズ領域59を備えており、この段差面メタ
ライズ領域59の内側は、キャビティ70を構成する開
口となっている。
As shown in FIG. 9A, an upper surface metallized region 58 is provided on the uppermost surface of the frame 50 adjacent to the opening into which the cap 60 is fitted. The outside of the upper surface metallized region 58 is a non-metallized region where the ceramic is exposed. The step portion is provided with a step surface metallized region 59, and the inside of the step surface metallized region 59 is an opening forming a cavity 70.

【0101】図9(b)および(c)を参照して、キャ
ップ60の下面には、全面にめっきによってメタライズ
領域62が形成されており、キャップ60の上面には周
縁部分のみに周縁メタライズ領域64が形成されてい
る。
With reference to FIGS. 9B and 9C, a metallized region 62 is formed on the entire lower surface of the cap 60 by plating, and a peripheral metallized region is formed only on the peripheral portion on the upper surface of the cap 60. 64 is formed.

【0102】(作用・効果)本実施の形態では、上述の
実施の形態3に比べ、段差構造を設けることによって飛
び飛びのメタライズ領域を形成する必要がなくなってい
る。このため、より製造が容易に行なうことができ、製
造コストの削減が図られる。また、段差構造を設けてこ
の段差内にキャップを嵌め込むことにより、組付け性の
向上が図られている。
(Operation / Effect) In the present embodiment, it is not necessary to form the discrete metallized regions by providing the step structure as compared with the third embodiment. Therefore, the manufacturing can be performed more easily and the manufacturing cost can be reduced. Further, by providing a step structure and fitting a cap in the step, the assembling property is improved.

【0103】(実施例4)なお、本実施の形態4におけ
る中空封着パッケージを製作し、実施例1と同様の信頼
性試験を実施したところ、何ら異常が発生しなかったこ
とが確認されたが、その詳細な説明は繰り返しになるの
でここでは省略する。
(Example 4) A hollow sealed package according to the fourth embodiment was manufactured and a reliability test was conducted in the same manner as in Example 1. As a result, it was confirmed that no abnormality occurred. However, detailed description thereof will be omitted here because it is repeated.

【0104】(実施の形態5)図10は、本発明の実施
の形態5における中空封着パッケージの構造を説明する
ための概略断面図である。また、図11(a)は、フレ
ームの接続面の形状を説明するための上面図であり、図
11(b)は、キャップの接続面の形状を説明するため
の下面図である。本実施の形態における中空封着パッケ
ージは、上述の実施の形態3とは異なり、内側接続領域
を弾性変形可能なシール部材にて接続した場合を例示し
ている。以下においては、上述の実施の形態3と異なる
部分についてのみ説明し、同様の部分に付いては図中同
じ符号を付し、その説明は省略する。
(Fifth Embodiment) FIG. 10 is a schematic sectional view for explaining the structure of a hollow sealed package according to a fifth embodiment of the present invention. 11A is a top view for explaining the shape of the connection surface of the frame, and FIG. 11B is a bottom view for explaining the shape of the connection surface of the cap. The hollow sealed package according to the present embodiment is different from the above-described third embodiment in that the inside connection region is connected by an elastically deformable seal member. In the following, only parts different from those of the above-described third embodiment will be described, and similar parts are denoted by the same reference numerals in the drawings, and description thereof will be omitted.

【0105】(構造)まず、フレーム50とキャップ6
0の接続面の形状について説明する。図11(a)を参
照して、フレーム50の接続面は、キャビティ70とな
る開口に隣接して形成された内側接続領域と、その外側
に位置する外側接続領域とに2分され、内側接続領域で
はセラミックスの下地が露出しており、外側接続領域で
はセラミックス基板表面にめっきによるメタライズ領域
52が形成されている。また、フレーム50の接続面に
は、点列状に配設されたフレームパッド51が形成され
ている。上述のメタライズ領域52はこのフレームパッ
ド51を含み、かつ隣接するフレームパッド間に下地で
あるセラミックスが露出する領域が確保されるように、
図11(a)の如くレイアウトされている。なお、フレ
ームパッド51はフレーム50内部のグランド配線54
に接続されている。
(Structure) First, the frame 50 and the cap 6
The shape of the connection surface of 0 will be described. With reference to FIG. 11A, the connection surface of the frame 50 is divided into an inner connection region formed adjacent to the opening to be the cavity 70 and an outer connection region located outside the inner connection region. In the area, the ceramic base is exposed, and in the outer connection area, a metallized area 52 is formed by plating on the surface of the ceramic substrate. Further, on the connection surface of the frame 50, frame pads 51 arranged in a dot array are formed. The metallized region 52 includes the frame pad 51, and a region where the underlying ceramics is exposed is secured between the adjacent frame pads,
The layout is as shown in FIG. The frame pad 51 is a ground wiring 54 inside the frame 50.
It is connected to the.

【0106】次に、図11(b)に示すように、キャッ
プ60の下面のうち、フレーム50の接続面と対向しな
い部分には、上述の実施の形態3と同様にめっきによる
メタライズ領域62がキャビティ70の天面全面を覆う
ように形成されている。上述のフレーム50の外側接続
領域に対向するキャップ60の接続面にも、同じくめっ
きによる外側メタライズ領域63が形成されている。こ
れらキャップ60下面のメタライズ領域62,63の間
に位置し、上述のフレーム50の内側接続領域に対向す
るキャップ60の接続面には、交互にメタライズ領域と
セラミックスの下地が露出した非メタライズ領域とが設
けられている。この交互に配設されたメタライズ領域と
非メタライズ領域のうち、メタライズ領域は、フレーム
50のフレームパッドに対向するキャップパッド61を
構成している。
Next, as shown in FIG. 11B, in the portion of the lower surface of the cap 60 that does not face the connection surface of the frame 50, the metallized region 62 by plating is formed as in the third embodiment. It is formed so as to cover the entire top surface of the cavity 70. An outer metallized region 63 is also formed by plating on the connection surface of the cap 60 facing the outer connection region of the frame 50. The connection surface of the cap 60, which is located between the metallized regions 62 and 63 on the lower surface of the cap 60 and faces the inner connection region of the frame 50, has metallized regions and non-metallized regions in which the ceramic base is exposed alternately. Is provided. Among the metallized regions and the non-metallized regions which are alternately arranged, the metallized region constitutes a cap pad 61 facing the frame pad of the frame 50.

【0107】上記フレーム50とキャップ60の接続に
は、上述の実施の形態3とは異なり、接続部材としてシ
ール部材100およびろう材90の2種類が用いられ
る。まず、内側接続領域においては、シール部材100
が使用される。シール部材100としては、荷重が付加
されることにより圧縮変形し、フレーム50やキャップ
60の接続面に密着する弾性材料が使用される。このシ
ール部材100により、フレーム50とキャップ60の
内側接続領域が接続され、気密空間が密閉される。ま
た、シール部材100は、フレーム50やキャップ60
に反りやねじれ、うねりなどがある場合にも、弾性変形
することによってこれらを吸収する。なお、このとき圧
縮変形したシール部材100が外側にはみ出すことによ
ってフレーム50のメタライズ領域52に達するとメタ
ライズ領域52と重なる部位の接着力が低下するおそれ
がある。このため、本実施の形態においては、フレーム
パッド51間に非メタライズ領域を構成しており、これ
により接着力の低下の防止が図られている。
Unlike the above-described third embodiment, the frame 50 and the cap 60 are connected to each other by using two kinds of connecting members, a seal member 100 and a brazing material 90. First, in the inner connection region, the seal member 100
Is used. As the seal member 100, an elastic material is used that is compressed and deformed when a load is applied and is brought into close contact with the connection surfaces of the frame 50 and the cap 60. The seal member 100 connects the frame 50 and the inner connection region of the cap 60 to seal the airtight space. In addition, the seal member 100 includes the frame 50 and the cap 60.
Even if there are warps, twists, and undulations, they are absorbed by elastically deforming them. At this time, when the compression-deformed seal member 100 reaches the metallized region 52 of the frame 50 by sticking out of the seal member 100, the adhesive force at a portion overlapping the metallized region 52 may be reduced. Therefore, in the present embodiment, the non-metallized region is formed between the frame pads 51, which prevents the decrease in adhesive strength.

