JP2003134829A - スイッチング電源装置 - Google Patents

スイッチング電源装置

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JP2003134829A
JP2003134829A JP2001321326A JP2001321326A JP2003134829A JP 2003134829 A JP2003134829 A JP 2003134829A JP 2001321326 A JP2001321326 A JP 2001321326A JP 2001321326 A JP2001321326 A JP 2001321326A JP 2003134829 A JP2003134829 A JP 2003134829A
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JP
Japan
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switching
power supply
supply device
primary winding
voltage
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JP2001321326A
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English (en)
Inventor
Seiichi Yasuzawa
精一 安沢
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Japan Radio Co Ltd
Nagano Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
Japan Radio Co Ltd
Nagano Japan Radio Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 変換効率を低下させることなく装置を小型化
する。 【解決手段】 一次巻線4a,4bおよび二次巻線部を
有するトランス4と、一次巻線4aの他端および入力端
子3b間に接続されたFET6aと、FET6aに直列
接続されたダイオード5aと、第2の一次巻線4bの他
端および入力端子3b間に接続されたFET6bと、F
ET6bに直列接続されたダイオード5bと、スイッチ
ング制御回路7と、二次巻線部の誘起電圧を整流する整
流回路8と、整流された直流電圧を平滑する平滑回路9
とを備え、トランス4は、フライバックトランスで構成
され、二次巻線部は、二次巻線4c〜4fで構成され、
整流回路8は、二次巻線4c〜4fの誘起電圧を整流す
るダイオード8a〜8dで構成され、平滑回路9は、ダ
イオード8a〜8dによって整流された各直流電圧をそ
れぞれ平滑するコンデンサ9a〜9dを直列接続して構
成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フライバック型の
スイッチング電源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種のフライバック型のスイッチング
電源装置(以下、「電源装置」ともいう)としては、特
開平11−69823号に開示された電源装置が既に知
られている。この電源装置51は、図3に示すように、
各々の一端が中間タップ54dとして共通接続されてい
る2つの一次巻線54a,54bと二次巻線54cとを
備えたスイッチング用のトランス54を備えている。ま
た、トランス54の一次回路側には、交流電源2からの
交流電圧が印加される入力端子3a,3bが配設されて
おり、入力端子3aは中間タップ54dに接続されてい
る。一方、一次巻線54aの他端と入力端子3bとの間
には、ダイオード5aとFET6aとが直列接続されて
いる。さらに、一次巻線54bの他端と入力端子3bと
の間には、FET6bとダイオード5bとが直列接続さ
れている。また、電源装置51は、二次巻線54c側の
二次回路において整流平滑された直流出力(直流電圧)
を入力して、その直流電圧に基づいて両FET6a,6
bのスイッチングデューティ比を制御することにより、
直流出力を所定電圧に維持するようにフィードバック制
御するスイッチング制御回路7を備えている。
【0003】この電源装置51では、両FET6a,6
bが、スイッチング制御回路7から出力されたスイッチ
ング信号SS1に従ってスイッチング動作を継続する。
この状態において、入力端子3bの電圧に対して入力端
子3aの電圧が正電圧である正サイクル時には、FET
6aが、スイッチング制御回路7から出力されるスイッ
チング信号SS1に従ってオン状態に制御されることに
より、入力端子3a、中間タップ54d、一次巻線54
a、ダイオード5a、FET6aおよび入力端子3bか
らなる経路Jを電流が流れ、これにより、トランス54
にエネルギーが蓄積される。次いで、スイッチング信号
SS1に従ってFET6aがオフ状態に制御され、この
