JP2003142409A - ガス供給装置及び方法 - Google Patents
ガス供給装置及び方法Info
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- JP2003142409A JP2003142409A JP2001335242A JP2001335242A JP2003142409A JP 2003142409 A JP2003142409 A JP 2003142409A JP 2001335242 A JP2001335242 A JP 2001335242A JP 2001335242 A JP2001335242 A JP 2001335242A JP 2003142409 A JP2003142409 A JP 2003142409A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の半導体製造装置にガスを供給する場合
に、設備コストを十分に低減できるガス供給装置及び方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、半導体製造装置１ａ〜１ｃに
ドーピングガスを供給するガス供給装置２であって、シ
リンダ３ａからの濃度１００％のドーピングガスと、シ
リンダ７からの希釈ガスの流量比を調整して混合し、個
々の半導体製造装置ごとに異なる濃度のドーピングガス
を供給可能な流量調整手段５ａ〜５ｃを備える。この場
合、流量調整手段５ａ〜５ｃにより、ガスシリンダ３ａ
からのドーピングガスとガスシリンダ７からの希釈ガス
を、任意の流量比に調整して混合できるので、個々の半
導体製造装置１ａ〜１ｃごとに異なる濃度のドーピング
ガスを供給する場合に、ガスシリンダ３ａの設置数を半
導体製造装置１ａ〜１ｃの設置数より少なくすることが
できる。
に、設備コストを十分に低減できるガス供給装置及び方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、半導体製造装置１ａ〜１ｃに
ドーピングガスを供給するガス供給装置２であって、シ
リンダ３ａからの濃度１００％のドーピングガスと、シ
リンダ７からの希釈ガスの流量比を調整して混合し、個
々の半導体製造装置ごとに異なる濃度のドーピングガス
を供給可能な流量調整手段５ａ〜５ｃを備える。この場
合、流量調整手段５ａ〜５ｃにより、ガスシリンダ３ａ
からのドーピングガスとガスシリンダ７からの希釈ガス
を、任意の流量比に調整して混合できるので、個々の半
導体製造装置１ａ〜１ｃごとに異なる濃度のドーピング
ガスを供給する場合に、ガスシリンダ３ａの設置数を半
導体製造装置１ａ〜１ｃの設置数より少なくすることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＣＶＤ装置
等の半導体製造装置にガスを供給するガス供給装置及び
方法に関する。
等の半導体製造装置にガスを供給するガス供給装置及び
方法に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体素子の製造過程においては通常、ポ
リシリコン膜及びドープトガラス膜（例えばＰＳＧ）等
の成膜工程が含まれており、かかる成膜工程において
は、ＰＨ3又はＡｓＨ3などのドーピングガスが使用され
る。そして、各成膜工程は通常、別個の半導体製造装置
（例えばＣＶＤ装置）で行われ、各半導体製造装置ごと
にドーピングガスの供給装置が設置されている。
リシリコン膜及びドープトガラス膜（例えばＰＳＧ）等
の成膜工程が含まれており、かかる成膜工程において
は、ＰＨ3又はＡｓＨ3などのドーピングガスが使用され
る。そして、各成膜工程は通常、別個の半導体製造装置
（例えばＣＶＤ装置）で行われ、各半導体製造装置ごと
にドーピングガスの供給装置が設置されている。
【０００３】図３は、従来のガス供給装置を示す概略構
成図である。図３に示すように、ガス供給装置は、半導
体製造装置１０４ａ〜１０４ｃごとに別個に設置されて
おり、ガス供給装置は一般に、ドーピングガスとバラン
スガスとを混合してなる混合ガスを貯留したガスシリン
ダ１００と、ガスシリンダ１００に配管１０１を介して