【0108】また、外側接続領域においては、内側接続
領域の封着が行なわれた後に、さらにキャップ60とフ
レーム50との間にパッケージ外部からろう材90を流
し込むことによってろう付けが行なわれる。このろう付
けは、半田こてや加熱ツール、リフロー、レーザ溶接な
どによって実施される。
In the outer connecting region, after the inner connecting region is sealed, brazing is performed by pouring a brazing material 90 from the outside of the package between the cap 60 and the frame 50. This brazing is performed by a soldering iron, a heating tool, reflow, laser welding, or the like.

【0109】(作用・効果)上記構成の中空封着パッケ
ージとすることにより、より高い信頼性が実現された電
磁シールド効果を有する中空封着パッケージを提供する
ことが可能になる。つまり、弾性圧縮可能なシール部材
を用いることによってキャビティ内への接合部材の流入
を防止し、さらにその外側をろう付けすることでシール
部材のみで接合した場合に起こり得る水分のキャビティ
内への浸入を阻止しつつ、高い接合力を確保している。
(Operation / Effect) By using the hollow sealed package having the above structure, it is possible to provide a hollow sealed package having an electromagnetic shield effect with higher reliability. In other words, the elastically compressible seal member is used to prevent the joining member from flowing into the cavity, and the outside of the cavity is brazed to allow moisture to enter the cavity, which would occur if the sealing member were used alone. While securing the high joint strength.

【0110】また、シール部材は外側接続領域のろう付
けが完了するまでの間、シール効果が発揮出来れば良
く、ゴム状の弾性材料などを用いることも可能である。
この場合には、必ずしも接着性を有することは必要とし
ない。ただし、弾性材料を用いる場合には、ろう材によ
る接合が完了するまでの間、外部から加圧保持等を行う
ことによって、確実にシール性を保つことが必要であ
る。
Further, it is sufficient that the sealing member has a sealing effect until brazing of the outer connecting region is completed, and a rubber-like elastic material or the like can be used.
In this case, it is not always necessary to have adhesiveness. However, in the case of using an elastic material, it is necessary to surely maintain the sealing property by performing pressure holding from the outside until the joining with the brazing material is completed.

【0111】また、非接着性のシール部材を用いる場合
には、キャップ60の内側接続領域において、接着性向
上のためのメタライズ領域と非メタライズ領域を交互に
配設する必要はなくなる。つまり、図12(a)および
図12(b)に示すように、フレーム50のメタライズ
領域52とキャップ60のメタライズ領域62とは、と
もに全面にベタに施されていても良い。この場合にはメ
タライズ領域の設計が簡単になるため、設計コストの削
減が図られる。
When a non-adhesive seal member is used, it is not necessary to alternately dispose metallized regions and non-metallized regions for improving adhesiveness in the inner connection region of the cap 60. That is, as shown in FIGS. 12A and 12B, both the metallized region 52 of the frame 50 and the metallized region 62 of the cap 60 may be solidly coated on the entire surface. In this case, the design of the metallized region is simplified, so that the design cost can be reduced.

【0112】なお、適用可能なシール部材としては、た
とえば、ろう材のろう付け温度に耐えるシリコーンゴム
等の耐熱性ゴム系材料やテフロン(R)等の弾力を有す
る耐熱性高分子材料が考えられる。また、シール部材に
粘着性をもたせることによってフレームとキャップを仮
固定することが可能となる。これにより、作業性が大幅
に向上する。この粘着性を有するシール部材としては、
導電性または絶縁性のRTV(室温硬化ゴム)や弾性を
有するエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、あるいは熱可
塑性樹脂なども使用できる。なお、ここで用いるシール
部材は導電性であっても非導電性であってもかまわない
が、静電気等の影響を排除するなら導電性であることが
望ましい。
As the applicable seal member, for example, a heat-resistant rubber material such as silicone rubber that withstands the brazing temperature of the brazing material, or a heat-resistant polymer material having elasticity such as Teflon (R) can be considered. . Further, the frame and the cap can be temporarily fixed by providing the seal member with adhesiveness. This significantly improves workability. As the sticky seal member,
A thermosetting resin such as conductive or insulating RTV (room temperature curing rubber) or elastic epoxy resin, or a thermoplastic resin can also be used. The seal member used here may be conductive or non-conductive, but is preferably conductive if the influence of static electricity or the like is eliminated.

【0113】(実施例5)以下、上記実施の形態5に基
づいた実施例について説明する。なお、本実施例では、
上述の実施例3と同様の大きさのフレームおよびキャッ
プを使用して、中空封着パッケージを製作した。
Example 5 Hereinafter, an example based on the above described fifth embodiment will be described. In this example,
A hollow sealed package was manufactured using a frame and a cap having the same size as in Example 3 described above.

【0114】フレームとキャップの封止に使用するシー
ル部材は、シリコーンゴムシートを使用し、外周の一辺
を8.5mm、内周の一辺を7.5mmとし、その厚さ
を0.2mmとした。また、ろう付けに使用する半田と
しては、一般的な鉛−スズ共晶半田(37Pb−63S
n、融点183℃)を使用した。
A silicone rubber sheet was used as the sealing member used for sealing the frame and the cap, and one side of the outer circumference was 8.5 mm, one side of the inner circumference was 7.5 mm, and the thickness thereof was 0.2 mm. . Further, as the solder used for brazing, general lead-tin eutectic solder (37Pb-63S
n, melting point 183 ° C.) was used.

【0115】本実施例においては、シール部材をフレー
ムとキャップとの接続面間に介在させ、外部治具によっ
てシール部材を加圧して圧縮変形させ、その後フレーム
とキャップとの間に生じた空隙にパッケージ外部からろ
う材を半田こてを用いて流し込むことにより、フレーム
とキャップとを接合した。
In this embodiment, the seal member is interposed between the connecting surfaces of the frame and the cap, the seal member is pressed by an external jig to be compressed and deformed, and then the gap formed between the frame and the cap is closed. The frame and the cap were joined by pouring a brazing material from the outside of the package using a soldering iron.

【0116】試料作成後、電気的導通試験と断面研磨を
実施したところ、本実施例においても接合が良好に行わ
れていることが確認された。また、実施例1と同様な信
頼性試験を実施した結果、本実施例においても異常は検
出されなかった。
After the sample was prepared, an electrical continuity test and cross-section polishing were carried out. As a result, it was confirmed that good bonding was performed also in this example. Further, as a result of carrying out a reliability test similar to that in Example 1, no abnormality was detected also in this example.

