JP4127370B2

JP4127370B2 - Plasma processing method

Info

Publication number: JP4127370B2
Application number: JP2002193245A
Authority: JP
Inventors: 充弘奥根; 宏之鈴木
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-07-02
Filing date: 2002-07-02
Publication date: 2008-07-30
Anticipated expiration: 2022-07-02
Also published as: JP2004039789A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドライエッチング等のプラズマ処理方法に関し、特にハロゲンを含むガスを用いた半導体ウェハのプラズマ処理において発生するパーティクルを低減させるプラズマ処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子の微細化が進み、その量産時の歩留りに対してパーティクルが及ぼす影響が問題視されている。
【０００３】
半導体素子の量産現場においては、安定した歩留りを得るため、パーティクル発生数の管理が行われており、歩留りとの相関性を監視している。特に、エッチングなど、ハロゲンを含むガスを用いた半導体ウェハのプラズマ処理においては、処理を続けるとパーティクルが多発する。そのため、従来は、パーティクル発生数が量産現場で規定している数を上回った場合、プラズマ処理室内を大気開放し、薬液でウェットメンテナンスを実施し、プラズマ処理室内の雰囲気を初期化してパーティクル発生数を抑えるという方法がとられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ウェットメンテナンスによって処理室内の雰囲気を初期化する方法では、パーティクルが多発するプラズマ処理においては、頻繁にウェットメンテナンスを実施しなければならず、またウェットメンテナンスは長時間を要するため、生産性が著しく悪化するいう問題があった。
【０００５】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、生産性を著しく悪化することなくパーティクルの発生を低減して歩留りを向上できるプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理方法は、酸素原子を含むマスクを形成したシリコンウェハのエッチング処理をプラズマ処理室で開始するに際し、予めプラズマ処理室のウェットメンテナンスを行ってプラズマ処理室の雰囲気を初期化しておく工程と、次に、プラズマ処理室でＨＢｒ又はＨＩを含むハロゲンガスを用いたシリコンウェハのプラズマ処理を行う工程と、規定枚数あるいは所定期間だけプラズマ処理を継続して行った後、次にプラズマ処理室のパーティクル発生数の測定を行う工程と、測定の結果、パーティクル発生数が規定値以内であれば、表面にＳｉＯ２のマスクを形成していないダミーウェハを同じハロゲンガスを用いてプラズマ処理を行い、この処理により発生した反応生成物を、シリコンウェハのプラズマ処理時に発生してプラズマ処理室の内面に付着している生成物の上に付着させて脱落・飛散を防止する工程と、この工程後、後続するシリコンウェハのプラズマ処理を行う工程と、前記測定の結果、パーティクル発生数が規定値を越えていれば、プラズマ処理を中止し、プラズマ処理室のウェットメンテナンスを実施する工程とからなるものであり、パーティクルの数が増え始めた頃に、ダミーウェハをプラズマ処理するという短時間の簡単な処理を行うことで、プラズマ処理に伴って処理室の内面に付着した脆い反応生成物が脱落・飛散してパーティクルが発生し易くなるのを、ダミーウェハのプラズマ処理による反応生成物によって抑制することができ、生産性を悪化することなくパーティクルの発生数を規定の数以下に維持することができ、かつこの処理によってもパーティクル数が徐々に増え続けてしまうような場合に、パーティクル発生数が規定値を越えた時点でウェットメンテナンスを実施することで、生産性を著しく悪化させることなく、処理室内のパーティクル発生数を規定値内にコントロールして歩留りを確保することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明のプラズマ処理方法をシリコンウェハのドライエッチング処理に適用した第１の実施形態について、図１、図２を参照して説明する。
【００１５】
