JP2003132505A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 副磁極層の後部側での磁束の漏れを抑えて、
ライト部の特性を向上させる。 【解決手段】 ギャップ層２２を挟んで下部磁極層１０
に対向して副磁極層２０が配置され、副磁極層２０の後
部に上部磁極層１８が接続されたライト部を備える薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層２２の後部側に前
記副磁極層２０と前記下部磁極層１０とに挟まれて絶縁
層からなる盛り上げ層２４が設けられ、該盛り上げ層２
４から前記ギャップ層２２に向けて、徐々に低位となる
傾斜部２４ａが延出して設けられている。
ライト部の特性を向上させる。 【解決手段】 ギャップ層２２を挟んで下部磁極層１０
に対向して副磁極層２０が配置され、副磁極層２０の後
部に上部磁極層１８が接続されたライト部を備える薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層２２の後部側に前
記副磁極層２０と前記下部磁極層１０とに挟まれて絶縁
層からなる盛り上げ層２４が設けられ、該盛り上げ層２
４から前記ギャップ層２２に向けて、徐々に低位となる
傾斜部２４ａが延出して設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は上部磁極の先端に副
磁極層を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関す
る。
磁極層を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の薄膜磁気ヘッドのライト部
の構成を拡大して示す断面図である。同図で１０は下部
磁極層、１２は絶縁層、１４ａ、１４ｂはコイル、１６
ａ、１６ｂは絶縁層、１８は上部磁極層である。上部磁
極層１８の先端部には下部磁極層１０に対向する配置で
副磁極層２０が連結して設けられる。副磁極層２０は上
部磁極層１８の先端から前方に延出し、ギャップ層２２
を挟んで下部磁極層１０の先端部１０ａとその先端部が
対向する配置となる。
の構成を拡大して示す断面図である。同図で１０は下部
磁極層、１２は絶縁層、１４ａ、１４ｂはコイル、１６
ａ、１６ｂは絶縁層、１８は上部磁極層である。上部磁
極層１８の先端部には下部磁極層１０に対向する配置で
副磁極層２０が連結して設けられる。副磁極層２０は上
部磁極層１８の先端から前方に延出し、ギャップ層２２
を挟んで下部磁極層１０の先端部１０ａとその先端部が
対向する配置となる。
【０００３】２４は副磁極層２０の後部側で下部磁極層
１０との間に設けた盛り上げ層である。この盛り上げ層
２４はＳｉＯ2等の絶縁層によって形成される。盛り上
げ層２４はギャップ層２２よりも厚く形成され、これに
よって副磁極層２０の前部側と後部側とは段差形状とな
る。盛り上げ層２４をギャップ層２２よりも厚く形成し
ているのは、副磁極層２０の先端面と下部磁極層１０の
先端面との間で磁場を集中させライト部の記録作用が効
率的に作用するようにするためである。なお、盛り上げ
層２４の表面にもギャップ層２２を形成する絶縁層が被
着するが、ギャップ層２２という場合は、下部磁極層１
０と副磁極層２０との先端部におけるギャップ間隔を規
定する層部分を言うものとする。
１０との間に設けた盛り上げ層である。この盛り上げ層
２４はＳｉＯ2等の絶縁層によって形成される。盛り上
げ層２４はギャップ層２２よりも厚く形成され、これに
よって副磁極層２０の前部側と後部側とは段差形状とな
る。盛り上げ層２４をギャップ層２２よりも厚く形成し
ているのは、副磁極層２０の先端面と下部磁極層１０の
先端面との間で磁場を集中させライト部の記録作用が効
率的に作用するようにするためである。なお、盛り上げ
層２４の表面にもギャップ層２２を形成する絶縁層が被
着するが、ギャップ層２２という場合は、下部磁極層１
０と副磁極層２０との先端部におけるギャップ間隔を規
定する層部分を言うものとする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、下部磁
極層１０と副磁極層２０との間に盛り上げ層２４を形成
しているのは、副磁極層２０の後部側を下部磁極層１０
から離間させ、これによって副磁極層２０の後部側で下
部磁極層１０に磁束が漏れないようにするためである。
従来は、下部磁極層１０の表面に絶縁層を形成した後、
ギャップ層２２を形成する部分をドライエッチングによ
って除去して盛り上げ層２４を形成している。ドライエ
ッチングでは特定の材質（ここでは盛り上げ層２４）と
反応させてエッチングするから、下部磁極層１０まで除
去することがなく、エッチング時間の制御が容易である
という特長がある。
極層１０と副磁極層２０との間に盛り上げ層２４を形成
しているのは、副磁極層２０の後部側を下部磁極層１０
から離間させ、これによって副磁極層２０の後部側で下
部磁極層１０に磁束が漏れないようにするためである。
従来は、下部磁極層１０の表面に絶縁層を形成した後、
ギャップ層２２を形成する部分をドライエッチングによ
って除去して盛り上げ層２４を形成している。ドライエ
ッチングでは特定の材質（ここでは盛り上げ層２４）と