接続される流量調整装置１０２とで構成されている。ガ
スシリンダ１００は毒性の強いドーピングガスを含むた
め、シリンダーキャビネット１０３に収納されるのが通
常である。そして、上記ガス供給装置においては、ガス
シリンダ１００内の特定のドーピングガス濃度を有する
混合ガスが、シリンダーキャビネット１０３から配管１
０１及び流量調整装置１０２を経てそのままの濃度で半
導体製造装置１０４に供給される。
成図である。図３に示すように、ガス供給装置は、半導
体製造装置１０４ａ〜１０４ｃごとに別個に設置されて
おり、ガス供給装置は一般に、ドーピングガスとバラン
スガスとを混合してなる混合ガスを貯留したガスシリン
ダ１００と、ガスシリンダ１００に配管１０１を介して
接続される流量調整装置１０２とで構成されている。ガ
スシリンダ１００は毒性の強いドーピングガスを含むた
め、シリンダーキャビネット１０３に収納されるのが通
常である。そして、上記ガス供給装置においては、ガス
シリンダ１００内の特定のドーピングガス濃度を有する
混合ガスが、シリンダーキャビネット１０３から配管１
０１及び流量調整装置１０２を経てそのままの濃度で半
導体製造装置１０４に供給される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のガス供給装置は、以下に示す課題を有する。
た従来のガス供給装置は、以下に示す課題を有する。
【０００５】即ち半導体工場において多数の半導体製造
装置１０４が設置される場合には、各半導体製造装置１
０４ごとに、必要とするドーピングガス濃度やドーピン
グガスの種類も異なるのが通常である。このため、各ガ
ス供給装置ごとにドーピングガス濃度やドーピングガス
の種類の異なるガスシリンダを用意する必要があり、こ
れに応じた数のシリンダーキャビネット１０３を設置す
る必要がある。ここで、シリンダーキャビネット１０３
は、毒性の強いドーピングガスを安全且つ安定して供給
する機能を有するため、一般に極めて高価である。従っ
て、上記のようにシリンダキャビネット１０３を多数設
置すると、多大な設備コストがかかる。
装置１０４が設置される場合には、各半導体製造装置１
０４ごとに、必要とするドーピングガス濃度やドーピン
グガスの種類も異なるのが通常である。このため、各ガ
ス供給装置ごとにドーピングガス濃度やドーピングガス
の種類の異なるガスシリンダを用意する必要があり、こ
れに応じた数のシリンダーキャビネット１０３を設置す
る必要がある。ここで、シリンダーキャビネット１０３
は、毒性の強いドーピングガスを安全且つ安定して供給
する機能を有するため、一般に極めて高価である。従っ
て、上記のようにシリンダキャビネット１０３を多数設
置すると、多大な設備コストがかかる。
【０００６】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、複数の半導体製造装置にドーピングガスを供給
する場合に、設備コストを十分に低減することができる
ガス供給装置及び方法を提供することを目的とする。
であり、複数の半導体製造装置にドーピングガスを供給
する場合に、設備コストを十分に低減することができる
ガス供給装置及び方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、複数の半導体製造装置にドーピングガス
を供給するガス供給装置であって、前記複数の半導体製
造装置内において使用する最大のドーピングガス濃度よ
りも大きい濃度を有する少なくとも１種類のドーピング
ガスを貯留する少なくとも１つの第１ガスシリンダと、
少なくとも１種類の希釈ガスを貯留する少なくとも１つ
の第２ガスシリンダと、前記第１ガスシリンダからの前
記ドーピングガスと前記第２ガスシリンダからの前記希
釈ガスの流量比を調整して混合し、個々の半導体製造装
置ごとに異なる濃度又は種類のドーピングガスを供給す
ることが可能な流量調整手段とを備えることを特徴とす
る。
め、本発明は、複数の半導体製造装置にドーピングガス
を供給するガス供給装置であって、前記複数の半導体製
造装置内において使用する最大のドーピングガス濃度よ
りも大きい濃度を有する少なくとも１種類のドーピング
