JP2003133574A - 光電流増倍装置及びその増倍率制御方法 - Google Patents
光電流増倍装置及びその増倍率制御方法Info
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電流増倍装置の増倍率を所望の値に設定す
る。 【解決手段】 光電流増倍層２はＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥ
ｔ−ＰＴＣの共蒸着薄膜（膜厚５００ｎｍ）からなリ、
その両側をＩＴＯ電極４と膜厚２０ｎｍのＡｕ電極６と
でサンドイッチ状に挟んでセルを構成しており、ガラス
基板１０により支持している。直流電源８によりＡｕ電
極６側がマイナスになるように電圧印加して作動させ
る。励起光をＡｕ電極６側から光電流増倍層２に入射さ
せると、光電流増倍層２とＡｕ電極６の界面で光電流増
倍が起こる。増倍率は、光電流増倍層２を構成するＭｅ
−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの混合比率に依存して変化
する。
る。 【解決手段】 光電流増倍層２はＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥ
ｔ−ＰＴＣの共蒸着薄膜（膜厚５００ｎｍ）からなリ、
その両側をＩＴＯ電極４と膜厚２０ｎｍのＡｕ電極６と
でサンドイッチ状に挟んでセルを構成しており、ガラス
基板１０により支持している。直流電源８によりＡｕ電
極６側がマイナスになるように電圧印加して作動させ
る。励起光をＡｕ電極６側から光電流増倍層２に入射さ
せると、光電流増倍層２とＡｕ電極６の界面で光電流増
倍が起こる。増倍率は、光電流増倍層２を構成するＭｅ
−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの混合比率に依存して変化
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機光エレクトロ
ニクス装置に関し、特に、光導電性有機半導体による有
機／金属界面における光電流増倍現象を利用した光電流
増倍装置、及びさらに有機電界発光（有機ＥＬ）層を備
えて光−光変換光を得る光−光変換装置に関するもので
ある。光電流増倍装置は、フォトセンサーなどに利用す
ることができる。
ニクス装置に関し、特に、光導電性有機半導体による有
機／金属界面における光電流増倍現象を利用した光電流
増倍装置、及びさらに有機電界発光（有機ＥＬ）層を備
えて光−光変換光を得る光−光変換装置に関するもので
ある。光電流増倍装置は、フォトセンサーなどに利用す
ることができる。
【０００２】
【従来の技術】光電流増倍装置は、光導電性有機半導体
の蒸着薄膜を光電流増倍層とし、その両側を２枚の金属
電極ではさんだサンドイッチ型セル構造を有している。
そして、光導電性有機半導体による有機／金属界面にお
ける光電流の増幅効果を利用し、光電流増倍層に電圧を
印加した状態でその光電流増倍層に光照射することによ
り増倍された量子収率で光照射誘起電流を得るものであ
る。
の蒸着薄膜を光電流増倍層とし、その両側を２枚の金属
電極ではさんだサンドイッチ型セル構造を有している。
そして、光導電性有機半導体による有機／金属界面にお
ける光電流の増幅効果を利用し、光電流増倍層に電圧を
印加した状態でその光電流増倍層に光照射することによ
り増倍された量子収率で光照射誘起電流を得るものであ
る。
【０００３】具体的な例としては、光導電性有機半導体
としてペリレン顔料である金属置換フタロシアニン（Ｍ
ｅ−ＰＴＣ）の蒸着薄膜を用いたもの（例えば、M.Hira
moto, T. Imahigashi, and M. Yokoyama, Applied Phys
ics Letters, 64, 187 (1994)参照）、ナフタレン誘導
体であるナフタレンテトラカルボン酸無水物（ＮＴＣＤ
Ａ）の蒸着薄膜を用いたもの（例えば、T. Katsume, M.
Hiramoto, and M. Yokoyama, Applied Physics Letter
s, 69, 3722 (1996)参照）等がある。
としてペリレン顔料である金属置換フタロシアニン（Ｍ
ｅ−ＰＴＣ）の蒸着薄膜を用いたもの（例えば、M.Hira
moto, T. Imahigashi, and M. Yokoyama, Applied Phys
ics Letters, 64, 187 (1994)参照）、ナフタレン誘導
体であるナフタレンテトラカルボン酸無水物（ＮＴＣＤ
Ａ）の蒸着薄膜を用いたもの（例えば、T. Katsume, M.
Hiramoto, and M. Yokoyama, Applied Physics Letter
s, 69, 3722 (1996)参照）等がある。
【０００４】これらの光電流増倍装置は、増倍率（入射
フォトン数に対する素子を流れた増倍光電流による電子
数の比）が１０万倍以上に達し、現在光検出に用いられ
ている光電子増倍管に匹敵する光検出能力を持つことか
ら、光センシング装置としての十分な潜在能力を持つ。
フォトン数に対する素子を流れた増倍光電流による電子
数の比）が１０万倍以上に達し、現在光検出に用いられ
ている光電子増倍管に匹敵する光検出能力を持つことか
ら、光センシング装置としての十分な潜在能力を持つ。
【０００５】これまでの研究で、この光電流増倍現象
は、結晶性の薄膜を形成する有機材料でのみ起こり、ア
モルファス性の薄膜を形成する有機材料では起こらない
ことが知られている（K. Nakayama, M. Hiramoto, and
Masaaki Yokoyama, J. Appl. Phys., 87, 3365 (200
0).）。また、光電流増倍現象の起こる度合いを示す増
倍率は有機材料の種類に依存することも知られている。
は、結晶性の薄膜を形成する有機材料でのみ起こり、ア
モルファス性の薄膜を形成する有機材料では起こらない
ことが知られている（K. Nakayama, M. Hiramoto, and
Masaaki Yokoyama, J. Appl. Phys., 87, 3365 (200
0).）。また、光電流増倍現象の起こる度合いを示す増