【0117】(実施の形態6)図13は、本発明の実施
の形態6における中空封着パッケージの構造を説明する
ための概略断面図である。また、図14(a)は、フレ
ームの接続面の形状を説明するための上面図であり、図
14(b)は、キャップの接続面の形状を説明するため
の下面図である。なお、上記実施の形態5と同様の部分
は図中同じ符号を付し、その説明は省略する。
(Embodiment 6) FIG. 13 is a schematic sectional view for explaining the structure of a hollow sealed package according to Embodiment 6 of the present invention. 14A is a top view for explaining the shape of the connecting surface of the frame, and FIG. 14B is a bottom view for explaining the shape of the connecting surface of the cap. The same parts as those in the fifth embodiment are designated by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof will be omitted.

【0118】(構造)図13に示すように、本実施の形
態では、キャビテイ70内に実装される2つの電子回路
のアイソレーション(電磁気的な分離)を確実に行なう
ために、キャビティ70がフレーム50に設けられた隔
壁であるリブ53によって2室に分割されている。リブ
53は、フレーム50の側壁と等しい高さに形成されて
おり、その内部にはフレーム50の側壁と同様にグラン
ド配線54が配設されている。
(Structure) As shown in FIG. 13, in this embodiment, in order to ensure the isolation (electromagnetic separation) of the two electronic circuits mounted in the cavity 70, the cavity 70 is formed into a frame. It is divided into two chambers by a rib 53, which is a partition wall provided in 50. The rib 53 is formed at the same height as the side wall of the frame 50, and the ground wiring 54 is disposed inside the rib 53, similarly to the side wall of the frame 50.

【0119】図14(a)に示すように、フレーム50
の上面のうち外周部分に相当する部分は、上述の実施の
形態5と同様に、内側接続領域である非メタライズ領域
と外側接続領域であるメタライズ領域52とを有してい
る。リブ53の上面には、セラミック基板の下地が露出
した非メタライズ領域に点列状にフレームパッド51が
配設されている。図14(b)に示すように、キャップ
60の下面のうち、リブ53に対向する領域には、交互
にメタライズ領域と非メタライズ領域とが配設されてい
る。このうちのメタライズ領域は、上述のリブ53の上
面に点列状に配設されたフレームパッド51に対向する
ように形成されている。
As shown in FIG. 14A, the frame 50
A portion of the upper surface corresponding to the outer peripheral portion has a non-metallized region which is an inner connecting region and a metallized region 52 which is an outer connecting region, as in the fifth embodiment. On the upper surface of the rib 53, frame pads 51 are arranged in a dot array in a non-metallized region where the base of the ceramic substrate is exposed. As shown in FIG. 14B, metallized regions and non-metallized regions are alternately arranged in the region of the lower surface of the cap 60 facing the rib 53. Of these, the metallized region is formed so as to face the frame pads 51 arranged in a dot array on the upper surface of the rib 53.

【0120】このリブ53の上面に配設されたフレーム
パッド51は、キャップ60のキャップパッド61を構
成するメタライズ領域に電気的に接続される必要があ
る。このため、リブ53の上面とキャップ60の下面と
の接続には、エポキシ系やシリコーン系の導電ペースト
110が使用される。
The frame pad 51 provided on the upper surface of the rib 53 needs to be electrically connected to the metallized region forming the cap pad 61 of the cap 60. Therefore, the epoxy-based or silicone-based conductive paste 110 is used to connect the upper surface of the rib 53 and the lower surface of the cap 60.

【0121】(作用・効果)上記構成のように、導電ペ
ーストを用いてリブとキャップとを接続し、シール部材
とろう材とを併用してフレームとキャップとを接続する
ことにより、外部との気密性や電磁シールド効果を確保
しつつ、キャビティ同士の気密性や電磁シールド効果を
も実現した中空封着パッケージを提供することが可能に
なる。
(Operation / Effect) As described above, by connecting the rib and the cap using the conductive paste and connecting the frame and the cap by using the seal member and the brazing material together, It is possible to provide a hollow sealed package that achieves airtightness between cavities and an electromagnetic shield effect while ensuring airtightness and an electromagnetic shield effect.

【0122】(実施例6)以下、上記実施の形態40に
基づいた実施例について説明する。なお、本実施例で
は、上述の実施例1と外形寸法が同じ大きさのフレーム
およびキャップを使用して中空封着パッケージを製作し
た。ただし、本実施例のフレームにはグランド配線を内
包するリブがあり、リブの幅は外壁と同じ1mmであ
る。
Example 6 An example based on the fortieth embodiment will be described below. In this example, a hollow sealed package was manufactured using a frame and a cap having the same outer dimensions as those of Example 1 described above. However, the frame of this embodiment has a rib that includes the ground wiring, and the width of the rib is 1 mm, which is the same as the outer wall.

【0123】これらフレームとキャップの封止には非導
電性の枠状のシリコーンゴムシートを用い、外周の一辺
を8.5mm、内周の一辺を7.5mmとし、その厚さ
を0.2mmとした。リブとキャップとを接着する導電
ペーストには封止用のシリコーン系接着剤を用いた。シ
リコーン系接着剤はシリンジでリブ上に供給し、リブか
らの盛り上がりは0.3〜0.5mmとした。位置あわ
せを行ってこれらを組付けた後に、キャップ上に5g/
mm2の荷重を与えながら加熱し硬化させた。その後、
ろう付けを行なった。なお、ろう付けに使用する半田と
しては、一般的な鉛−スズ共晶半田(37Pb−63S
n、融点183℃)を使用した。
A non-conductive frame-shaped silicone rubber sheet is used to seal the frame and the cap, one side of the outer circumference is 8.5 mm, one side of the inner circumference is 7.5 mm, and the thickness is 0.2 mm. And A silicone adhesive for sealing was used as the conductive paste for bonding the rib and the cap. The silicone adhesive was supplied onto the rib by a syringe, and the protrusion from the rib was set to 0.3 to 0.5 mm. After aligning and assembling these, 5 g /
It was heated and cured while applying a load of mm 2 . afterwards,
I brazed. As the solder used for brazing, general lead-tin eutectic solder (37Pb-63S) is used.
n, melting point 183 ° C.) was used.

【0124】こうして得られた中空封着パッケージを用
いて実施例1と同様の信頼性試験を実施したところ、何
ら異常が発生しなかったことが確認された。
A reliability test similar to that of Example 1 was conducted using the thus obtained hollow sealed package, and it was confirmed that no abnormality occurred.

【0125】(実施の形態7)図15は、本発明の実施
の形態7における中空封着パッケージの組付け構造を説
明するための分解斜視図であり、図16は、組付け後の
図16中B−B面における断面図である。また、図17
(a)は、フレーム50の接続面の形状を説明するため
の上面図であり、図17(b)は、キャップ60の接続
面の形状を説明するための下面図でる。さらに、図18
ないし図23は、本実施の形態における中空封着パッケ
ージの製造工程を示す模式図である。なお、上述の実施
の形態5と同様の部分に付いては図中同じ符号を付し、
その説明は省略する。
(Embodiment 7) FIG. 15 is an exploded perspective view for explaining an assembly structure of a hollow sealed package according to Embodiment 7 of the present invention, and FIG. It is sectional drawing in the BB plane. In addition, FIG.
17A is a top view for explaining the shape of the connection surface of the frame 50, and FIG. 17B is a bottom view for explaining the shape of the connection surface of the cap 60. Furthermore, FIG.
23 to 23 are schematic views showing the manufacturing process of the hollow sealed package in the present embodiment. The same parts as those in Embodiment 5 described above are designated by the same reference numerals in the drawings,
The description is omitted.

