JP2003140324A - 基板収納容器 - Google Patents
基板収納容器Info
- Publication number
- JP2003140324A JP2003140324A JP2001340120A JP2001340120A JP2003140324A JP 2003140324 A JP2003140324 A JP 2003140324A JP 2001340120 A JP2001340120 A JP 2001340120A JP 2001340120 A JP2001340120 A JP 2001340120A JP 2003140324 A JP2003140324 A JP 2003140324A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- container
- nitrogen
- photomask
- polymer material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 化学増幅型レジスト膜を有するフォトマ
スクブランクス基板又はフォトマスク基板を収納する容
器であって、該容器が高分子系材料からなり、該高分子
系材料を１２０℃、１５分の条件で加熱したときに放出
されるアウトガス成分中、パージ＆トラップ法で吸着捕
捉され、ＧＣ−ＭＳにて検出される窒素含有化合物の総
量が、トルエン換算で１ｐｐｍ以下であることを特徴と
する基板収納容器。 【効果】 本発明の基板収納容器を用いることにより、
化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブランクス
基板又はフォトマスク基板の保管の際、容器から放出さ
れる窒素含有化合物の影響を避けることが可能であるた
め、余分なコストがかかる化学物質用吸着剤を用いるこ
となく、レジストパターンへの影響を避けることができ
る。
スクブランクス基板又はフォトマスク基板を収納する容
器であって、該容器が高分子系材料からなり、該高分子
系材料を１２０℃、１５分の条件で加熱したときに放出
されるアウトガス成分中、パージ＆トラップ法で吸着捕
捉され、ＧＣ−ＭＳにて検出される窒素含有化合物の総
量が、トルエン換算で１ｐｐｍ以下であることを特徴と
する基板収納容器。 【効果】 本発明の基板収納容器を用いることにより、
化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブランクス
基板又はフォトマスク基板の保管の際、容器から放出さ
れる窒素含有化合物の影響を避けることが可能であるた
め、余分なコストがかかる化学物質用吸着剤を用いるこ
となく、レジストパターンへの影響を避けることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度半導体集積
回路や、液晶デバイスなどの精密な電子回路を形成する
製造工程において、光リソグラフィーで用いられる化学
増幅型レジスト膜を有するフォトマスク基板又はその原
料となる化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブ
ランクス基板を収納する基板収納容器に関するものであ
る。
回路や、液晶デバイスなどの精密な電子回路を形成する
製造工程において、光リソグラフィーで用いられる化学
増幅型レジスト膜を有するフォトマスク基板又はその原
料となる化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブ
ランクス基板を収納する基板収納容器に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＬＳ
Ｉ、ＶＬＳＩ等の高密度半導体集積回路やＣＣＤ（電荷
結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用のカラーフィル
ター、磁気ヘッド等の電子回路は、近年ますます微細化
が要求されている。前記電子回路は主にフォトマスクを
用いた光リソグラフィー法によって形成されているが、
高精度のパターンを得るために露光波長の短波長化、位
相シフトによる光の干渉作用、レジストの高解像度化な
どの技術を組み合わせることで微細化の要求に応えよう
としている。
Ｉ、ＶＬＳＩ等の高密度半導体集積回路やＣＣＤ（電荷
結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用のカラーフィル
ター、磁気ヘッド等の電子回路は、近年ますます微細化
が要求されている。前記電子回路は主にフォトマスクを
用いた光リソグラフィー法によって形成されているが、
高精度のパターンを得るために露光波長の短波長化、位
相シフトによる光の干渉作用、レジストの高解像度化な
どの技術を組み合わせることで微細化の要求に応えよう