反応させてエッチングするから、下部磁極層１０まで除
去することがなく、エッチング時間の制御が容易である
という特長がある。
【０００５】しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドで
は、下部磁極層１０に設けた盛り上げ層２４の先端面が
下部磁極層１０の表面に対して直角に近い角度θ（Ape
x)で起立した形状となっているため、この副磁極層２０
が段差状に形成された部分で磁束が漏れやすくなるとい
う問題があった。これは副磁極層２０の段差部分のエッ
ジによる作用である。近年の高記録密度化に伴い、この
漏れ磁束によるロスが相対的に大きくなり、漏れ磁束を
低減させてライト特性を向上させる必要性が高まってき
ている。
は、下部磁極層１０に設けた盛り上げ層２４の先端面が
下部磁極層１０の表面に対して直角に近い角度θ（Ape
x)で起立した形状となっているため、この副磁極層２０
が段差状に形成された部分で磁束が漏れやすくなるとい
う問題があった。これは副磁極層２０の段差部分のエッ
ジによる作用である。近年の高記録密度化に伴い、この
漏れ磁束によるロスが相対的に大きくなり、漏れ磁束を
低減させてライト特性を向上させる必要性が高まってき
ている。
【０００６】また、盛り上げ層２４を形成する絶縁層の
材料としてＳｉＯ2の他にレジストを使用することもあ
るが、レジストを使用した場合は、レジストを熱硬化さ
せる際に、熱収縮によって盛り上げ層２４の端面と下部
磁極層１０の近傍部分にクラックが生じるといった問題
もあった。
材料としてＳｉＯ2の他にレジストを使用することもあ
るが、レジストを使用した場合は、レジストを熱硬化さ
せる際に、熱収縮によって盛り上げ層２４の端面と下部
磁極層１０の近傍部分にクラックが生じるといった問題
もあった。
【０００７】そこで、本発明はこれらの問題を解決すべ
くなされたものであり、その目的とするところは、盛り
上げ層のギャップ層側の端面と下部磁極層の表面とのな
す角を従来よりも緩やかに形成し、盛り上げ層の後部側
での磁束の漏れを防止して、薄膜磁気ヘッドのライト特
性を向上させることを可能とし、また、盛り上げ層にク
ラックが発生することを防止して信頼性の高い製品とし
て提供できる薄膜磁気ヘッド及びその好適な製造方法を
提供するにある。
くなされたものであり、その目的とするところは、盛り
上げ層のギャップ層側の端面と下部磁極層の表面とのな
す角を従来よりも緩やかに形成し、盛り上げ層の後部側
での磁束の漏れを防止して、薄膜磁気ヘッドのライト特
性を向上させることを可能とし、また、盛り上げ層にク
ラックが発生することを防止して信頼性の高い製品とし
て提供できる薄膜磁気ヘッド及びその好適な製造方法を
提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため次の構成を備える。すなわち、ギャップ層を
挟んで下部磁極層に対向して副磁極層が配置され、副磁
極層の後部に上部磁極層が接続されたライト部を備える
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層の後部側に前
記副磁極層と前記下部磁極層とに挟まれて絶縁層からな
る盛り上げ層が設けられ、該盛り上げ層から前記ギャッ
プ層に向けて、徐々に低位となる傾斜部が延出して設け
られていることを特徴とする。盛り上げ層に傾斜部を設
けたことにより、副磁極層の後部側で副磁極層と下部磁
極層との間で磁束が漏れることを防止し、薄膜磁気ヘッ
ドのライト部の特性を向上させることができる。また、
前記ギャップ層が、前記盛り上げ層を構成する絶縁層が
所定の厚さにエッチングされて盛り上げ層と一体に形成
されていることを特徴とする。また、前記ギャップ層の
端面方向への長さＬ１、前記傾斜部の端面方向への長さ
Ｌ２が、Ｌ２＞Ｌ１となる関係にあることを特徴とす
る。
成するため次の構成を備える。すなわち、ギャップ層を
挟んで下部磁極層に対向して副磁極層が配置され、副磁
極層の後部に上部磁極層が接続されたライト部を備える
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層の後部側に前
記副磁極層と前記下部磁極層とに挟まれて絶縁層からな
る盛り上げ層が設けられ、該盛り上げ層から前記ギャッ
プ層に向けて、徐々に低位となる傾斜部が延出して設け
られていることを特徴とする。盛り上げ層に傾斜部を設
けたことにより、副磁極層の後部側で副磁極層と下部磁
極層との間で磁束が漏れることを防止し、薄膜磁気ヘッ
ドのライト部の特性を向上させることができる。また、
前記ギャップ層が、前記盛り上げ層を構成する絶縁層が
所定の厚さにエッチングされて盛り上げ層と一体に形成
されていることを特徴とする。また、前記ギャップ層の
端面方向への長さＬ１、前記傾斜部の端面方向への長さ
Ｌ２が、Ｌ２＞Ｌ１となる関係にあることを特徴とす
る。
【０００９】また、ギャップ層を挟んで下部磁極と上部
磁極とが配置された薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、前記下部磁極層の表面に絶縁層を形成し、該絶縁層
の表面に、絶縁層を盛り上げ層として残す部位を被覆す
るレジストを形成し、前記絶縁層の表面に対してイオン