ガスを貯留する少なくとも１つの第１ガスシリンダと、
少なくとも１種類の希釈ガスを貯留する少なくとも１つ
の第２ガスシリンダと、前記第１ガスシリンダからの前
記ドーピングガスと前記第２ガスシリンダからの前記希
釈ガスの流量比を調整して混合し、個々の半導体製造装
置ごとに異なる濃度又は種類のドーピングガスを供給す
ることが可能な流量調整手段とを備えることを特徴とす
る。
【０００８】この発明によれば、流量調整手段により、
第１ガスシリンダから供給されるドーピングガスと、第
２ガスシリンダから供給される希釈ガスを任意の流量比
に調整して混合できるので、個々の半導体製造装置ごと
に異なる濃度又は異なる種類のドーピングガスを供給す
る場合に、第１ガスシリンダの設置数を半導体製造装置
の設置数よりも少なくすることができ、ひいては第１ガ
スシリンダを収納するシリンダーキャビネットの設置数
を少なくすることができる。
第１ガスシリンダから供給されるドーピングガスと、第
２ガスシリンダから供給される希釈ガスを任意の流量比
に調整して混合できるので、個々の半導体製造装置ごと
に異なる濃度又は異なる種類のドーピングガスを供給す
る場合に、第１ガスシリンダの設置数を半導体製造装置
の設置数よりも少なくすることができ、ひいては第１ガ
スシリンダを収納するシリンダーキャビネットの設置数
を少なくすることができる。
【０００９】また、本発明は、複数の半導体製造装置に
ドーピングガスを供給するガス供給方法であって、前記
複数の半導体製造装置で使用しうる最大のドーピングガ
ス濃度よりも大きい濃度の少なくとも１種類のドーピン
グガスと、少なくとも１種類の希釈ガスの流量比を調整
して混合し、個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度又
は種類のドーピングガスを供給することを特徴とする。
ドーピングガスを供給するガス供給方法であって、前記
複数の半導体製造装置で使用しうる最大のドーピングガ
ス濃度よりも大きい濃度の少なくとも１種類のドーピン
グガスと、少なくとも１種類の希釈ガスの流量比を調整
して混合し、個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度又
は種類のドーピングガスを供給することを特徴とする。
【００１０】この発明によれば、ドーピングガスと希釈
ガスが、流量比を調整されて混合されるため、個々の半
導体製造装置ごとに異なる濃度又は異なる種類のドーピ
ングガスを供給する場合に、ドーピングガスを収納する
ガスシリンダの設置数を半導体製造装置の設置数よりも
少なくすることができ、ひいては上記ガスシリンダを収
納するシリンダーキャビネットの設置数を少なくするこ
とができる。
ガスが、流量比を調整されて混合されるため、個々の半
導体製造装置ごとに異なる濃度又は異なる種類のドーピ
ングガスを供給する場合に、ドーピングガスを収納する
ガスシリンダの設置数を半導体製造装置の設置数よりも
少なくすることができ、ひいては上記ガスシリンダを収
納するシリンダーキャビネットの設置数を少なくするこ
とができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明のガス供給装置の一実施形
態を示す概略構成図である。本実施形態では、３台の半
導体製造装置（ＣＶＤ装置等の成膜装置）１ａ〜１ｃに
ドーピングガスを供給する場合を例にして説明する。
態を示す概略構成図である。本実施形態では、３台の半
導体製造装置（ＣＶＤ装置等の成膜装置）１ａ〜１ｃに
ドーピングガスを供給する場合を例にして説明する。
【００１３】図１に示すように、ガス供給装置２は、第
１ガスシリンダ３ａを収納するシリンダーキャビネット
３を備えており、第１ガスシリンダ３ａには、例えばド
ーピングガスとしてのホスフィン（ＰＨ3）が貯留され
ている。
１ガスシリンダ３ａを収納するシリンダーキャビネット
３を備えており、第１ガスシリンダ３ａには、例えばド
ーピングガスとしてのホスフィン（ＰＨ3）が貯留され
ている。
【００１４】ドーピングガスの濃度は、半導体製造装置
１内で使用する最大のドーピングガス濃度よりも大きい