としている。
【０００３】これら、短波長化、高解像度化に対応した
次世代フォトマスク用のレジストとして注目されている
のが化学増幅型レジストと呼ばれているものである。こ
のレジストは、解像力、コントラストに優れており、そ
のメカニズムは、エキシマレーザーや電子ビームの照射
により触媒作用のある物質（主に酸）を生成させ、次工
程でこれを熱処理することによってこの物質と高分子中
の官能基あるいは官能物質とを反応させる。この反応に
より光又は電子線が照射された部分が現像液に可溶化
（ポジ型）又は不溶化（ネガ型）することで設計したレ
ジストパターンが得られるものである。
次世代フォトマスク用のレジストとして注目されている
のが化学増幅型レジストと呼ばれているものである。こ
のレジストは、解像力、コントラストに優れており、そ
のメカニズムは、エキシマレーザーや電子ビームの照射
により触媒作用のある物質（主に酸）を生成させ、次工
程でこれを熱処理することによってこの物質と高分子中
の官能基あるいは官能物質とを反応させる。この反応に
より光又は電子線が照射された部分が現像液に可溶化
（ポジ型）又は不溶化（ネガ型）することで設計したレ
ジストパターンが得られるものである。
【０００４】また、ここで得られたレジストパターンを
マスクとしてエッチング処理を行い、次にレジストを剥
離することで所定のパターンを有するＣｒ系遮光膜や金
属シリサイド等を主成分とするハーフトーン型位相シフ
ト膜等の導電性金属薄膜が得られる。
マスクとしてエッチング処理を行い、次にレジストを剥
離することで所定のパターンを有するＣｒ系遮光膜や金
属シリサイド等を主成分とするハーフトーン型位相シフ
ト膜等の導電性金属薄膜が得られる。
【０００５】現在、化学増幅型レジストにおいて、微細
なレジストパターンを得るときに問題となっているの
は、主に基板依存性、放置時間依存性、環境依存性であ
る。これらの問題の大部分は、光又は電子線の照射によ
って発生した触媒である酸の挙動に由来するものであ
り、レジストの下地となる基板表面からの影響で酸が失
活して、裾引き（ポジ型）やアンダーカット（ネガ型）
が起きたり、酸が拡散することで放置時間に起因する寸
法変動が生じたり、大気中に含まれるアミン類などの塩
基性化合物が触媒である酸を失活させることで形状変
化、感度低下が生じる。
なレジストパターンを得るときに問題となっているの
は、主に基板依存性、放置時間依存性、環境依存性であ
る。これらの問題の大部分は、光又は電子線の照射によ
って発生した触媒である酸の挙動に由来するものであ
り、レジストの下地となる基板表面からの影響で酸が失
活して、裾引き（ポジ型）やアンダーカット（ネガ型）
が起きたり、酸が拡散することで放置時間に起因する寸
法変動が生じたり、大気中に含まれるアミン類などの塩
基性化合物が触媒である酸を失活させることで形状変
化、感度低下が生じる。
【０００６】これまで、これらの問題を解決すべく塩基
性化合物の添加剤を少量加えたり、プリベークの温度を
上昇させたり、下地基板表面に保護膜を設けたりなど様
々な処理が行われているが完全には解決されていないの
が現状である。更に、上記のような現象に関して、これ
まで露光によって酸が発生した後の環境が問題視されて
きたが、露光する前におけるレジスト塗布基板の保管環
境にも大きく依存することが明らかとなってきた。
性化合物の添加剤を少量加えたり、プリベークの温度を
上昇させたり、下地基板表面に保護膜を設けたりなど様
々な処理が行われているが完全には解決されていないの
が現状である。更に、上記のような現象に関して、これ
まで露光によって酸が発生した後の環境が問題視されて
きたが、露光する前におけるレジスト塗布基板の保管環
境にも大きく依存することが明らかとなってきた。
【０００７】フォトマスクブランクス基板等を単数又は
複数収納し、保管又は運搬する容器としては、その機能
性、重量、製造コストを考えるとその構成材料は高分子
系材料にせざるを得ない。しかし、プラスチックに代表
される高分子系材料からは、アウトガスとして何らかの
成分が放出され、これを完全に断つことは容易ではな
い。
複数収納し、保管又は運搬する容器としては、その機能
性、重量、製造コストを考えるとその構成材料は高分子
系材料にせざるを得ない。しかし、プラスチックに代表
される高分子系材料からは、アウトガスとして何らかの
成分が放出され、これを完全に断つことは容易ではな
い。
【０００８】レジスト液が塗布された基板を保管又は運
搬する際に使用する収納容器からアミン類などの窒素含
有化合物がアウトガス成分として放出されると、これら
の分子はレジスト膜中に浸透し、その後の露光の段階で
発生した酸を失活させ、設計通りのレジストパターンが
得られないという問題が生じる。
搬する際に使用する収納容器からアミン類などの窒素含
有化合物がアウトガス成分として放出されると、これら