ミル粒子を斜入射させるイオンミリングを施した後、上
部磁極を形成することを特徴とする。イオンミリングに
よって絶縁層をエッチングすることにより、容易に盛り
上げ層を形成することができる。また、前記絶縁層に対
してイオンミリングを施した後、前記下部磁極上に前記
ギャップ層を挟んで副磁極を形成することを特徴とす
る。なお、前記イオンミル粒子の前記絶縁層の表面に対
する入射角度を調節すること、あるいは前記レジストの
厚さを調節することにより、前記傾斜部の形状を容易に
制御することができる。
磁極とが配置された薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、前記下部磁極層の表面に絶縁層を形成し、該絶縁層
の表面に、絶縁層を盛り上げ層として残す部位を被覆す
るレジストを形成し、前記絶縁層の表面に対してイオン
ミル粒子を斜入射させるイオンミリングを施した後、上
部磁極を形成することを特徴とする。イオンミリングに
よって絶縁層をエッチングすることにより、容易に盛り
上げ層を形成することができる。また、前記絶縁層に対
してイオンミリングを施した後、前記下部磁極上に前記
ギャップ層を挟んで副磁極を形成することを特徴とす
る。なお、前記イオンミル粒子の前記絶縁層の表面に対
する入射角度を調節すること、あるいは前記レジストの
厚さを調節することにより、前記傾斜部の形状を容易に
制御することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、添付図面とともに詳細に説明する。図１は本
発明に係る薄膜磁気ヘッドの特徴的な構成部分であるラ
イト部の構成を示す断面図である。本実施形態の薄膜磁
気ヘッドにおいて特徴的な構成は、下部磁極層１０と副
磁極層２０との間に形成する盛り上げ層２４の構成であ
る。
について、添付図面とともに詳細に説明する。図１は本
発明に係る薄膜磁気ヘッドの特徴的な構成部分であるラ
イト部の構成を示す断面図である。本実施形態の薄膜磁
気ヘッドにおいて特徴的な構成は、下部磁極層１０と副
磁極層２０との間に形成する盛り上げ層２４の構成であ
る。
【００１１】本実施形態の薄膜磁気ヘッドは副磁極層２
０を備えた薄膜磁気ヘッドであり、その基本的な構成は
図５に示す従来の薄膜磁気ヘッドと同様である。すなわ
ち、ギャップ層２２を挟んで下部磁極層１０に対向して
副磁極層２０を配置し、副磁極層２０の後部側に上部磁
極層１８が連結される。下部磁極層１０と上部磁極層１
８との間には、絶縁層１２を介して２層にコイル１４
ａ、１４ｂが配置される。絶縁層１６ａ、１６ｂは層間
でコイル１４ａ、１４ｂを電気的に絶縁し、コイル１４
ｂと上部磁極層１８とを電気的に絶縁している。なお、
本実施形態ではコイルを２層に形成しているが、１層に
コイルを形成する場合も同様に適用できる。
０を備えた薄膜磁気ヘッドであり、その基本的な構成は
図５に示す従来の薄膜磁気ヘッドと同様である。すなわ
ち、ギャップ層２２を挟んで下部磁極層１０に対向して
副磁極層２０を配置し、副磁極層２０の後部側に上部磁
極層１８が連結される。下部磁極層１０と上部磁極層１
８との間には、絶縁層１２を介して２層にコイル１４
ａ、１４ｂが配置される。絶縁層１６ａ、１６ｂは層間
でコイル１４ａ、１４ｂを電気的に絶縁し、コイル１４
ｂと上部磁極層１８とを電気的に絶縁している。なお、
本実施形態ではコイルを２層に形成しているが、１層に
コイルを形成する場合も同様に適用できる。
【００１２】前述したように、副磁極層２０と下部磁極
層１０の先端部にはギャップ層２２が形成され、副磁極
層２０の後部側には絶縁層によって形成された盛り上げ
層２４が形成されている。本実施形態の薄膜磁気ヘッド
において特徴的な構成は、従来、盛り上げ層２４とギャ
ップ層２２との境界部分で起立形状に形成されていた盛
り上げ層２４の端面を、副磁極層２０の先端側に向けて
徐々に低位となる傾斜面に形成したことにある。
層１０の先端部にはギャップ層２２が形成され、副磁極
層２０の後部側には絶縁層によって形成された盛り上げ
層２４が形成されている。本実施形態の薄膜磁気ヘッド
において特徴的な構成は、従来、盛り上げ層２４とギャ
ップ層２２との境界部分で起立形状に形成されていた盛
り上げ層２４の端面を、副磁極層２０の先端側に向けて
徐々に低位となる傾斜面に形成したことにある。
【００１３】図１中で、Ｌ2で示した部分が盛り上げ層
２４を傾斜させて形成した傾斜部２４ａの範囲、Ｌ１で
示した部分がギャップ層２２の範囲である。本実施形態
では傾斜部２４ａのライト部の端面方向への長さＬ２を
ギャップ層２２の端面方向の長さＬ１よりも長く設定す
る配置としている。ギャップ層２２により、下部磁極層
１０と副磁極層２０とによるライト部のギャップ間隔が
規定される。
２４を傾斜させて形成した傾斜部２４ａの範囲、Ｌ１で
示した部分がギャップ層２２の範囲である。本実施形態
では傾斜部２４ａのライト部の端面方向への長さＬ２を
ギャップ層２２の端面方向の長さＬ１よりも長く設定す
る配置としている。ギャップ層２２により、下部磁極層
１０と副磁極層２０とによるライト部のギャップ間隔が
規定される。
【００１４】本実施形態の薄膜磁気ヘッドは、ギャップ
層２２の後方に傾斜部２４ａを設けたことにより、ギャ