際には、トランス54の蓄積エネルギーに基づく誘起電
圧が二次巻線54cに誘起する。これにより、ダイオー
ド58が誘起電圧を整流し、コンデンサ59が整流され
た直流を平滑することにより、直流出力が生成される。
この場合、スイッチング制御回路7は、直流出力の電圧
に応じてスイッチング信号SS1のデューティ比を制御
することにより、直流出力を所定電圧に安定化する。
【0004】一方、入力端子3bの電圧に対して入力端
子3aの電圧が負電圧である負サイクル時には、FET
6bが、スイッチング制御回路7から出力されるスイッ
チング信号SS1に従ってオン状態に制御されることに
より、入力端子3b、ダイオード5b、FET6b、一
次巻線54b、中間タップ54d、および入力端子3a
からなる経路Kを電流が流れ、これにより、トランス5
4にエネルギーが蓄積される。次いで、スイッチング信
号SS1に従ってFET6bがオフ状態に制御され、こ
の際には、トランス54の蓄積エネルギーに基づく誘起
電圧が二次巻線54cに誘起する。これにより、ダイオ
ード58が誘起電圧を整流し、コンデンサ59が整流さ
れた直流を平滑することにより、直流出力が生成され
る。この場合にも、スイッチング制御回路7は、直流出
力の電圧に応じてスイッチング信号SS1のデューティ
比を制御することにより、直流出力を所定電圧に安定化
する。
【0005】以上のように、この電源装置51では、入
力端子3a,3bに印加される交流の位相、つまり交流
の正負サイクルに応じて、ダイオード5aおよびFET
6aの組、またはダイオード5bおよびFET6bの組
がオン/オフ制御されることにより、交流電圧の整流お
よびスイッチング動作が同時に行われる。これらの場
合、電流の各経路J,K中には、ダイオードおよびFE
Tがそれぞれ1つずつのみ介在するだけのため、整流の
際における電力損失を低減することができる。この結
果、装置全体としての変換効率を向上させることができ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
電源装置51には、以下の改善すべき点がある。すなわ
ち、この電源装置51では、FET6a,6bによって
スイッチングされる交流電圧の波高値が低い期間におけ
る直流出力の低下を回避するために、コンデンサ59と
して、大きな静電容量の電解コンデンサ等が使用されて
いる。この場合、一般的に電解コンデンサの外形が大き
いため、電源装置51を小型化するのは困難である。こ
のため、電解コンデンサに代えて、小形でありながら大
きい静電容量を有する電気二重層コンデンサを使用する
ことも考えられる。しかし、電気二重層コンデンサは耐
圧が低いため、直流出力の電圧が高いときには、数多く
の電気二重層コンデンサを直列接続して耐圧を上げる必
要がある。この場合、すべての電気二重層コンデンサの
充電電圧がその定格耐電圧以下となるように、各電気二
重層コンデンサの充電電圧をバランスするための回路が
必要となる。この電圧バランス用回路として、ブリーダ
抵抗を各電気二重層コンデンサに並列接続する構成を採
用することも可能である。しかし、この構成では、ブリ
ーダ抵抗に常時電流が流れる結果、電力損失が増加して
電源装置としての変換効率が低下する。
【0007】本発明は、かかる改善すべき点を解決すべ
くなされたものであり、装置全体としての変換効率を低
下させることなく装置を小型化し得るスイッチング電源
装置を提供することを主目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく請
求項1記載のスイッチング電源装置は、第1および第2
の一次巻線を有する一次巻線部と二次巻線部とを有する
トランスと、前記両一次巻線のそれぞれの一端に一方が
接続され当該一方と他方との間に印加される交流を入力
するための一対の入力部と、前記第1の一次巻線の他端
および前記他方の入力部間に接続された第1のスイッチ
ング素子と、当該第1のスイッチング素子に直列接続さ
れ前記第1の一次巻線の他端から前記他方の入力部に向
けて電流を導通可能な第1の半導体素子と、前記第2の
一次巻線の他端および前記他方の入力部間に接続された
第2のスイッチング素子と、当該第2のスイッチング素
子に直列接続され前記他方の入力部から前記第2の一次
巻線の他端に向けて電流を導通可能な第2の半導体素子
と、前記両スイッチング素子のスイッチングを制御する
スイッチング制御回路と、当該スイッチング制御回路に
よるスイッチング制御時に前記二次巻線部に誘起する誘
起電圧を整流する整流部と、当該整流部によって整流さ
れた直流電圧を平滑する平滑部とを備えているスイッチ
ング電源装置であって、前記トランスは、フライバック
トランスで構成され、前記二次巻線部は、第1から第N
(Nは2以上の自然数)の二次巻線で構成され、前記整
流部は、前記第1から第Nの二次巻線に誘起する誘起電
圧をそれぞれ整流する第1から第Nの整流回路で構成さ
れ、前記平滑部は、前記第1から第Nの整流回路の各々
によって整流された各直流電圧をそれぞれ平滑する第1
から第Nの蓄電素子を直列接続して構成されている。こ
