JP2003142582A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、ダブルデンシティ構造のヒューズ回
路において、ブロウするヒューズ配線に隣接するヒュー
ズ配線へのレーザビームによるダメージを回避できるよ
うにすることを最も主要な特徴としている。 【解決手段】たとえば、ラッチ回路１１ａ，１１ｃに
は、第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｃを接続する。ラ
ッチ回路１１ｂ，１１ｄには、上記第１のヒューズ配線
１２ａ，１２ｃよりも下層の第２のヒューズ配線１３
ａ，１３ｂを接続する。そして、この第２のヒューズ配
線１３ａ，１３ｂの上層に、ＴＥＯＳ膜１８を介して、
カバーパターン２０ｂ，２０ｄを設けてなる構成となっ
ている。
路において、ブロウするヒューズ配線に隣接するヒュー
ズ配線へのレーザビームによるダメージを回避できるよ
うにすることを最も主要な特徴としている。 【解決手段】たとえば、ラッチ回路１１ａ，１１ｃに
は、第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｃを接続する。ラ
ッチ回路１１ｂ，１１ｄには、上記第１のヒューズ配線
１２ａ，１２ｃよりも下層の第２のヒューズ配線１３
ａ，１３ｂを接続する。そして、この第２のヒューズ配
線１３ａ，１３ｂの上層に、ＴＥＯＳ膜１８を介して、
カバーパターン２０ｂ，２０ｄを設けてなる構成となっ
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置に関
するもので、特に、ＤＲＡＭ（ＤｙｎａｍｉｃＲａｎｄ
ｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などに用いられる
ヒューズ（Ｆｕｓｅ）回路に関する。
するもので、特に、ＤＲＡＭ（ＤｙｎａｍｉｃＲａｎｄ
ｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などに用いられる
ヒューズ（Ｆｕｓｅ）回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＤＲＡＭには、レーザビームによ
りブロウされるヒューズ回路が設けられている。
りブロウされるヒューズ回路が設けられている。
【０００３】図８は、ＤＲＡＭのラッチ（Ｌａｔｃｈ）
回路に設けられたヒューズ回路を例に示すものである。
なお、ここではダブルデンシティ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｄｅ
ｎｓｉｔｙ）構造のヒューズ回路について説明する。ま
た、同図（ａ）は内部を透過して示す平面図であり、同
図（ｂ）は図（ａ）の８Ｂ−８Ｂ線に沿う断面図であ
る。
回路に設けられたヒューズ回路を例に示すものである。
なお、ここではダブルデンシティ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｄｅ
ｎｓｉｔｙ）構造のヒューズ回路について説明する。ま
た、同図（ａ）は内部を透過して示す平面図であり、同
図（ｂ）は図（ａ）の８Ｂ−８Ｂ線に沿う断面図であ
る。
【０００４】図において、ラッチ回路１ａ，１ｂ，１
ｃ，１ｄ，・・・のうち、たとえば、ラッチ回路１ａ，
１ｃには、第２メタル層（Ｍ１）２からなる第１のヒュ
ーズ配線（たとえば、ＡｌＣｕ）２ａ，２ｂがそれぞれ
接続されている。ラッチ回路１ｂ，１ｄには、第２メタ
ル層２よりも下層の第１メタル層（リターンパス（Ｍ
０））３からなる第２のヒューズ配線３ａ，３ｂがそれ
ぞれ接続されている。
ｃ，１ｄ，・・・のうち、たとえば、ラッチ回路１ａ，
１ｃには、第２メタル層（Ｍ１）２からなる第１のヒュ
ーズ配線（たとえば、ＡｌＣｕ）２ａ，２ｂがそれぞれ
接続されている。ラッチ回路１ｂ，１ｄには、第２メタ
ル層２よりも下層の第１メタル層（リターンパス（Ｍ
０））３からなる第２のヒューズ配線３ａ，３ｂがそれ
ぞれ接続されている。
【０００５】上記ラッチ回路１ａ，１ｃは、第１のヒュ
ーズ配線２ａ，２ｂがブロウされているか否かの結果を
それぞれに保持するためのものであり、上記ラッチ回路
１ｂ，１ｄは、第２のヒューズ配線３ａ，３ｂがブロウ
されているか否かの結果をそれぞれに保持するためのも
のである。
ーズ配線２ａ，２ｂがブロウされているか否かの結果を
それぞれに保持するためのものであり、上記ラッチ回路
１ｂ，１ｄは、第２のヒューズ配線３ａ，３ｂがブロウ
されているか否かの結果をそれぞれに保持するためのも
のである。
【０００６】第１のヒューズ配線２ａ，２ｂは、コンタ
クト４ａａ，４ａｂをそれぞれ介して、第３メタル層
（Ｍ２）からなるバスライン（ＧＮＤ）５に接続されて
いる。第１のヒューズ配線２ａ，２ｂは、ヒューズ開口
エリア６内において、レーザビーム７ａ，７ｂの照射に
よりブロウされる。すなわち、第１のヒューズ配線２
ａ，２ｂは、ラッチ回路１ａ，１ｃのヒューズ素子とな
っている。ラッチ回路１ａ，１ｃのヒューズ素子の場
合、上記第１のヒューズ配線２ａ，２ｂに、それぞれ、
レーザビーム７ａ，７ｂによるブロウ位置が設けられて
いる。
クト４ａａ，４ａｂをそれぞれ介して、第３メタル層
（Ｍ２）からなるバスライン（ＧＮＤ）５に接続されて
いる。第１のヒューズ配線２ａ，２ｂは、ヒューズ開口
エリア６内において、レーザビーム７ａ，７ｂの照射に
よりブロウされる。すなわち、第１のヒューズ配線２
ａ，２ｂは、ラッチ回路１ａ，１ｃのヒューズ素子とな
っている。ラッチ回路１ａ，１ｃのヒューズ素子の場
合、上記第１のヒューズ配線２ａ，２ｂに、それぞれ、
レーザビーム７ａ，７ｂによるブロウ位置が設けられて
いる。
【０００７】一方、第２のヒューズ配線３ａ，３ｂは、
コンタクト４ｂａ，４ｂｂをそれぞれ介して、上記第１
のヒューズ配線２ａ，２ｂと同層の第２メタル層２，２
と接続されている。各第２メタル層２，２は、コンタク
ト４ｃａ，４ｃｂをそれぞれ介して、上記バスライン５
に接続されている。このバスライン５に接続された第２
メタル層２，２は、ヒューズ開口エリア６内において、
レーザビーム７ｃ，７ｄの照射によりブロウされる。
コンタクト４ｂａ，４ｂｂをそれぞれ介して、上記第１
のヒューズ配線２ａ，２ｂと同層の第２メタル層２，２
と接続されている。各第２メタル層２，２は、コンタク
ト４ｃａ，４ｃｂをそれぞれ介して、上記バスライン５
に接続されている。このバスライン５に接続された第２
メタル層２，２は、ヒューズ開口エリア６内において、
レーザビーム７ｃ，７ｄの照射によりブロウされる。
【０００８】すなわち、第２のヒューズ配線３ａ，３ｂ
と各第２のヒューズ配線３ａ，３ｂにそれぞれつながる
第２メタル層２，２とによって、ラッチ回路１ｂ，１ｄ
のヒューズ素子が形成されている。そして、ラッチ回路
１ｂ，１ｄのヒューズ素子は、第２メタル層２，２に、
レーザビーム７ｃ，７ｄによるブロウ位置が設けられて
いる。
と各第２のヒューズ配線３ａ，３ｂにそれぞれつながる