【0126】(構造)まず、図15および図16を参照
して、本実施の形態における中空封着パッケージの構造
について説明する。本実施の形態における中空封着パッ
ケージにあっては、フレーム50の外側面にキャスタレ
ーション120が形成されており、また、キャップ60
の外側面にもキャスタレーション130が形成されてい
る。キャスタレーションとは、セラミックリードレスパ
ッケージの一形態として広く知られた技術であり、焼成
前のグリーンシートにスルーホールを形成し、このスル
ーホールの壁面を導体材料にて被覆した後にスルーホー
ルを横断するようにグリーンシートを切断することによ
って製作される壁面配線のことである。なお、本実施の
形態においては、キャスタレーション120および13
0の壁面導体は、他の配線パターンと同じ構成のメタラ
イズによって行なわれている。
(Structure) First, the structure of the hollow sealed package in the present embodiment will be described with reference to FIGS. In the hollow sealed package according to the present embodiment, the castellation 120 is formed on the outer surface of the frame 50, and the cap 60 is formed.
A castellation 130 is also formed on the outer surface of the. Castellation is a technique widely known as a form of ceramic leadless package.Through holes are formed in a green sheet before firing, and the wall surface of the through holes is covered with a conductive material, and then the through holes are crossed. It is the wall wiring manufactured by cutting the green sheet as described above. In this embodiment, the castellations 120 and 13 are used.
The 0 wall conductor is formed by metallization having the same structure as other wiring patterns.

【0127】本実施の形態においては、図17(a)お
よび図17(b)に示すように、上述の実施の形態5と
ほぼ同様の接続面の形状を有するフレーム50およびキ
ャップ60が使用される。ただし、フレーム50および
キャップ60の外側面には、上記のキャスタレーション
120および130による窪みが複数形成されており、
この窪み表面の壁面導体が外側接続領域であるメタライ
ズ領域52および63と電気的に導通している。
In this embodiment, as shown in FIGS. 17 (a) and 17 (b), a frame 50 and a cap 60 having a connection surface shape similar to that of the above-mentioned fifth embodiment are used. It However, on the outer side surfaces of the frame 50 and the cap 60, a plurality of depressions are formed by the castellations 120 and 130,
The wall surface conductor on the surface of the depression is electrically connected to the metallized regions 52 and 63 which are the outer connection regions.

【0128】上述の実施の形態5と同様に、本実施の形
態における中空封着パッケージにおいてもフレーム50
とキャップ60の接続にシール部材100およびろう材
90が用いられる。このうち外側接続部材であるろう材
90は、フレーム50とキャップ60の外側接続領域の
みならず、キャスタレーション120および130が形
成された部位においてフレーム50とキャップ60とを
接合している。
Similar to the fifth embodiment described above, the frame 50 is also used in the hollow sealed package of the present embodiment.
The seal member 100 and the brazing material 90 are used to connect the cap 60 and the cap 60. Of these, the brazing material 90, which is the outer connecting member, joins the frame 50 and the cap 60 to each other not only in the outer connecting region of the frame 50 and the cap 60 but also in the portion where the castellations 120 and 130 are formed.

【0129】(製造方法)次に、図18ないし図23を
参照して、本実施の形態における中空封着パッケージの
製造方法の特徴部分であるキャップとフレームとの接続
工程について説明する。まず、キャスタレーション12
0を有するフレーム50と、キャスタレーション130
を有するキャップ60を準備する(図18参照)。キャ
ップ60の接続面である下面の所定位置には、予めシー
ル部材100が貼付されている。フレーム50にキャッ
プ60を組付け、さらに荷重をキャップ60に加えるこ
とにより、接続面の内側接続領域においてシール部材1
00が圧縮変形し、フレーム50とキャップ60が密着
されてキャビティ70が気密封止される。
(Manufacturing Method) Next, with reference to FIGS. 18 to 23, a process of connecting the cap and the frame, which is a characteristic part of the method of manufacturing the hollow sealed package according to the present embodiment, will be described. First, castellation 12
Frame 50 with 0 and castellation 130
The cap 60 having the is prepared (see FIG. 18). A seal member 100 is attached in advance to a predetermined position on the lower surface, which is the connection surface of the cap 60. By mounting the cap 60 on the frame 50 and applying a load to the cap 60, the seal member 1 is provided in the inner connection region of the connection surface.
00 is compressed and deformed, the frame 50 and the cap 60 are brought into close contact with each other, and the cavity 70 is hermetically sealed.

【0130】また、上記とは別に、ソルダ供給治具30
0を準備する(図19参照)。ソルダ供給治具300
は、その主面に中空封着パッケージのフレーム50がセ
ット可能となるように構成されており、その主面の所定
位置には凹部が形成されている。このソルダ供給治具3
00の主面に印刷マスク310を載せる。印刷マスク3
10はソルダ供給治具300の凹部に対応する位置に貫
通孔を有している。この印刷マスク310の上からスキ
ージ320を用いてソルダペースト90aをソルダ供給
治具300に印刷する。印刷が完了すれば印刷マスク3
10をソルダ供給治具300から取外す。以上により、
ソルダ供給治具300の凹部内および凹部上に所定量の
ソルダペースト90aが印刷される。
Separately from the above, the solder supply jig 30
0 is prepared (see FIG. 19). Solder supply jig 300
Is configured such that the frame 50 of the hollow sealed package can be set on the main surface thereof, and a recess is formed at a predetermined position on the main surface. This solder supply jig 3
The print mask 310 is placed on the main surface of the printed circuit board 00. Print mask 3
Reference numeral 10 has a through hole at a position corresponding to the recess of the solder supply jig 300. The solder paste 90a is printed on the print mask 310 using the squeegee 320 on the solder supply jig 300. Print mask 3 when printing is completed
10 is removed from the solder supply jig 300. From the above,
A predetermined amount of solder paste 90a is printed in and on the recess of the solder supply jig 300.

【0131】次に、ソルダペースト90aが印刷された
ソルダ供給治具300上に、シール部材100によって
接続されたフレーム50とキャップ60からなる中空封
着パッケージのサブアッセンブリをセットする(図20
参照)。このとき、ソルダ供給治具300に印刷された
ソルダペースト90aは、フレーム50に設けられたキ
ャスタレーション120に近接している。
Next, the sub-assembly of the hollow sealing package including the frame 50 and the cap 60 connected by the seal member 100 is set on the solder supply jig 300 on which the solder paste 90a is printed (FIG. 20).
reference). At this time, the solder paste 90 a printed on the solder supply jig 300 is close to the castellation 120 provided on the frame 50.

【0132】さらに、このサブアッセンブリがセットさ
れた状態にて熱処理を行なう。具体的にはサブアッセン
ブリがセットされた状態にてソルダ供給治具350を乾
燥炉あるいはリフロー炉、またはホットプレートなど
で、ソルダペースト90aのろう材成分の融点以上に温
度を上げる。これにより、ソルダーペースト90aのろ
う材成分が溶融し、キャスタレーション200を伝って
溶融したろう材がフレーム50の外側面を這い上がる
(図21参照)。
Further, heat treatment is carried out with the sub-assembly set. Specifically, with the sub-assembly set, the temperature of the solder supply jig 350 is raised above the melting point of the brazing filler metal component of the solder paste 90a using a drying furnace, a reflow furnace, a hot plate, or the like. As a result, the brazing filler metal component of the solder paste 90a is melted, and the brazing filler metal that has propagated through the castellation 200 creeps up on the outer surface of the frame 50 (see FIG. 21).

