JP2003133698A - Method for manufacturing board - Google Patents

Method for manufacturing board

Info

Publication number
JP2003133698A
JP2003133698A JP2001331059A JP2001331059A JP2003133698A JP 2003133698 A JP2003133698 A JP 2003133698A JP 2001331059 A JP2001331059 A JP 2001331059A JP 2001331059 A JP2001331059 A JP 2001331059A JP 2003133698 A JP2003133698 A JP 2003133698A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
plating
electrolytic
via hole
bubbles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001331059A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noritaka Ban
典高 伴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2001331059A priority Critical patent/JP2003133698A/en
Priority to TW91124626A priority patent/TW579663B/en
Priority to CN 02147918 priority patent/CN1418050A/en
Publication of JP2003133698A publication Critical patent/JP2003133698A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a board manufacturing method capable of surely forming a via conductor of a prescribed shape independently of the position of the via conductor on a board requiring the via conductor. SOLUTION: The method for manufacturing a wiring board 1 is provided with an electrolytic Cu plating process for dipping a board 51 having a via hole 19 opened on the surface 53 of the board 51 into an electrolytic Cu plating solution 105, allowing a current to flow into the solution 105, and forming a field via 21 in the via hole 19. In the process, the board 51 is dipped into the solution 105 in an erected state so that the surface 53 is turned to the horizontal direction, bubbles 109 generated lower than the board 51 are allowed to rise from the lower part 53d of the surface 53 to the upper part 53u while touching the surface 53, and bubbling is continued so that the bubbles 109 are allowed to rise up to the upper part of the board 51 to execute electrolytic plating.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の製造方法に
関し、特に、ビア導体を有する基板の製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a substrate, and more particularly to a method for manufacturing a substrate having a via conductor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、ビア導体を有する基板が知ら
れている。ビア導体は、例えば次のようにして形成す
る。即ち、ビア孔が形成された基板を製造し、これにま
ず無電解メッキを施し、ビア孔の内周面に無電解メッキ
層を形成する。そして次に、基板を電解メッキ液中に浸
漬し、電解メッキを施して、ビア孔の内周面の無電解メ
ッキ層上に電解メッキ導体を形成し、ビア導体とする。
2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate having a via conductor has been known. The via conductor is formed as follows, for example. That is, a substrate in which a via hole is formed is manufactured, and electroless plating is first performed on this substrate to form an electroless plating layer on the inner peripheral surface of the via hole. Then, next, the substrate is immersed in an electrolytic plating solution and subjected to electrolytic plating to form an electrolytic plated conductor on the electroless plated layer on the inner peripheral surface of the via hole to form a via conductor.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板に
電解メッキを施しても、ビア孔内に所定形状のビア導体
が形成できないときがある。即ち、電解メッキ導体がビ
ア孔の内周面に十分に形成されていないビア導体ができ
る場合がある。特に、形成するビア導体が、ビア孔の内
周面の形状に倣った椀状のビア導体ではなく、ビア孔を
電解メッキ導体で充填するフィルドビアである場合に、
ビア孔が十分に埋められた形態のビア導体が形成できな
い頻度が高い。
However, even if electrolytic plating is applied to the substrate, a via conductor having a predetermined shape cannot be formed in the via hole in some cases. That is, a via conductor may be formed in which the electrolytic plated conductor is not sufficiently formed on the inner peripheral surface of the via hole. In particular, when the via conductor to be formed is not a bowl-shaped via conductor that follows the shape of the inner peripheral surface of the via hole, but a filled via that fills the via hole with an electrolytic plating conductor,
There is a high frequency that a via conductor having a form in which the via hole is sufficiently filled cannot be formed.

【0004】その理由は、次の通りである。即ち、ビア
孔は、基板表面よりも凹んでいるため、基板をメッキ液
中に浸漬した場合に、ビア孔内の空気が抜けなかった
り、後にビア孔内に気泡が付着しやすい。特にフィルド
ビアの場合には、ビア孔内に電解メッキ導体が形成され
てゆくと共に孔の形状が変化するため、孔の形状によっ
ては、付着した気泡が孔から取れにくくなることがあ
る。このように気泡が付着していると、ビア孔の内周面
に十分なメッキ液が供給されないため、電解メッキ導体
が成長しにくくなる。その結果、電解メッキ導体がビア
孔の内周面に十分に形成されていないビア導体ができる
と考えられる。
The reason is as follows. That is, since the via hole is recessed from the surface of the substrate, when the substrate is immersed in the plating solution, the air in the via hole may not escape or bubbles may easily adhere to the via hole later. Particularly in the case of a filled via, the electrolytic plated conductor is formed in the via hole and the shape of the hole changes, so that depending on the shape of the hole, the adhered bubbles may be difficult to remove from the hole. If the air bubbles are adhered in this way, the plating solution is not sufficiently supplied to the inner peripheral surface of the via hole, so that the electrolytic plated conductor is hard to grow. As a result, it is considered that a via conductor in which the electrolytic plated conductor is not sufficiently formed on the inner peripheral surface of the via hole is formed.

【0005】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、ビア導体を有する基板について、基板内の場
所によらず、所定形状のビア導体を確実に形成すること
ができる基板の製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and for a substrate having a via conductor, a method for manufacturing a substrate capable of reliably forming a via conductor having a predetermined shape regardless of the place in the substrate. The purpose is to provide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、基板表面に開口するビア孔を有する基板を電解
メッキ液中に浸漬し、電流を流して上記ビア孔内にビア
導体を形成する電解メッキ工程であって、上記基板表面
が水平方向を向くように上記基板を立てて浸漬し、上記
基板よりも下方で発生させた泡が、上記基板表面のうち
下方部から上方部まで上記基板表面に当たりながら上昇
し、上記基板よりも上方まで上昇するようにバブリング
しつつ、電解メッキを行う電解メッキ工程を備える基板
の製造方法である。
[Means for Solving the Problems, Actions and Effects] The solution is to immerse a substrate having a via hole opened on the surface of the substrate in an electrolytic plating solution and pass an electric current to form a via conductor in the via hole. In the electrolytic plating step, the substrate is erected so that the substrate surface faces the horizontal direction, and bubbles are generated below the substrate, and the bubbles are generated from the lower portion to the upper portion of the substrate surface. It is a method of manufacturing a substrate including an electrolytic plating step of performing electrolytic plating while bubbling so as to rise while hitting the surface of the substrate and rising above the substrate.