第２メタル層２，２とによって、ラッチ回路１ｂ，１ｄ
のヒューズ素子が形成されている。そして、ラッチ回路
１ｂ，１ｄのヒューズ素子は、第２メタル層２，２に、
レーザビーム７ｃ，７ｄによるブロウ位置が設けられて
いる。
【０００９】なお、第１のヒューズ配線２ａ，２ｂおよ
び第２のヒューズ配線３ａ，３ｂは、たとえば、ＴＥＯ
Ｓ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）膜８に
よって相互に絶縁されている。
び第２のヒューズ配線３ａ，３ｂは、たとえば、ＴＥＯ
Ｓ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）膜８に
よって相互に絶縁されている。
【００１０】上記したダブルデンシティ構造において、
第１のヒューズ配線２ａ，２ｂおよび第２のヒューズ配
線３ａ，３ｂのピッチは、近年、１．８μｍ程度にまで
縮小されてきている。
第１のヒューズ配線２ａ，２ｂおよび第２のヒューズ配
線３ａ，３ｂのピッチは、近年、１．８μｍ程度にまで
縮小されてきている。
【００１１】これに対し、ヒューズブロウには、通常、
１０２３μｍの波長（λ）を有するレーザビーム７ａ，
７ｂ，７ｃ，７ｄが用いられている。このブロウ時にお
けるレーザビーム７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄのビーム出力
は、０．２５〜０．５μＪ程度となっている。また、レ
ーザビーム７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄの実効的な照射径は
２．８〜３．０μｍと、ほぼ限界近くまで絞り込まれて
いる。
１０２３μｍの波長（λ）を有するレーザビーム７ａ，
７ｂ，７ｃ，７ｄが用いられている。このブロウ時にお
けるレーザビーム７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄのビーム出力
は、０．２５〜０．５μＪ程度となっている。また、レ
ーザビーム７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄの実効的な照射径は
２．８〜３．０μｍと、ほぼ限界近くまで絞り込まれて
いる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】このような状況におい
ては、レーザビームの照射位置のずれが大きな問題とな
ってくる。すなわち、ヒューズをブロウする際には、レ
ーザビームの干渉やレーザ装置の合わせずれなどによ
り、ビームの照射位置が微妙にずれる場合がある。たと
えば図９（ａ），（ｂ）に示すように、第１のヒューズ
配線２ａをブロウするためのレーザビーム７ａが、隣接
する第２のヒューズ配線３ａの方へずれたとする。この
場合、第２のヒューズ配線３ａへのダメージが懸念され
る。特に、ラッチ回路１ｂをオープンさせるようなダメ
ージを第２のヒューズ配線３ａに与える場合には、ラッ
チ回路１ｂの誤動作を引き起こすなどの深刻な問題とな
る。
ては、レーザビームの照射位置のずれが大きな問題とな
ってくる。すなわち、ヒューズをブロウする際には、レ
ーザビームの干渉やレーザ装置の合わせずれなどによ
り、ビームの照射位置が微妙にずれる場合がある。たと
えば図９（ａ），（ｂ）に示すように、第１のヒューズ
配線２ａをブロウするためのレーザビーム７ａが、隣接
する第２のヒューズ配線３ａの方へずれたとする。この
場合、第２のヒューズ配線３ａへのダメージが懸念され
る。特に、ラッチ回路１ｂをオープンさせるようなダメ
ージを第２のヒューズ配線３ａに与える場合には、ラッ
チ回路１ｂの誤動作を引き起こすなどの深刻な問題とな
る。
【００１３】なお、図９には示していないが、第１のヒ
ューズ配線２ｂをブロウする場合において、レーザビー
ム７ｂが、隣接する第２のヒューズ配線３ｂの方へずれ
た際にも同様の問題がある。また、第１のヒューズ配線
２ｂをブロウするためのレーザビーム７ｂが、隣接する
第２のヒューズ配線３ａの方へずれた場合や、第２のヒ
ューズ配線３ｂをブロウするためのレーザビーム７ｄ
が、隣接する第２のヒューズ配線３ａの方へずれた場合
においても、同様の問題がある。
ューズ配線２ｂをブロウする場合において、レーザビー
ム７ｂが、隣接する第２のヒューズ配線３ｂの方へずれ
た際にも同様の問題がある。また、第１のヒューズ配線
２ｂをブロウするためのレーザビーム７ｂが、隣接する
第２のヒューズ配線３ａの方へずれた場合や、第２のヒ
ューズ配線３ｂをブロウするためのレーザビーム７ｄ
が、隣接する第２のヒューズ配線３ａの方へずれた場合
においても、同様の問題がある。
【００１４】そこで、この発明は、レーザビームの照射
を選択的に遮ることができ、ヒューズブロウ時の、隣接
するヒューズ配線へのダメージを回避することが可能な
半導体装置を提供することを目的としている。
を選択的に遮ることができ、ヒューズブロウ時の、隣接
するヒューズ配線へのダメージを回避することが可能な
半導体装置を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置は、複数の回路素子にそれ
ぞれ接続された複数のヒューズ配線と、前記複数のヒュ
ーズ配線とは異なる層の配線によって形成された、前記
ヒューズ配線をブロウする際のレーザビームによる、隣
接するヒューズ配線へのダメージを回避するための遮蔽
層とを具備したことを特徴とする。
めに、この発明の半導体装置は、複数の回路素子にそれ
ぞれ接続された複数のヒューズ配線と、前記複数のヒュ
ーズ配線とは異なる層の配線によって形成された、前記
ヒューズ配線をブロウする際のレーザビームによる、隣
接するヒューズ配線へのダメージを回避するための遮蔽
層とを具備したことを特徴とする。
【００１６】また、この発明の半導体装置にあっては、
レーザビームによりブロウされるブロウ位置をそれぞれ
に有し、互いに平行に設けられた複数の第１の配線と、
前記複数の第１の配線の相互間の、少なくとも前記ブロ
ウ位置に対応する位置にそれぞれ設けられ、前記複数の
第１の配線よりも上層のメタル配線を用いて形成される
第２の配線とを具備したことを特徴とする。
レーザビームによりブロウされるブロウ位置をそれぞれ
に有し、互いに平行に設けられた複数の第１の配線と、
前記複数の第１の配線の相互間の、少なくとも前記ブロ
ウ位置に対応する位置にそれぞれ設けられ、前記複数の
第１の配線よりも上層のメタル配線を用いて形成される
第２の配線とを具備したことを特徴とする。
【００１７】さらに、この発明の半導体装置にあって
は、複数の回路素子にそれぞれ接続され、互いに平行に
配置された複数の第１のヒューズ配線と、複数の回路素
子にそれぞれ接続され、前記複数の第１のヒューズ配線
の相互間に配置された、前記複数の第１のヒューズ配線
よりも下層の配線からなる複数の第２のヒューズ配線
と、前記複数の第２のヒューズ配線の上方にそれぞれ配
置され、第１のヒューズ配線をブロウする際のレーザビ
ームによる、隣接する第２のヒューズ配線へのダメージ
