JP2003133290A - Apparatus for stripping resist, method for stripping resist, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Apparatus for stripping resist, method for stripping resist, and method for manufacturing semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト剥離装
置、レジスト剥離方法、半導体装置及びその製造方法に
係わり、特に、オゾン濃度を低下しても充分なレジスト
剥離速度と充分なレジスト剥離性能を得ることができる
レジスト剥離装置、レジスト剥離方法、半導体装置及び
その製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist stripping apparatus, a resist stripping method, a semiconductor device and a manufacturing method thereof, and in particular, a sufficient resist stripping rate and a sufficient resist stripping performance can be obtained even if the ozone concentration is lowered. The present invention relates to a resist stripping apparatus, a resist stripping method, a semiconductor device and a method of manufacturing the same which can be performed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体製品や液晶製品の製造プロ
セスにおいて使用されるフォトレジストの剥離は、硫酸
もしくはフェノールやアミン系の有機溶剤による加熱ウ
エット処理によって行っていた。最近は、薬液コストや
環境負荷を低減するために、以下のようにオゾンを用い
た剥離処理が行われるようになっている。2. Description of the Related Art Conventionally, stripping of photoresist used in the manufacturing process of semiconductor products and liquid crystal products has been carried out by heating and wet treatment with sulfuric acid or phenol or amine organic solvents. Recently, in order to reduce the cost of chemicals and the environmental load, a stripping process using ozone has been performed as follows.
【０００３】フォトレジストの剥離方法としては、加熱
したウエハ上のフォトレジストにオゾンガスを供給して
フォトレジストを剥離する第１の方法、加熱したウエハ
上のフォトレジストにオゾン水を供給してフォトレジス
トを剥離する第２の方法、加熱したウエハ上のフォトレ
ジストにオゾンガスと水蒸気（ミスト）を供給してフォ
トレジストを剥離する第３の方法が挙げられる。第３の
方法は、他の方法に比べて剥離速度の向上化と枚葉化が
し易い方法である。As a method for removing the photoresist, the first method is to supply ozone gas to the photoresist on the heated wafer to remove the photoresist, and supply ozone water to the photoresist on the heated wafer to supply the photoresist. There is a second method for removing the photoresist, and a third method for removing the photoresist by supplying ozone gas and water vapor (mist) to the photoresist on the heated wafer. The third method is a method in which the peeling speed is improved and the single-wafer formation is easier than other methods.
【０００４】以下に、この第３の方法について図６を参
照しつつ説明する。図６は、従来のレジスト剥離装置の
概略を示す構成図である。このレジスト剥離装置は、半
導体製品や液晶製品の製造プロセスにおけるフォトレジ
スト膜を剥離する装置である。The third method will be described below with reference to FIG. FIG. 6 is a configuration diagram showing an outline of a conventional resist stripping apparatus. This resist stripping device is a device for stripping a photoresist film in the manufacturing process of semiconductor products and liquid crystal products.
【０００５】このレジスト剥離装置はチャンバー１０１
を有しており、このチャンバー１０１内にはウエハなど
の試料１０２を保持するサセプタ１０３が配置されてい
る。このサセプタ１０３には図示せぬ加熱手段が設けら
れており、この加熱手段によって試料１０２を所定の温
度に保持することが可能となっている。This resist stripping apparatus has a chamber 101.
The chamber 101 has a susceptor 103 for holding a sample 102 such as a wafer. The susceptor 103 is provided with a heating unit (not shown), and the heating unit can hold the sample 102 at a predetermined temperature.
【０００６】チャンバー１０１内には高濃度オゾンガス
１０４を導入する配管１０５が接続されており、この配
管は高濃度オゾンを発生させる図示せぬオゾネーター
（オゾン発生装置）に接続されている。チャンバー１０
１内には水蒸気１０６を導入する配管１０７が接続され
ており、この配管は水蒸気発生装置（図示せず）に接続
されている。チャンバーにはガスを排気する排気孔１０
８が設けられている。A pipe 105 for introducing a high concentration ozone gas 104 is connected to the inside of the chamber 101, and this pipe is connected to an unillustrated ozonator (ozone generator) for generating high concentration ozone. Chamber 10
A pipe 107 for introducing the steam 106 is connected to the inside of the pipe 1, and this pipe is connected to a steam generator (not shown). Exhaust hole 10 for exhausting gas in the chamber
8 are provided.
【０００７】次に、図６に示すレジスト剥離装置におい
てレジストを剥離する方法について説明する。まず、半
導体プロセスにおいてフォトリソグラフィ技術によりウ
エハ１０２上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布
し、このフォトレジスト膜を露光、現像することによ
り、ウエハ上にフォトレジストのパターンを形成する。
このフォトレジストのパターンをマスクとしてウエハに
イオン注入又はドライエッチングなどを行う。次いで、
このウエハ１０２をサセプタ１０３上に載置し、加熱手
段によりウエハ１０２を所定の温度に加熱する。Next, a method of stripping the resist in the resist stripping apparatus shown in FIG. 6 will be described. First, in a semiconductor process, a photoresist film (not shown) is applied on the wafer 102 by a photolithography technique, and the photoresist film is exposed and developed to form a photoresist pattern on the wafer.
Ion implantation or dry etching is performed on the wafer using the photoresist pattern as a mask. Then
The wafer 102 is placed on the susceptor 103, and the wafer 102 is heated to a predetermined temperature by the heating means.
【０００８】次いで、オゾネーターから発生させた高濃
度オゾンガスをチャンバー１０１内に配管から導入し、
この高濃度オゾンガスをウエハ１０２のフォトレジスト
上に供給する。次いで、チャンバー内に水蒸気を配管か
ら導入し、水蒸気をウエハのフォトレジスト上に供給す
る。これにより、ウエハ上のフォトレジストを高濃度オ
ゾンと水蒸気により剥離する。Next, high-concentration ozone gas generated from the ozonator is introduced into the chamber 101 through a pipe,
This high concentration ozone gas is supplied onto the photoresist on the wafer 102. Next, water vapor is introduced into the chamber through a pipe, and the water vapor is supplied onto the photoresist on the wafer. As a result, the photoresist on the wafer is stripped by the high-concentration ozone and the water vapor.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
レジスト剥離装置では、１０％以上の濃度で１５リット
ル／分程度の大流量の高濃度オゾンガスが必要となるの
で、オゾネーターの寿命が短いという課題がある。ま
た、オゾンのＴＬＶ値（作業許容濃度）は０．１ｐｐｍ
であり、オゾンは危険ガスに相当するので、作業の安全
性を考えると低濃度化が望まれている。By the way, in the above-mentioned conventional resist stripping apparatus, a high-concentration ozone gas having a concentration of 10% or more and a large flow rate of about 15 liters / minute is required, so that the life of the oscillator is short. There is. The TLV value of ozone (working permissible concentration) is 0.1 ppm.
Since ozone corresponds to a dangerous gas, it is desired to reduce the concentration in consideration of work safety.
【００１０】また、上記従来のレジスト剥離装置では、
レジスト剥離速度が充分ではなく、更なる剥離速度の向
上が要求されている。また、レジスト剥離を常圧で処理
することから、レジスト剥離の均一性が悪く、結果的に
剥離時間をオーバーに取る必要があり、ウエハの大口径
化に対する対応が困難である。また、レジストをマスク
としてイオンインプラントを行うと、そのレジストの表
面に変質層が形成されてしまい、上記従来のレジスト剥
離装置では、その表面変質層の除去が困難である。Further, in the above conventional resist stripping apparatus,
The resist stripping rate is not sufficient, and further improvement in stripping rate is required. Further, since the resist peeling is performed under normal pressure, the uniformity of the resist peeling is poor, and as a result, it is necessary to make the peeling time excessive, and it is difficult to deal with the increase in the diameter of the wafer. Further, when ion implantation is performed using the resist as a mask, an altered layer is formed on the surface of the resist, and it is difficult to remove the altered layer with the conventional resist stripping apparatus.
