JP2003133621A - 広帯域ａｓｅ光源 - Google Patents
広帯域ａｓｅ光源Info
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- JP2003133621A JP2003133621A JP2001331906A JP2001331906A JP2003133621A JP 2003133621 A JP2003133621 A JP 2003133621A JP 2001331906 A JP2001331906 A JP 2001331906A JP 2001331906 A JP2001331906 A JP 2001331906A JP 2003133621 A JP2003133621 A JP 2003133621A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】少ない励起光強度で高出力（高効率）な擬似ガ
ウシャン形状のスペクトラム波形を有するＡＳＥ光源を
提供する。 【解決手段】エルビウム添加光ファイバ５の一方端に、
光アイソレータ２を介して出力端子を接続すると共に、
他方端に反射体６を接続し、少なくても前記ファイバの
一方端あるいは他方端に励起光源をも接続したＡＳＥ光
源であって、前記ファイバ長は短波長が吸収され、長波
長は出力されないまたは吸収され、主に中波長帯のＡＳ
Ｅだけが出力される長さとなるようＥＤＦ長を最適化す
ることで擬似ガウシャン型ＡＳＥ光源を実現する。
ウシャン形状のスペクトラム波形を有するＡＳＥ光源を
提供する。 【解決手段】エルビウム添加光ファイバ５の一方端に、
光アイソレータ２を介して出力端子を接続すると共に、
他方端に反射体６を接続し、少なくても前記ファイバの
一方端あるいは他方端に励起光源をも接続したＡＳＥ光
源であって、前記ファイバ長は短波長が吸収され、長波
長は出力されないまたは吸収され、主に中波長帯のＡＳ
Ｅだけが出力される長さとなるようＥＤＦ長を最適化す
ることで擬似ガウシャン型ＡＳＥ光源を実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エルビウム添加光
ファイバから発生される自然放出光を光源とする広帯域
自然放出光光源に関するものであり、光計測等の光源と
して使用するのに適するものである。
ファイバから発生される自然放出光を光源とする広帯域
自然放出光光源に関するものであり、光計測等の光源と
して使用するのに適するものである。
【０００２】
【従来の技術】エルビウム添加光ファイバは、ある波長
範囲の励起光を入射することにより、ある波長に対して
大きな利得を得ることができる特性を有する。このた
め、利得を有する波長帯の信号光をエルビウム添加光フ
ァイバ（以下ＥＤＦ）内に透過させることで、信号光の
光強度を非常に大きくすることが可能であり、現在光増
幅器として光通信の分野において広く利用されている。
ＥＤＦに励起光を入射したとき、ＥＤＦは信号光の利得
を発生させると共に自然放出光も発生する。発生した自
然放出光は、利得の影響を受けて光出力が増大する。こ
のようにして発生した光は、Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐ
ｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ光（以下、ＡＳ
Ｅ光）と呼ばれている。
範囲の励起光を入射することにより、ある波長に対して
大きな利得を得ることができる特性を有する。このた
め、利得を有する波長帯の信号光をエルビウム添加光フ
ァイバ（以下ＥＤＦ）内に透過させることで、信号光の
光強度を非常に大きくすることが可能であり、現在光増
幅器として光通信の分野において広く利用されている。
ＥＤＦに励起光を入射したとき、ＥＤＦは信号光の利得