を回避するための遮蔽層とを具備したことを特徴とす
る。
は、複数の回路素子にそれぞれ接続され、互いに平行に
配置された複数の第１のヒューズ配線と、複数の回路素
子にそれぞれ接続され、前記複数の第１のヒューズ配線
の相互間に配置された、前記複数の第１のヒューズ配線
よりも下層の配線からなる複数の第２のヒューズ配線
と、前記複数の第２のヒューズ配線の上方にそれぞれ配
置され、第１のヒューズ配線をブロウする際のレーザビ
ームによる、隣接する第２のヒューズ配線へのダメージ
を回避するための遮蔽層とを具備したことを特徴とす
る。
【００１８】この発明の半導体装置によれば、ブロウす
るヒューズ配線以外のヒューズ配線へのレーザビームの
照射を阻止できるようになる。これにより、レーザビー
ムの照射位置がずれたとしても、ブロウすべきヒューズ
配線だけを確実にブロウさせることが可能となるもので
ある。
るヒューズ配線以外のヒューズ配線へのレーザビームの
照射を阻止できるようになる。これにより、レーザビー
ムの照射位置がずれたとしても、ブロウすべきヒューズ
配線だけを確実にブロウさせることが可能となるもので
ある。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００２０】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態にかかるヒューズ回路の構成例を示すもので
ある。なお、ここではダブルデンシティ（Ｄｏｕｂｌｅ
Ｄｅｎｓｉｔｙ）構造のヒューズ回路を例に、ＤＲＡ
Ｍのラッチ（Ｌａｔｃｈ）回路に適用した場合について
説明する。また、同図（ａ）は内部を透過して示す平面
図であり、同図（ｂ）は図（ａ）の１Ｂ−１Ｂ線に沿う
断面図である。
の実施形態にかかるヒューズ回路の構成例を示すもので
ある。なお、ここではダブルデンシティ（Ｄｏｕｂｌｅ
Ｄｅｎｓｉｔｙ）構造のヒューズ回路を例に、ＤＲＡ
Ｍのラッチ（Ｌａｔｃｈ）回路に適用した場合について
説明する。また、同図（ａ）は内部を透過して示す平面
図であり、同図（ｂ）は図（ａ）の１Ｂ−１Ｂ線に沿う
断面図である。
【００２１】図に示すように、ＤＲＡＭには、たとえ
ば、複数のラッチ回路（回路素子）１１ａ，１１ｂ，１
１ｃ，１１ｄ，・・・が設けられている。ラッチ回路１
１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄのうち、ラッチ回路１１
ａ，１１ｃには、第２メタル層（Ｍ１）１２からなる第
１のヒューズ配線（たとえば、ＡｌＣｕ）１２ａ，１２
ｂがそれぞれ接続されている。また、ラッチ回路１１
ｂ，１１ｄには、第２メタル層１２よりも下層の第１メ
タル層（リターンパス（Ｍ０））１３からなる第２のヒ
ューズ配線１３ａ，１３ｂがそれぞれ接続されている。
ば、複数のラッチ回路（回路素子）１１ａ，１１ｂ，１
１ｃ，１１ｄ，・・・が設けられている。ラッチ回路１
１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄのうち、ラッチ回路１１
ａ，１１ｃには、第２メタル層（Ｍ１）１２からなる第
１のヒューズ配線（たとえば、ＡｌＣｕ）１２ａ，１２
ｂがそれぞれ接続されている。また、ラッチ回路１１
ｂ，１１ｄには、第２メタル層１２よりも下層の第１メ
タル層（リターンパス（Ｍ０））１３からなる第２のヒ
ューズ配線１３ａ，１３ｂがそれぞれ接続されている。
【００２２】上記第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂお
よび第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂは、約１．８μ
ｍのピッチで、互いに平行に設けられている。
よび第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂは、約１．８μ
ｍのピッチで、互いに平行に設けられている。
【００２３】ここで、上記ラッチ回路１１ａ，１１ｃ
は、第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂがブロウされて
いるか否かの結果をそれぞれに保持するためのものであ
り、上記ラッチ回路１１ｂ，１１ｄは、第２のヒューズ
配線１３ａ，１３ｂがブロウされているか否かの結果を
それぞれに保持するためのものである。
は、第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂがブロウされて
いるか否かの結果をそれぞれに保持するためのものであ
り、上記ラッチ回路１１ｂ，１１ｄは、第２のヒューズ
配線１３ａ，１３ｂがブロウされているか否かの結果を
それぞれに保持するためのものである。
【００２４】第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂは、コ
ンタクト１４ａａ，１４ａｂをそれぞれ介して、第３メ
タル層（Ｍ２）からなる接地線としてのバスライン（Ｇ
ＮＤ）１５に接続されている。第１のヒューズ配線１２
ａ，１２ｂは、ヒューズ開口エリア１６内において、レ
ーザビーム１７の照射によりブロウされる。
ンタクト１４ａａ，１４ａｂをそれぞれ介して、第３メ
タル層（Ｍ２）からなる接地線としてのバスライン（Ｇ
ＮＤ）１５に接続されている。第１のヒューズ配線１２
ａ，１２ｂは、ヒューズ開口エリア１６内において、レ
ーザビーム１７の照射によりブロウされる。
【００２５】すなわち、第１のヒューズ配線１２ａ，１
２ｂは、ラッチ回路１１ａ，１１ｃのヒューズ素子とな
っている。たとえば、ラッチ回路１１ａ，１１ｃのヒュ
ーズ素子の場合、レーザビーム１７の照射位置１７ａ，
１７ｂにて、それぞれブロウされる（つまり、レーザビ
ーム１７の照射位置１７ａ，１７ｂが、それぞれ、第１
のヒューズ配線１２ａ，１２ｂのブロウ位置となってい
る）。
２ｂは、ラッチ回路１１ａ，１１ｃのヒューズ素子とな
っている。たとえば、ラッチ回路１１ａ，１１ｃのヒュ
ーズ素子の場合、レーザビーム１７の照射位置１７ａ，
１７ｂにて、それぞれブロウされる（つまり、レーザビ
ーム１７の照射位置１７ａ，１７ｂが、それぞれ、第１
のヒューズ配線１２ａ，１２ｂのブロウ位置となってい
る）。
【００２６】一方、第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂ
は、コンタクト１４ｂａ，１４ｂｂをそれぞれ介して、
上記第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂと同層の第２メ
タル層１２，１２と接続されている。この第２メタル層
１２，１２は、上記第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂ
の延長線上に位置し、コンタクト１４ｃａ，１４ｃｂを
それぞれ介して、上記バスライン１５に接続されてい
る。このバスライン１５に接続された第２メタル層１
２，１２は、ヒューズ開口エリア１６内において、レー
