JP2003140324A - 基板収納容器 - Google Patents
基板収納容器Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
スクブランクス基板又はフォトマスク基板を収納する容
器であって、該容器が高分子系材料からなり、該高分子
系材料を120℃、15分の条件で加熱したときに放出
されるアウトガス成分中、パージ&トラップ法で吸着捕
捉され、GC−MSにて検出される窒素含有化合物の総
量が、トルエン換算で1ppm以下であることを特徴と
する基板収納容器。 【効果】 本発明の基板収納容器を用いることにより、
化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブランクス
基板又はフォトマスク基板の保管の際、容器から放出さ
れる窒素含有化合物の影響を避けることが可能であるた
め、余分なコストがかかる化学物質用吸着剤を用いるこ
となく、レジストパターンへの影響を避けることができ
る。
Description
回路や、液晶デバイスなどの精密な電子回路を形成する
製造工程において、光リソグラフィーで用いられる化学
増幅型レジスト膜を有するフォトマスク基板又はその原
料となる化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブ
ランクス基板を収納する基板収納容器に関するものであ
る。
I、VLSI等の高密度半導体集積回路やCCD(電荷
結合素子)、LCD(液晶表示素子)用のカラーフィル
ター、磁気ヘッド等の電子回路は、近年ますます微細化
が要求されている。前記電子回路は主にフォトマスクを
用いた光リソグラフィー法によって形成されているが、
高精度のパターンを得るために露光波長の短波長化、位
相シフトによる光の干渉作用、レジストの高解像度化な
どの技術を組み合わせることで微細化の要求に応えよう
としている。
次世代フォトマスク用のレジストとして注目されている
のが化学増幅型レジストと呼ばれているものである。こ
のレジストは、解像力、コントラストに優れており、そ
のメカニズムは、エキシマレーザーや電子ビームの照射
により触媒作用のある物質(主に酸)を生成させ、次工
程でこれを熱処理することによってこの物質と高分子中
の官能基あるいは官能物質とを反応させる。この反応に
より光又は電子線が照射された部分が現像液に可溶化
(ポジ型)又は不溶化(ネガ型)することで設計したレ
ジストパターンが得られるものである。
マスクとしてエッチング処理を行い、次にレジストを剥
離することで所定のパターンを有するCr系遮光膜や金
属シリサイド等を主成分とするハーフトーン型位相シフ
ト膜等の導電性金属薄膜が得られる。
なレジストパターンを得るときに問題となっているの
は、主に基板依存性、放置時間依存性、環境依存性であ
る。これらの問題の大部分は、光又は電子線の照射によ
って発生した触媒である酸の挙動に由来するものであ
り、レジストの下地となる基板表面からの影響で酸が失
活して、裾引き(ポジ型)やアンダーカット(ネガ型)
が起きたり、酸が拡散することで放置時間に起因する寸
法変動が生じたり、大気中に含まれるアミン類などの塩
基性化合物が触媒である酸を失活させることで形状変
化、感度低下が生じる。
性化合物の添加剤を少量加えたり、プリベークの温度を
上昇させたり、下地基板表面に保護膜を設けたりなど様
々な処理が行われているが完全には解決されていないの
が現状である。更に、上記のような現象に関して、これ
まで露光によって酸が発生した後の環境が問題視されて
きたが、露光する前におけるレジスト塗布基板の保管環
境にも大きく依存することが明らかとなってきた。
複数収納し、保管又は運搬する容器としては、その機能
性、重量、製造コストを考えるとその構成材料は高分子
系材料にせざるを得ない。しかし、プラスチックに代表
される高分子系材料からは、アウトガスとして何らかの
成分が放出され、これを完全に断つことは容易ではな
い。
搬する際に使用する収納容器からアミン類などの窒素含
有化合物がアウトガス成分として放出されると、これら
の分子はレジスト膜中に浸透し、その後の露光の段階で
発生した酸を失活させ、設計通りのレジストパターンが
得られないという問題が生じる。
ど受けない雰囲気中に保管したとしても、露光終了時か
らレジストを現像するまでの間にアミン類などの窒素含
有化合物にさらされると、露光で発生した酸が失活さ
れ、精密なパターンが得られなくなるという問題もあ
る。
に関し、特開2001−77188号公報、特開200
1−85507号公報では、収納容器内に吸着剤を収容
し、上記アウトガスを物理吸着、化学吸着することによ
って収納された基板をケミカルコンタミネーションから
防ぐ容器が提案されている。
は、吸着剤に寿命があることから定期的に新しいものと
交換する必要があり、またコストも高くなることであ
る。更に吸着剤からのパーティクルの発生も懸念され
る。
あり、化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブラ
ンクス基板又はフォトマスク基板を収納して保管又は運
