JP2003132327A

JP2003132327A - カード型半導体装置

Info

Publication number: JP2003132327A
Application number: JP2001325789A
Authority: JP
Inventors: Rei Takamori; 麗高森
Original assignee: Fujitsu Media Devices Ltd
Current assignee: Fujitsu Media Devices Ltd
Priority date: 2001-10-24
Filing date: 2001-10-24
Publication date: 2003-05-09

Abstract

(57)【要約】【課題】カード型半導体装置内の狭い面積、高さ、空
間を最大限に利用でき、高密度実装が実現でき、実装有
効容積を高めることができる技術を提供する。【解決手段】複数の実装基板を内蔵するカード型半導
体装置において、当該複数の実装基板に搭載する部品を
その高さの順に並べたときに、最大高さの部品から数え
て、全体の７０％にあたる部品までに該当する部品につ
いて、その少なくとも３０％以上を一つの実装基板に集
中して搭載する。また、電気的接続用コネクタを有する
実装基板Ａと電気的接続部を有する実装基板Ｂとを、当
該電気的接続用コネクタと当該電気的接続部とで電気的
に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はカード型半導体装置
の実装に関するものである。

【０００２】さらに詳しくは、カード型半導体装置の実
装有効容積の向上に関するものである。

【０００３】

【従来の技術】携帯電話等の小型化の要請に伴い、カー
ド型半導体装置についても、低背化、実装面積の向上、
実装有効容積の向上を図り、非常に狭い面積、高さ、空
間を最大限に利用することが重要となってきている。

【０００４】従来、カード型半導体装置に複数の実装基
板を内蔵させる技術は知られていたが、複数の実装基板
を使用することを利用して、低背化、実装面積の向上、
実装有効容積の向上を図り、上記のように狭い面積、高
さ、空間を最大限に利用する技術についての検討は不十
分であった。

【０００５】また、実装基板同士の電気的接続方法に関
しては、従来のカード型半導体装置は、ざぐりを入れた
基板を使用したり、リジッドフレキ基板を使用したりし
て基板間にオフセットを生じさせ、基板の実装面から外
装内面までの有効な高さ寸法を確保していた。

【０００６】図１は、ざぐりを入れた実装基板の様子を
示すモデル図である。この図で、部品２は基板１の上に
設置されているが、部品３は基板１に設けられたざぐり
部分４に収納されている。

【０００７】図２は、リジッドフレキ基板に部品を搭載
した様子を示すモデル図である。簡略化のため一の基板
面には一つの部品を示してある。

【０００８】図２において、一つのリジッドフレキ基板
は、背の高い部品５を搭載する基板１（図中左側）と両
面に二つの背の低い部品５を搭載する基板１（図中右
側）と、この両者を結ぶ可撓性のコネクタ部分６とから
なる。

【０００９】ここで、リジッドフレキ基板とは、固く変
形の困難な部分と比較的容易に変形できるコネクタ部分
とからなる基板であって、その可撓性のあるコネクタ部
分を利用して図２に示すように基板間にオフセットを生
じさせるものである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本願発明は、複数の実
装基板を使用することを利用して、カード型半導体装置
内の狭い面積、高さ、空間を最大限に利用する技術を開
発することを目的とする。

【００１１】また、本発明は、装置が小型であるカード
型半導体装置においても実装面積、実装高さの確保と配
線密度を上げることが容易にでき、搭載部品に対する実
装面積及び実装高さを拡大できる実装技術を提供するも
のである。

【００１２】なお、本願発明において、カード型半導体
装置とは、ＰＣカード標準準拠のＰＣカードやＣＦＡ準
拠のＣＦカードを意味し、具体的には、内部の高さが
３．３ｍｍまでに制限されるＣＦカードや内部の高さが
４．３５ｍｍまでに制限されるＰＣカードに代表される
ように、内部の高さが１０ｍｍまでに制限される半導体
装置および／またはその内部面積が６０００ｍｍ²程度
に制限される半導体装置を例示できる。