ザビーム１７の照射によりブロウされる。
は、コンタクト１４ｂａ，１４ｂｂをそれぞれ介して、
上記第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂと同層の第２メ
タル層１２，１２と接続されている。この第２メタル層
１２，１２は、上記第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂ
の延長線上に位置し、コンタクト１４ｃａ，１４ｃｂを
それぞれ介して、上記バスライン１５に接続されてい
る。このバスライン１５に接続された第２メタル層１
２，１２は、ヒューズ開口エリア１６内において、レー
ザビーム１７の照射によりブロウされる。
【００２７】すなわち、第２のヒューズ配線１３ａ，１
３ｂと各第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂにそれぞれ
つながる第２メタル層１２，１２とによって、ラッチ回
路１１ｂ，１１ｄのヒューズ素子が形成されている。そ
して、ラッチ回路１１ｂ，１１ｄのヒューズ素子は、第
２メタル層１２，１２に、レーザビーム１７によるブロ
ウ位置がそれぞれ設けられている（たとえば、ラッチ回
路１１ｂ，１１ｄのヒューズ素子は、レーザビーム１７
の照射位置１７ｃ，１７ｄである、第２メタル層１２，
１２の位置でそれぞれオープンになる）。
３ｂと各第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂにそれぞれ
つながる第２メタル層１２，１２とによって、ラッチ回
路１１ｂ，１１ｄのヒューズ素子が形成されている。そ
して、ラッチ回路１１ｂ，１１ｄのヒューズ素子は、第
２メタル層１２，１２に、レーザビーム１７によるブロ
ウ位置がそれぞれ設けられている（たとえば、ラッチ回
路１１ｂ，１１ｄのヒューズ素子は、レーザビーム１７
の照射位置１７ｃ，１７ｄである、第２メタル層１２，
１２の位置でそれぞれオープンになる）。
【００２８】なお、第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂ
および第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂは、たとえ
ば、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎ
ｅ）膜１８によって相互に絶縁されている。
および第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂは、たとえ
ば、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎ
ｅ）膜１８によって相互に絶縁されている。
【００２９】ここで、ヒューズブロウには、従来と同様
に、１０２３μｍの波長（λ）を有するレーザビーム１
７が用いられる。このブロウ時におけるレーザビーム１
７のビーム出力は、０．２５〜０．５μＪ程度となって
いる。また、レーザビーム１７の実効的な照射径は２．
８〜３．０μｍと、ほぼ限界近くまで絞り込まれてい
る。
に、１０２３μｍの波長（λ）を有するレーザビーム１
７が用いられる。このブロウ時におけるレーザビーム１
７のビーム出力は、０．２５〜０．５μＪ程度となって
いる。また、レーザビーム１７の実効的な照射径は２．
８〜３．０μｍと、ほぼ限界近くまで絞り込まれてい
る。
【００３０】さらに、第１のヒューズ配線１２ａ，１２
ｂの相互間に対応する、上記第２のヒューズ配線１３
ａ，１３ｂの上方には、それぞれ、上記バスライン１５
と同層の第３メタル層（Ｍ２）からなるカバーパターン
２０ｂ，２０ｄが配置されている。上記第１のヒューズ
配線１２ａ，１２ｂ、上記第２のヒューズ配線１３ａ，
１３ｂ、および、上記カバーパターン２０ｂ，２０ｄの
相互間は、それぞれ、上記ＴＥＯＳ膜１８によって絶縁
されている。
ｂの相互間に対応する、上記第２のヒューズ配線１３
ａ，１３ｂの上方には、それぞれ、上記バスライン１５
と同層の第３メタル層（Ｍ２）からなるカバーパターン
２０ｂ，２０ｄが配置されている。上記第１のヒューズ
配線１２ａ，１２ｂ、上記第２のヒューズ配線１３ａ，
１３ｂ、および、上記カバーパターン２０ｂ，２０ｄの
相互間は、それぞれ、上記ＴＥＯＳ膜１８によって絶縁
されている。
【００３１】カバーパターン２０ｂ，２０ｄは、たとえ
ば、上記第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂまたは上記
第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂをブロウする際のレ
ーザビーム１７の照射位置１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１
７ｄのずれによる、隣接する上記第２のヒューズ配線１
３ａ，１３ｂへのダメージを回避するための遮蔽層とし
て機能する。
ば、上記第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂまたは上記
第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂをブロウする際のレ
ーザビーム１７の照射位置１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１
７ｄのずれによる、隣接する上記第２のヒューズ配線１
３ａ，１３ｂへのダメージを回避するための遮蔽層とし
て機能する。
【００３２】図２は、図１に示したヒューズ回路の構成
をより具体化して示すものである。なお、ここでは図１
の２Ａ−２Ａ線に沿う断面構造を示している。また、図
１に対応する部分には同一符号を付し、詳細な説明は割
愛する。
をより具体化して示すものである。なお、ここでは図１
の２Ａ−２Ａ線に沿う断面構造を示している。また、図
１に対応する部分には同一符号を付し、詳細な説明は割
愛する。
【００３３】図２に示すように、カバーパターン２０ｄ
は、上記バスライン１５と同層の第３メタル層（Ｍ２）
により、上記バスライン１５と直交する方向に配置され
ている。
は、上記バスライン１５と同層の第３メタル層（Ｍ２）
により、上記バスライン１５と直交する方向に配置され
ている。
【００３４】すなわち、カバーパターン２０ｂ，２０ｄ
を設けることにより、たとえば図３（ａ），（ｂ）に示
すように、上記第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂのブ
ロウ時に、レーザビーム１７の照射位置１７ａ，１７ｂ
が、隣接する上記第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂの
方に多少ずれたとしても、上記第２のヒューズ配線１３
ａ，１３ｂへのレーザビーム１７の照射を遮ることが可
能となる。よって、第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂ
および第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂのピッチが
１．８μｍ程度とされたダブルデンシティ構造において
も、レーザビーム１７の干渉やレーザ装置の合わせずれ
などが原因で、隣接する第２のヒューズ配線１３ａ，１
３ｂにつながるラッチ回路１１ｂ，１１ｄが誤ってオー
プンになるのを確実に阻止できるようになる。したがっ
て、場合によってはラッチ回路１１ｂ，１１ｄの誤動作
を引き起こすといった問題を改善することが可能となる
ものである。
を設けることにより、たとえば図３（ａ），（ｂ）に示
すように、上記第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂのブ
ロウ時に、レーザビーム１７の照射位置１７ａ，１７ｂ
が、隣接する上記第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂの
方に多少ずれたとしても、上記第２のヒューズ配線１３
ａ，１３ｂへのレーザビーム１７の照射を遮ることが可
能となる。よって、第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂ
および第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂのピッチが
１．８μｍ程度とされたダブルデンシティ構造において
も、レーザビーム１７の干渉やレーザ装置の合わせずれ
などが原因で、隣接する第２のヒューズ配線１３ａ，１
３ｂにつながるラッチ回路１１ｂ，１１ｄが誤ってオー
プンになるのを確実に阻止できるようになる。したがっ
て、場合によってはラッチ回路１１ｂ，１１ｄの誤動作
を引き起こすといった問題を改善することが可能となる
ものである。
【００３５】また、たとえば図４に示すように、レーザ
ビーム１７の照射位置１７ｂのずれによる、第１のヒュ
ーズ配線１２ｂに隣接する第２のヒューズ配線１３ａへ
のダメージや、レーザビーム１７の照射位置１７ｄのず
れによる、第２のヒューズ配線１３ｂ（第２メタル層１
２）に隣接する第２のヒューズ配線１３ａへのダメージ
をも、同様に回避できることは勿論である。
ビーム１７の照射位置１７ｂのずれによる、第１のヒュ
ーズ配線１２ｂに隣接する第２のヒューズ配線１３ａへ
のダメージや、レーザビーム１７の照射位置１７ｄのず
れによる、第２のヒューズ配線１３ｂ（第２メタル層１
２）に隣接する第２のヒューズ配線１３ａへのダメージ
をも、同様に回避できることは勿論である。
【００３６】なお、上記した第１の実施形態において、
カバーパターン２０ｂ，２０ｄは、レーザビーム１７に
よりブロウされる第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂに
隣接する第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂの、そのブ
ロウ位置に対応する部分上にのみ設けられるものであっ
てもよい。
カバーパターン２０ｂ，２０ｄは、レーザビーム１７に
よりブロウされる第１のヒューズ配線１２ａ，１２ｂに
隣接する第２のヒューズ配線１３ａ，１３ｂの、そのブ
ロウ位置に対応する部分上にのみ設けられるものであっ
てもよい。
【００３７】また、上記した第１の実施形態において
は、ダブルデンシティ構造のヒューズ回路を例に説明し
たが、これに限らず、他の構造のヒューズ回路にも同様
に適用できる。
は、ダブルデンシティ構造のヒューズ回路を例に説明し
たが、これに限らず、他の構造のヒューズ回路にも同様
に適用できる。
【００３８】（第２の実施形態）図５は、本発明の第２
の実施形態にかかるヒューズ回路の構成例を示すもので
ある。なお、ここではＤＲＡＭのラッチ回路に適用され
るヒューズ回路を例に説明する。また、同図（ａ）は内
部を透過して示す平面図であり、同図（ｂ）は図（ａ）
の５Ｂ−５Ｂ線に沿う断面図である。
の実施形態にかかるヒューズ回路の構成例を示すもので
ある。なお、ここではＤＲＡＭのラッチ回路に適用され
るヒューズ回路を例に説明する。また、同図（ａ）は内
部を透過して示す平面図であり、同図（ｂ）は図（ａ）
の５Ｂ−５Ｂ線に沿う断面図である。
【００３９】図に示すように、たとえば、ラッチ回路１
１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄには、第２メタル層（Ｍ
１）１２からなるヒューズ配線（たとえば、ＡｌＣｕ）
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄがそれぞれ接続されて
いる。ヒューズ配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ
は、約１．８μｍのピッチで、互いに平行に設けられて
いる。
１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄには、第２メタル層（Ｍ
１）１２からなるヒューズ配線（たとえば、ＡｌＣｕ）
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄがそれぞれ接続されて
いる。ヒューズ配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ
は、約１．８μｍのピッチで、互いに平行に設けられて
いる。
【００４０】複数のラッチ回路１１ａ，１１ｂ，１１
ｃ，１１ｄは、ヒューズ配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，
１２ｄがブロウされているか否かの結果をそれぞれに保
持するためのものである。
ｃ，１１ｄは、ヒューズ配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，
１２ｄがブロウされているか否かの結果をそれぞれに保
持するためのものである。
【００４１】ヒューズ配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１
２ｄのうち、ヒューズ配線１２ａ，１２ｃは、コンタク
ト１４ａａ，１４ａｂをそれぞれ介して、第３メタル層
（Ｍ２）からなるバスライン（ＧＮＤ）１５に接続され
ている。ヒューズ配線１２ａ，１２ｃは、ヒューズ開口
エリア１６内において、レーザビーム１７の照射により
ブロウされる。すなわち、ラッチ回路１１ａ，１１ｃの
ヒューズ素子であるヒューズ配線１２ａ，１２ｃは、レ
ーザビーム１７の照射位置１７ａ，１７ｃにて、それぞ
れブロウされる。
２ｄのうち、ヒューズ配線１２ａ，１２ｃは、コンタク
ト１４ａａ，１４ａｂをそれぞれ介して、第３メタル層
（Ｍ２）からなるバスライン（ＧＮＤ）１５に接続され
ている。ヒューズ配線１２ａ，１２ｃは、ヒューズ開口
エリア１６内において、レーザビーム１７の照射により
ブロウされる。すなわち、ラッチ回路１１ａ，１１ｃの
ヒューズ素子であるヒューズ配線１２ａ，１２ｃは、レ