を発生させると共に自然放出光も発生する。発生した自
然放出光は、利得の影響を受けて光出力が増大する。こ
のようにして発生した光は、Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐ
ｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ光（以下、ＡＳ
Ｅ光）と呼ばれている。
【０００３】このようにＥＤＦは、信号光を入射しなく
てもそれ自身が持つ大きな利得によりＡＳＥ出力を出射
するため、広帯域光源として使用することが可能であ
る。
てもそれ自身が持つ大きな利得によりＡＳＥ出力を出射
するため、広帯域光源として使用することが可能であ
る。
【０００４】一方、近年では通信容量を増大するため、
使用される光デバイスの高機能・複合化が進められてい
る。これら光デバイスには、不連続点が必然的に増すた
め、反射／損失の評価が重要になってきている。このた
め光低コヒーレンス領域のリフレクトメータを用いた反
射、損失測定が開発されている。リフレクトメータで光
デバイスの反射分布測定を行う場合はＬＥＤやＡＳＥ光
等の低コヒーレント光源が用いられていて、光ビーム形
状はガウシャン形状として設計されているがＡＳＥ光源
ではガウシャン形状のものは使用されていなかった（電
子情報通信学会、信学技報、ＯＣＳ９９−４４，ＰＳ９
９−１８、ＯＦＴ９９−２１ １９９９−０７）。
使用される光デバイスの高機能・複合化が進められてい
る。これら光デバイスには、不連続点が必然的に増すた
め、反射／損失の評価が重要になってきている。このた
め光低コヒーレンス領域のリフレクトメータを用いた反
射、損失測定が開発されている。リフレクトメータで光
デバイスの反射分布測定を行う場合はＬＥＤやＡＳＥ光
等の低コヒーレント光源が用いられていて、光ビーム形
状はガウシャン形状として設計されているがＡＳＥ光源
ではガウシャン形状のものは使用されていなかった（電
子情報通信学会、信学技報、ＯＣＳ９９−４４，ＰＳ９
９−１８、ＯＦＴ９９−２１ １９９９−０７）。
【０００５】ガウシャン形状とはＡＳＥの最大スペクト
ラム強度を中心としてスペクトラム強度の波長が広がる
にしたがってガウス関数に比例して減少するような形状
のことをいう。例えばガウシャン形状はＩ(0）exp(-dλ
2/ω2)の形で記述できる（ここでI(0):スペクトラム最
大強度、dλ：スペクトラム最大強度の波長位置からの
波長推移量、ω：定数）。
ラム強度を中心としてスペクトラム強度の波長が広がる
にしたがってガウス関数に比例して減少するような形状
のことをいう。例えばガウシャン形状はＩ(0）exp(-dλ
2/ω2)の形で記述できる（ここでI(0):スペクトラム最
大強度、dλ：スペクトラム最大強度の波長位置からの
波長推移量、ω：定数）。
【０００６】図６に従来のＡＳＥ光源構成を示す。２４
はエルビウム添加光ファイバ（ＥＤＦ）、２３は光の合
波器、２２は励起光源である。２５は無反射処理端、２
１は光アイソレータで構成されている。図６ではＡＳＥ
光の帯域としては１５３０〜１５６５ｎｍであるが、Ｅ
ＤＦ長を長くすることで１５３０〜１６１０ｎｍ範囲の
ＡＳＥ光が得られることが知られている。
はエルビウム添加光ファイバ（ＥＤＦ）、２３は光の合
波器、２２は励起光源である。２５は無反射処理端、２
１は光アイソレータで構成されている。図６ではＡＳＥ
光の帯域としては１５３０〜１５６５ｎｍであるが、Ｅ
ＤＦ長を長くすることで１５３０〜１６１０ｎｍ範囲の
ＡＳＥ光が得られることが知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような光デバイス
の反射分布測定には高い分解能と広い測定ダイナミック
レンジが要求されるが、ＬＥＤでは出力パワーが低いた