【００１３】ＰＣカードについてさらに詳しく説明すれ
ば、これは、ノートブックパソコンをはじめとする小型
情報機器に使用できるクレジットカードと同サイズ（８
５．６ｍｍ×５４．０ｍｍ）の情報メディアで、ＰＣ
ＣａｒｄＳｔａｎｄａｒｄ（社団法人日本電子工業振
興協会（ＪＥＩＤＡ）／ＰｅｒｓｏｎａｌＣｏｍｐｕ
ｔｅｒＭｅｍｏｒｙＣａｒｄＩｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ（ＰＣＭＣＩＡ）間
にて標準化に合意した規格）に準拠したもので、厚さ
は、３．３ｍｍ、５．０ｍｍ、１０．５ｍｍの３種類が
あり、短辺方向に６８ピンのコネクタがついている。

【００１４】厚さにより、それぞれＴｙｐｅＩ、Ｔｙｐ
ｅＩＩ、ＴｙｐｅＩＩＩと呼ばれているが、この他にも
長辺方向に延長したＥｘｔｅｎｄｅｄという形状のカー
ドもある。ＴｙｐｅＩＩＩやＥｘｔｅｎｄｅｄ形状のカ
ードは、機器によっては使用できない場合もある。

【００１５】一般に、背の高い部品がある場合に、図１
に示すようにざぐりを入れた実装基板を使用することは
有効な手段であるが、ざぐりのための作業量が増大し、
また、ざぐりの程度は通常実装基板の厚さで制限される
ので限界がある。

【００１６】図２に示すような従来のリジッドフレキ基
板では、部品を含む基板高さを調整するために、その実
装基板を電気的に接続するコネクタ部分に段差（オフセ
ット）を生じさせて接続することが必要であり、そのコ
ネクタ部分の曲がりを考慮すると、図１の点線で囲んだ
部分のように、部品を搭載できないスペースを作らざる
を得なかった。

【００１７】すなわち、コネクタ部分６を収容する空間
８が、カード型半導体基板の内部空間７の中で、部品の
搭載に使用できない空間、すなわち実装有効容積外の容
積となる。

【００１８】一般的にいえば、リジッドフレキ基板のコ
ネクタ部分およびコネクタ部分の周辺にはクリアランス
を確保しなければならず、部品を搭載することができな
いのである。そのため、限られた空間において実装に必
要な実装容積を確保する上で障害となっていた。

【００１９】さらに、リジッドフレキ基板では、多くの
場合、製造上やコスト上の理由により、配線間隔（Ｌｉ
ｎｅ＆Ｓｐａｃｅ）を１５０μｍ以上確保しなければな
らないという問題がある。

【００２０】カード型半導体装置にリジッドフレキ基板
を採用した場合、ビルドアップ工法等を用いた場合に代
表されるような、１００μｍ以下のファインピッチの配
線間距離の高密度な配線用基板を実現することができ
ず、結局、リジッドフレキ基板の採用自体が、半導体装
置の小型化の障害となっていた。

【００２１】ビルドアップ工法で作製されるような高密
度配線用基板の配線間隔は、さらに７５μｍ，５０μｍ
程度以下まで可能であり、これと比較すると、リジッド
フレキ基板ではビルドアップ工法で作製されるような高
密度配線用基板より配線本数が１／３程度になり、高密
度な配線を実現できないのである。

【００２２】また、リジッドフレキ基板を使用する場合
は、その材質が同一であるため、異なる材質の基板や異
なる厚みの基板を使用することはできない。このため、
リジッドフレキ基板の採用自体が、適切な部品を使用す
ることの障害となる場合もあった。

【００２３】リジッドフレキ基板を採用しない場合に
は、基板同士にスタッキングコネクタを搭載して電気的
に接続する方法がある。スタッキングコネクタとは、基
板間の電気的接続のための嵌合用コネクタである。

【００２４】このスタッキングコネクタの電気的接続の
場合は、異なる厚みの基板や、異なる材質の基板を接続
でき、１００μｍ以下の配線間距離のファインピッチの
高密度配線用基板や材質の異なる基板を採用することが
可能となる。

【００２５】しかしながら、コネクタは嵩張るため、コ
ネクタを接続することによる実装に必要な高さが確保で
きづらく、また、コネクタの分だけ、実装有効容積が少
なくなり、高密度実装を必要とするカード型半導体装置
等の用途には採用が困難であった。