倍率は有機材料の種類に依存することも知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これらの光電流増倍装
置は、その１つの用途としてフォトセンサーを挙げるこ
とができるが、フォトセンサーでは強い光から弱い光ま
で広いダイナミックレンジに渡って測定できるものが要
請されることがある。その際、増倍率の異なる複数の光
電流増倍素子を用意することができれば好都合である。
置は、その１つの用途としてフォトセンサーを挙げるこ
とができるが、フォトセンサーでは強い光から弱い光ま
で広いダイナミックレンジに渡って測定できるものが要
請されることがある。その際、増倍率の異なる複数の光
電流増倍素子を用意することができれば好都合である。
【０００７】また、他の用途においても光電流増倍装置
の増倍率を制御することができれば、多くの用途に適用
できるようになって好都合である。その際、共通の光導
電性有機半導体を使用して増倍率を変えることができれ
ば、製造が容易になるので、なお好都合である。
の増倍率を制御することができれば、多くの用途に適用
できるようになって好都合である。その際、共通の光導
電性有機半導体を使用して増倍率を変えることができれ
ば、製造が容易になるので、なお好都合である。
【０００８】そこで、本発明の第１の目的は、増倍率を
所望の値に設定した光電流増倍装置を提供することであ
る。本発明の第２の目的は、増倍率の異なる複数の光電
流増倍素子を設けることによって広いダイナミックレン
ジの光測定を可能にする光電流増倍装置を提供すること
である。本発明の第３の目的は、共通の光導電性有機半
導体を使用して増倍率を所望の値に設定することのでき
る光電流増倍装置の増倍率制御方法を提供することであ
る。
所望の値に設定した光電流増倍装置を提供することであ
る。本発明の第２の目的は、増倍率の異なる複数の光電
流増倍素子を設けることによって広いダイナミックレン
ジの光測定を可能にする光電流増倍装置を提供すること
である。本発明の第３の目的は、共通の光導電性有機半
導体を使用して増倍率を所望の値に設定することのでき
る光電流増倍装置の増倍率制御方法を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、結晶性の有機
半導体とアモルファス性の有機半導体との混合物を用
い、両者の混合比率によって増倍率を制御しようとする
ものである。すなわち、本発明は、大きな光電流増倍を
示す結晶性有機半導体に光電流増倍特性をもたないアモ
ルファス性有機半導体を添加することで、有機半導体薄
膜の極微細構造を変化させ、増倍率を意図的に制御す
る。
半導体とアモルファス性の有機半導体との混合物を用
い、両者の混合比率によって増倍率を制御しようとする
ものである。すなわち、本発明は、大きな光電流増倍を
示す結晶性有機半導体に光電流増倍特性をもたないアモ
ルファス性有機半導体を添加することで、有機半導体薄
膜の極微細構造を変化させ、増倍率を意図的に制御す
る。
【００１０】第１の目的を達成するために、本発明の光
電流増倍装置は光電流増倍層に電圧を印加した状態でそ
の光電流増倍層に光照射することにより増倍された量子
収率で光照射誘起電流を得るようにしたものであり、そ
の光電流増倍層がアモルファス性有機半導体と結晶性有
機半導体との混合物からなることを特徴とするものであ
る。
電流増倍装置は光電流増倍層に電圧を印加した状態でそ
の光電流増倍層に光照射することにより増倍された量子
収率で光照射誘起電流を得るようにしたものであり、そ
の光電流増倍層がアモルファス性有機半導体と結晶性有
機半導体との混合物からなることを特徴とするものであ
る。
【００１１】その有機半導体混合物からなる光電流増倍
層の１つの形態は、アモルファス性有機半導体と結晶性
有機半導体との共蒸着薄膜である。その有機半導体混合
物からなる光電流増倍層の他の形態は、アモルファス性
有機半導体と結晶性有機半導体とを樹脂に分散させた樹
脂分散有機半導体薄膜である。
層の１つの形態は、アモルファス性有機半導体と結晶性
有機半導体との共蒸着薄膜である。その有機半導体混合
物からなる光電流増倍層の他の形態は、アモルファス性
有機半導体と結晶性有機半導体とを樹脂に分散させた樹
脂分散有機半導体薄膜である。
【００１２】本発明の光電流増倍装置は、光電流増倍層
に有機電界発光層が積層一体化され、光電流増倍層に光
照射することにより、有機電界発光層から光−光変換光
を得るようにした光−光変換装置も含んでいる。
に有機電界発光層が積層一体化され、光電流増倍層に光
照射することにより、有機電界発光層から光−光変換光
を得るようにした光−光変換装置も含んでいる。
【００１３】第２の目的を達成するために、本発明の光
電流増倍装置は、光電流増倍層に電圧を印加した状態で
その光電流増倍層に光照射することにより増倍された量
子収率で光照射誘起電流を得る光電流増倍素子を複数個
備え、光電流増倍素子の少なくとも１個は、その光電流
増倍層がアモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体
との混合物からなリ、かつアモルファス性有機半導体と
結晶性有機半導体との混合比率により増倍率が設定され
ていることを特徴とするものである。
電流増倍装置は、光電流増倍層に電圧を印加した状態で
その光電流増倍層に光照射することにより増倍された量
子収率で光照射誘起電流を得る光電流増倍素子を複数個
備え、光電流増倍素子の少なくとも１個は、その光電流
増倍層がアモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体
との混合物からなリ、かつアモルファス性有機半導体と
結晶性有機半導体との混合比率により増倍率が設定され
ていることを特徴とするものである。
【００１４】その際、有機半導体混合物の光電流増倍素
子が複数個含まれていることが好ましく、それらの光電
流増倍素子は互いに異なる増倍率に設定されている。ま
た、最も増倍率の高い光電流増倍素子として光電流増倍
層が結晶性有機半導体のみを含みアモルファス性有機半
導体を含まないものを含むことができる。
子が複数個含まれていることが好ましく、それらの光電
流増倍素子は互いに異なる増倍率に設定されている。ま
た、最も増倍率の高い光電流増倍素子として光電流増倍