めさらに大きな出力パワーの光源が求められる。ＡＳＥ
光の出力パワーはＬＥＤの約１００倍以上有るので低コ
ヒーレント光源としては最適である。しかしこれらのＡ
ＳＥスペクトラム形状は図７に示すように１５３０ｎｍ
と１５６０ｎｍ付近にピークを持つものが多くガウシャ
ン形状ではない。スペクトラム形状が複雑であれば反射
波も複雑となり、設計値と異なる測定結果となり好まし
くない。その結果測定精度が劣化するという問題点があ
った。また図６に示すとおり無反射端であるため、無反
射端でＥＤＦ側には反射してこない構成となっており、
出力ポート側のＡＳＥ光出力には寄与していなかった。
無反射端側に伝播するＡＳＥ光をＥＤＦ内に戻して増幅
するという考えが無かった。即ち高出力化については十
分な検討がされていなかった。
の反射分布測定には高い分解能と広い測定ダイナミック
レンジが要求されるが、ＬＥＤでは出力パワーが低いた
めさらに大きな出力パワーの光源が求められる。ＡＳＥ
光の出力パワーはＬＥＤの約１００倍以上有るので低コ
ヒーレント光源としては最適である。しかしこれらのＡ
ＳＥスペクトラム形状は図７に示すように１５３０ｎｍ
と１５６０ｎｍ付近にピークを持つものが多くガウシャ
ン形状ではない。スペクトラム形状が複雑であれば反射
波も複雑となり、設計値と異なる測定結果となり好まし
くない。その結果測定精度が劣化するという問題点があ
った。また図６に示すとおり無反射端であるため、無反
射端でＥＤＦ側には反射してこない構成となっており、
出力ポート側のＡＳＥ光出力には寄与していなかった。
無反射端側に伝播するＡＳＥ光をＥＤＦ内に戻して増幅
するという考えが無かった。即ち高出力化については十
分な検討がされていなかった。
【０００８】本発明は上記従来の課題を解決するために
なされたものであり、少ない励起光強度で高出力かつ小
型、ガウシャン形状をしたＡＳＥ光源を提供することを
課題とする。
なされたものであり、少ない励起光強度で高出力かつ小
型、ガウシャン形状をしたＡＳＥ光源を提供することを
課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明はこれらの課題を
解決するためのものであり、希土類添加光ファイバの一
方端に、光アイソレータを介して出力端子を接続すると
共に、他方端に反射体を接続し、前記希土類添加ファイ
バの一方端あるいは両方端に励起光源をも接続したＡＳ
Ｅ光源であって、前記希土類添加ファイバは、信号光増
幅帯域内の短波長側が吸収され、長波長側は出力されな
いかまたは吸収されるような長さとし、出力されるＡＳ
Ｅ光の最大出力スペクトラムが１５５０〜１５７０ｎｍ
の中波長帯にあることを特徴とする。
解決するためのものであり、希土類添加光ファイバの一
方端に、光アイソレータを介して出力端子を接続すると
共に、他方端に反射体を接続し、前記希土類添加ファイ
バの一方端あるいは両方端に励起光源をも接続したＡＳ
Ｅ光源であって、前記希土類添加ファイバは、信号光増
幅帯域内の短波長側が吸収され、長波長側は出力されな
いかまたは吸収されるような長さとし、出力されるＡＳ
Ｅ光の最大出力スペクトラムが１５５０〜１５７０ｎｍ
の中波長帯にあることを特徴とする。
【００１０】また前記励起光源はファイバ融着延伸型Ｗ
ＤＭカプラ−を用いて合波されることを特徴とする。さ
らに前記希土類添加ファイバの出力端子側に波形整形フ
ィルタとしてファイバ融着延伸型ＷＤＭカプラ−を接続
したことを特徴とする。
ＤＭカプラ−を用いて合波されることを特徴とする。さ
らに前記希土類添加ファイバの出力端子側に波形整形フ
ィルタとしてファイバ融着延伸型ＷＤＭカプラ−を接続
したことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明によるＡＳＥ光源
について説明する。
について説明する。