の分子はレジスト膜中に浸透し、その後の露光の段階で
発生した酸を失活させ、設計通りのレジストパターンが
得られないという問題が生じる。
【０００９】また、露光の段階まで環境の影響をほとん
ど受けない雰囲気中に保管したとしても、露光終了時か
らレジストを現像するまでの間にアミン類などの窒素含
有化合物にさらされると、露光で発生した酸が失活さ
れ、精密なパターンが得られなくなるという問題もあ
る。
ど受けない雰囲気中に保管したとしても、露光終了時か
らレジストを現像するまでの間にアミン類などの窒素含
有化合物にさらされると、露光で発生した酸が失活さ
れ、精密なパターンが得られなくなるという問題もあ
る。
【００１０】このようなプラスチックからのアウトガス
に関し、特開２００１−７７１８８号公報、特開２００
１−８５５０７号公報では、収納容器内に吸着剤を収容
し、上記アウトガスを物理吸着、化学吸着することによ
って収納された基板をケミカルコンタミネーションから
防ぐ容器が提案されている。
に関し、特開２００１−７７１８８号公報、特開２００
１−８５５０７号公報では、収納容器内に吸着剤を収容
し、上記アウトガスを物理吸着、化学吸着することによ
って収納された基板をケミカルコンタミネーションから
防ぐ容器が提案されている。
【００１１】しかし、これらの基板収納容器の問題点
は、吸着剤に寿命があることから定期的に新しいものと
交換する必要があり、またコストも高くなることであ
る。更に吸着剤からのパーティクルの発生も懸念され
る。
は、吸着剤に寿命があることから定期的に新しいものと
交換する必要があり、またコストも高くなることであ
る。更に吸着剤からのパーティクルの発生も懸念され
る。
【００１２】本発明は、上記問題に鑑みなされたもので
あり、化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブラ
ンクス基板又はフォトマスク基板を収納して保管又は運
搬する際に、収納された基板に対してアミン類などの窒
素含有化合物による汚染等の悪影響を与えることのない
基板収納容器を提供することを目的としている。
あり、化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブラ
ンクス基板又はフォトマスク基板を収納して保管又は運
搬する際に、収納された基板に対してアミン類などの窒
素含有化合物による汚染等の悪影響を与えることのない
基板収納容器を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記問題を解決するために鋭意検討を重ねた
結果、化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブラ
ンクス基板又はフォトマスク基板を収納して保管又は運
搬する容器として、特定の性質を有する高分子系材料か
らなる基板収納容器が、アウトガス成分として窒素含有
化合物をほとんど放出せず、化学増幅型レジスト膜を有
するフォトマスクブランクス基板又はフォトマスク基板
のレジスト特性を変化させないことを見出し、本発明を
なすに至った。
発明者は、上記問題を解決するために鋭意検討を重ねた
結果、化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブラ
ンクス基板又はフォトマスク基板を収納して保管又は運
搬する容器として、特定の性質を有する高分子系材料か
らなる基板収納容器が、アウトガス成分として窒素含有
化合物をほとんど放出せず、化学増幅型レジスト膜を有
するフォトマスクブランクス基板又はフォトマスク基板
のレジスト特性を変化させないことを見出し、本発明を
なすに至った。
【００１４】即ち、本発明は、下記基板収納容器を提供
する。 請求項１：化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスク
ブランクス基板又はフォトマスク基板を収納する容器で
あって、該容器が高分子系材料からなり、該高分子系材
料を１２０℃、１５分の条件で加熱したときに放出され
るアウトガス成分中、パージ＆トラップ法で吸着捕捉さ
れ、ＧＣ−ＭＳにて検出される窒素含有化合物の総量
が、トルエン換算で１ｐｐｍ以下であることを特徴とす
る基板収納容器。 請求項２：窒素含有化合物が、アンモニア、アミン類、
ニトリル類、アニリン類、ピリジン類から選ばれるいず
れか１種又は２種以上の化合物である請求項１記載の基
板収納容器。 請求項３：高分子系材料が、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリアセタールから選ばれるいずれか１種を主成分
とするものある請求項１又は２記載の基板収納容器。
する。 請求項１：化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスク
ブランクス基板又はフォトマスク基板を収納する容器で