層が結晶性有機半導体のみを含みアモルファス性有機半
導体を含まないものを含むことができる。
【００１５】第３の目的を達成するために、本発明の光
電流増倍装置の増倍率制御方法は、光電流増倍層として
アモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体の混合物
を使用し、かつその混合比率を調節することにより増倍
率を設定する増倍率制御方法である。
電流増倍装置の増倍率制御方法は、光電流増倍層として
アモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体の混合物
を使用し、かつその混合比率を調節することにより増倍
率を設定する増倍率制御方法である。
【００１６】
【発明の実施の形態】光電流増倍層に用いる有機半導体
の例を図３に示す。フタロシアニン顔料とその誘導体
（中心に種々の金属をもつＭＰｃ、金属をもたないＨ2
Ｐｃや、周りに種々の置換基の付いたもの）、キナクリ
ドン顔料（ＤＱ）、ポルフィリン、メロシアニン等とそ
れらの誘導体、ペリレン顔料とその誘導体（窒素原子に
付いている置換基の異なる誘導体は多種知られており、
例えば、ｔ−ＢｕＰｈ−ＰＴＣ，ＰｈＥｔ−ＰＴＣなど
があり、高い光電変換能を持つＩｍ−ＰＴＣもあ
る。）、ナフタレン誘導体（ペリレン顔料のペリレン骨
格がナフタレンになっているもので、例えばＮＴＣＤ
Ａ）、Ｃ６０等が挙げられる。しかし、本発明で利用で
きる光導電性有機半導体はこれらに限らない。
の例を図３に示す。フタロシアニン顔料とその誘導体
（中心に種々の金属をもつＭＰｃ、金属をもたないＨ2
Ｐｃや、周りに種々の置換基の付いたもの）、キナクリ
ドン顔料（ＤＱ）、ポルフィリン、メロシアニン等とそ
れらの誘導体、ペリレン顔料とその誘導体（窒素原子に
付いている置換基の異なる誘導体は多種知られており、
例えば、ｔ−ＢｕＰｈ−ＰＴＣ，ＰｈＥｔ−ＰＴＣなど
があり、高い光電変換能を持つＩｍ−ＰＴＣもあ
る。）、ナフタレン誘導体（ペリレン顔料のペリレン骨
格がナフタレンになっているもので、例えばＮＴＣＤ
Ａ）、Ｃ６０等が挙げられる。しかし、本発明で利用で
きる光導電性有機半導体はこれらに限らない。
【００１７】これらの有機半導体をアモルファス性の強
いものと結晶性の強いものとに分類すると、次のように
なる。アモルファス性の強いものとしては、フタロシア
ニン、ポルフィリン、メロシアニンなどでは周りに種々
の置換基の付いたもの、ナフタレン誘導体に大きな置換
基の付いたもの、ｔ−ＢｕＰｈ−ＰＴＣやＰｈＥｔ−Ｐ
ＴＣのように窒素に大きな置換基の付いたペリレン誘導
体などを挙げることができる。結晶性の強いものとして
は、キナクリドン顔料（ＤＱ）、中心に種々の金属をも
つＭＰｃ、金属をもたないＨ2Ｐｃ、ポルフィリン、メ
ロシアニン、ペリレン顔料、ＮＴＣＤＡ、Ｉｍ−ＰＴ
Ｃ、Ｃ６０などを挙げることができる。
いものと結晶性の強いものとに分類すると、次のように
なる。アモルファス性の強いものとしては、フタロシア
ニン、ポルフィリン、メロシアニンなどでは周りに種々
の置換基の付いたもの、ナフタレン誘導体に大きな置換
基の付いたもの、ｔ−ＢｕＰｈ−ＰＴＣやＰｈＥｔ−Ｐ
ＴＣのように窒素に大きな置換基の付いたペリレン誘導
体などを挙げることができる。結晶性の強いものとして
は、キナクリドン顔料（ＤＱ）、中心に種々の金属をも
つＭＰｃ、金属をもたないＨ2Ｐｃ、ポルフィリン、メ
ロシアニン、ペリレン顔料、ＮＴＣＤＡ、Ｉｍ−ＰＴ
Ｃ、Ｃ６０などを挙げることができる。
【００１８】光電流増倍層がアモルファス性有機半導体
と結晶性有機半導体との混合物からなる場合の第１の形
態は共蒸着膜である。共蒸着膜は、アモルファス性有機
半導体と結晶性有機半導体とを同時に蒸着することによ
り得ることができる。共蒸着では、アモルファス性有機
半導体と結晶性有機半導体とを別々のるつぼに入れて蒸
着する方法と、アモルファス性有機半導体と結晶性有機
半導体とを混合して同一のるつぼに入れて蒸着する方法
がある。後者の場合、るつぼに入れた混合比率と成膜後
の混合比率が異なったものになるが、両者の関係を求め
ておくことにより混合比率の制御は可能である。共蒸着
膜の膜厚は０.１〜３μｍが好ましい。膜厚がこの範囲
より薄くなるとピンポールが発生して信頼性が低下す
る。膜厚がこの範囲より厚くなると、光電流増倍を起こ
させるために必要な電圧が上昇し、エネルギー効率が悪
化する。
と結晶性有機半導体との混合物からなる場合の第１の形
態は共蒸着膜である。共蒸着膜は、アモルファス性有機
半導体と結晶性有機半導体とを同時に蒸着することによ
り得ることができる。共蒸着では、アモルファス性有機
半導体と結晶性有機半導体とを別々のるつぼに入れて蒸
着する方法と、アモルファス性有機半導体と結晶性有機
半導体とを混合して同一のるつぼに入れて蒸着する方法
がある。後者の場合、るつぼに入れた混合比率と成膜後
の混合比率が異なったものになるが、両者の関係を求め
ておくことにより混合比率の制御は可能である。共蒸着
膜の膜厚は０.１〜３μｍが好ましい。膜厚がこの範囲
より薄くなるとピンポールが発生して信頼性が低下す
る。膜厚がこの範囲より厚くなると、光電流増倍を起こ
させるために必要な電圧が上昇し、エネルギー効率が悪
化する。
【００１９】光電流増倍層がアモルファス性有機半導体
と結晶性有機半導体との混合物からなる場合の第２の形
態は、アモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体と
を樹脂に分散させた樹脂分散有機半導体膜である。有機
半導体を分散させる樹脂としては、ポリカーボネート
（図４中に記号Ｃ１１として示されたもの）、ポリビニ
ルブチラール（図４中に記号Ｃ１２として示されたも
の）、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリメタ
クリル酸メチルなどの汎用ポリマー、ポリビニルカルバ
ゾール（図４中に記号Ｃ１３として示されたもの）、ポ
リメチルフェニルシラン（図４中に記号Ｃ１４として示
されたもの）、ポリジメチルシランなどの導電性ポリマ
ーを挙げることができる。
と結晶性有機半導体との混合物からなる場合の第２の形