濃度である。つまり、半導体製造装置１ａ〜１ｃのそれ
ぞれにおいては通常、使用するドーピングガス濃度が予
め決まっており、その濃度は半導体製造装置１ａ〜１ｃ
同士でそれぞれ異なっている。例えばドーピングガス濃
度が半導体製造装置１ａでは１％であり、半導体製造装
置１ｂでは３％であり、半導体製造装置１ｃでは５％で
ある場合のごとくである。この場合、最大のドーピング
ガス濃度は５％であるから、ドーピングガスシリンダ３
ａ内に貯留するドーピングガスの濃度は５％よりも大き
い濃度にすることとなる。第１ガスシリンダ３ａ内のド
ーピングガス濃度をこのような濃度にすることで、当該
濃度よりも低い濃度の範囲内で、任意の濃度のドーピン
グガスを半導体製造装置１ａ〜１ｃに供給することが可
能となる。
１内で使用する最大のドーピングガス濃度よりも大きい
濃度である。つまり、半導体製造装置１ａ〜１ｃのそれ
ぞれにおいては通常、使用するドーピングガス濃度が予
め決まっており、その濃度は半導体製造装置１ａ〜１ｃ
同士でそれぞれ異なっている。例えばドーピングガス濃
度が半導体製造装置１ａでは１％であり、半導体製造装
置１ｂでは３％であり、半導体製造装置１ｃでは５％で
ある場合のごとくである。この場合、最大のドーピング
ガス濃度は５％であるから、ドーピングガスシリンダ３
ａ内に貯留するドーピングガスの濃度は５％よりも大き
い濃度にすることとなる。第１ガスシリンダ３ａ内のド
ーピングガス濃度をこのような濃度にすることで、当該
濃度よりも低い濃度の範囲内で、任意の濃度のドーピン
グガスを半導体製造装置１ａ〜１ｃに供給することが可
能となる。
【００１５】半導体製造装置１ａ〜１ｃ内で使用される
ドーピングガス濃度は一般に低いため（通常は大きくて
も５％）、第１ガスシリンダ３ａ内のドーピングガス濃
度は１０％あれば十分であり、５０％あればより十分で
あるが、第１ガスシリンダ３ａ内のドーピングガス濃度
は１００％であることが好適である。この場合、第１ガ
スシリンダ３ａ内にドーピングガスとバランスガス（例
えば水素ガス又は窒素ガスなど）との混合ガスを貯留す
る場合と異なり、ドーピングガスを特定の濃度に安定化
させるためにドーピングガスとバランスガスを混合した
後しばらく時間を置く必要が無く、また、濃度分析を行
う必要も無い。このため、ガスメーカに発注しても、ド
ーピングガスシリンダ３ａを直ちに且つより安価に入手
することが可能となる。
ドーピングガス濃度は一般に低いため（通常は大きくて
も５％）、第１ガスシリンダ３ａ内のドーピングガス濃
度は１０％あれば十分であり、５０％あればより十分で
あるが、第１ガスシリンダ３ａ内のドーピングガス濃度
は１００％であることが好適である。この場合、第１ガ
スシリンダ３ａ内にドーピングガスとバランスガス（例
えば水素ガス又は窒素ガスなど）との混合ガスを貯留す
る場合と異なり、ドーピングガスを特定の濃度に安定化
させるためにドーピングガスとバランスガスを混合した
後しばらく時間を置く必要が無く、また、濃度分析を行
う必要も無い。このため、ガスメーカに発注しても、ド
ーピングガスシリンダ３ａを直ちに且つより安価に入手
することが可能となる。
【００１６】第１ガスシリンダ３ａは、ドーピングガス
導入ライン４を介してガスパネル５ａ〜５ｃに接続され
ている。
導入ライン４を介してガスパネル５ａ〜５ｃに接続され
ている。
【００１７】また、ガス供給装置２は、第２ガスシリン
ダ６，７を備えており、第２ガスシリンダ６には窒素ガ
スが貯留され、第２ガスシリンダ７には、水素ガスが貯
留されている。第２ガスシリンダ６は、窒素ガス導入ラ
イン８を介してガスパネル５ａ〜５ｃに接続され、第２
ガスシリンダ７は、水素ガス導入ライン９を介してガス
パネル５ａ〜５ｃに接続されている。
ダ６，７を備えており、第２ガスシリンダ６には窒素ガ
スが貯留され、第２ガスシリンダ７には、水素ガスが貯
留されている。第２ガスシリンダ６は、窒素ガス導入ラ
イン８を介してガスパネル５ａ〜５ｃに接続され、第２
ガスシリンダ７は、水素ガス導入ライン９を介してガス
パネル５ａ〜５ｃに接続されている。
【００１８】そして、ガスパネル５ａ〜５ｃはそれぞ
れ、混合ガス供給ライン１０ａ〜１０ｃを介して半導体