まず、本実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を図２を参照して説明すると、１はプラズマ処理室、２はターボ分子ポンプなどを有し、プラズマ処理室１内を真空排気して所定の圧力に保持する排気手段である。３は、プラズマ処理室１内にガスを導入するガス導入口で、ガス流量調節器４と切換弁５ａ、５ｂを介してハロゲンガス源６とＮ₂ガスなどの不活性ガスから成るパージガス源７に接続されている。
【００１６】
８はプラズマ処理室１内の上部に配設された対向電極又はアンテナ、９は対向電極８に対向してプラズマ処理室１内の下部に配設された下部電極で、被処理物であるシリコンウェハ１０を載置する。シリコンウェハ１０の表面には、エッチングパターンを形成するためＳｉＯ₂からなるマスクが設けられている。なお、マスクは有機物からなるマスクであってもよい。対向電極８には高周波電源１２がインピーダンス整合器１１を介して接続されている。また、下部電極９にも必要に応じて電源１３が接続される。
【００１７】
シリコンウェハ１０をドライエッチングする際の基本的なプラズマ処理動作を説明すると、プラズマ処理室１内にガス導入口３からＨＢｒやＨＩなどのハロゲンガスを導入しつつ排気手段２により排気してプラズマ処理室１内を所定の圧力に保ち、対向電極８に高周波電源１２により高周波電力を供給することにより、プラズマ処理室１内にプラズマを発生させる。このようにして発生させたプラズマの作用によって、下部電極９上に載置されたシリコンウェハ１０がエッチング処理される。また、必要に応じて電源１３から下部電極９に電圧を印加することにより、イオンの入射エネルギーを制御される。
【００１８】
このように、ＳｉＯ₂など、Ｏを含むマスクを形成したシリコンウェハ１０のドライエッチング処理を繰り返すと、ＳｉとＢｒとＯから成る脆い物性を有する反応生成物が発生してプラズマ処理室１の内面に付着する。そして、プラズマ処理室１の内面に付着したこの反応生成物が容易に脱落・飛散してパーティクルが多発することになり、所望の歩留りを確保するためには頻繁にウェットメンテナンスを行う必要が生じる。
【００１９】
そこで、ウェットメンテナンスの回数を低減しつつ歩留りを確保する本実施形態のプラズマ処理工程を、図１を参照して説明する。プラズマ処理（シリコンウェハのエッチング処理）をプラズマ処理室１で開始するに当たっては、予めプラズマ処理室１のウェットメンテナンスを行ってプラズマ処理室１の雰囲気を初期化しておく。次に、プラズマ処理室１で、上記のようにハロゲンガスを用いたプラズマ処理を開始し、１ロットや１又は複数枚の規定枚数のプラズマ処理を行う。規定枚数に代えて所定期間だけ処理を継続して行うようにしても良い。次に、プラズマ処理室１のパーティクル発生数の測定を行う。
【００２０】
測定の結果、パーティクル発生数が規定値以内であれば、その後プラズマ処理室１内のパージと真空引きを複数回繰り返す処理を実施する。すなわち、Ｎ₂ガスなどの不活性ガスから成るパージガスを導入しつつ排気してプラズマ処理室１の雰囲気の入れ換えを行った後、プラズマ処理室を所定の真空度になるまで真空排気するという動作を複数回繰り返す。この処理によってプラズマ処理室１のパーティクル発生数を低減させた後、後続するシリコンウェハのプラズマ処理を行うという動作を繰り返し、シリコンウェハのプラズマ処理を行う。
【００２１】
一方、上記測定の結果、パーティクル発生数が規定値を越えていれば、エッチング処理を中止し、プラズマ処理室１のウェットメンテナンスを実施する。
【００２２】
本実施形態によれば、パーティクルの数が増え始めた頃に、比較的簡単で短時間で処理を行える、パージと真空引きを繰り返すという処理を行うことで、生産性を悪化することなくパーティクルの発生数を規定の数以下に維持することができる。
【００２３】
（第２の実施形態）
次に、本発明のプラズマ処理方法の第２の実施形態について、図３を参照して説明する。
【００２４】
上記第１の実施形態では、規定枚数のシリコンウェハをプラズマ処理した後の測定の結果、パーティクル発生数が規定値以内であった時に、プラズマ処理室１内のパージと真空引きを複数回繰り返す処理を実施したが、本実施形態では、図３に示すように、ダミーウェハを同じハロゲンガスを用いてプラズマ処理を行っている。ダミーウェハは、表面にＳｉＯ₂のマスクを形成していないシリコンウェハである。
【００２５】
このようにシリコンウェハ単体のダミーウェハをＨＢｒでプラズマ処理すると、そのＳｉとＢｒからなる反応生成物がプラズマ処理室１の内面に付着する。この反応生成物は、比較的ねばりのある物性を有している。そのため、ＳｉＯ₂など、Ｏを含むマスクを形成したシリコンウェハをプラズマ処理した時に発生してプラズマ処理室１の内面に付着している、ＳｉとＢｒとＯから成る脆い物性を有する反応生成物の上にこの反応生成物が付着することで、ＳｉとＢｒとＯから成る反応生成物の脱落・飛散を防止する作用を奏し、パーティクルの発生を抑制することができる。