【００１１】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、オゾン濃度を低下しても
充分なレジスト剥離速度と充分なレジスト剥離性能を得
ることができるレジスト剥離装置、レジスト剥離方法、
半導体装置及びその製造方法を提供することにある。The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and an object thereof is to achieve sufficient resist stripping speed and sufficient resist stripping performance even if the ozone concentration is lowered. Device, resist stripping method,
It is to provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るレジスト剥離装置は、被処理基板に付
着したレジストを剥離するレジスト剥離装置であって、
チャンバーと、このチャンバー内に配置され、被処理基
板を保持するサセプタと、チャンバー内に配置され、サ
セプタに対向するように配置された電極と、この電極に
接続された高周波電源と、チャンバー内に濃度が１０％
以下のオゾンガスを導入する第１導入機構と、チャンバ
ー内に水蒸気又は水を導入する第２導入機構と、を具備
することを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a resist stripping apparatus according to the present invention is a resist stripping apparatus for stripping a resist adhering to a substrate to be processed,
A chamber, a susceptor that is placed in the chamber and holds a substrate to be processed, an electrode that is placed in the chamber and faces the susceptor, a high-frequency power source connected to the electrode, and a chamber Concentration is 10%
It is characterized by comprising a first introduction mechanism for introducing the following ozone gas and a second introduction mechanism for introducing water vapor or water into the chamber.
【００１３】本発明に係るレジスト剥離装置は、被処理
基板に付着したレジストを剥離するレジスト剥離装置で
あって、チャンバーと、このチャンバー内に配置され、
被処理基板を保持するサセプタと、チャンバーの外周に
配置され、サセプタに保持された被処理基板を挟むよう
に配置された対向電極と、この対向電極に接続された高
周波電源と、チャンバー内に濃度が１０％以下のオゾン
ガスを導入する第１導入機構と、チャンバー内に水蒸気
又は水を導入する第２導入機構と、を具備することを特
徴とする。A resist stripping apparatus according to the present invention is a resist stripping apparatus for stripping a resist adhering to a substrate to be processed. The chamber is disposed in the chamber.
A susceptor holding the substrate to be processed, a counter electrode arranged on the outer periphery of the chamber so as to sandwich the substrate to be processed held by the susceptor, a high-frequency power source connected to the counter electrode, and a concentration in the chamber. Is provided with a first introduction mechanism for introducing 10% or less of ozone gas, and a second introduction mechanism for introducing water vapor or water into the chamber.
【００１４】本発明に係るレジスト剥離装置は、被処理
基板に付着したレジストを剥離するレジスト剥離装置で
あって、チャンバーと、このチャンバー内に配置され、
被処理基板を保持するサセプタと、チャンバー内に配置
され、サセプタに対向するように配置された電極と、こ
の電極に接続された高周波電源と、チャンバー内に濃度
が１０％以下のオゾンガスを導入する第１導入機構と、
チャンバー内に濃度が３０％以上６０％以下の過酸化水
素水を導入する第２導入機構と、を具備することを特徴
とする。A resist stripping apparatus according to the present invention is a resist stripping apparatus for stripping a resist adhering to a substrate to be processed. The chamber is disposed in the chamber,
A susceptor holding the substrate to be processed, an electrode arranged in the chamber so as to face the susceptor, a high-frequency power source connected to the electrode, and an ozone gas having a concentration of 10% or less are introduced into the chamber. A first introduction mechanism,
A second introduction mechanism for introducing a hydrogen peroxide solution having a concentration of 30% or more and 60% or less into the chamber.
【００１５】本発明に係るレジスト剥離装置は、被処理
基板に付着したレジストを剥離するレジスト剥離装置で
あって、チャンバーと、このチャンバー内に配置され、
被処理基板を保持するサセプタと、チャンバーの外周に
配置され、サセプタに保持された被処理基板を挟むよう
に配置された対向電極と、この対向電極に接続された高
周波電源と、チャンバー内に濃度が１０％以下のオゾン
ガスを導入する第１導入機構と、チャンバー内に濃度が
３０％以上６０％以下の過酸化水素水を導入する第２導
入機構と、を具備することを特徴とする。A resist stripping apparatus according to the present invention is a resist stripping apparatus for stripping a resist adhering to a substrate to be processed, and a chamber and a chamber disposed inside the chamber.
A susceptor holding the substrate to be processed, a counter electrode arranged on the outer periphery of the chamber so as to sandwich the substrate to be processed held by the susceptor, a high-frequency power source connected to the counter electrode, and a concentration in the chamber. Is provided with a first introduction mechanism for introducing an ozone gas of 10% or less and a second introduction mechanism for introducing a hydrogen peroxide solution having a concentration of 30% or more and 60% or less into the chamber.
【００１６】また、本発明に係るレジスト剥離装置にお
いては、前記チャンバー内を減圧する排気ポンプをさら
に含むことも可能である。Further, the resist stripping apparatus according to the present invention can further include an exhaust pump for reducing the pressure inside the chamber.
【００１７】また、本発明に係るレジスト剥離装置にお
いては、前記被処理基板を加熱する加熱装置をさらに含
むことも可能である。Further, the resist stripping apparatus according to the present invention can further include a heating device for heating the substrate to be processed.
【００１８】また、本発明に係るレジスト剥離装置にお
いては、前記第１導入機構及び第２導入機構それぞれに
よるチャンバー内へのガス導入口は、チャンバーの下
側、上側及び側面のうちのいずれかに配置されているこ
とも可能である。Further, in the resist stripping apparatus according to the present invention, the gas introduction port into the chamber by each of the first introduction mechanism and the second introduction mechanism is located on any one of the lower side, the upper side and the side surface of the chamber. It is possible that they are arranged.
【００１９】また、本発明に係るレジスト剥離装置にお
いては、前記第１導入機構及び第２導入機構それぞれに
よるチャンバー内へのガス導入口は前記電極のサセプタ
との対向面に形成された複数の孔であって、前記電極の
複数の孔からシャワー状にオゾンガスと水蒸気又は水が
吹き出されるようになっていることも可能である。In addition, in the resist stripping apparatus according to the present invention, the gas introduction ports into the chamber by the first introduction mechanism and the second introduction mechanism are a plurality of holes formed on the surface of the electrode facing the susceptor. It is also possible that ozone gas and water vapor or water are blown out in a shower form from the plurality of holes of the electrode.
【００２０】また、本発明に係るレジスト剥離装置にお
いては、前記第１導入機構及び第２導入機構それぞれに
よるチャンバー内へのガス導入口は前記電極のサセプタ
との対向面に形成された複数の孔であって、前記電極の
複数の孔からシャワー状にオゾンガスと過酸化水素水が
吹き出されるようになっていることも可能である。In addition, in the resist stripping apparatus according to the present invention, the gas introduction port into the chamber by each of the first introduction mechanism and the second introduction mechanism has a plurality of holes formed on the surface of the electrode facing the susceptor. It is also possible that ozone gas and hydrogen peroxide solution are blown out in a shower form from the plurality of holes of the electrode.