あって、該容器が高分子系材料からなり、該高分子系材
料を１２０℃、１５分の条件で加熱したときに放出され
るアウトガス成分中、パージ＆トラップ法で吸着捕捉さ
れ、ＧＣ−ＭＳにて検出される窒素含有化合物の総量
が、トルエン換算で１ｐｐｍ以下であることを特徴とす
る基板収納容器。 請求項２：窒素含有化合物が、アンモニア、アミン類、
ニトリル類、アニリン類、ピリジン類から選ばれるいず
れか１種又は２種以上の化合物である請求項１記載の基
板収納容器。 請求項３：高分子系材料が、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリアセタールから選ばれるいずれか１種を主成分
とするものある請求項１又は２記載の基板収納容器。
【００１５】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。本発明の基板収納容器は、化学増幅型レジスト膜を
有するフォトマスクブランクス基板又はフォトマスク基
板を収納するための容器であり、該容器が高分子系材料
からなり、該高分子系材料を１２０℃、１５分の条件で
加熱したときに放出されるアウトガス成分中、パージ＆
トラップ法で吸着捕捉され、ＧＣ−ＭＳにて検出される
窒素含有化合物の総量が、トルエン換算で１ｐｐｍ以
下、好ましくは０．５ｐｐｍ以下のものである。なお、
上記１ｐｐｍとは、例えば、上記高分子系材料５０ｍｇ
を用いて測定した窒素含有化合物の総量が、トルエン換
算で０．０５μｇであることに相当する。
る。本発明の基板収納容器は、化学増幅型レジスト膜を
有するフォトマスクブランクス基板又はフォトマスク基
板を収納するための容器であり、該容器が高分子系材料
からなり、該高分子系材料を１２０℃、１５分の条件で
加熱したときに放出されるアウトガス成分中、パージ＆
トラップ法で吸着捕捉され、ＧＣ−ＭＳにて検出される
窒素含有化合物の総量が、トルエン換算で１ｐｐｍ以
下、好ましくは０．５ｐｐｍ以下のものである。なお、
上記１ｐｐｍとは、例えば、上記高分子系材料５０ｍｇ
を用いて測定した窒素含有化合物の総量が、トルエン換
算で０．０５μｇであることに相当する。
【００１６】上記窒素含有化合物としては、アンモニ
ア、アミン類、ニトリル類、アニリン類、ピリジン類等
がレジストに影響を及ぼすため、これらの成分の放出量
を低減することが望ましい。特に、塩基性の強いアンモ
ニア、アミン類は大きな影響を及ぼすため低減すること
が望ましい。
ア、アミン類、ニトリル類、アニリン類、ピリジン類等
がレジストに影響を及ぼすため、これらの成分の放出量
を低減することが望ましい。特に、塩基性の強いアンモ
ニア、アミン類は大きな影響を及ぼすため低減すること
が望ましい。
【００１７】この容器は、化学増幅型レジスト膜に悪影
響を及ぼす窒素含有化合物をアウトガス成分として放出
しない高分子系材料で基板収納容器を作製することによ
り得ることができる。
響を及ぼす窒素含有化合物をアウトガス成分として放出
しない高分子系材料で基板収納容器を作製することによ
り得ることができる。
【００１８】上記高分子系材料としては、例えば、ポリ
エチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリメタ
クリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブ
チレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリアセタール（Ｐ
ＯＭ）など、分子中に窒素原子を含まないモノマーを重
合して得られる高分子を主成分とする高分子系材料を用
いることが好ましい。この高分子系材料の製造方法は特
に限定されず、従来公知の方法で製造することができる
が、窒素原子を含有する添加剤、窒素原子を含有する溶
媒など、アウトガス中の窒素含有化合物の原因となる窒
素含有物質を使用しないことが好ましい。
エチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリメタ
クリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブ
チレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリアセタール（Ｐ
ＯＭ）など、分子中に窒素原子を含まないモノマーを重
合して得られる高分子を主成分とする高分子系材料を用
いることが好ましい。この高分子系材料の製造方法は特
に限定されず、従来公知の方法で製造することができる
が、窒素原子を含有する添加剤、窒素原子を含有する溶
媒など、アウトガス中の窒素含有化合物の原因となる窒
素含有物質を使用しないことが好ましい。
【００１９】本発明の容器は、基板を収納した際に、外
気からの汚染を避けるため密閉できる構造のものが好ま