【００２６】
本実施形態においても、生産性を悪化することなくパーティクルの発生数を規定の数以下に維持することができる。
【００２７】
（第３の実施形態）
次に、本発明のプラズマ処理方法の第３の実施形態について、図４を参照して説明する。
【００２８】
プラズマ処理後のパーティクル発生数の測定結果が規定値以内であった時に、上記第１の実施形態ではプラズマ処理室内のパージと真空引きを複数回繰り返す処理を実施し、第２の実施形態ではダミーウェハのプラズマ処理を行ったが、本実施形態では、図４に示すように、プラズマ処理室内のパージと真空引きを複数回繰り返す処理と、ダミーウェハのハロゲンガスプラズマ処理の両方を行っている。
【００２９】
本実施形態においても、生産性を悪化することなく、より確実にパーティクルの発生数を規定の数以下に維持することができる。
【００３０】
（具体例）
次に、具体例を説明する。表面にＳｉＯ₂のマスクを形成したシリコンウェハをＨＢｒを用いてドライエッチング処理したときの、プラズマ処理室のパーティクル発生数の推移を図５に示す。図５は、一定枚数のウェハ処理の後、プラズマ処理室内のパージと真空引きの繰り返しと、ＳｉのダミーウェハのＨＢｒガスを用いたプラズマ処理を行った場合を示す。比較のために、従来のプラズマ処理方法におけるプラズマ処理室のパーティクル発生数の推移を図６に示す。図５、図６において、ラインＡは所要の歩留りを達成するために要求されるパーティクル発生数の許容限界値であり、このラインＡを越えると、ウェットメンテナンスを行う必要がある。図５と図６を比較して分かるように、本実施形態によって、パーティクル発生数が低減され、ウエットメンテナンスまでの期間を延ばすことができる。
【００３１】
上記実施形態の説明では、ＳｉＯ₂のマスクを設けたシリコンウェハをＨＢｒとＨＩから選択されたハロゲンガスを用いてドライエッチングを行う例について説明したが、半導体ウェハに形成されている各種薄膜層を種々のハロゲンガスを用いてドライエッチングする場合にも、本発明のプラズマ処理方法を適用することでパーティクルの発生数を低減してウエットメンテナンスまでの期間を延ばすことができる。
【００３２】
また、ドライエッチング処理に限らず、表面改質やスパッタリングやＣＶＤなどのプラズマ処理においても、本発明のプラズマ処理方法を適用することでパーティクルの発生数を低減してウエットメンテナンスまでの期間を延ばすことができる。
【００３３】
また、上記実施形態の説明では、平行平板型のプラズマ処理装置を用いた場合を例示したが、本発明は誘導結合型プラズマ処理装置など、他のプラズマ処理装置において、ハロゲンガスを用いたプラズマ処理方法に適用することで、その作用効果を奏することができる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理方法によれば、一定枚数の半導体ウェハをプラズマ処理した後または定期的に、処理室内のパージと真空引きを所定回数繰り返し実施し、又はダミーウェハをプラズマ処理し、又は両方の処理を実施するものであり、パーティクルの数が増え始めた頃に、上記のような短時間の簡単な処理を行うことで、ウェットメンテナンスまでの期間を延ばすことができ、生産性を悪化することなくパーティクルの発生数を規定の数以下に維持し、生産の歩留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のプラズマ処理方法の工程を示すフロー図である。
【図２】同実施形態におけるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態のプラズマ処理方法の工程を示すフロー図である。
【図４】本発明の第３の実施形態のプラズマ処理方法の工程を示すフロー図である。
【図５】同実施形態のプラズマ処理方法におけるパーティクル発生数の推移を示すグラフである。
【図６】従来例のプラズマ処理方法におけるパーティクル発生数の推移を示すグラフである。
【符号の説明】
１プラズマ処理室
２排気手段
３ガス導入口
６ハロゲンガス源
７パージガス源
１０シリコンウェハ（半導体ウェハ）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a plasma processing method such as dry etching, and more particularly to a plasma processing method for reducing particles generated in plasma processing of a semiconductor wafer using a gas containing halogen.