製造装置１ａ〜１ｃに接続されている。
れ、混合ガス供給ライン１０ａ〜１０ｃを介して半導体
製造装置１ａ〜１ｃに接続されている。
【００１９】図２は、ガスパネル５ａの内部構成図であ
る。図２に示すように、ガスパネル５ａの内部において
は、ドーピングガス導入ライン４、水素ガス導入ライン
９及び窒素ガス導入ライン８は、１つの混合ガス供給ラ
イン１０ａに接続されており、ドーピングガス導入ライ
ン４、水素ガス導入ライン９及び窒素ガス導入ライン８
には、それぞれマスフローコントローラ１１ａ〜１１ｃ
が接続されている。従って、ドーピングガスと、水素ガ
ス又は窒素ガスとの流量比を調整して混合し、混合ガス
供給ライン１１ａを経て半導体製造装置１ａに混合ガス
を供給することが可能となっている。
る。図２に示すように、ガスパネル５ａの内部において
は、ドーピングガス導入ライン４、水素ガス導入ライン
９及び窒素ガス導入ライン８は、１つの混合ガス供給ラ
イン１０ａに接続されており、ドーピングガス導入ライ
ン４、水素ガス導入ライン９及び窒素ガス導入ライン８
には、それぞれマスフローコントローラ１１ａ〜１１ｃ
が接続されている。従って、ドーピングガスと、水素ガ
ス又は窒素ガスとの流量比を調整して混合し、混合ガス
供給ライン１１ａを経て半導体製造装置１ａに混合ガス
を供給することが可能となっている。
【００２０】ここで、マスフロコントローラ１１ａ〜１
１ｃは制御装置１４に接続されており、制御装置１４
は、半導体製造装置１ａから出力される制御信号に基づ
いて、マスフローコントローラ１１ａ〜１１ｃを通るガ
スの流量及びマスフローコントローラ１１ａ〜１１ｃ同
士のガス流量の比を制御するようになっている。
１ｃは制御装置１４に接続されており、制御装置１４
は、半導体製造装置１ａから出力される制御信号に基づ
いて、マスフローコントローラ１１ａ〜１１ｃを通るガ
スの流量及びマスフローコントローラ１１ａ〜１１ｃ同
士のガス流量の比を制御するようになっている。
【００２１】また、ドーピングガス導入ライン４、水素
ガス導入ライン９及び窒素ガス導入ライン８には、マス
フローコントローラ１１ａ〜１１ｃの上流側および下流
側にそれぞれ、ライン中のごみを除去するフィルタ１２
ａ〜１２ｃ、開閉弁１３ａ〜１３ｃが設置されている。
ガス導入ライン９及び窒素ガス導入ライン８には、マス
フローコントローラ１１ａ〜１１ｃの上流側および下流
側にそれぞれ、ライン中のごみを除去するフィルタ１２
ａ〜１２ｃ、開閉弁１３ａ〜１３ｃが設置されている。
【００２２】なお、図２は、ガスパネル５ａの内部構成
について示したものであるが、ガスパネル５ｂ，５ｃも
同様の内部構成を有し、こうしたガスパネル５ａ〜５ｃ
によって本発明のガス供給装置に用いる流量調整手段が
構成されている。
について示したものであるが、ガスパネル５ｂ，５ｃも
同様の内部構成を有し、こうしたガスパネル５ａ〜５ｃ
によって本発明のガス供給装置に用いる流量調整手段が
構成されている。
【００２３】次に、前述したガス供給装置２を用いたガ
ス供給方法について説明する。
ス供給方法について説明する。
【００２４】ここでは、半導体製造装置１ａ〜１ｃごと
に濃度の異なるドーピングガスを供給する場合について
説明する。このとき、希釈ガスとしては、水素ガスを用
いることとする。
に濃度の異なるドーピングガスを供給する場合について
説明する。このとき、希釈ガスとしては、水素ガスを用
いることとする。
【００２５】まず、図１に示すように、第１ガスシリン
ダ３ａからドーピングガス導入ライン４を経てホスフィ
ン（ＰＨ3）をガスパネル５ａ〜５ｃのそれぞれに導入
する。一方、第２ガスシリンダ７から水素ガス導入ライ
ン７を経て水素ガスをガスパネル５ａ〜５ｃのそれぞれ
に導入する。
ダ３ａからドーピングガス導入ライン４を経てホスフィ
ン（ＰＨ3）をガスパネル５ａ〜５ｃのそれぞれに導入
する。一方、第２ガスシリンダ７から水素ガス導入ライ
ン７を経て水素ガスをガスパネル５ａ〜５ｃのそれぞれ
に導入する。
【００２６】そして、例えばガスパネル５ａにおいて
は、図２に示すように、開閉弁１３ｃを閉じ、開閉弁１
３ａ，１３ｂを開いておき、マスフローコントローラ１
１ａ、１１ｂによりホスフィンと水素ガスの流量比を調