【００２６】図３は、スタッキングコネクタ９で基板間
を電気的接続した様子を示すモデル図である。

【００２７】図３において、二つのコネクタがあるた
め、実装有効容積が低下すること、これらのコネクタの
構造上の制限から、基板間の高さの調節（オフセット）
に限界があることが理解される。

【００２８】本願発明は、これらの問題を解決する手段
を供するものである。

【００２９】本願発明のさらに他の目的および利点は、
以下の説明から明らかになるであろう。

【００３０】

【課題を解決するための手段】本願発明の１態様は、複
数の実装基板を内蔵するカード型半導体装置であって、
当該複数の実装基板に搭載する部品のうち背の高いもの
を一つの基板に集中して搭載することを特徴とするカー
ド型半導体装置、である。具体的には、部品をその高さ
の順に並べたときに、最大高さの部品から数えて、全体
のＸ％にあたる部品までに該当する部品について、その
少なくともＹ％以上を一つの実装基板に集中して搭載す
るのが効率的である。ここで、Ｘ，Ｙは数値を意味す
る。

【００３１】この数値Ｘ，Ｙについては、実装する部品
の種類に応じて、種々のレベルが考えられる。

【００３２】検討の結果、Ｘ＝７０である場合には、Ｙ
＝３０であれば、効率的になることが示された。Ｙ＝６
０がより好ましいことが多い。

【００３３】このＸとＹとの関係はＸがより小さければ
Ｙをより大きくすることで、より効率的になることが多
い。

【００３４】たとえば、Ｘ＝４０の場合にも、Ｙ＝３０
であれば効率的になり、Ｙ＝６０がより好ましい場合が
多い。０Ｙ＝９０がさらに好ましい場合が多い。

【００３５】またＸ＝２０の場合には、Ｙ＝６０であれ
ば、本願発明の効果が得られ、Ｙ＝６０がより好ましい
場合が多い。Ｙ＝９５がさらに好ましい場合が多い。

【００３６】なお、本願発明において、背の高さが同じ
場合も部品の数に算入する。

【００３７】背の高い部品を纏めて一つの実装基板に搭
載するという考えは、意外にも大きな効果を生じること
が判明した。

【００３８】このようにすれば、ざぐりを入れる場合に
もまとまって行うことができ作業効率が向上する。

【００３９】また、リジッドフレキ基板を採用する場合
にもコネクタの数を最小限に抑えることができる。

【００４０】スタッキングコネクタを採用する場合にも
同様である。

【００４１】また、このように背の高い部品を纏めて一
つの実装基板に搭載すれば、背の高い部品に対しては、
厚さの薄い基板を採用して効率よくカード型半導体装置
の低背化を図ることができる。

【００４２】この厚さの薄い基板は、たとえば特殊な材
質の基板を採用したり、高密度配線用基板を採用するこ
とで実現することもできる。なお、本願発明において、
高密度配線用基板は、１００μｍ以下のファインピッチ
の配線間距離を有する基板を意味している。

【００４３】また、このように背の高い部品を纏めて一
つの実装基板に搭載するに際し、その実装基板について
は片面搭載を採用し、その他の部品を搭載する実装基板
については両面搭載を採用すれば、さらに効率よく、カ
ード型半導体装置全体の低背化を図ることができる。

【００４４】本願発明の他の態様は、電気的接続用コネ
クタを有する実装基板Ａと電気的接続部を有する実装基
板Ｂとを有し、当該電気的接続用コネクタと当該電気的
接続部とを電気的に接続してなるカード型半導体装置、
である。

【００４５】具体的接続方法はどのようなものでも良い
が、前記電気的接続用コネクタが側面に凹設する電気的
接続部を有しており、前記実装基板Ｂにある電気的接続
部が前記実装基板Ｂの側面に凸設する電気的接続部であ
ることが望ましい。なお、ここで側面とは、電気的接続
用コネクタの底面に隣接する面を意味し、電気的接続用
コネクタが直方体である場合は、底面に隣接する４つの
面のいずれをも意味し得る。

【００４６】また、前記実装基板Ｂの側面に凸設する電
気的接続部の接続端子が、当該実装基板Ｂの内部配線層
を露出して形成されていることが望ましい。

【００４７】このようにすることによって、電気的接続
用コネクタの数を半減できるため、実装有効容積の向上
が図れる。

【００４８】さらに、実装基板Ａのコネクタと実装基板
Ｂの側面に凸設する電気的接続部との電気的接続方法に
自由度が大きいことから、基板間の高さの調節が容易に
なり、カード型半導体装置全体の低背化の実現が容易に
なる。