[0002]
[Prior art]
In recent years, the miniaturization of semiconductor elements has progressed, and the influence of particles on the yield during mass production has been regarded as a problem.
[0003]
In the field of mass production of semiconductor elements, the number of generated particles is managed to obtain a stable yield, and the correlation with the yield is monitored. In particular, in plasma processing of a semiconductor wafer using a gas containing halogen, such as etching, particles are frequently generated when the processing is continued. Therefore, conventionally, if the number of particles generated exceeds the number specified in the mass production site, the plasma processing chamber is opened to the atmosphere, wet maintenance is performed with chemicals, and the atmosphere in the plasma processing chamber is initialized to generate the number of particles generated. The method of suppressing is taken.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the method of initializing the atmosphere in the processing chamber by wet maintenance, in the plasma processing in which particles are frequently generated, the wet maintenance must be performed frequently, and the wet maintenance takes a long time. There was a problem of getting worse.
[0005]
In view of the above-described conventional problems, an object of the present invention is to provide a plasma processing method capable of reducing the generation of particles and improving the yield without significantly deteriorating productivity.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
This onset Ming plasma processing method, upon starting the etching process of the silicon wafer formed with a mask containing oxygen atoms in the plasma processing chamber, to initialize the atmosphere of the plasma processing chamber by wet maintenance of pre plasma processing chamber And a step of performing plasma processing of a silicon wafer using a halogen gas containing HBr or HI in the plasma processing chamber, and after performing plasma processing for a predetermined number or a predetermined period, The process of measuring the number of particles generated in the processing chamber, and if the number of particles generated is within the specified value as a result of the measurement, a dummy wafer having no SiO2 mask formed on the surface is subjected to plasma processing using the same halogen gas. The reaction products generated by this treatment are generated during the plasma treatment of silicon wafers A step for preventing dropping and scattering by adhering onto the product adhering to the inner surface of the zuma processing chamber, a step for performing plasma processing of the subsequent silicon wafer after this step, and as a result of the measurement, generating particles. if exceeding the number specified value, to stop the plasma treatment, which consists of a step of performing wet maintenance of the plasma processing chamber, the time the number of paths Tikuru began increasing, that the plasma treatment dummy wafer By performing a simple process for a short time, the reaction product produced by the plasma treatment of the dummy wafer is likely to generate particles due to the fragile reaction product adhering to the inner surface of the treatment chamber falling off and scattering with the plasma treatment. The number of generated particles can be kept below a specified number without deteriorating productivity, and this processing However, if the number of particles continues to increase gradually, wet maintenance is performed when the number of particles exceeds the specified value, so that particles are generated in the processing chamber without significantly deteriorating productivity. The yield can be secured by controlling the number within a specified value.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment in which the plasma processing method of the present invention is applied to a dry etching process of a silicon wafer will be described with reference to FIGS.
[0015]
First, the configuration of the plasma processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 2. 1 has a plasma processing chamber, 2 has a turbo molecular pump, etc., and the plasma processing chamber 1 is evacuated to a predetermined pressure. It is an exhaust means to hold | maintain. Reference numeral 3 denotes a gas introduction port for introducing gas into the plasma processing chamber 1, and a purge gas source 7 composed of a halogen gas source 6 and an inert gas such as N ₂ gas via a gas flow rate regulator 4 and switching valves 5 a and 5 b. It is connected to the.
[0016]
Reference numeral 8 denotes a counter electrode or antenna disposed in the upper part of the plasma processing chamber 1, and 9 denotes a lower electrode disposed in the lower part of the plasma processing chamber 1 so as to face the counter electrode 8, which is silicon to be processed. The wafer 10 is placed. A mask made of SiO ₂ is provided on the surface of the silicon wafer 10 to form an etching pattern. The mask may be an organic mask. A high frequency power source 12 is connected to the counter electrode 8 via an impedance matching unit 11. Further, a power source 13 is connected to the lower electrode 9 as necessary.