の場合、蓄電素子には、コンデンサや電池が含まれる。
【0009】この場合、前記第1のスイッチング素子お
よび前記第1の半導体素子は、当該第1のスイッチング
素子が前記第1の一次巻線の前記他端側に位置するよう
に接続され、前記第2のスイッチング素子および前記第
2の半導体素子は、当該第2のスイッチング素子が前記
第2の一次巻線の前記他端側に位置するように接続さ
れ、前記第1のスイッチング素子および前記第1の半導
体素子の接続点と前記第1の一次巻線の前記一端との間
に第1のループ形成用コンデンサが接続され、前記第2
のスイッチング素子および前記第2の半導体素子の接続
点と前記第2の一次巻線の前記一端との間に第2のルー
プ形成用コンデンサが接続され、前記両スイッチング素
子は、FETと、ダイオードが並列接続されたトランジ
スタとのいずれかで構成され、前記各整流回路は、オン
/オフ制御が可能なスイッチ素子でそれぞれ構成され、
前記スイッチング制御回路は、前記両スイッチング素子
をオン状態に制御して前記トランスにエネルギーを蓄積
させた後に当該両スイッチング素子をオフ状態に制御
し、前記各スイッチ素子を互いに同期してオン状態に制
御して前記トランスの蓄積エネルギーを前記第1から第
Nの蓄電素子に放出させた後、前記各スイッチ素子の前
記オン状態を所定時間だけ継続的または断続的に維持し
て前記各蓄電素子から前記各二次巻線に電流を流した後
に当該各スイッチ素子をオフ状態に制御し、当該制御の
後に前記両スイッチング素子をオン状態に制御するのが
好ましい。
【0010】また、独立した複数の巻線で前記各二次巻
線を構成することもできる。
【0011】さらに、互いに同数に前記各二次巻線を巻
き回すのが好ましい。
【0012】また、前記蓄電素子を電気二重層コンデン
サで構成するのが好ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係るスイッチング電源装置の好適な実施の形態につ
いて説明する。なお、電源装置51と同一の構成要素に
ついては同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【0014】最初に、図1を参照して、本発明を適用し
た電源装置1の構成について説明する。同図に示すよう
に、電源装置1は、フライバック型のスイッチング電源
装置であって、交流電源2からの交流電圧が印加される
入力部としての入力端子3a,3b、フライバック型の
トランス4、ダイオード5a,5b、FET6a,6
b、スイッチング制御回路7、整流回路(整流部)8、
平滑回路(平滑部)9およびコンデンサ10を備え、交
流電圧から直流出力VOを生成可能に構成されている。
【0015】トランス4は、図1に示すように、一次巻
線(第1の一次巻線)4aおよび一次巻線(第2の一次
巻線)4bからなる一次巻線部と、二次巻線部とを備え
て構成されている。この場合、一次巻線4a,4bのそ
れぞれの一端は中間タップ4gとして共通接続され、こ
の中間タップ4gは一方の入力端子3aに接続されてい
る。また、二次巻線部は、互いに独立して形成されると
共に巻数が互いに同一に規定されたN個の(Nは2以上
の自然数。一例として本実施の形態では、Nが4)二次
巻線4c,4d,4e,4fで構成されている。この場
合、二次巻線の個数Nは、平滑回路9を構成する後述の
各コンデンサ(蓄電素子)9a〜9dの定格耐電圧をV
MAXとしたときに、下記(1)式を満たすように規定
されている。 VMAX×N>VO・・・・・・・・・・・(1)式
【0016】FET6aは、本発明における第1のスイ
ッチング素子に相当し、一次巻線4aの他端と入力端子
3bとの間に接続されている。また、FET6bは、本
発明における第2のスイッチング素子に相当し、一次巻
線4bの他端と入力端子3bとの間に接続されている。
ダイオード5aは、本発明における第1の半導体素子に
相当し、一次巻線4aの他端から入力端子3bに向けて
電流を導通可能に、FET6aと入力端子3bとの間に
接続されている。また、ダイオード5bは、本発明にお
ける第2の半導体素子に相当し、入力端子3bから一次
巻線4bの他端に向けて電流を導通可能に、FET6b
と入力端子3bとの間に接続されている。また、スイッ
チング制御回路7は、二次巻線側の二次回路で整流平滑
されて生成された直流出力VOを入力して、その直流出
力VOの電圧に基づいてFET6a,6bのスイッチン
グデューティ比をフィードバック制御することにより、
直流出力VOを所定電圧に安定化する。
【0017】整流回路8は、スイッチング制御回路7に
よるスイッチング制御時に各二次巻線4c,4d,4
e,4fに誘起する誘起電圧を整流する。また、整流回
路8は、第1から第N(二次巻線と同数。つまりNは
4)の整流回路で形成され、さらに、これらの第1〜第
4の整流回路は、ダイオード8a,8b,8c,8dで
それぞれ構成されている。平滑回路9は、ダイオード8
a,8b,8c,8dを介して第1〜第4の二次巻線4
c,4d,4e,4fにそれぞれ接続された第1から第
N(二次巻線と同数。つまりNは4)の平滑用のコンデ