整する。このとき、半導体製造装置１ａからホスフィン
と水素ガスとの流量比に関する制御信号が制御装置１４
に出力され、制御装置１４によりマスフローコントロー
ラ１１ａ、１１ｂが制御される。
は、図２に示すように、開閉弁１３ｃを閉じ、開閉弁１
３ａ，１３ｂを開いておき、マスフローコントローラ１
１ａ、１１ｂによりホスフィンと水素ガスの流量比を調
整する。このとき、半導体製造装置１ａからホスフィン
と水素ガスとの流量比に関する制御信号が制御装置１４
に出力され、制御装置１４によりマスフローコントロー
ラ１１ａ、１１ｂが制御される。
【００２７】この結果、半導体製造装置１ａが必要とす
るホスフィン濃度を持つ混合ガスが混合ガス供給ライン
１０ａを通して半導体製造装置１ａに供給される。
るホスフィン濃度を持つ混合ガスが混合ガス供給ライン
１０ａを通して半導体製造装置１ａに供給される。
【００２８】一方、上記と同様にして、半導体製造装置
１ｂには、半導体製造装置１ａに供給するホスフィン濃
度と異なるホスフィン濃度の混合ガスがガスパネル５ｂ
から混合ガス供給ライン１０ｂを経て供給され、半導体
製造装置１ｃには、上記半導体製造装置１ａ，１ｂに供
給するホスフィン濃度と異なるホスフィン濃度の混合ガ
スがガスパネル５ｃから混合ガス供給ライン１０ｃを経
て供給される。
１ｂには、半導体製造装置１ａに供給するホスフィン濃
度と異なるホスフィン濃度の混合ガスがガスパネル５ｂ
から混合ガス供給ライン１０ｂを経て供給され、半導体
製造装置１ｃには、上記半導体製造装置１ａ，１ｂに供
給するホスフィン濃度と異なるホスフィン濃度の混合ガ
スがガスパネル５ｃから混合ガス供給ライン１０ｃを経
て供給される。
【００２９】このように、本実施形態のガス供給方法に
よれば、第１ガスシリンダ３ａから排出されたドーピン
グガスを、第２ガスシリンダ７からの希釈ガスで希釈す
ることにより任意のドーピングガス濃度の混合ガスを得
ることができる。このため、半導体製造装置１ａ〜１ｃ
ごとに異なる濃度のドーピングガスを供給する場合に、
従来のようにドーピングガスシリンダ３ａの設置数を半
導体製造装置１ａ〜１ｃの設置数と同じくする必要は無
く、第１ガスシリンダ３ａの設置数を半導体製造装置１
ａ〜１ｃの設置数よりも少なくすることができ、これに
伴って、第１ガスシリンダ３ａを収納するシリンダーキ
ャビネット３の設置数を少なくすることができる。ここ
で、シリンダーキャビネット３は、毒性の強いドーピン
グガスを安全且つ安定して供給する機能を有するため、
一般に極めて高価である。このため、複数の半導体製造
装置１ａ〜１を設置する場合に、上記のごとくシリンダ
ーキャビネット３の設置数を少なくすることで設備コス
トを十分に低減することができる。
よれば、第１ガスシリンダ３ａから排出されたドーピン
グガスを、第２ガスシリンダ７からの希釈ガスで希釈す
ることにより任意のドーピングガス濃度の混合ガスを得
ることができる。このため、半導体製造装置１ａ〜１ｃ
ごとに異なる濃度のドーピングガスを供給する場合に、
従来のようにドーピングガスシリンダ３ａの設置数を半
導体製造装置１ａ〜１ｃの設置数と同じくする必要は無
く、第１ガスシリンダ３ａの設置数を半導体製造装置１
ａ〜１ｃの設置数よりも少なくすることができ、これに
伴って、第１ガスシリンダ３ａを収納するシリンダーキ
ャビネット３の設置数を少なくすることができる。ここ
で、シリンダーキャビネット３は、毒性の強いドーピン
グガスを安全且つ安定して供給する機能を有するため、
一般に極めて高価である。このため、複数の半導体製造
装置１ａ〜１を設置する場合に、上記のごとくシリンダ
ーキャビネット３の設置数を少なくすることで設備コス
トを十分に低減することができる。
【００３０】本発明は、前述した実施形態に限定される
ものではない。例えば上記ガス供給方法では、ホスフィ
ンを水素ガスで希釈しているが、水素ガスに代えて窒素
ガスで希釈してもよく、水素と窒素ガスとの混合ガスで
希釈してもよい。また、上記実施形態では、ホスフィン
を使用しているが、ホスフィンに代えてアルシン（Ａｓ
Ｈ3）、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、セレン化水素（Ｈ2Ｓ