しく、上述のような材料で基板収納容器を製造するに際
しては、既存の容器製造方法及び形状を適用できる。ま
た、容器成型時においても、窒素原子を含有する添加
剤、窒素原子を含有する溶媒など、アウトガス中の窒素
含有化合物の原因となる窒素含有物質を使用しないこと
が好ましい。
気からの汚染を避けるため密閉できる構造のものが好ま
しく、上述のような材料で基板収納容器を製造するに際
しては、既存の容器製造方法及び形状を適用できる。ま
た、容器成型時においても、窒素原子を含有する添加
剤、窒素原子を含有する溶媒など、アウトガス中の窒素
含有化合物の原因となる窒素含有物質を使用しないこと
が好ましい。
【００２０】
【発明の効果】本発明の基板収納容器を用いることによ
り、化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブラン
クス基板又はフォトマスク基板の保管の際、容器から放
出される窒素含有化合物の影響を避けることが可能であ
るため、特開２００１−７７１８８号公報、特開２００
１−８５５０７号公報に記載されているような余分なコ
ストがかかる化学物質用吸着剤を用いることなく、レジ
ストパターンへの影響を避けることができる。
り、化学増幅型レジスト膜を有するフォトマスクブラン
クス基板又はフォトマスク基板の保管の際、容器から放
出される窒素含有化合物の影響を避けることが可能であ
るため、特開２００１−７７１８８号公報、特開２００
１−８５５０７号公報に記載されているような余分なコ
ストがかかる化学物質用吸着剤を用いることなく、レジ
ストパターンへの影響を避けることができる。
【００２１】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
【００２２】［実施例１］粒状のポリメタクリル酸メチ
ル（ＰＭＭＡ）樹脂を溶融し、射出成形することによ
り、ＰＭＭＡを主成分とする基板収納容器を製造した。
ル（ＰＭＭＡ）樹脂を溶融し、射出成形することによ
り、ＰＭＭＡを主成分とする基板収納容器を製造した。
【００２３】この容器に使用した樹脂５０ｍｇをキュリ
ーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析
工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用いて１２０℃、１５分の
条件でアウトガス成分を吸着採取し、ＧＣ−ＭＳ（ヒュ
ーレットパッカード社 ５９７１ＭＳＤ）を用い、下記
条件にて分析したところ、メタクリル酸エステル、その
他エステル系、アルコール系の成分が数種検出された
が、窒素元素を含む分子は確認されなかった（図２参
照）。
ーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析
工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用いて１２０℃、１５分の
条件でアウトガス成分を吸着採取し、ＧＣ−ＭＳ（ヒュ
ーレットパッカード社 ５９７１ＭＳＤ）を用い、下記
条件にて分析したところ、メタクリル酸エステル、その
他エステル系、アルコール系の成分が数種検出された
が、窒素元素を含む分子は確認されなかった（図２参
照）。
【００２４】また、この容器に化学増幅型レジスト液を
塗布したクロムブランクを３枚収納し、それぞれ１日、
１４日、３０日間保管した後ＥＢ描画し、現像してレジ
ストパターン（線幅約０．４８μｍ）を得た。これらの
レジストパターンの断面をＳＥＭ観察したところ、上記
期間でのレジストパターンの線幅及び形状の変化はほと
んどなく良好なものであり、収納容器の影響は受けてい
なかった（図１参照）。
塗布したクロムブランクを３枚収納し、それぞれ１日、
１４日、３０日間保管した後ＥＢ描画し、現像してレジ
ストパターン（線幅約０．４８μｍ）を得た。これらの
レジストパターンの断面をＳＥＭ観察したところ、上記
期間でのレジストパターンの線幅及び形状の変化はほと
んどなく良好なものであり、収納容器の影響は受けてい
なかった（図１参照）。
【００２５】ＧＣ−ＭＳ分析条件
窒素含有化合物の定量は、トルエンを標準物質とし、ト
ルエンに対する相対感度を１とした半定量分析により行
った。ＧＣカラム温度は５０〜３００℃とし、ＭＳＤは
２９〜６００ｍａｓｓとした。なお、前記分析方法及び
本条件を用いた場合の検出限界はトルエン換算で０．０
０１μｇ（０．０２ｐｐｍ）であった。
ルエンに対する相対感度を１とした半定量分析により行
った。ＧＣカラム温度は５０〜３００℃とし、ＭＳＤは
２９〜６００ｍａｓｓとした。なお、前記分析方法及び
本条件を用いた場合の検出限界はトルエン換算で０．０
０１μｇ（０．０２ｐｐｍ）であった。
【００２６】［実施例２］粒状のポリプロピレン（Ｐ
Ｐ）樹脂を溶融し、射出成形することにより、ＰＰを主
成分とする基板収納容器を製造した。