ップ層２２と盛り上げ層２４との境界部分に起立形状に
形成されていた段差部分が緩斜面となり、これによっ
て、段差部のエッジ効果が緩和され、盛り上げ層２４を
形成した部分での副磁極層２０と下部磁極層１０との間
の磁束の漏れを抑えることが可能となる。
層２２の後方に傾斜部２４ａを設けたことにより、ギャ
ップ層２２と盛り上げ層２４との境界部分に起立形状に
形成されていた段差部分が緩斜面となり、これによっ
て、段差部のエッジ効果が緩和され、盛り上げ層２４を
形成した部分での副磁極層２０と下部磁極層１０との間
の磁束の漏れを抑えることが可能となる。
【００１５】図２は、上記実施形態の薄膜磁気ヘッドを
製造する方法を示す。図２(a)は基板上に下部磁極層１
０を形成した後、盛り上げ層２４となる絶縁層２４ｂを
形成し、盛り上げ層２４として残す部位をレジスト３０
によって被覆した状態である。下部磁極層１０は強磁性
体層として形成するものであり、基板上にめっきベース
を形成した後、ＮｉＦｅ等を電解めっきして形成する。
盛り上げ層２４として形成する絶縁層２４ｂは、ＳｉＯ
2あるいはＡｌ2Ｏ3をスパッタリングして所定の厚さに
形成する。レジスト３０は、絶縁層２４ｂの表面に感光
性レジストを塗布した後、露光及び現像して盛り上げ層
２４を形成する部位を残すようにパターニングして形成
する。
製造する方法を示す。図２(a)は基板上に下部磁極層１
０を形成した後、盛り上げ層２４となる絶縁層２４ｂを
形成し、盛り上げ層２４として残す部位をレジスト３０
によって被覆した状態である。下部磁極層１０は強磁性
体層として形成するものであり、基板上にめっきベース
を形成した後、ＮｉＦｅ等を電解めっきして形成する。
盛り上げ層２４として形成する絶縁層２４ｂは、ＳｉＯ
2あるいはＡｌ2Ｏ3をスパッタリングして所定の厚さに
形成する。レジスト３０は、絶縁層２４ｂの表面に感光
性レジストを塗布した後、露光及び現像して盛り上げ層
２４を形成する部位を残すようにパターニングして形成
する。
【００１６】図２(b)は、イオンミリングによって絶縁
層２４ｂをエッチングしている状態を示す。このイオン
ミル工程では、イオンミル粒子を盛り上げ層２４を形成
する絶縁層２４ｂに斜入射させ、レジスト３０によって
絶縁層２４ｂを部分的に遮蔽してエッチングすることを
特徴とする。イオンミル粒子は直線的に照射されるか
ら、絶縁層２４ｂに対して斜めにイオンミル粒子を照射
することにより、レジスト３０の基部近傍ではエッチン
グされにくくなるのに対して、レジスト３０の基部から
離れた位置ではエッチングが進むようになる。これによ
って絶縁層２４ｂが傾斜面にエッチングされ傾斜部２４
ａを形成することができる。
層２４ｂをエッチングしている状態を示す。このイオン
ミル工程では、イオンミル粒子を盛り上げ層２４を形成
する絶縁層２４ｂに斜入射させ、レジスト３０によって
絶縁層２４ｂを部分的に遮蔽してエッチングすることを
特徴とする。イオンミル粒子は直線的に照射されるか
ら、絶縁層２４ｂに対して斜めにイオンミル粒子を照射
することにより、レジスト３０の基部近傍ではエッチン
グされにくくなるのに対して、レジスト３０の基部から
離れた位置ではエッチングが進むようになる。これによ
って絶縁層２４ｂが傾斜面にエッチングされ傾斜部２４
ａを形成することができる。
【００１７】また、絶縁層２４ｂにイオンミル粒子を照
射すると、特有の波長の反射光が得られる。絶縁層２４
ｂが除去され下部磁極層１０の表面が露出すると反射光
の波長が変わる。したがって、反射光の波長を監視して
いることによりイオンミリングを停止する適切なタイミ
ングを知ることができる。こうして、一定時間イオンミ
リングすることにより、下部磁極層１０の先端部１０ａ
については絶縁層２４ｂが除去されて下部磁極層１０の
表面が露出し、下部磁極層１０の先端部から若干後退し
た位置から傾斜部２４ａが形成された形状に絶縁層２４
ｂをエッチングすることができる。
射すると、特有の波長の反射光が得られる。絶縁層２４
ｂが除去され下部磁極層１０の表面が露出すると反射光
の波長が変わる。したがって、反射光の波長を監視して
いることによりイオンミリングを停止する適切なタイミ
ングを知ることができる。こうして、一定時間イオンミ
リングすることにより、下部磁極層１０の先端部１０ａ
については絶縁層２４ｂが除去されて下部磁極層１０の
表面が露出し、下部磁極層１０の先端部から若干後退し
た位置から傾斜部２４ａが形成された形状に絶縁層２４
ｂをエッチングすることができる。
【００１８】イオンミリングによるエッチング方法は、
イオンミル粒子の照射方向によってエッチングの進行方
向を制御することができる点が特徴である。したがっ
て、イオンミル粒子の照射方向（照射角度）を変えるこ
とによって傾斜部２４ａの形状を変えることができる。
イオンミル粒子の照射角度が大きくなる（絶縁層の面に
対して直角に近くなる）と、レジスト３０による遮蔽作
用が小さくなって傾斜部２４ａの被着長さ（Ｌ2）が短
くなり、Apex（角度θ）が大きくなるし、照射角度が小
さくなると、傾斜部２４ａの被着長さ（Ｌ2）が長くな
り、Apex（角度θ）が小さくなる。
イオンミル粒子の照射方向によってエッチングの進行方
向を制御することができる点が特徴である。したがっ