【００１２】図１は本発明の第１の実施形態を示す構成
図である。エルビウム添加光ファイバ（以下ＥＤＦ）５
は希土類元素であるエルビウムが添加された信号光の増
幅作用のある石英系光ファイバで今日最も多く用いられ
ている光増幅用光ファイバであり、励起光を入射したと
きに１５３０ｎｍ付近の短波長が吸収され、１５８０ｎ
ｍ付近の長波長の出力は低くあるいは吸収され、主に１
５６０ｎｍ付近の中波長帯のＡＳＥだけが出力される長
さとしている。
図である。エルビウム添加光ファイバ（以下ＥＤＦ）５
は希土類元素であるエルビウムが添加された信号光の増
幅作用のある石英系光ファイバで今日最も多く用いられ
ている光増幅用光ファイバであり、励起光を入射したと
きに１５３０ｎｍ付近の短波長が吸収され、１５８０ｎ
ｍ付近の長波長の出力は低くあるいは吸収され、主に１
５６０ｎｍ付近の中波長帯のＡＳＥだけが出力される長
さとしている。
【００１３】具体的なＥＤＦ５の長さは、本実施例では
図２に示すように４０〜５０ｍである。ＥＤＦ５が短い
（１０ｍ程度）と１５３０ｎｍにピークを持つＡＳＥス
ペクトラムとなり、逆に５０ｍより長くすると長波長帯
（１５８０ｎｍ以上）のスペクトラムが増加する。ただ
しＥＤＦ５に添加されるエルビウム濃度やＥＤＦの構造
等によりそのＥＤＦ長は異なる。エルビウム濃度が高け
ればＥＤＦ５は短くてすみ、エルビウム濃度が低ければ
ＥＤＦ５は長くしなければならないのでここで示したＥ
ＤＦ５の長さは一例に過ぎない。要はエルビウム添加フ
ァイバでは１５５０〜１５７０ｎｍ（１５６０ｎｍ付
近）内に大きな増幅特性があることから、１５５０〜１
５７０ｎｍの中波長帯にＡＳＥ光の最大スペクトラムが
存在するような長さとすれば良い。
図２に示すように４０〜５０ｍである。ＥＤＦ５が短い
（１０ｍ程度）と１５３０ｎｍにピークを持つＡＳＥス
ペクトラムとなり、逆に５０ｍより長くすると長波長帯
（１５８０ｎｍ以上）のスペクトラムが増加する。ただ
しＥＤＦ５に添加されるエルビウム濃度やＥＤＦの構造
等によりそのＥＤＦ長は異なる。エルビウム濃度が高け
ればＥＤＦ５は短くてすみ、エルビウム濃度が低ければ
ＥＤＦ５は長くしなければならないのでここで示したＥ
ＤＦ５の長さは一例に過ぎない。要はエルビウム添加フ
ァイバでは１５５０〜１５７０ｎｍ（１５６０ｎｍ付
近）内に大きな増幅特性があることから、１５５０〜１
５７０ｎｍの中波長帯にＡＳＥ光の最大スペクトラムが
存在するような長さとすれば良い。
【００１４】４は光の合波器であり、光ファイバを融着
延伸して作られていてＷＤＭカプラと呼ばれるものであ
る。３は励起光源である。６は反射体で光信号を反射す
るように誘電体多層膜で構成した全反射ミラーを光ファ
イバー端面に接着接続して構成したものである。２は光
アイソレータで光信号を一方向のみ通過させるようにす
る働きをするもので、原理はファラデー回転子を用いた
ものである。
延伸して作られていてＷＤＭカプラと呼ばれるものであ
る。３は励起光源である。６は反射体で光信号を反射す
るように誘電体多層膜で構成した全反射ミラーを光ファ
イバー端面に接着接続して構成したものである。２は光
アイソレータで光信号を一方向のみ通過させるようにす
る働きをするもので、原理はファラデー回転子を用いた
ものである。
【００１５】ＥＤＦ５の一方端には合波器４を介して半
導体レーザーの励起光源３を接続し、ＥＤＦ５の他端に
は反射体６を接続し、合波器４の一端には光アイソレー
タ２を接続し、光アイソレータ２を通して出力端子１か
らＡＳＥ光を出力するようになっている。出力端子１か
らの反射光がＥＤＦ５に戻ってくるとＡＳＥ光が不安定
になるが、光アイソレータ２がある事で出力端側からの
反射光がＥＤＦ５内に戻らないようにする事でＡＳＥ光
が不安定になるのを防ぐことができる。
導体レーザーの励起光源３を接続し、ＥＤＦ５の他端に