態は、アモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体と
を樹脂に分散させた樹脂分散有機半導体膜である。有機
半導体を分散させる樹脂としては、ポリカーボネート
（図４中に記号Ｃ１１として示されたもの）、ポリビニ
ルブチラール（図４中に記号Ｃ１２として示されたも
の）、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリメタ
クリル酸メチルなどの汎用ポリマー、ポリビニルカルバ
ゾール（図４中に記号Ｃ１３として示されたもの）、ポ
リメチルフェニルシラン（図４中に記号Ｃ１４として示
されたもの）、ポリジメチルシランなどの導電性ポリマ
ーを挙げることができる。
【００２０】樹脂分散有機半導体層における有機半導体
の濃度（アモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体
の混合物ではその合計の濃度）は３０重量％以上が好ま
しい。その濃度が３０重量％より少なくなると膜の導電
性が低下するためにそれだけ光照射誘起電流が少なくな
って、増倍装置としての光電流増倍特性や光−光変換特
性が低下してくる。
の濃度（アモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体
の混合物ではその合計の濃度）は３０重量％以上が好ま
しい。その濃度が３０重量％より少なくなると膜の導電
性が低下するためにそれだけ光照射誘起電流が少なくな
って、増倍装置としての光電流増倍特性や光−光変換特
性が低下してくる。
【００２１】樹脂分散有機半導体層の膜厚は０.１〜３
μｍが好ましい。膜厚がこの範囲より薄くなると、暗電
流が増加して光照射誘起電流が少なくなり、増倍装置と
しての光電流増倍特性や光−光変換特性が低下してく
る。逆に膜厚がこの範囲より厚くなると、光電流増倍を
起こさせるために必要な電圧が上昇し、エネルギー効率
が悪化する。
μｍが好ましい。膜厚がこの範囲より薄くなると、暗電
流が増加して光照射誘起電流が少なくなり、増倍装置と
しての光電流増倍特性や光−光変換特性が低下してく
る。逆に膜厚がこの範囲より厚くなると、光電流増倍を
起こさせるために必要な電圧が上昇し、エネルギー効率
が悪化する。
【００２２】光−光変換素子を構成する有機電界発光層
としては、アルミ・キノリノール錯体（Ａｌｑ３）（図
５中に記号Ｃ２０として示されたもの）、3,4,9,10−ペ
リレンテトラカルボキシリック3,4,9,10−ビス（フェニ
ルエチルイミド）などの蒸着膜を挙げることができる。
有機電界発光層の膜厚は０.０５〜０.１μｍが適当であ
る。
としては、アルミ・キノリノール錯体（Ａｌｑ３）（図
５中に記号Ｃ２０として示されたもの）、3,4,9,10−ペ
リレンテトラカルボキシリック3,4,9,10−ビス（フェニ
ルエチルイミド）などの蒸着膜を挙げることができる。
有機電界発光層の膜厚は０.０５〜０.１μｍが適当であ
る。
【００２３】光−光変換素子では有機電界発光層と電極
との間にキャリア輸送層（ホール輸送層又は電子輸送
層）が設けられることがある。そのキャリア輸送層とし
ては、N,N−ジフェニル−N,N−ビス（４−メチルフェニ
ル）−4,4−ジアミンなどのトリフェニル・ジアミン誘
導体（ＴＰＤ）（図５中に記号Ｃ２１として示されたも
の）、3,5−ジメチル−3,5−ジ三級ブチル−4,4−ジフ
ェノキノン、２−（４−ビフェニル）−５−（４−三級
ブチルフェニル）−1,3,4−オキサジアゾール、N,N,N,N
−テトラ−（ｍ−トルイル）−ｍ−フェニレンジアミン
などの蒸着膜を挙げることができる。キャリア輸送層の
膜厚は０.０５〜０.１μｍが適当である。
との間にキャリア輸送層（ホール輸送層又は電子輸送
層）が設けられることがある。そのキャリア輸送層とし
ては、N,N−ジフェニル−N,N−ビス（４−メチルフェニ
ル）−4,4−ジアミンなどのトリフェニル・ジアミン誘
導体（ＴＰＤ）（図５中に記号Ｃ２１として示されたも
の）、3,5−ジメチル−3,5−ジ三級ブチル−4,4−ジフ
ェノキノン、２−（４−ビフェニル）−５−（４−三級
ブチルフェニル）−1,3,4−オキサジアゾール、N,N,N,N
−テトラ−（ｍ−トルイル）−ｍ−フェニレンジアミン
などの蒸着膜を挙げることができる。キャリア輸送層の
膜厚は０.０５〜０.１μｍが適当である。
【００２４】光電流増倍層に電圧を印加するためにこの
素子を両側から挟む電極としては、ＩＴＯ（酸化インジ
ウム錫）透明電極の他、金その他の金属の蒸着膜やスパ
ッタリング膜を用いることができる。光透過性を要求さ
れる側に設けられる電極膜はそのうちの透明なものを使
用する。電極膜はガラス基板に形成してもよく、光電流
増倍層に形成してもよく、又は光電流増倍層と有機電界
発光層との積層体に形成してもよい。
素子を両側から挟む電極としては、ＩＴＯ（酸化インジ
ウム錫）透明電極の他、金その他の金属の蒸着膜やスパ
ッタリング膜を用いることができる。光透過性を要求さ
れる側に設けられる電極膜はそのうちの透明なものを使
用する。電極膜はガラス基板に形成してもよく、光電流
増倍層に形成してもよく、又は光電流増倍層と有機電界
発光層との積層体に形成してもよい。
【００２５】
【実施例】次に、実施例について図面を参照して詳細に
説明する。図１は一実施例の光電流増倍装置のセル構造
を示す断面図である。３は光電流増倍層であり、Ｍｅ−
ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの共蒸着薄膜（膜厚５００ｎ
ｍ）からなる。その光電流増倍層３を膜厚６０ｎｍのＩ
ＴＯ電極２と膜厚２０ｎｍのＡｕ電極４とでサンドイッ
チ状に挟んだ構造である。１はこの素子を支持している
透明ガラス基板である。ガラス基板１は電極２，４のい
ずれの側にあってもよいが、ここでは電極２を支持する
側に設けられているものとする。
説明する。図１は一実施例の光電流増倍装置のセル構造
を示す断面図である。３は光電流増倍層であり、Ｍｅ−
ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの共蒸着薄膜（膜厚５００ｎ
ｍ）からなる。その光電流増倍層３を膜厚６０ｎｍのＩ
ＴＯ電極２と膜厚２０ｎｍのＡｕ電極４とでサンドイッ