ンサ9a,9b,9c,9dで構成され、各コンデンサ
9a,9b,9c,9dが各ダイオード8a,8b,8
c,8dによって整流された直流電圧をそれぞれ平滑す
る。ここで、コンデンサ9a〜9dとしては、電気二重
層コンデンサが用いられている。この場合、ダイオード
8a,8b,8c,8dは、各二次巻線4c,4d,4
e,4fの一端(巻終わり側端子)から平滑回路9に向
けて電流を導通可能に、そのアノード(一端)が各二次
巻線4c〜4fの一端にそれぞれ接続され、そのカソー
ド(他端)が各コンデンサ9a〜9dのプラス側電極に
それぞれ接続されている。また、コンデンサ9a,9
b,9c,9dはこの順に直列接続されている。さら
に、二次巻線4cの他端およびダイオード8bのカソー
ドは、コンデンサ9a,9bとの共通接続部分Aに接続
され、二次巻線4dの他端およびダイオード8cのカソ
ードは、コンデンサ9b,9cとの共通接続部分Bに接
続され、二次巻線4eの他端およびダイオード8dのカ
ソードは、コンデンサ9c,9dの共通接続部分Cに接
続されている。また、コンデンサ9a〜9dの直列回路
には、コンデンサ10が並列接続されている。この場
合、コンデンサ10は、高耐圧タイプで、かつコンデン
サ9a〜9dを構成する電気二重層コンデンサよりも高
周波信号に対するインピーダンスが低い例えば電解コン
デンサが用いられている。
【0018】次に、電源装置1の全体的な動作について
説明する。
【0019】スイッチング動作開始後では、スイッチン
グ制御回路7がFET6a,6bにスイッチング信号S
S1を出力することにより、両スイッチング素子6a,
6bが、スイッチング信号SS1に同期してスイッチン
グ動作を継続する。したがって、正サイクル時には、ス
イッチング信号SS1に同期してダイオード5aが導通
すると共にダイオード5bが非導通となり、この状態で
は、入力端子3a、中間タップ4g、一次巻線4a、F
ET6a、ダイオード5aおよび入力端子3bからなる
経路Jを電流が流れる。この際に、一次巻線4aに電流
が流れることによってトランス4にエネルギーが蓄積さ
れる。
【0020】次いで、スイッチング信号SS1に従って
FET6aがオフ状態に制御された際には、トランス4
の蓄積エネルギーに基づく誘起電圧が各二次巻線4c〜
4fに誘起する。この場合、各二次巻線4c〜4fの巻
数が同一のため、各二次巻線4c〜4fの誘起電圧は互
いに等しい電圧となる。次いで、各二次巻線4c〜4f
の誘起電圧が各ダイオード8a〜8dによってそれぞれ
整流されると共に、整流された電圧が各コンデンサ9a
〜9dによってそれぞれ平滑される。また、前述したよ
うに各二次巻線4c〜4fの誘起電圧が互いに等しい電
圧のため、各コンデンサ9a〜9dは互いに等しい直流
電圧V1まで充電される。詳しくは、各コンデンサ9a
〜9dの充電電圧がアンバランス状態のときには、充電
電圧が最も低いコンデンサほど大きな充電電流が流れ
る。この結果、各コンデンサ9a〜9dが互いに等しい
直流電圧V1まで充電される。したがって、直流出力V
Oとして、直流電圧V1の4倍の直流電圧が生成され
る。この場合、スイッチング制御回路7は、この正サイ
クル時および後述する負サイクル時において、直流出力
VOが所定電圧に安定化されるようにスイッチング信号
SS1のデューティ比を制御する。
【0021】一方、上記した負サイクル時には、FET
6bが、スイッチング制御回路7から出力されるスイッ
チング信号SS1に従ってスイッチングすることによ
り、ダイオード5bが導通すると共にダイオード5aが
非導通となり、この状態では、入力端子3b、ダイオー
ド5b、FET6b、一次巻線4b、中間タップ4gお
よび入力端子3aからなる経路Kを電流が流れる。ま
た、正サイクル時と同様にして、一次巻線4bに電流が
流れることによってトランス4にエネルギーが蓄積さ
れ、スイッチング信号SS1に従ってFET6bがオフ
状態に制御された際には、蓄積エネルギーに基づく誘起
電圧が各二次巻線4c〜4fに誘起する。次いで、誘起
電圧が各ダイオード8a〜8dによってそれぞれ整流さ
れると共に、整流された電圧が各コンデンサ9a〜9d
によってそれぞれ平滑される。この場合にも、前述した
ように各二次巻線4c〜4fの誘起電圧が互いに等しい
電圧のため、各コンデンサ9a〜9dのそれぞれの端子
間電圧は互いに等しい直流電圧V1まで充電される。し
たがって、この負サイクル時においても、直流出力VO
として、直流電圧V1の4倍の直流電圧が生成される。
【0022】以上のように、この電源装置1によれば、
トランス4の二次巻線部を4つの二次巻線4c〜4fで
構成し、これらの二次巻線4c〜4fにそれぞれ誘起し
た電圧を整流平滑して直流電圧V1を生成すると共に、
これらの各直流電圧V1を積み上げて直流出力VOを生
成することにより、平滑回路9を構成する各コンデンサ
9a〜9dの充電電圧を均一かつ定格耐電圧以下に維持
することができる。したがって、定格耐電圧が低いもの
の小形でかつ静電容量の大きな電気二重層コンデンサを
平滑用コンデンサとして使用することができる。この結