【００２１】本発明に係るレジスト剥離方法は、被処理
基板に付着したレジストを剥離するレジスト剥離方法で
あって、チャンバー内に被処理基板を保持し、このチャ
ンバー内に濃度が１０％以下のオゾンガスと水蒸気又は
水を導入し、チャンバー内にプラズマを発生させること
を特徴とする。The resist stripping method according to the present invention is a resist stripping method for stripping the resist adhering to a substrate to be treated, in which the substrate to be treated is held in a chamber, and ozone gas having a concentration of 10% or less is held in the chamber. And steam or water are introduced to generate plasma in the chamber.
【００２２】上記レジスト剥離方法によれば、チャンバ
ー内に１０％以下の中濃度オゾンガスと水又は水蒸気を
導入し、プラズマを印加することにより、フォトレジス
トの剥離を行っている。このようなレジスト剥離方法で
はオゾン濃度を低下しても充分なレジスト剥離速度と充
分なレジスト剥離性能を得ることができる。According to the above resist stripping method, the photoresist is stripped by introducing medium concentration ozone gas of 10% or less and water or water vapor into the chamber and applying plasma. With such a resist stripping method, a sufficient resist stripping rate and a sufficient resist stripping performance can be obtained even if the ozone concentration is lowered.
【００２３】本発明に係るレジスト剥離方法は、被処理
基板に付着したレジストを剥離するレジスト剥離方法で
あって、チャンバー内に被処理基板を保持し、このチャ
ンバー内に濃度が１０％以下のオゾンガスと濃度が３０
％以上６０％以下の過酸化水素水を導入し、チャンバー
内にプラズマを発生させることを特徴とする。The resist stripping method according to the present invention is a resist stripping method for stripping the resist adhering to a substrate to be treated, in which the substrate to be treated is held in a chamber, and ozone gas having a concentration of 10% or less is held in the chamber. And the concentration is 30
% Or more and 60% or less of hydrogen peroxide water is introduced to generate plasma in the chamber.
【００２４】また、本発明に係るレジスト剥離方法にお
いては、前記レジストを剥離する際、チャンバー内が所
定の圧力に減圧されていることも可能である。Further, in the resist stripping method according to the present invention, it is possible that the inside of the chamber is depressurized to a predetermined pressure when stripping the resist.
【００２５】また、本発明に係るレジスト剥離方法にお
いては、前記レジストを剥離する際、被処理基板が常温
より高い温度に加熱されていることも可能である。Further, in the resist stripping method according to the present invention, when stripping the resist, the substrate to be processed may be heated to a temperature higher than room temperature.
【００２６】また、本発明に係るレジスト剥離方法にお
いては、前記レジストを剥離する際、オゾンガスと水蒸
気又は水は、チャンバーの下側、上側及び側面のうちの
いずれかから導入されていることも可能である。Further, in the resist stripping method according to the present invention, when stripping the resist, ozone gas and water vapor or water may be introduced from any one of the lower side, upper side and side surface of the chamber. Is.
【００２７】また、本発明に係るレジスト剥離方法にお
いては、前記レジストを剥離する際、オゾンガスと過酸
化水素水は、チャンバーの下側、上側及び側面のうちの
いずれかから導入されていることも可能である。In the resist stripping method according to the present invention, when stripping the resist, the ozone gas and the hydrogen peroxide solution may be introduced from any one of the lower side, the upper side and the side surface of the chamber. It is possible.
【００２８】本発明に係る半導体装置の製造方法は、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて半導体基板の上にフォト
レジストを形成する工程と、このフォトレジストをマス
クとして加工又はイオン注入する工程と、チャンバー内
に前記半導体基板を保持し、このチャンバー内に濃度が
１０％以下のオゾンガスと水蒸気又は水を導入し、チャ
ンバー内にプラズマを発生させることにより、半導体基
板からフォトレジストを剥離する工程と、を具備するこ
とを特徴とする。A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises a step of forming a photoresist on a semiconductor substrate by using a photolithography technique, a step of processing or ion-implanting the photoresist using this photoresist as a mask, and Holding the semiconductor substrate, introducing ozone gas and water vapor or water having a concentration of 10% or less into the chamber, and generating plasma in the chamber to remove the photoresist from the semiconductor substrate. It is characterized by
【００２９】本発明に係る半導体装置の製造方法は、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて半導体基板の上にフォト
レジストを形成する工程と、このフォトレジストをマス
クとして加工又はイオン注入する工程と、チャンバー内
に前記半導体基板を保持し、このチャンバー内に濃度が
１０％以下のオゾンガスと濃度が３０％以上６０％以下
の過酸化水素水を導入し、チャンバー内にプラズマを発
生させることにより、半導体基板からフォトレジストを
剥離する工程と、を具備することを特徴とする。A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises a step of forming a photoresist on a semiconductor substrate by using a photolithography technique, a step of processing or ion-implanting this photoresist as a mask, and The semiconductor substrate is held, and ozone gas having a concentration of 10% or less and hydrogen peroxide solution having a concentration of 30% or more and 60% or less are introduced into the chamber, and plasma is generated in the chamber. And a step of removing the resist.
【００３０】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、前記フォトレジストを剥離する工程におい
てチャンバー内が所定の圧力に減圧されていることも可
能である。Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, it is possible that the inside of the chamber is depressurized to a predetermined pressure in the step of removing the photoresist.
【００３１】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、前記フォトレジストを剥離する工程におい
て半導体基板が常温より高い温度に加熱されていること
も可能である。In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the semiconductor substrate may be heated to a temperature higher than room temperature in the step of removing the photoresist.
【００３２】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、前記フォトレジストを剥離する工程におい
てオゾンガスと水蒸気又は水は、チャンバーの下側、上
側及び側面のうちのいずれかから導入されていることも
可能である。In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, ozone gas and water vapor or water are introduced from any of the lower side, the upper side and the side surface of the chamber in the step of removing the photoresist. It is also possible.
【００３３】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、前記フォトレジストを剥離する工程におい
てオゾンガスと過酸化水素水は、チャンバーの下側、上
側及び側面のうちのいずれかから導入されていることも
可能である。Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, in the step of removing the photoresist, ozone gas and hydrogen peroxide solution are introduced from any one of the lower side, the upper side and the side surface of the chamber. It is possible to stay.
【００３４】[0034]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態によるレジスト剥離装置を概略的に示す構
成図である。このレジスト剥離装置は、半導体製品や液
晶製品の製造プロセスにおけるフォトレジスト膜を剥離
する装置である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment according to the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram schematically showing a resist stripping apparatus according to the embodiment of FIG. This resist stripping device is a device for stripping a photoresist film in the manufacturing process of semiconductor products and liquid crystal products.
【００３５】レジスト剥離装置はチャンバー１を有して
おり、このチャンバー１内にはウエハなどの試料２を保
持するサセプタ３が配置されている。このサセプタ３は
接地電位に接続されている。チャンバー内において、サ
セプタ３の上方には平行平板の上面電極９が配置されて
おり、この上面電極９は高周波電源１０に接続されてい
る。上面電極９とサセプタ３との間に試料２が配置され
るようになっている。The resist stripping apparatus has a chamber 1 in which a susceptor 3 for holding a sample 2 such as a wafer is arranged. The susceptor 3 is connected to the ground potential. A parallel plate upper surface electrode 9 is arranged above the susceptor 3 in the chamber, and the upper surface electrode 9 is connected to a high frequency power supply 10. The sample 2 is arranged between the upper surface electrode 9 and the susceptor 3.