[0017]
Explaining the basic plasma processing operation when the silicon wafer 10 is dry-etched, the plasma processing chamber 1 is evacuated by the exhaust means 2 while introducing a halogen gas such as HBr or HI from the gas inlet 3 into the plasma processing chamber 1. Plasma is generated in the plasma processing chamber 1 by keeping the inside of the chamber 1 at a predetermined pressure and supplying high frequency power to the counter electrode 8 from a high frequency power source 12. The silicon wafer 10 placed on the lower electrode 9 is etched by the action of the plasma thus generated. Moreover, the incident energy of ions is controlled by applying a voltage from the power source 13 to the lower electrode 9 as necessary.
[0018]
Thus, when the dry etching process of the silicon wafer 10 on which the mask containing O such as SiO ₂ is formed is repeated, a reaction product having brittle physical properties composed of Si, Br, and O is generated, and the inner surface of the plasma processing chamber 1 is generated. Adhere to. And this reaction product adhering to the inner surface of the plasma processing chamber 1 easily falls off and scatters, resulting in frequent generation of particles. In order to ensure a desired yield, frequent wet maintenance is required.
[0019]
Therefore, the plasma processing step of the present embodiment for ensuring the yield while reducing the number of wet maintenance will be described with reference to FIG. When plasma processing (silicon wafer etching processing) is started in the plasma processing chamber 1, wet maintenance of the plasma processing chamber 1 is performed in advance to initialize the atmosphere of the plasma processing chamber 1. Next, in the plasma processing chamber 1, the plasma processing using the halogen gas is started as described above, and the plasma processing for one lot or one or a plurality of sheets is performed. Instead of the prescribed number, the processing may be continued for a predetermined period. Next, the number of particles generated in the plasma processing chamber 1 is measured.
[0020]
As a result of the measurement, if the number of generated particles is within a specified value, then the process of purging and evacuating the plasma processing chamber 1 is repeated a plurality of times. That is, an operation is performed in which a purge gas composed of an inert gas such as N ₂ gas is introduced and exhausted to replace the atmosphere of the plasma processing chamber 1 and then the plasma processing chamber is evacuated to a predetermined vacuum level. Repeat several times. After reducing the number of particles generated in the plasma processing chamber 1 by this processing, the operation of performing the plasma processing of the subsequent silicon wafer is repeated to perform the plasma processing of the silicon wafer.
[0021]
On the other hand, if the number of particles generated exceeds the specified value as a result of the measurement, the etching process is stopped and the wet maintenance of the plasma processing chamber 1 is performed.
[0022]
According to the present embodiment, when the number of particles starts to increase, the process of repeating purge and evacuation is relatively easy and can be performed in a short time. The number of occurrences can be kept below a specified number.
[0023]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the plasma processing method of the present invention will be described with reference to FIG.
[0024]
In the first embodiment, when the number of generated particles is within the specified value as a result of the measurement after the plasma processing of the specified number of silicon wafers, the process of repeatedly purging and evacuating the plasma processing chamber 1 a plurality of times is performed. However, in this embodiment, as shown in FIG. 3, the dummy wafer is subjected to plasma treatment using the same halogen gas. The dummy wafer is a silicon wafer having no SiO ₂ mask formed on the surface.
[0025]
When the silicon wafer single dummy wafer is thus plasma-treated with HBr, the reaction product of Si and Br adheres to the inner surface of the plasma processing chamber 1. This reaction product has relatively sticky physical properties. For this reason, a reaction product having a brittle physical property of Si, Br, and O, which is generated when a silicon wafer formed with a mask containing O, such as SiO ₂ , is plasma-processed and adhered to the inner surface of the plasma processing chamber 1. By adhering this reaction product on top, the reaction product composed of Si, Br, and O can be prevented from falling off and scattering, and the generation of particles can be suppressed.
[0026]
Also in the present embodiment, the number of generated particles can be maintained below a specified number without deteriorating productivity.
[0027]
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the plasma processing method of the present invention will be described with reference to FIG.