【0007】本発明によれば、ビア導体を有する基板を
製造するにあたり、ビア孔を有する基板を用意し、これ
にビア導体を形成するため、電解メッキ工程を行う。こ
の電解メッキ工程は、単に電解メッキ液中に基板を浸漬
して電解メッキを施すだけではない。基板表面が水平方
向を向くように基板を立てて、即ち、基板表面が鉛直方
向と平行になるように基板を立てて、メッキ液中に浸漬
する。そして、基板よりも下方で発生させた泡が、基板
表面の下方部から上方部まで基板表面の全体にまんべん
なく当たりながら上昇し、さらに基板よりも上方まで上
昇するようにバブリングしつつ行う。
According to the present invention, when manufacturing a substrate having a via conductor, a substrate having a via hole is prepared, and an electrolytic plating process is performed to form the via conductor. This electrolytic plating process is not limited to simply immersing a substrate in an electrolytic plating solution to perform electrolytic plating. The substrate is erected so that the substrate surface faces the horizontal direction, that is, the substrate is erected so that the substrate surface is parallel to the vertical direction and immersed in the plating solution. Then, the bubbles generated below the substrate rise while uniformly hitting the entire substrate surface from the lower part to the upper part of the substrate surface, and while bubbling so as to rise above the substrate.

【0008】このようにバブリングしつつ電解メッキを
行えば、泡が次々に基板表面に当たるので、浸漬した基
板のビア孔内に孔内の空気が抜けきれずに残った気泡が
付いていても、バブリングの泡と一緒に取り除かれる。
あるいは、浸漬中の基板のビア孔に後から気泡が付いた
としても、この気泡もバブリングの泡と一緒に取り除か
れる。その結果、ビア孔の内周面全体にメッキ液が供給
されるので、ビア孔の内周面全体に電解メッキ導体が形
成される。よって、本発明によれば、所定形状のビア導
体を確実に形成することができる。さらに、本発明で
は、基板表面の下方部から上方部まで、即ち、基板表面
全体に次々と泡が当たるので、基板表面のいずれの場所
にビア孔が形成されていても、ビア孔に所定形状のビア
導体を確実に形成することができる。ビア導体形成後
は、公知の手法により、配線層を形成するなど、さらに
後の工程を進めて基板を順次製造していけばよい。
If electrolytic plating is carried out while bubbling in this way, bubbles will successively hit the surface of the substrate, so that even if there is air bubbles left in the via holes of the dipped substrate that could not be exhausted, Removed with bubbling bubbles.
Alternatively, even if bubbles are later attached to the via holes of the substrate being immersed, these bubbles are also removed together with the bubbles of bubbling. As a result, the plating solution is supplied to the entire inner peripheral surface of the via hole, so that the electrolytic plated conductor is formed on the entire inner peripheral surface of the via hole. Therefore, according to the present invention, the via conductor having a predetermined shape can be reliably formed. Further, according to the present invention, bubbles are successively applied to the lower part to the upper part of the substrate surface, that is, the entire substrate surface. Therefore, even if the via hole is formed anywhere on the substrate surface, the via hole has a predetermined shape. The via conductor can be reliably formed. After the via conductor is formed, the substrate may be sequentially manufactured by further performing subsequent steps such as forming a wiring layer by a known method.

【0009】ここで、バブリングの泡は、例えば次によ
うにして発生させればよい。即ち、基板の下方に多数の
孔の空いた配管を配置する。そして、配管に空気を送り
込む。そうすれば、配管から上方に向けて泡を発生させ
ることができる。なお、基板の表裏2つの表面にビア孔
が形成されている場合には、両方の基板表面に泡が当た
るようにバブリングする。この場合、例えば、泡を発生
させる配管を2本間隔を開けて配置し、それぞれの配管
から発生する泡が、それぞれの基板表面に当たるように
すればよい。
The bubbling bubbles may be generated, for example, as follows. That is, a pipe having many holes is arranged below the substrate. Then, air is sent into the pipe. Then, bubbles can be generated upward from the pipe. When via holes are formed on the two front and back surfaces of the substrate, bubbling is performed so that bubbles hit the surfaces of both substrates. In this case, for example, two pipes for generating bubbles may be arranged at intervals so that the bubbles generated from each pipe may hit the surface of each substrate.

【0010】さらに、上記の基板の製造方法であって、
前記電解メッキ工程で、前記ビア孔内が電解メッキで充
填されたフィルドビアを形成する基板の製造方法とする
と良い。
Further, in the above method for manufacturing a substrate,
In the electrolytic plating step, a method for manufacturing a substrate may be used in which filled vias are formed by filling the via holes with electrolytic plating.

【0011】電解メッキで形成するビア導体が、ビア孔
の内周面の形状に倣った椀状のビア導体ではなく、ビア
孔を電解メッキ導体で充填するフィルドビアである場合
には、ビア孔を十分に埋めた所定形状のビア導体が形成
できない頻度が高い。ビア孔は徐々に電解メッキで埋ま
っていくので、その過程で孔(凹み)の形状も変化して
いく。このため、孔の形状によっては、一旦付着した気
泡が取れにくくなるためであると考えられる。しかし、
本発明では、前述したように、基板を立ててメッキ液中
に浸漬し、泡が基板表面に当たりながら下方から上方ま
で上昇するようにバブリングしつつ、電解メッキを行
う。このため、ビア孔にフィルドビアを形成する場合で
あっても、ビア孔に泡が付着し続けることなく、電解メ
ッキを行うことができる。その結果、ビア孔を電解メッ
キ導体で充填して、所定形状のフィルドビアを確実に形
成することができる。なお、ビア孔にフィルドビアを形
成するには、メッキ液やメッキ条件等を、椀状のビア導
体を形成する場合から変更する必要があることは言うま
でもない。
If the via conductor formed by electrolytic plating is not a bowl-shaped via conductor that follows the shape of the inner peripheral surface of the via hole but a filled via that fills the via hole with electrolytic plated conductor, the via hole is There is a high frequency that a sufficiently filled via conductor having a predetermined shape cannot be formed. Since the via hole is gradually filled with electrolytic plating, the shape of the hole (recess) also changes in the process. For this reason, it is considered that, depending on the shape of the holes, it becomes difficult to remove bubbles once attached. But,
In the present invention, as described above, the substrate is stood upright and immersed in the plating solution, and electrolytic plating is performed while bubbling so that bubbles rise from the bottom to the top while hitting the surface of the substrate. Therefore, even when a filled via is formed in the via hole, electrolytic plating can be performed without bubbles continuing to adhere to the via hole. As a result, the via hole can be filled with the electroplated conductor to reliably form the filled via having a predetermined shape. Needless to say, in order to form the filled via in the via hole, it is necessary to change the plating solution, the plating conditions, and the like from the case of forming the bowl-shaped via conductor.