ーザビーム１７の照射位置１７ａ，１７ｃにて、それぞ
れブロウされる。
【００４２】一方、ヒューズ配線１２ｂ，１２ｄはほぼ
Ｊ字型に形成されて、上記ヒューズ配線１２ａ，１２ｃ
の延長線上において、コンタクト１４ｃａ，１４ｃｂを
それぞれ介して、上記バスライン１５に接続されてい
る。このバスライン１５に接続されたヒューズ配線１２
ｂ，１２ｄは、ヒューズ開口エリア１６内において、レ
ーザビーム１７の照射によりブロウされる。すなわち、
ラッチ回路１１ｂ，１１ｄのヒューズ素子であるヒュー
ズ配線１２ｂ，１２ｄは、レーザビーム１７の照射位置
１７ｂ，１７ｄにて、それぞれブロウされる。
Ｊ字型に形成されて、上記ヒューズ配線１２ａ，１２ｃ
の延長線上において、コンタクト１４ｃａ，１４ｃｂを
それぞれ介して、上記バスライン１５に接続されてい
る。このバスライン１５に接続されたヒューズ配線１２
ｂ，１２ｄは、ヒューズ開口エリア１６内において、レ
ーザビーム１７の照射によりブロウされる。すなわち、
ラッチ回路１１ｂ，１１ｄのヒューズ素子であるヒュー
ズ配線１２ｂ，１２ｄは、レーザビーム１７の照射位置
１７ｂ，１７ｄにて、それぞれブロウされる。
【００４３】なお、ヒューズ配線１２ａ，１２ｂ，１２
ｃ，１２ｄは、たとえば、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔ
ｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）膜１８によって相互に絶縁さ
れている。
ｃ，１２ｄは、たとえば、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔ
ｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）膜１８によって相互に絶縁さ
れている。
【００４４】さらに、ヒューズ配線１２ａ，１２ｃの相
互間に対応する、上記ヒューズ配線１２ｂ，１２ｄの上
方には、たとえば、上記バスライン１５と同層の第３メ
タル層（Ｍ２）からなるカバーパターン２０ｂ，２０ｄ
がそれぞれ配置されている。上記ヒューズ配線１２ａ，
１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ、および、上記カバーパターン
２０ｂ，２０ｄの相互間は、それぞれ、上記ＴＥＯＳ膜
１８によって絶縁されている。
互間に対応する、上記ヒューズ配線１２ｂ，１２ｄの上
方には、たとえば、上記バスライン１５と同層の第３メ
タル層（Ｍ２）からなるカバーパターン２０ｂ，２０ｄ
がそれぞれ配置されている。上記ヒューズ配線１２ａ，
１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ、および、上記カバーパターン
２０ｂ，２０ｄの相互間は、それぞれ、上記ＴＥＯＳ膜
１８によって絶縁されている。
【００４５】主に、カバーパターン２０ｂ，２０ｄは、
たとえば、上記ヒューズ配線１２ａ，１２ｃをブロウす
る際のレーザビーム１７の照射位置１７ａ，１７ｃのず
れによる、隣接する上記ヒューズ配線１２ｂ，１２ｄへ
のダメージを回避するための遮蔽層として機能する。
たとえば、上記ヒューズ配線１２ａ，１２ｃをブロウす
る際のレーザビーム１７の照射位置１７ａ，１７ｃのず
れによる、隣接する上記ヒューズ配線１２ｂ，１２ｄへ
のダメージを回避するための遮蔽層として機能する。
【００４６】すなわち、カバーパターン２０ｂ，２０ｄ
を設けることにより、たとえば図６（ａ），（ｂ）に示
すように、レーザビーム１７の照射位置１７ａ，１７ｃ
が多少ずれたとしても、隣接する上記第ヒューズ配線１
２ｂ，１２ｄへのレーザビーム１７の照射を遮ることが
可能となる。よって、同一層のヒューズ配線１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ，１２ｄを備えてなる構造においても、レ
ーザビーム１７の干渉やレーザ装置の合わせずれなどが
原因で、隣接するヒューズ配線１２ｂ，１２ｄにつなが
るラッチ回路１１ｂ，１１ｄが誤ってオープンになるの
を確実に阻止できるようになる。したがって、場合によ
ってはラッチ回路１１ｂ，１１ｄの誤動作を引き起こす
といった問題を改善することが可能となるものである。
を設けることにより、たとえば図６（ａ），（ｂ）に示
すように、レーザビーム１７の照射位置１７ａ，１７ｃ
が多少ずれたとしても、隣接する上記第ヒューズ配線１
２ｂ，１２ｄへのレーザビーム１７の照射を遮ることが
可能となる。よって、同一層のヒューズ配線１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ，１２ｄを備えてなる構造においても、レ
ーザビーム１７の干渉やレーザ装置の合わせずれなどが
原因で、隣接するヒューズ配線１２ｂ，１２ｄにつなが
るラッチ回路１１ｂ，１１ｄが誤ってオープンになるの
を確実に阻止できるようになる。したがって、場合によ
ってはラッチ回路１１ｂ，１１ｄの誤動作を引き起こす
といった問題を改善することが可能となるものである。
【００４７】また、たとえば図７に示すように、レーザ
ビーム１７の照射位置１７ｃのずれによる、ヒューズ配
線１２ｃに隣接するヒューズ配線１２ｂへのダメージ
や、レーザビーム１７の照射位置１７ｄのずれによる、
ヒューズ配線１２ｄに隣接するヒューズ配線１２ｂへの
ダメージをも、同様に回避できることは勿論である。
ビーム１７の照射位置１７ｃのずれによる、ヒューズ配
線１２ｃに隣接するヒューズ配線１２ｂへのダメージ
や、レーザビーム１７の照射位置１７ｄのずれによる、
ヒューズ配線１２ｄに隣接するヒューズ配線１２ｂへの
ダメージをも、同様に回避できることは勿論である。
【００４８】なお、上記した第２の実施形態において、
カバーパターン２０ｂ，２０ｄは、レーザビーム１７に
よりブロウされるヒューズ配線１２ａ，１２ｃに隣接す
るヒューズ配線１２ｂ，１２ｄの、そのブロウ位置に対
応する部分上にのみ設けられるものであってもよい。
カバーパターン２０ｂ，２０ｄは、レーザビーム１７に
よりブロウされるヒューズ配線１２ａ，１２ｃに隣接す
るヒューズ配線１２ｂ，１２ｄの、そのブロウ位置に対
応する部分上にのみ設けられるものであってもよい。
【００４９】また、上記した第１，第２の実施形態にお
いては、いずれもＤＲＡＭのラッチ回路に適用した場合
を例に説明したが、これに限定されるものでないことは
勿論である。
いては、いずれもＤＲＡＭのラッチ回路に適用した場合
を例に説明したが、これに限定されるものでないことは
勿論である。
【００５０】さらに、上述の第１，第２の実施形態の場
合、いずれも、バスラインとカバーパターンとを別の層
を用いて形成することも可能である。
合、いずれも、バスラインとカバーパターンとを別の層
を用いて形成することも可能である。
【００５１】その他、本願発明は、上記各実施形態に限
定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱し