[0028]
When the measurement result of the number of particles generated after plasma processing is within a specified value, the first embodiment performs a process of repeating the purge and evacuation in the plasma processing chamber a plurality of times, and the second embodiment performs a dummy wafer. In the present embodiment, as shown in FIG. 4, both the process of repeating the purge and evacuation in the plasma process chamber a plurality of times and the halogen gas plasma process of the dummy wafer are performed in this embodiment.
[0029]
Also in the present embodiment, it is possible to more reliably maintain the number of generated particles below a specified number without deteriorating productivity.
[0030]
(Concrete example)
Next, a specific example will be described. FIG. 5 shows the transition of the number of particles generated in the plasma processing chamber when a silicon wafer having a SiO ₂ mask formed on the surface is dry-etched using HBr. FIG. 5 shows a case where, after processing a certain number of wafers, purging and evacuation in the plasma processing chamber are repeated, and plasma processing using HBr gas is performed on a Si dummy wafer. For comparison, FIG. 6 shows the transition of the number of particles generated in the plasma processing chamber in the conventional plasma processing method. In FIG. 5 and FIG. 6, line A is an allowable limit value of the number of generated particles required to achieve a required yield, and if this line A is exceeded, it is necessary to perform wet maintenance. As can be seen by comparing FIG. 5 and FIG. 6, according to the present embodiment, the number of particles generated can be reduced, and the period until wet maintenance can be extended.
[0031]
In the description of the above embodiment, an example in which a silicon wafer provided with a SiO ₂ mask is dry-etched using a halogen gas selected from HBr and HI has been described. Various thin film layers formed on a semiconductor wafer are described. Even when dry etching is performed using various halogen gases, by applying the plasma processing method of the present invention, the number of particles generated can be reduced and the period until wet maintenance can be extended.
[0032]
Further, not only in dry etching processing but also in plasma processing such as surface modification, sputtering, and CVD, the plasma processing method of the present invention is applied to reduce the number of particles generated and extend the period until wet maintenance. Can do.
[0033]
In the description of the above embodiment, the case where a parallel plate type plasma processing apparatus is used is exemplified. However, the present invention is applicable to plasma processing using halogen gas in other plasma processing apparatuses such as an inductively coupled plasma processing apparatus. By applying the method, the effects can be achieved.
[0034]
【The invention's effect】
According to the plasma processing method of the present invention, after plasma processing is performed on a certain number of semiconductor wafers or periodically, purging and evacuation of the processing chamber is repeatedly performed a predetermined number of times, or a dummy wafer is plasma processed, or both processing When the number of particles starts to increase, by performing a simple process for a short time as described above, the period until wet maintenance can be extended, and productivity does not deteriorate. The number of particles generated can be kept below a specified number, and the production yield can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a flowchart showing steps of a plasma processing method according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a plasma processing apparatus in the embodiment.
FIG. 3 is a flowchart showing steps of a plasma processing method according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a flowchart showing steps of a plasma processing method according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a graph showing the transition of the number of generated particles in the plasma processing method of the same embodiment.
FIG. 6 is a graph showing the transition of the number of generated particles in a conventional plasma processing method.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plasma processing chamber 2 Exhaust means 3 Gas inlet 6 Halogen gas source 7 Purge gas source 10 Silicon wafer (semiconductor wafer)

Claims

When the etching process of the silicon wafer on which the mask containing oxygen atoms is formed is started in the plasma processing chamber, the plasma processing chamber is subjected to wet maintenance in advance to initialize the plasma processing chamber atmosphere, and then the plasma processing is performed. After performing plasma processing of the silicon wafer using a halogen gas containing HBr or HI in the chamber, and continuously performing the plasma processing for a specified number of times or for a predetermined period, the number of particles generated in the plasma processing chamber is then measured. If the number of particles generated is within the specified value as a result of the measurement process and the measurement result, plasma processing is performed on the dummy wafer having no SiO2 mask formed on the surface using the same halogen gas, and reaction products generated by this processing are generated. Is generated during the plasma processing of silicon wafers and adheres to the inner surface of the plasma processing chamber. If the number of particles generated exceeds the specified value as a result of the above-described measurement, a step of preventing the dropping and scattering of the product by adhering to the product to be removed and a step of performing plasma processing of the subsequent silicon wafer after this step. And a step of stopping the plasma processing and performing wet maintenance of the plasma processing chamber.