Ｐ）樹脂を溶融し、射出成形することにより、ＰＰを主
成分とする基板収納容器を製造した。
【００２７】この容器に使用した樹脂５０ｍｇをキュリ
ーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析
工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用いて１２０℃、１５分の
条件でアウトガス成分を吸着採取し、ＧＣ−ＭＳ（ヒュ
ーレットパッカード社 ５９７１ＭＳＤ）を用い、前記
条件にて分析したところ、炭化水素成分が数種検出され
たが、窒素元素を含む分子は確認されなかった（図３参
照）。
ーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析
工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用いて１２０℃、１５分の
条件でアウトガス成分を吸着採取し、ＧＣ−ＭＳ（ヒュ
ーレットパッカード社 ５９７１ＭＳＤ）を用い、前記
条件にて分析したところ、炭化水素成分が数種検出され
たが、窒素元素を含む分子は確認されなかった（図３参
照）。
【００２８】また、この容器に化学増幅型レジスト液を
塗布したクロムブランクを３枚収納し、それぞれ１日、
１４日、３０日間保管した後ＥＢ描画し、現像してレジ
ストパターン（線幅約０．４８μｍ）を得た。これらの
レジストパターンの断面をＳＥＭ観察したところ、上記
期間でのレジストパターンの線幅及び形状の変化はほと
んどなく良好なものであり、収納容器の影響は受けてい
なかった（図１参照）。
塗布したクロムブランクを３枚収納し、それぞれ１日、
１４日、３０日間保管した後ＥＢ描画し、現像してレジ
ストパターン（線幅約０．４８μｍ）を得た。これらの
レジストパターンの断面をＳＥＭ観察したところ、上記
期間でのレジストパターンの線幅及び形状の変化はほと
んどなく良好なものであり、収納容器の影響は受けてい
なかった（図１参照）。
【００２９】［比較例１］粒状のアクリロニトリル・ブ
タジエン・スチレン（ＡＢＳ）樹脂を溶融し、射出成形
することにより、ＡＢＳを主成分とする基板収納容器を
製造した。
タジエン・スチレン（ＡＢＳ）樹脂を溶融し、射出成形
することにより、ＡＢＳを主成分とする基板収納容器を
製造した。
【００３０】この容器に使用した樹脂５０ｍｇをキュリ
ーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析
工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用いて１２０℃、１５分の
条件でアウトガス成分を吸着採取し、ＧＣ−ＭＳ（ヒュ
ーレットパッカード社 ５９７１ＭＳＤ）を用い、前記
条件にて分析したところ、窒素原子を含む成分が多種
（アクリロニトリルとその誘導体）検出され、その量
は、トルエン換算で０．２μｇ（４ｐｐｍ）であった
（図４参照）。
ーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析
工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用いて１２０℃、１５分の
条件でアウトガス成分を吸着採取し、ＧＣ−ＭＳ（ヒュ
ーレットパッカード社 ５９７１ＭＳＤ）を用い、前記
条件にて分析したところ、窒素原子を含む成分が多種
（アクリロニトリルとその誘導体）検出され、その量
は、トルエン換算で０．２μｇ（４ｐｐｍ）であった
（図４参照）。
【００３１】また、この容器に化学増幅型レジスト液を
塗布したクロムブランクを３枚収納し、それぞれ１日、
１４日、３０日間保管した後ＥＢ描画し、現像してレジ
ストパターン（線幅約０．４８μｍ）を得た。これらの
レジストパターンの断面をＳＥＭ観察したところ、上記
期間でのレジストパターンの線幅は、１４日で約３５ｎ
ｍ、３０日で約５０ｎｍ増加しており、収納容器の影響
を受けていることがわかった（図１参照）。
塗布したクロムブランクを３枚収納し、それぞれ１日、
１４日、３０日間保管した後ＥＢ描画し、現像してレジ
ストパターン（線幅約０．４８μｍ）を得た。これらの
レジストパターンの断面をＳＥＭ観察したところ、上記
期間でのレジストパターンの線幅は、１４日で約３５ｎ
ｍ、３０日で約５０ｎｍ増加しており、収納容器の影響
を受けていることがわかった（図１参照）。
【図１】各容器中で基板を一定期間保管したときのレジ
ストパターンの線幅の変化を示す図である。
ストパターンの線幅の変化を示す図である。
【図２】実施例１におけるＧＣ−ＭＳスペクトルであ
る。
る。
【図３】実施例２におけるＧＣ−ＭＳスペクトルであ
る。
る。
【図４】比較例１におけるＧＣ−ＭＳスペクトルであ
る。