は反射体６を接続し、合波器４の一端には光アイソレー
タ２を接続し、光アイソレータ２を通して出力端子１か
らＡＳＥ光を出力するようになっている。出力端子１か
らの反射光がＥＤＦ５に戻ってくるとＡＳＥ光が不安定
になるが、光アイソレータ２がある事で出力端側からの
反射光がＥＤＦ５内に戻らないようにする事でＡＳＥ光
が不安定になるのを防ぐことができる。
【００１６】励起光源３から出力された励起光はその波
長が１４８０ｎｍ帯あるいは９８０ｎｍ帯であって合波
器４を介してＥＤＦ５に導かれる。上記励起光源３から
の励起光が入射すると、合波器４側のＥＤＦ５前半部分
でまず１５３０〜１５６０ｎｍ帯のＡＳＥ光が放出さ
れ、ＥＤＦ５の両側に伝播する。光アイソレータ２側に
伝播したＡＳＥ光は１５３０ｎｍ付近がＥＤＦで吸収さ
れて光アイソレータ２を通過して出力端子１から出力さ
れる。さらに反射体６側に伝播する上記１５３０〜１５
６０ｎｍ帯ＡＳＥは、その途中のＥＤＦ５後半部分で吸
収されることにより１５６０ｎｍ付近が強まったＡＳＥ
になる。さらにＡＳＥ光は反射体６で反射され、ＥＤＦ
５内に戻ることで、ＥＤＦ５内で１５６０ｎｍ付近がさ
らに増幅されて出力端子１から出力される。この状態で
出力端子１から図２に示すようなＡＳＥ光が擬似的にガ
ウシャン形状をした形で出力されるのである。即ち１５
６０ｎｍ付近にピークを持ち、この波長を中心にして波
長が広がるにつれ対称にスペクトラム強度が低下する形
状である。
長が１４８０ｎｍ帯あるいは９８０ｎｍ帯であって合波
器４を介してＥＤＦ５に導かれる。上記励起光源３から
の励起光が入射すると、合波器４側のＥＤＦ５前半部分
でまず１５３０〜１５６０ｎｍ帯のＡＳＥ光が放出さ
れ、ＥＤＦ５の両側に伝播する。光アイソレータ２側に
伝播したＡＳＥ光は１５３０ｎｍ付近がＥＤＦで吸収さ
れて光アイソレータ２を通過して出力端子１から出力さ
れる。さらに反射体６側に伝播する上記１５３０〜１５
６０ｎｍ帯ＡＳＥは、その途中のＥＤＦ５後半部分で吸
収されることにより１５６０ｎｍ付近が強まったＡＳＥ
になる。さらにＡＳＥ光は反射体６で反射され、ＥＤＦ
５内に戻ることで、ＥＤＦ５内で１５６０ｎｍ付近がさ
らに増幅されて出力端子１から出力される。この状態で
出力端子１から図２に示すようなＡＳＥ光が擬似的にガ
ウシャン形状をした形で出力されるのである。即ち１５
６０ｎｍ付近にピークを持ち、この波長を中心にして波
長が広がるにつれ対称にスペクトラム強度が低下する形
状である。
【００１７】図３は本発明の第２の実施形態である。
【００１８】図１と同様に構成した装置で、合波器４は
ファイバ融着延伸型のＷＤＭカプラであり、ＥＤＦ５の
出力端子側に波形整形フィルタ７としてファイバ融着延
伸型のＷＤＭカプラ（合波器４と同等品）を接続した物
である。通常このＷＤＭカプラは励起光と信号光を合波
するために用いるが合波特性に波長依存性が大きい。こ
こでは信号光だけを入力してＷＤＭカプラの波長損失特
性を利用するものである。
ファイバ融着延伸型のＷＤＭカプラであり、ＥＤＦ５の
出力端子側に波形整形フィルタ７としてファイバ融着延
伸型のＷＤＭカプラ（合波器４と同等品）を接続した物
である。通常このＷＤＭカプラは励起光と信号光を合波
するために用いるが合波特性に波長依存性が大きい。こ
こでは信号光だけを入力してＷＤＭカプラの波長損失特
性を利用するものである。
【００１９】図４にこのＷＤＭカプラのＡＳＥ光からみ
た波長損失特性を示す。１５６０ｎｍから離れるにした
がって挿入損失が増加するため、合波器４として使用し
ても、出力端に挿入して波形整形フィルタ７としてもＡ
ＳＥ光の広がりを押さえ擬似ガウシャン形状に波形整形
（波形整形フィルタ）する効果がある。この様に合波器
４と波形整形フィルタ７を同一のＷＤＭカプラとする事
ができるので波形整形フィルタを新規に制作する必要が
なくなる。