【0133】溶融したろう材はメタライズされた部分に
選択的に濡れ広がり、フレーム50とキャップ60との
間を満たす(図22参照)。この後、加熱を止めるとろ
う材が冷え固まり、これによってフレーム50とキャッ
プ60の接合が行なわれる(図22参照)。さらに、ソ
ルダ供給治具300からサブアッセンブリを取り外すこ
とにより、フレーム50とキャップ60との接続工程が
完了する(図23参照)。
The molten brazing material selectively wets and spreads on the metallized portion, filling the space between the frame 50 and the cap 60 (see FIG. 22). After that, when the heating is stopped, the brazing material cools and solidifies, thereby joining the frame 50 and the cap 60 (see FIG. 22). Further, by removing the sub-assembly from the solder supply jig 300, the step of connecting the frame 50 and the cap 60 is completed (see FIG. 23).

【0134】(作用・効果)上記構成のように、パッケ
ージ外側面にキャスタレーションを形成し、このキャス
タレーションが形成された部位においてフレームとキャ
ップとをろう付けすることにより、高信頼性の中空封着
パッケージを簡便に製造することが可能になる。また、
上記のようにソルダ供給治具を用いてろう付けを行なう
ことにより、簡便に効率よく高信頼性の中空封着パッケ
ージを製造することが可能になる。
(Operation / Effect) As in the above-described structure, a castellation is formed on the outer surface of the package, and the frame and the cap are brazed at the portion where the castellation is formed. It is possible to easily manufacture the wearable package. Also,
By brazing using the solder supply jig as described above, it becomes possible to easily and efficiently manufacture a highly reliable hollow sealed package.

【0135】(実施例7)以下、上記実施の形態7に基
づいた実施例について説明する。なお、本実施例では、
上述の実施例5と外形が同じ大きさのフレームおよびキ
ャップを使用して中空封着パッケージを製作した。ただ
し、フレームおよびキャップの周辺には、メタライズを
施したキャスタレーションが設けてある点が実施例5と
は異なる。
Example 7 Hereinafter, an example based on the above-described seventh embodiment will be described. In this example,
A hollow sealed package was manufactured using a frame and a cap having the same outer shape as that of the above-mentioned Example 5. However, it differs from the fifth embodiment in that metallized castellations are provided around the frame and the cap.

【0136】上記において説明した手法により、中空封
着パッケージを製作した。この試料を用いて実施例1と
同様の信頼性試験を実施したところ、何ら異常が発生し
なかったことが確認された。
A hollow sealed package was manufactured by the method described above. When a reliability test similar to that of Example 1 was performed using this sample, it was confirmed that no abnormality occurred.

【0137】(実施の形態8)図24は、本発明の実施
の形態8における中空封着パッケージの構造を説明する
ための概略断面図である。なお、上述の実施の形態7と
同様の部分については図中同じ符号を付し、その説明は
省略する。
(Embodiment 8) FIG. 24 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of a hollow sealed package according to Embodiment 8 of the present invention. The same parts as those in Embodiment 7 described above are designated by the same reference numerals in the drawings, and the description thereof will be omitted.

【0138】(構造)図24に示すように、本実施の形
態における中空封着パッケージは、上述の実施の形態7
と類似の構造ではあるが、キャップ60にはキャスタレ
ーションが無く、フレーム50にのみキャスタレーショ
ン120が形成されている。フレーム50のキャスタレ
ーション120の端部に対応する部分のキャップ60下
面には、端子電極であるメタライズ領域が形成されてい
る。このため、上述の実施の形態7と同様の接続工程に
てフレーム50とキャップ60とを接続した場合には、
フレーム50とキャップ60との間にろう材90による
フィレット91が形成される。
(Structure) As shown in FIG. 24, the hollow sealing package according to the present embodiment is the same as that of the seventh embodiment.
The cap 60 has no castellation, but the castellation 120 is formed only on the frame 50, although the structure is similar to the above. A metallized region, which is a terminal electrode, is formed on the lower surface of the cap 60 corresponding to the end of the castellation 120 of the frame 50. Therefore, when the frame 50 and the cap 60 are connected in the same connecting step as in the above-described seventh embodiment,
A fillet 91 made of a brazing material 90 is formed between the frame 50 and the cap 60.

【0139】(作用・効果)上記構造の中空封着パッケ
ージとすることにより、より高い信頼性が実現された電
磁シールド効果を有する中空封着パッケージを提供する
ことが可能になる。これは周知の如くフィレットを形成
することにより、熱履歴によって生ずる応力の緩和が可
能となるためである。上述の実施の形態7においては、
フレームのキャスタレーションとキャップのキャスタレ
ーションとが同一面上に位置しているためフィレットが
形成されないのに対し、本実施の形態ではフレームのキ
ャスタレーションとキャップのメタライズ領域とが交差
するように配置されているため、この部分においてろう
材が濡れ広がることによってフイレットが形成される。
(Operation / Effect) By using the hollow sealed package having the above structure, it is possible to provide a hollow sealed package having an electromagnetic shield effect with higher reliability. This is because, as is well known, the formation of the fillet makes it possible to relax the stress generated by the thermal history. In Embodiment 7 described above,
Since the castellation of the frame and the castellation of the cap are located on the same plane, no fillet is formed, whereas in the present embodiment, the castellation of the frame and the metallized region of the cap are arranged so as to intersect with each other. Therefore, the fillet is formed by the wetting and spreading of the brazing filler metal in this portion.

【0140】(実施例8)以下、上記実施の形態8に基
づいた実施例について説明する。なお、本実施例では、
上述の実施例7と同じフレームを使用した。キャップは
フレームよりも外形がやや大きく、幅および奥行きが1
1mmのものを使用した。
Example 8 Hereinafter, an example based on the above-mentioned Embodiment 8 will be described. In this example,
The same frame was used as in Example 7 above. The cap is slightly larger than the frame and has a width and depth of 1
The thing of 1 mm was used.

【0141】以上の部材を用いて中空封着パッケージを
製作し、実施例1と同様の信頼性試験を実施したとこ
ろ、何ら異常が発生しなかったことが確認された。
A hollow sealed package was manufactured using the above members, and a reliability test was conducted in the same manner as in Example 1. As a result, it was confirmed that no abnormality occurred.

【0142】上記実施の形態では、中空封着パッケージ
を親回路基板に実装する手段として、はんだボールを用
いる方式に関して述べたが、これ以外の手段である金属
リードや金属ピンを用いた実装方法などであっても良
い。
In the above embodiment, the method of using the solder balls as the means for mounting the hollow sealed package on the parent circuit board has been described. However, other methods such as mounting method using metal leads or metal pins are used. May be

【0143】また、上記実施の形態では、内部に実装す
る高周波半導体素子をワイヤボンディングによって実装
しているが、特にこれに制限されるものではなく、フリ
ップチップ実装などの実装技術を用いて実装してもよ
い。
Further, in the above embodiment, the high frequency semiconductor element to be mounted inside is mounted by wire bonding, but it is not particularly limited to this, and mounting is performed using a mounting technique such as flip chip mounting. May be.

【0144】さらには、上記実施の形態では、すべてセ
ラミックス製のパッケージを使用しているが、当然に樹
脂製のパッケージでも良い。また、キャップに関して
は、金属製のキャップを使用することも可能である。
Further, although in the above-mentioned embodiment, the packages made of ceramics are all used, naturally the packages made of resin may be used. As for the cap, it is also possible to use a metal cap.

【0145】また、上記実施の形態3および4において
は、内側接続部材として非導電性の樹脂製接着フィルム
を使用し、上記実施の形態5ないし8ではシール部材を
使用ているが、たとえば、上述のACFを使用してもよ
い。
In the third and fourth embodiments, the non-conductive resin adhesive film is used as the inner connecting member, and in the fifth to eighth embodiments, the seal member is used. ACF may be used.