て、イオンミル粒子の照射方向（照射角度）を変えるこ
とによって傾斜部２４ａの形状を変えることができる。
イオンミル粒子の照射角度が大きくなる（絶縁層の面に
対して直角に近くなる）と、レジスト３０による遮蔽作
用が小さくなって傾斜部２４ａの被着長さ（Ｌ2）が短
くなり、Apex（角度θ）が大きくなるし、照射角度が小
さくなると、傾斜部２４ａの被着長さ（Ｌ2）が長くな
り、Apex（角度θ）が小さくなる。
【００１９】また、イオンミル粒子の照射角度が同じ場
合でも、レジスト３０の厚さが異なると傾斜部２４ａの
被着長さ（Ｌ2）とApex（角度θ）が変化する。図３
は、イオンミル粒子の照射角度とレジスト３０の厚さに
よって傾斜部２４ａの被着長さ（Ｌ2）がどのように変
化するかを調べたグラフを示す。これらのグラフからわ
かるように、レジスト３０の厚さあるいはイオンミル粒
子の照射角度を適宜設定することによって、傾斜部２４
ａの傾斜角（Apex）を適当に調節することができる。傾
斜部２４ａの傾斜角（Apex）は磁束の漏れ量に影響を及
ぼすから、磁束の漏れがもっとも少なくなる角度に調節
する。
合でも、レジスト３０の厚さが異なると傾斜部２４ａの
被着長さ（Ｌ2）とApex（角度θ）が変化する。図３
は、イオンミル粒子の照射角度とレジスト３０の厚さに
よって傾斜部２４ａの被着長さ（Ｌ2）がどのように変
化するかを調べたグラフを示す。これらのグラフからわ
かるように、レジスト３０の厚さあるいはイオンミル粒
子の照射角度を適宜設定することによって、傾斜部２４
ａの傾斜角（Apex）を適当に調節することができる。傾
斜部２４ａの傾斜角（Apex）は磁束の漏れ量に影響を及
ぼすから、磁束の漏れがもっとも少なくなる角度に調節
する。
【００２０】盛り上げ層２４及び傾斜部２４ａを形成し
た後、レジスト３０を除去し、図２(c)に示すように、
下部磁極層１０の表面にギャップ層２２を形成する。ギ
ャップ層２２はＳｉＯ2等の非磁性絶縁材料をスパッタ
リングすることによって形成することができる。ギャッ
プ層２２を形成する非磁性絶縁材料は、下部磁極層１０
の表面と、傾斜部２４ａ、盛り上げ層２４の表面全体を
被覆する。
た後、レジスト３０を除去し、図２(c)に示すように、
下部磁極層１０の表面にギャップ層２２を形成する。ギ
ャップ層２２はＳｉＯ2等の非磁性絶縁材料をスパッタ
リングすることによって形成することができる。ギャッ
プ層２２を形成する非磁性絶縁材料は、下部磁極層１０
の表面と、傾斜部２４ａ、盛り上げ層２４の表面全体を
被覆する。
【００２１】なお、ギャップ層２２を形成する別の方法
として、盛り上げ層２４を形成する絶縁層２４ｂをイオ
ンミリングによってエッチングする際に、絶縁層２４ｂ
を下部磁極層１０の表面から完全に除去しないように
し、下部磁極層１０の表面上に絶縁層２４ｂが残るよう
にして形成する方法もある。この場合は、下部磁極層１
０の表面上に残留する絶縁層２４ｂの厚さがギャップ層
２２の厚さとなったところでイオンミリングを停止す
る。
として、盛り上げ層２４を形成する絶縁層２４ｂをイオ
ンミリングによってエッチングする際に、絶縁層２４ｂ
を下部磁極層１０の表面から完全に除去しないように
し、下部磁極層１０の表面上に絶縁層２４ｂが残るよう
にして形成する方法もある。この場合は、下部磁極層１
０の表面上に残留する絶縁層２４ｂの厚さがギャップ層
２２の厚さとなったところでイオンミリングを停止す
る。
【００２２】ギャップ層２２を形成した後、副磁極層２
０を形成する。副磁極層２０は下部磁極層１０を形成し
た場合と同様に、ギャップ層２２の表面にめっきベース
を形成した後、ＮｉＦｅ等の強磁性体材料を電解めっき
して形成する。実際には、電解めっきによってギャップ
層２２と盛り上げ層２４の表面に磁性体層が被着するか
ら、この磁性体層を所定のパターンにエッチングして所
定形状の副磁極層２０に形成する。図２(d)は、所定の
パターンに副磁極層２０を形成した状態を示す。
０を形成する。副磁極層２０は下部磁極層１０を形成し
た場合と同様に、ギャップ層２２の表面にめっきベース
を形成した後、ＮｉＦｅ等の強磁性体材料を電解めっき
して形成する。実際には、電解めっきによってギャップ
層２２と盛り上げ層２４の表面に磁性体層が被着するか
ら、この磁性体層を所定のパターンにエッチングして所
定形状の副磁極層２０に形成する。図２(d)は、所定の
パターンに副磁極層２０を形成した状態を示す。
【００２３】図２(e)は、副磁極層２０の上面に連結し
て上部磁極層１８を形成した状態である。上部磁極層１
８は、コイル１４ａ、１４ｂを形成した後、絶縁層１６
ｂの表面に磁性層を所定のパターンに形成することによ
って得られる。こうして、図１に示すような、盛り上げ
層２４とギャップ層２２との境界部分に傾斜部２４ａが
形成され、盛り上げ層２４からギャップ層２２に向けて
徐々に低位となる緩斜面が形成される。
て上部磁極層１８を形成した状態である。上部磁極層１
８は、コイル１４ａ、１４ｂを形成した後、絶縁層１６
ｂの表面に磁性層を所定のパターンに形成することによ
って得られる。こうして、図１に示すような、盛り上げ
層２４とギャップ層２２との境界部分に傾斜部２４ａが
形成され、盛り上げ層２４からギャップ層２２に向けて
徐々に低位となる緩斜面が形成される。