果、平滑回路9の小型化、ひいては電源装置1自体の小
型化を達成することができる。また、この電源装置1に
よれば、交流電圧の正負サイクルに応じて、ダイオード
5aおよびFET6aの組、またはダイオード5bおよ
びFET6bの組がオン/オフスイッチング制御される
ことにより、交流電圧の整流およびスイッチング動作が
同時に行われる。これらの場合、電流の各経路J,K中
には、ダイオードおよびスイッチング素子がそれぞれ1
つずつのみ介在するだけであるため、整流の際における
電力損失を低減することができる。この結果、装置全体
としての変換効率を向上させることができる。また、両
FET6a,6bを同期してオン/オフスイッチング制
御することにより、両FET6a,6bに対して別個に
スイッチング信号を出力する構成と比較して、スイッチ
ング制御回路7を簡易に構成することができる。
【0023】次に、図2を参照して他の実施の形態に係
る電源装置21について説明する。なお、この電源装置
21の構成についても電源装置1と同一の構成要素につ
いては同一の符号を付して重複した説明を省略し、その
動作についても電源装置1と同一の動作については重複
した説明を省略する。
【0024】同図に示すように、電源装置21は、フラ
イバック型のスイッチング電源装置であって、入力部と
しての入力端子3a,3b、トランス22、ダイオード
5a,5b、ダイオード23a,23b、コンデンサ
(第1のループ形成用コンデンサ)24a、コンデンサ
(第2のループ形成用コンデンサ)24b、FET6
a,6b、整流回路(整流部)25、平滑回路(平滑
部)9、コンデンサ10およびスイッチング制御回路2
6を備え、交流電圧から直流出力VOを生成可能に構成
されている。
【0025】トランス22は、一次巻線22a,22b
からなる一次巻線部と、二次巻線部とを備えている。こ
の場合、一次巻線22a,22bは、電源装置1におけ
る一次巻線4a,4bと同一にそれぞれ形成され、各々
の一端はトランス22の中間タップ22gとして共通接
続され、この中間タップ22gは一方の入力端子3aに
接続されている。また、二次巻線部は、同一巻数に規定
されたN個の(一例として本実施の形態では、Nが4)
二次巻線22c,22d,22e,22fで構成されて
いる。また、この二次巻線22c〜22fはこの順に直
列接続され、二次巻線同士の共通接続部分は、二次巻線
22c側から、順にトランス22の中間タップ22h,
22i,22jとして構成されている。
【0026】ダイオード23aは、例えば、FET6a
のボディダイオードで構成され、等価的には、ダイオー
ド5aと逆向きの状態でFET6aに並列接続されてい
る。また、ダイオード23bは、例えば、FET6bの
ボディダイオードで構成され、等価的には、ダイオード
5bと逆向きの状態でFET6bに並列接続されてい
る。この場合、ダイオード23a,23bは、FET6
a,6bのボディダイオードに代えて、別個独立したダ
イオードで構成してもよい。
【0027】コンデンサ24a,24bは、静電容量が
小容量のコンデンサ(例えば0.1μF程度のコンデン
サ)でそれぞれ構成され、コンデンサ24aは、ダイオ
ード5aにおけるアノードおよびFET6aにおけるソ
ースの接続点と入力端子3aとの間に接続され、コンデ
ンサ24bは、ダイオード5bにおけるカソードおよび
FET6bにおけるドレインの接続点と入力端子3aと
の間に接続されている。また、スイッチング制御回路2
6は、二次巻線側の二次回路で整流平滑されて生成され
た直流出力VOを入力して、その直流出力VOの電圧に
基づいてFET6a,6bのスイッチングデューティ比
をフィードバック制御することにより、直流出力VOを
所定電圧に安定化する。また、スイッチング制御回路2
6は、オン状態のFET6a(または6b)をオフ状態
に制御した直後に、FET25a〜25dを同期してオ
ン状態に制御する。
【0028】整流回路25は、スイッチング制御回路2
6によるスイッチング制御時に各二次巻線22c,22
d,22e,22fに誘起する誘起電圧を整流する。ま
た、整流回路25は、第1から第N(二次巻線と同数。
つまりNは4)の整流回路で形成され、さらに、これら
の第1〜第4の整流回路は、例えば、Nチャネル型のF
ET25a,25b,25c,25dでそれぞれ構成さ
れている。平滑回路9は、FET25a,25b,25
c,25dを介して第1〜第4の二次巻線22c,22
d,22e,22fにそれぞれ接続された第1から第N
(二次巻線と同数。つまりNは4)の平滑用のコンデン
サ9a,9b,9c,9dで構成されている。この場
合、FET25a,25b,25c,25dは、各二次
巻線22c〜22fの一端(巻終わり側端子)から各コ
ンデンサ9a〜9dに向けて電流を導通可能に、そのド
レイン(一端)が各二次巻線22c〜22fの一端にそ
れぞれ接続され、そのソース(他端)が各コンデンサ9
a〜9dのプラス側電極にそれぞれ接続されている。
【0029】次に、電源装置21の全体的な動作につい
て説明する。
【0030】スイッチング動作開始後では、スイッチン