【0146】また、上記実施の形態では、一例としてメ
タライズ領域をめっきにより形成しているが、キャップ
若しくはフレームに導体部分が形成されるならばその形
成方法は特に限定されるものではない。同じく端子電極
においても、導体材料からなるものであればどのような
ものであってもよい。
Further, in the above-mentioned embodiment, the metallized region is formed by plating as an example, but the forming method is not particularly limited as long as the conductor portion is formed on the cap or the frame. Similarly, the terminal electrode may be of any type as long as it is made of a conductive material.

【0147】このように、今回開示した上記各実施の形
態はすべての点で例示であって、制限的なものではな
い。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定
され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範
囲内でのすべての変更を含むものである。
As described above, the above-described embodiments disclosed this time are examples in all respects, and are not restrictive. The technical scope of the present invention is defined by the claims, and includes the meaning equivalent to the description of the claims and all modifications within the scope.

【0148】[0148]

【発明の効果】本発明により、キャビティ内への接合部
材の流入が防止された高信頼性の電磁シールド効果を備
えた中空封着パッケージを容易かつ安価に製造すること
が可能となる。また、シリコン製の制御素子を同時実装
した場合にも、高信頼性が確保された電磁シールド効果
を備えた中空封着パッケージを提供することが可能とな
る。
According to the present invention, it is possible to easily and inexpensively manufacture a hollow sealed package having a highly reliable electromagnetic shield effect in which the joining member is prevented from flowing into the cavity. Further, it is possible to provide a hollow sealed package having an electromagnetic shield effect that ensures high reliability even when a control element made of silicon is simultaneously mounted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1における中空封着パッ
ケージの構造を説明するための分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view for explaining a structure of a hollow sealed package according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施の形態1における中空封着パッ
ケージの構造を説明するための概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the hollow sealed package according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施の形態1における中空封着パッ
ケージのフレームの上面図およびキャップの下面図であ
る。
FIG. 3 is a top view of a frame and a bottom view of a cap of the hollow sealed package according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施の形態1における中空封着パッ
ケージのフレームとキャップの接合部分の概略断面図で
ある。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a joint portion between the frame and the cap of the hollow sealed package according to the first embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施の形態2における中空封着パッ
ケージのフレームとキャップの接合部分の概略断面図で
ある。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a joint portion between a frame and a cap of the hollow sealed package according to the second embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の実施の形態3における中空封着パッ
ケージの構造を説明するための概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the hollow sealed package according to the third embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の実施の形態3における中空封着パッ
ケージのフレームの上面図およびキャップの下面図であ
る。
FIG. 7 is a top view of a frame and a bottom view of a cap of a hollow sealed package according to a third embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の実施の形態4における中空封着パッ
ケージの構造を説明するための概略断面図である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the hollow sealed package according to the fourth embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の実施の形態4における中空封着パッ
ケージのフレームの上面図、キャップの下面図およびキ
ャップの上面図である。
9A and 9B are a top view of a frame, a bottom view of a cap, and a top view of a cap of a hollow sealed package according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の実施の形態5における中空封着パ
ッケージの構造を説明するための概略断面図である。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the hollow sealed package according to the fifth embodiment of the present invention.

【図11】 本発明の実施の形態5における中空封着パ
ッケージのフレームの上面図およびキャップの下面図で
ある。
FIG. 11 is a top view of a frame and a bottom view of a cap of a hollow sealed package according to a fifth embodiment of the present invention.

【図12】 本発明の実施の形態5における中空封着パ
ッケージの変形例におけるフレームの上面図およびキャ
ップの下面図である。
FIG. 12 is a top view of a frame and a bottom view of a cap in a modification of the hollow sealed package according to the fifth embodiment of the present invention.

【図13】 本発明の実施の形態6における中空封着パ
ッケージの構造を説明するための概略断面図である。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the hollow sealed package according to the sixth embodiment of the present invention.

【図14】 本発明の実施の形態6における中空封着パ
ッケージのフレームの上面図およびキャップの下面図で
ある。
FIG. 14 is a top view of a frame and a bottom view of a cap of a hollow sealed package according to a sixth embodiment of the present invention.

【図15】 本発明の実施の形態7における中空封着パ
ッケージの構造を説明するための分解斜視図である。
FIG. 15 is an exploded perspective view for explaining the structure of the hollow sealed package according to the seventh embodiment of the present invention.

【図16】 本発明の実施の形態7における中空封着パ
ッケージの構造を説明するための概略断面図である。
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the hollow sealed package according to the seventh embodiment of the present invention.

【図17】 本発明の実施の形態7における中空封着パ
ッケージのフレームの上面図およびキャップの下面図で
ある。
FIG. 17 is a top view of a frame and a bottom view of a cap of a hollow sealed package according to a seventh embodiment of the present invention.

【図18】 本発明の実施の形態7における中空封着パ
ッケージの製造工程を示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing a manufacturing process of the hollow sealed package according to the seventh embodiment of the present invention.

【図19】 本発明の実施の形態7における中空封着パ
ッケージの製造工程を示す図である。
FIG. 19 is a diagram showing a manufacturing process of the hollow sealed package according to the seventh embodiment of the present invention.

【図20】 本発明の実施の形態7における中空封着パ
ッケージの製造工程を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing a manufacturing process of the hollow sealed package according to the seventh embodiment of the present invention.

【図21】 本発明の実施の形態7における中空封着パ
ッケージの製造工程を示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing a manufacturing process of the hollow sealed package according to the seventh embodiment of the present invention.

【図22】 本発明の実施の形態7における中空封着パ
ッケージの製造工程を示す図である。
FIG. 22 is a diagram showing a manufacturing process of the hollow sealed package according to the seventh embodiment of the present invention.

【図23】 本発明の実施の形態7における中空封着パ
ッケージの製造工程を示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing a manufacturing process of the hollow sealed package according to the seventh embodiment of the present invention.

【図24】 本発明の実施の形態8における中空封着パ
ッケージの構造を説明するための概略断面図である。
FIG. 24 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the hollow sealed package according to the eighth embodiment of the present invention.

【図25】 従来の中空封着パッケージの一例を示す概
略断面図である。
FIG. 25 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional hollow sealed package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 高周波半導体素子、20 ボンディングワイヤ、
30 異方性導電フィルム(ACF)、31 バインダ
樹脂、32 導電フィラー、40 非導電性樹脂製接着
フィルム、50 フレーム、51 フレームパッド、5
2 (フレームの)メタライズ領域、53 リブ、54
グランド配線、55 外部接続パッド、56 半田ボ
ール、57 バンプ、58 上面メタライズ領域、59
段差面メタライズ領域、60 キャップ、61 キャ
ップパッド、62 (キャップの)メタライズ領域、6
3 外周メタライズ領域、64 周縁メタライズ領域、
70 キャビティ、80 親回路基板、81 基板パッ
ド、90 ろう材、90aソルダペースト、100 シ
ール部材、110 導電ペースト、120 (フレーム
の)キャスタレーション、130 (キャップの)キャ
スタレーション、300 ソルダ供給治具、310 印
刷マスク、320 スキージ。
10 high frequency semiconductor element, 20 bonding wire,
30 anisotropic conductive film (ACF), 31 binder resin, 32 conductive filler, 40 non-conductive resin adhesive film, 50 frame, 51 frame pad, 5
2 metallized area (of frame), 53 ribs, 54
Ground wiring, 55 external connection pad, 56 solder ball, 57 bump, 58 upper surface metallized region, 59
Step surface metallized region, 60 cap, 61 cap pad, 62 (cap's) metallized region, 6
3 outer peripheral metallized areas, 64 peripheral metallized areas,
70 cavity, 80 parent circuit board, 81 board pad, 90 brazing material, 90a solder paste, 100 sealing member, 110 conductive paste, 120 (frame) castellation, 130 (cap) castellation, 300 solder supply jig, 310 print mask, 320 squeegee.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高木 直 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 竹内 紀雄 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 池松 寛 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 濱口 恒夫 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 河嶋 康夫 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Naoki Takagi             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Norio Takeuchi             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Ikematsu             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Tsuneo Hamaguchi             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yasuo Kawashima             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd.