【００３６】チャンバー１内には濃度１０％以下の中濃
度オゾンガス４を導入する配管５が接続されており、こ
の配管は中濃度オゾンガスを発生させる図示せぬオゾネ
ーター（オゾン発生装置）に接続されている。チャンバ
ー１内には水蒸気又は水６を導入する配管７が接続され
ており、この配管は水蒸気発生装置（図示せず）又は水
のタンク（図示せず）に接続されている。即ち、チャン
バー内には水を直接導入しても良いし、また水蒸気化し
てからチャンバー内に導入しても良い。A pipe 5 for introducing a medium-concentration ozone gas 4 having a concentration of 10% or less is connected to the inside of the chamber 1, and this pipe is connected to an unillustrated ozonator (ozone generator) for generating a medium-concentration ozone gas. There is. A pipe 7 for introducing steam or water 6 is connected to the inside of the chamber 1, and this pipe is connected to a steam generator (not shown) or a water tank (not shown). That is, water may be directly introduced into the chamber, or it may be vaporized and then introduced into the chamber.
【００３７】チャンバーにはガスを排気する排気孔８が
設けられており、この排気孔８は排気ポンプ１１に接続
されている。また、レジスト剥離装置には図示せぬ制御
部が設けられており、この制御部によって種々の条件で
装置を動かしてレジストを剥離することが可能となる。The chamber is provided with an exhaust hole 8 for exhausting gas, and the exhaust hole 8 is connected to an exhaust pump 11. Further, the resist stripping apparatus is provided with a control unit (not shown), and the control section allows the apparatus to be stripped under various conditions to strip the resist.
【００３８】次に、図１に示すレジスト剥離装置におい
てレジストを剥離する方法について図２を参照しつつ説
明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、図１に示すレジスト剥
離装置を用いてレジストを剥離する方法を説明する断面
図である。Next, a method of stripping the resist in the resist stripping apparatus shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. 2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of stripping the resist using the resist stripping apparatus shown in FIG.
【００３９】まず、図２（ａ）に示すように、フォトリ
ソグラフィ技術を用いてシリコン基板（ウエハ）２の表
面上にフォトレジスト膜１３を塗布し、このフォトレジ
スト膜を露光、現像することにより、シリコン基板２上
にフォトレジストパターン１３を形成する。次いで、こ
のフォトレジストパターン１３をマスクとしてシリコン
基板に不純物イオン１４をイオン注入する。これによ
り、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板２の表面に
は不純物イオン１４ａが導入される。First, as shown in FIG. 2A, a photoresist film 13 is applied on the surface of a silicon substrate (wafer) 2 by using a photolithography technique, and this photoresist film is exposed and developed. A photoresist pattern 13 is formed on the silicon substrate 2. Then, impurity ions 14 are ion-implanted into the silicon substrate using the photoresist pattern 13 as a mask. As a result, as shown in FIG. 2B, the impurity ions 14a are introduced into the surface of the silicon substrate 2.
【００４０】次いで、図１に示すように、シリコン基板
２をサセプタ３上に載置する。次いで、排気ポンプ１１
によってチャンバー内を所定圧力（例えば数Ｔｏｒｒ）
に減圧する。次いで、配管５からチャンバー内に１０％
以下の中濃度オゾンガスを数リットル／分のガス流量で
導入し、配管７からチャンバー内に水蒸気又は水を導入
する。即ち、減圧チャンバー内に水を直接導入しても良
いし、水蒸気発生装置により水蒸気化してからチャンバ
ー内に導入しても良い。水蒸気の場合は、０．５〜５リ
ットル／分の流量とし、水の場合は、１〜５ｇ／分程度
の流量とする。なお、Ａｒ、Ｎ2、Ｈｅなどのガスをチ
ャンバー内に導入して圧力を調整しても良い。Next, as shown in FIG. 1, the silicon substrate 2 is placed on the susceptor 3. Then, the exhaust pump 11
Predetermined pressure in the chamber (for example, several Torr)
Depressurize to. Then, 10% from the pipe 5 into the chamber
The following medium-concentration ozone gas is introduced at a gas flow rate of several liters / minute, and steam or water is introduced from the pipe 7 into the chamber. That is, water may be directly introduced into the decompression chamber, or water may be introduced into the chamber after being steamed by a steam generator. In the case of water vapor, the flow rate is 0.5 to 5 liters / minute, and in the case of water, the flow rate is approximately 1 to 5 g / minute. The pressure may be adjusted by introducing a gas such as Ar, N 2 or He into the chamber.
【００４１】次いで、上面電極９に高周波電源１０から
高周波を印加することにより、シリコン基板のフォトレ
ジスト上に常温でプラズマを発生させる。これによっ
て、フォトレジストの材料がオゾンガスと反応してカル
ボニル化合物が生成され、このカルボニル化合物が水蒸
気又は水に溶けて排気孔８からチャンバー外に排出され
る。このようにして、図２（ｃ）に示すように、シリコ
ン基板２からフォトレジスト１３を剥離する。この際の
レジスト剥離速度は１μｍ／分以上である。Next, a high frequency power is applied to the upper surface electrode 9 from the high frequency power supply 10 to generate plasma at room temperature on the photoresist of the silicon substrate. As a result, the photoresist material reacts with ozone gas to generate a carbonyl compound, which is dissolved in water vapor or water and discharged from the exhaust hole 8 to the outside of the chamber. In this way, as shown in FIG. 2C, the photoresist 13 is peeled off from the silicon substrate 2. The resist stripping rate at this time is 1 μm / min or more.
【００４２】次いで、シリコン基板２を水洗し、乾燥さ
せた後、シリコン基板２に所定温度で所定時間の熱処理
を施すことにより、シリコン基板２には不純物拡散層
（図示せず）が形成される。Then, the silicon substrate 2 is washed with water and dried, and then the silicon substrate 2 is heat-treated at a predetermined temperature for a predetermined time to form an impurity diffusion layer (not shown) in the silicon substrate 2. .
【００４３】上記第１の実施の形態によれば、チャンバ
ー内に１０％以下の中濃度オゾンガスと水又は水蒸気を
導入し、プラズマを印加することにより、フォトレジス
トの剥離を行っている。このようなレジスト剥離方法で
はオゾン濃度を低下しても充分なレジスト剥離速度と充
分なレジスト剥離性能を得ることができる。また、オゾ
ンガスの流量を数リットル／分程度とすることができ、
従来技術のような大流量のオゾンガスは必要ではない。
従って、オゾネーター（オゾン発生装置）の寿命を長く
することが可能となり、低コスト化が可能となる。According to the first embodiment, the photoresist is stripped by introducing a medium concentration ozone gas of 10% or less and water or water vapor into the chamber and applying plasma. With such a resist stripping method, a sufficient resist stripping rate and a sufficient resist stripping performance can be obtained even if the ozone concentration is lowered. Further, the flow rate of ozone gas can be set to about several liters / minute,
It does not require a large flow of ozone gas as in the prior art.
Therefore, the life of the ozonator (ozone generator) can be extended, and the cost can be reduced.
【００４４】また、危険なオゾンガスの濃度を１０％以
下と従来の使用濃度より低くすることで、作業の安全性
を高めることができ、環境負荷の低減を図ることができ
る。Further, by setting the concentration of dangerous ozone gas to 10% or less, which is lower than the conventional use concentration, the safety of work can be enhanced and the environmental load can be reduced.
【００４５】また、本実施の形態では、レジスト剥離速
度を１μｍ／分以上とすることができ、従来のレジスト
剥離装置に比べてレジスト剥離速度を向上させることが
できる。また、レジスト剥離の均一性を良くすることが
できるので、品質の向上を図ることができ、剥離時間を
オーバーに取る必要がなくなり、ウエハの大口径化に対
応することも容易となる。従って、フォトレジストを用
いたウエハの量産加工性を向上させることができる。Further, in the present embodiment, the resist stripping rate can be set to 1 μm / min or more, and the resist stripping rate can be improved as compared with the conventional resist stripping apparatus. Further, since the uniformity of the resist stripping can be improved, the quality can be improved, it is not necessary to take the stripping time excessively, and it becomes easy to cope with the increase in the diameter of the wafer. Therefore, the mass production processability of wafers using the photoresist can be improved.