【００４９】本願発明のさらに他の態様は、電気的接続
用コネクタを有する実装基板Ａと電気的接続部を有する
実装基板Ｂを有するカード型半導体装置において、前記
電気的接続用コネクタが挿入用電気的接続部を有し、当
該実装基板Ｂの電気的接続部が、当該実装基板Ｂの一部
に、当該実装基板Ｂのその他の基板領域より薄い厚みで
形成され、前記実装基板Ａの厚みが当該実装基板Ｂの当
該その他の基板領域厚みより小さく、当該電気的接続用
コネクタの挿入用電気的接続部に当該実装基板Ｂの電気
的接続部を挿入することにより、当該実装基板Ａの回路
と当該実装基板Ｂの回路とが互いに電気的に接続される
カード型半導体装置、である。

【００５０】このようにすることによって、実装有効容
積の向上が図れ、カード型半導体装置全体の低背化の実
現が容易になる。

【００５１】なお、上記の本願発明の態様は、両者を同
時に採用すると、さらにカード型半導体装置全体の低背
化、実装面積の向上、実装有効容積の向上につながる。
なお、本願発明において実装有効容積とは、半導体装置
の内容積の内、実際に実装基板への搭載に利用し得る容
積を意味する。たとえば図２の点線で囲まれた部分は、
実装有効容積から除外される。なお、以下に説明する発
明の実施の形態や図面の中で、本発明の更なる特徴が明
らかにされる。

【００５２】

【発明の実施の形態】以下に、本願発明の実施の形態を
図を使用して説明する。なお、これらの図及び説明は本
願発明を例示するものであり、本願発明の範囲を制限す
るものではない。本願発明の趣旨に合致する限り他の実
施の形態も本願発明の範疇に属し得ることは言うまでも
ない。

【００５３】図４は、本願に係る、複数の実装基板を内
蔵するカード型半導体装置であって、当該複数の実装基
板に搭載する部品をその高さの順に並べたときに、最大
高さの部品から数えて、全体の７０％にあたる部品まで
に該当する部品について、その少なくとも３０％以上を
一つの実装基板に集中して搭載することを特徴とするカ
ード型半導体装置における部品５の配置をモデル的に示
した図である。

【００５４】ここでは、１０の部品５の内、背の最も高
いものから３つが左側の基板１に搭載され、その他が右
側の基板１に搭載されている様子を表す。

【００５５】このように配置すれば、ざぐりを入れる場
合にもまとまって行うことができ作業効率が向上する。

【００５６】また、リジッドフレキ基板やスタッキング
コネクタを採用する場合にもコネクタの数を最小限に抑
えることができる。

【００５７】また、背の高い部品に対しては、厚さの薄
い基板を採用して効率よくカード型半導体装置の低背化
を図ることができる。たとえば高密度配線用基板を採用
するとより薄い基板を採用することが可能となり、その
ような基板に背の高い部品を集中的に搭載することがで
きる。

【００５８】また、後述する図７に示すように、このよ
うに背の高い部品を纏めて一つの実装基板に搭載するに
際し、その実装基板につては片面搭載を採用し、その他
の部品を搭載する実装基板については両面搭載を採用す
れば、さらに効率よく、カード型半導体装置全体の低背
化を図ることができる。

【００５９】なお、このように複数の実装基板を採用す
る場合には、一つの実装基板が、他の実装基板とは異な
る材質で構成されているようにすることが望ましい場合
がある。

【００６０】上記の高密度配線用基板の場合のようにカ
ード型半導体装置の低背化に寄与したり、低比誘電率あ
るいは高比誘電率の基板の採用により、設計の自由度を
広げることが可能となったり、高価な基板とリジッド基
板のような比較的安価な基板とを合理的に組み合わせて
使用できるようになったり、種々のメリットが得られる
からである。