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 丸山 保
新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１
信越化学工業株式会社新機能材料技術研究
所内
(72)発明者 森谷 二郎
新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１
信越化学工業株式会社新機能材料技術研究
所内
(72)発明者 岡崎 智
新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１
信越化学工業株式会社新機能材料技術研究
所内
Ｆターム(参考） 2H095 BE12
5F031 CA07 DA01 EA02 FA04 MA27
5F046 AA21 CB17
Claims (3)
- 【請求項１】 化学増幅型レジスト膜を有するフォトマ
スクブランクス基板又はフォトマスク基板を収納する容
器であって、該容器が高分子系材料からなり、該高分子
系材料を１２０℃、１５分の条件で加熱したときに放出
されるアウトガス成分中、パージ＆トラップ法で吸着捕
捉され、ＧＣ−ＭＳにて検出される窒素含有化合物の総
量が、トルエン換算で１ｐｐｍ以下であることを特徴と
する基板収納容器。 - 【請求項２】 窒素含有化合物が、アンモニア、アミン
類、ニトリル類、アニリン類、ピリジン類から選ばれる
いずれか１種又は２種以上の化合物である請求項１記載
の基板収納容器。 - 【請求項３】 高分子系材料が、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネー
ト、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリアセタールから選ばれるいずれか１種を
主成分とするものである請求項１又は２記載の基板収納
容器。
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|---|---|---|---|
| JP2001340120A JP3944699B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 基板収納容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP2003140324A true JP2003140324A (ja) | 2003-05-14 |
| JP3944699B2 JP3944699B2 (ja) | 2007-07-11 |
Family
ID=19154369
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|---|---|---|---|
| JP2001340120A Expired - Lifetime JP3944699B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 基板収納容器 |
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| JP2017003824A (ja) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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| JP2017097242A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | アルバック成膜株式会社 | ケース、フォトマスクブランクスの輸送方法 |
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- 2001-11-06 JP JP2001340120A patent/JP3944699B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7838182B2 (en) | 2003-07-08 | 2010-11-23 | Hoya Corporation | Container for housing a mask blank, method of housing a mask blank, and mask blank package |
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| KR20160055140A (ko) | 2013-09-11 | 2016-05-17 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크스 기판 수납 용기 |
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