【0012】さらに、上記のいずれかに記載の基板の製
造方法であって、前記基板は、下層と、この下層が露出
する透孔を有し前記基板表面をなすメッキレジスト層と
を備え、前記ビア孔は、上記下層に形成され、上記透孔
内に露出している基板の製造方法とすると良い。
Further, in the method for manufacturing a substrate according to any one of the above, the substrate includes a lower layer, and a plating resist layer forming a surface of the substrate having a through hole through which the lower layer is exposed, The via hole is preferably formed in the lower layer and is exposed in the through hole.

【0013】本発明で用いる基板は、下層と、下層が露
出する透孔を有し基板表面をなすメッキレジスト層を備
える。ビア導体を形成するビア孔は、下層に形成されて
おり、メッキレジスト層の透孔内に露出している。この
ため、メッキレジスト層がない場合に比して、基板表面
(メッキレジスト層の表面)から測ったビア孔の深さが
深い。従って、基板をメッキ液中に浸漬したときに、ビ
ア孔内の空気が抜けきれずにビア孔内に気泡ができやす
くなる。あるいは、ビア孔内に後から気泡が付着したと
きに取れにくくなる。その結果、メッキレジスト層がな
い場合に比して、所定形状のビア導体が形成できない場
合が多くなる。
The substrate used in the present invention comprises a lower layer and a plating resist layer forming a substrate surface having a through hole through which the lower layer is exposed. The via hole forming the via conductor is formed in the lower layer and is exposed in the through hole of the plating resist layer. Therefore, the depth of the via hole measured from the surface of the substrate (the surface of the plating resist layer) is deeper than when the plating resist layer is not provided. Therefore, when the substrate is dipped in the plating solution, the air in the via hole cannot be completely exhausted, and bubbles easily form in the via hole. Alternatively, it becomes difficult to remove bubbles when they are attached to the via holes later. As a result, compared to the case where there is no plating resist layer, the via conductor having a predetermined shape cannot be formed in many cases.

【0014】しかし、本発明では、前述したように、基
板を立ててメッキ液中に浸漬し、泡が基板表面の全体に
まんべんなく当たりながら下方から上方まで上昇するよ
うにバブリングしつつ、電解メッキを行う。このため、
メッキレジスト層が形成され、相対的にビア孔が深くな
っていても、ビア孔に付着した気泡を有効に除去して、
電解メッキを行うことができる。よって、所定形状のビ
ア導体を確実に形成することができる。
However, in the present invention, as described above, the substrate is stood upright and immersed in the plating solution, and the bubbling is performed so that the bubbles rise uniformly from the lower part to the upper part of the substrate surface, and the electrolytic plating is performed. To do. For this reason,
Even if the plating resist layer is formed and the via hole is relatively deep, it effectively removes the bubbles adhering to the via hole,
Electrolytic plating can be performed. Therefore, the via conductor having a predetermined shape can be reliably formed.

【0015】なお、メッキレジスト層を有する基板につ
いて電解メッキを行う場合としては、下層の表面に、い
わゆるセミアディティブ法により配線層等を形成したい
場合が挙げられる。即ち、ビア孔を有する下層表面に、
まず無電解メッキを行い、ビア孔の内周面及び下層表面
の略全面に無電解メッキ層を形成する。そして、無電解
メッキ層を形成した下層上に、配線層に対応する所定パ
ターン開口を有するメッキレジスト層を形成する。この
状態の基板が、本発明で電解メッキを施す基板である。
本発明を適用して電解メッキを施したとき、ビア導体が
形成されると共に、配線層等の部分にも電解メッキ導体
が形成される。従って、その後は、メッキレジスト層を
剥離してエッチングを行えば、薄い無電解メッキ層を除
去することができ、所定パターンの配線層等を形成する
ことができる。
As a case where electrolytic plating is performed on a substrate having a plating resist layer, there is a case where it is desired to form a wiring layer or the like on the surface of the lower layer by a so-called semi-additive method. That is, on the lower layer surface having a via hole,
First, electroless plating is performed to form an electroless plated layer on the inner peripheral surface of the via hole and substantially the entire surface of the lower layer. Then, a plating resist layer having a predetermined pattern opening corresponding to the wiring layer is formed on the lower layer on which the electroless plating layer is formed. The substrate in this state is the substrate to be electroplated in the present invention.
When electrolytic plating is performed by applying the present invention, a via conductor is formed and an electrolytic plated conductor is also formed on a portion such as a wiring layer. Therefore, after that, if the plating resist layer is peeled off and etching is performed, the thin electroless plating layer can be removed, and a wiring layer or the like having a predetermined pattern can be formed.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】(実施形態)以下、本発明の実施
の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態で製
造する配線基板1について、図1に部分拡大断面図を示
す。この配線基板1は、主面3と裏面5とを有する略矩
形の略板形状である。その大きさは、400mm×40
0mmである。配線基板1の中心には、略板形状のコア
基板(樹脂絶縁層)7(厚み約800μm)を備える。
そして、その両面には、エポキシ樹脂等からなる樹脂絶
縁層9(厚み約35μm)がそれぞれ積層されている。
さらに、樹脂絶縁層9上には、エポキシ樹脂等からなる
ソルダーレジスト層(樹脂絶縁層)11(厚み約25μ
m)がそれぞれ積層されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a partially enlarged sectional view of the wiring board 1 manufactured in this embodiment. The wiring board 1 has a substantially rectangular plate shape having a main surface 3 and a back surface 5. The size is 400mm × 40
It is 0 mm. At the center of the wiring substrate 1, a substantially plate-shaped core substrate (resin insulating layer) 7 (thickness: about 800 μm) is provided.
A resin insulation layer 9 (thickness: about 35 μm) made of epoxy resin or the like is laminated on each of the both surfaces.
Further, on the resin insulation layer 9, a solder resist layer (resin insulation layer) 11 (having a thickness of about 25 μm) made of epoxy resin or the like is used.
m) are respectively laminated.