グ制御回路26がFET6a,6bにスイッチング信号
SS1を出力することにより、両スイッチング素子6
a,6bが、スイッチング信号SS1に同期してスイッ
チング動作を継続する。したがって、正サイクル時に
は、電源装置1と同様にして、入力端子3a、中間タッ
プ22g、一次巻線22a、FET6a、ダイオード5
aおよび入力端子3bからなる経路Jを電流が流れてト
ランス22にエネルギーが蓄積される。一方、交流電圧
の負サイクル時には、入力端子3b、ダイオード5b、
FET6b、一次巻線22b、中間タップ22gおよび
入力端子3aからなる経路Kを電流が流れてトランス2
2にエネルギーが蓄積される。
【0031】次いで、スイッチング制御回路26が、F
ET6a,6bをオフ状態に制御すると共にスイッチン
グ信号SS2を出力して各FET25a〜25dを同期
してオン状態に制御する。この際には、トランス22の
蓄積エネルギーに基づいて各二次巻線22c〜22fに
誘起電圧が誘起する。この場合、各二次巻線22c〜2
2fの巻数が同一のため、各二次巻線22c〜22fの
誘起電圧は互いに等しい電圧となる。
【0032】次いで、各二次巻線22c〜22fの誘起
電圧が各FET25a〜25dによってそれぞれ整流さ
れると共に、整流された電圧が各コンデンサ9a〜9d
によってそれぞれ平滑される。具体的には、二次巻線2
2cの誘起電圧に基づく電流が、二次巻線22c、FE
T25a、コンデンサ9aおよびFET25bを経由し
て二次巻線22cに戻る経路Dで流れ、この電流によっ
てコンデンサ9aが充電される。また、二次巻線22d
の誘起電圧に基づく電流が、二次巻線22d、FET2
5b、コンデンサ9bおよびFET25cを経由して二
次巻線22dに戻る経路Eで流れ、この電流によってコ
ンデンサ9bが充電される。また、二次巻線22eの誘
起電圧に基づく電流が、二次巻線22e、FET25
c、コンデンサ9cおよびFET25dを経由して二次
巻線22eに戻る経路Fで流れ、この電流によってコン
デンサ9cが充電される。また、二次巻線22fの誘起
電圧に基づく電流が、二次巻線22f、FET25dお
よびコンデンサ9dを経由して二次巻線22fに戻る経
路Gで流れ、この電流によってコンデンサ9dが充電さ
れる。さらに、コンデンサ9a〜9dの充電電圧がアン
バランスの状態のときには、コンデンサ9a〜9dのう
ちの充電電圧が高いコンデンサから、FET(25a〜
25dのいずれか)およびその二次巻線(22c〜22
fのうちの対応するいずれか)を介して、充電電圧の低
いコンデンサ(9a〜9dのいずれか1つ以上)にも電
流が流れる。したがって、各コンデンサ9a〜9dの充
電電圧が均一化されて、各コンデンサ9a〜9dは互い
に等しい直流電圧V1まで充電される。
【0033】次に、スイッチング制御回路26は、トラ
ンス22における蓄積エネルギーの放出が完了した後、
所定時間経過後に、スイッチング信号SS2の出力を停
止してFET25a〜25dを同期してオフ状態に制御
する。この場合、トランス22の蓄積エネルギーの放出
完了後に、FET25a〜25dをさらにオン状態に制
御することにより、各経路D,E,F,Gには、各コン
デンサ9a〜9dから各FET25a〜25dを経由し
て各二次巻線22c〜22fに向かう電流がそれぞれ流
れる。具体的には、例えば、経路Dには、コンデンサ9
aから、FET25a、二次巻線22cおよびFET2
5bからなる経路でコンデンサ9aに向かう電流が流れ
る。このため、トランス22は、FET6a,6bがオ
ン状態のときとは逆極性に励磁されてエネルギーを蓄積
する。その後、スイッチング制御回路26がスイッチン
グ信号SS2の出力を停止することにより、FET25
a〜25dがオフ状態に制御され、この際には、一次巻
線22a,22bに電圧が誘起する。したがって、トラ
ンス22の一次回路側では、この一次巻線22aの誘起
電圧に基づく電流が、一次巻線22aから、中間タップ
22g、コンデンサ24aおよびFET6a内の寄生容
量(図示せず)を経由して一次巻線22aに戻る経路H
を流れ、一次巻線22bの誘起電圧に基づく電流が、一
次巻線22bから、FET6b内の寄生容量(図示せ
ず)、コンデンサ24bおよび中間タップ22gを経由
して一次巻線22bに戻る経路Iを流れる。また、これ
に伴って、FET6a,6bのオフ期間においてその寄
生容量に充電されていた電荷が徐々に放電される。この
結果、FET6a,6bの端子間電圧が徐々に低下し、
さらにトランス22に蓄積エネルギーが残存するときに
は、各FET6a,6bのボディダイオードを経由して
電流が流れ続ける。
【0034】スイッチング制御回路26は、FET6
a,6bの端子間電圧が0ボルトまで低下した時点で、
FET6a,6bをオン状態に制御する。この結果、両
FET6a,6bがゼロボルトスイッチ方式でスイッチ
ング制御されるため、FET6a,6bのスイッチング
に起因するスイッチングロスおよびスイッチングノイズ
が低減される。
【0035】以上のように、この電源装置21では、ト
ランス22の一次回路側にコンデンサ24a,24bを