た波長損失特性を示す。１５６０ｎｍから離れるにした
がって挿入損失が増加するため、合波器４として使用し
ても、出力端に挿入して波形整形フィルタ７としてもＡ
ＳＥ光の広がりを押さえ擬似ガウシャン形状に波形整形
（波形整形フィルタ）する効果がある。この様に合波器
４と波形整形フィルタ７を同一のＷＤＭカプラとする事
ができるので波形整形フィルタを新規に制作する必要が
なくなる。
【００２０】図５は本発明における広帯域ＡＳＥ光源の
第３の実施形態を示す構成図である。反射体６側に励起
光源３を備えている点が図１の第１の実施例との相違点
である。ＡＳＥ光の伝播が反射体６側から起こり、出力
端子１からＡＳＥ光が出力される。動作としては第１の
実施例と同じような説明ができ、図示はしてないが特性
としも図２と同等な結果が得られる。
第３の実施形態を示す構成図である。反射体６側に励起
光源３を備えている点が図１の第１の実施例との相違点
である。ＡＳＥ光の伝播が反射体６側から起こり、出力
端子１からＡＳＥ光が出力される。動作としては第１の
実施例と同じような説明ができ、図示はしてないが特性
としも図２と同等な結果が得られる。
【００２１】
【実施例】本発明の広帯域ＡＳＥ光源の実施例として図
１に示したＡＳＥ光源の試作を行った。各部品と構成に
ついて以下に説明する。
１に示したＡＳＥ光源の試作を行った。各部品と構成に
ついて以下に説明する。
【００２２】図２は図１に示すＡＳＥ光源における試作
結果である。励起光源３は波長１４８０ｎｍで励起出力
を１００ｍＷ、ＥＤＦ５は市販されている石英系のエル
ビウム添加光ファイバを用いた。ＥＤＦ長は４０ｍ、５
０ｍを確認した。反射体の反射率は９０％である。比較
のため反射体を使用しない場合のスペクトラム波形をＥ
ＤＦ長が４０，７０，１００ｍにおいて比較確認もし
た。
結果である。励起光源３は波長１４８０ｎｍで励起出力
を１００ｍＷ、ＥＤＦ５は市販されている石英系のエル
ビウム添加光ファイバを用いた。ＥＤＦ長は４０ｍ、５
０ｍを確認した。反射体の反射率は９０％である。比較
のため反射体を使用しない場合のスペクトラム波形をＥ
ＤＦ長が４０，７０，１００ｍにおいて比較確認もし
た。
【００２３】従来技術と比べ本発明実施例ではスペクト
ラム形状が擬似ガウシャンであり、尚かつ反射体をいれ
ることで出力パワーが増大し、ＡＳＥ光の最大スペクト
ラムが１５５０〜１５７０ｎｍにある事がわかる。
ラム形状が擬似ガウシャンであり、尚かつ反射体をいれ
ることで出力パワーが増大し、ＡＳＥ光の最大スペクト
ラムが１５５０〜１５７０ｎｍにある事がわかる。
【００２４】
【発明の効果】以上、本発明によれば、エルビウム添加
光ファイバの一方端に励起光源と、光アイソレータを介
して出力ポートを接続すると共に、他方端に反射体を接
続した構成において、ファイバ長を最適化することでス
ペクトラム形状が擬似ガウシャンであるＡＳＥ光源が製
作できる。これによりガウシャンの光ビームを用いる低
コヒーレントリフレクトメータ等に用いれば測定ダイナ
ミックを広げ、測定精度を上げる効果がある。
光ファイバの一方端に励起光源と、光アイソレータを介
して出力ポートを接続すると共に、他方端に反射体を接
続した構成において、ファイバ長を最適化することでス
ペクトラム形状が擬似ガウシャンであるＡＳＥ光源が製
作できる。これによりガウシャンの光ビームを用いる低
コヒーレントリフレクトメータ等に用いれば測定ダイナ
ミックを広げ、測定精度を上げる効果がある。
【図１】本発明における広帯域ＡＳＥ光源の第１の実施
形態を示す構成図である。
形態を示す構成図である。
【図２】本発明における第１の実施形態のＡＳＥスペク
トラムを示すグラフである。
トラムを示すグラフである。
【図３】本発明における広帯域ＡＳＥ光源の第２の実施
形態を示す構成図である。
形態を示す構成図である。
【図４】ファイバ融着延伸型合波器（ＷＤＭカプラ）の