【0017】このうちコア基板7には、これを貫通する
スルーホール13(直径約350μm)が所定の位置に
複数形成され、その内周面には、略筒状のスルーホール
導体15(厚み約25μm)がそれぞれ形成されてい
る。そして、スルーホール導体15内には、略円柱形状
の樹脂充填体17がそれぞれ充填されている。また、樹
脂絶縁層9には、これを貫通する開口径約85μmのビ
ア孔19が所定の位置に複数形成され、各ビア孔19に
は、フィルドビア21が形成されている。また、ソルダ
ーレジスト層11には、これを貫通するパッド用開口2
3が所定の位置に複数形成されている。
Of these, a plurality of through holes 13 (diameter about 350 μm) penetrating the core substrate 7 are formed at predetermined positions, and a substantially cylindrical through hole conductor 15 (having a thickness of about 30 μm) is formed on the inner peripheral surface thereof. 25 μm) are formed respectively. The through-hole conductor 15 is filled with a substantially columnar resin filling body 17. Further, a plurality of via holes 19 having an opening diameter of about 85 μm penetrating the resin insulating layer 9 are formed at predetermined positions, and filled vias 21 are formed in each via hole 19. Further, the solder resist layer 11 has a pad opening 2 penetrating therethrough.
A plurality of 3 are formed at predetermined positions.

【0018】コア基板7と樹脂絶縁層9との層間には、
第1配線層25(厚み約25μm)がそれぞれ形成され
ている。第1配線層25は、スルーホール導体15やフ
ィルドビア21と接続している。また、樹脂絶縁層9と
ソルダーレジスト層11の層間にも、第2配線層27
(厚み約15μm)がそれぞれ形成されている。第2配
線層27は、フィルドビア21と接続している。さら
に、第2配線層27の一部のパッド27pは、ソルダー
レジスト層11のパッド用開口23内に露出している。
このパッド27pには、酸化防止のため、Niメッキ層
が形成され、さらにその上にAuメッキ層が形成されて
いる(図示しない)。
Between the core substrate 7 and the resin insulation layer 9,
First wiring layers 25 (thickness of about 25 μm) are respectively formed. The first wiring layer 25 is connected to the through hole conductor 15 and the filled via 21. The second wiring layer 27 is also provided between the resin insulating layer 9 and the solder resist layer 11.
(Thickness of about 15 μm) are formed. The second wiring layer 27 is connected to the filled via 21. Further, some pads 27p of the second wiring layer 27 are exposed in the pad openings 23 of the solder resist layer 11.
A Ni plating layer is formed on the pad 27p to prevent oxidation, and an Au plating layer is further formed on the Ni plating layer (not shown).

【0019】このような配線基板1は、次のようにして
製造する。まず、両面銅張のコア基板7を用意する。そ
して、ドリルによりスルーホール13を所定の位置に複
数穿孔する(図2参照)。その後、このコア基板7に無
電解Cuメッキ及び電解Cuメッキを順次施し、銅箔の
略全面にCuメッキ層を形成すると共に、スルーホール
13の内周面に略筒状のスルーホール導体15を形成す
る。
Such a wiring board 1 is manufactured as follows. First, a double-sided copper-clad core substrate 7 is prepared. Then, a plurality of through holes 13 are drilled at predetermined positions with a drill (see FIG. 2). Then, electroless Cu plating and electrolytic Cu plating are sequentially applied to this core substrate 7 to form a Cu plating layer on substantially the entire surface of the copper foil, and a substantially cylindrical through hole conductor 15 is formed on the inner peripheral surface of the through hole 13. Form.

【0020】その後、スルーホール導体15内に樹脂充
填体17を充填する。具体的には、スルーホール導体1
5の位置及び開口に対応した孔を有する所定パターンの
マスクを用いて、スルーホール導体15内に樹脂ペース
トを印刷充填し、その後、樹脂ペーストを熱硬化させ
て、樹脂充填体15を形成する。そして、樹脂充填体1
5の端部を研磨除去して、コア基板7の表面を面一にす
る。樹脂充填体17の形成後は、銅箔とCuメッキ層と
からなるCu層をパターニングして、コア基板7の両面
に第1配線層25を形成する。具体的には、このCu層
上に半硬化のエッチングレジスト層を形成し、第1配線
層25に対応した所定パターンのマスクを用いて露光し
現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、エッ
チングレジスト層を所定のパターンとする。そして、こ
のレジスト層から露出するCu層をエッチング除去す
る。エッチング後は、エッチングレジスト層を剥離す
る。
Then, the through hole conductor 15 is filled with the resin filling body 17. Specifically, through-hole conductor 1
A resin paste is printed and filled in the through-hole conductor 15 using a mask having a predetermined pattern having holes corresponding to positions 5 and openings, and then the resin paste is thermally cured to form the resin filling body 15. And the resin filling body 1
The end of 5 is removed by polishing to make the surface of the core substrate 7 flush. After the resin filling body 17 is formed, the Cu layer including the copper foil and the Cu plating layer is patterned to form the first wiring layer 25 on both surfaces of the core substrate 7. Specifically, a semi-cured etching resist layer is formed on this Cu layer, and exposed and developed using a mask having a predetermined pattern corresponding to the first wiring layer 25. Then, it is further heated and cured to form the etching resist layer into a predetermined pattern. Then, the Cu layer exposed from this resist layer is removed by etching. After etching, the etching resist layer is peeled off.

【0021】次に、コア基板7及び第1配線層25上
に、開口径約85μmのビア孔19を有する樹脂絶縁層
9を形成する。具体的には、コア基板7及び第1配線層
25上に半硬化の樹脂絶縁層を形成し、ビア孔19に対
応した所定パターンのマスクを用いて露光し現像する。
その後、さらに加熱処理し硬化させて、所定の位置にビ
ア孔19を有する樹脂絶縁層9を形成する。なお、ビア
孔19の孔開けは、レーザ加工により行ってもよい。そ
の後、無電解Cuメッキを行い、樹脂絶縁層9の表面及
びビア孔19の内周面に、図2中に太線で示す厚さ約
0.7μmの無電解Cuメッキ層31を形成する。
Next, a resin insulating layer 9 having a via hole 19 with an opening diameter of about 85 μm is formed on the core substrate 7 and the first wiring layer 25. Specifically, a semi-cured resin insulating layer is formed on the core substrate 7 and the first wiring layer 25, and is exposed and developed using a mask having a predetermined pattern corresponding to the via hole 19.
Then, it is further heat-treated and cured to form the resin insulating layer 9 having the via hole 19 at a predetermined position. The via holes 19 may be opened by laser processing. Then, electroless Cu plating is performed to form an electroless Cu plated layer 31 having a thickness of about 0.7 μm, which is indicated by a thick line in FIG. 2, on the surface of the resin insulating layer 9 and the inner peripheral surface of the via hole 19.