チ状に挟んだ構造である。１はこの素子を支持している
透明ガラス基板である。ガラス基板１は電極２，４のい
ずれの側にあってもよいが、ここでは電極２を支持する
側に設けられているものとする。
【００２６】７は直流電源であり、Ａｕ電極４側がマイ
ナスになるように電圧印加して作動させる。励起光１８
は電極２，４のいずれの側から照射してもよく、少なく
とも光が照射される側の電極はその光に対して透過性の
ものである必要がある。直流電源７によって電極２，４
を通して光電流増倍層３に電圧を印加させた状態で光電
流増倍層３に光１８を照射することにより、光電流増倍
層３とＡｕ電極４の界面で光電流増倍が起こる。
ナスになるように電圧印加して作動させる。励起光１８
は電極２，４のいずれの側から照射してもよく、少なく
とも光が照射される側の電極はその光に対して透過性の
ものである必要がある。直流電源７によって電極２，４
を通して光電流増倍層３に電圧を印加させた状態で光電
流増倍層３に光１８を照射することにより、光電流増倍
層３とＡｕ電極４の界面で光電流増倍が起こる。
【００２７】この素子は、ガラス基板１にＩＴＯ電極２
を蒸着法により形成し、その上にＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥ
ｔ−ＰＴＣの共蒸着により光電流増倍層３を形成し、さ
らにその上に蒸着法によりＡｕ電極４を形成することに
より製造することができる。
を蒸着法により形成し、その上にＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥ
ｔ−ＰＴＣの共蒸着により光電流増倍層３を形成し、さ
らにその上に蒸着法によりＡｕ電極４を形成することに
より製造することができる。
【００２８】図２は他の実施例の光電流増倍装置である
光−光変換装置のセル構造を示す断面図である。光電流
増倍層３及びこの光電流増倍層３に積層一体化させた有
機電界発光層１０からなる積層体１２を備えている。こ
の積層体１２の光電流増倍層３上にはＩＴＯ電極２、有
機電界発光層１０上にはＡｕ電極４が設けられている。
有機電界発光層１０と電極４の間には、図示のように、
ホール輸送層１１が介在していることが好ましい。この
光−光変換素子においても、ガラス基板１は電極２，４
のいずれの側にあってもよいが、ここでは電極２を支持
する側に設けられているものとする。電極２，４によっ
てホール輸送層１１を介して積層体１２に電源７により
電圧を印加させた状態で光電流増倍層３に光１８を照射
することにより、有機電界発光層１０から光−光変換光
２０を得るものである。１８’はこの素子への入射光１
８のうちの透過光を表わしている。
光−光変換装置のセル構造を示す断面図である。光電流
増倍層３及びこの光電流増倍層３に積層一体化させた有
機電界発光層１０からなる積層体１２を備えている。こ
の積層体１２の光電流増倍層３上にはＩＴＯ電極２、有
機電界発光層１０上にはＡｕ電極４が設けられている。
有機電界発光層１０と電極４の間には、図示のように、
ホール輸送層１１が介在していることが好ましい。この
光−光変換素子においても、ガラス基板１は電極２，４
のいずれの側にあってもよいが、ここでは電極２を支持
する側に設けられているものとする。電極２，４によっ
てホール輸送層１１を介して積層体１２に電源７により
電圧を印加させた状態で光電流増倍層３に光１８を照射
することにより、有機電界発光層１０から光−光変換光
２０を得るものである。１８’はこの素子への入射光１
８のうちの透過光を表わしている。
【００２９】この光−光変換素子では、光１８は電極２
を通して光電流増倍層３に照射されるので、電極２はそ
の照射光に対して透過性でなくてはならない。また、光
−光変換光２０は有機電界発光層１０からホール輸送層
１１及び電極４を通して取り出されるので、ホール輸送
層１１と電極４はその光２０に対して透過性でなくては
ならない。
を通して光電流増倍層３に照射されるので、電極２はそ
の照射光に対して透過性でなくてはならない。また、光
−光変換光２０は有機電界発光層１０からホール輸送層
１１及び電極４を通して取り出されるので、ホール輸送
層１１と電極４はその光２０に対して透過性でなくては
ならない。
【００３０】光電流増倍層３において、Ｍｅ−ＰＴＣと
ＰｈＥｔ−ＰＴＣを共蒸着すると、Ｍｅ−ＰＴＣは結晶
性となり、ＰｈＥｔ−ＰＴＣはアモルファス性となる。
これらの化合物では、薄膜の結晶化度はＮ原子に付く置
換基に依存しており、メチル基のような小さな置換基を
もつ場合は結晶性で、フェニル基のようなバルキーな置
換基をもつ場合はアモルファス性となる。置換基は上記
２つに限定されるわけでなく他の種類でもよい。すなわ
ち、結晶性とアモルファス性の組合わせであれば他の有
機半導体の組合わせでもよい。
ＰｈＥｔ−ＰＴＣを共蒸着すると、Ｍｅ−ＰＴＣは結晶
性となり、ＰｈＥｔ−ＰＴＣはアモルファス性となる。
これらの化合物では、薄膜の結晶化度はＮ原子に付く置
換基に依存しており、メチル基のような小さな置換基を
もつ場合は結晶性で、フェニル基のようなバルキーな置
換基をもつ場合はアモルファス性となる。置換基は上記
２つに限定されるわけでなく他の種類でもよい。すなわ
ち、結晶性とアモルファス性の組合わせであれば他の有
機半導体の組合わせでもよい。
【００３１】図１の実施例において、光電流増倍層２の
Ｍｅ−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの混合比率は次の表に
示されるように変化させた３種類のものを作成した。
Ｍｅ−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの混合比率は次の表に
示されるように変化させた３種類のものを作成した。
【表１】
Me-PTC（結晶性） PhEt-PTC（アモルファス性）
１ ０
０.９５ ０.０５
０.９０ ０.１０
【００３２】表１のように混合比率を変えた光電流増倍
素子が示す増倍率の印加電圧依存性を図６に示す。光電
流増倍層２として単独のＭｅ−ＰＴＣ薄膜を用いた場合
（図中のａ）は、印加電圧５Ｖで５０００倍を越える増
倍率を示しているが、ＰｈＥｔ−ＰＴＣを５％（図中の
ｂ）、１０％（図中のｃ）と添加すると増倍が顕著に抑
制され、１０％添加ではほとんど増倍が起こらなくな