波長損失特性を示すグラフである。
波長損失特性を示すグラフである。
【図５】本発明における広帯域ＡＳＥ光源の第３の実施
形態を示す構成図である。
形態を示す構成図である。
【図６】従来のＡＳＥ光源を示す図である。
【図７】従来のＡＳＥ光源のＡＳＥスペクトラムを示す
図である。
図である。
１：出力端子
２：光アイソレータ
３：励起光源
４：合波器
５：エルビウム添加光ファイバ
６：反射体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F072 AB09 AK06 JJ20 KK05 KK30
PP07 RR01 SS10 YY11
Claims (3)
- 【請求項１】希土類添加光ファイバの一方端に、光アイ
ソレータを介して出力端子を接続すると共に、他方端に
反射体を接続し、前記希土類添加ファイバの一方端ある
いは両方端に励起光源をも接続したＡＳＥ光源であっ
て、前記希土類添加ファイバは、信号光増幅帯域内の短
波長側が吸収され、長波長側は出力されないかまたは吸
収されるような長さとし、出力されるＡＳＥ光の最大出
力スペクトラムが１５５０〜１５７０ｎｍの中波長帯に
あることを特徴とする広帯域ＡＳＥ光源。 - 【請求項２】前記励起光源は、ファイバ融着延伸型ＷＤ
Ｍカプラ−を用いて合波されることを特徴とする請求項
１記載の広帯域ＡＳＥ光源。 - 【請求項３】前記希土類添加ファイバの出力端子側に、
波形整形フィルタとしてファイバ融着延伸型ＷＤＭカプ
ラ−を接続したことを特徴とする請求項１記載の広帯域
ＡＳＥ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001331906A JP2003133621A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 広帯域ａｓｅ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001331906A JP2003133621A (ja) | 2001-10-30 | 2001-10-30 | 広帯域ａｓｅ光源 |
Publications (1)
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| WO2008090644A1 (ja) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Central Glass Company, Limited | 光源装置 |
| CN102946044A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-02-27 | 清华大学 | 全光纤宽带超荧光光源 |
| CN112164967A (zh) * | 2020-08-20 | 2021-01-01 | 河北汉光重工有限责任公司 | 光纤陀螺用稳定性ase光源 |
-
2001
- 2001-10-30 JP JP2001331906A patent/JP2003133621A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| WO2008090644A1 (ja) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Central Glass Company, Limited | 光源装置 |
| CN102946044A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-02-27 | 清华大学 | 全光纤宽带超荧光光源 |
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