【0022】次に、この無電解Cuメッキ層31上に、
複数の透孔35を有する所定パターンのメッキレジスト
層33を形成する。具体的には、無電解Cuメッキ層3
1上に半硬化のメッキレジスト層を形成し、第2配線層
27及びビア孔19に対応した所定パターンのマスクを
用いて露光し現像する。その後、さらに加熱硬化させ
て、所定の位置に透孔35を有するメッキレジスト層3
3を形成する。なお、透孔35は、第2配線層27及び
ビア孔19に対応しているため様々な形状をなす。この
ようにして、図2に示す基板51ができる。
Next, on the electroless Cu plating layer 31,
A plating resist layer 33 having a predetermined pattern having a plurality of through holes 35 is formed. Specifically, the electroless Cu plating layer 3
A semi-cured plating resist layer is formed on the first layer 1, and is exposed and developed using a mask having a predetermined pattern corresponding to the second wiring layer 27 and the via hole 19. After that, it is further heated and cured, and the plating resist layer 3 having the through holes 35 at predetermined positions.
3 is formed. Since the through holes 35 correspond to the second wiring layer 27 and the via holes 19, they have various shapes. In this way, the substrate 51 shown in FIG. 2 is obtained.

【0023】次に、電解Cuメッキ工程において、上記
基板51に電解Cuメッキを施す。まず、この電解Cu
メッキ工程で利用するメッキ装置101について、図3
を参照しつつ説明する。メッキ装置は、基板51を保持
して移動させる移動装置(図示しない)を備える。この
移動装置101は、基板51を保持するラックと、ラッ
クを水平方向あるいは垂直方向に移動させる移動機構と
から構成されている。
Next, in the electrolytic Cu plating step, the substrate 51 is subjected to electrolytic Cu plating. First, this electrolytic Cu
FIG. 3 shows the plating apparatus 101 used in the plating process.
Will be described with reference to. The plating apparatus includes a moving device (not shown) that holds and moves the substrate 51. The moving device 101 includes a rack that holds the substrate 51 and a moving mechanism that moves the rack horizontally or vertically.

【0024】さらに、メッキ装置101は、基板51に
電解Cuメッキ導体を形成するためのCuメッキ槽10
3を備える。Cuメッキ槽103には、フィルドビア2
1を形成するための電解Cuメッキ液105が貯留され
ている。また、Cuメッキ槽103の底面103t付近
には、泡109を発生させるための多数の孔が形成され
た、長さ約800mmの配管107が2本設置されてい
る。これらの配管は、約60mmの間隔Hを開けて2本
互いに平行に、かつ、Cuメッキ槽103の底面103
tと平行に配置されている。従って、これらの配管10
7に空気を送り込むと、配管107の孔から無数の泡1
09が発生し、電解Cuメッキ液105の水面まで上昇
する。
Further, the plating apparatus 101 includes a Cu plating bath 10 for forming an electrolytic Cu plating conductor on the substrate 51.
3 is provided. In the Cu plating bath 103, the filled via 2
The electrolytic Cu plating solution 105 for forming No. 1 is stored. Further, two pipes 107 having a length of about 800 mm and having a large number of holes for generating bubbles 109 are installed near the bottom surface 103t of the Cu plating bath 103. These pipes are parallel to each other with an interval H of about 60 mm, and the bottom surface 103 of the Cu plating bath 103.
It is arranged parallel to t. Therefore, these pipes 10
When air is sent to 7, innumerable bubbles 1
09 occurs and rises to the water surface of the electrolytic Cu plating solution 105.

【0025】次に、電解Cuメッキ工程について説明す
る。まず、ラックにセットした基板51を、移動装置に
よりCuメッキ槽103の上方まで水平に移動させる。
そして、ラックを下降させて、基板51をCuメッキ槽
103の電解Cuメッキ液105中に浸漬する。その
際、基板51の基板表面53が水平方向を向くように基
板51を立てて浸漬する。そして、所定の時間浸漬し
て、図4に示すように、基板51の両方の基板表面53
に電解Cuメッキ導体を形成する。これにより、基板表
面53には、フィルドビア21と第2配線層27が形成
される。
Next, the electrolytic Cu plating step will be described. First, the substrate 51 set in the rack is horizontally moved to a position above the Cu plating bath 103 by the moving device.
Then, the rack is lowered and the substrate 51 is immersed in the electrolytic Cu plating solution 105 in the Cu plating bath 103. At that time, the substrate 51 is erected so that the substrate surface 53 of the substrate 51 faces the horizontal direction. Then, it is dipped for a predetermined time, and as shown in FIG.
An electrolytic Cu-plated conductor is formed on. As a result, the filled via 21 and the second wiring layer 27 are formed on the substrate surface 53.

【0026】この電解Cuメッキ工程は、単に電解Cu
メッキ液105中に基板51を浸漬して電解Cuメッキ
を施すのではない。基板51よりも下方に設置した配管
107に空気を送り込み多数の泡109を発生させる
(図3参照)。その際、2本の配管107に対し40〜
60l/minの空気を流入させる。従って、それぞれ
の配管107からは、各々20〜30l/minの空気
が泡109となって流出する。そして、その泡109
が、基板表面53の下方部53dから上方部53uまで
基板表面53に当たりながら上昇し、さらに、基板51
よりも上方まで上昇するようにバブリングしつつ、電解
Cuメッキを行う。即ち、基板表面53のうち場所によ
らずいずれの位置でも泡109が当たるようにし、しか
も、上方部53uで泡109が滞留するようなことがな
く、基板51の上方まで上昇するようにしている。
This electrolytic Cu plating step simply involves electrolytic Cu plating.
The substrate 51 is not immersed in the plating solution 105 for electrolytic Cu plating. Air is sent to the pipe 107 installed below the substrate 51 to generate a large number of bubbles 109 (see FIG. 3). At that time, 40 to 40 for the two pipes 107
Inflow 60 l / min of air. Therefore, from each of the pipes 107, air of 20 to 30 l / min flows out as bubbles 109. And that bubble 109
Rise from the lower portion 53d of the substrate surface 53 to the upper portion 53u while hitting the substrate surface 53, and
Electrolytic Cu plating is performed while bubbling so as to rise higher than above. That is, the bubbles 109 are made to hit at any position on the substrate surface 53 regardless of the location, and the bubbles 109 do not stay in the upper portion 53u and rise above the substrate 51. .