る。
素子が示す増倍率の印加電圧依存性を図６に示す。光電
流増倍層２として単独のＭｅ−ＰＴＣ薄膜を用いた場合
（図中のａ）は、印加電圧５Ｖで５０００倍を越える増
倍率を示しているが、ＰｈＥｔ−ＰＴＣを５％（図中の
ｂ）、１０％（図中のｃ）と添加すると増倍が顕著に抑
制され、１０％添加ではほとんど増倍が起こらなくな
る。
【００３３】このように、有機半導体単一膜と、有機半
導体混合膜とから所望の有機半導体を選択することによ
り、増倍率を数万倍から全く起こらない１倍以下の広い
範囲で自由自在にコントロールできる。
導体混合膜とから所望の有機半導体を選択することによ
り、増倍率を数万倍から全く起こらない１倍以下の広い
範囲で自由自在にコントロールできる。
【００３４】ここで、本発明による増倍率制御の起源に
ついて述べる。図７に各薄膜のＸ線回折（ＸＲＤ）スペ
クトルを示す。ＣＰＳはカウント数／秒で、強度を表わ
す。最上段の（Ａ）はＭｅ−ＰＴＣ単独膜、最下段の
（Ｅ）はＰｈＥｔ−ＰＴＣ単独膜である。（Ｂ）から
（Ｄ）はＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの共蒸着膜で
あり、その混合比率は、Ｍｅ−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ−ＰＴ
Ｃで表わして、（Ｂ）０.９５：０.０５、（Ｃ）０.９
０：０.１０、（Ｄ）０.５０：０.５０である。
ついて述べる。図７に各薄膜のＸ線回折（ＸＲＤ）スペ
クトルを示す。ＣＰＳはカウント数／秒で、強度を表わ
す。最上段の（Ａ）はＭｅ−ＰＴＣ単独膜、最下段の
（Ｅ）はＰｈＥｔ−ＰＴＣ単独膜である。（Ｂ）から
（Ｄ）はＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの共蒸着膜で
あり、その混合比率は、Ｍｅ−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ−ＰＴ
Ｃで表わして、（Ｂ）０.９５：０.０５、（Ｃ）０.９
０：０.１０、（Ｄ）０.５０：０.５０である。
【００３５】２θ＝２７．４°付近のピークがＭｅ−Ｐ
ＴＣ結晶に由来する。Ｍｅ−ＰＴＣ単独膜（Ａ）、Ｍｅ
−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ−ＰＴＣ＝０.９５：０.０５（Ｂ）
及びＭｅ−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ−ＰＴＣ＝０.９０：０.１
０（Ｃ）にはその回折ピークが現れている。一方、Ｍｅ
−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ−ＰＴＣ＝０．５０：０．５０
（１：１蒸着膜）（Ｄ）及びＰｈＥｔ−ＰＴＣ単独膜
（Ｅ）には回折ピークが観測されずアモルファスであ
る。（Ｄ）及び（Ｅ）の増倍率のデータは図６には示し
ていないが、増倍が全く起こらないことを確認した。
ＴＣ結晶に由来する。Ｍｅ−ＰＴＣ単独膜（Ａ）、Ｍｅ
−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ−ＰＴＣ＝０.９５：０.０５（Ｂ）
及びＭｅ−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ−ＰＴＣ＝０.９０：０.１
０（Ｃ）にはその回折ピークが現れている。一方、Ｍｅ
−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ−ＰＴＣ＝０．５０：０．５０
（１：１蒸着膜）（Ｄ）及びＰｈＥｔ−ＰＴＣ単独膜
（Ｅ）には回折ピークが観測されずアモルファスであ
る。（Ｄ）及び（Ｅ）の増倍率のデータは図６には示し
ていないが、増倍が全く起こらないことを確認した。
【００３６】興味深いことに、比率０．９５：０．０５
（Ｂ）及び（Ｃ）０．９０：０．１０の共蒸着膜は、Ｍ
ｅ−ＰＴＣ単独膜（Ａ）に比べて増倍が抑制されている
にもかかわらず、Ｍｅ−ＰＴＣのＸＲＤピーク強度はほ
とんど変化しないことが分かった。図８にＭｅ−ＰＴＣ
単独膜からＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣとの共蒸着
膜におけるＰｈＥｔ−ＰＴＣ比率に対して増倍率とＸＲ
Ｄピーク強度をプロットした。増倍率が急激に減少して
いるにもかかわらず、ＸＲＤ強度の減少は非常に小さい
ことが明白である。ＸＲＤピークが観測されるというこ
とは、１０％のＰｈＥｔ−ＰＴＣ添加ではＸＲＤピーク
の起源となるＭｅ−ＰＴＣ結晶の規則的な分子配列構造
が残っていることを意味している。この結果は、Ｍｅ−
ＰＴＣの分子配列そのものよりも大きな構造（高次構
造）がＰｈＥｔ−ＰＴＣ添加によって壊れたために、増
倍が抑制されたことを示唆している。
（Ｂ）及び（Ｃ）０．９０：０．１０の共蒸着膜は、Ｍ
ｅ−ＰＴＣ単独膜（Ａ）に比べて増倍が抑制されている
にもかかわらず、Ｍｅ−ＰＴＣのＸＲＤピーク強度はほ
とんど変化しないことが分かった。図８にＭｅ−ＰＴＣ
単独膜からＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣとの共蒸着
膜におけるＰｈＥｔ−ＰＴＣ比率に対して増倍率とＸＲ
Ｄピーク強度をプロットした。増倍率が急激に減少して
いるにもかかわらず、ＸＲＤ強度の減少は非常に小さい
ことが明白である。ＸＲＤピークが観測されるというこ
とは、１０％のＰｈＥｔ−ＰＴＣ添加ではＸＲＤピーク
の起源となるＭｅ−ＰＴＣ結晶の規則的な分子配列構造
が残っていることを意味している。この結果は、Ｍｅ−
ＰＴＣの分子配列そのものよりも大きな構造（高次構
造）がＰｈＥｔ−ＰＴＣ添加によって壊れたために、増
倍が抑制されたことを示唆している。
【００３７】増倍現象は、図９に示されるように、有機
／金属界面への光生成ホールの蓄積によって誘起され
た、電極金属からの電子のトンネル注入による。図９
で、縦軸は電子エネルギー、白丸はホール、黒丸は電子
を表わし、ここでは有機半導体としてＮＴＣＤＡを用
い、有機半導体に接する電極として金（Ａｕ）を用いた
としている。このホールを蓄積して増倍を引き起こす有
機／金属界面トラップは、有機薄膜と金属との接合が不