【００６１】比誘電率の面からは、一般的には、４〜５
程度を普通のレベルの比誘電率、それより大きいもの、
さらには８〜９程度までを高比誘電率、２〜４弱程度を
低比誘電率と分けることができ、他の実装基板とは異な
る低い比誘電率や高い比誘電率の基板を採用できる自由
度が広がることは、メリットが大きい。ここで、本願発
明に言う、他の実装基板とは異なる誘電率の実装基板と
は、各種部品を実装する場合に、誘電率が異なるものと
して技術的利益が得られる程度のものであることを意味
する。具体的な典型例を挙げれば、０．５の差異があれ
ば技術的利益が得られる。

【００６２】また図５は、本願に係る、電気的接続用コ
ネクタを有する実装基板Ａと電気的接続部を有する実装
基板Ｂとを有し、当該電気的接続用コネクタと当該電気
的接続部とを電気的に接続してなるカード型半導体装置
であって、前記電気的接続用コネクタが側面に凹設する
電気的接続部を有しており、前記実装基板Ｂにある電気
的接続部が前記実装基板Ｂの側面に凸設する電気的接続
部であり、かつ、前記実装基板Ｂの側面に凸設する電気
的接続部の接続端子が、当該実装基板Ｂの内部配線層を
露出して形成されているカード型半導体装置の様子を示
すモデル図である。

【００６３】なお図５においては、１以上の部品を集合
的に「部品」として記載してある。たとえば、部品１１
は、必ずしも一つの部品を意味するものではない。

【００６４】図５では、左側の基板１０上にある部品１
１の右端にコネクタ１２が取り付けられている。コネク
タ１２は側面に凹設する電気的接続部１３を有する。コ
ネクタはその底部で基板１０の配線と接続されている。

【００６５】左側の基板２０にはその上下に部品２１，
２２が搭載されており、基板２０の左端は側面に凸設す
る電気的接続部２３を有する。図５は電気的接続部２３
が電気的接続部１３に嵌合した様子を示す。

【００６６】このように接続することで、基板１０と基
板２０との間の高さの調節が容易になり、またコネクタ
が１個で済むことから、部品２１を搭載できる空間を、
その中の点線で示すように大きく取ることができ、ま
た、部品２５に示すように、さらに多くの部品を搭載す
ることが可能となる。

【００６７】なお、上記のコネクタとしては公知のもの
を使用することができる。

【００６８】図６は、本願に係る、側面に凹設する電気
的接続部１３を有する電気的接続用コネクタ１２を有す
る実装基板Ａと側面に凸設する電気的接続部２３を有す
る実装基板Ｂとを有してなるカード型半導体装置におい
て、実装基板Ｂの側面に凸設する電気的接続部が、当該
実装基板Ｂの内部配線層を接続端子２４として露出して
いる三つのケースを示すモデル図である。

【００６９】図６の右側の最上の図は、図５における右
側の基板２０が内部に２つの配線層を有する４層の多層
基板である場合について、その上表面層にある配線層面
を利用してその面に接続端子２４ａを露出させた電気的
接続部２３ａを設けた状態を示す。この状態をプラスオ
フセットと呼んでいる。

【００７０】図６の右側の真ん中の図は、同じ多層基板
について、その上側の内部配線層を利用して接続端子２
４ｂを露出させた電気的接続部２３ｂを設けた状態を示
す。この状態をゼロオフセットと呼んでいる。

【００７１】図６の右側の最下の図は、同じ多層基板に
ついて、その下側の内部配線層を利用して接続端子２４
ｃを露出させた電気的接続部２３ｃを設けた状態を示
す。この状態をマイナスオフセットと呼んでいる。

【００７２】このような電気的接続部２３ａ〜２３ｃ
は、絶縁層や保護層によって覆われた配線層を露出させ
て作ることができるので、作製が容易である。

【００７３】電気的接続部２３ａ〜２３ｃのように高さ
の異なる電気的接続部を配線層を利用して設けると図６
の左側に示すコネクタ１２の側面に凹設する電気的接続
部１３と嵌合させる際に、適切な高さの電気的接続部を
選択することが可能となる。たとえば、基板の厚さが
０．６〜０．８ｍｍ程度の場合、内部の１層の厚さは
０．２ｍｍ程度になるので、これに応じて高さの調節が
可能となる。