【0027】なお、基板51には、両方の基板表面53
にビア孔19が形成されている。従って、両方の基板表
面53に泡109が当たるようにバブリングする。Cu
メッキ槽103には、2本の配管107が間隔Hを開け
て設置してあるので、一方の配管107Bから発生した
泡109が基板51の一方の基板表面53Bに当たり、
他方の配管107Cから発生した泡109が他方の基板
表面53Cに当たる。各配管107の長さ(約800m
m)は基板51の大きさ(400mm)の約2倍として
いるので、一の基板表面53には、各配管107から発
生する泡109の量(20〜30l/min)の約半分
(10〜15l/min)が当たることになる。
The substrate 51 has both substrate surfaces 53.
A via hole 19 is formed in the. Therefore, bubbling is performed so that the bubbles 109 hit both the substrate surfaces 53. Cu
Since two pipes 107 are installed in the plating tank 103 with a gap H, the bubbles 109 generated from one pipe 107B hit the one substrate surface 53B of the substrate 51,
The bubbles 109 generated from the other pipe 107C hit the other substrate surface 53C. Length of each pipe 107 (about 800 m
Since m) is about twice the size of the substrate 51 (400 mm), about one half (10 to 10 l / min) of the amount of bubbles 109 (20 to 30 l / min) generated from each pipe 107 on one substrate surface 53. 15 l / min).

【0028】このようにバブリングしつつ電解Cuメッ
キを行えば、浸漬した基板51のビア孔19に孔内の空
気が抜けきれずに残った気泡が付いていても、バブリン
グの泡109と一緒に取り除かれる。あるいは、浸漬中
の基板51のビア孔19に後から気泡が付いても、バブ
リングの泡109と一緒に取り除かれる。その結果、ビ
ア孔19の内周面全体に電解Cuメッキ液105が供給
され、ビア孔19の内周面全体に電解Cuメッキ導体が
形成される。よって、ビア導体21を確実に所定形状に
形成することができる。さらに、基板表面53の下方部
53dから上方部53uまで、即ち、基板表面53全体
に次々と泡109が当たるので、基板表面53のいずれ
の場所にビア孔109が形成されていても、ビア孔19
に所定形状のフィルドビア21を確実に形成することが
できる。
If electrolytic Cu plating is performed while bubbling in this way, even if bubbles are left in the via holes 19 of the immersed substrate 51 because the air in the holes could not be completely exhausted and the bubbles 109 for bubbling are present. To be removed. Alternatively, even if bubbles are attached to the via holes 19 of the substrate 51 during the immersion, they are removed together with the bubbling bubbles 109. As a result, the electrolytic Cu plating solution 105 is supplied to the entire inner peripheral surface of the via hole 19, and the electrolytic Cu plated conductor is formed on the entire inner peripheral surface of the via hole 19. Therefore, the via conductor 21 can be reliably formed into a predetermined shape. Furthermore, since the bubbles 109 continuously hit the substrate surface 53 from the lower portion 53d to the upper portion 53u, that is, the entire substrate surface 53, even if the via hole 109 is formed anywhere on the substrate surface 53, the via hole 109 is formed. 19
It is possible to reliably form the filled via 21 having a predetermined shape.

【0029】なお、本実施形態では、電解Cuメッキで
形成するビア導体21が、ビア孔19を電解Cuメッキ
導体で充填したフィルドビア21である。従って、一般
には、ビア孔19が完全に電解Cuメッキ導体で充填さ
れた所定形状に形成しにくい。ビア孔19は徐々に電解
Cuメッキ導体で埋まっていくので、その過程で孔(凹
み)の形状も変化していく。このため、孔の形状によっ
ては、一旦付着した気泡が取れにくくなるためであると
考えられる。しかし、本実施形態では、上述したよう
に、基板51を立ててメッキ液中に浸漬し、泡109が
基板表面53に当たりながら下方から上方まで上昇する
ようにバブリングしつつ、電解Cuメッキを行う。この
ため、ビア孔19にフィルドビア21を形成する場合で
あっても、ビア孔19に泡109が付着し続けることな
く、電解Cuメッキを行うことができる。その結果、ビ
ア孔19を電解Cuメッキ導体で確実に充填して、フィ
ルドビア21を所定形状に形成することができる。
In this embodiment, the via conductor 21 formed by electrolytic Cu plating is the filled via 21 in which the via hole 19 is filled with electrolytic Cu plated conductor. Therefore, it is generally difficult to form the via hole 19 into a predetermined shape that is completely filled with the electrolytic Cu-plated conductor. Since the via hole 19 is gradually filled with the electrolytic Cu-plated conductor, the shape of the hole (recess) also changes in the process. For this reason, it is considered that, depending on the shape of the holes, it becomes difficult to remove bubbles once attached. However, in the present embodiment, as described above, the substrate 51 is erected and immersed in the plating solution, and electrolytic Cu plating is performed while bubbling so that the bubbles 109 rise from the bottom to the top while hitting the substrate surface 53. Therefore, even when the filled via 21 is formed in the via hole 19, electrolytic Cu plating can be performed without the bubbles 109 continuing to adhere to the via hole 19. As a result, the via hole 19 can be reliably filled with the electrolytic Cu-plated conductor, and the filled via 21 can be formed in a predetermined shape.

【0030】また、本実施形態で電解Cuメッキを行う
基板51は、樹脂絶縁層(下層)9と、基板表面53を
なし樹脂絶縁層9が露出する透孔35を有するメッキレ
ジスト層33とを備える。フィルドビア21を形成する
ビア孔19は、樹脂絶縁層9に形成されており、メッキ
レジスト層33の透孔35内に露出している。このた
め、メッキレジスト層33がない場合に比して、基板表
面53(メッキレジスト層33の表面)から測ったビア
孔19の深さが深い。従って、基板51を電解Cuメッ
キ液105中に浸漬したときに、ビア孔19内の空気が
抜けきれずにビア孔19内に気泡が特にできやすくな
る。あるいは、ビア孔19内に後から気泡が付いたとき
に特に取れにくくなる。その結果、一般には、メッキレ
ジスト層33がない場合に比して、所定形状のフィルド
ビア21が形成できない場合が多くなる。
The substrate 51 on which electrolytic Cu plating is performed in the present embodiment includes a resin insulating layer (lower layer) 9 and a plating resist layer 33 having a through hole 35 that forms the substrate surface 53 and exposes the resin insulating layer 9. Prepare The via hole 19 forming the filled via 21 is formed in the resin insulating layer 9 and is exposed in the through hole 35 of the plating resist layer 33. For this reason, the depth of the via hole 19 measured from the substrate surface 53 (the surface of the plating resist layer 33) is deeper than when the plating resist layer 33 is not provided. Therefore, when the substrate 51 is dipped in the electrolytic Cu plating solution 105, the air in the via hole 19 cannot be completely exhausted and bubbles are particularly likely to be generated in the via hole 19. Alternatively, it is particularly difficult to remove bubbles when bubbles are formed in the via holes 19 later. As a result, in general, the filled vias 21 having a predetermined shape cannot be formed more often than when the plating resist layer 33 is not provided.