搬する際に、収納された基板に対してアミン類などの窒
素含有化合物による汚染等の悪影響を与えることのない
基板収納容器を提供することを目的としている。
発明者は、上記問題を解決するために鋭意検討を重ねた
結果、化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブラ
ンクス基板又はフォトマスク基板を収納して保管又は運
搬する容器として、特定の性質を有する高分子系材料か
らなる基板収納容器が、アウトガス成分として窒素含有
化合物をほとんど放出せず、化学増幅型レジスト膜を有
するフォトマスクブランクス基板又はフォトマスク基板
のレジスト特性を変化させないことを見出し、本発明を
なすに至った。
する。 請求項1:化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスク
ブランクス基板又はフォトマスク基板を収納する容器で
あって、該容器が高分子系材料からなり、該高分子系材
料を120℃、15分の条件で加熱したときに放出され
るアウトガス成分中、パージ&トラップ法で吸着捕捉さ
れ、GC−MSにて検出される窒素含有化合物の総量
が、トルエン換算で1ppm以下であることを特徴とす
る基板収納容器。 請求項2:窒素含有化合物が、アンモニア、アミン類、
ニトリル類、アニリン類、ピリジン類から選ばれるいず
れか1種又は2種以上の化合物である請求項1記載の基
板収納容器。 請求項3:高分子系材料が、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリアセタールから選ばれるいずれか1種を主成分
とするものある請求項1又は2記載の基板収納容器。
る。本発明の基板収納容器は、化学増幅型レジスト膜を
有するフォトマスクブランクス基板又はフォトマスク基
板を収納するための容器であり、該容器が高分子系材料
からなり、該高分子系材料を120℃、15分の条件で
加熱したときに放出されるアウトガス成分中、パージ&
トラップ法で吸着捕捉され、GC−MSにて検出される
窒素含有化合物の総量が、トルエン換算で1ppm以
下、好ましくは0.5ppm以下のものである。なお、
上記1ppmとは、例えば、上記高分子系材料50mg
を用いて測定した窒素含有化合物の総量が、トルエン換
算で0.05μgであることに相当する。
ア、アミン類、ニトリル類、アニリン類、ピリジン類等
がレジストに影響を及ぼすため、これらの成分の放出量
を低減することが望ましい。特に、塩基性の強いアンモ
ニア、アミン類は大きな影響を及ぼすため低減すること
が望ましい。
響を及ぼす窒素含有化合物をアウトガス成分として放出
しない高分子系材料で基板収納容器を作製することによ
り得ることができる。
エチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリメタ
クリル酸メチル(PMMA)、ポリカーボネート(P
C)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブ
チレンテレフタレート(PBT)、ポリアセタール(P
OM)など、分子中に窒素原子を含まないモノマーを重
合して得られる高分子を主成分とする高分子系材料を用
いることが好ましい。この高分子系材料の製造方法は特
に限定されず、従来公知の方法で製造することができる
が、窒素原子を含有する添加剤、窒素原子を含有する溶
媒など、アウトガス中の窒素含有化合物の原因となる窒
素含有物質を使用しないことが好ましい。
気からの汚染を避けるため密閉できる構造のものが好ま
しく、上述のような材料で基板収納容器を製造するに際
しては、既存の容器製造方法及び形状を適用できる。ま
た、容器成型時においても、窒素原子を含有する添加
剤、窒素原子を含有する溶媒など、アウトガス中の窒素
含有化合物の原因となる窒素含有物質を使用しないこと
が好ましい。
り、化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブラン
クス基板又はフォトマスク基板の保管の際、容器から放
出される窒素含有化合物の影響を避けることが可能であ
るため、特開2001−77188号公報、特開200
1−85507号公報に記載されているような余分なコ
ストがかかる化学物質用吸着剤を用いることなく、レジ
ストパターンへの影響を避けることができる。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
ル(PMMA)樹脂を溶融し、射出成形することによ
り、PMMAを主成分とする基板収納容器を製造した。
ーポイント・パージ&トラップ・サンプラー(日本分析
工業 JHS−100A)を用いて120℃、15分の
条件でアウトガス成分を吸着採取し、GC−MS(ヒュ
ーレットパッカード社 5971MSD)を用い、下記
条件にて分析したところ、メタクリル酸エステル、その
他エステル系、アルコール系の成分が数種検出された
が、窒素元素を含む分子は確認されなかった(図2参
照)。
塗布したクロムブランクを3枚収納し、それぞれ1日、
14日、30日間保管した後EB描画し、現像してレジ