配置し、トランス22の蓄積エネルギーをコンデンサ9
a〜9dに放出させた後、各FET25a〜25dのオ
ン状態を所定時間維持してコンデンサ9a〜9dから各
二次巻線22c〜22fに電流を流した後に各FET2
5a〜25dをオフ状態に制御し、その制御の後に両F
ET6a,6bをオン状態に制御することにより、電源
装置1と同様の作用効果に加えて、FET6a,6bの
オン制御時におけるスイッチングに起因するスイッチン
グロスを低減することができるため、電源装置21全体
としての変換効率を一層向上させることができる。
【0036】なお、本発明は上記した発明の実施の形態
に示した構成に限定されない。例えば、コンデンサ10
は必ずしも必要とされず、高周波ノイズを低減する必要
が生じたときに配設するのが好ましい。また、電源装置
1,21では、スイッチング素子としてFETを使用し
た例について説明したが、これに限定されず、本発明に
係るスイッチング電源装置では、スイッチング素子およ
びスイッチ素子として、トランジスタを使用することも
できる。この場合、電源装置21においては、FET6
a,6bに代えて配設したトランジスタに対して、別個
独立したダイオードをそれぞれ並列接続すればよい。ま
た、ダイオード5a,5bに代えて、FETやトランジ
スタなどのスイッチング素子を採用することもできる。
さらに、電源装置1において、ダイオード8a〜8dに
代えてFETを配設し、スイッチング制御回路7が同期
整流方式でそのFETをオン/オフ制御することができ
るのは勿論である。また、電源装置1において、ダイオ
ード5a(または5b)を一次巻線4a(または4b)
側に接続し、FET6a(または6b)を入力端子3b
側に接続してもよい。
【0037】さらに、電源装置21では、トランス22
の蓄積エネルギーをコンデンサ9a〜9dに放出させた
後、各FET25a〜25dのオン状態を所定時間だけ
継続的に維持してコンデンサ9a〜9dから各二次巻線
22c〜22fに電流を流しているが、これに限らな
い。具体的には、トランス22の蓄積エネルギーをコン
デンサ9a〜9dに放出させた後、各FET25a〜2
5dのオン状態を所定時間だけ断続的に維持させること
もできる。つまり、各FET25a〜25dをオン状態
から一旦オフ状態に制御した後に再度オン状態に制御し
て、その後に各FET25a〜25dのオン状態を所定
時間維持してコンデンサ9a〜9dから各二次巻線22
c〜22fに電流を流してもよい。
【0038】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るスイッチン
グ電源装置によれば、トランスをフライバックトランス
で構成し、トランスの二次巻線部を第1から第Nの二次
巻線で構成し、第1から第Nの二次巻線に誘起する誘起
電圧をそれぞれ整流する第1から第Nの整流回路で整流
部を構成し、第1から第Nの整流回路の各々によって整
流された各直流電圧をそれぞれ平滑する第1から第Nの
蓄電素子を直列接続して平滑部を構成したことにより、
平滑部を構成する各蓄電素子の充電電圧を均一かつ定格
耐電圧以下に維持することができるため、定格耐電圧が
低いものの小形でかつ静電容量の大きな電気二重層コン
デンサなどを平滑用の蓄電素子として使用することがで
きる。この結果、平滑部の小型化、ひいてはスイッチン
グ電源装置自体の小型化を達成することができる。
【0039】また、本発明に係るスイッチング電源装置
によれば、スイッチング制御回路が、両スイッチング素
子をオン状態に制御してトランスにエネルギーを蓄積さ
せた後に両スイッチング素子をオフ状態に制御し、各ス
イッチ素子を互いに同期してオン状態に制御してトラン
スの蓄積エネルギーを第1から第Nの蓄電素子に放出さ
せた後、各スイッチ素子のオン状態を所定時間だけ継続
的または断続的に維持して各蓄電素子から各二次巻線に
電流を流した後に各スイッチ素子をオフ状態に制御し、
その制御の後に両スイッチング素子をオン状態に制御す
ることにより、両スイッチング素子のオン制御時におけ
るスイッチングロスをさらに低減することができる結
果、スイッチング電源装置全体としての変換効率を一層
向上させることができる。
【0040】また、本発明に係るスイッチング電源装置
によれば、各二次巻線を互いに同数に巻き回して構成し
たことにより、平滑回路の各蓄電素子の充電電圧を同一
電圧に維持することができるため、同一定格耐電圧で、
同一静電容量のコンデンサを用いて平滑回路を構成した
場合、各コンデンサの充電電圧を確実に定格耐電圧以下
で使用することができる結果、電源装置の信頼性を向上
させることができる。また、同一仕様のコンデンサを用
いることで、スイッチング電源装置のコストを低減する
ことができる。
【0041】また、本発明に係るスイッチング電源装置
によれば、電気二重層コンデンサで蓄電素子を構成した
ことにより、平滑回路を一層小型化することができる結
果、スイッチング電源装置自体も小型化することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る電源装置1の回路図