【００４６】また、図２（ａ）に示すように、フォトレ
ジスト１３をマスクとしてイオンインプラントを行う
と、そのフォトレジスト１３の表面に剥離が困難な変質
層が形成されてしまうが、本実施の形態によるレジスト
剥離装置では、このようなフォトレジストでも容易に剥
離することができる。Further, as shown in FIG. 2A, when ion implantation is performed using the photoresist 13 as a mask, an altered layer which is difficult to peel off is formed on the surface of the photoresist 13. In the resist stripping apparatus according to the embodiment, even such a photoresist can be stripped easily.
【００４７】尚、上記第１の実施の形態では、チャンバ
ー１の下方から中濃度オゾンガス及び水蒸気又は水をチ
ャンバー内に導入しているが、他の方向から中濃度オゾ
ンガス及び水蒸気又は水をチャンバー内に導入すること
も可能であり、例えば、チャンバーの上面又は側面から
中濃度オゾンガスなどを導入することも可能である。In the first embodiment, the medium-concentration ozone gas and water vapor or water is introduced into the chamber from below the chamber 1, but the medium-concentration ozone gas and water vapor or water is introduced into the chamber from another direction. It is also possible to introduce into the chamber, for example, medium-concentration ozone gas from the upper surface or the side surface of the chamber.
【００４８】また、上記第１の実施の形態では、フォト
レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行う例を
挙げているが、フォトレジストパターンをマスクとして
エッチング加工を行った後、このフォトレジストパター
ンをレジスト剥離装置で剥離することも可能である。Further, in the above-mentioned first embodiment, an example in which ion implantation is carried out using a photoresist pattern as a mask is given. However, after performing etching processing using the photoresist pattern as a mask, this photoresist pattern is used as a resist. It is also possible to peel with a peeling device.
【００４９】また、上記第１の実施の形態では、レジス
トを剥離する際の温度条件を常温としているが、他の温
度条件、例えば常温より高い温度でレジストを剥離する
ことも可能であり、常温より高い温度とすることで、よ
り効率よくレジストを剥離することができる。この場
合、レジスト剥離装置には試料２を加熱する加熱装置
（図示せず）が設けられている。In the first embodiment, the temperature condition for stripping the resist is room temperature, but it is also possible to strip the resist under another temperature condition, for example, a temperature higher than room temperature. By setting the temperature higher, the resist can be stripped more efficiently. In this case, the resist stripping device is provided with a heating device (not shown) for heating the sample 2.
【００５０】また、上記第１の実施の形態では、レジス
ト剥離時にチャンバー内に中濃度オゾンガスと水蒸気又
は水を導入しているが、レジスト剥離時にチャンバー内
に中濃度オゾンガスと過酸化水素水を導入することも可
能である。この場合、オゾンガスの濃度は１〜１０％で
あり、オゾンガス流量は数リットル／分であり、過酸化
水素水の濃度は３０〜６０％であり、過酸化水素水の流
量は０．５〜１．５ｇ／分である。Further, in the first embodiment, the medium concentration ozone gas and water vapor or water are introduced into the chamber at the time of removing the resist, but the medium concentration ozone gas and hydrogen peroxide solution are introduced into the chamber at the time of removing the resist. It is also possible to do so. In this case, the concentration of ozone gas is 1 to 10%, the flow rate of ozone gas is several liters / minute, the concentration of hydrogen peroxide solution is 30 to 60%, and the flow rate of hydrogen peroxide solution is 0.5 to 1 It is 0.5 g / min.
【００５１】また、上記第１の実施の形態では、レジス
ト剥離装置を半導体製造プロセスに用いているが、レジ
スト剥離装置を他の製造プロセスに用いることも可能で
あり、例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の
製造に用いることも可能である。In the first embodiment, the resist stripping apparatus is used in the semiconductor manufacturing process, but the resist stripping apparatus can be used in other manufacturing processes, for example, FPD (flat panel display). It is also possible to use it for manufacturing.
【００５２】また、上記第１の実施の形態では、レジス
ト剥離装置を単体で使用しているが、レジスト剥離装置
をマルチチャンバーに組み込んで使用することも可能で
ある。In the first embodiment, the resist stripping device is used alone, but the resist stripping device may be incorporated in a multi-chamber and used.
【００５３】図３は、本発明に係る第２の実施の形態に
よるレジスト剥離装置を概略的に示す構成図であり、図
１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分について
のみ説明する。FIG. 3 is a schematic diagram showing a resist stripping apparatus according to a second embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and only different parts will be described. .
【００５４】サセプタ３の上方には上面電極１９が配置
されており、この上面電極のサセプタとの対向面には導
入ガスをシャワー状に吹き出す複数の孔が設けられてい
る。これら複数の孔は配管５，７に繋げられている。つ
まり、中濃度オゾンガス４は配管５及び上面電極内を通
って複数の孔からチャンバー内のウエハ上に吹き出さ
れ、水蒸気又は水６は配管７及び上面電極内を通って複
数の孔からチャンバー内のウエハ上に吹き出されるよう
になっている。An upper surface electrode 19 is arranged above the susceptor 3, and a plurality of holes for blowing the introduced gas in a shower shape are provided on the surface of the upper surface electrode facing the susceptor. These plural holes are connected to the pipes 5 and 7. That is, the medium-concentration ozone gas 4 is blown from the plurality of holes through the pipe 5 and the upper surface electrode onto the wafer in the chamber, and the water vapor or water 6 passes through the pipe 7 and the upper surface electrode and is discharged from the plurality of holes into the chamber. It is blown onto the wafer.
【００５５】図３のレジスト剥離装置を用いてレジスト
を剥離する場合、シリコン基板２をサセプタ３上に載置
し、上面電極１９の複数の孔からチャンバー内に１０％
以下の中濃度オゾンガスを数リットル／分のガス流量で
吹き出し、上面電極の複数の孔からチャンバー内に水蒸
気又は水を吹き出し、上面電極１９に高周波電源１０か
ら高周波を印加することにより、シリコン基板のフォト
レジスト上に常温でプラズマを発生させる。When the resist is stripped using the resist stripping apparatus shown in FIG. 3, the silicon substrate 2 is placed on the susceptor 3, and 10% is put into the chamber from the plurality of holes of the upper surface electrode 19.
The following medium-concentration ozone gas is blown at a gas flow rate of several liters / minute, water vapor or water is blown into the chamber from a plurality of holes of the upper electrode, and a high frequency is applied to the upper electrode 19 from the high frequency power source 10, thereby A plasma is generated on the photoresist at room temperature.
【００５６】上記第２の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。Also in the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
【００５７】図４は、本発明に係る第３の実施の形態に
よるレジスト剥離装置を概略的に示す構成図であり、第
１の実施の形態と同一部分の説明はなるべく省略する。FIG. 4 is a block diagram schematically showing a resist stripping apparatus according to the third embodiment of the present invention, and the description of the same parts as those in the first embodiment will be omitted as much as possible.