ｅ）、三フッ化ホウ素（ＢＦ3）又はゲルマン（Ｇｅ
Ｈ4）等を使用してもよく、また、これらの２種以上を
併用することもできる。この場合、第１ガスシリンダ３
ａは、ドーピングガスの種類に応じた数だけ設置され
る。
ものではない。例えば上記ガス供給方法では、ホスフィ
ンを水素ガスで希釈しているが、水素ガスに代えて窒素
ガスで希釈してもよく、水素と窒素ガスとの混合ガスで
希釈してもよい。また、上記実施形態では、ホスフィン
を使用しているが、ホスフィンに代えてアルシン（Ａｓ
Ｈ3）、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、セレン化水素（Ｈ2Ｓ
ｅ）、三フッ化ホウ素（ＢＦ3）又はゲルマン（Ｇｅ
Ｈ4）等を使用してもよく、また、これらの２種以上を
併用することもできる。この場合、第１ガスシリンダ３
ａは、ドーピングガスの種類に応じた数だけ設置され
る。
【００３１】また、上記実施形態では、ドーピングガス
を３台の半導体製造装置１ａ〜１ｃに供給する場合につ
いて説明しているが、これに限定されるものではない。
要するに、半導体製造装置は複数であればよい。但し、
半導体製造装置の設置数が多いほど本発明は効果的であ
る。
を３台の半導体製造装置１ａ〜１ｃに供給する場合につ
いて説明しているが、これに限定されるものではない。
要するに、半導体製造装置は複数であればよい。但し、
半導体製造装置の設置数が多いほど本発明は効果的であ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明のガス供給装
置及びガス供給方法によれば、ドーピングガスと希釈ガ
スが流量比を調整されて混合され、個々の半導体製造装
置ごとに異なる濃度又は異なる種類のドーピングガスを
供給する場合に、ドーピングガスを貯留するガスシリン
ダの設置数を半導体製造装置の設置数よりも少なくする
ことが可能となり、ひいてはこれを収納するシリンダー
キャビネットの設置数を少なくすることができる。よっ
て、設備コストを十分に低減することができる。
置及びガス供給方法によれば、ドーピングガスと希釈ガ
スが流量比を調整されて混合され、個々の半導体製造装
置ごとに異なる濃度又は異なる種類のドーピングガスを
供給する場合に、ドーピングガスを貯留するガスシリン
ダの設置数を半導体製造装置の設置数よりも少なくする
ことが可能となり、ひいてはこれを収納するシリンダー
キャビネットの設置数を少なくすることができる。よっ
て、設備コストを十分に低減することができる。
【図１】本発明のガス供給装置の一実施形態を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図２】図１のガスパネルの内部構成図である。
【図３】従来のガス供給装置の一例を示す概略構成図で
ある。
ある。
１ａ〜１ｃ…半導体製造装置、２…ガス供給装置、３ａ
…第１ガスシリンダ、５ａ〜５ｃ…ガスパネル（流量調
整手段）、６，７…第２ガスシリンダ。
…第１ガスシリンダ、５ａ〜５ｃ…ガスパネル（流量調
整手段）、６，７…第２ガスシリンダ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小菅 一生
千葉県成田市新泉14ー３野毛平工業団地内
アプライド マテリアルズ ジャパン株
式会社内
Ｆターム(参考） 4K030 AA20 CA04 CA12 EA03 JA05
JA06 KA41
5F045 AC15 AC19 EE15
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の半導体製造装置にドーピングガス
を供給するガス供給装置であって、前記複数の半導体製
造装置内において使用する最大のドーピングガス濃度よ
りも大きい濃度を有する少なくとも１種類のドーピング
ガスを貯留する少なくとも１つの第１ガスシリンダと、 少なくとも１種類の希釈ガスを貯留する少なくとも１つ
の第２ガスシリンダと、 前記第１ガスシリンダからの前記ドーピングガスと前記
第２ガスシリンダからの前記希釈ガスの流量比を調整し
て混合し、個々の半導体製造装置ごとに異なる濃度又は