【0031】しかし、本実施形態では、前述したよう
に、基板51を立てて電解Cuメッキ液105中に浸漬
し、泡109が基板表面53に当たりながら下方から上
方まで上昇するようにバブリングしつつ、電解Cuメッ
キを行う。このため、メッキレジスト層33が形成さ
れ、相対的にビア孔19が深くなっていても、ビア孔1
9に泡109が付着し続けることなく、電解Cuメッキ
を行うことができる。よって、フィルドビア21を確実
に所定形状に形成することができる。
However, in the present embodiment, as described above, the substrate 51 is stood upright and immersed in the electrolytic Cu plating solution 105, and bubbles 109 are bubbled so as to rise from the bottom to the top while hitting the substrate surface 53. Electrolytic Cu plating is performed. Therefore, even if the plating resist layer 33 is formed and the via hole 19 is relatively deep, the via hole 1
Electrolytic Cu plating can be performed without the bubbles 109 continuing to adhere to the surface 9. Therefore, the filled via 21 can be reliably formed in a predetermined shape.

【0032】電解Cuメッキ後、所定時間が経過したら
(フィルドビア21が形成できたら)、移動機構により
ラックをCuメッキ槽103から引き上げ、水平移動さ
せて次の工程に向かう。このようにして、電解Cuメッ
キ工程が完了する。
After a predetermined time has elapsed (after the filled via 21 has been formed) after electrolytic Cu plating, the rack is pulled up from the Cu plating tank 103 by the moving mechanism and horizontally moved to the next step. In this way, the electrolytic Cu plating process is completed.

【0033】次に、電解Cuメッキ導体を形成した基板
51からメッキレジスト層33を剥離し、メッキレジス
ト層33に覆われていた無電解Cuメッキ層31を露出
させる。その後、エッチング(いわゆるクイックエッチ
ング)し、この露出した無電解Cuメッキ層31を除去
して、第2配線層27を所定パターンに形成する。その
後、樹脂絶縁層9及び第2配線層27上に、パッド用開
口23を有するソルダーレジスト層11を形成する。具
体的には、樹脂絶縁層9及び第2配線層27上に半硬化
のソルダーレジスト層を形成し、パッド用開口23に対
応した所定パターンのマスクを用いて露光し現像する。
その後、さらに加熱処理し硬化させて、所定パターンの
ソルダーレジスト層11を形成する。その後、ソルダー
レジスト層11から露出するパッド27pに、Niメッ
キ層を形成し、さらにその上にAuメッキ層を形成す
る。以上のようにして、図1に示した配線基板1が完成
する。
Next, the plating resist layer 33 is peeled off from the substrate 51 on which the electrolytic Cu plating conductor is formed, and the electroless Cu plating layer 31 covered with the plating resist layer 33 is exposed. Then, etching (so-called quick etching) is performed to remove the exposed electroless Cu plating layer 31, and the second wiring layer 27 is formed in a predetermined pattern. After that, the solder resist layer 11 having the pad openings 23 is formed on the resin insulating layer 9 and the second wiring layer 27. Specifically, a semi-cured solder resist layer is formed on the resin insulating layer 9 and the second wiring layer 27, and is exposed and developed using a mask having a predetermined pattern corresponding to the pad opening 23.
Then, it is further heat-treated and cured to form the solder resist layer 11 having a predetermined pattern. Then, a Ni plating layer is formed on the pad 27p exposed from the solder resist layer 11, and an Au plating layer is further formed thereon. As described above, the wiring board 1 shown in FIG. 1 is completed.

【0034】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形態
では、樹脂絶縁層7,9,11と配線層25,27とが
複数積層された多層樹脂製配線基板1の製造方法につい
て説明したが、セラミック製の基板等も含め、電解メッ
キによりビア孔にビア導体を形成する基板であれば、い
ずれの基板においても本発明を適用することができる。
また、コア基板として、内部に配線を有する多層コア基
板を使用してもよい。また、上記実施形態では、ビア導
体21としてフィルドビアを形成したが、ビア孔19が
完全にメッキで埋まっていないコンフォーマルビアを形
成してもよい。さらに、上記実施形態では、ビア導体
(フィルドビア)21をCuメッキにより形成したが、
その以外の金属メッキによって形成する場合であって
も、本発明を適用することができる。
Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments and can be appropriately modified and applied without departing from the scope of the invention. Nor. For example, in the above embodiment, the method for manufacturing the multilayer resin wiring substrate 1 in which the resin insulating layers 7, 9, 11 and the wiring layers 25, 27 are laminated is described. The present invention can be applied to any substrate as long as the substrate has a via conductor formed in the via hole by plating.
Alternatively, a multilayer core substrate having wiring inside may be used as the core substrate. Further, in the above embodiment, a filled via is formed as the via conductor 21, but a conformal via in which the via hole 19 is not completely filled with plating may be formed. Further, in the above embodiment, the via conductor (filled via) 21 is formed by Cu plating.
The present invention can be applied to the case of forming by other metal plating.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施形態に係る配線基板の部分拡大断面図であ
る。
FIG. 1 is a partially enlarged cross-sectional view of a wiring board according to an embodiment.

【図2】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、電
解Cuメッキ工程に用いる基板を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a substrate used in an electrolytic Cu plating step in the method for manufacturing a wiring substrate according to the embodiment.

【図3】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、フ
ィルドビアを形成する電解Cuメッキ工程を示す説明図
である。
FIG. 3 is an explanatory view showing an electrolytic Cu plating step of forming a filled via in the method for manufacturing a wiring board according to the embodiment.