ない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、
上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、
開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせに
より種々の発明が抽出され得る。たとえば、各実施形態
に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除さ
れても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題
の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べら
れている効果の少なくとも１つが得られる場合には、そ
の構成要件が削除された構成が発明として抽出され得
る。
定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱し
ない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、
上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、
開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせに
より種々の発明が抽出され得る。たとえば、各実施形態
に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除さ
れても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題
の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べら
れている効果の少なくとも１つが得られる場合には、そ
の構成要件が削除された構成が発明として抽出され得
る。
【００５２】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、レーザビームの照射を選択的に遮ることができ、ヒ
ューズブロウ時の、隣接するヒューズ配線へのダメージ
を回避することが可能な半導体装置を提供できる。
ば、レーザビームの照射を選択的に遮ることができ、ヒ
ューズブロウ時の、隣接するヒューズ配線へのダメージ
を回避することが可能な半導体装置を提供できる。
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるヒューズ回路
の構成例を示す概略図。
の構成例を示す概略図。
【図２】同じく、図１のヒューズ回路の構成をより具体
的に示す断面図。
的に示す断面図。
【図３】同じく、図１のヒューズ回路の効果を説明する
ために示す概略構成図。
ために示す概略構成図。
【図４】同じく、図１のヒューズ回路の効果を説明する
ために示す概略平面図。
ために示す概略平面図。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかるヒューズ回路
の構成例を示す概略図。
の構成例を示す概略図。
【図６】同じく、図５のヒューズ回路の効果を説明する
ために示す概略構成図。
ために示す概略構成図。
【図７】同じく、図５のヒューズ回路の効果を説明する
ために示す概略平面図。
ために示す概略平面図。
【図８】従来技術を説明するために示すヒューズ回路の
概略構成図。
概略構成図。
【図９】従来における、問題点を説明するために示すヒ
ューズ回路の概略構成図。
ューズ回路の概略構成図。
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ…ラッチ回路
１２…第２メタル層（Ｍ１）
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ…第１のヒューズ配線
／ヒューズ配線 １３…第１メタル層（リターンパス（Ｍ０）） １３ａ，１３ｂ…第２のヒューズ配線 １４ａａ，１４ａｂ，１４ｂａ，１４ｂｂ，１４ｃａ，
１４ｃｂ…コンタクト １５…バスライン（ＧＮＤ） １６…ヒューズ開口エリア １７…レーザビーム １７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ…ビーム照射位置（ブ
ロウ位置）。 １８…ＴＥＯＳ膜 ２０ｂ，２０ｄ…カバーパターン
／ヒューズ配線 １３…第１メタル層（リターンパス（Ｍ０）） １３ａ，１３ｂ…第２のヒューズ配線 １４ａａ，１４ａｂ，１４ｂａ，１４ｂｂ，１４ｃａ，
１４ｃｂ…コンタクト １５…バスライン（ＧＮＤ） １６…ヒューズ開口エリア １７…レーザビーム １７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ…ビーム照射位置（ブ
ロウ位置）。 １８…ＴＥＯＳ膜 ２０ｂ，２０ｄ…カバーパターン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 南 稔郁
神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内
Ｆターム(参考） 5F038 AV03 AV15 CD02 CD07 DF01
DF05 EZ20
5F064 BB14 BB19 EE23 FF27 FF32
FF34 FF42
5F083 AD00 KA10 LA11 ZA10
Claims (20)
- 【請求項１】 複数の回路素子にそれぞれ接続された複
数のヒューズ配線と、 前記複数のヒューズ配線とは異なる層の配線によって形
成された、前記ヒューズ配線をブロウする際のレーザビ
ームによる、隣接するヒューズ配線へのダメージを回避
するための遮蔽層とを具備したことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】 前記遮蔽層は、前記複数のヒューズ配線
よりも上層のメタル配線を用いて形成されることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記レーザビームによりブロウされるヒ
ューズ配線と、それに隣接するヒューズ配線とは、同一
層の配線を用いて形成されることを特徴とする請求項１
に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記レーザビームによりブロウされるヒ
ューズ配線と、それに隣接するヒューズ配線とは、異な
る層の配線を用いて形成されてなることを特徴とする請
求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記遮蔽層は、前記レーザビームにより
ブロウされるヒューズ配線の、そのブロウ位置に隣接す
るヒューズ配線上に設けられることを特徴とする請求項
１または２に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記複数のヒューズ配線は、前記遮蔽層