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 気密空間内に位置する高周波半導体素子
と、前記高周波半導体素子の外部への電気的引出しを行
なう高周波回路配線と、前記気密空間を取り囲むフレー
ムおよびキャップとを備えた中空封着パッケージであっ
て、 前記フレームと前記キャップとが異方性導電フィルムに
よって接合されていることを特徴とする、中空封着パッ
ケージ。
1. A hollow sealed package comprising a high-frequency semiconductor element located in an airtight space, high-frequency circuit wiring for electrically drawing the high-frequency semiconductor element to the outside, and a frame and a cap surrounding the airtight space. The hollow sealed package, wherein the frame and the cap are joined by an anisotropic conductive film.
【請求項2】 前記フレームおよび前記キャップの少な
くとも一方は、前記高周波半導体素子および前記高周波
回路配線から発生する電磁波を遮断するための導体部分
を有している、請求項1に記載の中空封着パッケージ。
2. The hollow sealing according to claim 1, wherein at least one of the frame and the cap has a conductor portion for blocking an electromagnetic wave generated from the high-frequency semiconductor element and the high-frequency circuit wiring. package.
【請求項3】 前記導体部分が、前記気密空間を取り囲
むように前記フレームおよび前記キャップに配置された
壁状導体であり、前記高周波半導体素子から見て全方位
に位置している、請求項2に記載の中空封着パッケー
ジ。
3. The conductor portion is a wall-shaped conductor arranged in the frame and the cap so as to surround the airtight space, and is located in all directions when viewed from the high-frequency semiconductor element. Hollow sealed package described in.
【請求項4】 少なくとも前記フレームおよび前記キャ
ップのいずれか一方は、前記気密空間を複数の空間に分
割する隔壁を備えており、前記フレームまたは前記キャ
ップと前記隔壁とが導電ペーストによって接合されてい
る、請求項1から3のいずれかに記載の中空封着パッケ
ージ。
4. At least one of the frame and the cap includes a partition wall that divides the airtight space into a plurality of spaces, and the frame or the cap and the partition wall are joined by a conductive paste. The hollow sealed package according to any one of claims 1 to 3.
【請求項5】 前記フレームの前記キャップとの接合面
には、フレーム側端子電極が形成されており、前記キャ
ップの前記フレーム側端子電極と対向する接合面には、
前記フレーム側端子電極に対応する位置にキャップ側端
子電極が形成されている、請求項1から4のいずれかに
記載の中空封着パッケージ。
5. A frame-side terminal electrode is formed on a joint surface of the frame with the cap, and a joint surface of the cap facing the frame-side terminal electrode is formed with:
The hollow sealed package according to claim 1, wherein a cap-side terminal electrode is formed at a position corresponding to the frame-side terminal electrode.
【請求項6】 前記フレーム側端子電極と前記キャップ
側端子電極のうち、少なくとも一方の端子電極上に、金
属材料からなるバンプが設けられた、請求項5に記載の
中空封着パッケージ。
6. The hollow sealed package according to claim 5, wherein a bump made of a metal material is provided on at least one of the frame-side terminal electrode and the cap-side terminal electrode.
【請求項7】 前記フレーム側端子電極と前記キャップ
側端子電極とが、それぞれ前記接合がなされる面に点列
状に設けられており、互いに隣接する前記フレーム側端
子電極の間隔はいずれも、前記高周波半導体素子および
前記高周波回路配線から発生する電磁波の波長の(1/
4)以下である、請求項5または6に記載の中空封着パ
ッケージ。
7. The frame-side terminal electrodes and the cap-side terminal electrodes are provided in a dot array on the surfaces to be joined, and the intervals between the frame-side terminal electrodes adjacent to each other are all: Of the wavelength of the electromagnetic wave generated from the high-frequency semiconductor element and the high-frequency circuit wiring (1 /
4) The hollow sealed package according to claim 5, which is:
【請求項8】 気密空間内に位置する高周波半導体素子
と、前記高周波半導体素子の外部への電気的引出しを行
なう高周波回路配線と、前記気密空間を取り囲むフレー
ムおよびキャップとを備えた中空封着パッケージであっ
て、 前記フレームと前記キャップとを接続する接続部材は、
内側に位置する内側接続部材と外側に位置する外側接続
部材とを含み、 前記内側接続部材は前記気密空間を封止するフィルムで
あり、 前記外側接続部材はろう材である、中空封着パッケー
ジ。
8. A hollow sealed package comprising a high-frequency semiconductor element located in an airtight space, high-frequency circuit wiring for electrically drawing the high-frequency semiconductor element to the outside, and a frame and a cap surrounding the airtight space. In the connection member, which connects the frame and the cap,
A hollow sealed package, comprising an inner connecting member located inside and an outer connecting member located outside, wherein the inner connecting member is a film that seals the airtight space, and the outer connecting member is a brazing material.
【請求項9】 前記フィルムは、樹脂製の接着フィルム
である、請求項8に記載の中空封着パッケージ。
9. The hollow sealed package according to claim 8, wherein the film is a resin adhesive film.
【請求項10】 前記フィルムは、圧縮変形することに
より前記フレームおよび前記キャップに密着するシール
部材である、請求項8に記載の中空封着パッケージ。
10. The hollow sealed package according to claim 8, wherein the film is a sealing member that comes into close contact with the frame and the cap by being compressed and deformed.
【請求項11】 前記フィルムは、異方性導電フィルム
である、請求項8に記載の中空封着パッケージ。
11. The hollow sealed package according to claim 8, wherein the film is an anisotropic conductive film.
【請求項12】 前記フレームおよび前記キャップの少
なくとも一方は、前記高周波半導体素子および前記高周
波回路配線から発生する電磁波を遮断するための導体部
分を有している、請求項8から11のいずれかに記載の
中空封着パッケージ。
12. The frame according to claim 8, wherein at least one of the frame and the cap has a conductor portion for blocking an electromagnetic wave generated from the high frequency semiconductor element and the high frequency circuit wiring. Hollow sealed package as described.
【請求項13】 前記導体部分が、前記気密空間を取り
囲むように前記フレームおよび前記キャップに配置され
た壁状導体であり、前記高周波半導体素子から見て全方
位に位置している、請求項8から12のいずれかに記載
の中空封着パッケージ。
13. The conductor part is a wall-shaped conductor arranged in the frame and the cap so as to surround the airtight space, and is located in all directions when viewed from the high-frequency semiconductor element. 13. The hollow sealed package according to any one of 1 to 12.
【請求項14】 少なくとも前記フレームおよび前記キ
ャップのいずれか一方は、前記気密空間を複数の空間に
分割する隔壁を備えており、前記フレームまたは前記キ
ャップと前記隔壁とが導電ペーストによって接合されて
いる、請求項8から13のいずれかに記載の中空封着パ
ッケージ。
14. At least one of the frame and the cap has a partition wall that divides the airtight space into a plurality of spaces, and the frame or the cap and the partition wall are joined by a conductive paste. The hollow sealed package according to any one of claims 8 to 13.
【請求項15】 前記フレームと前記キャップとを含む
当該パッケージ側面において、少なくとも前記フレーム
および前記キャップのいずれか一方にキャスタレーショ
ンが形成されており、このキャスタレーションが形成さ
れた部位において前記フレームと前記キャップとがろう
付けにて接合されている、請求項8から14のいずれか
に記載の中空封着パッケージ。
15. A castellation is formed on at least one of the frame and the cap on a side surface of the package including the frame and the cap, and the frame and the cap are formed at a portion where the castellation is formed. The hollow sealed package according to any one of claims 8 to 14, which is brazed to the cap.