【図4】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、電
解Cuメッキによりフィルドビアを形成した後の基板の
様子を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing a state of the substrate after forming filled vias by electrolytic Cu plating in the method for manufacturing a wiring substrate according to the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 配線基板 9 樹脂絶縁層(下層) 19 ビア孔 21 フィルドビア 33 メッキレジスト層 35 (メッキレジスト層に形成された)透孔 51 (電解Cuメッキに用いるビア孔が形成され
た)基板 53 基板表面 103 Cuメッキ槽 105 電解Cuメッキ液(電解メッキ液) 107 配管 109 泡
1 Wiring Substrate 9 Resin Insulation Layer (Lower Layer) 19 Via Hole 21 Filled Via 33 Plating Resist Layer 35 Through Hole 51 (Formed in Plating Resist Layer) Substrate 53 (Via Hole Used for Electrolytic Cu Plating) Substrate 53 Substrate Surface 103 Cu plating tank 105 Electrolytic Cu plating solution (electrolytic plating solution) 107 Piping 109 Bubble

フロントページの続き Fターム(参考) 4K024 AA09 AB17 BA12 BB11 BC10 CB02 CB12 CB26 DA10 DB10 FA05 GA16 5E317 BB02 BB13 BB15 CC25 CC32 CC33 CC42 CD15 GG09 5E343 AA07 AA17 BB24 BB72 DD02 DD33 DD43 DD76 EE32 EE37 ER11 ER26 FF16 GG13 Continued front page    F term (reference) 4K024 AA09 AB17 BA12 BB11 BC10                       CB02 CB12 CB26 DA10 DB10                       FA05 GA16                 5E317 BB02 BB13 BB15 CC25 CC32                       CC33 CC42 CD15 GG09                 5E343 AA07 AA17 BB24 BB72 DD02                       DD33 DD43 DD76 EE32 EE37                       ER11 ER26 FF16 GG13

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板表面に開口するビア孔を有する基板を
電解メッキ液中に浸漬し、電流を流して上記ビア孔内に
ビア導体を形成する電解メッキ工程であって、上記基板
表面が水平方向を向くように上記基板を立てて浸漬し、
上記基板よりも下方で発生させた泡が、上記基板表面の
うち下方部から上方部まで上記基板表面に当たりながら
上昇し、上記基板よりも上方まで上昇するようにバブリ
ングしつつ、電解メッキを行う電解メッキ工程を備える
基板の製造方法。
1. An electrolytic plating step of immersing a substrate having a via hole opening on the surface of the substrate in an electrolytic plating solution and passing a current to form a via conductor in the via hole, wherein the substrate surface is horizontal. Immerse the substrate upright so that it faces in the direction,
Bubbles generated below the substrate rise from the lower part to the upper part of the substrate surface while hitting the substrate surface, and while bubbling so as to rise above the substrate, electrolytic plating is performed. A method of manufacturing a substrate including a plating step.
【請求項2】請求項1に記載の基板の製造方法であっ
て、 前記電解メッキ工程で、前記ビア孔内が電解メッキで充
填されたフィルドビアを形成する基板の製造方法。
2. The method for manufacturing a substrate according to claim 1, wherein in the electrolytic plating step, a filled via is formed in which the via hole is filled with electrolytic plating.
【請求項3】請求項1または請求項2に記載の基板の製
造方法であって、 前記基板は、下層と、この下層が露出する透孔を有し前
記基板表面をなすメッキレジスト層とを備え、 前記ビア孔は、上記下層に形成され、上記透孔内に露出
している基板の製造方法。
3. The method for manufacturing a substrate according to claim 1, wherein the substrate comprises a lower layer and a plating resist layer forming a surface of the substrate having a through hole through which the lower layer is exposed. The method of manufacturing a substrate, wherein the via hole is formed in the lower layer and is exposed in the through hole.
JP2001331059A 2001-10-29 2001-10-29 Method for manufacturing board Pending JP2003133698A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001331059A JP2003133698A (en) 2001-10-29 2001-10-29 Method for manufacturing board
TW91124626A TW579663B (en) 2001-10-29 2002-10-24 Method for manufacturing wiring substrate
CN 02147918 CN1418050A (en) 2001-10-29 2002-10-28 Manufacture of wiring substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001331059A JP2003133698A (en) 2001-10-29 2001-10-29 Method for manufacturing board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003133698A true JP2003133698A (en) 2003-05-09

Family

ID=19146690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001331059A Pending JP2003133698A (en) 2001-10-29 2001-10-29 Method for manufacturing board

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2003133698A (en)
CN (1) CN1418050A (en)
TW (1) TW579663B (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007169700A (en) * 2005-12-21 2007-07-05 Victor Co Of Japan Ltd Copper electroplating method using insoluble anode
JP2009155725A (en) * 2007-12-04 2009-07-16 Ebara Corp Plating apparatus and plating method
US8784636B2 (en) 2007-12-04 2014-07-22 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
WO2018003620A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 テクノロール株式会社 Method for producing plated roll and mechanism for preventing adhesion of hydrogen gas for plating

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007169700A (en) * 2005-12-21 2007-07-05 Victor Co Of Japan Ltd Copper electroplating method using insoluble anode
JP2009155725A (en) * 2007-12-04 2009-07-16 Ebara Corp Plating apparatus and plating method
US8784636B2 (en) 2007-12-04 2014-07-22 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
WO2018003620A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 テクノロール株式会社 Method for producing plated roll and mechanism for preventing adhesion of hydrogen gas for plating
JP2018003092A (en) * 2016-07-01 2018-01-11 テクノロール株式会社 Method for manufacturing plating coated roll and mechanism for inhibiting adhesion of hydrogen gas for plating

Also Published As

Publication number Publication date
TW579663B (en) 2004-03-11
CN1418050A (en) 2003-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4770900A (en) Process and laminate for the manufacture of through-hole plated electric printed-circuit boards
JP3807312B2 (en) Printed circuit board and manufacturing method thereof
JP2006237619A (en) Printed circuit board, flip chip ball grid array substrate and method of manufacturing the same
TW201607397A (en) Via in a printed circuit board
KR100674316B1 (en) Method forming via hole that utilizes lazer drill
JP2013168691A (en) Printed circuit board and method for filling via hole thereof
JP6819608B2 (en) Multi-layer printed wiring board and its manufacturing method
JP2003133698A (en) Method for manufacturing board
KR100916646B1 (en) Manufacturing method of PCB
JP2004047836A (en) Printed board and its manufacturing method
JP2009239184A (en) Multilayer printed wiring board
US20040079643A1 (en) Method for manufacturing wiring substrates
JPH08244138A (en) Manufacture of printed wiring board
KR100945080B1 (en) Method For Manufacturing Printed Circuit Board
JP2020141036A (en) Printing wiring board and manufacturing method thereof
JP3747897B2 (en) Manufacturing method of tape carrier for semiconductor device and semiconductor device using the same
JPH08148810A (en) Manufacture of printed wiring board
JP4051923B2 (en) Manufacturing method of build-up multilayer printed wiring board
JP2001077514A (en) Manufacture of printed wiring board
JPH02143586A (en) Manufacture of through-hole printed wiring board
JPH07297519A (en) Manufacture of wiring board
JPH1154912A (en) Manufacturing wiring board
JP2006108554A (en) Manufacturing method of printed circuit board
JP2000269644A (en) Manufacturing build-up multilayer wiring board
WO2000059277A1 (en) Method of producing printed wiring boards

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050315

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050414

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050823