【００５８】レジスト剥離装置は石英製又はＡｌ合金製
のチャンバー２１を有しており、このチャンバー２１内
にはウエハなどの試料２を保持するサセプタ３が配置さ
れている。チャンバー２１の側面の外周には外周対向電
極２２が配置されている。この外周対向電極２２の一方
には高周波電源１０に接続されており、外周対向電極２
２の他方には接地電位に接続されている。外周対向電極
２２は、試料２の上を囲むように配置されている。The resist stripping apparatus has a chamber 21 made of quartz or Al alloy, and in the chamber 21, a susceptor 3 for holding a sample 2 such as a wafer is arranged. An outer peripheral counter electrode 22 is arranged on the outer periphery of the side surface of the chamber 21. One of the outer circumference counter electrodes 22 is connected to the high frequency power supply 10, and the outer circumference counter electrodes 2 are connected to each other.
The other of 2 is connected to the ground potential. The outer peripheral counter electrode 22 is arranged so as to surround the top of the sample 2.
【００５９】チャンバー２１内には濃度１０％以下の中
濃度オゾンガス４を導入する配管５が接続されており、
この配管は中濃度オゾンガスを発生させる図示せぬオゾ
ネーター（オゾン発生装置）に接続されている。チャン
バー２１内には水蒸気又は水６を導入する配管７が接続
されており、この配管は水蒸気発生装置（図示せず）又
は水のタンク（図示せず）に接続されている。即ち、チ
ャンバー内には水を直接導入しても良いし、また水蒸気
化してからチャンバー内に導入しても良い。A pipe 5 for introducing a medium-concentration ozone gas 4 having a concentration of 10% or less is connected to the inside of the chamber 21,
This pipe is connected to an unillustrated ozonator (ozone generator) that generates medium-concentration ozone gas. A pipe 7 for introducing steam or water 6 is connected to the inside of the chamber 21, and this pipe is connected to a steam generator (not shown) or a water tank (not shown). That is, water may be directly introduced into the chamber, or it may be vaporized and then introduced into the chamber.
【００６０】チャンバーにはガスを排気する排気孔８が
設けられており、この排気孔８は排気ポンプ１１に接続
されている。また、レジスト剥離装置には図示せぬ制御
部が設けられており、この制御部によって種々の条件で
装置を動かしてレジストを剥離することが可能となる。The chamber is provided with an exhaust hole 8 for exhausting gas, and the exhaust hole 8 is connected to an exhaust pump 11. Further, the resist stripping apparatus is provided with a control unit (not shown), and the control section allows the apparatus to be stripped under various conditions to strip the resist.
【００６１】次に、図４に示すレジスト剥離装置におい
てレジストを剥離する方法について説明する。Next, a method of stripping the resist in the resist stripping apparatus shown in FIG. 4 will be described.
【００６２】まず、第１の実施の形態と同様の方法で、
シリコン基板２上にフォトレジストパターンを形成し、
イオン注入工程を施した後に、シリコン基板２をサセプ
タ３上に載置する。次いで、排気ポンプ１１によってチ
ャンバー内を所定圧力（例えば数Ｔｏｒｒ）に減圧す
る。次いで、配管５からチャンバー内に１０％以下の中
濃度オゾンガスを数リットル／分のガス流量で導入し、
配管７からチャンバー内に水蒸気又は水を導入する。な
お、Ａｒ、Ｎ2、Ｈｅなどのガスをチャンバー内に導入
して圧力を調整しても良い。First, in the same manner as in the first embodiment,
Forming a photoresist pattern on the silicon substrate 2,
After performing the ion implantation process, the silicon substrate 2 is placed on the susceptor 3. Next, the exhaust pump 11 reduces the pressure in the chamber to a predetermined pressure (for example, several Torr). Then, 10% or less of medium-concentration ozone gas is introduced into the chamber from the pipe 5 at a gas flow rate of several liters / minute,
Water vapor or water is introduced into the chamber from the pipe 7. The pressure may be adjusted by introducing a gas such as Ar, N 2 or He into the chamber.
【００６３】次いで、外周対向電極２２に高周波電源１
０から高周波を印加することにより、シリコン基板のフ
ォトレジスト上に常温でプラズマを発生させる。これに
よって、フォトレジストの材料がオゾンガスと反応して
カルボニル化合物が生成され、このカルボニル化合物が
水蒸気又は水に溶けて排気孔８からチャンバー外に排出
される。このようにして、シリコン基板２からフォトレ
ジストを剥離する。この際のレジスト剥離速度は１μｍ
／分以上である。Next, the high frequency power source 1 is applied to the outer peripheral counter electrode 22.
By applying a high frequency from 0, plasma is generated at room temperature on the photoresist of the silicon substrate. As a result, the photoresist material reacts with ozone gas to generate a carbonyl compound, which is dissolved in water vapor or water and discharged from the exhaust hole 8 to the outside of the chamber. In this way, the photoresist is peeled off from the silicon substrate 2. The resist stripping rate at this time is 1 μm
/ Min or more.
【００６４】次いで、シリコン基板２を水洗し、乾燥さ
せた後、シリコン基板２に所定温度で所定時間の熱処理
を施すことにより、シリコン基板２には不純物拡散層
（図示せず）が形成される。Then, the silicon substrate 2 is washed with water and dried, and then the silicon substrate 2 is heat-treated at a predetermined temperature for a predetermined time, whereby an impurity diffusion layer (not shown) is formed in the silicon substrate 2. .
【００６５】上記第３の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。Also in the third embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００６６】図５は、本発明に係る第４の実施の形態に
よるレジスト剥離装置を概略的に示す構成図であり、図
３と同一部分には同一符号を付し、異なる部分について
のみ説明する。FIG. 5 is a schematic diagram showing a resist stripping apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals, and only different parts will be described. .
【００６７】上面電極１９は配管１７を介してベーパー
ライザー（気化器）２５に接続されており、このベーパ
ーライザー２５はポンプ２４を介して過酸化水素水ボト
ル２３に接続されている。つまり、過酸化水素水は、ボ
トル２３からポンプ２４によってベーパーライザー２５
に導入され、ベーパーライザーによって気化されて配管
１７及び上面電極内を通って複数の孔からチャンバー内
のウエハ上に吹き出されるようになっている。The upper electrode 19 is connected to a vaporizer (vaporizer) 25 via a pipe 17, and the vaporizer 25 is connected to a hydrogen peroxide solution bottle 23 via a pump 24. That is, the hydrogen peroxide solution is supplied from the bottle 23 to the vaporizer 25 by the pump 24.
And is vaporized by a vaporizer and is blown out through a plurality of holes through the pipe 17 and the upper electrode onto the wafer in the chamber.
【００６８】図５のレジスト剥離装置を用いてレジスト
を剥離する場合、シリコン基板２をサセプタ３上に載置
し、減圧後上面電極１９の複数の孔からチャンバー内に
１０％以下の中濃度オゾンガスを数リットル／分のガス
流量で吹き出し、上面電極の複数の孔からチャンバー内
に濃度が３０％以上６０％以下の過酸化水素水を０．５
ｇ／分以上３．０ｇ／分以下の流量で吹き出させ、上面
電極１９に高周波電源１０から高周波を印加することに
より、シリコン基板のフォトレジスト上に常温でプラズ
マを発生させる。When the resist is stripped by using the resist stripping apparatus shown in FIG. 5, the silicon substrate 2 is placed on the susceptor 3, and after depressurization, a medium concentration ozone gas of 10% or less is introduced into the chamber from a plurality of holes of the upper electrode 19. At a gas flow rate of several liters / minute, and 0.5% of hydrogen peroxide solution having a concentration of 30% or more and 60% or less is introduced into the chamber from a plurality of holes of the upper electrode.
Plasma is generated at room temperature on the photoresist of the silicon substrate by blowing out at a flow rate of not less than g / min and not more than 3.0 g / min and applying a high frequency to the upper surface electrode 19 from the high frequency power source 10.