【００２４】図４は、盛り上げ層２４に形成した傾斜部
２４ａの傾斜角（Apex）によって副磁極層２０と下部磁
極層１０との間で漏れる磁束がどの程度になるかを計算
した結果を示す。図４では傾斜角（Apex）を変えた際
に、副磁極層２０と下部磁極層１０の端面間で生じる磁
場の強さがどのように変化するかを示している。Apex角
度が５０°付近から徐々に大きくなるにしたがって磁場
の強さが小さくなっている。これは、Apex角度が小さい
場合に副磁極層２０の後部側で下部磁極層１０に漏れる
磁束が抑えられ、副磁極層２０と下部磁極層１０の端面
間で効率的に磁場が作用することを示す。すなわち、薄
膜磁気ヘッドのライト部の特性を向上させることが可能
となる。図４に示すように、盛り上げ層２４の形状を改
善することで、このようにライト特性を改善できること
は、薄膜磁気ヘッドの特性を向上させる方法としてきわ
めて有効であることがわかる。
２４ａの傾斜角（Apex）によって副磁極層２０と下部磁
極層１０との間で漏れる磁束がどの程度になるかを計算
した結果を示す。図４では傾斜角（Apex）を変えた際
に、副磁極層２０と下部磁極層１０の端面間で生じる磁
場の強さがどのように変化するかを示している。Apex角
度が５０°付近から徐々に大きくなるにしたがって磁場
の強さが小さくなっている。これは、Apex角度が小さい
場合に副磁極層２０の後部側で下部磁極層１０に漏れる
磁束が抑えられ、副磁極層２０と下部磁極層１０の端面
間で効率的に磁場が作用することを示す。すなわち、薄
膜磁気ヘッドのライト部の特性を向上させることが可能
となる。図４に示すように、盛り上げ層２４の形状を改
善することで、このようにライト特性を改善できること
は、薄膜磁気ヘッドの特性を向上させる方法としてきわ
めて有効であることがわかる。
【００２５】なお、上記実施形態では下部磁極層１０に
ギャップ層２２を挟んで副磁極層２０を設けた薄膜磁気
ヘッドを例に説明したが、イオンミリングによって盛り
上げ層を形成する方法は、副磁極層２０を設けない薄膜
磁気ヘッドについても同様に適用することができる。こ
の場合は、下部磁極層１０にギャップ層２２を挟んで上
部磁極層１８を配置する構成となる。
ギャップ層２２を挟んで副磁極層２０を設けた薄膜磁気
ヘッドを例に説明したが、イオンミリングによって盛り
上げ層を形成する方法は、副磁極層２０を設けない薄膜
磁気ヘッドについても同様に適用することができる。こ
の場合は、下部磁極層１０にギャップ層２２を挟んで上
部磁極層１８を配置する構成となる。
【００２６】（付記１） ギャップ層を挟んで下部磁極
層に対向して副磁極層が配置され、副磁極層の後部に上
部磁極層が接続されたライト部を備える薄膜磁気ヘッド
において、前記ギャップ層の後部側に前記副磁極層と前
記下部磁極層とに挟まれて絶縁層からなる盛り上げ層が
設けられ、該盛り上げ層から前記ギャップ層に向けて、
徐々に低位となる傾斜部が延出して設けられていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 （付記２） 前記ギャップ層が、前記盛り上げ層を構成
する絶縁層が所定の厚さにエッチングされて盛り上げ層
と一体に形成されていることを特徴とする付記１記載の
薄膜磁気ヘッド。 （付記３） 前記ギャップ層の端面方向への長さＬ１、
前記傾斜部の端面方向への長さＬ２が、Ｌ２＞Ｌ１とな
る関係にあることを特徴とする付記１または２記載の薄
膜磁気ヘッド。 （付記４） ギャップ層を挟んで下部磁極と上部磁極と
が配置された薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記
下部磁極層の表面に絶縁層を形成し、該絶縁層の表面
に、絶縁層を盛り上げ層として残す部位を被覆するレジ
ストを形成し、前記絶縁層の表面に対してイオンミル粒
子を斜入射させるイオンミリングを施した後、上部磁極
を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 （付記５） 前記絶縁層に対してイオンミリングを施し
た後、前記下部磁極上に前記ギャップ層を挟んで副磁極
を形成することを特徴とする付記４記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 （付記６） 前記イオンミル粒子の前記絶縁層の表面に
対する入射角度を調節することにより、前記傾斜部の形
状を制御することを特徴とする付記４または５記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 （付記７） 前記レジストの厚さを調節することによ
り、前記傾斜部の形状を制御することを特徴とする付記
４、５または６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
層に対向して副磁極層が配置され、副磁極層の後部に上
部磁極層が接続されたライト部を備える薄膜磁気ヘッド
において、前記ギャップ層の後部側に前記副磁極層と前
記下部磁極層とに挟まれて絶縁層からなる盛り上げ層が
設けられ、該盛り上げ層から前記ギャップ層に向けて、
徐々に低位となる傾斜部が延出して設けられていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 （付記２） 前記ギャップ層が、前記盛り上げ層を構成