【００７４】なお、図５の左側の基板１０の表面を削
り、コネクタ１２の高さを調節することが有用である場
合もあり、本願発明の範疇に含まれる。

【００７５】図７はＣＦカードの基板をデジタル回路用
の基板４０とＲＦ回路基板３０とに分けた場合の平面図
（右側）とその側断面図（左側）を示したものである。

【００７６】ＣＦカードはＣｏｍｐａｃｔＦｌａｓｈ規
格で寸法が規定されており、内部の高さ２．８ｍｍ、縦
３７．８ｍｍ、横２８．２ｍｍである。

【００７７】ＣＦカード半導体装置にはかなり背の高い
部品も存在し、そのために低背化が困難であることが問
題となる。

【００７８】また、部品点数が多く、基板の片面だけに
部品を搭載して高さを確保することが不可能で、基板両
面に部品を搭載しなければならないことも問題である。

【００７９】そうすると背の高い部品が存在すること
が、低背化への更なる障害となる。

【００８０】そこで、背の高い部品の存在を考慮して一
つの基板上に全部品を搭載せず、背の高い部品用に片面
搭載用の基板を設けると、その基板同士の電気的接続の
ために実装有効容積が低下し、低背化が困難となる場合
がある。

【００８１】これに対し、図７に示すように、コネクタ
３１の側面に凹設する電気的接続部３２にデジタル回路
基板４０の側面に凸設する電気的接続部４１を嵌合させ
ることによって、部品と基板とをふくめた高さの調節が
容易にでき、よりコンパクトなＣＦカードを作製するこ
とが可能となる。なお、図７の電気的接続部４１上には
接続端子４２が示されている。

【００８２】なお、図７の側断面図に示すように、背の
高い部品を一つの基板上に搭載できるため、デジタル回
路基板はその両面に部品を搭載し、ＣＦカードの内部容
積をより効率よく使用することが可能となっている。

【００８３】このように、本願発明の電気的接続技術と
部品の背の高さによる搭載条件とを組み合わせれば、実
装有効容積をより大きくできる。検討の結果、実装有効
容積をその他の工法で作製した場合よりも約１０％増加
させることが可能になった。

【００８４】さらに、両者の組合わせにより、複数の基
板を採用することによる実装有効容積の低下に悩まされ
ることなく、厚さや材質の異なる基板を採用でき、たと
えば、高密度配線用基板の採用や、他の実装基板とは異
なる比誘電率の基板の採用が容易になる。

【００８５】他の実装基板とは異なる比誘電率の基板に
関しては、たとえば１ＧＨｚ以上の高周波アナログ回路
系実装基板等の電気的特性を重視した際に使用される高
価な低比誘電率基板と、そうでない回路系実装基板とで
分離し、コネクタで電気的接続して構成することが可能
になる。これにより大幅な材料費の低減が可能になる。
また、基板上のアンテナを形成する場合には、高比誘電
率基板の採用が有利である。

【００８６】なお、実装基板の厚みに関しては、実装基
板Ｂの電気的接続部を実装基板Ｂの一部に設け、この部
分を、実装基板Ｂのその他の基板領域より薄い厚みで形
成し、実装基板Ａの厚みを実装基板Ｂの当該その他の基
板領域厚みより小さくすることで、合理的に実装有効容
積の増大を図ることができる。

【００８７】さらに、実装基板Ａの電気的接続用コネク
タと実装基板Ｂの電気的接続部の電気的接続により、実
装基板Ａの回路と実装基板Ｂの回路とが電気的に接続さ
れる際に、実装基板Ａと実装基板Ｂとの底面および／ま
たは上面が実質的に同一平面にすること、あるいはさら
に、実装基板Ａに、前記実装基板Ｂに搭載されるいずれ
の部品の高さより大きい高さを有する部品を搭載するこ
とも有用である。

【００８８】図５は、この様子を示すモデル図でもあ
る。

【００８９】図５において、基板２０の一部である電気
的接続部２３は、基板２０の他の基板領域よ薄くなって
おり、基板１０は、基板２０の厚さの内、その薄い部分
を除く領域より薄くなっている。