【００６９】上記第４の実施の形態においても第２の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。また、本実
施の形態では、過酸化水素水を用いているので、オゾン
ガス量をより低くすることができ、低いオゾンガス量で
均一な高速剥離が可能となる。The same effects as those of the second embodiment can be obtained in the fourth embodiment. Further, in the present embodiment, since hydrogen peroxide solution is used, the ozone gas amount can be further reduced, and uniform high-speed peeling can be performed with a low ozone gas amount.
【００７０】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
前述したレジスト剥離装置には図示していないが、チャ
ンバーと排気ポンプとの間には開閉バルブや圧力制御バ
ルブ、又チャンバーからウエハを取り出す際のガスパー
ジシステム、更に搬送システムなどを装置が保有するこ
とも可能である。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented with various modifications. For example,
Although not shown in the above resist stripping device, the device must have an opening / closing valve, a pressure control valve between the chamber and the exhaust pump, a gas purge system for taking out the wafer from the chamber, and a transfer system. Is also possible.
【００７１】[0071]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、チ
ャンバー内に１０％以下の中濃度オゾンガスと水又は水
蒸気を導入し、プラズマを印加することにより、フォト
レジストの剥離を行っている。したがって、オゾン濃度
を低下しても充分なレジスト剥離速度と充分なレジスト
剥離性能を得ることができるレジスト剥離装置、レジス
ト剥離方法、半導体装置及びその製造方法を提供するこ
とができる。As described above, according to the present invention, the photoresist is stripped by introducing a medium concentration ozone gas of 10% or less and water or water vapor into the chamber and applying plasma. Therefore, it is possible to provide a resist stripping apparatus, a resist stripping method, a semiconductor device and a method for manufacturing the same, which can obtain a sufficient resist stripping rate and a sufficient resist stripping performance even if the ozone concentration is lowered.
【図１】本発明に係る第１の実施の形態によるレジスト
剥離装置を概略的に示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing a resist stripping apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、図１に示すレジスト剥離装
置を用いてレジストを剥離する方法を説明する断面図で
ある。2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of stripping a resist using the resist stripping apparatus shown in FIG.
【図３】本発明に係る第２の実施の形態によるレジスト
剥離装置を概略的に示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram schematically showing a resist stripping apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明に係る第３の実施の形態によるレジスト
剥離装置を概略的に示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram schematically showing a resist stripping apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明に係る第４の実施の形態によるレジスト
剥離装置を概略的に示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram schematically showing a resist stripping apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】従来のレジスト剥離装置の概略を示す構成図で
ある。FIG. 6 is a configuration diagram showing an outline of a conventional resist stripping apparatus.
【符号の説明】 １，２１，１０１…チャンバー ２，１０２…試料（シリコン基板、ウエハ） ３，１０３…サセプタ ４…中濃度オゾンガス ５，７，１７，１０５，１０７…配管 ６…水蒸気又は水 ８，１０８…排気孔 ９，１９…上面電極 １０…高周波電源 １１…排気ポンプ １３…フォトレジスト １４，１４ａ…不純物イオン ２２…外周対向電極 ２３…過酸化水素水ボトル ２４…ポンプ ２５…ベーパーライザー（気化器） １０４…高濃度オゾン １０６…水蒸気[Explanation of symbols] 1,21,101 ... Chamber 2, 102 ... Sample (silicon substrate, wafer) 3, 103 ... Susceptor 4 ... Medium concentration ozone gas 5, 7, 17, 105, 107 ... Piping 6 ... Steam or water 8, 108 ... Exhaust hole 9, 19 ... Top electrode 10 ... High frequency power supply 11 ... Exhaust pump 13 ... Photoresist 14, 14a ... Impurity ions 22 ... Peripheral counter electrode 23 ... Hydrogen peroxide water bottle 24 ... Pump 25 ... Vaporizer (vaporizer) 104 ... High concentration ozone 106 ... water vapor
Claims (21)
るレジスト剥離装置であって、 チャンバーと、 このチャンバー内に配置され、被処理基板を保持するサ
セプタと、 チャンバー内に配置され、サセプタに対向するように配
置された電極と、 この電極に接続された高周波電源と、 チャンバー内に濃度が１０％以下のオゾンガスを導入す
る第１導入機構と、 チャンバー内に水蒸気又は水を導入する第２導入機構
と、 を具備することを特徴とするレジスト剥離装置。1. A resist stripping apparatus for stripping a resist adhering to a substrate to be processed, comprising: a chamber; a susceptor arranged in the chamber; a susceptor holding the substrate to be processed; and arranged in the chamber and facing the susceptor. Electrode arranged so as to perform, a high-frequency power source connected to this electrode, a first introduction mechanism for introducing ozone gas having a concentration of 10% or less into the chamber, and a second introduction for introducing water vapor or water into the chamber A resist stripping apparatus comprising: a mechanism.
るレジスト剥離装置であって、 チャンバーと、 このチャンバー内に配置され、被処理基板を保持するサ
セプタと、 チャンバーの外周に配置され、サセプタに保持された被
処理基板を挟むように配置された対向電極と、 この対向電極に接続された高周波電源と、 チャンバー内に濃度が１０％以下のオゾンガスを導入す
る第１導入機構と、 チャンバー内に水蒸気又は水を導入する第２導入機構
と、 を具備することを特徴とするレジスト剥離装置。2. A resist stripping apparatus for stripping a resist adhering to a substrate to be processed, comprising: a chamber, a susceptor arranged to hold the substrate to be processed, and a susceptor arranged on the outer periphery of the chamber. A counter electrode arranged so as to sandwich the held substrate to be processed, a high-frequency power source connected to the counter electrode, a first introduction mechanism for introducing ozone gas having a concentration of 10% or less into the chamber, and a chamber inside the chamber. A second stripping mechanism for introducing steam or water, and a resist stripping apparatus.
るレジスト剥離装置であって、 チャンバーと、 このチャンバー内に配置され、被処理基板を保持するサ
セプタと、 チャンバー内に配置され、サセプタに対向するように配
置された電極と、 この電極に接続された高周波電源と、 チャンバー内に濃度が１０％以下のオゾンガスを導入す
る第１導入機構と、 チャンバー内に濃度が３０％以上６０％以下の過酸化水
素水を導入する第２導入機構と、 を具備することを特徴とするレジスト剥離装置。3. A resist stripping apparatus for stripping a resist adhering to a substrate to be processed, comprising: a chamber, a susceptor arranged in the chamber for holding the substrate to be processed, arranged in the chamber and facing the susceptor. An electrode arranged so that a high-frequency power source connected to this electrode, a first introduction mechanism for introducing ozone gas having a concentration of 10% or less into the chamber, and a concentration of 30% to 60% in the chamber A second stripping mechanism for introducing hydrogen peroxide water, and a resist stripping apparatus.
るレジスト剥離装置であって、 チャンバーと、 このチャンバー内に配置され、被処理基板を保持するサ
セプタと、 チャンバーの外周に配置され、サセプタに保持された被
処理基板を挟むように配置された対向電極と、 この対向電極に接続された高周波電源と、 チャンバー内に濃度が１０％以下のオゾンガスを導入す
る第１導入機構と、 チャンバー内に濃度が３０％以上６０％以下の過酸化水
素水を導入する第２導入機構と、 を具備することを特徴とするレジスト剥離装置。4. A resist stripping apparatus for stripping a resist adhering to a substrate to be processed, comprising: a chamber, a susceptor arranged in the chamber for holding the substrate to be processed, and a susceptor arranged on the outer periphery of the chamber. A counter electrode arranged so as to sandwich the held substrate to be processed, a high-frequency power source connected to the counter electrode, a first introduction mechanism for introducing ozone gas having a concentration of 10% or less into the chamber, and a chamber inside the chamber. And a second introducing mechanism for introducing a hydrogen peroxide solution having a concentration of 30% or more and 60% or less, and a resist stripping apparatus.
をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のうちいず
れか１項記載のレジスト剥離装置。5. The resist stripping apparatus according to claim 1, further comprising an exhaust pump for reducing the pressure inside the chamber.
らに含むことを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか
１項記載のレジスト剥離装置。6. The resist stripping apparatus according to claim 1, further comprising a heating device that heats the substrate to be processed.
ぞれによるチャンバー内へのガス導入口は、チャンバー
の下側、上側及び側面のうちのいずれかに配置されてい
ることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項記
載のレジスト剥離装置。7. The gas introduction port into the chamber by each of the first introduction mechanism and the second introduction mechanism is arranged on any one of a lower side, an upper side and a side surface of the chamber. Item 7. The resist stripping apparatus according to any one of items 1 to 6.
ぞれによるチャンバー内へのガス導入口は前記電極のサ
セプタとの対向面に形成された複数の孔であって、前記
電極の複数の孔からシャワー状にオゾンガスと水蒸気又
は水が吹き出されるようになっていることを特徴とする
請求項１に記載のレジスト剥離装置。8. The gas introduction port into the chamber by each of the first introduction mechanism and the second introduction mechanism is a plurality of holes formed on a surface of the electrode facing the susceptor, and the plurality of holes of the electrode are provided. The resist stripping apparatus according to claim 1, wherein ozone gas and water vapor or water are blown out from the shower in a shower shape.
ぞれによるチャンバー内へのガス導入口は前記電極のサ
セプタとの対向面に形成された複数の孔であって、前記
電極の複数の孔からシャワー状にオゾンガスと過酸化水
素水が吹き出されるようになっていることを特徴とする
請求項３に記載のレジスト剥離装置。9. A gas introduction port into the chamber by each of the first introduction mechanism and the second introduction mechanism is a plurality of holes formed on a surface of the electrode facing the susceptor, and the plurality of holes of the electrode are provided. The resist stripping apparatus according to claim 3, wherein ozone gas and hydrogen peroxide solution are blown out from the shower in a shower shape.
するレジスト剥離方法であって、 チャンバー内に被処理基板を保持し、このチャンバー内
に濃度が１０％以下のオゾンガスと水蒸気又は水を導入
し、チャンバー内にプラズマを発生させることを特徴と
するレジスト剥離方法。10. A resist stripping method for stripping a resist adhering to a substrate to be processed, wherein the substrate to be processed is held in a chamber, and ozone gas and water vapor or water having a concentration of 10% or less are introduced into the chamber. A method for removing a resist, characterized in that plasma is generated in the chamber.
するレジスト剥離方法であって、 チャンバー内に被処理基板を保持し、このチャンバー内
に濃度が１０％以下のオゾンガスと濃度が３０％以上６
０％以下の過酸化水素水を導入し、チャンバー内にプラ
ズマを発生させることを特徴とするレジスト剥離方法。11. A resist stripping method for stripping a resist adhering to a substrate to be processed, wherein the substrate to be processed is held in a chamber, and ozone gas having a concentration of 10% or less and a concentration of 30% to 6 are contained in the chamber.
A resist stripping method, which comprises introducing 0% or less of hydrogen peroxide solution to generate plasma in the chamber.
ー内が所定の圧力に減圧されていることを特徴とする請
求１０又は１１に記載のレジスト剥離方法。12. The resist stripping method according to claim 10, wherein the chamber is depressurized to a predetermined pressure when stripping the resist.
板が常温より高い温度に加熱されていることを特徴とす
る請求項１０〜１２のうちいずれか１項記載のレジスト
剥離方法。13. The resist stripping method according to claim 10, wherein the substrate to be processed is heated to a temperature higher than room temperature when stripping the resist.
スと水蒸気又は水は、チャンバーの下側、上側及び側面
のうちのいずれかから導入されていることを特徴とする
請求項１０に記載のレジスト剥離方法。14. The resist stripping according to claim 10, wherein when stripping the resist, ozone gas and water vapor or water are introduced from any one of a lower side, an upper side and a side surface of the chamber. Method.
スと過酸化水素水は、チャンバーの下側、上側及び側面
のうちのいずれかから導入されていることを特徴とする
請求項１１に記載のレジスト剥離方法。15. The resist according to claim 11, wherein the ozone gas and the hydrogen peroxide solution are introduced from any one of the lower side, the upper side, and the side surface of the chamber when the resist is peeled off. Peeling method.
体基板の上にフォトレジストを形成する工程と、 このフォトレジストをマスクとして加工又はイオン注入
する工程と、 チャンバー内に前記半導体基板を保持し、このチャンバ
ー内に濃度が１０％以下のオゾンガスと水蒸気又は水を
導入し、チャンバー内にプラズマを発生させることによ
り、半導体基板からフォトレジストを剥離する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。16. A step of forming a photoresist on a semiconductor substrate using a photolithography technique, a step of processing or ion-implanting the photoresist using the photoresist as a mask, and holding the semiconductor substrate in a chamber, A step of introducing ozone gas and water vapor or water having a concentration of 10% or less into the chamber to generate plasma in the chamber, and peeling the photoresist from the semiconductor substrate. Method.
体基板の上にフォトレジストを形成する工程と、 このフォトレジストをマスクとして加工又はイオン注入
する工程と、 チャンバー内に前記半導体基板を保持し、このチャンバ
ー内に濃度が１０％以下のオゾンガスと濃度が３０％以
上６０％以下の過酸化水素水を導入し、チャンバー内に
プラズマを発生させることにより、半導体基板からフォ
トレジストを剥離する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。17. A step of forming a photoresist on a semiconductor substrate by using a photolithography technique, a step of processing or ion-implanting the photoresist using the photoresist as a mask, and holding the semiconductor substrate in a chamber, A step of introducing an ozone gas having a concentration of 10% or less and a hydrogen peroxide solution having a concentration of 30% or more and 60% or less into the chamber to generate plasma in the chamber, thereby peeling the photoresist from the semiconductor substrate. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
おいてチャンバー内が所定の圧力に減圧されていること
を特徴とする請求項１６又は１７に記載の半導体装置の
製造方法。18. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 16, wherein the inside of the chamber is depressurized to a predetermined pressure in the step of removing the photoresist.
おいて半導体基板が常温より高い温度に加熱されている
ことを特徴とする請求項１６〜１８のうちいずれか１項
記載の半導体装置の製造方法。19. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 16, wherein the semiconductor substrate is heated to a temperature higher than room temperature in the step of removing the photoresist.
おいてオゾンガスと水蒸気又は水は、チャンバーの下
側、上側及び側面のうちのいずれかから導入されている
ことを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造
方法。20. The semiconductor according to claim 16, wherein ozone gas and water vapor or water are introduced from any one of a lower side, an upper side and a side surface of the chamber in the step of removing the photoresist. Device manufacturing method.
おいてオゾンガスと過酸化水素水は、チャンバーの下
側、上側及び側面のうちのいずれかから導入されている
ことを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造
方法。21. The ozone gas and the hydrogen peroxide solution are introduced from any one of the lower side, the upper side, and the side surface of the chamber in the step of removing the photoresist. Manufacturing method of semiconductor device.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2003133290A true JP2003133290A (en) | 2003-05-09 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3893939B2 (en) |
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