する絶縁層が所定の厚さにエッチングされて盛り上げ層
と一体に形成されていることを特徴とする付記１記載の
薄膜磁気ヘッド。 （付記３） 前記ギャップ層の端面方向への長さＬ１、
前記傾斜部の端面方向への長さＬ２が、Ｌ２＞Ｌ１とな
る関係にあることを特徴とする付記１または２記載の薄
膜磁気ヘッド。 （付記４） ギャップ層を挟んで下部磁極と上部磁極と
が配置された薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記
下部磁極層の表面に絶縁層を形成し、該絶縁層の表面
に、絶縁層を盛り上げ層として残す部位を被覆するレジ
ストを形成し、前記絶縁層の表面に対してイオンミル粒
子を斜入射させるイオンミリングを施した後、上部磁極
を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 （付記５） 前記絶縁層に対してイオンミリングを施し
た後、前記下部磁極上に前記ギャップ層を挟んで副磁極
を形成することを特徴とする付記４記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 （付記６） 前記イオンミル粒子の前記絶縁層の表面に
対する入射角度を調節することにより、前記傾斜部の形
状を制御することを特徴とする付記４または５記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 （付記７） 前記レジストの厚さを調節することによ
り、前記傾斜部の形状を制御することを特徴とする付記
４、５または６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、
上述したように、従来、段差形状に形成されていた盛り
上げ層の端面に傾斜部が設けられ、盛り上げ層の端面が
緩斜面に形成されることによって副磁極層の後部側での
磁束の漏れを抑えることができ、これによってライト部
の特性を効果的に向上させることができる。また、本発
明方法によれば、イオンミリングによることで盛り上げ
層に容易に傾斜部を形成することが可能になる。
上述したように、従来、段差形状に形成されていた盛り
上げ層の端面に傾斜部が設けられ、盛り上げ層の端面が
緩斜面に形成されることによって副磁極層の後部側での
磁束の漏れを抑えることができ、これによってライト部
の特性を効果的に向上させることができる。また、本発
明方法によれば、イオンミリングによることで盛り上げ
層に容易に傾斜部を形成することが可能になる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのライト部の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明図であ
る。
る。
【図３】レジストの厚さとイオンミル粒子の照射方向に
よって下部磁極層上での傾斜部の被着長さが変化する様
子を示すグラフである。
よって下部磁極層上での傾斜部の被着長さが変化する様
子を示すグラフである。
【図４】Apex角度によりライト部で生じる磁場の強さが
変化する様子を示すグラフである。
変化する様子を示すグラフである。
【図５】薄膜磁気ヘッドのライト部の従来の構成を示す
断面図である。
断面図である。
１０ 下部磁極層
１２ 絶縁層
１４ａ、１４ｂ コイル
１６ａ、１６ｂ 絶縁層
１８ 上部磁極層
２０ 副磁極層
２２ ギャップ層
２４ 盛り上げ層
２４ａ 傾斜部
２４ｂ 絶縁層
３０ レジスト
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5D033 BA08 BA22 CA02 DA02 DA08
DA31
Claims (5)
- 【請求項１】 ギャップ層を挟んで下部磁極層に対向し
て副磁極層が配置され、副磁極層の後部に上部磁極層が
接続されたライト部を備える薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記ギャップ層の後部側に前記副磁極層と前記下部磁極
層とに挟まれて絶縁層からなる盛り上げ層が設けられ、 該盛り上げ層から前記ギャップ層に向けて、徐々に低位
となる傾斜部が延出して設けられていることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記ギャップ層が、前記盛り上げ層を構
成する絶縁層が所定の厚さにエッチングされて盛り上げ
層と一体に形成されていることを特徴とする請求項１記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記ギャップ層の端面方向への長さＬ
１、前記傾斜部の端面方向への長さＬ２が、Ｌ２＞Ｌ１
となる関係にあることを特徴とする請求項１または２記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 ギャップ層を挟んで下部磁極と上部磁極
とが配置された薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 前記下部磁極層の表面に絶縁層を形成し、 該絶縁層の表面に、絶縁層を盛り上げ層として残す部位