種類のドーピングガスを供給することが可能な流量調整
手段と、を備えることを特徴とするガス供給装置。 - 【請求項２】 前記第1ガスシリンダにおけるドーピン
グガスの濃度が１００％であることを特徴とする請求項
１に記載のガス供給装置。 - 【請求項３】 複数の半導体製造装置にドーピングガス
を供給するガス供給方法であって、 前記複数の半導体製造装置で使用しうる最大のドーピン
グガス濃度よりも大きい濃度を有する少なくとも１種類
のドーピングガスと、少なくとも１種類の希釈ガスの流
量比を調整して混合し、個々の半導体製造装置ごとに異
なる濃度又は種類のドーピングガスを供給することを特
徴とするガス供給方法。 - 【請求項４】 前記希釈ガスと混合するドーピングガス
の濃度が１００％であることを特徴とする請求項１に記
載のガス供給方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001335242A JP3720294B2 (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | ガス供給装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001335242A JP3720294B2 (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | ガス供給装置及び方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003142409A true JP2003142409A (ja) | 2003-05-16 |
| JP3720294B2 JP3720294B2 (ja) | 2005-11-24 |
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|---|---|---|---|
| JP2001335242A Expired - Fee Related JP3720294B2 (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | ガス供給装置及び方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3720294B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04233725A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Fujitsu Ltd | 希釈ガスの製造方法 |
| JPH07321048A (ja) * | 1994-05-24 | 1995-12-08 | Toshiba Mach Co Ltd | 薄膜成長装置 |
| JPH1028855A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ガス供給装置及び気相成長用設備 |
-
2001
- 2001-10-31 JP JP2001335242A patent/JP3720294B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04233725A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Fujitsu Ltd | 希釈ガスの製造方法 |
| JPH07321048A (ja) * | 1994-05-24 | 1995-12-08 | Toshiba Mach Co Ltd | 薄膜成長装置 |
| JPH1028855A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ガス供給装置及び気相成長用設備 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3720294B2 (ja) | 2005-11-24 |
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