と同層の配線からなる接地線に接続されていることを特
徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項７】 前記遮蔽層および前記接地線は相互に接
続されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体
装置。 - 【請求項８】 レーザビームによりブロウされるブロウ
位置をそれぞれに有し、互いに平行に設けられた複数の
第１の配線と、 前記複数の第１の配線の相互間の、少なくとも前記ブロ
ウ位置に対応する位置にそれぞれ設けられ、前記複数の
第１の配線よりも上層のメタル配線を用いて形成される
第２の配線とを具備したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】 前記第２の配線の下方には、第３の配線
が設けられてなることを特徴とする請求項８に記載の半
導体装置。 - 【請求項１０】 前記第２の配線は、ブロウする前記第
１の配線に隣接する、前記第３の配線へのレーザビーム
によるダメージを回避するための遮蔽層であることを特
徴とする請求項９に記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 前記第３の配線は、レーザビームによ
りブロウされるブロウ位置を、前記第１の配線の延長線
上に有してなることを特徴とする請求項９に記載の半導
体装置。 - 【請求項１２】 前記第１，第３の配線は、前記第２の
配線と同層のメタル配線からなる接地線に接続されてい
ることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 前記第２の配線および前記接地線は相
互に接続されていることを特徴とする請求項１２に記載
の半導体装置。 - 【請求項１４】 複数の回路素子にそれぞれ接続され、
互いに平行に配置された複数の第１のヒューズ配線と、 複数の回路素子にそれぞれ接続され、前記複数の第１の
ヒューズ配線の相互間に配置された、前記複数の第１の
ヒューズ配線よりも下層の配線からなる複数の第２のヒ
ューズ配線と、 前記複数の第２のヒューズ配線の上方にそれぞれ配置さ
れ、第１のヒューズ配線をブロウする際のレーザビーム
による、隣接する第２のヒューズ配線へのダメージを回
避するための遮蔽層とを具備したことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項１５】 前記遮蔽層は、前記第１のヒューズ配
線よりも上層の第１のメタル配線を用いて形成されるこ
とを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。 - 【請求項１６】 前記複数の第１のヒューズ配線は、レ
ーザビームによりブロウされるブロウ位置をそれぞれに
有し、前記複数の第２のヒューズ配線は、前記複数の第
１のヒューズ配線の延長線上に、レーザビームによりブ
ロウされるブロウ位置をそれぞれに有してなることを特
徴とする請求項１４に記載の半導体装置。 - 【請求項１７】 前記複数の第２のヒューズ配線は、コ
ンタクトを介して、前記複数の第１のヒューズ配線と同
層の第２のメタル配線に接続され、この第２のメタル配
線上に前記ブロウ位置をそれぞれに有してなることを特
徴とする請求項１６に記載の半導体装置。 - 【請求項１８】 前記複数の第１のヒューズ配線および
前記第２のメタル配線は、コンタクトを介して、接地の
ためのバスラインにそれぞれ接続されていることを特徴
とする請求項１７に記載の半導体装置。 - 【請求項１９】 前記バスラインは、前記遮蔽層と同層
の第１のメタル配線を用いて形成されることを特徴とす
る請求項１５または１８に記載の半導体装置。 - 【請求項２０】 前記バスラインおよび前記遮蔽層は相
互に接続されていることを特徴とする請求項１９に記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001335527A JP2003142582A (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001335527A JP2003142582A (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003142582A true JP2003142582A (ja) | 2003-05-16 |
Family
ID=19150505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001335527A Withdrawn JP2003142582A (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003142582A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005228878A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
| US7492032B2 (en) | 2004-04-21 | 2009-02-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Fuse regions of a semiconductor memory device and methods of fabricating the same |
| US7605444B2 (en) | 2005-12-29 | 2009-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Fuse box reducing damage caused by laser blowing and cross talk |
| US7679161B2 (en) | 2005-10-27 | 2010-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device comprising fuse sections |
-
2001
- 2001-10-31 JP JP2001335527A patent/JP2003142582A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
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| US7361967B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-04-22 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device with fuse wires and connection wires |
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