を被覆するレジストを形成し、 前記絶縁層の表面に対してイオンミル粒子を斜入射させ
るイオンミリングを施した後、 上部磁極を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項５】 前記絶縁層に対してイオンミリングを施
した後、前記下部磁極上に前記ギャップ層を挟んで副磁
極を形成することを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001321940A JP2003132505A (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US10/050,217 US6778356B2 (en) | 2001-10-19 | 2002-01-16 | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001321940A JP2003132505A (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003132505A true JP2003132505A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19139069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001321940A Pending JP2003132505A (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6778356B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003132505A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7505226B2 (en) * | 2004-05-28 | 2009-03-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Method and apparatus for providing a pole tip structure having a shape for preventing over saturation of the pole tip structure |
| US8449752B2 (en) * | 2009-09-30 | 2013-05-28 | HGST Netherlands B.V. | Trailing plated step |
| US8724258B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-05-13 | HGST Netherlands B.V. | Slanted bump design for magnetic shields in perpendicular write heads and method of making same |
| US20110075299A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Olson Trevor W | Magnetic write heads for hard disk drives and method of forming same |
| US9934794B1 (en) * | 2016-02-09 | 2018-04-03 | Western Digital (Fremont), Llc | Writer having a recessed trailing shield and nonmagnetic refill |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5805391A (en) * | 1996-10-28 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Write head with recessed stitched yoke on a planar portion of an insulation layer defining zero throat height |
| JPH11175932A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Read Write Smi Kk | インダクティブ／ｍｒ複合型薄膜磁気ヘッド |
-
2001
- 2001-10-19 JP JP2001321940A patent/JP2003132505A/ja active Pending
-
2002
- 2002-01-16 US US10/050,217 patent/US6778356B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030076628A1 (en) | 2003-04-24 |
| US6778356B2 (en) | 2004-08-17 |
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