ストパターン(線幅約0.48μm)を得た。これらの
レジストパターンの断面をSEM観察したところ、上記
期間でのレジストパターンの線幅及び形状の変化はほと
んどなく良好なものであり、収納容器の影響は受けてい
なかった(図1参照)。
ルエンに対する相対感度を1とした半定量分析により行
った。GCカラム温度は50〜300℃とし、MSDは
29〜600massとした。なお、前記分析方法及び
本条件を用いた場合の検出限界はトルエン換算で0.0
01μg(0.02ppm)であった。
P)樹脂を溶融し、射出成形することにより、PPを主
成分とする基板収納容器を製造した。
ーポイント・パージ&トラップ・サンプラー(日本分析
工業 JHS−100A)を用いて120℃、15分の
条件でアウトガス成分を吸着採取し、GC−MS(ヒュ
ーレットパッカード社 5971MSD)を用い、前記
条件にて分析したところ、炭化水素成分が数種検出され
たが、窒素元素を含む分子は確認されなかった(図3参
照)。
塗布したクロムブランクを3枚収納し、それぞれ1日、
14日、30日間保管した後EB描画し、現像してレジ
ストパターン(線幅約0.48μm)を得た。これらの
レジストパターンの断面をSEM観察したところ、上記
期間でのレジストパターンの線幅及び形状の変化はほと
んどなく良好なものであり、収納容器の影響は受けてい
なかった(図1参照)。
タジエン・スチレン(ABS)樹脂を溶融し、射出成形
することにより、ABSを主成分とする基板収納容器を
製造した。
ーポイント・パージ&トラップ・サンプラー(日本分析
工業 JHS−100A)を用いて120℃、15分の
条件でアウトガス成分を吸着採取し、GC−MS(ヒュ
ーレットパッカード社 5971MSD)を用い、前記
条件にて分析したところ、窒素原子を含む成分が多種
(アクリロニトリルとその誘導体)検出され、その量
は、トルエン換算で0.2μg(4ppm)であった
(図4参照)。
塗布したクロムブランクを3枚収納し、それぞれ1日、
14日、30日間保管した後EB描画し、現像してレジ
ストパターン(線幅約0.48μm)を得た。これらの
レジストパターンの断面をSEM観察したところ、上記
期間でのレジストパターンの線幅は、14日で約35n
m、30日で約50nm増加しており、収納容器の影響
を受けていることがわかった(図1参照)。
ストパターンの線幅の変化を示す図である。
る。
る。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 化学増幅型レジスト膜を有するフォトマ
スクブランクス基板又はフォトマスク基板を収納する容
器であって、該容器が高分子系材料からなり、該高分子
系材料を120℃、15分の条件で加熱したときに放出
されるアウトガス成分中、パージ&トラップ法で吸着捕
捉され、GC−MSにて検出される窒素含有化合物の総
量が、トルエン換算で1ppm以下であることを特徴と
する基板収納容器。 - 【請求項2】 窒素含有化合物が、アンモニア、アミン
類、ニトリル類、アニリン類、ピリジン類から選ばれる
いずれか1種又は2種以上の化合物である請求項1記載
の基板収納容器。 - 【請求項3】 高分子系材料が、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネー
ト、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリアセタールから選ばれるいずれか1種を
主成分とするものである請求項1又は2記載の基板収納
容器。
Priority Applications (1)
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005031489A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Hoya Corp | マスクブランクス等の収納容器及びマスクブランクスの収納方法並びにマスクブランクス収納体 |
JP2005062462A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Hoya Corp | マスクブランクスの収納方法、マスクブランクス収納体及びマスクブランクスの製造方法 |
JP2005070390A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Hoya Corp | マスクブランクス収納用部材の処理方法、マスクブランクス収納用部材の製造方法及びマスクブランクス収納体 |
JP2006208924A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクケース |
JP2007086363A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Hoya Corp | マスクブランク収納ケース、マスクブランクの収納方法及びマスクブランク収納体 |