【００９０】このようにすることにより、より大きい部
品を実装基板Ａ上に搭載して、合理的に実装有効容積の
増大を図ることができる。

【００９１】図５では、実装基板Ａと実装基板Ｂとの底
面および／または上面が実質的に同一平面になってい
る。

【００９２】このように、同一平面を有することによ
り、実装基板Ａと実装基板Ｂとの組合わせを含んでなる
カード型半導体装置を他の装置等に設置することが容易
になり、かつ、他の装置の平面状部分に設置されれば、
実装基板Ａの電気的接続用コネクタと実装基板Ｂの電気
的接続部の接続部分に機械的ひずみがかかる恐れを減少
できる。

【００９３】なお、ここで、「底面および／または上
面」としたのは、必ずしも、図５のごとく底面同士を平
面状にする必要はなく、上面同士が平面状であっても、
底面と上面との組み合わせで平面を形成していても、本
願発明の趣旨に合致するからである。

【００９４】さらに、この場合の底面や上面は、必ずし
も、図５のごとく部品面を意味するものではない。たと
えば絶縁被膜で部品が覆われている場合は、絶縁被膜の
面を意味する。要するに、実装基板Ａの回路と実装基板
Ｂの回路とを電気的に接続した場合に、カード型半導体
装置が全体として平面上の底面および／または上面を有
するようになることが重要である。

【００９５】図５ではまた、実装基板１０に搭載された
部品１１が、実装基板２０に搭載された部品２１，２２
のいずれよりも大きい高さを有している。図５より、こ
のようにすることによって、合理的に実装有効容積の増
大を図ることができることが理解される。

【００９６】本願発明を利用すれば、従来はカード型半
導体装置の内部に取り込めず、外部に設置せざるを得な
かった部品をカード型半導体装置の内部に取り込め、そ
の結果、カード型半導体装置の小型化のみならず、さら
に進んでカード型半導体装置を含むシステムを全体とし
てよりコンパクトにできる。

【００９７】また、従来はカード型半導体装置の内部に
取り込めなかったような大きな部品をカード型半導体装
置の内部に取り込める結果、落雷や外国での高電圧電源
の使用の際に高い電圧に曝されることによる、いわゆる
サージ電圧に対するカード型半導体装置耐性を向上させ
ることができるようになる。

【００９８】

【発明の効果】本願発明により、つぎの効果のいずれか
を実現することが可能となる。

【００９９】先ず、カード型半導体装置内の狭い面積、
高さ、空間を最大限に利用でき、高密度実装が実現で
き、実装有効容積を高めることができる。

【０１００】カード型半導体装置をより小型にできる。
さらにカード型半導体装置を含むシステムを全体として
よりコンパクトにできる。

【０１０１】作業量も低減でき、材料の低減を図ること
ができる。

【０１０２】異なる厚さ、異なる材質の基板を採用で
き、設計の自由度を高められる。

【０１０３】小型化の弱点であるサージ電圧に対する耐
性を向上させることも可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ざぐりを入れた実装基板を示すモデル図であ
る。

【図２】リジッドフレキ基板を使用した例を示すモデル
図である。

【図３】スタッキングコネクタで基板間を電気的接続し
た様子を示すモデル図である。

【図４】実装基板に搭載する部品をその高さの順に並べ
たときに、背の高い部品をその他の部品とは分けて基板
に搭載した様子を示すモデル図である。

【図５】側面に凹設する電気的接続部を有する電気的接
続用コネクタを有する実装基板Ａと側面に凸設する電気
的接続部を有する実装基板Ｂとを有してなるカード型半
導体装置の様子を示すモデル図である。

【図６】側面に凹設する電気的接続部を有する電気的接
続用コネクタを有する実装基板Ａと側面に凸設する電気
的接続部を有する実装基板Ｂとを有してなるカード型半
導体装置の様子を示す他のモデル図である。