完全で均一に密着していないことに由来する行き止まり
構造（構造トラップ）であることが分かっている。
／金属界面への光生成ホールの蓄積によって誘起され
た、電極金属からの電子のトンネル注入による。図９
で、縦軸は電子エネルギー、白丸はホール、黒丸は電子
を表わし、ここでは有機半導体としてＮＴＣＤＡを用
い、有機半導体に接する電極として金（Ａｕ）を用いた
としている。このホールを蓄積して増倍を引き起こす有
機／金属界面トラップは、有機薄膜と金属との接合が不
完全で均一に密着していないことに由来する行き止まり
構造（構造トラップ）であることが分かっている。
【００３８】図１０に原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）観察に
よって明らかになった有機／金属界面の極微細構造を示
す。ＮＴＣＤＡ結晶とＡｕとの界面の分子レベル構造を
実際のスケールで描くと、右上のバーが１０ｎｍ、結晶
右上に描かれた線がＮＴＣＤＡ分子の配列を表してい
る。Ａｕ電極は直径約２０ｎｍの超微粒子の集合した構
造をもつ。球形のＡｕ粒子と有機分子結晶との接合には
間隙が存在する。また、有機分子結晶表面の分子ステッ
プが行き止まり構造を形成する。増倍時の界面には強い
電界が集中し、ホールが分子ステップから出るには電界
に逆らう必要がある（図中央付近の曲線の矢印）。その
ため、ホールがＡｕ電極に逃れにくくなって蓄積し、増
倍を引き起こす。このように、増倍を引き起こすホール
蓄積には間隙と行き止まり構造の両者が必要である（信
学技報Vol. 101 No.273、電子情報通信学会技術研究報
告予稿 ＯＭＥ2001-60（２００１年９月３日）参
照）。
よって明らかになった有機／金属界面の極微細構造を示
す。ＮＴＣＤＡ結晶とＡｕとの界面の分子レベル構造を
実際のスケールで描くと、右上のバーが１０ｎｍ、結晶
右上に描かれた線がＮＴＣＤＡ分子の配列を表してい
る。Ａｕ電極は直径約２０ｎｍの超微粒子の集合した構
造をもつ。球形のＡｕ粒子と有機分子結晶との接合には
間隙が存在する。また、有機分子結晶表面の分子ステッ
プが行き止まり構造を形成する。増倍時の界面には強い
電界が集中し、ホールが分子ステップから出るには電界
に逆らう必要がある（図中央付近の曲線の矢印）。その
ため、ホールがＡｕ電極に逃れにくくなって蓄積し、増
倍を引き起こす。このように、増倍を引き起こすホール
蓄積には間隙と行き止まり構造の両者が必要である（信
学技報Vol. 101 No.273、電子情報通信学会技術研究報
告予稿 ＯＭＥ2001-60（２００１年９月３日）参
照）。
【００３９】図８の結果は、分子配列そのものよりも大
きな高次構造である分子ステップ構造（行き止まり構
造）がＰｈＥｔ−ＰＴＣ添加によって壊れたため、ホー
ルが有機／金属界面へ蓄積しにくくなり、増倍が劇的に
抑制されたとして説明できる。
きな高次構造である分子ステップ構造（行き止まり構
造）がＰｈＥｔ−ＰＴＣ添加によって壊れたため、ホー
ルが有機／金属界面へ蓄積しにくくなり、増倍が劇的に
抑制されたとして説明できる。
【００４０】
【発明の効果】本発明の光電流増倍装置で、その光電流
増倍層が結晶性の有機半導体とアモルファス性の有機半
導体との混合物を用いたものは、両有機半導体の混合比
率によって増倍率を制御することができるので、増倍率
を所望の値に設定した光電流増倍装置を実現することが
できる。本発明の光電流増倍装置で、光電流増倍素子を
複数個備え、そのうちの少なくとも１個は、その光電流
増倍層がアモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体
との混合物からなリ、かつアモルファス性有機半導体と
結晶性有機半導体との混合比率により増倍率が設定され
ているようにしたものは、増倍率の異なる複数の光電流
増倍素子を設けることによって広いダイナミックレンジ
の光測定を可能にする光電流増倍装置を得ることができ
る。本発明の増倍率制御方法は、光電流増倍層としてア
モルファス性有機半導体と結晶性有機半導体の混合物を
使用し、かつその混合比率を調節することにより増倍率
を設定するので、共通の光導電性有機半導体を使用して
増倍率を所望の値に設定することのできる。
増倍層が結晶性の有機半導体とアモルファス性の有機半
導体との混合物を用いたものは、両有機半導体の混合比
率によって増倍率を制御することができるので、増倍率
を所望の値に設定した光電流増倍装置を実現することが
できる。本発明の光電流増倍装置で、光電流増倍素子を
複数個備え、そのうちの少なくとも１個は、その光電流
増倍層がアモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体
との混合物からなリ、かつアモルファス性有機半導体と
結晶性有機半導体との混合比率により増倍率が設定され
ているようにしたものは、増倍率の異なる複数の光電流
増倍素子を設けることによって広いダイナミックレンジ
の光測定を可能にする光電流増倍装置を得ることができ
る。本発明の増倍率制御方法は、光電流増倍層としてア
モルファス性有機半導体と結晶性有機半導体の混合物を
使用し、かつその混合比率を調節することにより増倍率
を設定するので、共通の光導電性有機半導体を使用して
増倍率を所望の値に設定することのできる。
【図１】一実施例の光電流増倍装置を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図２】他の実施例の光電流増倍装置を示す概略断面図
である。
である。
【図３】本発明で使用する有機半導体のいくつかの例を
示す化学式である。
示す化学式である。
【図４】光電流増倍層が樹脂分散有機半導体膜である場
合の有機半導体を分散させる樹脂のいくつかの例を示す
化学式である。
合の有機半導体を分散させる樹脂のいくつかの例を示す
化学式である。
【図５】本発明を光−光変換素子に適用する場合に有機
電界発光層として用いられる化合物とキャリア輸送層と
して用いられる化合物を例示する化学式である。
電界発光層として用いられる化合物とキャリア輸送層と
して用いられる化合物を例示する化学式である。
【図６】Ｍｅ−ＰＴＣとＰｈＥｔ−ＰＴＣの混合比率を
変えた光電流増倍素子が示す増倍率の印加電圧依存性を