US7463338B2 (en) | 2003-07-08 | 2008-12-09 | Hoya Corporation | Container for housing a mask blank, method of housing a mask blank, and mask blank package |
WO2015037176A1 (ja) | 2013-09-11 | 2015-03-19 | 信越ポリマー株式会社 | フォトマスクブランクス基板収納容器 |
JP2017003824A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2017057119A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの収容治具、多結晶シリコン収容用治具の検査方法、および、多結晶シリコンの製造方法 |
JP2017097242A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | アルバック成膜株式会社 | ケース、フォトマスクブランクスの輸送方法 |
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Families Citing this family (1)
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JP6067123B2 (ja) * | 2013-08-22 | 2017-01-25 | ミライアル株式会社 | 基板収納容器 |
-
2001
- 2001-11-06 JP JP2001340120A patent/JP3944699B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101080531B1 (ko) | 2003-07-08 | 2011-11-04 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 수납용 컨테이너, 마스크 블랭크 수납 방법, 및 마스크 블랭크 패키지 |
JP2005031489A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Hoya Corp | マスクブランクス等の収納容器及びマスクブランクスの収納方法並びにマスクブランクス収納体 |
US7463338B2 (en) | 2003-07-08 | 2008-12-09 | Hoya Corporation | Container for housing a mask blank, method of housing a mask blank, and mask blank package |
US7838182B2 (en) | 2003-07-08 | 2010-11-23 | Hoya Corporation | Container for housing a mask blank, method of housing a mask blank, and mask blank package |
JP2005062462A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Hoya Corp | マスクブランクスの収納方法、マスクブランクス収納体及びマスクブランクスの製造方法 |
JP2005070390A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Hoya Corp | マスクブランクス収納用部材の処理方法、マスクブランクス収納用部材の製造方法及びマスクブランクス収納体 |
JP2006208924A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクケース |
JP4539347B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-09-08 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクケース |
JP2007086363A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Hoya Corp | マスクブランク収納ケース、マスクブランクの収納方法及びマスクブランク収納体 |
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JP2017057119A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの収容治具、多結晶シリコン収容用治具の検査方法、および、多結晶シリコンの製造方法 |
JP2017097242A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | アルバック成膜株式会社 | ケース、フォトマスクブランクスの輸送方法 |
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