【請求項16】 前記フレームと前記キャップとを含む
当該パッケージ側面において、前記フレームおよび前記
キャップのいずれか一方にキャスタレーションが形成さ
れており、他方に前記キャスタレーションの端部と対面
する端子電極が形成されており、前記キャスタレーショ
ンと前記端子電極との間にろう材のフィレットが形成さ
れている、請求項15に記載の中空封着パッケージ。
16. On a side surface of the package including the frame and the cap, a castellation is formed on one of the frame and the cap, and a terminal electrode facing the end of the castellation is formed on the other side. 16. The hollow sealed package according to claim 15, which is formed and has a fillet of a brazing material formed between the castellation and the terminal electrode.
【請求項17】 気密空間内に位置する高周波半導体素
子と、前記高周波半導体素子の外部への電気的引出しを
行なう高周波回路配線と、前記気密空間を取り囲むフレ
ームおよびキャップとを備えた中空封着パッケージの製
造方法であって、 前記フレームと前記キャップとの接続部位のうち、前記
気密空間に隣接する部分にシール部材を介挿する工程
と、 前記シール部材を圧縮変形させることにより、前記シー
ル部材を前記フレームおよび前記キャップに密着させる
工程と、 前記シール部材を圧縮変形させた状態にて、前記フレー
ムと前記キャップとをろう付けにて接合する工程とを備
えた、中空封着パッケージの製造方法。
17. A hollow sealed package including a high-frequency semiconductor element located in an airtight space, high-frequency circuit wiring for electrically drawing the high-frequency semiconductor element to the outside, and a frame and a cap surrounding the airtight space. A step of inserting a seal member into a portion adjacent to the airtight space, of the connection portion between the frame and the cap, and compressing and deforming the seal member to form the seal member. A method of manufacturing a hollow sealed package, comprising: a step of bringing the frame and the cap into close contact with each other; and a step of brazing the frame and the cap to each other while the seal member is compressed and deformed.
【請求項18】 気密空間内に位置する高周波半導体素
子と、前記高周波半導体素子の外部への電気的引出しを
行なう高周波回路配線と、前記気密空間を取り囲むフレ
ームおよびキャップとを備え、前記フレームおよび前記
キャップの少なくともいずれか一方の外側面にキャスタ
レーションが形成されており、少なくとも前記キャスタ
レーションを含む部分において前記フレームと前記キャ
ップとがろう付けにて接合されてなる中空封着パッケー
ジの製造方法であって、 前記フレームと前記キャップとの接合が、溶融前のろう
材を前記キャスタレーションの下方に近接配置し、熱処
理を施すことによって前記ろう材を溶融させ、溶融した
前記ろう材が前記キャスタレーションに接して上がるこ
とにより前記フレームと前記キャップとの接続部位にま
で達することによって行なわれる、中空封着パッケージ
の製造方法。
18. A high-frequency semiconductor element located in an airtight space, a high-frequency circuit wiring for electrically pulling out the high-frequency semiconductor element to the outside, and a frame and a cap surrounding the airtight space. A method of manufacturing a hollow sealed package, wherein castellation is formed on the outer surface of at least one of the caps, and the frame and the cap are joined by brazing at least at a portion including the castellation. Then, the frame and the cap are joined to each other by disposing the brazing filler metal before melting close to the castellation and subjecting the brazing filler metal to a heat treatment to melt the brazing filler metal to the castellation. Connecting part between the frame and the cap by coming up in contact It performed the method of manufacturing a hollow sealing packages by reaching the.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253168A (en) * 2005-03-08 2006-09-21 Tdk Corp Substrate having built-in semiconductor ic
JP2007335496A (en) * 2006-06-13 2007-12-27 Nec Corp Shielding apparatus of lsi, shielding method of lsi, and lsi package
US7679181B2 (en) 2007-06-15 2010-03-16 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JP2016178221A (en) * 2015-03-20 2016-10-06 三菱電機株式会社 Microwave device
WO2017172119A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Intel Corporation Integrated circuit package having integrated emi shield
CN107324274A (en) * 2017-07-13 2017-11-07 中国工程物理研究院电子工程研究所 The package carrier three-dimensionally integrated for SIP
US10497731B2 (en) 2017-02-14 2019-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device
US10510726B2 (en) 2017-08-28 2019-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor package
US10811391B2 (en) 2018-03-13 2020-10-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6084718A (en) * 1983-10-14 1985-05-14 日立化成工業株式会社 Conductive anisotropic adhesive sheet
JPH06112351A (en) * 1992-09-28 1994-04-22 Mitsubishi Electric Corp Microwave package
JPH10112517A (en) * 1996-10-03 1998-04-28 Ngk Spark Plug Co Ltd Electronic components housing package
JP2000195339A (en) * 1998-12-25 2000-07-14 Sony Chem Corp Anisotropic conductive adhesive film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6084718A (en) * 1983-10-14 1985-05-14 日立化成工業株式会社 Conductive anisotropic adhesive sheet
JPH06112351A (en) * 1992-09-28 1994-04-22 Mitsubishi Electric Corp Microwave package
JPH10112517A (en) * 1996-10-03 1998-04-28 Ngk Spark Plug Co Ltd Electronic components housing package
JP2000195339A (en) * 1998-12-25 2000-07-14 Sony Chem Corp Anisotropic conductive adhesive film

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253168A (en) * 2005-03-08 2006-09-21 Tdk Corp Substrate having built-in semiconductor ic
JP4595593B2 (en) * 2005-03-08 2010-12-08 Tdk株式会社 Semiconductor IC built-in substrate
JP2007335496A (en) * 2006-06-13 2007-12-27 Nec Corp Shielding apparatus of lsi, shielding method of lsi, and lsi package
US7679181B2 (en) 2007-06-15 2010-03-16 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JP2016178221A (en) * 2015-03-20 2016-10-06 三菱電機株式会社 Microwave device
WO2017172119A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Intel Corporation Integrated circuit package having integrated emi shield
TWI757267B (en) * 2016-04-01 2022-03-11 美商英特爾公司 Integrated circuit package having integrated emi shield
US10497731B2 (en) 2017-02-14 2019-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device
CN107324274A (en) * 2017-07-13 2017-11-07 中国工程物理研究院电子工程研究所 The package carrier three-dimensionally integrated for SIP
CN107324274B (en) * 2017-07-13 2024-04-05 中国工程物理研究院电子工程研究所 Encapsulation carrier for SIP three-dimensional integration
US10510726B2 (en) 2017-08-28 2019-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor package
US10811391B2 (en) 2018-03-13 2020-10-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

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