示す図である。
変えた光電流増倍素子が示す増倍率の印加電圧依存性を
示す図である。
【図７】各種薄膜のＸ線回折スペクトルを示す図であ
り、（Ａ）はＭｅ−ＰＴＣ単独膜、（Ｂ）はＭｅ−ＰＴ
Ｃ：ＰｈＥｔ−ＰＴＣ＝０.９５：０.０５の共蒸着膜、
（Ｃ）はＭｅ−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ−ＰＴＣ＝０.９０：
０.１０の共蒸着膜、（Ｄ）はＭｅ−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ
−ＰＴＣ＝０.５０：０.５０の共蒸着膜、（Ｅ）はＰｈ
Ｅｔ−ＰＴＣ単独膜である。
り、（Ａ）はＭｅ−ＰＴＣ単独膜、（Ｂ）はＭｅ−ＰＴ
Ｃ：ＰｈＥｔ−ＰＴＣ＝０.９５：０.０５の共蒸着膜、
（Ｃ）はＭｅ−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ−ＰＴＣ＝０.９０：
０.１０の共蒸着膜、（Ｄ）はＭｅ−ＰＴＣ：ＰｈＥｔ
−ＰＴＣ＝０.５０：０.５０の共蒸着膜、（Ｅ）はＰｈ
Ｅｔ−ＰＴＣ単独膜である。
【図８】Ｍｅ−ＰＴＣ単独膜からＭｅ−ＰＴＣとＰｈＥ
ｔ−ＰＴＣとの共蒸着膜におけるＰｈＥｔ−ＰＴＣ比率
に対する増倍率とＸＲＤピーク強度を示す図である。
ｔ−ＰＴＣとの共蒸着膜におけるＰｈＥｔ−ＰＴＣ比率
に対する増倍率とＸＲＤピーク強度を示す図である。
【図９】光電流増倍時におけるＮＴＣＤＡ／Ａｕ界面の
エネルギー構造図である。
エネルギー構造図である。
【図１０】光電流増倍現象を説明するための分子袋小路
モデルを示す図である。
モデルを示す図である。
２ 光電流増倍層
４ ＩＴＯ電極
６ Ａｕ電極
８ 直流電源
１０ ガラス基板
Claims (7)
- 【請求項１】 光電流増倍層に電圧を印加した状態でそ
の光電流増倍層に光照射することにより増倍された量子
収率で光照射誘起電流を得る光電流増倍装置において、 前記光電流増倍層がアモルファス性有機半導体と結晶性
有機半導体との混合物からなることを特徴とする光電流
増倍装置。 - 【請求項２】 前記光電流増倍層はアモルファス性有機
半導体と結晶性有機半導体との共蒸着薄膜である請求項
１に記載の光電流増倍装置。 - 【請求項３】 前記光電流増倍層はアモルファス性有機
半導体と結晶性有機半導体とを樹脂に分散させた樹脂分
散有機半導体薄膜である請求項１に記載の光電流増倍装
置。 - 【請求項４】 前記光電流増倍層には有機電界発光層が
積層一体化されており、前記光電流増倍層に光照射する
ことにより、前記有機電界発光層から光−光変換光を得
る請求項１から３のいずれかに記載の光電流増倍装置。 - 【請求項５】 光電流増倍層に電圧を印加した状態でそ
の光電流増倍層に光照射することにより増倍された量子
収率で光照射誘起電流を得る光電流増倍素子を複数個備
え、 前記光電流増倍素子の少なくとも１個は、その光電流増
倍層がアモルファス性有機半導体と結晶性有機半導体と
の混合物からなる請求項１から４のいずれかに記載の光
電流増倍装置であり、かつアモルファス性有機半導体と
結晶性有機半導体との混合比率により増倍率が設定され
ていることを特徴とする光電流増倍装置。 - 【請求項６】 有機半導体混合物の光電流増倍素子が複
数個含まれており、それらの光電流増倍素子は互いに異
なる増倍率に設定されている請求項５に記載の光電流増
倍装置。 - 【請求項７】 光電流増倍層に電圧を印加した状態でそ
の光電流増倍層に光照射することにより増倍された量子
収率で光照射誘起電流を得る光電流増倍装置において、 前記光電流増倍層としてアモルファス性有機半導体と結
晶性有機半導体の混合物を使用し、かつその混合比率を
調節することにより増倍率を設定する光電流増倍装置の
増倍率制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001323490A JP3946484B2 (ja) | 2001-10-22 | 2001-10-22 | 光電流増倍装置及びその増倍率制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001323490A JP3946484B2 (ja) | 2001-10-22 | 2001-10-22 | 光電流増倍装置及びその増倍率制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133574A true JP2003133574A (ja) | 2003-05-09 |
| JP3946484B2 JP3946484B2 (ja) | 2007-07-18 |
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|---|---|---|---|
| JP2001323490A Expired - Fee Related JP3946484B2 (ja) | 2001-10-22 | 2001-10-22 | 光電流増倍装置及びその増倍率制御方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3946484B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012134457A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Shanghai Casail Display Technology Ltd | 非平面フタロシアニンの弱エピタキシー成長用の固溶体誘起層 |
-
2001
- 2001-10-22 JP JP2001323490A patent/JP3946484B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2012134457A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Shanghai Casail Display Technology Ltd | 非平面フタロシアニンの弱エピタキシー成長用の固溶体誘起層 |
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