【図７】ＣＦカードの基板の平面図とその側断面図とを
示した図である。

【符号の説明】

１，１０、２０，３０，４０基板２，３，５，１１，２１，２２，２５部品４ざぐり部分６コネクタ部分７カード型半導体基板の内部空間８コネクタ部分６を収容する空間９スタッキングコネクタ１２，３１コネクタ１３，２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ），３２，４１電
気的接続部２４（２４ａ，２４ｂ，２４ｃ），４２接続端子４３部品搭載領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の実装基板を内蔵するカード型半導
体装置であって、当該複数の実装基板に搭載する部品を
その高さの順に並べたときに、最大高さの部品から数え
て、全体の７０％にあたる部品までに該当する部品につ
いて、その少なくとも３０％以上を一つの実装基板に集
中して搭載することを特徴とするカード型半導体装置。
【請求項２】前記複数の実装基板の少なくとも一つが
高密度配線用基板であることを特徴とする請求項１に記
載のカード型半導体装置。
【請求項３】前記複数の実装基板の少なくとも一つ
が、他の実装基板とは異なる材質で構成されていること
を特徴とする請求項１または２に記載のカード型半導体
装置。
【請求項４】前記複数の実装基板の少なくとも一つ
が、他の実装基板とは異なる比誘電率の基板であること
を特徴とする請求項３に記載のカード型半導体装置。
【請求項５】複数の実装基板の少なくとも一つが、片
面にのみ部品を搭載したものであることを特徴とする請
求項１〜４のいずれかに記載のカード型半導体装置。
【請求項６】電気的接続用コネクタを有する実装基板
Ａと電気的接続部を有する実装基板Ｂとを有し、当該電
気的接続用コネクタと当該電気的接続部とを電気的に接
続してなるカード型半導体装置。
【請求項７】前記電気的接続用コネクタが側面に凹設
する電気的接続部を有しており、前記実装基板Ｂにある
電気的接続部が前記実装基板Ｂの側面に凸設する電気的
接続部である請求項６に記載のカード型半導体装置。
【請求項８】前記実装基板Ｂの側面に凸設する電気的
接続部の接続端子が、当該実装基板Ｂの内部配線層を露
出して形成されていることを特徴とする請求項７に記載
のカード型半導体装置。
【請求項９】請求項６〜８のいずれかに記載のカード
型半導体装置であって、前記実装基板Ａ，Ｂの少なくと
も一つが高密度配線用基板であることを特徴とするカー
ド型半導体装置。
【請求項１０】請求項６〜９のいずれかに記載のカー
ド型半導体装置であって、前記実装基板Ａが、他の実装
基板とは異なる材質で構成されていることを特徴とする
カード型半導体装置。
【請求項１１】請求項１０に記載のカード型半導体装
置であって、前記実装基板Ａが、前記実装基板Ｂとは異
なる比誘電率の基板であることを特徴とするカード型半
導体装置。
【請求項１２】請求項６〜１１のいずれかに記載のカ
ード型半導体装置であって、前記実装基板Ａが片面にの
み部品を搭載したものであることを特徴とするカード型
半導体装置。
【請求項１３】電気的接続用コネクタを有する実装基
板Ａと電気的接続部を有する実装基板Ｂとを有するカー
ド型半導体装置において、前記電気的接続用コネクタが挿入用電気的接続部を有
し、当該実装基板Ｂの電気的接続部が、当該実装基板Ｂの一
部に、当該実装基板Ｂのその他の基板領域より薄い厚み
で形成され、前記実装基板Ａの厚みが当該実装基板Ｂの当該その他の
基板領域厚みより小さく、当該電気的接続用コネクタの挿入用電気的接続部に当該
実装基板Ｂの電気的接続部を挿入することにより、当該
実装基板Ａの回路と当該実装基板Ｂの回路とが互いに電
気的に接続されるカード型半導体装置。
【請求項１４】前記電気的接続用コネクタの挿入用電
気的接続部に当該実装基板Ｂの電気的接続部を挿入する
ことにより、前記実装基板Ａと前記実装基板Ｂとの底面
および／または上面が実質的に同一平面をなすことを特
徴とする、請求項１３に記載のカード型半導体装置。
【請求項１５】前記実装基板Ａに、前記実装基板Ｂに
搭載されるいずれの部品の高さより大きい高さを有する
部品が搭載されていることを特徴とする、請求項１３ま
たは１４に記載のカード型半導体装置。
【請求項１６】請求項６〜１５のいずれかに記載のカ
ード型半導体装置であって、カード型半導体装置内の全
実装基板に搭載する部品をその高さの順に並べたとき
に、最大高さの部品から数えて、全体の７０％にあたる
部品までに該当する部品について、その少なくとも３０
％以上を実装基板Ａに集中して搭載することを特徴とす
るカード型半導体装置。