である。
【図2】本発明の他の実施の形態に係る電源装置21の
回路図である。
【図3】従来の電源装置51の回路図である。
【符号の説明】
1,21 電源装置 3a,3b 入力端子 4,22 トランス 4a,4b,22a,22b 一次巻線 4c〜4f,22c〜22f 二次巻線 5a,5b,8a〜8d,23a,23b ダイオード 6a,6b,25a〜25d FET 7,26 スイッチング制御回路 8,25 整流回路 9 平滑回路 9a〜9d,24a,24b コンデンサ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1および第2の一次巻線を有する一次
    巻線部と二次巻線部とを有するトランスと、前記両一次
    巻線のそれぞれの一端に一方が接続され当該一方と他方
    との間に印加される交流を入力するための一対の入力部
    と、前記第1の一次巻線の他端および前記他方の入力部
    間に接続された第1のスイッチング素子と、当該第1の
    スイッチング素子に直列接続され前記第1の一次巻線の
    他端から前記他方の入力部に向けて電流を導通可能な第
    1の半導体素子と、前記第2の一次巻線の他端および前
    記他方の入力部間に接続された第2のスイッチング素子
    と、当該第2のスイッチング素子に直列接続され前記他
    方の入力部から前記第2の一次巻線の他端に向けて電流
    を導通可能な第2の半導体素子と、前記両スイッチング
    素子のスイッチングを制御するスイッチング制御回路
    と、当該スイッチング制御回路によるスイッチング制御
    時に前記二次巻線部に誘起する誘起電圧を整流する整流
    部と、当該整流部によって整流された直流電圧を平滑す
    る平滑部とを備えているスイッチング電源装置であっ
    て、 前記トランスは、フライバックトランスで構成され、 前記二次巻線部は、第1から第N(Nは2以上の自然
    数)の二次巻線で構成され、 前記整流部は、前記第1から第Nの二次巻線に誘起する
    誘起電圧をそれぞれ整流する第1から第Nの整流回路で
    構成され、 前記平滑部は、前記第1から第Nの整流回路の各々によ
    って整流された各直流電圧をそれぞれ平滑する第1から
    第Nの蓄電素子を直列接続して構成されているスイッチ
    ング電源装置。
  2. 【請求項2】 前記第1のスイッチング素子および前記
    第1の半導体素子は、当該第1のスイッチング素子が前
    記第1の一次巻線の前記他端側に位置するように接続さ
    れ、前記第2のスイッチング素子および前記第2の半導
    体素子は、当該第2のスイッチング素子が前記第2の一
    次巻線の前記他端側に位置するように接続され、 前記第1のスイッチング素子および前記第1の半導体素
    子の接続点と前記第1の一次巻線の前記一端との間に第
    1のループ形成用コンデンサが接続され、 前記第2のスイッチング素子および前記第2の半導体素
    子の接続点と前記第2の一次巻線の前記一端との間に第
    2のループ形成用コンデンサが接続され、 前記両スイッチング素子は、FETと、ダイオードが並
    列接続されたトランジスタとのいずれかで構成され、 前記各整流回路は、オン/オフ制御が可能なスイッチ素
    子でそれぞれ構成され、 前記スイッチング制御回路は、前記両スイッチング素子
    をオン状態に制御して前記トランスにエネルギーを蓄積
    させた後に当該両スイッチング素子をオフ状態に制御
    し、前記各スイッチ素子を互いに同期してオン状態に制
    御して前記トランスの蓄積エネルギーを前記第1から第
    Nの蓄電素子に放出させた後、前記各スイッチ素子の前
    記オン状態を所定時間だけ継続的または断続的に維持し
    て前記各蓄電素子から前記各二次巻線に電流を流した後
    に当該各スイッチ素子をオフ状態に制御し、当該制御の
    後に前記両スイッチング素子をオン状態に制御する請求
    項1記載のスイッチング電源装置。
  3. 【請求項3】 前記各二次巻線は、独立した複数の巻線
    で構成されている請求項1または2記載のスイッチング
    電源装置。
  4. 【請求項4】 前記各二次巻線は、互いに同数に巻き回
    されて構成されている請求項1から3のいずれかに記載
    のスイッチング電源装置。
  5. 【請求項5】 前記蓄電素子は、電気二重層コンデンサ
    で構成されている請求項1から4のいずれかに記載のス
    イッチング電源装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015527042A (ja) * 2012-08-22 2015-09-10 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 不平衡な二相dcグリッドのための整流器回路及び方法
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